KR20170099451A - Apparatus and method for transferring light emitting diode - Google Patents
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Abstract
Description
본 실시예들은 발광 다이오드를 트랜스퍼하는 장치 및 방법에 관한 것이다. The embodiments relate to an apparatus and a method for transferring light emitting diodes.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 PN 접합 다이오드에 순방향으로 전압을 인가하면 정공과 전자가 주입되고, 그 정공과 전자의 재결합으로 생기는 에너지를 빛 에너지로 변환시키는 반도체 소자이다. In a light emitting diode (LED), holes and electrons are injected when a forward voltage is applied to a PN junction diode, and the energy resulting from the recombination of the holes and electrons It is a semiconductor device that converts into light energy.
LED는 무기 LED 또는 유기 LED로 형성되고, LCD TV의 백라이트, 조명, 전광판을 비롯하여 핸드폰과 같은 소형 전자기기로부터 대형 TV까지 사용되고 있다. LEDs are formed from inorganic LEDs or organic LEDs, and are used in backlighting, lighting, electronic signboards for LCD TVs, and small-sized electronic devices such as mobile phones to large-sized TVs.
베이스 기판 상의 발광 다이오드의 발광 효율 편차에 의해 발광 다이오드를 디스플레이 기판에 트랜스퍼한 후 제조된 표시 장치에서 얼룩이 발현되는 문제점이 있다. 본 발명의 실시예들은 베이스 기판 상의 발광 다이오드의 발광 효율 편차에 의한 영향을 최소화할 수 있는 트랜스퍼 장치 및 방법을 제공하고자 한다. There is a problem that the display device manufactured after the light emitting diode is transferred to the display substrate due to the deviation of the luminous efficiency of the light emitting diode on the base substrate, Embodiments of the present invention are intended to provide a transfer apparatus and method capable of minimizing the influence of light emission efficiency variation of light emitting diodes on a base substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 트랜스퍼는, 회전 가능하고 베이스 기판 상의 발광 다이오드를 픽업하는 적어도 하나의 픽업부를 구비한 헤드바디부; 상기 헤드바디부와 이격되고, 상기 픽업부에 대응하는 위치의 컨택부 및 상기 컨택부에 인접한 광검출 소자를 구비한 검출부; 상기 헤드바디부 및 상기 검출부 중 적어도 하나를 선형 이동하여 상기 픽업부에 부착된 상기 발광 다이오드를 상기 컨택부에 컨택시키는 선형 구동부; 및 상기 발광 다이오드가 방출하는 광 강도에 대응하는 상기 광검출 소자의 출력을 기초로 상기 발광 다이오드의 광 특성을 측정하고, 상기 측정 광 특성에 따라 상기 발광 다이오드가 배치될 디스플레이 기판 상의 좌표를 산출하는 컨트롤러;를 포함한다. A light emitting diode transfer according to an exemplary embodiment of the present invention includes a head body portion having at least one pickup portion that is rotatable and picks up a light emitting diode on a base substrate; A detection unit spaced apart from the head body and having a contact portion at a position corresponding to the pickup portion and a photodetector element adjacent to the contact portion; A linear driver for linearly moving at least one of the head body part and the detection part to contact the light emitting diode attached to the pickup part to the contact part; And measuring the optical characteristics of the light emitting diode based on the output of the light detecting element corresponding to the light intensity emitted by the light emitting diode and calculating the coordinates on the display substrate on which the light emitting diode is to be arranged according to the measured light characteristic Controller.
본 실시예에서, 상기 픽업부는 복수개 구비되고, 상기 복수의 픽업부는 상기 헤드바디부의 길이 방향으로 이격 배치될 수 있다. In the present embodiment, a plurality of pickup sections may be provided, and the plurality of pickup sections may be spaced apart from each other in the longitudinal direction of the head body section.
본 실시예에서, 상기 헤드 바디부에 연결되어 상기 헤드 바디부를 회전시키는 회전 구동부;를 더 포함할 수 있다. The apparatus may further include a rotation driving unit connected to the head body unit to rotate the head body unit.
본 실시예에서, 상기 컨트롤러는, 상기 발광 다이오드의 측정 광 특성이 상기 베이스 기판에서 상기 발광 다이오드의 좌표에 매칭된 기준 광 특성과 일치하면, 상기 발광 다이오드에 기 설정된 상기 디스플레이 기판에서의 좌표를 추출하고, 상기 발광 다이오드의 측정 광 특성이 상기 베이스 기판에서 상기 발광 다이오드의 좌표에 매칭된 기준 광 특성이 불일치하면, 상기 발광 다이오드의 상기 디스플레이 기판에서의 신규 좌표를 산출할 수 있다. In this embodiment, if the measurement light characteristic of the light emitting diode coincides with the reference light characteristic matched to the coordinates of the light emitting diode in the base substrate, the controller extracts coordinates on the display substrate predetermined by the light emitting diode And when the measurement light characteristic of the light emitting diode is different from the reference light characteristic matched to the coordinates of the light emitting diode on the base substrate, new coordinates of the light emitting diode on the display substrate can be calculated.
본 실시예에서, 상기 픽업부는 제1 배선을 포함하고, 상기 컨택부는 제2 배선을 포함할 수 있다. In this embodiment, the pickup portion includes a first wiring, and the contact portion may include a second wiring.
본 실시예에서, 상기 제2 배선은 한 쌍의 전극들을 포함할 수 있다. In this embodiment, the second wiring may include a pair of electrodes.
본 실시예에서, 상기 발광 다이오드가 제1 전극패드 및 상기 제1 전극패드와 대향하는 제2 전극패드를 구비하고, 상기 발광 다이오드의 제1 전극패드가 상기 제2 배선과 컨택하고, 상기 제2 전극패드가 상기 제1 배선과 컨택할 수 있다. In the present embodiment, the light emitting diode has a first electrode pad and a second electrode pad facing the first electrode pad, the first electrode pad of the light emitting diode contacts the second wiring, The electrode pads can be in contact with the first wiring.
본 실시예에서, 상기 발광 다이오드가 동일 방향을 향해 배치된 제1 전극패드 및 제2 전극패드를 구비하고, 상기 발광 다이오드의 제1 전극패드 및 제2 전극패드가 상기 제2 배선과 각각 컨택할 수 있다. In this embodiment, the light emitting diodes are provided with first electrode pads and second electrode pads arranged in the same direction, and the first electrode pads and the second electrode pads of the light emitting diodes are in contact with the second wires .
본 실시예에서, 상기 헤드바디부는 상기 픽업부에 인접 배치된 광원;을 더 포함할 수 있다. In the present embodiment, the head body portion may further include a light source disposed adjacent to the pickup portion.
본 실시예에서, 상기 컨트롤러는, 상기 발광 다이오드의 측정 광 특성과 기준 광 특성의 비교에 의해 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 판단하고, 상기 발광 다이오드가 정상이면 상기 발광 다이오드가 상기 디스플레이 기판 상에 플레이스될 때 상기 광원을 턴온 시키고, 상기 발광 다이오드가 불량이면 상기 발광 다이오드가 상기 디스플레이 기판 상에 플레이스될 때 상기 광원을 턴오프 시킬 수 있다. In this embodiment, the controller determines whether the light emitting diode is defective by comparing the measured light characteristic of the light emitting diode with the reference light characteristic, and if the light emitting diode is normal, the light emitting diode is placed on the display substrate The light source may be turned on when the light emitting diode is defective and the light source may be turned off when the light emitting diode is placed on the display substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 트랜스퍼에 의해 베이스 기판으로부터 디스플레이 기판으로 트랜스퍼하는 방법에 있어서, 상기 트랜스퍼는, 회전 가능하고 적어도 하나의 픽업부를 구비한 헤드바디부와, 상기 헤드바디부와 이격되고 상기 픽업부에 대응하는 위치의 컨택부 및 상기 컨택부에 인접한 광검출 소자를 구비한 검출부를 포함하고, 상기 트랜스퍼 방법은, 상기 헤드바디부의 픽업부에 의해 상기 베이스 기판으로부터 상기 발광 다이오드를 픽업하는 단계; 상기 헤드바디부를 회전하고, 상기 헤드바디부 및 상기 검출부 중 적어도 하나를 선형 이동하여 상기 픽업부에 부착된 상기 발광 다이오드를 상기 컨택부에 컨택시키는 단계; 상기 발광 다이오드를 발광시키는 단계; 상기 발광 다이오드가 방출하는 광 강도에 대응하는 상기 광검출 소자의 출력을 기초로 상기 발광 다이오드의 광 특성을 측정하는 단계; 및 상기 측정 광 특성에 따라 상기 발광 다이오드가 배치될 상기 디스플레이 기판 상의 좌표를 산출하는 단계;를 포함한다. In accordance with another aspect of the present invention, there is provided a method of transferring a light emitting diode from a base substrate to a display substrate using a transfer, the transfer method including: a head body portion rotatable and having at least one pickup portion; And a detection unit having a contact portion at a position corresponding to the pickup portion and a photodetecting element adjacent to the contact portion, the transfer method comprising: a step of transferring the light emitting diode from the base substrate Picking up; Rotating the head body part, linearly moving at least one of the head body part and the detecting part to contact the light emitting diode attached to the pickup part to the contact part; Emitting the light emitting diode; Measuring an optical characteristic of the light emitting diode based on an output of the light detecting element corresponding to a light intensity emitted by the light emitting diode; And calculating coordinates on the display substrate on which the light emitting diodes are to be arranged according to the measurement light characteristics.
