KR20170108866A - 기판 반송 기구의 세정 방법 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

기판 반송 기구의 세정 방법 및 기판 처리 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20170108866A
KR20170108866A KR1020170032695A KR20170032695A KR20170108866A KR 20170108866 A KR20170108866 A KR 20170108866A KR 1020170032695 A KR1020170032695 A KR 1020170032695A KR 20170032695 A KR20170032695 A KR 20170032695A KR 20170108866 A KR20170108866 A KR 20170108866A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heat treatment
treatment chamber
pick
module
Prior art date
Application number
KR1020170032695A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102002210B1 (ko
Inventor
게이이치 나가쿠보
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20170108866A publication Critical patent/KR20170108866A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102002210B1 publication Critical patent/KR102002210B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
    • B08B7/0071—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는 비용의 상승을 억제하고, 또한 열 손상을 방지할 수 있는 기판 반송 기구의 세정 방법을 제공하는 것이다. 해결 수단으로서, 반송 아암(14)의 각 픽(38)이 AFS를 승화시키는 PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 및 PHT 처리 모듈(13) 내로부터의 퇴출을 반복한다.

Description

기판 반송 기구의 세정 방법 및 기판 처리 시스템{METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE TRANSFER MECHANISM AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
본 발명은, 부착된 반응 생성물을 제거하는 기판 반송 기구의 세정 방법 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 단지 「웨이퍼」라고 함)에 형성된 산화막을 화학적으로 에칭하여 제거하는 처리로서, 예를 들어 COR(Chemical Oxide Removal; 화학적 산화물 제거) 처리 및 PHT 처리(Post Heat Treatment; 후 열처리)가 알려져 있다. COR 처리에서는, 웨이퍼의 표면에 형성된 산화막을 불화수소 가스 및 암모니아 가스와 반응시키고, 산화막으로부터 반응 생성물로서의 플루오로규산암모늄(AFS)을 생성한다. PHT 처리에서는, 웨이퍼를 가열하는 것에 의해 생성된 AFS를 승화시켜서 제거한다. 즉, COR 처리 및 PHT 처리를 통해서 산화막이 제거된다.
COR 처리 및 PHT 처리는 스루풋(throughput)의 향상을 고려하여 서로 상이한 프로세스 모듈로 실행되기 때문에, 산화막을 제거하는 기판 처리 시스템은, 각 프로세스 모듈 사이에서 웨이퍼를 반송하는 반송 기구, 예를 들어 반송 아암을 구비한다. 반송 아암은 웨이퍼를 탑재하는 픽(pick)을 갖고, 웨이퍼를 각 프로세스 모듈에 반출입할 때, 반송 아암의 픽 및 그 근방은 각 프로세스 모듈 내로 진입한다. 여기에서, COR 처리를 실행하는 프로세스 모듈(이하, 「COR 처리 모듈」이라고 함)이나 PHT 처리를 실행하는 프로세스 모듈(이하, 「PHT 처리 모듈」이라고 함) 내에는 승화한 AFS가 부유하고 있기 때문에, 예를 들어 저온(또는 상온)의 픽이 해당 프로세스 모듈 내로 진입하면 승화한 AFS가 픽 표면 상에서 응고하여 픽에 부착될 것이다. 픽에 부착된 AFS는 반송 아암이 각 프로세스 모듈 사이를 이동할 때에 벗겨지고, 파티클로서 웨이퍼에 부착되어, 해당 웨이퍼로부터 제조되는 반도체 디바이스의 불량의 원인이 된다.
이것에 대응하여, 종래에, 반송 아암이 내장되어 있는 트랜스퍼 모듈(transfer module)의 덮개를 적절한 시기에 개방되고, 반송 아암을 작업자가 웨트(wet) 클리닝하고 있다. 이러한 경우, 트랜스퍼 모듈 내는 대기 개방되지만, 본래, 트랜스퍼 모듈 내는 진공이 유지될 필요가 있기 때문에, 웨트 클리닝후의 감압에 의해 기판 처리 시스템의 복귀에 시간을 필요로 한다는 문제가 있다.
그래서, 최근, 프로세스 모듈과는 별도로 가열실을 마련하고, 해당 가열실에 있어서 반송 아암의 픽 및 그 근방을 미리 가열하는 것에 의해, 반송 아암의 픽 및 그 근방이 COR 처리 모듈 내나 PHT 처리 모듈 내로 진입해도, 승화한 AFS가 픽 등의 표면 상에서 응고하는 것을 방지하는 기술이 제창되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이것에 의해, AFS가 픽 등에 부착되는 것을 방지하여, 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
일본 공개 특허 평11-354503 호 공보
그렇지만, 특허문헌 1에 따른 방법에서는, 가열실을 별도로 마련할 필요가 있기 때문에, 기판 처리 시스템의 비용이 상승한다는 문제가 있다. 또한, 픽 등을 가열실에서 가열해도 픽 등이 프로세스 모듈로 이동할 때까지의 사이에 어느 정도 차가워져버리기 때문에, 픽 등의 온도를 일정 온도 이상으로 유지하기 위해서, 픽 등을 COR 처리 모듈 내나 PHT 처리 모듈 내로 진입시킬 때마다, 사전에 픽 등을 가열실에서 가열할 필요가 있고, 그 결과, 스루풋이 그다지 향상되지 않는다는 문제가 있다. 한편으로 픽 등을 과잉으로 가열하는 것에 의해, 어느 정도의 시간에 걸쳐서 픽 등의 온도를 일정 온도 이상으로 유지하는 것도 생각되지만, 이러한 경우, 반송 아암의 구동 기구의 구동계 부품에 잉여의 열이 전해져서, 구동 기구가 열 손상될 우려가 있다.
