KR20110023252A - Intercepting apparatus for remain chemicals and by-products in the process of manufacturing semi-conductors - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A device for collecting remaining chemical and byproducts in a semiconductor process is provided to increase cooling efficiency by forming a case with a dual tube and supplying coolant to a space between dual tubes. CONSTITUTION: A processor chamber(1) receives process chemical and processes a wafer. A vacuum pump(2) inhales gas from a processor chamber and maintains the vacuum of a chamber. A first collector(4a) is installed between an inlet of the vacuum pump and a gas outlet of a processor chamber. The first collector collects liquid or powder by reacting with byproducts inputted to the vacuum pump. A second collector(4b) collects liquid or powder by reacting with chemical inputted to the vacuum pump.

Description

반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치{Intercepting apparatus for remain chemicals and by-products in the process of manufacturing semi-conductors}Intercepting apparatus for remain chemicals and by-products in the process of manufacturing semi-conductors}

본 발명은 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 프로세서 챔버의 출구와 연결된 진공펌프의 전단부를 포함하여 프로세서 챔버의 점검 등으로 인해 공정 케미칼을 프로세서 챔버로 유입시키지 못하고 진공펌프 측으로 직접 유입시킬 때 공정 케미칼 바이패스 라인 상에 부산물 유입구와 폐가스 배출구가 상판에 동시에 구비되고 3개의 액화튜브가 3중으로 구비됨은 물론 함체 자체가 공간부로 냉각수가 흐를 수 있는 2중관으로 구성된 포집기를 설치하여, 반도체 제조 공정에서 사용된 후 배출되는 케미칼을 포함한 인체에 치명적인 유독성, 부식성, 인화성 가스 등과 같은 부산물을 진공펌프와 스크러버를 통해 배기시킬 때 이들로 유입되는 미반응 케미칼 및 각종 부산물의 일부를 액상 또는 파우더로 반응 포집할 수 있도록 함은 물론 케이칼의 일부를 액상 또는 파우더 형태로 반응 포집하는 방식을 통해 반도체 제조 공정의 완료 후 프로세서 챔버에서 배출되거나 공정 케미칼 자체가 진공펌프 측으로 직접 바이패스되는 과정에서 배기 라인이나 진공펌프 및 스크러버 내에서 반응하여 액상 또는 파우더로 변환됨 으로 인해 발생되는 배관 막힘이나 진공펌프 및 스크러버의 효율저하 문제 및 진공펌프의 불시정지 등의 문제를 해결할 수 있고, 특히 진공펌프의 불시 정지 같은 문제는 생산도중 일어날 경우 생산품의 불량으로 인한 폐기, 장비 가동율 저하 등의 큰 경제적 손실을 가져올 수 있는 문제점을 해결할 수 있도록 하여 반도체 제조에 따른 생산비용을 대폭 절감할 수 있도록 발명한 것이다.The present invention relates to a device for collecting residual chemicals and by-products in a semiconductor process, and more particularly, to prevent process chemicals from being introduced into a processor chamber due to inspection of the processor chamber, including a front end portion of a vacuum pump connected to an outlet of the processor chamber. By-product inlet and waste gas outlet are provided on the top plate at the same time on the process chemical bypass line and three liquefied tubes are provided on the top plate, and the enclosure itself consists of a double tube that allows the coolant to flow into the space. And by-products such as toxic, corrosive and flammable gases that are fatal to the human body, including chemicals emitted after being used in the semiconductor manufacturing process, are part of unreacted chemicals and various by-products that enter them when evacuated through vacuum pumps and scrubbers. Half into liquid or powder In addition, by collecting a part of the kkal in the form of a liquid or powder reaction, it is discharged from the processor chamber after the completion of the semiconductor manufacturing process or the process chemical itself is bypassed directly to the vacuum pump side It can solve the problems such as pipe clogging caused by the reaction in the vacuum pump and the scrubber and converting into liquid or powder, and the problem such as the efficiency decrease of the vacuum pump and the scrubber, and the sudden stop of the vacuum pump. The problem has been invented to significantly reduce the production cost of semiconductor manufacturing by solving the problems that can cause a large economic loss, such as disposal due to defective products, lowering the equipment utilization rate during production.

특히, 상기 포집기의 함체 상판에 부산물 유입구와 폐가스 배출구를 모두 배치시키되, 상기 폐가스 배출구에 연결된 배기관의 저단부는 함체의 상부측에 위치되도록 하여, 함체의 내부로 유입된 부산물의 일부라도 곧바로 배출되는 것을 방지하고, 또 포집기를 다루는 과정에서도 함체가 좌,우로 흔들려도 함체 내에 포집된 액상의 부산물이 외부로 배출되는 것을 완벽히 방지하며, 또한 함체의 내부에서 수평방향으로 일정간격을 두고 설치되던 부산물 포집판 대신 서로 다른 직경을 갖는 액화튜브를 3중으로 수직하게 설치하여 부산물 포집 공간부를 대폭 확대하고, 함체 내로 유입된 부산물은 각각 90도의 각도 차를 갖고 천공된 가스 유입공을 통해 1차 내지 3차 액화튜브를 순차적으로 통과한 후 배기관을 통해 배출되도록 하여 가스의 동선(이동거리)을 길게 할 수 있을 뿐만 아니라 포집관의 기능을 수행하는 3중 액화튜브와의 접촉 확률도 크게 하여 액상 부산물의 포집 효율을 대폭 높이며, 또 함체 자체를 2중 관으로 형성하고 이들 2중 관 사이에 형성된 공각부로 냉각수를 공급시켜 포집기에 대한 냉각효율을 대폭 증진시키는 방식을 통해 부산물의 포집 효율을 더욱 증진시킬 수 있도록 발명한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치에 관한 것이다.In particular, all the by-product inlet and the waste gas outlet is disposed on the upper plate of the collector, the lower end of the exhaust pipe connected to the waste gas outlet is located on the upper side of the enclosure, so that any part of the by-product introduced into the inside of the enclosure is immediately discharged In the process of preventing and handling the collector, the by-product collecting plate which was installed at a certain interval in the horizontal direction from the inside of the enclosure is completely prevented from being discharged to the outside even if the enclosure is shaken to the left or right. Instead, liquefied tubes with different diameters are installed vertically in triplicate to greatly expand the by-product collection space, and the by-products introduced into the enclosure have angles of 90 degrees, respectively, and the first to third liquefied tubes through perforated gas inlets. After passing through the gas in order to be discharged through the exhaust pipe (gas movement distance) Not only can it lengthen, but also the contact probability with the triple liquefied tube, which performs the function of the collection tube, greatly increases the collection efficiency of the liquid by-products, and also forms the enclosure itself as a double tube, The present invention relates to a residual chemical and by-product collecting device in the semiconductor process invented to further enhance the collection efficiency of by-products by supplying cooling water to the formed hollow parts to greatly increase the cooling efficiency of the collector.

일반적으로 반도체 제조 공정에서 사용되고 있는 프로세서 챔버는 반도체 전공정에서 실제로 웨이퍼의 공정이 이루어지고, 진공펌프는 진공상태에서 공정을 진행하기 위하여 프로세서 챔버로부터 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지하며, 스크러버는 배기 전에 필터링이 필요한 유독가스 등을 거르거나 집진하는 장치를 말한다.In general, the processor chamber used in the semiconductor manufacturing process is actually a wafer process in the entire semiconductor process, the vacuum pump sucks gas from the processor chamber to maintain the vacuum in the chamber to proceed the process in a vacuum state, the scrubber It refers to a device that filters or collects toxic gases that require filtering before exhausting.

그런데 이와 같은 반도체 제조장치를 이용하여 반도체를 제조하는 공정에서는 인체에 치명적인 각종 유독성, 부식성, 인화성 가스를 다량으로 사용한다.However, in the process of manufacturing a semiconductor using such a semiconductor manufacturing apparatus, a large amount of various toxic, corrosive, and flammable gases that are fatal to the human body are used.

예를 들어 화학기상성장법(CVD: Chemical Vapor Deposition) 공정에서는 다량의 실란, 디클로로 실란, 암모니아, 산화질소, 아르신, 포스핀, 디보론, 보론, 트리클로라이드 등을 사용하는바, 이들은 반도체 공정 중 미량만이 소비되고, 잉여 배출되는 폐가스는 비교적 고농도의 유독물질을 함유하고 있다.For example, in the chemical vapor deposition (CVD) process, a large amount of silane, dichloro silane, ammonia, nitrogen oxide, arsine, phosphine, diboron, boron, trichloride, etc. are used. Only a small amount is consumed, and the surplus waste gas contains a relatively high concentration of toxic substances.

또한, 저압 CVD공정, 플라즈마 강화 CVD, 플라즈마 에칭, 에피택시 증착 등과 같은 여러 반도체 공정들에서도 각종의 유독성 폐가스인 부산물이 생성된다.In addition, various semiconductor processes, such as low pressure CVD, plasma enhanced CVD, plasma etching, epitaxy deposition, etc., generate various by-products of toxic waste gases.

이러한 부산물인 폐가스처리는 최근 들어 환경에 대한 관심이 증대됨에 따라, 중요문제로 대두 되고 있으며 현재 이러한 폐가스를 대기중에 방출하기 전에 폐가스의 유독성 물질을 제거하는 것이 환경적으로 법적으로 의무화되었다.Waste gas treatment, a by-product, has recently become an important issue as environmental concerns have increased, and it is now legally mandatory to remove toxic substances from waste gas before it is released into the atmosphere.

이러한 차원에서 반도체 제조공정으로부터 유출되는 폐가스를 처리하기 위한 다양한 방법들이 연구되고 실용화되어 오긴 했으나, 현재까지 개발된 폐가스 처리장치는 그다지 만족할만한 성능과 효과를 거두지 못하였을 뿐만 아니라 많은 결함 을 안고 있다.To this end, various methods for treating waste gas emitted from semiconductor manufacturing process have been studied and put to practical use, but the developed waste gas treatment system has not only achieved satisfactory performance and effects but also has many defects.

한편, 반도체의 제조에 따른 프로세서를 위하여 챔버로 유입된 가스는 일부만 공정에 사용되고 나머지는 배기되는데, 이때 상기 프로세서 챔버로 유입되어 공정 케미칼로 사용되는 가스는 상온에서 기체로 존재하여 프로세서 챔버 내부로 가스상태로 쉽게 유입시켜 공정에 사용하기도 하나, 액체 상태의 케미칼은 공정에 사용하기 위하여 기체 상태로 변환된다. 용기압력을 낮추거나 히팅을 하여 기체상태로 만든 후 챔버로 유입시켜 공정에 사용하는 것이며, 챔버로 유입된 후 남은 케미칼은 기체 상태로 혹은 액체상태로 진공펌프로 유입되어 반응하거나 파우더를 형성하면 문제를 일으킬 수 있는 것이다.On the other hand, only a portion of the gas introduced into the chamber for the processor according to the manufacturing of the semiconductor is used in the process and the rest is exhausted, wherein the gas introduced into the processor chamber and used as the process chemical is present as a gas at room temperature to the gas into the processor chamber Although easily introduced into the state for use in the process, the liquid chemical is converted to gaseous state for use in the process. If the pressure is lowered or heated to make it into a gaseous state and then flowed into the chamber to be used for the process, the remaining chemical after entering the chamber is introduced into the gaseous or liquid state by a vacuum pump and reacts or forms a powder. It can cause.