본 실시예에서, 상기 발광 다이오드가 제1 전극패드 및 상기 제1 전극패드와 대향하는 제2 전극패드를 구비하고, 상기 발광 다이오드 발광 단계는, 상기 발광 다이오드의 상기 제1 전극패드가 컨택하는 상기 컨택부와 상기 제2 전극패드가 컨택하는 상기 픽업부에 각각 전압 또는 전류를 인가하는 단계;를 포함할 수 있다. In this embodiment, the light emitting diode may include a first electrode pad and a second electrode pad facing the first electrode pad, and the light emitting diode emitting step may include emitting light from the light emitting diode, And applying voltage or current to the contact portion and the pickup portion to which the second electrode pad is in contact, respectively.
본 실시예에서, 상기 발광 다이오드가 동일 방향을 향해 배치된 제1 전극패드 및 제2 전극패드를 구비하고, 상기 발광 다이오드 발광 단계는, 상기 발광 다이오드의 제1 전극패드 및 상기 제2 전극패드가 컨택하는 상기 컨택부의 한 쌍의 전극들에 각각 전압 또는 전류를 인가하는 단계;를 포함할 수 있다. In the present embodiment, the light emitting diodes include first electrode pads and second electrode pads disposed in the same direction, and the light emitting diode light emitting step may include a first electrode pad of the light emitting diode and a second electrode pad And applying a voltage or an electric current to a pair of electrodes of the contact portion to be contacted, respectively.
본 실시예에서, 상기 좌표 산출 단계는, 상기 발광 다이오드의 측정 광 특성이 상기 베이스 기판에서 상기 발광 다이오드의 좌표에 매칭된 기준 광 특성과 일치하면, 상기 발광 다이오드에 기 설정된 상기 디스플레이 기판에서의 좌표를 추출하는 단계; 및 상기 발광 다이오드의 측정 광 특성이 상기 베이스 기판에서 상기 발광 다이오드의 좌표에 매칭된 기준 광 특성과 불일치하면, 상기 발광 다이오드의 상기 디스플레이 기판에서의 신규 좌표를 산출하는 단계;를 포함할 수 있다. In the present embodiment, the coordinate calculation step may be performed such that, when the measured light characteristic of the light emitting diode coincides with the reference light characteristic matched to the coordinates of the light emitting diode in the base substrate, ; And calculating new coordinates of the light emitting diode on the display substrate if the measured light characteristics of the light emitting diode do not match the reference light characteristics matched to the coordinates of the light emitting diode on the base substrate.
본 실시예에서, 상기 트랜스퍼 방법은, 상기 헤드바디부 및 상기 검출부 중 적어도 하나를 선형 이동하여 상기 발광 다이오드를 상기 컨택부로부터 이격시키는 단계; 및 상기 발광 다이오드를 상기 디스플레이 기판의 상기 산출된 좌표의 도전층 상에 플레이스하는 단계;를 더 포함할 수 있다. In the present embodiment, the transfer method linearly moves at least one of the head body portion and the detection portion to separate the light emitting diode from the contact portion. And placing the light emitting diode on the conductive layer of the calculated coordinates of the display substrate.
본 실시예에서, 상기 트랜스퍼 방법은, 상기 발광 다이오드의 측정 광 특성과 기준 광 특성의 비교에 의해 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 판단하는 단계; 상기 발광 다이오드를 상기 디스플레이 기판 상의 산출된 좌표의 도전층 상에 플레이스하는 단계; 상기 발광 다이오드가 정상이면 상기 정상인 발광 다이오드를 둘러싸는 본딩층에 광을 조사하고, 상기 발광 다이오드를 상기 픽업부로부터 릴리즈하는 단계; 및 상기 발광 다이오드가 불량이면 상기 불량인 발광 다이오드를 둘러싸는 본딩층에 광을 조사하지 않고, 상기 발광 다이오드를 상기 디스플레이 기판으로부터 픽업하는 단계;를 더 포함할 수 있다. In the present embodiment, the transfer method may include determining whether the light emitting diode is defective by comparing a measurement light characteristic of the light emitting diode with a reference light characteristic; Placing the light emitting diode on a conductive layer of the calculated coordinates on the display substrate; Emitting light to the bonding layer surrounding the normal LED if the LED is normal and releasing the LED from the pickup; And if the light emitting diode is defective, picking up the light emitting diode from the display substrate without irradiating the bonding layer surrounding the defective light emitting diode with light.
본 실시예들은 표시 장치에서의 얼룩 불량을 감소시켜 표시 품질을 향상시킬 수 있다. These embodiments can improve the display quality by reducing the stain defect in the display device.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 트랜스퍼를 보여주는 정면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드 트랜스퍼를 보여주는 측면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1에 도시된 발광 다이오드 트랜스퍼의 헤드부를 보여주는 사시도이다. ]
도 4는 도 3에 도시된 헤드부의 검출부의 일 면을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 다이오드 트랜스퍼를 통하여 디스플레이 장치를 제조하는 공정을 보여주는 예이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 트랜스퍼 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드의 광 특성을 측정하는 방법을 설명하는 헤드부의 예시 단면도이다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 발광 다이오드의 광 특성을 측정하는 방법을 설명하는 헤드부의 예시 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 1에 도시된 발광 다이오드 트랜스퍼의 헤드부를 보여주는 사시도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 트랜스퍼 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 11a 내지 도 11c는 도 10의 발광 다이오드 트랜스퍼 방법을 설명하는 헤드부의 예시 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 13 및 도 14는 도 12의 디스플레이 장치의 A-A' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a front view showing a light emitting diode transfer according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view showing the light emitting diode transfer shown in FIG.
3 is a perspective view illustrating a head portion of the light emitting diode transfer shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention. ]
Fig. 4 is a view showing one side of the detection unit of the head unit shown in Fig. 3;
FIG. 5 is an example showing a process of manufacturing a display device through the light emitting diode transfer shown in FIG.
6 is a flowchart illustrating a method of transferring light emitting diodes according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 7A to 7D are exemplary sectional views illustrating a method of measuring a light characteristic of a vertical type light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
8A to 8D are exemplary sectional views of a head portion for explaining a method of measuring optical characteristics of a horizontal type light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a perspective view showing a head portion of the light emitting diode transfer shown in FIG. 1 according to another embodiment of the present invention.
10 is a flowchart illustrating a method of transferring light emitting diodes according to another embodiment of the present invention.
11A to 11C are exemplary sectional views of a head portion for explaining the light emitting diode transfer method of FIG.
12 is a plan view schematically showing a display device manufactured according to an embodiment of the present invention.
13 and 14 are cross-sectional views schematically showing an example of a cross-sectional view taken along the line AA 'of the display device of FIG.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. The effects and features of the present invention and methods of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like or corresponding components throughout the drawings, and a duplicate description thereof will be omitted .