본 발명의 목적은, 비용의 상승을 억제하고, 또한 열 손상을 방지할 수 있는 기판 반송 기구의 세정 방법 및 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 기판 반송 기구의 세정 방법은, 열로 생성물을 승화시키는 열처리실 내로 기판을 반입하는 기판 반송 기구의 세정 방법으로서, 상기 기판 반송 기구가 갖는 상기 기판을 보지하는 보지부가 상기 열처리실 내로의 진입 및 상기 열처리실 내로부터의 퇴출을 반복하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 기판 처리 시스템은, 열로 생성물을 승화시키는 열처리실과, 상기 열처리실 내로 기판을 반입하는 기판 반송 기구를 구비하는 기판 처리 시스템으로서, 상기 기판 반송 기구는 상기 기판을 보지하는 보지부를 갖고, 상기 보지부가 상기 열처리실 내로의 진입 및 상기 열처리실 내로부터의 퇴출을 반복하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 기판 반송 기구가 갖는 기판을 보지하는 보지부가 열로 생성물을 승화시키는 열처리실 내로의 진입 및 열처리실 내로부터의 퇴출을 반복한다. 이 때, 열처리실에 의해 보지부를 가열할 수 있기 때문에, 보지부를 가열하기 위해서 열처리실과는 별도로 가열실을 마련할 필요를 없앨 수 있고, 따라서 기판 처리 시스템의 비용의 상승을 억제할 수 있다. 또한, 보지부가 열처리실 내로의 진입 및 열처리실 내로부터의 퇴출을 반복하므로, 보지부의 가열 및 냉각이 반복되어, 보지부를 과잉으로 가열하는 일없이 보지부의 온도를 일정 온도 이상으로 유지할 수 있다. 그 결과, 기판 반송 기구의 구동 기구의 구동계 부품에 잉여의 열이 전해지는 것을 방지할 수 있고, 따라서 해당 구동 기구의 열 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도,
도 2는 도 1에 있어서의 PHT 처리를 실행하는 프로세스 모듈의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도,
도 3은 도 1에 있어서의 반송 아암의 구성을 개략적으로 설명하기 위한 도면으로서, 도 3의 (A)는 평면도이고, 도 3의 (B)는 측면도,
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 기판 반송 기구의 세정 방법으로서의 반송 아암의 가열 처리를 설명하기 위한 공정도,
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 기판 반송 기구의 세정 방법으로서의 반송 아암의 가열 처리를 설명하기 위한 공정도,
도 6은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 기판 반송 기구의 세정 방법으로서의 반송 아암의 가열 처리를 설명하기 위한 공정도,
도 7은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 기판 반송 기구의 세정 방법으로서의 반송 아암의 가열 처리를 설명하기 위한 공정도,
도 8은 도 4 내지 도 7의 반송 아암의 가열 처리에 있어서의 픽의 선단의 온도 및 제 2 아암부의 타단의 온도의 시간 천이의 일 예를 설명하기 위한 그래프,
도 9는 도 4 내지 도 7의 반송 아암의 가열 처리에 있어서의 픽의 선단의 온도 및 제 2 아암부의 타단의 온도의 시간 천이의 다른 예를 설명하기 위한 그래프.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
우선, 본 발명의 제 1 실시형태에 대해서 설명한다.
도 1은, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 또한, 도 1에서는 이해를 용이하게 하기 위해서 내부의 구성의 일부가 투과하여 도시된다.
도 1에 있어서, 기판 처리 시스템(10)은, 복수의 웨이퍼(W)를 보관하는 웨이퍼 보관부(11)와, 2매의 웨이퍼(W)를 동시에 반송하는 반송실로서의 트랜스퍼 모듈(12)과, 트랜스퍼 모듈(12)로부터 반입된 웨이퍼(W)에 COR 처리나 PHT 처리를 실시하는 복수의 프로세스 모듈(13)을 구비한다. 각 프로세스 모듈(13) 및 트랜스퍼 모듈(12)은 내부가 진공 분위기로 유지된다.
기판 처리 시스템(10)에서는, 웨이퍼 보관부(11)에 보관된 복수의 웨이퍼(W) 중 선택된 2매의 웨이퍼(W)를 트랜스퍼 모듈(12)이 내장하는 반송 아암(14)(기판 반송 기구)에 의해 보지하고, 반송 아암(14)을 이동시키는 것에 의해 트랜스퍼 모듈(12)의 내부에 있어서 웨이퍼(W)를 반송하고, 프로세스 모듈(13)의 내부에 배치된 2개의 스테이지(15) 각각에 1매씩 웨이퍼(W)를 탑재한다. 다음에, 기판 처리 시스템(10)에서는, 스테이지(15)에 탑재된 각 웨이퍼(W)에 프로세스 모듈(13)에서 COR 처리나 PHT 처리를 실시한 후에, 처리완료의 2매의 웨이퍼(W)를 반송 아암(14)에 의해 보지하고, 반송 아암(14)을 이동시키는 것에 의해 웨이퍼 보관부(11)로 반출한다.
웨이퍼 보관부(11)는, 복수의 웨이퍼(W)를 보관하는 용기인 후프(FOUP)(16)의 탑재대인 복수(3개 또는 4개)의 로드 포트(load port)(17)와, 보관된 웨이퍼(W)를 각 로드 포트(17)에 탑재된 후프(16)로부터 수취하거나, 또는 프로세스 모듈(13)에서 소정의 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 후프(16)에 인도하는 로더 모듈(loader module)(18)과, 로더 모듈(18) 및 트랜스퍼 모듈(12)의 사이에 있어서 웨이퍼(W)를 주고받기하기 위해서 일시적으로 웨이퍼(W)를 보지하는 2개의 로드록 모듈(loadlock module)(19)과, PHT 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 스토리지(cooling storage)(20)를 갖는다.
로더 모듈(18)은 내부가 대기압 분위기의 장방형의 하우징으로 이루어지고, 그 장방형의 장변을 구성하는 일 측면에 복수의 로드 포트(17)가 병설된다. 또한, 로더 모듈(18)은 내부에 있어서 그 장방형의 길이방향으로 이동 가능한 반송 아암(도시하지 않음)을 갖는다. 해당 반송 아암은 각 로드 포트(17)에 탑재된 후프(16)로부터 로드록 모듈(19)로 웨이퍼(W)를 반입하거나, 또는 로드록 모듈(19)로부터 각 후프(16)로 웨이퍼(W)를 반출한다. 후프(16)는 복수의 웨이퍼(W)를 다단으로 중첩하도록 해서 수용한다. 또한, 각 로드 포트(17)에 탑재된 후프(16)의 내부는 통상 대기이지만, 해당 내부가 질소 가스 등으로 채워져 밀폐되는 경우도 있다.
