KR20170091079A - Solar cell and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a solar cell and a method of manufacturing the same. The solar cell according to an embodiment of the present invention includes a silicon semiconductor substrate having a first conductivity type, an emitter layer doped with a first impurity having a second conductivity type opposite to the first conductivity type and located on one surface of the substrate, a plurality of front finger lines connected to the emitter layer, a back electric field layer formed on the other surface of the substrate opposite to the one surface and doped with a second impurity having the first conductivity type, and a plurality of back finger lines connected to the back electric field layer. The thickness of the emitter layer differs from that of the back electric field layer. Thereby, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell can be improved.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{Solar cell and manufacturing method thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell and a manufacturing method thereof,

본 발명은 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 에미터층과 후면 전계층의 두께가 상이한 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a solar cell having a different thickness of the emitter layer and the entire rear surface layer, and a method of manufacturing the same.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 반도체 소자를 이용하여 태양광 에너지를 직접 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다.With the recent depletion of existing energy sources such as oil and coal, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, solar cells are attracting attention as a next-generation battery which converts solar energy directly into electrical energy using semiconductor devices.

즉, 태양전지란 광기전력 효과(Photovoltaic Effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치로서, 그 구성 물질에 따라서 실리콘 태양전지, 박막형 태양전지, 염료감응형 태양전지 및 유기고분자형 태양전지 등으로 구분될 수 있으며, 그 중 실리콘 태양전지가 주류를 이루고 있다. 이러한 태양전지에서는, 입사되는 태양 광을 전기 에너지로 변환시키는 비율과 관계된 변환효율(Efficiency)을 높이는 것이 매우 중요하다.That is, a solar cell is a device that converts light energy into electric energy by using a photovoltaic effect. Depending on its constituent materials, a solar cell, a thin film solar cell, a dye-sensitized solar cell, an organic polymer solar cell And silicon solar cells are mainstream among them. In such a solar cell, it is very important to increase the conversion efficiency that is related to the ratio of converting incident solar light into electrical energy.

본 발명의 목적은 광전변환효율이 우수한 태양전지 및 이의 제조방법을 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell having excellent photoelectric conversion efficiency and a manufacturing method thereof.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지는, 제1 도전형을 가지는 실리콘 반도체 기판, 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 가지는 제1 불순물이 도핑되고, 기판의 일면 상에 위치하는 에미터층, 에미터층과 접속하는 복수의 전면 핑거라인, 일면과 대향하는 기판의 타면에 형성되며, 제1 도전형을 가지는 제2 불순물이 도핑된 후면 전계층 및 후면 전계층과 접속하는 복수의 후면 핑거라인을 포함하고, 에미터층의 두께와 후면 전계층의 두께가 상이하다.According to an aspect of the present invention, there is provided a solar cell including: a silicon semiconductor substrate having a first conductivity type; a first impurity having a second conductivity type opposite to the first conductivity type; A plurality of front finger lines connected to the emitter layer, a plurality of front finger lines formed on the other surface of the substrate opposite to the one surface, the rear front layer and the rear front layer doped with the second impurity having the first conductivity type, And the thickness of the emitter layer is different from the thickness of the back surface front layer.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은, 제1 도전형을 가지는 실리콘 반도체 기판의 전면에 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 가지는 제1 불순물을 도핑하여 제1 불순물층을 형성하는 단계, 기판의 후면에 제1 도전형을 가지는 제2 불순물을 도핑하여 제2 불순물층을 형성하는 단계 및 제1 불순물층과 제2 불순물층을 동시에 열처리 하여 에미터 및 후면 전계층을 형성하는 단계를 포함하고, 에미터층과 후면 전계층의 두께는 서로 상이하게 형성된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a solar cell, including: forming a first conductive type semiconductor layer on a front surface of a first conductive type semiconductor substrate, Forming a second impurity layer by doping a second impurity having a first conductivity type on the rear surface of the substrate; and forming a first impurity layer and a second impurity layer by heat treatment Thereby forming an emitter and a front whole layer, and the thicknesses of the emitter layer and the rear whole layer are different from each other.

본 발명에 따르면, 상이한 두께를 가지는 에미터층과 후면 전계층을 포함함으로써, 태양전지의 광전변환효율이 향상될 수 있다.According to the present invention, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell can be improved by including the emitter layer and the rear whole layer having different thicknesses.

또한, 에미터층과 후면 전계층의 불순물을 이온 임플란테이션에 의해 주입하고, 동시 소성함으로써 태양전지의 생산성이 증가할 수 있다.In addition, the productivity of the solar cell can be increased by implanting the impurity of the emitter layer and the whole back surface layer by ion implantation and co-firing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지를 도시한 사시도,
도 2는 도 1의 태양전지의 A-A'의 단면을 도시한 단면도,
도 3은 도 1의 태양전지의 B-B'의 단면을 도시한 단면도,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시한 단면도,
도 5는 도 4의 태양전지의 에미터층의 도핑 프로필을 도시한 도,
도 6은 도 5에 따른 결과를 도시한 도,
도 7 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 도,
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도, 그리고,
도 14는 도 13의 C를 확대한 확대도이다.1 is a perspective view illustrating a solar cell according to an embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a cross-sectional view of the solar cell of FIG. 1 taken along the line A-A '
FIG. 3 is a cross-sectional view of the solar cell of FIG. 1 taken along the line B-B '
4 is a cross-sectional view of a solar cell according to an embodiment of the present invention,
FIG. 5 is a view showing the doping profile of the emitter layer of the solar cell of FIG. 4,
FIG. 6 is a view showing a result according to FIG. 5,
FIGS. 7 to 12 illustrate a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention. FIGS.
13 is a cross-sectional view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention, and FIG.
Fig. 14 is an enlarged view of C of Fig.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

이하의 도면에서, 각 구성요소의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함하며, 각 구성요소의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 또한, 각 구성요소는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다.In the following drawings, the terms " on "or " under" of each element are all inclusive of being formed "directly" or "indirectly" The criteria for the top or bottom of a component are described with reference to the drawing. In addition, each component is exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지를 도시한 사시도, 도 2는 도 1의 태양전지의 A-A'의 단면을 도시한 단면도, 그리고, 도 3은 도 1의 태양전지의 B-B'의 단면을 도시한 단면도이다. 여기서, 도 2 및 도 3은 도 1의 태양전지를 X-Y 평면으로 절단한 후, Z방향으로 관찰한 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a solar cell according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A 'of the solar cell of FIG. 1, -B ', respectively. Here, FIGS. 2 and 3 are sectional views of the solar cell of FIG. 1 taken along the X-Y plane and then in the Z direction.

도면을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지(100)는 제1 도전형을 가지는 실리콘 반도체 기판(110), 기판(110)의 일면 상에 위치하는 에미터층(120), 에미터층(120)과 접속하는 다수의 전면 핑거라인(140), 기판(110)의 타면 상의 후면 전계층(150)과 후면 전계층(150)과 접속하는 다수의 후면 핑거라인(170)을 포함할 수 있다. 또한, 에미터층(120) 상의 제1 반사방지막(130)과 후면 전계층(150) 상의 제2 반사방지막(160)을 포함할 수 있다.Referring to the drawings, a solar cell 100 according to an embodiment of the present invention includes a silicon semiconductor substrate 110 having a first conductivity type, an emitter layer 120 disposed on one surface of the substrate 110, A plurality of rear finger lines 140 connecting to the back front layer 150 and the back front layer 150 on the other side of the substrate 110 have. In addition, the first antireflection film 130 on the emitter layer 120 and the second antireflection film 160 on the rear front layer 150 may be included.

기판(110)은, 실리콘으로 형성될 수 있으며, P형 또는 N형 불순물이 도핑되어 제1 도전형을 가질 수 있다. 예를 들어, 실리콘에 3족 원소인 B, Ga, In 등이 불순물로 도핑 되어 P형으로 구현될 수 있고, 5족 원소인 P, As, Sb 등이 도핑되어 N형으로 구현될 수 있다.The substrate 110 may be formed of silicon and doped with a P-type or N-type impurity to have a first conductivity type. For example, Group 3 element B, Ga, In and the like may be doped with impurities to form a P type, and a Group 5 element such as P, As, Sb and the like may be doped to form an N type.

도면에 도시하지는 않았으나, 기판(110)의 표면은 요철구조를 가질 수 있다. 요철구조는 기판(110)의 표면을 텍스쳐링(texturing) 하여 요철 형상의 패턴을 형성하는 것을 의미하는데, 기판(110)이 이와 같이 텍스쳐링 되면, 후술하는 바와 같이, 기판(110)상에 형성되는 에미터층(120), 제1 반사방지막(130), 후면전계층(152), 제2 반사방지막(160) 역시 요철의 형상을 따라 형성될 수 있다. 따라서, 태양전지(100)로 입사하는 광의 반사율이 감소하고, 광 포획량이 증가하여 태양전지(100)의 광학적 손실이 감소한다.Although not shown in the drawings, the surface of the substrate 110 may have a concavo-convex structure. The concavo-convex structure means texturing the surface of the substrate 110 to form a concavo-convex pattern. When the substrate 110 is textured as described above, the emitter structure formed on the substrate 110 The first antireflection film 130, the back front layer 152, and the second antireflection layer 160 may also be formed along the shape of the irregularities. Therefore, the reflectance of light incident on the solar cell 100 decreases, and the optical trapping amount increases, thereby reducing the optical loss of the solar cell 100. [

에미터층(120)은, 기판(110)과 반대의 제2 도전형을 가지는 제1 불순물이 도핑되어 형성된다. 예를 들어, 기판(110)이 P형인 경우는 에미터층(120)에는 N형의 불순물이 도핑되고, 기판(110)이 N형인 경우는 에미터층(120)에는 P형의 불순물이 도핑된다. 이와같이, 기판(110)과 에미터층(120)에 반대 도전형의 불순물이 도핑 되면, 기판(110)과 에미터층(120)의 계면에는 P-N접합(junction)이 형성된다.The emitter layer 120 is formed by doping a first impurity having a second conductivity type opposite to the substrate 110. For example, when the substrate 110 is a P-type, the emitter layer 120 is doped with an N-type impurity. When the substrate 110 is N-type, the emitter layer 120 is doped with a P-type impurity. Thus, when the substrate 110 and the emitter layer 120 are doped with an impurity of the opposite conductivity type, a P-N junction is formed at the interface between the substrate 110 and the emitter layer 120.

