KR20170116410A - Light emitting device and lighting system - Google Patents

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KR20170116410A
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light
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이상열
김청송
문지형
박선우
송준오
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예는 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층과, 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층과, 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층과, 제2 도전형 반도체층 아래에 채널층과, 제2 도전형 반도체층 및 채널층 아래에 컨택층과, 제2 도전형 반도체층으로부터 이격되어 컨택층 상에 제2 전극, 및 제1 도전형 반도체층은 랜덤한 크기를 갖는 제1 광 추출 구조를 포함하고, 제1 광 추출 구조 상에 제1 전극을 포함하여 광 추출 효율을 향상시키고, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.Embodiments relate to a light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, and a lighting system.
A light emitting device according to an embodiment includes a first conductive semiconductor layer, an active layer below the first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer below the active layer, a channel layer below the second conductive semiconductor layer, A second electrode and a first conductive semiconductor layer spaced apart from the second conductive type semiconductor layer and below the channel layer, a first light extracting structure having a random size, And includes a first electrode on the first light extracting structure to improve the light extraction efficiency and improve the light emitting efficiency.

Description

발광소자 및 조명시스템{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM [0002]

실시 예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저 전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정표시장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다.A light emitting diode (LED) is one of light emitting devices that emits light when current is applied. The light emitting diode is capable of emitting light with high efficiency at a low voltage, thus providing excellent energy saving effect. In recent years, the problem of luminance of a light emitting diode has been greatly improved, and it has been applied to various devices such as a backlight unit of a liquid crystal display device, a display board, a display device, and a home appliance.

일반적인 수평 타입의 발광소자는 광 추출 구조를 포함하는 사파이어 기판상에 질화물 반도체를 성장하여 제조될 수 있다.A general horizontal type light emitting device can be manufactured by growing a nitride semiconductor on a sapphire substrate including a light extracting structure.

그러나, 사파이어 기판 상에 형성된 광 추출 구조는 다이 에칭을 통해 형성되는데, 각각의 패턴은 일반적으로 제조특성에 따라 수㎛이상의 크기를 가질 수 밖에 없다. 따라서, 일반적인 발광소자는 광 추출 구조를 갖는 사파이어 기판으로 광 추출 효율을 향상시키는데 한계가 있었다. 또한, 일반적인 발광소자는 광 추출 구조를 갖는 사파이어 기판 상에 질화물 반도체층을 성장하므로 평평하지 못한 면상에 성장되는 질화물 반도체층의 결정성이 저하되는 문제가 있었다.However, the light extracting structure formed on the sapphire substrate is formed through die etching, and each pattern generally has a size of several micrometers or more depending on manufacturing characteristics. Therefore, a general light emitting device has a limitation in improving light extraction efficiency with a sapphire substrate having a light extracting structure. In addition, since a nitride semiconductor layer is grown on a sapphire substrate having a light extracting structure, there is a problem that crystallinity of a nitride semiconductor layer grown on a non-flat surface is lowered.

실시 예는 발광 효율을 개선할 수 있는 발광소자, 그 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system capable of improving light emitting efficiency.

실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광소자, 그 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device capable of improving light extraction efficiency, a manufacturing method thereof, a light emitting device package, and an illumination system.

실시 예는 질화물 반도체층의 결정성을 향상시킬 수 있는 발광소자, 그 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device capable of improving the crystallinity of a nitride semiconductor layer, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.

실시 예는 제조비용을 줄일 수 있는 발광소자, 그 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device, a manufacturing method thereof, a light emitting device package, and a lighting system capable of reducing manufacturing cost.

실시 예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층; 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층; 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 채널층; 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 채널층 아래에 컨택층; 상기 제2 도전형 반도체층으로부터 이격되어 상기 컨택층 상에 제2 전극; 및 상기 제1 도전형 반도체층은 랜덤한 크기를 갖는 제1 광 추출 구조를 포함하고, 상기 제1 광 추출 구조 상에 제1 전극을 포함하여 광 추출 효율을 향상시키고, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.A light emitting device according to an embodiment includes a first conductive semiconductor layer; An active layer below the first conductive semiconductor layer; A second conductive semiconductor layer below the active layer; A channel layer below the second conductive semiconductor layer; A contact layer below the second conductive semiconductor layer and the channel layer; A second electrode spaced apart from the second conductive type semiconductor layer on the contact layer; And the first conductive semiconductor layer includes a first light extracting structure having a random size and includes a first electrode on the first light extracting structure to improve light extraction efficiency and improve light emitting efficiency have.

실시 예의 조명시스템은 상기 발광소자를 포함하여 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The illumination system of the embodiment may include the light emitting element to improve the luminous efficiency.

실시 예에 따르면 투과도가 70% 이상의 레진층 및 기판을 포함하여 광 손실을 개선할 수 있다. 따라서, 일 실시 예의 발광소자는 발광 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, the light loss can be improved by including the resin layer having a transmittance of 70% or more and the substrate. Therefore, the light emitting device of one embodiment can improve the light emitting efficiency.

일 실시 예의 발광소자는 1㎛ 이하의 높이 및 너비의 랜덤한 광 추출 구조를 갖는 발광구조물을 포함하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting device of one embodiment can improve light extraction efficiency by including a light emitting structure having a random light extracting structure of a height and a width of 1 탆 or less.

일 실시 예의 발광소자는 제1 도전형 반도체층 위에 1㎛ 이하의 높이 및 너비를 갖는 상기 광 추출 구조를 포함하여 사파이어 기판 상에 1㎛를 초과하는 일정한 광 추출 구조를 갖는 일반적인 발광소자의 반도체 결정성 저하를 개선할 수 있다.The light emitting device of one embodiment includes the light extracting structure having a height and a width of 1 mu m or less on the first conductivity type semiconductor layer, and a semiconductor crystal of a general light emitting device having a constant light extracting structure exceeding 1 mu m on the sapphire substrate The deterioration of the property can be improved.

다른 실시 예의 발광소자는 제2 광 추출 구조를 포함하는 기판을 포함하여 광 추출 효율을 보다 더 향상시킬 수 있다.The light emitting device of another embodiment may further include a substrate including a second light extracting structure to further improve light extraction efficiency.

또 다른 실시 예의 발광소자는 컨택층과 제2 전극과 전기적으로 연결된 연결전극을 포함하여 컨택층과 제2 전극 사이의 컨택 저항을 줄여 적기적 특성을 개선할 수 있다. 따라서, 또 다른 실시 예의 발광소자는 전기적 특성을 향상시켜 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting device of another embodiment may include a contact layer and a connection electrode electrically connected to the second electrode to reduce the contact resistance between the contact layer and the second electrode to improve the red light characteristic. Therefore, the light emitting device of another embodiment can improve the light emitting efficiency by improving the electrical characteristics.

실시 예는 발광구조물의 성장을 위한 성장기판을 발광구조물 성장 이후에 제거함으로써, 재사용할 수 있다. 즉, 실시 예는 발광구조물의 성장을 위한 성장기판의 재생에 의해 제조비용을 줄일 수 있다.The embodiment can be reused by removing the growth substrate for growth of the light emitting structure after the light emitting structure growth. That is, the embodiment can reduce the manufacturing cost by regenerating the growth substrate for growth of the light emitting structure.

도 1은 일 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 2는 광 추출 구조를 도시한 도면이다.
도 3 내지 도 7은 일 실시 예에 따른 발광소자 제조단계를 도시한 단면도이다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 9는 또 다른 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 10은 실시 예의 백라이트 유닛을 도시한 사시도이다.
도 11은 실시 예의 조명장치를 도시한 사시도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment.
2 is a view showing a light extracting structure.
3 to 7 are cross-sectional views illustrating steps of fabricating a light emitting device according to an embodiment.
8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.
9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.
10 is a perspective view showing the backlight unit of the embodiment.
11 is a perspective view showing a lighting apparatus of the embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 일 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이고, 도 2는 광 추출 구조를 도시한 도면이다.FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to one embodiment, and FIG. 2 is a view illustrating a light extracting structure.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 일 실시 예의 발광소자(100)는 전극들이 상부에 노출되는 수평 타입일 수 있다. 일 실시 예의 발광소자(100)는 반사에 의한 광 손실을 개선할 수 있다. 이를 위해 일 실시 예의 발광소자(100)는 투명한 레진층(130) 및 기판(101)을 포함할 수 있다. 일 실시 예의 발광소자(100)는 발광구조물(110)을 포함할 수 있다. 일 실시 예의 발광소자(100)는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 이를 위해 일 실시 예의 발광소자(100)는 광 추출 구조(112a)를 갖는 발광구조물(110)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, the light emitting device 100 of one embodiment may be a horizontal type in which electrodes are exposed at the top. The light emitting device 100 of one embodiment can improve light loss due to reflection. To this end, the light emitting device 100 of one embodiment may include a transparent resin layer 130 and a substrate 101. The light emitting device 100 of one embodiment may include the light emitting structure 110. The light emitting device 100 of one embodiment can improve the light extraction efficiency. To this end, the light emitting device 100 of one embodiment may include a light emitting structure 110 having a light extracting structure 112a.

구체적으로 일 실시 예의 발광소자(100)는 발광구조물(110), 채널층(120), 접촉층(121), 전류 차단층(123), 레진층(130), 기판(101), 제1 및 제2 전극(151, 153)을 포함할 수 있다.Specifically, the light emitting device 100 of one embodiment includes a light emitting structure 110, a channel layer 120, a contact layer 121, a current blocking layer 123, a resin layer 130, a substrate 101, And second electrodes 151 and 153, respectively.

상기 발광구조물(110)은 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 110 may include a first conductive semiconductor layer 112, an active layer 114, and a second conductive semiconductor layer 116.

상기 제1 도전형 반도체층(112)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 112 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group II-IV or Group III-V. The first conductivity type semiconductor layer 112 may be a single layer or a multilayer. The first conductive semiconductor layer 112 may be doped with a first conductive dopant. For example, when the first conductive semiconductor layer 112 is an n-type semiconductor layer, it may include an n-type dopant. For example, the n-type dopant may include but is not limited to Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 112 includes a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) But is not limited thereto. For example, the first conductive semiconductor layer 112 may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP.

상기 제1 도전형 반도체층(112)은 광 추출 구조(112a)를 포함할 수 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 단면이 산과 골을 갖는 형성일 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 다각형 또는 곡률을 갖는 형상일 수도 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 상기 제1 도전형 반도체층(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 1㎛ 이하의 높이 및 너비를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 광 추출 구조(112a)는 1㎚ 내지 1㎛의 너비를 가질 수 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 1㎚ 내지 1㎛의 높이를 가질 수 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 랜덤한 크기를 가질 수 있다. 즉, 상기 광 추출 구조(112a)는 서로 상이한 높이 및 너비를 가질 수 있다.The first conductive semiconductor layer 112 may include a light extracting structure 112a. The light extracting structure 112a may be a shape having a section and an inclination, but is not limited thereto, and may be a shape having a polygon or a curvature. The light extracting structure 112a can improve light extraction efficiency. The light extracting structure 112a may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 112. The light extracting structure 112a may have a height and a width of 1 mu m or less, but is not limited thereto. The light extracting structure 112a may have a width of 1 nm to 1 占 퐉. The light extracting structure 112a may have a height of 1 nm to 1 占 퐉. The light extracting structure 112a may have a random size. That is, the light extracting structures 112a may have different heights and widths.

상기 광 추출 구조(112a)는 500㎚이상의 패턴들이 전체의 10% 이상일 수 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 광 추출 효율을 더 향상시키기 위해 500㎚이상의 패턴들이 전체의 30% 이상일 수 있다.The light extracting structure 112a may have a pattern of 500 nm or more of 10% or more of the whole. The light extracting structure 112a may have a pattern of 500 nm or more of 30% or more of the total to further improve light extraction efficiency.

상기 광 추출 구조(112a)는 PEC (Photo Electro Chemical) 식각 공정에 의하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 광 추출 구조(112a)는 상기 발광구조물(110)내의 광을 외부로 추출하기 위한 기능을 포함하여 광 추출 효과를 상승시킬 수 있다.The light extracting structure 112a may be formed by a PEC (Photo Electro Chemical) etching process, but the present invention is not limited thereto. The light extracting structure 112a may include a function for extracting the light in the light emitting structure 110 to the outside, thereby enhancing the light extracting effect.

일 실시 예의 발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(112) 위에 1㎛ 이하의 높이 및 너비를 갖는 상기 광 추출 구조(112a)를 포함하여 사파이어 기판 상에 1㎛를 초과하는 일정한 광 추출 구조를 갖는 일반적인 발광소자보다 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 일 실시 예의 발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(112) 위에 1㎛ 이하의 높이 및 너비를 갖는 상기 광 추출 구조(112a)를 포함하여 사파이어 기판 상에 1㎛를 초과하는 일정한 광 추출 구조를 갖는 일반적인 발광소자의 반도체 결정성 저하를 개선할 수 있다. The light emitting device 100 of one embodiment includes the light extracting structure 112a having a height and a width of 1 mu m or less on the first conductivity type semiconductor layer 112 and is formed on the sapphire substrate with a predetermined light extraction The light extraction efficiency can be improved as compared with a general light emitting device having a structure. In addition, the light emitting device 100 of the embodiment includes the light extracting structure 112a having a height and a width of 1 mu m or less on the first conductivity type semiconductor layer 112, and is formed on the sapphire substrate at a constant Deterioration of semiconductor crystallinity of a general light emitting device having a light extracting structure can be improved.

상기 활성층(114)은 상기 제1 도전형 반도체층(112) 아래에 배치될 수 있다. 상기 활성층(114)은 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 활성층(114)는 화합물 반도체로 구성될 수 있다. 상기 활성층(114)는 예로서 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다.The active layer 114 may be disposed under the first conductive semiconductor layer 112. The active layer 114 may optionally include a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. The active layer 114 may be made of a compound semiconductor. The active layer 114 may be formed of at least one of Group II-IV and Group III-V compound semiconductors.

상기 활성층(114)은 다중 양자 우물 구조(MQW)로 구현된 경우, 양자우물과 양자벽이 교대로 배치될 수 있다. 상기 양자우물과 양자벽은 각각 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료일 수 있다. 예컨대 상기 활성층(114)은 InGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.When the active layer 114 is implemented as a multiple quantum well structure (MQW), quantum wells and quantum wells may be alternately arranged. The quantum well and the quantum wall may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, InAlGaN / InAlGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaInP / AlGaInP, GaP / AlGaP, InGaP / AlGaP, GaAs / AlGaAs, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, But the present invention is not limited thereto.

상기 제2 도전형 반도체층(116)은 상기 활성층(114) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 p형 반도체층인 경우, p형 도펀트를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 116 may be disposed under the active layer 114. The second conductive semiconductor layer 116 may be formed of a semiconductor compound such as a Group II-IV and a Group III-V compound semiconductor. The second conductive semiconductor layer 116 may be formed as a single layer or a multilayer. The second conductive semiconductor layer 116 may be doped with a second conductive dopant. For example, when the second conductive semiconductor layer 116 is a p-type semiconductor layer, it may include a p-type dopant. For example, the p-type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, and the like, but is not limited thereto. The second conductive semiconductor layer 116 may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? But is not limited thereto. For example, the second conductive semiconductor layer 116 may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP.

상기 발광구조물(110)은 n형 반도체층의 상기 제1 도전형 반도체층(112), p형 반도체층의 제2 도전형 반도체층(116)을 한정하여 설명하고 있지만, 상기 제1 도전형 반도체층(112)을 p형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(116)을 n형 반도체층으로 형성할 수도 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(110)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.Although the light emitting structure 110 is described as defining the first conductivity type semiconductor layer 112 of the n-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer 116 of the p-type semiconductor layer, The layer 112 may be formed as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may be formed as an n-type semiconductor layer, but the present invention is not limited thereto. An n-type semiconductor layer (not shown) may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 116, for example, with a polarity opposite to that of the second conductivity type. Accordingly, the light emitting structure 110 may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

상기 채널층(120)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 채널층(120)은 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 채널층(120)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 채널층(120)의 일부는 상기 발광구조물(110) 외측보다 더 외측에 배치될 수 있다.The channel layer 120 may be disposed under the second conductive semiconductor layer 116. The channel layer 120 may be formed in a ring shape, a loop shape, or a frame shape. The channel layer 120 is an ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4, Al 2 O 3, TiO at least one of the 2 . A part of the channel layer 120 may be disposed on the outer side of the light emitting structure 110.

상기 컨택층(121)은 상기 채널층(120) 및 상기 제2 도전형 반도체층(116) 아래에 배치될 수 있다. 상기 컨택층(121)은 상기 채널층(120)과 접하지 않은 상기 제2 도전형 반도체층(116)의 하부면과 직접 접할 수 있다. 상기 컨택층(121)은 상기 제2 도전형 반도체층(116) 하부면 전체의 30% 이상 접촉될 수 있다. 상기 컨택층(121)은 상기 제2 도전형 반도체층(116) 하부면 전체의 30% 이상 접촉되어 전기적 특성 저하를 개선할 수 있다.The contact layer 121 may be disposed under the channel layer 120 and the second conductive semiconductor layer 116. The contact layer 121 may directly contact the lower surface of the second conductive semiconductor layer 116 that is not in contact with the channel layer 120. The contact layer 121 may contact the entire lower surface of the second conductive semiconductor layer 116 by 30% or more. The contact layer 121 may contact the entire lower surface of the second conductive type semiconductor layer 116 by more than 30% to improve electrical characteristics.

상기 컨택층(121)은 캐리어 주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 상기 컨택층(121)은 반도체와 전기적인 접촉인 우수한 물질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 컨택층(121)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The contact layer 121 may be formed by laminating a single metal, a metal alloy, a metal oxide, or the like so as to efficiently perform carrier injection. The contact layer 121 may be formed of a good material in electrical contact with the semiconductor. For example, the contact layer 121 may include at least one of ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO (indium aluminum zinc oxide), IGZO tin oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZO nitride, AGZO (IGZO), ZnO, , RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Hf, but it is not limited thereto.

상기 전류 차단층(123)은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 발광구조물(110)과 상기 컨택층(121) 사이에 적어도 하나 이상 배치될 수 있다. 상기 전류 차단층(123)은 상기 발광구조물(110) 위에 배치된 제1 전극(151)과 중첩될 수 있다. 상기 전류 차단층(123)은 상기 발광구조물(110) 위에 배치된 제1 전극(151)과 수직으로 대면될 수 있다. 상기 전류 블록킹층(123)은 상기 제1 전극(151)으로부터 직하로 제공되는 전류를 차단하여, 다른 경로로 확산시켜 줄 수 있다.The current blocking layer 123 may include at least one of SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2. The current blocking layer 123 may include at least one of the light emitting structure 110 and the contact layer 121, respectively. The current blocking layer 123 may overlap the first electrode 151 disposed on the light emitting structure 110. The current blocking layer 123 may vertically face the first electrode 151 disposed on the light emitting structure 110. The current blocking layer 123 may cut off current supplied directly from the first electrode 151 and diffuse the current to another path.