각 로드록 모듈(19)은, 대기압 분위기의 각 로드 포트(17)에 탑재 된 후프(16)에 수용된 웨이퍼(W)를, 내부가 진공 분위기의 프로세스 모듈(13)에 인도하기 위해서, 웨이퍼(W)를 일시적으로 보지한다. 각 로드록 모듈(19)은 2매의 웨이퍼(W)를 보지하는 버퍼 플레이트(buffer plate)(21)를 갖는다. 또한, 각 로드록 모듈(19)은, 로더 모듈(18)에 대하여 기밀성을 확보하기 위한 게이트 밸브(22a)와, 트랜스퍼 모듈(12)에 대하여 기밀성을 확보하기 위한 게이트 밸브(22b)를 갖는다. 더욱이, 로드록 모듈(19)에는 도시하지 않은 가스 도입계 및 가스 배기계가 배관에 의해 접속되고, 가스 도입계 및 가스 배기계에 의해 내부가 대기압 분위기 또는 진공 분위기로 제어된다.
트랜스퍼 모듈(12)은 미처리의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보관부(11)로부터 프로세스 모듈(13)로 반입하고, 처리완료의 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13)로부터 웨이퍼 보관부(11)로 반출한다. 트랜스퍼 모듈(12)은 내부가 진공 분위기의 장방형의 하우징으로 이루어지고, 2매의 웨이퍼(W)를 보지하여 이동하는 2개의 반송 아암(14)과, 각 반송 아암(14)을 회전 가능하게 지지하는 회전대(23)와, 회전대(23)를 탑재한 회전 탑재대(24)와, 회전 탑재대(24)를 트랜스퍼 모듈(12)의 길이방향으로 이동 가능하게 안내하는 안내 레일(25)을 포함한다. 또한, 트랜스퍼 모듈(12)은, 게이트 밸브(22a, 22b), 추가로 후술하는 각 게이트 밸브(26)를 거쳐서 웨이퍼 보관부(11)의 로드록 모듈(19), 및 각 프로세스 모듈(13)과 접속된다. 트랜스퍼 모듈(12)에서는, 로드록 모듈(19)에 있어서 버퍼 플레이트(21)에 의해 보지된 2매의 웨이퍼(W)를, 반송 아암(14)이 보지하여 수취하고, 각 프로세스 모듈(13)로 반송한다. 또한, 프로세스 모듈(13)에서 처리가 실시된 2매의 웨이퍼(W)를, 반송 아암(14)이 보지하여 다른 프로세스 모듈(13)이나 로드록 모듈(19)로 반출한다. 회전 탑재대(24) 및 안내 레일(25)은 탑재한 회전대(23)를 트랜스퍼 모듈(12)의 내부에 있어서 길이방향으로 이송시키는 슬라이드 기구를 구성한다.
각 프로세스 모듈(13)은, 각 게이트 밸브(26)를 거쳐서 트랜스퍼 모듈(12)에 접속되기 때문에, 각 게이트 밸브(26)에 의해 각 프로세스 모듈(13) 및 트랜스퍼 모듈(12)의 사이의 기밀성의 확보 및 서로의 연통이 양립된다. 각 프로세스 모듈(13)은 2매의 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 나란하게 탑재하는 2개의 스테이지(15)를 내부에 갖는다. 각 프로세스 모듈(13)은, 2개의 스테이지(15)에 웨이퍼(W)를 나란하게 탑재하는 것에 의해, 2매의 웨이퍼(W)의 표면을 균일하게 또한 동시에 처리한다. 본 실시형태에서는, 복수의 프로세스 모듈(13) 각각은 COR 처리 및 PHT 처리 중 어느 하나를 실행한다.
도 2는 도 1에 있어서의 PHT 처리를 실행하는 프로세스 모듈의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2에 있어서, PHT 처리를 실행하는 프로세스 모듈(이하, 「PHT 처리 모듈」이라고 함)(13)(열처리실)은 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(28)와, 배기 기구(29)를 갖는다. 챔버(28) 내에는 웨이퍼(W)를 탑재하는 원주형상의 스테이지(15)(탑재대)가 배치된다. 스테이지(15)는 탑재된 웨이퍼(W)를 가열하는 히터(31)를 내장하고, 스테이지(15)로부터 탑재된 웨이퍼(W)로의 전열에 의해 해당 웨이퍼(W)를 가열한다. 스테이지(15)는 상면으로부터 돌출 가능한 복수의 리프트 핀(32)(이격 기구)을 갖고, 각 리프트 핀(32)은 스테이지(15)에 탑재된 웨이퍼(W)를 상승시켜서 스테이지(15)로부터 이격시킨다.
챔버(28)는 측벽부에 관통구인 포트(33)를 갖고, 웨이퍼(W)를 보지하는 반송 아암(14)이 포트(33)를 거쳐서 웨이퍼(W)를 챔버(28) 내에 반출입시킨다. 포트(33)는 개폐 가능한 게이트 밸브(26)에 의해 폐쇄된다. 배기 기구(29)는 배기 펌프(34) 및 배관(35)으로 이루어지고, 챔버(28) 내를 배기한다. 본 실시형태에서는, PHT 처리 모듈(13)이 웨이퍼(W)에 PHT 처리를 실시하지만, PHT 처리는 웨이퍼(W)에서 생성된 AFS를 열에 의해 승화시키는 처리이다.
도 1로 돌아가서, 기판 처리 시스템(10)은 제어부로서 컨트롤러(27)를 더 구비하고, 컨트롤러(27)는 내장하는 메모리 등에 저장된 프로그램 등을 실행하는 것에 의해, 기판 처리 시스템(10)의 각 구성요소의 동작을 제어한다.
도 3은 도 1에 있어서의 반송 아암의 구성을 개략적으로 설명하기 위한 도면으로서, 도 3의 (A)는 평면도이며, 도 3의 (B)는 측면도이다. 또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 회전대(23)에는 2개의 반송 아암(14)이 배치되지만, 도 3에서는, 설명을 간단하게 하기 위해서, 하나의 반송 아암(14)만이 묘사된다.
도 3에 있어서, 반송 아암(14)은, 봉형상의 제 1 아암부(36)와, 봉형상의 제 2 아암부(37)와, 두 갈래형의 평판형상 부재로 이루어지는 2개의 픽(38)(보지부, 보지 수단)을 갖는다. 2개의 픽(38)은 상하 방향에 대해서 중첩하여 배치된다. 제 1 아암부(36)는 반원형상의 일단(36a)이 회전대(23)에 장착되고, 일단(36a)의 중심축(도시하지 않음) 주위로 또한 수평으로 회동한다. 제 2 아암부(37)는 반원형상의 일단(37a)이 제 1 아암부(36)의 타단(36b)에 장착되고, 일단(37a)의 중심축(도시하지 않음) 주위로 또한 수평으로 회동한다. 픽(38)의 근원(38a)은 도중에 굴곡하고, 제 2 아암부(37)의 반원형상의 타단(37b)에 장착된다. 픽(38)은 제 2 아암부(37)의 타단(37b)의 중심축(도시하지 않음) 주위로 또한 수평으로 회동한다. 또한, 제 1 아암부(36), 제 2 아암부(37) 및 픽(38)의 회동은 회전대(23)나 제 1 아암부(36), 제 2 아암부(37)가 내장하는 구동 기구에 의해 실현된다. 픽(38)은 구동 기구를 내장하지 않는 벌크재로 이루어지고, 예를 들어 세라믹스 등의 내열재로 구성되고, 두 갈래부(38b)에서 웨이퍼(W)를 보지한다.
반송 아암(14)에서는, 제 1 아암부(36), 제 2 아암부(37) 및 픽(38)이 상대적인 회전각을 조정하면서 협동하는 것에 의해, 도면중 좌우 방향으로 수축 또는 신장하고, 픽(38)이 보지하는 웨이퍼(W)를 직진(이동)시켜서 반송한다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 기판 반송 기구의 세정 방법으로서의 반송 아암의 가열 처리를 설명하기 위한 공정도이다. 도 4의 처리는, PHT 처리 모듈(13)에의 웨이퍼(W)의 반출입을 반복하는 반송 아암(14)의 각 픽(38)에 AFS가 소정량 부착했을 경우나, PHT 처리 또는 COR 처리의 실행 회수가 소정의 회수에 도달했을 경우에 실행된다. 또한, 반송 아암(14)에 있어서 각 픽(38)은 웨이퍼(W)를 보지하지 않는다.
우선, 게이트 밸브(26)를 이동시켜서 포트(33)를 거쳐서 트랜스퍼 모듈(12) 및 PHT 처리 모듈(13)을 연통시킨다. 이 때, PHT 처리 모듈(13)의 배기 기구(29)를 작동시키고, 또한 트랜스퍼 모듈(12) 내에, 예를 들어 질소 가스를 도입하여 트랜스퍼 모듈(12) 내의 압력을 PHT 처리 모듈(13) 내의 압력보다 높게 유지한다. 또한, PHT 처리 모듈(13)에 있어서 스테이지(15)의 히터(31)에 의한 가열을 개시한다. 이 때, 반송 아암(14)은 수축하고, 각 픽(38)을 트랜스퍼 모듈(12) 내에 남긴다. 따라서, 각 픽(38)은 스테이지(15)로부터의 열 복사에 의해 가열되는 일이 없다(도 4의 (A)).
다음에, 반송 아암(14)을 신장시켜서 각 픽(38)을 PHT 처리 모듈(13) 내로 진입시키고, 각 픽(38)을 스테이지(15)로부터의 열 복사에 의해 가열한다(도 4의 (B)). 이 때, 각 픽(38)은 AFS가 승화 가능한 소정의 온도, 예를 들어 100℃ 이상까지 승온된다. 한편, 각 픽(38)이 가열되면, 각 픽(38)으로부터의 잉여의 열이 제 2 아암부(37)의 타단(37b)으로 전해지고, 예를 들어 타단(37b)의 온도가 80℃를 초과하면, 제 2 아암부(37)가 내장하는 구동 기구의 구동계 부품이 눌어붙을 우려가 있다. 그래서, 본 실시형태에서는, 각 픽(38)을 100℃ 이상까지 승온한 후, 타단(37b)의 온도가 80℃에 도달하기 전에 반송 아암(14)을 수축시키고, 각 픽(38)을 PHT 처리 모듈(13) 내로부터 퇴출시켜서 트랜스퍼 모듈(12) 내로 퇴피시킨다(도 4의 (A)). 이 때, 각 픽(38)은 스테이지(15)로부터의 열 복사를 받을 일이 없기 때문에, 가열되지 않고, 도입된 질소 가스에 의해 공랭된다.
그 후, 공랭된 각 픽(38)의 온도가 100℃까지 저하하지 않는 내에서 반송 아암(14)을 다시 신장시켜서 각 픽(38)을 PHT 처리 모듈(13) 내로 진입시키고, 각 픽(38)을 스테이지(15)로부터의 열 복사에 의해 가열한다(도 4의 (B)). 그 후, 도 4의 (A) 및 도 4의 (B)에 도시하는 공정을 반복한다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 각 픽(38)의 온도가 100℃를 하회하지 않도록, 또한 제 2 아암부(37)의 타단(37b)의 온도가 80℃를 초과하지 않도록, 각 픽(38)의 PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 및 PHT 처리 모듈(13)로부터의 퇴출을 반복하고, 각 픽(38)에 부착된 AFS를 승화시킨다.
