JP5135865B2 - Light source substrate manufacturing method and light source substrate manufacturing apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、液晶表示パネル等に光を照射するバックライト装置に内蔵される光源基板の製造方法および光源基板製造装置に関する。 The present invention relates to a light source substrate manufacturing method and a light source substrate manufacturing apparatus built in a backlight device that irradiates light to a liquid crystal display panel or the like.
現在、液晶表示装置では、透過型の液晶表示パネルを背面側からバックライト装置で照明することにより画像を表示させる方式が主流となっている。このバックライト装置の光源としては、CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)といった蛍光ランプが多く用いられているが、最近では、CCFLよりも高輝度で低消費電力の発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)がCCFLに代わって用いられるようになってきている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、発光ダイオードでは、CCFLよりも個体ごとに輝度や波長などが特にばらつき易く、バックライト装置における輝度むらや色むらの原因となることから、例えば輝度や波長などの特性が均一な発光ダイオードを選別することが必要となる。 However, in the light emitting diode, the brightness and wavelength are more likely to vary from individual to individual than the CCFL, which causes uneven brightness and color unevenness in the backlight device. For example, a light emitting diode with uniform characteristics such as brightness and wavelength is used. It is necessary to sort.
発光ダイオードの選別方法として、例えば、ウェハ上に形成されたチップ状の発光ダイオード(以下、適宜「チップ」と称する。)の全てに対して外観検査や光学特性の計測を実施し、その結果、良品と判定されたチップを光学特性の観点からランキングし、ランクごとにトレー(またはシート)に一旦載せ換え、さらに、トレー(またはシート)から、例えば1または複数種類のチップを基板上にマウントし、マウントしたチップ上に光学レンズを装着してサブユニットを形成し、サブユニット中の各チップの光学特性を計測し、その結果、良品と判定されたサブユニットを光学特性の観点からランキングし、ランクごとにサブユニットを分類する方法がある。 As a selection method of light emitting diodes, for example, appearance inspection and measurement of optical characteristics are performed on all chip-shaped light emitting diodes (hereinafter referred to as “chips”) formed on a wafer, and as a result, Chips judged as non-defective are ranked from the viewpoint of optical characteristics, and are temporarily placed on a tray (or sheet) for each rank, and one or more types of chips are mounted on the substrate from the tray (or sheet). , Mount an optical lens on the mounted chip to form a subunit, measure the optical characteristics of each chip in the subunit, and as a result, rank the subunits determined to be non-defective from the viewpoint of optical characteristics, There is a method of classifying subunits by rank.
この方法では、ランクごとにチップやサブユニットが現時点でいくつあるかを容易に把握することができるので、在庫管理し易い。また、発光ダイオードを配線基板上にマウントする前のサブユニットの段階であれば、不良の発光ダイオードをリワークすることが容易である。それゆえ、光源として発光ダイオードを用いる場合には、この方法を用いて得られたサブユニットを配線基板にマウントして光源基板を形成することが一般的に行われている。 In this method, since it is possible to easily grasp how many chips and subunits are present for each rank, inventory management is easy. In addition, it is easy to rework a defective light emitting diode at the stage of the subunit before the light emitting diode is mounted on the wiring board. Therefore, when a light-emitting diode is used as a light source, it is a common practice to form a light source substrate by mounting a subunit obtained using this method on a wiring substrate.
しかし、上記の方法では、各ランクの範囲を狭くし過ぎるとランクの数が膨大となってしまい、無駄が多くなってしまうので、各ランクの範囲はある程度広めに設定されている。そのため、ひとたびスペックの厳しい高性能な光源基板を形成しようとすると、ランク分けされたサブユニットをさらに選別することが必要となり、工程数が多くなってしまう。また、上記の方法では、光源基板の部品であるサブユニットをランクごとに作製し、それを在庫しておかないといけないので、在庫数が多くなってしまう。 However, in the above-described method, if the range of each rank is too narrow, the number of ranks becomes enormous and waste increases. Therefore, the range of each rank is set to be somewhat wide. For this reason, once it is attempted to form a high-performance light source substrate with strict specifications, it is necessary to further select the ranked subunits, which increases the number of processes. Further, in the above method, since the subunits that are parts of the light source substrate must be produced for each rank and kept in stock, the number of stocks increases.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、工程数および在庫数を最小限に抑えつつ高性能な光源基板を製造することの可能な光源基板の製造方法および光源基板製造装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object thereof is to manufacture a light source substrate and a light source substrate manufacturing method capable of manufacturing a high-performance light source substrate while minimizing the number of processes and the number of stocks. To provide an apparatus.
本発明の光源基板の製造方法は、ウェハ上に形成されたチップ状の複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致するデータに対応する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントすることにより光源基板を製造するマウント工程を含むものである。光学特性データは、個々の発光ダイオードの前記ウェハでの位置情報と、光出力、波長、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つとを含んでいる。ウェハには、ウェハごとにユニークなウェハ識別情報が与えられている。マウント工程において、光学特性データと、当該光学特性データが得られたウェハのウェハ識別情報とを元にして、発光ダイオードを配線基板上に直接マウントする。 Manufacturing method of the light source substrate of the present invention, based on the optical characteristics data obtained by measuring the individual optical properties of a plurality of light emitting diodes of U E c on which is formed in a chip shape, matching the extraction conditions The method includes a mounting step of manufacturing a light source substrate by directly mounting a light emitting diode corresponding to data on a wiring substrate. The optical property data includes position information of the individual light emitting diodes on the wafer and at least one of light output, wavelength, forward voltage, and reverse bias current. The wafer is given unique wafer identification information for each wafer. In the mounting step, the light emitting diode is directly mounted on the wiring board based on the optical characteristic data and the wafer identification information of the wafer from which the optical characteristic data is obtained.
本発明の光源基板製造装置は、ウェハ上に形成されたチップ状の複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致するデータに対応する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントすることにより光源基板を製造するマウント部を備えたものである。光学特性データは、個々の発光ダイオードの前記ウェハでの位置情報と、光出力、波長、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つとを含んでいる。ウェハには、ウェハごとにユニークなウェハ識別情報が与えられている。マウント工程において、光学特性データと、当該光学特性データが得られたウェハのウェハ識別情報とを元にして、発光ダイオードを配線基板上に直接マウントする。 The light source substrate manufacturing apparatus of the present invention, based on the optical characteristics data obtained by measuring the individual optical properties of a plurality of light emitting diodes of U E c on which is formed in a chip shape, matching the extraction condition data A light emitting diode corresponding to the above is directly mounted on the wiring substrate, and a light source substrate is manufactured . The optical property data includes position information of the individual light emitting diodes on the wafer and at least one of light output, wavelength, forward voltage, and reverse bias current. The wafer is given unique wafer identification information for each wafer. In the mounting step, the light emitting diode is directly mounted on the wiring board based on the optical characteristic data and the wafer identification information of the wafer from which the optical characteristic data is obtained.
本発明の光源基板の製造方法および光源基板製造装置では、ウェハ上に形成された複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントする。つまり、光源基板の中間部品であるサブユニットを作製しないで、抽出条件に合致する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントする。 In the light source substrate manufacturing method and the light source substrate manufacturing apparatus according to the present invention, the extraction conditions are met based on optical characteristic data obtained by measuring individual optical characteristics of a plurality of light emitting diodes formed on the wafer. The light emitting diode is mounted directly on the wiring board. That is, a light emitting diode that meets the extraction conditions is directly mounted on the wiring board without producing a subunit that is an intermediate part of the light source board.
本発明の光源基板の製造方法および光源基板製造装置によれば、光源基板の中間部品であるサブユニットを作製しないで、抽出条件に合致する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントするようにしたので、ウェハを在庫するだけでよく、ウェハよりも膨大な数になり得るサブユニットを在庫する必要がない。これにより、在庫数を減らすことができる。また、抽出条件の設定によって、スペックの厳しい高性能な光源基板を形成することも可能であることから、ランク分けする必要がない。これにより、ランク分けに必要な分だけ工程数を減らすことができる。なお、各発光ダイオードと光学特性データとの対応関係を保存することが可能な場合には、発光ダイオードをウェハ上に配置した状態で在庫する代わりに、ロット単位にまとめたり、トレー(またはシート)ごとにまとめた状態で在庫してもよい。この場合には、これらの作業が別途必要となるが、従来は、チップおよびサブユニットをランク分けしていたのであるから、従来よりは工程数を減らすことができる。従って、本発明では、工程数および在庫数を最小限に抑えつつ高性能な光源基板を製造することが可能である。 According to the light source board manufacturing method and the light source board manufacturing apparatus of the present invention, the light emitting diode that matches the extraction condition is directly mounted on the wiring board without producing the subunit that is an intermediate part of the light source board. It is only necessary to stock the wafers, and it is not necessary to stock the subunits that can be enormously larger than the wafers. Thereby, the number of inventory can be reduced. Moreover, since it is possible to form a high-performance light source substrate with strict specifications by setting extraction conditions, it is not necessary to rank. Thereby, the number of processes can be reduced by the amount necessary for ranking. If the correspondence between each light emitting diode and the optical characteristic data can be stored, the light emitting diodes can be collected in lot units or in trays (or sheets) instead of being stocked on the wafer. You may stock in the state put together for every. In this case, these operations are separately required, but conventionally, since the chips and subunits are ranked, the number of processes can be reduced as compared with the prior art. Therefore, in the present invention, it is possible to manufacture a high-performance light source substrate while minimizing the number of processes and the number of inventory.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は本発明の一実施の形態に係る光源基板製造装置1の機能ブロックを表すものである。この光源基板製造装置1は、後述する光源基板100を製造する装置であり、ID印刷部10と、光学検査部11と、抽出データ生成部12と、ID印刷部13と、マウント部14と、光学検査部15と、トレーサビリティ部16とを備えている。なお、図1では、各機能ブロックが独立した装置のごとく記載されているが、本実施の形態では、独立した装置となっている必要はなく、光源基板製造装置1が、複数の機能ブロックを包含する装置を備えていてもよい。
FIG. 1 shows functional blocks of a light source substrate manufacturing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The light source board manufacturing apparatus 1 is an apparatus for manufacturing a
ID印刷部10は、例えば、図2に示したように、個々のウェハ20R,20G,20Bを識別することの可能なユニークな識別情報(ウェハID(10D))をウェハ20R,20G,20Bに印刷、またはウェハID(10D)を印刷したラベルをウェハ20R,20G,20Bに貼付する装置である。なお、ウェハID(10D)をウェハ20R,20G,20Bへ印刷する位置、またはウェハID(10D)を印刷したラベルをウェハ20R,20G,20Bへ貼付する位置は、各ウェハ20R,20G,20B上に形成された各チップ21R,21G,21Bをピッキングする際に邪魔にならない場所であればウェハ20R,20G,20Bの表面のどこでも構わない。
For example, as shown in FIG. 2, the
ここで、ウェハ20Rは、チップ状の複数の赤色の発光ダイオード(チップ)21Rが形成されたものであり、個々のチップ21Rがウェハ20R上に2次元配置されている。同様に、ウェハ20Gは、チップ状の複数の緑色の発光ダイオード(チップ)21Gが形成されたものであり、個々のチップ21Gがウェハ20G上に2次元配置されている。また、ウェハ20Bは、チップ状の複数の青色の発光ダイオード(チップ)20Bが形成されたものであり、個々のチップ20Bがウェハ20B上に2次元配置されている。
Here, the
光学検査部11は、例えば、各ウェハ20R,20G,20B上に形成された複数のチップ21R,21G,21Bの個々の光学特性を計測すると共に、計測対象のウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)を読み取る装置である。この装置で計測される光学特性は、個々のチップ21R,21G,21Bにおいてバラつき易いパラメータ、例えば、光出力、波長、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つである。この光学検査部11は、計測した光学特性を、例えば、図3に示したように、計測したチップ21R,21G,21Bのウェハ20R,20G,20B上の位置情報(例えばx,y座標)と関連付け、図1に示したように、光学特性データ11DとしてウェハID(10D)と共に抽出データ生成部12およびトレーサビリティ部16に送るようになっている。つまり、光学検査部11は、個々のチップ21R,21G,21Bを識別することの可能なユニークな識別情報として、計測対象のウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)と、個々のチップ21R,21G,21Bの、ウェハ20R,20G,20B上での位置情報(例えばx,y座標)とを用いている。
The
抽出データ生成部12は、例えば、図4に示したように、光学特性データ11Dと、当該光学特性データ11Dが得られたウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)とを元にして、抽出条件12Aに合致するデータに対応するチップ21R,21G,21Bのウェハ20R,20G,20B上の位置情報(例えばx,y座標)を光学特性データ11Dから抽出して抽出データ12Dを生成し、図1に示したように、この抽出データ12DをウェハID(10D)と共にマウント部14に送るようになっている。
For example, as shown in FIG. 4, the extraction
なお、上記の抽出条件12Aは、光学特性データ11Dに含まれるパラメータの値を必要に応じて自由に指定可能なものであり、例えば、図4に示したように光学特性データ11Dに含まれる各パラメータの値を範囲で指定したり、例えば“波長 621.0nm”のように一点で指定したり、または、例えば“逆バイアス電流 指定なし”のように、光学特性データ11Dに含まれる複数のパラメータの1または複数の値を無指定にすることも可能である。
The extraction condition 12A can freely specify the parameter values included in the
ID印刷部13は、例えば、図5、図6に示したように、個々の配線基板100Aを識別することの可能なユニークな識別情報(基板ID(13D))を各配線基板100Aに印刷、または基板ID(13D)を印刷したラベルを各配線基板100Aに貼付する装置である。なお、基板ID(13D)を配線基板100Aへ印刷する位置、または基板ID(13D)を印刷したラベルを配線基板100Aへ貼付する位置は、配線基板100A上にチップ21R,21G,21Bをマウントする際に邪魔にならない場所であれば配線基板100Aの表面のどこでも構わない。
For example, as shown in FIGS. 5 and 6, the
マウント部14は、例えば、図5に示したように、抽出データ12DとウェハID(10D)とを元にして、抽出条件12Aに合致するデータに対応するチップ21R,21G,21Bを配線基板100A上に直接マウントする。より具体的には、ウェハID(10D)に対応するウェハ20R,20G,20Bにおいて、抽出データ12Dに含まれるチップ21R,21G,21Bのウェハ20R,20G,20B上での位置情報(例えばx,y座標)に対応する位置に形成されたチップ21R,21G,21Bを配線基板100A上に直接マウントする。マウント部14は、このようにして、配線基板100A上の所定位置にチップ21R,21G,21Bを全て配置することにより、例えば、図6に示したように、光源基板100を形成するようになっている。
For example, as shown in FIG. 5, the
なお、マウント部14は、各チップ21R,21G,21Bごとに別個に用意されていることが好ましい。また、マウント部14は、各チップ21R,21G,21Bと光学特性データ11Dとの対応関係を保存することが可能な場合には、図5に示したように、各チップ21R,21G,21Bをウェハ20R,20G,20B上から直接ピッキングして配線基板100A上に直接マウントする必要はなく、例えば、各チップ21R,21G,21Bをロット単位にまとめたり、トレー(またはシート)ごとにまとめた状態で、ロットやトレー(またはシート)からピッキングして配線基板100A上に直接マウントするようにしてもよい。
In addition, it is preferable that the
また、マウント部14は、配線基板100A上の所定の位置にチップ21R,21G,21Bを全て直接マウントした後に、例えば、図7に示したように、各チップ21R,21G,21Bがマウントされた配線基板100Aの基板ID(13D)と、マウントした各チップ21R,21G,21Bが形成されていたウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)と、マウントした各チップ21R,21G,21Bが形成されていたウェハ20R,20G,20B上での位置情報(例えばx,y座標)と、マウントした各チップ21R,21G,21Bの配線基板100Aでの位置情報(例えばx,y座標)とを互いに関連付けてマウントデータ14Dを生成し、図1に示したように、トレーサビリティ部16に送るようになっている。
The
光学検査部15は、例えば、配線基板100A上にマウントされた複数のチップ21R,21G,21Bの個々の光学特性を計測すると共に、計測対象の配線基板100Aの基板ID(13D)を読み取る装置である。この装置で計測される光学特性は、配線基板100A上にマウントされた個々のチップ21R,21G,21Bにおいてバラつき易いパラメータ、例えば、輝度、波長、色度、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つである。この光学検査部15は、計測した光学特性を、例えば、図8に示したように、計測したチップ21R,21G,21Bの配線基板100A上の位置情報(例えばx,y座標)と関連付け、図1に示したように、検査データ15Dとして基板ID(13D)と共にトレーサビリティ部16に送るようになっている。つまり、光学検査部15は、配線基板100A上の個々のチップ21R,21G,21Bを識別することの可能なユニークな識別情報として、計測対象の配線基板100Aの基板ID(13D)と、個々のチップ21R,21G,21Bの、配線基板100A上での位置情報(例えばx,y座標)とを用いている。
The optical inspection unit 15 is, for example, a device that measures individual optical characteristics of the plurality of
トレーサビリティ部16は、基板ID(13D)と関連付けられた検査データ15Dと、マウントデータ14Dと、ウェハID(10D)と関連付けられた光学特性データ11Dとを互いに関連付けてトレーサビリティデータ16Dを生成するようになっている。これにより、例えば、ある基板ID(13D)の配線基板100A上の位置(x,y)にマウントされたチップ21R,21Gまたは21Bはどのウェハ20R,20G,20B上のどの位置に形成されたものであるか、また、ある基板ID(13D)の配線基板100A上の位置(x,y)にマウントされたチップ21R,21Gまたは21Bの、光学検査部11および光学検査部15において計測された光学特性の結果がどのような内容であったかを知る(追跡する)ことができるようになっている。
The
次に、図9を参照して、本実施の形態の光源基板製造装置1を用いて光源基板100を製造する方法の一例について説明する。なお、図9は、光源基板100の製造方法の一例を説明するための流れ図である。
Next, an example of a method of manufacturing the
まず、ID印刷部11においてウェハID(10D)を印刷したラベルをウェハ20R,20G,20Bに貼付する(ステップS1)。続いて、ラベルを貼付したウェハ20R,20G,20Bを光学検査部11にセットする。また、ID印刷部13において基板ID(13D)を印刷したラベルを各配線基板100Aに貼付し(ステップS2)、ラベルを貼付した各配線基板100Aをマウント部14にセットする。
First, labels printed with the wafer ID (10D) in the
次に、光学検査部11において、各ウェハ20R,20G,20B上に形成された複数のチップ21R,21G,21Bの個々の光学特性を計測する(ステップS3)。続いて、計測した光学特性のデータと、計測したチップ21R,21G,21Bのウェハ20R,20G,20B上のウェハ位置情報(x,y座標)とを互いに関連付けて光学特性データ11Dを生成する(ステップS4)。その後、生成した光学特性データ11DとウェハID(10D)とを抽出データ生成部12およびトレーサビリティ部16に送る。
Next, the
次に、抽出データ生成部12において、光学特性データ11Dと、当該光学特性データ11Dが得られたウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)とを元にして、抽出条件12Aに合致するデータに対応するチップ21R,20G,20Bのウェハ位置情報を抽出し、抽出データ12Dを生成する(ステップS5)。その後、生成した抽出データ12DとウェハID(10D)とをマウント部14に送る。
Next, in the extraction
次に、マウント部14において、抽出データ12Dに含まれるウェハ位置情報に対応する位置に形成されたチップ21R,21G,21BをウェハID(10D)に対応するウェハ20R,20G,20Bから抜き出し、配線基板100A上に直接マウントする(ステップS6)。
Next, in the
続いて、マウント部14は、各チップ21R,21G,21Bをマウントした配線基板100Aの基板ID(13D)と、マウントした各チップ21R,21G,21Bが形成されていたウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)と、マウントした各チップ21R,21G,21Bのウェハ位置情報と、マウントした各チップ21R,21G,21Bの配線基板100Aでの基板位置情報(x,y座標)とを互いに関連付けてマウントデータ14Dを生成する(ステップS7)。その後、マウントデータ14Dをトレーサビリティ部16に送る。
Subsequently, the
次に、光学検査部15において、配線基板100A上にマウントされた複数のチップ21R,21G,21Bの個々の光学特性を計測すると共に、計測対象の配線基板100Aの基板ID(13D)を読み取る(ステップS8)。続いて、計測した光学特性のデータと、計測したチップ21R,21G,21Bの基板位置情報とを互いに関連付けて検査データ15Dを生成する(ステップS9)。その後、検査データ15Dと基板ID(13D)とをトレーサビリティ部16に送る。
Next, the optical inspection unit 15 measures individual optical characteristics of the plurality of
次に、トレーサビリティ部16において、基板ID(13D)と関連付けられた検査データ15Dと、マウントデータ14Dと、ウェハID(10D)と関連付けられた光学特性データ11Dとを互いに関連付けてトレーサビリティデータ16Dを生成する(ステップS10)。
Next, the
ところで、従来から、発光ダイオードの選別方法として、ウェハ20R,20G,20B上に形成されたチップ21R,21G,21Bの全てに対して外観検査や光学特性の計測を実施し、その結果、良品と判定されたチップ21R,21G,21Bを光学特性の観点からランキングし、ランクごとにトレー(またはシート)に一旦載せ換え、さらに、トレー(またはシート)から、例えば各チップ21R,21G,21Bを配線基板100Aよりも小さな基板上にマウントし、マウントしたチップ21R,21G,21B上に光学レンズを装着してサブユニット(図示せず)を形成し、サブユニット中の各チップ21R,21G,21Bの光学特性を計測し、その結果、良品と判定されたサブユニットを光学特性の観点からランキングし、ランクごとにサブユニットを分類する方法が一般的に用いられている。
Conventionally, as a method of selecting light emitting diodes, appearance inspection and measurement of optical characteristics have been performed on all of the
この方法では、ランクごとにチップ21R,21G,21Bやサブユニットが現時点でいくつあるかを容易に把握することができるので、在庫管理し易い。また、チップ21R,21G,21Bを配線基板100A上にマウントする前のサブユニットの段階であれば、不良のチップ21R,21G,21Bをリワークすることが容易である。それゆえ、光源として発光ダイオードを用いる場合には、この方法を用いて得られたサブユニットを配線基板100Aにマウントして光源基板100を形成することが一般的に行われている。
In this method, since it is possible to easily grasp how
しかし、この方法では、各ランクの範囲を狭くし過ぎるとランクの数が膨大となってしまい、無駄が多くなってしまうので、各ランクの範囲はある程度広めに設定されている。そのため、ひとたびスペックの厳しい高性能な光源基板100を形成しようとすると、ランク分けされたサブユニットをさらに選別することが必要となり、工程数が多くなってしまう。また、この方法では、光源基板100の部品であるサブユニットをランクごとに作製し、それを在庫しておかないといけないので、在庫数が多くなってしまう。
However, in this method, if the range of each rank is too narrow, the number of ranks becomes enormous and waste increases, so the range of each rank is set to be somewhat wide. For this reason, once it is attempted to form a high-performance
一方、本実施の形態の光源基板製造装置1を用いた光源基板100の製造方法では、ウェハ20R,20G,20B上に形成された複数のチップ21R,21G,21Bの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データ11Dと、当該光学特性データ11Dが得られたウェハ20R,20G,20BのウェハID(10D)とを元にして、抽出条件12Aに合致するデータに対応するチップ21R,21G,21Bが配線基板100A上に直接マウントされる。つまり、光源基板100の中間部品であるサブユニットを作製しないで、抽出条件12Aに合致するチップ21R,21G,21Bが配線基板100A上に直接マウントされる。
On the other hand, in the method of manufacturing the
これにより、個々のウェハ20R,20G,20Bを在庫するだけでよく、ウェハ20R,20G,20Bよりも膨大な数になり得るサブユニットを在庫する必要がないので、在庫数を減らすことができる。また、抽出条件12Aの設定によって、スペックの厳しい高性能な光源基板100を形成することも可能であることから、ランク分けする必要がない。これにより、ランク分けに必要な分だけ工程数を減らすことができる。
Thereby, it is only necessary to stock the
なお、各チップ21R,21G,21Bと光学特性データ11Dとの対応関係を保存することが可能な場合には、チップ21R,21G,21Bをウェハ20R,20G,20B上に配置した状態で在庫する代わりに、ロット単位にまとめたり、トレー(またはシート)ごとにまとめた状態で在庫してもよい。この場合には、これらの作業が別途必要となるが、従来は、チップ21R,21G,21Bおよびサブユニットをランク分けしていたのであるから、従来よりは工程数を減らすことができる。従って、本実施の形態では、工程数および在庫数を最小限に抑えつつ高性能な光源基板100を製造することが可能である。
If the correspondence between the
また、従来は、あるバックライト装置内の一の発光ダイオードに不具合が発見された場合に、その不具合の内容によっては、その発光ダイオードが製造されたウェハで製造された他の発光ダイオードにも同様の不具合が生じる可能性が高いときがある。しかし、上記のようにしてサブユニットを形成し、ランクごとに分類したサブユニットを用いて形成された複数の光源基板を筐体内に配置してバックライト装置を製造したときには、製造過程でチップやサブユニットがランク分けされている関係上、不具合の生じた発光ダイオードが製造されたウェハを追跡することは容易ではない。そのため、従来は、どの液晶表示装置で同様の不具合が生じ得るかを正確に把握することが困難であった。 Conventionally, when a defect is found in one light emitting diode in a certain backlight device, depending on the content of the defect, the same applies to other light emitting diodes manufactured on the wafer on which the light emitting diode is manufactured. There are times when there is a high possibility that a malfunction will occur. However, when a backlight device is manufactured by forming subunits as described above and arranging a plurality of light source substrates formed using subunits classified by rank in a housing, chips or Due to the fact that the subunits are ranked, it is not easy to track the wafer on which the defective light emitting diode is manufactured. Therefore, conventionally, it has been difficult to accurately grasp which liquid crystal display device can cause the same problem.
一方、本実施の形態の光源基板製造装置1を用いた光源基板100の製造方法では、個々のウェハ20R,20G,20BにはウェハごとにユニークなウェハID(10D)が与えられ、また、個々の配線基板100Aには、配線基板100Aごとにユニークな基板ID(13D)が与えられており、さらに、基板ID(13D)と関連付けられた検査データ15Dと、マウントデータ14Dと、ウェハID(10D)と関連付けられた光学特性データ11Dとを互いに関連付けたトレーサビリティデータ16Dが生成されている。これにより、例えば、ある基板ID(13D)の配線基板100A上の位置(x,y)にマウントされたチップ21R,21Gまたは21Bはどのウェハ20R,20G,20B上のどの位置に形成されたものであるか、また、ある基板ID(13D)の配線基板100A上の位置(x,y)にマウントされたチップ21R,21Gまたは21Bの、光学検査部11および光学検査部15において計測された光学特性の結果がどのような内容であったかを追跡することができる。従って、本実施の形態では、あるバックライト装置内の一の発光ダイオードに不具合が発見された場合に、どの液晶表示装置で同様の不具合が生じ得るかを正確に把握することが可能である。
On the other hand, in the method of manufacturing the
[適用例]
次に、上記実施の形態の光源基板製造装置1を用いて製造された光源基板100を適用した液晶表示装置600について説明する。
[Application example]
Next, a liquid crystal display device 600 to which the
図10は、本適用例に係る液晶表示装置600の分解斜視図を表したものである。この液晶表示装置600は、液晶表示パネル500と、この液晶表示パネル500の背後に配置されたバックライト装置400と、液晶表示パネル500を駆動して映像を表示させるための駆動回路(図示せず)とを備えており、液晶表示パネル500の表面が観察者(図示せず)側に向けられている。 FIG. 10 is an exploded perspective view of the liquid crystal display device 600 according to this application example. The liquid crystal display device 600 includes a liquid crystal display panel 500, a backlight device 400 disposed behind the liquid crystal display panel 500, and a drive circuit (not shown) for driving the liquid crystal display panel 500 to display an image. ), And the surface of the liquid crystal display panel 500 is directed toward the observer (not shown).
液晶表示パネル500は、例えば、映像信号に応じて各画素が駆動される透過型の表示パネルであり、液晶層を一対の透明基板で挟み込んだ構造となっている。具体的には、観察者側から順に、偏光板と、透明基板と、カラーフィルタと、透明電極と、配向膜と、液晶層と、配向膜と、透明画素電極と、透明基板と、偏光板とを有している。 The liquid crystal display panel 500 is, for example, a transmissive display panel in which each pixel is driven in accordance with a video signal, and has a structure in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of transparent substrates. Specifically, in order from the observer side, a polarizing plate, a transparent substrate, a color filter, a transparent electrode, an alignment film, a liquid crystal layer, an alignment film, a transparent pixel electrode, a transparent substrate, and a polarizing plate And have.
ここで、透明基板は、一般に、可視光に対して透明な基板である。なお、バックライト装置400側の透明基板には、透明画素電極に電気的に接続された駆動素子としてのTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)および配線などを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。カラーフィルタは、バックライト装置400からの射出光を例えば、赤(R)、緑(G)および青(B)の三原色にそれぞれ色分離するためのカラーフィルタを配列して形成されている。透明電極は、例えばITO(Indium Tin Oxide;酸化インジウムスズ)からなり、共通の対向電極として機能する。配向膜は、例えばポリイミドなどの高分子材料からなり、液晶に対して配向処理を行う。液晶層は、例えばVA(Virtical Alignment)モード、TN(Twisted Nematic)モード、またはSTN(Super TwistedNematic)モードの液晶からなり、図示しない駆動回路からの印加電圧により、バックライト装置400からの射出光を各画素ごとに透過または遮断する機能を有している。透明画素電極は、例えばITOからなり、各画素ごとの電極として機能する。一対の偏光板は、光学シャッタの一種であり、ある一定の振動方向の光(偏光)のみを通過させる。これら一対の偏光板はそれぞれ、偏光軸が互いに90度異なるように配置されており、これによりバックライト装置400からの射出光が、液晶層を介して透過し、あるいは遮断されるようになっている。 Here, the transparent substrate is generally a substrate transparent to visible light. Note that an active driving circuit including a TFT (Thin Film Transistor) as a driving element electrically connected to the transparent pixel electrode and wiring is formed on the transparent substrate on the backlight device 400 side. . The color filter is formed by arranging color filters for separating light emitted from the backlight device 400 into, for example, three primary colors of red (R), green (G), and blue (B). The transparent electrode is made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) and functions as a common counter electrode. The alignment film is made of, for example, a polymer material such as polyimide, and performs an alignment process on the liquid crystal. The liquid crystal layer is made of, for example, a liquid crystal in a VA (Virtical Alignment) mode, a TN (Twisted Nematic) mode, or an STN (Super Twisted Nematic) mode. Each pixel has a function of transmitting or blocking. The transparent pixel electrode is made of, for example, ITO and functions as an electrode for each pixel. The pair of polarizing plates is a kind of optical shutter, and allows only light in a certain vibration direction (polarized light) to pass therethrough. Each of the pair of polarizing plates is disposed so that the polarization axes thereof are different from each other by 90 degrees, whereby the light emitted from the backlight device 400 is transmitted or blocked through the liquid crystal layer. Yes.
また、バックライト装置400は、筐体200内に2次元配列された複数の光源基板100上に光学シート300が配置されたものであり、液晶表示パネル500を背後から照明する面光源である。
The backlight device 400 is a surface light source in which the optical sheet 300 is arranged on a plurality of
ここで、光学シート300は、例えば、拡散板、拡散シート、プリズムシート、反射型偏光シートなどが光源基板100側から順に配置されたものである。拡散板および拡散シートは、光源基板100から射出された光の輝度むらおよび色むらを低減するためのものであり、拡散板は、例えば比較的厚手の板状の透明樹脂の内部に拡散材(フィラ)を分散して形成されており、拡散シートは、例えば比較的薄手のフィルム状の透明樹脂上に拡散材を含む透明樹脂(バインダ)を塗布して形成されている。プリズムシートは、正面輝度を向上させるためのものであり、例えば、複数の柱状プリズムが光射出側の面内の一の方向に延在すると共に、延在方向と交差する方向に連続的に並列配置されている。反射型偏光シートは、光利用効率を高めるためのものであり、例えば、屈折率異方性を有する複数の柱状プリズムが光射出側の面内の一の方向に延在すると共に、延在方向と交差する方向に連続的に並列配置されている。
Here, the optical sheet 300 includes, for example, a diffusion plate, a diffusion sheet, a prism sheet, a reflective polarizing sheet, and the like arranged in order from the
また、筐体200は、光源基板100と光学シート300との間隙を一定に維持すると共に、光源基板100から生じる熱を放散するためのものである。また、光源基板100は、上記実施形態の光源基板製造装置1を用いて製造されたものである。
The housing 200 is for maintaining a constant gap between the
ところで、本適用例に係る液晶表示装置600では、バックライト装置400および液晶表示装置600の少なくとも一方に、個々のバックライト装置400または液晶表示装置600を識別するユニークなIDが付与されており、そのIDと、液晶表示装置600に搭載される各光源基板100内の配線基板100Aに付与された基板ID(10D)とを互いに関連付けた生産データを、例えば組み立て工程において生成している。なお、液晶表示装置600に搭載される各光源基板100に対して個々の光源基板100を識別するユニークなIDが配線基板100Aと関連付けて付与されている場合には、個々のバックライト装置400または液晶表示装置600を識別するユニークなIDと、個々の光源基板100を識別するユニークなIDとを互いに関連付けた生産データを生成してもよい。
By the way, in the liquid crystal display device 600 according to this application example, a unique ID for identifying each backlight device 400 or the liquid crystal display device 600 is given to at least one of the backlight device 400 and the liquid crystal display device 600. Production data in which the ID and the board ID (10D) given to the
このような構成の液晶表示装置600では、バックライト装置400において、光源基板100から射出された各色光の光路が光学シート300によって混ざり合い、輝度むらおよび色むらが低減されると共に、正面輝度および視野角などが調整された白色光が、液晶表示パネル500を背後から照明する。
In the liquid crystal display device 600 having such a configuration, in the backlight device 400, the optical paths of the respective color lights emitted from the
そして液晶パネル20において、バックライト装置400からの照明光が、透明画素電極と対向電極との間に画素ごとに印加された電圧の大きさに応じて透過し、カラーフィルタによって色分離して観察側に射出する。これにより、カラーの画像表示が行われる。 In the liquid crystal panel 20, the illumination light from the backlight device 400 is transmitted according to the magnitude of the voltage applied to each pixel between the transparent pixel electrode and the counter electrode, and is color-separated and observed by the color filter. Inject to the side. Thereby, a color image display is performed.
ところで、本適用例に係る液晶表示装置600では、上記実施の形態の光源基板製造装置1で製造された光源基板100が用いられているので、光源基板100にはサブユニットが用いられていない。これにより、照明光の輝度の均一性や単色性などのスペックの厳しい高性能な液晶表示装置600に搭載する光源基板100を製造する際に、サブユニットを選別する必要がなくなり、抽出条件12Aの設定を厳しくするだけでよくなる。従って、スペックの厳しい高性能な液晶表示装置600を容易に製造することができる。
By the way, in the liquid crystal display device 600 according to this application example, the
また、本適用例では、光源基板100を製造する際に、トレーサビリティデータ16Dが生成されており、さらに、バックライト装置400および液晶表示装置600の少なくとも一方のIDと、液晶表示装置600に搭載される各光源基板100のIDまたは各光源基板100内の配線基板100Aの基板ID(13D)とを互いに関連付けた生産データが生成されている。これにより、バックライト装置400や液晶表示装置600を製造した後に、生産工場内や市場において、あるバックライト装置内の一の発光ダイオードに不具合が発見された場合に、トレーサビリティデータ16Dおよび生産データを参照することにより、例えば、発見された不良の発光ダイオードが形成されたウェハと同じウェハで形成された発光ダイオードがマウントされた光源基板100が搭載されたバックライト装置400や液晶表示装置600を特定することが可能となる。従って、あるバックライト装置内の一の発光ダイオードに不具合が発見された場合に、どのバックライト装置400や液晶表示装置で同様の不具合が生じ得るかを正確に把握することが可能である。
In this application example, the traceability data 16D is generated when the
以上、実施の形態および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。 While the present invention has been described with the embodiments and application examples, the present invention is not limited to these embodiments and the like, and various modifications are possible.
例えば、上記実施の形態等では、光源として三原色(赤、緑、青)の発光ダイオードを用いていたが、例えば白色の発光ダイオードを用いてもよい。 For example, in the above-described embodiment and the like, the light emitting diodes of the three primary colors (red, green, and blue) are used as the light source. However, for example, a white light emitting diode may be used.
1…光源基板製造装置、10,13…ID印刷部、10D…ウェハID、11,15…光学検査部、11D…光学特性データ、12…抽出データ生成部、12A…抽出条件、12D…抽出データ、13D…基板ID、14…マウント部、14D…マウントデータ、15…光学検査部、15D…検査データ、16…トレーサビリティ部、20R,20G,20B…ウェハ、21R,21G,21B…チップ、100…光源基板、100A…配線基板、200…筐体、300…光学シート、400…バックライト、500…液晶表示パネル、600…液晶表示装置。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light source substrate manufacturing apparatus, 10, 13 ... ID printing part, 10D ... Wafer ID, 11, 15 ... Optical inspection part, 11D ... Optical characteristic data, 12 ... Extraction data generation part, 12A ... Extraction condition, 12D ... Extraction data , 13D ... substrate ID, 14 ... mount part, 14D ... mount data, 15 ... optical inspection part, 15D ... inspection data, 16 ... traceability part, 20R, 20G, 20B ... wafer, 21R, 21G, 21B ... chip, 100 ... Light source substrate, 100A ... wiring substrate, 200 ... casing, 300 ... optical sheet, 400 ... backlight, 500 ... liquid crystal display panel, 600 ... liquid crystal display device.
Claims (5)
ウェハ上に形成されたチップ状の複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致するデータに対応する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントすることにより光源基板を製造するマウント工程を含み、
前記光学特性データは、個々の発光ダイオードの前記ウェハでの位置情報と、光出力、波長、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つとを含み、
前記ウェハには、ウェハごとにユニークなウェハ識別情報が与えられており、
前記マウント工程において、前記光学特性データと、当該光学特性データが得られたウェハのウェハ識別情報とを元にして、前記発光ダイオードを前記配線基板上に直接マウントする
光源基板の製造方法。 A method of manufacturing a light source substrate used in a backlight of a display device ,
Based on the optical characteristics data obtained by measuring the individual optical properties of the formed chip-shaped plurality of light emitting diodes on the web wafer, a light emitting diode corresponding to the data that matches the extraction condition wiring substrate look including the mounting step of producing a light source substrate by mounting directly to,
The optical property data includes position information of the individual light emitting diodes on the wafer and at least one of light output, wavelength, forward voltage, and reverse bias current,
The wafer is given unique wafer identification information for each wafer,
A method of manufacturing a light source substrate, wherein in the mounting step, the light emitting diode is directly mounted on the wiring substrate based on the optical characteristic data and wafer identification information of the wafer from which the optical characteristic data is obtained .
前記マウント工程において前記発光ダイオードを前記配線基板上に直接マウントした後に、前記発光ダイオードがマウントされた配線基板の基板識別情報と、マウントした発光ダイオードが形成されていたウェハのウェハ識別情報と、マウントした発光ダイオードが形成されていたウェハでの位置情報と、マウントした発光ダイオードの配線基板での位置情報とを互いに関連付けてマウントデータを生成するマウントデータ生成工程を含む
請求項1に記載の光源基板の製造方法。 The wiring board is given unique board identification information for each wiring board,
After mounting the light emitting diode directly on the wiring substrate in the mounting step, substrate identification information of the wiring substrate on which the light emitting diode is mounted, wafer identification information on the wafer on which the mounted light emitting diode is formed, and mounting light source according the position information of the wafer in which the light emitting diode has been formed that, the mounting data generating step of generating mounting data in association with each other and the position information of the wiring board of the mounted light emitting diode including claim 1 A method for manufacturing a substrate.
請求項2に記載の光源基板の製造方法。 Inspection data obtained by measuring optical characteristics of each light emitting diode on the wiring board after the light emitting diode is directly mounted on the wiring board in the mounting step, the mount data, and the optical characteristic data. manufacturing method of the light source substrate according traceability data generation step of generating the traceability data to including claim 2 in association with each other.
請求項3に記載の光源基板の製造方法。 The inspection data includes position information in the wiring substrate of the individual light emitting diodes, luminance, wavelength, chromaticity, the manufacture of the light source substrate according to at least one of the forward voltage and the reverse bias current to including claim 3 Method.
ウェハ上に形成されたチップ状の複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致するデータに対応する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントすることにより光源基板を製造するマウント部を備え、
前記光学特性データは、個々の発光ダイオードの前記ウェハでの位置情報と、光出力、波長、順方向電圧および逆バイアス電流の少なくとも1つとを含み、
前記ウェハには、ウェハごとにユニークなウェハ識別情報が与えられており、
前記マウント部は、前記光学特性データと、当該光学特性データが得られたウェハのウェハ識別情報とを元にして、前記発光ダイオードを前記配線基板上に直接マウントする
光源基板製造装置。 A light source substrate manufacturing apparatus for manufacturing a light source substrate used for a backlight of a display device ,
Based on the optical characteristics data obtained by measuring the individual optical properties of a plurality of light emitting diodes formed on a wafer chip-like, the light emitting diode corresponding to the data that matches the extraction condition on the wiring substrate Provided with a mounting part for manufacturing the light source substrate by direct mounting,
The optical property data includes position information of the individual light emitting diodes on the wafer and at least one of light output, wavelength, forward voltage, and reverse bias current,
The wafer is given unique wafer identification information for each wafer,
The mount unit is a light source board manufacturing apparatus for directly mounting the light emitting diode on the wiring board based on the optical characteristic data and wafer identification information of the wafer from which the optical characteristic data is obtained .
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11264531B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LED transfer device and micro LED transferring method using the same |
US11387384B2 (en) | 2019-04-16 | 2022-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LED transferring method and display module manufactured by the same |
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5196262B2 (en) * | 2008-09-30 | 2013-05-15 | ソニー株式会社 | Manufacturing method of display device |
JP2012191019A (en) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Method of manufacturing adhesive sheet for optical semiconductor device, and adhesive sheet for optical semiconductor device |
JP2012227397A (en) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Sharp Corp | Light source manufacturing method and light source |
JP6612565B2 (en) * | 2015-09-11 | 2019-11-27 | アルパッド株式会社 | Display panel, display device, and display panel manufacturing method |
KR102426709B1 (en) * | 2016-02-23 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus and method for transferring light emitting diode |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08255820A (en) * | 1995-01-20 | 1996-10-01 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor pellet mounting method and selecting device |
JP2003197968A (en) * | 2001-12-18 | 2003-07-11 | Shuko Cho | Package structure for full-color light emitting diode light source constituted by laminating chips directly coupled with each other via transparent conductive layers and reflective layers upon another |
JP3978514B2 (en) * | 2002-12-24 | 2007-09-19 | 株式会社ナノテム | LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD AND LIGHT EMITTING DEVICE |
US7420218B2 (en) * | 2004-03-18 | 2008-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Nitride based LED with a p-type injection region |
JP2006253421A (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Citizen Electronics Co Ltd | Light emitting diode |
-
2007
- 2007-04-18 JP JP2007109153A patent/JP5135865B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12009452B2 (en) | 2018-07-23 | 2024-06-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device including LED transmission device, and control method therefor |
US11264531B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LED transfer device and micro LED transferring method using the same |
US11387384B2 (en) | 2019-04-16 | 2022-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LED transferring method and display module manufactured by the same |
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