KR20170084036A - Resin composition, and insulating film and semiconductor device using same - Google Patents

Resin composition, and insulating film and semiconductor device using same Download PDF

Info

Publication number
KR20170084036A
KR20170084036A KR1020177011191A KR20177011191A KR20170084036A KR 20170084036 A KR20170084036 A KR 20170084036A KR 1020177011191 A KR1020177011191 A KR 1020177011191A KR 20177011191 A KR20177011191 A KR 20177011191A KR 20170084036 A KR20170084036 A KR 20170084036A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating film
resin composition
component
present
resin
Prior art date
Application number
KR1020177011191A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102346820B1 (en
Inventor
후미카즈 고마츠
마사키 요시다
신 데라키
Original Assignee
나믹스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 나믹스 가부시끼가이샤 filed Critical 나믹스 가부시끼가이샤
Publication of KR20170084036A publication Critical patent/KR20170084036A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102346820B1 publication Critical patent/KR102346820B1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/54Silicon-containing compounds
    • C08K5/548Silicon-containing compounds containing sulfur
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L25/00Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L25/02Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C08L25/04Homopolymers or copolymers of styrene
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/12Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08L27/18Homopolymers or copolymers or tetrafluoroethene
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L71/08Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives
    • C08L71/10Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives from phenols
    • C08L71/12Polyphenylene oxides
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

FPC의 배선을 이루는 금속박이나, 폴리이미드 필름 등의 FPC의 기판 재료에 대해 우수한 접착 강도를 갖고, 또한 고주파 영역에서의 전기 특성, 구체적으로는 주파수 1∼10GHz의 영역에서 저유전율(ε) 및 저유전 정접(tanδ)을 나타내는 절연필름, 및 당해 절연 필름의 제조에 사용되는 수지 조성물을 제공한다. 본 발명의 조성물은 (A) 말단에 스티렌기를 갖고 페닐렌에테르 골격을 갖는 열경화성 수지, (B) 수첨된 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 및 (C) 폴리테트라플루오로에틸렌 필러를 함유하고, 상기 성분 (A)∼성분 (C)의 합계 질량에 대해 상기 성분 (C)를 40질량% 이상 80질량% 이하 함유한다.(Epsilon) at a frequency of 1 to 10 GHz and a low dielectric constant (epsilon) at a frequency of 1 to 10 GHz in a high-frequency region, An insulating film showing dielectric tangent (tan delta), and a resin composition used for producing the insulating film. The composition of the present invention comprises (A) a thermosetting resin having a styrene group at the terminal and a phenylene ether skeleton, (B) a hydrogenated styrenic thermoplastic elastomer, and (C) a polytetrafluoroethylene filler, (C) relative to the total mass of the component (A) to the component (C) in an amount of 40 mass% or more and 80 mass% or less.

Description

수지 조성물, 그것을 사용한 절연 필름 및 반도체 장치{RESIN COMPOSITION, AND INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin composition,

본 발명은 수지 조성물, 그것을 사용한 절연 필름 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, an insulating film using the resin composition, and a semiconductor device.

근래 전기·전자 기기에 사용되는 프린트 배선판은 기기의 소형화, 경량화 및 고성능화가 진행되고 있고, 특히, 다층 프린트 배선판에 대해 더욱 고다층화, 고밀도화, 박형화, 경량화, 고신뢰성 및 성형 가공성 등이 요구되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, printed wiring boards used in electric and electronic devices have been progressing in size, weight, and high performance, and in particular, multilayer printed wiring boards are required to have higher multilayering, higher density, thinner, lighter weight, .

또한, 최근의 프린트 배선판에 있어서의 전송 신호의 고속화 요구에 따라, 전송 신호의 고주파화가 현저히 진행되고 있다. 이로써, 프린트 배선판에 사용하는 재료에 대해 고주파 영역, 구체적으로는 주파수 1GHz 이상인 영역에서의 전기 신호 손실을 저감할 수 있는 것이 요구되고 있다.In addition, in response to a request for increasing the speed of a transmission signal in a recent printed wiring board, the frequency of a transmission signal is significantly increased. Thus, it is required that the material used for the printed wiring board is capable of reducing electrical signal loss in a high-frequency region, specifically, a region having a frequency of 1 GHz or more.

특허문헌 1에는 배선용 금속 도체와 저유전율(ε), 저유전 정접(tanδ)의 재료인 PTFE 등의 불소 수지를 전자선 조사에 의해 접착시키는 불소 수지 기판의 제조 방법이 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses a method of manufacturing a fluororesin substrate in which a metal conductor for wiring and a fluororesin such as PTFE which is a material of low dielectric constant (?) And low dielectric constant tangent (tan?) Are bonded by electron beam irradiation.

그러나, 배선용 금속 도체와 PTFE 등의 불소 수지를 접착시키기 위해서는, 불소 수지의 융점 부근의 온도(PTFE의 경우는 300℃ 부근)까지 가열할 필요가 있고, 고온에서의 처리가 필요하다. 또한, 고온에서의 처리가 필요하게 되기 때문에, 불소 수지의 분해에 의해 유독한 불산이 발생할 우려가 있다는 등의 문제가 있다.However, in order to bond a metal conductor for wiring and a fluororesin such as PTFE, it is necessary to heat to a temperature near the melting point of the fluororesin (in the case of PTFE, about 300 캜), and treatment at a high temperature is required. Further, since a treatment at a high temperature is required, toxic hydrofluoric acid may be generated by the decomposition of the fluororesin.

한편, 다층 프린트 배선판에 사용되는 층간 접착제나, 프린트 배선판의 표면 보호막(즉, 커버레이 필름)으로서 사용하는 접착 필름에 대해서도, 고주파 영역에서 우수한 전기 특성(저유전율(ε), 저유전 정접(tanδ))을 나타내는 것이 요구된다.On the other hand, also in the case of an interlayer adhesive used for a multilayer printed wiring board and an adhesive film used as a surface protective film (i.e., a coverlay film) of a printed wiring board, excellent electric characteristics (low dielectric constant (?), Low dielectric loss tangent )).

본원 출원인은 특허문헌 2에 있어서 FPC의 배선을 이루는 금속박이나, 폴리이미드 필름 등의 FPC의 기판 재료에 대해 우수한 접착 강도를 갖고, 또한 주파수 1∼10GHz의 고주파 영역에서의 전기 특성, 구체적으로는 주파수 1∼10GHz의 영역에서 저유전율(ε) 및 저유전 정접(tanδ)을 나타내는 커버레이 필름을 제안하고 있다.The applicant of the present application, in the patent document 2, has an excellent adhesive strength to a substrate material of an FPC such as a metal foil or a polyimide film constituting the wiring of the FPC, and has an electric characteristic in a high frequency range of 1 to 10 GHz, And a coverlay film showing low dielectric constant (?) And low dielectric loss tangent (tan?) In the region of 1 to 10 GHz.

특허문헌 2에 기재된 커버레이 필름은 가열 경화 후에 있어서 고주파에서의 전기 특성이 우수하고, 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전율을 3.0 이하, 추가로 2.5 이하로 할 수 있다. 또한, 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전 정접(tanδ)을 0.01 이하, 추가로 0.0025 이하로 할 수 있다.The coverlay film described in Patent Document 2 is excellent in electric characteristics at high frequency after heat curing and can have a dielectric constant of 3.0 or less, and further 2.5 or less in a region of frequency 1 to 10 GHz. Further, the dielectric loss tangent (tan?) In the frequency range of 1 to 10 GHz can be set to 0.01 or less, further 0.0025 or less.

일본 공개특허공보 2012-244056호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-244056 일본 공개특허공보 2011-68713호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-68713

고주파에서의 전기 특성에 대한 요구는 점점 엄격해지고 있어, 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전율은 2.30 미만인 것이 요구되고, 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전 정접(tanδ)은 0.0015 미만인 것이 요구된다.The requirements for electrical properties at high frequencies are becoming increasingly stringent, and dielectric constants in the frequency range of 1 to 10 GHz are required to be less than 2.30, and dielectric tangent (tan delta) in the frequency range of 1 to 10 GHz is required to be less than 0.0015.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, FPC의 배선을 이루는 금속박이나, 폴리이미드 필름 등의 FPC의 기판 재료에 대해 우수한 접착 강도를 갖고, 또한 고주파 영역에서의 전기 특성, 구체적으로는 주파수 1∼10GHz의 영역에서 저유전율(ε) 및 저유전 정접(tanδ)을 나타내는 절연 필름 및 상기 절연 필름의 제조에 사용하는 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problems of the prior art described above and has an object to provide a semiconductor device having an excellent adhesive strength to a substrate material of an FPC such as a metal foil or a polyimide film constituting the wiring of the FPC, An insulating film exhibiting a low dielectric constant (?) And a low dielectric tangent (tan?) In a frequency range of 1 to 10 GHz, and a resin composition for use in the production of the insulating film.

상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 (A) 말단에 스티렌기를 갖고 페닐렌에테르 골격을 갖는 열경화성 수지, (B) 수첨된 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 및 (C) 폴리테트라플루오로에틸렌 필러를 함유하고, 상기 성분 (A)∼성분 (C)의 합계 질량에 대해 상기 성분 (C)를 40질량% 이상 80질량% 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물을 제공한다.(A) a thermosetting resin having a phenylene ether skeleton having a styrene group at the terminal thereof, (B) a hydrogenated styrenic thermoplastic elastomer, and (C) a polytetrafluoroethylene filler , And contains from 40% by mass to 80% by mass of the component (C) relative to the total mass of the components (A) to (C).

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 상기 성분 (C)의 폴리테트라플루오로에틸렌 필러의 평균 입경이 20㎛ 이하인 것이 바람직하다. In the resin composition of the present invention, it is preferable that the average particle diameter of the polytetrafluoroethylene filler of the component (C) is 20 m or less.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 상기 성분 (B)의 수첨된 스티렌계 열가소성 엘라스토머가 적어도 (B-1) 스티렌 비율이 20% 이상인 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 및 (B-2) 스티렌 비율이 20% 미만인 스티렌계 열가소성 엘라스토머를 포함하는 것이 바람직하다.(B-1) a styrene-based thermoplastic elastomer having a styrene content of 20% or more, and (B-2) a styrene-based thermoplastic elastomer having a styrene content of less than 20% And a styrene-based thermoplastic elastomer.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, (D) 황 원자를 포함하는 실란 커플링제를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.In the resin composition of the present invention, it is preferable to further include (D) a silane coupling agent containing a sulfur atom.

또한, 본 발명은 본 발명의 수지 조성물로 형성되는 절연 필름을 제공한다.The present invention also provides an insulating film formed from the resin composition of the present invention.

