KR20170100613A - 경화성 폴리실록산 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 출원은 폴리실록산 조성물 및 이의 제조 방법, 및 폴리실록산 조성물로부터 제조된 소자, 특히 광학 소자에 관한 것이다. 폴리실록산 조성물에서, 하나 이상의 상기 폴리실록산 수지 A2 는 알케닐기를 갖는 하나 이상의 실록산 단위 M (MVi 단위) 을 포함하는 폴리실록산 수지이다. 또한, 본 출원의 폴리실록산 조성물은 추가로 화학식 (Z) 로부터 선택되는 벤조트리아졸 화합물 (Z) 의 하나 이상을 포함하는 자외선 흡수제 성분 D 를 포함할 수 있다.

Description

경화성 폴리실록산 조성물 {CURABLE POLYSILOXANE COMPOSITION}
본 개시는 폴리실록산 조성물 및 이의 제조 방법, 및 또한 폴리실록산 조성물로부터 제조된 소자, 특히 광학 소자에 관한 것이다.
중합체 기술 및 관련 연구의 급속한 발전으로, 점점 더 많은 광학 소자 및 성분은 중합체 물질을 포함하거나, 중합체 물질로 이루어진다. 통상적인 무기 물질에 비해, 중합체 물질은 통상적인 무기 물질로부터의 탁월한 수행성을 유지하면서, 경량, 저비용, 간단한 방법, 양호한 기계적 특성 등과 같은 일련의 이점을 갖는다.
광학 중합체 물질은 광학 결합, 렌즈 또는 광학 시트 및 기판의 제조뿐 아니라 하기 성분을 위해 사용될 수 있다: 광학 필름, 광학 필터, CCD 광학 시스템, 사진 장비, 광통신 및 도파관, 광학 섬유, 광학 센서, 홀로그램 광학, 간섭계, 옵토커플러(optocoupler), 광학 렌즈, 예컨대 마이크로렌즈, 렌티큘러(lenticular) 렌즈, 프리즘 렌즈, 프레넬(Fresnel) 렌즈 등.
중합체는 현재 광학 소자의 제조에 이용가능하고, 성분은 하기를 포함한다: 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리(비닐 클로라이드), 폴리스티렌, 폴리에스테르, 에폭시 수지, 시클로올레핀 중합체, 폴리실록산 등. 이중에서, 폴리실록산은 고온 및 저온 모두에 대한 저항성, 내후성, UV 저항성, 에이징(aging) 저항성 등과 같은 이의 탁월한 특성으로 인해 널리 주목을 끌었고, 다양한 광학 시트, 기판 또는 광학 접착제 등으로 제조되었다.
광학 소자, 예컨대 프레넬 렌즈의 제조에 사용될 수 있는 중합체 물질, 예컨대 폴리(메틸 메타크릴레이트) 및 폴리(비닐 클로라이드)는 CN101675089A 및 CN102863709A 에 개시된다. 상기 물질은 높은 광 투과도 및 양호한 가공성을 특징으로 하지만, 과냉각, 과열, 자외선, 또는 기타 방사선 환경에서 에이징 및 변형되는 경향이 있기 때문에, 렌즈의 감소된 수행 안정성를 야기하거나, 심지어 사용이 실패된다.
내후성, 고온 및 저온 모두에 대한 저항성, 황변 방지 등을 포함하는 일련의 탁월한 특성으로, 실리콘 물질은 기타 물질에 비해 명백히 우수하다. 따라서, 실리콘 물질은 광학 소자의 제조에 적용된다. 예를 들어, CN102918093A 는 종래의 폴리(메틸 아크릴레이트) 등 대신에 폴리실록산-기반 광학 물질 및 이의 제조 방법을 제공하여, 이에 의해 야기되는 불량한 에이징 저항성 등을 포함하는 문제들을 회피한다. 방법은 미경화 폴리실록산 조성물을 전자 빔에 노출시킴으로써 실리콘 물질을 가교하는 것을 포함한다. 그러나, 이러한 방법은 특수 장치를 필요로 하여, 비용이 비교적 높다.
따라서, UV 손상으로부터 관련 장치를 보호하는 것이 매우 중요하기 때문에, 실온 또는 약간 높은 온도에서 신속하게 경화될 수 있는 개선된 폴리 실록산 조성물을 제공할 수 있고/있거나, 특정 영역 (예컨대 UV 광파) 내에서 광파를 흡수할 수 있고 탁월한 에이징 저항성을 갖는 폴리실록산 조성물을 개선하는 것에 대한 요구가 존재한다.
본 개시는 높은 투명도, 양호한 유동성 및 양호한 가공성을 특징으로 하고, 실온 또는 약간 높은 온도에서 신속하게 경화될 수 있는 첨가-경화성 폴리실록산 조성물을 제공한다. 또한, 본 개시의 폴리실록산 조성물은 특정한 UV 흡수제, 특히 하기 기재된 바와 같은 바람직한 UV 흡수제를 첨가함으로써 심지어 장기간 에이징 조건 하에서도 탁월한 UV 흡수 효과를 유지할 수 있어, 관련 장치에 대한 장기간 보호를 제공한다.
이에 따라 수득된 광학 소자는 높은 광 투과도 및 탁월한 UV 에이징 저항성을 갖는다. 본 발명에 따른 폴리실록산 조성물은 광학 접착제, 광학 시트 또는 기판의 제조에 사용될 수 있고, 다양한 광학 구조 또는 시스템, 특히 광학 렌즈, 예컨대 프레넬 렌즈의 제조에 사용된다.
본 개시에 따른 폴리실록산 조성물은 하기를 포함한다:
(A) 폴리실록산 A1 및 폴리실록산 수지 A2 의 총 중량을 기준으로, 0 내지 99.9 중량% 의, 분자 당 규소 원자에 둘 이상의 알케닐기가 결합되어 있는 하나 이상의 폴리실록산 A1, 및 0.1 내지 100 중량% 의, 분자 당 규소 원자에 둘 이상의 알케닐기가 결합되어 있는 하나 이상의 폴리실록산 수지 A2 를 포함하거나 실질적으로 이로 이루어지는 알케닐 폴리실록산 성분,
여기서 폴리실록산 수지 A2 는 하기를 포함하거나 실질적으로 하기로 이루어짐:
화학식 R3SiO1/2 의 실록산 단위 M, 화학식 R2SiO2/2 의 실록산 단위 D, 화학식 RSiO3/2 의 실록산 단위 T 및 화학식 SiO4/2 의 실록산 단위 Q 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 둘 이상의 상이한 실록산 단위, 여기서 R 은 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 1가 탄화수소기를 나타내고, 바람직하게는 1 내지 12 개, 보다 바람직하게는 1 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 바람직하게는 1가 지방족 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고,
하나 이상의 실록산 단위는 실록산 단위 T 또는 Q 이고, 하나 이상의 실록산 단위 M, D 및 T 는 알케닐기를 포함하고;
(B) 하기를 포함하거나 실질적으로 하기로 이루어지는 수소-함유 폴리실록산 성분
분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 B1, 또는 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 수지 B2 또는 이 둘의 혼합물,
단, 상기 수소-함유 폴리실록산 성분은 총 둘 이상의 Si-H 원자를 포함함;
(C) 유효량의 하나 이상의 히드로실릴화 촉매.
특히, 본 개시는 하나 이상의 상기 폴리실록산 수지 A2 가 알케닐기를 갖는 하나 이상의 실록산 단위 M (MVi 단위) 을 포함하는 폴리실록산 수지인, 상기 기재된 폴리실록산 조성물에 관한 것이다.
특히, 본 개시는 상기 기재된 바와 같은 폴리실록산 조성물에 관한 것으로서, 조성물은 추가로 하나 이상의 하기 기재된 UV 흡수제, 바람직하게는 화학식 (Z) 의 벤조트리아졸 화합물을 포함하는 UV 흡수제 성분 D 를 포함한다.
성분 (A)
본 개시의 폴리실록산 조성물에서, 성분 (A) 는 폴리실록산 A1 및 폴리실록산 수지 A2 의 총 중량을 기준으로, 0 내지 99.9 중량% 의, 분자 당 규소 원자에 둘 이상의 알케닐기가 결합되어 있는 하나 이상의 폴리실록산 A1, 및 0.1 내지 100 중량% 의, 분자 당 규소 원자에 둘 이상의 알케닐기가 결합되어 있는 하나 이상의 폴리실록산 수지 A2 를 포함한다. 성분 (A) 에서, 알케닐기는 폴리실록산 A1 의 주쇄의 임의의 위치, 예를 들어 분자 사슬의 말단 또는 중간 또는 양 말단 및 중간에 있을 수 있다.
