KR20170112310A - Transparent electrode structure and method for manufacturing thereof - Google Patents

Transparent electrode structure and method for manufacturing thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20170112310A
KR20170112310A KR1020160039199A KR20160039199A KR20170112310A KR 20170112310 A KR20170112310 A KR 20170112310A KR 1020160039199 A KR1020160039199 A KR 1020160039199A KR 20160039199 A KR20160039199 A KR 20160039199A KR 20170112310 A KR20170112310 A KR 20170112310A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
oxide
refractive index
metal nanowire
index matching
Prior art date
Application number
KR1020160039199A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
조수호
이상웅
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020160039199A priority Critical patent/KR20170112310A/en
Publication of KR20170112310A publication Critical patent/KR20170112310A/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/02—Layer formed of wires, e.g. mesh
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B9/041—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/412—Transparent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/418—Refractive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/208—Touch screens

Abstract

본 발명은 시인성이 향상된 터치 패널용 투명 전극 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명 전극 구조체는 종래 투명 기재층과 금속 나노와이어층 사이에 굴절률 정합층을 포함하는 경우보다 낮은 헤이즈 및 높은 투과율을 나타내므로 터치 패널에 적용 시, 현저히 개선된 시인성을 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 투명 전극 구조체의 제조방법은, 종래 굴절률 정합층 도입 시, 다단계 공정을 수행하기 때문에 시간이 오래 걸리고, 제조 비용이 높을 뿐만 아니라, 스트립 공정 수행 시 금속 물질의 유실 및 손상이 일어나는 문제점을 해결할 수 있으므로 종래 공정대비 공정의 난이성이 크게 감소시킬 수 있어, 경제적이다.The present invention relates to a transparent electrode structure for a touch panel having improved visibility and a method of manufacturing the same. The transparent electrode structure according to the present invention exhibits lower haze and higher transmittance than the case where the transparent electrode layer and the metal nanowire layer include a refractive index matching layer, thereby achieving significantly improved visibility when applied to a touch panel. In addition, the method of manufacturing a transparent electrode structure according to the present invention requires a long time and a high manufacturing cost because a multi-step process is performed at the time of introduction of a conventional refractive index matching layer. In addition, It is economical because it can solve the problems that occur and can greatly reduce the difficulty of the conventional process.

Description

투명 전극 구조체 및 이의 제조방법{Transparent electrode structure and method for manufacturing thereof}[0001] Transparent electrode structure and method for manufacturing the same [0002]

본 발명은 시인성이 향상된 터치 패널용 투명 전극 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent electrode structure for a touch panel having improved visibility and a method of manufacturing the same.

최근 스마트폰 및 스마트 패드 등에 사용되는 TSP(touch screen panel)인 정전용량 방식의 터치 패널은 1장 또는 2장의 기판에 투명 전도성층을 형성하고, 터치 인식을 위해 상기 투명 전도성층을 일정한 패턴 형상으로 식각하여, 전기가 흐르는 채널 영역과 전기가 흐르지 않는 비채널 영역을 형성하는 방식으로 제조된다.Recently, a capacitive touch panel, which is a touch screen panel (TSP) used in smart phones and smart pads, has a transparent conductive layer formed on one or two substrates, and the transparent conductive layer is patterned in a predetermined pattern And is etched to form a channel region in which electricity flows and a non-channel region in which electricity does not flow.

이와 같은 정전용량 방식의 터치 패널은 손가락 등이 접촉하였을 때, 패턴이 형성된 각 채널에서 정전 용량이 변화되는 것을 감지하여 입력 좌표를 인지하는 방식으로 작동되며, 저항막 방식에 비해 얇은 두께로 터치 패널을 형성할 수 있으며, 멀티 터치가 가능하다는 장점이 있다.Such a capacitive touch panel is operated in such a manner that it recognizes the input coordinates by sensing the change in capacitance in each channel in which a pattern is formed when a finger or the like is in contact with the touch panel. Can be formed, and multi-touch is possible.

특히 멀티터치가 가능한 투영 정전용량 방식을 주로 사용하고 있는 애플 등에서는 스마트 폰 제조 시, 양면 ITO 유리 기판을 채택하고 있고, 포토 방식을 통해 상기 ITO 기판 위에 전극의 선폭을 30 μm 미만으로 미세한 패터닝을 수행하여 베젤 영역에 만들어지는 금속 전극의 두께를 최소화 시킴으로써 전극 패턴의 시인성 문제를 최소화시켰지만, 여전히 전극 패턴 시인성 문제는 항상 관심의 대상이 되고 있다.In particular, Apple, which mainly uses a multi-touch projection capacitive method, adopts a double-sided ITO glass substrate in manufacturing a smart phone, and performs fine patterning of the electrode line width of less than 30 μm on the ITO substrate The minimization of the thickness of the metal electrode formed in the bezel region minimizes the visibility problem of the electrode pattern, but still the problem of the electrode pattern visibility is always of interest.

이렇게 빛의 투과율과 반사율이 달라지는 ITO 패턴 때문에 투명해야 할 ITO 패턴이 눈에 보이는 경우, 즉 ITO 패턴의 시인성을 제거하기 위해서 굴절률 정합층(index matching layer, 이하 IML)을 도입하는 연구가 진행되었고, 대한민국 공개특허 제 10-2011-0089491호에서는 기판 상에 형성되며 굴절률이 2.2 ~ 2.3이고 두께가 10 ~ 15㎚인 Nb2O5 박막층, 상기 Nb2O5 박막층 상에 형성되며 굴절률이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 40 ~ 60㎚인 SiO2 박막층, 상기 SiO2 박막층 상에 형성되며 굴절률이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 20 ~ 30㎚인 ITO 박막층으로 구성되는 터치패널의 적층 구조에 관한 발명이 개시되어 있다.In order to obviate the visibility of the ITO pattern, studies have been carried out to introduce an index matching layer (hereinafter referred to as IML) when the ITO pattern to be transparent is visible due to the ITO pattern in which the transmittance and reflectance of light are changed. In Korean Patent Laid-Open No. 10-2011-0089491, Nb 2 O 5 , which is formed on a substrate and has a refractive index of 2.2 to 2.3 and a thickness of 10 to 15 nm Thin film layer, the Nb 2 O 5 is formed on the thin film layer a refractive index of 1.4 ~ 1.5 and having a thickness of 40 ~ 60㎚ the SiO 2 thin-film layer, the SiO 2 An ITO thin film layer formed on the thin film layer and having a refractive index of 1.9 to 2.1 and a thickness of 20 to 30 nm.

그러나, 이러한 종래의 다층막은 2개 이상의 물질을 증착해야 하므로 공정이 번거롭고 오산화나이오븀(Nb2O5)과 같은 고가의 타켓(target)을 이용하는 단점이 있었다.However, such a conventional multi-layer film has a disadvantage in that it requires a complicated process because of the necessity of depositing two or more materials, and it uses an expensive target such as an oxide or Nb 2 O 5 .

또한 종래 IML은 기존 포토 공정과 동일하게 금속 물질(Cu 또는 Ag 합금)을 증착하고 감광성수지(photoresist)를 도포한 후 노광, 현상, 식각을 통해 원하는 패턴을 얻은 다음 감광성 수지를 제거하고, 그 다음 IML을 도포하는 과정을 수행하여 도입된다.Also, in the conventional IML, a metal material (Cu or Ag alloy) is deposited in the same manner as the conventional photo process, a photosensitive resin is coated thereon, a desired pattern is obtained through exposure, development and etching, It is introduced by performing the process of applying IML.

그러나 상기와 같은 공정을 통해 IML을 도입하는 경우에는 다단계 공정을 수행하기 때문에 시간이 오래 걸리고, 제조 비용이 높을 뿐만 아니라, 감광성수지 제거 시 금속 물질의 유실 및 손상이 일어나는 문제점이 있어 목적하는 굴절률을 얻을 수 없는 문제점이 있다.However, when the IML is introduced through the above-described process, since the multistage process is performed, it takes a lot of time, the manufacturing cost is high, and the loss or damage of the metal material occurs when the photosensitive resin is removed. There is a problem that can not be obtained.

한국 공개특허 제10-2011-0089491호Korean Patent Publication No. 10-2011-0089491

본 발명은 시인성이 개선된 투명 전극 구조체 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a transparent electrode structure having improved visibility and a method of manufacturing the same.

1. 시인측 방향으로, 투명 기재층; 상기 투명 기재층의 적어도 일면에 형성되는 금속 나노와이어층; 및 상기 금속 나노와이어층 상부에 형성되는 굴절률 정합층(Index Matching Layer: IML)을 포함하는 투명 전극 구조체.1. A transparent substrate layer in the viewer's side direction; A metal nanowire layer formed on at least one surface of the transparent base layer; And an index matching layer (IML) formed on the metal nanowire layer.

2. 위 1에 있어서, 상기 금속 나노와이어는 금, 은, 알루미늄, 구리, 철, 니켈, 티타늄, 텔레늄, 팔라듐, 몰리브덴, 크롬 및 이들의 합금의 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 투명 전극 구조체.2. The method of claim 1, wherein the metal nanowires are at least one selected from the group consisting of gold, silver, aluminum, copper, iron, nickel, titanium, telenium, palladium, molybdenum, chromium, Transparent electrode structure.

3. 위 1에 있어서, 상기 굴절률 정합층은 산화 지르코늄, 산화 아연, 산화 규소, 산화 세륨, 산화 인듐 및 산화 티타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 무기 재료가 수지 매트릭스 내에 혼재되어 있는 것인, 투명 전극 구조체.3. The refractive index matching layer according to 1 above, wherein at least one inorganic material selected from the group consisting of zirconium oxide, zinc oxide, silicon oxide, cerium oxide, indium oxide and titanium oxide is mixed in the resin matrix. Transparent electrode structure.

4. 위 1에 있어서, 청구항 1에 있어서, 상기 금속 나노와이어층 및 굴절률 정합층은 동일한 패턴으로 형성된 것인 투명 전극 구조체.4. The transparent electrode structure according to claim 1, wherein the metal nanowire layer and the refractive index matching layer are formed in the same pattern.

5. 위 1에 있어서, 상기 금속 나노와이어층의 굴절률은 1.7 내지 2.5인 투명 전극 구조체.5. The transparent electrode structure according to item 1 above, wherein the refractive index of the metal nanowire layer is 1.7 to 2.5.

6. 위 1에 있어서, 상기 굴절률 정합층의 굴절률은 1.45 내지 2.0인 투명 전극 구조체.6. The transparent electrode structure according to 1 above, wherein the refractive index matching layer has a refractive index of 1.45 to 2.0.

7. 위 1에 있어서, 상기 투명 기재층과 금속 나노와이어층 사이에 투명 산화물층을 더 포함하는 것인 투명 전극 구조체.7. The transparent electrode structure according to 1 above, further comprising a transparent oxide layer between the transparent substrate layer and the metal nanowire layer.

8. 위 7에 있어서, 상기 투명 산화물층은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 투명 전극 구조체.8. The method of claim 7, wherein the transparent oxide layer is selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide Indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide-silver-indium zinc tin oxide (ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide (IZTO-Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide-silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO).

9. 위 1 내지 8 중 어느 하나의 투명 전극 구조체를 구비한 터치 센서.9. A touch sensor comprising any one of the above transparent electrode structures.

10. 위 9의 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널.10. A touch screen panel comprising the above 9 touch sensors.

11. 위 10의 터치 스크린 패널을 포함하는 화상 표시 장치.11. An image display apparatus comprising the touch screen panel of the above 10.

12. (1) 투명 기재층의 적어도 일면에 금속 나노와이어층을 형성하는 제1 단계;12. A method for manufacturing a transparent substrate, comprising the steps of: (1) forming a metal nanowire layer on at least one surface of a transparent substrate layer;

(2) 상기 제1 단계에서 형성된 금속 나노와이어층 상에 굴절률 정합액을 도포하여 굴절률 정합층을 형성하는 제2 단계; 및(2) a second step of forming a refractive index matching layer by applying a refractive index matching liquid on the metal nanowire layer formed in the first step; And

(3) 상기 제1 단계 및 제2 단계에서 형성된 금속 나노와이어층 및 굴절률 정합층을 동시에 식각하는 제3 단계를 포함하는 투명 전극 구조체의 제조방법.(3) a third step of simultaneously etching the metal nanowire layer and the refractive index matching layer formed in the first and second steps.

13. 위 12에 있어서, 상기 금속 나노와이어층은 금속 나노와이어 및 분산매를 포함하는 분산액을 도포하는 것인, 투명 전극 구조체의 제조방법.13. The method of manufacturing a transparent electrode structure according to 12 above, wherein the metal nanowire layer is coated with a dispersion liquid containing metal nanowires and a dispersion medium.

14. 위 12에 있어서, 상기 금속 나노와이어는 금, 은, 알루미늄, 구리, 철, 니켈, 티타늄, 텔레늄, 팔라듐, 몰리브덴, 크롬 및 이들의 합금의 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 투명 전극 구조체의 제조방법.14. The method of claim 12, wherein the metal nanowires are at least one selected from the group consisting of gold, silver, aluminum, copper, iron, nickel, titanium, telenium, palladium, molybdenum, chromium, A method of manufacturing a transparent electrode structure.

15. 위 12에 있어서, 상기 굴절률 정합액은 산화 지르코늄, 산화 아연, 산화 규소, 산화 세륨, 산화 인듐 및 산화 티타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 무기 재료를 더 포함하는 포토레지스트 형성용 조성물인 투명 전극 구조체의 제조방법.15. The composition for forming a photoresist according to 12 above, wherein the refractive index matching liquid further comprises at least one inorganic material selected from the group consisting of zirconium oxide, zinc oxide, silicon oxide, cerium oxide, indium oxide and titanium oxide A method of manufacturing a transparent electrode structure.

16. 위 12에 있어서, 상기 무기 재료는 포토레지스트 형성용 조성물 전체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 8 중량부로 혼합된 것인 투명 전극 구조체의 제조방법.16. The method of manufacturing a transparent electrode structure according to item 12, wherein the inorganic material is mixed in an amount of 0.1 to 8 parts by weight based on 100 parts by weight of the entire composition for forming a photoresist.

17. 위 12에 있어서, 상기 포토레지스트는 네가티브(negative)형 포토레지스트인 투명 전극 구조체의 제조방법.17. The method of manufacturing a transparent electrode structure according to 12 above, wherein the photoresist is a negative type photoresist.

18. 위 12에 있어서, 상기 금속 나노와이어층 및 굴절률 정합층을 동시에 식각하는 제3 단계는, 인산, 질산, 초산 및 염산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 식각 소스에 의해 수행되는 것인 투명 전극 구조체의 제조방법.18. The method of claim 12, wherein the third step of simultaneously etching the metal nanowire layer and the refractive index matching layer is performed by at least one etching source selected from the group consisting of phosphoric acid, nitric acid, A method of manufacturing an electrode structure.

19. 위 12에 있어서, 상기 제1 단계에서 금속 나노와이어층을 형성하기 전에 투명 기재층의 적어도 일면에 투명 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 투명 전극 구조체의 제조방법.19. The method of manufacturing a transparent electrode structure according to claim 12, further comprising forming a transparent oxide layer on at least one surface of the transparent substrate layer before forming the metal nanowire layer in the first step.

본 발명에 따른 투명 전극 구조체는 종래 투명 기재층과 금속 나노와이어층 사이에 굴절률 정합층을 포함하는 경우보다 낮은 헤이즈 및 높은 투과율을 나타내므로 터치 패널에 적용 시, 현저히 개선된 시인성을 구현할 수 있다.The transparent electrode structure according to the present invention exhibits lower haze and higher transmittance than the case where the transparent electrode layer and the metal nanowire layer include a refractive index matching layer, thereby achieving significantly improved visibility when applied to a touch panel.

또한, 본 발명에 따른 투명 전극 구조체의 제조방법은, 종래 굴절률 정합층 도입 시, 다단계 공정을 수행하기 때문에 시간이 오래 걸리고, 제조 비용이 높을 뿐만 아니라, 스트립 공정 수행 시 금속 물질의 유실 및 손상이 일어나는 문제점을 해결할 수 있으므로 종래 공정대비 공정의 난이성이 크게 감소시킬 수 있어, 경제적이다.In addition, the method of manufacturing a transparent electrode structure according to the present invention requires a long time and a high manufacturing cost because a multi-step process is performed at the time of introduction of a conventional refractive index matching layer. In addition, It is economical because it can solve the problems that occur and can greatly reduce the difficulty of the conventional process.

도 1은 본 발명에 따른 일 실시예의 투명 전극 구조체를 도시한 도면이다.1 is a view showing a transparent electrode structure according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 투명 전극 구조체는 시인측 방향으로, (1) 투명 기재층; (2) 상기 투명 기재층의 적어도 일면에 형성되는 금속 나노와이어층; 및 (3) 상기 금속 나노와이어층 상부에 형성되는 굴절률 정합층(Index Matching Layer: IML)을 포함함으로써, 낮은 헤이즈 및 높은 투과율을 나타내고, 개선된 시인성을 구현할 수 있고, 보다 간단한 공정으로 제조될 수 있다.The transparent electrode structure according to the present invention includes (1) a transparent base layer; (2) a metal nanowire layer formed on at least one surface of the transparent base layer; And (3) an index matching layer (IML) formed on the metal nanowire layer, thereby exhibiting low haze and high transmittance, realizing improved visibility, and being manufactured in a simpler process have.

본 명세서에 있어서, '상부' 및 '하부'는 발명의 이해를 돕기 위해 상대적인 방향을 나타내는 의미로 사용된 것이며, 절대적인 방향을 나타내는 것은 아니다.In this specification, the terms 'upper' and 'lower' are used in the sense of relative direction to facilitate understanding of the invention and do not indicate an absolute direction.

종래의 인듐 주석 산화물(ITO) 기반 정전용량식 터치패널의 경우에는, ITO 화면부의 패터닝 공정 및 배선부의 공정을 별도로 진행함과 동시에, 습식에칭(Wet etching)을 통하여 패턴을 형성함으로써, 패턴의 은폐성이 저하되어 추가의 굴절률 정합층(Index Matching Layer)을 통하여 이를 보상해 주는 것이 일반적이라 할 수 있다. In the conventional indium tin oxide (ITO) -based capacitive touch panel, the patterning process of the ITO screen portion and the process of the wiring portion are separately performed, and the pattern is formed by wet etching, And it is general that the refractive index is compensated through the additional index matching layer.

그러나 이러한 공정의 복잡성 및 추가의 굴절률 정합층의 구비는 ITO 필름 자체의 원재료비의 상승과 더불어 공정으로 인한 수율 감소의 원인이 되며, 최종적으로 배선부와 화면부의 얼라인(Align) 공정이 필요로 함으로 인하여, 치수 안정성 확보를 위한 단위 시트(Sheet) 공정의 도입 또는 롤 필름(Roll Film) 폭의 제한, 셀(Cell) 간 간격의 제약(배치 제약) 등의 문제점이 발생하게 된다.However, the complexity of such a process and the provision of additional refractive index matching layers increase the raw material cost of the ITO film itself, cause a reduction in the yield due to the process, and ultimately require an alignment process of the wiring portion and the screen portion This leads to problems such as introduction of a sheet process for securing dimensional stability or restriction of width of roll film and restriction of spacing between cells.

이에 본 발명에서는 상기 문제점을 해결하고자 투명 기재층; 상기 투명 기재층의 적어도 일면에 형성되는 금속 나노와이어층; 및 상기 금속 나노와이어층 상부에 형성되는 굴절률 정합층을 포함하는 투명 전극 구조체를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a transparent substrate layer, A metal nanowire layer formed on at least one surface of the transparent base layer; And a refractive index matching layer formed on the metal nanowire layer.

본 발명에 따르면, 종래 투명 기재층과 금속 나노와이어층 사이에 굴절률 정합층을 포함하는 경우, 빛 투과율와 소재의 굴절률의 차이로 인해 ITO 박막 패턴이 육안으로 보여 시인성이 떨어지는 문제점을 해결할 수 있고, 특히 본 발명에 따른 투명 전극 구조체는 낮은 헤이즈 및 높은 투과율을 나타내므로 터치 패널에 적용 시, 현저히 개선된 시인성을 구현할 수 있으므로 터치 센서, 터치 스크린 패널, 화상 표시 장치 등에 유용하게 사용될 수 있다.According to the present invention, when the refractive index matching layer is disposed between the transparent substrate layer and the metal nanowire layer, the ITO thin film pattern can be visually deteriorated due to the difference between the light transmittance and the refractive index of the material, Since the transparent electrode structure according to the present invention exhibits a low haze and a high transmittance, it can be used for a touch sensor, a touch screen panel, an image display device, and the like, because it can realize a significantly improved visibility when applied to a touch panel.

이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. And shall not be construed as limited to such matters.

<투명 기재층><Transparent substrate layer>

투명 기재층(100)은 당 분야에 널리 사용되는 소재로 제조된 투명 필름이 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 예를 들면, 유리 또는 고분자 필름일 수 있다. 고분자 필름의 예를 들면, 셀룰로오스 에스테르(예: 셀룰로오스 트리아세테이트, 셀룰로오스 프로피오네이트, 셀룰로오스 부티레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 및 니트로셀룰로오스), 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스테르(예: 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리-1,4-시클로헥산디메틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌 1,2-디페녹시에탄-4,4´-디카르복실레이트 및 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리스티렌(예: 신디오택틱(syndiotactic) 폴리스티렌), 폴리올레핀(예: 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 및 폴리메틸펜텐), 폴리술폰, 폴리에테르 술폰, 폴리아릴레이트, 폴리에테르-이미드, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에테르 케톤, 폴리비닐알코올 및 폴리염화비닐로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물로 제조된 필름일 수 있다.The transparent substrate layer 100 may be a transparent film made of a material widely used in the art, and may be, for example, glass or a polymer film. Examples of the polymer film include cellulose ester (e.g., cellulose triacetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, cellulose acetate propionate, and nitrocellulose), polyimide, polycarbonate, polyester (e.g., polyethylene terephthalate, Polyethylene naphthalate, poly-1,4-cyclohexanedimethylene terephthalate, polyethylene 1,2-diphenoxyethane-4,4'-dicarboxylate and polybutylene terephthalate, polystyrenes such as syndiotactic syndiotactic polystyrene), polyolefins (e.g., polypropylene, polyethylene and polymethylpentene), polysulfone, polyethersulfone, polyarylate, polyether-imide, polymethylmethacrylate, polyetherketone, polyvinylalcohol And polyvinyl chloride, or a mixture thereof It may be a produced film.

기판의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 10 내지 100㎛ 일 수 있다.The thickness of the substrate is not particularly limited, and may be, for example, 10 to 100 mu m.

<금속 나노와이어층>&Lt; Metal nanowire layer >

금속 나노와이어층(101)은 전기전도성을 가짐으로써 실질적인 전극의 기능을 담당한다.The metal nanowire layer 101 has electrical conductivity and thus functions as a substantial electrode.

금속 나노와이어층(101)의 금속 나노와이어는 우수한 도전성 및 광학 특성을 갖는 금속이라면 특별히 한정되지 않으나, 금, 은, 알루미늄, 구리, 철, 니켈, 티타늄, 텔레늄, 팔라듐, 몰리브덴, 크롬 및 이들의 합금의 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. 전도성 및 경제성을 고려한다는 측면에서 바람직하게는 은 나노와이어 일 수 있다.The metal nanowire of the metal nanowire layer 101 is not particularly limited as long as it is a metal having excellent conductivity and optical characteristics and may be a metal such as gold, silver, aluminum, copper, iron, nickel, titanium, telenium, palladium, molybdenum, And a nanowire of an alloy of an alloy of the foregoing metals. From the viewpoint of conductivity and economical efficiency, silver nanowire can be preferably used.

금속 나노와이어층(101)의 굴절률은 1.7 내지 2.5일 수 있다. 금속 나노와이어층의 굴절률이 1.7 미만인 경우 시인성 개선효과가 미비한 문제점이 있을 수 있고 2.5 초과인 경우 투과도가 저하되고 및 헤이즈가 악화되는 문제점이 있을 수 있다.The refractive index of the metal nanowire layer 101 may be 1.7 to 2.5. If the refractive index of the metal nanowire layer is less than 1.7, there is a problem that the effect of improving the visibility is insufficient. If the refractive index is more than 2.5, the transmittance may be decreased and the haze may be deteriorated.

금속 나노와이어층(101)의 두께는 특별히 한정되지 않으며 예를 들면 30 내지 100nm일 수 있다. 통상 금속 나노와이어들의 직경이 완전히 균일하지 않으므로 금속 나노와이어층의 두께가 30nm 미만이면 균일 두께로의 형성이 어려울 수 있고, 100nm 초과이면 금속 나노와이어층 내부에서 금속 나노와이어의 단락이 발생할 수 있고, 금속 나노와이어가 층 표면으로 노출되기 어려워 저항이 상승할 수 있다.The thickness of the metal nanowire layer 101 is not particularly limited, and may be, for example, 30 to 100 nm. If the thickness of the metal nanowire layer is less than 30 nm, it may be difficult to form a uniform thickness. If the thickness of the metal nanowire layer is more than 100 nm, the metal nanowire may be short-circuited within the metal nanowire layer. The metal nanowires are hardly exposed to the layer surface, and the resistance may increase.

금속 나노와이어의 직경은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 10 내지 100 nm일 수 있다. 직경이 10 nm 미만이면 취급이 어려울 수 있고, 100 nm 초과이면 투과율 등의 광학 기능성이 저하될 수 있다.The diameter of the metal nanowire is not particularly limited, and may be, for example, 10 to 100 nm. If the diameter is less than 10 nm, handling may be difficult. If the diameter is more than 100 nm, optical functionality such as transmittance may be deteriorated.

<굴절률 정합층><Refractive Index Matching Layer>

굴절률 정합층(102)은 금속 나노와이어층(101)의 반사율을 저하시키기 위해 굴절률을 조절하는 기능을 한다.The refractive index matching layer 102 functions to adjust the refractive index to lower the reflectance of the metal nanowire layer 101.

굴절률 정합층(102)은 수지 매트릭스 내에 무기 재료들이 혼재된 구조를 갖는다. The refractive-index matching layer 102 has a structure in which inorganic materials are mixed in the resin matrix.

수지 매트릭스는 투명한 수지 매트릭스라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 포토레지스트일 수 있다.The resin matrix is not particularly limited as long as it is a transparent resin matrix, and may be, for example, a photoresist.

무기 재료는 굴절률 조절 재료라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 산화 지르코늄, 산화 아연, 산화 규소, 산화 세륨, 산화 인듐 및 산화 티타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 무기 재료일 수 있다.The inorganic material is not particularly limited as long as it is a refractive index controlling material and may be at least one inorganic material selected from the group consisting of zirconium oxide, zinc oxide, silicon oxide, cerium oxide, indium oxide and titanium oxide.

굴절률 정합층(102) 굴절률이 1.45 내지 2.0인 것으로서, 굴절률 정합층의 굴절률이 1.45 미만인 경우 시인성 개선효과가 나타나지 않는 문제점이 있을 수 있고 2.0 초과인 경우 투과도 및 Haze가 악화되는 문제점이 있을 수 있다.The refractive index matching layer 102 may have a refractive index of 1.45 to 2.0. If the refractive index of the refractive index matching layer is less than 1.45, the visibility improving effect may not be exhibited. If the refractive index of the refractive index matching layer is more than 2.0, the transmittance and haze may be deteriorated.

굴절률 정합층(101)의 두께는 50 nm 내지 150 nm일 수 있고, 굴절률 정합층의 두께가 50 nm 미만인 경우, 전기적 전도성의 문제점이 있을 수 있고, 150 nm 초과인 경우 투과도 및 Haze가 악화되는 문제점이 있을 수 있다.The thickness of the refractive index matching layer 101 may be from 50 nm to 150 nm, and when the thickness of the refractive index matching layer is less than 50 nm, there may be a problem of electrical conductivity. When the thickness exceeds 150 nm, the transmittance and haze deteriorate This can be.

본 발명의 일 구현예로서, 금속 나노와이어층(101) 및 굴절률 정합층(102)은 동일한 패턴으로 형성된 것일 수 있다. 투명 전극으로 사용되기 위해서는 요구되는 패턴으로 형성될 필요가 있는데, 본 발명에 따른 투명 전극 구조체는 전극의 기능을 하는 금속 나노와이어층(101) 뿐만 아니라, 그 상부에 위치하는 굴절률 정합층(102)도 금속 나노와이어층과 동일한 형상의 패턴으로 형성된다. In one embodiment of the present invention, the metal nanowire layer 101 and the refractive index matching layer 102 may be formed in the same pattern. The transparent electrode structure according to the present invention may be formed not only of the metal nanowire layer 101 serving as an electrode but also of the refractive index matching layer 102 located on the metal nanowire layer 101, Is also formed in the same pattern as the metal nanowire layer.

한편, 본 발명에 따르면, 필요에 따라 상기 투명 기재층(100)과 금속 나노와이어층(101) 사이에 투명 산화물층을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, according to the present invention, a transparent oxide layer may be further included between the transparent substrate layer 100 and the metal nanowire layer 101 as necessary.

상기 투명 산화물층은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.The transparent oxide layer may be formed of at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), flintine oxide Indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide-silver-indium zinc tin oxide (IZTO-Ag-IZTO), indium zinc oxide And aluminum zinc oxide-silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO).

또한, 본 발명은 상기 투명 전극 구조체를 구비한 터치 센서를 제공한다.The present invention also provides a touch sensor including the transparent electrode structure.

본 발명에 따른 투명 전극 구조체는 우수한 시인성을 가지므로 터치 센서의 감지 전극으로 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 투명 전극 구조체는 정전 용량 방식 터치 센서, 감압식 터치 센서 모두에 적용이 가능하다.Since the transparent electrode structure according to the present invention has excellent visibility, it can be effectively used as a sensing electrode of a touch sensor. The transparent electrode structure according to the present invention can be applied to both the capacitive touch sensor and the pressure sensitive touch sensor.

또한, 본 발명은 상기 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다. 본 발명에 따른 터치 센서를 터치 스크린 패널로 적용하는 방법은 당분야에 공지된 방법이 특별한 제한 없이 적용될 수 있다.The present invention also provides a touch screen panel including the touch sensor. As a method of applying the touch sensor according to the present invention to a touch screen panel, a method known in the art can be applied without particular limitation.

본 발명에 따른 터치 스크린 패널은 당분야에 알려진 화상 표시 장치와 결합될 수 있다. 이러한 화상 표시 장치로는 특별히 한정되지는 않으나 예를 들면, 액정 표시 장치(LCD), 전계 방출 표시 장치(FED) 및 플라즈마 표시 장치(PDP), 유기 전계 발광 장치(OLED) 등을 들 수 있다.The touch screen panel according to the present invention can be combined with an image display device known in the art. Examples of such an image display device include, but are not limited to, a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display (PDP), and an organic electroluminescence device (OLED).

또한 본 발명은 투명 전극 구조체의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a transparent electrode structure.

전술한 바와 같이, 종래 굴절율 정합층은 기존 포토 공정과 동일하게 금속 물질(Cu 또는 Ag 합금)을 증착하고 감광성 수지(photoresist)를 도포한 후 노광, 현상, 식각을 통해 원하는 패턴을 얻은 다음 감광성 수지를 제거하고, 그 다음 굴절률 정합층을 도포하는 과정을 수행하여 도입하는데, 다단계 공정을 수행하기 때문에 시간이 오래 걸리고, 제조 비용이 높은 문제점이 있고, 감광성수지 제거 시 금속 물질의 유실 및 손상이 일어나 목적하는 굴절률을 얻을 수 없는 문제점이 있었다.As described above, the conventional refractive index matching layer is formed by depositing a metal material (Cu or Ag alloy) in the same manner as in the existing photolithography process, applying a photoresist, exposing, developing and etching to obtain a desired pattern, And then the refractive index matching layer is applied to the surface of the substrate, and then the refractive index matching layer is applied to perform the multi-step process. Therefore, the process is time consuming and the manufacturing cost is high. In the case of removing the photosensitive resin, There is a problem that a desired refractive index can not be obtained.

이에 본 발명에서는 상기 금속 나노와이어층 및 상기 굴절률 정합층을 동시에 식각하여 패턴화 시키는 단계를 도입하였고, 이로써 종래 빛 투과율와 소재의 굴절률의 차이로 인해 ITO 박막 패턴이 육안으로 보여 시인성을 떨어뜨리는 문제를 금속 나노와이어층 및 상기 굴절률 정합층을 동시에 식각함으로써 시인성을 향상시킬 수 있음을 확인하였다.Accordingly, the present invention introduces a step of etching and patterning the metal nanowire layer and the refractive index matching layer at the same time, thereby deteriorating visibility of the ITO thin film pattern due to the difference between the conventional light transmittance and the refractive index of the material. The metal nanowire layer and the refractive index matching layer are simultaneously etched to improve the visibility.

본 발명에 따른 투명 전극 구조체의 제조방법의 일 실시예는, One embodiment of the method of manufacturing the transparent electrode structure according to the present invention is characterized in that,

(1) 투명 기재층의 적어도 일면에 금속 나노와이어층 형성용 조성물을 도포하여 금속 나노와이어층을 형성하는 제1 단계;(1) a first step of forming a metal nanowire layer by applying a composition for forming a metal nanowire layer on at least one surface of a transparent substrate layer;

(2) 상기 제1 단계에서 형성된 금속 나노와이어층 상에 굴절률 정합액을 도포하여 굴절률 정합층을 형성하는 제2 단계; 및(2) a second step of forming a refractive index matching layer by applying a refractive index matching liquid on the metal nanowire layer formed in the first step; And

(3) 상기 제1 단계 및 제2 단계에서 형성된 금속 나노와이어층 및 굴절률 정합층을 동시에 식각하는 제3 단계를 포함한다.(3) a third step of simultaneously etching the metal nanowire layer and the refractive index matching layer formed in the first and second steps.

본 발명에 따라, 금속 나노와이어층 및 상기 굴절률 정합층을 동시에 식각함으로써 시인성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 종래 IML 도입 시, 다단계 공정을 수행하기 때문에 시간이 오래 걸리고, 제조 비용이 높을 뿐만 아니라, 감광성수지 제거 시 금속 물질의 유실 및 손상이 일어나는 문제점을 해결할 수 있으므로 종래 공정대비 공정의 난이성이 크게 감소시킬 수 있어, 경제적이다.According to the present invention, not only the visibility can be improved by etching the metal nanowire layer and the refractive index matching layer at the same time, but also the multi-step process is performed at the time of introduction of the conventional IML, It is possible to solve the problem that the metal material is lost or damaged when the photosensitive resin is removed, so that the difficulty of the conventional process can be greatly reduced, which is economical.

이하, 본 발명의 일 구현예에 따른 투명 도전성 필름의 제조 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

먼저, 투명 기재층(100)의 적어도 일면에 금속 나노와이어층 형성용 조성물을 도포하여 금속 나노와이어층을 형성한다.First, a metal nanowire layer is formed by coating a composition for forming a metal nanowire layer on at least one side of the transparent substrate layer 100.

투명 기재층(100) 상에 금속 나노와이어(101)를 도포하는 방법은 예를 들면 금속 나노와이어(101)를 적절한 분산매를 사용하여 균일하게 분산시킨 분산액을 전술한 투명 기재층(100)의 일면에 도포하고 건조하여 수행될 수 있다.The method of applying the metal nanowires 101 on the transparent substrate layer 100 can be carried out by, for example, dispersing the dispersion of the metal nanowires 101 uniformly using a suitable dispersion medium on the surface of the transparent substrate layer 100 And then drying it.

상기 금속 나노와이어(101)를 포함하는 분산액의 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 금속 나노와이어층 형성용 조성물을 슬릿 코팅법, 나이프 코팅법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법, 노즐 코팅법, 모세관 코팅법 등의 도포법으로 형성된 것일 수 있다.The method of applying the dispersion containing the metal nanowires 101 is not particularly limited and the composition for forming the metal nanowires may be applied by a slit coating method, a knife coating method, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, There can be used various coating methods such as a roll coating method, a roll coating method, a wire coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, a gravure printing method, a flexo printing method, A capillary coating method, or the like.

한편, 본 발명의 일 실시예로서 필요에 따라, 상기 금속 나노와이어층을 형성하기 전에 투명 기재층의 적어도 일면에 투명 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다.In one embodiment of the present invention, the method may further include forming a transparent oxide layer on at least one surface of the transparent substrate layer before forming the metal nanowire layer, if necessary.

상기 투명 산화물층은 예를 들면, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 금속산화물에서 선택된 재료로 형성될 수 있고, 상기 투명 산화물층을 형성하는 방법은 물리적 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학적 증착법(Chemical VaporDeposition, CVD)등 다양한 박막 증착 기술에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 물리적 증착법의 한 예인 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에 의하여 형성될 수 있다. The transparent oxide layer may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO) ), Indium tin oxide-silver-indium tin oxide (ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide- Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide-silver-aluminum-zinc oxide (AZO-Ag-AZO), and the transparent oxide layer may be formed by a physical vapor deposition method Vapor Deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), and the like. For example, it can be formed by reactive sputtering, which is an example of physical vapor deposition.

필요에 따라, 증착 후에 열처리(어닐링) 공정을 더 거칠 수도 있다.If necessary, a heat treatment (annealing) process may be further performed after deposition.

다음으로, 상기 형성된 금속 나노와이어층(또는 투명 산화물층) 상에 굴절률 정합액을 도포하여 굴절률 정합층(Index Matching Layer: IML)을 형성한다.Next, an index matching layer (IML) is formed by applying a refractive index matching liquid on the formed metal nanowire layer (or transparent oxide layer).

종래 IML층의 형성 방법으로는 그라비아법, 진공증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등이 있다. 그러나 본 발명에 따른 IML층의 형성 방법은 굴절률 정합액을 도포하는 간단한 방법을 통해 굴절률 정합층을 형성한다.Conventional methods for forming an IML layer include a gravure method, a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method. However, the method of forming an IML layer according to the present invention forms a refractive index matching layer through a simple method of applying a refractive index matching solution.

본 발명에 따른 상기 굴절률 정합액은 산화 지르코늄, 산화 아연, 산화 규소, 산화 세륨, 산화 인듐 및 산화 티타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 무기 재료를 더 포함하는 포토레지스트 형성용 조성물일 수 있다.The refractive index matching solution according to the present invention may be a composition for forming a photoresist further comprising at least one inorganic material selected from the group consisting of zirconium oxide, zinc oxide, silicon oxide, cerium oxide, indium oxide and titanium oxide.

상기 무기 재료는 포토레지스트 형성용 조성물 전체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 8 중량부로 혼합된 것일 수 있다.The inorganic material may be mixed in an amount of 0.1 to 8 parts by weight based on 100 parts by weight of the entire composition for forming a photoresist.

상기 무기 재료가 포토레지스트 형성용 조성물 전체 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 미만으로 포함되는 경우에는 시인성 개선효과가 나타나지 않는 문제점이 있을 수 있고, 8 중량부 초과로 포함되는 경우에는 투과도가 저하되고 및 헤이즈가 악화되는 문제점이 있을 수 있다.When the inorganic material is contained in an amount of less than 0.1 part by weight based on 100 parts by weight of the total photoresist composition, there may be a problem that the visibility improving effect is not exhibited. When the inorganic material is contained in an amount exceeding 8 parts by weight, There is a problem that the haze deteriorates.

포토레지스트 형성용 조성물은 당분야에서 사용되는 것이면 제한되지 않고, 사용될 수 있고, 포지티브형 포토레지스트 또는 네가티브형 포토레지스트일 수 있으면, 바람직하게는 네가티브(negative)형 포토레지스트인 것일 수 있다.The composition for forming a photoresist is not limited as long as it is used in the art, and can be used. If it is a positive type photoresist or a negative type photoresist, it may preferably be a negative type photoresist.

굴절률 정합층(102)은 포토레지스트 조성물을 경화시키는 통상적인 방법(노광)을 통해 수행될 수 있다. 이 경우, 패턴화가 필요한 경우에는 마스크를 사용하여 소정 패턴으로 선택적 노광을 수행할 수 있다.The refractive index matching layer 102 may be performed through a conventional method (exposure) for curing the photoresist composition. In this case, when patterning is required, selective exposure can be performed in a predetermined pattern using a mask.

다음으로, 상기 형성된 금속 나노와이어층 및 상기 굴절률 정합층을 동시에 식각한다.Next, the formed metal nanowire layer and the refractive index matching layer are simultaneously etched.

전술한 바와 같이, 굴절률 정합층이 선택적으로 노광된 경우에는 금속 나노와이어층 및 상기 굴절률 정합층을 동시에 식각하는 것이 가능하다.As described above, when the refractive index matching layer is selectively exposed, it is possible to simultaneously etch the metal nanowire layer and the refractive index matching layer.

상기 금속 나노와이어층 및 상기 굴절률 정합층을 식각액과 접촉시켜 동시에 패턴화하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 당 분야에 공지된 건식 식각법 또는 습식식각법을 사용할 수 있으며, 상기 건식 식각법은 예를 들면 스퍼터 에칭, 리액티브 라디칼 에칭, 리액티브 이온 에칭 등의 방법을 사용할 수 있다. The method of simultaneously patterning the metal nanowire layer and the refractive index matching layer by contacting with the etching solution is not particularly limited, but a dry etching method or a wet etching method known in the art may be used. A sputter etching, a reactive radical etching, a reactive ion etching, or the like can be used.

구체적으로, 상기 금속 나노와이어층 및 굴절률 정합층을 동시에 식각하는 제3 단계는, 인산, 질산, 초산 및 염산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 식각 소스에서 수행될 수 있고, 20초 내지 120초 동안 수행될 수 있다.Specifically, the third step of simultaneously etching the metal nanowire layer and the refractive index matching layer may be performed in at least one etching source selected from the group consisting of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, and hydrochloric acid, &Lt; / RTI &gt;

이하에서 실시예 등을 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 하며, 다만 이하에 실시예 등에 의해 본 발명의 범위와 내용이 축소되거나 제한되어 해석될 수 없다. 또한, 이하의 실시예를 포함한 본 발명의 개시 내용에 기초한다면, 구체적으로 실험 결과가 제시되지 않은 본 발명을 통상의 기술자가 용이하게 실시할 수 있음은 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연하다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and the like, but the scope and content of the present invention can not be construed to be limited or limited by the following Examples. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims. It is natural that it belongs to the claims.

실시예Example 1 One

두께 700㎛의 소다 라임 글래스(Soda lime Glass) 기판상에 나노와이어를 DI Water에 분산시킨 분산액을 도포하고 건조하였다. 이 후에, 포토레지스트 조성물(NT-1200H, TORAY社) 100 중량부 대비 SiO2 및 산화지르코늄 4 중량부를 혼합한 액을 상기 은 나노와이어층에 도포하고 소정 패턴으로 노광하여 경화시켜 굴절률 정합층을 형성하였다. 다음으로 인산질산초산계열의 식각액(MA-PSW01,동우화인켐社)을 사용하여 은 나노와이어층과 굴절률 정합층을 동시에 식각하였다.A dispersion in which nanowires were dispersed in DI Water was coated on a soda lime glass substrate having a thickness of 700 mu m and dried. Thereafter, a solution obtained by mixing SiO 2 and 4 parts by weight of zirconium oxide with respect to 100 parts by weight of a photoresist composition (NT-1200H, TORAY Co.) was coated on the silver nanowire layer and exposed to light in a predetermined pattern to cure to form an index matching layer Respectively. Next, the silver nanowire layer and the refractive-index matching layer were simultaneously etched using an etching solution of phosphoric acid nitrate acetic acid series (MA-PSW01, Dongwha Fine Chem Co., Ltd.).

비교예Comparative Example 1 One

상기 굴절률 정합층을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 전극 구조체를 제조하였다.A transparent electrode structure was prepared in the same manner as in Example 1 except for the refractive index matching layer.

실험예Experimental Example 1: 투과율,  1: transmittance, 헤이즈Hayes 및 시인성 측정 And visibility measurement

상기 실시예 1 및 비교예 1의 광학 적층체에서 패턴이 존재하지 않는 테두리 10개 포인트에서의 투과율 및 헤이즈를 TAC 필름 측에서 측정하여 그 평균값을 하기 표 1에 기재하였고, 실시예 1 및 비교예 1의 TAC 필름 측에서의 시인성을 육안으로 확인하여 그 결과를 표 1에 나타내었다.The transmittance and haze at 10 points of the frame without the pattern in the optical laminate of Example 1 and Comparative Example 1 were measured on the side of the TAC film and the average values thereof were shown in Table 1 below, 1 was visually confirmed on the TAC film side, and the results are shown in Table 1. &lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt;

○: 전극 패턴이 시인되지 않음○: Electrode pattern is not recognized

△: 전극 패턴이 희미하게 시인됨△: The electrode pattern was visibly faded

X: 전극 패턴이 뚜렷하게 시인됨X: Electrode pattern clearly visible

구분division 투과율(%)Transmittance (%) 헤이즈(%)Haze (%) 시인성Visibility 실시예 1Example 1 90.290.2 0.40.4 ○○ 비교예 1Comparative Example 1 84.184.1 0.70.7 △△

상기 표 1을 참조하면, 비교예에 비하여 실시예의 투과율, 헤이즈 및 시인성이 현저하게 우수한 것을 확인할 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that the transmittance, haze and visibility of the Examples are remarkably superior to those of the Comparative Examples.

100: 투명 기재층
101: 금속 나노와이어층
102: 굴절률 정합층100: transparent substrate layer
101: metal nanowire layer
102: refractive index matching layer

Claims (19)

시인측 방향으로,
투명 기재층;
상기 투명 기재층의 적어도 일면에 형성되는 금속 나노와이어층; 및
상기 금속 나노와이어층 상부에 형성되는 굴절률 정합층(Index Matching Layer: IML)을 포함하는 투명 전극 구조체.
In the poet side direction,
A transparent base layer;
A metal nanowire layer formed on at least one surface of the transparent base layer; And
And an index matching layer (IML) formed on the metal nanowire layer.
청구항 1에 있어서, 상기 금속 나노와이어는 금, 은, 알루미늄, 구리, 철, 니켈, 티타늄, 텔레늄, 팔라듐, 몰리브덴, 크롬 및 이들의 합금의 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 투명 전극 구조체.
The method of claim 1, wherein the metal nanowire is at least one selected from the group consisting of gold, silver, aluminum, copper, iron, nickel, titanium, telenium, palladium, molybdenum, chromium, Structure.
청구항 1에 있어서, 상기 굴절률 정합층은 산화 지르코늄, 산화 아연, 산화 규소, 산화 세륨, 산화 인듐 및 산화 티타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 무기 재료가 수지 매트릭스 내에 혼재되어 있는 것인, 투명 전극 구조체.
2. The transparent electrode according to claim 1, wherein the refractive-index matching layer is a transparent electrode in which one or more inorganic materials selected from the group consisting of zirconium oxide, zinc oxide, silicon oxide, cerium oxide, indium oxide and titanium oxide are mixed in a resin matrix. Structure.
청구항 1에 있어서, 상기 금속 나노와이어층 및 굴절률 정합층은 동일한 패턴으로 형성된 것인 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure according to claim 1, wherein the metal nanowire layer and the refractive index matching layer are formed in the same pattern.
청구항 1에 있어서, 상기 금속 나노와이어층의 굴절률은 1.7 내지 2.5인 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure according to claim 1, wherein the metal nanowire layer has a refractive index of 1.7 to 2.5.
청구항 1에 있어서, 상기 굴절률 정합층의 굴절률은 1.45 내지 2.0인 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure according to claim 1, wherein the refractive index matching layer has a refractive index of 1.45 to 2.0.
청구항 1에 있어서, 상기 투명 기재층과 금속 나노와이어층 사이에 투명 산화물층을 더 포함하는 것인 투명 전극 구조체.
The transparent electrode structure according to claim 1, further comprising a transparent oxide layer between the transparent base layer and the metal nanowire layer.
청구항 7에 있어서, 상기 투명 산화물층은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 투명 전극 구조체.
8. The method of claim 7, wherein the transparent oxide layer is selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), florinthine oxide FTO), indium tin oxide-silver-indium tin oxide (ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide- -Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide-silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO).
청구항 1 내지 8 중 어느 한 항의 투명 전극 구조체를 구비한 터치 센서.
A touch sensor comprising the transparent electrode structure according to any one of claims 1 to 8.
청구항 9의 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널.
A touch screen panel comprising the touch sensor of claim 9.
청구항 10의 터치 스크린 패널을 포함하는 화상 표시 장치.
An image display device comprising the touch screen panel of claim 10.
(1) 투명 기재층의 적어도 일면에 금속 나노와이어층을 형성하는 제1 단계;
(2) 상기 제1 단계에서 형성된 금속 나노와이어층 상에 굴절률 정합액을 도포하여 굴절률 정합층을 형성하는 제2 단계; 및
(3) 상기 제1 단계 및 제2 단계에서 형성된 금속 나노와이어층 및 굴절률 정합층을 동시에 식각하는 제3 단계를 포함하는 투명 전극 구조체의 제조방법.
(1) a first step of forming a metal nanowire layer on at least one surface of a transparent substrate layer;
(2) a second step of forming a refractive index matching layer by applying a refractive index matching liquid on the metal nanowire layer formed in the first step; And
(3) a third step of simultaneously etching the metal nanowire layer and the refractive index matching layer formed in the first and second steps.
청구항 12에 있어서, 상기 금속 나노와이어층은 금속 나노와이어 및 분산매를 포함하는 분산액을 도포하는 것인, 투명 전극 구조체의 제조방법.
14. The method of claim 12, wherein the metal nanowire layer is applied with a dispersion comprising metal nanowires and a dispersion medium.
청구항 12에 있어서, 상기 금속 나노와이어는 금, 은, 알루미늄, 구리, 철, 니켈, 티타늄, 텔레늄, 팔라듐, 몰리브덴, 크롬 및 이들의 합금의 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 투명 전극 구조체의 제조방법.
The method of claim 12, wherein the metal nanowire is at least one selected from the group consisting of gold, silver, aluminum, copper, iron, nickel, titanium, &Lt; / RTI &gt;
청구항 12에 있어서, 상기 굴절률 정합액은 산화 지르코늄, 산화 아연, 산화 규소, 산화 세륨, 산화 인듐 및 산화 티타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 무기 재료를 더 포함하는 포토레지스트 형성용 조성물인 투명 전극 구조체의 제조방법.
[Claim 15] The method of claim 12, wherein the refractive index matching liquid is a composition for forming a photoresist further comprising at least one inorganic material selected from the group consisting of zirconium oxide, zinc oxide, silicon oxide, cerium oxide, indium oxide, &Lt; / RTI &gt;
청구항 12에 있어서, 상기 무기 재료는 포토레지스트 형성용 조성물 전체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 8 중량부로 혼합된 것인 투명 전극 구조체의 제조방법.
13. The method for manufacturing a transparent electrode structure according to claim 12, wherein the inorganic material is mixed in an amount of 0.1 to 8 parts by weight based on 100 parts by weight of the total composition for forming a photoresist.
청구항 12에 있어서, 상기 포토레지스트는 네가티브(negative)형 포토레지스트인 투명 전극 구조체의 제조방법.
14. The method of claim 12, wherein the photoresist is a negative photoresist.
청구항 12에 있어서, 상기 금속 나노와이어층 및 굴절률 정합층을 동시에 식각하는 제3 단계는, 인산, 질산, 초산 및 염산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 식각 소스에 의해 수행되는 것인 투명 전극 구조체의 제조방법.
[12] The method of claim 12, wherein the third step of simultaneously etching the metal nanowire layer and the refractive index matching layer is performed by at least one etching source selected from the group consisting of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, &Lt; / RTI &gt;
청구항 12에 있어서, 상기 제1 단계에서 금속 나노와이어층을 형성하기 전에 투명 기재층의 적어도 일면에 투명 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 투명 전극 구조체의 제조방법.The method of claim 12, further comprising forming a transparent oxide layer on at least one side of the transparent substrate layer before forming the metal nanowire layer in the first step.
KR1020160039199A 2016-03-31 2016-03-31 Transparent electrode structure and method for manufacturing thereof KR20170112310A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160039199A KR20170112310A (en) 2016-03-31 2016-03-31 Transparent electrode structure and method for manufacturing thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160039199A KR20170112310A (en) 2016-03-31 2016-03-31 Transparent electrode structure and method for manufacturing thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170112310A true KR20170112310A (en) 2017-10-12

Family

ID=60141806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160039199A KR20170112310A (en) 2016-03-31 2016-03-31 Transparent electrode structure and method for manufacturing thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20170112310A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102006697B1 (en) * 2018-01-31 2019-08-02 청주대학교 산학협력단 Multilayer transparent electrode of electrochromic device and method for manufacturing thereof
KR20190103627A (en) 2018-02-28 2019-09-05 인천대학교 산학협력단 Molybdenum oxide nanostructure and Method for the same
KR102029343B1 (en) * 2018-06-08 2019-10-07 울산과학기술원 Metal network transparent electrode having enhanced invisibility, method of manufacturing the same
CN113918045A (en) * 2021-09-27 2022-01-11 安徽精卓光显技术有限责任公司 Touch module, touch screen, electronic equipment and manufacturing method of touch module

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102006697B1 (en) * 2018-01-31 2019-08-02 청주대학교 산학협력단 Multilayer transparent electrode of electrochromic device and method for manufacturing thereof
WO2019151801A1 (en) * 2018-01-31 2019-08-08 청주대학교 산학협력단 Multilayer thin film transparent electrode for electrochromic device and manufacturing method therefor
US11474407B2 (en) 2018-01-31 2022-10-18 Cheongju University Industry & Academy Cooperation Foundation Multilayered thin film transparent electrode for electrochromic device and manufacturing method thereof
KR20190103627A (en) 2018-02-28 2019-09-05 인천대학교 산학협력단 Molybdenum oxide nanostructure and Method for the same
KR102029343B1 (en) * 2018-06-08 2019-10-07 울산과학기술원 Metal network transparent electrode having enhanced invisibility, method of manufacturing the same
CN113918045A (en) * 2021-09-27 2022-01-11 安徽精卓光显技术有限责任公司 Touch module, touch screen, electronic equipment and manufacturing method of touch module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11061501B2 (en) Touch panel and manufacturing method thereof
US20110199330A1 (en) Surface capacitive touch panel and its fabrication method
EP2908227B1 (en) Conductive film, manufacturing method thereof, and display device including same
US11926558B2 (en) Conductive structure, manufacturing method therefor, and electrode comprising conductive structure
US10073572B2 (en) Conductive structure and preparation method therefor
TWI570600B (en) Transparent conductor and touch panel
CN104246913A (en) Conductive structure and method for manufacturing same
CN102077155A (en) Window panel integrated capacitive-type touch sensor and a fabrication method therefor
US10437112B2 (en) Transparent electrode, touch sensor and image display device including the same
KR20170112310A (en) Transparent electrode structure and method for manufacturing thereof
WO2013143292A1 (en) Touch sensor, manufacturing method therefor and liquid crystal display with touch screen
TWI706300B (en) Film touch sensor
US9600105B2 (en) Touch panel device and method for manufacturing the same
US10528167B2 (en) Conductive structure, method for manufacturing same, touch panel comprising same and display device comprising same
CN104508608A (en) Method for manufacturing capacitive input device, capacitive input device, as well as image display device provided with same
KR20140143498A (en) Method for largescale touch sensor using blackmatrix
CN105807986B (en) Transparent conductive body and touch screen
CN106168867A (en) Capacitance plate and preparation method thereof
Spaid Wet-processable transparent conductive materials
US10349511B2 (en) Conductive structure and manufacturing method thereof
KR20150060277A (en) Hybrid type flexible substrate for display and method of fabricating thereof
KR20130033538A (en) Method for manufacturing transparent electrode film
CN113990555B (en) ITO conductive film for touch sensor, preparation method thereof and touch screen application
TWI485596B (en) Touch panel and manufacturing method
JP2012243001A (en) Liquid crystal display device having touch panel sensor and method for manufacturing the same