한편, 에미터층(120)은 복수의 전면 핑거라인(140)과 접하는 제1 영역(124)과, 복수의 전면 핑거라인(140) 사이 즉, 복수의 제1 영역(124) 사이의 제2 영역(122)을 포함할 수 있다. The emitter layer 120 includes a first region 124 in contact with a plurality of front finger lines 140 and a second region 124 in between a plurality of front finger lines 140, (Not shown).

일반적으로, 에미터층(120)에 불순물이 더 많이 존재할수록 광전효과에 의해 발생한 전자-정공 쌍이 더 많이 재결합하므로, 광이 전자-정공 쌍으로 주로 변환되는 제2 영역(122)은 불순물의 농도가 상대적으로 낮은 것이 유리하고, 분리된 전자 또는 정공이 전면 핑거라인(140)으로 이동하는 제1 영역(124)에서는 접촉저항의 감소를 위해 불순물의 농도가 높은 것이 유리하다. In general, the more the impurity is present in the emitter layer 120, the more the electron-hole pairs generated by the photoelectric effect are recombined. Therefore, the second region 122, in which light is mainly converted into electron-hole pairs, It is advantageous to have a relatively low concentration and to have a high concentration of impurities in order to reduce the contact resistance in the first region 124 where separated electrons or holes are transferred to the front finger line 140.

따라서, 본 발명에 따른 태양전지(100)는 전면 핑거라인(140)과의 접촉 저항을 낮추고, 표면 재결합에 따른 태양전지(100)의 효율 저하를 방지하도록, 전면 핑거라인(140)과 접하는 제1 영역(124)이 제2 영역(122)에 비해 상대적으로 높은 도핑 농도를 가지도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 에미터층(120)의 제1 영역(124)의 면저항은 제2 영역(122)의 면저항보다 작게 형성된다. 또한, 제1 영역(124)의 도핑 두께(b)는 제2 영역(122)의 도핑 두께(a)보다 클 수 있다.Therefore, the solar cell 100 according to the present invention can reduce the contact resistance with the front finger line 140 and reduce the contact resistance between the front finger line 140 and the front finger line 140, 1 region 124 may be formed to have a relatively higher doping concentration than the second region 122. Accordingly, the sheet resistance of the first region 124 of the emitter layer 120 is formed to be smaller than the sheet resistance of the second region 122. In addition, the doping thickness b of the first region 124 may be greater than the doping thickness a of the second region 122.

이러한 에미터층(120)의 제1 영역(124)은 1E19~1E21의 도핑 농도를 가질 수 있고, 제2 영역(122)은 5E18~1E20의 도핑 농도를 가질 수 있다. 이때, 에미터층(120)의 제1 영역(124)의 면저항은 30 내지 70Ω/□, 바람직하게는 40 내지 60Ω/□로 설정될 수 있고, 제2 영역(122)의 면저항은 70 내지 150Ω/□, 바람직하게는 90 내지 120Ω/□로 설정될 수 있다.The first region 124 of the emitter layer 120 may have a doping concentration of 1E19 to 1E21 and the second region 122 may have a doping concentration of 5E18 to 1E20. At this time, the sheet resistance of the first region 124 of the emitter layer 120 may be set to 30 to 70? / ?, preferably 40 to 60? / ?, and the sheet resistance of the second region 122 may be set to 70 to 150? /? □, preferably 90 to 120 Ω / □.

제1 반사방지막(130)은 기판(110)의 전면으로 입사되는 태양광의 반사율을 감소시키고, 이에 따라, P-N 접합까지 도달되는 광량이 증대되어 태양전지(100)의 단락전류(Isc)가 증가한다. 제1 반사방지막(130)은, 예를 들어, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산화 질화물, 인트린식 비정질 실리콘, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있으며, 기판(110)이 P형일 경우 패시베이션층의 기능도 수행한다.The first antireflection film 130 decreases the reflectivity of solar light incident on the front surface of the substrate 110 and accordingly the amount of light reaching the PN junction is increased to increase the short circuit current Isc of the solar cell 100 . The first antireflection film 130 may be formed of any one single film selected from the group consisting of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, intrinsic amorphous silicon, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 , Layer structure in which a plurality of films are combined, and also functions as a passivation layer when the substrate 110 is P-type.

이러한 제1 반사방지막(130)은 1.8 내지 2.5의 굴절율을 가지고, 60 내지 100㎛의 두께로 형성될 수 있다. 특히, 제1 반사방지막(130)의 굴절율이 1.8 보다 작은 경우는 반사방지 효과가 현저하지 않고, 반대로 굴절률이 2.5보다 크면, 입사광중 전류 변환에 기여하는 파장을 가지는 광이, 제1 반사방지막(130)에 광학적인 흡수를 발생시켜 오히려 태양전지(100)의 광전 변환효율이 저하될 수 있다.The first antireflection film 130 may have a refractive index of 1.8 to 2.5 and may have a thickness of 60 to 100 탆. In particular, when the refractive index of the first antireflection film 130 is less than 1.8, the antireflection effect is not significant. Conversely, if the refractive index is greater than 2.5, light having a wavelength that contributes to current conversion among the incident light is incident on the first antireflection film 130, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell 100 may be lowered.

한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 기판(110)이 N형일 경우는 에미터층(120)과 제1 반사방지막(130) 사이에 패시베이션층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 패시베이션층(미도시)은 SiOx, AlxOy 등으로 형성될 수 있고, 이에 따라, SiO2/SiNx, Al2O3/SiNx 등의 패시베이션/제1 반사방지막(130)의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.Although not shown in the drawing, a passivation layer (not shown) may be further provided between the emitter layer 120 and the first anti-reflective layer 130 when the substrate 110 is N-type. A passivation layer (not shown) may be formed by such as SiOx, AlxOy, thus, SiO 2 / SiNx, Al 2 O 3 / SiNx may have a passivation / structure of the first anti-reflection film 130, such as, but this But is not limited to.

전면 핑거라인(140)은 복수개 형성되어, 광전효과에 의해 발생한 전자 또는 정공을 수집한다. 또한, 다수의 전면 핑거라인(140)은 전면 핑거라인(140)과 교차하는 전면 버스 전극(180)과 접할 수 있고, 전면 버스 전극(180)은 리본(미도시)과 연결되어 태양전지(100)에서 발생한 전류를 외부로 공급할 수 있다.A plurality of front finger lines 140 are formed to collect electrons or holes generated by the photoelectric effect. The plurality of front finger lines 140 may be in contact with the front bus electrodes 180 intersecting with the front finger lines 140. The front bus electrodes 180 may be connected to the ribbons Can be supplied to the outside.

전면 핑거라인(140)은, 일 예로, 에미터층(120)과의 오믹접촉을 위해, 에미터층(120)이 P형인 경우는 AgAl, 유리 프릿 등이 포함된 페이스트를 개구가 형성된 마스크를 사용하여 전면 핑거라인(140) 형성 지점에 스크린 인쇄한 후 열처리를 행하여 형성할 수 있으며, 에미터층(120)이 N형인 경우는 Ag, 유리 프릿 등이 포함된 페이스트를 스크린 인쇄한 후 열처리를 행하여 형성할 수 있다.The front finger line 140 may be formed by using a mask having openings for example, a paste containing AgAl, glass frit, or the like, when the emitter layer 120 is P type, for ohmic contact with the emitter layer 120 And screen printing is performed at the point where the front finger lines 140 are formed, followed by heat treatment. In the case where the emitter layer 120 is of the N type, a paste containing Ag, glass frit, or the like is screen printed and then heat- .

또한, 전면 핑거라인(140)은, 레이저의 조사에 의해 제1 반사방지막(130)을 제거(Laser ablation)하고, Ni 등에 의한 시드층(Seed layer)을 증착한 후, 도금 또는 Sputtering 등에 의해 금속층을 증착하여 형성할 수 있다. 이와 같이 형성되는 전면 핑거라인(140)은 Ni/Cu/Sn, Ni/Ag, Ni/Cu/Ag 등의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 또한, 이와 같이 형성되는 전면 핑거라인(140)은 10㎛ 이상의 폭과, 60 내지 80㎛의 높이를 가지고 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The front finger line 140 is formed by laser ablation of the first antireflection film 130 by laser irradiation, depositing a seed layer of Ni or the like, plating, sputtering, or the like, For example. The front finger line 140 may have a structure such as Ni / Cu / Sn, Ni / Ag, or Ni / Cu / Ag. However, the present invention is not limited thereto. The front finger line 140 may be formed to have a width of 10 m or more and a height of 60 to 80 m, but the present invention is not limited thereto.

후면 전계층(150)은 고농도 도핑 영역으로, 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지하고, 누설 전류를 줄이며, 후면 핑거라인(170)과의 우수한 오믹 컨택성을 가지도록 할 수 있다. 이러한 후면 전계층(150)은 기판(110)과 동일한 제1 도전형을 가지는 제2 불순물을 도핑하여 형성할 수 있다.The back front layer 150 may be a heavily doped region to prevent recombination of the separated pairs of electron holes, reduce the leakage current, and have good ohmic contact with the back finger line 170. The rear whole layer 150 may be formed by doping a second impurity having the same first conductivity type as that of the substrate 110.

또한, 후면 전계층(150)은 상술한 에미터층(150)과 동일한 구조를 가질 수 있다. 즉, 복수의 후면 핑거라인(170)과 접하는 제3 영역(154)과, 복수의 후면 핑거라인(170) 사이 즉, 복수의 제3 영역(154) 사이의 제4 영역(152)을 포함할 수 있으며, 제3 영역(154)의 불순물의 도핑농도가 제4 영역(152)의 불순물의 도핑 농도보다 클 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지(100)는 선택적 에미터층(120)과 동시에 선택적 후면 전계층(150)의 구조를 가지는 양면 수광형 태양전지(Bifacial solar cell)일 수 있다.In addition, the rear front layer 150 may have the same structure as the emitter layer 150 described above. A third region 154 in contact with a plurality of rear finger lines 170 and a fourth region 152 between a plurality of rear finger lines 170, i.e., a plurality of third regions 154 And the doping concentration of the impurity in the third region 154 may be greater than the doping concentration of the impurity in the fourth region 152. Accordingly, the solar cell 100 according to an embodiment of the present invention may be a double-sided solar cell having a structure of the selective emitter layer 120 and the selective backside front layer 150 simultaneously.

한편, 후면 전계층(150)의 제3 영역(154)의 도핑 농도는 제4 영역(152)의 도핑 농도보다 크기 때문에, 제3 영역(154)과 후면 핑거라인(170) 간의 접촉 저항이 감소하고, 제4 영역(152)은 기판(110)의 후면 전체에 걸쳐 형성되므로 전자와 정공의 재결합을 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 전자와 정공의 재결합에 따른 손실이 감소하고, 동시에 광전효과에 의해 생성된 전자 또는 정공을 후면 핑거라인(170)으로 전달하는 능력은 더욱 향상되므로, 태양전지(100)의 광전변환 효율이 더욱 향상될 수 있다.On the other hand, since the doping concentration of the third region 154 of the rear front layer 150 is larger than the doping concentration of the fourth region 152, the contact resistance between the third region 154 and the rear finger line 170 is reduced And the fourth region 152 is formed over the entire rear surface of the substrate 110, so that the recombination of electrons and holes can be effectively prevented. Accordingly, the loss due to the recombination of electrons and holes is reduced, and at the same time, the ability to transfer the electrons or holes generated by the photoelectric effect to the rear finger line 170 is further improved, so that the photoelectric conversion efficiency of the solar cell 100 Can be further improved.

이러한, 후면 전계층(150)의 제3 영역(154)은 1E19~1E21의 도핑 농도를 가질 수 있고, 제4 영역(122)은 5E18~1E20의 도핑 농도를 가질 수 있다. 또한, 후면 전계층(150)의 제3 영역(154)의 면저항은 20 내지 70Ω/□, 바람직하게는 40 내지 60Ω/□로 설정될 수 있고, 제4 영역(152)의 면저항은 60 내지 150Ω/□, 바람직하게는 90 내지 120Ω/□로 설정될 수 있으며, 제3 영역(154)의 두께가 제4 영역(152)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. The third region 154 of the back front layer 150 may have a doping concentration of 1E19 to 1E21 and the fourth region 122 may have a doping concentration of 5E18 to 1E20. The sheet resistance of the third region 154 of the back front layer 150 may be set to 20 to 70? / ?, preferably 40 to 60? /?, And the sheet resistance of the fourth region 152 may be set to 60 to 150? / ?, preferably 90 to 120? /?, And the thickness of the third region 154 may be greater than the thickness of the fourth region 152.

한편, 본 발명에 따르면, 후면 전계층(150)의 두께는 에미터층(120)의 두께와 상이하게 형성될 수 있다.According to the present invention, the thickness of the back front layer 150 may be different from the thickness of the emitter layer 120.

먼저, 기판(110)이 N형의 도전형을 가지는 경우는, 예를 들어, 후면 전계층(150)은 P를 도핑하여 형성하고, 에미터층(120)은 B를 도핑하여 형성할 수 있는데, 이와 같은 경우는 후면 전계층(150)의 두께가 에미터층(120)의 두께보다 클 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 에미터층(120)의 제1 영역(124)의 도핑 두께(b) 보다 후면 전계층(150)의 제3 영역(154)의 도핑 두께(d)가 더 깊고, 에미터층(120)의 제2 영역(122)의 도핑 두께(a)보다 후면 전계층(150)의 제4 영역(152)의 도핑 두께(d)가 더 깊게 형성될 수 있다. 또한, 후면 전계층(150)의 제3 영역(154)의 폭은 에미터층(120)의 제1 영역(124)의 폭보다 크게 형성될 수 있다.First, when the substrate 110 has an N-type conductivity, for example, the rear front layer 150 may be formed by doping P, and the emitter layer 120 may be formed by doping B, In such a case, the thickness of the back front layer 150 may be greater than the thickness of the emitter layer 120. [ Specifically, the doping thickness d of the third region 154 of the back front layer 150 is deeper than the doping thickness b of the first region 124 of the emitter layer 120, The doping thickness d of the fourth region 152 of the back front layer 150 may be made deeper than the doping thickness a of the second region 122 of the back layer 150. [ The width of the third region 154 of the back front layer 150 may be greater than the width of the first region 124 of the emitter layer 120.

이와 같이 후면 전계층(150)의 두께가 에미터층(120)의 두께보다 크게 형성되면, 태양전지(100)의 전체 직렬 저항이 감소하여 태양전지(100)의 FF가 상승할 수 있다.When the thickness of the backside layer 150 is formed to be larger than the thickness of the emitter layer 120, the total series resistance of the solar cell 100 is reduced and the FF of the solar cell 100 can be increased.

또한, 다른 예로, 기판(110)이 P형의 도전형을 가지는 경우는, 일 예로, 후면 전계층(150)은 B를 도핑하여 형성하고, 에미터층(120)은 P를 도핑하여 형성할 수 있는데, 이와 같은 경우는 에미터층(120)의 두께가 후면 전계층(150)의 두께보다 크게 형성될 수 있다. 이와 같은 경우는, 에미터층(120)의 표면 불순물의 농도를 줄일 수 있고, deep junction의 형성이 유리하여 태양전지(100)의 개방전압(Voc)을 증가시킬 수 있다.In another example, when the substrate 110 has a P-type conductivity type, the back front layer 150 may be formed by doping B, and the emitter layer 120 may be formed by doping P In this case, the thickness of the emitter layer 120 may be greater than the thickness of the rear front layer 150. In such a case, the concentration of the surface impurities of the emitter layer 120 can be reduced, and the formation of the deep junction is advantageous, and the open-circuit voltage (Voc) of the solar cell 100 can be increased.

한편, 후면 전계층(150) 상에는 제2 반사방지막(160)이 위치한다. 제2 반사방지막(160)은 상술한 제1 반사방지막(130)과 동일할 수 있다. 즉, 제2 반사방지막(160)은, 예를 들어, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산화 질화물, 인트린식 비정질 실리콘, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가지고 있어, 기판(110)의 후면으로 입사되는 태양광의 반사율을 감소시키며, 기판(110)이 기판(110)이 N형일 경우 패시베이션층의 기능도 수행한다. 이러한 제2 반사방지막(160)은 1.8 내지 2.5의 굴절율을 가지고, 60 내지 100㎛의 두께로 형성될 수 있다. On the other hand, the second antireflection film 160 is positioned on the rear front layer 150. The second antireflection film 160 may be the same as the first antireflection film 130 described above. That is, the second antireflection film 160 may be formed of any one single film selected from the group consisting of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, intrinsic amorphous silicon, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 Or a combination of two or more films to reduce the reflectance of solar light incident on the rear surface of the substrate 110 and the substrate 110 also functions as a passivation layer when the substrate 110 is N-type. The second antireflection film 160 may have a refractive index of 1.8 to 2.5 and may have a thickness of 60 to 100 탆.

한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 기판(110)이 P형일 경우는 후면 전계층(150)과 제2 반사방지막(160) 사이에 패시베이션층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 패시베이션층(미도시)은 SiOx, AlxOy 등으로 형성될 수 있고, 이에 따라, SiO2/SiNx, Al2O3/SiNx 등의 패시베이션/제2 반사방지막(160)의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.Although not shown, a passivation layer (not shown) may be further provided between the rear front layer 150 and the second anti-reflective layer 160 when the substrate 110 is a P-type. A passivation layer (not shown) may be formed by such as SiOx, AlxOy, thus, SiO 2 / SiNx, Al 2 O 3 / SiNx, etc. The passivation / second, but may have a structure of the second antireflection film 160, whereby But is not limited to.

후면 핑거라인(170)은 복수개 형성될 수 있으며, 후면 전계층(150)과의 오믹접촉을 위해 기판(110)이 N형인 경우는 Ag와 유리 프릿 등이 포함된 페이스트를 스크린 인쇄하여 형성할 수 있으며, 기판이 P형인 경우는 AgAl와 유리 프릿 등이 포함된 페이스트를 사용하여 형성할 수 있다.A plurality of rear finger lines 170 may be formed. In the case where the substrate 110 is N-type for ohmic contact with the rear front layer 150, a paste containing Ag, glass frit, or the like may be formed by screen printing When the substrate is of the P type, it can be formed using a paste containing AgAl and glass frit.

또한, 후면 핑거라인(170)은 레이저의 조사에 의해 반사방지막(130) 및/또는 패시베이션층(미도시)을 제거(Laser ablation)하고, Ni 등에 의한 시드층(Seed layer)을 증착한 후, 도금 또는 Sputtering 등에 의해 증착하여 형성할 수 있다. 이와 같이 형성되는 전면 핑거라인(140)은 Ni/Cu/Sn, Ni/Ag, Ni/Cu/Ag 등의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 또한, 이와 같이 형성되는 전면 핑거라인(140)은 10㎛ 이상의 폭과, 60 내지 80㎛의 높이를 가지고 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The rear finger line 170 is formed by laser ablation of the antireflection film 130 and / or the passivation layer (not shown) by laser irradiation, depositing a seed layer of Ni or the like, Plating, sputtering, or the like. The front finger line 140 may have a structure such as Ni / Cu / Sn, Ni / Ag, or Ni / Cu / Ag. However, the present invention is not limited thereto. The front finger lines 140 may be formed to have a width of 10 m or more and a height of 60 to 80 m, but the present invention is not limited thereto.

이러한 다수의 후면 핑거라인(170)은 후면 핑거라인(170)과 교차하는 후면 버스 전극(190)과 접하여 광전효과에 의해 발생한 전류를 외부로 공급할 수 있다.The plurality of rear finger lines 170 may contact the rear bus electrode 190 intersecting the rear finger lines 170 to supply a current generated by the photoelectric effect to the outside.

한편, 후면 핑거라인(170)의 갯수와 전면 핑거라인(140)의 갯수는 어느 한쪽의 증가에 따라 서로 다르게 형성될 수 있다. 일 예로 후면 핑거라인(170)의 수가 전면 핑거라인(140)의 수보다 많을 수 있다.On the other hand, the number of the rear finger lines 170 and the number of the front finger lines 140 may be different from each other according to the increase of either one. For example, the number of rear finger lines 170 may be greater than the number of front finger lines 140.

후면 핑거라인(170)의 갯수가 전면 핑거라인(140)의 갯수 보다 많이 형성되면, 후면 핑거라인(170)으로의 전자 또는 정공의 이동거리가 짧아짐에 따라 태양전지(100)의 전체 저항이 감소할 수 있다. 또한, 저항을 감소시키기 위해 전면 핑거라인(140)의 갯수를 증가시킬 필요가 없으므로, 태양전지(100)의 전면에서의 광 흡수를 추가적으로 방해하지 않아 태양전지(100)의 광흡수율이 감소되는 것을 방지할 수 있다.If the number of the rear finger lines 170 is larger than the number of the front finger lines 140, the total resistance of the solar cells 100 decreases as the distance of movement of electrons or holes to the rear finger lines 170 becomes shorter can do. In addition, since it is not necessary to increase the number of the front finger lines 140 to reduce the resistance, the light absorption at the front surface of the solar cell 100 is not further disturbed and the light absorption rate of the solar cell 100 is reduced .

도 3은 도 1의 태양전지의 B-B'의 단면을 도시한 단면도로, 도 3은 일 예로, 후면 전계층(150)이 기판(110) 후면의 모서리로부터 'T' 만큼 이격되어 형성되는 것을 도시한다. 다만, 도면과는 달리 에미터층(120)이 기판(110)의 모서리와 이격되어 형성될 수 있으며, 에미터층(120)과 후면 전계층(150)이 모두 기판(110)의 모서리와 'T'만큼 이격되어 형성될 수도 있다. 이하에서는 도 3을 참조하여 설명한다.3 is a cross-sectional view of the solar cell of FIG. 1 taken along the line B-B ', and FIG. 3 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 1 where the rear front layer 150 is spaced apart from the edge of the rear side of the substrate 110 by' T ' Lt; / RTI > However, the emitter layer 120 and the back front layer 150 may both be formed to be spaced apart from the edge of the substrate 110. In this case, As shown in FIG. The following description will be made with reference to Fig.

도 3에 도시된 바와 같이, 후면 전계층(150)이 기판(110)의 모서리와 이격되어 형성되면, 후면 전계층(150)과 에미터층(120) 간의 단락을 방지할 수 있으며, 후술하는 바와 같이 기판(110)의 전면과 후면의 단락을 방지하기 위한 edge isolation 공정을 생략할 수 있다. 또한, 후면 전계층(150)을 형성하기 위해 불순물을 도핑할 때, 불순물이 태양전지(100)의 측면에까지 확산되는 것을 방지하여 태양전지(100)의 측면에 과도한 전류가 흘러 발생할 수 있는 Hot spot의 발생을 방지할 수 있다.3, when the rear front layer 150 is formed apart from the edge of the substrate 110, it is possible to prevent a short circuit between the rear front layer 150 and the emitter layer 120, An edge isolation process for preventing a short circuit between the front surface and the rear surface of the substrate 110 may be omitted. In addition, when the impurity is doped to form the rear front layer 150, it is possible to prevent impurities from diffusing to the side surface of the solar cell 100, Can be prevented.

다만, 후면 전계층(150)과 기판(110) 후면의 모서리간의 간격(T) 내에도 후면 전계층(150)을 형성하기 위한 제2 불순물이 확산 등에 의해 포함될 수 있으나, 이는 후면 전계층(150)과 에미터층(120) 간의 단락을 일으키지 않을 정도이므로 무시할 수 있다.A second impurity for forming the rear front layer 150 may also be included by diffusion or the like within the gap T between the rear front layer 150 and the rear side of the substrate 110, ) And the emitter layer 120, and can be neglected.

한편, 후면 전계층(150)과 기판(110) 후면의 모서리간의 거리(T)는 2~300㎛ 일 수 있다. 후면 전계층(150)과 기판(110) 후면의 모서리간의 거리(T)가 2㎛ 보다 작은 경우는, 불순물의 확산 등에 의해 후면 전계층(150)과 에미터층(120) 간의 단락이 발생할 수 있고, 이는 태양전지(100)의 효율을 감소시키는 원인이 될 수 있다. 반면에, 후면 전계층(150)과 기판(110) 후면의 모서리간의 거리(T)가 300㎛ 보다 큰 경우는, 형성되는 후면 전계층(120)의 면적이 감소하여 전자 정공쌍의 재결합의 증가에 따라 태양전지(100)의 효율이 감소할 수 있다.Meanwhile, the distance T between the rear front layer 150 and the edge of the rear surface of the substrate 110 may be 2 to 300 μm. If the distance T between the back surface front layer 150 and the edge of the back surface of the substrate 110 is less than 2 占 퐉, a short circuit may occur between the rear front layer 150 and the emitter layer 120 due to diffusion of impurities, , Which may cause the efficiency of the solar cell 100 to be reduced. On the other hand, when the distance T between the rear front layer 150 and the edge of the rear surface of the substrate 110 is larger than 300 mu m, the area of the rear front layer 120 formed decreases and the recombination of the electron hole pairs increases The efficiency of the solar cell 100 can be reduced.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시한 단면도이고, 도 5는 도 4의 태양전지의 에미터층의 도핑 프로필을 도시한 도이며, 도 6은 도 5에 따른 결과를 도시한 도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view of a solar cell according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a view illustrating a doping profile of an emitter layer of the solar cell of FIG. 4, and FIG. Fig.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지(200)는, 제1 도전형을 가지는 실리콘 반도체 기판(210), 기판(210)의 일면 상에 위치하는 에미터층(220), 에미터층(220)과 접속하는 다수의 전면 핑거라인(240), 기판(210)의 타면 상의 후면 전계층(250)과 후면 전계층(250)과 접속하는 다수의 후면 핑거라인(270)을 포함할 수 있다. 또한, 에미터층(220) 상의 제1 반사방지막(230)과 후면 전계층(250) 상의 제2 반사방지막(260)을 포함할 수 있다.4, a solar cell 200 according to an embodiment of the present invention includes a silicon semiconductor substrate 210 having a first conductivity type, an emitter layer 220 disposed on one surface of the substrate 210, A plurality of rear finger lines 270 connecting with the front front layer 250 and the rear front layer 250 on the other side of the substrate 210 can do. Further, the first antireflection film 230 on the emitter layer 220 and the second antireflection film 260 on the rear front layer 250 may be included.

기판(210), 제1 반사방지막(230), 전면 핑거라인(240), 제2 반사방지막(260), 후면 핑거라인(270)은 도 1 내지 도 3에서 도시하고 설명한 바와 동일하므로, 반복하여 설명하지 않는다.The substrate 210, the first antireflection film 230, the front fingerline 240, the second antireflection film 260, and the rear fingerline 270 are the same as those shown and described in FIGS. 1 to 3, I do not explain.

도 4를 참조하면, 에미터층(220)은 복수의 전면 핑거라인(240)과 접하는 제1 영역(224)과, 복수의 전면 핑거라인(240) 사이 즉, 복수의 제1 영역(224) 사이의 제2 영역(222)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 영역(224)의 도핑 농도는 제2 영역(122)의 도핑 농도보다 크게 형성되고, 제2 영역(222)의 도핑 깊이(b')가 제1 영역(224)의 도핑 깊이(a')보다 깊게 형성될 수 있다.4, the emitter layer 220 includes a first region 224 that is in contact with a plurality of front finger lines 240 and a second region 224 that is between the plurality of front finger lines 240, And a second region 222 of the second region. At this time, the doping concentration of the first region 224 is greater than the doping concentration of the second region 122, and the doping depth b 'of the second region 222 is greater than the doping depth of the first region 224 a ').

도 5는 도 4의 에미터층(220)의 도핑 프로필을 도시한 도로, 도 5의 A는 에미터층(220) 전체가 제2 영역(222)의 도핑 깊이(b')를 가지는 경우이며, 도 5의 B는 에미터층(220) 전체가 제1 영역(224)의 도핑 깊이(a')를 가지는 경우이다. 이때, 도 5의 A와 B는 그래프의 하부 면적이 동일하다. 즉, 도 5의 A는 B보다 도핑 깊이가 크나, A와 B는 동일한 저항을 가지며, A와 B 모두 70Ω/□으로 설정되어 있다.5 is a view showing the doping profile of the emitter layer 220 of FIG. 4, FIG. 5A shows a case where the entire emitter layer 220 has a doping depth b 'of the second region 222, 5, B is a case where the entire emitter layer 220 has a doping depth a 'of the first region 224. At this time, A and B in FIG. 5 have the same bottom area of the graph. That is, A in FIG. 5 has a larger doping depth than B, but A and B have the same resistance, and both A and B are set to 70? / ?.

도 6은 도 4과 같은 형태의 도핑 프로필을 가지는 에미터층(220)의 저항을 변화시켜 측정한 태양전지의 결과를 도시한다. 도 6을 참조하면, 도 6의 (a)와 같이 에미터층(220)의 도핑 깊이가 보다 큰 A의 경우가 B에 비해 다소 Jsc가 감소하나, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, A는 표면의 도핑 농도가 낮아짐에 따라 SRV(Surface recombination velocity)가 개선되기 때문에, B에 비해 Voc가 크게 증가하는 것을 알 수 있다. 그 결과, (c)에서 나타내는 바와 같이, 도핑 깊이가 보다 큰 A가 B에 비해 전체적인 태양전지의 효율이 향상됨을 알 수 있다.FIG. 6 shows the results of a solar cell measured by varying the resistance of the emitter layer 220 having a doping profile of the type shown in FIG. 6, when the doping depth of the emitter layer 220 is larger than that of the emitter layer 220, the Jsc is somewhat reduced as compared to the emitter layer 220, as shown in FIG. 6A. However, as shown in FIG. 6B, A shows that the surface recombination velocity (SRV) is improved as the surface doping concentration is lowered, so that the Voc is greatly increased as compared with B. As a result, as shown in (c), it can be seen that the efficiency of the solar cell as a whole is improved as compared with that of B where the doping depth is larger.

한편, 제1 영역(224)은 전면 핑거라인(240)과의 접촉저항을 줄이기 위한 고농도 도핑 영역으로, 소수 캐리어의 재결합(Recombination) 싸이트가 증가할 수 있기 때문에, 제1 영역(224)의 도핑 깊이(a')는 제2 영역(222)의 도핑 깊이(b') 보다 작게 형성되는 것이 바람직하며, 이에 의해, 캐리어의 재결합에 의한 Jsc의 감소가 증가하는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, the first region 224 is a heavily doped region for reducing the contact resistance with the front finger line 240, and the recombination site of the minority carriers may increase. Therefore, the doping of the first region 224 It is preferable that the depth a 'is formed to be smaller than the doping depth b' of the second region 222, whereby it is possible to prevent an increase in the decrease in Jsc due to carrier recombination.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지(200)는 제2 영역(222)의 두께(b')를, 전면 핑거라인(240)이 접하는 제1 영역(224)의 두께(a') 보다 크게 형성하여, Voc의 증가와 동시에 캐리어의 재결합에 의한 Jsc의 감소분을 보완하며, 전면 핑거라인(240)과의 접촉 저항을 낮추어 태양전지(200)의 Fill Factor를 향상시킬 수 있다. The thickness b 'of the second region 222 is greater than the thickness a' of the first region 224 where the front finger line 240 is in contact with the solar cell 200 according to an exemplary embodiment of the present invention. So that it is possible to improve the fill factor of the solar cell 200 by reducing the contact resistance with the front finger line 240 by compensating for the decrease in Jsc due to the recombination of carriers at the same time as increasing the Voc.

이러한 에미터층(220)의 제1 영역(224)은 1E19~1E21의 도핑 농도와 30 내지 70Ω/□, 바람직하게는 40 내지 60Ω/□의 면저항을 가지도록 설정될 수 있으며, 제2 영역(222)은 5E18~1E20의 도핑 농도와 70 내지 150Ω/□, 바람직하게는 90 내지 120Ω/□의 면저항을 가지도록 설정될 수 있다.The first region 224 of the emitter layer 220 may be set to have a doping concentration of 1E19 to 1E21 and a sheet resistance of 30 to 70? / ?, preferably 40 to 60? / ?, and the second region 222 ) Can be set to have a doping concentration of 5E18 to 1E20 and a sheet resistance of 70 to 150? / ?, preferably 90 to 120? / ?.

한편, 후면 전계층(250)은 에미터층(220)과 동일한 구조를 가질 수 있다. 즉, 다수의 후면 핑거라인(270)과 접하는 제3 영역(254)과, 다수의 후면 핑거라인(270) 사이 즉, 다수의 제3 영역(254) 사이의 제4 영역(252)을 포함하며, 제4 영역(252)의 도핑 깊이(d')가 제3 영역(254)의 도핑 깊이(c')보다 크게 형성될 수 있다. Meanwhile, the rear front layer 250 may have the same structure as the emitter layer 220. A third region 254 in contact with a plurality of rear finger lines 270 and a fourth region 252 between a plurality of rear finger lines 270, i.e., a plurality of third regions 254, The doping depth d 'of the fourth region 252 may be greater than the doping depth c' of the third region 254.

*이러한 구조는 상술한 에미터층(220)과 동일한 결과를 가져온다. 즉, Jsc는 다소 감소할 수 있으나, 이는 제3 영역(254)의 도핑 두께(c')를 감소시킴에 따라 보완되고, 제4 영역(252)의 도핑 두께(d')를 크게 하여 Voc가 향상됨에 따라, 전체적인 태양전지의 효율이 더욱 증가할 수 있다.This structure has the same result as the emitter layer 220 described above. The doping thickness d 'of the fourth region 252 may be increased by decreasing the doping thickness c' of the third region 254, As a result, the efficiency of the entire solar cell can be further increased.

한편, 제3 영역(254)의 불순물의 도핑농도는 제4 영역(252)의 불순물의 도핑 농도보다 크게 형성되어, 후면 핑거라인(270)과의 접촉저항을 감소시킬 수 있다. 이때, 제3 영역(254)은 1E19~1E21의 도핑 농도와 30 내지 70Ω/□, 바람직하게는 40 내지 60Ω/□의 면저항을 가지도록 설정될 수 있으며, 제4 영역(252)은 5E18~1E20의 도핑 농도와 70 내지 150Ω/□, 바람직하게는 90 내지 120Ω/□의 면저항을 가지도록 설정될 수 있다.On the other hand, the doping concentration of the impurity in the third region 254 is greater than the doping concentration of the impurity in the fourth region 252, so that the contact resistance with the rear finger line 270 can be reduced. In this case, the third region 254 may be set to have a doping concentration of 1E19 to 1E21 and a sheet resistance of 30 to 70? /?, Preferably 40 to 60? /?, And the fourth region 252 may be set to have a doping concentration of 5E18 to 1E20 And a sheet resistance of 70 to 150? / ?, preferably 90 to 120? / ?.

이때, 후면 전계층(250)의 두께와 에미터층(220)의 두께는 서로 상이하게 형성될 수 있다. 즉, 기판(210)이 N형의 도전형을 가지는 경우는, P가 도핑되어 형성되는 후면 전계층(250)의 두께가 B이 도핑되어 형성되는 에미터층(220)의 두께보다 크게 형성될 수 있으며, 이에 의해, 태양전지(200)의 전체 직렬 저항이 감소하여 태양전지(100)의 FF가 상승할 수 있다.At this time, the thickness of the rear front layer 250 and the thickness of the emitter layer 220 may be different from each other. That is, when the substrate 210 has the N-type conductivity, the thickness of the rear front layer 250 formed by doping P may be greater than the thickness of the emitter layer 220 formed by doping B Thus, the total series resistance of the solar cell 200 is reduced and the FF of the solar cell 100 can be increased.

또한, 기판(210)이 P형의 도전형을 가지는 경우는, P가 도핑되어 형성되는 에미터층(220)의 두께가 B이 도핑되어 형성되는 후면 전계층(250)의 두께보다 크게 형성될 수 있으며, 이에 의해, 에미터층(220)의 표면 불순물의 농도를 줄일 수 있고, deep junction의 형성이 유리하여 태양전지(200)의 개방전압(Voc)을 증가시킬 수 있다.In addition, when the substrate 210 has a P-type conductivity, the thickness of the emitter layer 220 formed by doping P may be greater than the thickness of the rear front layer 250 formed by doping B Thus, the concentration of surface impurities in the emitter layer 220 can be reduced, and formation of a deep junction is advantageous, so that the open-circuit voltage Voc of the solar cell 200 can be increased.

도 7 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 도이다.FIGS. 7 to 12 illustrate a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 7 내지 도 11은 도 1 내지 도 3에 도시된 태양전지(100)를 제조하는 공정의 일 예를 도시한다. 도 7 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지(100)의 제조방법을 설명하면, 우선, 도 7과 같이 제1 도전형을 가지는 실리콘 반도체 기판(110) 상에 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 가지는 제1 불순물을 제1 도핑농도로 1차 도핑하여 제1 불순물층을 형성한다. 상기 제1 불순물층은 상기 1차 도핑 및 후술할 2차 도핑에 의해 형성된 상기 제1 불순물을 포함하는 층을 통칭하며, 후술할 열처리에 의해 상기 제1 불순물이 활성화되어 에미터층(120)이 될 수 있다. 즉, 우선적으로 전체적으로 상기 제1 불순물의 도핑에 의해 제2 영역(122)을 형성한다. 제2 영역(122)의 형성은 제1 불순물을 열확산법, 레이져 도핑법(Laser dopong), 이온 주입법(Ion implantation) 등의 방법에 의해 도핑하여 의할 수 있다. 7 to 11 illustrate an example of a process of manufacturing the solar cell 100 shown in Figs. 1 to 3. Referring to FIGS. 7 to 11, a method of manufacturing a solar cell 100 according to an embodiment of the present invention will be described. First, as shown in FIG. 7, on a silicon semiconductor substrate 110 having a first conductivity type, The first impurity having the second conductivity type opposite to the conductive type is first doped with the first doping concentration to form the first impurity layer. The first impurity layer is referred to as a layer including the first impurity formed by the first doping and a second doping which will be described later, and the first impurity is activated by the heat treatment to be described later to become the emitter layer 120 . That is, the second region 122 is formed by doping the first impurity first as a whole. The second region 122 may be formed by doping the first impurity by a method such as thermal diffusion, laser doping, or ion implantation.

한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 기판(110)에는 요철구조를 먼저 형성할 수 있다. 요철구조는 기판(110)을 에칭액 등에 담그는 공정 등을 이용할 수 있으며, 요철구조는 피라미드, 정사각형, 삼각형 등 다양한 형태로 형성될 수 있다.On the other hand, although not shown in the drawing, a concavo-convex structure can be formed on the substrate 110 first. The concavo-convex structure may be a process of immersing the substrate 110 in an etching solution or the like, and the concavo-convex structure may be formed into various shapes such as a pyramid, a square, and a triangle.

다음으로 도 8과 같이, 다수의 전면 핑거라인(140)이 형성될 위치에 대응하는 개구(310)를 포함하는 제1 마스크(300)를 기판(110) 상에 위치시킨 다음, 이온 주입법 등에 의해 제1 불순물을 2차 도핑하여 제1 영역(124)을 형성한다. 개구(310)는 전면 핑거라인(140)이 형성되는 위치에 대응할 뿐만 아니라, 전면 버스 전극(도 1의 180)이 형성될 위치에도 대응하여 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 8, a first mask 300 including openings 310 corresponding to positions where a plurality of front finger lines 140 are to be formed is placed on the substrate 110, The first region 124 is formed by second-doping the first impurity. The opening 310 corresponds not only to the position where the front finger line 140 is formed but also to the position where the front bus electrode (180 in FIG. 1) is to be formed.

2차 도핑은 이온 주입법(Ion implantation) 등의 방법에 의할 수 있으며, 2차 도핑에 의해 형성되는 제1 영역(124)은 제2 영역(122)에 비해 높은 제2 도핑 농도를 가지고 형성된다. 제2 도핑 농도는 1E19~1E21일 수 있다. 이에 의해 후술하는 바와 같이, 전면 핑거라인(140)과의 접촉 저항이 감소할 수 있다. 따라서, 선택적 에미터 구조를 가질 수 있다.Secondary doping may be performed by ion implantation or the like, and the first region 124 formed by the second doping is formed with a second doping concentration higher than that of the second region 122 . The second doping concentration may be from 1E19 to 1E21. Thereby, as described later, the contact resistance with the front finger line 140 can be reduced. Therefore, it can have a selective emitter structure.

이어서, 상기 제2 불순물 도핑하여 제2 불순물층을 형성한다. 상기 제2 불순물층은 도핑된 상기 제2 불순물을 포함하는 층을 통칭하며, 후술할 열처리에 의해 상기 제2 불순물이 활성화되어 후면 전계층(150)이 될 수 있다. 구체적으로, 도 9를 참고하면, 기판(110) 후면의 모서리 부분(412)을 커버하는 제2 마스크(410)를 이용하여, 제4 영역(152)을 형성한다.Subsequently, the second impurity layer is formed by doping the second impurity. The second impurity layer is referred to as a layer including the doped second impurity, and the second impurity may be activated by a heat treatment to be described later to form the rear front layer 150. 9, a fourth region 152 is formed by using a second mask 410 covering a corner portion 412 of the rear surface of the substrate 110. In this case,

제4 영역(152)은 기판(110)의 후면에서 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지한다. 제4 영역(152)은 기판(110)과 동일한 도전형을 가지는 제2 불순물을 열 확산법, 레이져 도핑법, 이온 주입법 등의 방법으로 도핑하여 형성할 수 있다. 제4 영역(152)은 5E18~1E20의 도핑 농도를 가지고, 0.3 내지 1㎛의 깊이로 형성될 수 있다.The fourth region 152 prevents the recombination of the electron hole pairs separated from the back surface of the substrate 110. [ The fourth region 152 may be formed by doping a second impurity having the same conductivity type as that of the substrate 110 by a method such as a thermal diffusion method, a laser doping method, or an ion implantation method. The fourth region 152 has a doping concentration of 5E18 to 1E20, and may be formed at a depth of 0.3 to 1 mu m.

또한, 제4 영역(152)을 형성하기 위해 사용된 제2 마스크(410)는 기판(110) 후면의 모서리 부분(412)부터 T만큼의 거리를 커버하므로, 제4 영역(152)과 기판(110)의 측면에도 도핑될 수 있는 에미터층(120)과의 접속을 방지할 수 있다. 따라서, 기판(110)의 전면과 후면의 절연을 위한 edge isolation 공정을 생략할 수 있게 된다. The second mask 410 used to form the fourth region 152 covers the distance from the edge portion 412 of the rear surface of the substrate 110 to the distance T so that the fourth region 152 and the substrate 110 can also be prevented from being connected to the emitter layer 120 which can be doped. Therefore, the edge isolation process for insulating the front surface and the back surface of the substrate 110 can be omitted.

이에 의해, 도 3에서 상술한 바와 같이, 후면 전계층(150)은 기판(110) 후면의 모서리로부터 'T' 만큼 이격되어 형성된다. 이때, 후면 전계층(150)과 기판(110) 후면의 모서리간의 거리(T)는 2~300㎛ 일 수 있다. 다만, 도 9는 도 1의 태양전지의 A-A'의 단면을 도시하므로, 이를 도시하지는 않았다.3, the rear front layer 150 is formed to be spaced apart from the edge of the back surface of the substrate 110 by 'T'. At this time, the distance T between the rear front layer 150 and the edge of the rear surface of the substrate 110 may be 2 to 300 μm. However, FIG. 9 shows a cross section taken along the line A-A 'of the solar cell of FIG. 1, which is not shown.

한편, 제2 마스크(410)는 상술한 제2 영역(122)을 형성할 경우에도 사용되어 에미터층(120)이 기판(110)의 모서리와 이격되게 형성될 수도 있고, 에미터층(120)과 후면 전계층(150)의 형성시 모두 사용되어, 에미터층(120)과 후면 전계층(150)이 모두 기판(100)의 모서리와 이격되어 형성될 수도 있다.The second mask 410 may also be used to form the second region 122 so that the emitter layer 120 is spaced apart from the edge of the substrate 110 and the emitter layer 120, The emitter layer 120 and the back front layer 150 may be formed at a distance from the edge of the substrate 100. In this case,

다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 복수의 후면 핑거라인(170)이 형성될 위치에 대응하는 개구(422)를 포함하는 제3 마스크(420)를 기판(110)의 후면 상에 위치시킨 후, 제2 불순물을 이온 주입법 등의 방법으로 2차 도핑하여, 후면 전계층(150)의 제3 영역(154)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 10, a third mask 420 including an opening 422 corresponding to a position at which a plurality of rear finger lines 170 are to be formed is placed on the rear surface of the substrate 110 The second impurity is secondarily doped by a method such as ion implantation to form the third region 154 of the rear front layer 150. [

이때, 제3 마스크(420)에 형성된 개구(422)의 갯수는 제1 마스크(300)에 형성된 개구(310)의 갯수 보다 많을 수 있다.At this time, the number of openings 422 formed in the third mask 420 may be larger than the number of openings 310 formed in the first mask 300.

이어서, 상기 제1 불순물이 도핑된 상기 제1 불순물층과 상기 제2 불순물이 도핑된 상기 제2 불순물층을 동시에 열처리하여 제1 불순물 및 제2 불순물을 각각 활성화하므로써 에미터(120) 및 후면 전계층(150)을 형성할 수 있다. Next, the first impurity layer doped with the first impurity and the second impurity layer doped with the second impurity are simultaneously annealed to activate the first impurity and the second impurity, respectively, Layer 150 may be formed.

한편, 제1 불순물과 제2 불순물은, 일 예로, 이온 주입법(Ion implantation)에 의해 도핑할 수 있으며, 이 경우, 제1 불순물과 제2 불순물의 도핑을 위한 이온 주입법(Ion implantation)은, 조건의 변경없이 실시할 수 있고, 이에 따라 태양전지(100)의 생산성이 증가할 수 있다. 즉, 제1 불순물을 이온 주입법(Ion implantation)에 의해 도핑한 후, 동일한 조건으로 제2 불순물을 이온 주입법(Ion implantation)에 의해 도핑할 수 있고, 이에 의해 제1 불순물과 제2 불순물은 유사한 Rp(Projected range)를 가지고 도핑될 수 있다.Meanwhile, the first impurity and the second impurity can be doped by, for example, ion implantation. In this case, the ion implantation for doping the first impurity and the second impurity is performed under conditions The productivity of the solar cell 100 can be increased. That is, after the first impurity is doped by ion implantation, the second impurity can be doped by ion implantation under the same conditions, whereby the first impurity and the second impurity are doped by a similar Rp Lt; / RTI > can be doped with a projected range.

한편, 일 예로, 기판(210)이 N형의 도전형을 가지는 경우는, 제1 불순물은 B일 수 있고, 제2 불순물은 P일 수 있는데, 제1 불순물이 도핑된 에미터층(120)과 제2 불순물이 도핑된 후면 전계층(150)을 동시에 소성하면, P가 B에 비해 확산이 활발히 일어나기 때문에, 제2 불순물이 도핑된 후면 전계층(150)의 두께가 에미터층(120)의 두께보다 크게 형성될 수 있고, 이에 의해, 태양전지(200)의 전체 직렬 저항이 감소하여 태양전지(100)의 FF가 상승할 수 있다.On the other hand, when the substrate 210 has an N-type conductivity, the first impurity may be B and the second impurity may be P. The first impurity may be doped in the emitter layer 120 If the second front surface layer 150 doped with the second impurity is sintered simultaneously, since P diffuses more actively than B, the thickness of the rear front layer 150 doped with the second impurity becomes larger than the thickness of the emitter layer 120 So that the total series resistance of the solar cell 200 is reduced and the FF of the solar cell 100 can rise.

다른 예로, 기판(210)이 N형의 도전형을 가지는 경우는, 제1 불순물은 P일 수 있고, 제2 불순물은 B일 수 있으므로, 에미터층(120)의 두께가 후면 전계층(150)의 두께보다 크게 형성되어, deep junction의 형성이 유리하여 태양전지(200)의 개방전압(Voc)을 증가시킬 수 있다.As another example, when the substrate 210 has an N-type conductivity, the first impurity may be P and the second impurity may be B, so that the thickness of the emitter layer 120 is less than the thickness of the back- The formation of the deep junction is advantageous, and the open-circuit voltage Voc of the solar cell 200 can be increased.

다음으로, 도 9와 같이 에미터층(120) 상에 제1 반사방지막(130)과 전면 핑거라인(140)을 형성하고, 후면 전계층(150)상에 제2 반사방지막(160)과 후면 핑거라인(170)을 형성한다. 전면 핑거라인(140)의 개수와 후면 핑거라인(170)의 개수가 다를 수 있고, 구체적으로, 후면 핑거라인(170)의 개수가 더 많을 수 있다. 나아가, 전면 핑거라인(140)과 후면 핑거라인(170)이 서로 오버랩되지 않을 수 있다.Next, a first anti-reflection film 130 and a front finger line 140 are formed on the emitter layer 120 as shown in FIG. 9, and a second anti-reflection film 160 and a second anti- Line 170 is formed. The number of front finger lines 140 and the number of rear finger lines 170 may be different, and more specifically, the number of rear finger lines 170 may be greater. Further, the front finger line 140 and the rear finger line 170 may not overlap with each other.

또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 에미터층(120) 상과 후면 전계층(150) 상에는 패시베이션 층을 더 형성할 수 있다. 한편, 에미터층(120)과 후면 전계층(150)의 열처리시 산화막이 형성되는데, 이 산화막을 패시베이션 층으로 이용할 수도 있다.Also, although not shown in the drawing, a passivation layer may be further formed on the emitter layer 120 and the rear front layer 150. On the other hand, an oxide film is formed during the heat treatment of the emitter layer 120 and the rear whole layer 150, and this oxide film may be used as a passivation layer.

제1 반사방지막(130)과 제2 반사방지막(160)은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first and second antireflection films 130 and 160 may be formed by vacuum deposition, chemical vapor deposition, spin coating, screen printing, or spray coating. However, the present invention is not limited thereto.

전면 핑거라인(140)은 일 예로, 전면 전극용 페이스트를 마스크를 사용하여 전면 핑거라인(140) 형성 지점에 스크린 인쇄한 후 열처리를 행하여 형성할 수 있다. 인쇄된 페이스트는 소정과정을 통해 페이스트에 포함된 은이 고온에서 액상이 되었다가 다시 고상으로 재결정되면서, 유리 프릿을 매개로 하여 제1 반사방지막(130)을 관통하는 파이어 스루(fire through) 현상에 의해 에미터층(120)의 제1 영역(124)과 접속하게 된다.The front finger lines 140 may be formed, for example, by screen-printing the front electrode paste using a mask at the point where the front finger lines 140 are formed, and then performing heat treatment. The silver paste contained in the paste is re-solidified into a solid phase at a high temperature through a predetermined process, and is then re-crystallized into a solid phase through a predetermined process to form a silver paste by a fire through phenomenon through the first antireflection film 130 via the glass frit And is connected to the first region 124 of the emitter layer 120.

또한, 전면 핑거라인(140)은 레이저의 조사에 의해 제1 반사방지막(130) 및/또는 패시베이션층(미도시)을 제거(Laser ablation)하고, Ni 등에 의한 시드층(Seed layer)을 증착한 후, 도금 또는 Sputtering 등에 의해 증착하여 형성할 수 있다. 이 밖에, 전면 핑거라인(140)은 Laser firing 법, Laser ablation 후의 스크린 프린팅을 하는 방법 등에 의해 형성할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The front finger line 140 is formed by laser ablation of the first antireflection film 130 and / or the passivation layer (not shown) by laser irradiation, depositing a seed layer of Ni or the like Plating, sputtering, or the like. In addition, the front finger lines 140 can be formed by a laser firing method, a screen printing method after laser ablation, and the like, but are not limited thereto.

후면 핑거라인(170)은 전면 핑거라인(140)을 형성하는 방법과 동일할 수 있으므로, 자세한 설명은 생략한다. Since the rear finger line 170 may be the same as the method of forming the front finger line 140, detailed description is omitted.

한편, 형성되는 후면 핑거라인(170)의 갯수는, 태양전지(100)의 저항 감소 및 태양전지(100)의 광전변환 효율이 저하되는 것을 방지하기 위해, 전면 핑거라인(140)의 수와 다르게 형성될 수 있으며, 일 예로 전면 핑거라인(140) 보다 많이 형성될 수 있다. The number of the rear finger lines 170 formed may be different from the number of the front finger lines 140 in order to prevent a decrease in the resistance of the solar cell 100 and a decrease in photoelectric conversion efficiency of the solar cell 100 And may be formed more than the front finger line 140, for example.

도 12는 콤브 마스크(Comb mask)를 도시하는 도로, 콤브 마스크(500)를 이용하여 에미터층(120)의 제1 영역(124)과 제2 영역(122) 또는 후면 전계층(150)의 제3 영역(154)과 제4 영역(152)에 불순물을 한번에 도핑할 수 있다.12 is a view showing a comb mask 500 and a comb mask 500. The comb mask 500 includes a comb mask 500 and a comb mask 500. The comb mask 500 includes a comb mask 500, The third region 154 and the fourth region 152 can be doped with impurities at a time.

콤브 마스크(500)는 지지부(510)와 지지부(510)에서 연장되는 다수의 살(520)을 포함하고, 다수의 살(520) 사이는 개구인 슬롯(530)을 형성하는데, 일 예로, 이와 같은 콤브 마스크(500)를 사용하여 에미터층(120)을 형성하는 방법을 간략하게 설명하면, 콤브 마스크(500)는 기판(110) 상에 위치가 고정되고, 제1 불순물은 슬롯(530)을 통해 기판(110) 상에 주입되어 에미터층(120)의 제1 영역(124)을 형성한다. 제1 영역(124)을 형성한 후에는 콤브 마스크(500)의 하부에 위치하는 기판(110)이 이동하고, 제1 불순물은 계속 기판(110)에 주입되어, 제2 영역(122)을 형성한다. 이때, 제1 영역(124)과 제2 영역(122)은 이온을 주입하는 시간, 도핑되는 이온의 양, 이온 가속 에너지 등을 조절하여 도핑 농도를 조절할 수 있다.The comb mask 500 includes a support 510 and a plurality of fingers 520 extending from the support 510 and forming a slot 530 between the fingers 520, A method of forming the emitter layer 120 using the same comb mask 500 will be briefly described. The comb mask 500 is fixed on the substrate 110, and the first impurity is introduced into the slot 530 To form a first region (124) of emitter layer (120). After the first region 124 is formed, the substrate 110 located under the comb mask 500 moves and the first impurity is continuously injected into the substrate 110 to form the second region 122 do. At this time, the first region 124 and the second region 122 can control the doping concentration by controlling the time of ion implantation, the amount of doped ions, the ion acceleration energy, and the like.

따라서, 에미터층(120)과 후면 전계층(150) 또는 도 4의 에미터층(220)과 후면 전계층(250)은 콤브 마스크를 이용하여 한 번에 형성할 수도 있다.Thus, the emitter layer 120 and the back front layer 150 or the emitter layer 220 and the back front layer 250 of FIG. 4 may be formed at one time using a comb mask.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도이고, 도 14는 도 13의 C부분을 확대한 확대도이다.FIG. 13 is a cross-sectional view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 14 is an enlarged view of a portion C of FIG.

도 13을 참조하면, 본 발명에 따른 태양전지 모듈(600)은 복수의 태양전지(650), 복수의 태양전지(650)를 전기적으로 연결하는 복수의 리본(643), 복수의 태양전지(650)를 양면에서 밀봉하는 제1 밀봉 필름(631)과 제2 밀봉 필름(632), 태양전지(650)의 일면을 보호하는 전면 기판(610) 및 태양전지(650)의 이면을 보호하는 후면 기판(620)을 포함할 수 있다.13, a solar cell module 600 according to the present invention includes a plurality of solar cells 650, a plurality of ribbons 643 for electrically connecting the plurality of solar cells 650, a plurality of solar cells 650 A first sealing film 631 and a second sealing film 632 for sealing the back surface of the solar cell 650 on both sides thereof, a front substrate 610 for protecting one surface of the solar cell 650, 620 < / RTI >

복수의 태양전지(650)는 리본(643)에 의해 서로 전기적으로 연결되어 스트링(640)을 이룬다. 리본(643)은 일 예로 두 라인이 각각 태빙공정에 의해 태양전지(650)의 상,하부에 부착되어 복수의 태양전지(650)를 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 태빙공정은 태양전지(650)의 일면에 플럭스(flux)를 도포하고, 플럭스(flux)가 도포된 태양전지(650)에 리본(643)을 위치시킨 다음 소성 과정을 거쳐 할 수 있다. The plurality of solar cells 650 are electrically connected to each other by a ribbon 643 to form a string 640. The ribbon 643 may be attached to the upper and lower portions of the solar cell 650 by a tabletting process, for example, so that the plurality of solar cells 650 can be electrically connected to each other. That is, the tableting process can be performed by applying a flux to one surface of the solar cell 650, placing the ribbon 643 on the solar cell 650 coated with the flux, and then performing a sintering process.

또는, 도 14에 도시된 바와 같이, 태양전지(650)의 일면과 리본(643) 사이에 전도성 필름(Conductive film, 660)을 부착시킨 다음, 열 압착에 의해 복수의 태양전지(650)를 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있다. 14, a conductive film 660 may be attached between one side of the solar cell 650 and the ribbon 643, and then a plurality of solar cells 650 may be connected in series Or in parallel.

전도성 필름(650)은 베이스 필름(662)과 베이스 필름(662)에 분산된 도전성 입자(664)를 포함할 수 있다. 열압착에 의해 도전성입자(664)는 베이스 필름(662)의 외부로 드러나게 되고, 드러난 도전성 입자(664)에 의해 태양전지(650)와 리본(643)은 전기적으로 연결될 수 있다.The conductive film 650 may include the base film 662 and the conductive particles 664 dispersed in the base film 662. The conductive particles 664 are exposed to the outside of the base film 662 by thermocompression and the solar cell 650 and the ribbon 643 can be electrically connected by the exposed conductive particles 664. [

베이스 필름(662)은 접착성과 절연성이 우수한 열경화성 수지, 예를 들어 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 등으로 형성될 수 있으며, 도전성 입자(664)는 도전성이 우수한 금, 은, 니켈, 구리 입자 등일 수 있다. 또한, 도전성 입자(664)는 고분자 재질 등에 상술한 금속 입자를 도금한 입자일 수도 있다.The base film 662 may be formed of a thermosetting resin having excellent adhesiveness and insulation, for example, an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a polycarbonate resin, etc. The conductive particles 664 may be formed of gold, silver, Nickel, copper particles, and the like. The conductive particles 664 may be particles of the above-mentioned metal particles plated on a polymer material or the like.

이와 같이 전도성 필름에 의해 복수의 태양전지(650)를 연결하여 모듈화하는 경우는, 공정온도가 낮아져 스트링(640)의 휘어짐이 방지될 수 있다.When a plurality of solar cells 650 are connected by a conductive film to be modularized, the process temperature is lowered and warping of the string 640 can be prevented.

다시 도 13을 참조하면, 제1 밀봉 필름(631)과 제2 밀봉 필름(632)은 복수의 태양전지(650)를 양면에서 밀봉한다. 제1 밀봉 필름(631)과 제2 밀봉 필름(632)은 라미네이션에 의해 접착하여, 태양전지(650)에 악영향을 미칠 수 있는 수분이나 산소를 차단할 수 있다.Referring again to Fig. 13, the first sealing film 631 and the second sealing film 632 seal the plurality of solar cells 650 on both sides. The first sealing film 631 and the second sealing film 632 can be bonded by lamination to block water or oxygen which may adversely affect the solar cell 650. [

또한, 제1 밀봉 필름(631)과 제2 밀봉 필름(632)은 태양전지(650)의 각 요소들이 화학적으로 결합할 수 있도록 한다. 이러한 제1 밀봉 필름(631)과 제2 밀봉 필름(632)은 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 에틸렌초산비닐 부분 산화물, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지 등이 사용될 수 있다.In addition, the first sealing film 631 and the second sealing film 632 allow the respective elements of the solar cell 650 to chemically bond. The first sealing film 631 and the second sealing film 632 may be made of an ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA), polyvinyl butyral, an ethylene-vinyl acetate partial oxide, a silicone resin, an ester- Can be used.

전면 기판(610)은 태양광을 투과하도록 제1 밀봉 필름(631) 상에 위치하며, 외부의 충격 등으로부터 태양전지(650)를 보호하기 위해 강화유리인 것이 바람직하다. 또한, 태양광의 반사를 방지하고 태양광의 투과율을 높이기 위해 철분이 적게 들어간 저철분 강화유리인 것이 더욱 바람직하다. The front substrate 610 is positioned on the first sealing film 631 so as to transmit sunlight and is preferably made of tempered glass to protect the solar cell 650 from an external impact or the like. Further, it is more preferable to use a low-iron-content tempered glass containing a small amount of iron in order to prevent the reflection of sunlight and increase the transmittance of sunlight.

후면 기판(620)은 태양전지(650)의 이면에서 태양전지를 보호하는 층으로서, 방수, 절연 및 자외선 차단 기능을 하며, TPT(Tedlar/PET/Tedlar) 타입일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 또한, 태양광이 입사될 수 있는 투명 재질로 형성될 수 있다.The rear substrate 620 is a layer for protecting the solar cell from the back surface of the solar cell 650 and has a waterproof, insulating and ultraviolet shielding function and may be of TPT (Tedlar / PET / Tedlar) type . Further, it may be formed of a transparent material from which sunlight can be incident.

본 발명에 따른 태양전지는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The solar cell according to the present invention is not limited to the configuration and method of the embodiments described above, but the embodiments may be modified so that all or some of the embodiments are selectively combined .

또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention.

Claims (14)

제1 도전형을 가지는 실리콘 반도체 기판;
상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 가지는 제1 불순물이 도핑되고, 상기 기판의 일면 상에 위치하는 에미터층;
상기 에미터층과 접속하는 복수의 전면 핑거라인;
상기 일면과 대향하는 상기 기판의 타면에 형성되며, 상기 제1 도전형을 가지는 제2 불순물이 도핑된 후면 전계층; 및
상기 후면 전계층과 접속하는 복수의 후면 핑거라인;을 포함하고,
상기 전면 핑거라인의 개수와 상기 후면 핑거라인의 개수가 다르고,
상기 전면 핑거라인과 상기 후면 핑거라인이 서로 오버랩되지 않으며,
상기 기판은 N형이고, 상기 후면 전계층의 두께가 상기 에미터층의 두께보다 두꺼운 태양전지.A silicon semiconductor substrate having a first conductivity type;
An emitter layer doped with a first impurity having a second conductivity type opposite to the first conductivity type and positioned on one surface of the substrate;
A plurality of front finger lines connected to the emitter layer;
A rear front layer formed on the other surface of the substrate opposite to the one surface and doped with the second impurity having the first conductivity type; And
And a plurality of rear finger lines connected to the rear front layer,
Wherein the number of front finger lines and the number of rear finger lines are different,
The front finger line and the rear finger line do not overlap with each other,
Wherein the substrate is N-type, and the thickness of the back front layer is thicker than the thickness of the emitter layer. 제1항에 있어서,
상기 에미터층은 상기 복수의 전면 핑거라인과 접하는 제1 영역과, 상기 제1 영역 사이에 위치하고, 상기 제1 영역보다 도핑 농도가 작은 제2 영역을 포함하고,
상기 후면 전계층은 상기 복수의 후면 핑거라인과 접하는 제3 영역과, 상기 제3 영역 사이에 위치하고, 상기 제3 영역보다 도핑 농도가 작은 제4 영역을 포함하는 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the emitter layer includes a first region in contact with the plurality of front finger lines and a second region located between the first region and having a doping concentration lower than that of the first region,
Wherein the back front layer includes a third region in contact with the plurality of rear finger lines and a fourth region located between the third region and having a doping concentration lower than that of the third region. 제2항에 있어서,
상기 제1 영역의 두께가 상기 제2 영역의 두께보다 두꺼우며, 상기 제3 영역의 두께가 상기 제4 영역의 두께보다 두꺼운 태양전지.3. The method of claim 2,
Wherein a thickness of the first region is greater than a thickness of the second region, and a thickness of the third region is thicker than a thickness of the fourth region. 제2항에 있어서
상기 제2 영역의 두께가 상기 제1 영역의 두께보다 두꺼우며, 상기 제4 영역의 두께가 상기 제3 영역의 두께보다 두꺼운 태양전지.The method according to claim 2, wherein
Wherein a thickness of the second region is greater than a thickness of the first region, and a thickness of the fourth region is thicker than a thickness of the third region. 제1항에 있어서,
상기 에미터층 및 상기 후면 전계층 중 적어도 어느 하나는 상기 기판의 모서리와 이격되어 형성된 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein at least one of the emitter layer and the rear front layer is spaced apart from an edge of the substrate. 제5항에 있어서,
상기 에미터층 및 상기 후면 전계층 중 적어도 어느 하나와 상기 모서리간의 이격거리는 2~300㎛인 태양전지.6. The method of claim 5,
Wherein a distance between at least one of the emitter layer and the rear front layer and the edge is 2 to 300 mu m. 제1항에 있어서,
상기 후면 핑거라인의 수가 상기 전면 핑거라인의 수보다 많은 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the number of rear finger lines is greater than the number of front finger lines. 제1항에 있어서,
상기 에미터층 상의 제1 반사방지막과 상기 후면 전계층 상의 제2 반사방지막을 포함하는 태양전지.The method according to claim 1,
A first antireflection film on the emitter layer and a second antireflection film on the backside whole layer. N형 도전형을 가지는 실리콘 반도체 기판의 일면 전체에 P형 도전형을 가지는 제1 불순물을 이온 주입하여 제1 불순물층을 이온 주입하여 제1 불순물층을 형성하는 단계;
상기 일면에 대향하는 기판의 타면에 상기 N형 도전형을 가지는 제2 불순물을 이온 주입하여 제2 불순물층을 형성하는 단계;
상기 제1 불순물층 및 상기 제2 불순물층을 동시에 열처리 하여, 상기 제1 불순물 및 상기 제2 불순물을 활성화하여 동시에 각각 에미터층 및 상기 에미터층의 두께보다 두꺼운 후면 전계층을 형성하는 단계
상기 에미터층과 접하는 복수의 전면 핑거라인을 형성하는 단계; 및
상기 후면 전계층과 접하는 복수의 후면 핑거라인을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 전면 핑거라인의 개수와 상기 후면 핑거라인의 개수가 다르고,
상기 전면 핑거라인과 상기 후면 핑거라인이 서로 오버랩되지 않는
태양전지 제조방법.Implanting a first impurity having a P-type conductivity type on the entire surface of a silicon semiconductor substrate having an N-type conductivity type to form a first impurity layer by ion-implanting the first impurity layer;
Forming a second impurity layer by ion-implanting a second impurity having the N-type conductivity on the other surface of the substrate facing the one surface;
Heat treating the first impurity layer and the second impurity layer at the same time to activate the first impurity and the second impurity to form a rear whole layer thicker than the thicknesses of the emitter layer and the emitter layer,
Forming a plurality of front finger lines in contact with the emitter layer; And
Forming a plurality of rear finger lines in contact with the back front layer,
Wherein the number of front finger lines and the number of rear finger lines are different,
Wherein the front finger line and the rear finger line do not overlap each other
Method of manufacturing solar cell. 제9항에 있어서,
상기 에미터층 상에 제1 반사방지막을 형성하는 단계; 및
상기 후면 전계층 상에 제2 반사방지막을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법.10. The method of claim 9,
Forming a first antireflection film on the emitter layer; And
And forming a second antireflection film on the rear whole layer. 제9항에 있어서,
상기 에미터층과 접하는 복수의 제1 핑거라인을 형성하는 단계; 및
상기 후면 전계층과 접하는 복수의 제2 핑거라인을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법.10. The method of claim 9,
Forming a plurality of first finger lines in contact with the emitter layer; And
And forming a plurality of second finger lines in contact with the rear whole layer. 제11항에 있어서,
상기 에미터층은 상기 복수의 전면 핑거라인과 접하는 제1 영역과, 상기 제1 영역 사이에 위치하고, 상기 제1 영역보다 도핑 농도가 작은 제2 영역을 포함하며,
상기 후면 전계층은 상기 복수의 후면 핑거라인과 접하는 제3 영역과, 상기 제3 영역 사이에 위치하고, 상기 제3 영역보다 도핑 농도가 작은 제4 영역을 포함하는 태양전지 제조방법.12. The method of claim 11,
Wherein the emitter layer includes a first region in contact with the plurality of front finger lines and a second region located between the first region and having a doping concentration lower than that of the first region,
Wherein the back front layer includes a third region in contact with the plurality of rear finger lines and a fourth region located between the third region and having a doping concentration lower than that of the third region. 제9항에 있어서,
상기 후면 전계층은 상기 기판 후면의 모서리와 이격되어 형성되는 태양전지 제조방법.10. The method of claim 9,
Wherein the rear front layer is spaced apart from an edge of the rear surface of the substrate. 제13항에 있어서,
상기 후면 전계층과 상기 모서리간의 이격거리는 2~300㎛인 태양전지 제조방법.

14. The method of claim 13,
Wherein a distance between the rear front layer and the edge is 2 to 300 占 퐉.

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298080A (en) * 2002-04-02 2003-10-17 Mitsubishi Electric Corp Method for manufacturing solar cell
WO2010119512A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-21 三菱電機株式会社 Photovoltaic device and method for manufacturing the same
KR20110027388A (en) * 2009-09-10 2011-03-16 현대중공업 주식회사 Doping area method forming of solar cell

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298080A (en) * 2002-04-02 2003-10-17 Mitsubishi Electric Corp Method for manufacturing solar cell
WO2010119512A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-21 三菱電機株式会社 Photovoltaic device and method for manufacturing the same
KR20110027388A (en) * 2009-09-10 2011-03-16 현대중공업 주식회사 Doping area method forming of solar cell

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