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, the terms first, second, and the like are used for the purpose of distinguishing one element from another element, not the limitative meaning.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular forms "a", "an" and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as inclusive or possessive are intended to mean that a feature, or element, described in the specification is present, and does not preclude the possibility that one or more other features or elements may be added.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when a part of a film, an area, a component or the like is on or on another part, not only the case where the part is directly on the other part but also another film, area, And the like.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of explanation. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.In the following embodiments, the x-axis, the y-axis, and the z-axis are not limited to three axes on the orthogonal coordinate system, and can be interpreted in a broad sense including the three axes. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.If certain embodiments are otherwise feasible, the particular process sequence may be performed differently from the sequence described. For example, two processes that are described in succession may be performed substantially concurrently, and may be performed in the reverse order of the order described.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 트랜스퍼를 보여주는 정면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드 트랜스퍼를 보여주는 측면도이다. 1 is a front view showing a light emitting diode transfer according to an embodiment of the present invention. 2 is a side view showing the light emitting diode transfer shown in FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 다이오드 트랜스퍼(100)(이하, '트랜스퍼'라 함)는 스테이지(110), 이동부(120), 헤드부(130), 비전부(140) 및 컨트롤러(150)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드 트랜스퍼(100)는 챔버(미도시) 내부의 공간에 설치될 수 있다. 챔버 내부의 압력은 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들면, 챔버 내부의 압력은 챔버 내부에서 하기에서 설명할 공정이 진행되는 동안 대기압 또는 진공과 동일 또는 유사하게 형성될 수 있다. 1 and 2, a light emitting diode transfer 100 (hereinafter referred to as 'transfer') includes a
스테이지(110)는 챔버 내부에 고정된 상태일 수 있다. 스테이지(110)는 플레이트 형태로 형성될 수 있다. 이때, 스테이지(110)의 일면에는 디스플레이 기판(200) 및 베이스 기판(1)이 안착될 수 있다. 베이스 기판(1)은 발광 다이오드(20)들이 직접 형성된 웨이퍼이거나, 또는 웨이퍼로부터 발광 다이오드(20)들이 1차적으로 이송되어 재배열된 임시 기판일 수 있다.The
이동부(120)는 스테이지(110)에 슬라이딩 가능하도록 결합할 수 있다. 이때, 이동부(120)는 스테이지(110)의 측부에 설치되어 스테이지(110)를 일 방향(X축 방향)으로 선형 운동할 수 있다. The moving
헤드부(130)는 이동부(120)에 선형 운동 가능하도록 설치될 수 있다. 이때, 헤드부(130)는 이동부(120)에 대해 하중 방향(Z축 방향)으로 선형 운동할 수 있다. 또한 헤드부(130)는 이동부(120)에 대해 Y축 방향으로 선형 운동할 수 있다. 또는, 디스플레이 기판(200) 및 베이스 기판(1)이 헤드부(130)에 대해 Y축 방향으로 선형 운동할 수 있다. 또는, 디스플레이 기판(200) 및 베이스 기판(1)과, 헤드부(130)가 상호 Y축의 반대 방향으로 선형 운동할 수 있다.The
비전부(140)는 카메라를 포함하여 헤드부(130)와 베이스 기판(1) 및 디스플레이 기판(200) 중 적어도 하나의 위치를 촬영할 수 있다. 비전부(140)에서 촬영된 영상을 근거로 헤드부(130)의 위치를 조절할 수 있다. 비전부(140)는 이동부(120)에 설치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 다양한 위치에 설치될 수 있다. The
컨트롤러(150)는 트랜스퍼(100)의 전반적인 구동을 제어할 수 있다. The
컨트롤러(150)는 발광 다이오드(20)가 베이스 기판(1)으로부터 픽업되어 디스플레이 기판(200)으로 이송되기 전에 발광 다이오드(20)의 광 특성을 측정하고, 측정 광 특성에 따라 발광 다이오드(20)가 배치될 디스플레이 기판(200) 상의 좌표를 산출할 수 있다. 또한, 컨트롤러(150)는 측정 광 특성에 따라 발광 다이오드(20)의 불량 여부를 판단하고, 정상 발광 다이오드는 디스플레이 기판(200) 상의 해당 좌표에 배치되고, 불량 발광 다이오드는 디스플레이 기판(200) 상에 배치되지 않도록 광원의 온오프를 제어할 수 있다. The
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1에 도시된 발광 다이오드 트랜스퍼의 헤드부를 보여주는 사시도이다. 도 4는 도 3에 도시된 헤드부의 검출부의 일 면을 보여주는 도면이다. 3 is a perspective view illustrating a head portion of the light emitting diode transfer shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention. Fig. 4 is a view showing one side of the detection unit of the head unit shown in Fig. 3;
도 3 및 도 4를 참조하면, 헤드부(130)는 헤드바디부(160), 회전구동부(170), 검출부(180) 및 선형구동부(190)를 포함할 수 있다.3 and 4, the
헤드바디부(160)는 입체 형상으로 형성될 수 있다. 헤드바디부(160)는 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 헤드바디부(160)는 다각기둥, 원기둥 형태로 형성될 수 있다. The
헤드바디부(160)의 표면에는 픽업부(161)가 배치될 수 있다. 픽업부(161)는 발광 다이오드(20)를 베이스 기판(1)으로부터 분리하여 디스플레이 기판(200)으로 이동시킬 수 있다. 이때, 픽업부(161)는 정전기력을 이용하거나 점착력을 이용하여 발광 다이오드(20)를 부착시킬 수 있다. 픽업부(161)는 상기에 한정되는 것은 아니며 발광 다이오드(20)를 부착시킬 수 있는 모든 장치 및 모든 구조를 포함할 수 있다. 픽업부(161)는 복수개 구비될 수 있다. 복수의 픽업부(161)는 헤드바디부(160)의 길이 방향(Y축 방향)으로 서로 이격 배치될 수 있다. 복수의 픽업부(161)는 헤드바디부(160)가 다각형인 경우 다각형의 각 면에 일렬로 배열될 수 있다. 복수의 픽업부(161)는 헤드바디부(160)가 원기둥 형태인 경우 헤드바디부(160)의 표면에 일정한 간격으로 이격 배열될 수 있다. A
픽업부(161)는 제1 배선(162)을 포함할 수 있다. 제1 배선(162)은 하나의 전극으로 구성될 수도 있고, 상호 이격되고 절연된 한 쌍의 전극으로 구성될 수 있다. 도 3에서는 한 쌍의 전극으로 구성된 제1 배선(162)을 도시하고 있다. 발광 다이오드(20)가 수직형인 경우, 발광 다이오드(20)의 마주하는 두 전극패드 중 하나가 픽업부(161)에 부착되어 제1 배선(162)과 컨택할 수 있다. 발광 다이오드(20)가 수평형 또는 플립형인 경우, 픽업부(161)에는 전극패드가 형성되지 않은 발광 다이오드(20)의 일 측이 부착될 수 있다. The
발광 다이오드(20)는 마이크로 LED일 수 있다. 여기서 마이크로는 1 내지 100 ㎛의 크기를 가리킬 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 제한되지 않고, 그보다 더 크거나 더 작은 크기의 발광 다이오드에도 적용될 수 있다. The
회전구동부(170)는 헤드바디부(160)와 연결되어 헤드바디부(160)를 회전시킬 수 있다. 회전구동부(170)는 헤드바디부(160)의 길이 방향(Y축 방향)을 회전축으로 하여 헤드바디부(160)를 회전시킬 수 있다. The
회전구동부(170)는 헤드바디부(160)를 관통하도록 설치되는 회전샤프트(172) 및 회전샤프트(172)와 연결되는 회전모터(171)를 포함할 수 있다. 이때, 회전모터(171)와 회전샤프트(172)의 연결방법은 다양할 수 있다. 예를 들면, 회전모터(171)와 회전샤프트(172)는 회전샤프트(172) 및 회전모터(171)에 각각 설치되는 풀리와, 풀리를 연결하는 벨트로 연결될 수 있다. 다른 실시예로써 회전모터(171)와 회전샤프트(172)에는 각각 기어유닛이 설치되어 각 기어유닛이 서로 연결되는 것도 가능하다. 또 다른 실시예로써 회전모터(171)와 회전샤프트(172)는 서로 직접 연결되는 것도 가능하다. The
검출부(180)는 헤드바디부(160)와 유사하게 입체 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 검출부(180)는 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 검출부(180)는 다각기둥, 원기둥 형태로 형성될 수 있다. 검출부(180)는 헤드바디부(160)의 상부에 헤드바디부(160)와 이격 배치될 수 있다. The
검출부(180)는 헤드바디부(160)에 대향하는 면(180a)에 컨택부(181) 및 광검출 소자(185)를 구비할 수 있다. The
컨택부(181)는 헤드바디부(160)의 픽업부(161)에 대응하는 위치에 픽업부(161)와 대향하게 구비될 수 있다. 컨택부(181)는 제2 배선(182)을 포함할 수 있다. 제2 배선(182)은 상호 이격되고 절연된 한 쌍의 전극들로 구성될 수 있다. 제2 배선(182)이 한 쌍의 전극들을 포함함으로써 수직형 발광 다이오드 및 수평형/플립형 발광 다이오드의 이송에 모두 적합할 수 있다. 한 쌍의 전극 사이의 절연체(183)는 공기 또는 절연물질일 수 있다. 일 실시예로서 컨택부(181)는 검출부(180) 표면에 형성된 홈에 구비될 수 있다. 다른 실시예로서 컨택부(181)는 검출부(180)의 평평한 표면에 형성되어 검출부(180) 표면으로부터 돌출되게 구비될 수 있다. The
발광 다이오드(20)가 수직형인 경우, 픽업부(161)에 부착된 전극패드와 대향하는 발광 다이오드(20)의 전극패드가 컨택부(181)의 제2 배선(182)과 컨택할 수 있다. 발광 다이오드(20)가 수평형 또는 플립형인 경우, 발광 다이오드(20)의 한 쌍의 전극패드와 컨택부(181)의 제2 배선(182)의 한 쌍의 전극이 각각 컨택할 수 있다. The electrode pad of the
광검출 소자(185)는 컨택부(181) 주변에 구비될 수 있다. 광검출 소자(185)는 광센서일 수 있다. 광검출 소자(185)는 컨택부(181)에 인접하게 하나 또는 하나 이상 구비될 수 있다. 광검출 소자(185)는 픽업부(161)와 컨택부(181)에 연결된 발광 다이오드(20)가 방출하는 광을 수신하고, 수신된 광의 광 강도(광량)를 검출하고, 광 강도에 대응하는 센서 값을 출력할 수 있다. The
선형구동부(190)는 헤드바디부(160) 및 검출부(180)에 연결되어 헤드바디부(160) 및 검출부(180) 중 적어도 하나를 선형 운동시킬 수 있다. 선형구동부(190)에 의해 헤드바디부(160)의 픽업부(161)에 부착된 발광 다이오드(20)가 검출부(180)의 컨택부(181)에 컨택할 수 있다. The
선형구동부(190)는 제1 부재(191)와 제2 부재(192)를 포함하여, 제1 부재(191)와 제2 부재(192)의 상호 구동에 의해 헤드바디부(160) 및 검출부(180) 중 적어도 하나를 하중 방향(Z축 방향)으로 선형 운동시킬 수 있다. 선형구동부(190)는 전술된 구조에 한정되지 않고, 다양한 장치 및 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 선형구동부(190)는 위치가 가변하는 샤프트를 포함하는 실린더를 포함할 수 있다. 다른 실시예로서 선형구동부(190)는 리니어 모터를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로서 선형구동부(190)는 모터 및 모터와 연결되는 볼스크류를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로서 선형구동부(190)는 모터 및 모터와 연결되는 기어유닛을 포함할 수 있다. 선형구동부(190)는 전술된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 헤드바디부(160) 및 검출부(180) 사이에 설치되어 헤드바디부(160) 및 검출부(180) 중 적어도 하나를 일 방향으로 선형 운동시키는 모든 장치 및 구조를 포함할 수 있다. The
도 5는 도 1에 도시된 발광 다이오드 트랜스퍼를 통하여 디스플레이 장치를 제조하는 공정을 보여주는 예이다. FIG. 5 is an example showing a process of manufacturing a display device through the light emitting diode transfer shown in FIG.
도 5를 참조하면, 트랜스퍼(100)는 베이스 기판(1) 상의 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(200)으로 이송하여 디스플레이 장치를 제조할 수 있다. Referring to FIG. 5, the
트랜스퍼(100)는 이동부(120)를 베이스 기판(1) 상에 배치시킨 후, 헤드부(130)를 하강시켜 베이스 기판(1) 상의 기 설정된 위치에 배치시킬 수 있다. 이때, 비전부(140, 도 2 참조)에서 촬영된 영상을 근거로 헤드부(130)와 베이스 기판(1)의 위치를 파악하고, 헤드부(130)의 위치를 변경할 수 있다.The
트랜스퍼(100)는 헤드부(130)가 기 설정된 위치에 배치되면, 헤드부(130)를 하강시킨 후 발광 다이오드(20)를 픽업할 수 있다. The
트랜스퍼(100)는 헤드부(130)를 상승시킬 수 있다. 또한, 회전구동부(170)가 작동하여 헤드바디부(160)를 일정 각도 회전시킬 수 있다. 헤드바디부(160)의 회전으로 인하여 발광 다이오드(20)가 부착되지 않은 면의 픽업부(161)가 다시 베이스 기판(1)과 대향하도록 배치될 수 있다. The
트랜스퍼(100)는 다시 헤드바디부(160)를 하강하여 픽업부(161)에 발광 다이오드(20)를 부착할 수 있다. 이와 같은 작업은 헤드바디부(160)의 모든 픽업부(161)에 발광 다이오드(20)가 부착될 때까지 반복하여 수행될 수 있다. The
헤드바디부(160)의 모든 픽업부(161)에 발광 다이오드(20)가 부착되면, 트랜스퍼(100)는 이동부(120)를 베이스 기판(1)에서 디스플레이 기판(200)(X축 방향)으로 이동시킬 수 있다. When the
트랜스퍼(100)는 이동 중 또는 이동 전에 회전구동부(170)를 작동시켜 특성을 검출하고자 하는 발광 다이오드(20)가 부착된 헤드바디부(160)의 면이 검출부(180)의 저면(180a)에 대향하도록 헤드바디부(160)를 회전시킬 수 있다. The
다음으로 트랜스퍼(100)는 선형구동부(190)를 작동시켜 헤드바디부(160)의 상승 및/또는 검출부(180)의 하강에 의해 픽업부(161)에 부착된 발광 다이오드(20)가 검출부(180)의 컨택부(181)와 컨택하도록 할 수 있다. Next, the
컨트롤러(150)는 전원부(미도시)로부터 픽업부(161) 및 컨택부(181)에 전압 또는 전류를 인가하여 발광 다이오드(20)를 발광시킬 수 있다. 광검출 소자(185)는 발광 다이오드(20)가 방출하는 광을 수신하고 광 강도에 대응하는 센서 값을 출력할 수 있다. The
컨트롤러(150)는 광검출 소자(185)가 출력하는 센서 값을 기초로 발광 다이오드(20)의 광 특성을 측정할 수 있다. 광 특성은 발광 다이오드(20)의 발광 효율을 포함할 수 있다. 컨트롤러(150)는 발광 다이오드(20)의 발광 효율을 기준 발광 효율과 비교하여 발광 다이오드(20)의 불량 여부 및/또는 디스플레이 기판(200)에 배치될 좌표(위치)를 산출할 수 있다. The
트랜스퍼(100)는 선형구동부(190)를 다시 작동시켜 헤드바디부(160)의 하강 및/또는 검출부(180)의 상승에 의해 픽업부(161)에 부착된 발광 다이오드(20)를 검출부(180)의 컨택부(181)로부터 이격시킬 수 있다. The
이와 같은 작업은 헤드바디부(160)의 모든 픽업부(161)에 부착된 발광 다이오드(20)의 광 특성이 측정될 때까지 반복하여 수행될 수 있다. Such an operation can be repeatedly performed until the optical characteristics of the
트랜스퍼(100)는 디스플레이 기판(200)으로 이동부(120)를 이동시킬 수 있다. 이때, 비전부(140)는 디스플레이 기판(200)과 헤드바디부(160)의 위치를 촬영하고, 촬영결과를 근거로 헤드바디부(160)의 위치가 조절될 수 있다. The
헤드바디부(160)의 위치가 설정된 위치에 오면, 트랜스퍼(100)는 헤드바디부(160)를 하강시켜 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(200)의 해당 좌표에 배치시킬 수 있다. The
헤드바디부(160)의 모든 픽업부(161)의 발광 다이오드(20)의 이송이 완료되면, 트랜스퍼(100)는 이동부(120)를 베이스 기판(1)에 배치시키고 상기와 같은 작업을 반복하여 수행할 수 있다. When the transfer of the
상기의 과정이 완료되면, 발광 다이오드(20)가 이송된 디스플레이 기판(200)은 챔버 외부로 이송되고, 후속 공정에 의해 디스플레이 장치가 제조될 수 있다.When the above process is completed, the