또한, 본 발명은 지지체의 적어도 일면에, 본 발명의 수지 조성물로 이루어지는 층이 형성된 지지체 부착 절연 필름을 제공한다.Further, the present invention provides an insulating film with a support on which a layer of the resin composition of the present invention is formed on at least one surface of a support.

또한, 본 발명은 지지체의 적어도 일면에, 본 발명의 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층이 형성된 지지체 부착 절연체를 제공한다.The present invention also provides an insulator with a support on which at least one surface of a support is provided with a layer of a cured product of the resin composition of the present invention.

또한, 본 발명은 수지 기판의 주면상에 배선 패턴이 형성된 배선 부착 수지 기판의 배선 패턴 측에, 본 발명의 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층이 형성된 플렉시블 배선판을 제공한다.The present invention also provides a flexible wiring board in which a layer of a cured product of the resin composition of the present invention is formed on the wiring pattern side of a resin-coated wiring board on which wiring patterns are formed on the main surface of the resin substrate.

또한, 본 발명은 수지 기판의 주면상에 배선 패턴이 형성된 배선 부착 수지 기판의 배선 패턴 측에, 본 발명의 절연 필름이 접착되고 경화되어 이루어지는 플렉시블 배선판을 제공한다. Further, the present invention provides a flexible wiring board in which the insulating film of the present invention is adhered and cured on the wiring pattern side of the resin-coated wiring substrate on which the wiring pattern is formed on the main surface of the resin substrate.

또한, 본 발명은 주면상에 배선 패턴이 형성되는 배선 부착 수지 기판으로서, 본 발명의 수지 조성물의 경화물을 사용한 플렉시블 배선판을 제공한다.The present invention also provides a flexible wiring board using a cured product of the resin composition of the present invention as a wiring board resin substrate on which wiring patterns are formed on a main surface.

또한, 본 발명은 주면상에 배선 패턴이 형성되는 배선 부착 수지 기판으로서, 본 발명의 절연 필름의 경화물을 사용한 플렉시블 배선판을 제공한다.The present invention also provides a flexible wiring board using a cured product of the insulating film of the present invention as a wiring board resin substrate on which wiring patterns are formed on a main surface.

또한, 본 발명은 기판 간의 층간 접착에 본 발명의 수지 조성물을 사용한 반도체 장치를 제공한다.The present invention also provides a semiconductor device using the resin composition of the present invention for interlayer bonding between substrates.

또한, 본 발명은 기판 간의 층간 접착에 본 발명의 절연 필름을 사용한 반도체 장치를 제공한다.Further, the present invention provides a semiconductor device using the insulating film of the present invention for interlayer adhesion between substrates.

본 발명의 수지 조성물로 형성되는 절연 필름은 FPC의 배선을 이루는 금속박이나, 폴리이미드 필름 등의 FPC의 기판 재료에 대해 우수한 접착 강도를 갖고, 또한 고주파 영역에서의 전기 특성, 구체적으로는 주파수 1∼10GHz의 영역에서 저유전율(ε) 및 저유전 정접(tanδ)을 나타낸다. 이 때문에, 전기·전자 용도의 접착 필름이나 프린트 배선판의 커버레이 필름에 바람직하다. 또한, 반도체 장치의 기판 간의 층간 접착에 바람직하다. 또한, FPC 자체로도 사용할 수 있다.The insulating film formed from the resin composition of the present invention has an excellent adhesive strength to a substrate material of an FPC such as a metal foil or a polyimide film constituting the wiring of the FPC and has an electric characteristic in a high frequency region, (?) And low dielectric loss tangent (tan?) In the region of 10 GHz. Therefore, it is preferable for an adhesive film for electric or electronic use or a coverlay film for a printed wiring board. It is also preferable for interlayer adhesion between substrates of semiconductor devices. It can also be used as an FPC itself.

이하, 본 발명의 수지 조성물에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the resin composition of the present invention will be described in detail.

본 발명의 수지 조성물은, 이하에 나타내는 성분 (A)∼성분 (C)를 필수 성분으로서 함유한다.The resin composition of the present invention contains the following components (A) to (C) as essential components.

(A) 말단에 스티렌기를 갖고 페닐렌에테르 골격을 갖는 열경화성 수지 (A) a thermosetting resin having a styrene group at the terminal and a phenylene ether skeleton

성분 (A)의 말단에 스티렌기를 갖고 페닐렌에테르 골격을 갖는 열경화성 수지(이하, 본 명세서에 있어서 「성분 (A)의 열경화성 수지」라고 기재한다)로는 하기 화학식 (1)로 나타내는 화합물이 바람직하다.As the thermosetting resin having a styrene group at the terminal of the component (A) and having a phenylene ether skeleton (hereinafter referred to as " thermosetting resin of the component (A) " in the present specification), a compound represented by the following formula (1) .

Figure pct00001
Figure pct00001

식 (1) 중, -(O-X-O)-는 하기 화학식 (2) 또는 (3)으로 나타낸다.In the formula (1), - (O-X-O) - is represented by the following formula (2) or (3).

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
Figure pct00003

식 (2) 중, R1, R2, R3, R7, R8은 동일 또는 상이해도 되고, 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다. R4, R5, R6은 동일 또는 상이해도 되고, 수소 원자, 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다.In formula (2), R 1 , R 2 , R 3 , R 7 and R 8 may be the same or different and are an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group. R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different and are a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group.

식 (3) 중, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16은 동일 또는 상이해도 되고, 수소 원자, 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다. -A-는 탄소수 20 이하의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 2가의 탄화수소기이다.In the formula (3), R 9, R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 and R 16 may be the same or different and each is a hydrogen atom or an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group. -A- is a linear, branched or cyclic divalent hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms.

식 (1) 중, -(Y-O)-는 화학식 (4)로 나타내고, 1종류의 구조 또는 2종류 이상인 구조가 랜덤으로 배열되어 있다.In the formula (1), - (Y-O) - is represented by the formula (4), and one kind of structure or two or more kinds of structures are randomly arranged.

Figure pct00004
Figure pct00004

식 (4) 중, R17, R18은 동일 또는 상이해도 되고, 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다. R19, R20은 동일 또는 상이해도 되고, 수소 원자, 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다.In the formula (4), R 17 and R 18 may be the same or different and are an alkyl group having 6 or less carbon atoms or a phenyl group. R 19 and R 20 may be the same or different and are a hydrogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group.

식 (1) 중, a, b는 적어도 어느 일방이 0이 아닌 0∼100의 정수를 나타낸다.In formula (1), a and b each represent an integer of 0 to 100, at least one of which is not 0.

식 (3)에 있어서의 -A-로는 예를 들면, 메틸렌, 에틸리덴, 1-메틸에틸리덴, 1,1-프로필리덴, 1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴), 1,3-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴), 시클로헥실리덴, 페닐메틸렌, 나프틸메틸렌, 1-페닐에틸리덴 등의 2가의 유기기를 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Examples of -A- in the formula (3) include methylene, ethylidene, 1-methylethylidene, 1,1-propylidene, 1,4-phenylenebis (1-methylethylidene) But are not limited to, divalent organic groups such as 1,3-phenylene bis (1-methylethylidene), cyclohexylidene, phenylmethylene, naphthylmethylene and 1-phenylethylidene.

식 (1)로 내타내는 화합물로는 R1, R2, R3, R7, R8, R17, R18이 탄소수 3 이하의 알킬기이며, R4, R5, R6, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R19, R20이 수소 원자 또는 탄소수 3 이하의 알킬기인 것이 바람직하고, 특히, 화학식 (2) 또는 화학식 (3)으로 나타내는 -(O-X-O)-가 화학식 (5), 화학식 (6), 또는 화학식 (7)이며, 화학식 (4)로 나타내는 -(Y-O)-가 식 (8) 또는 식 (9)이거나 혹은 식 (8)과 식 (9)가 랜덤하게 배열된 구조인 것이 보다 바람직하다.R 1 , R 2 , R 3 , R 7 , R 8 , R 17 and R 18 are alkyl groups having up to 3 carbon atoms and R 4 , R 5 , R 6 , R 9 , It is preferable that R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 , R 19 and R 20 are each a hydrogen atom or an alkyl group having 3 or less carbon atoms, - (YO) - represented by the formula (4) is the formula (8) or the formula (9) or the formula (6) (8) and (9) are randomly arranged.

Figure pct00005
Figure pct00005

Figure pct00006
Figure pct00006

Figure pct00007
Figure pct00007

Figure pct00008
Figure pct00008

Figure pct00009
Figure pct00009

식 (1)로 나타내는 화합물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 2관능 페놀 화합물과 1관능 페놀 화합물을 산화 커플링시켜 얻어지는 2관능 페닐렌에테르 올리고머의 말단 페놀성 수산기를 비닐벤질에테르화함으로써 제조할 수 있다.The method for producing the compound represented by the formula (1) is not particularly limited. For example, the terminal phenolic hydroxyl group of a bifunctional phenylene ether oligomer obtained by oxidatively coupling a bifunctional phenol compound and a monofunctional phenol compound is reacted with a vinylbenzyl ether . ≪ / RTI >

성분 (A)의 열경화성 수지의 수평균 분자량은 GPC법에 따른 폴리스티렌 환산으로 500∼3,000의 범위가 바람직하고, 1000∼2500의 범위가 보다 바람직하다. 수평균 분자량이 500 이상이면, 본 발명의 수지 조성물을 도막형으로 했을 때 달라붙기 어렵고, 또한, 3000 이하이면, 용제에 대한 용해성의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 성분 (A)로서는 고주파에서의 전기 특성의 관점에서 비유전율이 3.0 이하의 것을 사용하는 것이 바람직하다.The number average molecular weight of the thermosetting resin of the component (A) is preferably in the range of 500 to 3,000, more preferably 1,000 to 2,500 in terms of polystyrene according to the GPC method. When the number average molecular weight is 500 or more, the resin composition of the present invention is hardly stuck to the coating film. When the number average molecular weight is 3,000 or less, deterioration of solubility in a solvent can be prevented. As the component (A), it is preferable to use one having a relative dielectric constant of 3.0 or less from the viewpoint of electric characteristics at a high frequency.

