KR20170099696A - Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer - Google Patents

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Abstract

Provided is an adhesive film for protecting surfaces of semiconductor wafers. To this end, the adhesive film comprises a base material layer, a middle layer, and an adhesive layer. The middle layer contains a monomeric component containing an alicyclic methacrylate monomer and an alkyl methacrylate monomer, a photopolymerizable polymer made of the monomeric component, and a photo-cured product of a composition for forming the middle layer containing diluted monomers. The diluted monomer contains a hydroxyl group-containing methacrylic monomer, and content of the diluted monomer is 25-400 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the sum of the monomeric component and the photopolymerizable polymer made of the monomeric component.

Description

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 {SURFACE PROTECTING ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer (SURFACE PROTECTING ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER)

반도체 웨이퍼를 가공함에 있어서 표면을 보호할 필요가 있는 경우에 반도체 웨이퍼의 표면에 부착하여 표면을 보호하는 역할을 하는 점착 필름에 관한 것이다.
The present invention relates to an adhesive film which serves to protect a surface of a semiconductor wafer by adhering to a surface of a semiconductor wafer when it is necessary to protect the surface of the semiconductor wafer.

최근 전자 제품의 소형화 및 경량화 등이 급격히 진행되고 있으며, 이에 따라 반도체 패키지의 리드레스(leadless)화, 박형화 및 칩의 고집적화에 대한 요구도 증가하고 있다. 이러한 요구에 대응하여, 상기 반도체 패키지에 포함되는 웨이퍼의 대구경화 및 박형화에 대한 요구 역시 증가하고 있다.Recently, miniaturization and lightening of electronic products are rapidly proceeding, and there is an increasing demand for leadless, thinned, and highly integrated chips in semiconductor packages. In response to this demand, there is also an increasing demand for large-scale curing and thinning of the wafers included in the semiconductor package.

그러나, 대구경화의 진행에 따라 연삭 (backgrinding) 공정 중 웨이퍼 오염 및 균열 발생과 같은 웨이퍼의 손상이 빈번히 발생하고 있으며, 이에 따라 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 역할이 더욱 중요시되고 있다.However, due to the progress of the hardening of the wafer, wafers are often damaged such as wafer contamination and cracking during the backgrinding process, and thus the role of the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer becomes more important.

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 다층 구조를 가질 수 있고, 일반적으로 기본적인 지지 역할을 하는 기재층을 포함하게 된다. 이러한 기재층은 반도체 웨이퍼의 가공 공정 중에 필름의 안정성을 확보하는 데 중요한 역할을 하며, 점착 필름이 적절한 외력에 의해 평평하게 잘 부착될 수 있고, 필요한 경우 적절한 외력에 의해 잔사 없이 박리될 수 있도록 구조적으로 적합한 강성 및 연신 성능을 부여하는 역할을 한다.
The adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer may have a multi-layered structure, and generally includes a substrate layer serving as a basic support. The base layer plays an important role in ensuring the stability of the film during the processing of the semiconductor wafer, and it can be structured so that the adhesive film can be adhered flatly by an appropriate external force and, if necessary, To give appropriate stiffness and stretching performance.

본 발명의 일 구현예는 웨이퍼로부터 박리시 박리력이 우수하고, 단차 흡수능이 뛰어나며, 또한, 박리시 잔사가 없는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공한다.
One embodiment of the present invention provides a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer, which has excellent peeling force when peeling off from a wafer, excellent in step difference absorbing ability, and free from residue upon peeling.

본 발명의 일 구현예에서, 기재층, 중간층 및 점착층을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공한다. In one embodiment of the present invention, there is provided a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer comprising a base layer, an intermediate layer and an adhesive layer.

상기 중간층은: Wherein the intermediate layer comprises:

지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머를 포함하는 모노머 성분, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체 및 희석 모노머를 포함하는 중간층 형성용 조성물의 광경화물을 포함하고,A photocurable composition for forming an intermediate layer comprising a monomer component comprising an alicyclic (meth) acrylate monomer and an alkyl (meth) acrylate monomer, a photopolymerizable monomer of the monomer component, and a diluting monomer,

상기 희석 모노머는 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머를 포함하고, Wherein the diluent monomer comprises a hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer,

상기 희석 모노머의 함량은: 상기 모노머 성분 및 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체의 합 100 중량부 대비 25 내지 400 중량부이다.
The content of the diluted monomer is 25 to 400 parts by weight based on 100 parts by weight of the sum of the monomer components and the photopolymerizable components of the monomer components.

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 구현예는 단차 흡수능이 뛰어나고, 박리시 가공성을 향상시킬 수 있다.
The above-mentioned adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer has excellent step difference absorbing ability and can improve workability upon peeling.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 다른 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 범프가 일면에 형성된 반도체 웨이퍼에 적용하는 모식적인 단면도이다.
도 3은 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 범프가 일면에 형성된 반도체 웨이퍼에 적용한 뒤, 이면 연삭에 의해 소정의 두께로 형성된 반도체 웨이퍼의 모식적인 단면도이다.1 schematically shows a cross section of a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer according to another embodiment of the present invention applied to a semiconductor wafer having bumps formed on one surface thereof.
3 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor wafer formed with a predetermined thickness by back grinding after applying the above-described adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface to a semiconductor wafer formed on one surface of a bump.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the following claims.

본 명세서의 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.In the drawings of the present specification, the thicknesses are enlarged to clearly indicate layers and regions. In the drawings, for the convenience of explanation, the thicknesses of some layers and regions are exaggerated.

이하에서 기재의 “상부 (또는 하부)” 또는 기재의 “상 (또는 하)”에 임의의 구성이 형성된다는 것은, 임의의 구성이 상기 기재의 상면 (또는 하면)에 접하여 형성되는 것을 의미할 뿐만 아니라, 상기 기재와 기재 상에 (또는 하에) 형성된 임의의 구성 사이에 다른 구성을 포함하지 않는 것으로 한정하는 것은 아니다.
Hereinafter, the formation of any structure in the "upper (or lower)" or the "upper (or lower)" of the substrate means that any structure is formed in contact with the upper surface (or lower surface) of the substrate However, the present invention is not limited to not including other configurations between the substrate and any structure formed on (or under) the substrate.

본 발명의 일 구현예에서: In one embodiment of the invention:

기재층, 중간층 및 점착층을 포함하고, A base layer, an intermediate layer and an adhesive layer,

상기 중간층은: Wherein the intermediate layer comprises:

지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머를 포함하는 모노머 성분, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체 및 희석 모노머를 포함하는 중간층 형성용 조성물의 광경화물을 포함하고,A photocurable composition for forming an intermediate layer comprising a monomer component comprising an alicyclic (meth) acrylate monomer and an alkyl (meth) acrylate monomer, a photopolymerizable monomer of the monomer component, and a diluting monomer,

상기 희석 모노머는 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머를 포함하고, Wherein the diluent monomer comprises a hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer,

상기 희석 모노머의 함량은: 상기 모노머 성분 및 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체의 합 100 중량부 대비 25 내지 400 중량부인The content of the diluted monomer is 25 to 400 parts by weight per 100 parts by weight of the sum of the monomer component and the photopolymerizable monomer of the monomer component

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 제공한다.A pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer.

상기 중간층 형성용 조성물은 상기 희석 모노머가 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머를 포함하도록 하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머에 기인한 성분의 함량 조절을 미세하게 조절함으로써, 단차 흡수능을 향상시키고, 박리시 가공성을 향상시킬 수 있다. The composition for forming an intermediate layer may be such that the diluted monomer contains a hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer to finely control the content of a component derived from a hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer in the pressure- It is possible to improve the absorption ability and improve the workability upon peeling.

상기 희석 모노머의 함량 및 상기 희석 모노머 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머의 함량은 하기 계산식 1에 의해 정해질 수 있다.The content of the diluting monomer and the content of the hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer in the diluting monomer may be determined by the following equation (1).

<계산식 1><Formula 1>

Y ≤ (5 X + 500) / XY? (5 X + 500) / X

X는 상기 희석 모노머의 중량부 함량으로서, 상기 모노머 성분 및 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체의 합 100 중량부 대비 중량부 함량이고,X is the weight part content of the diluted monomer, and the content of the monomer component and the monomer component is in the amount of 100 parts by weight based on the sum of the photopolymerizable polymer,

Y는 상기 희석 모노머 100 중량% 중 상기 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머의 중량% 함량을 의미한다.
And Y represents the weight% of the hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer in 100 wt% of the diluent monomer.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.FIG. 1 schematically shows a cross-section of a pressure-sensitive adhesive film 100 for protecting a surface of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

도 1에서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 기재층(10), 중간층(20) 및 점착층(30)을 포함한다. 상기 점착 필름은 상기 기재층(10) 및 점착층(30) 사이에 중간층(20)이 포함된 구조를 가짐으로써 우수한 단차 흡수 성능을 구현할 수 있다.
1, the adhesive film 100 for protecting a surface of a semiconductor wafer includes a base layer 10, an intermediate layer 20, and an adhesive layer 30. The adhesive film has a structure in which the intermediate layer 20 is included between the base layer 10 and the adhesive layer 30, thereby achieving excellent step difference absorption performance.

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 반도체 웨이퍼 등의 반도체 제품이나 광학계 제품 등을 정밀 가공하는 공정에서, 반도체 웨이퍼 또는 제품을 보유하거나 보호하기 위한 필름으로, 웨이퍼 등의 표면 보호나 파손방지를 위해 사용된다. The adhesive film 100 for protecting a surface of a semiconductor wafer is a film for holding or protecting a semiconductor wafer or a product in a process of precision processing a semiconductor product such as a semiconductor wafer or an optical system product or the like, .

일 구현예에서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 일면에 범프 (bump)를 형성한 웨이퍼의 이면 연삭 공정 (혹은, '백그라인딩 (backgrinding) 공정')에 적용된다. 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 회로 등과 같은 범프가 형성된 웨이퍼에 적용시 범프의 단차에 대하여 우수한 단차 흡수능을 발휘하고, 또한, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)의 박리시 잔류물을 최소화하여 우수한 비오염 성능을 제공할 수 있으므로, 이러한 범프가 형성된 웨이퍼에 적용하기에 적합하다. In one embodiment, the adhesive film 100 for protecting a semiconductor wafer surface is applied to a back grinding process (or a 'backgrinding process') of a wafer having bumps formed on one surface thereof. The adhesive film 100 for protecting the surface of the semiconductor wafer exhibits an excellent step absorbability against the step of bumps when applied to a wafer having a bump such as a circuit or the like, Can be minimized to provide excellent non-contamination performance, which is suitable for application to wafers formed with such bumps.

전극, 회로 등과 같은 범프가 일면에 형성된 웨이퍼는 이면 연삭 공정을 수행하기 위해, 먼저 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)을 상기 범프가 형성된 일면에 점착시킨 뒤, 이면 연삭 공정을 수행하여 소정의 두께를 갖는 웨이퍼를 제조한다. 범프에 의해 발생한 표면 단차가 크면, 범프 부분에 응력이 집중되어 웨이퍼가 쉽게 파손될 수 있기 때문에, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)을 범프가 형성된 일면에 부착한 뒤 이면 연삭 공정을 수행하여 웨이퍼를 파손으로부터 보호한다. In order to perform the back grinding process, a wafer having bumps formed on one surface such as an electrode, a circuit, and the like is first adhered to one surface of the semiconductor wafer surface protecting surface for protecting the surface of the semiconductor wafer, &Lt; / RTI &gt; If the surface level difference caused by the bump is large, the stress can be concentrated on the bump portion and the wafer can be easily broken. Therefore, after attaching the adhesive film 100 for protecting the semiconductor wafer surface to the bump formed surface, Protects against damage.

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 상기 기재층(10), 상기 중간층(20) 및 상기 점착층(30)의 3층 구조를 가짐에 따라 전술한 범프가 형성된 웨이퍼의 이면 연삭 공정에 적용시 우수한 단차 흡수능을 발휘하면서, 동시에, 상기 중간층(20)과 상기 점착층(30) 간의 계면 부착성이 우수하여, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)의 박리시 잔사를 발생시키지 않을 수 있다.
Since the adhesive film 100 for protecting the semiconductor wafer surface has a three-layer structure of the base layer 10, the intermediate layer 20 and the adhesive layer 30, the semiconductor wafer surface protective adhesive film 100 is applied to the back grinding process of the wafer on which the bumps are formed The interface adhesion between the intermediate layer 20 and the pressure-sensitive adhesive layer 30 is excellent at the same time as it exhibits an excellent step absorbing ability at the time of peeling the semiconductor wafer surface protecting adhesive film 100, .

상기 기재층(10)은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리올레핀 필름, 폴리비닐클로라이드 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-알킬아크릴레이트 공중합체 필름 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The base layer 10 is at least one selected from the group consisting of a polyethylene terephthalate film, a polyolefin film, a polyvinyl chloride film, a polyurethane film, an ethylene-vinyl acetate copolymer film, an ethylene-alkyl acrylate copolymer film, One can be included.

상기 기재층(10)의 두께는, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100) 자체의 강도에 영향을 주고, 또 이면 연삭 공정 수행시의 웨이퍼 파손 방지에도 영향을 주기 때문에, 웨이퍼의 표면 단차, 범프의 유무 등에 따라, 적절한 두께를 선택하는 것이 바람직하다.The thickness of the base layer 10 influences the strength of the adhesive film 100 for protecting the surface of the semiconductor wafer itself and also affects the prevention of wafer breakage during the backside grinding process. It is preferable to select an appropriate thickness.

상기 기재층(10)은 압출 공정, 광경화 공정, 캐스팅 공정, 캘린더링 공정, 열경화 공정 등에 의해 제조될 수 있다. The base layer 10 may be produced by an extrusion process, a photo-curing process, a casting process, a calendering process, a heat curing process, or the like.

예를 들어, 아크릴 필름은 자외선 경화를 통해 얻을 수 있고, 압출 공정에 의해 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름을, 또한, 열경화 공정에 의해 폴리우레탄 필름을 제조할 수 있으며, 나아가, 폴리비닐클로라이드 필름은 캐스팅 공정이나 캘린더링 공정에 의해 형성될 수 있다.
For example, the acrylic film can be obtained through ultraviolet curing, and an ethylene-vinyl acetate copolymer film can be produced by an extrusion process, and a polyurethane film can be produced by a thermosetting process. Further, a polyvinyl chloride film May be formed by a casting process or a calendering process.

상기 기재층(10)의 두께는 약 50㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다. 상기 기재층(10)의 두께에 제한이 있는 것은 아니나, 상기 범위의 두께를 유지함으로써 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100) 제조 공정상 유리하고 불필요한 단차 상승을 방지할 수 있다는 점에서 유리하다.
The thickness of the base layer 10 may be about 50 탆 to about 100 탆. Although there is no limitation on the thickness of the base layer 10, it is advantageous in that it is advantageous in that it is advantageous in terms of the production process of the adhesive film 100 for protecting the surface of the semiconductor wafer to maintain unnecessary step elevation by maintaining the thickness within the above range.

상기 중간층(20)은 중간층 형성용 조성물을 준비한 뒤, 이를 광경화하여 형성될 수 있다. The intermediate layer 20 may be formed by preparing a composition for forming an intermediate layer and then photo-curing it.

상기 중간층 형성용 조성물은 먼저 광경화성 중합체를 준비하고, 여기에 희석 모노머를 첨가하여 준비할 수 있다.The composition for forming an intermediate layer can be prepared by first preparing a photo-curable polymer and then adding a diluted monomer thereto.

상기 광경화성 중합체를 얻기 위해 모노머 혼합물을 열중합하여 얻어진 조성물은 중합으로 얻어진 올리고머 및 프리폴리머 뿐만 아니라 중합도에 따라 미반응 모노머를 포함할 수 있다. 즉, 상기 광경화성 중합체를 중합하기 위한 모노머 혼합물을 중합하여 얻은 중합체 혼합 조성물을 미반응 모노머, 올리고머 및 프리폴리머를 포함한 그대로 사용할 수 있다. The composition obtained by thermally polymerizing the monomer mixture to obtain the photo-curable polymer may contain unreacted monomers depending on the degree of polymerization as well as oligomers and prepolymers obtained by polymerization. That is, the polymer mixed composition obtained by polymerizing the monomer mixture for polymerizing the photocurable polymer may be used as it is, including unreacted monomer, oligomer and prepolymer.

상기 광경화성 중합체의 중합도는 얻고자 하는 중간층(20)의 물성에 따라 적절히 선택할 수 있고, 구체적으로, 상기 광경화성 중합체의 중량평균분자량은 약 500,000 내지 약 1,500,000 g/mol 일 수 있다.The polymerization degree of the photo-curable polymer can be appropriately selected according to the physical properties of the intermediate layer 20 to be obtained. Specifically, the photo-curable polymer may have a weight average molecular weight of about 500,000 to about 1,500,000 g / mol.

상기 모노머 혼합물은 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머를 포함할 수 있다.The monomer mixture may comprise an alicyclic (meth) acrylate monomer and an alkyl (meth) acrylate monomer.

따라서, 상기 미반응 모노머는 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머일 수 있고, 상기 광경화성 중합체는 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머의 올리고머 또는 그 프리폴리머일 수 있다.Thus, the unreacted monomer may be an alicyclic (meth) acrylate monomer and an alkyl (meth) acrylate monomer, and the photocurable polymer may be an alicyclic (meth) acrylate monomer and an oligomer of an alkyl (meth) Or the prepolymer thereof.

그에 따라, 상기 중간층 형성용 조성물은 상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머를 포함하는 모노머 성분, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체 및 희석 모노머를 포함할 수 있다. 상기 모노머 성분은 전술한 미반응 모노머를 의미하고, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체는 전술한 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머의 올리고머 또는 그 프리폴리머를 의미한다.
Accordingly, the composition for forming an intermediate layer may include a monomer component including the alicyclic (meth) acrylate monomer and the alkyl (meth) acrylate monomer, the photo-curable polymer of the monomer component, and a diluting monomer. The monomer component means the unreacted monomer described above, and the photopolymerizable polymer of the monomer component means the oligomer of the alicyclic (meth) acrylate monomer and the alkyl (meth) acrylate monomer or the prepolymer thereof.

상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머는, C3-C20 지환족기를 함유한 (메타)아크릴레이트일 수 있다.The alicyclic (meth) acrylate monomer may be a (meth) acrylate containing a C3-C20 alicyclic group.

일 구현예에서, 상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머는 지환족 축합고리 또는 융합고리 함유 아크릴레이트일 수 있다. In one embodiment, the alicyclic (meth) acrylate monomer may be an alicyclic condensed ring or a fused ring containing acrylate.

상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머는, 예를 들어, 싸이클로펜실(메타)아크릴레이트, 싸이클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트 및 이들의 조합을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The alicyclic (meth) acrylate monomer may be at least one selected from the group consisting of cyclopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, . &Lt; / RTI &gt;

상기 알킬(메타)아크릴레이트 모노머는, 예를 들어, 알킬(메타)아크릴레이트일 수 있고, 상기 알킬(메타)아크릴레이트의 알킬은 선형 또는 분지형 C1-C14 알킬일 수 있다.The alkyl (meth) acrylate monomer may be, for example, alkyl (meth) acrylate, and the alkyl of the alkyl (meth) acrylate may be linear or branched C1-C14 alkyl.

상기 알킬(메타)아크릴레이트 모노머는, 더욱 구체적으로, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, n-프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, sec-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소노닐 (메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 테트라데실 (메타)아크릴레이트 및 이들의 조합을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
More specifically, the alkyl (meth) acrylate monomer may be at least one selected from the group consisting of methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) Butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (Meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, lauryl One can be included.

상기 중간층(20)은 상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 또는 그에 기인한 구조 단위를 포함하여 점착력을 향상시키면서, 다른 한편, 상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 또는 그에 기인한 구조 단위에 의해 높아지는 유리 전이 온도는 모듈러스를 원치 않는 수준으로 높이기 때문에, 상기 알킬(메타)아크릴레이트 모노머 또는 그에 기인한 구조 단위를 함께 포함하여 유리 전이 온도를 낮춤으로써 모듈러스를 조절할 수 있다. The intermediate layer 20 contains the alicyclic (meth) acrylate monomer or a structural unit derived from the alicyclic (meth) acrylate monomer to improve the adhesion, and on the other hand, Since the glass transition temperature raises the modulus to an undesirable level, the modulus can be adjusted by lowering the glass transition temperature by including the alkyl (meth) acrylate monomer or a structural unit derived therefrom.

구체적으로, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체는 상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 대 상기 알킬(메타)아크릴레이트 모노머 20:80 내지 60:40의 중량비로 중합된 것일 수 있다.Specifically, the photocurable polymer of the monomer component may be polymerized in a weight ratio of the alicyclic (meth) acrylate monomer to the alkyl (meth) acrylate monomer of 20:80 to 60:40.

상기 모노머 성분 및 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체가 상기 함량 범위로 상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 또는 그에 기인한 구조 단위 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머 또는 그에 기인한 구조 단위를 포함하면, 상기 중간층(20)의 점착력을 소정의 수준으로 확보하면서 동시에 상기 중간층(20)의 유리 전이 온도를 적절히 달성하여 원하는 단차 흡수능을 발휘할 수 있는 소정의 모듈러스를 가질 수 있다.When the photo-curable polymer of the monomer component and the monomer component contains the alicyclic (meth) acrylate monomer or a structural unit derived therefrom and an alkyl (meth) acrylate monomer or a structural unit derived therefrom in the content range, It is possible to secure a predetermined level of adhesive force of the intermediate layer 20 and at the same time to have a predetermined modulus capable of appropriately attaining the glass transition temperature of the intermediate layer 20 and exhibiting a desired level difference absorbing ability.

상기 모노머 성분은, 상기 광경화성 중합체를 얻기 위해 모노머 혼합물을 중합한 결과 남는 미반응 모노머로 이루어질 수 있으므로, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체의 상기 함량 범위와 동일한 함량비로 상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 상기 알킬(메타)아크릴레이트 모노머를 포함할 수 있다. Since the monomer component can be composed of unreacted monomer remaining as a result of polymerizing the monomer mixture to obtain the photo-curable polymer, the content of the alicyclic (meth) acrylate Monomers and the alkyl (meth) acrylate monomers described above.

구체적으로, 상기 모노머 성분은, 상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 20 내지 60 중량% 및 상기 알킬(메타)아크릴레이트 모노머 40 내지 80 중량%를 포함할 수 있다.
Specifically, the monomer component may include 20 to 60% by weight of the alicyclic (meth) acrylate monomer and 40 to 80% by weight of the alkyl (meth) acrylate monomer.

상기 모노머 성분은 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머에 더하여, 부여하고자 하는 물성에 따라 추가적인 모노머를 더 포함할 수 있고, 상기 추가적인 모노머는 (메타)아크릴계 모노머일 수 있다. In addition to the alicyclic (meth) acrylate monomers and the alkyl (meth) acrylate monomers, the monomer component may further include additional monomers depending on physical properties to be imparted, and the additional monomers may be (meth) acrylic monomers .

상기 추가적인 모노머로서 상기 (메타)아크릴계 모노머는, 예를 들어, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, n-프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, sec-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소노닐 (메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 테트라데실 (메타)아크릴레이트, 아크릴산, 메타크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시 아세트산, 3-(메타)아크릴로일옥시 프로필산, 4-(메타)아크릴로일옥시 부틸산, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실 (메타)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있고, 단, 상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머와는 이종의 모노머이다.
As the additional monomer, the (meth) acrylic monomer may be, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, (Meth) acryloyloxyacetic acid, 3- (meth) acryloyloxypropyl acid, 4- (meth) acryloyloxybutyric acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (Meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6- (Meth) acrylate, 2-hydroxypropyleneglycol (meth) acrylate, 2-hydroxypropyleneglycol (meth) acrylate, (Meth) acrylate monomers and alkyl (meth) acrylate monomers, but the alicyclic (meth) acrylate monomers and alkyl (meth) acrylate monomers are heterogeneous.

일 구현예에서, 상기 모노머 성분은 상기 추가적인 모노머를 더 포함하고, 상기 추가적인 모노머는 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머를 포함하는 경우, 전술한 희석 모노머 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머의 함량 조절과 관련하여 함량을 조절해야 된다. 상기 추가적인 모노머가 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머를 포함하게 되면, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체 역시 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머에 기인한 구조 단위를 포함하게 된다. 왜냐하면, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체는 상기 모노머 성분으로부터 중합되어 제조된 것이기 때문이다.In one embodiment, the monomer component further comprises the additional monomer, and when the additional monomer comprises a hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer, it is related to the control of the content of the hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer in the dilution monomer The content should be adjusted. When the additional monomer includes a hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer, the photopolymerizable monomer of the monomer component also contains a structural unit derived from a hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer. This is because the photopolymerizable polymer of the monomer component is produced by polymerization from the monomer component.

따라서, 전술한 전술한 희석 모노머 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머의 함량 조절은 상기 추가적인 모노머 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머 및 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머에 기인한 구조 단위의 함량을 함께 고려하여 조절하여야 된다.Therefore, the content of the hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer in the above-mentioned dilution monomer can be controlled by controlling the content of the hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer in the additional monomer and the hydroxyl group- The content of the structural units should be adjusted together.

구체적으로, 상기 희석 모노머 중 상기 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머; 상기 추가적인 모노머 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머; 및 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체에 공중합된 상기 추가적인 모노머 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머와 동종의 모노머;의 함량의 합은: Specifically, the hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomers among the diluent monomers; A hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer among the additional monomers; And a monomer of the same kind as the hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer among the additional monomers copolymerized with the photopolymerizable monomer of the monomer component:

상기 모노머 성분, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체 및 상기 희석 모노머의 총합 100 중량% 중 5 중량% 이하일 수 있다.
5% by weight or less of 100% by weight of the total of the monomer component, the photopolymerizable polymer of the monomer component and the diluted monomer may be contained.

일 구현예에서, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체는 상기 추가적인 모노머 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머와 동종의 모노머가 공중합된 것일 수 있다. 즉, 지환족(메타)아크릴레이트 모노머, 알킬(메타)아크릴레이트 모노머 및 추가적인 모노머로서 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머를 혼합하여 모노머 혼합물을 준비한 뒤, 상기 모노머 혼합물을 중합하여 얻은 중합체 혼합 조성물에 상기 희석 모노머를 혼합하여 상기 중간층 형성용 조성물을 준비할 수 있다. 이렇게 준비된 중간층 형성용 조성물 중 상기 모노머 성분은 상기 모노머 혼합물 중합시 미반응되어 포함된 지환족(메타)아크릴레이트 모노머, 알킬(메타)아크릴레이트 모노머 및 추가적인 모노머로서 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머이다.
In one embodiment, the photo-curable polymer of the monomer component may be a copolymer of a monomer of the same kind as the hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer in the additional monomer. That is, a monomer mixture is prepared by mixing an alicyclic (meth) acrylate monomer, an alkyl (meth) acrylate monomer and a hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer as an additional monomer, and then polymerizing the monomer mixture. The composition for forming an intermediate layer may be prepared by mixing diluted monomers. Among the compositions for forming the intermediate layer, the monomer component is an alicyclic (meth) acrylate monomer, an alkyl (meth) acrylate monomer, and a hydroxyl group-containing (meth) acrylate monomer as unreacted monomers when the monomer mixture is polymerized.

전술한 바와 같이, 상기 중간층 형성용 조성물은 먼저 모노머 혼합물을 중합하여 얻은 중합체 혼합 조성물 (중합체 뿐만 아니라, 미반응 모노머 포함함)을 얻고, 여기에 희석 모노머를 혼합하여 얻을 수 있다. 상기 중합체 혼합 조성물의 고형분 함량은 약 25 wt% 내지 약 50 wt% 일 수 있고, 상기 중합체 혼합 조성물에 상기 희석 모노머 혼합 후 얻어진 상기 중간층 형성용 조성물의 고형분 함량은 약 10 wt% 내지 약 20 wt% 일 수 있다. 상기 중합체 혼합 조성물은 무용제 타입으로 열중합에 의해 얻어질 수 있고, 이러한 경우, 고형분 함량은 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체의 함량을 의미한다. 상기 중간층 형성용 조성물의 고형분 농도를 상기 범위 수준으로 중합도를 조절하여 얻어진 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체의 안정성을 유지할 수 있고, 단차 흡수성이 용이한 모듈러스의 범위를 확보할 수 있다.
As described above, the composition for forming an intermediate layer can be obtained by first obtaining a polymer mixture composition (including not only a polymer but also an unreacted monomer) obtained by polymerizing a monomer mixture, and mixing a diluted monomer thereinto. The solid content of the polymer mixture composition may be about 25 wt% to about 50 wt%, and the solid content of the intermediate layer composition obtained after mixing the diluent monomer in the polymer mixture composition may be about 10 wt% to about 20 wt% Lt; / RTI &gt; The polymer blend composition can be obtained by thermal polymerization in the solventless type, and in this case, the solid content means the content of the photo-curable polymer of the monomer component. It is possible to maintain the stability of the photopolymerizable monomer of the monomer component obtained by controlling the degree of polymerization with the solid content concentration of the intermediate layer forming composition to the above range level and to secure a range of modulus which facilitates the step difference absorbency.

상기 중간층 형성용 조성물 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머는 희석 모노머에 포함될 수도 있고, 상기 추가적인 모노머 중 미반응 모노머로 포함된 상기 모노머 성분에 포함될 수도 있지만, 바람직하게는, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체는 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머에 기인한 구조 단위를 포함하지 않고, 희석 모노머만 상기 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머를 포함하도록 하여, 보다 효과적으로 웨이퍼로부터 박리시 박리력이 우수하면서도, 단차 흡수능이 뛰어나며, 또한, 박리시 잔사가 없는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 구현할 수 있다.
The hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer in the composition for forming an intermediate layer may be contained in the diluted monomer or may be contained in the monomer component contained in the additional monomer as an unreacted monomer. Preferably, the monomer (Meth) acryl-based monomer, and the diluting monomer alone includes the hydroxy group-containing (meth) acryl-based monomer, thereby exhibiting excellent peeling ability when peeling off from the wafer, , And a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer free from residue upon peeling can be realized.

상기 희석 모노머는 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머를 포함하고, 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머 이외에, 상기 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머가 아닌 (메타)아크릴계 모노머를 더 포함할 수 있다.The diluent monomer may include a hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer, and may further include a (meth) acrylic monomer other than the hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer in addition to the hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer.

상기 희석 모노머 중 (메타)아크릴계 모노머의 구체적인 예는 상기 모노머 성분 중 추가적인 모노머로서 (메타)아크릴계 모노머의 구체적인 예와 같다.Specific examples of the (meth) acrylic monomer in the diluent monomer are the same as specific examples of the (meth) acrylic monomer as the additional monomer in the monomer component.

일 구현예에서, 상기 희석 모노머 중 (메타)아크릴계 모노머는 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머를 더 포함할 수 있다. 즉, 전술한 상기 광경화성 중합체를 모노머 혼합물을 중합하여 얻은 나머지 미반응 모노머와 동종의 모노머를 상기 희석 모노머로서 사용하여, 상용성을 더욱 높일 있다.
In one embodiment, the (meth) acrylic monomers in the diluent monomer may further comprise alicyclic (meth) acrylate monomers and alkyl (meth) acrylate monomers. That is, by using the same monomer as the remaining unreacted monomer obtained by polymerizing the above-mentioned photocurable polymer with the monomer mixture as the diluting monomer, the compatibility is further enhanced.

상기 중간층(20)의 두께는 약 50㎛ 내지 약 350㎛일 수 있다. 상기 중간층(20)의 두께는 웨이퍼 표면의 요철의 높이 웨이퍼의 보유성, 웨이퍼의 보호성 등을 손상하지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있고, 상기 범위를 두께를 유지함으로써, 웨이퍼의 이면 연삭 가공시 웨이퍼가 깨지거나, 이면에 딤플이 발생하는 것을 억제하고, 범프가 형성된 웨이퍼에 적용되는 경우, 우수한 단차 흡수능을 발휘할 수 있고, 상기 중간층(20)의 상부로 상기 점착층(30)을 형성하는데 있어도 작업 효율을 향상시킬 수 있다.
The thickness of the intermediate layer 20 may be about 50 탆 to about 350 탆. The thickness of the intermediate layer 20 can be suitably selected within a range that does not impair the retention of the wafer and the protective property of the wafer, and the thickness of the intermediate layer 20 can be appropriately selected, It is possible to suppress the generation of dimples on the backside of the wafer and to exhibit an excellent step absorbing ability when applied to a wafer on which bumps are formed and to form the adhesive layer 30 on the intermediate layer 20 The work efficiency can be improved.

상기 중간층(20) 형성용 조성물에 첨가되는 첨가제는, 필요에 따라, 통상 사용되는 첨가제, 예를 들어 노화방지제, 충전제, 안료, 착색제, 난연제, 대전방지제, 자외선흡수제 등을 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 기능을 저해하지 않는 범위 내에서 첨가할 수 있다. 이들 첨가제는 그 종류에 따라 통상의 양으로 이용될 수 있다.
The additive to be added to the composition for forming the intermediate layer 20 may be added to the surface of the semiconductor wafer by a conventional adhesive agent such as antioxidant, filler, pigment, colorant, flame retardant, antistatic agent, ultraviolet absorber, It can be added within a range that does not impair the function of the film. These additives may be used in usual amounts depending on the kind thereof.

상기 중간층(20) 형성용 조성물을 상기 기재층(10) 상부에 도포한 뒤, 광중합 개시제의 종류에 따라서 전리성 방사선이나 자외선 등의 방사선, 가시광 등을 조사함으로써 광경화하여 상기 중간층(20)을 형성할 수 있다. 방사선 등의 종류나 조사에 사용되는 램프의 종류 등은 적절히 선택할 수 있고, 형광 케미컬 램프, 블랙라이트, 살균 램프 등의 저압 램프나, 메탈 할라이드 램프, 고압 수은 램프 등의 고압 램프 등을 이용할 수 있다. After the composition for forming the intermediate layer 20 is applied on the base layer 10, the intermediate layer 20 is irradiated with radiation such as ionizing radiation or ultraviolet rays, visible light or the like depending on the type of the photopolymerization initiator, . The kind of the radiation and the type of the lamp used for the irradiation can be appropriately selected and a low pressure lamp such as a fluorescent chemical lamp, a black light, a sterilizing lamp, a high pressure lamp such as a metal halide lamp, a high pressure mercury lamp, .

구체적으로, 상기 중간층(20)은 UV광을 방사하는 블랙라이트 UV 램프에 의해 경화되어 형성될 수 있고, 예를 들어, 상기 블랙라이트 UV 램프가 약 5W, 주파장이 약 365nm일 수 있다. 상기 블랙라이트 UV 램프를 사용함으로써 중간층(20) 형성 과정 중 부분중합 등에 있어서의 발열 문제를 개선할 수 있고, 일정 두께를 형성하는 중간층 표면 및 내부에 경화도 차이 없이 경화할 수 있다는 점에서 블랙라이트 UV램프를 사용하는 것이 유리하다.
Specifically, the intermediate layer 20 may be formed by curing by a black light UV lamp that emits UV light. For example, the black light UV lamp may be about 5 W and the main wavelength may be about 365 nm. The use of the above-mentioned black light UV lamp can improve the heat generation problem in partial polymerization or the like during the process of forming the intermediate layer 20 and can be cured without any difference in curing on the surface and inside of the intermediate layer, It is advantageous to use a UV lamp.

상기 점착층(30)은 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)의 상기 중간층(20) 상부에 형성되고, 광경화성 감압성 점착제로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상기 점착층(30)은 광경화형 아크릴계 수지를 포함한 감압성 점착제이다. The adhesive layer 30 is formed on the intermediate layer 20 of the adhesive sheet 100 for protecting a surface of the semiconductor wafer and may be made of a photo-curing pressure-sensitive adhesive. Specifically, the pressure-sensitive adhesive layer 30 is a pressure-sensitive adhesive containing a photocurable acrylic resin.

상기 점착층(30)은 반도체 웨이퍼 등의 제품을 가공할 때에는 적절한 점착력을 가져 공정 중 상기 반도체 웨이프에 확실히 부착되어 있고, 가공 후에는 제품 등에 부하를 걸지 않으면서 용이하게 박리할 수 있어야 한다. 예를 들어, 열경화제 및 광개시제를 일정 함량 함유하는 상기 점착층(30)을 열경화에 의해 상기 중간층(20) 상부에 성막하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)을 제조하고, 이면 연삭 가공이 완료된 후에는 추가적인 광조사에 의해 상기 점착층(30)을 웨이퍼로부터 박리할 수 있다. 즉, 상기 점착층(30)은 광조사 전 박리력이 광조사 후의 박리력보다 크다.
The adhesive layer 30 has an appropriate adhesive force when processing a product such as a semiconductor wafer and is firmly attached to the semiconductor wafer during the process. After the process, the adhesive layer 30 should be easily peeled off without imposing a load on the product. For example, the pressure-sensitive adhesive layer 30 containing a certain amount of a heat curing agent and a photoinitiator is formed on the intermediate layer 20 by thermosetting to produce the pressure-sensitive adhesive film 100 for protecting the surface of the semiconductor wafer, The adhesive layer 30 can be peeled from the wafer by an additional light irradiation. That is, the peeling force of the adhesive layer 30 before the light irradiation is larger than the peeling force after the light irradiation.

상기 점착층(30)은, 광경화형 아크릴계 수지를 포함한 감압성 점착제를 필요에 따라 용제 등을 더 혼합하여 상기 중간층(20) 상에 직접 도포함으로써 형성하거나, 상기 광경화형 아크릴계 수지를 포함한 감압성 점착제를 이형 필름 상에 도포하여 미리 상기 점착층(30)을 형성하고 나서 상기 점착층(30)을 상기 (20)중간층에 접합하여 형성할 수도 있다.
The pressure-sensitive adhesive layer 30 may be formed by further mixing a pressure-sensitive adhesive containing a photo-curable acrylic resin, if necessary, with a solvent or the like, and applying the pressure-sensitive adhesive directly onto the intermediate layer 20, May be applied on the release film to form the adhesive layer 30 in advance, and then the adhesive layer 30 may be bonded to the intermediate layer (20).

상기 점착층(30)은 광경화형 아크릴계 수지를 포함할 수 있고, 구체적으로, 상기 광경화형 아크릴계 수지는 상기 광경화형 아크릴계 수지는 분자 내에 탄소-탄소 이중결합을 갖고, 친수성 관능기 함유 모노머에 기인한 구조단위를 포함할 수 있다.The adhesive layer 30 may include a photocurable acrylic resin. Specifically, in the photocurable acrylic resin, the photocurable acrylic resin has a structure having a carbon-carbon double bond in the molecule and attributable to a monomer containing a hydrophilic functional group Unit.

구체적으로, 상기 친수성 관능기는 수산기, 아미노기, 카르복실기, 설폰기, 모르폴린기, 글리시딜기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나일 수 있다.Specifically, the hydrophilic functional group may be selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, a sulfonic group, a morpholine group, a glycidyl group, and combinations thereof.

예를 들어, 상기 광경화형 아크릴계 수지는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 아이소부틸기, 아밀기, 아이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 사이클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 아이소옥틸기, 노닐기, 아이소노닐기, 데실기, 아이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트라이데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 도데실기와 같은 탄소수 30 이하, 4 내지 18의 직쇄 또는 분기의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 알킬에스테르; 및 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 아이소부틸기, 아밀기, 아이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 사이클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 아이소옥틸기, 노닐기, 아이소노닐기, 데실기, 아이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트라이데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 도데실기와 같은 탄소수 30 이하, 4 내지 18의 직쇄 또는 분기의 알킬기를 갖는 싸이클로알킬에스테르의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 모노머 성분을 중합하여 얻어질 수 있다.For example, the photocurable acrylic resin may contain at least one selected from the group consisting of a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, An isohexyl group, an isoamyl group, an isoamyl group, an isoamyl group, an isoamyl group, an isoamyl group, an isoamyl group, an isoamyl group, (Meth) acrylic acid alkyl ester having a carbon number of 30 or less and a straight chain or branched alkyl group having 4 to 18 carbon atoms such as a dodecyl group; An aryl group such as a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, Such as an alkyl group having 30 or less carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, , A cycloalkyl ester having a straight chain or branched alkyl group having 4 to 18 carbon atoms, and the like.

상기 광경화형 아크릴계 수지는 상기 탄소-탄소 이중결합을 갖고, 친수성 관능기 함유 모노머 약 1 중량% 내지 약 30 중량%를 포함하는 모노머 성분을 중합하여 얻어질 수 있고, 상기 광경화형 아크릴계 수지는 상기 탄소-탄소 이중결합을 갖고, 친수성 관능기 함유 모노머에 기인한 구조 단위를 상기 범위의 함량에 따라 포함함으로써 적절한 응집력을 가지는 점착층(30)을 형성할 수 있고, 이로 인해 웨이퍼 표면 오염이 없는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)을 제공할 수 있다.The photocurable acrylic resin may be obtained by polymerizing a monomer component having the carbon-carbon double bond and containing about 1% by weight to about 30% by weight of a hydrophilic functional group-containing monomer, It is possible to form a pressure-sensitive adhesive layer 30 having a proper cohesive strength by including a structural unit derived from a monomer having a carbon-carbon double bond and a hydrophilic functional group in accordance with the content of the above range. As a result, The adhesive film 100 can be provided.

상기 점착층(30)은 상기 광경화형 아크릴계 수지의 중량평균 분자량을 적절히 조절하여 적절한 응집력을 가지는 점착층(30)을 형성할 수 있고, 이로 인해 웨이퍼 표면 오염이 없는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)을 제공할 수 있다. 구체적으로, 상기 광경화형 아크릴계 수지의 중량평균 분자량이 약 20만 내지 약 200만일 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 30 can appropriately adjust the weight-average molecular weight of the photocurable acrylic resin to form a pressure-sensitive adhesive layer 30 having a proper cohesive strength. As a result, the pressure-sensitive adhesive layer 100 for semiconductor wafer surface- ). &Lt; / RTI &gt; Specifically, the photocurable acrylic resin may have a weight average molecular weight of about 200,000 to about 200. [

상기 광경화형 아크릴계 수지의 유리전이 온도는 약 -55℃ 내지 약 -20℃일 수 있다. 상기 점착제층이 포함하는 구조단위의 유리전이 온도를 약 -55℃ 내지 약 -20℃로 유지함으로써 적절한 응집력을 가지는 점착층(30)을 형성할 수 있고, 이로 인해 웨이퍼 표면 오염이 없는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)을 제공할 수 있다.
The glass transition temperature of the photocurable acrylic resin may be about -55 캜 to about -20 캜. By maintaining the glass transition temperature of the structural units contained in the pressure-sensitive adhesive layer at about -55 캜 to about -20 캜, it is possible to form the pressure-sensitive adhesive layer 30 having an appropriate cohesive force, A protective adhesive film 100 can be provided.

상기 점착층(30)의 두께는 약 10㎛ 내지 약 40㎛일 수 있다. 상기 점착층(30)의 두께는 웨이퍼의 보유성이나 보호성을 손상하지 않는 범위로 적절히 설정할 수 있으나, 상기 범위의 두께를 유지함으로써 점착층(30)의 파괴가 중간층(20)에 영향을 주지 않을 수 있고, 웨이퍼에 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)을 적용시 점착 및 박리를 용이하게 할 수 있다.
The thickness of the adhesive layer 30 may be about 10 탆 to about 40 탆. The thickness of the adhesive layer 30 can be suitably set within a range that does not impair the retention and protection of the wafer. However, by maintaining the thickness in the above range, the breakage of the adhesive layer 30 affects the intermediate layer 20 And adhesion and peeling can be facilitated when the above-mentioned semiconductor wafer surface-protecting adhesive film 100 is applied to a wafer.

도 2는 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)을 범프(40)가 일면에 형성된 반도체 웨이퍼(50)에 적용하는 모식적인 단면도이다. 도 2에서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)에서 상기 점착층(30)이 상기 반도체 웨이퍼(50)의 상기 범프(40)가 형성된 일면에 접하는 방향, 즉, 화살표 방향으로 부착된다.
2 is a schematic cross-sectional view of applying the adhesive film 100 for protecting the semiconductor wafer surface to a semiconductor wafer 50 having bumps 40 formed on one surface thereof. 2, in the adhesive film 100 for protecting a semiconductor wafer surface, the adhesive layer 30 is attached in a direction tangential to a surface of the semiconductor wafer 50 on which the bumps 40 are formed, that is, in the direction of an arrow.

도 3은 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)을 범프(40)가 일면에 형성된 반도체 웨이퍼(50)에 적용한 뒤, 이면 연삭에 의해 소정의 두께로 형성된 반도체 웨이퍼(50)의 모식적인 단면도이다. 도 3에서, 점선으로 표시된 부분은 이면 연삭 공정으로 잘려나간다.
3 is a schematic sectional view of the semiconductor wafer 50 formed to have a predetermined thickness by back grinding after the adhesive film 100 for protecting the surface of the semiconductor wafer is applied to the semiconductor wafer 50 formed on one surface of the bump 40 . In Fig. 3, the portion indicated by the dotted line is cut by the back grinding process.

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 반도체 웨이퍼(50)를 정밀 가공하는 공정에서, 표면에 존재하는 회로 패턴 등이 손상되거나, 공정 중에 발생한 이물질 또는 화학 물질 등에 의해 반도체 웨이퍼(50)가 오염되는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 반도체 웨이퍼의 정밀 가공이 완료된 이후에 제거되어야 하며, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 이면 연삭 공정 중 반도체 웨이퍼(50)의 표면을 손상시키지 않고 보호할 수 있고, 이면 연삭 공정 후 박리 잔사 없이 제거될 수 있다.
The adhesive film 100 for protecting the surface of the semiconductor wafer is used in a process of precisely machining the semiconductor wafer 50 in such a manner that the circuit pattern existing on the surface is damaged or the semiconductor wafer 50 is contaminated . The adhesive film 100 for protecting the semiconductor wafer surface must be removed after the semiconductor wafer is precisely processed, and the adhesive film 100 for protecting the semiconductor wafer surface does not damage the surface of the semiconductor wafer 50 during the backgrinding process And can be removed without peeling residue after the backgrinding process.

전술한 바와 같이, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 단차 흡수능이 우수하여 범프(40)가 형성된 반도체 웨이퍼(50)의 이면 연삭 공정에 유용하게 적용할 수 있다. As described above, the adhesive film 100 for protecting the surface of the semiconductor wafer can be advantageously applied to the back grinding process of the semiconductor wafer 50 on which the bumps 40 are formed since the step absorbing ability is excellent.

일 구현예에서, 상기 범프(40)의 높이가 약 20㎛ 내지 약 100㎛인 반도체 웨이퍼(50)에 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)을 적용하여 이면 연삭 공정을 수행하여, 반도체 웨이퍼(50)를 효과적으로 보호할 수 있다.
In one embodiment, the backside grinding process is performed by applying the adhesive film 100 for protecting the semiconductor wafer surface to a semiconductor wafer 50 having a height of the bump 40 of about 20 μm to about 100 μm, 50) can be effectively protected.

이하 본 발명의 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러한 하기한 실시예는 본 발명의 일 실시예일뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, examples and comparative examples of the present invention will be described. The following embodiments are only examples of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiments.

(( 실시예Example ) )

실시예Example 1 One

기재층으로서 120㎛ 두께의 폴리에틸렌 (PE) 필름을 준비하였다. A polyethylene (PE) film having a thickness of 120 mu m was prepared as a base layer.

상기 중간층 형성용 조성물을 얻기 위하여, 먼저 이소보닐아크릴레이트 40 중량% 및 에틸헥실아크릴레이트 60 중량%를 혼합하여 얻은 모노머 성분을 부분 중합하여 얻은 광경화성 중합체 (중량평균분자량 85만)의 고형분 함량 31.28 wt%의 시럽 용액을 제조하였다. 이어서, 상기 시럽 용액 100 중량부에 이소보닐아크릴레이트 90 중량% 및 에틸헥실아크릴레이트 5 중량% 및 히드록시에틸아크릴레이트 5 중량%를 혼합한 희석 모노머를 140 중량부 추가하고, 여기에 우레탄계 아크릴레이트 경화제 0.35 중량부, 광개시제로서 Irgacure 651를 0.08 중량부 첨가하여 고형분 함량 13 wt%의 중간층 형성용 조성물을 제조하였다. In order to obtain the composition for forming the intermediate layer, a solid content of 31.28 (weight average molecular weight: 850,000) obtained by partially polymerizing a monomer component obtained by mixing 40% by weight of isobornyl acrylate and 60% by weight of ethylhexyl acrylate wt% &lt; / RTI &gt; Subsequently, to 100 parts by weight of the syrup solution was added 140 parts by weight of a diluted monomer obtained by mixing 90% by weight of isobornyl acrylate, 5% by weight of ethylhexyl acrylate and 5% by weight of hydroxyethyl acrylate, 0.35 part by weight of a curing agent and 0.08 part by weight of Irgacure 651 as a photoinitiator were added to prepare a composition for forming an intermediate layer having a solid content of 13 wt%.

상기 중간층 형성용 조성물을 이형 PET 필름 사이에 코팅 후 5W, 주파장이 365nm인 블랙라이트 UV램프에 의해 경화시켜 두께가 200㎛인 중간층을 형성하고, 이를 상기 기재층에 전사하여, 기재-중간층 합판하였다.The intermediate layer forming composition was coated between the release PET films and cured by a black light UV lamp having a wavelength of 5 W and a main wavelength of 365 nm to form an intermediate layer having a thickness of 200 탆 and transferred to the base layer to form a base- Respectively.

별도로, 에틸헥실아크릴레이트 85 중량%, 히드록시에틸아크릴레이트 15 중량% 를 중합한 중합체 (중량평균분자량 50만, 유리전이온도 -56℃)를 얻은 뒤, 상기 중합체 중 상기 히드록시 에틸 아크릴레이트에 기인한 구조 단위의 93 중량%를 2-이소시아네이토메틸아크릴레이트 (2-(isocyanato)methylacrylate)와 함께 반응시켜 광경화형 아크릴계 수지를 제조하였다. 상기 광경화형 아크릴계 수지 100 중량부에 광개시제로서 Irgacure651를 10 중량부 첨가하여 점착층 형성용 조성물을 제조하였다. 상기 점착층 형성용 조성물을 이형 PET 필름에 코팅 후 90℃ 온도의 오븐에 3분 동안 방치하여 성막되도록 하여 두께가 10㎛인 점착층을 형성하고, 상기 중간층과 합지함으로써 기재층, 중간층 및 점착층을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.
Separately, a polymer obtained by polymerizing 85 wt% of ethylhexyl acrylate and 15 wt% of hydroxyethyl acrylate (weight average molecular weight: 500,000, glass transition temperature: -56 DEG C) was obtained, and then the above hydroxyethyl acrylate 93% by weight of the resulting structural units were reacted with 2-isocyanato methylacrylate to prepare a photocurable acrylic resin. 10 parts by weight of Irgacure 651 as a photoinitiator was added to 100 parts by weight of the photocurable acrylic resin to prepare a composition for forming an adhesive layer. The pressure-sensitive adhesive layer-forming composition was coated on a release PET film and allowed to stand in an oven at 90 DEG C for 3 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 mu m. The adhesive layer was laminated with the intermediate layer to form a base layer, To prepare a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer.

실시예Example 2 2

실시예 1에서 중간층 형성용 조성물 중 상기 시럽 용액 100 중량부에 이소보닐아크릴레이트 80 중량% 및 에틸헥실아크릴레이트 10 중량% 및 히드록시에틸아크릴레이트 10 중량%를 혼합한 희석 모노머를 140 중량부 추가하여 제조한 점을 제외하고, 실시예 1에서와 동일하게 제조하여, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.
In Example 1, 140 parts by weight of a diluted monomer obtained by mixing 80 parts by weight of isobornyl acrylate, 10 parts by weight of ethylhexyl acrylate and 10 parts by weight of hydroxyethyl acrylate was added to 100 parts by weight of the syrup solution in the composition for forming an intermediate layer , A pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer was produced.

실시예Example 3 3

기재층으로서 50㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름을 준비하였다.A polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 mu m was prepared as a base layer.

상기 중간층 형성용 조성물을 실시예 1과 동일하게 제조하여 기재층 상부에 중간층을 형성하였다.The intermediate layer-forming composition was prepared in the same manner as in Example 1 to form an intermediate layer on the base layer.

별도로, 에틸헥실아크릴레이트 38 중량%, 메틸아크릴레이트 29 중량% 및 히드록시에틸아크릴레이트 23 중량% 를 중합한 중합체 (중량평균분자량 95만, 유리전이온도 -23℃)를 얻은 뒤, 상기 중합체 중 상기 히드록시 에틸 아크릴레이트에 기인한 구조 단위의 93 중량%를 2-(아크릴로일옥시)에틸시소시아네이트 (2-(acryloyloxy)ethylisocyanate)와 함께 반응시켜 광경화형 아크릴계 수지를 제조하였다. 상기 광경화형 아크릴계 수지 100 중량부에 광개시제로서 Irgacure651를 10 중량부 첨가하여 점착층 형성용 조성물을 제조하였다. 상기 점착층 형성용 조성물을 이형 PET 필름에 코팅 후 90℃ 온도의 오븐에 3분 동안 방치하여 성막되도록 하여 두께가 10㎛인 점착층을 형성하고, 상기 중간층과 합지함으로써 기재층, 중간층 및 점착층을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.
Separately, a polymer (weight average molecular weight: 950,000, glass transition temperature: -23 ° C) obtained by polymerizing 38 wt% of ethylhexyl acrylate, 29 wt% of methyl acrylate and 23 wt% of hydroxyethyl acrylate was obtained, The photocurable acrylic resin was prepared by reacting 93% by weight of the structural units derived from hydroxyethyl acrylate with 2- (acryloyloxy) ethylisocyanate. 10 parts by weight of Irgacure 651 as a photoinitiator was added to 100 parts by weight of the photocurable acrylic resin to prepare a composition for forming an adhesive layer. The pressure-sensitive adhesive layer-forming composition was coated on a release PET film and allowed to stand in an oven at 90 DEG C for 3 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 mu m. The adhesive layer was laminated with the intermediate layer to form a base layer, To prepare a pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer.

비교예Comparative Example 1 One

실시예 1에서 중간층 형성용 조성물 중 희석 모노머 조성을 이소보닐아크릴레이트 90 중량% 및 에틸헥실아크릴레이트 10 중량%를 혼합한 조성을 사용한 점을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 기재층 및 점착층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.
The same base layer and adhesive layer as in Example 1 were laminated, except that the composition of the diluted monomer in the composition for forming an intermediate layer in Example 1 was a mixture of 90% by weight of isobonyl acrylate and 10% by weight of ethylhexyl acrylate, Thereby preparing a pressure-sensitive adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.

비교예Comparative Example 2 2

실시예 3에서 중간층 형성용 조성물 중 희석 모노머 조성을 이소보닐아크릴레이트 90 중량% 및 에틸헥실아크릴레이트 10 중량%를 혼합한 조성을 사용한 점을 제외하고, 실시예 3에서와 동일한 기재층 및 점착층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.
The same base layer and adhesive layer as in Example 3 were laminated, except that the composition of the diluted monomer in the composition for forming an intermediate layer in Example 3 was a mixture of 90% by weight of isobonyl acrylate and 10% by weight of ethylhexyl acrylate, Thereby preparing a pressure-sensitive adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.

실험예Experimental Example 1:  One: 박리력Peel force 평가 evaluation

실시예 1-3 및 비교예 1-3의 각 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 범프(Bump) 높이가 50㎛, 폭(Pitch)이 50㎛으로 패턴화된 웨이퍼 상에 점착층이 부착하도록 부착하였다.Each of the pressure sensitive adhesive films for protecting the surface of the semiconductor wafer of Examples 1-3 and Comparative Examples 1-3 was attached so that the pressure sensitive adhesive layer adhered on the wafer patterned with a bump height of 50 탆 and a width of 50 탆 .

(1) UV 조사 전 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 박리하여 박리력을 평가하고, 하기 표 1에 기재하였다. 박리력은 PI (polyimide) 판에 Texture analyzer ASTM D330 방법으로 측정하였다.(1) The peel strength was evaluated by peeling off the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer before UV irradiation, and is shown in Table 1 below. The peel force was measured by a texture analyzer ASTM D330 method on a PI (polyimide) plate.

(2) 상기와 같이 PI판에 부착된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름에 메탈할라이드 램프를 사용하여, 500 mJ/cm2으로 광경화시켰다.(2) A metal halide lamp was applied to the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer adhered to the PI plate as described above, and light cured at 500 mJ / cm 2 .

이어서, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 박리하여 박리력을 평가하고, 하기 표 1에 기재하였다.
Then, the peeling force of the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer was evaluated and evaluated.

박리력 (g/25mm)Peel force (g / 25mm) UV 조사 전Before UV irradiation 잔사Residue UV 조사 후After UV irradiation 잔사Residue 실시예 1Example 1 241241 ×× 127127 ×× 실시예 2Example 2 371371 ×× 139139 ×× 실시예 3Example 3 17901790 ×× 7272 ×× 비교예 1Comparative Example 1 170170 ×× 108108 ×× 비교예 2Comparative Example 2 796796 ×× 8989 ××

상기 표 1에서, 실시예 1-2와 비교예 1은 같은 점착층을 형성한 경우로서, UV 조사 전 박리력 비교하면, 실시예 2 > 실시예 1 > 비교예 1 순으로 박리력이 우수한 것을 확인할 수 있다. 마찬가지로, 실시예 3은 비교예 2와 같은 점착층을 형성한 경우로서, 실시예 3의 박리력이 비교예 2에 비하여 우수하다.
In Table 1, Example 1-2 and Comparative Example 1 show the case where the same adhesive layer is formed and the peel strength before UV irradiation is compared with that of Example 2> Example 1> Comparative Example 1 in order of excellent peel strength Can be confirmed. Similarly, Example 3 is a case in which the same adhesive layer as Comparative Example 2 is formed, and the peeling force of Example 3 is superior to that of Comparative Example 2.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, And falls within the scope of the invention.

10: 기재층
20: 중간층
30: 점착층
40: 범프
50: 반도체 웨이퍼
100: 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름10: substrate layer
20: middle layer
30: Adhesive layer
40: Bump
50: semiconductor wafer
100: Adhesive film for semiconductor wafer surface protection

Claims (19)

기재층, 중간층 및 점착층을 포함하고,
상기 중간층은:
지환족(메타)아크릴레이트 모노머 및 알킬(메타)아크릴레이트 모노머를 포함하는 모노머 성분, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체 및 희석 모노머를 포함하는 중간층 형성용 조성물의 광경화물을 포함하고,
상기 희석 모노머는 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머를 포함하고,
상기 희석 모노머의 함량은: 상기 모노머 성분 및 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체의 합 100 중량부 대비 25 내지 400 중량부인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
A base layer, an intermediate layer and an adhesive layer,
Wherein the intermediate layer comprises:
A photocurable composition for forming an intermediate layer comprising a monomer component comprising an alicyclic (meth) acrylate monomer and an alkyl (meth) acrylate monomer, a photopolymerizable monomer of the monomer component, and a diluting monomer,
Wherein the diluent monomer comprises a hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer,
The content of the diluted monomer is 25 to 400 parts by weight per 100 parts by weight of the sum of the monomer component and the photopolymerizable monomer of the monomer component
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
하기 계산식 1을 만족하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름:
<계산식 1>
Y ≤ (5 X + 500) / X
X는 상기 희석 모노머의 중량부 함량으로서, 상기 모노머 성분 및 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체의 합 100 중량부 대비 중량부 함량이고,
Y는 상기 희석 모노머 100 중량% 중 상기 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머의 중량% 함량을 의미한다.
The method according to claim 1,
Satisfy the following formula 1
Adhesive film for semiconductor wafer surface protection:
<Formula 1>
Y? (5 X + 500) / X
X is the weight part content of the diluted monomer, and the content of the monomer component and the monomer component is in the amount of 100 parts by weight based on the sum of the photopolymerizable polymer,
And Y represents the weight% of the hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer in 100 wt% of the diluent monomer.
제1항에 있어서,
상기 희석 모노머는 상기 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머가 아닌 (메타)아크릴계 모노머를 더 포함하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the diluent monomer further comprises a (meth) acrylic monomer which is not the hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 모노머 성분은 추가적인 모노머를 더 포함할 수 있고, 상기 추가적인 모노머는 (메타)아크릴계 모노머인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
The monomer component may further comprise an additional monomer, and the additional monomer may be a (meth) acrylic monomer
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제4항에 있어서,
상기 추가적인 모노머는 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머를 포함하고, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체는 상기 추가적인 모노머 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머와 동종의 모노머가 공중합된 것이고,
상기 희석 모노머 중 상기 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머; 상기 추가적인 모노머 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머; 및 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체에 공중합된 상기 추가적인 모노머 중 히드록시기 함유 (메타)아크릴계 모노머와 동종의 모노머;의 함량의 합은:
상기 모노머 성분, 상기 모노머 성분의 광경화성 중합체 및 상기 희석 모노머의 총합 100 중량% 중 5 중량% 이하인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
5. The method of claim 4,
Wherein the additional monomer comprises a hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer, and the photopolymerizable monomer of the monomer component is a copolymer of a hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer and a monomer of the same kind,
The hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomers among the diluent monomers; A hydroxy group-containing (meth) acrylic monomer among the additional monomers; And a monomer of the same kind as the hydroxyl group-containing (meth) acrylic monomer among the additional monomers copolymerized with the photopolymerizable monomer of the monomer component:
The content of the monomer component, the photopolymerizable monomer of the monomer component, and the diluent monomer in an amount of not more than 5% by weight
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 모노머 성분의 광경화성 중합체는 상기 지환족(메타)아크릴레이트 모노머 대 상기 알킬(메타)아크릴레이트 모노머 20:60 내지 40:80의 중량비로 중합된 것인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
The photopolymerizable polymer of the monomer component is a polymer obtained by polymerizing the alicyclic (meth) acrylate monomer and the alkyl (meth) acrylate monomer at a weight ratio of 20:60 to 40:80
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 모노머 성분의 광경화성 중합체의 중량평균분자량은 500,000 내지 1,500,000 g/mol인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
The weight average molecular weight of the photopolymerizable polymer of the monomer component is 500,000 to 1,500,000 g / mol
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 중간층 형성용 조성물의 고형분 함량이 10 내지 20 wt%인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the solid content of the composition for forming an intermediate layer is 10 to 20 wt%
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 점착층은 광경화성 감압성 점착제로 이루어진
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
The pressure-sensitive adhesive layer is made of a photo-curable pressure-sensitive adhesive
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 점착층은 광경화형 아크릴계 수지를 포함한 감압성 점착제이고, 광조사 전 박리력이 광조사 후의 박리력보다 큰
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive containing a photocurable acrylic resin, and the peeling force before light irradiation is larger than the peeling force after light irradiation
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제10항에 있어서,
상기 광경화형 아크릴계 수지는 분자 내에 탄소-탄소 이중결합을 갖고, 친수성 관능기 함유 모노머에 기인한 구조단위를 포함하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
11. The method of claim 10,
The photocurable acrylic resin contains a structural unit derived from a monomer having a carbon-carbon double bond in a molecule and having a hydrophilic functional group
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제11항에 있어서,
상기 친수성 관능기는 수산기, 아미노기, 카르복실기, 설폰기, 모르폴린기, 글리시딜기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
12. The method of claim 11,
Wherein the hydrophilic functional group is one selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, a sulfonic group, a morpholine group, a glycidyl group,
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제10항에 있어서,
상기 광경화형 아크릴계 수지의 유리전이 온도는 -55℃ 내지 -20℃인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
11. The method of claim 10,
The glass transition temperature of the photocurable acrylic resin is from -55 캜 to -20 캜
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 기재층은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리올레핀 필름, 폴리비닐클로라이드 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-알킬아크릴레이트 공중합체 필름 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
The base layer includes at least one selected from the group consisting of a polyethylene terephthalate film, a polyolefin film, a polyvinyl chloride film, a polyurethane film, an ethylene-vinyl acetate copolymer film, an ethylene-alkyl acrylate copolymer film, doing
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 기재필름의 두께가 50㎛ 내지 100㎛인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the base film has a thickness of 50 to 100 mu m
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 중간층의 두께가 50㎛ 내지 350㎛인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the intermediate layer has a thickness of 50 mu m to 350 mu m
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
상기 점착층의 두께가 10㎛ 내지 40㎛인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the adhesive layer is 10 mu m to 40 mu m
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제1항에 있어서,
일면에 범프를 형성한 웨이퍼의 이면 연삭 공정에 적용되고, 범프를 형성한 상기 웨이퍼의 일면에 상기 점착제가 부착되는
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
The method according to claim 1,
Is applied to a back grinding process of a wafer on which bumps are formed on one surface, and the pressure sensitive adhesive is adhered to one surface of the wafer on which the bumps are formed
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
제18항에 있어서,
상기 범프의 높이가 20㎛ 내지 100㎛인
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
19. The method of claim 18,
Wherein the height of the bumps is 20 占 퐉 to 100 占 퐉
Adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer.
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