KR20170108856A - Trap apparatus and exhaust system using the same, and substrate processing apparatus - Google Patents

Trap apparatus and exhaust system using the same, and substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20170108856A
KR20170108856A KR1020170031969A KR20170031969A KR20170108856A KR 20170108856 A KR20170108856 A KR 20170108856A KR 1020170031969 A KR1020170031969 A KR 1020170031969A KR 20170031969 A KR20170031969 A KR 20170031969A KR 20170108856 A KR20170108856 A KR 20170108856A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
trap
pipe
exhaust system
gas
inclined surface
Prior art date
Application number
KR1020170031969A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102218496B1 (en
Inventor
기요토 하야시
마사히로 오이카와
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20170108856A publication Critical patent/KR20170108856A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102218496B1 publication Critical patent/KR102218496B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

The present invention provides a trap apparatus and an exhaust system using the same, and a substrate processing apparatus capable of lengthening a cleaning time to appropriately maintain an apparatus operating environment without being attached and detached from the exhaust system. The trap apparatus (50) has a trap unit (10) installed in a flow path (61) within a pipe (60). The trap unit has an inclined surface with respect to the flow path within the pipe, and a plurality of openings (11) are formed on the inclined surface.

Description

트랩 장치 및 이것을 사용한 배기계, 그리고 기판 처리 장치 {TRAP APPARATUS AND EXHAUST SYSTEM USING THE SAME, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a trap device, an exhaust system using the trap device, and a substrate processing apparatus.

본 발명은, 트랩 장치 및 이것을 사용한 배기계, 그리고 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a trap apparatus, an exhaust system using the apparatus, and a substrate processing apparatus.

종래부터, 기판에 성막을 실시하는 성막 장치의 배기 가스계에 설치되어, 배기 가스 중에 포함되는 반응 부생성물을 포획하는 트랩 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).2. Description of the Related Art Conventionally, a trap apparatus is known which is provided in an exhaust gas system of a film forming apparatus for forming a film on a substrate and captures reaction by-products contained in the exhaust gas (see, for example, Patent Document 1).

예를 들어, 특허문헌 1에 기재된 트랩 장치는, 가스 도입구와 가스 배출구를 갖고 하우징이 배기 가스계에 개재 설치되고, 하우징 내를 복수의 방으로 구획하는 구획판이 설치됨과 함께, 배기 가스가 복수의 방 내를 차례로 흐르도록 구획판에 가스 유통구가 형성되고, 반응 부생성물을 포획하기 위해 각 방 내에 수용된 트랩 기구를 구비하도록 구성되어 있다. 그리고 배기 가스를 각 방에 걸쳐 차례로 흐르게 함으로써, 반응 부생성물을 효율적으로 제거한다.For example, the trap device disclosed in Patent Document 1 is provided with a partition plate having a gas inlet and a gas outlet, a housing interposed in the exhaust gas system, partitioning the inside of the housing into a plurality of chambers, A gas flow port is formed in the partition plate so as to flow sequentially through the chamber, and a trap mechanism accommodated in each chamber for capturing the reaction by-products is provided. By allowing the exhaust gas to flow sequentially through the chambers, the reaction by-products are efficiently removed.

일본 특허 공개 평10-140357호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-140357

그러나, 특허문헌 1에 기재된 트랩 장치에서는, 트랩한 반응 부생성물을 제거하기 위해, 프로세스 장치를 정지하여 트랩 장치를 제거하고, 트랩 장치로부터 반응 부생성물을 제거함과 함께 트랩 장치를 세정하고, 트랩 장치를 다시 설치한다고 하는 탈착 작업이 필요해진다. 이러한 탈착 작업에 의해, 장치 가동률이 저하되어, 생성성이 저하되므로, 트랩 장치를 설치하지 않고, 정기적으로 배기계의 배관에 정기적인 분해 세정 또는 클리닝용 가스(불소계 가스, 이하 「F계 가스」라고 함)를 배기계 배관에 통기시켜, 장치 분해를 하지 않는 부생성물의 제거를 행함으로써, 장치 가동 환경을 유지하는 것이 행해지고 있다.However, in the trap device described in Patent Document 1, in order to remove trapped reaction by-products, the process device is stopped to remove the trap device, the reaction product is removed from the trap device, and the trap device is cleaned, It is necessary to perform a detachment operation. This elimination operation lowers the operating rate of the apparatus and deteriorates the productivity. Therefore, a periodic decomposing cleaning or cleaning gas (fluorine-based gas, hereinafter referred to as " F system gas " ) Is ventilated in the exhaust system piping to remove by-products that do not decompose the apparatus, thereby maintaining the operating environment of the apparatus.

예를 들어, TEOS(테트라에톡신) 등을 사용하는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치에서는, 반응로의 배기계의 진공 배관에 대량의 부생성물이 부착되지만, 그러한 방법으로 장치 가동 환경을 유지하고 있다.For example, in a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus using TEOS (tetraethoxine) or the like, a large amount of by-products adhere to the vacuum pipe of the exhaust system of the reactor, but the apparatus operating environment is maintained by such a method.

그러나, F계 가스 통기에 의한 생성물 제거는, 분해 세정에 비해 장치 정지 기간이 짧은 특징이 있지만, 생성물의 표면에밖에 F계 가스가 도달하지 않으므로, 생성물 퇴적이 두꺼우면 전부 제거할 수 없다. 또한, 진공 배관의 상면에 부착된 생성물이 중력에 의해 박리되어 진공 배관의 하면에 퇴적되면, 배관 폐색을 발생하는 경우가 있었다. 그로 인해, 생성물이 배관의 하면으로 낙하하지 않을 정도의 빈도로 F계 가스 통기에 의한 생성물 제거가 필요하고, 이러한 제거 작업이 장치 가동률의 향상을 저해하여, 생산성을 저하시켜 버린다고 하는 문제가 있었다.However, the removal of the product by the F-based gas venting is characterized in that the device stopping period is short compared with the decomposition cleaning, but the F-based gas does not reach the surface of the product. Further, when the product attached to the upper surface of the vacuum pipe is peeled off by gravity and deposited on the lower surface of the vacuum pipe, occlusion of the pipe may occur. Therefore, it is necessary to remove the product by ventilation of the F-system gas at such a frequency that the product does not fall down to the lower surface of the pipe, and this removal operation hinders the improvement of the operation rate of the apparatus, thereby lowering the productivity.

따라서, 본 발명은, 배기계로부터의 탈착을 필요로 하지 않고, 또한 장치 가동 환경을 적절하게 유지하기 위한 클리닝 주기를 길게 할 수 있는 트랩 장치 및 이것을 사용한 배기계, 그리고 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a trap device which does not require detachment from an exhaust system and which can make a cleaning cycle longer to properly maintain a device operating environment, an exhaust system using the trap device, and a substrate processing device do.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태에 관한 트랩 장치는, 배관 내의 유로에 설치되는 트랩부를 갖는 트랩 장치이며,In order to achieve the above object, a trap device according to an aspect of the present invention is a trap device having a trap portion provided in a flow path in a pipe,

상기 트랩부는, 상기 배관 내의 유로에 대해 경사면을 갖고, 당해 경사면에 복수의 개구가 형성되어 있다.The trap portion has an inclined surface with respect to the flow path in the pipe, and a plurality of openings are formed in the inclined surface.

본 발명의 다른 양태에 관한 배기계는, 플랜지를 개재하여 접속된 복수의 배기계 배관과,An exhaust system according to another aspect of the present invention includes a plurality of exhaust system piping connected via a flange,

당해 플랜지에 고정되어 설치된 상기 트랩 장치를 갖는다.And the trap device fixedly attached to the flange.

본 발명의 다른 양태에 관한 기판 처리 장치는, 처리실과,A substrate processing apparatus according to another aspect of the present invention includes a processing chamber,

당해 처리실에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과,A processing gas supply means for supplying a processing gas to the processing chamber,

당해 처리실을 배기하기 위한 배기 펌프와,An exhaust pump for exhausting the processing chamber,

상기 처리실과 상기 배기 펌프 사이에 접속되어 설치된 상기 배기계를 갖는다.And an exhaust system connected between the process chamber and the exhaust pump.