(B) 수첨된 스티렌계 열가소성 엘라스토머 (B) a hydrogenated styrenic thermoplastic elastomer

성분 (B)의 스티렌계 열가소성 엘라스토머란, 스티렌, 그 동족체 혹은 그 유사체를 함유하는 열가소성 엘라스토머를 말한다. 단, 분자 중의 불포화 결합의 존재가 유전 정접(tanδ)의 증대로 연결되기 때문에, 성분 (B)로서 스티렌계 열가소성 엘라스토머 중 수첨된 것을 사용한다. 즉, 수첨된 스티렌계 열가소성 엘라스토머를 사용함으로써, 수첨되어 있지 않은 것과 비교하여 낮은 유전 정접(tanδ)이 얻어진다.The styrene-based thermoplastic elastomer of the component (B) refers to a thermoplastic elastomer containing styrene, an isomer thereof, or an analogue thereof. However, since the presence of an unsaturated bond in the molecule leads to an increase in dielectric tangent (tan delta), the component (B) that has been hydrogenated in the styrene series thermoplastic elastomer is used. That is, by using the hydrogenated styrenic thermoplastic elastomer, a dielectric loss tangent (tan?) As low as that obtained when no hydrogenation is obtained can be obtained.

성분 (B)로는 예를 들면, 폴리스티렌-폴리(에틸렌-에틸렌/프로필렌)블록-폴리스티렌(SEEPS), 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌)블록-폴리스티렌(SEPS), 폴리스티렌-폴리(에틸렌/부틸렌)블록-폴리스티렌(SEBS)을 들 수 있다.Examples of the component (B) include polystyrene-poly (ethylene-ethylene / propylene) block-polystyrene (SEEPS), polystyrene-poly (ethylene / propylene) block-polystyrene (SEPS), polystyrene- Block-polystyrene (SEBS).

여기서 예시한 화합물은 단독으로 사용되어도 되고, 2종 이상의 것이 혼합되어 사용되어도 된다. 단, 상기에서 예시한 화합물을 단독으로 사용하는 경우, 2종 이상의 것이 혼합되어 사용되는 경우 중 어느 경우에도, 성분 (B)의 수첨된 스티렌계 열가소성 엘라스토머는 스티렌 비율이 상이한 것을 포함하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, (B-1) 스티렌 비율이 20% 이상인 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 및 (B-2) 스티렌 비율이 20% 미만인 스티렌계 열가소성 엘라스토머를 적어도 포함하는 것이 바람직하다.The compounds exemplified herein may be used alone or in combination of two or more. However, in the case where the above-exemplified compounds are used singly or in combination of two or more thereof, it is preferable that the hydrogenated styrene-based thermoplastic elastomer of the component (B) includes those having different styrene ratios . Specifically, it preferably contains at least a styrene-based thermoplastic elastomer having a styrene content of at least 20% and (B-2) a styrene-based thermoplastic elastomer having a styrene content of less than 20%.

성분 (B)로서 (B-1)만을 사용한 경우, 수지 조성물을 사용하여 제작되는 필름이 균열되기 쉬워져 작업성이 악화될 우려가 있다. 한편, (B-2)만을 사용한 경우, 수지 조성물을 사용하여 제작되는 필름이 지나치게 부드러워져 작업성이 악화될 우려가 있다.When only (B-1) is used as the component (B), the film produced using the resin composition tends to be easily cracked, and the workability may be deteriorated. On the other hand, in the case of using only (B-2), the film produced using the resin composition may become too soft and the workability may be deteriorated.

또한, 스티렌 비율이 20% 미만인 (B-2)를 단독으로 사용한 경우, 스티렌 비율이 20% 정도의 스티렌계 열가소성 엘라스토머를 단독으로 사용한 경우에 비해, 고무 성분이 많기 때문에 접착 강도가 향상된다. 이 때문에, 접착 강도 향상의 관점에서는, 스티렌 비율이 20% 정도의 스티렌계 열가소성 엘라스토머를 단독으로 사용하는 것보다, 고무 성분이 많은 스티렌 비율이 20% 미만인 (B-2)와 스티렌 비율이 20% 이상인 (B-1)을 병용하여, 스티렌 비율이 20% 정도가 되도록 조정하는 것이 바람직하다.In addition, when (B-2) having a styrene content of less than 20% is used alone, the adhesive strength is improved because the number of rubber components is larger than when a styrene-based thermoplastic elastomer having a styrene content of about 20% is used alone. Therefore, from the viewpoint of improving the bonding strength, it is more preferable to use a styrene-based thermoplastic elastomer having a styrene content of less than 20% and a styrene content of less than 20% (B-1) are preferably used in combination so that the styrene content is adjusted to be about 20%.

성분 (B)에 있어서 상기 (B-1) 및 (B-2)의 함유 비율은 특별히 한정되지 않지만, (B-1)과 (B-2)의 질량비가 (B-1):(B-2)=20:80∼80:20인 것이 바람직하고, 30:70∼70:30인 것이 보다 바람직하며, 40:60∼60:40인 것이 더욱 바람직하다.The content ratio of (B-1) and (B-2) in the component (B) is not particularly limited, but the mass ratio of (B- 2) is preferably 20:80 to 80:20, more preferably 30:70 to 70:30, and even more preferably 40:60 to 60:40.

성분 (A) 및 성분 (B)는 성분 (A)∼성분 (C)의 합계 질량에 대해 20∼60질량% 포함된다. 여기서, 성분 (A)와 성분 (B)의 질량비가 성분 (A):성분 (B)=5:95∼95:5인 것이 바람직하고, 20:80∼80:20인 것이 보다 바람직하며, 40:60∼60:40인 것이 더욱 바람직하다.The component (A) and the component (B) are contained in an amount of 20 to 60 mass% with respect to the total mass of the components (A) to (C). The mass ratio of the component (A) to the component (B) is preferably from 5:95 to 95: 5, more preferably from 20:80 to 80:20, : 60 to 60:40.

성분 (B)가 많아지면, 상대적으로 성분 (A)가 감소하기 때문에 본 발명의 수지 조성물을 경화할 때에 유출이 발생하기 쉬워진다. 반대로, 성분 (A)가 많아지면, 상대적으로 성분 (B)가 감소하기 때문에 절연 필름의 성형성이 악화되기 쉬워진다.When the amount of the component (B) is increased, the component (A) is relatively decreased, so that the resin composition of the present invention is liable to run out when cured. On the other hand, when the component (A) is increased, the component (B) relatively decreases, and therefore the moldability of the insulating film tends to deteriorate.

(C) 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 필러(C) a polytetrafluoroethylene (PTFE) filler

성분 (C)의 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 필러는, 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성되는 절연 필름의 고주파에서의 전기 특성, 구체적으로는 주파수 1∼10GHz의 영역에서 저유전율(ε) 및 저유전 정접(tanδ)에 기여한다.The polytetrafluoroethylene (PTFE) filler of the component (C) has an electric property at high frequency of the insulating film formed using the resin composition of the present invention, specifically, a low dielectric constant (?) At a frequency of 1 to 10 GHz, And low dielectric tangent (tan?).

상술한 바와 같이, PTFE는 저유전율(ε), 저유전 정접(tanδ)의 재료이다. 그러나, 특허문헌 1에 기재된 불소 수지 기판의 제조 방법과 같이, 배선용 금속 도체와 PTFE 등의 불소 수지를 접착시키기 위해서는 불소 수지의 융점 부근의 온도(PTFE의 경우는 300℃ 부근)까지 가열할 필요가 있어, 고온에서의 처리가 필요하다. 또한, 고온에서의 처리가 필요하게 되기 때문에, 불소 수지의 분해에 의해 유독한 불산이 발생할 우려가 있다는 등의 문제가 있다.As described above, PTFE is a material having a low dielectric constant (?) And a low dielectric tangent (tan?). However, in order to adhere the metal conductor for wiring and the fluororesin such as PTFE to the fluororesin substrate as described in Patent Document 1, it is necessary to heat to a temperature near the melting point of the fluororesin (in the case of PTFE, about 300 DEG C) Therefore, treatment at a high temperature is necessary. Further, since a treatment at a high temperature is required, toxic hydrofluoric acid may be generated by the decomposition of the fluororesin.

이에 대해, 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성되는 절연 필름에서는 FPC의 배선을 이루는 금속박이나, 폴리이미드 필름 등의 FPC의 기판 재료와 당해 절연 필름의 접착 강도를 성분 (A)의 열경화성 수지 및 성분 (B)의 열가소성 엘라스토머에 의해 확보하고, 성분 (C)의 PTFE 필러를 이하에 서술하는 소정량 함유함으로써, 당해 절연 필름의 고주파에서의 전기 특성, 구체적으로는 주파수 1∼10GHz의 영역에서 저유전율(ε) 및 저유전 정접(tanδ)을 달성한다. 또한, 본 발명의 수지 조성물을 사용한 절연 필름은 200℃ 정도로 배선용 금속 도체와 접착할 수 있기 때문에, 접착시에 유독한 불산이 발생하지 않는다.On the other hand, in the insulating film formed by using the resin composition of the present invention, the bonding strength between the substrate material of the FPC such as a metal foil and the polyimide film forming the wiring of the FPC and the insulating film is changed from the thermosetting resin of the component (A) (B), and the PTFE filler of the component (C) is contained in a predetermined amount as described below, whereby the electric characteristics of the insulating film at high frequency, specifically, the electric properties at a high frequency of 1 to 10 GHz, (?) and low dielectric loss tangent (tan?). Further, since the insulating film using the resin composition of the present invention can be bonded to the metal conductor for wiring at a temperature of about 200 캜, toxic hydrofluoric acid does not occur at the time of bonding.

성분 (C)의 PTFE 필러는 성분 (A)∼성분 (C)의 합계 질량에 대해 40∼80질량% 포함된다. 성분 (C)의 함유량이 성분 (A)∼성분 (C)의 합계 질량에 대해 40질량% 보다 적으면, 원하는 고주파에서의 전기 특성이 얻어지지 않는다. 성분 (C)의 함유량이 성분 (A)∼성분 (C)의 합계 질량에 대해 80질량% 보다 많으면, 필름화가 곤란해 진다.The PTFE filler of the component (C) is contained in an amount of 40 to 80 mass% with respect to the total mass of the components (A) to (C). If the content of the component (C) is less than 40 mass% with respect to the total mass of the components (A) to (C), electric characteristics at a desired high frequency can not be obtained. If the content of the component (C) is more than 80 mass% with respect to the total mass of the components (A) to (C), film formation becomes difficult.

성분 (C)의 PTFE 필러의 함유량은 성분 (A)∼성분 (C)의 합계 질량에 대해 45∼75질량% 포함되는 것이 바람직하고, 50∼70질량% 포함되는 것이 보다 바람직하다.The content of the PTFE filler of the component (C) is preferably 45 to 75 mass%, more preferably 50 to 70 mass%, based on the total mass of the components (A) to (C).

일본 공개특허공보 2003-160725호에는 폴리페닐렌옥사이드(PPO) 수지 조성물에 PTFE 등의 불소계 충전재를 혼합하여 사용함으로써, 상기 조성물의 유전율을 저감할 수 있다고 기재되어 있다.Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2003-160725 discloses that the dielectric constant of the composition can be reduced by mixing a polyphenylene oxide (PPO) resin composition with a fluorine-based filler such as PTFE.

그러나, 일본 공개특허공보 2003-160725호에 기재된 PPO 수지 조성물은 유리 섬유 등에 함침시켜 프리프레그로서 사용하는 것을 전제로 하고 있고, 성형성이나 유리 섬유에 대한 함침성 등의 관점에서 불소계 충전재의 배합량에 제약이 있어, 불소계 충전재의 배합량은 수지 성분 100질량부에 대해 1∼60질량부로 되어 있다. 이 불소계 충전재의 배합량의 상한을 본 발명에 있어서의 성분 (C)의 함유량으로 환산하면, 성분 (A)∼성분 (C)의 합계 질량에 대해 약 37.5질량%이며, 원하는 고주파에서의 전기 특성이 얻어지지 않는다.However, the PPO resin composition disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-160725 is premised on being used as a prepreg by impregnation into glass fiber or the like, and from the viewpoints of moldability and impregnation with glass fibers, And the blending amount of the fluorine-based filler is 1 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component. When the upper limit of the amount of the fluorine-based filler is converted into the content of the component (C) in the present invention, it is about 37.5% by mass with respect to the total mass of the components (A) to (C) Is not obtained.

성분 (C)의 PTFE 필러는 평균 입경이 20㎛ 이하인 것이 바람직하다. 평균 입경이 20㎛보다 큰 경우에는 수지 조성물 중에 균일하게 분산되기 어렵고, 필름화했을 때에 얼룩 무늬가 생기거나 줄 무늬가 생기는 등의 불량가 발생할 우려가 있다.The PTFE filler of the component (C) preferably has an average particle diameter of 20 占 퐉 or less. When the average particle diameter is larger than 20 占 퐉, it is difficult to disperse uniformly in the resin composition, and there is a possibility that defects such as a stain pattern or a stripe pattern may occur when the film is made into a film.

여기서, PTFE 필러의 형상은 특별히 한정되지 않고, 구상, 부정형, 인편상 등의 어느 형태여도 된다. 한편, 본 명세서에 있어서의 PTFE 필러의 평균 입경은 습식 분산 후, 레이저 회절법에 따라 측정한 체적 기준의 메디안 직경이다.Here, the shape of the PTFE filler is not particularly limited, and may be any shape such as spherical, irregular, and scaly. On the other hand, the average particle diameter of the PTFE filler in the present specification is a median diameter on a volume basis measured by laser diffraction after wet dispersion.

성분 (C)의 PTFE 필러의 평균 입경은 0.01∼20㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.05∼5㎛인 것이 더욱 바람직하다.The average particle diameter of the PTFE filler of the component (C) is more preferably 0.01 to 20 占 퐉, and still more preferably 0.05 to 5 占 퐉.

본 발명의 수지 조성물은 상기 성분 (A)∼성분 (C) 이외에, 이하에 서술하는 성분을 필요에 따라 함유해도 된다.The resin composition of the present invention may contain, in addition to the above components (A) to (C), the components described below as needed.

(D) 황 원자를 포함하는 실란 커플링제(D) a silane coupling agent containing a sulfur atom

성분 (D)로서 황 원자를 포함하는 실란 커플링제를 함유시킨 경우, 수지 조성물을 사용하여 제작되는 절연 필름의 고주파에서의 전기 특성을 유지하면서, FPC의 배선으로서 널리 사용되는 구리박과의 접착 강도가 향상되어, 접착 후의 박리 리스크를 저감할 수 있다.When a silane coupling agent containing a sulfur atom is contained as the component (D), the adhesive strength to the copper foil widely used as the wiring of the FPC, while maintaining the electrical characteristics at high frequency of the insulating film produced using the resin composition And the peeling risk after bonding can be reduced.

황 원자를 포함하는 실란 커플링제로는 메르캅토계 실란 커플링제, 술피드계 실란 커플링제 등을 사용할 수 있다.As the silane coupling agent containing a sulfur atom, a mercapto-based silane coupling agent, a sulfide-based silane coupling agent, or the like can be used.

메르캅토계 실란 커플링제로는 예를 들면, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-메르캅토프로필디메틸메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the mercapto-based silane coupling agent include 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyldimethylmethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxy Silane, and the like.

술피드계 실란 커플링제로는 예를 들면, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드, 비스(트리메톡시실릴프로필)테트라술피드, 비스(메틸디에톡시실릴프로필)테트라술피드, 비스(디메틸에톡시실릴프로필)테트라술피드, 비스(트리에톡시실릴 프로필)트리술피드, 비스(트리에톡시프로필)디술피드 등을 들 수 있다.Examples of the sulfide-based silane coupling agent include bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (trimethoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis (methyldiethoxysilylpropyl) tetrasulfide, bis Bis (triethoxysilylpropyl) triesulfide, bis (triethoxypropyl) disulfide, and the like.

이들 중에서도, 술피드계 실란 커플링제를 사용하는 것이 FPC의 배선으로서 널리 사용되는 구리박과의 접착 강도의 향상 효과가 크고 보다 바람직하다.Among them, it is more preferable to use a sulfide-based silane coupling agent because the effect of improving the bonding strength with the copper foil widely used as an FPC wiring is great.

성분 (D)로서 황 원자를 포함하는 실란 커플링제를 함유시키는 경우, 성분 (D)의 황 원자를 포함하는 실란 커플링제는 성분 (A)∼성분 (D)의 합계 질량에 대해 0.01∼5.0질량% 포함되는 것이 바람직하고, 0.1∼3.0질량% 포함되는 것이 보다 바람직하며, 0.2∼1.0질량% 포함되는 것이 더욱 바람직하다.When a silane coupling agent containing a sulfur atom is contained as the component (D), the silane coupling agent containing the sulfur atom of the component (D) is used in an amount of 0.01 to 5.0 mass% based on the total mass of the components (A) %, More preferably 0.1 to 3.0 mass%, further preferably 0.2 to 1.0 mass%.

(그 외의 배합제) (Other compounding agent)

본 발명의 수지재 조성물은 상기 성분 (A)∼성분 (D) 이외의 성분을 필요에 따라 추가로 함유하고 있어도 된다. 이러한 성분의 구체예로는 소포제, 유동 조정제, 성막 보조제, 분산제, 황 원자를 포함하지 않는 실란 커플링제나 무기 필러 등을 배합할 수 있다. 또한, 고주파에서의 전기 특성을 향상시킬 목적으로, PTFE 이외의 불소 수지나, 중공 형상의 유기 혹은 무기의 필러를 첨가해도 된다. 각 배합제의 종류, 배합량은 통상의 방법과 같다.The resin composition of the present invention may further contain components other than the above components (A) to (D), if necessary. Specific examples of such components include a defoaming agent, a flow control agent, a film forming auxiliary agent, a dispersant, a silane coupling agent not containing a sulfur atom, an inorganic filler, and the like. For the purpose of improving electric characteristics at high frequencies, a fluorine resin other than PTFE or a hollow organic or inorganic filler may be added. The kind and blending amount of each compounding agent are the same as those in usual methods.

(수지 조성물의 제조) (Preparation of resin composition)

본 발명의 수지 조성물은 관용의 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 용제의 존재하 또는 비존재하에서, 상기 성분 (A)∼성분 (C)(수지 조성물이 상기 성분 (D)나 다른 임의 성분을 함유하는 경우는 추가로 이들의 임의 성분)을 가열 교반 혼합기에 의해 혼합한다.The resin composition of the present invention can be prepared by a conventional method. For example, in the presence or in the absence of a solvent, the components (A) to (C) (if the resin composition contains the component (D) or any other component, further optional components thereof) Mix by stirring mixer.

상기 성분 (A)∼성분 (C)가 원하는 함유 비율이 되도록(수지 조성물이 상기 성분 (D)나 다른 임의 성분을 함유하는 경우는 추가로 이들의 임의 성분) 소정의 용제 농도로 용해하고, 그것들을 50∼80℃로 가온된 반응가마에 소정량 투입하고, 회전수 100∼1000rpm으로 회전시키면서 상압 혼합을 3시간 혼합 교반할 수 있다.When the components (A) to (C) are dissolved in a predetermined solvent concentration (if the resin composition contains the component (D) or any other component, the components are further optionally dissolved therein) Is poured into a reaction kettle heated to 50 to 80 DEG C, and the mixture is stirred for 3 hours at atmospheric pressure while rotating at 100 to 1000 rpm.

본 발명의 수지 조성물은 이하에 나타내는 바람직한 특성을 가지고 있다.The resin composition of the present invention has the following preferable characteristics.

본 발명의 수지 조성물은 그 열경화물이 고주파에서의 전기 특성이 우수하다. 구체적으로는, 수지 조성물의 열경화물은 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전율(ε)이 2.30 미만인 것이 바람직하고, 2.25 미만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전 정접(tanδ)이 0.0015 미만인 것이 보다 바람직하고, 0.0010 미만인 것이 보다 바람직하다.The thermosetting resin composition of the present invention is excellent in electric characteristics at high frequency. Specifically, the thermosetting resin composition preferably has a dielectric constant (?) In a region of a frequency of 1 to 10 GHz of less than 2.30, more preferably less than 2.25. Further, the dielectric loss tangent (tan?) In the region of the frequency of 1 to 10 GHz is more preferably less than 0.0015, and more preferably less than 0.0010.

주파수 1∼10GHz의 영역에서의 유전율(ε) 및 유전 정접(tanδ)이 상기의 범위임으로써, 고주파 영역에서의 전기 신호 손실을 저감할 수 있다.When the dielectric constant (epsilon) and the dielectric loss tangent (tan delta) in the frequency range of 1 to 10 GHz fall within the above-mentioned range, the electric signal loss in the high frequency region can be reduced.

본 발명의 수지 조성물은 그 열경화물이 충분한 접착 강도를 가지고 있다. 구체적으로는, 수지 조성물의 열경화물은 JIS K6854-2에 준거하여 측정한 구리박 조화면에 대한 필 강도(180도 필)가 4N/cm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 6N/cm 이상이다.The thermosetting resin composition of the present invention has sufficient adhesive strength. Specifically, the thermosetting resin composition preferably has a fill strength (180-degree fill) of 4 N / cm or more, more preferably 6 N / cm or more for a copper foil screen measured in accordance with JIS K6854-2 .