도 4의 처리에 따르면, 반송 아암(14)의 각 픽(38)이 PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 및 PHT 처리 모듈(13) 내로부터의 퇴출을 반복한다. 이 때, PHT 처리 모듈(13)에 의해 각 픽(38)을 가열할 수 있기 때문에, 각 픽(38)을 가열하기 위해서 PHT 처리 모듈(13)과는 별도로 가열실을 마련할 필요를 없앨 수 있고, 따라서 기판 처리 시스템의 비용의 상승을 억제할 수 있다. 또한, 각 픽(38)이 PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 및 PHT 처리 모듈(13) 내로부터의 퇴출을 반복하므로, 각 픽(38)의 가열 및 냉각이 반복되어, 각 픽(38)을 과잉으로 가열하는 일없이 각 픽(38)의 온도를 일정 온도, 예를 들어 100℃ 이상으로 유지할 수 있다. 그 결과, 제 2 아암부(37)가 내장하는 구동 기구의 구동계 부품에 잉여의 열이 전해지는 것을 방지할 수 있고, 따라서 구동 기구의 열 손상을 방지할 수 있다.
또한, 도 4의 처리에서는, 각 픽(38)이 PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 및 PHT 처리 모듈(13) 내로부터의 퇴출을 반복할 때, 트랜스퍼 모듈(12) 내의 압력은 PHT 처리 모듈(13) 내의 압력보다 높게 유지되므로, 각 픽(38)으로부터 승화하여 부유하는 AFS가 PHT 처리 모듈(13) 내로부터 트랜스퍼 모듈(12) 내로 유입되는 것을 방지할 수 있어, AFS가 트랜스퍼 모듈(12) 내의 구조물에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 2 실시형태에 대해서 설명한다.
본 발명의 제 2 실시형태는, 그 구성, 작용이 상술한 제 1 실시형태와 기본적으로 동일하므로, 중복한 구성, 작용에 대해서는 설명을 생략하고, 이하에 다른 구성, 작용에 관한 설명을 실행한다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 기판 반송 기구의 세정 방법으로서의 반송 아암의 가열 처리를 설명하기 위한 공정도이다. 도 5 내지 도 7의 처리도, 도 4의 처리와 마찬가지로, PHT 처리 모듈(13)에의 웨이퍼(W)의 반출입을 반복하는 반송 아암(14)의 각 픽(38)에 AFS가 소정량 부착했을 경우나, PHT 처리 또는 COR 처리의 실행 회수가 소정의 회수에 도달했을 경우에 실행된다. 또한, 도 4의 처리와 달리, 도 5 내지 도 7의 처리를 개시할 때, 반송 아암(14)에 있어서 상측의 픽(38)이 웨이퍼(W)를 보지한다.
우선, 게이트 밸브(26)를 이동시켜서 포트(33)를 거쳐서 트랜스퍼 모듈(12) 및 PHT 처리 모듈(13)을 연통시킨다. 이 때, 도 4의 처리와 마찬가지로, 트랜스퍼 모듈(12) 내의 압력을 PHT 처리 모듈(13) 내의 압력보다 높게 유지한다. 또한, 반송 아암(14)을 수축시켜, 각 픽(38)을 트랜스퍼 모듈(12) 내에 남긴다(도 5의 (A)).
다음에, 반송 아암(14)을 신장시켜서 각 픽(38)을 PHT 처리 모듈(13) 내로 진입시키고, 상측의 픽(38)이 보지하는 웨이퍼(W)를 스테이지(15)와 대향시킨다. 또한, 스테이지(15)의 히터(31)에 의한 가열을 개시한다. 그 후, 스테이지(15)의 상면으로부터 각 리프트 핀(32)을 돌출시키고, 각 리프트 핀(32)에 의해 웨이퍼(W)를 상측의 픽(38)으로부터 이격시켜, 해당 웨이퍼(W)를 각 리프트 핀(32)에 의해서만 지지한다(도 5의 (B)). 그 후, 반송 아암(14)을 수축시켜, 각 픽(38)을 트랜스퍼 모듈(12) 내로 퇴피시킨다(도 6의 (A)). 이 때, 각 리프트 핀(32)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)는 스테이지(15)로부터의 열 복사에 의해 가열된다(도 7의 (A)). 또한, 웨이퍼(W)를 효율적으로 가열하기 위해서, 각 리프트 핀(32)을 스테이지(15)에 수납하여 웨이퍼(W)를 스테이지(15)에 탑재하고, 탑재된 웨이퍼(W)를 스테이지(15)로부터의 전열에 의해 가열해도 좋다. 이하, 스테이지(15)로부터의 열 복사나 전열에 의해 가열된 웨이퍼(W)를 「가열 웨이퍼(W)」라고 지칭한다. 또한, 웨이퍼(W)를 스테이지(15)에 탑재했을 경우, 후술하는 바와 같이 다시 각 픽(38)이 PHT 처리 모듈(13) 내로 진입하기 전에 각 리프트 핀(32)에 의해 가열 웨이퍼(W)를 지지하여 스테이지(15)로부터 이격시킨다.
다음에, 반송 아암(14)을 다시 신장시켜서 웨이퍼(W)를 보지하고 있지 않은 각 픽(38)을 PHT 처리 모듈(13) 내로 진입시킨다. 이 때, 가열 웨이퍼(W)는 각 리프트 핀(32)에 의해 스테이지(15)로부터 이격되어 있다. 이것에 의해, 각 픽(38)은 스테이지(15) 및 가열 웨이퍼(W)의 사이로 진입한다(도 6의 (B)). 그 후, 각 리프트 핀(32)을 스테이지(15)에 수납하여 상측의 픽(38)(이격된 기판측의 보지 수단)에 가열 웨이퍼(W)를 보지시킨다. 이 때, 상측의 픽(38)은 가열 웨이퍼(W)로의 전열에 의해 가열된다. 또한, 하측의 픽(38)은 스테이지(15)로부터의 열 복사에 의해 가열되고(도 7의 (B)), 각 픽(38)은 AFS가 승화 가능한 소정의 온도, 예를 들어 100℃ 이상까지 승온된다. 그 후, 제 2 아암부(37)의 타단(37b)의 온도가 80℃에 도달하기 전에, 각 리프트 핀(32)에 의해 가열 웨이퍼(W)를 지지하여 상측의 픽(38)으로부터 이격시키고, 반송 아암(14)을 더 수축시켜, 각 픽(38)을 PHT 처리 모듈(13) 내로부터 퇴출시켜서 트랜스퍼 모듈(12) 내로 퇴피시킨다. 이 때, 각 픽(38)은 트랜스퍼 모듈(12) 내에 도입된 질소 가스에 의해 공랭된다(도 6의 (A)).
다음에, 공랭된 각 픽(38)의 온도가 100℃까지 저하하지 않는 내에서 반송 아암(14)을 다시 신장시켜서 각 픽(38)을 PHT 처리 모듈(13) 내로 진입시키고, 상측의 픽(38)에 가열 웨이퍼(W)를 보지시켜서 상측의 픽(38)을 가열 웨이퍼(W)로의 전열에 의해 가열하는 동시에, 하측의 픽(38)을 스테이지(15)로부터의 열 복사에 의해 가열한다(도 6의 (B), 도 7의 (B)). 그 후, 도 6의 (A), 도 6의 (B) 및 도 7의 (B)에 도시하는 공정을 반복한다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 각 픽(38)의 온도가 100℃를 하회하지 않도록, 또한 제 2 아암부(37)의 타단(37b)의 온도가 80℃를 초과하지 않도록, 각 픽(38)의 PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 및 PHT 처리 모듈(13)로부터의 퇴출을 반복하여 스테이지(15)나 가열 웨이퍼(W)에 의해 각 픽(38)을 적당하게 가열하여, 각 픽(38)에 부착된 AFS를 승화시킨다.
도 5 내지 도 7의 처리에 따르면, 각 리프트 핀(32)이 스테이지(15)에 의해 가열된 웨이퍼(W)를 지지했을 때에, 각 픽(38)이 스테이지(15) 및 가열 웨이퍼(W)의 사이로 진입한다. 이 때, 하측의 픽(38)은 스테이지(15)의 열 복사에 의해 가열되고, 상측의 픽(38)은 가열 웨이퍼(W)의 열 복사에 의해 가열된다. 즉, 상측의 픽(38)이 하측의 픽(38)에 의해 스테이지(15)로부터 차폐되어도, 상측의 픽(38)을 가열할 수 있다. 이것에 의해, 하측의 픽(38) 및 상측의 픽(38) 모두 빈틈없이 가열할 수 있고, 따라서 각 픽(38)에 부착된 AFS를 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 하측의 픽(38) 및 상측의 픽(38)을 신속하게 가열할 수 있기 때문에, 각 픽(38)의 가열 시간을 단축할 수 있고, 제 2 아암부(37)가 내장하는 구동 기구의 구동계 부품으로의 열이 전해지는 시간을 단축하여 해당 구동부계 부품이 승온하는 것을 확실하게 억제할 수 있다. 그 결과, 구동 기구의 열 손상을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 도 5 내지 도 7의 처리에서는, 상측의 픽(38)이 가열 웨이퍼(W)를 보지하므로, 가열 웨이퍼(W)로부터 상측의 픽(38)으로의 전열에 의해 확실하게 상측의 픽(38)을 가열할 수 있다.
또한, 도 5 내지 도 7의 처리에서는, 반송 아암(14)이 수축하여 각 픽(38)이 PHT 처리 모듈(13) 내로부터 퇴출할 때, 각 리프트 핀(32)에 의해 지지된 가열 웨이퍼(W)는 스테이지(15)의 열 복사에 의해 가열되지만, 해당 가열 웨이퍼(W)의 온도가 저하했을 때는, 적절하게 각 리프트 핀(32)을 스테이지(15)에 수납하여 웨이퍼(W)를 스테이지(15)에 탑재하고, 탑재된 웨이퍼(W)를 스테이지(15)로부터의 전열에 의해 가열해도 좋다.
상술한 도 4의 처리나 도 5 내지 도 7의 처리에서는, 각 픽(38)의 PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 및 PHT 처리 모듈(13)로부터의 퇴출을 반복하는 것에 의해 각 픽(38)의 가열 및 냉각을 반복하지만, 각 픽(38)의 PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 시간이나 PHT 처리 모듈(13)로부터의 퇴출 시간을 일률적으로 동일하게 할 필요는 없다.
예를 들면, 도 8에 도시하는 바와 같이, 최초로 각 픽(38)의 가열 시간(PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 시간)을 비교적 길게(예를 들면, 5분간) 취하여 각 픽(38)의 선단의 온도를 100℃ 근방까지 단숨에 상승시키고, 계속되는 각 픽(38)의 냉각 시간(PHT 처리 모듈(13)로부터의 퇴출 시간)도 비교적 길게(예를 들면, 1분간) 취하여 제 2 아암부(37)의 타단(37b)의 온도가 80℃를 초과하는 것을 억제하고, 그 후 비교적 짧은 각 픽(38)의 가열 시간 및 각 픽(38)의 냉각 시간(예를 들면, 모두 30초)을 다수회 반복하여 각 픽(38)의 선단의 온도를 서서히 상승시켜서 100℃ 이상으로 해도 좋다. 또한, 도 9에 도시하는 바와 같이, 최초로 각 픽(38)의 가열 시간(PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 시간)을 보다 길게(예를 들면, 8분간) 취하여 각 픽(38)의 선단의 온도를 130℃ 근방까지 단숨에 상승시키고, 그 후 비교적 짧은 각 픽(38)의 가열 시간 및 각 픽(38)의 냉각 시간(예를 들면, 모두 15초)을 다수회 반복하여 각 픽(38)의 선단의 온도를 서서히 하강시켜서 100℃ 근방으로 유지해도 좋다.
이상, 본 발명의 각 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기 각 실시형태에 한정되는 것이 아니다.
예를 들면, 반송 아암(14)은 중첩하여 배치되는 2개의 픽(38)을 갖지만, 반송 아암(14)이 1개의 픽(38)만을 갖거나, 또는 중첩하여 배치되는 3개 이상의 픽(38)을 갖고 있어도 좋다.
또한, 도 5 내지 도 7의 처리에서는, 각 픽(38)이 PHT 처리 모듈(13)의 스테이지(15) 및 가열 웨이퍼(W)의 사이로 진입한 후, 상측의 픽(38)에 가열 웨이퍼(W)를 보지시켰지만, 가열 웨이퍼(W)를 각 리프트 핀(32)에 의해 계속해서 지지하는 것에 의해, 상측의 픽(38)에 가열 웨이퍼(W)를 보지시키지 않아도 좋다. 이러한 경우, 상측의 픽(38)은 가열 웨이퍼(W)로의 열 복사에 의해 가열되지만, 각 픽(38)이 PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 및 PHT 처리 모듈(13) 내로부터의 퇴출을 반복할 때에, 각 리프트 핀(32)으로부터 상측의 픽(38)에의 가열 웨이퍼(W)의 주고받기, 및 상측의 픽(38)으로부터 각 리프트 핀(32)에의 가열 웨이퍼(W)의 주고받기를 실행할 필요를 없앨 수 있다. 그 결과, 각 픽(38)으로부터의 AFS의 제거의 스루풋을 향상할 수 있다.
다음에, 도 5 내지 도 7의 처리에서는, 각 픽(38)이 PHT 처리 모듈(13) 내로의 진입 및 PHT 처리 모듈(13) 내로부터의 퇴출을 반복하기 전에, 가열 웨이퍼(W)를 스테이지(15)로부터의 열 복사나 전열에 의해 가열하지만, 트랜스퍼 모듈(12) 내에 램프 히터(lamp heater)를 마련하고, 해당 램프 히터로부터의 열선 조사에 의해 가열 웨이퍼(W)를 가열해도 좋다. 또한, 가열 웨이퍼(W)는, 반도체 디바이스의 제조에 이용하는, 실리콘으로 이루어지는 통상의 웨이퍼에 한정되지 않고, 통상의 웨이퍼보다 열 보지 성능이 양호한 소재로 형성된 더미 웨이퍼(dummy wafer)이어도 좋다.
또한, 도 4의 처리나 도 5 내지 도 7의 처리에서는, 각 픽(38)으로부터 AFS가 제거되었지만, 제거되는 반응 생성물은 AFS에 한정되지 않는다. 예를 들면, 열에 의해 승화하는 특성을 갖는 반응 생성물의 제거라면, 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 본 발명의 목적은, 상술한 각 실시형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기록한 기억 매체를, 기판 처리 시스템(10)이 구비하는 컨트롤러(27)에 공급하고, 컨트롤러(27)의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램 코드를 판독하여 실행하는 것에 의해서도 달성된다.
이러한 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드 자체가 상술한 각 실시형태의 기능을 실현하게 되고, 프로그램 코드 및 그 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.
또한, 프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예를 들어 RAM, NVRAM, 플로피(등록상표) 디스크, 하드디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW) 등의 광 디스크, 자기 테이프, 불휘발성의 메모리 카드, 다른 ROM 등의 상기 프로그램 코드를 기억할 수 있는 것이면 좋다. 혹은, 상기 프로그램 코드는, 인터넷, 상용 네트워크, 혹은 근거리 통신망(local area network) 등에 접속되는 도시하지 않은 다른 컴퓨터나 데이터 베이스 등으로부터 다운로드하는 것에 의해 컨트롤러(27)에 공급되어도 좋다.
또한, 컨트롤러(27)가 판독된 프로그램 코드를 실행하는 것에 의해, 상기 실시형태의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, CPU 상에서 가동하고 있는 OS(오퍼레이팅 시스템) 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 실행하고, 그 처리에 의해 상술한 각 실시형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
또한, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드가, 컨트롤러(27)에 삽입된 기능 확장 보드나 컨트롤러(27)에 접속된 기능 확장 유닛에 구비된 메모리에 기록된 후, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, 그 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비된 CPU 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 실행하고, 그 처리에 의해 상술한 각 실시형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
상기 프로그램 코드의 형태는, 목적 코드(object code), 인터프리터(interpreter)에 의해 실행되는 프로그램 코드, OS에 공급되는 스크립트 데이터(script data) 등의 형태로 이루어져도 좋다.
W : 웨이퍼 10 : 기판 처리 시스템
12 : 트랜스퍼 모듈 13 : PHT 처리 모듈
14 : 반송 아암 15 : 스테이지
32 : 리프트 핀 38 : 픽

Claims (7)

  1. 열로 생성물을 승화시키는 열처리실 내로 기판을 반입하는 기판 반송 기구의 세정 방법에 있어서,
    상기 기판 반송 기구가 갖는 상기 기판을 보지하는 보지부가 상기 열처리실 내로의 진입 및 상기 열처리실 내로부터의 퇴출을 반복하는 것을 특징으로 하는
    기판 반송 기구의 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 열처리실 내에는 상기 기판을 탑재하여 가열하는 탑재대와, 상기 탑재대로부터 상기 기판을 이격시키는 이격 기구가 배치되고,
    상기 보지부는 중첩하여 배치된 적어도 2개 이상의 보지 수단을 갖고,
    상기 이격 기구가 상기 탑재대에 의해 가열된 기판을 상기 탑재대로부터 지지하여 이격시켰을 때에, 상기 보지부가 상기 탑재대 및 상기 이격된 기판의 사이로 진입하는 것을 특징으로 하는
    기판 반송 기구의 세정 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 보지부가 상기 탑재대 및 상기 이격된 기판의 사이로 진입한 후, 상기 이격된 기판측의 상기 보지 수단이 상기 이격된 기판을 보지하는 것을 특징으로 하는
    기판 반송 기구의 세정 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 보지부가 상기 탑재대 및 상기 이격된 기판의 사이로 진입한 후에도, 상기 이격 기구가 상기 이격된 기판을 계속해서 지지하는 것을 특징으로 하는
    기판 반송 기구의 세정 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 반송 기구는 반송실 내에 배치되고,
    상기 보지부가 상기 열처리실 내로의 진입 및 상기 열처리실 내로부터의 퇴출을 반복할 때, 상기 반송실 내의 압력은 상기 열처리실 내의 압력보다 높게 설정되는 것을 특징으로 하는
    기판 반송 기구의 세정 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보지부가 상기 열처리실 내로의 진입 및 상기 열처리실 내로부터의 퇴출을 반복할 때, 상기 보지부의 온도를 소정의 온도 이상으로 유지하는 것을 특징으로 하는
    기판 반송 기구의 세정 방법.
  7. 열로 생성물을 승화시키는 열처리실과, 상기 열처리실 내로 기판을 반입하는 기판 반송 기구를 구비하는 기판 처리 시스템에 있어서,
    상기 기판 반송 기구는 상기 기판을 보지하는 보지부를 갖고,
    상기 보지부가 상기 열처리실 내로의 진입 및 상기 열처리실 내로부터의 퇴출을 반복하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 시스템.
KR1020170032695A 2016-03-17 2017-03-15 기판 반송 기구의 세정 방법 및 기판 처리 시스템 KR102002210B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-054260 2016-03-17
JP2016054260A JP6600588B2 (ja) 2016-03-17 2016-03-17 基板搬送機構の洗浄方法及び基板処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170108866A true KR20170108866A (ko) 2017-09-27
KR102002210B1 KR102002210B1 (ko) 2019-07-19

Family

ID=59855188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170032695A KR102002210B1 (ko) 2016-03-17 2017-03-15 기판 반송 기구의 세정 방법 및 기판 처리 시스템

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10569310B2 (ko)
JP (1) JP6600588B2 (ko)
KR (1) KR102002210B1 (ko)
TW (1) TWI770012B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI635559B (zh) * 2017-07-25 2018-09-11 春田科技顧問股份有限公司 裝載埠的吹淨裝置及其吹淨方法
JP7142494B2 (ja) * 2018-06-25 2022-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
WO2020100381A1 (ja) * 2018-11-14 2020-05-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
JP7253955B2 (ja) * 2019-03-28 2023-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7403234B2 (ja) 2019-04-25 2023-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
US20230069085A1 (en) * 2021-08-27 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Process tool and method for handling semiconductor substrate
CN116197159B (zh) * 2023-04-24 2023-07-04 保定通力电器设备有限公司 一种避雷器生产的残留胶料去除装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11354503A (ja) 1998-06-08 1999-12-24 Hitachi Ltd エッチング装置およびその操作方法ならびに半導体装置の製造方法
KR20080048410A (ko) * 2006-11-28 2008-06-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치의 제어 장치, 제어 방법 및 제어프로그램을 기억한 기억 매체
KR20110028250A (ko) * 2008-09-16 2011-03-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 배치대의 강온 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 기판 처리 시스템
KR20130014406A (ko) * 2011-07-29 2013-02-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치 및 이것에 기판을 반송하는 기판 반송 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100568256B1 (ko) * 2003-12-11 2006-04-07 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 장비의 세정 방법
US20100162956A1 (en) * 2005-08-05 2010-07-01 Seishi Murakami Substrate Processing Apparatus and Substrate Mount Table Used in the Apparatus
JP5046506B2 (ja) * 2005-10-19 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置，基板処理方法，プログラム，プログラムを記録した記録媒体
JP4854317B2 (ja) * 2006-01-31 2012-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP5084250B2 (ja) * 2006-12-26 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体
JP5886023B2 (ja) * 2011-12-16 2016-03-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法および装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11354503A (ja) 1998-06-08 1999-12-24 Hitachi Ltd エッチング装置およびその操作方法ならびに半導体装置の製造方法
KR20080048410A (ko) * 2006-11-28 2008-06-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치의 제어 장치, 제어 방법 및 제어프로그램을 기억한 기억 매체
KR20110028250A (ko) * 2008-09-16 2011-03-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 배치대의 강온 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 기판 처리 시스템
KR20130014406A (ko) * 2011-07-29 2013-02-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치 및 이것에 기판을 반송하는 기판 반송 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017168738A (ja) 2017-09-21
US20200139413A1 (en) 2020-05-07
US20170266700A1 (en) 2017-09-21
TWI770012B (zh) 2022-07-11
US10569310B2 (en) 2020-02-25
TW201801812A (zh) 2018-01-16
KR102002210B1 (ko) 2019-07-19
JP6600588B2 (ja) 2019-10-30
US11148179B2 (en) 2021-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102002210B1 (ko) 기판 반송 기구의 세정 방법 및 기판 처리 시스템
JP4632551B2 (ja) ウエハおよびリングの移送方法、熱処理設備リングの組み合せ、及びウエハとリングのセット
KR101177965B1 (ko) 도포, 현상 장치 및 그 방법 그리고 기억매체
KR100613171B1 (ko) 반도체 기판 냉각 방법 및 장치
US6780251B2 (en) Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device
KR100233310B1 (ko) 열처리장치
US6488778B1 (en) Apparatus and method for controlling wafer environment between thermal clean and thermal processing
US11062931B2 (en) Semiconductor apparatus with inner wafer carrier buffer and method
KR20180045316A (ko) 설비 전방 단부 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치
KR101489314B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR101736854B1 (ko) 기판 처리 장치
CN110828332A (zh) 基片处理装置的颗粒除去方法和基片处理装置
JP2010045190A (ja) 加熱システム、塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
US7416405B2 (en) Vertical type of thermal processing apparatus and method of using the same
KR102262113B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN116092989A (zh) 进行基板的输送的装置和输送基板的方法
KR100803562B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2015035583A (ja) 熱処理装置及び成膜システム
JPH07101666B2 (ja) 熱処理方法およひ熱処理装置
JP4229497B2 (ja) 基板処理装置および基板の処理方法
KR100517083B1 (ko) 반도체 제조용 장치
KR102454656B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102152907B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102300977B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP2002141391A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant