KR101217907B1 - Adhesive film for semiconductor wafter having protection layer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기재 필름의 일면 또는 양면 상에 도포되고, 반도체 웨이퍼와 접합되는 점착제 층을 포함하는 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착 필름에 있어서, 상기 점착제 층은 중량평균 분자량이 1,200,000 내지 3,000,000 범위의 제1아크릴계 공중합체; 중량평균 분자량이 500,000 내지 1,000,000 범위의 제2아크릴계 공중합체; 및 경화제를 포함하고, 상기 제1아크릴계 공중합체 100 중량부 대비 상기 제2아크릴계 공중합체가 5 내지 20 중량부 범위로 포함되는 열경화성 점착제 조성물로부터 형성되는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착필름을 제공한다.
본 발명에서는 반도체 웨이퍼의 그라인딩시, 웨이퍼 또는 상기 웨이퍼의 회로 배선을 보호하기 위한 표면 보호막 등에 손상이 없으면서, 절단성 및 부착성이 우수하며, 탁월한 내수성을 나타내면서도, 박리 특성, 재박리성 및 우수한 젖음성을 발휘할 수 있다.The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer backgrinding, comprising a pressure-sensitive adhesive layer applied on one or both surfaces of a base film and bonded to a semiconductor wafer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a weight average molecular weight of 1,200,000 to 3,000,000 Copolymers; A second acrylic copolymer having a weight average molecular weight in the range of 500,000 to 1,000,000; And a curing agent, wherein the second acrylic copolymer is formed from a thermosetting pressure-sensitive adhesive composition containing 5 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the first acrylic copolymer. do.
In the present invention, when grinding a semiconductor wafer, the wafer and the surface protective film for protecting the circuit wiring of the wafer are not damaged, and the cutting property and the adhesion are excellent, and the peeling property, the re-peeling property and the excellent water resistance are excellent. Wetting can be exhibited.
Description
본 발명은 반도체 제조공정에서 반도체 웨이퍼를 그라인딩하기 전에 웨이퍼의 전면(前面), 예컨대 웨이퍼의 경면(鏡面)이나 또는 상기 웨이퍼의 회로면을 보호하기 위해 구비되는 표면 보호막의 손상을 방지하고자, 웨이퍼에 부착되는 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착필름에 관한 것이다. The present invention provides a method for preventing damage to a front surface of a wafer, such as a mirror surface of a wafer or a surface protection film provided to protect a circuit surface of the wafer before grinding the semiconductor wafer in a semiconductor manufacturing process. The present invention relates to an adhesive film for semiconductor wafer backgrinding to be attached.
최근 전자 제품의 소형화 및 경량화 등이 급격히 진행되고 있으며, 이에 따라 리드(lead)부를 내부로 포함시킨 QFN (Quad Flat No-lead) 패키지가 등장하고 있다. 또한 반도체 패키지의 박형화, 칩의 고집적화에 대한 요구가 점차 증가함에 따라, 상기 반도체 패키지에 포함되는 웨이퍼의 대구경화 및 박형화에 대한 요구도 증가하고 있다. 그리고 반도체 공정의 불량률 감소와 신뢰성 향상에 대한 요구 역시 증가하고 있다. 이러한 요구에 대응하여, 반도체 제조 공정 중에서 웨이퍼의 손상을 줄이기 위하여 표면 보호막을 구비하는 반도체 웨이퍼의 사용이 점차 증가하고 있는 추세이다. In recent years, miniaturization and light weight of electronic products have been rapidly progressed, and accordingly, QFN (Quad Flat No-lead) packages including a lead part have been introduced. In addition, as the demand for thinner semiconductor packages and higher integration of chips increases, the demand for larger diameters and thinner wafers included in the semiconductor packages also increases. In addition, there is an increasing demand for reducing defect rates and improving reliability of semiconductor processes. In response to this demand, the use of semiconductor wafers with a surface protective film is gradually increasing in order to reduce damage to the wafers in the semiconductor manufacturing process.
반도체 웨이퍼의 대구경화 및 초박형화 추세에 효과적으로 대응하기 위해서는, 반도체 웨이퍼의 연마공정인 백그라인딩 (back grinding) 및 다이싱(dicing) 공정을 정밀하게 제어할 수 있는 고성능 기술이 필요하다. 상기 백그라인딩 공정은 고집적 배선회로를 갖는 웨이퍼의 표면, 즉 배면(背面)을 연마하는 공정이다. 이 공정에서 웨이퍼의 두께를 200 ㎛ 이하로 연마하면서, 웨이퍼를 보호하기 위한 용도로 백그라인딩용 점착필름이 사용되고 있다. 특히 대구경화의 진행에 따라 백그라인딩 공정 중 웨이퍼 오염 및 균열 발생과 같은 웨이퍼의 손상이 빈번히 발생하고 있으며, 이에 따라 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착필름의 역할이 더욱 중요시 되고 있다. In order to effectively cope with the trend of large-sized and ultra-thin semiconductor wafers, a high performance technology capable of precisely controlling the back grinding and dicing processes, which are the grinding processes of the semiconductor wafer, is required. The backgrinding step is a step of polishing a surface, that is, a back surface, of a wafer having a highly integrated wiring circuit. In this step, the backgrinding adhesive film is used for the purpose of protecting the wafer while polishing the thickness of the wafer to 200 μm or less. In particular, as the large-diameter hardening progresses, wafer damage such as wafer contamination and cracking occurs frequently during the backgrinding process. Accordingly, the role of the adhesive film for semiconductor wafer backgrinding becomes more important.
한편 표면에 회로패턴이 노출된 형태의 반도체 웨이퍼를 연삭하는 경우, 종래 점착 필름들은 연삭수의 침투를 막고, 높은 점착력 유지로 인해 반도체 웨이퍼를 강하게 고정시켜 웨이퍼의 파손 방지 효과를 어느 정도 발휘할 수 있다. 그러나 반도체 공정의 불량률을 감소시키고 패키지 신뢰성 향상을 위하여 표면 보호막이 구비된 반도체 웨이퍼를 이면 연삭하는 경우에는, 상기 점착 필름의 높은 점착력으로 인해 오히려 표면 보호막이 손상되기 때문에, 표면 보호막이 구비된 반도체 웨이퍼에는 점착필름의 사용이 제한되는 문제점을 가지고 있다. On the other hand, when grinding a semiconductor wafer having a circuit pattern exposed on the surface, the conventional adhesive films can prevent the penetration of the grinding water, it is possible to exhibit a certain degree of preventing damage to the wafer by strongly fixing the semiconductor wafer due to maintaining a high adhesion force . However, when the back surface of the semiconductor wafer with the surface protective film is reduced to reduce the defect rate of the semiconductor process and improve the package reliability, the surface protective film is rather damaged due to the high adhesive force of the adhesive film, so that the semiconductor wafer with the surface protective film is provided. There is a problem that the use of the adhesive film is limited.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 반도체 제조 공정에서 부착성이 우수하고, 탁월한 쿠션성을 가지며, 박리 특성, 내수성 및 웨이퍼로의 젖음성 등이 우수하며, 이와 동시에 표면 보호막을 구비하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시에 표면 보호막의 손상이 없이, 균일한 두께로 연삭이 가능하도록 하는 반도체 웨이퍼용 백그라인딩 점착필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, has excellent adhesion in the semiconductor manufacturing process, excellent cushioning properties, excellent peeling properties, water resistance and wettability to the wafer, and at the same time has a surface protective film An object of the present invention is to provide a backgrinding adhesive film for a semiconductor wafer which enables grinding to a uniform thickness without damaging the surface protective film during backside grinding of the semiconductor wafer.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition, other technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, another technical problem that is not mentioned from the following description to those skilled in the art to which the present invention belongs. It will be clearly understood.
본 발명은 기재 필름의 일면 또는 양면 상에 도포되고, 반도체 웨이퍼와 접합되는 점착제 층을 포함하는 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착 필름에 있어서, 상기 점착제 층은 중량평균 분자량이 1,200,000 내지 3,000,000 범위의 제1아크릴계 공중합체; 중량평균 분자량이 500,000 내지 1,000,000 범위의 제2아크릴계 공중합체; 및 경화제를 포함하고, 상기 제1아크릴계 공중합체 100 중량부 대비 상기 제2아크릴계 공중합체가 5 내지 20 중량부 범위로 포함되는 열경화성 점착제 조성물로부터 형성되는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착필름을 제공한다.The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer backgrinding, comprising a pressure-sensitive adhesive layer applied on one or both surfaces of a base film and bonded to a semiconductor wafer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a weight average molecular weight of 1,200,000 to 3,000,000 Copolymers; A second acrylic copolymer having a weight average molecular weight in the range of 500,000 to 1,000,000; And a curing agent, wherein the second acrylic copolymer is formed from a thermosetting pressure-sensitive adhesive composition containing 5 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the first acrylic copolymer. do.
여기서, 상기 점착제 층은 반도체 웨이퍼의 회로면을 보호하기 위해 구비되는 표면 보호막과 접합되는 것이 바람직하다.Here, the pressure-sensitive adhesive layer is preferably bonded to the surface protective film provided to protect the circuit surface of the semiconductor wafer.
상기 경화제는 이소시아네이트계, 에폭시계, 아지리딘계, 킬레이트계, 유기산계 및 멜라민계 경화제로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 열경화제인 것이 바람직하다.The curing agent is preferably at least one thermosetting agent selected from the group consisting of isocyanate-based, epoxy-based, aziridine-based, chelate-based, organic acid-based, and melamine-based curing agents.
또한 상기 열경화성 점착제 조성물은 제1아크릴계 공중합체 100 중량부 대비 아이소시아네이트계 경화제 2 내지 10 중량부; 멜라민계 경화제 1 내지 4 중량부; 및 경화촉진제 0.5 내지 2 중량부를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the thermosetting pressure-sensitive adhesive composition is 2 to 10 parts by weight of an isocyanate-based curing agent relative to 100 parts by weight of the first acrylic copolymer; 1 to 4 parts by weight of the melamine curing agent; And 0.5 to 2 parts by weight of a curing accelerator.
상기 점착제 층의 두께는 5 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위이고, 상온에서 Mirror wafer에 2 kg 고무롤로 2회 왕복하여 접착한 후 10분간 방치한 뒤 점착력을 측정하였을 때, 0.05 N/in 내지 2.5 N/in 범위의 점착력을 갖는 것이 바람직하다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is in the range of 5 ㎛ to 100 ㎛, and after adhesion to the mirror wafer 2 times with a 2 kg rubber roll at room temperature and left for 10 minutes, when the adhesive force is measured, 0.05 N / in to 2.5 N / in It is preferable to have adhesive force of the range.
상기 기재 필름의 연신율은 200% 내지 800% 범위인 것이 바람직하고, 이때 상기 기재 필름의 인성값은 210kg?mm 이상인 것이 바람직하다.The elongation of the base film is preferably in the range of 200% to 800%, and the toughness value of the base film is preferably 210 kg · mm or more.
상기 기재 필름은 두께가 75 ㎛ 내지 300 ㎛ 범위이고, 단층 또는 다층 구조인 것이 바람직하다.The base film has a thickness in the range of 75 μm to 300 μm, and preferably has a single layer or a multilayer structure.
상기 기재 필름은 폴리에스터 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리올레핀 (PO), 에틸렌-비닐알콜공중합체 (EVA), 폴리염화비닐 (PVC), 폴리메틸메타아크릴레이트 (PMMA), 폴리카보네이트 (PC), 폴리우레탄 (PU) 및 엘라스토머로 구성된 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.The base film is polyester (PE), polypropylene (PP), polyolefin (PO), ethylene-vinyl alcohol copolymer (EVA), polyvinyl chloride (PVC), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate ( PC), polyurethane (PU) and elastomer.
아울러, 본 발명에서는 상기 점착제 층 상에 형성되는 이형필름을 추가로 포함하는 것이 바람직하다.In addition, in the present invention, it is preferable to further include a release film formed on the pressure-sensitive adhesive layer.
본 발명의 점착 필름은, 우수한 부착성과 탁월한 복원성 (쿠션성)을 나타낼 뿐만 아니라, 박리 특성, 내수성 및 웨이퍼로의 젖음성 등이 전반적으로 우수하다. 따라서, 웨이퍼 백그라인딩 등의 반도체 제조 공정에서 작업성이 개선되어 생산 효율을 현저히 향상시킬 수 있다. The pressure-sensitive adhesive film of the present invention not only exhibits excellent adhesion and excellent restorability (cushionability), but also excellent overall peeling properties, water resistance, wettability to a wafer, and the like. Therefore, workability is improved in semiconductor manufacturing processes, such as wafer backgrinding, which can significantly improve production efficiency.
또한 표면 보호막을 구비하는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시, 표면 보호막의 손상 없이, 균일한 두께로 연삭이 가능하다.In addition, when grinding the back surface of the semiconductor wafer with a surface protective film, grinding can be carried out with uniform thickness, without damaging the surface protective film.
아울러, 표면 보호막의 손상에 의해 초래되는 불량률을 현저히 낮추어 생산 수율을 향상시킬 수 있으며, 신뢰성 향상에서도 우수한 효과를 발휘할 수 있다.In addition, it is possible to significantly reduce the defective rate caused by damage of the surface protective film to improve the production yield, it is possible to exhibit an excellent effect in improving the reliability.
도 1은 표면 보호막을 구비하는 반도체 웨이퍼의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 점착필름의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 점착필름의 단면도이다.
< 도면 부호의 설명 >
1 : 표면 보호막
2 : 반도체 웨이퍼의 회로면과 표면 보호막의 경계면
3 : 반도체 웨이퍼
4 : 점착제 층
5 : 기재 필름
6 : 이형필름 1 is a cross-sectional view of a semiconductor wafer having a surface protective film.
2 is a cross-sectional view of the pressure-sensitive adhesive film according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an adhesive film according to another embodiment of the present invention.
<Description of reference numerals>
1: surface protective film
2: interface between circuit surface of semiconductor wafer and surface protective film
3: semiconductor wafer
4: adhesive layer
5: base film
6: release film
이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명할 것이다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments and drawings of the present invention. These examples are only presented by way of example only to more specifically describe the present invention, it will be apparent to those skilled in the art that the scope of the present invention is not limited by these examples. .
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착 필름은, 도 1에 도시되는 바와 같이, 웨이퍼 상에 형성되는 회로배선 표면을 보호하기 위해 도입되는 표면 보호막, 예컨대 폴리이미드 등의 고분자 막 또는 산화막 등을 구비하는 반도체 웨이퍼의 연삭시에 사용되는 것이다. The adhesive film for semiconductor wafer backgrinding according to the present invention, as shown in FIG. 1, is provided with a surface protective film introduced to protect the circuit wiring surface formed on the wafer, such as a polymer film such as polyimide or an oxide film. It is used when grinding a semiconductor wafer.
상기 점착 필름은 기재 필름의 일면 또는 양면 상에 도포되고, 반도체 웨이퍼와 접합되는 점착제 층을 포함하되, 상기 점착제 층이 분자량이 서로 상이한 2종의 아크릴계 공중합체와 경화제를 혼용하는 점착제 조성물로부터 형성되는 것을 특징으로 한다. The pressure-sensitive adhesive film is coated on one or both sides of the base film, and includes a pressure-sensitive adhesive layer bonded to the semiconductor wafer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is formed from a pressure-sensitive adhesive composition mixed with two acrylic copolymers having different molecular weights and a curing agent. It is characterized by.
즉, 점착제 수지의 분자량이 낮으면 점착성과 부착성이 양호하여 웨이퍼를 잘 고정하고 연삭수가 내부로 침투하거나 또는 외부로 새는 것을 방지할 수 있는 반면 내구성이 저조하다. 특히 반도체 제조공정 중에서, 압력이 인가되거나 외부 충격이 발생하는 경우 이러한 충격을 흡수하지 못하여 물성 저하가 필수로 초래된다. 이에 비해 점착제 수지의 분자량이 높으면, 압력인가나 외부 충격시 이러한 충격을 흡수하여 내구성을 지속적으로 발휘하는 반면, 쿠션성이나 복원성이 상대적으로 저조하다. 따라서 웨이퍼로부터 박리시 표면 보호막의 손상이 필수적으로 발생하게 된다. 이에, 본 발명에서는 서로 상반되는 내구성과 복원성, 부착성 등을 동시에 확보하고자, 분자량이 서로 상이한 아크릴계 공중합체를 혼용하여 이들의 상승작용(synergy effect)를 도모하는 것이다. In other words, when the molecular weight of the pressure-sensitive adhesive resin is low, the adhesiveness and adhesion are good, thereby fixing the wafer well and preventing the grinding water from penetrating into the inside or leaking to the outside, but the durability is low. In particular, in the semiconductor manufacturing process, when a pressure is applied or an external shock occurs, such a shock cannot be absorbed, resulting in the deterioration of physical properties. On the other hand, when the molecular weight of the pressure-sensitive adhesive resin is high, it absorbs such an impact at the time of application of pressure or external impact and continuously exerts durability, whereas the cushioning property and the restorability are relatively low. Therefore, damage to the surface protective film is necessarily generated when peeling from the wafer. Accordingly, in the present invention, in order to simultaneously secure durability, restorability, adhesion, and the like, which are mutually opposite, an acrylic copolymer having different molecular weights is mixed to achieve their synergy effect.
보다 구체적으로, 본 발명의 점착제 조성물은 중량평균 분자량이 1,200,000 내지 3,000,000 범위의 제1아크릴계 공중합체; 중량평균 분자량이 500,000 내지 1,000,000 범위의 제2아크릴계 공중합체; 및 경화제를 포함하고, 상기 제1아크릴계 공중합체 100 중량부 대비 상기 제2아크릴계 공중합체가 5 내지 20 중량부 범위로 포함하여 구성된다. 이를 통해, 본 발명에서는 표면 보호막을 구비하는 반도체 웨이퍼의 그라인딩 시에 표면 보호막의 손상으로 인한 불량률 증가와 신뢰성 저하를 방지할 수 있다 (하기 표 2 참조).More specifically, the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention comprises a first acrylic copolymer having a weight average molecular weight in the range of 1,200,000 to 3,000,000; A second acrylic copolymer having a weight average molecular weight in the range of 500,000 to 1,000,000; And a curing agent, and the second acrylic copolymer is included in an amount of 5 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the first acrylic copolymer. Through this, in the present invention, it is possible to prevent an increase in a defective rate and a decrease in reliability due to damage of the surface protective film during grinding of the semiconductor wafer including the surface protective film (see Table 2 below).
<점착제 조성물><Adhesive Composition>
본 발명의 점착제 조성물을 구성하는 첫번째 구성 성분은, 분자량이 서로 상이한 2종의 아크릴계 공중합체를 사용하는 것이다. The 1st structural component which comprises the adhesive composition of this invention uses 2 types of acrylic copolymer from which molecular weight differs from each other.
상기 아크릴계 공중합체는 당 업계에 알려진 통상적인 아크릴계 공중합체를 사용할 수 있으며, 일례로 알킬(메타)아크릴레이트 단량체와 가교성 단량체를 혼합하여 중합된 것일 수 있다. 이때 알킬(메타)아크릴레이트 단량체의 탄소수는 특별히 제한되지 않으나, 1 내지 15 일 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 12일 수 있다. The acrylic copolymer may be a conventional acrylic copolymer known in the art, for example, may be polymerized by mixing an alkyl (meth) acrylate monomer and a crosslinkable monomer. In this case, the carbon number of the alkyl (meth) acrylate monomer is not particularly limited, but may be 1 to 15, preferably 1 to 12.
상기 아크릴계 공중합체를 구성하는 성분의 비제한적인 예로는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 아이소아밀(메타)아크릴레이트, n-헥실(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 아이소옥틸(메타)아크릴레이트, 아이소노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 도델실(메타)아크릴레이트 또는 이들의 혼합물 등이 있다. 이때 전술한 예시물에 한정되지 아니하며, 이들을 단독 사용하거나 또는 2종 이상 혼용할 수도 있다.Non-limiting examples of the components constituting the acrylic copolymer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) Acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, dodelyl (meth) acrylate or mixtures thereof There is this. At this time, it is not limited to the above-described examples, these may be used alone or may be used in combination of two or more.
또한 가교성 단량체는 당 업계에 알려진 친수성 관능기, 예컨대 히드록시기, 카르복실기 및 질소 함유 관능기를 1종 이상 포함하는 것일 수도 있다. 상기 가교성 단량체의 비제한적인 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실 (메타)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시 아세트산, 3-(메타)아크릴로일옥시 프로필산, 4-(메타)아크릴로일옥시 부틸산, 아크릴산 이중체, 이타콘산, 말레산, 말레산 무수물, (메타)아크릴아미드, N-비닐 피롤리돈, N-비닐 카프로락탐 또는 이들의 혼합물 등이 있다. 전술한 예시물에 한정되지 아니하며, 이들을 단독 사용하거나 또는 2종 이상 혼용할 수도 있다. The crosslinkable monomer may also include at least one hydrophilic functional group known in the art, such as a hydroxyl group, a carboxyl group and a nitrogen-containing functional group. Non-limiting examples of such crosslinkable monomers include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl ( Meta) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethylene glycol (meth) acrylate, 2-hydroxypropylene glycol (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, 2- (meth) Acryloyloxy acetic acid, 3- (meth) acryloyloxy propyl acid, 4- (meth) acryloyloxy butyl acid, acrylic acid duplex, itaconic acid, maleic acid, maleic anhydride, (meth) acrylamide, N-vinyl pyrrolidone, N-vinyl caprolactam or mixtures thereof, and the like. It is not limited to the above-mentioned example, These may be used individually or it may mix 2 or more types.
전술한 친수성 관능기를 포함하는 경우, 분자량이 서로 상이하더라도 제1아크릴계 공중합체와 제2아크릴계 공중합체 간의 물리적 혼화가 증대될 수 있다.In the case of including the hydrophilic functional group described above, even if the molecular weight is different from each other, physical compatibility between the first acrylic copolymer and the second acrylic copolymer may be increased.
본 발명에 따른 제1아크릴계 공중합체 (점착제 수지)는 중량평균 분자량이 1,200,000 내지 3,000,000 범위이며, 바람직하게는 1,400,000 내지 2,600,000 범위이다. 또한 제2아크릴계 공중합체 (점착제 수지)의 중량평균 분자량은 500,000 내지 1,000,000 범위일 수 있으며, 바람직하게는 600,000 내지 900,000 범위이다. The first acrylic copolymer (adhesive resin) according to the present invention has a weight average molecular weight in the range of 1,200,000 to 3,000,000, preferably 1,400,000 to 2,600,000. In addition, the weight average molecular weight of the second acrylic copolymer (adhesive resin) may be in the range of 500,000 to 1,000,000, preferably in the range of 600,000 to 900,000.
이때, 상기 제2아크릴계 열경화성 공중합체의 중량평균분자량이 500,000미만일 경우에는 반도체 웨이퍼 표면에 잔유물을 발생시킬 수 있으며, 중량평균 분자량이 3,000,000을 초과하는 경우에는 분자량이 크므로 경화반응이 불완전하게 발생할 가능성이 있다. In this case, when the weight average molecular weight of the second acrylic thermosetting copolymer is less than 500,000, residues may be generated on the surface of the semiconductor wafer, and when the weight average molecular weight exceeds 3,000,000, the molecular weight is large, so that a curing reaction may be incompletely generated. There is this.
상기 제2아크릴계 공중합체의 함량은 제1아크릴계 공중합체 100 중량부를 기준으로 하여 5 내지 20 중량부 범위일 수 있으며, 바람직하게는 7 내지 18 중량부일 수 있다.
The content of the second acrylic copolymer may be in the range of 5 to 20 parts by weight, preferably 7 to 18 parts by weight, based on 100 parts by weight of the first acrylic copolymer.
본 발명의 점착제 조성물을 구성하는 다른 구성 성분은, 경화제 및 경화촉진제로 구성되는 군에서 선택되는 경화 성분이다.The other structural component which comprises the adhesive composition of this invention is a hardening component chosen from the group which consists of a hardening | curing agent and a hardening accelerator.
본 발명의 제1 아크릴계 공중합체와 제2 아크릴계 공중합체의 혼합물은 열경화제를 포함시켜야만 경화반응을 시킬 수 있다. 이러한 경화 성분의 사용을 통해 기본적으로 응집력을 확보할 수 있으며, 반도체 웨이퍼 표면에 형성된 표면 보호막에 손상을 억제할 수 있다.The mixture of the first acrylic copolymer and the second acrylic copolymer of the present invention must include a thermosetting agent to allow the curing reaction. Through the use of such a cured component, it is possible to basically secure cohesion and to suppress damage to the surface protective film formed on the surface of the semiconductor wafer.
본 발명에서 사용될 수 있는 경화제는 열경화 방식에 의해 가교구조를 형성할 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화제의 비제한적인 예를 들면, 이소시아네이트계 경화제, 에폭시계 경화제, 아지리딘계 경화제, 금속 킬레이트계 경화제, 유기산계 경화제, 멜라민계 경화제 또는 이들의 1종 이상 혼합물 등이 있다. 이들은 경화 목적에 따라 1종 또는 2종 이상을 혼용하여 사용할 수 있다. The curing agent that can be used in the present invention is not particularly limited as long as it can form a crosslinked structure by a thermosetting method. Non-limiting examples of the curing agent include isocyanate curing agents, epoxy curing agents, aziridine curing agents, metal chelate curing agents, organic acid curing agents, melamine curing agents, or mixtures of one or more thereof. These may be used singly or in combination of two or more kinds depending on the purpose of curing.
상기 이소시아네이트계 경화제의 구체적인 예로는 톨리렌 디이소시아네이트, 크실렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 이소보론 디이소시아네이트, 테트라메틸크실렌 디이소시아네이트, 나프탈렌 디이소시아네이트 및 상기 중 어느 하나의 폴리올(ex. 트리메틸롤 프로판)과의 반응물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다. Specific examples of the isocyanate-based curing agent include tolylene diisocyanate, xylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isoboron diisocyanate, tetramethylxylene diisocyanate, naphthalene diisocyanate and any one of the above polyols ( ex. trimethylol propane).
또한 에폭시계 경화제의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르, N,N,N',N'-테트라글리시딜 에틸렌디아민 및 글리세린 디글리시딜에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다. Specific examples of the epoxy curing agent include ethylene glycol diglycidyl ether, triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, N, N, N ', N'-tetraglycidyl ethylenediamine and glycerin diglycid. And at least one selected from the group consisting of dil ethers.
상기 아지리딘계 경화제의 예로는 N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복사미드), N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복사미드), 트리에틸렌 멜라민, 비스이소프로탈로일-1-(2-메틸아지리딘), 트리-1-아지리디닐포스핀옥시드 또는 이들의 1종 이상 혼합물 등이 있다.Examples of the aziridine-based curing agent include N, N'-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxamide), N, N'-diphenylmethane-4,4'-bis (1-aziridinecar Copymid), triethylene melamine, bisisoprotaloyl-1- (2-methylaziridine), tri-1-aziridinylphosphine oxide or mixtures of one or more thereof.
상기 금속 킬레이트계 경화제의 구체적인 예로는, 알루미늄, 철, 아연, 주석, 티탄, 안티몬, 마그네슘 및/또는 바나듐과 같은 다가 금속이 아세틸 아세톤 또는 아세토초산 에틸 등에 배위하고 있는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Specific examples of the metal chelate curing agent may be a compound in which a polyvalent metal such as aluminum, iron, zinc, tin, titanium, antimony, magnesium, and / or vanadium is coordinated with acetyl acetone or ethyl acetoacetate, and the like. It doesn't happen.
또한 상기 멜라민계 경화제의 구체적인 예로는, 멜라민, 부톡시메틸 멜라민, 헥사메톡시메틸 멜라민, 트리메톡시메틸 멜라민 또는 이들의 혼합물 등이 있다. 이들을 단독 혹은 2종 이상의 혼합물로 사용할 수 있다.In addition, specific examples of the melamine-based curing agent include melamine, butoxymethyl melamine, hexamethoxymethyl melamine, trimethoxymethyl melamine or mixtures thereof. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
상기 열경화제의 사용량은 용도에 따라 한정되어 있지는 않지만, 제1아크릴계 공중합체 100 중량부를 기준으로 하여, 아이소시아네이트계 경화제 2 내지 10 중량부와 멜라민계 경화제 1 내지 4 중량부를 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 또한 상기 점착제층의 경화를 촉진하기 위하여, 경화촉진제 0.5 내지 2 중량부를 사용하는 것도 바람직하다. 이때 경화촉진제는 당 업계에 알려진 통상적인 경화촉진제를 제한없이 사용할 수 있다. Although the usage-amount of the said thermosetting agent is not limited depending on a use, It is preferable to mix and use 2-10 weight part of isocyanate-type hardeners and 1-4 weight part of melamine-type hardeners based on 100 weight part of 1st acryl-type copolymers. Do. Moreover, in order to accelerate hardening of the said adhesive layer, it is also preferable to use 0.5-2 weight part of hardening accelerators. At this time, the curing accelerator may be used without limitation the conventional curing accelerator known in the art.
본 발명의 점착제 조성물은 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위 내에서, 전술한 성분에 점착성 부여 수지, 개시제, 저분자량체, 에폭시 수지, 경화제, 자외선 안정제, 산화 방지제, 조색제, 보강제, 소포제, 계면 활성제, 발포제, 유기염, 증점제 및 난연제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.
In the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention, a tackifying resin, an initiator, a low molecular weight, an epoxy resin, a curing agent, an ultraviolet stabilizer, an antioxidant, a colorant, a reinforcing agent, an antifoaming agent, and a surfactant are contained within the range not affecting the effect of the invention. It may further comprise one or more additives selected from the group consisting of blowing agents, organic salts, thickeners and flame retardants.
<점착 필름><Adhesive film>
본 발명은 기재 필름; 및 상기 기재 필름의 일면 또는 양면 상에 도포되면서 반도체 웨이퍼와 접합되고, 전술한 열경화성 점착제 조성물로부터 형성되는 점착제 층을 포함하는 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착 필름을 제공한다.The present invention is a base film; And a pressure-sensitive adhesive layer formed on the thermosetting pressure-sensitive adhesive composition and bonded to the semiconductor wafer while being coated on one or both surfaces of the base film, to provide a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer backgrinding.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따라 기재 필름(5)의 일면에 점착제 층(4)이 형성된 점착 필름을 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an adhesive film in which an
본 발명의 점착 필름은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 이면 연삭 시의 보호 필름 등과 같은 반도체 가공용 필름이나 가공 시트로 이용될 수 있다. The pressure-sensitive adhesive film of the present invention can be used, for example, as a film for processing a semiconductor or a processing sheet such as a protective film when grinding a semiconductor wafer back surface.
본 발명의 점착 필름에 사용되는 기재 필름의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 25℃에서의 인성값이 210 Kg?mm 이상, 바람직하게는 240 Kg?mm 이상, 400 Kg?mm 이하인 것을 사용할 수 있다. Although the kind of base film used for the adhesive film of this invention is not specifically limited, For example, the toughness value in 25 degreeC is 210 Kgmm or more, Preferably it is 240 Kgmm or more and 400 Kgmm or less Can be used.
본 발명에서 사용하는 「인성 (toughness)값」이라는 용어는 인장 시험을 통해 측정되는 물성으로서, 재료의 강성과 연성의 정도를 나타내는 수치를 의미한다. The term "toughness value" used in the present invention is a physical property measured through a tensile test, and means a numerical value indicating the degree of stiffness and ductility of the material.
상기 인성값이 210 Kg?mm 미만이면 기재 필름의 탄성률 감소로 인하여 지나치게 필름의 연화가 발생하여, 필름을 롤에 귄취하거나, 권취된 롤에서 필름을 풀면서 웨이퍼에 부착할 시에, 웨이퍼의 균열 또는 손상이 발생할 우려가 있다. 반면 기재 필름의 인성값이 지나치게 증가할 경우, 쿠션성이 약화된다. 일례로, 본 발명의 점착 필름을 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 공정에 적용할 경우, 웨이퍼에 가해지는 스트레스를 완화시켜 주는 점착 필름의 효과가 떨어져서 연마 정밀도의 감소 또는 웨이퍼 손상이 발생할 우려가 있다. 반면, 기재 필름의 인성값이 지나치게 작아질 경우, 필름의 연화가 지나치게 발생하여, 웨이퍼의 균열 또는 손상이 발생할 우려가 있으며, 연삭수 침투성 면에서 취약해진다.When the toughness value is less than 210 Kg · mm, the softening of the film occurs due to the decrease in the elastic modulus of the base film, so that the crack of the wafer is caused when the film is attached to the roll or the film is attached to the wafer while unwinding the film from the wound roll. Or damage may occur. On the other hand, when the toughness value of a base film increases too much, cushioning property will weaken. For example, when the pressure-sensitive adhesive film of the present invention is applied to the back surface grinding process of a semiconductor wafer, the effect of the pressure-sensitive adhesive film that alleviates the stress applied to the wafer may be inferior, resulting in a decrease in polishing accuracy or wafer damage. On the other hand, when the toughness value of the base film is too small, softening of the film may occur excessively, there is a possibility that cracking or damage of the wafer may occur, and it is weak in terms of grinding water penetration.
또한 본 발명의 기재 필름의 연신율은 200% 내지 800% 범위일 수 있으며, 바람직하게는 300 % 내지 700 % 범위이다. 상기 연신율이 지나치게 작을 경우 반도체 웨이퍼 연삭시에 발생하는 충격을 완화하지 못하여, 웨이퍼의 균열 또는 손상이 발생할 우려가 있다. 또한 상기 연신율이 지나치게 클 경우, 반도체 웨이퍼 연삭시에 압력이 균일하게 전달하지 못하여 웨이퍼의 두께가 불균일하게 생성될 우려가 있으며, 웨이퍼의 이면 연삭성이 감소하고 뒤틀림 현상이 증가하게 될 수 있다.In addition, the elongation of the base film of the present invention may be in the range of 200% to 800%, preferably in the range of 300% to 700%. If the elongation is too small, the impact generated during the grinding of the semiconductor wafer may not be alleviated, resulting in cracking or damage of the wafer. In addition, if the elongation is too large, the pressure may not be uniformly transferred during the grinding of the semiconductor wafer, and there is a fear that the thickness of the wafer is unevenly generated, and the back surface grinding property of the wafer may decrease and the warpage phenomenon may increase.
본 발명에서는 기재 필름으로서 당 업계에 알려진 통상적인 연성 기재를 사용할 수 있으며, 일례로 합성 고무, 합성 수지 또는 천연 수지 등의 일반적인 소재일 수 있다. 사용 가능한 기재 기재의 비제한적인 예로는 폴리에틸렌 (polyethylene, PE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리올레핀 (polyolefin, PO), 에틸렌-비닐알콜 공중합체(ethylene-vinylalcohol copolymer, EVA), 폴리염화비닐 (polyvinylchloride, PVC), 폴리메틸메타아크릴레이트 (polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리카보네이트 (polycarbonate, PC), 폴리우레탄(polyurethane, PU), 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 엘라스토머 등의 고분자이며, 전술한 예시물을 일종 또는 이종 이상의 기재필름을 사용할 수 있다. In the present invention, a conventional flexible substrate known in the art may be used as the base film, and may be, for example, a general material such as synthetic rubber, synthetic resin, or natural resin. Non-limiting examples of substrate substrates that can be used include polyethylene, PE, polypropylene, PP, polyolefin, PO, ethylene-vinylalcohol copolymer (VA), polyvinyl chloride polymers such as (polyvinylchloride, PVC), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polyurethane (PU, PU), polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film, elastomer The above-described example may use one kind or more than one base film.
상기에서 이종 이상의 기재 필름이란, 전술한 각 기재 필름이 이종 이상 적층되어 이루어지거나, 또는 상기 중 2 이상의 수지의 블렌드물로부터 제조되는 필름을 의미할 수 있다. 상기와 같은 기재 필름은 당 분야에서 공지된 일반적인 방법에 의해 제조할 수 있으며, 일례를 들면 T 다이 압출법, 캐스팅법, 카렌다링법 또는 인필레이션법 등을 통하여 제조할 수 있다.The two or more base films may mean a film that is formed by laminating two or more base films described above or a blend of two or more resins. The base film as described above can be produced by a general method known in the art, for example, can be produced through a T-die extrusion method, casting method, calendaring method or infiltration method.
본 발명에서 기재 필름의 두께는 그 용도에 따라 적절히 선택되는 것으로 특별히 한정되지 않는다. 일례로 75 ㎛ 내지 300 ㎛ 범위일 수 있으며, 바람직하게는 100 ㎛ 내지 200 ㎛일 수 있다. 기재 필름의 두께가 75 ㎛ 미만이면 그라인딩시 충격을 완화하지 못하여 표면 보호막이 구비된 반도체 웨이퍼의 손상이 가능하며, 기재 필름의 두께가 300 ㎛를 초과하면 점착필름 제거시 발생되는 응력에 의하여 표면 보호막이 구비된 반도체 웨이퍼의 크랙이 발생할 수 있다.In the present invention, the thickness of the base film is appropriately selected depending on its use, and is not particularly limited. For example, it may range from 75 μm to 300 μm, preferably 100 μm to 200 μm. If the thickness of the base film is less than 75 μm, it is possible to damage the semiconductor wafer with a surface protection film because the impact cannot be alleviated during grinding. Cracks in the provided semiconductor wafer may occur.
상기와 같은 본 발명의 기재 필름은 또한 점착층과의 밀착성 향상의 관점에서 일면 또는 양면에 프라이머 처리 또는 코로나 처리 등과 같은 표면 처리가 되어 있을 수 있으며, 반도체 공정의 효율성을 위하여 적절한 색상이 부여되어 있을 수도 있다.The base film of the present invention as described above may also be surface-treated, such as primer treatment or corona treatment on one or both sides from the viewpoint of improving adhesion with the adhesive layer, may be given a suitable color for the efficiency of the semiconductor process It may be.
상기와 같은 기재 필름 상에 점착제 층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에서는 일례로, 전술한 점착제 조성물을 기재 필름 상에 도포한 후, 경화시켜 점착층을 형성하는 캐스팅법으로 진행할 수 있으며, 경우에 따라서는, 상기 점착제 조성물을 박리성 기재 필름(이형필름)에 도포한 후 건조하여 점착제 층을 형성하여 기재에 라미네이션을 한 후, 상기 점착제 층을 기재 필름에 전사하는 전사방법을 사용할 수도 있다. The method of forming an adhesive layer on such a base film is not specifically limited. In the present invention, for example, after applying the above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition on the base film, it can proceed to the casting method of curing and forming an adhesive layer, and in some cases, the pressure-sensitive adhesive composition is a peelable base film (release film) After apply | coating to, after drying to form an adhesive layer and laminating to a base material, the transfer method which transfers the said adhesive layer to a base film can also be used.
보다 구체적으로, 본 발명의 점착제 조성물은 제1아크릴계 공중합체, 제2아크릴계 공중합체, 열경화제, 선택적으로 열 경화촉진제를 균일하게 혼합하여 제조될 수 있고, 또는 필요에 따라 용매를 혼합하여 제조된다. 이때 상기 용매는 당 업계에 알려진 통상의 용매를 사용할 수 있다.More specifically, the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention may be prepared by uniformly mixing the first acrylic copolymer, the second acrylic copolymer, the thermosetting agent, and optionally the thermosetting accelerator, or may be prepared by mixing the solvent as necessary. . At this time, the solvent may be used a conventional solvent known in the art.
상기 용매의 비제한적인 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤류; 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 카르비톨 아세테이트 등의 에스테르아세테이트류; 셀로솔브, 부틸 카르비톨 등의 카르비톨류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 디메틸 포름아미드, 디메틸 아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등이 있다. 상기 용매는 단독 사용할 수 있으며, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용될 수도 있다. 이때 설계 목적에 따라 점착제 조성물의 점도를 조절할 수 있다. Non-limiting examples of the solvent include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone; Ester acetates such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; Carbitols such as cellosolve and butyl carbitol; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Amide solvents such as dimethyl formamide, dimethyl acetamide, and N-methylpyrrolidone. The solvent may be used alone, or may be used by mixing two or more kinds. At this time, the viscosity of the pressure-sensitive adhesive composition can be adjusted according to the design purpose.
이때 기재 필름 또는 박리성 기재의 표면 상에 점착제 조성물을 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 바코트, 나이프 코트, 롤 코트, 스프레이 코트, 그라비어 코트, 커튼 코트, 콤마 코트 및/또는 립 코트 등의 수단을 사용하여 수행할 수 있다. At this time, the method of applying the pressure-sensitive adhesive composition on the surface of the base film or the peelable base material is not particularly limited, and for example, bar coat, knife coat, roll coat, spray coat, gravure coat, curtain coat, comma coat and / or It may be carried out using a means such as a lip coat.
본 발명의 점착 필름에서 상기와 같은 점착층의 두께는 5 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위일 수 있으며, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 70 ㎛ 일 수 있다. 점착제 층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우 균일한 점착층을 얻기 어려워 필름의 물성이 불균일해 질 우려가 있다.In the pressure-sensitive adhesive film of the present invention, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer may be in a range of 5 μm to 100 μm, and preferably 10 μm to 70 μm. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is out of the above range, it is difficult to obtain a uniform pressure-sensitive adhesive layer and there is a possibility that the physical properties of the film may be uneven.
또한 상기 점착제 층은 상온에서 Mirror wafer에 2 kg 고무롤로 2회 왕복하여 접착한 후 10분간 방치한 뒤 점착력을 측정하였을 때, 0.05 N/in 내지 2.5 N/in의 점착력을 나타낼 수 있다. In addition, the pressure-sensitive adhesive layer may exhibit a pressure-sensitive adhesive force of 0.05 N / in to 2.5 N / in when the adhesive force is measured after leaving the adhesive for 10 minutes and then reciprocated with a 2 kg rubber roll to the mirror wafer at room temperature.
본 발명의 점착 필름에서는 또한 점착층으로의 이물 유입의 방지 등의 관점에서, 점착층 상에 이형필름을 형성하여 두는 것이 바람직하다. In the adhesive film of this invention, it is preferable to form a release film on an adhesion layer from a viewpoint of the prevention of the inflow of a foreign material to an adhesion layer, etc. further.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따라 기재 필름(5)의 일면에 점착제 층(4)이 형성되고, 상기 점착제 층(4) 상에 이형필름(6)이 형성된 점착 필름을 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating an adhesive film having an
상기와 같은 이형필름의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않으며, 이의 비제한적인 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 또는 올레핀계 필름 등의 일면 또는 양면을 실리콘 또는 알키드 계열의 이형제로 이형처리한 필름을 사용할 수 있다. 상기와 같은 이형필름의 두께는 그 용도에 따라 적절히 설정되는 것으로 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 10 ㎛ 내지 70 ㎛의 범위에서 적절히 선택될 수 있다.The specific kind of the release film as described above is not particularly limited, and non-limiting examples thereof include a film in which one or both sides of the release film, such as a polyethylene terephthalate (PET) film or an olefin-based film, are released from a silicone or alkyd-based release agent. Can be used. The thickness of the release film as described above is not particularly limited to be appropriately set according to the use thereof, and may be appropriately selected in the range of, for example, 10 μm to 70 μm.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 가공방법은 특별히 제한되지 않으나, 일례를 들면 반도체 웨이퍼에 전술한 점착 필름을 부착하고, 상기 점착 필름이 부착된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭(backgrinding)하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다. 이때 상기 점착 필름은 반도체 웨이퍼의 회로면을 보호하기 위해 구비되는 표면 보호막과 접합되는 것이 바람직하다. The processing method of the semiconductor wafer according to the present invention is not particularly limited, but includes, for example, attaching the aforementioned adhesive film to the semiconductor wafer and backgrinding the back surface of the semiconductor wafer to which the adhesive film is attached. Can be. At this time, the adhesive film is preferably bonded to the surface protective film provided to protect the circuit surface of the semiconductor wafer.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예 및 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the following Examples. However, the following Examples and Experimental Examples are only illustrative of the present invention and the present invention is not limited by the following Examples and Experimental Examples.
[실시예 1]Example 1
중량평균 분자량이 약 150만인 제1아크릴계 공중합체 점착제 100 중량부에 대하여, 중량평균 분자량이 80만인 제2아크릴계 공중합체 10중량부를 투입하고, 용매를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 멜라민계 경화제 3중량부를 투입하여 1시간 교반하고, 아이소시아네이트계 경화제 5중량부를 투입하여 1시간 동안 교반하였다. 이후 경화촉진제 1중량부를 투입하여, 1시간 교반한 후 열경화형 점착제 조성물을 얻었다. 상기 점착제 조성물을 150㎛의 폴리올레핀 (PO) 기재필름 상에 도포하고 130℃에서 3분간 건조한 후 38 ㎛의 PET 이형필름 (도레이첨단소재 주식회사, XD5BR)을 합지한 후, 45℃에서 48시간 숙성하여 두께 25 ㎛의 점착제 층을 갖는 점착필름을 제조하였다.To 100 parts by weight of the first acrylic copolymer pressure sensitive adhesive having a weight average molecular weight of about 1.5 million, 10 parts by weight of the second acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 was added, and a solvent was added and stirred for 1 hour. Thereafter, 3 parts by weight of the melamine curing agent was added and stirred for 1 hour, and 5 parts by weight of the isocyanate curing agent was added and stirred for 1 hour. Thereafter, 1 part by weight of a curing accelerator was added thereto, followed by stirring for 1 hour to obtain a thermosetting adhesive composition. The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 150 μm polyolefin (PO) base film, dried at 130 ° C. for 3 minutes, and then laminated to 38 μm PET release film (Toray Advanced Materials Co., Ltd., XD5BR), and then aged at 45 ° C. for 48 hours. An adhesive film having an adhesive layer having a thickness of 25 μm was prepared.
[실시예 2][Example 2]
폴리올레핀(PO) 기재 필름 대신 150㎛의 폴리에틸렌 (PE) 기재필름을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 점착 필름을 제조하였다.An adhesive film was prepared in the same manner as in Example 1, except that a polyethylene (PE) substrate film having a thickness of 150 μm was used instead of the polyolefin (PO) substrate film.
[실시예 3][Example 3]
폴리올레핀(PO) 기재 필름 대신 150㎛의 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름(EVA) 기재필름을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 점착 필름을 제조하였다.
An adhesive film was prepared in the same manner as in Example 1, except that a 150 μm ethylene-vinyl acetate copolymer film (EVA) base film was used instead of the polyolefin (PO) base film.
[비교예 1]Comparative Example 1
중량평균 분자량이 약 150만인 제1아크릴계 공중합체 점착제 100 중량부에 대하여, 용매를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 멜라민계 경화제 3중량부를 투입하여 1시간 교반하고, 아이소시아네이트계 경화제 5중량부를 투입하고, 1시간 교반하였다. 이후 경화촉진제 1중량부를 투입하여 1시간 동안 교반하여 열경화형 점착제 조성물을 얻었다. 상기 점착제 조성물을 150㎛의 폴리올레핀 (PO) 기재필름 상에 도포하고, 130℃에서 3분간 건조한 후 38 ㎛의 PET 이형필름 (도레이첨단소재 주식회사, XD5BR)을 합지한 후, 45℃에서 48시간 숙성하여 25 ㎛의 점착제층을 갖는 점착필름을 제조하였다.To 100 parts by weight of the first acrylic copolymer pressure sensitive adhesive having a weight average molecular weight of about 1.5 million, a solvent was added and stirred for 1 hour. Thereafter, 3 parts by weight of the melamine curing agent was added and stirred for 1 hour, 5 parts by weight of the isocyanate curing agent was added, and the mixture was stirred for 1 hour. Then 1 part by weight of a curing accelerator was added and stirred for 1 hour to obtain a thermosetting pressure-sensitive adhesive composition. The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 150 μm polyolefin (PO) base film, dried at 130 ° C. for 3 minutes, and then laminated to 38 μm PET release film (Toray Advanced Materials Co., Ltd., XD5BR), and then aged at 45 ° C. for 48 hours. To prepare a pressure-sensitive adhesive film having a pressure-sensitive adhesive layer of 25 ㎛.
[비교예 2]Comparative Example 2
중량평균 분자량이 약 80만인 제2아크릴계 공중합체 점착제 100 중량부에 대하여, 용매를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 멜라민계 경화제 3중량부를 투입하여 1시간 교반하고, 아이소시아네이트계 경화제 5중량부를 투입하고, 1시간 교반하였다. 이후 경화 촉진제 1중량부를 투입하여, 1시간 교반하여 열경화형 점착제 조성물을 얻었다. 상기 점착제 조성물을 150㎛의 폴리올레핀 (PO) 기재 필름 상에 도포하고, 130℃에서 3분간 건조한 후 38 ㎛의 PET 이형필름 (도레이새한 주식회사, XD5BR)을 합지한 후 45℃에서 48시간 숙성하여 25 ㎛의 점착제층을 갖는 점착필름을 제조하였다.To 100 parts by weight of the second acrylic copolymer pressure sensitive adhesive having a weight average molecular weight of about 800,000, a solvent was added and stirred for 1 hour. Thereafter, 3 parts by weight of the melamine curing agent was added and stirred for 1 hour, 5 parts by weight of the isocyanate curing agent was added, and the mixture was stirred for 1 hour. Thereafter, 1 part by weight of a curing accelerator was added and stirred for 1 hour to obtain a thermosetting pressure-sensitive adhesive composition. The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 150 μm polyolefin (PO) base film, dried at 130 ° C. for 3 minutes, and then laminated with a 38 μm PET release film (Toray Saehan Co., XD5BR) and aged at 45 ° C. for 48 hours. An adhesive film having a pressure-sensitive adhesive layer was prepared.
[비교예3][Comparative Example 3]
상기 실시예 1의 점착제 조성물을 연신율이 800%를 초과하는 150㎛ 두께의 폴리올레핀 (PO) 기재필름 상에 동일한 방법으로 25 ㎛의 점착제층을 갖는 점착필름을 제조하였다.The pressure-sensitive adhesive film of Example 1 was prepared on the pressure-sensitive adhesive layer having a pressure-sensitive adhesive layer of 25 μm on a 150 μm-thick polyolefin (PO) base film having an elongation of more than 800%.
[비교예 4][Comparative Example 4]
상기 실시예 1의 점착제 조성물을 인성값이 210 kg?mm 미만인 150㎛ 두께의 폴리올레핀 (PO) 기재필름 상에 동일한 방법으로 25 ㎛의 점착제층을 갖는 점착필름을 제조하였다.The pressure-sensitive adhesive film having a pressure-sensitive adhesive layer of 25 μm was prepared on the pressure-sensitive adhesive composition of Example 1 on a 150 μm-thick polyolefin (PO) base film having a toughness value of less than 210 kg · mm.
[비교예 5][Comparative Example 5]
중량평균 분자량이 약 110만인 제1아크릴계 공중합체 점착제 100 중량부에 대하여, 중량평균 분자량이 30만인 제2아크릴계 공중합체 10중량부를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1와 동일하게 실시하여 25 ㎛의 점착제층을 갖는 점착필름을 제조하였다. With respect to 100 parts by weight of the first acrylic copolymer pressure sensitive adhesive having a weight average molecular weight of about 1.1 million, the same procedure as in Example 1 was repeated except that 10 parts by weight of the second acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 300,000 were used. An adhesive film having an adhesive layer of was prepared.
(%)Elongation
(%)
(kg?mm)Toughness Value
(kg? mm)
실험예Experimental Example 1. 점착 필름의 물성 평가 1. Evaluation of physical properties of adhesive film
1) 웨이퍼 부착성 평가1) Wafer adhesion evaluation
테이프 마운터(tape mounter, 린테크사제 Adwill RAD-3500)를 사용하여 점착 필름을 표면 보호막 (폴리이미드)이 구비된 반도체 웨이퍼 (직경 300mm, 두께 750㎛)에 부착한 다음, 부착된 웨이퍼의 표면을 관찰하였다. 이때 라미 기포의 발생 개수를 관찰하여 하기와 같이 평가하였다. Using a tape mounter (Adwill RAD-3500 manufactured by Lintech Co., Ltd.), the adhesive film was attached to a semiconductor wafer (300 mm in diameter, 750 μm in thickness) equipped with a surface protective film (polyimide), and then the surface of the attached wafer was Observed. At this time, the number of occurrence of lami bubbles was observed and evaluated as follows.
○ : 발생기포 4개 이하○: 4 or less generation bubbles
△ : 발생기포 5 내지 10개 이하(Triangle | delta): 5-10 or less generation bubbles
Χ : 발생기포 11개 이상
Χ: 11 or more generating bubbles
2) 웨이퍼 이면 연삭성 평가2) Wafer Back Grinding Evaluation
실시예 1~3 및 비교예 1~5 에서 제조된 점착 필름을 각각 테이프 마운터 (tape mounter, 린테크사 제 Adwill RAD-3500)를 사용하여 750 ㎛의 Si 웨이퍼(직경 300mm, 두께 750㎛, 세영쎄미택)의 경면에 부착하였다. 이후 웨이퍼 연삭기(디스코사 제 DFG-840)를 사용하여 두께가 75㎛로 될 때까지 Si 웨이퍼를 연삭하였다. 연삭을 완료한 후, 점착필름을 제거하지 않은 상태에서 하기와 같이 평가하였다.The adhesive films prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 5 were each manufactured using a tape mounter (tape mounter, Adwill RAD-3500 manufactured by Lintech Co., Ltd.) with a Si wafer of 750 μm (300 mm in diameter, 750 μm in thickness, and thinner). A semi-thick mirror). Thereafter, the Si wafer was ground using a wafer grinding machine (DFG-840 manufactured by Disco) until the thickness became 75 μm. After the grinding was completed, the evaluation was performed as follows without removing the adhesive film.
○ : 웨이퍼의 파손 및 마이크로크랙의 발생이 없다.(Circle): There is no damage of a wafer and a generation of microcracks.
△ : 웨이퍼의 파손 혹은 마이크로크랙의 발생이 있다.(Triangle | delta): There exists a damage of a wafer or microcracks.
Χ : 웨이퍼의 파손과 마이크로크랙의 발생이 있다.
Χ: the wafer is broken and microcracks are generated.
3) 연삭된 웨이퍼의 이동 중 웨이퍼 뒤틀림(warpage) 확인3) Check wafer warpage during movement of ground wafer
상기 연삭 공정을 완료한 후, 점착 필름과 Si 웨이퍼를 분리하지 않고 연삭된 웨이퍼의 뒤틀림을 평가하였다.
After completing the grinding process, the warpage of the ground wafer was evaluated without separating the adhesive film and the Si wafer.
4) 연삭수 침투성 확인4) Check grinding water permeability
상기 연삭 공정을 완료한 후 점착필름이 분리된 반도체 웨이퍼 면을 관찰하여 연삭수의 침투 여부를 확인하였다. 이때 평가는 하기와 같이 수행하였다. After completing the grinding process, the surface of the semiconductor wafer on which the adhesive film was separated was observed to determine whether the grinding water penetrated. The evaluation was performed as follows.