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 트랜스퍼 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 발광 다이오드의 광 특성을 측정하는 방법을 설명하는 헤드부의 예시 단면도이다. 도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 수평형 발광 다이오드의 광 특성을 측정하는 방법을 설명하는 헤드부의 예시 단면도이다. 이하에서는 검출부(180)의 컨택부(181)가 검출부(180) 표면의 홈에 구비된 예로서 설명하며, 도 4에 도시된 바와 같이 컨택부(181)가 검출부(180)의 표면으로부터 돌출되게 구비된 예에도 동일하게 적용될 수 있다.6 is a flowchart illustrating a method of transferring light emitting diodes according to an embodiment of the present invention. FIGS. 7A to 7D are exemplary sectional views illustrating a method of measuring a light characteristic of a vertical type light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention. 8A to 8D are exemplary sectional views of a head portion for explaining a method of measuring optical characteristics of a horizontal type light emitting diode according to an embodiment of the present invention. 4, the
트랜스퍼(100)는 헤드바디부(160)의 픽업부(161)에 의해 베이스 기판(1) 상의 발광 다이오드(20)를 픽업할 수 있다(S61). 발광 다이오드(20)는 수직형 발광 다이오드(20a) 또는 수평형 또는 플립형 발광 다이오드(이하, '수평형 발광 다이오드'라 함)(20b)일 수 있다. The
일 실시예로서, 도 7a에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼(100)는 헤드바디부(160)의 픽업부(161)에 의해 베이스 기판(1) 상의 수직형 발광 다이오드(20a)를 픽업할 수 있다. 이때 수직형 발광 다이오드(20a)의 제2 전극패드(237a)가 픽업부(161)의 제1 배선(162)과 컨택할 수 있다. 다른 실시예로서 도 8a에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼(100)는 헤드바디부(160)의 픽업부(161)에 의해 베이스 기판(1) 상의 수평형 발광 다이오드(20b)를 픽업할 수 있다. 이때 수평형 발광 다이오드(20b)의 전극패드가 없는 일 측이 픽업부(161)에 부착될 수 있다. 7A, the
트랜스퍼(100)는 픽업된 발광 다이오드(20)의 광 특성을 측정할 수 있다(S63). 이를 위해 트랜스퍼(100)는 도 7b 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 회전구동부(170)를 작동시켜 헤드바디부(160)를 180도 회전시킬 수 있다. 헤드바디부(160)의 픽업부(161)는 검출부(180)의 컨택부(181)를 마주한다. 그리고, 트랜스퍼(100)는 도 7c 및 도 8c에 도시된 바와 같이, 선형구동부(190)를 작동시켜 헤드바디부(160)를 상승시킬 수 있다. 다른 예로서, 검출부(180)를 하강시키거나, 검출부(180)의 하강과 헤드바디부(160)의 상승이 동시에 동작할 수 있다. 헤드바디부(160)의 픽업부(161)에 부착된 도 7c의 수직형 발광 다이오드(20a)의 제1 전극패드(235a)가 검출부(180)의 컨택부(181)의 제2 배선(182)과 컨택하고, 도 8c의 수평형 발광 다이오드(20b)의 제1 전극패드(235b)와 제2 전극패드(237b)가 검출부(180)의 컨택부(181)의 제2 배선(182)의 한 쌍의 전극들과 각각 컨택할 수 있다. The
트랜스퍼(100)는 수직형 발광 다이오드(20a)의 경우 픽업부(161)의 제1 배선(162)과 컨택부(181)의 제2 배선(182)에 각각 전압 또는 전류를 인가하여 수직형 발광 다이오드(20a)를 발광시킬 수 있다. 트랜스퍼(100)는 수평형 발광 다이오드(20b)의 경우 픽업부(161)의 제1 배선(162)에는 전압 또는 전류를 인가하지 않고, 컨택부(181)의 제2 배선(182)에만 전압 또는 전류를 인가하여 수평형 발광 다이오드(20b)를 발광시킬 수 있다. 제1 배선(162)에는 제2 배선(182)에 인가되는 전압 또는 전류와 다른 전압 또는 전류를 인가할 수 있다. In the case of the vertical type
트랜스퍼(100)는 발광 다이오드(20)의 발광에 의해 광 특성을 측정하고, 발광 다이오드(20)가 배치될 디스플레이 기판(200) 상의 좌표를 산출할 수 있다(S65). 광검출 소자(185)는 발광 다이오드(20)의 광 강도를 측정하고, 그에 대응하는 센서 값을 출력할 수 있다. 컨트롤러(150)는 광검출 소자(185)의 센서 값을 기초로 발광 다이오드(20)의 광 특성을 측정할 수 있다. 컨트롤러(150)는 측정된 광 특성을 기준 광 특성과 비교할 수 있다. 컨트롤러(150)는 베이스 기판(1)의 좌표별 발광 다이오드(20)의 광 특성을 기준 광 특성으로서 메모리 등의 저장 수단에 미리 저장할 수 있다. 컨트롤러(150)는 베이스 기판(1)의 좌표별 발광 다이오드(20)의 광 특성을 누적한 값을 기준 광 특성으로 할 수 있다. 컨트롤러(150)는 측정 광 특성을 기초로 기준 광 특성을 업데이트할 수 있다. 컨트롤러(150)는 베이스 기판(1)의 좌표에 매칭된 디스플레이 기판(200)의 좌표를 저장 수단에 함께 미리 저장할 수 있다. 컨트롤러(150)는 측정 광 특성이 기준 광 특성과 일치하면, 발광 다이오드(20)의 베이스 기판(1)의 좌표에 매칭된 디스플레이 기판(200)의 좌표를 저장 수단으로부터 추출할 수 있다. 컨트롤러(150)는 측정 광 특성이 기준 광 특성과 일치하지 않으면, 디스플레이 기판(200)에 배치될 좌표를 신규 산출할 수 있다. 컨트롤러(150)는 디스플레이 기판(200) 상에서 화상 얼룩이 발현되지 않도록 측정 광 특성을 기초로 발광 다이오드(20)를 그룹화하도록 좌표를 산출함으로써 그룹 간 발광 편차가 최소화되도록 할 수 있다. The
트랜스퍼(100)는 발광 다이오드(20)의 좌표가 산출되면, 선형구동부(190)를 작동시켜 헤드바디부(160)를 하강시키고, 회전구동부(170)를 작동시켜 헤드바디부(160)를 180도 회전시킬 수 있다. When the coordinate of the
트랜스퍼(100)는 도 7d 및 도 8d에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(200) 상의 정해진 좌표에 플레이스할 수 있다(S67). 트랜스퍼(100)는 발광 다이오드(20)를 픽업부(161)로부터 릴리즈함으로써 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(200)에 이송할 수 있다(S69). 디스플레이 기판(200) 상에는 제1 전극(211), 제2 전극(213), 제1 전극(211) 및 제2 전극(213) 주변의 뱅크층(206), 뱅크층(206) 사이의 본딩층(207')이 구비될 수 있다. 본딩층(207')은 열이나 자외선 등에 의해 경화되는 액상의 절연 물질일 수 있다. 발광 다이오드(20)는 제1 전극(211) 및 제2 전극(213)과 컨택될 수 있다. The
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 1에 도시된 발광 다이오드 트랜스퍼의 헤드부를 보여주는 사시도이다. FIG. 9 is a perspective view showing a head portion of the light emitting diode transfer shown in FIG. 1 according to another embodiment of the present invention.
도 9에 도시된 헤드부(130')는 헤드바디부(160)에 광원(165)이 추가된 점에서 도 3에 도시된 헤드부(130)와 상이하다. 이하에서는 도 3과의 차이점을 중심으로 설명한다. The head portion 130 'shown in FIG. 9 is different from the
헤드바디부(160)는 픽업부(161) 주변에 광원(165)을 구비할 수 있다. 광원(165)은 디스플레이 기판(200) 상의 본딩층(207')을 경화할 수 있는 파장의 광을 출력할 수 있다. 예를 들어, 광원(165)은 자외선 대역의 광을 방출할 수 있다. The
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 트랜스퍼 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 11a 내지 도 11c는 도 10의 발광 다이오드 트랜스퍼 방법을 설명하는 헤드부의 예시 단면도이다. 이하에서는 도 1 내지 도 8과 중복하는 내용의 상세한 설명은 생략한다. 10 is a flowchart illustrating a method of transferring light emitting diodes according to another embodiment of the present invention. 11A to 11C are exemplary sectional views of a head portion for explaining the light emitting diode transfer method of FIG. Hereinafter, the detailed description of the contents overlapping with those of Figs. 1 to 8 will be omitted.
트랜스퍼(100)는 도 7a 및 도 8a에 도시된 바와 같이, 헤드바디부(160)의 픽업부(161)에 의해 베이스 기판(1) 상의 발광 다이오드(20)를 픽업할 수 있다(S101). The
트랜스퍼(100)는 도 7b, 도 7c, 도 8b 및 도 8c에 도시된 바와 같이, 픽업된 발광 다이오드(20)의 광 특성을 측정할 수 있다(S103). The
트랜스퍼(100)는 발광 다이오드(20)를 발광시키고, 발광 다이오드(20)의 광 특성을 측정하고, 발광 다이오드(20)의 불량 여부를 판단할 수 있다(S105). 광검출 소자(185)는 발광 다이오드(20)의 광 강도를 측정하고, 그에 대응하는 센서 값을 출력할 수 있다. 컨트롤러(150)는 광검출 소자(185)의 센서 값을 기초로 발광 다이오드(20)의 광 특성을 측정할 수 있다. 컨트롤러(150)는 측정된 광 특성을 기준 광 특성과 비교할 수 있다. 컨트롤러(150)는 베이스 기판(1)의 좌표별 발광 다이오드(20)의 광 특성을 기준 광 특성으로서 메모리 등의 저장 수단에 미리 저장할 수 있다. 컨트롤러(150)는 측정 광 특성이 기준 광 특성 이상인 경우, 발광 다이오드(20)를 정상으로 판단할 수 있다. 컨트롤러(150)는 측정 광 특성이 기준 광 특성 미만인 경우(비발광 포함), 발광 다이오드(20)를 불량으로 판단할 수 있다. The
트랜스퍼(100)는 도 11a에 도시된 바와 같이, 정상 또는 불량이라고 판단된 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(200) 상의 정해진 좌표에 플레이스할 수 있다(S111, S121). The
트랜스퍼(100)는 정상인 발광 다이오드(20) 주변의 광원(815)을 턴온시켜 정상인 발광 다이오드(20)를 둘러싸는 본딩층(207')에 광을 조사하여 경화시키고, 불량인 발광 다이오드(20) 주변의 광원(815)은 턴오프시켜 불량인 발광 다이오드(20)를 둘러싸는 본딩층(207')에는 광을 비조사할 수 있다(S113, S123). The
트랜스퍼(100)는 정상인 발광 다이오드(20)를 픽업부(161)로부터 릴리즈함으로써 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(200)으로 이송할 수 있다(S115). 본딩층(207')은 광 조사에 의해 경화됨으로써 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(200)에 결합시키고, 발광 다이오드(20)가 디스플레이 기판(200)에 잔류될 수 있다. The
반면, 트랜스퍼(100)는 도 11b에 도시된 바와 같이, 불량인 발광 다이오드(20)를 픽업부(161)로부터 릴리즈하지 않고 픽업함으로써 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(200)으로부터 분리할 수 있다(S125). 불량인 발광 다이오드(20)를 둘러싸는 본딩층(207')에는 광이 조사되지 않아 경화되지 않았기 때문에 픽업부(161)의 부착력에 의해 불량인 발광 다이오드(20)는 디스플레이 기판(200)으로부터 분리될 수 있다. On the other hand, as shown in FIG. 11B, the
트랜스퍼(100)는 도 11c에 도시된 바와 같이, 접착층(310)이 형성된 더미 플레이트(300)에 불량인 발광 다이오드(20)를 릴리즈함으로써 불량인 발광 다이오드(20)를 폐기할 수 있다.The
도 11a 내지 도 11c에서는 수직형 발광 다이오드를 예로 설명하였으나, 수평형 발광 다이오드에도 동일하게 적용할 수 있음은 물론이다. 11A to 11C, the vertical type light emitting diode has been described as an example, but it goes without saying that the same is applicable to the horizontal type light emitting diode.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 13 및 도 14는 도 12의 디스플레이 장치의 A-A' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.12 is a plan view schematically showing a display device manufactured according to an embodiment of the present invention. 13 and Fig. 14 are cross-sectional views schematically showing an example of a cross-section taken along line A-A 'of the display device of Fig.
도 12 및 도 13을 참조하면, 디스플레이 장치(10)는 디스플레이 기판(200) 및 디스플레이 기판(200) 상의 발광 다이오드(20a)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드(20a)는 수직형 발광 다이오드이다. 12 and 13, the
디스플레이 기판(200)은 기판(201), 기판(201) 상의 박막 트랜지스터(TFT), 박막 트랜지스터(TFT) 상의 평탄화층(205)을 포함할 수 있으며, 평탄화층(205) 상에는 비아홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 제1 전극(211)이 형성될 수 있다. 또한, 디스플레이 기판(200)은 제1 전극(211)의 일부를 덮도록 배치되는 뱅크층(206)을 포함할 수 있다. The
기판(201) 상에는 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 외곽에 비표시 영역(NA)이 정의될 수 있다. 표시 영역(DA)에는 발광 다이오드(20a)가 배치되고, 비표시 영역(NA)에는 전원 배선 등이 배치될 수 있다. 또한, 비표시 영역(NA)에는 패드부(250)가 배치될 수 있다. A non-display area NA can be defined on the
기판(201)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(201)은 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(201)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가요성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.The
기판(201) 상에는 버퍼층(202)이 형성될 수 있다. 버퍼층(202)은 기판(201)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 기판(201)을 통하여 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(202)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다. A
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(217), 게이트 전극(218), 소스 전극(219a) 및 드레인 전극(219b)을 포함할 수 있다.The thin film transistor TFT may include an
이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(217), 게이트 전극(218), 소스 전극(219a) 및 드레인 전극(219b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.A case in which a thin film transistor (TFT) is a top gate type in which an
활성층(217)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(217)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(217)은 유기 반도체 물질, 산화물 반도체 물질 등을 함유할 수 있다. The
게이트 절연막(203)은 활성층(217) 상에 형성된다. 게이트 절연막(203)은 활성층(217)과 게이트 전극(218)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(203)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. A
게이트 전극(218)은 게이트 절연막(203)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(218)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다. 게이트 전극(218)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(218)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.A
게이트 전극(218) 상에는 층간 절연막(204)이 형성된다. 층간 절연막(204)은 소스 전극(219a) 및 드레인 전극(219b)과 게이트 전극(218)을 절연한다. 층간 절연막(204)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.An interlayer insulating
층간 절연막(204) 상에 소스 전극(219a) 및 드레인 전극(219b)이 형성된다. 소스 전극(219a) 및 드레인 전극(219b)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(219a) 및 드레인 전극(219b)은 활성층(217)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 접촉하도록 형성된다.A
평탄화층(205)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성된다. 평탄화층(205)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성되어, 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 할 수 있다. 평탄화층(205)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(205)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.The
평탄화층(205) 상에는 제1 전극(211)과 뱅크층(206)이 배치될 수 있다. The
제1 전극(211)은 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(211)은 평탄화층(205)에 형성된 비아홀을 통하여 드레인 전극(219b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(211)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. The
뱅크층(206)은 제1 전극(211) 및 평탄화층(205) 상에 배치되어 화소 영역을 정의할 수 있다. 뱅크층(206)은 발광 다이오드(20a)가 배치되는 공간(개구)을 형성할 수 있다. 이때, 뱅크층(206)은 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰, 폴리비닐부티랄, 폴리페닐렌에테르, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 노보넨계(norbornene system) 수지, 메타크릴 수지, 환상 폴리올레핀계 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 아크릴수지, 비닐 에스테르 수지, 이미드계 수지, 우레탄계 수지, 우레아(urea)수지, 멜라민(melamine) 수지 등의 열경화성 수지, 혹은 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카보네이트 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 다른 실시예로서 뱅크층(206)은 SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx 등의 무기산화물, 무기질화물 등의 무기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또 다른 실시예로서 뱅크층(206)은 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료로 형성될 수 있다. 예시적 절연 블랙 매트릭스 재료로는 유기 수지, 글래스 페이스트(glass paste) 및 흑색 안료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물)이 포함될 수 있다. 뱅크층(206)은 상기의 물질에 한정되는 것은 아니며, 발광 다이오드(20)의 구조, 발광 다이오드(20)와 전극들의 연결 등에 따라 다향한 재질로 형성될 수 있다. The
뱅크층(206) 사이의 공간에는 별도의 패시베이션층(207)이 배치될 수 있다. 패시베이션층(207)은 본딩층(207')이 광 조사에 의해 경화됨으로써 형성될 수 있다. 패시베이션층(207)은 발광 다이오드(20)와 뱅크층(206) 사이에 배치되어 제2 전극(212)이 제1 전극(211)과 접촉하는 것을 방지할 수 있다. A
패시베이션층(207)은 가시 파장에 대해 투명하거나, 또는 반투명하게 됨으로써 완성된 시스템의 광추출 효율을 현저히 열화시키지 않도록 할 수 있다. 패시베이션층(207)은 다양한 재료들, 예를 들어, 에폭시, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드 및 폴리에스테르로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 패시베이션층(207)은 발광 다이오드(230)들의 주변에 잉크 제팅에 의해 형성될 수 있다. The
발광 다이오드(20a)는 적색, 녹색 또는 청색의 빛을 방출하며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광도 구현이 가능하다. 발광 다이오드(20a)는 제1 반도체층(231), 제2 반도체층(232) 및, 제1 반도체층(231)과 제2 반도체층(232) 사이의 중간층(233)을 포함할 수 있다.The
제1 반도체층(231)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The
제2 반도체층(232)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The
다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(231)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(232)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.However, the present invention is not limited to this, and the
중간층(233)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 중간층(233)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다. The
제1 반도체층(231)에는 제1 전극패드(235a)가 형성되며, 제2 반도체층(232)에는 제2 전극패드(237)가 형성될 수 있다. 제1 전극패드(235)는 제1 전극(211)과 컨택될 수 있다. 또한, 발광 다이오드(230)가 수직형의 구조를 가질 때, 제2 전극패드(237)는 제1 전극패드(235)와 반대측에 위치할 수 있고, 제2 전극(212)이 컨택될 수 있다.A
제1 전극(211)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.The
제2 전극(212)은 발광 다이오드(20a) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 제2 전극(212)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다. 따라서, 제2 전극(212)은 발광 다이오드(20a)에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. The
본 실시예의 디스플레이 장치(10)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 발광 다이오드(20a)에서 방출된 광이 기판(201) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 제1 전극(211)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 제2 전극(212)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 디스플레이 장치(10)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.The
한편, 도 13에서는 제1 전극패드(235)와 제2 전극패드(237)가 반대측에 위치한 수직형 발광 다이오드(20a)에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한하지 않는다. 즉, 발광 다이오드(20b)는 제1 전극패드(235b)와 제2 전극패드(237b)가 같은 방향을 향해 배치된 수평형 또는 플립형 구조일 수 있다.13, the vertical
도 14를 참조하면, 수평형 발광 다이오드(20b)는 제1 반도체층(231), 제2 반도체층(232) 및 이들 사이의 중간층(233)을 포함하며, 제1 반도체층(231)에는 제1 전극패드(235)가 형성되고, 제2 반도체층(232)에는 제2 전극패드(237)가 형성되는데, 제1 전극패드(235)와 제2 전극패드(237)는 모두 동일한 방향을 향하도록 배치될 수 있다.14, the horizontal
제2 전극패드(237)와 접하는 제2 전극(213)은 제1 전극(211)과 마찬가지로 평탄화층(205) 상에 형성될 수 있다. 제2 전극(213)은 제1 전극(211)과 이격된 위치에 제1 전극(211)과 전기적으로 분리되도록 형성되며, 제1 전극(211)과 동일한 층에 형성될 수 있다. The
한편, 발광 다이오드(20a, 20b)를 산소 및 수분으로부터 차단시키기 위하여 별도의 봉지부(214)를 설치할 수 있다. 이때, 봉지부(214)는 기판(201)과 동일 또는 유사한 재질로 형성되는 봉지기판 또는 유기층 및 무기층 중 적어도 하나를 포함하는 박막 필름을 포함할 수 있다. Meanwhile, a
전술된 본 발명의 실시예들은 발광 다이오드를 베이스 기판으로부터 디스플레이 기판으로 트랜스퍼할 때 발광 다이오드의 광 특성을 측정하여 디스플레이 기판에 배치될 좌표를 산출함으로써 발광 다이오드의 광 특성 편차에 의한 표시 품질 열화를 최소화할 수 있다. The embodiments of the present invention described above minimize the deterioration of display quality due to optical characteristic deviations of the light emitting diodes by measuring the optical characteristics of the light emitting diodes when transferring the light emitting diodes from the base substrate to the display substrate, can do.
또한 본 발명의 실시예들은 발광 다이오드의 광 특성을 측정하여 불량 여부를 판단하여, 발광되지 않거나 발광 효율이 낮은 발광 다이오드를 구분하여 정상 발광 다이오드만을 디스플레이 기판으로 트랜스퍼함으로써 표시 품질을 향상시킬 수 있다. Embodiments of the present invention can improve the display quality by distinguishing the light emitting diodes that do not emit light or have low light emitting efficiency and transfer only the normal light emitting diodes to the display substrate by measuring the optical characteristics of the light emitting diodes to determine whether they are defective.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 트랜스퍼는 광 특성 측정 및 광 조사가 가능하여 별도의 장치 없이 발광 다이오드를 효율적으로 디스플레이 기판으로 트랜스퍼할 수 있다. The light emitting diode transfer according to the embodiment of the present invention can measure optical characteristics and light irradiation so that the light emitting diode can be efficiently transferred to the display substrate without a separate device.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the exemplary embodiments, and that various changes and modifications may be made therein without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
Claims (16)
상기 헤드바디부와 이격되고, 상기 픽업부에 대응하는 위치의 컨택부 및 상기 컨택부에 인접한 광검출 소자를 구비한 검출부;
상기 헤드바디부 및 상기 검출부 중 적어도 하나를 선형 이동하여 상기 픽업부에 부착된 상기 발광 다이오드를 상기 컨택부에 컨택시키는 선형 구동부; 및
상기 발광 다이오드가 방출하는 광 강도에 대응하는 상기 광검출 소자의 출력을 기초로 상기 발광 다이오드의 광 특성을 측정하고, 상기 측정 광 특성에 따라 상기 발광 다이오드가 배치될 디스플레이 기판 상의 좌표를 산출하는 컨트롤러;를 포함하는 발광 다이오드 트랜스퍼.A head body part having at least one pickup part which is rotatable and picks up a light emitting diode on a base substrate;
A detection unit spaced apart from the head body and having a contact portion at a position corresponding to the pickup portion and a photodetector element adjacent to the contact portion;
A linear driver for linearly moving at least one of the head body part and the detection part to contact the light emitting diode attached to the pickup part to the contact part; And
A controller for measuring the optical characteristics of the light emitting diode based on the output of the light detecting element corresponding to the light intensity emitted by the light emitting diode and calculating the coordinates on the display substrate on which the light emitting diode is to be arranged, The light emitting diode transfer comprising:
상기 픽업부는 복수개 구비되고,
상기 복수의 픽업부는 상기 헤드바디부의 길이 방향으로 이격 배치된, 발광 다이오드 트랜스퍼.The method according to claim 1,
Wherein a plurality of the pickup units are provided,
Wherein the plurality of pickup portions are spaced apart in the longitudinal direction of the head body portion.
상기 헤드 바디부에 연결되어 상기 헤드바디부를 회전시키는 회전 구동부;를 더 포함하는 발광 다이오드 트랜스퍼.The method according to claim 1,
And a rotation driving part connected to the head body part to rotate the head body part.
상기 발광 다이오드의 측정 광 특성이 상기 베이스 기판에서 상기 발광 다이오드의 좌표에 매칭된 기준 광 특성과 일치하면, 상기 발광 다이오드에 기 설정된 상기 디스플레이 기판에서의 좌표를 추출하고,
상기 발광 다이오드의 측정 광 특성이 상기 베이스 기판에서 상기 발광 다이오드의 좌표에 매칭된 기준 광 특성이 불일치하면, 상기 발광 다이오드의 상기 디스플레이 기판에서의 신규 좌표를 산출하는, 발광 다이오드 트랜스퍼.2. The apparatus of claim 1,
Extracting coordinates on the display substrate preset in the light emitting diode if the measured light characteristic of the light emitting diode coincides with a reference light characteristic matched to the coordinates of the light emitting diode in the base substrate,
Wherein when the measured light characteristic of the light emitting diode is different from a reference light characteristic matched to the coordinates of the light emitting diode in the base substrate, new coordinates of the light emitting diode on the display substrate are calculated.
상기 픽업부는 제1 배선을 포함하고, 상기 컨택부는 제2 배선을 포함하는, 광 다이오드 트랜스퍼. The method according to claim 1,
The pickup portion including a first wiring, and the contact portion including a second wiring.
상기 제2 배선은 한 쌍의 전극들을 포함하는, 광 다이오드 트랜스퍼. 6. The method of claim 5,
And the second wiring comprises a pair of electrodes.
상기 발광 다이오드가 제1 전극패드 및 상기 제1 전극패드와 대향하는 제2 전극패드를 구비하고,
상기 발광 다이오드의 제1 전극패드가 상기 제2 배선과 컨택하고, 상기 제2 전극패드가 상기 제1 배선과 컨택하는, 광 다이오드 트랜스퍼. 6. The method of claim 5,
Wherein the light emitting diode has a first electrode pad and a second electrode pad facing the first electrode pad,
Wherein a first electrode pad of the light emitting diode is in contact with the second wiring, and the second electrode pad is in contact with the first wiring.
상기 발광 다이오드가 동일 방향을 향해 배치된 제1 전극패드 및 제2 전극패드를 구비하고,
상기 발광 다이오드의 제1 전극패드 및 제2 전극패드가 상기 제2 배선과 각각 컨택하는, 광 다이오드 트랜스퍼. 6. The method of claim 5,
Wherein the light emitting diode has a first electrode pad and a second electrode pad arranged in the same direction,
The first electrode pad and the second electrode pad of the light emitting diode being in contact with the second wiring, respectively.
상기 헤드바디부는 상기 픽업부에 인접 배치된 광원;을 더 포함하는 발광 다이오드 트랜스퍼. The method according to claim 1,
And the head body portion further includes a light source disposed adjacent to the pickup portion.
상기 발광 다이오드의 측정 광 특성과 기준 광 특성의 비교에 의해 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 판단하고,
상기 발광 다이오드가 정상이면 상기 발광 다이오드가 상기 디스플레이 기판 상에 플레이스될 때 상기 광원을 턴온 시키고,
상기 발광 다이오드가 불량이면 상기 발광 다이오드가 상기 디스플레이 기판 상에 플레이스될 때 상기 광원을 턴오프 시키는, 발광 다이오드 트랜스퍼. 10. The apparatus of claim 9,
Determining whether the light emitting diode is defective by comparing a measured light characteristic of the light emitting diode with a reference light characteristic,
And when the light emitting diode is normal, the light source is turned on when the light emitting diode is placed on the display substrate,
And turns off the light source when the light emitting diode is placed on the display substrate if the light emitting diode is defective.
상기 트랜스퍼는, 회전 가능하고 적어도 하나의 픽업부를 구비한 헤드바디부와, 상기 헤드바디부와 이격되고 상기 픽업부에 대응하는 위치의 컨택부 및 상기 컨택부에 인접한 광검출 소자를 구비한 검출부를 포함하고,
상기 트랜스퍼 방법은,
상기 헤드바디부의 픽업부에 의해 상기 베이스 기판으로부터 상기 발광 다이오드를 픽업하는 단계;
상기 헤드바디부를 회전하고, 상기 헤드바디부 및 상기 검출부 중 적어도 하나를 선형 이동하여 상기 픽업부에 부착된 상기 발광 다이오드를 상기 컨택부에 컨택시키는 단계;
상기 발광 다이오드를 발광시키는 단계;
상기 발광 다이오드가 방출하는 광 강도에 대응하는 상기 광검출 소자의 출력을 기초로 상기 발광 다이오드의 광 특성을 측정하는 단계; 및
상기 측정 광 특성에 따라 상기 발광 다이오드가 배치될 상기 디스플레이 기판 상의 좌표를 산출하는 단계;를 포함하는 발광 다이오드의 트랜스퍼 방법.A method of transferring a light emitting diode from a base substrate to a display substrate by transfer,
Wherein the transfer comprises a head body portion which is rotatable and has at least one pickup portion, a detector portion which is spaced apart from the head body portion and has a contact portion at a position corresponding to the pickup portion and a photodetector element adjacent to the contact portion, Including,
In the transfer method,
Picking up the light emitting diode from the base substrate by a pick-up part of the head body part;
Rotating the head body part, linearly moving at least one of the head body part and the detecting part to contact the light emitting diode attached to the pickup part to the contact part;
Emitting the light emitting diode;
Measuring an optical characteristic of the light emitting diode based on an output of the light detecting element corresponding to a light intensity emitted by the light emitting diode; And
And calculating coordinates on the display substrate on which the light emitting diodes are to be arranged according to the measurement light characteristics.
상기 발광 다이오드가 제1 전극패드 및 상기 제1 전극패드와 대향하는 제2 전극패드를 구비하고,
상기 발광 다이오드 발광 단계는,
상기 발광 다이오드의 상기 제1 전극패드가 컨택하는 상기 컨택부와 상기 제2 전극패드가 컨택하는 상기 픽업부에 각각 전압 또는 전류를 인가하는 단계;를 포함하는 발광 다이오드의 트랜스퍼 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the light emitting diode has a first electrode pad and a second electrode pad facing the first electrode pad,
The light emitting diode emitting step includes:
And applying a voltage or a current to the contact portion of the light emitting diode with which the first electrode pad is in contact with the pickup portion with which the second electrode pad is in contact with the light emitting diode, respectively.
상기 발광 다이오드가 동일 방향을 향해 배치된 제1 전극패드 및 제2 전극패드를 구비하고,
상기 발광 다이오드 발광 단계는,
상기 발광 다이오드의 제1 전극패드 및 상기 제2 전극패드가 컨택하는 상기 컨택부의 한 쌍의 전극들에 각각 전압 또는 전류를 인가하는 단계;를 포함하는 발광 다이오드의 트랜스퍼 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the light emitting diode has a first electrode pad and a second electrode pad arranged in the same direction,
The light emitting diode emitting step includes:
And applying a voltage or a current to each of a pair of electrodes of the contact portion to which the first electrode pad and the second electrode pad of the light emitting diode contact each other.
상기 발광 다이오드의 측정 광 특성이 상기 베이스 기판에서 상기 발광 다이오드의 좌표에 매칭된 기준 광 특성과 일치하면, 상기 발광 다이오드에 기 설정된 상기 디스플레이 기판에서의 좌표를 추출하는 단계; 및
상기 발광 다이오드의 측정 광 특성이 상기 베이스 기판에서 상기 발광 다이오드의 좌표에 매칭된 기준 광 특성과 불일치하면, 상기 발광 다이오드의 상기 디스플레이 기판에서의 신규 좌표를 산출하는 단계;를 포함하는, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.12. The method according to claim 11,
Extracting coordinates on the display substrate predetermined by the light emitting diode if the measured light characteristic of the light emitting diode coincides with the reference light characteristic matched to the coordinates of the light emitting diode on the base substrate; And
And calculating new coordinates in the display substrate of the light emitting diode if the measured light characteristics of the light emitting diode do not match the reference light characteristics matched to the coordinates of the light emitting diode in the base substrate, Way.
상기 헤드바디부 및 상기 검출부 중 적어도 하나를 선형 이동하여 상기 발광 다이오드를 상기 컨택부로부터 이격시키는 단계; 및
상기 발광 다이오드를 상기 디스플레이 기판의 상기 산출된 좌표의 도전층 상에 플레이스하는 단계;를 더 포함하는 발광 다이오드의 트랜스퍼 방법.12. The method of claim 11,
Moving at least one of the head body portion and the detecting portion linearly to separate the light emitting diode from the contact portion; And
And placing the light emitting diode on a conductive layer of the calculated coordinates of the display substrate.
상기 발광 다이오드의 측정 광 특성과 기준 광 특성의 비교에 의해 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 판단하는 단계;
상기 발광 다이오드를 상기 디스플레이 기판 상의 산출된 좌표의 도전층 상에 플레이스하는 단계;
상기 발광 다이오드가 정상이면 상기 정상인 발광 다이오드를 둘러싸는 본딩층에 광을 조사하고, 상기 발광 다이오드를 상기 픽업부로부터 릴리즈하는 단계; 및
상기 발광 다이오드가 불량이면 상기 불량인 발광 다이오드를 둘러싸는 본딩층에 광을 조사하지 않고, 상기 발광 다이오드를 상기 디스플레이 기판으로부터 픽업하는 단계;를 더 포함하는, 발광 다이오드의 트랜스퍼 방법. 12. The method of claim 11,
Determining whether the light emitting diode is defective by comparing a measurement light characteristic of the light emitting diode with a reference light characteristic;
Placing the light emitting diode on a conductive layer of the calculated coordinates on the display substrate;
Emitting light to the bonding layer surrounding the normal LED if the LED is normal and releasing the LED from the pickup; And
And if the light emitting diode is defective, picking up the light emitting diode from the display substrate without irradiating light to the bonding layer surrounding the defective light emitting diode.
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