즉, 반도제 제조공정에서 사용된 가스는 배기과정에서 배기 라인이나 진공펌프 및 스크러버 내에서 반응하여 파우더를 형성하면 배관 막힘이나 진공펌프 및 스크러버의 효율저하 문제로 이어지고 있음은 물론 진공펌프의 불시정지 등의 문제가 발생할 수 있는데, 특히 진공펌프의 불시 정지 같은 문제는 생산도중 일어날 경우 생산품의 불량으로 인한 폐기, 장비 가동율 저하 등의 큰 경제적 손실을 가져올 수 있다.In other words, when the gas used in the semiconductor manufacturing process reacts in the exhaust line, the vacuum pump and the scrubber during the exhaust process, the powder is formed, which leads to the problem of pipe clogging or the efficiency decrease of the vacuum pump and the scrubber. In particular, problems such as an unexpected stop of the vacuum pump may cause a large economic loss such as disposal due to defective products and a decrease in equipment utilization rate.

이를 막기 위하여, 종래에는 현재 진공펌프가 멈추기 전에 주기적으로 펌프 자체를 교체하는 작업이 이루어지고 있고, 사용 후의 진공펌프에 대하여서는 세정이나 수리가 실시되고 있는데, 이와 같은 과정이 반도체의 제조 중 자주 발생되고 있다보니 결국 반도체 제조에 따른 생산비용을 대폭 증대시키게 되는 문제점으로 대두되고 있는 실정이다.In order to prevent this, conventionally, the pump itself is periodically replaced before the vacuum pump stops, and the vacuum pump after use is cleaned or repaired, and such a process is frequently performed during the manufacture of semiconductors. As a result, the situation is emerging as a problem that will significantly increase the production cost of semiconductor manufacturing.

따라서 본 출원인은 2007년 특허출원 제 0121579호로 "반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치"를 제시한 바 있는데, 이는 공정 케이칼을 유입 받아 반도체 전공정에서 실제로 웨이퍼의 공정을 실시하는 프로세서 챔버와, 프로세서 챔버로부터 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지하는 진공펌프 및 진공펌프를 통해 배출되는 가스의 배기 전에 필터링이 필요한 유독가스를 거르거나 집진하는 스크러버를 구비한 반도체 제조 공정에서 발생되는 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치에 있어서, 상기 프로세서 챔버의 가스 배출구와 진공펌프의 입구 사이에서 진공펌프 측으로 유입되는 부산물에 반응을 일으켜 액상 또는 파우더로 그 일부를 포집하는 제 1 포집기를 부가 설치하거나, 또는 상기 프로세서 챔버의 입구에 연결된 공정 케미칼 유입 라인을 진공펌프 입구 측으로 연결하는 바이패스 라인을 부가 설치하되, 상기 바이패스 라인 상에는 프로세서 챔버의 점검으로 인해 진공펌프로 직접 유입되는 케미칼에 반응을 일으켜 액상 또는 파우더로 그 일부를 포집하는 제 3 포집기를 부가 설치한 구성으로 되어 있을 뿐만 아니라, 상기 진공펌프의 출구와 스크러버 입구 사이에 스크러버 측으로 유입되는 부산물에 반응을 일으켜 액상 또는 파우더로 그 일부를 포집하는 제 2 포집기를 더 설치한 구성으로 되어 있다.Accordingly, the applicant has proposed a patent application No. 0121579, "Residual chemical and by-product collection device in the semiconductor process" in 2007, which is a processor chamber that receives the process cakal and actually processes the wafer in the entire semiconductor process And residual chemicals and by-products generated in a semiconductor manufacturing process including a vacuum pump that sucks gas from the processor chamber to maintain the vacuum in the chamber, and a scrubber that filters or collects toxic gases that need to be filtered before exhausting the gas discharged through the vacuum pump. In the exhaust device, a first collector is installed between the gas outlet of the processor chamber and the inlet of the vacuum pump to react with the by-product flowing into the vacuum pump to collect a part of the liquid or powder, or the Process chemical inlet line connected to the inlet A bypass line connecting to the inlet side of the vacuum pump is additionally installed, and a third collector is installed on the bypass line to react with chemicals directly flowing into the vacuum pump due to the inspection of the processor chamber and collect a part of the liquid or powder. In addition to the configuration, the second collector is further installed between the outlet of the vacuum pump and the scrubber inlet to react with the by-product flowing into the scrubber and collect a part of the liquid or powder.

그런데, 이때 상기 제 1 내지 제 3 포집기는, 상면과 저면 중앙부에 부산물 유입구와 폐가스 배출구가 각각 형성된 원통형 함체의 상면 천정부에는 수개의 고정봉을 설치하며, 상기 고정봉 상에는 지름이 서로 다른 와셔형 판 및 원판 형상을 갖는 수개의 내,외측 부산물 포집판을 일정간격을 두고 교호로 적층 설치하고, 상기 함체의 바닥면에는 원통체를 설치하여 상기 원통체의 외주면과 함체의 내주면 사이에 부산물 포집 공간부가 형성되게 하며, 상기 함체의 외주면 상에는 냉각코일을 권취시키는 형태로 설치하되 상기 냉각코일의 외측에는 냉기배출 방지용 외통을 설치한 구성으로 되어 있거나, 상면과 저면 중앙부에 부산물 유입구와 폐가스 배출구가 각각 형성된 원통형 함체의 상면 일측부에는 O3 또는 O2 유량 제어기를 연결하고, 상기 함체의 상면 천정부에는 수개의 고정봉을 설치하며, 상기 고정봉의 상방부에는 기상 또는 액상인 상태로 유입되는 케미칼과 O3 또는 O2를 가열하여 포집 효율을 증대시켜 주기 위한 히터를 설치하며, 상기 히터의 저면과 함체의 바닥면 사이의 고정봉 상에는 지름이 서로 다른 와셔형 판 및 원판 형상을 갖는 수개의 내,외측 부산물 포집판을 일정간격을 두고 교호로 적층 설치한 구성으로 되어 있다.However, in this case, the first to third collectors are provided with a plurality of fixing rods on the top ceiling of the cylindrical housing in which the by-product inlet and the waste gas outlet are formed at the upper and lower centers, respectively, and the washers of different diameters on the fixing rod. And alternately stacking several inner and outer by-product collecting plates having a disk shape at regular intervals, and installing a cylindrical body on the bottom surface of the housing to provide a by-product collecting space between the outer circumferential surface of the cylindrical body and the inner circumferential surface of the housing. It is formed in the form of winding the cooling coil on the outer circumferential surface of the enclosure, the outer side of the cooling coil is configured to have a cold air discharge preventing outer cylinder, or the by-product inlet and waste gas outlet formed in the upper and bottom center respectively O 3 on one side of the upper surface of the enclosure Or O 2 flow controller is connected, and a plurality of fixed rods are installed in the ceiling of the upper surface of the enclosure, and the chemicals and O 3 introduced in the gaseous or liquid state above the fixed rods. Alternatively, a heater is installed to increase the collection efficiency by heating O 2 , and several inner and outer by-products having a washer-shaped plate and a disc shape having different diameters on the fixing rod between the bottom of the heater and the bottom of the enclosure. The collector plates are laminated alternately at regular intervals.

따라서, 반도체 제조 공정 중 프로세서 챔버에서 배출되거나 공정 케미칼 자체가 진공펌프 측으로 직접 바이패스되는 과정에서 배기 라인이나 진공펌프 및 스크러버 내에서 반응하여 파우더가 형성됨으로 인해 발생되는 배관 막힘이나 진공펌프 및 스크러버의 효율저하 문제 및 진공펌프의 불시정지 등의 문제를 해결할 수 있고, 또 진공펌프의 불시 정지 같은 문제는 생산도중 일어날 경우 생산품의 불량으로 인한 폐기, 장비 가동율 저하 등의 큰 경제적 손실을 가져올 수 있는 문제점을 해결할 수 있어 반도체 제조에 따른 생산비용을 어느 정도 절감할 수 있었다.Accordingly, pipe clogging or vacuum pumps and scrubbers caused by powder formation by reacting in the exhaust line or the vacuum pump and the scrubber in the process of being discharged from the processor chamber or the process chemical itself is directly bypassed to the vacuum pump during the semiconductor manufacturing process. Problems such as deterioration of efficiency and sudden stop of the vacuum pump can be solved, and problems such as sudden stop of the vacuum pump can cause big economic losses such as waste due to defective products and lowered equipment utilization rate during production. As a result, the production cost of semiconductor manufacturing could be reduced to some extent.

그러나, 상기에서 사용된 제 1 내지 제 2 포집기의 경우 폐가스 배출구가 함체의 저면에 형성되어 있을 뿐만 아니라 함체의 상면과 저면에 설치된 부산물 유입구와 폐가스 배출구가 수직선상에서 일직선으로 배치되어 있어 함체의 내부로 유입 된 부산물의 일부가 곧바로 배출될 우려가 있음은 물론 포집기를 다루는 과정에서 함체 내에 포집된 액상의 부산물이 흘러내릴 수 있는 문제점이 있다.However, in the case of the first to second collectors used above, not only waste gas outlets are formed on the bottom of the enclosure, but also the by-product inlets and waste gas outlets installed on the top and bottom of the enclosure are arranged in a straight line in a vertical line. There is a concern that some of the by-products introduced may be discharged immediately, and there is a problem that the by-products of the liquid collected in the enclosure may flow while handling the collector.

또 함체의 바닥면에 원통체를 설치하여 원통체의 외주면과 함체의 내주면 사이에 부산물 포집 공간부가 형성되도록 한 경우 함체의 내부에 형성되는 부산물 포집판의 설치 공간을 확보하기 힘들며, 또한 포집기들을 설치장소로부터 분리하여 사람이 다룰 때 좌,우로 흔들릴 경우 부산물이 원통체의 상단면을 흘러 넘어 폐가스 배출구를 통해 외부로 배출될 우려가 있다.In addition, when the by-product collection space is formed between the outer circumference of the cylinder and the inner circumference of the enclosure by installing the cylindrical body on the bottom surface of the enclosure, it is difficult to secure the installation space of the by-product collecting plate formed inside the enclosure, and also install the collectors. If the product is separated from the place and shaken to the left or right when handled by people, the by-product may flow over the top surface of the cylinder and be discharged to the outside through the waste gas outlet.

뿐만 아니라, 함체의 상부에 설치된 부산물 유입구를 통해 내부로 유입된 공정 케미칼이 폐가스 배출구 측으로 흘러 내려갈 때 내,외측 부산물 포집판 사이를 지그재그식으로 흘러 내려가게 되는데, 이때 그 거리가 매우 짧고 각각의 부산물 포집판들과의 접촉확률이 낮아 부산물의 포집효과가 저하되는 문제가 있고, 또 냉각수를 공급해 주기 위한 냉각장치로 냉각 코일을 사용하고 있어 함체의 외면 전체에 냉각수가 접촉되지 않은 형태를 갖게 되어 냉각 효율이 저하되는 등의 문제점이 있다.In addition, when the process chemicals introduced into the through-product inlet installed in the upper part of the enclosure flow down to the waste gas outlet side, the internal and external by-product collecting plates flow down in a zigzag manner, whereby the distance is very short and each by-product There is a problem that the collection probability of the by-products is lowered because the contact probability with the collecting plates is low, and the cooling coil is used as a cooling device for supplying the cooling water so that the cooling water does not contact the entire outer surface of the enclosure. There is a problem that the efficiency is lowered.

본 발명은 이와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위하여 안출한 것으로, 프로세서 챔버의 출구와 연결된 진공펌프의 전단부를 포함하여 프로세서 챔버의 점검 등으로 인해 공정 케미칼을 프로세서 챔버로 유입시키지 못하고 진공펌프 측으로 직접 유입시킬 때 공정 케미칼 바이패스 라인 상에 부산물 유입구와 폐가스 배출구가 상판에 동시에 구비되고 3개의 액화튜브가 3중으로 구비됨은 물론 함체 자체가 공간부로 냉각수가 흐를 수 있는 2중관으로 구성된 포집기를 설치함으로써, 반도체 제조 공정에서 사용된 후 배출되는 케미칼을 포함한 인체에 치명적인 유독성, 부식성, 인화성 가스 등과 같은 부산물을 진공펌프와 스크러버를 통해 배기시킬 때 이들로 유입되는 미반응 케미칼 및 각종 부산물의 일부를 액상 또는 파우더로 반응 포집할 수 있음은 물론 케이칼의 일부를 액상 또는 파우더 형태로 반응 포집하는 방식을 통해 반도체 제조 공정의 완료 후 프로세서 챔버에서 배출되거나 공정 케미칼 자체가 진공펌프 측으로 직접 바이패스되는 과정에서 배기 라인이나 진공펌프 및 스크러버 내에서 반응하여 파우더 형태로 형성됨으로 인해 발생되는 배관 막힘이나 진공펌프 및 스크러버의 효율저하 문제 및 진공펌프의 불시정지 등의 문제를 해결할 수 있고, 진공펌프의 불시 정지 같은 문제는 생산도중 일어날 경우 생산품의 불량으로 인한 폐기, 장비 가동율 저하 등의 큰 경제적 손실을 가져올 수 있는 문제점을 해결할 수 있어 반도체 제조에 따른 생산비용을 대폭 절감할 수 있는 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치를 제공하는데 그 목적이 있 다.The present invention has been made to solve such a conventional problem, including the front end of the vacuum pump connected to the outlet of the processor chamber, due to the inspection of the processor chamber, etc., due to the process chemicals do not flow into the processor chamber directly to the vacuum pump side By introducing a by-product inlet and a waste gas outlet on the top plate at the same time and three liquefied tubes in triple on the process chemical bypass line, as well as installing a collector consisting of a double tube through which the coolant flows into the space. Part of the unreacted chemicals and various by-products that enter the by-products such as toxic, corrosive, and flammable gases that are fatal to the human body, including the chemicals emitted after being used in the semiconductor manufacturing process, are evacuated through vacuum pumps and scrubbers. Be able to capture reaction with Of course, a part of the kakal is collected in the form of a liquid or powder in the exhaust line, the vacuum pump and the scrubber in the process of being discharged from the processor chamber after the completion of the semiconductor manufacturing process or the process chemical itself is directly bypassed to the vacuum pump side. It is possible to solve problems such as clogging of pipe, efficiency of vacuum pump and scrubber, and sudden stop of vacuum pump caused by reaction in the form of powder, and problems such as sudden stop of vacuum pump occur during production. The purpose is to provide a residual chemical and by-product collecting device in the semiconductor process that can solve the problems that can cause a large economic loss, such as disposal due to defects, lower equipment utilization rate, which can significantly reduce the production cost of semiconductor manufacturing. have.

본 발명의 다른 목적은, 포집기의 함체 상판에 부산물 유입구와 폐가스 배출구를 모두 배치시키되, 상기 폐가스 배출구에 연결된 배기관의 저단부는 함체의 상부측에 위치되도록 함으로써 함체의 내부로 유입된 부산물의 일부라도 곧바로 배출되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 포집기를 다루는 과정에서도 함체가 좌,우로 흔들려도 함체 내에 포집된 액상의 부산물이 외부로 배출되는 것을 완벽히 방지할 수 있고, 또 함체의 내부에서 수평방향으로 일정간격을 두고 설치되던 부산물 포집판 대신 서로 다른 직경을 갖는 액화튜브를 3중으로 수직하게 설치하여 줌으로써 부산물 포집 공간부를 대폭 확대할 수 있으며, 또한 함체 내로 유입된 부산물은 각각 90도의 각도 차를 갖고 천공된 가스 유입공을 통해 1차 내지 3차 액화튜브를 순차적으로 통과한 후 배기관을 통해 배출되므로 가스의 동선(이동거리)이 길게 됨은 물론 포집관의 기능을 수행하는 3중 액화튜브와의 접촉 확률도 커서 액상 부산물의 포집 효율을 대폭 높일 수 있고, 또 함체 자체를 2중 관으로 형성하고 이들 2중 관 사이에 형성된 공각부로 냉각수를 공급시켜 줌으로써 포집기에 대한 냉각효율을 증진시킬 수 있어 부산물의 포집 효율을 더욱 증진시킬 수 있는 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to place both the by-product inlet and the waste gas outlet on the upper plate of the collector, the lower end of the exhaust pipe connected to the waste gas outlet is located on the upper side of the enclosure, so that even a part of the by-product introduced into the interior of the enclosure immediately Not only can it be prevented from being discharged, but also in the process of handling the collector, the liquid by-products collected in the enclosure can be completely prevented from being discharged to the outside even if the enclosure is shaken to the left or right, and a certain interval in the horizontal direction from the inside of the enclosure By installing the liquefied tubes having different diameters vertically in three places instead of the by-product collecting plate installed in the unit, the by-product collecting space can be greatly enlarged. Also, the by-products introduced into the enclosure have a 90 degree angle difference, respectively, and the perforated gas Sequentially passed through the first to third liquefied tube through the inlet hole Since it is discharged through the exhaust pipe afterwards, the copper wire (moving distance) of the gas is long, and the contact probability with the triple liquefied tube that performs the function of the collecting tube is also large, so that the collection efficiency of the liquid by-products can be greatly increased. It is possible to improve the cooling efficiency of the collector by supplying the cooling water to the hollow part formed between the double tubes and the double tube, so that the residual chemical and by-product collecting device in the semiconductor process can be further improved. To provide.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명 장치는, 공정 케이칼을 유입 받아 반도체 전공정에서 실제로 웨이퍼의 공정을 실시하는 프로세서 챔버와; 프로세서 챔 버로부터 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지하는 진공펌프와; 상기 프로세서 챔버의 가스 배출구와 진공펌프의 입구 사이에 설치되어 진공펌프 측으로 유입되는 부산물에 반응을 일으켜 액상 또는 파우더로 포집하는 제 1 포집기;를 구비한 구성을 갖거나, 또는 상기한 구성에 프로세서 챔버의 입구에 연결된 공정 케미칼 유입 라인을 진공펌프 입구 측으로 연결시켜 주는 바이패스 라인 상에 설치되어 프로세서 챔버의 점검으로 인해 진공펌프로 직접 유입되는 케미칼에 반응을 일으켜 액상 또는 파우더로 포집하는 제 2 포집기가 더 구비된 구성을 갖고 반도체 제조 공정에서 발생되는 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 포집기는, 상,하 개구부를 막아주도록 설치된 상,하판 중 상판에 부산물 유입구와 폐가스 배출구가 동시에 설치된 구성을 갖는 원통형 함체와; 고정봉을 통해 상기 함체의 상판 천정부로부터 일정 거리를 갖게 고정 설치되는 원판형의 액화튜브 설치판과; 주 연부에서 수직방향으로는 서로 180도의 각도 차를 갖고 서로 대향되는 위치에 수개의 가스 유입공이 천공된 상태에서 서로 다른 지름을 가짐으로 인해 각각 그 내부로 순차적으로 삽입 설치된 상태에서 저면이 함체의 하판으로부터 일정 높이를 유지하는 상태에서 그 상면이 상기 액화튜브 설치판의 천정면에 일정간격을 두고 고정 설치되어 함체 내로 직접 또는 간접적으로 유입되는 케미칼 및 부산물에 반응을 일으켜 함체의 내부 공간부로 액상 또는 파우더 형태로 포집되게 하는 부산물 포집용 제 1 내지 제 3 액화튜브와; 상기 원통형 함체의 상판에 형성된 폐가스 유도로를 통해 폐가스 배출구와 연결되도록 함체의 상판 중앙에 상단부가 고정 설치되되 그 자체는 상기 액화튜브 설치판 중심점을 관통하여 제 3 액화튜브의 중심선 상에서 소정 높이까지 수직방향으로 삽입 설치된 구성을 갖고 함체의 내부로 유입된 폐가스를 폐가스 배출구 측으로 배출시켜 주는 배기관;을 포함하여 구성한 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus comprising: a processor chamber configured to receive a process knife and actually process a wafer in a semiconductor preprocess; A vacuum pump which sucks gas from the processor chamber to maintain a vacuum in the chamber; A first collector installed between the gas outlet of the processor chamber and an inlet of the vacuum pump to react with by-products flowing into the vacuum pump and collect the liquid or powder into the processor chamber; It is installed on the bypass line that connects the process chemical inlet line connected to the inlet of the vacuum pump to the inlet side, and the second collector collects liquid or powder by reacting to the chemical directly flowing into the vacuum pump due to the inspection of the processor chamber. In the remaining chemical and by-product exhaust device having a configuration provided in the semiconductor manufacturing process, the first and second collector, the by-product inlet and waste gas outlet in the upper plate of the upper and lower plates installed to block the upper and lower openings A cylindrical housing having a configuration installed at the same time; A disk-shaped liquefied tube mounting plate fixedly installed to have a predetermined distance from the top plate ceiling of the enclosure through a fixing rod; The bottom of the housing is installed in the bottom of the housing in order to be inserted into the inside of each other by having different diameters in the state where the plurality of gas inlet holes are drilled at positions opposite to each other at an angle difference of 180 degrees from the main edge in the vertical direction. While maintaining a certain height from the upper surface is fixed to the ceiling surface of the liquefied tube mounting plate at a fixed interval to react to the chemicals and by-products directly or indirectly introduced into the housing liquid or powder into the inner space of the housing First to third liquefied tubes for collecting by-products to be collected in a form; The upper end is fixedly installed at the center of the upper plate of the housing so as to be connected to the waste gas outlet through the waste gas induction path formed on the upper plate of the cylindrical housing, which itself is vertical to a predetermined height on the center line of the third liquefied tube by passing through the center point of the liquefied tube mounting plate. It has a configuration installed in the direction and the exhaust pipe for discharging the waste gas introduced into the interior of the waste gas outlet side; characterized in that it comprises a configuration.

이때, 상기 원통형 함체는 2중 관으로 형성하되, 상기 2중 관 중 외측 관의 상부 및 하부에는 각각 냉각수 공급구와 냉각수 배출구를 설치하여 상기 2중 관 사이에 형성된 공간부로 냉각수를 공급를 공급시켜 줄 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.At this time, the cylindrical housing is formed of a double tube, the upper and lower portions of the outer tube of the double tube respectively installed a cooling water supply port and the cooling water discharge port can supply the supply of cooling water to the space formed between the double tube. It is characterized by that.

또한, 상기 제 1 내지 제 3 액화튜브에 각각 천공되어 있는 가스 유입공들은 각각의 액화튜브들 사이에서 서로 90도의 각도 차를 갖게 천공한 것을 특징으로 한다.In addition, the gas inlet holes which are respectively drilled in the first to the third liquefied tube is characterized in that the perforated having an angle difference of 90 degrees between each of the liquefied tubes.

뿐만 아니라, 상기 제 1 내지 제 3 액화튜브에 천공되는 가스 유입공은 전체 길이 대비 상부로부터 1/2 지점 또는 2/5 지점까지 천공한 것을 특징으로 한다.In addition, the gas inlet hole drilled in the first to third liquefied tube is characterized in that perforated to 1/2 or 2/5 points from the top of the total length.

또, 상기 배기관의 저단부는 제 3 액화튜브의 전체 길이에 대해 상부로부터 1/2 또는 2/5 지점에 위치되게 설치한 것을 특징으로 한다.In addition, the bottom end of the exhaust pipe is characterized in that it is installed to be located at 1/2 or 2/5 points from the top with respect to the entire length of the third liquefied tube.

또한, 상기 함체의 상판에 설치된 부산물 유입구에 연결되는 공급 케미칼 유입 라인 상에는 제어부에 의해 구동온도가 제어되는 히팅 자켓을 구비한 수동밸브와, 제어부에서 출력되는 신호에 부응하여 공기압으로 개폐되는 공압밸브를 더 설치한 것을 특징으로 한다.In addition, on the supply chemical inlet line connected to the by-product inlet installed in the upper plate of the housing on the manual valve having a heating jacket controlled by the control unit, and a pneumatic valve opened and closed by pneumatic pressure in response to the signal output from the control unit It is characterized by further installation.

그리고, 상기 함체의 상판에 설치된 폐가스 배출구에 연결된 폐가스 배출 라인 상에는 제어부에 의해 구동온도가 제어되는 히팅 자켓을 구비한 수동밸브와, 제 어부에서 출력되는 신호에 부응하여 공기압으로 개폐되는 공압밸브 및 진공값을 자체적으로 설정할 수 있는 기능을 구비하고 폐가스의 배출압력을 검출하여 설정된 진공값을 벗어날 경우 이를 제어부로 전송하는 압력 스위치를 더 설치한 것을 특징으로 한다.On the waste gas discharge line connected to the waste gas outlet installed on the upper plate of the enclosure, a manual valve having a heating jacket controlled by the controller and a pneumatic valve and a vacuum valve are opened and closed in response to a signal output from the control unit. It is characterized in that it is provided with a function that can set the value itself and the pressure switch for detecting the discharge pressure of the waste gas and transmits it to the control unit when it is out of the set vacuum value.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명 장치에 의하면, 부산물 유입구와 폐가스 배출구가 상판에 동시에 구비되고 3개의 액화튜브가 3중으로 구비됨은 물론 함체 자체가 공간부로 냉각수가 흐를 수 있는 2중관으로 구성된 포집기를 프로세서 챔버의 출구와 연결된 진공펌프의 전단부를 포함하여 프로세서 챔버의 점검 등으로 인해 공정 케미칼을 프로세서 챔버로 유입시키지 못하고 진공펌프 측으로 직접 유입시킬 때 공정 케미칼 바이패스 라인 상에 설치하여 줌으로써, 반도체 제조 공정에서 사용된 후 배출되는 케미칼을 포함한 인체에 치명적인 유독성, 부식성, 인화성 가스 등과 같은 부산물을 진공펌프와 스크러버를 통해 배기시킬 때 이들로 유입되는 미반응 케미칼 및 각종 부산물의 일부를 액상 또는 파우더로 반응 포집할 수 있음은 물론 케이칼의 일부를 액상 또는 파우더 형태로 반응 포집하는 방식을 통해 반도체 제조 공정의 완료 후 프로세서 챔버에서 배출되거나 공정 케미칼 자체가 진공펌프 측으로 직접 바이패스되는 과정에서 배기 라인이나 진공펌프 및 스크러버 내에서 반응하여 파우더 형태로 형성됨으로 인해 발생되는 배관 막힘이나 진공펌프 및 스크러버의 효율저하 문제 및 진공펌프의 불시정지 등의 문제를 해결할 수 있 고, 진공펌프의 불시 정지 같은 문제는 생산도중 일어날 경우 생산품의 불량으로 인한 폐기, 장비 가동율 저하 등의 큰 경제적 손실을 가져올 수 있는 문제점을 해결할 수 있어 반도체 제조에 따른 생산비용을 대폭 절감할 수 있는 것이다.As described above, according to the present invention, the by-product inlet and the waste gas outlet are simultaneously provided on the top plate, and three liquefied tubes are provided in three, as well as the collector itself comprising a double tube that allows the coolant to flow into the space of the processor chamber. It is used in the semiconductor manufacturing process by installing on the process chemical bypass line when the process chemical is not directly introduced into the processor chamber due to the inspection of the processor chamber including the front end of the vacuum pump connected to the outlet of the process chamber. When by-products such as toxic, corrosive, and flammable gases, which are fatal to humans, are discharged through vacuum pumps and scrubbers, some of the unreacted chemicals and various by-products introduced into them can be collected as liquids or powders. Yes, of course By collecting reaction part in the form of liquid or powder, it is discharged from the processor chamber after completion of the semiconductor manufacturing process or the process chemical itself is reacted in the exhaust line or vacuum pump and scrubber in the process of bypassing directly to the vacuum pump. It can solve problems such as clogging of pipes caused by the formation of a pipe, deterioration of efficiency of vacuum pumps and scrubbers, and sudden stoppage of vacuum pumps. As a result, it is possible to solve a problem that may cause a large economic loss such as a decrease in equipment utilization rate, thereby significantly reducing the production cost of semiconductor manufacturing.

특히, 본 발명에서는 상기 포집기의 함체 상판에 부산물 유입구와 폐가스 배출구를 모두 배치시키되, 상기 폐가스 배출구에 연결된 배기관의 저단부는 함체의 상부측에 위치되도록 함으로써 함체의 내부로 유입된 부산물의 일부라도 곧바로 배출되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 포집기를 다루는 과정에서도 함체가 좌,우로 흔들려도 함체 내에 포집된 액상의 부산물이 외부로 배출되는 것을 완벽히 방지할 수 있고, 또 함체의 내부에서 수평방향으로 일정간격을 두고 설치되던 부산물 포집판 대신 서로 다른 직경을 갖는 액화튜브를 3중으로 수직하게 설치하여 줌으로써 부산물 포집 공간부를 대폭 확대할 수 있으며, 또한 함체 내로 유입된 부산물은 각각 90도의 각도 차를 갖고 천공된 가스 유입공을 통해 1차 내지 3차 액화튜브를 순차적으로 통과한 후 배기관을 통해 배출되므로 가스의 동선(이동거리)이 길게 됨은 물론 포집관의 기능을 수행하는 3중 액화튜브와의 접촉 확률도 커서 액상 부산물의 포집 효율을 대폭 높일 수 있고, 또 함체 자체를 2중 관으로 형성하고 이들 2중 관 사이에 형성된 공각부로 냉각수를 공급시켜 줌으로써 포집기에 대한 냉각효율을 증진시킬 수 있어 부산물의 포집 효율을 더욱 증진시킬 수 있는 등 매우 유용한 발명인 것이다. Particularly, in the present invention, both the by-product inlet and the waste gas outlet are disposed on the upper plate of the collector, and the lower end of the exhaust pipe connected to the waste gas outlet is located at the upper side of the enclosure, thereby immediately discharging even a part of the by-product introduced into the inside of the enclosure. Not only can it be prevented, but also in the process of handling the collector, the liquid by-products collected in the enclosure can be completely prevented from being discharged to the outside even if the enclosure is shaken to the left or right, and a certain interval in the horizontal direction from the inside of the enclosure is maintained. By installing vertically liquefied tubes with different diameters instead of the by-product collecting plate, which is installed, the by-product collecting space can be greatly enlarged.In addition, the by-products introduced into the enclosure have a 90 degree angle difference, respectively, and the perforated gas flows in. Pass the first to third liquefied tubes sequentially through the ball Since it is discharged through the exhaust pipe, the copper wire (moving distance) of the gas is long, and the contact probability with the triple liquefied tube that performs the function of the collecting pipe is also high, which greatly increases the collection efficiency of the liquid by-products. It is a very useful invention, such as forming a double tube and by supplying the cooling water to the hollow portion formed between the double tube can improve the cooling efficiency for the collector, and further improve the collection efficiency of the by-products.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명 장치의 설치상태 예시 도를 나타낸 것이고, 도 2는 본 발명 장치 중 포집기의 사시도를 나타낸 것이며, 도 3은 본 발명 장치에서 사용된 포집기의 정 단면 사시도를 나타낸 것이고, 도 4는 본 발명 장치 중 포집기의 종 단면도를 나타낸 것이다.Figure 1 shows an exemplary view of the installation state of the device of the present invention, Figure 2 shows a perspective view of the collector of the present invention device, Figure 3 shows a front cross-sectional perspective view of the collector used in the device of the present invention, Figure 4 The longitudinal cross section of the collector of the apparatus of this invention is shown.

이에 따르면 본 발명 장치는, 공정 케이칼을 유입 받아 반도체 전공정에서 실제로 웨이퍼의 공정을 실시하는 프로세서 챔버(1)와, 프로세서 챔버(1)로부터 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지하는 진공펌프(2)와; 상기 진공펌프(2)를 통해 배출되는 가스의 배기 전에 필터링이 필요한 유독가스를 거르거나 집진하는 스크러버(3)와; 상기 프로세서 챔버(1)의 가스 배출구와 진공펌프(2)의 입구 사이에 설치되어 진공펌프 측으로 유입되는 부산물에 반응을 일으켜 액상 또는 파우더로 포집하는 제 1 포집기(4a)를 구비한 구성을 갖거나, 또는 상기 프로세서 챔버(1)의 입구에 연결된 공정 케미칼 유입 라인(6)을 진공펌프(2) 입구 측으로 연결시켜 주는 바이패스 라인(7) 상에 설치되어 프로세서 챔버(1)의 점검으로 인해 진공펌프(2)로 직접 유입되는 케미칼에 반응을 일으켜 액상 또는 파우더로 포집하는 제 2 포집기(4b)가 더 구비된 구성을 갖고 반도체 제조 공정에서 발생되는 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치에 있어서,According to the present invention, the apparatus of the present invention is a processor chamber 1 which receives the process kcal and actually performs a wafer process in the entire semiconductor process, and a vacuum pump that sucks gas from the processor chamber 1 and maintains the vacuum in the chamber ( 2) and; A scrubber (3) for filtering or collecting toxic gases that require filtering before exhausting the gas discharged through the vacuum pump (2); It is provided between the gas outlet of the processor chamber (1) and the inlet of the vacuum pump (2) has a configuration having a first collector (4a) to react by-products flowing into the vacuum pump side to collect the liquid or powder Or is installed on the bypass line 7 connecting the process chemical inlet line 6 connected to the inlet of the processor chamber 1 to the inlet side of the vacuum pump 2 and the vacuum due to the inspection of the processor chamber 1. In the residual chemical and by-product exhaust device which has a configuration further comprising a second collector (4b) that reacts to the chemical flowing directly into the pump (2) to collect in liquid or powder,

상기 제 1 및 제 2 포집기(4a)(4b)는,The first and second collectors 4a and 4b are

상,하 개구부를 막아주도록 설치된 상,하판(401)(402) 중 상판(401)에 부산 물 유입구(41)와 폐가스 배출구(42)가 동시에 설치된 구성을 갖는 원통형 함체(40)와;A cylindrical housing 40 having a configuration in which a by-product water inlet 41 and a waste gas outlet 42 are simultaneously installed on the upper plate 401 of the upper and lower plates 401 and 402 installed to block the upper and lower openings;

고정봉(43)을 통해 상기 함체(40)의 상판(401) 천정부로부터 일정 거리를 갖게 고정 설치되는 원판형의 액화튜브 설치판(44)과;A disc-shaped liquefied tube mounting plate 44 fixedly installed to have a predetermined distance from the top plate 401 ceiling of the housing 40 through the fixing rod 43;

주 연부에서 수직방향으로는 서로 180도의 각도 차를 갖고 서로 대향되는 위치에 수개의 가스 유입공(451)이 천공된 상태에서 서로 다른 지름을 가짐으로 인해 각각 그 내부로 순차적으로 삽입 설치된 상태에서 저면이 함체(40)의 하판(402)으로부터 일정 높이를 유지하는 상태에서 그 상면이 상기 액화튜브 설치판(44)의 천정면에 일정간격을 두고 고정 설치되어 함체(40) 내로 직접 또는 간접적으로 유입되는 케미칼 및 부산물에 반응을 일으켜 함체(40)의 내부 공간부로 액상 또는 파우더 형태로 포집되게 하는 부산물 포집용 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)와;In the vertical direction of the main edge and the angle difference of 180 degrees to each other and the gas inlet hole 451 in the position facing each other with different diameters in the state of being inserted into each sequentially sequentially installed in the bottom The upper surface is fixed to the ceiling surface of the liquefied tube mounting plate 44 in a state of maintaining a certain height from the lower plate 402 of the housing 40 is introduced into the enclosure 40 directly or indirectly. A first to third liquefied tubes 45a and 45c for collecting by-products which react with the chemicals and by-products to be collected in a liquid or powder form into the inner space of the housing 40;

상기 원통형 함체(40)의 상판(401)에 형성된 폐가스 유도로(401a)를 통해 폐가스 배출구(42)와 연결되도록 함체(40)의 상판(401) 중앙에 상단부가 고정 설치되되 그 자체는 상기 액화튜브 설치판(44) 중심점을 관통하여 제 3 액화튜브(45c)의 중심선 상에서 소정 높이까지 수직방향으로 삽입 설치된 구성을 갖고 함체(40)의 내부로 유입된 폐가스를 폐가스 배출구(42) 측으로 배출시켜 주는 배기관(46);을 포함하여 구성한 것을 특징으로 한다.The upper end is fixedly installed at the center of the upper plate 401 of the enclosure 40 so as to be connected to the waste gas outlet 42 through the waste gas induction path 401a formed on the upper plate 401 of the cylindrical enclosure 40, but the liquid liquefied itself. The waste gas introduced into the interior of the housing 40 is discharged to the waste gas outlet 42 by penetrating the center point of the tube mounting plate 44 and being inserted vertically up to a predetermined height on the center line of the third liquefied tube 45c. The main exhaust pipe 46; characterized in that configured to include.

이때, 상기 원통형 함체(40)는 2중 관(40a)(40b)으로 형성하되, 상기 2중 관(40a)(40b) 중 외측 관(40b)의 상부 및 하부에는 각각 냉각수 공급구(47)와 냉각수 배출구(48)를 설치하여 상기 2중 관(40a)(40b) 사이에 형성된 공간부(40c)로 냉 각수를 공급를 공급시켜 줄 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.At this time, the cylindrical housing 40 is formed of a double tube (40a, 40b), the cooling water supply port 47 in the upper and lower portions of the outer tube (40b) of the double tube (40a, 40b), respectively And a cooling water outlet 48 to supply the cooling water to the space portion 40c formed between the double pipes 40a and 40b.

또한, 상기 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)에 각각 천공되어 있는 가스 유입공(451)들은 각각의 액화튜브(45a)-(45c)들 사이에서 서로 90도의 각도 차를 갖게 천공한 것을 특징으로 한다.In addition, the gas inlet holes 451 drilled in the first to third liquefied tubes 45a and 45c respectively have an angle difference of 90 degrees between the respective liquefied tubes 45a and 45c. It is characterized by perforation.

뿐만 아니라, 상기 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)에 천공되는 가스 유입공(451)은 전체 길이 대비 상부로부터 1/2 지점 또는 2/5 지점까지 천공한 것을 특징으로 한다.In addition, the gas inlet hole 451 to be punctured in the first to third liquefied tubes 45a to 45c may be punctured to 1/2 or 2/5 points from the top of the entire length.

또, 상기 배기관(46)의 저단부는 제 3 액화튜브(45c)의 전체 길이에 대해 상부로부터 1/2 또는 2/5 지점에 위치되게 설치한 것을 특징으로 한다.In addition, the bottom end of the exhaust pipe 46 is installed so as to be located at 1/2 or 2/5 points from the top with respect to the entire length of the third liquefied tube 45c.

또한, 상기 함체(40)의 상판에 설치된 부산물 유입구(41)에 연결되는 공급 케미칼 유입 라인(6) 상에는 제어부(5)에 의해 구동온도가 제어되는 히팅 자켓(8)을 구비한 수동밸브(9)와, 제어부(5)에서 출력되는 신호에 부응하여 공기압으로 개폐되는 공압밸브(10)를 더 설치한 것을 특징으로 한다.In addition, a manual valve 9 having a heating jacket 8 on which a driving temperature is controlled by a controller 5 on a supply chemical inlet line 6 connected to a by-product inlet 41 installed on the upper plate of the enclosure 40. ) And a pneumatic valve 10 which is opened and closed by pneumatic pressure in response to a signal output from the control unit 5.

그리고, 상기 함체(40)의 상판에 설치된 폐가스 배출구(42)에 연결된 폐가스 배출 라인 상에는 제어부(5)에 의해 구동온도가 제어되는 히팅 자켓(8)을 구비한 수동밸브(9)와, 제어부(5)에서 출력되는 신호에 부응하여 공기압으로 개폐되는 공압밸브(10) 및 진공값을 자체적으로 설정할 수 있는 기능을 구비하고 폐가스의 배출압력을 검출하여 설정된 진공값을 벗어날 경우 이를 제어부(5)로 전송하는 압력 스위치(11)를 더 설치한 것을 특징으로 한다.On the waste gas discharge line connected to the waste gas discharge port 42 installed on the upper plate of the housing 40, a manual valve 9 having a heating jacket 8 in which a driving temperature is controlled by the control unit 5, and a control unit ( 5) has a function to set the pneumatic valve 10 and the vacuum value to open and close in response to the signal output from the air pressure, and detects the discharge pressure of the waste gas to the control unit (5) when it is out of the set vacuum value It is characterized in that the pressure switch 11 to be transmitted further installed.

이와 같이 구성된 본 발명 장치의 작용효과를 설명하면 다음과 같다. Referring to the operation and effect of the device of the present invention configured as described above are as follows.

먼저, 본 발명 장치는 공지된 반도체 제조 공정에서 발생되는 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치에 있어서, 제 1 및 제 2 포집기(4b)를 원통형 함체(40)와 원판형의 액화튜브 설치판(44), 부산물 포집용 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c) 및 배기관(46)을 포함하여 구성한 것을 주요기술 구성요소로 한다.First, the apparatus of the present invention, in the residual chemical and by-product exhaust device generated in the known semiconductor manufacturing process, the first and second collector 4b is a cylindrical housing 40 and a disk-shaped liquefied tube mounting plate 44, The main technical components include the first to third liquefied tubes 45a-45c and the exhaust pipe 46 for collecting by-products.

이때, 공지된 반도체 제조 공정에서 발생되는 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치 중에 포함되어 있는 상기 프로세서 챔버(1)는 종래 기술에서 설명한 바와 같이 공정 케이칼을 유입 받아 반도체 전공정에서 실제로 웨이퍼의 공정을 실시하게 되고, 상기 진공펌프(2)는 프로세서 챔버(1)로부터 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지하는 기능을 수행하며, 상기 스크러버(3)는 진공펌프(2)를 통해 배출되는 가스의 배기 전에 필터링이 필요한 유독가스를 거르거나 집진하는 기능을 수행하게 된다.At this time, the processor chamber 1 included in the residual chemical and by-product exhaust device generated in the known semiconductor manufacturing process receives the process caulk as described in the related art, and actually performs the wafer process in the entire semiconductor process. The vacuum pump 2 sucks gas from the processor chamber 1 to maintain a vacuum in the chamber, and the scrubber 3 filters before exhausting the gas discharged through the vacuum pump 2. This will function to filter or collect the required toxic gas.

또, 상기와 같이 프로세서 챔버(1)의 가스 배출구와 진공펌프(2)의 입구 사이에 설치된 제 1 포집기(4a)는, 프로세서 챔버(1)로부터 진공펌프(2) 측으로 유입되는 부산물을 반응시켜 그 일부를 액상 또는 파우더 형태로 포집하게 되므로 프로세서 챔버(1)로부터 배출되는 모든 부산물이 진공펌프(2)로 그대로 유입됨으로 인해 발생될 수 있는 진공펌프(2) 자체의 효율저하와 짧은 주기로 불시에 정지되는 등의 문제를 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 진공펌프(2)가 짧은 주기를 갖고 불시에 정지됨으로 인해 반도체 생산도중 일어날 경우 생산품의 불량으로 인한 폐기, 장비 가동율 저하 등으로 인한 경제적 손실을 미연에 방지할 수 있어 반도체 제조에 따른 생산비용 자체를 대폭 절감할 수 있는 것이다.In addition, the first collector 4a provided between the gas outlet of the processor chamber 1 and the inlet of the vacuum pump 2 reacts the by-product flowing from the processor chamber 1 toward the vacuum pump 2 as described above. Part of the liquid is collected in the form of a liquid or powder, so that all by-products discharged from the processor chamber 1 are introduced into the vacuum pump 2 as it is, and the efficiency of the vacuum pump 2 itself may be generated in a short period of time. Not only can it solve the problem such as stopping, but also the economical loss caused by the failure of the product, the decrease of equipment operation rate, etc. It is possible to prevent the production cost itself due to semiconductor manufacturing.

또한, 상기 제 1 포집기(4a)와 더불어 필요에 따라 상기 프로세서 챔버(1)의 입구에 연결된 공정 케미칼 유입 라인(6)과 진공펌프(2) 입구 측 사이를 연결시켜 주는 바이패스 라인(7) 상에 설치된 제 2 포집기(4b)는, 프로세서 챔버(1)의 점검으로 인해 진공펌프(2)로 직접 유입되는 케미칼에 반응을 일으켜 액상 또는 파우더로 그 일부를 포집하게 되므로 상기 프로세서 챔버(1)의 고장이나 점검 등을 실시하므로 인해 프로세서 챔버(1)로 공급하던 공정 케미칼을 바이패스 라인(7)을 통해 진공펌프(2) 측으로 바이패스시킬 때 상기 제 2 포집기(4b)가 공정 케미컬에 반응을 일으켜 그 일부를 포집해 주게 되어 농도가 진한 공정 케미칼이 진공펌프(2)로 직접 유입됨으로 인한 진공펌프(2)의 효율저하 및 작동불량 등을 미연에 방지할 수 있는 것이다.In addition, the bypass line 7 which connects between the first chemical collector 4a and the process chemical inlet line 6 connected to the inlet of the processor chamber 1 and the inlet side of the vacuum pump 2 as necessary. The second collector 4b installed thereon reacts to chemicals flowing directly into the vacuum pump 2 due to the inspection of the processor chamber 1 and collects a part of the liquid or powder into the processor chamber 1. Of the second collector 4b reacts to the process chemicals when the process chemicals supplied to the processor chamber 1 are bypassed to the vacuum pump 2 through the bypass line 7 due to a failure, inspection, or the like. It will cause a part of the collection process to prevent the deterioration of efficiency and malfunction of the vacuum pump (2) due to the direct concentration of the process chemicals directly into the vacuum pump (2).

한편, 상기 제 1 및 제 2 포집기(4a)(4b)를 형성하고 있는 구성요소 중 상기 원통형 함체(40)는 상,하 개구부를 막아주도록 설치된 상,하판(401)(402) 중 상판(401)에 부산물 유입구(41)와 폐가스 배출구(42)를 동시에 설치된 구성을 갖는다.Meanwhile, among the components forming the first and second collectors 4a and 4b, the cylindrical housing 40 is the upper plate 401 of the upper and lower plates 401 and 402 provided to block the upper and lower openings. ) Has a configuration in which the byproduct inlet 41 and the waste gas outlet 42 are installed at the same time.

이때, 상기 원통형 함체(40)는 서로 다른 지름을 갖는 2개의 관(40a)(40b)을 2중으로 결합시켜 형성하되, 상,하판(401)(402) 결합용 플랜지를 통해 상호 간에 일정한 공간부(40c)를 구비한 형태로 결합된 상기 2중 관(40a)(40b) 중 외측 관(40b)의 상부 및 하부에는 각각 냉각수 공급구(47)와 냉각수 배출구(48)를 설치하여 상기 2중 관(40a)(40b) 사이에 형성된 공간부(40c)로 냉각수를 공급를 공급시켜 줄 수 있도록 함으로써 상,하판(401)(402)을 제외한 2중 관(40a)(40b) 전체에 냉각수를 공급시킬 수 있어 포집기 자체에 대한 냉각효율을 대폭 증대시킬 수 있으므로 부산물의 포집 효율을 더욱 증진시킬 수 있게 된다.At this time, the cylindrical housing 40 is formed by combining two pipes (40a) 40b having a different diameter in a double, the upper, lower plates 401, 402 through a coupling flange for mutually constant space portion Cooling water supply port 47 and the cooling water discharge port 48 are respectively installed on the upper and lower portions of the outer pipe 40b of the double pipes 40a and 40b coupled in a form having a 40c. By supplying the cooling water to the space portion 40c formed between the pipes 40a and 40b, the cooling water is supplied to the entire double pipes 40a and 40b except for the upper and lower plates 401 and 402. Since the cooling efficiency of the collector itself can be greatly increased, the collection efficiency of by-products can be further improved.

또, 상기 액화튜브 설치판(44)은 원판 형상을 갖고 고정봉(43)을 통해 상기 함체(40)의 상판(401) 천정부에 고정 설치되어 부산물 포집용 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)의 상단부를 고장 및 막아주는 기능을 수행하도록 하되, 폐가스의 유입과 배출이 원활히 이루어지도록 상판(401)의 천정면으로부터 일정 거리를 유지하게 설치한 구성을 갖는다.In addition, the liquefied tube mounting plate 44 has a disk shape and is fixed to the top plate 401 ceiling of the housing 40 through the fixing rod 43, the first to third liquefied tube (45a) for collecting by-products To perform the function of preventing and preventing the upper end of-(45c), it has a configuration installed to maintain a certain distance from the ceiling surface of the top plate 401 to facilitate the inflow and discharge of waste gas.

또한, 상기 부산물 포집용 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)는 기본적으로 서로 다른 지름을 갖는 3개의 튜브를 순차적으로 삽입 설치된 상태에서 저면이 함체(40)의 하판(402)으로부터 일정 높이를 유지하도록 그 상면을 상기 액화튜브 설치판(44)의 천정면에 일정간격을 두고 용접 고정 설치되어 함체(40) 내로 유입되는 케미칼 및 부산물에 반응을 일으켜 액상 또는 파우더 형태로 포집되게 된다.In addition, the first to third liquefied tubes (45a)-(45c) for collecting the by-products from the bottom plate 402 of the housing 40, the bottom surface of the three tubes having a different diameter sequentially installed The upper surface is fixed to the ceiling surface of the liquefied tube mounting plate 44 so as to maintain a certain height to be fixed in a liquid or powder form by reacting the chemicals and by-products introduced into the enclosure 40. .

이때, 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c) 각각의 주 연부에서 수직방향으로는 서로 180도의 각도 차를 갖고 서로 대향되는 위치에 수개의 가스 유입공(451)이 천공된 형태를 갖게 되는데, 각각의 가스 유입공(451)들은 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)들 사이에서 서로 90도의 각도 차를 갖게 될 뿐만 아니라, 상기 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)의 전체 길이 대비 상부로부터 1/2 지점 또는 2/5 지점까지만 가스 유입공(451)이 천공된 구성을 갖는다.At this time, at the peripheral edge of each of the first to third liquefied tube (45a) -45c has a difference in the angle of 180 degrees with each other in the vertical direction and the shape in which several gas inlet holes (451) are perforated Each gas inlet hole 451 not only has an angle difference of 90 degrees between the first to third liquefied tubes 45a to 45c, but also the first to third liquefied tubes 45a. The gas inlet hole 451 is perforated only up to 1/2 or 2/5 from the top relative to the total length of)-(45c).

따라서, 상기 함체(40)의 상판(401)에 설치된 부산물 유입구(41)를 통해 프로세서 챔버(1)를 거쳐 유입된 부산물을 포함하여, 상기 공정 케미칼 유입 라인(6) 과 바이패스 라인(7)을 통해 직접 유입된 공정 케미칼은 상기 함체(40)의 내부로 유입된 후 도 4와 같이 제 1 액화튜브(45a)의 가스 유입공(451)를 통해 제 1 및 제 2 액화튜브(45a)(45b) 사이에 형성된 공간부로 유입되며 그 일부가 액상 또는 파우더 형태로 포집된 다음 다시 상기 제 1 액화튜브(45a)의 가스 유입공(451)와 90도의 각도 차를 갖는 제 2 액화튜브(45b)의 가스 유입공(451)를 통해 제 2 및 제 3 액화튜브(45b)(45c) 사이에 형성된 공간부로 유입되며 또 그 일부가 액상 또는 파우더 형태로 포집된 후, 또 다시 상기 제 2 액화튜브(45b)의 가스 유입공(451)와 90도의 각도 차를 갖는 제 3 액화튜브(45c)의 가스 유입공(451)를 통해 제 3 액화튜브(45c) 내로 유입되며 또 다시 그 일부가 액상 또는 파우더 형태로 포집되어 함체(40)의 바닥 측으로 흘러내려 함체(40)의 저부를 포함하여 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)들 사이의 저부 공간부에 고이게 되고 나머지 가스는 후술하는 배기관(46)과 폐가스 배출구(42)를 통해 진공펌프(2) 측으로 배출된다.Therefore, the process chemical inflow line 6 and the bypass line 7 including the by-product introduced through the processor chamber 1 through the by-product inlet 41 installed in the upper plate 401 of the enclosure 40. Process chemical directly introduced through the first and second liquefied tube (45a) through the gas inlet hole 451 of the first liquefied tube (45a) after flowing into the interior of the housing 40 as shown in FIG. The second liquefied tube 45b having an angle difference of 90 degrees with the gas inlet hole 451 of the first liquefied tube 45a, which is introduced into the space formed between the portions 45b) and is collected in a liquid or powder form. After entering the space formed between the second and third liquefied tube (45b) (45c) through the gas inlet hole 451 and a portion of it is collected in the form of liquid or powder, the second liquefied tube ( Gas inlet hole 451 of third liquefied tube 45c having an angle difference of 90 degrees with gas inlet hole 451 of 45b) Into the third liquefied tube (45c) through the) and again part of the liquid is collected in the form of powder or powder flows to the bottom side of the housing 40, including the bottom of the housing 40, the first to third liquefied tube It accumulates in the bottom space part between 45a-45c, and the remaining gas is discharged to the vacuum pump 2 side through the exhaust pipe 46 and waste gas outlet 42 which are mentioned later.

이와 같이 상기 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)에 각각 천공되는 가스 유입공(451)들을 각각의 액화튜브(45a)-(45c)들 사이에서 서로 90도의 각도 차를 갖게 천공함으로써 폐가스를 포함한 공정 케미칼이 상기 부산물 유입구(41)를 통해 함체(40)의 내부로 유입된 다음 폐가스 배출구(42)를 통해 배출되는 과정에서 서로 90도 각도 차를 갖는 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)들을 연속해서 지그재그식으로 통과하는 길이가 길어지게 되어 결국 가스의 흐름 경로도 그만큼 길어지게 되므로 상기 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)와 접촉될 수 있는 확률이 높게 되어 액화가 쉽게 이루어지게 된다.As described above, the gas inlet holes 451 drilled into the first to third liquefied tubes 45a and 45c respectively have a 90 degree angle difference between the respective liquefied tubes 45a and 45c. The first to third liquefied tube having a 90-degree angle difference in the process chemicals including the waste gas is introduced into the interior of the housing 40 through the by-product inlet 41 and then discharged through the waste gas outlet 42 Since the length of the continuous zigzag through the 45a-45c becomes long, the flow path of the gas is also long, which may be in contact with the first to third liquefied tubes 45a-45c. The probability is high that the liquefaction is easy.

한편, 상기 배기관(46)은 액화튜브들의 지름보다 매우 작은 지름을 갖는 파이프의 형태를 갖는 것으로 함체(40)의 내부로 유입된 폐가스 중 액화 또는 파우터 형태로 포집되지 않은 가스 즉, 폐가스를 폐가스 배출구(42) 측으로 배출시켜 주기 위하여, 그 상단부는 상기 원통형 함체(40)의 상판(401)에 형성된 폐가스 유도로(401a)를 통해 폐가스 배출구(42)와 연결되도록 함체(40)의 상판(401) 중앙에 고정 설치되되, 그 자체는 상기 액화튜브 설치판(44) 중심점을 관통하여 제 3 액화튜브(45c)의 중심선 상에서 소정 높이까지 수직방향으로 삽입 설치된 구성을 갖는다.On the other hand, the exhaust pipe 46 is in the form of a pipe having a diameter very smaller than the diameter of the liquefied tubes of the waste gas introduced into the interior of the housing 40, that is, the gas that is not collected in the form of liquefied or powder, waste gas outlet In order to discharge to the 42 side, the upper end portion 401 of the housing 40 to be connected to the waste gas outlet 42 through the waste gas induction path 401a formed in the upper plate 401 of the cylindrical housing 40. It is fixedly installed in the center, and itself has a configuration inserted through the center point of the liquefied tube mounting plate 44 inserted in a vertical direction up to a predetermined height on the center line of the third liquefied tube (45c).

이때, 상기 배기관(46)의 저단부는 제 3 액화튜브(45c)의 전체 길이에 대해 상부로부터 1/2 또는 2/5 지점에 위치되게 설치한 형태를 갖는다.At this time, the bottom end of the exhaust pipe 46 has a form installed to be located 1/2 or 2/5 from the top with respect to the entire length of the third liquefied tube (45c).

따라서, 상기 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)에 천공되는 가스 유입공(451)은 전술한 바와 같이 전체 길이 대비 상부로부터 1/2 지점 또는 2/5 지점까지 천공시켜 준 형태를 가지게 되고, 상기 배기관(46)의 저단부도 제 3 액화튜브(45c)의 전체 길이에 대해 상부로부터 1/2 또는 2/5 지점에 위치된 형태를 가지게 되므로 상기 함체(40)의 내부로 유입되어 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)들에 의해 액상 또는 파우더 형태로 포집되는 부산물의 수위는 최대 제 3 액화튜브(45c)의 전체 길이에 대비 상부로부터 1/2 또는 2/5 지점보다 약간 낮은 위치까지 가능하게 된다.Therefore, the gas inlet hole 451 drilled into the first to third liquefied tubes 45a to 45c is formed to be punctured to 1/2 or 2/5 from the top of the entire length as described above. The lower end of the exhaust pipe 46 also has a shape located at 1/2 or 2/5 points from the top with respect to the entire length of the third liquefied tube (45c) flows into the interior of the enclosure 40 And the level of the by-product collected in the liquid or powder form by the first to third liquefied tubes 45a-45c is 1/2 or 2 / from the top relative to the total length of the third liquefied tube 45c. It is possible to position slightly lower than 5 points.

즉, 상기 함체(40) 내부에 포집되는 부산물의 수위가 제 1 내지 제 3 액화튜브(45a)-(45c)의 전체 길이에 대비 상부로부터 1/2 또는 2/5 지점보다 약간 낮은 위치에 이르를 때까지는 각각에 천공된 가스 유입공(451)를 통해 함체(40)의 내부 로 유입된 부산물들이 통과하며 반응을 통해 액화 및 파우더 형태로 포집될 수 있음은 물론 함체(40)의 내부에 포집된 부산물들이 배기관(46)을 통해 진공펌프(2) 측으로 배출되지 않게 된다.That is, the water level of the by-product collected in the enclosure 40 reaches a position slightly lower than 1/2 or 2/5 from the top relative to the entire length of the first to third liquefied tubes 45a-45c. Until the by-products introduced into the interior of the enclosure 40 through the gas inlet 451 perforated through each of them can be collected in the form of liquefaction and powder through the reaction, as well as collected in the interior of the enclosure 40 The by-products are not discharged to the vacuum pump 2 side through the exhaust pipe 46.

뿐만 아니라, 상기 함체(40)의 내부로 유입된 부산물의 일부라도 곧바로 배출되는 것이 방지됨은 물론 포집기를 다루는 과정에서도 함체(40)가 좌,우로 흔들리더라도 함체(40) 내에 포집된 액상의 부산물이 배기관(46)을 통해 외부로 배출되지 않게 된다.In addition, even if some of the by-products introduced into the interior of the enclosure 40 is not prevented from being discharged immediately, even in the process of handling the collector 40, even if the enclosure 40 shakes left and right, the liquid by-products collected in the enclosure 40 The exhaust pipe 46 is not discharged to the outside.

또한, 상기 함체(40)의 상판에 설치된 부산물 유입구(41)에 연결되는 공급 케미칼 유입 라인(6) 상에는 제어부(5)에 의해 구동온도가 제어되는 히팅 자켓(8)을 구비한 수동밸브(9)가 구비되어 있음은 물론 제어부(5)에서 출력되는 신호에 부응하여 공기압으로 개폐되는 공압밸브(10)가 설치되어 있으므로 함체(40)의 내부로 유입되는 공정 케미칼 및 부산물에 대한 공급 여부를 수동 또는 자동으로 제어할 수 있다.In addition, a manual valve 9 having a heating jacket 8 on which a driving temperature is controlled by a controller 5 on a supply chemical inlet line 6 connected to a by-product inlet 41 installed on the upper plate of the enclosure 40. ), As well as the pneumatic valve 10 is opened and closed by pneumatic pressure in response to the signal output from the control unit (5), so whether or not to supply the process chemicals and by-products flowing into the interior of the enclosure 40 Or it can be controlled automatically.

뿐만 아니라, 상기 함체(40)의 상판에 설치된 폐가스 배출구(42)에 연결된 폐가스 배출 라인 상에도 제어부(5)에 의해 구동온도가 제어되는 히팅 자켓(8)을 구비한 수동밸브(9)와, 제어부(5)에서 출력되는 신호에 부응하여 공기압으로 개폐되는 공압밸브(10) 및 진공값을 자체적으로 설정할 수 있는 기능을 구비하고 폐가스의 배출압력을 검출하여 설정된 진공값을 벗어날 경우 이를 제어부(5)로 전송하는 압력 스위치(11)가 설치되어 있으므로 함체(40)를 통과하면서 액상 또는 파우더 형태로 포집되지 않은 잔여 폐가스에 대한 배출 여부를 수동 또는 자동으로 제어할 수 있음은 물론 폐가스의 배출압력에 대응하여 배출량을 자동으로 조절할 수도 있다.In addition, a manual valve 9 having a heating jacket 8 in which a driving temperature is controlled by the controller 5 on a waste gas discharge line connected to a waste gas outlet 42 installed on the upper plate of the housing 40, In response to the signal output from the control unit 5 has a function to set the pneumatic valve 10 and the vacuum value to open and close by the air pressure itself, and detects the discharge pressure of the waste gas and if the deviation from the set vacuum value 5 Since the pressure switch 11 is transmitted to), it is possible to manually or automatically control whether to discharge the residual waste gas not collected in liquid or powder form while passing through the housing 40, and of course, to the discharge pressure of the waste gas. In response, emissions may be automatically adjusted.

한편, 상기 공정 케미칼로 TEMAZr을 사용한 경우 약 100 mTorr에서 약 80도씨 이상에서 기체로 존재하고, TEMAHf을 사용한 경우 약 1.2 Torr에서 약 60도씨 이상에서 기체로 존재하는데, 상기 프로세서 챔버(1)에서 기체상태로 사용된 후의 잔류가스들이 제 1 및 2 포집기(4a)(4b)로 유입되면, 함체(40) 자체의 온도가 2중 관(40a)(40b) 사이에 형성된 공간부(40c)를 흐르는 냉각수에 의해 가스 자체의 온도보다 훨씬 낮은 온도를 갖게 되므로 대부분이 액화되어 상기 함체(40)의 내부에서 포집 저장된다.Meanwhile, when TEMAZr is used as the process chemical, gas is present at about 80 ° C. or more at about 100 mTorr, and when TEMAHf is used as gas at about 60 ° C. or more at about 1.2 Torr, the processor chamber 1 When the residual gases after being used in the gaseous state flow into the first and second collectors 4a and 4b, the temperature of the enclosure 40 itself is formed between the double tubes 40a and 40b. Since the cooling water flowing through has a temperature much lower than the temperature of the gas itself, most of the liquid is collected and stored inside the enclosure 40.

물론, 상기 공정 케미칼이 제 1 및 제 2 포집기(4a)(4b)로 도달하기 전에 이미 낮은 온도에서 액화되어 상기 제 1 및 제 2 포집기(4a)(4b) 내로 유입된다면 액체상태로 저장될 것이다.Of course, if the process chemical is already liquefied at low temperature and introduced into the first and second collectors 4a and 4b before reaching the first and second collectors 4a and 4b, it will be stored in a liquid state. .

만약, 상기 제 1 및 제 2 포집기(4a)(4b)에서 낮은 온도를 공급하는 냉각수의 공급이 없더라도, 반도체 생산시설 내에는 항상 상온의 온도를 유지하고 있으므로 제 1 및 제 2 포집기(4a)(4b) 내에서 케미칼을 액화시키는데는 큰 문제가 없을 것이다.If the first and second collectors 4a and 4b are not supplied with the cooling water supplying the low temperature, the first and second collectors 4a are always maintained in the semiconductor production facility. There will be no major problem in liquefying chemicals in 4b).

이때, 상기 케미칼(chemical)은 화학물질로서, 화학은 물질의 성질, 조성, 구조 및 그 변화를 다루는 학문이며, 그 연구대상이 되는 물질을 케미칼이라 한다.In this case, the chemical (chemical) is a chemical substance, the chemistry is the study of the nature, composition, structure, and changes of the substance, the material to be studied is called the chemical.

본 발명에서의 케미칼은, 반도체 공정에서 사용되는 프로세서로서 기체상태의 것, 액상이던 것에 압력을 낮추거나 히팅을 가하여 기화된 증기(vapor)상태의 것, 기화된 것이 압력이나 온도변화에 의하여 다시 액상상태로 된 것 등을 포괄적으로 말하고 있다.The chemical in the present invention is a processor used in a semiconductor process, the gaseous state, the liquid state of the vaporized vapor state by applying a pressure or lowering the pressure to the liquid phase, the vaporized one is liquid again by the pressure or temperature change It is said that it is in a state comprehensively.

또한, 반도체 공정 후의 잔류 케미칼을 이렇게 액체로 포집(저장)하는 장치가 유효한 것은 TEMAZr (케미칼이름 : Tetrakis(ethylmethylamino) zirconium), TEMAHf; 케미칼이름:Tetrakis(ethylmethylamino) hafnium), 루테늄기반화학물(Ru; 케미칼이름: Ruthenium) 등 액화성 케미칼들이다.In addition, the apparatus for collecting (storing) residual chemicals after the semiconductor process as a liquid is effective by using TEMAZr (chemical name: Tetrakis (ethylmethylamino) zirconium), TEMAHf; Chemical names: Tetrakis (ethylmethylamino) hafnium) and ruthenium-based chemicals (Ru; Chemical name: Ruthenium).

물론, 상기에 기술한 내용과 다르게, 공정 케미칼은 프로세서 챔버(1)로 유입되지 않고, 전술한 바와 같은 바이패스 라인(7)을 통하여 빠져나갈 수도 있는데, 이는 케미칼 라인 교체, 케미칼 라인 세정, 케미칼 유량조절 문제에 대한 조치 등 여러 이유에서 케미칼을 프로세서 챔버(1)로 유입시키지 않고, 별도의 바이패스 라인(7)을 통하여 진공펌프(2) 또는 배기장치로 빼내는 것이다.Of course, contrary to what has been described above, process chemicals do not enter the processor chamber 1 and may exit through the bypass line 7 as described above, which is a chemical line replacement, chemical line cleaning, chemical For various reasons, such as measures for the flow control problem, the chemical is not introduced into the processor chamber 1, but is drawn out through the separate bypass line 7 to the vacuum pump 2 or the exhaust device.

이때에는 상기 제 2 포집기(4b)에 의해 액상(또는 기상)으로 유입되는 케미칼의 일부를 액상 또는 파우더 형태로 포집(저장)하게 된다.In this case, a part of the chemical introduced into the liquid phase (or gaseous phase) by the second collector 4b is collected (stored) in the form of liquid or powder.

상술한 실시 예는 본 발명의 가장 바람직한 예에 대하여 설명한 것이지만, 상기 실시 예에만 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형이 가능하다는 것은 당업자에게 있어서 명백한 것이다.It should be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims.

도 1은 본 발명 장치의 설치상태 예시 도.Figure 1 is an illustration of the installation state of the device of the present invention.

도 2는 본 발명 장치 중 포집기의 사시도.Figure 2 is a perspective view of the collector of the present invention device.

도 3은 본 발명 장치에서 사용된 포집기의 정 단면 사시도.Figure 3 is a front cross-sectional perspective view of the collector used in the device of the present invention.

도 4는 본 발명 장치 중 포집기의 종 단면도.Figure 4 is a longitudinal cross-sectional view of the collector of the present invention device.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1 : 프로세서 챔버 2 : 진공펌프1 processor chamber 2 vacuum pump

3 : 스크러버 4a,4b : 제 1 및 제 2 포집기3: scrubber 4a, 4b: 1st and 2nd collector

5 : 제어부 6 : 공정 케미칼 유입 라인5: control part 6: process chemical inflow line

7 : 바이패스 라인 8 : 히팅 자켓7: bypass line 8: heating jacket

9 : 수동밸브 10 : 공압밸브9: Manual Valve 10: Pneumatic Valve

11 : 압력 스위치11: pressure switch

40 : 함체 401 : 상판40: enclosure 401: top plate

402 : 하판 401a : 폐가스 유도로402: bottom plate 401a: waste gas induction furnace

40a, 40b : 2중 관 40c : 공간부40a, 40b: double tube 40c: space part

41 : 부산물 유입구 42 : 폐가스 배출구41: by-product inlet 42: waste gas outlet

43 : 고정봉 44 : 액화튜브 설치판43: fixed rod 44: liquefied tube mounting plate

45a-45c : 제 1 내지 제 3 액화튜브 451 : 가스 유입공45a-45c: first to third liquefied tube 451: gas inlet hole

46 : 배기관 47 : 냉각수 공급구46 exhaust pipe 47 cooling water supply port

48 : 냉각수 배출구 48: cooling water outlet

Claims (7)

공정 케이칼을 유입 받아 반도체 전공정에서 실제로 웨이퍼의 공정을 실시하는 프로세서 챔버와; 프로세서 챔버로부터 가스를 흡입하여 챔버의 진공을 유지하는 진공펌프와; 상기 프로세서 챔버의 가스 배출구와 진공펌프의 입구 사이에 설치되어 진공펌프 측으로 유입되는 부산물에 반응을 일으켜 액상 또는 파우더로 포집하는 제 1 포집기;를 구비한 구성을 갖거나, 또는 상기한 구성에 프로세서 챔버의 입구에 연결된 공정 케미칼 유입 라인을 진공펌프 입구 측으로 연결시켜 주는 바이패스 라인 상에 설치되어 프로세서 챔버의 점검으로 인해 진공펌프로 직접 유입되는 케미칼에 반응을 일으켜 액상 또는 파우더로 포집하는 제 2 포집기가 더 구비된 반도체 제조 공정에서 발생되는 잔류 케미칼 및 부산물 배기장치에 있어서,A processor chamber which receives the process kcal and actually processes the wafer in the entire semiconductor process; A vacuum pump that sucks gas from the processor chamber to maintain a vacuum in the chamber; A first collector installed between the gas outlet of the processor chamber and an inlet of the vacuum pump to react with by-products flowing into the vacuum pump and collect the liquid or powder into the processor chamber; It is installed on the bypass line that connects the process chemical inlet line connected to the inlet of the vacuum pump to the inlet side, and the second collector collects liquid or powder by reacting to the chemical directly flowing into the vacuum pump due to the inspection of the processor chamber. In the residual chemical and by-product exhaust device generated in the semiconductor manufacturing process further provided, 상기 제 1 및 제 2 포집기는,The first and second collectors, 상,하 개구부를 막아주도록 설치된 상,하판 중 상판에 부산물 유입구와 폐가스 배출구가 동시에 설치된 구성을 갖는 원통형 함체와;A cylindrical housing having a configuration in which a by-product inlet and a waste gas outlet are installed at the same time on the upper and lower plates to block the upper and lower openings; 고정봉을 통해 상기 함체의 상판 천정부로부터 일정 거리를 갖게 고정 설치되는 원판형의 액화튜브 설치판과;A disk-shaped liquefied tube mounting plate fixedly installed to have a predetermined distance from the top plate ceiling of the enclosure through a fixing rod; 주 연부에서 수직방향으로는 서로 180도의 각도 차를 갖고 서로 대향되는 위치에 수개의 가스 유입공이 천공된 상태에서 서로 다른 지름을 가짐으로 인해 각각 그 내부로 순차적으로 삽입 설치된 상태에서 저면이 함체의 하판으로부터 일정 높이를 유지하는 상태에서 그 상면이 상기 액화튜브 설치판의 천정면에 일정간격을 두고 고정 설치되어 함체 내로 직접 또는 간접적으로 유입되는 케미칼 및 부산물에 반응을 일으켜 함체의 내부 공간부로 액상 또는 파우더 형태로 포집되게 하는 부산물 포집용 제 1 내지 제 3 액화튜브와;The bottom of the housing is installed in the bottom of the housing in order to be inserted into the inside of each other by having different diameters in the state where the plurality of gas inlet holes are drilled at positions opposite to each other at an angle difference of 180 degrees from the main edge in the vertical direction. While maintaining a certain height from the upper surface is fixed to the ceiling surface of the liquefied tube mounting plate at a fixed interval to react to the chemicals and by-products directly or indirectly introduced into the housing liquid or powder into the inner space of the housing First to third liquefied tubes for collecting by-products to be collected in a form; 상기 원통형 함체의 상판에 형성된 폐가스 유도로를 통해 폐가스 배출구와 연결되도록 함체의 상판 중앙에 상단부가 고정 설치되되 그 자체는 상기 액화튜브 설치판 중심점을 관통하여 제 3 액화튜브의 중심선 상에서 소정 높이까지 수직방향으로 삽입 설치된 구성을 갖고 함체의 내부로 유입된 폐가스를 폐가스 배출구 측으로 배출시켜 주는 배기관;을 포함하여 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치.The upper end is fixedly installed at the center of the upper plate of the housing so as to be connected to the waste gas outlet through the waste gas induction path formed on the upper plate of the cylindrical housing, which itself is vertical to a predetermined height on the center line of the third liquefied tube by passing through the center point of the liquefied tube mounting plate. Residual chemical and by-product collection device in a semiconductor process comprising a; exhaust pipe having a configuration inserted in the direction to discharge the waste gas introduced into the interior of the waste gas outlet side. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 원통형 함체는 2중 관으로 형성하되, 상기 2중 관 중 외측 관의 상부 및 하부에는 각각 냉각수 공급구와 냉각수 배출구를 설치하여 상기 2중 관 사이에 형성된 공간부로 냉각수를 공급를 공급시켜 줄 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치.The cylindrical housing is formed of a double tube, and the cooling water supply port and the cooling water discharge port is installed in the upper and lower portions of the outer tube of the double tube, respectively, to supply the supply of cooling water to the space formed between the double tube Residual chemical and by-product collection device in the semiconductor process, characterized in that. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 내지 제 3 액화튜브에 각각 천공되어 있는 가스 유입공들은 각각 의 액화튜브들 사이에서 서로 90도의 각도 차를 갖게 천공한 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치.Residual chemical and by-product collection device in the semiconductor process, characterized in that the gas inlet holes are drilled in each of the first to third liquefied tube having a angular difference of 90 degrees between each liquefied tube. 청구항 3에 있어서,The method of claim 3, 상기 제 1 내지 제 3 액화튜브에 천공되는 가스 유입공은 전체 길이 대비 상부로부터 1/2 지점 또는 2/5 지점까지 천공한 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치.Residual chemical and by-product collection device in the semiconductor process, characterized in that the gas inlet hole drilled in the first to third liquefied tube perforated from the top to half or 2/5 point relative to the total length. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 배기관의 저단부는 제 3 액화튜브의 전체 길이에 대해 상부로부터 1/2 또는 2/5 지점에 위치되게 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치.Residual chemical and by-product collection device in the semiconductor process, characterized in that the lower end of the exhaust pipe is installed to be located 1/2 or 2/5 points from the top with respect to the entire length of the third liquefied tube. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 함체의 상판에 설치된 부산물 유입구에 연결되는 공급 케미칼 유입 라인 상에는 제어부에 의해 구동온도가 제어되는 히팅 자켓을 구비한 수동밸브와, 제어부에서 출력되는 신호에 부응하여 공기압으로 개폐되는 공압밸브를 더 설치한 것 을 특징으로 하는 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치.On the supply chemical inlet line connected to the by-product inlet installed on the upper plate of the enclosure further installed a manual valve having a heating jacket controlled by the control unit, and a pneumatic valve opening and closing by air pressure in response to the signal output from the control unit Residual chemical and by-product collection device in the semiconductor process, characterized in that. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 함체의 상판에 설치된 폐가스 배출구에 연결된 폐가스 배출 라인 상에는 제어부에 의해 구동온도가 제어되는 히팅 자켓을 구비한 수동밸브와, 제어부에서 출력되는 신호에 부응하여 공기압으로 개폐되는 공압밸브 및 진공값을 자체적으로 설정할 수 있는 기능을 구비하고 폐가스의 배출압력을 검출하여 설정된 진공값을 벗어날 경우 이를 제어부로 전송하는 압력 스위치를 더 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치.On the waste gas discharge line connected to the waste gas outlet installed in the upper plate of the enclosure, a manual valve having a heating jacket controlled by the control unit, a pneumatic valve and a vacuum value opened and closed by air pressure in response to a signal output from the control unit Residual chemical and by-product collection device in the semiconductor process, characterized in that it has a function that can be set to the pressure switch to detect the discharge pressure of the waste gas and to set it out of the set vacuum value to the control unit.
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