○: 웨이퍼의 회로면과 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 점착필름 사이에 침투가 없다.(Circle): There is no penetration between the circuit surface of a wafer and the wafer adhesive film for semiconductor thin film wafer processing.
△: 웨이퍼의 회로면과 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 점착필름 사이에 침투가 1 mm 이하이다.(Triangle | delta): Penetration is 1 mm or less between the circuit surface of a wafer and the wafer adhesive film for semiconductor thin film wafer processing.
Χ: 웨이퍼의 회로면과 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 점착필름 사이에 침투가 1 mm 초과이다.
?: The penetration is more than 1 mm between the circuit surface of the wafer and the wafer adhesive film for processing a semiconductor thin film wafer.
5) 반도체 웨이퍼의 표면보호막 손상 여부 평가5) Evaluation of surface protective film damage of semiconductor wafer
상기 연삭 공정이 완료되어 점착 필름을 분리한 후, 반도체 웨이퍼의 표면 보호막 표면을 관찰하여 이의 손상 여부를 확인하였다. 이때 평가는 하기와 같이 수행하였다. After the grinding process was completed and the adhesive film was separated, the surface protective film surface of the semiconductor wafer was observed to determine whether there was any damage. The evaluation was performed as follows.
○ : 반도체 웨이퍼 상에 형성된 표면 보호막이 반도체 회로면으로부터 떨어져 나간 것이 없다. (Circle): The surface protective film formed on the semiconductor wafer did not fall away from the semiconductor circuit surface.
Χ : 반도체 웨이퍼 상에 형성된 표면 보호막이 반도체 회로면으로부터 떨어져 나간 것이 있다. (Circle): The surface protection film formed on the semiconductor wafer might have come off from the semiconductor circuit surface.
전술한 표 2에서 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따라 분자량이 서로 상이한 2종의 아크릴계 공중합체를 혼용하는 경우, 웨이퍼 부착성, 웨이퍼 이면 연삭성, 웨이퍼 뒤틀림, 연삭수 침투성 및 웨이퍼의 표면 보호막 손상 방지 면에서 매우 우수하다는 것을 알 수 있었다.As can be seen from Table 2 above, in the case of mixing two kinds of acrylic copolymers having different molecular weights according to the present invention, wafer adhesion, wafer backside grinding property, wafer warpage, grinding water permeability and wafer surface protective film It was found to be very excellent in terms of damage prevention.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, and that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the invention. It is natural to belong.
Claims (11)
상기 점착제 층은
중량평균 분자량이 1,200,000 내지 3,000,000 범위의 제1아크릴계 공중합체;
중량평균 분자량이 500,000 내지 1,000,000 범위의 제2아크릴계 공중합체; 및
경화제
를 포함하고, 상기 제1아크릴계 공중합체 100 중량부 대비 상기 제2아크릴계 공중합체가 5 내지 20 중량부 범위로 포함되는 열경화성 점착제 조성물로부터 형성되는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착필름.In the adhesive film for semiconductor wafer backgrinding which is apply | coated on one side or both sides of a base film, and contains the adhesive layer bonded to a semiconductor wafer,
The adhesive layer is
A first acrylic copolymer having a weight average molecular weight in the range of 1,200,000 to 3,000,000;
A second acrylic copolymer having a weight average molecular weight in the range of 500,000 to 1,000,000; And
Hardener
And a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer backgrinding, wherein the pressure-sensitive adhesive composition is formed from a thermosetting pressure-sensitive adhesive composition including the second acrylic copolymer in a range of 5 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the first acrylic copolymer.
상기 점착제 층은 반도체 웨이퍼의 회로면을 보호하기 위해 구비되는 표면 보호막과 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착필름.The method of claim 1,
The pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer backgrinding, characterized in that bonded to the surface protective film provided to protect the circuit surface of the semiconductor wafer.
상기 경화제는 이소시아네이트계, 에폭시계, 아지리딘계, 킬레이트계, 유기산계 및 멜라민계 경화제로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 열경화제인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착필름. The method of claim 1,
The curing agent is an adhesive film for semiconductor wafer backgrinding, characterized in that at least one thermosetting agent selected from the group consisting of isocyanate, epoxy, aziridine, chelate, organic acid and melamine-based curing agent.
상기 열경화성 점착제 조성물은 제1아크릴계 공중합체 100 중량부 대비
아이소시아네이트계 경화제 2 내지 10중량부;
멜라민계 경화제 1 내지 4 중량부; 및
경화촉진제 0.5 내지 2 중량부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 백그라인용 점착필름. The method of claim 1,
The thermosetting pressure-sensitive adhesive composition is compared to 100 parts by weight of the first acrylic copolymer
2 to 10 parts by weight of isocyanate curing agent;
1 to 4 parts by weight of the melamine curing agent; And
0.5 to 2 parts by weight of curing accelerator
Adhesive film for semiconductor wafer backgrains comprising a.
상기 점착제 층의 두께는 5 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착 필름.The method of claim 1,
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer backgrinding, characterized in that the range of 5 ㎛ to 100 ㎛.
상기 점착제 층의 점착력은 0.05 N/in 내지 2.5 N/in 범위인 것을 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착 필름.The method of claim 1,
The pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer backgrinding is in the range of 0.05 N / in to 2.5 N / in.
상기 기재 필름의 연신율은 200% 내지 800% 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착필름.The method of claim 1,
Adhesive film for semiconductor wafer backgrinding, characterized in that the elongation of the base film is in the range of 200% to 800%.
상기 기재 필름의 인성값은 210kg?mm 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착필름.The method of claim 1,
Toughness value of the base film is 210kg ~ mm or more, the adhesive film for semiconductor wafer backgrinding.
상기 기재 필름은 두께가 75 ㎛ 내지 300 ㎛ 범위이고, 단층 또는 다층 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착필름.The method of claim 1,
The base film has a thickness in the range of 75 μm to 300 μm and has a single layer or multilayer structure adhesive film for semiconductor wafer backgrinding.
상기 기재 필름은 폴리에스터 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리올레핀 (PO), 에틸렌-비닐알콜공중합체 (EVA), 폴리염화비닐 (PVC), 폴리메틸메타아크릴레이트 (PMMA), 폴리카보네이트 (PC), 폴리우레탄 (PU) 및 엘라스토머로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 백그라인딩용 점착필름.The method of claim 1,
The base film is polyester (PE), polypropylene (PP), polyolefin (PO), ethylene-vinyl alcohol copolymer (EVA), polyvinyl chloride (PVC), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate ( PC), polyurethane (PU) and an adhesive film for semiconductor wafer backgrinding, characterized in that selected from the group consisting of elastomers.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102411362B1 (en) | 2021-07-09 | 2022-06-22 | 구동필 | Adhesion film for wafer back grinding and its manufacturing method |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827239A (en) * | 1994-07-12 | 1996-01-30 | Lintec Corp | Energy beam-curing type pressure-sensitive tacky agent composition and its utilization |
| JP2002256234A (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Adhesive sheet for processing semiconductor wafer |
| KR20100083359A (en) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 도레이첨단소재 주식회사 | Wafer support adhesive film for processing in semiconductor thin film wafer fabrication |
| JP4608759B2 (en) * | 2000-10-19 | 2011-01-12 | 住友ベークライト株式会社 | Adhesive sheet for semiconductor wafer processing |
-
2011
- 2011-01-27 KR KR1020110008425A patent/KR101217907B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827239A (en) * | 1994-07-12 | 1996-01-30 | Lintec Corp | Energy beam-curing type pressure-sensitive tacky agent composition and its utilization |
| JP4608759B2 (en) * | 2000-10-19 | 2011-01-12 | 住友ベークライト株式会社 | Adhesive sheet for semiconductor wafer processing |
| JP2002256234A (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Adhesive sheet for processing semiconductor wafer |
| KR20100083359A (en) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 도레이첨단소재 주식회사 | Wafer support adhesive film for processing in semiconductor thin film wafer fabrication |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102411362B1 (en) | 2021-07-09 | 2022-06-22 | 구동필 | Adhesion film for wafer back grinding and its manufacturing method |
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