상기 레진층(130)은 상기 컨택층(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 레진층(130)은 상기 컨택층(121)의 하부면과 직접 접할 수 있다. 상기 레진층(130)은 상기 컨택층(131)과 상기 기판(101) 사이에 배치되어 상기 기판(101)을 접착하는 기능을 포함할 수 있다.The resin layer 130 may be disposed below the contact layer 121. The resin layer 130 may be in direct contact with the lower surface of the contact layer 121. The resin layer 130 may be disposed between the contact layer 131 and the substrate 101 to bond the substrate 101 thereto.

상기 레진층(130)은 70% 이상의 투과도를 가질 수 있다. 상기 레진층(130)은 90% 이상의 투과도를 가질 수 있다. 상기 레진층(130)은 benzocyclobutene (BCB), SU-8, 아크릴 또는 유기물질, SOG와 같은 무기물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The resin layer 130 may have a transmittance of 70% or more. The resin layer 130 may have a transmittance of 90% or more. The resin layer 130 may include inorganic materials such as benzocyclobutene (BCB), SU-8, acrylic or organic materials, SOG, or combinations thereof.

상기 기판(101)은 70% 이상의 투과도를 가질 수 있다. 상기 기판(101)은 90% 이상의 투과도를 가질 수 있다. 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge 또는 Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. The substrate 101 may have a transmittance of 70% or more. The substrate 101 may have a transmittance of 90% or more. At least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge or Ga 2 O 3 can be used.

상기 제1 전극(151)은 상기 제1 도전형 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(151)은 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(151)은 여기서, 상기 광 추출 구조(112a)는 상기 제1 도전형 반도체층(112) 위에 배치될 수 있고, 상기 제1 전극(151)은 상기 광 추출 구조(112a) 위에 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 예의 상기 제1 전극(151)은 발광구조물(110)의 중간영역에 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first electrode 151 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 112. The first electrode 151 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 112. The first electrode 151 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 112 and the first electrode 151 may be disposed on the light extracting structure 112a But is not limited thereto. The first electrode 151 of one embodiment may be disposed in an intermediate region of the light emitting structure 110, but the present invention is not limited thereto.

상기 제2 전극(153)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 전극(153)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제2 전극(153)은 상기 발광구조물(110)의 외측보다 외측에 배치된 컨택층(121) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(153)의 일부는 상기 컨택층(121) 주변의 채널층(120) 상에 배치될 수 있다.The second electrode 153 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 116. The second electrode 153 may be spaced apart from the second conductive type semiconductor layer 116 by a predetermined distance. The second electrode 153 may be disposed on the contact layer 121 disposed outside the outer side of the light emitting structure 110. A portion of the second electrode 153 may be disposed on the channel layer 120 around the contact layer 121.

상기 제1 및 제2 전극(151, 153)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금일 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극(151, 153)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투명 전도성 물질의 단층 또는 다층일 수 있다.The first and second electrodes 151 and 153 may be a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, . The first and second electrodes 151 and 153 may be formed of a metal or an alloy of ITO (Indium-Tin-Oxide), IZO (Indium-Zinc-Oxide), IZTO (Indium-Zinc-Tin- Transparent, such as Aluminum-Zinc-Oxide (IGZO), Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO), IGTO (Indium-Gallium-Tin- Oxide), AZO It may be a single layer or multiple layers of conductive material.

일 실시 예의 발광소자는 투과도가 70% 이상의 레진층(130) 및 기판(101)을 포함하여 광 손실을 개선할 수 있다. 따라서, 일 실시 예의 발광소자(100)는 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting device of one embodiment can improve light loss by including the resin layer 130 and the substrate 101 having a transmittance of 70% or more. Therefore, the light emitting device 100 of one embodiment can improve the light emitting efficiency.

일 실시 예의 발광소자(100)는 1㎛ 이하의 높이 및 너비의 랜덤한 광 추출 구조(112a)를 갖는 발광구조물(110)을 포함하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting device 100 of one embodiment may include a light emitting structure 110 having a random light extracting structure 112a having a height and a width of 1 탆 or less to improve light extraction efficiency.

일 실시 예의 발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(112) 위에 1㎛ 이하의 높이 및 너비를 갖는 상기 광 추출 구조(112a)를 포함하여 사파이어 기판 상에 1㎛를 초과하는 일정한 광 추출 구조를 갖는 일반적인 발광소자의 반도체 결정성 저하를 개선할 수 있다. The light emitting device 100 of one embodiment includes the light extracting structure 112a having a height and a width of 1 mu m or less on the first conductivity type semiconductor layer 112 and is formed on the sapphire substrate with a predetermined light extraction The deterioration of semiconductor crystallinity of a general light emitting device having a structure can be improved.

실시 예의 발광소자(100)는 발광구조물(110)이 성장되는 성장기판을 제거한 후에 광 추출 구조(112a)를 형성할 수 있다. 따라서, 발광구조물(110) 성장용 성장기판은 재생이 가능하여 제조비용을 줄일 수 있다.The light emitting device 100 of the embodiment can form the light extracting structure 112a after removing the growth substrate on which the light emitting structure 110 is grown. Therefore, the growth substrate for growth of the light emitting structure 110 can be regenerated, thereby reducing the manufacturing cost.

도 3 내지 도 7은 일 실시 예에 따른 발광소자 제조단계를 도시한 단면도이다.3 to 7 are cross-sectional views illustrating steps of fabricating a light emitting device according to an embodiment.

도 3을 참조하면, 일 실시 예의 발광소자의 제조단계는 먼저, 성장기판(10) 상에 발광구조물(110)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, a light emitting structure 110 may be formed on a growth substrate 10 in a manufacturing process of a light emitting device.

상기 성장기판(10)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 성장기판(10)은 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예컨대 상기 성장기판(10)은 GaAs, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge 및 Ga203 중 적어도 하나일 수 있다. 상기 성장기판(10)은 발광구조물(110) 형성 전에 세정공정이 진행되어 표면의 불순물이 제거될 수 있다.The growth substrate 10 may be a single layer or a multilayer. The growth substrate 10 may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the growth substrate 10 may be at least one of GaAs, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge and Ga 2 O 3 . The growth substrate 10 may be cleaned before forming the light emitting structure 110 to remove impurities on the surface thereof.

예컨대 상기 발광구조물(110)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)은 도 1의 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.For example, the light emitting structure 110 may be formed by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, Molecular beam epitaxy (MBE), and hydride vapor phase epitaxy (HVPE), but the present invention is not limited thereto. The first conductivity type semiconductor layer 112, the active layer 114, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may adopt the technical features of the light emitting device 100 of FIG.

도 4를 참조하면, 전류 차단층(123), 채널층(120) 및 컨택층(121)은 상기 발광구조물(110) 상에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, a current blocking layer 123, a channel layer 120, and a contact layer 121 may be formed on the light emitting structure 110.

상기 전류 차단층(123), 채널층(120) 및 컨택층(121)은 상기 발광구조물(110) 의 사세한 설명은 도 1의 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The description of the light emitting structure 110 of the current blocking layer 123, the channel layer 120, and the contact layer 121 may employ the technical features of the light emitting device 100 of FIG.

도 5를 참조하면, 레진층(130) 및 기판(101)은 컨택층(121) 상에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, a resin layer 130 and a substrate 101 may be formed on the contact layer 121.

상기 레진층(130)은 상기 컨택층(121)과 직접 접할 수 있다. 상기 레진층(130)은 상기 컨택층(121)과 상기 기판(101) 사이에 배치되어 상기 기판(101)을 접착하는 기능을 포함할 수 있다.The resin layer 130 may be in direct contact with the contact layer 121. The resin layer 130 may be disposed between the contact layer 121 and the substrate 101 to bond the substrate 101 thereto.

상기 레진층(130)은 70% 이상의 투과도를 가질 수 있다. 상기 레진층(130)은 90% 이상의 투과도를 가질 수 있다. 상기 레진층(130)은 benzocyclobutene (BCB), SU-8, 아크릴 또는 유기물질, SOG와 같은 무기물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The resin layer 130 may have a transmittance of 70% or more. The resin layer 130 may have a transmittance of 90% or more. The resin layer 130 may include inorganic materials such as benzocyclobutene (BCB), SU-8, acrylic or organic materials, SOG, or combinations thereof.

상기 기판(101)은 70% 이상의 투과도를 가질 수 있다. 상기 기판(101)은 90% 이상의 투과도를 가질 수 있다. 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge 또는 Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The substrate 101 may have a transmittance of 70% or more. The substrate 101 may have a transmittance of 90% or more. At least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge or Ga 2 O 3 can be used.

도 6을 참조하면, 성장기판(도5의 10)은 발광구조물(110)로부터 제거될 수 있다. 예컨대 상기 성장기판(도5의 10)은 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 공정에 의해 제거될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 상기 레이저 리프트 오프 공정(LLO)은 상기 기판(도5의 10)의 하부면에 레이저를 조사하여, 상기 기판(도5의 10)과 상기 발광구조물(110)을 서로 박리시키는 공정이다.Referring to FIG. 6, the growth substrate 10 (FIG. 5) may be removed from the light emitting structure 110. For example, the growth substrate (10 of FIG. 5) may be removed by a laser lift off (LLO) process, but is not limited thereto. Here, the laser lift-off process (LLO) is a process of irradiating a laser beam to the lower surface of the substrate (10 of FIG. 5) to peel the substrate (10 of FIG. 5) and the light emitting structure 110 from each other.

실시 예는 기판(도5의 10)을 발광구조물(110)로부터 제거된 기판(도5의 10)을 발광구조물(110) 성장기판으로 재 사용할 수 있다. 즉, 실시 예는 기판(도5의 10)의 재생에 의해 제조비용을 줄일 수 있다.The embodiment can reuse a substrate (10 of FIG. 5) removed from the light emitting structure 110 as a growth substrate of the light emitting structure 110 (10 of FIG. 5). That is, the embodiment can reduce the manufacturing cost by regenerating the substrate (10 in Fig. 5).

이후, 발광구조물(110)은 아이솔레이션(Isolation) 에칭을 통해서 선택적으로 식각되어 채널층(120)의 일부 및 컨택층(121)의 일부(121U)가 노출될 수 있다. 상기 아이솔레이션 에칭은 예컨대 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각에 의해 실시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Thereafter, the light emitting structure 110 is selectively etched through isolation etching so that a part of the channel layer 120 and a part 121U of the contact layer 121 can be exposed. The isolation etching may be performed by, for example, dry etching such as ICP (Inductively Coupled Plasma), but is not limited thereto.

상기 성장기판(도5의 10)으로부터 노출된 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 상부면은 광 추출 구조(112a)가 형성될 수 있다. 예컨대 상기 광 추출 구조(112a)는 PEC (Photo Electro Chemical) 식각 공정에 의하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 광 추출 구조(112a)는 상기 발광구조물(110)내의 광을 외부로 추출하기 위한 기능을 포함하여 광 추출 효과를 상승시킬 수 있다.The upper surface of the first conductive type semiconductor layer 112 exposed from the growth substrate 10 (FIG. 5) may be formed with a light extracting structure 112a. For example, the light extracting structure 112a may be formed by a PEC (Photo Electro Chemical) etching process, but the present invention is not limited thereto. The light extracting structure 112a may include a function for extracting the light in the light emitting structure 110 to the outside, thereby enhancing the light extracting effect.

상기 광 추출 구조(112a)는 단면이 산과 골을 갖는 형성일 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 다각형 또는 곡률을 갖는 형상일 수도 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 상기 제1 도전형 반도체층(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 1㎛ 이하의 높이 및 너비를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 광 추출 구조(112a)는 1㎚ 내지 1㎛의 너비를 가질 수 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 1㎚ 내지 1㎛의 높이를 가질 수 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 랜덤한 크기를 가질 수 있다. 즉, 상기 광 추출 구조(112a)는 서로 상이한 높이 및 너비를 가질 수 있다.The light extracting structure 112a may be a shape having a section and an inclination, but is not limited thereto, and may be a shape having a polygon or a curvature. The light extracting structure 112a can improve light extraction efficiency. The light extracting structure 112a may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 112. The light extracting structure 112a may have a height and a width of 1 mu m or less, but is not limited thereto. The light extracting structure 112a may have a width of 1 nm to 1 占 퐉. The light extracting structure 112a may have a height of 1 nm to 1 占 퐉. The light extracting structure 112a may have a random size. That is, the light extracting structures 112a may have different heights and widths.

상기 광 추출 구조(112a)는 500㎚이상의 패턴들이 전체의 10% 이상일 수 있다. 상기 광 추출 구조(112a)는 광 추출 효율을 더 향상시키기 위해 500㎚이상의 패턴들이 전체의 30% 이상일 수 있다.The light extracting structure 112a may have a pattern of 500 nm or more of 10% or more of the whole. The light extracting structure 112a may have a pattern of 500 nm or more of 30% or more of the total to further improve light extraction efficiency.

상기 광 추출 구조(112a)는 PEC (Photo Electro Chemical) 식각 공정에 의하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 광 추출 구조(112a)는 상기 발광구조물(110)내의 광을 외부로 추출하기 위한 기능을 포함하여 광 추출 효과를 상승시킬 수 있다.The light extracting structure 112a may be formed by a PEC (Photo Electro Chemical) etching process, but the present invention is not limited thereto. The light extracting structure 112a may include a function for extracting the light in the light emitting structure 110 to the outside, thereby enhancing the light extracting effect.

일 실시 예의 발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(112) 위에 1㎛ 이하의 높이 및 너비를 갖는 상기 광 추출 구조(112a)를 포함하여 사파이어 기판 상에 1㎛를 초과하는 일정한 광 추출 구조를 갖는 일반적인 발광소자보다 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 일 실시 예의 발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(112) 위에 1㎛ 이하의 높이 및 너비를 갖는 상기 광 추출 구조(112a)를 포함하여 사파이어 기판 상에 1㎛를 초과하는 일정한 광 추출 구조를 갖는 일반적인 발광소자의 반도체 결정성 저하를 개선할 수 있다.The light emitting device 100 of one embodiment includes the light extracting structure 112a having a height and a width of 1 mu m or less on the first conductivity type semiconductor layer 112 and is formed on the sapphire substrate with a predetermined light extraction The light extraction efficiency can be improved as compared with a general light emitting device having a structure. In addition, the light emitting device 100 of the embodiment includes the light extracting structure 112a having a height and a width of 1 mu m or less on the first conductivity type semiconductor layer 112, and is formed on the sapphire substrate at a constant Deterioration of semiconductor crystallinity of a general light emitting device having a light extracting structure can be improved.

일 실시 예의 발광소자는 투과도가 70% 이상의 레진층(130) 및 기판(101)을 포함하여 광 손실을 개선할 수 있다. 따라서, 일 실시 예의 발광소자(100)는 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting device of one embodiment can improve light loss by including the resin layer 130 and the substrate 101 having a transmittance of 70% or more. Therefore, the light emitting device 100 of one embodiment can improve the light emitting efficiency.

일 실시 예의 발광소자(100)는 1㎛ 이하의 높이 및 너비의 랜덤한 광 추출 구조(112a)를 갖는 발광구조물(110)을 포함하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting device 100 of one embodiment may include a light emitting structure 110 having a random light extracting structure 112a having a height and a width of 1 탆 or less to improve light extraction efficiency.

일 실시 예의 발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(112) 위에 1㎛ 이하의 높이 및 너비를 갖는 상기 광 추출 구조(112a)를 포함하여 사파이어 기판 상에 1㎛를 초과하는 일정한 광 추출 구조를 갖는 일반적인 발광소자의 반도체 결정성 저하를 개선할 수 있다. The light emitting device 100 of one embodiment includes the light extracting structure 112a having a height and a width of 1 mu m or less on the first conductivity type semiconductor layer 112 and is formed on the sapphire substrate with a predetermined light extraction The deterioration of semiconductor crystallinity of a general light emitting device having a structure can be improved.

도 8은 다른 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.

도 8에 도시된 바와 같이, 다른 실시 예에 따른 발광소자(200)는 기판(201) 및 제2 광 추출 구조(201a)를 포함할 수 있다. 상기 기판(201) 및 제2 광 추출 구조(201a)를 제외한 구성들은 도 1 내지 도 7의 일 실시 예의 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 8, the light emitting device 200 according to another embodiment may include the substrate 201 and the second light extracting structure 201a. Structures other than the substrate 201 and the second light extracting structure 201a may adopt the technical features of the light emitting device 100 of one embodiment of FIGS.

상기 제2 광 추출 구조(201a)는 레진층(130) 아래에 배치될 수 있다. 다른 실시 예의 발광소자(200)는 제2 광 추출 구조(201a)를 포함하는 기판(201)을 포함하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The second light extracting structure 201a may be disposed under the resin layer 130. [ The light emitting device 200 of another embodiment may include the substrate 201 including the second light extracting structure 201a to improve light extraction efficiency.

다른 실시 예의 발광소자(200)는 발광구조물(110)이 성장되는 성장기판을 제거한 후에 광 추출 구조(112a)를 형성할 수 있다. 따라서, 발광구조물(110) 성장용 성장기판은 재생이 가능하여 제조비용을 줄일 수 있다.The light emitting device 200 of another embodiment can form the light extracting structure 112a after removing the growth substrate on which the light emitting structure 110 is grown. Therefore, the growth substrate for growth of the light emitting structure 110 can be regenerated, thereby reducing the manufacturing cost.

도 9는 또 다른 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.

도 9에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에 따른 발광소자(300)는 컨택층(321)과 제2 전극(153)을 연결하는 연결전극(325)을 포함할 수 있다. 상기 연결전극(325) 및 컨택층(321)을 제외한 구성들은 도 1 내지 도 8의 일 실시 예의 발광소자(100) 및 다른 실시 예의 발광소자(200)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.9, the light emitting device 300 according to another embodiment may include a connection electrode 325 connecting the contact layer 321 and the second electrode 153. Structures other than the connection electrode 325 and the contact layer 321 may adopt the technical features of the light emitting device 100 of one embodiment of FIGS. 1 to 8 and the light emitting device 200 of another embodiment.

상기 컨택층(321)은 상기 발광구조물(110) 아래에 배치될 수 있고, 상기 발광구조물(110)과 수직으로 중첩될 수 있다. 상기 컨택층(321)은 제2 전극(153)과 수직으로 중첩되지 않을 수 있다.The contact layer 321 may be disposed below the light emitting structure 110 and vertically overlapped with the light emitting structure 110. The contact layer 321 may not be vertically overlapped with the second electrode 153.

상기 연결전극(325)은 상기 컨택층(321) 및 상기 제2 전극(153)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결전극(325)은 상기 제2 전극(153) 아래에 배치될 수 있다. 상기 연결전극(325)은 상기 제2 전극(153)과 접하는 채널층(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 연결전극(325)은 레진층(130) 상에 배치될 수 있다.The connection electrode 325 may be electrically connected to the contact layer 321 and the second electrode 153. The connection electrode 325 may be disposed below the second electrode 153. The connection electrode 325 may be disposed below the channel layer 120 in contact with the second electrode 153. The connection electrode 325 may be disposed on the resin layer 130.

상기 연결전극(325)는 적기적 특성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 연결전극(325)는 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금일 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극(151, 153)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투명 전도성 물질의 단층 또는 다층일 수 있다.The connection electrode 325 may include a material having good property of red. For example, the connection electrode 325 may be a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au and Hf. The first and second electrodes 151 and 153 may be formed of a metal or an alloy of ITO (Indium-Tin-Oxide), IZO (Indium-Zinc-Oxide), IZTO (Indium-Zinc-Tin- Transparent, such as Aluminum-Zinc-Oxide (IGZO), Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO), IGTO (Indium-Gallium-Tin- Oxide), AZO It may be a single layer or multiple layers of conductive material.

또 다른 실시 예의 발광소자(300)는 연결전극(325)을 포함하여 컨택층(321)과 제2 전극(153) 사이의 컨택 저항을 줄여 적기적 특성을 개선할 수 있다. 따라서, 또 다른 실시 예의 발광소자(300)는 전기적 특성을 향상시켜 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting device 300 of another embodiment may include the connecting electrode 325 to reduce the contact resistance between the contact layer 321 and the second electrode 153 to improve the red light characteristic. Therefore, the light emitting device 300 of another embodiment can improve the light emitting efficiency by improving the electrical characteristics.

또 다른 실시 예의 발광소자(300)는 발광구조물(110)이 성장되는 성장기판을 제거한 후에 광 추출 구조(112a)를 형성할 수 있다. 따라서, 발광구조물(110) 성장용 성장기판은 재생이 가능하여 제조비용을 줄일 수 있다.The light emitting device 300 of another embodiment may form the light extracting structure 112a after removing the growth substrate on which the light emitting structure 110 is grown. Therefore, the growth substrate for growth of the light emitting structure 110 can be regenerated, thereby reducing the manufacturing cost.

도 10은 실시 예의 백라이트 유닛을 도시한 사시도이다.10 is a perspective view showing the backlight unit of the embodiment.

도 10에 도시된 바와 같이, 실시 예의 액정표시장치(1100)는 액정표시패널(1110), 상기 액정표시패널(1110)에 광을 제공하는 백라이트 유닛, 가이드 패널(1180), 상부커버(1120) 및 바텀커버(1130)를 포함할 수 있다.10, the liquid crystal display device 1100 of the embodiment includes a liquid crystal display panel 1110, a backlight unit for providing light to the liquid crystal display panel 1110, a guide panel 1180, an upper cover 1120, And a bottom cover 1130.

상기 액정표시패널(1110)은 상부기판(1113) 및 하부기판(1111)을 포함할 수 있다. 상기 액정표시패널(1110)은 도면에는 도시되지 않지만, 상기 상부기판(1113)과 하부기판(1111) 사이에 액정층(미도시)을 포함할 수 있고, 상기 하부기판(1111)과 연결되어 구동신호를 제공하는 구동 PCB(Printed Circuit Board, 미도시)를 포함할 수 있고, 편광시트를 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 1110 may include an upper substrate 1113 and a lower substrate 1111. The liquid crystal display panel 1110 may include a liquid crystal layer (not shown) between the upper substrate 1113 and the lower substrate 1111 and may be connected to the lower substrate 1111 A printed circuit board (not shown) that provides a signal, and may include a polarizing sheet.

상기 액정표시패널(1110)은 화소 단위를 이루는 액정 셀들이 매트릭스 형태로 배열되어 있으며, 구동 PCB에서 전달되는 화상 신호 정보에 따라 액정 셀들이 광 투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다.In the liquid crystal display panel 1110, liquid crystal cells constituting a pixel unit are arranged in a matrix form, and liquid crystal cells control an optical transmittance according to image signal information transmitted from a driving PCB, thereby displaying an image.

상기 하부기판(1111)은 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인이 매트릭스 형태로 배치될 수 있고, 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차영역에 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)가 배치될 수 있다.In the lower substrate 1111, a plurality of gate lines and a plurality of data lines may be arranged in a matrix, and a thin film transistor (TFT) may be arranged in a crossing region between the gate lines and the data lines.

상기 상부기판(1113)은 컬러필터가 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The upper substrate 1113 may include a color filter, but is not limited thereto.

상기 상부커버(1120)는 상기 액정표시패널(1110)의 상부 가장자리 상에 배치될 수 있고, 상기 가이드 패널(1180)과 체결될 수 있다.The upper cover 1120 may be disposed on the upper edge of the liquid crystal display panel 1110 and may be coupled to the guide panel 1180.

상기 바텀커버(1130)는 상면이 개구된 구조일 수 있다. 상기 바텀커버(1130)는 상기 가이드 패널(1180)과 체결될 수 있다. 예컨대 상기 바텁커버(1130)는 후크 체결 구조, 스크류 체결 구조 등으로 상기 가이드 패널(180)과 체결될 수 있다.The bottom cover 1130 may have an open top surface. The bottom cover 1130 may be fastened to the guide panel 1180. For example, the bottom cover 1130 may be fastened to the guide panel 180 by a hook fastening structure, a screw fastening structure, or the like.

상기 가이드 패널(1180)은 사각 테 형태일 수 있다. 상기 가이드 패널(1180)은 상기 액정표시패널(1110), 백라이트 유닛을 지지 또는 수용할 수 있다. 이를 위해 상기 가이드 패널(1180)은 단차 구조, 돌출 구조 및 홈 구조를 포함할 수 있다.The guide panel 1180 may have a rectangular frame shape. The guide panel 1180 may support or accommodate the liquid crystal display panel 1110 and the backlight unit. To this end, the guide panel 1180 may include a stepped structure, a protruding structure, and a groove structure.

상기 백라이트 유닛은 도광판(1140), 광원유닛, 광학시트들(1150) 및 반사시트(1160)를 포함할 수 있다.The backlight unit may include a light guide plate 1140, a light source unit, optical sheets 1150, and a reflective sheet 1160.

상기 광원유닛은 회로기판(101)과, 실시 예의 발광소자(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(100)는 도 1 내지 도 9의 발광소자일 수 있다. The light source unit may include a circuit board 101 and the light emitting device 100 of the embodiment. The light emitting device 100 may be the light emitting device of FIGS.

실시 예의 백라이트 유닛은 발광 효율이 우수한 발광소자(100)가 배치되어 도광판(1140)의 입광 효율을 향상시켜 고휘도의 백라이트 유닛을 구현할 수 있다In the backlight unit of the embodiment, the luminous means 100 having a high luminous efficiency is disposed, and the light incident efficiency of the light guide plate 1140 is improved, thereby realizing a backlight unit of high brightness

도 11은 실시 예의 조명장치를 도시한 사시도이다.11 is a perspective view showing a lighting apparatus of the embodiment.

도 11에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.11, the lighting apparatus according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a heat discharger 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, a socket 2800, . Further, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device package according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the heat discharging body 2400. The cover 2100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. The inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for sufficiently diffusing and diffusing the light from the light source module 2200 and emitting it to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed by blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one side of the heat discharging body 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat discharger 2400. The light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홀(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홀(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the heat discharging body 2400 and has guide holes 2310 through which the plurality of light source portions 2210 and the connector 2250 are inserted. The guide hole 2310 corresponds to the substrate of the light source unit 2210 and the connector 2250.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects the light reflected by the inner surface of the cover 2100 toward the cover 2100 in the direction toward the light source module 2200. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 2400 and the connecting plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to prevent an electrical short circuit between the connection plate 2230 and the heat discharging body 2400. The heat discharger 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to dissipate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홀(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다. The holder 2500 closes the receiving hole 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 housed in the insulating portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홀(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides the electrical signal to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is housed in a receiving hole 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500. The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide 2630, a base 2650, and an extension 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide portion 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 2650. The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power supplied from an external power source into DC power, a driving chip for controlling driving of the light source module 2200, an ESD (ElectroStatic discharge) protective device, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension portion 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension portion 2670 is inserted into the connection portion 2750 of the inner case 2700 and receives an external electrical signal. For example, the extension portion 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700. One end of each of the positive wire and the negative wire is electrically connected to the extension portion 2670 and the other end of the positive wire and the negative wire are electrically connected to the socket 2800 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지(110)는 상기 표시장치뿐만 아니라 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device package 110 according to the embodiment can be applied to not only the display device but also a lighting unit, a pointing device, a lamp, a streetlight, a vehicle lighting device, a vehicle display device, a smart watch, and the like.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

101: 기판
110: 발광구조물
112: 제1 도전형 반도체층
112a: 광 추출 구조
120: 채널층
121. 321: 컨택층
130: 레진층101: substrate
110: light emitting structure
112: first conductive type semiconductor layer
112a: light extracting structure
120: channel layer
121. 321: Contact layer
130: Resin layer

Claims (11)

제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층;
상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층;
상기 제2 도전형 반도체층 아래에 채널층;
상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 채널층 아래에 컨택층;
상기 제2 도전형 반도체층으로부터 이격되어 상기 컨택층 상에 제2 전극; 및
상기 제1 도전형 반도체층은 랜덤한 크기를 갖는 제1 광 추출 구조를 포함하고, 상기 제1 광 추출 구조 상에 제1 전극을 포함하는 발광소자.
A first conductive semiconductor layer;
An active layer below the first conductive semiconductor layer;
A second conductive semiconductor layer below the active layer;
A channel layer below the second conductive semiconductor layer;
A contact layer below the second conductive semiconductor layer and the channel layer;
A second electrode spaced apart from the second conductive type semiconductor layer on the contact layer; And
Wherein the first conductive semiconductor layer includes a first light extracting structure having a random size and includes a first electrode on the first light extracting structure.
제1 항에 있어서,
상기 제1 광 추출 구조는 1㎚ 내지 1㎛의 높이 및 너비를 갖는 발광소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first light extracting structure has a height and a width of 1 nm to 1 占 퐉.
제1 항에 있어서,
상기 제1 광 추출 구조는 500㎚ 내지 1㎛ 높이 및 너비를 갖는 패턴들이 전체의 10% 이상인 발광소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first light extracting structure has patterns having a height of 500 nm to 1 탆 and a width of 10% or more of the total.
제1 항에 있어서,
상기 컨택층은 상기 제2 도전형 반도체층 하부면 전체의 30% 이상 접촉된 발광소자.
The method according to claim 1,
Wherein the contact layer is in contact with at least 30% of the entire lower surface of the second conductivity type semiconductor layer.
제1 항에 있어서,
상기 컨택층 아래에 배치된 레진층 및
상기 레진층 아래에 배치된 기판을 더 포함하고,
상기 레진층 및 기판은 70% 이상의 투과도를 갖는 발광소자.
The method according to claim 1,
A resin layer disposed below the contact layer and
Further comprising a substrate disposed below said resin layer,
Wherein the resin layer and the substrate have a transmittance of 70% or more.
제5 항에 있어서,
상기 레진층은 benzocyclobutene (BCB), SU-8, 아크릴 또는 유기물질, SOG와 같은 무기물질 또는 이들의 조합을 갖는 발광소자.
6. The method of claim 5,
Wherein the resin layer comprises benzocyclobutene (BCB), SU-8, an acrylic or organic material, an inorganic material such as SOG, or a combination thereof.
제5 항에 있어서,
상기 기판은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge 또는 Ga203 중 적어도 하나인 발광소자.
6. The method of claim 5,
Wherein the substrate is at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge or Ga 2 O 3 .
제5 항에 있어서,
상기 기판 상에는 제2 광 추출 구조가 배치되고, 상기 제2 광 추출 구조는 상기 레진층과 직접 접하는 발광소자.
6. The method of claim 5,
Wherein a second light extracting structure is disposed on the substrate, and the second light extracting structure is in direct contact with the resin layer.
제5 항에 있어서,
상기 컨택층과 상기 제2 전극을 연결하는 연결전극을 더 포함하고,
상기 연결전극은 상기 레진층 위에 배치되는 발광소자.
6. The method of claim 5,
And a connection electrode connecting the contact layer and the second electrode,
And the connection electrode is disposed on the resin layer.
제9 항에 있어서,
상기 연결전극 상기 제2 전극 아래에 배치되는 발광소자.
10. The method of claim 9,
And the connection electrode is disposed below the second electrode.
제1 항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 기재된 발광소자를 포함하는 조명 시스템.A lighting system comprising the light-emitting element according to any one of claims 1 to 10.
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