본 발명의 절연 필름은 본 발명의 수지 조성물로부터 공지의 방법에 의해 얻을 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 수지 조성물을 용제로 희석하여 바니시로 하고, 이것을 지지체의 적어도 한 면에 도포하고 건조시킨 후, 지지체 부착 필름, 또는 지지체로부터 박리한 필름으로서 제공할 수 있다.The insulating film of the present invention can be obtained from the resin composition of the present invention by a known method. For example, the resin composition of the present invention may be diluted with a solvent to obtain a varnish, which is then applied to at least one surface of the support and dried, and then the support may be provided as a support film or as a film peeled from the support.

바니시로서 사용 가능한 용제로는 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 용제; 디메틸포름아미드, 1-메틸2-피롤리돈 등의 고비등점 용제 등을 들 수 있다. 용제의 사용량은 특별히 한정되지 않고, 종래부터 사용되고 있는 양으로 할 수 있지만, 바람직하게는 고형분에 대해 20∼90질량%이다. Examples of usable solvents for the varnish include ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone; Aromatic solvents such as toluene and xylene; Dimethylformamide, and 1-methyl 2-pyrrolidone. The amount of the solvent to be used is not particularly limited and may be an amount conventionally used, but is preferably 20 to 90 mass% based on the solid content.

또한, PTFE 필러를 바니시 중에 균일 분산시키기 위해 바니시를 분산 처리하는 것이 바람직하다. 분산 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 볼 밀, 비즈 밀, 제트 밀, 호모지나이저 등의 분산 장치를 사용하는 방법을 들 수 있다.It is also preferable to disperse the varnish in order to uniformly disperse the PTFE filler in the varnish. The dispersion method is not particularly limited, and examples thereof include a method using a dispersing device such as a ball mill, a bead mill, a jet mill, and a homogenizer.

지지체는 필름의 제조 방법이나 용도에 의해 적절히 선택되고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 구리, 알루미늄 등의 금속박, 폴리이미드, 액정 폴리머, PTFE 등의 수지로 이루어지는 기재, 폴리에스테르, 폴리에틸렌 등의 수지의 캐리어 필름 등을 들 수 있다. 본 발명의 절연 필름을 지지체로부터 박리된 필름의 형태로서 제공하는 경우, 지지체는 실리콘 화합물 등으로 이형 처리되어 있는 것이 바람직하다.The support is appropriately selected depending on the production method and application of the film, and is not particularly limited. Examples of the support include metal foil such as copper and aluminum, substrate made of polyimide, liquid crystal polymer, PTFE or the like, polyester, And a carrier film of a resin. When the insulating film of the present invention is provided in the form of a film peeled off from a support, it is preferable that the support is releasably treated with a silicone compound or the like.

본 발명의 절연 필름을 FPC의 배선을 이루는 금속박과 접착함으로써, 본 발명의 지지체 부착 절연 필름인 금속박 부착 절연 필름이 얻어진다. 또한, 본 발명의 수지 조성물을 용제로 희석한 바니시를 FPC의 배선을 이루는 금속박에 도포하여 건조함으로써도, 본 발명의 지지체 부착 절연 필름인 금속박 부착 절연 필름이 얻어진다.By bonding the insulating film of the present invention to a metal foil which forms the wiring of an FPC, an insulating film with a metal foil, which is an insulating film with a support of the present invention, is obtained. Also, when a varnish diluted with a solvent of the resin composition of the present invention is applied to a metal foil of a wiring of an FPC and dried, an insulating film with a metal foil, which is an insulating film with a support of the present invention, is obtained.

또한, 본 발명의 절연 필름을 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 필름 등의 FPC의 기판을 이루는 수지로 이루어지는 기재와 접착함으로써, 본 발명의 지지체 부착 절연 필름인 수지 기재 부착 절연 필름이 얻어진다. 또한, 본 발명의 수지 조성물을 용제로 희석한 바니시를 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 필름 등의 FPC의 기판을 이루는 수지로 이루어지는 기재에 도포하고 건조함으로써도, 본 발명의 지지체 부착 절연 필름인 기재 부착 절연 필름이 얻어진다.Further, by bonding the insulating film of the present invention to a substrate made of a resin constituting a substrate of an FPC such as a polyimide film or a liquid crystal polymer film, an insulating film with a resin substrate, which is an insulating film with a support of the present invention, can be obtained. Further, even when the varnish diluted with the solvent of the resin composition of the present invention is applied to a substrate made of a resin constituting a substrate of an FPC such as a polyimide film or a liquid crystal polymer film and dried, A film is obtained.

바니시를 도포하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 슬롯 다이 방식, 그라비아 방식, 닥터 코터 방식 등을 들 수 있고, 원하는 필름의 두께 등에 따라 적절히 선택할 수 있다.The method of applying the varnish is not particularly limited, and for example, a slot die method, a gravure method, a doctor coater method, and the like can be mentioned, and the varnish can be appropriately selected depending on the desired film thickness and the like.

본 발명의 절연 필름의 두께는 용도에 따라 요구되는 기계적 강도 등의 특성을 기초로 적절히 설계되지만, 일반적으로 1∼100㎛이며, 프린트 배선판의 박형화의 관점에서 박막화가 요구되는 경우, 1∼50㎛인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the insulating film of the present invention is suitably designed on the basis of characteristics such as mechanical strength required depending on the application, but is generally 1 to 100 占 퐉. When thinning of the printed wiring board is required, Is more preferable.

건조 조건은 바니시에 사용되는 용제의 종류나 양, 바니시의 사용량이나 도포 두께 등에 따라 적절히 설계되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 70∼130℃이며, 대기압하에서 실시할 수 있다.The drying conditions are appropriately designed according to the type and amount of the solvent used in the varnish, the amount of varnish used, the thickness of the coating, and the like, and are not particularly limited. For example, the drying can be carried out at atmospheric pressure at 70 to 130 ° C.

본 발명의 절연 필름을 전기·전자 용도의 접착 필름으로서 사용하는 경우, 그 사용 순서는 이하와 같다.When the insulating film of the present invention is used as an adhesive film for electric and electronic uses, the order of use is as follows.

본 발명의 절연 필름을 사용하여 접착하는 대상물 중 일방의 대상물의 피접착면에 본 발명의 절연 필름을 재치한 후, 다른 일방의 대상물을 그 피접착면이 절연 필름의 노출면과 접하도록 재치한다. 여기서, 지지체 부착의 절연 필름을 사용하는 경우, 접착 필름의 노출면이 일방의 대상물의 피접착면에 접하도록 절연 필름을 재치하고, 피착면상에 당해 절연 필름을 가압착한다. 여기서, 가압착시의 온도는 예를 들면 150℃로 할 수 있다.The insulating film of the present invention is placed on the surface to be bonded of one of the objects to be adhered using the insulating film of the present invention and then the other surface of the object is placed so that the surface to be adhered is in contact with the exposed surface of the insulating film . Here, in the case of using an insulating film with a support, the insulating film is placed so that the exposed surface of the adhesive film comes into contact with the surface to be adhered to one of the objects, and the insulating film is pressed on the adhered surface. Here, the temperature at the time of pressure application may be, for example, 150 占 폚.

이어서, 가압착시에 지지체를 박리함으로써 노출된 절연 필름의 면상에 다른 일방의 대상물을 그 피접착면이 절연 필름의 노출면과 접하도록 재치한다. 이들의 순서를 실시한 후, 소정 온도 및 소정 시간 열압착시키고, 그 후, 가열 경화시킨다.Then, the support is peeled off at the time of pressure application so that the other surface of the exposed insulating film is placed so that the surface to be adhered is in contact with the exposed surface of the insulating film. After the above steps are carried out, they are thermocompression-bonded at a predetermined temperature and for a predetermined time, and then cured by heating.

열압착시의 온도는 바람직하게는 150∼220℃이다. 열압착의 시간은 바람직하게는 0.5∼10분이다.The temperature at the time of thermocompression bonding is preferably 150 to 220 占 폚. The time of thermocompression bonding is preferably 0.5 to 10 minutes.

가열 경화의 온도는 바람직하게는 150∼220℃이다. 가열 경화시간은 바람직하게는 30∼120분이다.The temperature of the heat curing is preferably 150 to 220 캜. The heat curing time is preferably 30 to 120 minutes.

한편, 미리 필름화한 것을 사용하는 대신에, 본 발명의 수지 조성물을 용제로 희석한 바니시를 일방의 접착 대상물의 피접착면에 도포하고 건조시킨 후에, 상기한 일방의 대상물을 재치하는 순서를 실시해도 된다.On the other hand, instead of using a film made in advance, a varnish diluted with a solvent of the resin composition of the present invention is coated on the surface to be bonded of one of the objects to be adhered and dried, followed by placing the one object .

상기의 순서에 의해, 본 발명의 절연 필름을 FPC의 배선을 이루는 금속박과 접착하고, 경화함으로써, 본 발명의 지지체 부착 절연체인 금속박 부착 절연체가 얻어진다.By the above procedure, the insulating film of the present invention is adhered to the metal foil of the FPC and cured to obtain the insulator with a metal foil which is the insulator with the support of the present invention.

또한, 상기의 순서에 의해, 본 발명의 수지 조성물을 용제로 희석한 바니시를 FPC의 배선을 이루는 금속박에 도포하고, 그 후, 당해 금속박상에 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층을 형성함으로써, 본 발명의 지지체 부착 절연체인 금속박 부착 절연체가 얻어진다.In addition, by applying the varnish obtained by diluting the resin composition of the present invention with a solvent to the metal foil of the wiring of the FPC by the above procedure, and then forming a layer of the cured product of the resin composition on the metal foil, An insulator with a metal foil which is an insulator with a support of the invention is obtained.

또한, 상기의 순서에 의해, 본 발명의 절연 필름을 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 필름 등의 FPC의 기판을 이루는 수지로 이루어지는 기재와 접착하고, 경화함으로써, 본 발명의 지지체 부착 절연체인 수지 기재 부착 절연체가 얻어진다.The insulating film of the present invention is adhered to a substrate made of a resin constituting a substrate of an FPC such as a polyimide film or a liquid crystal polymer film and cured by the above procedure to obtain a resin- Is obtained.

또한, 본 발명의 수지 조성물을 용제로 희석한 바니시를 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 필름 등의 FPC의 기판을 이루는 플라스틱 기재에 도포하고, 그 후, 당해 금속박상에 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층을 형성함으로써, 본 발명의 지지체 부착 절연체인 수지 기재 부착 절연체가 얻어진다.A varnish diluted with a solvent of the resin composition of the present invention is applied to a plastic substrate such as a polyimide film or a liquid crystal polymer film, which is a substrate of an FPC. Thereafter, a layer made of a cured product of the resin composition The insulator with the resin base, which is the insulator with the support of the present invention, can be obtained.

본 발명의 절연 필름을 커버레이 필름으로서 사용하는 경우, 그 사용 순서는 이하와 같다.When the insulating film of the present invention is used as a coverlay film, the order of use is as follows.

본 발명의 절연 필름을 주면에 배선 패턴이 형성된 배선 부착 수지 기판의 소정의 위치, 즉, 배선 패턴이 형성된 측의 절연 필름으로 피복하는 위치에 당해 커버레이 필름을 배치한 후, 소정 온도 및 소정 시간 가압착, 열압착, 가열 경화 시키면 된다. 여기서, 가압착 공정, 열압착 공정은 생략해도 된다.The insulating film of the present invention is disposed at a predetermined position of the wiring-attached resin substrate on which the wiring pattern is formed on the main surface, that is, the position where the insulating film on the side where the wiring pattern is formed is covered with the insulating film, Pressure bonding, thermocompression bonding, and heat curing. Here, the pressure application process and the thermocompression process may be omitted.

가압착, 열압착, 가열 경화의 온도와 시간은 상기 전기·전자 용도의 접착 필름으로서 사용하는 경우와 동일하다.The temperature and time of pressure bonding, thermocompression bonding and heat curing are the same as those in the case of using as an adhesive film for electric / electronic use.

본 발명의 플렉시블 배선판은 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 필름 등의 수지 기판의 주면상에 배선 패턴이 형성된 배선 부착 수지 기판의 배선 패턴 측에, 상기의 순서에 의해 본 발명의 절연 필름을 접착하고 경화한 것이다.The flexible wiring board of the present invention is obtained by bonding the insulating film of the present invention to the wiring pattern side of the wiring-attached resin substrate on which the wiring pattern is formed on the main surface of the resin substrate such as a polyimide film or a liquid crystal polymer film, will be.

또한, 본 발명의 플렉시블 배선판은 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 필름 등의 수지 기판의 주면상에 배선 패턴이 형성된 배선 부착 수지 기판의 배선 패턴 측에, 본 발명의 수지 조성물을 용제로 희석한 바니시를 도포하고, 그 후, 당해 금속박상에 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층을 형성한 것이다.Further, the flexible wiring board of the present invention is formed by applying a varnish diluted with a solvent of the resin composition of the present invention to the wiring pattern side of the wiring-attached resin substrate on which the wiring pattern is formed on the main surface of the resin substrate such as a polyimide film or a liquid crystal polymer film And then a layer made of a cured product of the resin composition is formed on the metal foil.

본 발명의 수지 조성물이나 절연 필름의 경화물은 그 우수한 고주파에서의 전기 특성에 의해, 주면상에 배선 패턴이 형성되는 배선 부착 수지 기판으로서 플렉시블 배선판에 사용할 수 있다.The cured product of the resin composition or the insulating film of the present invention can be used for a flexible wiring board as a wiring board resin substrate on which a wiring pattern is formed on the main surface due to excellent electrical properties at high frequencies.

본 발명의 절연 필름은 반도체 장치의 기판 간의 층간 접착에도 사용할 수 있다. 이 경우, 상기한 접착하는 대상물이 반도체 장치를 구성하는 서로 복수층 적층된 복수의 기판이 된다. 한편, 반도체 장치의 기판 간의 층간 접착에 대해서도 미리 필름화한 것을 사용하는 대신에, 본 발명의 수지 조성물을 용제로 희석한 바니시를 사용해도 된다.The insulating film of the present invention can also be used for interlayer adhesion between substrates of semiconductor devices. In this case, the object to be bonded becomes a plurality of substrates stacked in a plurality of layers constituting the semiconductor device. On the other hand, a varnish obtained by diluting the resin composition of the present invention with a solvent may be used instead of a film which has been previously formed into a film for interlayer adhesion between substrates of semiconductor devices.

반도체 장치를 구성하는 기판은 특별히 한정되지 않고, 에폭시 수지, 페놀 수지, 비스말레이미드트리아진 수지 등의 유기 기판이나, CCL(copper clad laminate) 기판, 세라믹 기판이나 실리콘 기판 등의 무기 기판의 어느 것이나 사용할 수 있다. 물론, 본 발명의 수지 조성물이나 절연 필름의 경화물을 기판으로서 사용할 수도 있다.The substrate constituting the semiconductor device is not particularly limited, and any of an organic substrate such as an epoxy resin, a phenol resin, and a bismaleimide triazine resin, a CCL (copper clad laminate) substrate, an inorganic substrate such as a ceramic substrate or a silicon substrate Can be used. Of course, the cured product of the resin composition or insulating film of the present invention may be used as a substrate.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples, but the present invention is not limited thereto.

(실시예 1∼14, 비교예 1∼5) (Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 5)

샘플 제작과 측정 방법Sample production and measurement methods

각 성분을 하기 표에 나타내는 배합 비율(질량부)이 되도록 계량 배합한 후 톨루엔을 첨가하고, 그것들을 80℃로 가온된 반응가마에 투입하고, 회전수 150rpm으로 회전시키면서 상압 혼합을 3시간 행하였다. 그 후, 수지 조성물을 습식 미립화 장치(MN2-2000AR, 요시다 기계 흥업 주식회사 제조)로 분산시켰다.Each component was metered into a blend ratio (parts by mass) as shown in the following table, toluene was added, and the mixture was charged into a reaction kettle heated to 80 DEG C, and the mixture was subjected to atmospheric pressure mixing for 3 hours while rotating at a revolution of 150 rpm . Thereafter, the resin composition was dispersed in a wet atomizing apparatus (MN2-2000AR, manufactured by Yoshida Kagaku Kogyo Co., Ltd.).

이와 같이 하여 얻어진 수지 조성물을 포함하는 바니시를 지지체(이형 처리를 실시한 PET 필름)의 한 면에 도포하고, 100℃로 건조시킴으로써, 지지체 부착 절연 필름(두께 30㎛)을 얻었다.The varnish containing the resin composition thus obtained was coated on one side of a support (PET film subjected to release treatment) and dried at 100 占 폚 to obtain an insulating film with a support (thickness 30 占 퐉).

한편, 표 중의 약호는 각각 이하를 나타낸다.The abbreviations in the tables indicate the following.

성분 (A) Component (A)

OPE2200: 올리고페닐렌에테르(상기 화학식 (1)로 나타내는 변성 폴리페닐렌에테르(식 (1) 중의 -(O-X-O)-가 화학식 (5)이고, 식 (1) 중의 -(Y-O)-가 식 (8)이다) (Mn=2200), 미츠비시 가스 화학 주식회사 제조 OPE2200: Oligophenylene ether (modified polyphenylene ether represented by the above formula (1) wherein - (OXO) - in formula (1) is a formula (5) and - (YO) 8)) (Mn = 2200), manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co.,

OPE1200: 올리고페닐렌에테르(상기 화학식 (1)로 나타내는 변성 폴리페닐렌에테르(식 (1) 중의 -(O-X-O)-가 화학식 (5)이고, 식 (1) 중의 -(Y-O)-가 식 (8)이다) (Mn=1200), 미츠비시 가스 화학 주식회사 제조 OPE1200: Oligophenylene ether (modified polyphenylene ether represented by the above formula (1) wherein - (OXO) - in the formula (1) is the formula (5) and - (YO) 8)) (Mn = 1200), manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co.,

성분 (A') Component (A ')

HP-7200: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, DIC 주식회사 제조 HP-7200: dicyclopentadiene type epoxy resin, manufactured by DIC Co., Ltd.

성분 (B-1) Component (B-1)

G1652: 폴리스티렌-폴리(에틸렌/부틸렌)블록-폴리스티렌(SEBS)), 스티렌 비율 30%, 크레이톤 폴리머 재팬 주식회사 제조 G1652: polystyrene-poly (ethylene / butylene) block-polystyrene (SEBS)), styrene content 30%, manufactured by Kleiton Polymer Japan Co.,

FG1901: 폴리스티렌-폴리(에틸렌/부틸렌)블록-폴리스티렌(SEBS)), 스티렌 비율 30%, 무수 말레산 변성품, 크레이톤 폴리머 재팬 주식회사 제조 FG1901: polystyrene-poly (ethylene / butylene) block-polystyrene (SEBS)), styrene content 30%, maleic anhydride modified product, manufactured by Krayton Polymer Japan Co.,

G1642: 폴리스티렌-폴리(에틸렌/부틸렌)블록-폴리스티렌(SEBS)), 스티렌 비율 21%, 크레이톤 폴리머 재팬 주식회사 제조 G1642: polystyrene-poly (ethylene / butylene) block-polystyrene (SEBS)), styrene content 21%, manufactured by Kleiton Polymer Japan Co.,

세프톤 4044: 폴리스티렌-폴리(에틸렌-에틸렌/프로필렌)블록-폴리스티렌(SEEPS), 스티렌 비율 32%, 주식회사 쿠라레 제조SEPTON 4044: polystyrene-poly (ethylene-ethylene / propylene) block-polystyrene (SEEPS), styrene content 32%, manufactured by Kuraray Co.,

성분 (B-2) Component (B-2)

G1657: 폴리스티렌-폴리(에틸렌/부틸렌)블록-폴리스티렌(SEBS)), 스티렌 비율 13%, 크레이톤 폴리머 재팬 주식회사 제조 G1657: polystyrene-poly (ethylene / butylene) block-polystyrene (SEBS)), styrene content 13%, manufactured by Kleiton Polymer Japan Co.,

FG1924: 폴리스티렌-폴리(에틸렌/부틸렌)블록-폴리스티렌(SEBS)), 스티렌 비율 13%, 무수 말레산 변성품, 크레이톤 폴리머 재팬 주식회사 제조FG1924: polystyrene-poly (ethylene / butylene) block-polystyrene (SEBS)), styrene content 13%, maleic anhydride modified product, manufactured by Kleiton Polymer Japan Co.,

성분 (B') Component (B ')

TR2003: 스티렌·부타디엔 블록 공중합체(SBS), JSR 주식회사 제조TR2003: Styrene-butadiene block copolymer (SBS), manufactured by JSR Corporation

성분 (C) Component (C)

르브론 L-2: PTFE 필러, 평균 입경이 3.5㎛, 다이킨 공업 주식회사 제조 LeBron L-2: PTFE filler, average particle diameter 3.5 mu m, manufactured by Daikin Industries, Ltd.

르브론 L-5: PTFE 필러, 평균 입경이 5㎛, 다이킨 공업 주식회사 제조LeBron L-5: PTFE filler, average particle diameter 5 mu m, manufactured by Daikin Industries, Ltd.

KTL450: PTFE 필러, 평균 입경이 22㎛, 주식회사 키타무라 제조 KTL450: PTFE filler, average particle diameter 22 占 퐉, manufactured by Kitamura Co., Ltd.

성분 (D) Component (D)

KBM803: 메르캅토계 실란 커플링제, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조 KBM803: mercapto-based silane coupling agent, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

KBM846: 술피드계 실란 커플링제, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조KBM846: a sulfide-based silane coupling agent, bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co.,

성분 (D') Component (D ')

KBM1403: 스티릴계 실란 커플링제, p-스티릴트리메톡시실란, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조KBM1403: styryl silane coupling agent, p-styryltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

성분 (E) Component (E)

2E4MZ: 2-에틸-4-메틸이미다졸, 시코쿠 화성 공업 주식회사 제조2E4MZ: 2-ethyl-4-methylimidazole, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co.,

필름 상태: 지지체로부터 박리했을 때의 절연 필름 상태를 육안으로 관찰하였다. 지지체로부터 박리했을 때에 균열 발생이 없는 경우를 ○, 부분적으로 균열 발생이 있는 경우를 △, 색 얼룩, 줄 무늬 등 필름 외관이 나쁜 경우를 ▲, 필름화할 수 없는 경우를 ×로 하였다.Film state: The state of the insulating film when peeled from the support was visually observed. A case where cracking did not occur when peeling off from a support was evaluated as?, A case where cracking occurred partially was evaluated as?, A case where the appearance of the film was bad such as color unevenness and stripe pattern, and a case where filming was impossible was evaluated as?.

유전율(ε), 유전 정접(tanδ): 절연 필름을 200℃로 가열 경화시켜 지지체로부터 박리한 후, 당해 접착성 필름으로부터 시험편(40±0.5㎜×100±2㎜)을 잘라내어 두께를 측정하였다. 시험편을 길이 100㎜, 직경 2㎜ 이하의 통 형상으로 둥글게하고, 공동 공진기 섭동법(10GHz)으로 유전율(ε) 및 유전 정접(tanδ)을 측정하였다. 유전율(ε)이 2.25 미만인 경우를 ◎, 2.25 이상 2.30 미만인 경우를 ○, 2.30 이상인 경우를 ×로 하였다. 유전 정접(tanδ)이 0.0010 미만인 경우를 ◎, 0.0010 이상 0.0015 미만인 경우를 ○, 0.0015 이상인 경우를 ×로 하였다.Dielectric constant (?) And dielectric tangent (tan?): The insulating film was heated and cured at 200 占 폚 to be peeled off from the support, and then the test piece (40 占 0.5 mm 占 100 占 2 mm) was cut out from the adhesive film and the thickness was measured. The dielectric constant (epsilon) and dielectric loss tangent (tan delta) of the specimen were measured by a cavity resonator perturbation method (10 GHz) with the length of 100 mm and the diameter of 2 mm or less. A case where the dielectric constant (?) Was less than 2.25 was evaluated as?, A case where the dielectric constant was less than 2.30 and a case where the dielectric constant (?) Was less than 2.30 was evaluated as? A case where the dielectric loss tangent (tan?) Was less than 0.0010 was rated as?, A case where the dielectric loss tangent was less than 0.0010 and less than 0.0015 was rated as?, And a case where the dielectric loss tangent was 0.0015 or more was evaluated as?.

필 강도: 절연 필름의 양면에 조화면을 내측으로 한 구리박(CF-T9FZSV, 후쿠다 금속박분 공업 주식회사 제조, 두께 18㎛)을 첩합하고, 프레스기로 열압착시켰다(200℃, 60min, 10kgf). 이 시험편을 10㎜ 폭으로 커트하고, 오토그래프로 떼어내고, JIS K6854-2에 준거하여 필 강도(180도 필)를 측정하였다. 6N/10㎜ 이상인 경우를 ◎, 6 N/10㎜미만 4N/10㎜ 이상인 경우를 ○, 4N/10㎜ 미만인 경우를 ×로 하였다.Peel Strength: A copper foil (CF-T9FZSV, made by Fukuda Metal Bottom Kogyo Kogyo K.K., thickness 18 占 퐉) having roughened surfaces inward on both sides of the insulating film was laminated and thermocompressed by a press machine (200 占 폚, 60 min, 10 kgf). The test piece was cut to a width of 10 mm and peeled off with an autograph, and the peel strength (180 degrees peel) was measured according to JIS K6854-2. A case of 6 N / 10 mm or more was rated as?, A case of 6 N / 10 mm or less and 4 N / 10 mm or more was evaluated as?, And a case of less than 4 N / 10 mm was evaluated as x.

Figure pct00010
Figure pct00010

Figure pct00011
Figure pct00011

Figure pct00012
Figure pct00012

실시예 1∼14는 고주파의 전기 특성(유전율(ε), 유전 정접(tanδ)), 필 강도가 모두 우수하였다. 실시예 1에 대해 실시예 2∼10의 상위점은 이하와 같다.Examples 1 to 14 were excellent in electric characteristics (dielectric constant (?), Dielectric tangent (tan?)) And peak strength of high frequency. The differences between Examples 2 and 10 in Example 1 are as follows.

실시예 2: 성분 (B-1), (B-2)의 병용.Example 2: Combined use of components (B-1) and (B-2).

실시예 3, 4: 성분 (B-1), (B-2)의 병용. 단, 성분 (B-1)의 SEBS의 종류가 실시예 2와는 상이하다.Examples 3 and 4: Combined use of components (B-1) and (B-2). However, the type of SEBS of component (B-1) is different from that of Example 2. [

실시예 5: 성분 (B-1), (B-2)의 병용. 단, 성분 (B-1)으로서 SEEPS를 사용.Example 5: Combined use of components (B-1) and (B-2). However, SEEPS is used as the component (B-1).

실시예 6, 7: 성분 (B-1), (B-2)의 병용. 성분 (C)의 함유량이 실시예 2와는 상이하다.Examples 6 and 7: Combined use of components (B-1) and (B-2). The content of the component (C) is different from that of the second embodiment.

실시예 8, 9: 성분 (B-1), (B-2)의 병용. 성분 (C)의 PTFE 필러의 평균 입경이 실시예 2와는 상이하다.Examples 8 and 9: Combined use of components (B-1) and (B-2). The average particle diameter of the PTFE filler of the component (C) is different from that of the second embodiment.

실시예 10: 성분 (B-1), (B-2)의 병용. 성분 (D) 함유.Example 10: Combined use of components (B-1) and (B-2). Containing component (D).

실시예 11: 성분 (B-1), (B-2)의 병용. 성분 (D) 함유. 성분 (D)의 실란 커플링제의 종류가 실시예 10과는 상이하다.Example 11: Combination of components (B-1) and (B-2). Containing component (D). The kind of the silane coupling agent of the component (D) is different from that of the tenth embodiment.

실시예 12: 성분 (B-1), (B-2)의 병용. 성분 (D) 함유. 성분 (D)의 실란 커플링제의 함유량이 실시예 11과는 상이하다.Example 12: Combined use of components (B-1) and (B-2). Containing component (D). The content of the silane coupling agent in the component (D) is different from that in the example 11.

실시예 13: 성분 (B-1), (B-2)의 병용. 성분 (D) 함유. 성분 (A)의 열경화성 수지의 종류가 실시예 12와는 상이하다.Example 13: Combined use of components (B-1) and (B-2). Containing component (D). The type of the thermosetting resin of the component (A) is different from that of the twelfth embodiment.

실시예 14: 성분 (B-1), (B-2)의 병용. 성분 (D')로서 황 원자를 포함하지 않는 실란 커플링제를 사용.Example 14: Combination of components (B-1) and (B-2). As the component (D '), a silane coupling agent not containing a sulfur atom is used.

성분 (C)를 함유하지 않는 비교예 1은 고주파의 전기 특성(유전율(ε), 유전 정접(tanδ))이 떨어졌다.In Comparative Example 1, which does not contain the component (C), electrical properties (permittivity (?), Dielectric tangent (tan?)) Of the high frequency were lowered.

성분 (C)의 함유량이 너무 적은 비교예 2는 고주파의 전기 특성 중 유전율(ε)이 떨어졌다.In Comparative Example 2 in which the content of the component (C) was too small, the dielectric constant (?) Of the electric characteristics of the high frequency was lowered.

성분 (B-1), (B-2) 대신에 SBS를 사용한 비교예 3은 고주파의 전기 특성 중 유전 정접(tanδ)이 떨어졌다.In Comparative Example 3 using SBS instead of the components (B-1) and (B-2), the dielectric tangent (tan?) Of the high-frequency electric characteristics dropped.

성분 (B-1), (B-2)를 함유하지 않는 비교예 4는 필름화할 수 없었다.Comparative Example 4 containing no components (B-1) and (B-2) could not be made into a film.

성분 (A) 대신에 에폭시 수지(디시클로펜타디엔형 에폭시 수지)를 사용한 비교예 5는 필 강도가 낮았다. 또한, 고주파의 전기 특성 중 유전 정접(tanδ)이 떨어졌다.In Comparative Example 5 using an epoxy resin (dicyclopentadiene type epoxy resin) instead of the component (A), the peel strength was low. In addition, the dielectric tangent (tan delta) of the high-frequency electric characteristics dropped.

Claims (13)

(A) 말단에 스티렌기를 갖고 페닐렌에테르 골격을 갖는 열경화성 수지,
(B) 수첨된 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 및
(C) 폴리테트라플루오로에틸렌 필러
를 함유하고, 상기 성분 (A)∼성분 (C)의 합계 질량에 대해 상기 성분 (C)를 40질량% 이상 80질량% 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
(A) a thermosetting resin having a styrene group at the terminal and a phenylene ether skeleton,
(B) a hydrogenated styrenic thermoplastic elastomer, and
(C) a polytetrafluoroethylene filler
, And contains from 40% by mass or more to 80% by mass or less of the component (C) based on the total mass of the components (A) to (C).
제 1 항에 있어서,
상기 성분 (C)의 폴리테트라플루오로에틸렌 필러의 평균 입경이 20㎛ 이하인 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the average particle diameter of the polytetrafluoroethylene filler of the component (C) is 20 占 퐉 or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 성분 (B)의 수첨된 스티렌계 열가소성 엘라스토머가, 적어도
(B-1) 스티렌 비율이 20% 이상인 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 및
(B-2) 스티렌 비율이 20% 미만인 스티렌계 열가소성 엘라스토머를 포함하는 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
The hydrogenated styrenic thermoplastic elastomer of the component (B)
(B-1) a styrene-based thermoplastic elastomer having a styrene content of 20% or more, and
(B-2) a styrene-based thermoplastic elastomer having a styrene content of less than 20%.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
(D) 황 원자를 포함하는 실란 커플링제를 추가로 포함하는 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
(D) a silane coupling agent containing a sulfur atom.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 수지 조성물로 형성되는 절연 필름.An insulating film formed from the resin composition of any one of claims 1 to 4. 지지체의 적어도 일면에, 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 수지 조성물로 이루어지는 층이 형성된 지지체 부착 절연 필름.An insulating film with a support, wherein a layer made of the resin composition according to any one of claims 1 to 4 is formed on at least one surface of a support. 지지체의 적어도 일면에, 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층이 형성된 지지체 부착 절연체.An insulator having a support comprising a cured composition of the resin composition according to any one of claims 1 to 4 formed on at least one side of the support. 수지 기판의 주면상에 배선 패턴이 형성된 배선 부착 수지 기판의 배선 패턴 측에, 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 본 발명의 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층이 형성된 플렉시블 배선판.A flexible wiring board in which a layer made of a cured product of the resin composition of any one of claims 1 to 4 is formed on a wiring pattern side of a wiring-attached resin substrate on which a wiring pattern is formed on a main surface of the resin substrate. 수지 기판의 주면상에 배선 패턴이 형성된 배선 부착 수지 기판의 배선 패턴 측에, 제 5 항에 기재된 절연 필름이 접착되고 경화되어 이루어지는 플렉시블 배선판.A flexible wiring board comprising an insulating film according to claim 5 adhered to a wiring pattern side of a wiring board resin substrate on which a wiring pattern is formed on a main surface of a resin substrate and cured. 주면상에 배선 패턴이 형성되는 배선 부착 수지 기판으로서, 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 수지 조성물의 경화물을 사용한 플렉시블 배선판.A flexible wiring board using a cured resin composition according to any one of claims 1 to 4 as a wiring board resin substrate on which wiring patterns are formed on a main surface. 주면상에 배선 패턴이 형성되는 배선 부착 수지 기판으로서, 제 5 항의 절연 필름의 경화물을 사용한 플렉시블 배선판.A flexible wiring board using a cured product of the insulating film of claim 5 as a wiring board resin substrate on which wiring patterns are formed on a main surface. 기판 간의 층간 접착에 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 수지 조성물을 사용한 반도체 장치.A semiconductor device using the resin composition according to any one of claims 1 to 4 for interlayer adhesion between substrates. 기판 간의 층간 접착에 제 5 항의 절연 필름을 사용한 반도체 장치.A semiconductor device using the insulating film according to claim 5 for interlayer adhesion between substrates.
KR1020177011191A 2014-11-11 2015-11-04 Resin composition, and insulating film and semiconductor device using same KR102346820B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014229181A JP6443735B2 (en) 2014-11-11 2014-11-11 Resin composition, insulating film using the same, and semiconductor device
JPJP-P-2014-229181 2014-11-11
PCT/JP2015/081006 WO2016076167A1 (en) 2014-11-11 2015-11-04 Resin composition, and insulating film and semiconductor device using same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170084036A true KR20170084036A (en) 2017-07-19
KR102346820B1 KR102346820B1 (en) 2022-01-03

Family

ID=55954257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177011191A KR102346820B1 (en) 2014-11-11 2015-11-04 Resin composition, and insulating film and semiconductor device using same

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6443735B2 (en)
KR (1) KR102346820B1 (en)
CN (1) CN107075222B (en)
TW (1) TWI682963B (en)
WO (1) WO2016076167A1 (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102337574B1 (en) * 2016-07-12 2021-12-13 주식회사 두산 Thermoplastic resin composition for high frequency, prepreg, laminate sheet and printed circuit board using the same
WO2018062253A1 (en) * 2016-09-28 2018-04-05 ダイキン工業株式会社 Film
JP6859897B2 (en) * 2017-08-21 2021-04-14 味の素株式会社 Resin composition
CN108287451A (en) * 2018-01-24 2018-07-17 浙江福斯特新材料研究院有限公司 A kind of photosensitive cover film resin combination of low dielectric
CN112074553B (en) * 2018-05-29 2023-10-20 纳美仕有限公司 Thermosetting resin composition, film comprising the same, and multilayer wiring board using the same
CN113853299A (en) * 2019-03-18 2021-12-28 康宁股份有限公司 Composite for high frequency printed circuit board and method of manufacturing the same
JPWO2022075221A1 (en) * 2020-10-07 2022-04-14
JP2022161530A (en) * 2021-04-09 2022-10-21 エルジー・ケム・リミテッド Thermosetting resin composition, and cured product thereof and prepreg, laminate including cured product of composition or cured product of prepreg, metal-foil-clad laminate, and printed wiring board
CN115725167A (en) * 2021-08-30 2023-03-03 中蓝晨光化工研究设计院有限公司 Low-dielectric-constant low-dielectric-loss polyphenylene ether-based composite material and preparation method thereof
CN115651335B (en) * 2022-11-14 2024-01-30 陕西生益科技有限公司 Resin composition and prepreg and copper-clad plate containing resin composition

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02120351A (en) * 1988-10-29 1990-05-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Flame-retarding resin composition
JP2011068713A (en) 2009-09-24 2011-04-07 Namics Corp Coverlay film
JP2012244056A (en) 2011-05-23 2012-12-10 Sumitomo Electric Fine Polymer Inc Method for manufacturing fluororesin substrate
KR20140052823A (en) * 2012-10-25 2014-05-07 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Adhesive composition and adhesive film
WO2014148155A1 (en) * 2013-03-22 2014-09-25 ナミックス株式会社 Resin composition and adhesive film, coverlay film, and interlayer adhesive using resin composition

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001261929A (en) * 2000-03-14 2001-09-26 Matsushita Electric Works Ltd Epoxy resin composition, prepreg and laminated plate
JP2003160662A (en) * 2001-11-27 2003-06-03 Matsushita Electric Works Ltd Method of manufacturing polyphenylene oxide, polyphenylene oxide resin composition, prepreg, laminate, printed wiring board and multilayered printed wiring board
EP1762582B1 (en) * 2004-04-14 2012-05-09 Namics Corporation Epoxy resin composition
CN101503558B (en) * 2008-02-04 2012-04-25 财团法人工业技术研究院 Deflectivity and low dielectric loss composition and preparation thereof
JP5093059B2 (en) * 2008-11-06 2012-12-05 日立化成工業株式会社 Resin composition, prepreg, laminate and printed circuit board
US8809690B2 (en) * 2010-03-04 2014-08-19 Rogers Corporation Dielectric bond plies for circuits and multilayer circuits, and methods of manufacture thereof
US8653167B2 (en) * 2011-05-26 2014-02-18 Sabic Innovative Plastics Ip Molding composition for photovoltaic junction boxes and connectors

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02120351A (en) * 1988-10-29 1990-05-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Flame-retarding resin composition
JP2011068713A (en) 2009-09-24 2011-04-07 Namics Corp Coverlay film
JP2012244056A (en) 2011-05-23 2012-12-10 Sumitomo Electric Fine Polymer Inc Method for manufacturing fluororesin substrate
KR20140052823A (en) * 2012-10-25 2014-05-07 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Adhesive composition and adhesive film
WO2014148155A1 (en) * 2013-03-22 2014-09-25 ナミックス株式会社 Resin composition and adhesive film, coverlay film, and interlayer adhesive using resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016089137A (en) 2016-05-23
TWI682963B (en) 2020-01-21
TW201625737A (en) 2016-07-16
CN107075222A (en) 2017-08-18
KR102346820B1 (en) 2022-01-03
CN107075222B (en) 2019-05-17
JP6443735B2 (en) 2018-12-26
WO2016076167A1 (en) 2016-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170084036A (en) Resin composition, and insulating film and semiconductor device using same
KR101865649B1 (en) Thermoplastic resin composition for high frequency, prepreg, laminate sheet and printed circuit board using the same
JP7202691B2 (en) Resin compositions, films, laminates and semiconductor devices
KR101556658B1 (en) Thermoplastic resin composition having excellent heat resistance and low permittivity, prepreg and copper clad laminate using the same
JP5181221B2 (en) Low thermal expansion low dielectric loss prepreg and its application
TWI756552B (en) Thermosetting epoxy resin composition, adhesive film for insulating layer formation, prepreg for insulating layer formation, insulator for printed wiring board, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JPWO2018016489A1 (en) Resin composition, laminate and multilayer printed wiring board
TWI743251B (en) Resin composition, thermosetting film, resin cured product, laminate, printed wiring board, and semiconductor device using the composition
TW202108679A (en) Resin composition, prepreg, resin-attached film, resin-attached metal foil, metal-cladded laminate sheet, and wiring board
KR101708146B1 (en) Thermoplastic resin composition for high frequency having low permittivity, prepreg and copper clad laminate using the same
JP7219216B2 (en) Resin composition, insulating layer for wiring board, and laminate
KR20150068181A (en) Thermoplastic resin composition for high frequency having low permittivity, prepreg and copper clad laminate using the same
JP6398283B2 (en) Resin composition
JP2005105061A (en) Resin composition, conductive foil with resin, prepreg, sheet, sheet with conductive foil, laminated plate and printed wiring board
JP2005105062A (en) Resin composition, conductive foil with resin, prepreg, sheet, sheet with conductive foil, laminated plate and printed wiring board
JP2018115225A (en) Fiber material, prepreg, metal-clad laminate, and circuit board
KR20210015760A (en) Thermosetting resin composition, film containing same, and multilayer wiring board using them
TW202144182A (en) Metal-clad laminated plate
TWI837306B (en) Resin composition, prepreg, film with resin, metal foil with resin, metal-clad laminate, and printed wirining board
WO2023053619A1 (en) Metal-clad laminated board, and laminated body used in said metal-clad laminated board
WO2023053620A1 (en) Metal-clad laminate, and laminate used for said metal-clad laminate
WO2023188507A1 (en) Adhesive composition
KR20240036478A (en) Curable resin composition for bonding film, bonding film, and printed-wiring board
TW202041562A (en) Resin composition, prepreg,film with resin, metal foil with resin, metal-clad laminate, and printed wirining board
WO2023188506A1 (en) Adhesive composition

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant