KR20170114450A - Light emitting device and lighting emitting module - Google Patents

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슈헤이 마츠다
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예에 개시된 발광 소자는, 지지 기판; 상기 지지 기판 상에 배치된 발광 칩; 상기 발광 칩의 둘레에 배치된 반사 부재; 및 상기 발광 칩과 상기 반사 부재 사이에 투광성 접착 부재를 포함한다.The light emitting device disclosed in the embodiment includes: a support substrate; A light emitting chip disposed on the supporting substrate; A reflective member disposed around the light emitting chip; And a light-transmissive adhesive member between the light-emitting chip and the reflective member.

Description

발광 소자 및 이를 구비한 발광 모듈{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING EMITTING MODULE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device and a light emitting module including the light emitting device.

본 발명은 발광 소자 및 이를 구비한 발광 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device and a light emitting module having the same.

발광 다이오드(LED: Light emitting diode)는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다. 발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.Since a light emitting diode (LED) generates light using a semiconductor device, an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates light by colliding ultraviolet rays generated through a high-pressure discharge with a phosphor But consumes very low power. BACKGROUND ART A light emitting device, for example, a light emitting device (Light Emitting Device) has been popular as a next generation light source in place of existing fluorescent lamps and incandescent lamps.

또한 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다. 이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등, 전조등과 같은 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.In addition, since the light emitting diode generates light by using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer life span, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source. Accordingly, a lot of researches for replacing an existing light source with a light emitting diode have been carried out. The light emitting diode is used as a light source for various lamps used in indoor and outdoor, lighting devices such as a liquid crystal display, .

실시 예는 발광 칩과 반사 부재 사이의 계면에서의 광 손실을 방지하는 접착 부재를 갖는 발광 소자를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device having an adhesive member that prevents light loss at the interface between the light emitting chip and the reflective member.

실시 예는 발광 칩과 반사 부재 사이에 접착 부재가 배치된 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device in which an adhesive member is disposed between a light emitting chip and a reflective member.

실시 예는 발광 칩의 상면과 형광 필름 사이의 영역 및 상기 발광 칩의 측면과 반사 부재 사이의 영역에 투명한 접착 부재를 배치한 발광 소자를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device in which a transparent adhesive member is disposed in a region between a top surface of a light emitting chip and a fluorescent film and in a region between a side surface of the light emitting chip and a reflecting member.

실시 예에 따른 발광 소자는, 지지 기판; 상기 지지 기판 상에 배치된 발광 칩; 상기 발광 칩의 둘레에 배치된 반사 부재; 및 상기 발광 칩과 상기 반사 부재 사이에 투광성 접착 부재를 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes: a support substrate; A light emitting chip disposed on the supporting substrate; A reflective member disposed around the light emitting chip; And a light-transmissive adhesive member between the light-emitting chip and the reflective member.

실시 예에 따른 발광 소자는, 지지 기판; 상기 지지 기판 상에 배치된 발광 칩; 상기 발광 칩 상에 배치된 형광 필름; 상기 발광 칩의 둘레에 배치된 반사 부재; 및 상기 발광 칩과 상기 반사 부재 사이에 투광성 접착 부재를 포함한다. A light emitting device according to an embodiment includes: a support substrate; A light emitting chip disposed on the supporting substrate; A fluorescent film disposed on the light emitting chip; A reflective member disposed around the light emitting chip; And a light-transmissive adhesive member between the light-emitting chip and the reflective member.

실시 예는 발광 칩의 측면과 반사 부재 사이의 접착 계면에서의 광 손실을 줄일 수 있다. The embodiment can reduce light loss at the adhesive interface between the side surface of the light emitting chip and the reflective member.

실시 예에 따른 발광 소자의 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The light extraction efficiency of the light emitting device according to the embodiment can be improved.

실시 예에 따른 발광 소자 및 이를 구비한 발광 모듈의 신뢰성이 개선될 수 있다.The reliability of the light emitting device according to the embodiment and the light emitting module having the same can be improved.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자의 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 배면도이다.
도 4는 도 1의 발광 소자의 부분 확대도이다.
도 5는 도 1의 발광 소자의 제1변형 예이다.
도 6은 도 1의 발광 소자의 제2변형 예이다.
도 7은 도 1의 발광 소자의 제3변형 예이다.
도 8은 도 1의 발광 소자의 제4변형 예이다.
도 9는 도 1의 발광 소자의 제5변형 예이다.
도 10은 제2실시 예로서, 도 1의 발광 소자를 갖는 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 다른 예이다.
도 13은 실시 예에 따른 발광 소자에 있어서, 저점도 접착 부재의 도포 량과 광속의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자에 있어서, 고점도 접착 부재의 도포 량과 광속의 관계를 나타낸 그래프이다. 1 is a side sectional view of a light emitting device according to a first embodiment.
2 is a plan view of the light emitting device of FIG.
3 is a rear view of the light emitting device of FIG.
4 is a partially enlarged view of the light emitting device of Fig.
5 is a first modification of the light emitting device of Fig.
6 is a second modification of the light emitting device of Fig.
7 is a third modification of the light emitting device of Fig.
8 is a fourth modification of the light emitting device of FIG.
9 is a fifth modification of the light emitting device of Fig.
Fig. 10 is a view showing a light emitting module having the light emitting element of Fig. 1 as a second embodiment.
11 is a view showing an example of a light emitting chip of the light emitting device according to the embodiment.
12 is another example of the light emitting chip of the light emitting device according to the embodiment.
13 is a graph showing the relationship between the coating amount of the low viscosity adhesive member and the light flux in the light emitting device according to the embodiment.
14 is a graph showing the relationship between the coating amount of the high viscosity adhesive member and the light flux in the light emitting device according to the embodiment.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise. Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

이하에서는 도 1 내지 도 5를 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자를 설명한다. 도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자의 측 단면도이고, 도 2는 도 1의 발광 소자의 평면도이며, 도 3은 도 1의 발광 소자의 배면도이고, 도 4는 도 1의 발광 소자의 부분 확대도이다. Hereinafter, a light emitting device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. FIG. 1 is a plan view of the light emitting device of FIG. 1, FIG. 3 is a rear view of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. Fig.

도 1 내지 도 5을 참조하면, 발광 소자(100)는 지지 기판(10), 상기 지지 기판(10) 위에 배치된 발광 칩(40), 상기 발광 칩(40) 위에 배치된 형광 필름(60), 상기 발광 칩(40) 및 형광 필름(60)의 둘레에 배치된 반사 부재(70), 및 상기 발광 칩(40)의 상면(S1) 및 측면(S2)에 배치된 접착 부재(50)를 포함한다. 1 to 5, a light emitting device 100 includes a support substrate 10, a light emitting chip 40 disposed on the support substrate 10, a fluorescent film 60 disposed on the light emitting chip 40, A reflecting member 70 disposed around the light emitting chip 40 and the fluorescent film 60 and an adhesive member 50 disposed on the upper surface S1 and the side surface S2 of the light emitting chip 40, .

상기 지지 기판(10)은 절연 재질을 포함하며, 예컨대 세라믹 소재를 포함한다. 상기 세라믹 소재는 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic) 또는 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic)을 포함한다. 상기 지지 기판(10)의 재질은 금속 화합물 예컨대, Al2O3, 또는 AlN일 수 있으며, 바람직하게는 질화알루미늄(AlN) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있으며, 또는 열 전도도가 140 W/mK 이상인 금속 산화물을 포함할 수 있다. The support substrate 10 includes an insulating material, for example, a ceramic material. The ceramic material includes a low temperature co-fired ceramic (LTCC) or a high temperature co-fired ceramic (HTCC) which is co-fired. The material of the support substrate 10 may be a metal compound such as Al 2 O 3 or AlN and preferably may include aluminum nitride (AlN) or alumina (Al 2 O 3 ) Lt; RTI ID = 0.0 > W / mK. ≪ / RTI >

상기 지지 기판(10)의 재질은 다른 예로서, 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(210)는 실리콘, 변성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 지지 기판(10) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(210)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 상기 지지 기판(10)의 재질은 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. As another example, the material of the support substrate 10 may be a resin-based insulating material, for example, a resin material such as polyphthalamide (PPA). The body 210 may be formed of a thermosetting resin including silicon, a modified silicone resin, an epoxy resin, a modified epoxy resin, or a plastic material, or a material having high heat resistance and high light resistance. As another example, the support substrate 10 may be optionally doped with an acid anhydride, an antioxidant, a release agent, a light reflector, an inorganic filler, a curing catalyst, a light stabilizer, a lubricant, and titanium dioxide. . The body 210 may be formed of at least one member selected from the group consisting of an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, a modified silicone resin, an acrylic resin, and a urethane resin. The support substrate 10 may be made of, for example, an epoxy resin composed of triglycidylisocyanurate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, etc., and an epoxy resin such as hexahydrophthalic anhydride, 3-methylhexahydrophthalic anhydride 4- (1,8-Diazabicyclo (5,4,0) undecene-7) as a curing accelerator in an epoxy resin, an ethylene glycol, a titanium oxide pigment, a glass fiber And a partially solidified curing reaction by heating to form a B-staged solid epoxy resin composition. However, the present invention is not limited thereto.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 지지 기판(10)은 상면에 복수의 리드 전극(13,15)을 포함하며, 상기 복수의 리드 전극(13,15)은 예컨대, 제1리드 전극(13) 및 제2리드 전극(15)을 포함한다. 상기 제1리드 전극(13)과 상기 제2리드 전극(15)은 전기적으로 분리되며 상기 발광 칩(40)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 발광 칩(40)은 제1,2리드 전극(13,15) 위에 접합부재(31,33)로 접착되어 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 상기 접합부재(31,33)는 상기 발광 칩(40)과 상기 제1,2리드 전극(15) 사이를 전기적으로 연결해 주는 전도성 재질 예컨대, 솔더 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1리드 전극(13)과 상기 제2리드 전극(15)의 측면은 상기 지지 기판(10)의 상면 에지(edge)로부터 이격될 수 있다. 1 to 3, the supporting substrate 10 includes a plurality of lead electrodes 13 and 15 on an upper surface thereof, and the plurality of lead electrodes 13 and 15 may be formed by, for example, a first lead electrode 13 And a second lead electrode 15. The first lead electrode 13 and the second lead electrode 15 may be electrically separated from each other and electrically connected to the light emitting chip 40. For example, the light emitting chip 40 may be electrically connected to the first and second lead electrodes 13 and 15 by bonding them with the bonding members 31 and 33. The bonding members 31 and 33 may include a conductive material such as a solder material for electrically connecting the light emitting chip 40 and the first and second lead electrodes 15 to each other. The side surfaces of the first lead electrode 13 and the second lead electrode 15 may be spaced apart from an upper surface edge of the supporting substrate 10.

도 1 및 도 3과 같이, 상기 지지 기판(10)은 내부에 복수의 연결 전극(17,19) 및 하면에 복수의 리드 프레임(14,16)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 연결 전극(17,19)은 상기 제1리드 전극(13)에 연결된 적어도 하나의 제1연결 전극(17), 상기 제2리드 전극(15)에 연결된 적어도 하나의 제2연결 전극(19)을 포함하며, 상기 복수의 리드 프레임(14,16)은 상기 제1연결 전극(17)에 연결된 제1리드 프레임(14), 상기 제2연결 전극(19)에 연결된 제2리드 프레임(16)을 포함할 수 있다. 상기 제1연결 전극(17)은 상기 제1리드 전극(13)과 상기 제1리드 프레임(14)을 서로 연결해 주며, 상기 제2연결 전극(19)은 상기 제2리드 전극(15)과 상기 제2리드 프레임(16)을 서로 연결해 준다. As shown in FIGS. 1 and 3, the supporting substrate 10 may include a plurality of connecting electrodes 17 and 19 and a plurality of lead frames 14 and 16 on a bottom surface thereof. The plurality of connection electrodes 17 and 19 may include at least one first connection electrode 17 connected to the first lead electrode 13 and at least one second connection electrode 17 connected to the second lead electrode 15, Wherein the plurality of lead frames comprises a first lead frame connected to the first connection electrode and a second lead frame connected to the second connection electrode, 16). The first connection electrode 17 connects the first lead electrode 13 and the first lead frame 14 to each other and the second connection electrode 19 connects the second lead electrode 15 and the second lead electrode 14. [ And the second lead frame 16 are connected to each other.

상기 제1리드 전극(13), 제2리드 전극(15), 상기 제1리드 프레임(14) 및 제2리드 프레임(16)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 복수의 금속을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 전극(13,15)의 표면에는 은(Ag) 또는 알루미늄(Ag)이 형성되어, 입사되는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제1리드 프레임(14)과 제2리드 프레임(16)에는 금(Au)층이 형성되어, 습기에 의한 부식을 방지할 수 있고, 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The first lead electrode 13, the second lead electrode 15, the first lead frame 14 and the second lead frame 16 may be formed of one selected from the group consisting of titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni) (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver . Silver (Ag) or aluminum (Ag) is formed on the surfaces of the first and second lead electrodes 13 and 15 to improve incident light reflection efficiency. A gold (Au) layer is formed on the first lead frame 14 and the second lead frame 16 to prevent corrosion by moisture and improve electrical reliability.

상기 제1연결 전극(17)과 상기 제2연결 전극(19)은 상기 제1리드 전극(13)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1리드 전극(13), 제2리드 전극(15), 상기 제1리드 프레임(14) 및 제2리드 프레임(16)은 50㎛ 내지 100㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 전기적인 특성 및 열 전도 특성이 저하될 수 있다. The first connection electrode 17 and the second connection electrode 19 may be formed of the same material as the first lead electrode 13, but the present invention is not limited thereto. The first lead electrode 13, the second lead electrode 15, the first lead frame 14 and the second lead frame 16 may be formed to have a thickness ranging from 50 탆 to 100 탆, The electrical characteristics and thermal conduction characteristics may be deteriorated.

상기 발광 칩(40)은 상기 제1리드 전극(13)과 제2리드 전극(15)의 위에 플립 칩 방식으로 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(40)은 전도성 재질의 접합 부재(31,33)에 의해 제1,2리드 전극(13,15)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(40)은 기판(41), 반도체층을 갖는 발광 구조물(43), 및 복수의 전극(31,33)을 포함한다. 상기 기판(41)은 절연성 재질, 반도체 재질, 또는 전도성 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기판(41)은 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(41)은 상기 발광 칩(40)의 대부분의 두께를 차지하게 되므로, 예컨대 30㎛ 이상의 두께(T1)로 형성될 수 있다. 상기 기판(41)의 두께(T1)가 얇을 경우 제조 공정시 핸들링이 어려운 문제가 있다. The light emitting chip 40 may be disposed on the first lead electrode 13 and the second lead electrode 15 in a flip chip manner. The light emitting chip 40 may be electrically connected to the first and second lead electrodes 13 and 15 by bonding members 31 and 33 of conductive material. The light emitting chip 40 includes a substrate 41, a light emitting structure 43 having a semiconductor layer, and a plurality of electrodes 31 and 33. The substrate 41 may include at least one of an insulating material, a semiconductor material, and a conductive material. At least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge and Ga 2 O 3 can be used as the substrate 41. Since the substrate 41 occupies most of the thickness of the light emitting chip 40, the substrate 41 may be formed to have a thickness T1 of 30 m or more, for example. When the thickness (T1) of the substrate 41 is thin, there is a problem in handling during the manufacturing process.

상기 발광 구조물(43)은 기판(41)의 아래에 배치되며, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하며, 자외선부터 가시광선까지의 파장 범위 내에서 소정 피크 파장을 발광하게 된다. 상기 복수의 전극(31,33)은 상기 지지 기판(10)의 제1,2리드 전극(13,15)과 대응되거나 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 복수의 전극(31,33) 중 어느 하나(31)는 n형 반도체층과 전기적으로 연결되고 제1리드 전극(13)과 접합 부재(31)로 연결될 수 있고, 다른 하나(33)는 p형 반도체층과 전기적으로 연결되고 제2리드 전극(15)과 접합 부재(33)로 연결될 수 있다. The light emitting structure 43 is disposed under the substrate 41 and includes an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer. The light emitting structure 43 emits a predetermined peak wavelength within a wavelength range from ultraviolet rays to visible rays. The plurality of electrodes 31 and 33 may correspond to or be electrically connected to the first and second lead electrodes 13 and 15 of the support substrate 10. One of the plurality of electrodes 31 and 33 may be electrically connected to the n-type semiconductor layer and may be connected to the first lead electrode 13 and the bonding member 31, Type semiconductor layer and may be connected to the second lead electrode 15 and the bonding member 33. [

상기 발광 칩(40)은 광원으로서, 자외선부터 가시광선까지의 파장 대역 중에서 선택적으로 발광하게 된다. 상기 발광 칩(40)은 UV LED 칩, 그린 LED 칩, 블록 LED 칩, 레드 LED 칩, 또는 백색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 발광 칩(40)은 30㎛ 이상의 두께를 가질 수 있으며, 예컨대 30㎛ 내지 180㎛ 범위일 수 있다. 상기 발광 칩(40)은 탑뷰 형상이 다각형 형상 예컨대, 정 사각형 또는 직사각형 형상일 수 있다. The light emitting chip 40 is a light source and selectively emits light in a wavelength band from ultraviolet to visible light. The light emitting chip 40 includes at least one of a UV LED chip, a green LED chip, a block LED chip, a red LED chip, or a white LED chip. The light emitting chip 40 may have a thickness of 30 탆 or more, for example, 30 탆 to 180 탆. The light-emitting chip 40 may have a top-view shape of a polygonal shape, for example, a regular square or a rectangular shape.

실시 예에 따른 발광 소자(100)는 지지 기판(10) 상에 보호 칩(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 보호 칩은 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 발광 칩(40)을 ESD(electro static discharge)로부터 보호하게 된다.The light emitting device 100 according to the embodiment may include a protection chip (not shown) disposed on the support substrate 10 and the protection chip may be implemented with a thyristor, a zener diode, or a TVS And protects the light emitting chip 40 from electrostatic discharge (ESD).

상기 발광 칩(40) 위에는 형광 필름(60)이 배치될 수 있다. 상기 형광 필름(60)은 상기 발광 칩(40)의 상면 면적보다 큰 면적 즉, 하면 면적을 가질 수 있다. 상기 형광 필름(60)의 외 측면(S3)은 상기 발광 칩(40)의 측면(S2)보다 외측으로 돌출될 수 있다. 상기 형광 필름(60)의 외측 면(S3)는 상기 발광 칩(40)의 상면(S1)보다 더 외측으로 돌출되므로, 상기 발광 칩(40)의 상부 영역을 벗어난 광에 대해서도 입사 받을 수 있다. 상기 형광 필름(60)의 외측 면(S3)은 상기 발광 칩(40)의 측면(S2)로부터 소정 거리(G1) 예컨대, 5㎛ 이상 또는 5㎛ 내지 15㎛ 범위로 돌출될 수 있다. 상기 형광 필름(60)의 외측 면(S3)가 상기 범위보다 더 돌출될 경우 휘어질 수 있고, 상기 범위보다 작은 경우 광 추출 효율의 개선이 미미할 수 있다. 상기 형광 필름(60)은 상면 면적이 하면 면적보다 클 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A fluorescent film 60 may be disposed on the light emitting chip 40. The fluorescent film 60 may have an area larger than a top surface area of the light emitting chip 40, that is, a bottom surface area. The outer surface S3 of the fluorescent film 60 may protrude outward from the side surface S2 of the light emitting chip 40. [ The outer surface S3 of the fluorescent film 60 protrudes outward beyond the upper surface S1 of the light emitting chip 40 so that the light can be incident on the light that is out of the upper region of the light emitting chip 40. [ The outer surface S3 of the fluorescent film 60 may protrude from the side surface S2 of the light emitting chip 40 by a predetermined distance G1, for example, in the range of 5 占 퐉 or more to 5 占 퐉 to 15 占 퐉. If the outer surface S3 of the fluorescent film 60 protrudes more than the above range, it may be bent. If the outer surface S3 is smaller than the above range, the improvement of the light extraction efficiency may be insignificant. The upper surface area of the fluorescent film 60 may be larger than the lower surface area, but is not limited thereto.

상기 형광 필름(60)은 상기 발광 칩(40)의 상면(S1) 및 측면(S2)으로부터 방출된 일부 광을 흡수하여 다른 파장의 광으로 파장 변환하게 된다. 상기 형광 필름(60)은 접착 부재(50)를 통해 입사된 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 형광 필름(60)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재질에 형광체가 첨가되며, 상기 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들면, Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 질화물계 형광체·산질화물계 형광체·사이어론계 형광체, Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이금속계의 원소에 의해 주로 활성화되는 알칼리 토류 할로겐 아파타이트 형광체, 알칼리 토류 금속 붕산 할로겐 형광체, 알칼리 토류 금속 알루민산염 형광체, 알칼리 토류 규산염, 알칼리 토류 황화물, 알칼리 토류 티오갈레이트, 알칼리 토류 질화규소, 게르마늄산염, 또는, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 희토류 알루민산염, 희토류 규산염 또는 Eu 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 유기 및 유기 착체 등으로부터 선택되는 적어도 어느 하나 이상일 수 있다. 구체적인 예로서, 상기의 형광체를 사용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.The fluorescent film 60 absorbs a part of the light emitted from the upper surface S1 and the side surface S2 of the light emitting chip 40 and converts the wavelength into light having a different wavelength. The fluorescent film 60 converts the wavelength of the light incident through the adhesive member 50. The fluorescent material 60 may include at least one of a yellow fluorescent material, a green fluorescent material, a blue fluorescent material, and a red fluorescent material. Examples of the fluorescent material include Eu, Based phosphor, an oxynitride-based phosphor, a cyanogen-based phosphor mainly activated by a lanthanoid element such as Ce, a lanthanide-based phosphor such as Eu, an alkaline earth halide apatite phosphor mainly activated by a transition metal- , Alkaline earth metal borate halogen phosphors, alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth silicates, alkaline earth sulfides, alkaline earth thiogallates, alkaline earth silicon nitrides, germanium salts or lanthanoids such as Ce Of rare earth aluminates, rare earth silicates or lanthanoids such as Eu It may be equal to or greater than at least any one selected from organic and organic complexes mainly activated and the like. As a specific example, the above-mentioned phosphors can be used, but the present invention is not limited thereto.

상기 형광 필름(60)으로부터 방출된 광과 상기 발광 칩(40)으로부터 방출된 광은 백색 광으로 혼합될 수 있다. 상기 백색 광은 웜 화이트(Warm white), 쿨 화이트(Cool white) 또는 뉴트럴 화이트(Neutral white) 중 적어도 하나의 색 온도를 가질 수 있다. 상기 형광 필름(60)은 100㎛ 이상의 두께(T2) 예컨대, 100㎛ 내지 200㎛의 범위로 형성될 수 있으며, 상기 두께(T2)를 초과할 경우 파장 변환 효율의 개선이 미미할 수 있다. 상기 형광 필름(60)은 필름 형태로 제공되므로, 상면 및 하면이 수평한 평면으로 제공될 수 있다. The light emitted from the fluorescent film 60 and the light emitted from the light emitting chip 40 may be mixed with white light. The white light may have a color temperature of at least one of Warm white, Cool white, or Neutral white. The fluorescent film 60 may be formed to have a thickness (T2) of 100 μm or more, for example, 100 μm to 200 μm. If the thickness T2 is exceeded, the improvement of the wavelength conversion efficiency may be insignificant. Since the fluorescent film 60 is provided in the form of a film, the upper surface and the lower surface can be provided in a horizontal plane.

상기 반사 부재(70)는 상기 지지 기판(10) 상에 배치되며, 상기 발광 칩(40)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(70)는 상기 지지 기판(10)의 상면, 상기 복수의 리드 전극(13,15)의 표면에 접촉될 수 있다. The reflective member 70 is disposed on the support substrate 10 and may be disposed around the light emitting chip 40. The reflective member 70 may be in contact with the upper surface of the support substrate 10 and the surface of the plurality of lead electrodes 13 and 15.

상기 반사 부재(70)는 상기 발광 칩(40)의 측면(S2)의 일부 또는 전 영역과 비접촉될 수 있다. 상기 반사 부재(70)와 상기 발광 칩(40)의 측면(S2) 사이에는 접착 부재(50)가 배치될 수 있다. 이러한 반사 부재(70)는 상기 발광 칩(40)의 측면(S2)으로 방출된 광을 반사하게 되며, 예컨대 형광 필름(60) 방향으로 반사하게 된다. 상기 반사 부재(70)와 상기 접착 부재(50) 사이의 계면은 곡면 또는 경사진 면일 수 있다. 이러한 곡면 또는 경사진 면을 갖는 계면으로 입사된 광은 전 반사될 수 있다. The reflective member 70 may be in non-contact with a part or all of the side surface S2 of the light emitting chip 40. [ An adhesive member 50 may be disposed between the reflective member 70 and the side surface S2 of the light emitting chip 40. [ The reflective member 70 reflects the light emitted to the side surface S2 of the light emitting chip 40 and reflects the light toward the fluorescent film 60, for example. The interface between the reflective member 70 and the adhesive member 50 may be curved or inclined. The light incident on the interface having such a curved surface or an inclined surface can be pre-reflected.

상기 반사 부재(70)는 상기 발광 칩(40) 및 상기 형광 필름(60)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(70)는 상기 형광 필름(60)의 외 측면(S3)과 접촉 또는 비 접촉될 수 있으며, 예컨대 접착 부재(50)가 상기 형광 필름(60)의 외 측면(S3)에 배치된 경우 반사 부재(70)는 형광 필름(60)의 외 측면(S3)과 비 접촉될 수 있다. 상기 반사 부재(70)는 상기 형광 필름(60)의 외 측면(S3)을 통해 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다. The reflective member 70 may be disposed around the light emitting chip 40 and the fluorescent film 60. The reflective member 70 may be in contact with or not in contact with the outer surface S3 of the fluorescent film 60. For example, when the adhesive member 50 is disposed on the outer surface S3 of the fluorescent film 60 The reflecting member 70 may be in non-contact with the outer surface S3 of the fluorescent film 60. [ The reflective member 70 may reflect light emitted through the outer surface S3 of the fluorescent film 60. [

상기 반사 부재(70)의 상면 높이는 상기 형광 필름(60)의 상면 높이보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(70)의 상면이 상기 형광 필름(60)의 상면과 같거나 높게 배치된 경우, 제조 공정 상에서 상기 반사 부재(70)의 일부가 상기 형광 필름(60)의 상면으로 침투하는 문제가 발생될 수 있다. 상기 반사 부재(70)가 상기 형광 필름(60)의 상면과 같거나 높게 배치된 경우, 지향각의 좁아질 수 있다. The height of the upper surface of the reflective member 70 may be lower than the height of the upper surface of the fluorescent film 60. A problem that a part of the reflection member 70 penetrates the upper surface of the fluorescent film 60 in the manufacturing process when the upper surface of the reflection member 70 is arranged to be equal to or higher than the upper surface of the fluorescent film 60 Lt; / RTI > When the reflection member 70 is disposed at the same height as or higher than the upper surface of the fluorescent film 60, the directivity angle may be narrowed.

상기 반사 부재(70)는 수지 재질 내에 금속 산화물이 첨가된다. 상기 수지 재질은 실리콘 또는 에폭시를 포함하며, 상기 금속 산화물은 수지 재질보다 굴절률이 높은 물질로서, 예컨대 Al2O3, TIO2 또는 SiO2 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 금속 산화물은 상기 반사 부재(70) 내에 5wt% 이상 예컨대, 5~30wt% 범위로 형성된다. 상기 반사 부재(70)는 상기 발광 칩(40)으로부터 방출된 광에 대해 90% 이상의 반사율을 가질 수 있다. The reflective member (70) is doped with a metal oxide in a resin material. The resin material includes silicon or epoxy, and the metal oxide is a material having a refractive index higher than that of the resin material, and includes at least one of Al 2 O 3 , TIO 2, and SiO 2 . The metal oxide is formed in the reflective member 70 in a range of 5 wt% or more, for example, 5 to 30 wt%. The reflective member 70 may have a reflectance of 90% or more with respect to the light emitted from the light emitting chip 40.

상기 접착 부재(50)는 발광 칩(40)의 표면에 배치될 수 있다. 상기 접착 부재(50)는 상기 발광 칩(40)의 상면(S1)에 배치된 제1접착부(51) 및 상기 발광 칩(40)의 측면(S2)에 배치된 제2접착부(53)를 포함하며, 상기 제1,2접착부(51,53)는 서로 연결될 수 있다. 상기 제1접착부(51)는 상기 발광 칩(40)과 상기 형광 필름(60) 사이에 배치되며 상기 형광 필름(60)을 발광 칩(40)의 기판(41)의 상면(S1)에 접착시켜 준다. The adhesive member 50 may be disposed on the surface of the light emitting chip 40. The adhesive member 50 includes a first adhesive portion 51 disposed on an upper surface S1 of the light emitting chip 40 and a second adhesive portion 53 disposed on a side surface S2 of the light emitting chip 40 And the first and second adhesive portions 51 and 53 may be connected to each other. The first adhesive portion 51 is disposed between the light emitting chip 40 and the fluorescent film 60 and adheres the fluorescent film 60 to the upper surface S1 of the substrate 41 of the light emitting chip 40 give.

도 4와 같이, 상기 제1접착부(51)의 두께(D1)는 5㎛ 이하 예컨대, 0.1㎛ 내지 5㎛의 범위에 배치될 수 있고, 상기 두께(D1)보다 두꺼운 경우 광 손실이 발생될 수 있고, 상기 두께(D1)보다 얇은 경우 접착 효율이 저하될 수 있다. 상기 접착 부재(50)의 제2접착부(53)는 상기 발광 칩(40)과 상기 반사 부재(70) 사이의 영역에 배치되며 상기 반사 부재(70)를 상기 발광 칩(40)의 측면(S2)으로부터 이격시켜 주게 된다. 상기 접착 부재(50)의 제2접착부(53)는 상기 형광 필름(60)의 하면부터 상기 발광 칩(40)의 하부 예컨대, 반도체층(43)의 하단까지 배치될 수 있다. 상기 제2접착부(53)의 외측은 상기 형광 필름(60)을 벗어나지 않거나, 상기 형광 필름(60)의 외측 면(S3)보다 외측으로 벗어나지 않도록 배치될 수 있다. 즉, 상기 제2접착부(53)의 높이는 상기 기판(41)의 두께(도 1의 T1)보다 크고 발광 칩(40)의 두께보다는 작을 수 있고, 그 최대 두께(D2)는 발광 칩(40)의 측면(S2)과 형광 필름(60)의 외측 면 사이의 간격(G1)과 동일할 수 있다. As shown in FIG. 4, the thickness D1 of the first bonding portion 51 may be set to a range of 5 .mu.m or less, for example, 0.1 .mu.m to 5 .mu.m, If it is thinner than the thickness D1, the bonding efficiency may be lowered. The second adhesive portion 53 of the adhesive member 50 is disposed in a region between the light emitting chip 40 and the reflective member 70 and the reflective member 70 is disposed on the side surface S2 of the light emitting chip 40 ). The second adhesive portion 53 of the adhesive member 50 may be disposed from the lower surface of the fluorescent film 60 to the lower end of the light emitting chip 40, for example, the semiconductor layer 43. The outer side of the second adhesive portion 53 may be disposed so as not to escape from the fluorescent film 60 or to be outside the outer surface S3 of the fluorescent film 60. [ That is, the height of the second adhesive portion 53 may be greater than the thickness of the substrate 41 (T1 in FIG. 1) and less than the thickness of the light emitting chip 40, And the gap G1 between the side surface S2 of the fluorescent film 60 and the outer side surface of the fluorescent film 60. [

상기 접착 부재(50)의 제2접착부(53)는 외 측면 또는 상기 반사 부재(70)와의 경계 면이 소정의 곡률을 갖는 곡면(R1)으로 형성되어, 입사되는 광을 전 반사시켜 줄 수 있다. 상기 곡면(R1)의 곡률은 70㎛ 이하 예컨대, 5㎛ 내지 70㎛의 범위로 배치되어, 광의 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 접착 부재(50)의 제2접착부(53)는 양의 곡률을 가질 수 있다. The second adhesive portion 53 of the adhesive member 50 may be formed as a curved surface R1 having an outer surface or a boundary surface with the reflective member 70 having a predetermined curvature so as to reflect the incident light . The curvature of the curved surface R1 is set to be 70 占 퐉 or less, for example, in the range of 5 占 퐉 to 70 占 퐉, and the light extraction efficiency can be improved. The second adhesive portion 53 of the adhesive member 50 may have a positive curvature.

여기서, 도 1 및 도 4를 참조하면, 상기 접착 부재(50)는 제2접착부(53)의 최대 두께(D2)는 제1접착부(51)의 두께(D1)보다 두꺼울 수 있다. 상기 제2접착부(53)의 최대 두께(D2)는 (L1-L2)/2의 조건으로 구할 수 있으며, 상기 L1은 형광 필름(60)의 너비이며, 상기 L2는 발광 칩(40)의 너비일 수 있다. 상기 L2:L1의 비율은 1:1,05 내지 1:1.2의 범위를 포함할 수 있다.1 and 4, the maximum thickness D2 of the second adhesive portion 53 of the adhesive member 50 may be thicker than the thickness D1 of the first adhesive portion 51. As shown in FIG. The maximum thickness D2 of the second bonding portion 53 can be obtained under the condition of (L1-L2) / 2 where L1 is the width of the fluorescent film 60 and L2 is the width of the light emitting chip 40 Lt; / RTI > The ratio of L2: L1 may range from 1: 1,05 to 1: 1.2.

상기 접착 부재(50)의 재질은 절연 재질 또는 투명한 재질을 포함할 수 있으며, 예컨대 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 접착 부재(50)는 굴절률이 상기 기판(41)의 굴절률과 같거나 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 상기 접착 부재(50)의 굴절률은 상기 형광 필름(60)의 굴절률보다 높을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The material of the adhesive member 50 may include an insulating material or a transparent material, and may include a resin material such as silicone or epoxy. The adhesive member 50 may have a refractive index equal to or lower than the refractive index of the substrate 41. The refractive index of the adhesive member 50 may be higher than the refractive index of the fluorescent film 60, but the present invention is not limited thereto.

실시 예에 따른 발광 소자(100) 상에 광학 렌즈(미도시)가 배치될 수 있다. 상기 광학 렌즈는 상기 형광 필름(60)으로부터 방출된 광의 경로를 변경하거나 배광 분포를 조절할 수 있다. 상기 광학 렌즈는 굴절률이 1.4 이상 1.7 이하인 투명 재료를 이용할 수 있다. 상기 광학 렌즈는 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 에폭시 수지(EP)의 투명 수지 재료나 투명한 글래스(Glass)에 의해 형성될 수 있다.An optical lens (not shown) may be disposed on the light emitting device 100 according to the embodiment. The optical lens can change the path of the light emitted from the fluorescent film 60 or adjust the light distribution. The optical lens may use a transparent material having a refractive index of 1.4 or more and 1.7 or less. The optical lens may be formed of a transparent resin material of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), epoxy resin (EP), or transparent glass.

실시 예에 따른 발광 소자(100)는 발광 칩(40)과 반사 부재(70) 사이에 투명한 재질의 접착 부재(50)을 배치하여, 상기 발광 칩(40)의 측면(S2)으로 방출된 광이 손실되지 않고 상기 접착 부재(50)와 상기 반사 부재(70) 사이의 계면에 의해 반사시켜 줄 수 있다. 이러한 발광 소자의 광 효율은 개선될 수 있다. The light emitting device 100 according to the embodiment has a transparent adhesive member 50 disposed between the light emitting chip 40 and the reflective member 70 to reflect light emitted to the side surface S2 of the light emitting chip 40 Can be reflected by the interface between the adhesive member (50) and the reflective member (70) without being lost. The light efficiency of such a light emitting element can be improved.

도 5는 도 1의 발광 소자의 제1변형 예이다. 도 5의 설명에 있어서, 상기의 구성과 동일한 부분의 설명은 상기의 설명을 참조하기로 한다.5 is a first modification of the light emitting device of Fig. In the description of FIG. 5, a description of the same portions as those described above will be referred to the above description.

도 5를 참조하면, 발광 소자는 지지 기판(10), 상기 지지 기판(10) 위에 배치된 발광 칩(40), 상기 발광 칩(40) 위에 배치된 형광 필름(60), 상기 발광 칩(40) 및 형광 필름(60)의 둘레에 배치된 반사 부재(70), 및 상기 발광 칩(40)의 상면(S1) 및 측면(S2)에 배치된 접착 부재(50)를 포함한다.5, the light emitting device includes a support substrate 10, a light emitting chip 40 disposed on the support substrate 10, a fluorescent film 60 disposed on the light emitting chip 40, And a reflective member 70 disposed around the fluorescent film 60 and an adhesive member 50 disposed on the upper surface S1 and the side surface S2 of the light emitting chip 40. [

상기 접착 부재(50)는 발광 칩(40)의 상면(S1)에 배치된 제1접착부(51) 및 측면(S2) 둘레에 배치된 제2접착부(53)를 포함한다. 상기 제2접착부(53)는 발광 칩(40)의 발광 구조물(43) 하단으로 내려갈수록 두께가 점차 얇아질 수 있다. 상기 제2접착부(53)는 외측 면이 경사진 면 예컨대, 수평한 직선에 대해 60도 내지 89도의 범위의 각도(R1)로 경사지게 배치될 수 있다. 이러한 접착 부재(50)의 제2접착부(53)는 입사되는 광을 형광 필름(60) 방향으로 반사시켜 주어, 광 손실을 줄이고 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The bonding member 50 includes a first bonding portion 51 disposed on the upper surface S1 of the light emitting chip 40 and a second bonding portion 53 disposed around the side surface S2. The thickness of the second bonding portion 53 may gradually decrease as it goes down to the bottom of the light emitting structure 43 of the light emitting chip 40. The second adhesive portion 53 may be disposed such that its outer surface is inclined at an inclined plane, for example, an angle R1 ranging from 60 degrees to 89 degrees with respect to a horizontal straight line. The second adhesive portion 53 of the adhesive member 50 reflects incident light toward the fluorescent film 60, thereby reducing light loss and improving light extraction efficiency.

도 6 및 도 7은 도 1의 발광 소자의 제2 및 제3변형 예로서, 접착 부재의 제2접착부의 곡률을 변경한 예이며, 도 6 및 도 7의 설명에 있어서, 상기의 구성과 동일한 부분의 설명은 상기의 설명을 참조하기로 한다.Figs. 6 and 7 are second and third modified examples of the light emitting device of Fig. 1, in which the curvature of the second bonding portion of the bonding member is changed. In the description of Figs. 6 and 7, The description of the part will be referred to the above description.

도 6 및 도 7을 참조하면, 발광 소자는 지지 기판(10), 상기 지지 기판(10) 위에 배치된 발광 칩(40), 상기 발광 칩(40) 위에 배치된 형광 필름(60), 상기 발광 칩(40) 및 형광 필름(60)의 둘레에 배치된 반사 부재(70), 및 상기 발광 칩(40)의 상면(S1) 및 측면(S2)에 배치된 접착 부재(50)를 포함한다.6 and 7, the light emitting device includes a support substrate 10, a light emitting chip 40 disposed on the support substrate 10, a fluorescent film 60 disposed on the light emitting chip 40, A reflecting member 70 disposed around the chip 40 and the fluorescent film 60 and an adhesive member 50 disposed on the upper surface S1 and the side surface S2 of the light emitting chip 40. [

도 6 및 도 7과 같이, 상기 접착 부재(50)는 발광 칩(40)의 상면(S1)에 배치된 제1접착부(51) 및 측면(S2) 둘레에 배치된 제2접착부(53)를 포함하며, 상기 제2접착부(53)는 외 측면 예컨대, 반사 부재(60)와의 계면이 외측 방향으로 볼록한 곡면(R2)으로 형성되며, 상기 발광 구조물(43)의 하단까지 연장될 수 있다. 6 and 7, the bonding member 50 includes a first bonding portion 51 disposed on the upper surface S1 of the light emitting chip 40 and a second bonding portion 53 disposed around the side surface S2 And the second bonding portion 53 may be formed as a curved surface R2 whose outer surface is convex outwardly with respect to the reflective member 60 and may extend to the lower end of the light emitting structure 43. [

도 6과 같이, 상기 접착 부재(50)의 제2접착부(53)의 외측 곡면(R2)은, 곡률 반경이 10㎛±0.1㎛의 범위일 수 있다. 도 7과 같이, 상기 접착 부재(50)의 제2접착부(53)의 외측 곡면(R3)은, 도 6의 곡면(R2)의 곡률 반경보다 큰 곡률 반경을 가지며, 예컨대 50㎛±0.5㎛의 범위일 수 있다.As shown in Fig. 6, the outer curved surface R2 of the second adhesive portion 53 of the adhesive member 50 may have a radius of curvature of 10 mu m +/- 0.1 mu m. 7, the outer curved surface R3 of the second adhesive portion 53 of the adhesive member 50 has a curvature radius larger than the curvature radius of the curved surface R2 of Fig. 6, for example, Lt; / RTI >

도 8은 도 1의 발광 소자의 제4변형 예로서, 접착 부재의 제2접착부(53)의 곡률을 변경한 예이며, 도 8을 설명함에 있어서, 상기의 구성과 동일한 부분의 설명은 상기의 설명을 참조하기로 한다.8 shows a fourth modification of the light emitting device of Fig. 1, in which the curvature of the second adhesive portion 53 of the adhesive member is changed. In Fig. 8, See the description.

도 8을 참조하면, 발광 소자는 지지 기판(10), 상기 지지 기판(10) 위에 배치된 발광 칩(40), 상기 발광 칩(40) 위에 배치된 형광 필름(60), 상기 발광 칩(40) 및 형광 필름(60)의 둘레에 배치된 반사 부재(70), 및 상기 발광 칩(40)의 상면(S1) 및 측면(S2)에 배치된 접착 부재(50A)를 포함한다.8, the light emitting device includes a support substrate 10, a light emitting chip 40 disposed on the support substrate 10, a fluorescent film 60 disposed on the light emitting chip 40, And a reflective member 70 disposed around the fluorescent film 60 and an adhesive member 50A disposed on the upper surface S1 and the side surface S2 of the light emitting chip 40. [

상기 접착 부재(50A)는 발광 칩(40)의 상면(S1)에 배치된 제1접착부(51), 상기 발광 칩(40)의 측면(S2) 둘레에 배치된 제2접착부(53), 및 상기 형광 필름(60)의 측면 둘레에 배치된 제3접착부(55)를 포함한다. 상기 제1접착부(51)는 상기 발광 칩(40)의 상면(S1)과 형광 필름(60)의 하면 사이에 접촉되며, 상기 제2접착부(53)는 상기 발광 칩(40)의 측면(S2)과 상기 반사 부재(70) 사이에 배치되며, 곡면 또는 경사진 면으로 형성될 수 있다. 상기 제3접착부(55)는 상기 형광 필름(60)의 측면과 상기 반사 부재(70) 사이에 배치된다. The adhesive member 50A includes a first adhesive portion 51 disposed on the upper surface S1 of the light emitting chip 40, a second adhesive portion 53 disposed around the side surface S2 of the light emitting chip 40, And a third adhesive portion 55 disposed around the side surface of the fluorescent film 60. The first adhesive portion 51 is in contact with the upper surface S1 of the light emitting chip 40 and the lower surface of the fluorescent film 60 and the second adhesive portion 53 is in contact with the side surface S2 of the light emitting chip 40 And the reflective member 70, and may be formed as a curved surface or an inclined surface. The third adhesive portion 55 is disposed between the side surface of the fluorescent film 60 and the reflective member 70.

상기 접착 부재(50A)의 제3접착부(55)는 상기 제2접착부(53)로부터 상기 형광 필름(60)의 측면으로 연장되며, 상기 형광 필름(60)의 측면과 반사 부재(70)에 접착될 수 있다. 상기 제3접착부(55)의 두께는 상기 제2접착부(53)의 최대 두께보다 얇을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3접착부(55)에 의해 형광 필름(60)과 반사 부재(70) 사이의 계면을 통해 침투하는 습기를 차단할 수 있다. The third adhesive portion 55 of the adhesive member 50A extends from the second adhesive portion 53 to the side surface of the fluorescent film 60 and adheres to the side surface of the fluorescent film 60 and the reflective member 70 . The thickness of the third adhesive portion 55 may be smaller than the maximum thickness of the second adhesive portion 53, but is not limited thereto. The third bonding portion 55 can block moisture penetrating through the interface between the fluorescent film 60 and the reflective member 70.

도 9는 도 1의 발광 소자의 제5변형 예로서, 도 9를 설명함에 있어서, 상기의 구성과 동일한 부분의 설명은 상기의 설명을 참조하기로 한다.Fig. 9 is a fifth modification of the light emitting device of Fig. 1, and in describing Fig. 9, a description of the same portions as the above will be referred to above.

도 9를 참조하면, 발광 소자는 지지 기판(10), 상기 지지 기판(10) 위에 배치된 발광 칩(40), 상기 발광 칩(40) 위에 배치된 형광 필름(60), 상기 발광 칩(40) 및 형광 필름(60)의 둘레에 배치된 반사 부재(70), 및 상기 발광 칩(40)의 상면(S1) 및 측면(S2)에 배치된 접착 부재(50)를 포함한다.9, the light emitting device includes a support substrate 10, a light emitting chip 40 disposed on the support substrate 10, a fluorescent film 60 disposed on the light emitting chip 40, And a reflective member 70 disposed around the fluorescent film 60 and an adhesive member 50 disposed on the upper surface S1 and the side surface S2 of the light emitting chip 40. [

상기 접착 부재(50)는 발광 칩(40)의 상면(S1)에 배치된 제1접착부(51), 및 상기 발광 칩(40)의 측면(S2) 둘레에 배치된 제2접착부(53A)를 포함한다. 상기 제1접착부(51)는 상기 발광 칩(40)의 상면(S1)과 형광 필름(60)의 하면 사이에 접촉되며, 상기 제2접착부(53A)는 상기 발광 칩(40)의 측면(S2)과 상기 반사 부재(70) 사이에 배치되며, 음각의 곡률을 갖는 곡면으로 형성될 있다. 상기 접착 부재(50)의 일부는 상기 형광 필름(60)의 측면(S3)과 상기 반사 부재(70) 사이에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The adhesive member 50 includes a first adhesive portion 51 disposed on the upper surface S1 of the light emitting chip 40 and a second adhesive portion 53A disposed around the side surface S2 of the light emitting chip 40 . The first adhesive portion 51 is in contact with the upper surface S1 of the light emitting chip 40 and the lower surface of the fluorescent film 60 and the second adhesive portion 53A is in contact with the side surface S2 of the light emitting chip 40 And the reflective member 70, and may be formed as a curved surface having a curvature of a negative angle. A part of the adhesive member 50 may be disposed between the side surface S3 of the fluorescent film 60 and the reflective member 70, but is not limited thereto.

상기 접착 부재(50)의 제2접착부(53A)는 형광 필름(60)의 하면 에지부터 발광 칩(40)의 반도체층(43)의 하단까지 연장되거나, 상기 기판(41)의 하단까지 연장될 수 있다. 이러한 접착 부재(50)의 제2접착부(53A)는 음의 곡률 반경을 가지므로, 상기 발광 칩(40)의 측면(S2)과 반사 부재(70) 사이에서 접착 효율 개선 및 광 손실을 방지할 수 있다. The second adhesive portion 53A of the adhesive member 50 may extend from the lower edge of the fluorescent film 60 to the lower end of the semiconductor layer 43 of the light emitting chip 40 or may extend to the lower end of the substrate 41 . Since the second adhesive portion 53A of the adhesive member 50 has a negative curvature radius, it is possible to improve adhesion efficiency and prevent light loss between the side surface S2 of the light emitting chip 40 and the reflective member 70 .

표 1은 비교 예 및 실시 예(변형 예)들에 대한 광 효율을 비교한 표이다.Table 1 is a table comparing light efficiencies for Comparative Examples and Examples (Modifications).

ModelModel 1One 22 33 44 55 66 입사 에너지Incident energy 0.280560.28056 0.290630.29063 0.297020.29702 0.296850.29685 0.297660.29766 0.295060.29506 변화율Rate of change 100%100% 104%104% 106%106% 106%106% 106%106% 105%105%

여기서, 모델 1은 접착 부재가 발광 칩과 형광 필름 사이의 영역만 배치된 비교 예일 수 있다. 모델 2은 도 5의 발광 소자로부터 측정된 값이며, 모델 3은 도 1의 발광 소자로부터 측정된 값이며, 모델 4는 도 6의 발광 소자로부터 측정된 값이며, 모델 5는 도 7의 발광 소자로부터 측정된 값이며, 모듈 6은 도 8의 발광 소자로부터 측정된 값이다. 모델 2 내지 모델 6은 비교 예(모델 1)과 비교할 때, 광 효율이 4% 이상 증가함을 알 수 있다. 이러한 광 효율은 상기 접착 부재가 발광 칩과 반사 부재 사이에 채워진 구조에 의해 비교 예보다 증가됨을 알 수 있다. Here, Model 1 may be a comparative example in which the adhesive member is disposed only in a region between the light emitting chip and the fluorescent film. 6, the model 4 is a value measured from the light emitting device of FIG. 6, the model 3 is the value measured from the light emitting device of FIG. 6, And module 6 is a value measured from the light emitting element in Fig. Models 2 to 6 show that the light efficiency increases by 4% or more when compared with the comparative example (model 1). It can be seen that the light efficiency is increased by the structure in which the adhesive member is filled between the light emitting chip and the reflective member, as compared with the comparative example.

상기 접착 부재의 점도에 따른 광속을 비교하기 위해, 도 13 및 도 14를 참조하여 설명한다. 도 13은 실시 예에 따른 발광 소자의 접착 부재를 저 점도 수지를 이용한 예에서의 광속을 나타낸 도면이다.To compare the luminous flux according to the viscosity of the adhesive member, a description will be made with reference to Figs. 13 and 14. Fig. 13 is a view showing a light flux in the example using the low-viscosity resin as the bonding member of the light emitting element according to the embodiment.

도 13과 같이, 접착 부재가 저 점도로 배치된 경우, 상기 접착 부재가 발광 칩과 반사 부재 사이에서 형광 필름 보다 외측으로 돌출되지 않을 조건(A1)과 형광 필름보다 외측으로 돌출된 조건(A2)를 비교할 때, A1의 조건이 광속이 더 개선됨을 알 수 있다. 이러한 A1의 조건은 10% 이상의 광속이 상승됨을 알 수 있다. 도 14는 고 점도의 접착 부재를 사용한 경우, 접착 부재가 형광 필름의 외측보다 돌출되지 않을 수 있으며, 발광 칩의 측면 피복이 어려운 단점이 있으나, 광속이 7% 이상 상승됨을 알 수 있다. 도 13 및 도 14와 같이, 저 점도 또는 고 점도의 접착 부재를 사용할 경우 모두 광속이 증가됨을 알 수 있다. 13, when the adhesive member is disposed at a low viscosity, the condition (A1) that the adhesive member does not protrude outward beyond the fluorescent film between the light emitting chip and the reflecting member and the condition (A2) It can be seen that the condition of A1 further improves the luminous flux. It can be seen that the condition of A1 is such that the luminous flux of 10% or more is increased. Fig. 14 shows that when the adhesive member having a high viscosity is used, the adhesive member may not protrude from the outer side of the fluorescent film, and the side surface of the light emitting chip is difficult to cover, but the light flux is increased by 7% or more. As shown in Figs. 13 and 14, it can be seen that the luminous flux increases in all cases when an adhesive member having a low viscosity or a high viscosity is used.

다른 예로서, 상기한 실시 예 또는 변형 예서, 상기 발광 소자에 형광 필름을 제거하거나 형광 필름이 아닌 투명한 필름을 배치할 수 있다 다른 예로서, 상기 발광 소자의 발광 칩에 기판이 제거되고, 상기 발광 구조물 상에 형광 필름이 배치될 수 있다. As another example, a fluorescent film may be removed from the light emitting device or a transparent film may be disposed instead of the fluorescent film. In another embodiment, the substrate is removed from the light emitting chip of the light emitting device, A fluorescent film may be disposed on the structure.

도 10은 제2실시 예로서, 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 발광 모듈을 나타낸 도면이다.10 is a view showing a light emitting module having a light emitting device according to an embodiment, as a second embodiment.

도 10을 참조하면, 발광 모듈은, 회로 기판(400) 상에 하나 또는 복수의 발광 소자(100)가 배열될 수 있다. 상기 복수의 발광 소자(100)가 배치된 경우, 서로 이격될 수 있다. Referring to FIG. 10, one or a plurality of light emitting devices 100 may be arranged on a circuit board 400 of the light emitting module. When the plurality of light emitting devices 100 are disposed, they may be spaced apart from each other.

상기 회로 기판(400)은 금속층(471), 상기 금속층(471) 위에 절연층(472), 상기 절연층(472) 위에 복수의 패드(473,474)을 갖는 회로 층(미도시) 및 상기 회로 층을 보호하는 보호층(475)을 포함한다. 상기 금속층(471)은 방열 층으로서, 열 전도성이 높은 금속 예컨대, Cu 또는 Cu-합금와 같은 금속을 포함하며, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The circuit board 400 includes a circuit layer (not shown) having a metal layer 471, an insulating layer 472 over the metal layer 471, a plurality of pads 473 and 474 over the insulating layer 472, And a protective layer 475 for protecting the protective layer. The metal layer 471 is a heat dissipation layer, and includes a metal such as Cu or Cu-alloy having high thermal conductivity, and may be formed as a single layer or a multi-layer structure.

상기 절연층(472)은 상기 금속층(471)과 회로 층 사이를 절연시켜 준다. 상기 절연층은 에폭시, 실리콘, 유리섬유, 프리 프레그(prepreg), 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T)와 같은 수지 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 상기 절연층(472) 내에는 금속 산화물 예컨대, TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 첨가제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 절연층(472)은 그라핀과 같은 재질을 실리콘 또는 에폭시와 같은 절연 물질 내에 첨가하여 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The insulating layer 472 insulates the metal layer 471 from the circuit layer. The insulating layer may include at least one of resin materials such as epoxy, silicone, glass fiber, prepreg, polyphthalamide (PPA), liquid crystal polymer (LCP) . In addition, additives such as metal oxides such as TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 may be added to the insulating layer 472, but the present invention is not limited thereto. As another example, the insulating layer 472 may be formed by adding a material such as graphene to an insulating material such as silicon or epoxy, and is not limited thereto.

상기 절연층(472)은 상기 금속층(471)이 양극 산화(anodizing) 과정에 의해 형성된 아노다이징(anodizing)된 영역일 수 있다. 여기서, 상기 금속층(471)은 알루미늄 재질이고, 상기 아노다이징된 영역은 Al2O3와 같은 재질로 배치될 수 있다.The insulating layer 472 may be an anodized region in which the metal layer 471 is formed by an anodizing process. Here, the metal layer 471 may be made of aluminum, and the anodized region may be formed of a material such as Al 2 O 3 .

상기 제1 및 제2패드(473,474)은 발광 소자(100)의 제1 및 제2리드 프레임(14,16)과 전도성 접착제로 접착될 수 있다. 상기 전도성 접착제는 솔더 재질과 같은 금속 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1패드(473) 및 제2패드(474)은 회로 패턴으로서, 전원을 공급해 주게 된다.The first and second pads 473 and 474 may be bonded to the first and second lead frames 14 and 16 of the light emitting device 100 with a conductive adhesive. The conductive adhesive may include a metal material such as a solder material. The first pad 473 and the second pad 474 are circuit patterns, and supply power.

상기 보호층(475)은 상기 회로층 상에 배치될 수 있다. 상기 보호층(475)은 반사 재질을 포함하며, 예컨대 레지스트 재질 예컨대, 백색의 레지스트 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 보호층(475)은 반사층으로 기능할 수 있으며, 예컨대 흡수율보다 반사율이 더 높은 재질로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 보호층(475)은 광을 흡수하는 재질로 배치될 수 있으며, 상기 광 흡수 재질은 흑색 레지스트 재질을 포함할 수 있다.The protective layer 475 may be disposed on the circuit layer. The protective layer 475 includes a reflective material, and may be formed of a resist material such as a white resist material, but is not limited thereto. The protective layer 475 may function as a reflective layer, and may be formed of a material having a reflectance higher than that of the absorptance, for example. As another example, the protective layer 475 may be disposed of a material that absorbs light, and the light absorbing material may include a black resist material.

도 11 및 도 12는 실시 예에 따른 발광 칩의 예를 나타낸 도면이다. 11 and 12 are views showing an example of a light emitting chip according to the embodiment.

도 11을 참조하면, 발광 칩은 발광 구조물(225) 및 복수의 전극(245,247)을 포함한다. 상기 발광 구조물(225)은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체층 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체층 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 전극(245,247)은 상기 발광 구조물(225)의 반도체층에 선택적으로 연결되며, 전원을 공급하게 된다.Referring to FIG. 11, the light emitting chip includes a light emitting structure 225 and a plurality of electrodes 245 and 247. The light emitting structure 225 may be formed of a compound semiconductor layer of a group II to VI element, for example, a compound semiconductor layer of a group III-V element, or a compound semiconductor layer of a group II-VII element. The plurality of electrodes 245 and 247 are selectively connected to the semiconductor layer of the light emitting structure 225 to supply power.

상기 발광 칩은 기판(221)을 포함할 수 있다. 상기 기판(221)은 상기 발광 구조물(225) 위에 배치된다. 상기 기판(221)은 예컨대, 투광성, 절연성 기판, 또는 전도성 기판일 수 있다. 상기 기판(221)은 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(221)의 탑 면 및 바닥면 중 적어도 하나 또는 모두에는 복수의 볼록부(미도시)가 형성되어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 각 볼록부의 측 단면 형상은 반구형 형상, 반타원 형상, 또는 다각형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 기판(221)은 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting chip may include a substrate 221. The substrate 221 is disposed on the light emitting structure 225. The substrate 221 may be, for example, a light-transmitting substrate, an insulating substrate, or a conductive substrate. At least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge and Ga 2 O 3 may be used as the substrate 221. At least one or both of the top surface and the bottom surface of the substrate 221 may have a plurality of convex portions (not shown) to improve light extraction efficiency. The side cross-sectional shape of each convex portion may include at least one of hemispherical shape, semi-elliptical shape, or polygonal shape. Such a substrate 221 can be removed, but is not limited thereto.

상기 기판(221)과 상기 발광 구조물(225) 사이에는 버퍼층(미도시) 및 저 전도성의 반도체층(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(221)과 반도체층과의 격자 상수 차이를 완화시켜 주기 위한 층으로서, II족 내지 VI족 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 아래에는 언도핑된 III족-V족 화합물 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A buffer layer (not shown) and a low-conductivity semiconductor layer (not shown) may be interposed between the substrate 221 and the light emitting structure 225. The buffer layer is a layer for relaxing the difference in lattice constant between the substrate 221 and the semiconductor layer, and may be selectively formed from Group II to VI compound semiconductors. An undoped Group III-V compound semiconductor layer may be further formed under the buffer layer, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 구조물(225)은 상기 기판(221) 아래에 배치될 수 있으며, 제1도전형 반도체층(222), 활성층(223) 및 제2도전형 반도체층(224)을 포함한다. 상기 각 층(222,223,224)의 위 및 아래 중 적어도 하나에는 다른 반도체층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure 225 may be disposed under the substrate 221 and includes a first conductive semiconductor layer 222, an active layer 223, and a second conductive semiconductor layer 224. Other semiconductor layers may be further disposed on at least one of the upper and lower layers 222, 223, and 224, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1도전형 반도체층(222)은 기판(221) 아래에 배치되며, 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(222)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(222)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 도펀트를 포함한다.The first conductive semiconductor layer 222 may be disposed below the substrate 221 and may include a semiconductor layer doped with a first conductive dopant, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 222 includes a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? The first conductive semiconductor layer 222 may be a compound semiconductor of Group III-V elements such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, . The first conductive dopant is an n-type dopant and includes dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 활성층(223)은 제1도전형 반도체층(222) 아래에 배치되고, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다.The active layer 223 is disposed below the first conductive semiconductor layer 222 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. And includes the well layer and the period of the barrier layer. InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaA, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InGaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, / RTI > pair of < / RTI >

상기 제2도전형 반도체층(224)은 상기 활성층(223) 아래에 배치된다. 상기 제2도전형 반도체층(224)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(224)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(224)이 p형 반도체층이고, 상기 제1도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second conductive semiconductor layer 224 is disposed under the active layer 223. The second conductive semiconductor layer 224 may include a semiconductor doped with a second conductive dopant such as In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1). The second conductive semiconductor layer 224 may include at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The second conductivity type semiconductor layer 224 is a p-type semiconductor layer, and the first conductivity type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant.

상기 발광 구조물(225)은 다른 예로서, 상기 제1도전형 반도체층(222)이 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(224)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(224) 아래에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다. 또한 상기 발광 구조물(225)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. The first conductive semiconductor layer 222 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 224 may be an n-type semiconductor layer. A third conductive type semiconductor layer having a polarity opposite to the second conductive type may be formed under the second conductive type semiconductor layer 224. The light emitting structure 225 may be formed of any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

상기 발광 구조물(225) 아래에는 제1 및 제2전극(245,247)이 배치된다. 상기 제1전극(245)은 상기 제1도전형 반도체층(222)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극(247)은 제2도전형 반도체층(224)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2전극(245,247)은 바닥 형상이 다각형 또는 원 형상일 수 있다. 상기 발광 구조물(225) 내에는 복수의 리세스(226)를 구비할 수 있다. First and second electrodes 245 and 247 are disposed under the light emitting structure 225. The first electrode 245 is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 222 and the second electrode 247 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 224. [ The first and second electrodes 245 and 247 may have a polygonal or circular bottom shape. In the light emitting structure 225, a plurality of recesses 226 may be provided.

상기 발광 칩은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242) 각각은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 전류 확산층으로 기능할 수 있다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 상기 발광 구조물(225)의 아래에 배치된 제1전극층(241); 및 상기 제1전극층(241) 아래에 배치된 제2전극층(242)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 전류를 확산시켜 주게 되며, 상기 제2전극층(241)은 입사되는 광을 반사하게 된다.The light emitting chip includes first and second electrode layers 241 and 242, a third electrode layer 243, and insulating layers 231 and 233. Each of the first and second electrode layers 241 and 242 may be formed as a single layer or a multilayer, and may function as a current diffusion layer. The first and second electrode layers 241 and 242 include a first electrode layer 241 disposed under the light emitting structure 225; And a second electrode layer 242 disposed under the first electrode layer 241. The first electrode layer 241 diffuses a current, and the second electrode layer 241 reflects incident light.

상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 예컨대 ITO(indium tin oxide), ITON(ITO nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)의 하면과 접촉되며 반사 전극층으로 기능할 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 금속 예컨대, Ag, Au 또는 Al를 포함한다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)이 일부 영역이 제거된 경우, 상기 발광 구조물(225)의 하면에 부분적으로 접촉될 수 있다. The first and second electrode layers 241 and 242 may be formed of different materials. The first electrode layer 241 may be formed of a light-transmitting material, for example, a metal oxide or a metal nitride. The first electrode layer 241 may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO), ITO nitride, indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZO) , Indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO) and gallium zinc oxide (GZO). The second electrode layer 242 may contact the lower surface of the first electrode layer 241 and function as a reflective electrode layer. The second electrode layer 242 includes a metal such as Ag, Au, or Al. The second electrode layer 242 may partially contact the lower surface of the light emitting structure 225 when the first electrode layer 241 is partially removed.

다른 예로서, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)의 구조는 무지향성 반사(ODR: Omni Directional Reflector layer) 구조로 적층될 수 있다. 상기 무지향성 반사 구조는 낮은 굴절률을 갖는 제1전극층(241)과, 상기 제1전극층(241)과 접촉된 고 반사 재질의 금속 재질인 제2전극층(242)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 전극층(241,242)은, 예컨대, ITO/Ag의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 제1전극층(241)과 제2전극층(242) 사이의 계면에서 전 방위 반사각을 개선시켜 줄 수 있다. As another example, the structures of the first and second electrode layers 241 and 242 may be stacked in an omni directional reflector layer (ODR) structure. The omnidirectional reflection structure may have a stacked structure of a first electrode layer 241 having a low refractive index and a second electrode layer 242 made of a highly reflective metal material in contact with the first electrode layer 241. The electrode layers 241 and 242 may have a laminated structure of, for example, ITO / Ag. The total reflection angle at the interface between the first electrode layer 241 and the second electrode layer 242 can be improved.

다른 예로서, 상기 제2전극층(242)은 제거될 수 있으며, 다른 재질의 반사층으로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 분산형 브래그 반사 구조는 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함하며, 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전극층(241,242)은 분산형 브래그 반사 구조와 무지향성 반사 구조를 모두 포함할 수 있으며, 이 경우 98% 이상의 광 반사율을 갖는 발광 칩을 제공할 수 있다. 상기 플립 방식으로 탑재된 발광 칩은 상기 제2전극층(242)로부터 반사된 광이 기판(221)을 통해 방출하게 되므로, 수직 상 방향으로 대부분의 광을 방출할 수 있다. 상기 발광 칩의 측면으로 방출된 광은 실시 예에 따른 접착 부재를 통해 반사 부재에 의해 광 출사 영역으로 반사될 수 있다. As another example, the second electrode layer 242 may be removed and formed of a reflective layer of another material. The reflective layer is a distributed Bragg reflection: can be formed of (distributed bragg reflector DBR) structure, and the distributed Bragg reflection structure to each other comprises a structure du dielectric layers are arranged alternately having different refractive indices, e.g., SiO 2 layer , A Si 3 N 4 layer, a TiO 2 layer, an Al 2 O 3 layer, and a MgO layer, respectively. As another example, the electrode layers 241 and 242 may include both a dispersed Bragg reflection structure and an omnidirectional reflection structure. In this case, a light emitting chip having a light reflectance of 98% or more can be provided. Since the light emitted from the second electrode layer 242 is emitted through the substrate 221, the light emitting chip mounted in the flip mode can emit most of the light in the vertical direction. The light emitted to the side of the light emitting chip can be reflected by the reflecting member to the light outputting region through the adhesive member according to the embodiment.

상기 제3전극층(243)은 상기 제2전극층(242)의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)과 전기적으로 절연된다. 상기 제3전극층(243)은 금속 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제3전극층(243) 아래에는 제1전극(245) 및 제2전극(247)가 배치된다. The third electrode layer 243 is disposed under the second electrode layer 242 and is electrically insulated from the first and second electrode layers 241 and 242. The third electrode layer 243 may be formed of a metal such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, platinum, tin, ), Silver (Ag), and phosphorus (P). A first electrode 245 and a second electrode 247 are disposed under the third electrode layer 243.

상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 제1 및 제2전극(245,247), 발광 구조물(225)의 층 간의 불필요한 접촉을 차단하게 된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2절연층(231,233)을 포함하며, 상기 제1절연층(231)은 상기 제3전극층(243)과 제2전극층(242) 사이에 배치된다. 상기 제2절연층(233)은 상기 제3전극층(243)과 제1,2전극(245,247) 사이에 배치된다. The insulating layers 231 and 233 prevent unnecessary contact between the first and second electrode layers 241 and 242, the third electrode layer 243, the first and second electrodes 245 and 247, and the light emitting structure 225. The insulating layers 231 and 233 include first and second insulating layers 231 and 233 and the first insulating layer 231 is disposed between the third electrode layer 243 and the second electrode layer 242. The second insulating layer 233 is disposed between the third electrode layer 243 and the first and second electrodes 245 and 247.

상기 제3전극층(243)은 상기 제1도전형 반도체층(222)과 연결된다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)는 상기 제1, 2전극층(241, 242) 및 발광 구조물(225)의 하부를 통해 비아 구조로 돌출되며 제1도전형 반도체층(222)과 접촉된다. 상기 연결부(244)는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)의 둘레에는 상기 제1절연층(231)의 일부(232)가 발광 구조물(225)의 리세스(226)을 따라 연장되며 제3전극층(243)과 상기 제1 및 제2전극층(241,242), 제2도전형 반도체층(224) 및 활성층(223) 간의 전기적인 연결을 차단한다. 상기 발광 구조물(225)의 측면에는 측면 보호를 위해 절연 층이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The third electrode layer 243 is connected to the first conductive semiconductor layer 222. The connection part 244 of the third electrode layer 243 protrudes in a via structure through the first and second electrode layers 241 and 242 and the lower part of the light emitting structure 225 and contacts the first conductivity type semiconductor layer 222 do. The connection portions 244 may be arranged in a plurality. A portion 232 of the first insulating layer 231 extends around the recess 226 of the light emitting structure 225 and the third electrode layer 243 is formed around the connecting portion 244 of the third electrode layer 243. [ And the first and second electrode layers 241 and 242, the second conductivity type semiconductor layer 224, and the active layer 223. An insulating layer may be disposed on the side surface of the light emitting structure 225 for lateral protection, but the present invention is not limited thereto.

상기 제2전극(247)은 상기 제2절연층(233) 아래에 배치되고 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제1 및 제2전극층(241, 242) 중 적어도 하나와 접촉되거나 연결된다. 상기 제1전극(245)은 상기 제2절연층(233)의 아래에 배치되며 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제3전극층(243)과 연결된다. 이에 따라 상기 제2전극(247)의 돌기(248)는 제1,2전극층(241,242)을 통해 제2도전형 반도체층(224)에 전기적으로 연결되며, 제1전극(245)의 돌기(246)는 제3전극층(243)을 통해 제1도전형 반도체층(222)에 전기적으로 연결된다. The second electrode 247 is disposed below the second insulating layer 233 and is in contact with at least one of the first and second electrode layers 241 and 242 through an open region of the second insulating layer 233, Or connected. The first electrode 245 is disposed below the second insulating layer 233 and is connected to the third electrode layer 243 through an open region of the second insulating layer 233. The protrusion 248 of the second electrode 247 is electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 224 through the first and second electrode layers 241 and 242 and the protrusion 246 of the first electrode 245 Is electrically connected to the first conductive type semiconductor layer 222 through the third electrode layer 243.

도 12를 참조하면, 발광 칩은 기판(311), 제1반도체층(312), 발광 구조물(310), 전극층(331), 절연층(333), 제1전극(335) 및 제2전극(337)을 포함한다.12, a light emitting chip includes a substrate 311, a first semiconductor layer 312, a light emitting structure 310, an electrode layer 331, an insulating layer 333, a first electrode 335, and a second electrode 337).

상기 기판(311)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(311)의 탑 면에는 복수의 볼록부(미도시)가 형성되어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 기판(311)은 제거될 수 있으며, 이 경우 상기 제1반도체층(312) 또는 제1도전형 반도체층(313)이 탑 층으로 배치될 수 있다. The substrate 311 may use a light-transmitting, insulating or conductive substrate, e.g., sapphire (Al 2 O 3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 of At least one can be used. A plurality of convex portions (not shown) may be formed on the top surface of the substrate 311 to improve light extraction efficiency. Here, the substrate 311 may be removed. In this case, the first semiconductor layer 312 or the first conductivity type semiconductor layer 313 may be disposed as a top layer.

상기 기판(311) 아래에는 제1반도체층(312)이 배치될 수 있다. 상기 제1반도체층(312)은 II족 내지 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(312)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반도체층(312)은 버퍼층 및 언도프드(undoped) 반도체층 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층은 상기 기판과 질화물 반도체층 간의 격자 상수의 차이를 줄여줄 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 반도체의 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 제1반도체층(312)은 형성하지 않을 수 있다. The first semiconductor layer 312 may be disposed under the substrate 311. The first semiconductor layer 312 may be formed using a compound semiconductor of group II to V elements. The first semiconductor layer 312 may include at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and GaP. The first semiconductor layer 312 may be formed of at least one of a buffer layer and an undoped semiconductor layer. The buffer layer may reduce a difference in lattice constant between the substrate and the nitride semiconductor layer, Layer can improve the crystal quality of the semiconductor. Here, the first semiconductor layer 312 may not be formed.

상기 제1반도체층(312) 또는 상기 기판(311)의 아래에는 발광 구조물(310)이 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(310)은 II족 내지 V족 원소 및 III족-V족 원소의 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성되며, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있다. The light emitting structure 310 may be disposed under the first semiconductor layer 312 or the substrate 311. The light emitting structure 310 is selectively formed from a compound semiconductor of group II to V elements and a group III-V element, and can emit a predetermined peak wavelength within a wavelength range from the ultraviolet band to the visible light band.

상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 제2도전형 반도체층(315), 상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 제2도전형 반도체층(315) 사이에 활성층(314)을 포함한다. 상기 제1,2도전형 반도체층(313,315)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The light emitting structure 310 includes a first conductive semiconductor layer 313, a second conductive semiconductor layer 315, and a second conductive semiconductor layer 315 between the first conductive semiconductor layer 313 and the second conductive semiconductor layer 315. And an active layer 314. The first and second conductive semiconductor layers 313 and 315 may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 도펀트를 포함한다.The first conductive semiconductor layer 313 may be formed of a semiconductor doped with the first conductive dopant, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 313 includes a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? The first conductive semiconductor layer 313 may be a compound semiconductor of a group III-V element such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, . The first conductive dopant is an n-type dopant and includes dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 활성층(314)은 제1도전형 반도체층(313) 아래에 배치되고, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다.The active layer 314 is disposed below the first conductive semiconductor layer 313 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. And includes the well layer and the period of the barrier layer. InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaA, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InGaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, / RTI > pair of < / RTI >

상기 제2도전형 반도체층(315)은 상기 활성층(313) 아래에 배치된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제1도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 315 is disposed below the active layer 313. The second conductive semiconductor layer 315 may include a semiconductor doped with a second conductive dopant, such as In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y ? 1, y? 1). The second conductive semiconductor layer 315 may include at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The second conductivity type semiconductor layer 315 is a p-type semiconductor layer, and the first conductivity type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant.

상기 발광 구조물(310)은 다른 예로서, 상기 제1도전형 반도체층(313)이 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 아래에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다. 또한 상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. As another example of the light emitting structure 310, the first conductive semiconductor layer 313 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 315 may be an n-type semiconductor layer. A third conductive type semiconductor layer having a polarity opposite to the second conductive type may be formed under the second conductive type semiconductor layer 315. The light emitting structure 310 may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

상기 제2도전형 반도체층(315) 아래에는 전극층(331)이 형성된다. 상기 전극층(331)은 반사층을 포함하며, 상기 반사층은 발광 구조물(310)과 접촉된 오믹층을 더 포함할 수 있다. 상기 반사층은 반사율이 70% 이상인 물질 예컨대, Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, Ir의 금속과 상기의 금속 중 2 이상의 합금 중에서 선택될 수 있다. 상기 전극층(331)은 단층 또는 다층 구조를 포함하며 예컨대, 투광성 전극층/반사층의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 및 상기 전극층(331) 중 적어도 한 층의 표면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있으며, 이러한 광 추출 구조는 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 전극층(331)에 의해 반사된 광은 기판(311)을 통해 방출될 수 있다.An electrode layer 331 is formed under the second conductive type semiconductor layer 315. The electrode layer 331 may include a reflective layer, and the reflective layer may further include an ohmic layer in contact with the light emitting structure 310. The reflective layer may be selected from a material having a reflectance of 70% or more, for example, a metal of Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt or Ir, and an alloy of two or more of the above metals. The electrode layer 331 may have a single layer or a multilayer structure, and may include, for example, a laminate structure of a light-transmitting electrode layer / a reflective layer. A light extracting structure such as a roughness may be formed on the surface of at least one of the second conductive type semiconductor layer 315 and the electrode layer 331. Such a light extracting structure may change the critical angle of incident light, The light extraction efficiency can be improved. The light reflected by the electrode layer 331 may be emitted through the substrate 311.

상기 제1도전형 반도체층(313)의 일부 영역 아래에는 제1전극(335)이 배치되며, 상기 전극층(331)의 일부 아래에는 제2전극(337)이 배치될 수 있다. A first electrode 335 may be disposed below a portion of the first conductive semiconductor layer 313 and a second electrode 337 may be disposed under a portion of the electrode layer 331.

상기 제1전극(335)는 상기 제1도전형 반도체층(315)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극(337)은 상기 전극층(331)을 통해 상기 제2도전형 반도체층(315)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1전극(335) 및 제2전극(337)은 Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, Mo, W 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(335)과 상기 제2전극(337)은 동일한 적층 구조이거나 다른 적층 구조로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다. The first electrode 335 is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 315 and the second electrode 337 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 315 through the electrode layer 331. [ And can be electrically connected. The first electrode 335 and the second electrode 337 may be formed of at least one of Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, . The first electrode 335 and the second electrode 337 may have the same or different lamination structure, and may be a single layer or a multilayer structure.

상기 절연층(333)은 상기 전극층(331) 아래에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(315)의 하면, 상기 제2도전형 반도체층(315) 및 상기 활성층(314)의 측면, 상기 제1도전형 반도체층(313)의 일부 영역에 배치될 수 있다. 상기 절연층(333)은 상기 발광 구조물(310)의 하부 영역 중에서 상기 전극층(331), 제1전극(335) 및 제2전극(337)을 제외한 영역에 형성되어, 상기 발광 구조물(310)의 하부를 전기적으로 보호하게 된다. 상기 절연층(333)은 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 및 황화물 중 적어도 하나로 형성된 절연물질 또는 절연성 수지를 포함한다. 상기 절연층(333)은 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 절연층(333)은 발광 구조물(310)의 아래에 플립 본딩을 위한 금속 구조물을 형성할 때, 상기 발광 구조물(310)의 층간 쇼트를 방지하기 위해 형성된다.The insulating layer 333 is disposed under the electrode layer 331 and the side surfaces of the second conductive type semiconductor layer 315 and the active layer 314, And may be disposed in a part of the region of the first conductivity type semiconductor layer 313. The insulating layer 333 is formed in a region of the light emitting structure 310 excluding the electrode layer 331, the first electrode 335 and the second electrode 337, So that the lower part is electrically protected. The insulating layer 333 includes an insulating material or an insulating resin formed of at least one of oxide, nitride, fluoride, and sulfide having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr. The insulating layer 333 may be selectively formed of, for example, SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , or TiO 2 . The insulating layer 333 is formed to prevent an interlayer short circuit of the light emitting structure 310 when the metal structure for flip bonding is formed below the light emitting structure 310.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

10: 지지 기판 13,15: 리드 전극
14,16: 리드 프레임 17,19: 연결 전극
40: 발광 칩 41: 기판
43: 발광 구조물 50: 접착 부재
60: 형광 필름 70: 반사 부재
43,35: 전극10: Support substrate 13, 15: Lead electrode
14, 16: lead frame 17, 19: connecting electrode
40: light emitting chip 41: substrate
43: light emitting structure 50: bonding member
60: fluorescent film 70: reflective member
43, 35:

Claims (13)

지지 기판;
상기 지지 기판 상에 배치된 발광 칩;
상기 발광 칩의 둘레에 배치된 반사 부재; 및
상기 발광 칩과 상기 반사 부재 사이에 투광성의 접착 부재를 포함하는 발광 소자.A support substrate;
A light emitting chip disposed on the supporting substrate;
A reflective member disposed around the light emitting chip; And
And a light-transmissive adhesive member between the light-emitting chip and the reflective member. 제1항에 있어서,
상기 발광 칩은 상기 지지 기판 상에 배치된 복수의 전극; 및 상기 복수의 전극 위에 배치된 반도체층을 갖는 발광 구조물을 포함하며,
상기 접착 부재는 상기 발광 구조물과 상기 반사 부재 사이에 배치되는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting chip comprises: a plurality of electrodes disposed on the supporting substrate; And a light emitting structure having a semiconductor layer disposed over the plurality of electrodes,
Wherein the adhesive member is disposed between the light emitting structure and the reflective member. 제2항에 있어서,
상기 발광 칩은 상기 발광 구조물 상에 기판을 포함하며,
상기 접착 부재는 상기 발광 구조물과 반사 부재 사이에 배치되는 발광 소자.3. The method of claim 2,
Wherein the light emitting chip includes a substrate on the light emitting structure,
Wherein the adhesive member is disposed between the light emitting structure and the reflective member. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 칩 상에 형광 필름을 포함하며,
상기 접착 부재는 상기 발광 칩과 상기 형광 필름 사이에 배치된 제1접착부, 및 상기 발광 칩의 측면과 상기 반사 부재 사이에 배치된 제2접착부를 포함하는 발광 소자.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And a fluorescent film on the light emitting chip,
Wherein the adhesive member comprises a first adhesive portion disposed between the light emitting chip and the fluorescent film, and a second adhesive portion disposed between the side surface of the light emitting chip and the reflective member. 제4항에 있어서,
상기 접착 부재는 상기 형광 필름의 외 측면과 상기 반사 부재 사이에 배치된 제3접착부를 포함하는 발광 소자. 5. The method of claim 4,
Wherein the adhesive member comprises a third adhesive portion disposed between the outer surface of the fluorescent film and the reflective member. 제4항에 있어서,
상기 형광 필름의 외 측면은 상기 발광 칩의 측면보다 더 외측으로 돌출되며,
상기 접착 부재의 제2접착부는 상기 형광 필름의 외 측면보다 내측에 배치되는 발광 소자. 5. The method of claim 4,
The outer surface of the fluorescent film is projected further outward than the side surface of the light emitting chip,
And the second adhesive portion of the adhesive member is disposed inside the outer surface of the fluorescent film. 제4항에 있어서,
상기 접착 부재의 제2접착부는 곡면 또는 경사진 면을 포함하는 발광 소자.5. The method of claim 4,
Wherein the second adhesive portion of the adhesive member includes a curved surface or a slanted surface. 제4항에 있어서,
상기 접착 부재는 상기 제2접착부의 최대 두께는 상기 제1접착부의 두께보다 두꺼운 발광 소자.5. The method of claim 4,
Wherein the adhesive member has a maximum thickness of the second adhesive portion that is thicker than a thickness of the first adhesive portion. 제4항에 있어서,
상기 접착 부재의 제2접착부는 상기 발광 칩의 하부까지 연장되는 발광 소자. 5. The method of claim 4,
And the second adhesive portion of the adhesive member extends to a lower portion of the light emitting chip. 제4항에 있어서,
상기 접착 부재는 실리콘 또는 에폭시를 포함하는 발광 소자.5. The method of claim 4,
Wherein the adhesive member comprises silicon or epoxy. 제4항에 있어서,
상기 반사 부재는 수지 재질로 형성되는 발광 소자. 5. The method of claim 4,
Wherein the reflective member is made of a resin material. 제4항에 있어서,
상기 반사 부재는 상기 형광 필름의 상면보다 낮게 배치되며,
상기 발광 칩의 측면으로부터 이격되는 발광 소자.5. The method of claim 4,
Wherein the reflective member is disposed lower than the upper surface of the fluorescent film,
The light emitting chip being spaced apart from a side surface of the light emitting chip. 회로 기판;
상기 회로 기판 상에 배치된 발광 소자를 포함하며,
상기 발광 소자는 제4항의 발광 소자인 발광 모듈. A circuit board;
And a light emitting element disposed on the circuit board,
Wherein the light emitting device is the light emitting device of claim 4.
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