폴리실록산 A1 은 하기를 포함한다:
(i) 화학식 (I-1) 의 실록산 단위
화학식 (I-1) 의 실록산 단위
Figure pct00001
[식 중,
Rx 는 C2-12, 바람직하게는 C2-6 알케닐, 가장 바람직하게는 비닐 또는 알릴을 나타내고,
Z 는 동일 또는 상이할 수 있고, 1 내지 30 개, 바람직하게는 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 1가 탄화수소 라디칼을 나타내고, 바람직하게는 하나 이상의 할로겐 원자로 임의 치환된 알킬기를 포함하는 C1-8 알킬기로부터 선택되고, 또한 바람직하게는 아릴기, 특히 C6-20 아릴기로부터 선택되고,
a 는 1 또는 2 이고, b 는 0, 1 또는 2 이고, a + b 는 1, 2 또는 3 임],
(ii) 임의로 화학식 (I-2) 의 기타 실록산 단위
Figure pct00002
[식 중,
Z 는 상기 기재된 바와 같은 의미를 갖고, c 는 0, 1, 2 또는 3 임].
바람직한 구현예에서, Z 는 메틸, 에틸, 프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필, 페닐, 자일릴 및 톨릴 등으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. 바람직하게는, 60 mol% 이상의 기 Z 는 메틸이다.
폴리실록산 A1 은 점도가 50 mPa.s 이상, 바람직하게는 200,000 mPa.s 미만일 수 있다. 본 개시에서, 모든 점도 데이터는 동점도 값에 관한 것이고, 예를 들어 달리 언급되지 않는 한 Brookfield 기기를 사용하여 20℃ 에서 알려진 방식으로 측정될 수 있다.
폴리실록산 A1 은 화학식 (I-1) 의 단위로부터만 단지 형성될 수 있거나, 부가적으로 화학식 (I-2) 의 단위를 포함할 수 있다. 폴리실록산 A1 은 선형, 분지형 또는 시클릭 구조이다.
화학식 (I-1) 의 실록산 단위의 예는 비닐 디메틸실록시, 비닐페닐메틸실록시, 비닐 메틸실록시 및 비닐 실록산 단위를 포함한다.
화학식 (I-2) 의 실록산 단위의 예는 SiO4/2 단위, 디메틸실록시, 메틸페닐실록시, 디페닐실록시, 메틸실록시 및 페닐실록시 단위를 포함한다.
폴리실록산 A1 의 예는 직선 또는 시클릭 화합물, 예컨대 디메틸폴리실록산 (디메틸비닐실릴 말단기 포함), (메틸비닐) (디메틸) 폴리실록산 공중합체 (트리메틸실릴 말단기 포함), (메틸비닐) (디메틸) 폴리실록산 공중합체 (디메틸비닐실릴 말단기 포함) 및 시클릭 메틸 비닐 폴리실록산을 포함한다.
성분 (A) 는 추가로 폴리실록산 수지 A2 를, 폴리실록산 A1 및 폴리실록산 수지 A2 의 총 중량을 기준으로 0.1 내지 100 중량%, 예를 들어 5 내지 70 중량%, 또는 10 내지 40 중량% 의 양으로 포함한다.
본 개시에서, 알케닐 폴리실록산 수지 A2 는 하기를 포함한다:
화학식 R3SiO1/2 의 실록산 단위 M, 화학식 R2SiO2/2 의 실록산 단위 D, 화학식 RSiO3/2 의 실록산 단위 T 및 화학식 SiO4/2 의 실록산 단위 Q 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 둘 이상의 상이한 실록산 단위, 여기서 R 은 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 1가 탄화수소기를 나타내고,
단, 하나 이상의 이러한 실록산 단위는 실록산 단위 T 또는 Q 이고, 하나 이상의 실록산 단위 M, D 및 T 는 알케닐기를 포함함.
본 개시의 발명자들은, 폴리실록산 수지 A2 의 알케닐기 전체 또는 실질적으로 전체가 실록산 단위 M (MVi 단위) 에 결합되어 있고, 본 개시의 폴리실록산 조성물이 다른 방식으로 결합되어 있는 알케닐기를 갖는 폴리실록산 수지를 함유하는 것보다, 실온 또는 보다 높은 온도에서 보다 신속하게 경화할 수 있다는 것을 발견하였다.
알케닐기를 갖는 실록산 단위 M (MVi 단위) 을 포함하는 폴리실록산 수지로서, 하기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 폴리실록산 수지를 사용할 수 있다 (본 맥락상, 단위 T, Q 또는 D 가 언급되는 경우, 위첨자 "Vi" 를 갖는 단위는 알케닐기를 함유하는 단위를 나타냄):
- 하기 단위로 본질적으로 이루어지는 화학식 MViQ 의 오르가노폴리실록산 수지:
화학식 R'R2SiO1/2 의 1가 실록산 단위 MVi 및
화학식 SiO4/2 의 4가 실록산 단위 Q, 및
- 하기 단위로 본질적으로 이루어지는 화학식 MMViQ 의 오르가노폴리실록산 수지:
화학식 R3SiO1/2 의 1가 실록산 단위 M, 및
화학식 R'R2SiO1/2 의 1가 실록산 단위 MVi, 및
화학식 SiO4/2 의 4가 실록산 단위 Q, 및
- 하기 단위로 본질적으로 이루어지는 화학식 MViTViQ 의 오르가노폴리실록산 수지:
(a) 화학식 R'R2SiO1/2 의 1가 실록산 단위 MVi
(b) 화학식 R'SiO3/2 의 3가 실록산 단위 TVi, 및
(c) 화학식 SiO4/2 의 4가 실록산 단위 Q,
- 하기 단위로 본질적으로 이루어지는 화학식 MViTQ 의 오르가노폴리실록산 수지:
화학식 RSiO3/2 의 3가 실록산 단위 T;
화학식 R'R2SiO1/2 의 1가 실록산 단위 MVi, 및
화학식 SiO4/2 의 4가 실록산 단위 Q, 및
- 하기 단위로 본질적으로 이루어지는 화학식 MViDQ 의 오르가노폴리실록산 수지:
화학식 R2SiO2/2 의 2가 실록산 단위 D;
화학식 R'R2SiO1/2 의 1가 실록산 단위 MVi, 및
화학식 SiO4/2 의 4가 실록산 단위 Q,
여기서,
R 은 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 1가 탄화수소기를 나타내고, 바람직하게는 1 내지 12 개, 보다 바람직하게는 1 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 바람직하게는 1가 지방족 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고,
R' 는 알케닐기, 바람직하게는 2 내지 12 개, 보다 바람직하게는 2 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기, 특히 비닐 또는 알릴, 가장 바람직하게는 비닐을 나타낸다.
상기 언급된 것은 단지 폴리실록산 수지 A2 의 일부 예이다. 당업자에게 단위 M, T, D 및 Q 에 의해 구성되는 기타 수지가 또한 본 개시에서의 폴리실록산 수지 A2 로서 사용되기에 적합하다는 것이 명백해질 것이다.
폴리실록산 수지 A2 에서의 전체 알케닐기가 M (MVi 단위) 에 결합되어 있는 것이 바람직하지만, 예를 들어 알케닐기를 갖는 실록산 단위 M (MVi 단위) 을 포함하는 폴리실록산 수지는 화학식 MViQ, 화학식 MMViQ, 화학식 MViTQ 및 화학식 MViDQ 의 오르가노폴리실록산 수지로부터 선택될 수 있고, 특히 바람직하게는 화학식 MMViQ 의 오르가노폴리실록산 수지로부터 선택될 수 있다. 그러나, 제조에서 요건 또는 경화 속도에 대한 요건에 따라, 또한 소량의 알케닐기가 D 또는 T 에 결합되는 것이 허용되고, 단 단위 M 에 결합되어 있는 알케닐기의 함량은 폴리실록산 수지 A2 의 총 알케닐 함량의 50% 초과, 바람직하게는 60% 초과, 보다 바람직하게는 80% 초과, 가장 바람직하게는 90% 초과를 차지한다.
본 개시의 유리한 구현예에서, 폴리실록산 수지 A2 에서의 알케닐기의 함량은 100 g 의 폴리실록산 수지 A2 를 기준으로 0.001 mol 이상, 바람직하게는 0.01 mol 이상, 예를 들어 0.03 내지 0.2 mol 또는 0.06 내지 0.1 mol 이다.
상기 기재된 바와 같은 MVi 단위를 갖는 폴리실록산 수지 이외에 폴리실록산 수지 A2 는 또한 예를 들어 하기 군으로부터 선택되는 하나 이상의 오르가노폴리실록산 수지를 포함할 수 있다:
- 하기 단위로 본질적으로 이루어지는 화학식 MTViQ 의 오르가노폴리실록산 수지:
(a) 화학식 R'SiO3/2 의 3가 실록산 단위 TVi,
(b) 화학식 R3SiO1/2 의 1가 실록산 단위 M, 및
(c) 화학식 SiO4/2 의 4가 실록산 단위 Q,
- 하기 단위로 본질적으로 이루어지는 화학식 MDViQ 의 오르가노폴리실록산 수지:
(a) 화학식 RR'SiO2/2 의 2가 실록산 단위 DVi,
(b) 화학식 R3SiO1/2 의 1가 실록산 단위 M, 및
(c) 화학식 SiO4/2 의 4가 실록산 단위 Q, 및
- 하기 단위로 본질적으로 이루어지는 화학식 MDDViQ 의 오르가노폴리실록산 수지:
(a) 화학식 RR'SiO2/2 의 2가 실록산 단위 DVi,
(b) 화학식 R2SiO1/2 2가 실록산 단위 D,
(c) 화학식 R3SiO1/2 의 1가 실록산 단위 M, 및
(d) 화학식 SiO4/2 의 4가 실록산 단위 Q,
여기서,
R 은 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 1가 탄화수소기를 나타내고, 바람직하게는 1 내지 12 개, 보다 바람직하게는 1 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 바람직하게는 1가 지방족 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고,
R' 는 알케닐기를 나타내고, 바람직하게는 2 내지 12 개, 보다 바람직하게는 2 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기, 특히 비닐 또는 알릴을 나타내고, 가장 바람직하게는 비닐을 나타낸다.
상기 기재된 바, 상기 언급된 구조를 갖는 기타 폴리실록산 수지가 사용될 수 있지만, 전체 폴리실록산 수지 A2 에서, 단위 M 에 결합되어 있는 알케닐기의 함량이 폴리실록산 수지 A2 의 총 알케닐 함량의 50% 초과, 바람직하게는 60% 초과, 보다 바람직하게는 80% 초과, 가장 바람직하게는 90% 초과를 차지한다는 것이 보장되어야 한다.
본 개시의 맥락 상, 조성물, 특히 폴리실록산 수지 또는 성분 (A) 및 (B) 에 대한 경우, 용어 "실질적으로 ... 로 이루어지는/를 포함하는" 은 관련 수지 또는 조합이 조성물의 총 중량을 기준으로, 50 중량% 초과, 예를 들어 60 중량% 이상, 70 중량% 이상, 또는 80 중량% 이상, 또는 심지어 100 중량% 의 열거된 성분을 포함하는 것을 의미한다.
유리하게는, 폴리실록산 수지 A2 는 중량 평균 분자량이 200 내지 100,000, 바람직하게는 200 내지 50,000, 보다 바람직하게는 500 내지 30,000 의 범위이다. 본원에서, 중량 평균 분자량은 표준물로서 폴리스티렌을 사용하고, 겔 투과 크로마토그래피에 의해 수득될 수 있다.
성분 (B)
본 개시의 폴리실록산 조성물 중 성분 (B) 는 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 B1, 또는 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 수지 B2 또는 이 둘의 혼합물을 포함하고, 단 상기 수소-함유 폴리실록산 성분은 총 둘 이상의 Si-H 원자를 포함한다.
따라서, 성분 (B) 로서, 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 둘 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 B1, 또는 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 둘 이상의 수소-함유 폴리실록산 B1 의 혼합물을 사용할 수 있다.
Si-H 기를 갖는 오르가노폴리실록산은 기타 성분, 특히 성분 (A) 와 가교할 수 있고, 즉 성분의 Si-H 기와 기타 성분의 알케닐 기를 반응시켜 경화 생성물을 형성할 수 있다. 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 또는 둘 이상의 수소 원자를 갖는 수소-함유 폴리실록산 B1 에 대해, 각 분자가 2, 3 개 이상의 Si-H 기를 갖는 것이 바람직하다.
바람직한 구현예에서, 수소-함유 폴리실록산 B1 은 하기를 포함한다:
(i) 화학식 (II-1) 의 실록산 단위
Figure pct00003
[식 중,
L 은 동일 또는 상이할 수 있고, 1가 탄화수소기를 나타내고, 바람직하게는 하나 이상의 할로겐 원자로 임의 치환된 알킬기를 포함하는 C1-8 알킬기로부터 선택되고, 또한 바람직하게는 아릴기, 특히 C6-20 아릴기로부터 선택되고,
d 는 1 또는 2 이고, e 는 0, 1 또는 2 이고, d + e 는 1, 2 또는 3 임],
및 (ii) 임의로, 일반식 (II-2) 의 하나 이상의 기타 단위
[식 중,
L 은 상기 기재된 바와 같은 의미를 갖고, g 는 0, 1, 2 또는 3 임].
보다 바람직한 구현예에서, L 은 메틸, 에틸, 프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필, 페닐, 자일릴 및 톨릴 등으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.
수소-함유 폴리실록산 B1 은 동점도가 10 mPa.s 이상, 바람직하게는 20 내지 1000 mPa.s 이다.
수소-함유 폴리실록산 B1 은 단지 화학식 (II-1) 의 단위로부터 형성될 수 있거나, 부가적으로 화학식 (II-2) 의 단위를 포함할 수 있다. 수소-함유 폴리실록산 B1 은 선형, 분지형, 시클릭 구조를 가질 수 있다.
화학식 (II-1) 의 단위의 예는 H(CH3)2SiO1/2, HCH3SiO2/2 및 H(C6H5)SiO2/2 를 포함한다.
화학식 (II-2) 의 단위의 예는 화학식 (I-2) 의 단위로 상기 제시된 것과 동일할 수 있다.
수소-함유 폴리실록산 B1 의 예는 직선 또는 시클릭 화합물, 예컨대 디메틸폴리실록산 (수소첨가 디메틸실릴 말단기 포함), (디메틸) (히드로메틸) 폴리실록산 단위 (트리메틸실릴 말단기 포함) 을 갖는 공중합체, (디메틸) (히드로메틸) 폴리실록산 단위 (수소첨가 디메틸실릴 말단기 포함) 를 갖는 공중합체, 트리메틸실릴 말단기 및 시클릭 수소첨가 메틸 폴리실록산을 갖는 수소첨가 메틸 폴리실록산을 포함한다.
일부 경우에, 수소-함유 폴리실록산 B1 은 수소첨가 디메틸실릴 말단기를 함유하는 디메틸폴리실록산 및 3 개 이상의 히드로실릴기를 함유하는 오르가노폴리실록산의 혼합물일 수 있다.
성분 (B) 에 대한 또 다른 대안으로서, 또한 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 둘 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 수지 B2, 또는 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 수지 B2 의 혼합물을 사용할 수 있다.
수소-함유 폴리실록산 수지 B2 는 하기를 포함한다:
화학식 R3SiO1/2 의 실록산 단위 M, 화학식 R2SiO2/2 의 실록산 단위 D, 화학식 RSiO3/2 의 실록산 단위 T 및 화학식 SiO4/2 의 실록산 단위 Q 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 둘 이상의 상이한 실록산 단위, 여기서 R 은 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 1가 탄화수소 라디칼을 나타내고,
단, 하나 이상의 이러한 실록산 단위는 실록산 단위 T 또는 Q 이고, 하나 이상의 실록산 단위 M, D 및 T 는 Si-H 기를 포함한다.
따라서, 바람직한 구현예에 있어서, 수소-함유 폴리실록산 수지 B2 는 하기로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다:
- 하기 단위로 본질적으로 이루어지는 화학식 M'Q 의 수소-함유 폴리실록산 수지:
(a) 화학식 R2(H)SiO1/2 의 1가 실록산 단위, 및
(b) 화학식 SiO4/2 의 4가 실록산 단위 Q, 및
- 하기 단위로 본질적으로 이루어지는 화학식 MD'Q 수소-함유 폴리실록산 수지:
화학식 (R)(H)SiO2/2 의 2가 실록산 단위 D',
화학식 R3SiO1/2 의 1가 실록산 단위 M, 및
화학식 SiO4/2 의 4가 실록산 단위 Q,
여기서, R 은 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 1가 탄화수소기를 나타내고, 바람직하게는 1 내지 12 개, 보다 바람직하게는 1 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 바람직하게는 1가 지방족 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.
또한, 성분 B) 에 대한 추가의 대안으로서, 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 수소 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 B1 및 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 수소 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 수지 B2 의 혼합물을 사용할 수 있다. 이러한 경우, 폴리실록산 B1 및 폴리실록산 수지 B2 는 넓은 범위에 걸쳐 임의의 비율로 혼합될 수 있고, 비율은 경도 및 알케닐 기 등에 대한 Si-H 기의 비 등과 같은 목적하는 생성물 특성에 따라 가변적일 수 있다.
분자 당 규소 원자에 결합되어 있는 둘 이상의 알케닐기를 갖는 하나 이상의 폴리실록산 성분 A, 및 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 둘 이상의 수소 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 성분 B 가 각각 일반적으로 실제 사용되지만, 폴리실록산 사슬의 알케닐 기 및 Si-H 기를 동시에 모두 갖는 중합체가 사용될 수 있다는 것도 이론적으로 배제되지 않는다. 이러한 경우에, 이는 일반적으로 폴리실록산의 알케닐기 또는 Si-H 기의 몰 비가 50 mol% 를 초과하는지 아닌지에 따라서, 각각 알케닐 폴리실록산 성분 (A) (알케닐기가 대다수임) 및 수소-함유 폴리실록산 성분 (B) (Si-H 기가 대다수임) 로 분류된다.
성분 A 및 B 의 비는 일반적으로 비닐기에 대한 Si-H 기의 몰 비에 따라 결정된다. 비닐기에 대한 Si-H 기의 몰 비는 일반적으로 0.5 내지 10, 바람직하게는 0.8 내지 6, 보다 바람직하게는 1.2 내지 4 이다.
성분 A 및 B 의 총 함량은 일반적으로 총 성분의 50 중량% 초과, 바람직하게는 60 중량% 초과, 보다 바람직하게는 80 중량% 초과를 차지한다.
성분 (C)
본 개시에 따른 폴리실록산 조성물은 추가로 성분 (C) 로서 유효량의 하나 이상의 히드로실릴화 촉매를 포함한다. 본 개시의 폴리실록산 조성물에서, 알케닐 폴리실록산 성분 (A) 및 수소-함유 폴리실록산 성분 (B) 는 통상적으로 촉매 존재 하 히드로실릴화에 의해 경화된다.
이와 같은 반응에 유용한 히드로실릴화 촉매는 통상적으로 하나 이상의 백금족 금속을 포함하는 촉매이고, 백금족 금속을 포함하는 경화 촉매는 그 자체로 공지된 바와 같이 하나 이상의 백금족 금속 또는 이의 화합물(들)로 이루어진다. 또한, 백금계 금속으로 알려진 용어 "백금족 금속" 은 백금 이외에 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴 및 이리듐을 포함한다. 백금 및 로듐 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 백금의 착물 및 유기 생성물은 예를 들어 특허 US-A-3 159 601, US-A-3 159 602, US-A-3 220 972, EP-A-0 057 459, EP-A-0 188 978 및 EP-A-0 190 530 에 기재되어 있고, 특히 예를 들어 특허 US-A-3 419 593, US-A-3 715 334, US-A-3 377 432 및 US-A-3 814 730 에 기재되어 있는 비닐 오르가노실록산을 갖는 백금 착물이 사용될 수 있다. 이러한 특허는 본원에 이의 전문이 참조된다.
본 개시에 따른 하나 이상의 히드로실릴화 촉매는 촉매적으로 유효량으로 조성물에 존재한다. 촉매적으로 유효량은 당업자에게 알려져 있고, 반응물의 양 및 유형에 따라 쉽게 측정될 수 있다. 일반적으로, 본 개시의 촉매량 (금속 중량으로) 은 예를 들어 성분 (A) 의 중량을 기준으로 0.1 내지 1,000 ppm, 바람직하게는 0.5 내지 400 ppm, 보다 바람직하게는 1 내지 50 ppm 의 범위일 수 있다.
일반적으로, 바람직한 촉매는 백금이다.
UV 흡수제 성분 D
바람직한 구현예로서, 본 개시에 따른 폴리실록산 조성물은 추가로 자외선 흡수제 성분 D 를 포함한다.
주로 당업계에서 사용되는 자외선 흡수제의 예는 살리실레이트, 벤조페논, 시아노아크릴레이트, 트리아진, 벤조트리아졸, 신남산 유도체, 디벤조일메탄 유도체 등을 포함하고, 이는 예를 들어 CN101277676A, US20130344013A1 및 CN102510861A 에 개시된다.
예를 들어, 본 개시에 적합한 벤조페논 UV 흡수제는 벤조페논, 디페닐에타논 또는 디페닐에탄디온일 수 있고, 이 중에서 디페닐에탄디온 UV 흡수제가 바람직하다.
예를 들어, 본 개시에 적합한 디페닐에탄디온 UV 흡수제는 바람직하게는 디페닐에탄디온, 4,4-디히드록시디페닐에탄디온, 1-(4-에틸페닐)-3-(4-메톡시페닐) 프로판-1,3-디온, 1-(4-tert-부틸페닐)-3-(4-에톡시페닐) 프로판-1,3-디온, 1-(4-프로필페닐)-3-(4-메톡시페닐) 프로판-1,3-디온, 1-(4-tert-부틸페닐)-3-(4-메톡시페닐) 프로판-1,3-디온, 특히 바람직하게는 1-(4-tert-부틸페닐)-3-(4-메톡시페닐) 프로판-1,3-디온으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
예를 들어, 본 개시에 적합한 시아노아크릴레이트-계 UV 흡수제는 바람직하게는 3-히드록시-2,2-디메틸프로필 2-시아노-3,3-디페닐-2-아크릴레이트, 헥실에틸 2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트, 에틸 2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트, 메틸 2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트, 이소옥틸 2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다. 특히 바람직한 것은 이소옥틸 2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트이다.
예를 들어, 본 개시에 적합한 벤조트리아졸-기반 UV 흡수제는 바람직하게는 2-(2'H-벤조트리아졸-2'-일)-4,6-비스(tert-펜틸) 페놀 N-옥시드, 2-(2'H-벤조트리아졸-2'-일)-4-메틸-6-(2'-프로페닐) 페놀, 2-(2'H-벤조트리아졸-2'-일)-4-1,1,3,3-테트라메틸부톡시프로페닐 및 드로메트리졸 실록산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
그러나, 중합체 광학 물질, 예컨대 실리콘 물질이 실외 또는 복잡한 환경에서 사용되는 경우, 이는 에이징 영향을 직면할 것이다. 예를 들어, 태양광 광전지 컨덴서 시스템은 광전 변환 효율을 향상하기 위해 비교적 작은 면적을 갖는 태양 전지 시스템에서 비교적 장기간 동안 다량의 태양광을 수렴하는 것을 필요로 한다. 이와 같은 장기 실외 사용에서, 태양광의 UV 선은 컨덴서 시스템의 성분을 계속해서 파괴할 수 있어, 수행성의 저하 및 수명의 단축을 야기하고 에이징하는 경향이 있다.
본 개시의 발명자들은 놀랍게도 특정 자외선 흡수제가 사용되는 경우, 경화 조성물에서, 생성물의 초기 사용뿐 아니라 장기간 에이징, 예를 들어 24 시간 동안 150℃ 의 고온 촉진 에이징 시험 조건 하에서 에이징 후의 경우에도 양호한 광 투과도 및 UV 흡수 효과가 수득될 수 있다는 것을 발견하였다.
본 개시에 따른 특정한 UV 흡수제 성분 D 는 하기에 나타난 화학식 (Z) 의 벤조트리아졸 화합물로부터 선택되는 하나 이상을 포함한다. 폴리실록산 조성물에서 사용되는 경우, 화합물은 UV 흡수 효과에서 상기 언급된 개선을 유도할 수 있다.
Figure pct00005
[식 중,
Y1 은 -H, -Cl, -Br 이고;
Y2 는 -H, C1-C12 알킬, -Cl, C1-C12 알콕시, C7-C9 페닐알킬, -CnH2n-COOX 이고, n 은 0-4 이고, X 는 C1-C20 알킬, 또는 실록산-치환 C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, C7-C9 페닐알킬 및 -CnH2n-COOX 이고;
Y3 은 -H, C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 페닐, -Cl, (C1-C8 알킬) 페닐, C5-C6 시클로알킬, C2-C9 알콕시아실, 카르복시에틸, C7-C9 페닐알킬, 또는 실록산-치환 C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 페닐, (C1-C8 알킬) 페닐, C5-C6 시클로알킬, C2-C9 알콕시아실, 카르복시에틸, C7-C9 페닐알킬임].
바람직하게는, Y1 은 H 를 나타낸다.
바람직하게는, Y2 는 C3-C12 알킬, C7-C9 페닐알킬, -CnH2n-COOX 를 나타내고, n 은 1-3 을 나타내고, 및/또는 X 는 C1-C12 알킬, 또는 실록산-치환 C1-C12 알킬을 나타내고; 보다 바람직하게는 Y2 는 C3-C12 알킬, 실록산-치환 C1-C12 알킬 또는 -CnH2n-COOX 를 나타내고, n 은 1-3 을 나타내고, 및/또는 X 는 C3-C12 알킬을 나타낸다.
바람직하게는, Y3 은 C1-C4 알콕시, 페닐, -Cl 또는 C1-C12 알킬, 실록산-치환 C1-C12 알킬, 보다 바람직하게는 C1-C8 알킬 및 실록산-치환 C1-C12 알킬을 나타낸다.
바람직한 벤조트리아졸 화합물은, 예를 들어 2-(2'-히드록시-3',5'-디-tert-펜틸페닐) 벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3'-디(트리메틸실록시)메틸실릴이소부틸)-5'-헥실) 벤조트리아졸 및 옥틸 3-(2'H-벤조트리아졸)-5-(1',1'-디메틸에틸)-4-히드록시-페닐프로피오네이트로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. 이 중에서, 가장 바람직한 것은 옥틸 3-(2'H-벤조트리아졸)-5-(1',1'-디메틸에틸)-4-히드록시-페닐프로피오네이트이다.
따라서, 특정 구현예에 있어서, 본 개시는 또한 하기를 포함하는 폴리실록산 조성물에 관한 것이다:
(A) 폴리실록산 A1 및 폴리실록산 수지 A2 의 총 중량을 기준으로, 0 내지 99.9 중량% 의, 분자 당 규소 원자에 둘 이상의 알케닐기가 결합되어 있는 하나 이상의 폴리실록산 A1, 및 0.1 내지 100 중량% 의, 분자 당 규소 원자에 둘 이상의 알케닐기가 결합되어 있는 하나 이상의 폴리실록산 수지 A2 를 포함하거나 실질적으로 이로 이루어지는 알케닐 폴리실록산 성분,
여기서 폴리실록산 수지 A2 는 하기를 포함하거나 실질적으로 하기로 이루어짐:
화학식 R3SiO1/2 의 실록산 단위 M, 화학식 R2SiO2/2 의 실록산 단위 D, 화학식 RSiO3/2 의 실록산 단위 T 및 화학식 SiO4/2 의 실록산 단위 Q 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 둘 이상의 상이한 실록산 단위, 여기서 R 은 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 1가 탄화수소기를 나타내고, 바람직하게는 1 내지 12 개, 보다 바람직하게는 1 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 바람직하게는 1가 지방족 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고,
하나 이상의 실록산 단위는 실록산 단위 T 또는 Q 이고, 하나 이상의 실록산 단위 M, D 및 T 는 알케닐기를 포함하고;
(B) 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 B1, 또는 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 수지 B2 또는 이 둘의 혼합물을 포함하거나 실질적으로 이로 이루어지는 수소-함유 폴리실록산 성분,
단, 상기 수소-함유 폴리실록산 성분은 총 둘 이상의 Si-H 원자를 포함함;
(C) 유효량의 하나 이상의 히드로실릴화 촉매; 및
(D) 상기 기재된 바와 같은 화학식 (Z) 의 벤조트리아졸 화합물로부터 선택되는 UV 흡수제 성분 D.
이 중에서, 가장 바람직한 것은 옥틸 3-(2'H-벤조트리아졸)-5-(1',1'-디메틸에틸)-4-히드록시-페닐프로피오네이트이다.
UV 흡수제의 함량은 제형의 총 성분을 기준으로 0.001 내지 15 중량%, 바람직하게는 0.005 내지 5 중량%, 보다 바람직하게는 0.01 내지 3 중량% 이다.
UV 흡수제가 첨가되는 경우, 통상적으로 UV 흡수제에 함유된 기(들)의 비교적 강한 극성, 및 폴리실록산 시스템의 비교적 약한 극성으로 인해, 이는 흔히 둘 간의 비교적 불량한 양립성을 야기하고, 폴리실록산 시스템의 감소된 투명도를 야기할 수 있다. 따라서, 적합한 유기 가용화제는 적절한 경우 도입되어 UV 흡수제 및 폴리실록산 조성물 간의 양립성을 증가시키고, 폴리실록산 조성물의 UV-흡수 능력을 개선시키기 위해 도입될 수 있고 (투명도 및 기타 특성은 불변하다는 전제 하), 이로 인해 본 개시의 목적을 달성한다.
바람직한 유기 가용화제는 지방족 탄화수소, 알리시클릭 탄화수소, 방향족 탄화수소, 알코올, 에테르, 에스테르, 케톤, 할로겐화 탄화수소, 알데히드, 질소-함유 화합물, 헤테로시클릭 화합물, 예를 들어 지방족 탄화수소 또는 방향족 탄화수소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
지방족 탄화수소는 비제한적으로 시클로헥산, n-헥산, 부탄, n-헵탄, 펜탄, 이소도데칸 등, 바람직하게는 이소도데칸으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
방향족 탄화수소는 비제한적으로 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 큐멘, n-프로필벤젠, 4-에틸톨루엔, C12-15 알코올 벤조에이트, 바람직하게는 C12-15 알코올 벤조에이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
용매의 양은 일반적으로 제형의 총 성분의 30% 이하, 바람직하게는 10% 이하, 보다 바람직하게는 2% 이하이다.
폴리실록산 조성물과 꽤 상이한 양립성을 가질 수 있는 분자 구조를 갖는 UV 흡수제의 다양성으로 인해, 임의의 구현예에서 유기 가용화제를 첨가할 필요가 없다. 또한, UV 흡수제의 첨가는, 교반 속도의 증가 또는 교반 시간의 연장과 같은 일부 방법에 의한 특정 조건 하에서, 조성물의 투명도에 임의의 영향을 주지 않으면서 또한 수행될 수 있다.
상기 언급된 성분 이외에, 본 개시에 따른 폴리실록산 조성물은 추가로 반응 저해제 E 를 포함할 수 있다.
히드로실릴화는 흔히 백금 촉매를 이용하여, 빠른 반응 속도로 촉매화된다. 추가로 제조, 수송, 저장, 또는 제형화 시간에 관한 조성물에서의 요건을 충족시키기 위하여, 소량의 히드로실릴화 저해제가 통상적으로 첨가된다.
여기서, 알키놀-계 경화 저해제 또는 폴리비닐-계 경화 저해제 또는 이의 혼합물이 사용될 수 있다. 이러한 저해제는, 예를 들어 하기 특허에 개시되어 있다: EP0794217A1, US20140004359, CN102277128A, CN103554924A 및 CN103655212A. 이러한 특허는 또한 본원에 이의 전체가 참조된다.
알키놀-계 저해제의 예는 3-부틴-2-올, 1-펜틴-3-올, 1-헥신-3-올, 1-헵틴-3-올, 5-메틸-1-헥신-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-에티닐-1-시클로펜타놀, 1-에티닐-1-시클로헥사놀, 1-에티닐-1-시클로헵타놀, 3-에틸-1-헥신-3-올, 3-에틸-1-헵틴-3-올, 3-이소부틸-5-메틸-1-헥신-3-올, 3,4,4-트리메틸-1-펜틴-3-올, 3-에틸-5-메틸-1-헵틴-3-올, 4-에틸-1-옥틴-3-올, 3,7,11-트리메틸-1-도데신-3-올, 1-에티닐-1-시클로옥탄올, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3-메틸-1-헥신-3-올, 3-메틸-1-헵틴-3-올, 3-메틸-1-옥틴-3-올, 3-메틸-1-노닐-3-올, 3-메틸-1-데신-3-올, 3-메틸-1-도데신-3-올, 3-에틸-1-펜틴-3-올일 수 있다.
폴리비닐-계 저해제의 예는 테트라메틸 디비닐 실란, 폴리비닐 실리콘 오일, 테트라메틸 테트라비닐 시클로테트라실록산, 바람직하게는 테트라메틸 테트라비닐 시클로테트라실록산일 수 있다.
본 개시의 첨가-경화성 폴리실록산 조성물에 대해, 중합 저해제는, 저해제의 첨가 없이 상기 조성물 그 자체가 사용시 제조, 수송, 저장 또는 제형화 시간에 관한 요건을 충족시킬 수 있는 경우, 이에 첨가되지 않을 수 있다.
기타 성분
상기 언급된 성분 (A) 내지 (C) 이외에, 본 개시의 폴리실록산 조성물은 하나 이상의 기타 성분, 예를 들어 정전기 방지제, 방사선 차페제, 라디칼 저해제, 접착 개질제, 난연 첨가제, 계면활성제, 저장 안정성 개선제, 오존 분해 저해제, 광안정화제, 점도 증진제, 가소제, 항산화제, 열 안정화제, 및 기타 첨가제를 포함할 수 있는데, 단 이의 양은, 조성물이 광학 시스템에서의 사용 및 광학 소자 또는 광학 접착제를 제조하는데 사용될 수 없도록 폴리실록산 조성물의 기계적 특성, 경화 속도 및 투과도에 영향을 주지 않는다.
본 개시에 따른 폴리실록산 조성물은, (A) 내지 (D) 또는 (A) 내지 (E) 와 같은 다양한 성분을 임의적 기타 첨가제와 일정 비율로 균질하게 혼합함으로써 수득될 수 있다. 그리고, 이후 수득된 조성물은 히드로실릴화를 수행하여, 경화 폴리실록산 조성물을 유도한다.
도 1 은 실시예 1-4 에서의 경화 폴리실록산 조성물의 투과도를 보여준다.
도 2 는 실시예 5, 7-8 에서의 경화 폴리실록산 조성물의 투과도를 보여준다.
도 3 은 실시예 6 에서의 경화 폴리실록산 조성물의 투과도를 보여준다.
도 4 는 실시예 9 에서의 경화 폴리실록산 조성물의 투과도를 보여준다.
도 5 는 실시예 10 에서의 경화 폴리실록산 조성물의 투과도를 보여준다.
도 6 은 실시예 11 에서의 경화 폴리실록산 조성물의 투과도를 보여준다.
본 개시는 추가로 하기 실시예를 참조로 설명된다. 그러나, 본 개시는 하기 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 본 개시의 명세서에서 백분율 및 부/비는 달리 명백히 언급되지 않는 한 모두 중량 기준이다.
실시예 1
32 부 수지 11342 (Blue Star Silicone Co. 사제, 이때 621V3500: 621V60000: MMViQ = 40: 20: 40 (중량 비) 이고, 621V3500 및 621V60000 은 양 말단에서 비닐 기로 말단화된 폴리디메틸실록산이고, 점도가 각각 약 3,500 mPa.s 및 약 60,000 mPa.s 이고, 비닐 함량이 각각 0.007 mol/100 g 및 0.003 mol/100 g 이고, 총 비닐 함량이 약 0.041 mol/100 g 임), 41 중량부의 621V3500, 27 중량부의 621V10000 (Blue Star Silicone Co. 사제, 점도가 약 10,000 mPa.s 이고, 비닐 함량이 0.005 mol/100 g 인 비닐-말단화 폴리디메틸실록산), 0.03 중량부의 H50614 (Blue Star Silicone Co. 사제, 테트라메틸 테트라비닐 시클로테트라실록산) 및 백금 함량이 2.8 ppm 인 백금 착물 촉매 (Hewlett-Packard Technology Co., Ltd. 사제, 백금(0)-디비닐테트라메틸디실록산 착물) 을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 5 중량부의 수소-함유 폴리실록산 수지 10339 (Blue Star Silicone Co. 사제, Si(O(CH3)2SiH)4, CAS: 68988-57-8) 를 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 1 시간 동안 경화하여, 경화 폴리실록산 조성물을 수득하였다.
실시예 2
76 중량부의 수지 11342, 24 중량부의 621V3500, 0.03 중량부의 H50614 및 백금 함량이 2.9 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 9 중량부의 수소-함유 폴리실록산 626V25H7 (Blue Star Silicone Co. 사제, 분자 사슬의 말단 및 중앙 모두에 수소 결합을 함유하는 수소-함유 폴리디메틸실록산, Si-H 함량이 0.69 mol/100 g 임) 을 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 1 시간 동안 경화하여 경화 폴리실록산 조성물을 수득하였다.
실시예 3
53 중량부의 수지 11342, 9 중량부의 수지 10340 (Blue Star Silicone Co. 사제, 621V3500: MDViQ = 75:25 (중량 비), 총 비닐 함량이 0.021 mol/100 g 임), 38 중량부의 621V3500, 0.03 중량부의 H50614 및 백금 함량이 3.0 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 6.6 중량부의 수지 10339 및 5.4 중량부의 620H2 (Blue Star Silicone Co. 사제, 수소-말단화 폴리디메틸실록산, Si-H 함량이 0.19 mol/100 g 임) 을 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 경도가 안정해질 때까지 경화하여 경화 폴리실록산 조성물을 수득하였다.
실시예 4
56 중량부의 수지 11342, 44 중량부의 621V3500, 0.03 중량부의 H50614 및 백금 함량이 3.0 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 6.5 중량부의 수지 10339 및 5.4 중량부의 620H2 을 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 1 시간 동안 경화하여 경화 폴리실록산 조성물을 수득하였다.
실시예 5
32 중량부의 수지 11342, 41 중량부의 621V3500, 27 중량부의 621V10000, 0.03 중량부의 H50614 및 백금 함량이 2.8 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 5 중량부의 수지 10339 및 0.55 중량부의 Ciba TINUVIN 384-2 (UV 흡수제, 주 성분: 옥틸 3-(2'H-벤조트리아졸)-5-(1',1'-디메틸에틸)-4-히드록시-페닐프로피오네이트, BASF 사제) 및 용매 PAESTER 9145SD (주 성분: C12-15 알코올 벤조에이트, Baida Precision Chemical Co., Ltd. 사제) 의 혼합물 (이때, 용매 대 UV 흡수제의 비는 1:4 였음) 을 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 1 시간 동안 경화하여 경화 폴리실록산 조성물을 수득하였다. 경화 샘플을 150℃ 에서 24 시간 동안 저장한 다음, 이의 투과도를 측정하였다.
관련 물질은 하기와 같은 구조를 갖는다:
Figure pct00006
Ciba TINUVIN 384-2
Figure pct00007
PAESTER 9145SD
실시예 6
56 중량부의 수지 11342, 44 중량부의 621V3500, 0.03 중량부의 H50614 및 백금 함량이 3.0 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 6.5 중량부의 수지 10339 및 5.4 중량부의 620H2, 뿐 아니라 18.10 중량부의 UV 흡수제 Ciba TINUVIN 400 (CAS: 153519-44-9, 관련 화합물의 조성 및 구조는 하기 제시됨) 및 용매 PAESTER 9145SD 의 혼합물 (이때, 용매 대 UV 흡수제의 비는 334:1 였음) 을 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 1 시간 동안 경화하여 경화 폴리실록산 조성물을 수득하였다.
관련 화합물은 하기와 같은 구조를 갖는다:
Figure pct00008
Ciba TINUVIN 400: 2-[4-[2-히드록시-3-트리데실옥시프로필]옥시]-2-히드록시페닐]-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진 및 2-[4-[2-히드록시-3-도데실옥시프로필]옥시]-2-히드록시페닐]-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진의 혼합물.
실시예 7
53 중량부의 수지 11342, 9 중량부의 수지 10340, 38 중량부의 621V3500, 0.03 중량부의 H50614 및 백금 함량이 3.0 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 6.6 중량부의 수지 10339, 5.4 중량부의 620H2 및 0.46 중량부의 Ciba TINUVIN 384-2 를 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 경도가 안정해질 때까지 경화하여 경화 폴리실록산 조성물을 수득하였다. 경화 샘플을 150℃ 에서 24 시간 동안 저장한 다음, 이의 투과도를 측정하였다.
실시예 8
56 중량부의 수지 11342, 44 중량부의 621V3500, 0.03 중량부의 H50614 및 백금 함량이 3.0 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 6.5 중량부의 수지 10339 및 5.4 중량부의 620H2, 및 0.47 중량부의 UV 흡수제 Ciba TINUVIN 384-2 를 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 1 시간 동안 경화하여 경화 폴리실록산 조성물을 수득하였다. 경화 샘플을 150℃ 에서 24 시간 동안 저장한 다음, 이의 투과도를 측정하였다.
실시예 9
56 중량부의 수지 11342, 44 중량부의 621V3500, 0.03 중량부의 H50614 및 백금 함량이 3.1 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 6.5 중량부의 수지 10339 및 5.4 중량부의 620H2, 및 0.62 중량부의 UV 흡수제 Ciba TINUVIN 384-2 를 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 1 시간 동안 경화하여 경화 폴리실록산 조성물을 수득하였다. 경화 샘플을 150℃ 에서 24 시간 동안 저장한 다음, 이의 투과도를 측정하였다.
실시예 10
56 중량부의 수지 11342, 44 중량부의 621V3500, 0.03 중량부의 H50614 및 백금 함량이 3.1 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 6.6 중량부의 수지 10339 및 5.4 중량부의 620H2, 뿐 아니라 1.3 중량부의 UV 흡수제 PARSOL GUARD (DSM 사제, 주 성분: 1-(4-tert-부틸페닐) 3-(4-메톡시페닐) 프로판-1,3-디온 및 이소옥틸 2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트) 및 용매 이성질체 도데칸의 혼합물 (이때, 용매 대 UV 흡수제의 비는 1:1 였음) 을 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 1 시간 동안 경화하여 경화 폴리실록산 조성물을 수득하였다. 경화 샘플을 150℃ 에서 24 시간 동안 저장한 다음, 이의 투과도를 측정하였다.
관련 화합물은 하기와 같은 구조를 갖는다:
Figure pct00009
1-(4-tert-부틸페닐)-3-(4-메톡시페닐) 프로판-1,3-디온
Figure pct00010
이소옥틸 2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트
Figure pct00011
이성질체 도데칸.
실시예 11
56 중량부의 수지 11342, 44 중량부의 621V3500, 0.03 중량부의 H50614 및 백금 함량이 3.0 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 6.5 중량부의 수지 10339 및 5.4 중량부의 620H2, 뿐 아니라 0.47 중량부의 UV 흡수제 Ciba TINUVIN 292HP (CAS: 41556-26-7, 관련 화합물의 구조는 하기 나타남) 을 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 1 시간 동안 경화하여 경화 폴리실록산 조성물을 수득하였다. 경화 샘플을 150℃ 에서 24 시간 동안 저장한 다음, 이의 투과도를 측정하였다.
관련 화합물은 하기와 같은 구조를 갖는다:
Figure pct00012
Ciba TINUVIN 292HP: 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸피페리딜) 세바케이트
실시예 12
88.9 중량부의 수지 10340, 11.1 중량부의 621V60000, 0.03 중량부의 H50614 및 백금 함량이 3.0 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 4.9 중량부의 수지 10339, 4 중량부의 620H2 를 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 경화하였다.
실시예 13
88.9 중량부의 수지 10340, 11.1 중량부의 621V60000 및 백금 함량이 3.0 ppm 인 백금 착물 촉매를 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
혼합물을 완전히 혼합한 후, 4.9 중량부의 수지 10339, 4 중량부의 620H2 를 첨가하였다. 혼합물을 2,000 rpm 에서 3 회, 각각 20 초 동안 고속 교반기에서 혼합하였다.
상기 혼합물을 45℃ 에서 경화하였다.
수행성 평가
수득한 조성물을 하기 방법에 따라 평가하고, 결과를 표 1 및 도 1 내지 5 에 나타냈다.
외관: 조성물을 45℃ 의 저온에서 45 분 동안 경화하여 실리콘 물질을 수득하였다. 이의 외관을 시각적 조사에 의해 평가하였다.
투과도: 수득한 폴리실록산 조성물을 45℃ 에서 경화하여 무색 및 투명한, 두께 1mm 의 샘플 조각을 수득하고, 이의 450 nm 에서의 투과도를 UV-2600 UV 분광광도계를 사용하여 측정하였다.
UV 흡수 수행성: 관련 투과 곡선을, 투과도 측정에 사용된 바와 동일한 샘플 제조 및 시험 방법을 사용하여 수득하였고; 결과를 도 1 내지 6 에 나타냈다.
경도: 경도를 ASTM D2240 에 따라 측정하였다.
점도: 점도를 ASTM D445 에 따라 측정하였다.
인장 강도: 인장 강도를 ASTM D412 에 따라 측정하였다. 경화 조건: 45℃ 에서 1 시간.
인장 연신율: 인장 연신율을 ASTM D412 에 따라 측정하였다. 경화 조건: 45℃ 에서 1 시간.
절단 강도: 절단 강도를 ASTM D624A 에 따라 측정하였다. 경화 조건: 45℃ 에서 1 시간.
표 1
Figure pct00013
#: UV 흡수제의 용해를 촉진하기 위해 적합한 용매가 첨가되어야 함. 그러나, 과량의 용매는 오일 침전물을 야기하는 반면 적은 용매는 생성물의 투명도를 약화시킴.
*: 45℃ 에서 1 시간 동안 경화 후 유동 상태, 45℃ 에서 3 시간 동안 경화 후 겔 상태로서, 미경화;
n.m. 는 미측정됨을 의미한다.
표 1 및 도 1-6 에서의 결과로부터 확인할 수 있는 바, 본 개시의 실시예 1-5 및 7-10 에 따른 폴리실록산 조성물은, MMViQ 단위를 함유하는 수지를 포함하지 않는 실시예 12 및 13 에 따른 폴리실록산 조성물에 비해, 이의 기계적 특성 및 광학적 특성에 영향을 주지 않으면서, 45℃ 에서 보다 빠른 경화 속도를 갖고, 보다 완전히 경화하였다. 중합 저해제 H50614 는 실시예 1-5 및 7-10 및 실시예 12 에서 사용되었지만, 실시예 13 에서는 사용되지 않았다. 일반적으로, 본 개시의 경화 조건 하에서 중합 저해 성분이 폴리실록산 조성물의 경화에 영향을 주거나 저해할 수 있다고 인식되지만, 표 1 및 실시예 1-5 및 7-10 과 실시예 13 의 비교 결과로부터, 실시예 1-5 및 7-10 의 경화 속도가, H50614 가 첨가되지 않은 경우에도 실시예 13 보다 훨씬 더 빨랐다는 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 1 내지 6 으로부터, UV 흡수제 Ciba TINUVIN 384-2 를 함유하는 경화 조성물이, 장기간 에이징의 경우, 예를 들어 24 시간 동안 150℃ 의 고온 촉진 에이징 시험 조건 하에서 에이징 후 여전히 비교적 양호한 투과도 및 UV 흡수 효과를 유지하였다는 것을 확인할 수 있다. 한편, UV 흡수제 Ciba TINUVIN 384-2 가 사용된 경우, 유기 가용화제의 사용은 생략될 수 있다.
또한, 화학식 (Z) 에 따른 UV 흡수제 Ciba TINUVIN 384-2 를 포함하는 폴리실록산 조성물은 또한 투명도 및 UV 흡수 효과의 관점에서 트리아진 (실시예 6) 및 입체 장애 아민 (실시예 11) 을 포함하는 조성물에 비해 명백히 우수하였다. 트리아진 UV 흡수제와 폴리실록산 수지의 양립성은 매우 양호하지 않았고, 양립성을 개선하기 위해 비교적 많은 양의 용매가 요구되어, 경화 샘플로부터 용매가 침전되고, 매우 낮은 투과도를 야기하였다 (도 3 에서 나타난 바와 같음). 또한, 도 6 에서 나타난 바와 같이, 입체 장애 아민-계 UV 흡수제는 UV 광을 완전히 흡수하지 못할 수 있고, 에이징 처리 후, 투과도 및 UV 흡수 효과는 여전히 개선되지 않았다.

Claims (19)

  1. 하기를 포함하는 폴리실록산 조성물:
    (A) 폴리실록산 A1 및 폴리실록산 수지 A2 의 총 중량을 기준으로, 0 내지 99.9 중량% 의, 분자 당 규소 원자에 둘 이상의 알케닐기가 결합되어 있는 하나 이상의 폴리실록산 A1, 및 0.1 내지 100 중량% 의, 분자 당 규소 원자에 둘 이상의 알케닐기가 결합되어 있는 하나 이상의 폴리실록산 수지 A2 를 포함하거나 실질적으로 이로 이루어지는 알케닐 폴리실록산 성분,
    여기서 폴리실록산 수지 A2 는 하기를 포함하거나 실질적으로 이로 이루어짐:
    화학식 R3SiO1/2 의 실록산 단위 M, 화학식 R2SiO2/2 의 실록산 단위 D, 화학식 RSiO3/2 의 실록산 단위 T 및 화학식 SiO4/2 의 실록산 단위 Q 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 둘 이상의 상이한 실록산 단위, 여기서 R 은 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 1가 탄화수소기를 나타내고, 바람직하게는 1 내지 12 개, 보다 바람직하게는 1 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 바람직하게는 1가 지방족 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고,
    하나 이상의 실록산 단위는 실록산 단위 T 또는 Q 이고, 하나 이상의 실록산 단위 M, D 및 T 는 알케닐기를 포함하고,
    단, 하나 이상의 상기 폴리실록산 수지 A2 는 알케닐기를 갖는 하나 이상의 실록산 단위 M (MVi 단위) 을 포함하는 폴리실록산 수지임;
    (B) 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 B1, 또는 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 수지 B2 또는 이 둘의 혼합물을 포함하거나 실질적으로 이로 이루어지는 수소-함유 폴리실록산 성분,
    단, 상기 수소-함유 폴리실록산 성분은 총 둘 이상의 Si-H 원자를 포함함;
    (C) 유효량의 하나 이상의 히드로실릴화 촉매.
  2. 제 1 항에 있어서, 폴리실록산 수지 A2 에서, 단위 M 에 결합되어 있는 알케닐기의 함량이, 폴리실록산 수지 A2 에서의 총 알케닐 함량의 50% 초과, 바람직하게는 60% 초과, 보다 바람직하게는 80% 초과, 가장 바람직하게는 90% 초과를 차지하는 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 폴리실록산 수지 A2 에서의 알케닐기의 함량이, 100 g 의 폴리실록산 수지 A2 를 기준으로 0.001 mol 이상, 바람직하게는 0.01 mol 이상인 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 알케닐기를 갖는 실록산 단위 M (MVi 단위) 을 포함하는 폴리실록산 수지가 화학식 MViQ, 화학식 MMViQ, 화학식 MViTQ 및 화학식 MViDQ 등의 오르가노폴리실록산 수지로부터 선택되고, 특히 바람직하게는 화학식 MMViQ 의 오르가노폴리실록산 수지로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리실록산 수지 A2 가 중량 평균 분자량이 200 내지 100,000, 바람직하게는 200 내지 50,000, 보다 바람직하게는 500 내지 30,000 의 범위인 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리실록산 A1 이 하기를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물:
    (i) 화학식 (I-1) 의 실록산 단위
    Figure pct00014

    [식 중,
    Rx 는 C2-12, 바람직하게는 C2-6 알케닐, 가장 바람직하게는 비닐 또는 알릴을 나타내고,
    Z 는 동일 또는 상이할 수 있고, 1 내지 30 개, 바람직하게는 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 1가 탄화수소 라디칼을 나타내고, 바람직하게는 하나 이상의 할로겐 원자로 임의 치환된 알킬기를 포함하는 C1-8 알킬기로부터 선택되고, 또한 바람직하게는 아릴기, 특히 C6-20 아릴기로부터 선택되고,
    a 는 1 또는 2 이고, b 는 0, 1 또는 2 이고, a + b 는 1, 2 또는 3 임],
    (ii) 임의로 화학식 (I-2) 의 기타 실록산 단위
    Figure pct00015

    [식 중,
    Z 는 상기 기재된 바와 같은 의미를 갖고, c 는 0, 1, 2 또는 3 임].
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물이 추가로 자외선 흡수제 성분 D 를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 자외선 흡수제 성분 D 가 화학식 Z 의 벤조트리아졸 화합물로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물:
    Figure pct00016

    [식 중,
    Y1 은 -H, -Cl, -Br 이고;
    Y2 는 -H, C1-C12 알킬, -Cl, C1-C12 알콕시, C7-C9 페닐알킬, -CnH2n-COOX 이고, 여기서 n 은 0-4 이고, X 는 C1-C20 알킬, 또는 실록산-치환 C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, C7-C9 페닐알킬 및 -CnH2n-COOX 이고;
    Y3 은 -H, C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 페닐, -Cl, (C1-C8 알킬) 페닐, C5-C6 시클로알킬, C2-C9 알콕시아실, 카르복시에틸, C7-C9 페닐알킬, 또는 실록산-치환 C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 페닐, (C1-C8 알킬) 페닐, C5-C6 시클로알킬, C2-C9 알콕시아실, 카르복시에틸, C7-C9 페닐알킬임].
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 자외선 흡수제 성분 D 가 옥틸 3-(2'H-벤조트리아졸)-5-(1',1'-디메틸에틸)-4-히드록시-페닐프로피오네이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 성분 A 및 B 의 총 함량이 총 성분의 50 중량% 초과, 바람직하게는 60 중량% 초과, 보다 바람직하게는 80 중량% 초과를 차지하는 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  11. 하기를 포함하는 폴리실록산 조성물:
    (A) 폴리실록산 A1 및 폴리실록산 수지 A2 의 총 중량을 기준으로, 0 내지 99.9 중량% 의, 분자 당 규소 원자에 둘 이상의 알케닐기가 결합되어 있는 하나 이상의 폴리실록산 A1, 및 0.1 내지 100 중량% 의, 분자 당 규소 원자에 둘 이상의 알케닐기가 결합되어 있는 하나 이상의 폴리실록산 수지 A2 를 포함하거나 실질적으로 이로 이루어지는 알케닐 폴리실록산 성분,
    여기서 폴리실록산 수지 A2 는 하기를 포함하거나 실질적으로 이로 이루어짐:
    화학식 R3SiO1/2 의 실록산 단위 M, 화학식 R2SiO2/2 의 실록산 단위 D, 화학식 RSiO3/2 의 실록산 단위 T 및 화학식 SiO4/2 의 실록산 단위 Q 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 둘 이상의 상이한 실록산 단위, 여기서 R 은 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 1가 탄화수소기를 나타내고, 바람직하게는 1 내지 12 개, 보다 바람직하게는 1 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 바람직하게는 1가 지방족 또는 방향족 탄화수소기를 나타내고,
    하나 이상의 실록산 단위는 실록산 단위 T 또는 Q 이고, 하나 이상의 실록산 단위 M, D 및 T 는 알케닐기를 포함하고;
    (B) 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 B1, 또는 분자 당 동일 또는 상이한 규소 원자에 결합되어 있는 하나 이상의 Si-H 원자를 갖는 하나 이상의 수소-함유 폴리실록산 수지 B2 또는 이 둘의 혼합물을 포함하거나 실질적으로 이로 이루어지는 수소-함유 폴리실록산 성분,
    단, 상기 수소-함유 폴리실록산 성분은 총 둘 이상의 Si-H 원자를 포함함;
    (C) 유효량의 하나 이상의 히드로실릴화 촉매; 및
    (D) 화학식 Z 의 벤조트리아졸 화합물로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 UV 흡수제 성분 D
    Figure pct00017

    [식 중,
    Y1 은 -H, -Cl, -Br 이고;
    Y2 는 -H, C1-C12 알킬, -Cl, C1-C12 알콕시, C7-C9 페닐알킬, -CnH2n-COOX 이고, 여기서 n 은 0-4 이고, X 는 C1-C20 알킬, 또는 실록산-치환 C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, C7-C9 페닐알킬 및 -CnH2n-COOX 이고;
    Y3 은 -H, C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 페닐, -Cl, (C1-C8 알킬) 페닐, C5-C6 시클로알킬, C2-C9 알콕시아실, 카르복시에틸, C7-C9 페닐알킬, 또는 실록산-치환 C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 페닐, (C1-C8 알킬) 페닐, C5-C6 시클로알킬, C2-C9 알콕시아실, 카르복시에틸, C7-C9 페닐알킬임].
  12. 제 11 항에 있어서, Y1 이 H 를 나타내고;
    Y2 가 C3-C12 알킬, C7-C9 페닐알킬, -CnH2n-COOX 를 나타내고, 여기서 n 은 1-3 을 나타내고, 및/또는 X 는 C1-C12 알킬, 또는 실록산-치환 C1-C12 알킬을 나타내고; 보다 바람직하게는 Y2 는 C3-C12 알킬, 실록산-치환 C1-C12 알킬 또는 -CnH2n-COOX 를 나타내고, 여기서 n 은 1-3 을 나타내고, 및/또는 X 는 C3-C12 알킬을 나타냄; 및/또는
    Y3 가 C1-C4 알콕시, 페닐, -Cl 또는 C1-C12 알킬, 실록산-치환 C1-C12 알킬을 나타내고, 보다 바람직하게는 C1-C8 알킬 및 실록산-치환 C1-C12 알킬을 나타내는 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, UV 흡수제 성분 D 가 2-(2'-히드록시-3',5'-디-tert-펜틸페닐) 벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3'-디(트리메틸실록시)메틸실릴이소부틸)-5'-헥실) 벤조트리아졸 및 옥틸 3-(2'H-벤조트리아졸)-5-(1',1'-디메틸에틸)-4-히드록시-페닐프로피오네이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 벤조트리아졸 화합물이 옥틸 3-(2'H-벤조트리아졸)-5-(1',1'-디메틸에틸)-4-히드록시-페닐프로피오네이트인 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  15. 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 상기 폴리실록산 수지 A2 가 알케닐기를 갖는 하나 이상의 실록산 단위 M (MVi 단위) 를 포함하는 폴리실록산 수지인 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  16. 제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리실록산 수지 A2 에서, 단위 M 에 결합되어 있는 알케닐기의 함량이, 폴리실록산 수지 A2 에서의 총 알케닐 함량의 50% 초과, 바람직하게는 60% 초과, 보다 바람직하게는 80% 초과, 가장 바람직하게는 90% 초과를 차지하는 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  17. 제 11 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리실록산 수지 A2 에서의 알케닐기의 함량이, 100 g 의 폴리실록산 수지 A2 를 기준으로 0.001 mol 이상, 바람직하게는 0.01 mol 이상인 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  18. 제 15 항 내지 제 17 중 어느 한 항에 있어서, 알케닐기를 갖는 실록산 단위 M (MVi 단위) 을 포함하는 폴리실록산 수지가 화학식 MViQ, 화학식 MMViQ, 화학식 MViTQ 및 화학식 MViDQ 등의 오르가노폴리실록산 수지로부터 선택되고, 특히 바람직하게는 화학식 MMViQ 의 오르가노폴리실록산 수지로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 폴리실록산 조성물.
  19. 소자, 특히 광학 소자, 바람직하게는 프레넬(Fresnel) 렌즈로서, 소자가 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 폴리실록산 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자.
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