JP5135865B2 - Light source substrate manufacturing method and light source substrate manufacturing apparatus - Google Patents

Light source substrate manufacturing method and light source substrate manufacturing apparatus Download PDF

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Description

本発明は、液晶表示パネル等に光を照射するバックライト装置に内蔵される光源基板の製造方法および光源基板製造装置に関する。   The present invention relates to a light source substrate manufacturing method and a light source substrate manufacturing apparatus built in a backlight device that irradiates light to a liquid crystal display panel or the like.

現在、液晶表示装置では、透過型の液晶表示パネルを背面側からバックライト装置で照明することにより画像を表示させる方式が主流となっている。このバックライト装置の光源としては、CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)といった蛍光ランプが多く用いられているが、最近では、CCFLよりも高輝度で低消費電力の発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)がCCFLに代わって用いられるようになってきている(例えば、特許文献1参照)。
特開2006−301209号
At present, in the liquid crystal display device, a method of displaying an image by illuminating a transmissive liquid crystal display panel from the back side with a backlight device is mainly used. As a light source of the backlight device, a fluorescent lamp such as a CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp) is often used. Recently, a light emitting diode (LED: Light Emitting Diode) having higher luminance and lower power consumption than CCFL is used. It has come to be used instead of CCFL (see, for example, Patent Document 1).
JP 2006-301209 A

しかし、発光ダイオードでは、CCFLよりも個体ごとに輝度や波長などが特にばらつき易く、バックライト装置における輝度むらや色むらの原因となることから、例えば輝度や波長などの特性が均一な発光ダイオードを選別することが必要となる。   However, in the light emitting diode, the brightness and wavelength are more likely to vary from individual to individual than the CCFL, which causes uneven brightness and color unevenness in the backlight device. For example, a light emitting diode with uniform characteristics such as brightness and wavelength is used. It is necessary to sort.

発光ダイオードの選別方法として、例えば、ウェハ上に形成されたチップ状の発光ダイオード(以下、適宜「チップ」と称する。)の全てに対して外観検査や光学特性の計測を実施し、その結果、良品と判定されたチップを光学特性の観点からランキングし、ランクごとにトレー(またはシート)に一旦載せ換え、さらに、トレー(またはシート)から、例えば1または複数種類のチップを基板上にマウントし、マウントしたチップ上に光学レンズを装着してサブユニットを形成し、サブユニット中の各チップの光学特性を計測し、その結果、良品と判定されたサブユニットを光学特性の観点からランキングし、ランクごとにサブユニットを分類する方法がある。   As a selection method of light emitting diodes, for example, appearance inspection and measurement of optical characteristics are performed on all chip-shaped light emitting diodes (hereinafter referred to as “chips”) formed on a wafer, and as a result, Chips judged as non-defective are ranked from the viewpoint of optical characteristics, and are temporarily placed on a tray (or sheet) for each rank, and one or more types of chips are mounted on the substrate from the tray (or sheet). , Mount an optical lens on the mounted chip to form a subunit, measure the optical characteristics of each chip in the subunit, and as a result, rank the subunits determined to be non-defective from the viewpoint of optical characteristics, There is a method of classifying subunits by rank.

この方法では、ランクごとにチップやサブユニットが現時点でいくつあるかを容易に把握することができるので、在庫管理し易い。また、発光ダイオードを配線基板上にマウントする前のサブユニットの段階であれば、不良の発光ダイオードをリワークすることが容易である。それゆえ、光源として発光ダイオードを用いる場合には、この方法を用いて得られたサブユニットを配線基板にマウントして光源基板を形成することが一般的に行われている。   In this method, since it is possible to easily grasp how many chips and subunits are present for each rank, inventory management is easy. In addition, it is easy to rework a defective light emitting diode at the stage of the subunit before the light emitting diode is mounted on the wiring board. Therefore, when a light-emitting diode is used as a light source, it is a common practice to form a light source substrate by mounting a subunit obtained using this method on a wiring substrate.

しかし、上記の方法では、各ランクの範囲を狭くし過ぎるとランクの数が膨大となってしまい、無駄が多くなってしまうので、各ランクの範囲はある程度広めに設定されている。そのため、ひとたびスペックの厳しい高性能な光源基板を形成しようとすると、ランク分けされたサブユニットをさらに選別することが必要となり、工程数が多くなってしまう。また、上記の方法では、光源基板の部品であるサブユニットをランクごとに作製し、それを在庫しておかないといけないので、在庫数が多くなってしまう。   However, in the above-described method, if the range of each rank is too narrow, the number of ranks becomes enormous and waste increases. Therefore, the range of each rank is set to be somewhat wide. For this reason, once it is attempted to form a high-performance light source substrate with strict specifications, it is necessary to further select the ranked subunits, which increases the number of processes. Further, in the above method, since the subunits that are parts of the light source substrate must be produced for each rank and kept in stock, the number of stocks increases.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、工程数および在庫数を最小限に抑えつつ高性能な光源基板を製造することの可能な光源基板の製造方法および光源基板製造装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such a problem, and an object thereof is to manufacture a light source substrate and a light source substrate manufacturing method capable of manufacturing a high-performance light source substrate while minimizing the number of processes and the number of stocks. To provide an apparatus.

本発明の光源基板の製造方法は、ウェハ上に形成されたチップ状の複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致するデータに対応する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントすることにより光源基板を製造するマウント工程を含むものである。光学特性データは、個々の発光ダイオードの前記ウェハでの位置情報と、光出力、波長、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つとを含んでいる。ウェハには、ウェハごとにユニークなウェハ識別情報が与えられている。マウント工程において、光学特性データと、当該光学特性データが得られたウェハのウェハ識別情報とを元にして、発光ダイオードを配線基板上に直接マウントする。 Manufacturing method of the light source substrate of the present invention, based on the optical characteristics data obtained by measuring the individual optical properties of a plurality of light emitting diodes of U E c on which is formed in a chip shape, matching the extraction conditions The method includes a mounting step of manufacturing a light source substrate by directly mounting a light emitting diode corresponding to data on a wiring substrate. The optical property data includes position information of the individual light emitting diodes on the wafer and at least one of light output, wavelength, forward voltage, and reverse bias current. The wafer is given unique wafer identification information for each wafer. In the mounting step, the light emitting diode is directly mounted on the wiring board based on the optical characteristic data and the wafer identification information of the wafer from which the optical characteristic data is obtained.

本発明の光源基板製造装置は、ウェハ上に形成されたチップ状の複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致するデータに対応する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントすることにより光源基板を製造するマウント部を備えたものである。光学特性データは、個々の発光ダイオードの前記ウェハでの位置情報と、光出力、波長、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つとを含んでいる。ウェハには、ウェハごとにユニークなウェハ識別情報が与えられている。マウント工程において、光学特性データと、当該光学特性データが得られたウェハのウェハ識別情報とを元にして、発光ダイオードを配線基板上に直接マウントする。 The light source substrate manufacturing apparatus of the present invention, based on the optical characteristics data obtained by measuring the individual optical properties of a plurality of light emitting diodes of U E c on which is formed in a chip shape, matching the extraction condition data A light emitting diode corresponding to the above is directly mounted on the wiring substrate, and a light source substrate is manufactured . The optical property data includes position information of the individual light emitting diodes on the wafer and at least one of light output, wavelength, forward voltage, and reverse bias current. The wafer is given unique wafer identification information for each wafer. In the mounting step, the light emitting diode is directly mounted on the wiring board based on the optical characteristic data and the wafer identification information of the wafer from which the optical characteristic data is obtained.

本発明の光源基板の製造方法および光源基板製造装置では、ウェハ上に形成された複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントする。つまり、光源基板の中間部品であるサブユニットを作製しないで、抽出条件に合致する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントする。   In the light source substrate manufacturing method and the light source substrate manufacturing apparatus according to the present invention, the extraction conditions are met based on optical characteristic data obtained by measuring individual optical characteristics of a plurality of light emitting diodes formed on the wafer. The light emitting diode is mounted directly on the wiring board. That is, a light emitting diode that meets the extraction conditions is directly mounted on the wiring board without producing a subunit that is an intermediate part of the light source board.

本発明の光源基板の製造方法および光源基板製造装置によれば、光源基板の中間部品であるサブユニットを作製しないで、抽出条件に合致する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントするようにしたので、ウェハを在庫するだけでよく、ウェハよりも膨大な数になり得るサブユニットを在庫する必要がない。これにより、在庫数を減らすことができる。また、抽出条件の設定によって、スペックの厳しい高性能な光源基板を形成することも可能であることから、ランク分けする必要がない。これにより、ランク分けに必要な分だけ工程数を減らすことができる。なお、各発光ダイオードと光学特性データとの対応関係を保存することが可能な場合には、発光ダイオードをウェハ上に配置した状態で在庫する代わりに、ロット単位にまとめたり、トレー(またはシート)ごとにまとめた状態で在庫してもよい。この場合には、これらの作業が別途必要となるが、従来は、チップおよびサブユニットをランク分けしていたのであるから、従来よりは工程数を減らすことができる。従って、本発明では、工程数および在庫数を最小限に抑えつつ高性能な光源基板を製造することが可能である。   According to the light source board manufacturing method and the light source board manufacturing apparatus of the present invention, the light emitting diode that matches the extraction condition is directly mounted on the wiring board without producing the subunit that is an intermediate part of the light source board. It is only necessary to stock the wafers, and it is not necessary to stock the subunits that can be enormously larger than the wafers. Thereby, the number of inventory can be reduced. Moreover, since it is possible to form a high-performance light source substrate with strict specifications by setting extraction conditions, it is not necessary to rank. Thereby, the number of processes can be reduced by the amount necessary for ranking. If the correspondence between each light emitting diode and the optical characteristic data can be stored, the light emitting diodes can be collected in lot units or in trays (or sheets) instead of being stocked on the wafer. You may stock in the state put together for every. In this case, these operations are separately required, but conventionally, since the chips and subunits are ranked, the number of processes can be reduced as compared with the prior art. Therefore, in the present invention, it is possible to manufacture a high-performance light source substrate while minimizing the number of processes and the number of inventory.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は本発明の一実施の形態に係る光源基板製造装置1の機能ブロックを表すものである。この光源基板製造装置1は、後述する光源基板100を製造する装置であり、ID印刷部10と、光学検査部11と、抽出データ生成部12と、ID印刷部13と、マウント部14と、光学検査部15と、トレーサビリティ部16とを備えている。なお、図1では、各機能ブロックが独立した装置のごとく記載されているが、本実施の形態では、独立した装置となっている必要はなく、光源基板製造装置1が、複数の機能ブロックを包含する装置を備えていてもよい。   FIG. 1 shows functional blocks of a light source substrate manufacturing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The light source board manufacturing apparatus 1 is an apparatus for manufacturing a light source board 100 described later, and includes an ID printing unit 10, an optical inspection unit 11, an extraction data generation unit 12, an ID printing unit 13, a mounting unit 14, An optical inspection unit 15 and a traceability unit 16 are provided. In FIG. 1, each functional block is described as an independent device. However, in this embodiment, the light source substrate manufacturing apparatus 1 does not need to be an independent device. An included device may be provided.

ID印刷部10は、例えば、図2に示したように、個々のウェハ20R,20G,20Bを識別することの可能なユニークな識別情報(ウェハID(10D))をウェハ20R,20G,20Bに印刷、またはウェハID(10D)を印刷したラベルをウェハ20R,20G,20Bに貼付する装置である。なお、ウェハID(10D)をウェハ20R,20G,20Bへ印刷する位置、またはウェハID(10D)を印刷したラベルをウェハ20R,20G,20Bへ貼付する位置は、各ウェハ20R,20G,20B上に形成された各チップ21R,21G,21Bをピッキングする際に邪魔にならない場所であればウェハ20R,20G,20Bの表面のどこでも構わない。   For example, as shown in FIG. 2, the ID printing unit 10 generates unique identification information (wafer ID (10D)) that can identify individual wafers 20R, 20G, and 20B on the wafers 20R, 20G, and 20B. This is an apparatus for printing or attaching a label printed with a wafer ID (10D) to the wafers 20R, 20G, and 20B. The position where the wafer ID (10D) is printed on the wafers 20R, 20G, 20B or the position where the label printed with the wafer ID (10D) is attached to the wafers 20R, 20G, 20B is on each of the wafers 20R, 20G, 20B. Any of the surfaces of the wafers 20R, 20G, and 20B may be used as long as the chips 21R, 21G, and 21B are not obstructed when picking.

ここで、ウェハ20Rは、チップ状の複数の赤色の発光ダイオード(チップ)21Rが形成されたものであり、個々のチップ21Rがウェハ20R上に2次元配置されている。同様に、ウェハ20Gは、チップ状の複数の緑色の発光ダイオード(チップ)21Gが形成されたものであり、個々のチップ21Gがウェハ20G上に2次元配置されている。また、ウェハ20Bは、チップ状の複数の青色の発光ダイオード(チップ)20Bが形成されたものであり、個々のチップ20Bがウェハ20B上に2次元配置されている。   Here, the wafer 20R is formed with a plurality of chip-like red light emitting diodes (chips) 21R, and the individual chips 21R are two-dimensionally arranged on the wafer 20R. Similarly, the wafer 20G is formed with a plurality of chip-shaped green light emitting diodes (chips) 21G, and the individual chips 21G are two-dimensionally arranged on the wafer 20G. Further, the wafer 20B is formed with a plurality of chip-like blue light emitting diodes (chips) 20B, and the individual chips 20B are two-dimensionally arranged on the wafer 20B.

光学検査部11は、例えば、各ウェハ20R,20G,20B上に形成された複数のチップ21R,21G,21Bの個々の光学特性を計測すると共に、計測対象のウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)を読み取る装置である。この装置で計測される光学特性は、個々のチップ21R,21G,21Bにおいてバラつき易いパラメータ、例えば、光出力、波長、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つである。この光学検査部11は、計測した光学特性を、例えば、図3に示したように、計測したチップ21R,21G,21Bのウェハ20R,20G,20B上の位置情報(例えばx,y座標)と関連付け、図1に示したように、光学特性データ11DとしてウェハID(10D)と共に抽出データ生成部12およびトレーサビリティ部16に送るようになっている。つまり、光学検査部11は、個々のチップ21R,21G,21Bを識別することの可能なユニークな識別情報として、計測対象のウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)と、個々のチップ21R,21G,21Bの、ウェハ20R,20G,20B上での位置情報(例えばx,y座標)とを用いている。   The optical inspection unit 11 measures, for example, individual optical characteristics of the plurality of chips 21R, 21G, and 21B formed on the wafers 20R, 20G, and 20B, and the wafer IDs of the measurement target wafers 20R, 20G, and 20B. (10D) reading device. The optical characteristics measured by this apparatus are at least one of parameters that are likely to vary in each of the chips 21R, 21G, and 21B, for example, optical output, wavelength, forward voltage, and reverse bias current. For example, as shown in FIG. 3, the optical inspection unit 11 uses the measured positional information (for example, x, y coordinates) on the wafers 20R, 20G, and 20B of the chips 21R, 21G, and 21B as shown in FIG. As shown in FIG. 1, the optical characteristic data 11D is sent to the extraction data generation unit 12 and the traceability unit 16 together with the wafer ID (10D). That is, the optical inspection unit 11 uses, as unique identification information that can identify the individual chips 21R, 21G, and 21B, the wafer ID (10D) of the measurement target wafers 20R, 20G, and 20B and the individual chips 21R. , 21G, and 21B on the wafers 20R, 20G, and 20B (for example, x and y coordinates).

抽出データ生成部12は、例えば、図4に示したように、光学特性データ11Dと、当該光学特性データ11Dが得られたウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)とを元にして、抽出条件12Aに合致するデータに対応するチップ21R,21G,21Bのウェハ20R,20G,20B上の位置情報(例えばx,y座標)を光学特性データ11Dから抽出して抽出データ12Dを生成し、図1に示したように、この抽出データ12DをウェハID(10D)と共にマウント部14に送るようになっている。   For example, as shown in FIG. 4, the extraction data generation unit 12 is based on the optical property data 11D and the wafer IDs (10D) of the wafers 20R, 20G, and 20B from which the optical property data 11D is obtained. Position information (for example, x, y coordinates) of the chips 21R, 21G, and 21B on the wafers 20R, 20G, and 20B corresponding to the data that matches the extraction condition 12A is extracted from the optical characteristic data 11D to generate the extracted data 12D; As shown in FIG. 1, the extracted data 12D is sent to the mount unit 14 together with the wafer ID (10D).

なお、上記の抽出条件12Aは、光学特性データ11Dに含まれるパラメータの値を必要に応じて自由に指定可能なものであり、例えば、図4に示したように光学特性データ11Dに含まれる各パラメータの値を範囲で指定したり、例えば“波長 621.0nm”のように一点で指定したり、または、例えば“逆バイアス電流 指定なし”のように、光学特性データ11Dに含まれる複数のパラメータの1または複数の値を無指定にすることも可能である。   The extraction condition 12A can freely specify the parameter values included in the optical characteristic data 11D as needed. For example, as shown in FIG. A plurality of parameters included in the optical characteristic data 11D, such as specifying a parameter value in a range, specifying a single point such as “wavelength 621.0 nm”, or “reverse bias current not specified”, for example. It is also possible to make one or a plurality of values unspecified.

ID印刷部13は、例えば、図5、図6に示したように、個々の配線基板100Aを識別することの可能なユニークな識別情報(基板ID(13D))を各配線基板100Aに印刷、または基板ID(13D)を印刷したラベルを各配線基板100Aに貼付する装置である。なお、基板ID(13D)を配線基板100Aへ印刷する位置、または基板ID(13D)を印刷したラベルを配線基板100Aへ貼付する位置は、配線基板100A上にチップ21R,21G,21Bをマウントする際に邪魔にならない場所であれば配線基板100Aの表面のどこでも構わない。   For example, as shown in FIGS. 5 and 6, the ID printing unit 13 prints unique identification information (board ID (13D)) that can identify each wiring board 100A on each wiring board 100A. Or it is an apparatus which affixes the label which printed board ID (13D) to each wiring board 100A. The positions where the board ID (13D) is printed on the wiring board 100A or the position where the label printed with the board ID (13D) is pasted on the wiring board 100A are mounted on the wiring board 100A with the chips 21R, 21G, and 21B. Any place on the surface of the wiring board 100A may be used as long as it does not get in the way.

マウント部14は、例えば、図5に示したように、抽出データ12DとウェハID(10D)とを元にして、抽出条件12Aに合致するデータに対応するチップ21R,21G,21Bを配線基板100A上に直接マウントする。より具体的には、ウェハID(10D)に対応するウェハ20R,20G,20Bにおいて、抽出データ12Dに含まれるチップ21R,21G,21Bのウェハ20R,20G,20B上での位置情報(例えばx,y座標)に対応する位置に形成されたチップ21R,21G,21Bを配線基板100A上に直接マウントする。マウント部14は、このようにして、配線基板100A上の所定位置にチップ21R,21G,21Bを全て配置することにより、例えば、図6に示したように、光源基板100を形成するようになっている。   For example, as shown in FIG. 5, the mount unit 14, based on the extraction data 12 </ b> D and the wafer ID (10 </ b> D), inserts the chips 21 </ b> R, 21 </ b> G, and 21 </ b> B corresponding to the data matching the extraction condition 12 </ b> A into the wiring board 100 </ b> A. Mount directly on top. More specifically, in the wafers 20R, 20G, and 20B corresponding to the wafer ID (10D), positional information (for example, x, x) of the chips 21R, 21G, and 21B included in the extracted data 12D on the wafers 20R, 20G, and 20B. The chips 21R, 21G, and 21B formed at positions corresponding to the y coordinate) are directly mounted on the wiring board 100A. In this way, the mount unit 14 forms the light source substrate 100 as shown in FIG. 6, for example, by disposing all the chips 21R, 21G, and 21B at predetermined positions on the wiring substrate 100A. ing.

なお、マウント部14は、各チップ21R,21G,21Bごとに別個に用意されていることが好ましい。また、マウント部14は、各チップ21R,21G,21Bと光学特性データ11Dとの対応関係を保存することが可能な場合には、図5に示したように、各チップ21R,21G,21Bをウェハ20R,20G,20B上から直接ピッキングして配線基板100A上に直接マウントする必要はなく、例えば、各チップ21R,21G,21Bをロット単位にまとめたり、トレー(またはシート)ごとにまとめた状態で、ロットやトレー(またはシート)からピッキングして配線基板100A上に直接マウントするようにしてもよい。   In addition, it is preferable that the mount part 14 is prepared separately for each chip 21R, 21G, 21B. Further, when the mount unit 14 can store the correspondence between the chips 21R, 21G, and 21B and the optical characteristic data 11D, as shown in FIG. There is no need to pick directly from the wafers 20R, 20G, and 20B and mount them directly on the wiring board 100A. For example, the chips 21R, 21G, and 21B are grouped in lot units or in a tray (or sheet) grouped state. Thus, it may be picked from a lot or tray (or sheet) and directly mounted on the wiring board 100A.

また、マウント部14は、配線基板100A上の所定の位置にチップ21R,21G,21Bを全て直接マウントした後に、例えば、図7に示したように、各チップ21R,21G,21Bがマウントされた配線基板100Aの基板ID(13D)と、マウントした各チップ21R,21G,21Bが形成されていたウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)と、マウントした各チップ21R,21G,21Bが形成されていたウェハ20R,20G,20B上での位置情報(例えばx,y座標)と、マウントした各チップ21R,21G,21Bの配線基板100Aでの位置情報(例えばx,y座標)とを互いに関連付けてマウントデータ14Dを生成し、図1に示したように、トレーサビリティ部16に送るようになっている。   The mount unit 14 mounts the chips 21R, 21G, and 21B directly at predetermined positions on the wiring board 100A, and then mounts the chips 21R, 21G, and 21B, for example, as shown in FIG. The board ID (13D) of the wiring board 100A, the wafer ID (10D) of the wafers 20R, 20G, and 20B on which the mounted chips 21R, 21G, and 21B are formed, and the mounted chips 21R, 21G, and 21B are formed. The positional information (for example, x, y coordinates) on the wafers 20R, 20G, and 20B that has been performed and the positional information (for example, x, y coordinates) of the mounted chips 21R, 21G, and 21B on the wiring board 100A are mutually connected. The mount data 14D is generated in association with each other and sent to the traceability unit 16 as shown in FIG. .

光学検査部15は、例えば、配線基板100A上にマウントされた複数のチップ21R,21G,21Bの個々の光学特性を計測すると共に、計測対象の配線基板100Aの基板ID(13D)を読み取る装置である。この装置で計測される光学特性は、配線基板100A上にマウントされた個々のチップ21R,21G,21Bにおいてバラつき易いパラメータ、例えば、輝度、波長、色度、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つである。この光学検査部15は、計測した光学特性を、例えば、図8に示したように、計測したチップ21R,21G,21Bの配線基板100A上の位置情報(例えばx,y座標)と関連付け、図1に示したように、検査データ15Dとして基板ID(13D)と共にトレーサビリティ部16に送るようになっている。つまり、光学検査部15は、配線基板100A上の個々のチップ21R,21G,21Bを識別することの可能なユニークな識別情報として、計測対象の配線基板100Aの基板ID(13D)と、個々のチップ21R,21G,21Bの、配線基板100A上での位置情報(例えばx,y座標)とを用いている。   The optical inspection unit 15 is, for example, a device that measures individual optical characteristics of the plurality of chips 21R, 21G, and 21B mounted on the wiring board 100A and reads the board ID (13D) of the wiring board 100A to be measured. is there. The optical characteristics measured by this apparatus are at least one of parameters that are likely to vary in each of the chips 21R, 21G, and 21B mounted on the wiring board 100A, for example, luminance, wavelength, chromaticity, forward voltage, and reverse bias current. One. The optical inspection unit 15 associates the measured optical characteristics with the positional information (for example, x, y coordinates) on the wiring board 100A of the measured chips 21R, 21G, and 21B as shown in FIG. As shown in FIG. 1, the inspection data 15D is sent to the traceability unit 16 together with the substrate ID (13D). That is, the optical inspection unit 15 uses the board ID (13D) of the wiring board 100A to be measured and the individual identification information that can identify the individual chips 21R, 21G, and 21B on the wiring board 100A as well as the individual IDs. Position information (for example, x, y coordinates) on the wiring substrate 100A of the chips 21R, 21G, and 21B is used.

トレーサビリティ部16は、基板ID(13D)と関連付けられた検査データ15Dと、マウントデータ14Dと、ウェハID(10D)と関連付けられた光学特性データ11Dとを互いに関連付けてトレーサビリティデータ16Dを生成するようになっている。これにより、例えば、ある基板ID(13D)の配線基板100A上の位置(x,y)にマウントされたチップ21R,21Gまたは21Bはどのウェハ20R,20G,20B上のどの位置に形成されたものであるか、また、ある基板ID(13D)の配線基板100A上の位置(x,y)にマウントされたチップ21R,21Gまたは21Bの、光学検査部11および光学検査部15において計測された光学特性の結果がどのような内容であったかを知る(追跡する)ことができるようになっている。   The traceability unit 16 associates the inspection data 15D associated with the substrate ID (13D), the mount data 14D, and the optical property data 11D associated with the wafer ID (10D) to generate the traceability data 16D. It has become. Thereby, for example, the chip 21R, 21G or 21B mounted at the position (x, y) on the wiring board 100A of a certain substrate ID (13D) is formed at which position on which wafer 20R, 20G, 20B. Or the optical measured by the optical inspection unit 11 and the optical inspection unit 15 of the chip 21R, 21G or 21B mounted at the position (x, y) on the wiring substrate 100A of a certain substrate ID (13D). It is possible to know (track) what kind of content the result of the characteristic was.

次に、図9を参照して、本実施の形態の光源基板製造装置1を用いて光源基板100を製造する方法の一例について説明する。なお、図9は、光源基板100の製造方法の一例を説明するための流れ図である。   Next, an example of a method of manufacturing the light source substrate 100 using the light source substrate manufacturing apparatus 1 of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a flowchart for explaining an example of a method for manufacturing the light source substrate 100.

まず、ID印刷部11においてウェハID(10D)を印刷したラベルをウェハ20R,20G,20Bに貼付する(ステップS1)。続いて、ラベルを貼付したウェハ20R,20G,20Bを光学検査部11にセットする。また、ID印刷部13において基板ID(13D)を印刷したラベルを各配線基板100Aに貼付し(ステップS2)、ラベルを貼付した各配線基板100Aをマウント部14にセットする。   First, labels printed with the wafer ID (10D) in the ID printing unit 11 are attached to the wafers 20R, 20G, and 20B (step S1). Subsequently, the wafers 20 </ b> R, 20 </ b> G, and 20 </ b> B with labels attached thereto are set in the optical inspection unit 11. Further, a label on which the board ID (13D) is printed in the ID printing unit 13 is attached to each wiring board 100A (step S2), and each wiring board 100A to which the label is attached is set on the mount unit.

次に、光学検査部11において、各ウェハ20R,20G,20B上に形成された複数のチップ21R,21G,21Bの個々の光学特性を計測する(ステップS3)。続いて、計測した光学特性のデータと、計測したチップ21R,21G,21Bのウェハ20R,20G,20B上のウェハ位置情報(x,y座標)とを互いに関連付けて光学特性データ11Dを生成する(ステップS4)。その後、生成した光学特性データ11DとウェハID(10D)とを抽出データ生成部12およびトレーサビリティ部16に送る。   Next, the optical inspection unit 11 measures individual optical characteristics of the plurality of chips 21R, 21G, and 21B formed on the wafers 20R, 20G, and 20B (step S3). Subsequently, the optical characteristic data 11D is generated by associating the measured optical characteristic data with the measured wafer position information (x, y coordinates) on the wafers 20R, 20G, and 20B of the chips 21R, 21G, and 21B. Step S4). Thereafter, the generated optical characteristic data 11D and the wafer ID (10D) are sent to the extraction data generation unit 12 and the traceability unit 16.

次に、抽出データ生成部12において、光学特性データ11Dと、当該光学特性データ11Dが得られたウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)とを元にして、抽出条件12Aに合致するデータに対応するチップ21R,20G,20Bのウェハ位置情報を抽出し、抽出データ12Dを生成する(ステップS5)。その後、生成した抽出データ12DとウェハID(10D)とをマウント部14に送る。   Next, in the extraction data generation unit 12, based on the optical characteristic data 11D and the wafer ID (10D) of the wafers 20R, 20G, and 20B from which the optical characteristic data 11D is obtained, data that matches the extraction condition 12A The wafer position information of the chips 21R, 20G, and 20B corresponding to is extracted, and extracted data 12D is generated (step S5). Thereafter, the generated extraction data 12D and the wafer ID (10D) are sent to the mount unit 14.

次に、マウント部14において、抽出データ12Dに含まれるウェハ位置情報に対応する位置に形成されたチップ21R,21G,21BをウェハID(10D)に対応するウェハ20R,20G,20Bから抜き出し、配線基板100A上に直接マウントする(ステップS6)。   Next, in the mount unit 14, the chips 21R, 21G, and 21B formed at positions corresponding to the wafer position information included in the extracted data 12D are extracted from the wafers 20R, 20G, and 20B corresponding to the wafer ID (10D), and wiring is performed. Mounting directly on the substrate 100A (step S6).

続いて、マウント部14は、各チップ21R,21G,21Bをマウントした配線基板100Aの基板ID(13D)と、マウントした各チップ21R,21G,21Bが形成されていたウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)と、マウントした各チップ21R,21G,21Bのウェハ位置情報と、マウントした各チップ21R,21G,21Bの配線基板100Aでの基板位置情報(x,y座標)とを互いに関連付けてマウントデータ14Dを生成する(ステップS7)。その後、マウントデータ14Dをトレーサビリティ部16に送る。   Subsequently, the mount unit 14 includes the substrate ID (13D) of the wiring substrate 100A on which the chips 21R, 21G, and 21B are mounted, and the wafers 20R, 20G, and 20B on which the mounted chips 21R, 21G, and 21B are formed. The wafer ID (10D), the wafer position information of each mounted chip 21R, 21G, 21B, and the substrate position information (x, y coordinates) of the mounted chips 21R, 21G, 21B on the wiring board 100A are associated with each other. Then, mount data 14D is generated (step S7). Thereafter, the mount data 14D is sent to the traceability unit 16.

次に、光学検査部15において、配線基板100A上にマウントされた複数のチップ21R,21G,21Bの個々の光学特性を計測すると共に、計測対象の配線基板100Aの基板ID(13D)を読み取る(ステップS8)。続いて、計測した光学特性のデータと、計測したチップ21R,21G,21Bの基板位置情報とを互いに関連付けて検査データ15Dを生成する(ステップS9)。その後、検査データ15Dと基板ID(13D)とをトレーサビリティ部16に送る。   Next, the optical inspection unit 15 measures individual optical characteristics of the plurality of chips 21R, 21G, and 21B mounted on the wiring board 100A and reads the board ID (13D) of the wiring board 100A to be measured ( Step S8). Subsequently, inspection data 15D is generated by associating the measured optical characteristic data with the measured substrate position information of the chips 21R, 21G, and 21B (step S9). Thereafter, the inspection data 15D and the substrate ID (13D) are sent to the traceability unit 16.

次に、トレーサビリティ部16において、基板ID(13D)と関連付けられた検査データ15Dと、マウントデータ14Dと、ウェハID(10D)と関連付けられた光学特性データ11Dとを互いに関連付けてトレーサビリティデータ16Dを生成する(ステップS10)。   Next, the traceability unit 16 generates the traceability data 16D by associating the inspection data 15D associated with the substrate ID (13D), the mount data 14D, and the optical characteristic data 11D associated with the wafer ID (10D) with each other. (Step S10).

ところで、従来から、発光ダイオードの選別方法として、ウェハ20R,20G,20B上に形成されたチップ21R,21G,21Bの全てに対して外観検査や光学特性の計測を実施し、その結果、良品と判定されたチップ21R,21G,21Bを光学特性の観点からランキングし、ランクごとにトレー(またはシート)に一旦載せ換え、さらに、トレー(またはシート)から、例えば各チップ21R,21G,21Bを配線基板100Aよりも小さな基板上にマウントし、マウントしたチップ21R,21G,21B上に光学レンズを装着してサブユニット(図示せず)を形成し、サブユニット中の各チップ21R,21G,21Bの光学特性を計測し、その結果、良品と判定されたサブユニットを光学特性の観点からランキングし、ランクごとにサブユニットを分類する方法が一般的に用いられている。   Conventionally, as a method of selecting light emitting diodes, appearance inspection and measurement of optical characteristics have been performed on all of the chips 21R, 21G, and 21B formed on the wafers 20R, 20G, and 20B. The determined chips 21R, 21G, and 21B are ranked from the viewpoint of optical characteristics, are temporarily placed on a tray (or sheet) for each rank, and, for example, each chip 21R, 21G, and 21B is wired from the tray (or sheet). Mounted on a substrate smaller than the substrate 100A, an optical lens is mounted on the mounted chips 21R, 21G, and 21B to form subunits (not shown), and the chips 21R, 21G, and 21B in the subunits are formed. Measure the optical characteristics, and as a result, the subunits that are determined to be non-defective are ranked in terms of optical characteristics, How to classify the sub-unit is generally used for each link.

この方法では、ランクごとにチップ21R,21G,21Bやサブユニットが現時点でいくつあるかを容易に把握することができるので、在庫管理し易い。また、チップ21R,21G,21Bを配線基板100A上にマウントする前のサブユニットの段階であれば、不良のチップ21R,21G,21Bをリワークすることが容易である。それゆえ、光源として発光ダイオードを用いる場合には、この方法を用いて得られたサブユニットを配線基板100Aにマウントして光源基板100を形成することが一般的に行われている。   In this method, since it is possible to easily grasp how many chips 21R, 21G, and 21B and subunits are present for each rank, inventory management is easy. Further, if the chips 21R, 21G, and 21B are in the subunit stage before being mounted on the wiring board 100A, it is easy to rework defective chips 21R, 21G, and 21B. Therefore, when a light-emitting diode is used as a light source, it is a general practice to form the light source substrate 100 by mounting the subunit obtained by this method on the wiring substrate 100A.

しかし、この方法では、各ランクの範囲を狭くし過ぎるとランクの数が膨大となってしまい、無駄が多くなってしまうので、各ランクの範囲はある程度広めに設定されている。そのため、ひとたびスペックの厳しい高性能な光源基板100を形成しようとすると、ランク分けされたサブユニットをさらに選別することが必要となり、工程数が多くなってしまう。また、この方法では、光源基板100の部品であるサブユニットをランクごとに作製し、それを在庫しておかないといけないので、在庫数が多くなってしまう。   However, in this method, if the range of each rank is too narrow, the number of ranks becomes enormous and waste increases, so the range of each rank is set to be somewhat wide. For this reason, once it is attempted to form a high-performance light source substrate 100 with strict specifications, it is necessary to further select the ranked subunits, which increases the number of processes. Further, in this method, since the subunits that are parts of the light source substrate 100 must be produced for each rank and stocked, the number of stocks increases.

一方、本実施の形態の光源基板製造装置1を用いた光源基板100の製造方法では、ウェハ20R,20G,20B上に形成された複数のチップ21R,21G,21Bの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データ11Dと、当該光学特性データ11Dが得られたウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)とを元にして、抽出条件12Aに合致するデータに対応するチップ21R,21G,21Bが配線基板100A上に直接マウントされる。つまり、光源基板100の中間部品であるサブユニットを作製しないで、抽出条件12Aに合致するチップ21R,21G,21Bが配線基板100A上に直接マウントされる。   On the other hand, in the method of manufacturing the light source substrate 100 using the light source substrate manufacturing apparatus 1 of the present embodiment, individual optical characteristics of the plurality of chips 21R, 21G, and 21B formed on the wafers 20R, 20G, and 20B are measured. Based on the optical characteristic data 11D obtained in this way and the wafer IDs (10D) of the wafers 20R, 20G, and 20B from which the optical characteristic data 11D was obtained, the chips 21R corresponding to the data meeting the extraction condition 12A, 21G and 21B are directly mounted on the wiring board 100A. That is, chips 21R, 21G, and 21B that meet the extraction condition 12A are directly mounted on the wiring board 100A without producing a subunit that is an intermediate part of the light source board 100.

これにより、個々のウェハ20R,20G,20Bを在庫するだけでよく、ウェハ20R,20G,20Bよりも膨大な数になり得るサブユニットを在庫する必要がないので、在庫数を減らすことができる。また、抽出条件12Aの設定によって、スペックの厳しい高性能な光源基板100を形成することも可能であることから、ランク分けする必要がない。これにより、ランク分けに必要な分だけ工程数を減らすことができる。   Thereby, it is only necessary to stock the individual wafers 20R, 20G, and 20B, and it is not necessary to stock the subunits that can be enormous in number compared to the wafers 20R, 20G, and 20B, so that the number of stocks can be reduced. Further, since the high-performance light source substrate 100 with strict specifications can be formed by setting the extraction condition 12A, there is no need to rank. Thereby, the number of processes can be reduced by the amount necessary for ranking.

なお、各チップ21R,21G,21Bと光学特性データ11Dとの対応関係を保存することが可能な場合には、チップ21R,21G,21Bをウェハ20R,20G,20B上に配置した状態で在庫する代わりに、ロット単位にまとめたり、トレー(またはシート)ごとにまとめた状態で在庫してもよい。この場合には、これらの作業が別途必要となるが、従来は、チップ21R,21G,21Bおよびサブユニットをランク分けしていたのであるから、従来よりは工程数を減らすことができる。従って、本実施の形態では、工程数および在庫数を最小限に抑えつつ高性能な光源基板100を製造することが可能である。   If the correspondence between the chips 21R, 21G, and 21B and the optical characteristic data 11D can be stored, the chips 21R, 21G, and 21B are stocked while being arranged on the wafers 20R, 20G, and 20B. Instead, they may be collected in units of lots or in a state of being collected for each tray (or sheet). In this case, these operations are separately required, but conventionally, since the chips 21R, 21G, and 21B and the subunits are ranked, the number of steps can be reduced as compared with the conventional case. Therefore, in the present embodiment, it is possible to manufacture the high-performance light source substrate 100 while minimizing the number of processes and the number of inventory.

また、従来は、あるバックライト装置内の一の発光ダイオードに不具合が発見された場合に、その不具合の内容によっては、その発光ダイオードが製造されたウェハで製造された他の発光ダイオードにも同様の不具合が生じる可能性が高いときがある。しかし、上記のようにしてサブユニットを形成し、ランクごとに分類したサブユニットを用いて形成された複数の光源基板を筐体内に配置してバックライト装置を製造したときには、製造過程でチップやサブユニットがランク分けされている関係上、不具合の生じた発光ダイオードが製造されたウェハを追跡することは容易ではない。そのため、従来は、どの液晶表示装置で同様の不具合が生じ得るかを正確に把握することが困難であった。   Conventionally, when a defect is found in one light emitting diode in a certain backlight device, depending on the content of the defect, the same applies to other light emitting diodes manufactured on the wafer on which the light emitting diode is manufactured. There are times when there is a high possibility that a malfunction will occur. However, when a backlight device is manufactured by forming subunits as described above and arranging a plurality of light source substrates formed using subunits classified by rank in a housing, chips or Due to the fact that the subunits are ranked, it is not easy to track the wafer on which the defective light emitting diode is manufactured. Therefore, conventionally, it has been difficult to accurately grasp which liquid crystal display device can cause the same problem.

一方、本実施の形態の光源基板製造装置1を用いた光源基板100の製造方法では、個々のウェハ20R,20G,20BにはウェハごとにユニークなウェハID(10D)が与えられ、また、個々の配線基板100Aには、配線基板100Aごとにユニークな基板ID(13D)が与えられており、さらに、基板ID(13D)と関連付けられた検査データ15Dと、マウントデータ14Dと、ウェハID(10D)と関連付けられた光学特性データ11Dとを互いに関連付けたトレーサビリティデータ16Dが生成されている。これにより、例えば、ある基板ID(13D)の配線基板100A上の位置(x,y)にマウントされたチップ21R,21Gまたは21Bはどのウェハ20R,20G,20B上のどの位置に形成されたものであるか、また、ある基板ID(13D)の配線基板100A上の位置(x,y)にマウントされたチップ21R,21Gまたは21Bの、光学検査部11および光学検査部15において計測された光学特性の結果がどのような内容であったかを追跡することができる。従って、本実施の形態では、あるバックライト装置内の一の発光ダイオードに不具合が発見された場合に、どの液晶表示装置で同様の不具合が生じ得るかを正確に把握することが可能である。   On the other hand, in the method of manufacturing the light source substrate 100 using the light source substrate manufacturing apparatus 1 of the present embodiment, each wafer 20R, 20G, 20B is given a unique wafer ID (10D) for each wafer. Each wiring board 100A is given a unique board ID (13D), and further, inspection data 15D associated with the board ID (13D), mount data 14D, and wafer ID (10D). ) And the traceability data 16D associated with the optical characteristic data 11D associated therewith. Thereby, for example, the chip 21R, 21G or 21B mounted at the position (x, y) on the wiring board 100A of a certain substrate ID (13D) is formed at which position on which wafer 20R, 20G, 20B. Or the optical measured by the optical inspection unit 11 and the optical inspection unit 15 of the chip 21R, 21G or 21B mounted at the position (x, y) on the wiring substrate 100A of a certain substrate ID (13D). It is possible to track what the result of the characteristic was. Therefore, in this embodiment, when a defect is found in one light emitting diode in a certain backlight device, it is possible to accurately grasp which liquid crystal display device can cause the same defect.

[適用例]
次に、上記実施の形態の光源基板製造装置1を用いて製造された光源基板100を適用した液晶表示装置600について説明する。
[Application example]
Next, a liquid crystal display device 600 to which the light source substrate 100 manufactured using the light source substrate manufacturing apparatus 1 of the above embodiment is applied will be described.

図10は、本適用例に係る液晶表示装置600の分解斜視図を表したものである。この液晶表示装置600は、液晶表示パネル500と、この液晶表示パネル500の背後に配置されたバックライト装置400と、液晶表示パネル500を駆動して映像を表示させるための駆動回路(図示せず)とを備えており、液晶表示パネル500の表面が観察者(図示せず)側に向けられている。   FIG. 10 is an exploded perspective view of the liquid crystal display device 600 according to this application example. The liquid crystal display device 600 includes a liquid crystal display panel 500, a backlight device 400 disposed behind the liquid crystal display panel 500, and a drive circuit (not shown) for driving the liquid crystal display panel 500 to display an image. ), And the surface of the liquid crystal display panel 500 is directed toward the observer (not shown).

液晶表示パネル500は、例えば、映像信号に応じて各画素が駆動される透過型の表示パネルであり、液晶層を一対の透明基板で挟み込んだ構造となっている。具体的には、観察者側から順に、偏光板と、透明基板と、カラーフィルタと、透明電極と、配向膜と、液晶層と、配向膜と、透明画素電極と、透明基板と、偏光板とを有している。   The liquid crystal display panel 500 is, for example, a transmissive display panel in which each pixel is driven in accordance with a video signal, and has a structure in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of transparent substrates. Specifically, in order from the observer side, a polarizing plate, a transparent substrate, a color filter, a transparent electrode, an alignment film, a liquid crystal layer, an alignment film, a transparent pixel electrode, a transparent substrate, and a polarizing plate And have.

ここで、透明基板は、一般に、可視光に対して透明な基板である。なお、バックライト装置400側の透明基板には、透明画素電極に電気的に接続された駆動素子としてのTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)および配線などを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。カラーフィルタは、バックライト装置400からの射出光を例えば、赤(R)、緑(G)および青(B)の三原色にそれぞれ色分離するためのカラーフィルタを配列して形成されている。透明電極は、例えばITO(Indium Tin Oxide;酸化インジウムスズ)からなり、共通の対向電極として機能する。配向膜は、例えばポリイミドなどの高分子材料からなり、液晶に対して配向処理を行う。液晶層は、例えばVA(Virtical Alignment)モード、TN(Twisted Nematic)モード、またはSTN(Super TwistedNematic)モードの液晶からなり、図示しない駆動回路からの印加電圧により、バックライト装置400からの射出光を各画素ごとに透過または遮断する機能を有している。透明画素電極は、例えばITOからなり、各画素ごとの電極として機能する。一対の偏光板は、光学シャッタの一種であり、ある一定の振動方向の光(偏光)のみを通過させる。これら一対の偏光板はそれぞれ、偏光軸が互いに90度異なるように配置されており、これによりバックライト装置400からの射出光が、液晶層を介して透過し、あるいは遮断されるようになっている。   Here, the transparent substrate is generally a substrate transparent to visible light. Note that an active driving circuit including a TFT (Thin Film Transistor) as a driving element electrically connected to the transparent pixel electrode and wiring is formed on the transparent substrate on the backlight device 400 side. . The color filter is formed by arranging color filters for separating light emitted from the backlight device 400 into, for example, three primary colors of red (R), green (G), and blue (B). The transparent electrode is made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) and functions as a common counter electrode. The alignment film is made of, for example, a polymer material such as polyimide, and performs an alignment process on the liquid crystal. The liquid crystal layer is made of, for example, a liquid crystal in a VA (Virtical Alignment) mode, a TN (Twisted Nematic) mode, or an STN (Super Twisted Nematic) mode. Each pixel has a function of transmitting or blocking. The transparent pixel electrode is made of, for example, ITO and functions as an electrode for each pixel. The pair of polarizing plates is a kind of optical shutter, and allows only light in a certain vibration direction (polarized light) to pass therethrough. Each of the pair of polarizing plates is disposed so that the polarization axes thereof are different from each other by 90 degrees, whereby the light emitted from the backlight device 400 is transmitted or blocked through the liquid crystal layer. Yes.

また、バックライト装置400は、筐体200内に2次元配列された複数の光源基板100上に光学シート300が配置されたものであり、液晶表示パネル500を背後から照明する面光源である。   The backlight device 400 is a surface light source in which the optical sheet 300 is arranged on a plurality of light source substrates 100 two-dimensionally arranged in the housing 200 and illuminates the liquid crystal display panel 500 from behind.

ここで、光学シート300は、例えば、拡散板、拡散シート、プリズムシート、反射型偏光シートなどが光源基板100側から順に配置されたものである。拡散板および拡散シートは、光源基板100から射出された光の輝度むらおよび色むらを低減するためのものであり、拡散板は、例えば比較的厚手の板状の透明樹脂の内部に拡散材(フィラ)を分散して形成されており、拡散シートは、例えば比較的薄手のフィルム状の透明樹脂上に拡散材を含む透明樹脂(バインダ)を塗布して形成されている。プリズムシートは、正面輝度を向上させるためのものであり、例えば、複数の柱状プリズムが光射出側の面内の一の方向に延在すると共に、延在方向と交差する方向に連続的に並列配置されている。反射型偏光シートは、光利用効率を高めるためのものであり、例えば、屈折率異方性を有する複数の柱状プリズムが光射出側の面内の一の方向に延在すると共に、延在方向と交差する方向に連続的に並列配置されている。   Here, the optical sheet 300 includes, for example, a diffusion plate, a diffusion sheet, a prism sheet, a reflective polarizing sheet, and the like arranged in order from the light source substrate 100 side. The diffusion plate and the diffusion sheet are for reducing luminance unevenness and color unevenness of the light emitted from the light source substrate 100. The diffusion plate is, for example, a diffusion material (inside a relatively thick plate-like transparent resin). The diffusion sheet is formed, for example, by applying a transparent resin (binder) containing a diffusion material on a relatively thin film-like transparent resin. The prism sheet is for improving the front brightness. For example, a plurality of columnar prisms extend in one direction in the surface on the light emission side, and are continuously parallel in a direction intersecting the extending direction. Has been placed. The reflective polarizing sheet is for increasing the light utilization efficiency. For example, a plurality of columnar prisms having refractive index anisotropy extend in one direction in the plane on the light exit side, and the extending direction. Are arranged in parallel continuously in the direction intersecting with.

また、筐体200は、光源基板100と光学シート300との間隙を一定に維持すると共に、光源基板100から生じる熱を放散するためのものである。また、光源基板100は、上記実施形態の光源基板製造装置1を用いて製造されたものである。   The housing 200 is for maintaining a constant gap between the light source substrate 100 and the optical sheet 300 and dissipating heat generated from the light source substrate 100. The light source substrate 100 is manufactured using the light source substrate manufacturing apparatus 1 of the above embodiment.

ところで、本適用例に係る液晶表示装置600では、バックライト装置400および液晶表示装置600の少なくとも一方に、個々のバックライト装置400または液晶表示装置600を識別するユニークなIDが付与されており、そのIDと、液晶表示装置600に搭載される各光源基板100内の配線基板100Aに付与された基板ID(10D)とを互いに関連付けた生産データを、例えば組み立て工程において生成している。なお、液晶表示装置600に搭載される各光源基板100に対して個々の光源基板100を識別するユニークなIDが配線基板100Aと関連付けて付与されている場合には、個々のバックライト装置400または液晶表示装置600を識別するユニークなIDと、個々の光源基板100を識別するユニークなIDとを互いに関連付けた生産データを生成してもよい。   By the way, in the liquid crystal display device 600 according to this application example, a unique ID for identifying each backlight device 400 or the liquid crystal display device 600 is given to at least one of the backlight device 400 and the liquid crystal display device 600. Production data in which the ID and the board ID (10D) given to the wiring board 100A in each light source board 100 mounted on the liquid crystal display device 600 are associated with each other is generated, for example, in an assembly process. When a unique ID for identifying each light source substrate 100 is given to each light source substrate 100 mounted on the liquid crystal display device 600 in association with the wiring substrate 100A, each backlight device 400 or Production data in which a unique ID for identifying the liquid crystal display device 600 and a unique ID for identifying each light source substrate 100 are associated with each other may be generated.

このような構成の液晶表示装置600では、バックライト装置400において、光源基板100から射出された各色光の光路が光学シート300によって混ざり合い、輝度むらおよび色むらが低減されると共に、正面輝度および視野角などが調整された白色光が、液晶表示パネル500を背後から照明する。   In the liquid crystal display device 600 having such a configuration, in the backlight device 400, the optical paths of the respective color lights emitted from the light source substrate 100 are mixed by the optical sheet 300, and the luminance unevenness and the color unevenness are reduced. White light whose viewing angle is adjusted illuminates the liquid crystal display panel 500 from behind.

そして液晶パネル20において、バックライト装置400からの照明光が、透明画素電極と対向電極との間に画素ごとに印加された電圧の大きさに応じて透過し、カラーフィルタによって色分離して観察側に射出する。これにより、カラーの画像表示が行われる。   In the liquid crystal panel 20, the illumination light from the backlight device 400 is transmitted according to the magnitude of the voltage applied to each pixel between the transparent pixel electrode and the counter electrode, and is color-separated and observed by the color filter. Inject to the side. Thereby, a color image display is performed.

ところで、本適用例に係る液晶表示装置600では、上記実施の形態の光源基板製造装置1で製造された光源基板100が用いられているので、光源基板100にはサブユニットが用いられていない。これにより、照明光の輝度の均一性や単色性などのスペックの厳しい高性能な液晶表示装置600に搭載する光源基板100を製造する際に、サブユニットを選別する必要がなくなり、抽出条件12Aの設定を厳しくするだけでよくなる。従って、スペックの厳しい高性能な液晶表示装置600を容易に製造することができる。   By the way, in the liquid crystal display device 600 according to this application example, the light source substrate 100 manufactured by the light source substrate manufacturing apparatus 1 of the above embodiment is used, and therefore, no subunit is used for the light source substrate 100. As a result, when manufacturing the light source substrate 100 to be mounted on the high-performance liquid crystal display device 600 having strict specifications such as luminance uniformity and monochromaticity of illumination light, it is not necessary to select a subunit, and the extraction condition 12A Just tighten the settings. Therefore, a high-performance liquid crystal display device 600 with strict specifications can be easily manufactured.

また、本適用例では、光源基板100を製造する際に、トレーサビリティデータ16Dが生成されており、さらに、バックライト装置400および液晶表示装置600の少なくとも一方のIDと、液晶表示装置600に搭載される各光源基板100のIDまたは各光源基板100内の配線基板100Aの基板ID(13D)とを互いに関連付けた生産データが生成されている。これにより、バックライト装置400や液晶表示装置600を製造した後に、生産工場内や市場において、あるバックライト装置内の一の発光ダイオードに不具合が発見された場合に、トレーサビリティデータ16Dおよび生産データを参照することにより、例えば、発見された不良の発光ダイオードが形成されたウェハと同じウェハで形成された発光ダイオードがマウントされた光源基板100が搭載されたバックライト装置400や液晶表示装置600を特定することが可能となる。従って、あるバックライト装置内の一の発光ダイオードに不具合が発見された場合に、どのバックライト装置400や液晶表示装置で同様の不具合が生じ得るかを正確に把握することが可能である。   In this application example, the traceability data 16D is generated when the light source substrate 100 is manufactured, and is further mounted on the liquid crystal display device 600 and at least one ID of the backlight device 400 and the liquid crystal display device 600. Production data in which the ID of each light source substrate 100 or the substrate ID (13D) of the wiring substrate 100A in each light source substrate 100 is associated with each other is generated. Thereby, after manufacturing the backlight device 400 and the liquid crystal display device 600, when a defect is found in one light emitting diode in a certain backlight device in a production factory or market, the traceability data 16D and the production data are stored. By referring to, for example, the backlight device 400 or the liquid crystal display device 600 on which the light source substrate 100 mounted with the light emitting diode formed on the same wafer as the wafer on which the detected defective light emitting diode is formed is specified. It becomes possible to do. Therefore, when a failure is found in one light emitting diode in a certain backlight device, it is possible to accurately grasp which backlight device 400 or liquid crystal display device may have the same failure.

以上、実施の形態および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。   While the present invention has been described with the embodiments and application examples, the present invention is not limited to these embodiments and the like, and various modifications are possible.

例えば、上記実施の形態等では、光源として三原色(赤、緑、青)の発光ダイオードを用いていたが、例えば白色の発光ダイオードを用いてもよい。   For example, in the above-described embodiment and the like, the light emitting diodes of the three primary colors (red, green, and blue) are used as the light source. However, for example, a white light emitting diode may be used.

本発明の一実施の形態に係る光源基板製造装置の機能ブロック図である。It is a functional block diagram of the light source board | substrate manufacturing apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 光源基板の製造方法について説明した流れ図である。It is the flowchart explaining the manufacturing method of the light source substrate. 各色用のウェハの斜視図である。It is a perspective view of the wafer for each color. 光学特性データについて説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating optical characteristic data. 光学特性データから抽出データを抽出する方法について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the method of extracting extraction data from optical characteristic data. チップをウェハから配線基板上に直接マウントする様子を表した模式図である。It is the schematic diagram showing a mode that a chip | tip is directly mounted on a wiring board from a wafer. 光源基板の平面構成図である。It is a plane block diagram of a light source substrate. マウントデータについて説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating mount data. 検査データについて説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating inspection data. 光源基板を備えた液晶表示装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the liquid crystal display device provided with the light source substrate.

符号の説明Explanation of symbols

1…光源基板製造装置、10,13…ID印刷部、10D…ウェハID、11,15…光学検査部、11D…光学特性データ、12…抽出データ生成部、12A…抽出条件、12D…抽出データ、13D…基板ID、14…マウント部、14D…マウントデータ、15…光学検査部、15D…検査データ、16…トレーサビリティ部、20R,20G,20B…ウェハ、21R,21G,21B…チップ、100…光源基板、100A…配線基板、200…筐体、300…光学シート、400…バックライト、500…液晶表示パネル、600…液晶表示装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light source substrate manufacturing apparatus, 10, 13 ... ID printing part, 10D ... Wafer ID, 11, 15 ... Optical inspection part, 11D ... Optical characteristic data, 12 ... Extraction data generation part, 12A ... Extraction condition, 12D ... Extraction data , 13D ... substrate ID, 14 ... mount part, 14D ... mount data, 15 ... optical inspection part, 15D ... inspection data, 16 ... traceability part, 20R, 20G, 20B ... wafer, 21R, 21G, 21B ... chip, 100 ... Light source substrate, 100A ... wiring substrate, 200 ... casing, 300 ... optical sheet, 400 ... backlight, 500 ... liquid crystal display panel, 600 ... liquid crystal display device.

Claims (5)

表示装置のバックライトに用いられる光源基板の製造方法であって、
ウェハ上に形成されたチップ状の複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致するデータに対応する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントすることにより光源基板を製造するマウント工程を含み、
前記光学特性データは、個々の発光ダイオードの前記ウェハでの位置情報と、光出力、波長、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つとを含み、
前記ウェハには、ウェハごとにユニークなウェハ識別情報が与えられており、
前記マウント工程において、前記光学特性データと、当該光学特性データが得られたウェハのウェハ識別情報とを元にして、前記発光ダイオードを前記配線基板上に直接マウントする
光源基板の製造方法。
A method of manufacturing a light source substrate used in a backlight of a display device ,
Based on the optical characteristics data obtained by measuring the individual optical properties of the formed chip-shaped plurality of light emitting diodes on the web wafer, a light emitting diode corresponding to the data that matches the extraction condition wiring substrate look including the mounting step of producing a light source substrate by mounting directly to,
The optical property data includes position information of the individual light emitting diodes on the wafer and at least one of light output, wavelength, forward voltage, and reverse bias current,
The wafer is given unique wafer identification information for each wafer,
A method of manufacturing a light source substrate, wherein in the mounting step, the light emitting diode is directly mounted on the wiring substrate based on the optical characteristic data and wafer identification information of the wafer from which the optical characteristic data is obtained .
前記配線基板には、配線基板ごとにユニークな基板識別情報が与えられており、
前記マウント工程において前記発光ダイオードを前記配線基板上に直接マウントした後に、前記発光ダイオードがマウントされた配線基板の基板識別情報と、マウントした発光ダイオードが形成されていたウェハのウェハ識別情報と、マウントした発光ダイオードが形成されていたウェハでの位置情報と、マウントした発光ダイオードの配線基板での位置情報とを互いに関連付けてマウントデータを生成するマウントデータ生成工程を含
請求項に記載の光源基板の製造方法。
The wiring board is given unique board identification information for each wiring board,
After mounting the light emitting diode directly on the wiring substrate in the mounting step, substrate identification information of the wiring substrate on which the light emitting diode is mounted, wafer identification information on the wafer on which the mounted light emitting diode is formed, and mounting light source according the position information of the wafer in which the light emitting diode has been formed that, the mounting data generating step of generating mounting data in association with each other and the position information of the wiring board of the mounted light emitting diode including claim 1 A method for manufacturing a substrate.
前記マウント工程において前記発光ダイオードを前記配線基板上に直接マウントした後に前記配線基板上の各発光ダイオードの光学特性を計測して得られた検査データと、前記マウントデータと、前記光学特性データとを互いに関連付けてトレーサビリティデータを生成するトレーサビリティデータ生成工程を含
請求項に記載の光源基板の製造方法。
Inspection data obtained by measuring optical characteristics of each light emitting diode on the wiring board after the light emitting diode is directly mounted on the wiring board in the mounting step, the mount data, and the optical characteristic data. manufacturing method of the light source substrate according traceability data generation step of generating the traceability data to including claim 2 in association with each other.
前記検査データは、個々の発光ダイオードの前記配線基板での位置情報と、輝度、波長、色度、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つとを含
請求項に記載の光源基板の製造方法。
The inspection data includes position information in the wiring substrate of the individual light emitting diodes, luminance, wavelength, chromaticity, the manufacture of the light source substrate according to at least one of the forward voltage and the reverse bias current to including claim 3 Method.
表示装置のバックライトに用いられる光源基板を製造する光源基板製造装置であって、
ウェハ上に形成されたチップ状の複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致するデータに対応する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントすることにより光源基板を製造するマウント部を備え、
前記光学特性データは、個々の発光ダイオードの前記ウェハでの位置情報と、光出力、波長、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つとを含み、
前記ウェハには、ウェハごとにユニークなウェハ識別情報が与えられており、
前記マウント部は、前記光学特性データと、当該光学特性データが得られたウェハのウェハ識別情報とを元にして、前記発光ダイオードを前記配線基板上に直接マウントする
光源基板製造装置。
A light source substrate manufacturing apparatus for manufacturing a light source substrate used for a backlight of a display device ,
Based on the optical characteristics data obtained by measuring the individual optical properties of a plurality of light emitting diodes formed on a wafer chip-like, the light emitting diode corresponding to the data that matches the extraction condition on the wiring substrate Provided with a mounting part for manufacturing the light source substrate by direct mounting,
The optical property data includes position information of the individual light emitting diodes on the wafer and at least one of light output, wavelength, forward voltage, and reverse bias current,
The wafer is given unique wafer identification information for each wafer,
The mount unit is a light source board manufacturing apparatus for directly mounting the light emitting diode on the wiring board based on the optical characteristic data and wafer identification information of the wafer from which the optical characteristic data is obtained .
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