본 발명에 따르면, 장치 가동 환경을 유지하는 데 필요한 배관의 클리닝 주기를 연장시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to extend the cleaning cycle of the pipe necessary for maintaining the apparatus operating environment.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 트랩 장치의 일례를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 관한 트랩 장치를 배관에 설치한 경우의 트랩 상태의 일례를 도시한 도면이다.
도 3은 트랩 장치를 설치하지 않는 종래의 클리닝 방법을 도시한 도면이다. 도 3의 (a)는, 클리닝을 행하기 전의 배관 내의 상태를 도시한 도면이다. 도 3의 (b)는, 클리닝을 행한 후, 혹은 클리닝 중인 배관 내의 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 관한 트랩 장치의 일례의 구성을 더욱 상세하게 도시한 도면이다. 도 4의 (a)는, 본 발명의 실시 형태에 관한 트랩 장치의 하면 측으로부터의 정면도이다. 도 4의 (b)는, 본 발명의 실시 형태에 관한 트랩 장치의 저면도이다. 도 4의 (c)는, 발명의 실시 형태에 관한 트랩 장치의 바닥측으로부터의 정면도이다. 도 4의 (d)는, 도 4의 (b)의 A-A 단면도와 측면도를 조합한 도면이다. 도 4의 (e)는, 도 4의 (d)의 부분 B의 확대도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 관한 배기계의 일례를 도시한 도면이다.
도 6은 도 5와는 상이한 배기계의 일례를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 도시한 도면이다.
1 is a cross-sectional view showing an example of a trap device according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing an example of a trap state when the trap device according to the present embodiment is installed in a pipe.
3 is a view showing a conventional cleaning method in which a trap device is not provided. Fig. 3A is a diagram showing the state in the pipe before cleaning is performed. Fig. Fig. 3 (b) is a diagram showing the state in the piping after cleaning or during cleaning. Fig.
4 is a diagram showing in more detail the structure of an example of the trap device according to the embodiment of the present invention. Fig. 4 (a) is a front view of the trap device according to the embodiment of the present invention from the underside. Fig. 4 (b) is a bottom view of the trap device according to the embodiment of the present invention. 4 (c) is a front view of the trap device according to the embodiment of the invention from the bottom side. 4 (d) is a view showing a combination of the AA sectional view and the side view of FIG. 4 (b). 4 (e) is an enlarged view of a portion B in Fig. 4 (d).
5 is a diagram showing an example of an exhaust system according to an embodiment of the present invention.
Fig. 6 is a view showing an example of an exhaust system different from that of Fig. 5. Fig.
7 is a diagram showing an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태의 설명을 행한다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 트랩 장치의 일례를 도시한 단면도이다. 트랩 장치(50)는, 트랩부(10)와, 지지부(20)와, 고정 부재(30)를 갖는다. 트랩 장치(50) 중, 트랩부(10) 및 지지부(20)는, 배관(60)의 유로(61) 내에 설치되고, 고정 부재(30)는 플랜지(63)의 플랜지면(64)에 끼워지도록 하여 설치된다. 또한, 도 1에 있어서는, 배관(60)이 1개만 도시되어 있지만, 배관(60)이 복수 사용되어 길이 방향으로 연결되는 경우, 인접하는 배관(60)의 플랜지면(64)끼리가 체결되어 결합되어, 긴 배관(60)을 구성한다. 따라서, 그러한 경우, 고정 부재(30)는, 인접하는 배관(60)의 플랜지면(64)끼리의 사이에 끼워 넣어지도록 하여 고정된다.1 is a cross-sectional view showing an example of a trap device according to an embodiment of the present invention. The trap device 50 has a trap portion 10, a support portion 20, and a fixing member 30. The trap portion 10 and the support portion 20 of the trap device 50 are provided in the flow path 61 of the pipe 60 and the fixing member 30 is fitted to the flange surface 64 of the flange 63 Respectively. 1, only one pipe 60 is shown. However, when a plurality of pipe 60 are used and are connected in the longitudinal direction, flange surfaces 64 of adjacent pipes 60 are fastened together Thereby constituting a long pipe 60. Therefore, in such a case, the fixing member 30 is fixed so as to be sandwiched between the flange surfaces 64 of the adjacent pipes 60.

트랩부(10)는, 배관(60) 내에 생성된 부생성물을 포집 또는 포획하기 위한 부분이며, 배관(60)의 유로(61)에 대해 경사면을 이루도록 구성된다. 또한, 유로(61)는, 배관(60)의 내주면(62)을 따르고 있으므로, 트랩부(10)는 배관(60)의 내주면(62)에 대해서도 경사면을 이룬다.The trap portion 10 is a portion for trapping or capturing by-products generated in the piping 60 and is configured to form an inclined surface with respect to the flow path 61 of the piping 60. Since the flow path 61 follows the inner circumferential surface 62 of the pipe 60, the trap portion 10 also forms an inclined surface with respect to the inner circumferential surface 62 of the pipe 60.

도 1에 있어서는 도시되어 있지 않지만, 트랩부(10)에는 복수의 개구가 형성되어 있다. 그리고, 복수의 개구의 합계의 개구 면적은, 개구가 형성되어 있지 않은 비개구 면적보다 크다. 따라서, 트랩부(10)는 개구 부분의 쪽이 비개구 부분보다 넓은 다공판으로서 구성된다. 또한, 트랩부(10)는, 바람직하게는 메쉬 형상으로 구성된다. 트랩부(10)를 메쉬 형상으로 구성함으로써, 배관(60)을 흐르는 기체의 흐름을 방해할 우려가 매우 적어져, 통기 성능을 저하시키는 일 없이 트랩부(10)를 배관(60) 내에 배치하는 것이 가능해진다. 또한, 배관(60)은 다양한 용도로 사용되는 배관(60)이면 좋지만, 예를 들어 배기용 배관(60)이어도 된다. 일반적으로, 기판 처리 장치 등의 배기계 배관에는, 처리 가스의 반응에 의한 부반응 생성물이 많이 생성되어, 이러한 부반응 생성물의 포집이 필요해지는 경우가 많다. 따라서, 배관(60)은 배기계 배관으로서 구성되어도 된다. 이 경우, 통기 성능은 배기 성능인 것을 의미한다.Although not shown in Fig. 1, a plurality of openings are formed in the trap portion 10. Fig. The total opening area of the plurality of openings is larger than the non-opening area where no openings are formed. Therefore, the trap portion 10 is formed as a porous plate whose opening portion is wider than the non-opening portion. Further, the trap portion 10 is preferably formed in a mesh shape. By forming the trap portion 10 in a mesh shape, there is little possibility that the flow of the gas flowing through the pipe 60 is disturbed, and the trap portion 10 is disposed in the pipe 60 without lowering the ventilation performance Lt; / RTI > The piping 60 may be a piping 60 used for various purposes, but may be, for example, an exhaust piping 60. Generally, in exhaust system piping of a substrate processing apparatus or the like, a large amount of side reaction products due to the reaction of the processing gas is generated, and such side reaction products are often trapped. Therefore, the piping 60 may be configured as an exhaust system piping. In this case, the ventilation performance means an exhaust performance.

트랩부(10)에 복수의 개구를 형성하고, 예를 들어 트랩부(10)를 메쉬 형상으로 구성함으로써, 배관(60)의 유로(61) 내를 흐르는 가스는, 트랩부(10)의 실체 부분(비개구 부분)에 오래 접촉할 수 있다. 즉, 트랩부(10)가 개구가 없는 판상이면, 도 1에 있어서 좌측으로부터 우측을 향하는 가스의 흐름이 존재하는 경우, 트랩부(10)의 내측의 면에만 가스가 닿고, 트랩부(10)의 외측의 면(배관(60)의 내주면(62)과 대향하는 면)은 내측의 면의 그림자에 가려져 버려, 트랩부(10)의 가스와의 접촉 면적은 편면분의 면적이 된다. 그러나, 트랩부(10)에 개구를 형성하면, 가스는 트랩부(10)의 양면을, 개구를 경유하여 오갈 수 있어, 트랩부(10)의 양면에 가스를 접촉시킬 수 있다. 그렇게 하면, 트랩부(10)의 실체 부분에 가스가 많이 닿게 되어, 포집되는 반응 생성물을 증가시킬 수 있다.The gas flowing in the flow path 61 of the piping 60 can be discharged to the outside of the trapping portion 10 by forming a plurality of openings in the trapping portion 10, (Non-opening portion). That is, when there is a flow of gas from left to right in Fig. 1, gas comes into contact with only the inner surface of the trap portion 10, and when the trap portion 10 is in the plate- (The surface facing the inner circumferential surface 62 of the pipe 60) is covered by the shadow of the inner surface, and the contact area of the trap portion 10 with the gas becomes the area of one surface. However, if an opening is formed in the trap portion 10, the gas can move both surfaces of the trap portion 10 via the opening, so that gas can be brought into contact with both surfaces of the trap portion 10. As a result, a large amount of gas is applied to the substance portion of the trap portion 10, and the collected reaction products can be increased.

또한, 트랩부(10)가 경사면을 형성하고 있음으로써, 가스는, 트랩부(10)의 좌측 단부에서 트랩부(10)에 닿고 나서, 트랩부(10)의 우측 단부에 우측으로 이동할 때까지 항상 트랩부(10)에 계속 접촉하게 되어, 길이 방향에 있어서의 트랩부(10)와의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 즉, 트랩부(10)가 유로(61)와 평행하게 설치되어 있으면, 가스는 트랩부(10)의 좌측 단부와만 접촉하게 되어, 접촉 면적은 매우 작다. 한편, 트랩부(10)를 유로(61)에 수직으로 설치하면, 트랩부(10)와 가스가 접촉하는 면적은, 트랩부(10)가 존재하는 개소에서는 최대 면적을 얻을 수 있지만, 트랩부(10)는 길이 방향에 있어서의 점의 존재로 되어 버리므로, 트랩부(10)를 통과한 가스는, 다시 트랩부(10)와 접촉하는 일은 없어진다. 즉, 순식간에 가스와 트랩부(10)의 접촉이 종료되어 버린다.Since the trap portion 10 forms the inclined surface, the gas flows from the left end of the trap portion 10 to the trap portion 10 until the right end of the trap portion 10 moves to the right side The contact area with the trap portion 10 in the longitudinal direction can be increased. That is, when the trap portion 10 is provided in parallel with the flow path 61, the gas comes into contact only with the left end portion of the trap portion 10, and the contact area is very small. On the other hand, when the trap portion 10 is vertically provided on the flow path 61, the maximum area of the area where the trap portion 10 is in contact with the gas can be obtained at the portion where the trap portion 10 exists, The gas that has passed through the trap portion 10 does not come into contact with the trap portion 10 again. That is, the contact of the gas and the trap portion 10 is completed in an instant.

한편, 트랩부(10)를 배관(60)의 유로(61)에 대해 경사지게 하여 설치하면, 트랩부(10)의 좌측 단부에서 트랩부(10)의 경사면에 닿은 가스는, 배관(60)의 길이 방향을 따라 가스가 접촉 가능한 면이 길게 존재하고, 또한 가스는 개구를 통해 트랩부(10)의 양면에 접촉 가능하므로, 가스가 트랩부(10)에 의한 진로의 저해를 오래 받아, 효율적으로 부생성물을 트랩부(10)의 양면에 퇴적시킬 수 있다.On the other hand, when the trap portion 10 is provided so as to be inclined with respect to the flow path 61 of the piping 60, the gas contacted to the inclined surface of the trap portion 10 at the left end of the trap portion 10 flows into the piping 60 The gas can be brought into contact with both surfaces of the trap portion 10 through the openings so that the gas is prevented from being obstructed by the trap portion 10 and is efficiently The by-products can be deposited on both surfaces of the trap portion 10. [

또한, 트랩부(10)는 뿔대 형상을 갖는 것이 바람직하고, 원뿔대의 형상을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 트랩부(10)의 경사면을 뿔대 형상으로 구성함으로써, 원통형 또는 원기둥형의 유로(61)에 대해 360°에 걸쳐 주회하는 경사면을 구성할 수 있어, 트랩부(10)의 가스와의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 또한, 삼각뿔대, 사각뿔대, 오획뿔대, 육각뿔대와 같은 형상도, 각 측면의 전체면에 걸쳐 경사면을 구성할 수 있으므로, 가스와의 접촉 효율이 높은 형상이지만, 원뿔대는, 모든 측면이 연속적으로 360°에 걸쳐 유로(61)에 대해 경사면을 구성하므로, 가장 가스와의 접촉 효율이 높은 형상이다. 따라서, 트랩부(10)는, 원뿔대의 형상을 갖고 구성되는 것이 가장 바람직하다.Further, the trap portion 10 preferably has a frustum shape, more preferably a frustum shape. By forming the inclined surface of the trap portion 10 in a truncated cone shape, it is possible to form a sloped surface that spins around 360 degrees with respect to the cylindrical or cylindrical flow path 61, so that the contact area of the trap portion 10 with the gas is . In addition, the shape such as the triangular pyramid, the quadrangular pyramid, the truncated truncated cone, and the hexagonal truncated pyramid can be inclined over the entire surface of each side, so that the contact efficiency with the gas is high. However, Since the inclined surface is formed with respect to the flow path 61 over 360 degrees, the contact efficiency with gas is highest. Therefore, it is most preferable that the trap portion 10 has a frustum shape.

또한, 원뿔, 각뿔 등의 정점을 갖는 뿔형이 아니라, 뿔대 형상의 쪽이 바람직한 것은, 뿔대 형상의 상면(12)에 개구를 형성하는 것이 바람직하기 때문이다. 트랩부(10)는, 예를 들어 메쉬 형상으로 구성한 경우에는, 처음에는 배관(60)의 유로(61)의 가스의 흐름을 방해하는 일은 거의 없지만, 부반응 생성물을 트랩부(10)에 포착함에 따라, 경사면에 형성된 개구가 폐색되어 가, 가스의 흐름을 방해할 우려가 발생한다. 원뿔이나 각뿔의 형상이면, 트랩부(10)의 선단까지 생성물이 포집되면, 유로(61)의 중심을 크게 폐색해 버려, 가스의 흐름을 방해할 우려가 있다. 한편, 뿔대 형상이면, 상면(12)에 큰 개구를 형성해 둘 수 있어, 트랩부(10)가 생성물을 포집해도, 가스는 상면(12)의 개구를 통과할 수 있으므로, 가스의 흐름을 크게 방해하는 일은 없다.Further, the shape of the truncated cones rather than the truncated cones having a vertex such as a cone or pyramid is preferable because it is preferable to form an opening in the truncated upper surface 12. When the trap portion 10 is formed, for example, in a mesh shape, the flow of the gas in the flow path 61 of the pipe 60 is hardly disturbed at first, but when trapping the side reaction product in the trap portion 10 Accordingly, the opening formed in the inclined surface is blocked, which may interfere with the flow of the gas. If the product is collected up to the tip of the trap portion 10, the center of the flow path 61 may be largely blocked, and the flow of the gas may be interrupted. On the other hand, if the truncated pyramid shape is formed, a large opening can be formed in the upper surface 12, so that even if the trap portion 10 catches the product, the gas can pass through the opening of the upper surface 12, There is nothing to do.

마찬가지로, 트랩부(10)의 뿔대 형상의 하면(13)의 부분에도 개구를 형성해 둠으로써, 가스의 흐름을 방해하는 일 없이 부반응 생성물을 포획할 수 있다. 하면(13)의 개구로부터, 상면(12)의 개구까지의 트랩부(10)의 경사면은, 가스가 좌측으로부터 우측을 향해 흐르는 경우에는, 처음에 가스가 접촉하는 면이 되므로, 그 경사면의 경사 각도가 적절해지도록 설정하는 것이 바람직하다. 경사 각도는, 배관(60) 내의 유로(61)의 치수, 흐르는 가스의 종류에도 영향을 받으므로, 용도에 따라서 적절하게 설정하는 것이 바람직하다.Likewise, by forming an opening in the portion of the truncated cone-shaped lower surface 13 of the trap portion 10, the side reaction product can be captured without disturbing the gas flow. The inclined surface of the trap portion 10 from the opening of the lower surface 13 to the opening of the upper surface 12 becomes a surface to which the gas comes in contact first when the gas flows from the left side to the right side, It is preferable to set the angle so as to be appropriate. The angle of inclination is also influenced by the dimension of the flow path 61 in the pipe 60 and the type of the flowing gas, so that it is preferable to set the angle depending on the application.

또한, 트랩부(10)에 형성된 개구의 크기 등에 대해서도, 상술한 유로(61)와 가스의 종류 등을 고려하여 적절하게 설정하는 것이 바람직하다.The size of the opening formed in the trap portion 10 is preferably set appropriately in consideration of the above-described flow path 61 and the kind of gas.

트랩부(10)의 하면(12)의 부분은, 배관(60)의 내주면(62)과 간격을 갖도록 설치되는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 트랩부(10)에 부반응 생성물이 퇴적되면, 유로(61)를 폐색하여, 가스의 흐름을 방해할 우려가 있다. 트랩부(10)의 경사면의 외측에도 간격이 마련되어 있으면, 가스는 외측의 환상의 간격을 통과할 수 있어, 가스의 흐름을 크게 방해하는 일이 없어진다.It is preferable that a portion of the lower surface 12 of the trap portion 10 is provided so as to be spaced from the inner peripheral surface 62 of the pipe 60. [ As described above, when the side reaction product is accumulated in the trap portion 10, the flow path 61 is closed, which may interfere with the gas flow. If a gap is provided outside the inclined surface of the trap portion 10, the gas can pass through the annular gap on the outside, and the flow of the gas is not greatly disturbed.

트랩부(10)가 뿔대 형상으로 구성되고, 배관(60)이 직선적인 배관인 경우, 뿔대 형상의 정점은, 배관(60)의 유로(61)의 중심과 일치하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 트랩부(10)에 부반응 생성물이 퇴적된 경우라도, 배관(60)의 유로(61)의 중심에 관하여 대칭인 가스의 흐름을 형성할 수 있다. 또한, 뿔대 형상에는 정점은 존재하지 않지만, 뿔대 형상의 형성은 원뿔, 각뿔 등의 뿔형으로부터 선단을 제거한 형상이므로, 원래의 뿔형의 정점을 통과하는 위치가 뿔대 형상의 정점이라고 생각해도 된다. 이 정점의 위치는, 상면(12) 및 하면(13)이 원 또는 정다각형이면, 그것들의 무게 중심의 위치와 일치하므로, 상면(12) 및 하면(13)의 무게 중심이라고 파악해도 된다. 또한, 배관(60)이 직선 형상이 아닌 경우에 대해서는, 후술한다.When the trap portion 10 is formed in a truncated cone shape and the pipe 60 is a straight pipe, the vertex of the truncated cone preferably coincides with the center of the flow passage 61 of the pipe 60. This makes it possible to form a flow of gas symmetrical with respect to the center of the flow path 61 of the pipe 60 even when side reaction products are accumulated in the trap portion 10. In addition, although there is no apex in the shape of the truncated cone, since the formation of the truncated cone is a cone, a pyramid, or the like, from which the apex is removed, the position passing through the apex of the original cone may be regarded as a truncated apex. This position of the vertex may be regarded as the center of gravity of the upper surface 12 and the lower surface 13, since the upper surface 12 and the lower surface 13 match the positions of the centers of gravity thereof if they are circular or regular polygonal. The case where the pipe 60 is not in a straight line will be described later.

또한, 트랩부(10) 하면(13)의 부분과 배관(60)의 내주면(62)의 간격에 대해서도, 유로(61)의 치수, 흐르게 할 가스의 종류 등을 고려하여, 적의 적절한 값으로 설정하는 것이 바람직하다.The distance between the lower surface 13 of the trap portion 10 and the inner circumferential surface 62 of the pipe 60 is set to an appropriate value in consideration of the dimensions of the flow path 61, .

트랩부(10)는, 다양한 재료로 구성되어도 되지만, 예를 들어 스테인리스 강 등의 금속 재료로 구성되어도 된다. 트랩부(10)를 구성하는 재료에 대해서도, 용도 등을 고려하여 적절한 재료를 사용하도록 해도 된다.The trap portion 10 may be made of various materials, but may be made of a metal material such as stainless steel. As for the material constituting the trap portion 10, a suitable material may be used in consideration of the use and the like.

지지부(20)는, 트랩부(10)를 배관(60)의 유로(61) 내의 소정 위치에 고정 지지하기 위한 지지 부재이다. 도 1에 도시되는 바와 같이, 지지부(20)는, 예를 들어 트랩부(10)의 하면(13) 부근의 내주면에 접합되어 트랩부(10)를 지지하도록 구성되어도 된다. 지지부(20)는, 예를 들어 트랩부(10)를 지지 가능한 강도를 갖고 봉상으로 구성되고, 복수 점에 있어서 트랩부(10)를 지지하도록 구성된다. 도 1에 있어서는, 플랜지면(64)에 고정하여 설치된 고정 부재(30)로부터, 지지부(20)가 배관(60)의 유로(61) 내로 연장되어, 트랩부(10)의 내주면의 2점과 접합되어, 트랩부(10) 전체를 지지하고 있다. 지지부(20)는, 트랩부(10)를 유로(61) 내의 소정 위치에 지지할 수 있는 한, 다양한 구성으로 되어도 되지만, 가스의 흐름을 방해하지 않는 관점에서, 트랩부(10)와는 반대로, 가스와의 접촉 면적이 작은 형상의 쪽이 바람직하다. 따라서, 가스의 흐름에 대해 수직면을 넓은 면적으로 갖는 것보다, 도 1에 도시하는 바와 같이 봉상의 형상을 갖거나, 판상이라도 면이 가스의 흐름과 평행하게 되도록 배치되는 형상으로 구성되는 것이 바람직하다.The support portion 20 is a support member for holding and holding the trap portion 10 at a predetermined position in the flow path 61 of the pipe 60. [ As shown in Fig. 1, the support portion 20 may be configured to support the trap portion 10 by being bonded to, for example, an inner peripheral surface in the vicinity of the lower surface 13 of the trap portion 10. The support portion 20 is configured to have a strength capable of supporting the trap portion 10, for example, and is configured to support the trap portion 10 at a plurality of points. 1, the supporting portion 20 extends from the fixing member 30 fixedly attached to the flange surface 64 into the flow path 61 of the pipe 60 so that two points on the inner peripheral surface of the trap portion 10 And the whole of the trap portion 10 is supported. The supporting portion 20 may have various structures as long as it can support the trap portion 10 at a predetermined position in the flow path 61. In contrast to the trap portion 10, A shape having a small contact area with the gas is preferable. Therefore, as shown in Fig. 1, it is preferable to have a configuration in which it has a rod-like shape or a shape in which the plane is parallel to the flow of the gas, .

또한, 지지부(20)는, 트랩부(10)를 적절하게 지지할 수 있으면 그 개수는 불문하며, 1개여도 되고, 복수여도 된다. 또한, 지지부(20)를 구성하는 재료에 대해서도 특별히 한정은 없지만, 예를 들어 스테인리스 등의 금속 재료로 구성되어도 된다.The supporting portion 20 may be of any number, or may be of any number, as long as the trap portion 10 can be suitably supported. The material constituting the support portion 20 is not particularly limited, but may be made of a metal material such as stainless steel.

고정 부재(30)는, 지지부(20)를 고정 지지하기 위한 부재이다. 고정 부재(30)는, 지지부(20)를 고정 지지하기 위해 전용의 고정 부재(30)를 설치해도 되지만, 본 실시 형태에 있어서는, O-링(70)을 보유 지지하기 위한 이너 링이라고 불리는 부재를 겸용하고 있다. 즉, 고정 부재(30)는, 원래 지지부(20)를 고정하기 위해 설치되어 있는 부재가 아니라, O-링(70)을 플랜지면(64)끼리의 사이에 보유 지지하기 위해 설치되어 있는 기존의 부재이다. 이 원래 존재하는 고정 부재(30)에 지지부(20)를 고정하면, 무언가 새로운 부품을 추가하는 일 없이, 또한 배관(60)에 개조를 가하는 일 없이, 지지부(20)를 고정 지지하여, 지지부(20)를 통해 트랩부(10)를 고정 지지할 수 있다.The fixing member 30 is a member for holding and supporting the supporting portion 20. [ The fixing member 30 may be provided with a dedicated fixing member 30 for fixing and supporting the supporting portion 20. In this embodiment, the fixing member 30 is provided with a member called an inner ring for holding the O- . That is, the fixing member 30 is not a member provided for fixing the original supporting portion 20, but a conventional member for holding the O-ring 70 between the flange surfaces 64 Member. It is possible to fix the supporting portion 20 by fixing the supporting portion 20 to the originally existing fixing member 30 without adding any new parts and without modifying the piping 60, The trap portion 10 can be fixedly supported through the through holes 20.

또한, O-링(70)은 플랜지면(64)끼리의 사이에 설치되는 시일 부재의 일례이며, 다른 시일 부재가 사용되어도 되지만, 그 경우라도, 시일 부재를 보유 지지하는 부재를, 지지부(20)를 고정 지지하기 위한 고정 부재(30)로서 사용하도록 하면, 새로운 부품을 추가하는 일 없이, 지지부(20)를 고정할 수 있다.The O-ring 70 is an example of a seal member provided between the flange surfaces 64. Other seal members may be used, but even in this case, the O- Is used as the fixing member 30 for fixing and supporting the supporting portion 20, the supporting portion 20 can be fixed without adding a new component.

이와 같이, 종래부터 플랜지면(64)끼리의 사이에 설치되는 부재를 지지부(20)의 고정 부재(30)로서 사용함으로써, 비용 증가를 방지할 수 있음과 함께, 설치 스페이스를 새롭게 마련할 필요가 없어져, 트랩 장치(50)를 용이하게 조립하여 설치할 수 있다.As described above, the use of the member provided between the flange surfaces 64 as the fixing member 30 of the supporting portion 20 as described above can prevent an increase in cost, and it is necessary to newly provide a mounting space So that the trap device 50 can be easily assembled and installed.

또한, 이너 링 등으로 구성되는 고정 부재(30)도, 예를 들어 스테인리스 등의 금속 재료로 구성되어도 된다.The fixing member 30 made of an inner ring or the like may also be made of a metal material such as stainless steel.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 관한 트랩 장치(50)는, 배관(60)의 플랜지면(64)에 고정 부재(30)를 고정하고, 고정 부재(30)에 고정된 지지부(20)를 통해 가스와의 접촉 면적이 큰 트랩부(10)를 배관(10) 내의 유로(61)에 설치할 수 있어, 용이하게 트랩 효과가 큰 트랩부(10)를 배관(10)의 유로(61) 내에 배치할 수 있다.As described above, the trap device 50 according to the embodiment of the present invention is characterized in that the fixing member 30 is fixed to the flange surface 64 of the pipe 60 and the supporting portion 20 The trap portion 10 having a large contact area with the gas can be provided in the flow path 61 in the pipe 10 and the trap portion 10 having a large trap effect can be easily disposed in the flow path 61 ).

도 2는, 본 실시 형태에 관한 트랩 장치(50)를 배관(60)에 설치한 경우의 트랩 상태의 일례를 도시한 도면이다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 트랩부(10)의 양면에 부반응 생성물(90)이 포집된다. 배관(60)의 내주면(62)에도 부반응 생성물(90)은 부착되어 버리지만, 유로(61) 내에 설치된 트랩부(10)의 양면에 부반응 생성물(90)이 포집되므로, 부반응 생성물(90)의 대부분을 트랩부(10)에서 포집할 수 있어, 배관(60)의 내주면(62)에 부착되는 부반응 생성물(90)의 양을 저감시킬 수 있다. 이에 의해, 배관(60)의 내주면(62) 및 트랩부(10)의 모든 면에 부반응 생성물(90)의 부착을 분산시킬 수 있어, 각 부반응 생성물(90)의 두께를 얇게 할 수 있다. 따라서, F계 가스를 흐르게 하여 부반응 생성물(90)을 제거하는 클리닝을 행할 때, 거의 모든 부반응 생성물(90)을 제거할 수 있어, 부반응 생성물(90)의 심부에 F계 가스가 도달하지 않는다고 하는 사태의 발생을 방지할 수 있다.2 is a diagram showing an example of a trap state when the trap device 50 according to the present embodiment is provided in the pipe 60. Fig. As shown in Fig. 2, the side reaction products 90 are collected on both sides of the trap portion 10. The side reaction products 90 are adhered to the inner peripheral surface 62 of the piping 60. However, since the side reaction products 90 are collected on both sides of the trap portion 10 provided in the flow passage 61, It is possible to collect the majority of the side reaction products 90 adhered to the inner circumferential surface 62 of the piping 60 because the trapping portion 10 can capture the majority. This makes it possible to distribute the adherence of the side reaction products 90 to all the surfaces of the inner circumferential surface 62 of the pipe 60 and the trap portion 10 so that the thickness of each side reaction product 90 can be reduced. Therefore, when performing the cleaning to remove the side reaction product 90 by flowing the F-based gas, almost all the side reaction products 90 can be removed, and the F-based gas does not reach the deep part of the side reaction product 90 Occurrence of a situation can be prevented.

도 3은, 트랩 장치(50)를 설치하지 않는 종래의 클리닝 방법을 도시한 도면이다. 도 3의 (a)는, 클리닝을 행하기 전의 배관(60) 내의 상태를 도시한 도면이다. 트랩부(10)가 존재하지 않기 때문에, 배관(60)의 내주면(62) 상에 두껍게 부반응 생성물(90)이 부착된다.3 is a view showing a conventional cleaning method in which the trap device 50 is not provided. 3 (a) is a view showing the state in the pipe 60 before cleaning. Since the trap portion 10 is not present, the side reaction product 90 is adhered to the inner peripheral surface 62 of the pipe 60 to a large extent.

도 3의 (b)는, 클리닝을 행한 후, 또는 클리닝 중인 배관(60) 내의 상태를 도시한 도면이다. 클리닝을 행하면, F계 가스가 배관(60)의 내주면(62)과 부반응 생성물(90) 사이로 들어감으로써, 배관(60)의 내주면(62)의 상면에 부착된 부반응 생성물(90)이 하면으로 낙하해 버리는 현상이 발생한다. 즉, F계 가스의 공급에 의해, 부반응 생성물(90)이 에칭되어 완화되는 결과, 상면의 부반응 생성물(90)의 일부가 중력에 의해 낙하해 버린다.3 (b) is a view showing the state in the pipe 60 after cleaning or during cleaning. The F-based gas enters between the inner peripheral surface 62 of the pipe 60 and the side reaction product 90 so that the side reaction product 90 attached to the upper surface of the inner peripheral surface 62 of the pipe 60 falls A phenomenon that it does. That is, by the supply of the F-based gas, the side reaction product 90 is etched and relaxed, and as a result, a part of the side reaction product 90 falls due to gravity.

이러한 상태로 되면, 배관(60)의 내주면(62)의 하면 상에 두꺼운 부반응 생성물(90)이 퇴적된 상태로 되고, 이 두께가 지나치게 두꺼우면, F계 가스의 공급으로는 제거할 수 없게 되어 버린다. 그렇게 하면, 클리닝을 행해도 배관(60) 내에 부반응 생성물(90)의 일부가 잔류하여, 충분한 클리닝 효과를 얻을 수 없다. 또한, 이러한 상면으로부터의 부반응 생성물(90)의 낙하를 방지하기 위해서는, 부반응 생성물(90)의 두께가 그다지 두꺼워지지 않은 단계에서 클리닝을 행할 필요가 발생하여, 클리닝의 빈도를 높게 할 수밖에 없어져, 생산성이 저하되어 버린다.When this state is established, a thick side reaction product 90 is deposited on the lower surface of the inner circumferential surface 62 of the pipe 60. If this thickness is excessively large, it can not be removed by supplying the F system gas Throw away. Thus, even if the cleaning is performed, a part of the side reaction product 90 remains in the pipe 60, and sufficient cleaning effect can not be obtained. Further, in order to prevent the side reaction product 90 from falling from such an upper surface, it is necessary to carry out cleaning at the stage where the thickness of the side reaction product 90 is not so thick, so that the frequency of the cleaning is inevitably increased, .

이 점에서, 도 1, 도 2에 있어서 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 트랩 장치(50)에 따르면, 트랩부(10)의 양면에서 부반응 생성물(90)을 트랩할 수 있으므로, 배관(60)의 내주면(62)에 부착되는 부반응 생성물(90)의 두께를 얇게 할 수 있다. 따라서, F계 가스를 유로(61)에 흐르게 하면 부반응 생성물(90)의 제거가 용이하게 가능해지므로, 클리닝 주기를 길게 하는 것이 가능해진다.1 and 2, according to the trap apparatus 50 of the present embodiment, since the side reaction products 90 can be trapped on both surfaces of the trap section 10, the piping 60 The thickness of the side-reaction product 90 adhered to the inner peripheral surface 62 of the substrate 60 can be reduced. Therefore, if the F-based gas flows in the flow path 61, the side reaction products 90 can be easily removed, and the cleaning period can be made longer.

도 4는, 본 발명의 실시 형태에 관한 트랩 장치의 일례의 구성을 더욱 상세하게 도시한 도면이다. 도 4의 (a)는, 본 발명의 실시 형태에 관한 트랩 장치의 하면 측(좌측)으로부터의 정면도이고, 도 4의 (b)는, 본 발명의 실시 형태에 관한 트랩 장치의 저면도이다. 도 4의 (c)는, 발명의 실시 형태에 관한 트랩 장치의 상면 측으로부터의 정면도이고, 도 4의 (d)는, 도 4의 (b)의 A-A 단면도와 측면도를 조합한 도면이다. 도 4의 (e)는 도 4의 (d)의 부분 B의 확대도이다.Fig. 4 is a diagram showing in more detail the structure of an example of the trap device according to the embodiment of the present invention. 4 (a) is a front view of the trap device according to the embodiment of the present invention from the lower side (left side), and Fig. 4 (b) is a bottom view of the trap device according to the embodiment of the present invention. 4 (c) is a front view of the trap device according to the embodiment of the present invention from the upper surface side, and Fig. 4 (d) is a view in which A-A cross-sectional view and a side view of Fig. 4 (b) are combined. 4 (e) is an enlarged view of a portion B in FIG. 4 (d).

도 4의 (b)에 도시되는 바와 같이, 트랩부(10)는 전체적으로 원뿔대 형상을 가짐과 함께, 그 면은 메쉬 형상으로 구성되어 있다. 따라서, 트랩부(10)는, 격자 형상의 실체 부분과, 격자 형상의 실체 부분에 형성된 대략 정사각형의 개구(11)를 다수 갖는다. 전체적으로 가늘고 긴 길이 방향으로 연장된 원뿔대 형상을 갖고, 원뿔대의 상면(12)의 부분과 하면(13)의 부분에 각각 원형의 개구가 형성된다.As shown in Fig. 4 (b), the trap portion 10 has a truncated cone shape as a whole, and its surface is formed in a mesh shape. Therefore, the trap portion 10 has a lattice-like substance portion and a plurality of substantially square openings 11 formed in the lattice-like substance portion. And a circular opening is formed in each of the portions of the upper surface 12 and the lower surface 13 of the truncated cone.

하면(13)보다 더욱 좌측에 지지부(20)가 길이 방향을 따라 연장된다. 도 4에 있어서는, 3개의 지지부(20)가 설치된 예가 도시되어 있다. 또한, 3개의 지지부(20)는, 고정 부재(30)에 접합되어 있다. 또한, 트랩부(10) 하면(13)의 폭(직경)은, 고정 부재(30)보다 작고, 배관(60)의 내주면(62)과 하면(13) 사이에 간극이 형성되는 구성으로 되어 있다.The support portion 20 extends further along the longitudinal direction than the lower surface 13. In Fig. 4, an example in which three supporting portions 20 are provided is shown. Further, the three supporting portions 20 are bonded to the fixing member 30. The width (diameter) of the lower surface 13 of the trap portion 10 is smaller than that of the fixing member 30 and a gap is formed between the inner peripheral surface 62 and the lower surface 13 of the pipe 60 .

도 4의 (a)에 도시되는 바와 같이, 지지부(20)는 120°의 간격으로 3개 설치되어 있다. 이와 같이, 등간격으로 3개 이상의 지지부(20)를 설치하도록 해도 된다. 이에 의해, 밸런스 좋게 복수의 지지부(20)에 하중을 분배시켜 트랩부(10)를 지지할 수 있다.As shown in Fig. 4 (a), three supporting portions 20 are provided at intervals of 120 degrees. In this way, three or more supporting portions 20 may be provided at equal intervals. As a result, the load can be distributed to the plurality of support portions 20 in a well-balanced manner and the trap portion 10 can be supported.

도 4의 (b)에 도시되는 바와 같이, 상면(12)보다 약간 근원 부근의 저면에는, 저면 지지부(21)가 설치되어 있다. 저면 지지부(21)는, 상면(12) 부근의 선단 부분을 저면으로부터 지지하기 위해 설치되는 제2 지지부이다. 도 4의 (b)에 도시되는 바와 같이, 트랩부(10)가 가늘고 길게 구성된 경우에는, 근원측의 지지부(20)만으로는, 선단부의 지지가 불충분해질 우려도 있으므로, 필요에 따라서, 저면 지지부(21)를 상면(12) 부근에 설치하도록 해도 된다. 또한, 도 4의 (b), (d)에 도시되는 바와 같이, 저면 지지부(21)는 판상의 형상을 갖는다. 상면(12)은, 하면(13)과 비교하여 직경이 작으므로(폭이 좁으므로), 유로(61)에 수직인 판상으로 저면 지지부(21)를 구성해도, 유로(61)를 방해하는 일은 없다.As shown in Fig. 4 (b), the bottom surface supporting portion 21 is provided on the bottom surface near the base surface slightly more than the top surface 12. As shown in Fig. The bottom support portion 21 is a second support portion provided to support the tip portion near the top surface 12 from the bottom. As shown in Fig. 4 (b), when the trap portion 10 is elongated and elongated, there is a possibility that the support portion 20 on the root side only becomes insufficient in supporting the tip portion, 21 may be provided in the vicinity of the upper surface 12. 4 (b) and 4 (d), the bottom surface supporting portion 21 has a plate-like shape. Since the upper surface 12 has a smaller diameter than the lower surface 13 (the width is narrower), even if the bottom surface supporting portion 21 is formed in a plate shape perpendicular to the flow path 61, disturbance of the flow path 61 none.

도 4의 (c)에 도시되는 바와 같이, 상면(12)의 저면의 하방으로 돌출되어 저면 지지부(21)가 설치되어 있다. 저면 지지부(21)의 상단부(21a)는 상면(12)의 저면을 따르도록 원호 형상으로 형성된다. 또한, 저면 지지부(21)의 하단부(21b)도, 배관(60)의 내주면(62)을 따르도록 원호 형상으로 형성된다.As shown in Fig. 4 (c), the bottom surface supporting portion 21 is provided so as to protrude downward from the bottom surface of the top surface 12. The upper end portion 21a of the bottom support portion 21 is formed in an arc shape along the bottom surface of the upper surface 12. The lower end portion 21b of the bottom support portion 21 is also formed in an arc shape along the inner circumferential surface 62 of the pipe 60. [

도 4의 (d)는, 도 4의 (b)의 A-A 단면에서 트랩 장치(50)를 절단함과 함께, 측면으로부터 시인 가능한 부분을 그대로 도시한 도면이다. 또한, 도 4의 (b)는 저면도이므로, 도 4의 (d)는 트랩 장치(50)의 배관(60) 내에의 설치 시와 상하가 역전되어 있다.4 (d) is a view showing the trap device 50 cut along the A-A cross section in FIG. 4 (b), as well as a portion visible from the side. 4 (b) is a bottom view. Therefore, FIG. 4 (d) shows a state in which the trap device 50 is vertically reversed when installed in the piping 60.

도 4의 (d)에 도시되는 바와 같이, 트랩부(10)의 근원측의 내주면에 지지부(20)가 접합되고, 지지부(20)가 원환상의 고정 부재(30)의 내주면에 접합 고정되어 있다. 또한, 트랩부(10)의 선단측에는, 저면 지지부(21)가 설치되고, 트랩부(10)의 저면을 지지하고 있다. 트랩부(10)는, 원뿔대 형상을 가지므로, 도 4의 (b)의 저면도와 동일한 형상을 갖고 있다.The support portion 20 is joined to the inner circumferential surface of the base portion of the trap portion 10 and the support portion 20 is joined and fixed to the inner circumferential surface of the annular fixing member 30 as shown in Figure 4 (d) have. A bottom surface supporting portion 21 is provided at the tip end side of the trap portion 10 to support the bottom surface of the trap portion 10. [ Since the trap portion 10 has a truncated cone shape, it has the same shape as the bottom surface of Fig. 4 (b).

도 4의 (e)는, 도 4의 (d)의 부분 B의 확대도이다. 도 4의 (e)에 도시되는 바와 같이, 지지부(20)는 선단이 트랩부(10)의 내주면과 접촉하고, 근원 단부가 고정 부재(30)의 내주면에 접촉하도록 설치되어 있다. 이것들은, 예를 들어 용접에 의해 접합되고, 지지부(20)와 트랩부(10)의 내주면 및 지지부(20)와 고정 부재(30)의 내주면이, 각각 용접에 의해 접합되어, 고정된다. 이와 같이, 예를 들어 각 부품을 용접에 의해 접합해도 된다. 그 밖에, 접합 방법은, 용도에 따라서 다양한 방법 및 수단이 선택되어도 된다.4 (e) is an enlarged view of a portion B in Fig. 4 (d). 4 (e), the supporting portion 20 is provided so that its tip is in contact with the inner peripheral surface of the trap portion 10 and its root end is in contact with the inner peripheral surface of the holding member 30. [ These are joined by welding, for example, and the inner circumferential surface of the support portion 20 and the trap portion 10, and the inner circumferential surface of the support portion 20 and the fixing member 30 are welded together and fixed. Thus, for example, each component may be joined by welding. In addition, various methods and means may be selected for the joining method depending on the application.

도 5는, 본 발명의 실시 형태에 관한 배기계의 일례를 도시한 도면이다. 도 5에 있어서, 배관(60)은 단면으로 도시되고, 트랩 장치(50)는 측면으로 도시되어 있다. 도 5에 도시되는 바와 같이, 트랩 장치(50)는, 인접하는 배관(60)의 플랜지면(64)끼리의 사이에 O-링(70)이 배치되고, 이것을 보유 지지하는 이너 링(고정 부재(30))에 지지부(20)가 접합 고정된다. 또한, 대향하는 플랜지면(64)끼리를 고정하기 위해, 클램프(80)가 설치되고, 플랜지(63)를 외측으로부터 끼워 넣어 고정하고 있다. 즉, 이너 링과 클램프(80)로 협동하여, O-링(70)을 통해 플랜지면(64)끼리를 고정한다. 그리고, 이너 링을 고정 부재(30)로서 지지부(20)를 고정하기 위한 부재로서 사용함으로써, 플랜지(63) 부근에 1개의 트랩 장치(50)를 설치할 수 있다. 배관(60)끼리는, 플랜지면(64)끼리 접합하여 긴 배관(60)을 형성해 가므로, 이러한 구성에 의해, 1개의 배관(60)에 1개의 트랩 장치(50)를 설치할 수 있고, 배관(60)의 전체의 길이에 따라서 트랩 장치(50)를 설치할 수 있다. 이와 같이 하여 구성한 긴 배관(60)은, 배기계의 배관에 사용할 수 있고, 배기계(100)로서 구성할 수 있다.5 is a view showing an example of an exhaust system according to the embodiment of the present invention. In Fig. 5, the pipe 60 is shown in cross-section and the trap device 50 is shown in side view. 5, an O-ring 70 is disposed between the flange surfaces 64 of the adjacent pipes 60, and the inner ring (holding member) (Supporting member 30). Further, a clamp 80 is provided to fix the flange surfaces 64 facing each other, and the flange 63 is fitted and fixed from the outside. That is, the inner ring and the clamp 80 cooperate to fix the flange surfaces 64 via the O-ring 70. By using the inner ring as a member for fixing the supporting portion 20 as the fixing member 30, one trap device 50 can be provided in the vicinity of the flange 63. [ One trap device 50 can be installed in one pipe 60 and the other pipe device 60 can be installed in the pipe 60. In this case, The trap device 50 can be installed along the entire length of the trap device 50. The long pipe 60 constructed as described above can be used as a pipe for an exhaust system and can be configured as an exhaust system 100. [

이와 같이, 본 실시 형태에 관한 배기계(100)는, 접속하는 배관(60)의 개수에 따라서 트랩 장치(50)를 설치할 수 있어, 배관(60)이 길어져도, 높은 배기 성능을 실현할 수 있다.As described above, the exhaust system 100 according to the present embodiment can provide the trap apparatus 50 in accordance with the number of piping 60 to be connected, so that even if the piping 60 is elongated, high exhaust performance can be realized.

도 6은, 도 5와는 상이한 배기계의 일례를 도시한 도면이다. 도 6에 도시하는 배기계(101)는, 배관(60a)이 직선 형상이 아닌 곡선 형상으로 구성되어 있다. 이러한 경우는, 트랩부(10)의 원뿔대 형상의 정점(상면(12) 및 하면(13)의 무게 중심)과 배관(60a)의 중심축을 반드시 일치시킬 수는 없지만, 배관(60a)의 곡률에 가능한 한 적합하게 하여, 트랩부(10)가 배관(60a)의 내주면(62a)에 접촉하지 않도록 배치함으로써, 배관(60a)의 형상에 적합한 고효율의 부반응 생성물(90)의 포집이 가능한 트랩 장치(51)를 실현할 수 있다. 또한, 이러한 곡률에 맞춘 트랩부(10)의 배치는, 지지부(20)의 배치, 접합 위치, 길이 등을 조정함으로써 구성 가능하다.Fig. 6 is a view showing an example of an exhaust system different from that of Fig. 5. Fig. In the exhaust system 101 shown in Fig. 6, the pipe 60a is formed in a curved shape rather than a straight shape. In this case, although the vertex of the truncated cone of the trap portion 10 (the center of gravity of the upper surface 12 and the lower surface 13) and the central axis of the pipe 60a can not necessarily coincide, the curvature of the pipe 60a The trap device 10 is arranged so as not to contact the inner circumferential surface 62a of the piping 60a so that the trap device 10 capable of collecting the highly efficient side reaction product 90 suited to the shape of the piping 60a 51) can be realized. The arrangement of the trap portions 10 in accordance with such a curvature can be configured by adjusting the arrangement, bonding position, length, and the like of the support portion 20. [

또한, 도 6에 있어서는, 트랩 장치(50, 51)의 상면(12, 12a)끼리가 서로 대향하는 배치로 되어 있다. 이와 같이, 트랩 장치(50, 51)는 동일한 방향으로 배치할 필요는 없고, 용도에 따라서 다양한 방향의 배치로 할 수 있다. 도 1에 있어서, 하면(13)으로부터 상면(12)의 방향으로 가스가 흐르는 예를 들어 설명하였지만, 가스의 흐름이 반대 방향이라도, 처음에 가스가 닿는 면이 트랩부(10)의 외주면으로 될 뿐이며, 그 후의 가스 거동은 마찬가지이다. 즉, 적절하게 개구(11)를 통과하면서, 트랩부(10)의 경사면에 접촉하면서 양면을 오가 트랩부(10)의 길이 방향을 따라 흘러간다. 트랩부(10)의 양면을 가스가 흐르므로, 경사의 방향과 가스의 흐름의 관계는, 트랩의 거동 및 트랩 효율에 전혀 영향을 미치지 않는다. 따라서, 동일한 배관(60, 60a) 내에 서로 대향하도록 트랩 장치(50, 51)를 배치하는 것도 가능하다. 또한, 도 6에 있어서는, 배관(60a)의 곡률이 크기 때문에, 정확하게는 3개의 배관이 접속되어 있지만, 긴 배관이면, 1개의 배관(60, 60a) 내에 트랩부(10)를 대향 배치시키는 것은 가능하다.In Fig. 6, the upper surfaces 12, 12a of the trap devices 50, 51 are arranged so as to face each other. Thus, the trap devices 50 and 51 do not have to be arranged in the same direction, but can be arranged in various directions depending on the application. 1, the gas flows in the direction from the lower surface 13 to the upper surface 12. However, even if the flow of the gas is in the opposite direction, the surface to which the gas initially touches becomes the outer peripheral surface of the trap portion 10 And the subsequent gas behavior is the same. That is, both surfaces are flowing along the longitudinal direction of the orator trap portion 10 while being in contact with the inclined surface of the trap portion 10 while appropriately passing through the opening 11. Since the gas flows on both surfaces of the trap portion 10, the relationship between the direction of the tilt and the gas flow does not affect the behavior of the trap and the trap efficiency at all. Therefore, it is also possible to arrange the trap devices 50, 51 so as to face each other in the same piping 60, 60a. 6, since the curvature of the pipe 60a is large, exactly three pipes are connected. However, if the long pipe is used, the trap portion 10 is disposed in the one pipe 60, 60a It is possible.

이와 같이, 배기계(100, 101)는, 배관(60, 60a)의 형상에 맞추어 효율적으로 트랩 장치(50, 51)를 구성 및 배치할 수 있다.Thus, the exhaust systems 100 and 101 can constitute and arrange the trap apparatuses 50 and 51 efficiently according to the shapes of the pipes 60 and 60a.

도 7은, 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 도시한 도면이다. 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(200)는, 배기계(102)와, 처리실(110)과, 기판 적재대(120)와, 처리 가스 공급 수단(130)과, 처리 가스 공급원(140)과, 진공 펌프(150)와, 압력 제어기(160)를 구비한다.7 is a diagram showing an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 200 according to the present embodiment includes an exhaust system 102, a process chamber 110, a substrate mounting table 120, a process gas supply device 130, a process gas supply source 140, A vacuum pump 150, and a pressure controller 160.

기판 처리 장치(200)는, 처리실(110) 내에서 웨이퍼(W) 등의 기판을 기판 적재대(120) 상에 적재하고, 처리 가스 공급원(140)으로부터 공급되는 처리 가스를 처리 가스 공급 수단(130)에 의해 처리실(110) 내에 공급하여, 웨이퍼(W)에 기판 처리를 실시한다. 그리고, 처리실(110) 내는, 배기계(102)를 통해 접속된 진공 펌프(150)에 의해 진공 배기된다. 또한, 배기량은, 필요에 따라서 유량 제어기(160)에 의해 조정된다. 또한, 배기계(102)는, 도 5, 도 6에서 설명한 배기계(100, 101) 등을 사용하여 구성된다. 즉, 배관(60, 60a) 내에 트랩 장치(50, 51)를 구비하는 배기계(100, 101)이다.The substrate processing apparatus 200 is configured to load a substrate such as a wafer W onto the substrate mounting table 120 in the processing chamber 110 and to supply the processing gas supplied from the processing gas supply source 140 to the processing gas supply means 130 to the processing chamber 110 to perform the substrate processing on the wafer W. [ The inside of the processing chamber 110 is evacuated by a vacuum pump 150 connected through an exhaust system 102. Further, the displacement is adjusted by the flow controller 160 as required. The exhaust system 102 is constructed by using the exhaust systems 100 and 101 described with reference to Figs. 5 and 6. That is, this is exhaust systems 100 and 101 having trap apparatuses 50 and 51 in piping 60 and 60a.

이러한 기판 처리 장치에 있어서, 웨이퍼(W) 상에 처리 가스를 공급하여 성막, 에칭 등의 기판 처리를 행한 경우, 배기계(102)의 배관(60, 60a) 내에 부반응 생성물(90)이 생성되지만, 본 실시 형태에 관한 트랩 장치(50, 51)를 설치함으로써, 부반응 생성물(90)을 포획할 수 있다. 그리고, 부반응 생성물(90)의 양이 많아지면, 배기계(102)의 배관(60, 60a)을, F계 가스를 사용하여 클리닝하지만, 도 1, 도 2에서 설명한 바와 같이, 클리닝의 주기를 장기화할 수 있어, 생산성을 높일 수 있다.In such a substrate processing apparatus, side reaction products 90 are generated in the piping 60, 60a of the exhaust system 102 when the processing gas is supplied onto the wafer W to perform substrate processing such as film formation and etching. However, The side reaction products 90 can be trapped by providing the trap devices 50 and 51 according to the present embodiment. When the amount of the side reaction products 90 increases, the pipes 60 and 60a of the exhaust system 102 are cleaned by using the F-based gas. However, as described in FIGS. 1 and 2, And productivity can be improved.

또한, 기판 처리실(200)의 구성은, 기판 처리의 내용에 따라서, 다양한 구성으로 할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(200)는, 성막을 행하는 종형 열처리 장치여도 되고, ALD(Atomic Layer Deposition)법을 이용한 ALD 성막을 행하는 성막 장치여도 된다. 또한, CVD 성막 장치여도 되고, 에칭 장치 등이어도 된다. 배기계(102)의 배관(60, 60a) 내에 부반응 생성물(90)이 발생할 수 있는 장치 전반에 적용할 수 있다. 이것에 수반하여, 처리실, 기판 적재대(120), 처리 가스 공급 수단(130)의 구성도, 용도에 따라서 다양한 구성으로 해도 된다. 예를 들어, 기판 적재대(120)는, 복수의 웨이퍼를 세로 방향으로 간격을 두고 복수 매 보유 지지하는 웨이퍼 보트여도 되고, 회전 테이블 상에 복수의 웨이퍼를 주위 방향을 따라 배치하는 구성이어도 된다. 또한, 처리 가스 공급 수단도, 노즐 형상의 인젝터여도 되고, 샤워 헤드 등이어도 된다. 또한, 필요에 따라서 플라즈마 발생기를 설치해도 된다.The configuration of the substrate processing chamber 200 may be variously configured according to the contents of the substrate processing. For example, the substrate processing apparatus 200 may be a vertical type heat treatment apparatus for performing film formation, or may be a film formation apparatus for ALD film formation using an ALD (Atomic Layer Deposition) method. Further, a CVD film forming apparatus, an etching apparatus, or the like may be used. The present invention can be applied to all apparatuses in which the side reaction products 90 may occur in the piping 60, 60a of the exhaust system 102. The structure of the processing chamber, the substrate mounting table 120, and the processing gas supply means 130 may be variously configured depending on the application. For example, the substrate mounting table 120 may be a wafer boat holding a plurality of wafers in a longitudinal direction at a plurality of intervals, or a plurality of wafers may be arranged on the rotary table along the circumferential direction. The processing gas supply means may be a nozzle-shaped injector, a shower head, or the like. Further, a plasma generator may be provided as required.

이와 같이, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(200)는, 다양한 용도에 사용할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus 200 according to the present embodiment can be used for various applications.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명은, 상술한 실시 형태에 제한되는 일은 없고, 본 발명의 범위를 일탈하는 일 없이, 상술한 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and substitutions may be made without departing from the scope of the present invention. .

10 : 트랩부
11 : 개구
12, 12a : 상면
13 : 하면
20 : 지지부
21 : 저면 지지부
30 : 고정 부재
50, 51 : 트랩 장치
60, 60a : 배관
61 : 유로
62, 62a : 내주면
63 : 플랜지
64 : 플랜지면
70 : O-링
80 : 클램프
90 : 부반응 생성물
100, 101, 102 : 배기계
110 : 처리실
130 : 처리 가스 공급 수단
150 : 진공 펌프
200 : 기판 처리 장치
10:
11: aperture
12, 12a: upper surface
13: When you
20: Support
21: bottom support
30: Fixing member
50, 51: trap device
60, 60a: Piping
61: Euro
62, 62a: inner peripheral surface
63: Flange
64: flange surface
70: O-ring
80: Clamp
90: side reaction product
100, 101, 102: exhaust system
110: Treatment room
130: Process gas supply means
150: Vacuum pump
200: substrate processing apparatus

Claims (20)

배관 내의 유로에 설치되는 트랩부를 갖는 트랩 장치이며,
상기 트랩부는, 상기 배관 내의 유로에 대해 경사면을 갖고, 당해 경사면에 복수의 개구가 형성된, 트랩 장치.
A trap device having a trap portion provided in a flow path in a pipe,
Wherein the trap portion has an inclined surface with respect to a flow path in the pipe, and a plurality of openings are formed in the inclined surface.
제1항에 있어서,
상기 경사면은, 뿔대 형상의 측면을 이루는, 트랩 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the inclined surface forms a truncated side surface.
제2항에 있어서,
상기 뿔대 형상의 상면 및 하면의 부분에는 개구가 형성되어 있는, 트랩 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein an opening is formed in the top and bottom portions of the truncated cone.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 뿔대 형상은, 원뿔대인, 트랩 장치.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein the truncated cone is a truncated cone.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 뿔대 형상의 하면의 부분은, 상기 배관의 내주면으로부터 이격되어 설치되는, 트랩 장치.
The method according to claim 2 or 3,
And the lower portion of the truncated cone is provided spaced apart from the inner peripheral surface of the pipe.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 복수의 개구는, 상기 경사면의 개구 면적의 쪽이 비개구 면적보다 커지도록 형성되어 있는, 트랩 장치.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein the plurality of openings are formed so that an opening area of the inclined surface is larger than a non-opening area.
제6항에 있어서,
상기 복수의 개구는, 상기 경사면에 메쉬 형상으로 형성되어 있는, 트랩 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the plurality of openings are formed in a mesh shape on the inclined surface.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 트랩부는 금속 재료로 이루어지는, 트랩 장치.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein the trap portion is made of a metal material.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 트랩부를 지지하는 지지부를 갖고,
당해 지지부는, 인접하는 배관끼리가 접속되는 플랜지면끼리의 사이에 설치된 고정 부재에 고정 지지되어 있는, 트랩 장치.
The method according to claim 2 or 3,
And a support portion for supporting the trap portion,
Wherein the support portion is fixedly supported by a fixing member provided between flange surfaces to which adjacent pipes are connected.
제9항에 있어서,
상기 지지부는, 상기 뿔대 형상의 하면 부근의 상기 경사면의 내주면에 설치되어 있는, 트랩 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the support portion is provided on an inner peripheral surface of the inclined surface in the vicinity of the truncated cone-shaped bottom surface.
제10항에 있어서,
상기 지지부는, 복수 설치되어 있는, 트랩 장치.
11. The method of claim 10,
Wherein a plurality of the support portions are provided.
제9항에 있어서,
상기 고정 부재는, 상기 플랜지면끼리의 사이에 설치되는 시일 부재를 보유 지지하기 위한 부재인, 트랩 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the fixing member is a member for holding a seal member provided between the flange surfaces.
제12항에 있어서,
상기 시일 부재는 O-링이고,
상기 고정 부재는 당해 O-링의 내주면을 보유 지지하는 원환상의 부재인, 트랩 장치.
13. The method of claim 12,
The seal member is an O-ring,
And the fixing member is an annular member that holds the inner circumferential surface of the O-ring.
제9항에 있어서,
상기 배관의 내주면에 장착 고정되고, 상기 뿔대 형상의 상면 부근의 상기 경사면의 외주면을 지지하는 제2 지지부를 더 갖는, 트랩 장치.
10. The method of claim 9,
And a second support portion which is fixedly mounted on an inner circumferential surface of the pipe and supports an outer circumferential surface of the inclined surface near the upper surface of the truncated cone.
제9항에 있어서,
상기 뿔대 형상의 정점이, 상기 배관의 유로 중심과 일치하도록 상기 경사면이 상기 지지부에 의해 지지된, 트랩 장치.
10. The method of claim 9,
And the inclined surface is supported by the support portion so that the vertex of the truncated cone is aligned with the center of the flow path of the pipe.
제9항에 있어서,
상기 배관이 구부러져 있을 때, 트랩부 중심의 일부가 상기 배관의 유로의 중심을 지나 상기 배관의 내주면에 비접촉으로 되도록 상기 지지부에 의해 지지된, 트랩 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein when the pipe is bent, a part of the center of the trap portion is supported by the support portion so as to pass through the center of the flow path of the pipe and not contact the inner circumferential surface of the pipe.
플랜지를 개재하여 접속된 복수의 배기계 배관과,
당해 플랜지에 고정되어 설치된 제9항에 기재된 트랩 장치를 갖는, 배기계.
A plurality of exhaust system piping connected via a flange,
An exhaust system having the trap device according to claim 9 fixedly attached to the flange.
제17항에 있어서,
상기 트랩 장치는, 상기 복수의 배기계 배관에 각각 1개씩 설치된, 배기계.
18. The method of claim 17,
Wherein said trap device is provided in each of said plurality of exhaust system pipings one by one.
제17항에 있어서,
상기 트랩 장치는, 상기 복수의 배기계 배관 중 1개의 배관 내에 상기 뿔대 형상의 상면이 서로 대향하도록 설치된, 배기계.
18. The method of claim 17,
Wherein the trap device is provided so that the tops of the truncated pyramids are opposed to each other in one piping of the plurality of exhaust system pipings.
처리실과,
당해 처리실에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과,
당해 처리실을 배기하기 위한 배기 펌프와,
상기 처리실과 상기 배기 펌프 사이에 접속되어 설치된 제17항에 기재된 배기계를 갖는, 기판 처리 장치.
A processing chamber,
A processing gas supply means for supplying a processing gas to the processing chamber,
An exhaust pump for exhausting the processing chamber,
And an exhaust system according to claim 17 connected between the processing chamber and the exhaust pump.
KR1020170031969A 2016-03-17 2017-03-14 Trap apparatus and exhaust system using the same, and substrate processing apparatus KR102218496B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016053431A JP6628653B2 (en) 2016-03-17 2016-03-17 Trap apparatus, exhaust system using the same, and substrate processing apparatus
JPJP-P-2016-053431 2016-03-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170108856A true KR20170108856A (en) 2017-09-27
KR102218496B1 KR102218496B1 (en) 2021-02-19

Family

ID=59904876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170031969A KR102218496B1 (en) 2016-03-17 2017-03-14 Trap apparatus and exhaust system using the same, and substrate processing apparatus

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6628653B2 (en)
KR (1) KR102218496B1 (en)
CN (1) CN107201506B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6822926B2 (en) 2017-04-24 2021-01-27 株式会社Soken Antenna device
TWI783382B (en) * 2020-03-18 2022-11-11 日商國際電氣股份有限公司 Substrate processing apparatus, exhaust apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10140357A (en) 1996-11-13 1998-05-26 Tokyo Electron Ltd Trapping device
US20100166630A1 (en) * 2008-12-23 2010-07-01 Mks Instruments, Inc. Reactive chemical containment system
JP2014176800A (en) * 2013-03-14 2014-09-25 Renesas Electronics Corp Mist separator, resist coating device and production method of semiconductor device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5820641A (en) * 1996-02-09 1998-10-13 Mks Instruments, Inc. Fluid cooled trap
JP2000045073A (en) * 1998-07-29 2000-02-15 Kokusai Electric Co Ltd Exhaust trap and treating device
JP4285108B2 (en) * 2003-06-25 2009-06-24 東京エレクトロン株式会社 Trap device, processing system, and impurity removal method
JP4642379B2 (en) * 2004-05-12 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 Exhaust collector
JP5135856B2 (en) * 2007-03-31 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 Trap device, exhaust system and treatment system using the same
JP5524132B2 (en) * 2010-07-15 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 Thin film forming apparatus cleaning method, thin film forming method, and thin film forming apparatus
JP6289859B2 (en) * 2013-10-21 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 Trap apparatus and substrate processing apparatus
JP6468884B2 (en) * 2014-04-21 2019-02-13 東京エレクトロン株式会社 Exhaust system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10140357A (en) 1996-11-13 1998-05-26 Tokyo Electron Ltd Trapping device
US20100166630A1 (en) * 2008-12-23 2010-07-01 Mks Instruments, Inc. Reactive chemical containment system
JP2014176800A (en) * 2013-03-14 2014-09-25 Renesas Electronics Corp Mist separator, resist coating device and production method of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102218496B1 (en) 2021-02-19
CN107201506A (en) 2017-09-26
JP6628653B2 (en) 2020-01-15
JP2017166031A (en) 2017-09-21
CN107201506B (en) 2023-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102445347B1 (en) Showerhead assembly and components thereof
TWI714339B (en) Apparatus for collecting by-product of semiconductor manufacturing process
KR102301024B1 (en) Trap apparatus and substrate processing apparatus
JP2014012891A5 (en) Substrate processing system and atomic layer deposition system
KR102218496B1 (en) Trap apparatus and exhaust system using the same, and substrate processing apparatus
US11306971B2 (en) Heat exchanger with multistaged cooling
JP6804621B1 (en) Channel direction change type reaction by-product collection device for semiconductor processes
US11114285B2 (en) Apparatus for exhaust cooling
JP2012204650A (en) Particle capturing unit, manufacturing method of particle capturing unit and substrate processing apparatus
KR100964320B1 (en) Aapparatus for collecting remaining chemicals and by-products in semiconductor processing using particle inertia
US20050000201A1 (en) Apparatus for and method of trapping products in exhaust gas
US20140014269A1 (en) Processing apparatus
KR101480237B1 (en) Equipment for gathering particle
JP6888159B2 (en) Effective and new design for low particle count and better wafer quality by diffusing the flow inside the chamber
JP2002118065A (en) Treatment method of semiconductor gas and filter device
JP6014215B2 (en) Particle capturing unit, method for manufacturing the particle capturing unit, and substrate processing apparatus
KR20110023252A (en) Intercepting apparatus for remain chemicals and by-products in the process of manufacturing semi-conductors
JP6099508B2 (en) Gas trap and semiconductor manufacturing apparatus having the same
KR20120114644A (en) Gas processing line and substrate treatment apparatus having the same
JP2006167666A (en) Exhaust gas trapping apparatus and exhaust gas trapping method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant