KR20170083756A - Tft substrate, display panel and display device having the same - Google Patents

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KR20170083756A
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    • G02F2001/134372—

Abstract

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 기판; 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제1 채널층, 제1 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제1 소스 전극, 제1 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제1 드레인 전극, 제1 채널층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 제1 채널층과 제1 게이트 전극 사이에 배치된 제1 디플리션 형성층, 제1 채널층 아래에 배치된 제1 이중 게이트 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터; 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제2 채널층, 제2 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제2 소스 전극, 제2 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제2 드레인 전극, 제2 채널층 위에 배치된 제2 게이트 전극, 제2 채널층과 제2 게이트 전극 사이에 배치된 제2 디플리션 형성층, 제2 채널층 아래에 배치된 제2 이중 게이트 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터; 를 포함할 수 있다.A thin film transistor substrate according to an embodiment includes a substrate; A first channel layer disposed on the substrate and including a nitride based semiconductor layer, a first source electrode electrically coupled to a first region of the first channel layer, a first drain electrode electrically coupled to a second region of the first channel layer, A first gate electrode disposed over the first channel layer, a first depletion-in-formation layer disposed between the first channel layer and the first gate electrode, a first dual gate electrode disposed under the first channel layer, Thin film transistor; A second channel layer disposed on the substrate and including a nitride based semiconductor layer, a second source electrode electrically coupled to a first region of the second channel layer, a second drain electrode electrically coupled to a second region of the second channel layer, A second gate electrode disposed on the second channel layer, a second depletion-in-formation layer disposed between the second channel layer and the second gate electrode, and a second double gate electrode disposed under the second channel layer. Thin film transistor; . ≪ / RTI >

Figure P1020160003030
Figure P1020160003030

Description

박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치{TFT SUBSTRATE, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a thin film transistor substrate,

본 발명은 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor substrate, a display panel including the same, and a display device.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가되고 있으며, 고해상도 표시장치에 대한 요구도 증대되고 있다. 고해상도 표시장치를 구현하기 위한 방안으로서 단위 면적 당 화소수가 증가되고 있는데, 증가된 화소에 맞추어 게이트 신호 및 데이터 신호를 공급하기 위하여 게이트 배선 수와 데이터 배선의 수가 증가되고 있다. 그런데, 게이트 배선 수가 증가됨에 따라, 하나의 화소에 대해 게이트 신호를 제공할 수 있는 시간(Gate on Time)이 짧아 지게 되므로 캐리어의 이동도가 높은 박막 트랜지스터의 개발이 요청되고 있다. As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms, and the demand for high resolution display devices is also increasing. As a method for implementing a high-resolution display device, the number of pixels per unit area is increasing. However, in order to supply gate signals and data signals in accordance with increased pixels, the number of gate wirings and the number of data wirings are increasing. However, as the number of gate wirings increases, the gate on time for providing a gate signal for one pixel becomes shorter. Therefore, development of a thin film transistor having a high carrier mobility is required.

또한, 부드러운 동화상 재생을 위한 방안으로서 구동 주파수를 증가시키는 방안이 연구되고 있으며, 구동 주파수를 증가시키는 경우에도 하나의 화소에 대해 게이트 신호를 제공할 수 있는 시간(Gate on Time)이 짧아 지게 되므로 캐리어의 이동도가 높은 박막 트랜지스터의 개발이 요청되고 있다.As a method for smooth moving picture reproduction, a method of increasing a driving frequency has been studied. Even when the driving frequency is increased, a time (Gate on Time) during which a gate signal can be provided for one pixel is shortened, It is required to develop a thin film transistor having high mobility.

실시 예는 캐리어의 이동도를 높이고 제품 신뢰성을 확보할 수 있는 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a thin film transistor substrate, a display panel and a display device including the thin film transistor substrate, which can increase carrier mobility and ensure product reliability.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 기판; 상기 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제1 채널층, 상기 제1 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제1 소스 전극, 상기 제1 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제1 드레인 전극, 상기 제1 채널층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 상기 제1 채널층과 상기 제1 게이트 전극 사이에 배치된 제1 디플리션 형성층, 상기 제1 채널층 아래에 배치된 제1 이중 게이트 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터; 상기 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제2 채널층, 상기 제2 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제2 소스 전극, 상기 제2 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제2 드레인 전극, 상기 제2 채널층 위에 배치된 제2 게이트 전극, 상기 제2 채널층과 상기 제2 게이트 전극 사이에 배치된 제2 디플리션 형성층, 상기 제2 채널층 아래에 배치된 제2 이중 게이트 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터; 를 포함할 수 있다.A thin film transistor substrate according to an embodiment includes a substrate; A first channel layer disposed on the substrate and including a nitride based semiconductor layer, a first source electrode electrically coupled to a first region of the first channel layer, a second source electrode electrically coupled to the second region of the first channel layer, A drain electrode, a first gate electrode disposed on the first channel layer, a first depletion-forming layer disposed between the first channel layer and the first gate electrode, a first depletion-forming layer disposed between the first channel layer and the first gate electrode, A switching thin film transistor including a double gate electrode; A second channel layer disposed on the substrate and including a nitride based semiconductor layer, a second source electrode electrically coupled to the first region of the second channel layer, and a second source electrode electrically coupled to the second region of the second channel layer, A drain electrode, a second gate electrode disposed on the second channel layer, a second depletion-imparting layer disposed between the second channel layer and the second gate electrode, a second depletion-layer formed between the second channel layer and the second gate layer, A driving thin film transistor including a double gate electrode; . ≪ / RTI >

실시 예에 따른 표시패널은, 기판; 상기 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제1 채널층, 상기 제1 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제1 소스 전극, 상기 제1 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제1 드레인 전극, 상기 제1 채널층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 상기 제1 채널층과 상기 제1 게이트 전극 사이에 배치된 제1 디플리션 형성층, 상기 제1 채널층 아래에 배치된 제1 이중 게이트 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터; 상기 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제2 채널층, 상기 제2 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제2 소스 전극, 상기 제2 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제2 드레인 전극, 상기 제2 채널층 위에 배치된 제2 게이트 전극, 상기 제2 채널층과 상기 제2 게이트 전극 사이에 배치된 제2 디플리션 형성층, 상기 제2 채널층 아래에 배치된 제2 이중 게이트 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터; 를 포함하는 박막 트랜지스터 기판을 포함할 수 있다.A display panel according to an embodiment includes: a substrate; A first channel layer disposed on the substrate and including a nitride based semiconductor layer, a first source electrode electrically coupled to a first region of the first channel layer, a second source electrode electrically coupled to the second region of the first channel layer, A drain electrode, a first gate electrode disposed on the first channel layer, a first depletion-forming layer disposed between the first channel layer and the first gate electrode, a first depletion-forming layer disposed between the first channel layer and the first gate electrode, A switching thin film transistor including a double gate electrode; A second channel layer disposed on the substrate and including a nitride based semiconductor layer, a second source electrode electrically coupled to the first region of the second channel layer, and a second source electrode electrically coupled to the second region of the second channel layer, A drain electrode, a second gate electrode disposed on the second channel layer, a second depletion-imparting layer disposed between the second channel layer and the second gate electrode, a second depletion-layer formed between the second channel layer and the second gate layer, A driving thin film transistor including a double gate electrode; And a thin film transistor substrate including the thin film transistor substrate.

실시 예에 따른 표시장치는, 기판; 상기 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제1 채널층, 상기 제1 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제1 소스 전극, 상기 제1 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제1 드레인 전극, 상기 제1 채널층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 상기 제1 채널층과 상기 제1 게이트 전극 사이에 배치된 제1 디플리션 형성층, 상기 제1 채널층 아래에 배치된 제1 이중 게이트 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터; 상기 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제2 채널층, 상기 제2 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제2 소스 전극, 상기 제2 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제2 드레인 전극, 상기 제2 채널층 위에 배치된 제2 게이트 전극, 상기 제2 채널층과 상기 제2 게이트 전극 사이에 배치된 제2 디플리션 형성층, 상기 제2 채널층 아래에 배치된 제2 이중 게이트 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터; 를 포함하는 박막 트랜지스터 기판을 포함하는 표시패널: 상기 표시패널을 구동하는 패널 구동부; 를 포함할 수 있다.A display device according to an embodiment includes: a substrate; A first channel layer disposed on the substrate and including a nitride based semiconductor layer, a first source electrode electrically coupled to a first region of the first channel layer, a second source electrode electrically coupled to the second region of the first channel layer, A drain electrode, a first gate electrode disposed on the first channel layer, a first depletion-forming layer disposed between the first channel layer and the first gate electrode, a first depletion-forming layer disposed between the first channel layer and the first gate electrode, A switching thin film transistor including a double gate electrode; A second channel layer disposed on the substrate and including a nitride based semiconductor layer, a second source electrode electrically coupled to the first region of the second channel layer, and a second source electrode electrically coupled to the second region of the second channel layer, A drain electrode, a second gate electrode disposed on the second channel layer, a second depletion-imparting layer disposed between the second channel layer and the second gate electrode, a second depletion-layer formed between the second channel layer and the second gate layer, A driving thin film transistor including a double gate electrode; A display panel including a thin film transistor substrate including: a panel driver for driving the display panel; . ≪ / RTI >

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치는, 높은 캐리어 이동도를 제공함으로써 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있는 장점이 있다.The thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiments have a merit that high resolution can be realized by providing a high carrier mobility and a smooth moving image can be reproduced.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 도면이다.
도 2 내지 도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 도 1에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 복수의 화소가 배치된 예를 나타낸 도면이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 19는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 23은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 24는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 25 및 도 26은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 27은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 28은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 29는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 30은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 31은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 32는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 33은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 34는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 35는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 36은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 37은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 38은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 39는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 40은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 41은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 포함하는 표시장치의 예를 나타낸 블록도이다.
도 42는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 43은 본 발명의 실시 예에 따른 도 42에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 D-D 선에 따른 단면을 나타낸 도면이다.
도 44는 본 발명의 실시 예에 따른 도 42에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 E-E 선에 따른 단면을 나타낸 도면이다.
도 45는 도 42 내지 도 44를 참조하여 설명된 박막 트랜지스터 기판에 있어서 하나의 화소를 등가적으로 나타낸 회로도이다.
도 46은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 47은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 48은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 49는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 50은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 51은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 52는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 53은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 포함하는 표시장치의 예를 나타낸 블록도이다.1 is a view illustrating a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention.
2 to 14 are views illustrating an example of a manufacturing process of the thin film transistor substrate shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.
15 is a view showing an example in which a plurality of pixels are arranged on a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention.
16 and 17 are views showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
18 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
19 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
20 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
21 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
22 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
23 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
24 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
25 and 26 are views showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
27 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
28 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
29 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
30 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
31 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
32 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
33 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
34 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
35 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
36 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
37 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
38 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
FIG. 39 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
40 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
41 is a block diagram showing an example of a display device including a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention.
42 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
FIG. 43 is a cross-sectional view taken along the DD line of the thin film transistor substrate shown in FIG. 42 according to the embodiment of the present invention.
FIG. 44 is a cross-sectional view taken along the line EE of the thin film transistor substrate shown in FIG. 42 according to the embodiment of the present invention.
45 is a circuit diagram equivalent to one pixel in the thin film transistor substrate described with reference to FIGS. 42 to 44. FIG.
46 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
47 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
48 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
49 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
50 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
51 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
52 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention.
53 is a block diagram showing an example of a display device including a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 박막 트랜지스터 기판, 표시패널, 표시장치 및 박막 트랜지스터 기판 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a thin film transistor substrate, a display panel, a display device, and a method of manufacturing a thin film transistor substrate according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(55)과 상기 기판(55) 위에 배치된 박막 트랜지스터(30), 상기 박막 트랜지스터(30)에 전기적으로 연결된 화소전극(80)을 포함할 수 있다.1, a thin film transistor substrate according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 55, a thin film transistor 30 disposed on the substrate 55, and a pixel 55 electrically connected to the thin film transistor 30, Electrode 80 as shown in FIG.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터(30)는 디플리션 형성층(depletion forming layer, 15), 게이트 전극(33), 채널층(60), 소스 전극(71), 드레인 전극(72)을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 채널층(60)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 채널층(60)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 채널층(60)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 채널층(60)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 게이트 전극(33)은 상기 채널층(60) 위에 배치될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 상기 채널층(60)의 제1 영역과 제2 영역 사이 위에 배치될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 상기 채널층(60)과 상기 게이트 전극(33) 사이에 배치될 수 있다.The thin film transistor 30 according to the embodiment may include a depletion forming layer 15, a gate electrode 33, a channel layer 60, a source electrode 71, and a drain electrode 72 . The source electrode 71 may be electrically connected to a first region of the channel layer 60. The source electrode 71 may be electrically connected to the upper surface of the channel layer 60. The drain electrode 72 may be electrically connected to a second region of the channel layer 60. The drain electrode 72 may be electrically connected to the upper surface of the channel layer 60. The gate electrode 33 may be disposed on the channel layer 60. The depletion-inducing layer 15 may be disposed between the first region and the second region of the channel layer 60. The depletion-forming layer 15 may be disposed between the channel layer 60 and the gate electrode 33.

상기 채널층(60)은 예로서 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 채널층(60)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 채널층(60)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The channel layer 60 may be formed of, for example, a Group III-V compound semiconductor. For example, the channel layer 60 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . The channel layer 60 may comprise a single layer or multiple layers selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP,

상기 채널층(60)은 제1 질화물 반도체층(61)과 제2 질화물 반도체층(62)을 포함할 수 있다. 상기 제1 질화물 반도체층(61)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(62)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. The channel layer 60 may include a first nitride semiconductor layer 61 and a second nitride semiconductor layer 62. The first nitride semiconductor layer 61 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . ≪ / RTI > The second nitride semiconductor layer 62 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . ≪ / RTI >

실시 예에 따른 상기 채널층(60)에 의하면, 상기 제1 질화물 반도체층(61)이 GaN 반도체층을 포함하고, 상기 제2 질화물 반도체층(62)이 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(62)은 상기 제1 질화물 반도체층(61)과 상기 디플리션 형성층(15) 사이에 배치될 수 있다.According to the embodiment, the first nitride semiconductor layer 61 may include a GaN semiconductor layer, and the second nitride semiconductor layer 62 may include an AlGaN semiconductor layer. The second nitride semiconductor layer 62 may be disposed between the first nitride semiconductor layer 61 and the depletion-forming layer 15.

상기 디플리션 형성층(15)은 예로서 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 디플리션 형성층(15)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 p형 도펀트가 첨가된 질화물 반도체층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 디플리션 형성층(15)은 p형 도펀트가 첨가된 GaN 반도체층 또는 p형 도펀트가 첨가된 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 예컨대, p-AlxGa1-xN (0≤x≤0.3)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. The depletion-forming layer 15 may be formed of, for example, a Group III-V compound semiconductor. For example, the depletion-inducing layer 15 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Can be implemented. The depletion-forming layer 15 may include a single layer or multiple layers selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, The depletion-forming layer 15 may include a nitride semiconductor layer doped with a p-type dopant. For example, the depletion layer 15 may include a GaN semiconductor layer doped with a p-type dopant or an AlGaN semiconductor layer doped with a p-type dopant. The depletion-forming layer 15 may comprise a single layer or multiple layers embodied in a semiconductor material having a composition formula of, for example, p-Al x Ga 1-x N (0? X ? 0.3).

상기 디플리션 형성층(15)은 예로서 2~300nm의 두께로 제공될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 상기 채널층(60)에 제공된 2차원 전자가스(2DEG)에 디플리션 영역(depletion region)을 제공하기 위하여 적어도 2nm의 두께로 제공될 수 있다. 또한, 상기 디플리션 형성층(15)은 제조공정에 따른 두께 편차를 고려하여 30nm 이상의 두께로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 디플리션 형성층(15)은 제조공정에 따른 두께 편차를 고려하여 200nm 이하의 두께로 제공될 수도 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 예로서 50~100nm의 두께로 제공될 수도 있다.The depletion-forming layer 15 may be provided with a thickness of, for example, 2 to 300 nm. The depletion layer 15 may be provided to a thickness of at least 2 nm to provide a depletion region to the two-dimensional electron gas (2DEG) provided in the channel layer 60. In addition, the depletion-forming layer 15 may be provided with a thickness of 30 nm or more in consideration of the thickness variation according to the manufacturing process. In addition, the depletion-forming layer 15 may be provided with a thickness of 200 nm or less in consideration of the thickness variation according to the manufacturing process. The depletion-imparting layer 15 may be provided in a thickness of, for example, 50 to 100 nm.

상기 디플리션 형성층(15)은 상기 채녈층(60)에 제공된 2차원 전자가스(2DEG)에 디플리션 영역(depletion region)을 형성하는 역할을 할 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)에 의해 그 아래에 위치하는 제2 질화물 반도체층(62) 부분의 에너지 밴드갭(energy bandgap)이 높아질 수 있고, 그 결과 상기 디플리션 형성층(15)에 대응하는 상기 채널층(60) 부분에 2차원 전자가스(2DEG)의 디플리션 영역이 제공될 수 있다. 따라서, 상기 채널층(60)에 제공되는 2차원 전자가스(2DEG) 중 상기 디플리션 형성층(15)이 배치된 위치에 대응되는 영역은 끊어질 수 있다. 상기 채널층(60)에서 2차원 전자가스(2DEG)가 끊어진 영역을 단절영역이라 할 수 있으며, 예로서 상기 제2 질화물 반도체층(62)에 단절영역이 형성될 수 있다. 이러한 단절영역에 의해 상기 박막 트랜지스터(30)는 노멀리-오프(normally-off) 특성을 가질 수 있다. 상기 게이트 전극(33)에 문턱 전압(threshold voltage) 이상의 전압을 인가하면, 단절영역에 2차원 전자가스(2DEG)가 생성되어, 상기 박막 트랜지스터(30)가 온 상태가 된다. 상기 게이트 전극(33)의 하부에 형성된 채널이 온 상태가 되면 상기 채널층(60)에 형성된 2차원 전자가스(2DEG)를 경유하여 전류가 흐를 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 게이트 전극(33)에 인가되는 전압에 따라 상기 채널층(60)의 제1 영역으로부터 제2 영역으로의 전류 흐름이 제어될 수 있게 된다.The depletion layer 15 may serve to form a depletion region in the 2DEG provided in the channel layer 60. The energy bandgap of the portion of the second nitride semiconductor layer 62 located below the depletion-forming layer 15 can be increased, and as a result, the energy bandgap of the portion corresponding to the depletion- A depletion region of a two-dimensional electron gas (2DEG) may be provided in the channel layer 60 portion. Therefore, the region corresponding to the position where the depletion-inducing layer 15 is disposed in the two-dimensional electron gas (2DEG) provided in the channel layer 60 can be cut off. The region where the two-dimensional electron gas (2DEG) is broken in the channel layer 60 may be referred to as a cut-off region. For example, a cut-off region may be formed in the second nitride semiconductor layer 62. The thin film transistor 30 may have a normally-off characteristic by the cut-off region. When a voltage equal to or higher than a threshold voltage is applied to the gate electrode 33, a two-dimensional electron gas (2DEG) is generated in the cut-off region, and the thin film transistor 30 is turned on. When the channel formed under the gate electrode 33 is turned on, a current can flow through the two-dimensional electron gas (2DEG) formed in the channel layer 60. Accordingly, the current flow from the first region to the second region of the channel layer 60 can be controlled according to the voltage applied to the gate electrode 33.

상기 기판(55)은 투명기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(55)은 예로서 0.1 mm 내지 3 mm의 두께를 갖는 투명기판으로 구현될 수 있다. 또한, 상기 기판(55)의 두께는 적용되는 표시장치의 용도 및 크기에 따라 변경될 수 있는 것으로서 0.4~1.1mm의 두께 범위 내에서 선택될 수도 있다. 예로서, 상기 기판(55)은 0.6~0.8mm의 두께로 제공될 수도 있다. 상기 기판(55)은 실리콘, 유리, 폴리이미드, 플라스틱을 포함하는 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 기판(55)은 플렉시블 기판을 포함할 수 있다. The substrate 55 may include a transparent substrate. The substrate 55 may be embodied as a transparent substrate having a thickness of, for example, 0.1 mm to 3 mm. In addition, the thickness of the substrate 55 may vary depending on the application and size of the display device to be applied, and may be selected within a thickness range of 0.4 to 1.1 mm. As an example, the substrate 55 may be provided in a thickness of 0.6 to 0.8 mm. The substrate 55 may include at least one material selected from materials including silicon, glass, polyimide, and plastic. The substrate 55 may include a flexible substrate.

상기 기판(55)은 뒤에서 설명될 트랜스퍼(transfer) 공정에서 적용되는 기판으로서 상기 박막 트랜지스터(30)를 지지하는 역할을 수행한다. 또한, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 기판(55)과 상기 박막 트랜지스터(30) 사이에 제공된 본딩층(50)을 포함할 수 있다. The substrate 55 is a substrate to be used in a transfer process, which will be described later, and serves to support the thin film transistor 30. In addition, the thin film transistor substrate according to the embodiment may include a bonding layer 50 provided between the substrate 55 and the thin film transistor 30.

상기 본딩층(50)은 유기물을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 투명물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 예로서 투과도가 70% 이상인 물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 아크릴, 벤조시클로부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 예로서 0.5~6㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 본딩층(50)의 두께는 선택된 물질 종류에 따라 차이가 있을 수 있으며 1~3㎛의 두께로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 본딩층(50)은 예로서 1.8~2.2㎛의 두께로 제공될 수도 있다.The bonding layer 50 may include an organic material. The bonding layer 50 may be formed of a transparent material. The bonding layer 50 may be formed of a material having a transmittance of 70% or more, for example. The bonding layer 50 may include an organic insulating material. The bonding layer 50 may include at least one material selected from the group consisting of acryl, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like. The bonding layer 50 may be provided in a thickness of 0.5 to 6 mu m, for example. The thickness of the bonding layer 50 may vary depending on the selected type of material and may be provided in a thickness of 1 to 3 탆. In addition, the bonding layer 50 may be provided in a thickness of, for example, 1.8 to 2.2 탆.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터(30)는 상기 채널층(60)의 제1 영역 위에 배치된 소스 컨택부(31)와 상기 채널층(60)의 제2 영역 위에 배치된 드레인 컨택부(32)를 포함할 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)는 상기 채널층(60)의 제1 영역에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 채널층(60)의 제2 영역에 접촉되어 배치될 수 있다.The thin film transistor 30 according to the embodiment includes a source contact portion 31 disposed on a first region of the channel layer 60 and a drain contact portion 32 disposed on a second region of the channel layer 60 . The source contact portion 31 may be disposed in contact with the first region of the channel layer 60. The drain contact portion 32 may be disposed in contact with the second region of the channel layer 60.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터(30)는 상기 게이트 전극(33) 위에 배치된 게이트 배선(41)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 상기 게이트 전극(33)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)의 하부 면이 상기 게이트 전극(33)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The thin film transistor 30 according to the embodiment may include a gate wiring 41 disposed on the gate electrode 33. [ The gate wiring 41 may be electrically connected to the gate electrode 33. The lower surface of the gate wiring 41 may be disposed in contact with the upper surface of the gate electrode 33.

상기 소스 전극(71)은 상기 소스 컨택부(31)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 소스 컨택부(31)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 소스 전극(71)은 상기 소스 컨택부(31)를 통하여 상기 채널층(60)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 드레인 컨택부(32)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 드레인 컨택부(32)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 드레인 전극(72)은 상기 드레인 컨택부(32)를 통하여 상기 채널층(60)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다.The source electrode 71 may be electrically connected to the source contact portion 31. The source electrode 71 may be disposed in contact with the upper surface of the source contact portion 31. For example, the source electrode 71 may be electrically connected to the first region of the channel layer 60 through the source contact portion 31. The drain electrode 72 may be electrically connected to the drain contact portion 32. The drain electrode 72 may be disposed in contact with the upper surface of the drain contact portion 32. For example, the drain electrode 72 may be electrically connected to a second region of the channel layer 60 through the drain contact portion 32.

상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 채널층(60)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제2 질화물 반도체층(62)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 예로서 0.1~1㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 채널층(60)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the channel layer 60. [ The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may include a material that makes an ohmic contact with the second nitride semiconductor layer 62. For example, the source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be formed of a metal such as aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), copper alloy Mo, Ag, Ag alloy, Au, Au alloy, Cr, Ti, Ti alloy, molybdenum tungsten, And may include a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi). The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be provided in a thickness of 0.1 to 1 mu m, for example. The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be provided with a thickness of 1 탆 or less since they do not need to perform a current diffusion function as a layer for contact with the channel layer 60.

상기 게이트 전극(33)은 상기 디플리션 형성층(15)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 예로서, 상기 게이트 전극(33)은 p형 질화물층과 오믹 접촉하는 금속성 물질로 구현될 수 있다. 상기 게이트 전극(33)은 텅스텐(W), 텅스텐실리콘(WSi2), 티타늄질소(TiN), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨질소(TaN), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(33)은 예로서 0.1~1㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 게이트 전극(33)은 상기 디플리션 형성층(15)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.The gate electrode 33 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the depletion layer 15. For example, the gate electrode 33 may be formed of a metallic material in ohmic contact with the p-type nitride layer. The gate electrode 33 may be formed of tungsten (W), tungsten silicon (WSi 2 ), titanium nitride (TiN), tantalum (Ta), tantalum nitride (TaN), palladium (Pd), nickel (Ni) Or a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of < RTI ID = 0.0 > The gate electrode 33 may be provided in a thickness of 0.1 to 1 mu m, for example. Since the gate electrode 33 does not need to perform a current diffusion function as a layer for contact with the depletion forming layer 15, the gate electrode 33 may be provided to a thickness of 1 탆 or less.

상기 게이트 배선(41)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 게이트 전극(33)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The gate wiring 41 may be formed of a metal such as aluminum (Al), an aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), a copper alloy, molybdenum (Mo), silver (Ag) (Au), Au alloy, chromium (Cr), titanium (Ti), titanium alloy, molybdenum tungsten (MoW), molybdenum titanium (MoTi), copper / molybdenum titanium / MoTi). ≪ / RTI > < RTI ID = 0.0 > The gate wiring 41 may be provided in a thickness of 0.1 to 3 占 퐉, for example. Since the gate wiring 41 performs a function of sequentially applying a voltage to a plurality of transistors, the gate wiring 41 may be provided thicker than the gate electrode 33.

상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 소스 컨택부(31)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다. 상기 드레인 전극(72)도 상기 드레인 컨택부(32)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The source electrode 71 and the drain electrode 72 may be formed of one selected from the group consisting of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Ag), Ag alloy, Au, Au alloy, Cr, Ti, Ti alloy, molybdenum tungsten (MoW), molybdenum titanium (MoTi) , Copper / moly titanium (Cu / MoTi), and the like. The source electrode 71 and the drain electrode 72 may be provided with a thickness of 0.1 to 3 m, for example. Since the source electrode 71 functions to sequentially apply a voltage to the plurality of transistors, the source electrode 71 may be thicker than the source contact portion 31. The drain electrode 72 may also be thicker than the drain contact portion 32.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 채널층(60) 위에 배치된 제1 보호막(21)을 포함할 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 상기 제2 질화물 반도체층(62) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)의 하부 면은 상기 제2 질화물 반도체층(62)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 상기 디플리션 형성층(15) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 상기 디플리션 형성층(15)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 상기 디플리션 형성층(15)의 측면을 감싸도록 배치될 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include a first protective film 21 disposed on the channel layer 60. The first passivation layer 21 may be disposed on the second nitride semiconductor layer 62. The lower surface of the first protective film 21 may be disposed in contact with the upper surface of the second nitride semiconductor layer 62. The first protective film 21 may be disposed on the depletion layer 15. The first protective film 21 may be disposed on a side surface of the depletion forming layer 15. The first protective layer 21 may be disposed to surround the side surface of the depletion layer 15.

실시 예에 의하면, 상기 소스 컨택부(31)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)는 상기 제1 보호막(21)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치되고 상기 채널층(60)의 제1 영역에 접촉되어 제공될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제1 보호막(21)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치되고 상기 채널층(60)의 제2 영역에 접촉되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, the source contact portion 31 may be disposed through the first protective film 21. The source contact portion 31 may be surrounded by the first protective film 21. The source contact portion 31 may be provided through the first protective film 21 and in contact with the first region of the channel layer 60. The drain contact portion 32 may be disposed to penetrate the first protective film 21. The drain contact portion 32 may be surrounded by the first protective film 21. The drain contact portion 32 may be disposed through the first protective layer 21 and may be provided in contact with the second region of the channel layer 60.

상기 제1 보호막(21)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The first passivation layer 21 may be formed of an insulating material. The first passivation layer 21 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 의하면, 상기 기판(55)과 상기 제1 보호막(21) 위에 제2 보호막(22)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(33)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22) 중에서 적어도 하나를 관통하여 배치될 수 있다. 예로서, 상기 게이트 전극(33)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(33)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22) 중에서 적어도 하나를 관통하여 상기 디플리션 형성층(15)에 접촉되어 배치될 수 있다, 예로서, 상기 게이트 전극(33)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하여 상기 디플리션 형성층(15)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 상기 제2 보호막(22) 위에 배치되어 상기 게이트 전극(33)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 보호막(22)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 보호막(22)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 22 may be disposed on the substrate 55 and the first protective film 21. The gate electrode 33 may be disposed to penetrate at least one of the first protective film 21 and the second protective film 22. For example, the gate electrode 33 may be disposed to pass through the first protective film 21 and the second protective film 22. The gate electrode 33 may be disposed in contact with the depletion layer 15 through at least one of the first protective layer 21 and the second protective layer 22. For example, (33) may be disposed in contact with the depletion-inducing layer (15) through the first protective layer (21) and the second protective layer (22). The gate line 41 may be disposed on the second protective layer 22 and electrically connected to the gate electrode 33. The second protective layer 22 may be formed of an insulating material. The second passivation layer 22 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , or an organic insulating material .

실시 예에 의하면, 상기 제2 보호막(22) 위에 제3 보호막(23)이 배치될 수 있다. 상기 제3 보호막(23)은 상기 제2 보호막(22)과 상기 게이트 배선(41) 위에 배치될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 상기 게이트 전극(33) 위에 접촉되어 배치되고 상기 제3 보호막(23)에 의하여 둘러 싸여 제공될 수 있다.According to the embodiment, the third protective film 23 may be disposed on the second protective film 22. The third protective film 23 may be disposed on the second protective film 22 and the gate wiring 41. The gate wiring 41 may be disposed in contact with the gate electrode 33 and surrounded by the third protective film 23.

상기 소스 전극(71)은 상기 제2 보호막(22)과 상기 제3 보호막(23)을 관통하여 상기 소스 컨택부(31)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 제3 보호막(23) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 제3 보호막(23)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 제2 보호막(22)과 상기 제3 보호막(23)을 관통하여 상기 드레인 컨택부(32)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 제3 보호막(23) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 제3 보호막(23)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다.The source electrode 71 may be electrically connected to the source contact part 31 through the second protective film 22 and the third protective film 23. The source electrode 71 may include a first region disposed on the third protective layer 23. The source electrode 71 may include a second region penetrating the third protective film 23 and the second protective film 22. The drain electrode 72 may be electrically connected to the drain contact part 32 through the second protective film 22 and the third protective film 23. The drain electrode 72 may include a first region disposed on the third passivation layer 23. The drain electrode 72 may include a second region penetrating the third protective layer 23 and the second protective layer 22.

상기 제3 보호막(23)은 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제3 보호막(23)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The third protective film 23 may include an insulating material. The third protective film 23 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide including Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제3 보호막(23) 위에 배치된 제4 보호막(24)을 포함할 수 있다. 상기 제4 보호막(24)은 상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72) 위에 배치될 수 있다. 상기 제4 보호막(24)은 상기 드레인 전극(72) 위에 제공된 컨택홀(H3)을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a fourth protective film 24 disposed on the third protective film 23. The fourth protective layer 24 may be disposed on the source electrode 71 and the drain electrode 72. The fourth protective layer 24 may include a contact hole H3 provided on the drain electrode 72. [

상기 제4 보호막(24)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The fourth passivation layer 24 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , .

실시 예에 의하면, 상기 화소전극(80)은 상기 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 상기 제4 보호막(24)에 제공된 컨택홀(H3)을 통하여 상기 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 화소전극(80)의 하부 면은 상기 드레인 전극(72)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the pixel electrode 80 may be disposed on the fourth protective layer 24. The pixel electrode 80 may be electrically connected to the drain electrode 72 through the contact hole H3 provided in the fourth protective layer 24. [ The lower surface of the pixel electrode 80 may be disposed in contact with the upper surface of the drain electrode 72.

상기 화소전극(80)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The pixel electrode 80 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 80 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 80 may be formed of one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (IZTO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 상기 기판(55)과 상기 채널층(60) 사이에 배치된 블랙 매트릭스(40)를 포함할 수 있다. 상기 채널층(60)의 폭과 상기 블랙 매트릭스(40)의 폭이 같게 제공될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(40)는 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(40)는 상기 박막 트랜지스터(30)로 입사되는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라 포토 커런트 등에 의하여 상기 박막 트랜지스터(30)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a black matrix 40 disposed between the substrate 55 and the channel layer 60. The width of the channel layer 60 and the width of the black matrix 40 may be the same. The black matrix 40 may be provided as a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials, and organic materials. The black matrix 40 may block light incident on the thin film transistor 30. Accordingly, it is possible to prevent the thin film transistor 30 from being deteriorated by photo current or the like.

실시 예에 의하면, 상기 기판(55)과 상기 채널층(60) 사이에 상기 본딩층(50)이 배치될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 상기 기판(55)과 상기 블랙 매트릭스(40) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(50)은 상기 기판(55)의 전체 영역 위에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(50)은 상기 기판(55)의 전체 영역 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 상기 제2 보호막(22)과 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 본딩층(50)의 상부면과 상기 제2 보호막(22)의 하부면이 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 블랙 매트릭스(40)가 제공되지 않은 영역에서, 상기 본딩층(50)의 상부면과 상기 제2 보호막(22)의 하부면이 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the bonding layer 50 may be disposed between the substrate 55 and the channel layer 60. The bonding layer 50 may be disposed between the substrate 55 and the black matrix 40. By way of example, the bonding layer 50 may be disposed over the entire area of the substrate 55. By way of example, the bonding layer 50 may be disposed over the entire area of the substrate 55. The bonding layer 50 may be disposed in contact with the second protective layer 22. The upper surface of the bonding layer 50 and the lower surface of the second protective film 22 may be in contact with each other. For example, in an area where the black matrix 40 is not provided, the upper surface of the bonding layer 50 and the lower surface of the second protective film 22 may be directly in contact with each other.

그러면, 도 2 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정 예를 설명하기로 한다. 도 2 내지 도 13에서 각 도면의 (a)는 평면도를 나타낸 것이고 각 도면의 (b)는 평면도의 A-A 선에 따른 단면도를 나타낸 것이다.Hereinafter, an example of a manufacturing process of a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 14. FIG. 2 to 13 show plan views of respective drawings, and (b) of each drawing show cross-sectional views along a line A-A in a plan view.

먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 성장기판(10) 위에 제1층(11), 제2층(12), 제3층(13)이 순차적으로 성장될 수 있다. 2, the first layer 11, the second layer 12, and the third layer 13 may be successively grown on the growth substrate 10.

상기 성장기판(10)은 상기 제1층(11), 제2층(12), 제3층(13)이 성장될 수 있는 기판일 수 있다. 상기 성장기판(10)은 예를 들어, 사파이어(Sapphire), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 성장기판(10)과 상기 제1층(11) 사이에는 버퍼층이 더 형성될 수도 있다.The growth substrate 10 may be a substrate on which the first layer 11, the second layer 12, and the third layer 13 can be grown. The growth substrate 10 may include at least one of, for example, sapphire, SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge. A buffer layer may be further formed between the growth substrate 10 and the first layer 11.

상기 제1층(11), 상기 제2층(12), 상기 제3층(13)은 예로서 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1층(11), 상기 제2층(12), 상기 제3층(13)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1층(11), 상기 제2층(12), 상기 제3층(13)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The first layer 11, the second layer 12, and the third layer 13 may be formed of a Group III-V compound semiconductor, for example. The first layer 11, the second layer 12 and the third layer 13 may be In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y < / = 1). The first layer 11, the second layer 12 and the third layer 13 may be formed of a material such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP , ≪ / RTI > and the like.

실시 예에 따르면, 예로서 상기 제1층(11)은 GaN 반도체층으로 형성될 수 있고, 상기 제2층(12)은 AlGaN 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 제3층(13)은 p형 도펀트가 첨가된 질화물 반도체층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제3층(13)은 p형 도펀트가 첨가된 GaN 반도체층 또는 p형 도펀트가 첨가된 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제3층(13)은 예컨대, p-AlxGa1 - xN (0≤x≤0.3)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.For example, the first layer 11 may be formed of a GaN semiconductor layer, and the second layer 12 may be formed of an AlGaN semiconductor layer. The third layer 13 may include a nitride semiconductor layer doped with a p-type dopant. For example, the third layer 13 may include a GaN semiconductor layer doped with a p-type dopant or an AlGaN semiconductor layer doped with a p-type dopant. The third layer 13 may comprise a single layer or multiple layers embodied in a semiconductor material having a composition formula of, for example, p-Al x Ga 1 - x N (0? X ? 0.3).

다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제3층(13)에 대한 식각을 통하여 상기 제2층(12) 위에 배치된 디플리션 형성층(15)이 형성될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 예로서 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정을 통하여 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 3, a depletion-forming layer 15 disposed on the second layer 12 through the etching of the third layer 13 may be formed. The depletion-forming layer 15 may be formed through, for example, a photolithography process and an etching process.

이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2층(12)과 상기 디플리션 형성층(15) 위에 제1 보호막(21)이 형성될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.4, the first protective layer 21 may be formed on the second layer 12 and the depletion layer 15. The first passivation layer 21 may be formed of an insulating material. The first passivation layer 21 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제2층(12) 위에 소스 컨택부(31)와 드레인 컨택부(32)가 형성될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 상기 제2층(12) 위에 형성될 수 있다. 예로서, 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 자기정렬(self-align) 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제2층(12)에 오믹 접촉될 수 있다. 예로서, 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 예로서 0.1~1㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 채널층(60)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.As shown in FIG. 5, a source contact portion 31 and a drain contact portion 32 may be formed on the second layer 12. The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be formed on the second layer 12 through the first protective layer 21. For example, the source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be formed through a self-align process. The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be in ohmic contact with the second layer 12. For example, the source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be formed of a metal such as aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), copper alloy Mo, Ag, Ag alloy, Au, Au alloy, Cr, Ti, Ti alloy, molybdenum tungsten, And may include a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi). The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be formed to have a thickness of, for example, 0.1 to 1 m. The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be provided with a thickness of 1 탆 or less since they do not need to perform a current diffusion function as a layer for contact with the channel layer 60.

도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 소스 컨택부(31)는 제1 방향으로 L1의 길이를 가질 수 있고 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제1 방향으로 L2의 길이를 가질 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 상기 제1 방향으로 L3의 길이를 갖도록 형성될 수 있다. 예로서, 상기 소스 컨택부(31)의 측면과 상기 드레인 컨택부(32)의 측면이 서로 마주보게 배치되고, 상기 디플리션 형성층(15)이 상기 소스 컨택부(31)의 측면과 상기 드레인 컨택부(32)의 측면 사이에 일 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 상기 일 방향으로 연장되어 배치된 상기 디플리션 형성층(15)의 길이(L3)가 상기 소스 컨택부(31)의 측면 길이(L1)에 비해 더 길게 형성될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)의 길이(L3)가 상기 드레인 컨택부(32)의 측면 길이(L2)에 비해 더 길게 형성될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32) 사이에 배치된 상기 디플리션 형성층(15)의 길이가 더 길게 형성됨으로써, 트랜지스터로서 동작되는 경우에, 상기 디플리션 형성층(15)에 의하여 채널층에 충분한 디플리션 영역이 형성되도록 할 수 있으며, 게이트 전압이 인가되지 않는 경우에 상기 소스 컨택부(31)로부터 상기 드레인 컨택부(32)로 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있게 된다. 이에 따라 실시 예에 의하면 노멀리 오프(normally off) 구동의 트랜지스터를 제공할 수 있게 된다.5 (a), the source contact portion 31 may have a length L1 in a first direction and the drain contact portion 32 may have a length L2 in the first direction have. The depletion-inducing layer 15 may be formed to have a length L3 in the first direction. For example, the side surface of the source contact portion 31 and the side surface of the drain contact portion 32 are disposed opposite to each other, and the depletion forming layer 15 is formed on the side surface of the source contact portion 31 and the drain And extend in one direction between the side surfaces of the contact portion 32. The length L3 of the depletion forming layer 15 extending in one direction may be longer than the side length L1 of the source contact portion 31. [ The length L3 of the depression forming layer 15 may be longer than the side length L2 of the drain contact portion 32. [ The depletion-imparting layer 15 disposed between the source contact portion 31 and the drain contact portion 32 is longer than the depletion-forming layer 15, It is possible to prevent a current from flowing from the source contact portion 31 to the drain contact portion 32 when the gate voltage is not applied . Thus, according to the embodiment, it is possible to provide a transistor of normally off driving.

그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 디플리션 형성층(15) 위에 게이트 전극(33)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(33)은 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 형성될 수 있다.As shown in FIG. 6, a gate electrode 33 may be formed on the depletion-inducing layer 15. The gate electrode 33 may be formed through the first protective film 21.

상기 게이트 전극(33)은 상기 디플리션 형성층(15)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 예로서, 상기 게이트 전극(33)은 p형 질화물층과 오믹 접촉하는 금속성 물질로 구현될 수 있다. 상기 게이트 전극(33)은 텅스텐(W), 텅스텐실리콘(WSi2), 티타늄질소(TiN), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨질소(TaN), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(33)은 예로서 0.1~1㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(33)은 상기 디플리션 형성층(15)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.The gate electrode 33 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the depletion layer 15. For example, the gate electrode 33 may be formed of a metallic material in ohmic contact with the p-type nitride layer. The gate electrode 33 may be formed of tungsten (W), tungsten silicon (WSi 2 ), titanium nitride (TiN), tantalum (Ta), tantalum nitride (TaN), palladium (Pd), nickel (Ni) Or a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of < RTI ID = 0.0 > The gate electrode 33 may be formed to a thickness of 0.1 to 1 占 퐉, for example. Since the gate electrode 33 does not need to perform a current diffusion function as a layer for contact with the depletion forming layer 15, the gate electrode 33 may be provided to a thickness of 1 탆 or less.

다음으로, 도 7에 도시된 바와같이, 상기 소스 컨택부(31), 상기 드레인 컨택부(32), 상기 게이트 전극(33) 위에 본딩층(51)과 임시기판(56)이 제공될 수 있다. 상기 본딩층(51)과 상기 임시기판(56)은 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용하고 상기 성장기판(10)을 제거하기 위하여 제공되는 것이다. 이어서, 상기 성장기판(10)이 제거되고 상기 제1 층(11) 위에 블랙 매트릭스층이 형성될 수 있다.7, a bonding layer 51 and a temporary substrate 56 may be provided on the source contact portion 31, the drain contact portion 32, and the gate electrode 33 . The bonding layer 51 and the temporary substrate 56 are provided for removing the growth substrate 10 by applying a transfer process. Then, the growth substrate 10 may be removed and a black matrix layer may be formed on the first layer 11.

그리고, 도 8에 도시된 바와 같이, 블랙 매트릭스층에 트랜스퍼 공정 적용을 위하여 본딩층(50)과 기판(55)이 제공될 수 있으며, 상기 임시기판(56)이 제거되고, 채널층(60), 블랙 매트릭스(40)가 패터닝 될 수 있다. 8, the black matrix layer may be provided with a bonding layer 50 and a substrate 55 for the transfer process application, the temporary substrate 56 is removed, and the channel layer 60 is removed, , The black matrix 40 may be patterned.

상기 본딩층(50)은 유기물을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 투명물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 예로서 투과도가 70% 이상인 물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 아크릴, 벤조시클로부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 예로서 0.5~6㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(50)의 두께는 선택된 물질 종류에 따라 차이가 있을 수 있으며 1~3㎛의 두께로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 본딩층(50)은 예로서 1.8~2.2㎛의 두께로 제공될 수도 있다.The bonding layer 50 may include an organic material. The bonding layer 50 may be formed of a transparent material. The bonding layer 50 may be formed of a material having a transmittance of 70% or more, for example. The bonding layer 50 may include an organic insulating material. The bonding layer 50 may include at least one material selected from the group consisting of acryl, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like. The bonding layer 50 may be formed to a thickness of 0.5 to 6 탆. The thickness of the bonding layer 50 may vary depending on the selected type of material and may be provided in a thickness of 1 to 3 탆. In addition, the bonding layer 50 may be provided in a thickness of, for example, 1.8 to 2.2 탆.

상기 기판(55)은 투명기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(55)은 예로서 0.1 mm 내지 3 mm의 두께를 갖는 투명기판으로 구현될 수 있다. 또한, 상기 기판(55)의 두께는 적용되는 표시장치의 용도 및 크기에 따라 변경될 수 있는 것으로서 0.4~1.1mm의 두께 범위 내에서 선택될 수도 있다. 예로서, 상기 기판(55)은 0.6~0.8mm의 두께로 제공될 수도 있다. 상기 기판(55)은 실리콘, 유리, 폴리이미드, 플라스틱을 포함하는 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 기판(55)은 플렉시블 기판을 포함할 수 있다.The substrate 55 may include a transparent substrate. The substrate 55 may be embodied as a transparent substrate having a thickness of, for example, 0.1 mm to 3 mm. In addition, the thickness of the substrate 55 may vary depending on the application and size of the display device to be applied, and may be selected within a thickness range of 0.4 to 1.1 mm. As an example, the substrate 55 may be provided in a thickness of 0.6 to 0.8 mm. The substrate 55 may include at least one material selected from materials including silicon, glass, polyimide, and plastic. The substrate 55 may include a flexible substrate.

실시 예에 의하면, 상기 성장기판(10)을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 상기 기판(55)을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiment, a high quality semiconductor layer can be formed using the growth substrate 10, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be obtained by applying a transfer process using the substrate 55 .

도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제1 보호막(21)에 대한 패터닝이 수행되고, 상기 채널층(60), 상기 블랙 매트릭스(40)가 형성될 수 있다. As shown in FIG. 8, patterning of the first passivation layer 21 may be performed, and the channel layer 60 and the black matrix 40 may be formed.

이때, 상기 제1층(11)과 상기 제2층(12)에 대한 식각이 수행되어 상기 채널층(60)이 형성될 수 있다. 상기 채널층(60)은 예로서 제1 질화물 반도체층(61)과 제2 질화물 반도체층(62)을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 채널층(60)은 상기 디플리션 형성층(15)과 같은 길이(L3)로 형성될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)의 길이가 상기 채널층(60)의 길이에 비해 작은 경우에는 누설 전류(leakage current)가 발생될 수 있다. 상기 채널층(60)의 폭과 상기 블랙 매트릭스(40)의 폭이 동일하게 제공될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)의 폭과 상기 채널층(60)의 폭이 동일하게 제공될 수 있다.At this time, the first layer 11 and the second layer 12 may be etched to form the channel layer 60. The channel layer 60 may include a first nitride semiconductor layer 61 and a second nitride semiconductor layer 62, for example. For example, the channel layer 60 may be formed to have the same length L3 as the depletion-forming layer 15. When the length of the depletion-forming layer 15 is smaller than the length of the channel layer 60, a leakage current may be generated. The width of the channel layer 60 and the width of the black matrix 40 may be the same. The width of the first protective film 21 and the width of the channel layer 60 may be the same.

다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 본딩층(50), 상기 제1 보호막(21) 위에 제2 보호막(22)이 형성될 수 있다. 상기 제2 보호막(22)은 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 보호막(22)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.Next, as shown in FIG. 9, a second protective layer 22 may be formed on the bonding layer 50 and the first protective layer 21. The second protective layer 22 may include an insulating material. The second passivation layer 22 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , or an organic insulating material .

이어서, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제2 보호막(22) 위에 게이트 배선(41)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 상기 게이트 전극(33)에 전기적으로 연결될 수 있다. Then, as shown in FIG. 10, a gate wiring 41 may be formed on the second protective film 22. The gate wiring 41 may be electrically connected to the gate electrode 33.

그리고, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제2 보호막(22) 위에 제3 보호막(23)이 형성될 수 있다. 상기 제3 보호막(23)은 평탄화층 또는 오버코트층으로 지칭될 수도 있다. 상기 제3 보호막(23)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하여 상기 소스 컨택부(31)를 노출시키는 제1 컨택홀(H1)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3 보호막(23)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하여 상기 드레인 컨택부(32)를 노출시키는 제2 컨택홀(H2)이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 11, a third protective film 23 may be formed on the second protective film 22. The third protective film 23 may be referred to as a planarization layer or an overcoat layer. A first contact hole H1 may be formed to penetrate the third protective layer 23 and the second protective layer 22 to expose the source contact portion 31. [ A second contact hole H2 may be formed through the third protective layer 23 and the second protective layer 22 to expose the drain contact portion 32. Referring to FIG.

상기 제3 보호막(23)은 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제3 보호막(23)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The third protective film 23 may include an insulating material. The third protective film 23 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide including Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

그리고, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 제3 보호막(23) 위에 소스 전극(71)과 드레인 전극(72)이 형성될 수 있다. 상기 소스 전극(71)의 제1 영역은 상기 제3 보호막(23) 위에 형성되고 상기 소스 전극(71)의 제2 영역은 상기 제1 컨택홀(H1)에 형성되어 상기 소스 컨택부(31)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)의 제1 영역은 상기 제3 보호막(23) 위에 형성되고 상기 드레인 전극(72)의 제2 영역은 상기 제2 컨택홀(H2)에 형성되어 상기 드레인 컨택부(32)에 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 상기 소스 전극(71)에 연결된 데이터 배선(73)이 형성될 수 있다. 상기 데이터 배선(73)은 상기 게이트 배선(41)과 교차되어 일 방향으로 연장되어 배치될 수 있다.As shown in FIG. 12, a source electrode 71 and a drain electrode 72 may be formed on the third protective film 23. A first region of the source electrode 71 is formed on the third protective film 23 and a second region of the source electrode 71 is formed in the first contact hole H1, As shown in FIG. A first region of the drain electrode 72 is formed on the third protective film 23 and a second region of the drain electrode 72 is formed in the second contact hole H2, As shown in FIG. A data line 73 connected to the source electrode 71 may be formed. The data line 73 may extend in one direction intersecting with the gate line 41.

예로서, 상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 소스 컨택부(31)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다. 상기 드레인 전극(72)도 상기 드레인 컨택부(32)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.For example, the source electrode 71 and the drain electrode 72 may be formed of a metal such as aluminum (Al), aluminum alloy (Al), tungsten (W), copper (Cu), copper alloy, molybdenum , Silver (Ag), silver alloy, gold (Au), gold alloy, chromium (Cr), titanium (Ti), titanium alloy, molybdenum tungsten (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi), and the like. The source electrode 71 and the drain electrode 72 may be provided with a thickness of 0.1 to 3 m, for example. Since the source electrode 71 functions to sequentially apply a voltage to the plurality of transistors, the source electrode 71 may be thicker than the source contact portion 31. The drain electrode 72 may also be thicker than the drain contact portion 32.

도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72) 위에 제4 보호막(24)이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제4 보호막(24)에 상기 드레인 전극(72)을 노출시키는 제3 컨택홀(H3)이 형성될 수 있다. As shown in FIGS. 13 and 14, a fourth protective layer 24 may be formed on the source electrode 71 and the drain electrode 72. A third contact hole H3 may be formed in the fourth protective layer 24 to expose the drain electrode 72.

상기 제4 보호막(24) 위에 화소전극(80)이 형성될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 상기 제4 보호막(24)에 제공된 상기 제3 컨택홀(H3)을 통하여 상기 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. A pixel electrode 80 may be formed on the fourth protective layer 24. The pixel electrode 80 may be electrically connected to the drain electrode 72 through the third contact hole H3 provided in the fourth protective layer 24. [

상기 화소전극(80)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The pixel electrode 80 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 80 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 80 may be formed of one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (IZTO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

이와 같은 공정을 통하여 실시 예에 따른 기본적인 박막 트랜지스터 기판이 형성될 수 있다. 도 2 내지 도 14를 참조하여 설명된 제조공정은 하나의 예일 뿐이며, 각 단계에서의 공정방법 또는 공정순서는 변형되어 실시될 수도 있다.Through such a process, a basic thin film transistor substrate according to the embodiment can be formed. The manufacturing process described with reference to Figs. 2 to 14 is only one example, and the process method or the process order in each step may be modified and carried out.

도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 복수의 화소가 배치된 예를 나타낸 도면이다.15 is a view showing an example in which a plurality of pixels are arranged on a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 배선(41)과 상기 데이터 배선(73)이 교차되는 영역에 배치된 복수의 박막 트랜지스터(30)를 포함할 수 있다. 상기 게이트 배선(41)과 상기 데이터 배선(73)에 의하여 정의되는 영역에 상기 화소전극(80)이 배치될 수 있다. 상기 화소전극(80)의 일부 영역은 상기 게이트 배선(41)과 중첩되어 배치될 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a plurality of thin film transistors 30 arranged in a region where the gate wiring 41 and the data wiring 73 intersect each other, as shown in FIG. The pixel electrode 80 may be disposed in an area defined by the gate line 41 and the data line 73. A portion of the pixel electrode 80 may overlap with the gate line 41.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 컬러필터 기판과 합착되어 액정표시 패널을 제공할 수 있다. 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판 사이에는 액정층이 제공될 수 있다. 컬러필터 기판에는 공통전극이 제공될 수 있으며, 공통전극과 박막 트랜지스터 기판에 제공된 화소전극 간에 인가되는 전압 차에 의하여 그 사이에 배치된 액정층의 배열이 조절되고 해당 화소의 광 투과량을 제어할 수 있게 된다. 이와 같은 구조를 갖는 액정표시 패널은 수직 전계형 액정표시 패널로 지칭될 수도 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment can be bonded to the color filter substrate to provide a liquid crystal display panel. A liquid crystal layer may be provided between the thin film transistor substrate and the color filter substrate. The color filter substrate may be provided with a common electrode, and the arrangement of the liquid crystal layers disposed therebetween may be adjusted by the voltage difference applied between the common electrode and the pixel electrode provided on the TFT substrate, and the light transmission amount of the pixel may be controlled . A liquid crystal display panel having such a structure may be referred to as a vertical electric field type liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 16 및 도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 16 및 도 17을 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 15를 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있으며, 서로 차이가 있는 부분에 대해 주로 설명하기로 한다. 16 and 17 are views showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. 16 and 17, in the description of the thin film transistor substrate according to the embodiment, the description overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 15 may be omitted, Will be mainly described.

도 1 내지 도 15를 참조하여 설명된 박막 트랜지스터 기판은 수직 전계형 액정표시 패널에 적용될 수 있는 것이다. 박막 트랜지스터 기판에는 화소전극(80)이 배치되고 화소전극(80)과 함께 화소에 전계를 형성하는 공통전극은 별도의 컬러필터 기판에 제공됨으로써 수직 전계형 액정표시 패널을 구현할 수 있는 것이다. 한편, 도 16 및 도 17을 참조하여 설명되는 박막 트랜지스터 기판은 수평 전계형 액정표시 패널에 적용될 수 있는 것이다. The thin film transistor substrate described with reference to FIGS. 1 to 15 can be applied to a vertical electric field type liquid crystal display panel. A pixel electrode 80 is disposed on the thin film transistor substrate and a common electrode for forming an electric field in the pixel along with the pixel electrode 80 is provided on a separate color filter substrate to realize a vertical electric field type liquid crystal display panel. Meanwhile, the thin film transistor substrate described with reference to FIGS. 16 and 17 can be applied to a horizontal electric field type liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 화소전극(81), 공통전극(85), 제5 보호막(25)을 포함할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a pixel electrode 81, a common electrode 85, and a fifth protective film 25, as shown in FIGS.

상기 공통전극(85)은 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 제5 보호막(25)은 상기 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 제5 보호막(25)은 상기 공통전극(85)과 상기 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 상기 제4 보호막(24)과 상기 제5 보호막(25) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제5 보호막(25)은 상기 제4 보호막(24)을 통하여 노출된 드레인 전극(72) 위에도 제공될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 상기 제5 보호막(25) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역은 상기 제5 보호막(25)에 제공된 제4 컨택홀(H4)을 통하여 상기 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역은 상기 제4 컨택홀(H4)을 통하여 상기 드레인 전극(72)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 상기 제4 보호막(24)과 상기 제5 보호막(25)을 관통하여 상기 드레인 전극(72)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역과 상기 공통전극(85)의 일부 영역이 수직 방향으로 서로 중첩되어 배치될 수 있다.The common electrode 85 may be disposed on the fourth protective film 24. The fifth protective film 25 may be disposed on the fourth protective film 24. The fifth protective film 25 may be disposed on the common electrode 85 and the fourth protective film 24. The common electrode 85 may be disposed between the fourth protective film 24 and the fifth protective film 25. The fifth protective layer 25 may be provided on the drain electrode 72 exposed through the fourth protective layer 24. The pixel electrode 81 may be disposed on the fifth protective layer 25. A portion of the pixel electrode 81 may be electrically connected to the drain electrode 72 through the fourth contact hole H4 provided in the fifth protective layer 25. [ A portion of the pixel electrode 81 may be disposed in contact with the upper surface of the drain electrode 72 through the fourth contact hole H4. The pixel electrode 81 may be disposed in contact with the upper surface of the drain electrode 72 through the fourth protective layer 24 and the fifth protective layer 25. A part of the pixel electrode 81 and a part of the common electrode 85 may be overlapped with each other in the vertical direction.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 게이트 배선(41)과 데이터 배선(73)이 교차되는 영역에 배치된 복수의 박막 트랜지스터(30)를 포함할 수 있다. 상기 게이트 배선(41)과 상기 데이터 배선(73)에 의하여 정의되는 영역에 상기 화소전극(81)이 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 핑거 형상으로 연장된 부분을 포함할 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역은 상기 게이트 배선(41)과 중첩되어 배치될 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a plurality of thin film transistors 30 arranged in regions where the gate wiring 41 and the data wiring 73 intersect each other. The pixel electrode 81 may be disposed in a region defined by the gate line 41 and the data line 73. The pixel electrode 81 may include a finger extended portion. A portion of the pixel electrode 81 may overlap with the gate line 41.

상기 공통전극(85)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The common electrode 85 may be formed of a transparent conductive material. The common electrode 85 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide film. The common electrode 85 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 화소전극(81)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The pixel electrode 81 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 81 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 81 may be formed of one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (IZTO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 제5 보호막(25)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The fifth protective film 25 may include a single layer or multiple layers including at least one material, for example, a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , or an organic insulating material .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 컬러필터 기판과 합착되어 액정표시 패널을 제공할 수 있다. 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판 사이에는 액정층이 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 공통전극(85)과 상기 화소전극(81) 간에 인가되는 전압 차에 의하여 액정층의 배열이 조절되고 해당 화소의 광 투과량을 제어할 수 있게 된다. 이와 같은 구조를 갖는 액정표시 패널은 수평 전계형 액정표시 패널, 횡 전계형 액정표시 패널, 또는 IPS(In Plane Switching) 액정표시 패널로 지칭될 수 있다. 액정표시 패널은 자체에 광원이 없으므로 액정표시 패널에 빛을 공급하는 라이트 유닛이 제공됨으로써 표시장치를 구현할 수 있게 된다.The thin film transistor substrate according to the embodiment can be bonded to the color filter substrate to provide a liquid crystal display panel. A liquid crystal layer may be provided between the thin film transistor substrate and the color filter substrate. In the thin film transistor substrate according to the embodiment, the arrangement of the liquid crystal layer is adjusted by the voltage difference applied between the common electrode 85 and the pixel electrode 81, and the light transmission amount of the pixel can be controlled. The liquid crystal display panel having such a structure may be referred to as a horizontal electric field type liquid crystal display panel, a transverse electric field type liquid crystal display panel, or an IPS (In Plane Switching) liquid crystal display panel. Since the liquid crystal display panel itself has no light source, the display unit can be implemented by providing the light unit that supplies light to the liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 18을 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 17을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명이 생략될 수 있으며, 차이가 있는 부분에 대해 주로 설명하기로 한다.18 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 18, a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 17, and description thereof will be omitted. .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 화소전극(82), 공통전극(85), 금속층(90), 터치패널 하부전극(91), 터치패널 상부전극(92)을 포함할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a pixel electrode 82, a common electrode 85, a metal layer 90, a touch panel lower electrode 91, and a touch panel upper electrode 92.

상기 공통전극(85)은 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 제5 보호막(25) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 화소전극(82)과 상기 드레인 전극(72) 사이에는 금속층(90)이 제공될 수 있다. 상기 금속층(90)은 상기 제4 보호막(24)을 통하여 노출된 상기 드레인 전극(72)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 화소전극(82)의 일부 영역은 상기 제5 보호막(25)에 제공된 제5 컨택홀(H5)을 통하여 상기 금속층(90)을 통하여 상기 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. The common electrode 85 may be disposed on the fourth protective film 24. The pixel electrode 82 may be disposed on the fifth protective layer 25. The pixel electrode 82 may be electrically connected to the drain electrode 72. A metal layer 90 may be provided between the pixel electrode 82 and the drain electrode 72. The metal layer 90 may be disposed in contact with the drain electrode 72 exposed through the fourth protective layer 24. A portion of the pixel electrode 82 may be electrically connected to the drain electrode 72 through the metal layer 90 through the fifth contact hole H5 provided in the fifth protective layer 25. [

실시 예에 의하면, 상기 제5 보호막(25) 위에 터치패널 상부전극(92)이 제공될 수 있으며, 상기 터치패널 상부전극(92) 아래에 상기 터치패널 하부전극(91)이 배치될 수 있다. 상기 터치패널 하부전극(91)은 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있으며, 상기 공통전극(85)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 터치패널 하부전극(91)은 상기 공통전극(85)과 상기 제5 보호막(25) 사이에 배치될 수 있다. 상기 터치패널 상부전극(92)은 상기 터치패널 하부전극(91)과 수직 방향으로 서로 중첩되어 배치될 수 있다.The touch panel upper electrode 92 may be provided on the fifth protective layer 25 and the touch panel lower electrode 91 may be disposed below the touch panel upper electrode 92. [ The touch panel lower electrode 91 may be disposed on the fourth protective layer 24 and may be electrically connected to the common electrode 85. The touch panel lower electrode 91 may be disposed between the common electrode 85 and the fifth protective film 25. The touch panel upper electrode 92 may be disposed to overlap with the touch panel lower electrode 91 in the vertical direction.

상기 터치패널 상부전극(92)과 상기 터치패널 하부전극(91)은 표시패널 내에 제공된 인셀 터치패널을 구성할 수 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 인셀 터치패널을 이용하여 외부로부터의 표시패널 접촉 여부를 검출할 수 있게 된다. The touch panel upper electrode 92 and the touch panel lower electrode 91 may constitute an inshell touch panel provided in the display panel. Accordingly, the thin film transistor substrate according to the embodiment can detect whether or not the display panel is contacted from the outside by using the incelel touch panel.

상기 공통전극(85)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The common electrode 85 may be formed of a transparent conductive material. The common electrode 85 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide film. The common electrode 85 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 화소전극(82)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The pixel electrode 82 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 82 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 82 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 터치패널 하부전극(91), 상기 터치패널 상부전극(92)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The touch panel lower electrode 91 and the touch panel upper electrode 92 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 82 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 82 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

실시 예에 따른 인셀 터치패널 일체형 박막 트랜지스터 기판은 컬러필터 기판과 합착되어 액정표시 패널을 제공할 수 있다. 인셀 터치패널 일체형 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판 사이에는 액정층이 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 인셀 터치패널 일체형 박막 트랜지스터 기판은 상기 공통전극(85)과 상기 화소전극(82) 간에 인가되는 전압 차에 의하여 액정층의 배열이 조절되고 해당 화소의 광 투과량을 제어할 수 있게 된다. 이와 같은 구조를 갖는 인셀 터치패널 일체형 액정표시 패널은 수평 전계형 액정표시 패널, 횡 전계형 액정표시 패널, 또는 IPS(In Plane Switching) 액정표시 패널로 지칭될 수 있다. 인셀 터치패널 일체형 액정표시 패널은 자체에 광원이 없으므로 인셀 터치패널 일체형 액정표시 패널에 빛을 공급하는 라이트 유닛이 제공됨으로써 표시장치를 구현할 수 있게 된다.The Insel touch panel monolithic thin film transistor substrate according to the embodiment may be bonded to a color filter substrate to provide a liquid crystal display panel. A liquid crystal layer may be provided between the in-cell touch panel integrated thin film transistor substrate and the color filter substrate. In the in-cell touch panel integrated thin film transistor substrate according to the embodiment, the arrangement of the liquid crystal layer is adjusted by the voltage difference applied between the common electrode 85 and the pixel electrode 82, and the light transmission amount of the corresponding pixel can be controlled . The Insel touch panel integrated type liquid crystal display panel having such a structure may be referred to as a horizontal electric field type liquid crystal display panel, a transverse electric field type liquid crystal display panel, or an IPS (In Plane Switching) liquid crystal display panel. Since the in-line touch panel integrated type liquid crystal display panel has no light source itself, the display unit can be implemented by providing the light unit that supplies light to the in-line touch panel integrated liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 19 내지 도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 19 내지 도 21을 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 18을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있으며, 서로 차이가 있는 부분에 대해 주로 설명하기로 한다. 도 19 내지 도 21에 도시된 실시 예는 각각 도 1, 도 16, 도 18 대비하여 본딩층 구조에 차이가 있다.19 to 21 are views showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. The thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 19 to 21, and description of the same elements as those described with reference to FIGS. 1 to 18 may be omitted, Will be mainly described. The embodiments shown in Figs. 19 to 21 are different in bonding layer structures from those of Figs. 1, 16 and 18, respectively.

도 19 내지 도 21에 도시된 바와 같이, 상기 기판(55) 위에 본딩층(53)이 제공될 수 있다. 상기 본딩층(53)은 상기 기판(55)과 상기 블랙 매트릭스(40) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(53)의 폭은 상기 블랙 매트릭스(40)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(53)의 폭은 상기 채널층(60)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. As shown in FIGS. 19 to 21, a bonding layer 53 may be provided on the substrate 55. The bonding layer 53 may be disposed between the substrate 55 and the black matrix 40. For example, the width of the bonding layer 53 may be equal to the width of the black matrix 40. For example, the width of the bonding layer 53 may be equal to the width of the channel layer 60.

실시 예에 의하면, 상기 기판(55) 위에 상기 제2 보호막(22)이 배치될 수 있다. 상기 제2 보호막(22)의 하부면이 상기 기판(55)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 본딩층(53)이 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(22)이 상기 기판(55)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. According to the embodiment, the second protective film 22 may be disposed on the substrate 55. The lower surface of the second protective film 22 may be disposed in contact with the upper surface of the substrate 55. In the region where the bonding layer 53 is not provided, the second protective film 22 may be disposed in direct contact with the substrate 55.

이와 같이, 도 19 내지 도 21에 도시된 실시 예에 의하면, 도 1, 도 16, 도 18에 도시된 실시 예에 비하여, 상기 제2 보호막(22)과 상기 기판(55)이 직접 접촉되어 배치될 수 있게 되므로, 상기 제2 보호막(22)과 상기 기판(55) 사이에 제공되는 층(예로서, 도 1, 도 16, 도 18에 도시된 본딩층)을 배제시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 빛이 진행되는 광 경로 상에 이종 물질층 간의 경계면이 줄어 들게 되므로 경계면에서의 반사/굴절 등에 의한 광손실을 줄일 수 있게 된다.19 to 21, the second protective film 22 and the substrate 55 are in direct contact with each other, as compared with the embodiment shown in Figs. 1, 16 and 18, (For example, the bonding layer shown in FIGS. 1, 16, and 18) provided between the second protective film 22 and the substrate 55 can be eliminated. Thus, according to the embodiment, since the interface between the different material layers is reduced on the light path, the light loss due to reflection / refraction at the interface can be reduced.

실시 예에 따른 상기 본딩층(53)은 예로서 반사층, 메탈본딩층, 유기본딩층, 절연층을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 상기 기판(55) 위에 배치될 수 있으며, 상기 메탈본딩층은 상기 반사층 위에 배치되고, 상기 절연층은 상기 메탈본딩층 위에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(53)은 상기 메탈본딩층과 상기 유기본딩층 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 반사층과 상기 절연층은 선택적으로 포함할 수도 있다.The bonding layer 53 may include, for example, a reflective layer, a metal bonding layer, an organic bonding layer, and an insulating layer. The reflective layer may be disposed on the substrate 55, the metal bonding layer may be disposed on the reflective layer, and the insulating layer may be disposed on the metal bonding layer. For example, the bonding layer 53 may include at least one of the metal bonding layer and the organic bonding layer, and the reflective layer and the insulating layer may be selectively included.

상기 절연층은 상기 채널층(60)의 누설 특성을 보완해 줄 수 있다. 예로서, 상기 절연층은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The insulating layer can compensate leakage characteristics of the channel layer 60. By way of example, the insulating layer may comprise a single layer or multiple layers comprising at least one material, for example, a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide comprising Al 2 O 3 , or an organic insulating material.

상기 메탈본딩층 또는 상기 유기본딩층은 아래에 배치된 상기 기판(55)과의 접착을 위하여 제공될 수 있다. 예로서, 상기 메탈본딩층은 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 니켈(Ni), 은(Ag), 구리(Cu)를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 유기본딩층은 아크릴, 벤조시크롤부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.The metal bonding layer or the organic bonding layer may be provided for bonding with the substrate 55 disposed below. For example, the metal bonding layer may include at least one material selected from the group consisting of gold (Au), tin (Sn), indium (In), nickel (Ni), silver (Ag) . ≪ / RTI > For example, the organic bonding layer may comprise at least one material selected from the group consisting of acrylic, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like.

상기 반사층은 상기 본딩층에서의 광 흡수를 줄여줄 수 있다. 예로서, 상기 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 로듐(Rh)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 예로서 반사특성이 60%를 넘는 물질로 제공될 수 있다.The reflective layer may reduce light absorption in the bonding layer. For example, the reflective layer may include at least one material or alloy selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), and rhodium (Rh). The reflective layer may be provided as a material having a reflection characteristic of more than 60%, for example.

한편 실시 예에 의하면, 예로서 상기 본딩층(53)이 상기 메탈본딩층과 상기 반사층을 포함하는 경우, 상기 블랙매트릭스(40)는 생략될 수도 있다.According to the embodiment, when the bonding layer 53 includes the metal bonding layer and the reflective layer, the black matrix 40 may be omitted.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 22 내지 도 24는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 22 내지 도 24를 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 21을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 도 22 내지 도 24에 도시된 실시 예는 각각 도 1, 도 16, 도 18 대비하여 트랜스퍼 공정이 적용되지 않고 성장기판 위에 박막 트랜지스터가 제공되는 점에 차이가 있다.22 to 24 are views showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 22 to 24, the thin film transistor substrate according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 21. FIG. The embodiment shown in FIGS. 22 to 24 differs from FIG. 1, FIG. 16, and FIG. 18 in that a transfer process is not applied and a thin film transistor is provided on a growth substrate.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 22 내지 도 24에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼 공정에 이용되는 지지기판 대신에 성장기판(10)을 기판으로서 포함할 수 있다. 상기 성장기판(10)은 예를 들어, 사파이어(Sapphire), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment can include the growth substrate 10 as a substrate instead of the support substrate used in the transfer process, as shown in Figs. 22 to 24. The growth substrate 10 may include at least one of, for example, sapphire, SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge.

상기 성장기판(10) 위에 블랙 매트릭스(45)가 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(45)는 상기 성장기판(10) 위에 배치되어 상기 채널층(60)으로 빛이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(45)는 예로서 가시광선을 흡수하거나 반사하는 물질로 구현될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 상기 채널층(60)으로 빛이 입사되어 광전류(photo current) 등에 의하여 박막 트랜지스터(30)가 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다. 예로서, 상기 블랙 매트릭스(45)는 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(45)는 Si, GaAs 등의 물질을 선택적으로 포함할 수 있다.A black matrix 45 may be disposed on the growth substrate 10. The black matrix 45 may be disposed on the growth substrate 10 to prevent light from entering the channel layer 60. The black matrix 45 may be embodied as a material that absorbs or reflects visible light, for example. Accordingly, according to the embodiment, light can be incident on the channel layer 60 and the thin film transistor 30 can be prevented from deteriorating due to photo current or the like. By way of example, the black matrix 45 may be provided as a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials, and organic materials. The black matrix 45 may selectively include a material such as Si or GaAs.

실시 예에 의하면, 상기 블랙 매트릭스(45) 위에 버퍼층(47)이 제공될 수 있다. 상기 버퍼층(47)은 상기 블랙 매트릭스(45)와 상기 채널층(60) 사이에 제공될 수 있다. 상기 버퍼층(47)은 상기 채널층(60)을 구성하는 질화물 반도체층의 성장을 도울 수 있다. 예로서, 상기 버퍼층(47)은 AlN, AlInN, AlGaN을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.According to an embodiment, a buffer layer 47 may be provided on the black matrix 45. The buffer layer 47 may be provided between the black matrix 45 and the channel layer 60. The buffer layer 47 may help to grow the nitride semiconductor layer constituting the channel layer 60. By way of example, the buffer layer 47 may comprise a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of AlN, AlInN, AlGaN.

예로서, 상기 블랙 매트릭스(45)의 폭은 상기 버퍼층(47)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 블랙 매트릭스(45)의 폭은 상기 채널층(60)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 버퍼층(47)의 폭은 상기 채널층(60)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다.For example, the width of the black matrix 45 may be the same as the width of the buffer layer 47. By way of example, the width of the black matrix 45 may be equal to the width of the channel layer 60. The width of the buffer layer 47 may be equal to the width of the channel layer 60.

실시 예에 의하면, 상기 성장기판(10) 위에 상기 제2 보호막(22)이 배치될 수 있다. 상기 제2 보호막(22)의 하부면이 상기 성장기판(10)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(45)가 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(22)이 상기 성장기판(10)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 22 may be disposed on the growth substrate 10. The lower surface of the second protective film 22 may be disposed in contact with the upper surface of the growth substrate 10. In the region where the black matrix 45 is not provided, the second protective film 22 may be disposed in direct contact with the growth substrate 10.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 25 및 도 26은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 25 및 도 26에 도시된 박막 트랜지스터 기판은 이중 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터가 적용된 실시 예로서 도 1 내지 도 24를 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 25 and 26 are views showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. The thin film transistor substrate shown in FIGS. 25 and 26 is an embodiment to which a thin film transistor having a double gate structure is applied, and the description overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 24 may be omitted.

본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 25 및 도 26에 도시된 바와 같이, 기판(55)과 상기 기판(55) 위에 배치된 박막 트랜지스터(130), 상기 박막 트랜지스터(130)에 전기적으로 연결된 화소전극(80)을 포함할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention includes a substrate 55 and a thin film transistor 130 disposed on the substrate 55, And a pixel electrode 80 connected to the pixel electrode 80.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터(130)는 디플리션 형성층(depletion forming layer, 15), 제1 게이트 전극(35), 제2 게이트 전극(36), 채널층(60), 소스 전극(71), 드레인 전극(72)을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 채널층(60)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 채널층(60)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 채널층(60)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 채널층(60)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(35)은 상기 채널층(60) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(36)은 상기 채널층(60) 아래에 배치될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 상기 채널층(60)의 제1 영역과 제2 영역 사이 위에 배치될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 상기 채널층(60)과 상기 제1 게이트 전극(35) 사이에 배치될 수 있다.The thin film transistor 130 according to the embodiment includes a depletion forming layer 15, a first gate electrode 35, a second gate electrode 36, a channel layer 60, a source electrode 71, Drain electrodes 72, as shown in FIG. The source electrode 71 may be electrically connected to a first region of the channel layer 60. The source electrode 71 may be electrically connected to the upper surface of the channel layer 60. The drain electrode 72 may be electrically connected to a second region of the channel layer 60. The drain electrode 72 may be electrically connected to the upper surface of the channel layer 60. The first gate electrode 35 may be disposed on the channel layer 60. The second gate electrode 36 may be disposed under the channel layer 60. The depletion-inducing layer 15 may be disposed between the first region and the second region of the channel layer 60. The depletion layer 15 may be disposed between the channel layer 60 and the first gate electrode 35.

상기 채널층(60)은 예로서 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 채널층(60)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 채널층(60)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The channel layer 60 may be formed of, for example, a Group III-V compound semiconductor. For example, the channel layer 60 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . The channel layer 60 may comprise a single layer or multiple layers selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP,

상기 채널층(60)은 제1 질화물 반도체층(61)과 제2 질화물 반도체층(62)을 포함할 수 있다. 상기 제1 질화물 반도체층(61)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(62)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. The channel layer 60 may include a first nitride semiconductor layer 61 and a second nitride semiconductor layer 62. The first nitride semiconductor layer 61 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . ≪ / RTI > The second nitride semiconductor layer 62 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . ≪ / RTI >

실시 예에 따른 상기 채널층(60)에 의하면, 상기 제1 질화물 반도체층(61)이 GaN 반도체층을 포함하고, 상기 제2 질화물 반도체층(62)이 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(62)은 상기 제1 질화물 반도체층(61)과 상기 디플리션 형성층(15) 사이에 배치될 수 있다.According to the embodiment, the first nitride semiconductor layer 61 may include a GaN semiconductor layer, and the second nitride semiconductor layer 62 may include an AlGaN semiconductor layer. The second nitride semiconductor layer 62 may be disposed between the first nitride semiconductor layer 61 and the depletion-forming layer 15.

상기 디플리션 형성층(15)은 예로서 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 디플리션 형성층(15)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 p형 도펀트가 첨가된 질화물 반도체층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 디플리션 형성층(15)은 p형 도펀트가 첨가된 GaN 반도체층 또는 p형 도펀트가 첨가된 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 예컨대, p-AlxGa1-xN (0≤x≤0.3)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. The depletion-forming layer 15 may be formed of, for example, a Group III-V compound semiconductor. For example, the depletion-inducing layer 15 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Can be implemented. The depletion-forming layer 15 may include a single layer or multiple layers selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, The depletion-forming layer 15 may include a nitride semiconductor layer doped with a p-type dopant. For example, the depletion layer 15 may include a GaN semiconductor layer doped with a p-type dopant or an AlGaN semiconductor layer doped with a p-type dopant. The depletion-forming layer 15 may comprise a single layer or multiple layers embodied in a semiconductor material having a composition formula of, for example, p-Al x Ga 1-x N (0? X ? 0.3).

상기 디플리션 형성층(15)은 예로서 2~300nm의 두께로 제공될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 상기 채널층(60)에 제공된 2차원 전자가스(2DEG)에 디플리션 영역(depletion region)을 제공하기 위하여 적어도 2nm의 두께로 제공될 수 있다. 또한, 상기 디플리션 형성층(15)은 제조공정에 따른 두께 편차를 고려하여 30nm 이상의 두께로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 디플리션 형성층(15)은 제조공정에 따른 두께 편차를 고려하여 200nm 이하의 두께로 제공될 수도 있다. 상기 디플리션 형성층(15)은 예로서 50~100nm의 두께로 제공될 수도 있다.The depletion-forming layer 15 may be provided with a thickness of, for example, 2 to 300 nm. The depletion layer 15 may be provided to a thickness of at least 2 nm to provide a depletion region to the two-dimensional electron gas (2DEG) provided in the channel layer 60. In addition, the depletion-forming layer 15 may be provided with a thickness of 30 nm or more in consideration of the thickness variation according to the manufacturing process. In addition, the depletion-forming layer 15 may be provided with a thickness of 200 nm or less in consideration of the thickness variation according to the manufacturing process. The depletion-imparting layer 15 may be provided in a thickness of, for example, 50 to 100 nm.

상기 디플리션 형성층(15)은 상기 채녈층(60)에 제공된 2차원 전자가스(2DEG)에 디플리션 영역(depletion region)을 형성하는 역할을 할 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)에 의해 그 아래에 위치하는 제2 질화물 반도체층(62) 부분의 에너지 밴드갭(energy bandgap)이 높아질 수 있고, 그 결과 상기 디플리션 형성층(15)에 대응하는 상기 채널층(60) 부분에 2차원 전자가스(2DEG)의 디플리션 영역이 제공될 수 있다. 따라서, 상기 채널층(60)에 제공되는 2차원 전자가스(2DEG) 중 상기 디플리션 형성층(15)이 배치된 위치에 대응되는 영역은 끊어질 수 있다. 상기 채널층(60)에서 2차원 전자가스(2DEG)가 끊어진 영역을 단절영역이라 할 수 있으며, 예로서 상기 제2 질화물 반도체층(62)에 단절영역이 형성될 수 있다. 이러한 단절영역에 의해 상기 박막 트랜지스터(130)는 노멀리-오프(normally-off) 특성을 가질 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(35)에 문턱 전압(threshold voltage) 이상의 전압을 인가하면, 단절영역에 2차원 전자가스(2DEG)가 생성되어, 상기 박막 트랜지스터(130)가 온 상태가 된다. 상기 제1 게이트 전극(35)의 하부에 형성된 채널이 온 상태가 되면 상기 채널층(60)에 형성된 2차원 전자가스(2DEG)를 경유하여 전류가 흐를 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 게이트 전극(35)과 상기 제2 게이트 전극(36)에 인가되는 전압에 따라 상기 채널층(60)의 제1 영역으로부터 제2 영역으로의 전류 흐름이 제어될 수 있게 된다. 한편, 본 실시 예에 의하면, 상기 채널층(60) 아래에 상기 제2 게이트 전극(36)이 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(35)과 상기 제2 게이트 전극(36)은 수직 방향에서 서로 중첩되어 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 채널층(60)의 상부 및 하부에 상기 제1 게이트 전극(35)과 상기 제2 게이트 전극(36)이 배치됨에 따라 상기 채널층(60)에서의 전류의 흐름을 효율적이고 신뢰성 있게 조절할 수 있게 된다.The depletion layer 15 may serve to form a depletion region in the 2DEG provided in the channel layer 60. The energy bandgap of the portion of the second nitride semiconductor layer 62 located below the depletion-forming layer 15 can be increased, and as a result, the energy bandgap of the portion corresponding to the depletion- A depletion region of a two-dimensional electron gas (2DEG) may be provided in the channel layer 60 portion. Therefore, the region corresponding to the position where the depletion-inducing layer 15 is disposed in the two-dimensional electron gas (2DEG) provided in the channel layer 60 can be cut off. The region where the two-dimensional electron gas (2DEG) is broken in the channel layer 60 may be referred to as a cut-off region. For example, a cut-off region may be formed in the second nitride semiconductor layer 62. By this disconnection region, the thin film transistor 130 can have a normally-off characteristic. When a voltage equal to or higher than a threshold voltage is applied to the first gate electrode 35, a two-dimensional electron gas (2DEG) is generated in the cut-off region, and the thin film transistor 130 is turned on. When the channel formed below the first gate electrode 35 is turned on, a current can flow through the two-dimensional electron gas (2DEG) formed in the channel layer 60. Accordingly, the current flow from the first region to the second region of the channel layer 60 can be controlled according to the voltage applied to the first gate electrode 35 and the second gate electrode 36 . According to the present embodiment, the second gate electrode 36 may be disposed under the channel layer 60. The first gate electrode 35 and the second gate electrode 36 may be overlapped with each other in the vertical direction. The first gate electrode 35 and the second gate electrode 36 are disposed at the top and bottom of the channel layer 60 so that the current flow in the channel layer 60 can be efficiently And can be reliably adjusted.

상기 기판(55)은 투명기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(55)은 예로서 0.1 mm 내지 3 mm의 두께를 갖는 투명기판으로 구현될 수 있다. 또한, 상기 기판(55)의 두께는 적용되는 표시장치의 용도 및 크기에 따라 변경될 수 있는 것으로서 0.4~1.1mm의 두께 범위 내에서 선택될 수도 있다. 예로서, 상기 기판(55)은 0.6~0.8mm의 두께로 제공될 수도 있다. 상기 기판(55)은 실리콘, 유리, 폴리이미드, 플라스틱을 포함하는 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 기판(55)은 플렉시블 기판을 포함할 수 있다.The substrate 55 may include a transparent substrate. The substrate 55 may be embodied as a transparent substrate having a thickness of, for example, 0.1 mm to 3 mm. In addition, the thickness of the substrate 55 may vary depending on the application and size of the display device to be applied, and may be selected within a thickness range of 0.4 to 1.1 mm. As an example, the substrate 55 may be provided in a thickness of 0.6 to 0.8 mm. The substrate 55 may include at least one material selected from materials including silicon, glass, polyimide, and plastic. The substrate 55 may include a flexible substrate.

상기 기판(55)은 트랜스퍼(transfer) 공정에서 적용되는 기판으로서 상기 박막 트랜지스터(130)를 지지하는 역할을 수행한다. 또한, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 기판(55)과 상기 박막 트랜지스터(130) 사이에 제공된 본딩층(50)을 포함할 수 있다. The substrate 55 is a substrate to be used in a transfer process and supports the thin film transistor 130. In addition, the thin film transistor substrate according to the embodiment may include a bonding layer 50 provided between the substrate 55 and the thin film transistor 130.

상기 본딩층(50)은 유기물을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 투명물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 예로서 투과도가 70% 이상인 물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 아크릴, 벤조시클로부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 예로서 0.5~6㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 본딩층(50)의 두께는 선택된 물질 종류에 따라 차이가 있을 수 있으며 1~3㎛의 두께로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 본딩층(50)은 예로서 1.8~2.2㎛의 두께로 제공될 수도 있다.The bonding layer 50 may include an organic material. The bonding layer 50 may be formed of a transparent material. The bonding layer 50 may be formed of a material having a transmittance of 70% or more, for example. The bonding layer 50 may include an organic insulating material. The bonding layer 50 may include at least one material selected from the group consisting of acryl, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like. The bonding layer 50 may be provided in a thickness of 0.5 to 6 mu m, for example. The thickness of the bonding layer 50 may vary depending on the selected type of material and may be provided in a thickness of 1 to 3 탆. In addition, the bonding layer 50 may be provided in a thickness of, for example, 1.8 to 2.2 탆.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터(130)는 상기 채널층(60)의 제1 영역 위에 배치된 소스 컨택부(31)와 상기 채널층(60)의 제2 영역 위에 배치된 드레인 컨택부(32)를 포함할 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)는 상기 채널층(60)의 제1 영역에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 채널층(60)의 제2 영역에 접촉되어 배치될 수 있다.The thin film transistor 130 according to the embodiment includes a source contact portion 31 disposed on a first region of the channel layer 60 and a drain contact portion 32 disposed on a second region of the channel layer 60 . The source contact portion 31 may be disposed in contact with the first region of the channel layer 60. The drain contact portion 32 may be disposed in contact with the second region of the channel layer 60.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터(130)는 상기 제1 게이트 전극(35) 위에 배치된 게이트 배선(41)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 상기 제1 게이트 전극(35)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)의 하부 면이 상기 제1 게이트 전극(35)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The thin film transistor 130 according to the embodiment may include a gate wiring 41 disposed on the first gate electrode 35. The gate line 41 may be electrically connected to the first gate electrode 35. The lower surface of the gate wiring 41 may be disposed in contact with the upper surface of the first gate electrode 35.

상기 소스 전극(71)은 상기 소스 컨택부(31)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 소스 컨택부(31)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 소스 전극(71)은 상기 소스 컨택부(31)를 통하여 상기 채널층(60)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 드레인 컨택부(32)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 드레인 컨택부(32)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 드레인 전극(72)은 상기 드레인 컨택부(32)를 통하여 상기 채널층(60)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다.The source electrode 71 may be electrically connected to the source contact portion 31. The source electrode 71 may be disposed in contact with the upper surface of the source contact portion 31. For example, the source electrode 71 may be electrically connected to the first region of the channel layer 60 through the source contact portion 31. The drain electrode 72 may be electrically connected to the drain contact portion 32. The drain electrode 72 may be disposed in contact with the upper surface of the drain contact portion 32. For example, the drain electrode 72 may be electrically connected to a second region of the channel layer 60 through the drain contact portion 32.

상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 채널층(60)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제2 질화물 반도체층(62)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 예로서 0.1~1㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 채널층(60)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the channel layer 60. [ The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may include a material that makes an ohmic contact with the second nitride semiconductor layer 62. For example, the source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be formed of a metal such as aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), copper alloy Mo, Ag, Ag alloy, Au, Au alloy, Cr, Ti, Ti alloy, molybdenum tungsten, And may include a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi). The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be provided in a thickness of 0.1 to 1 mu m, for example. The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be provided with a thickness of 1 탆 or less since they do not need to perform a current diffusion function as a layer for contact with the channel layer 60.

상기 제1 게이트 전극(35)은 상기 디플리션 형성층(15)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 예로서, 상기 제1 게이트 전극(35)은 p형 질화물층과 오믹 접촉하는 금속성 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(35)은 텅스텐(W), 텅스텐실리콘(WSi2), 티타늄질소(TiN), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨질소(TaN), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(35)은 예로서 0.1~1㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(35)은 상기 디플리션 형성층(15)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.The first gate electrode 35 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the depletion layer 15. For example, the first gate electrode 35 may be formed of a metallic material in ohmic contact with the p-type nitride layer. The first gate electrode 35 may be formed of tungsten (W), tungsten silicon (WSi 2 ), titanium nitride (TiN), tantalum (Ta), tantalum nitrogen (TaN), palladium (Pd), nickel (Ni) 0.0 > Pt). ≪ / RTI > The first gate electrode 35 may be provided in a thickness of 0.1 to 1 mu m, for example. Since the first gate electrode 35 does not need to perform the current diffusion function as a layer for contact with the depletion-forming layer 15, the first gate electrode 35 may be provided to a thickness of 1 μm or less.

상기 게이트 배선(41)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 제1 게이트 전극(35)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The gate wiring 41 may be formed of a metal such as aluminum (Al), an aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), a copper alloy, molybdenum (Mo), silver (Ag) (Au), Au alloy, chromium (Cr), titanium (Ti), titanium alloy, molybdenum tungsten (MoW), molybdenum titanium (MoTi), copper / molybdenum titanium / MoTi). ≪ / RTI > < RTI ID = 0.0 > The gate wiring 41 may be provided in a thickness of 0.1 to 3 占 퐉, for example. The gate wiring 41 functions to apply a voltage to the plurality of transistors sequentially so that the gate wiring 41 may be thicker than the first gate electrode 35.

상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 소스 컨택부(31)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다. 상기 드레인 전극(72)도 상기 드레인 컨택부(32)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The source electrode 71 and the drain electrode 72 may be formed of one selected from the group consisting of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Ag), Ag alloy, Au, Au alloy, Cr, Ti, Ti alloy, molybdenum tungsten (MoW), molybdenum titanium (MoTi) , Copper / moly titanium (Cu / MoTi), and the like. The source electrode 71 and the drain electrode 72 may be provided with a thickness of 0.1 to 3 m, for example. Since the source electrode 71 functions to sequentially apply a voltage to the plurality of transistors, the source electrode 71 may be thicker than the source contact portion 31. The drain electrode 72 may also be thicker than the drain contact portion 32.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 채널층(60) 위에 배치된 제1 보호막(21)을 포함할 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 상기 제2 질화물 반도체층(62) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)의 하부 면은 상기 제2 질화물 반도체층(62)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 상기 디플리션 형성층(15) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 상기 디플리션 형성층(15)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 상기 디플리션 형성층(15)의 측면을 감싸도록 배치될 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include a first protective film 21 disposed on the channel layer 60. The first passivation layer 21 may be disposed on the second nitride semiconductor layer 62. The lower surface of the first protective film 21 may be disposed in contact with the upper surface of the second nitride semiconductor layer 62. The first protective film 21 may be disposed on the depletion layer 15. The first protective film 21 may be disposed on a side surface of the depletion forming layer 15. The first protective layer 21 may be disposed to surround the side surface of the depletion layer 15.

실시 예에 의하면, 상기 소스 컨택부(31)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)는 상기 제1 보호막(21)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치되고 상기 채널층(60)의 제1 영역에 접촉되어 제공될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제1 보호막(21)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치되고 상기 채널층(60)의 제2 영역에 접촉되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, the source contact portion 31 may be disposed through the first protective film 21. The source contact portion 31 may be surrounded by the first protective film 21. The source contact portion 31 may be provided through the first protective film 21 and in contact with the first region of the channel layer 60. The drain contact portion 32 may be disposed to penetrate the first protective film 21. The drain contact portion 32 may be surrounded by the first protective film 21. The drain contact portion 32 may be disposed through the first protective layer 21 and may be provided in contact with the second region of the channel layer 60.

상기 제1 보호막(21)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The first passivation layer 21 may be formed of an insulating material. The first passivation layer 21 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 의하면, 상기 기판(55)과 상기 제1 보호막(21) 위에 제2 보호막(22)이 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(35)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22) 중에서 적어도 하나를 관통하여 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 게이트 전극(35)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(35)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22) 중에서 적어도 하나를 관통하여 상기 디플리션 형성층(15)에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 게이트 전극(35)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하여 상기 디플리션 형성층(15)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 상기 제2 보호막(22) 위에 배치되어 상기 제1 게이트 전극(35)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 보호막(22)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 보호막(22)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 22 may be disposed on the substrate 55 and the first protective film 21. The first gate electrode 35 may be disposed to penetrate at least one of the first protective film 21 and the second protective film 22. For example, the first gate electrode 35 may be disposed to pass through the first protective film 21 and the second protective film 22. The first gate electrode 35 may be disposed in contact with the depletion layer 15 through at least one of the first protective layer 21 and the second protective layer 22. For example, the first gate electrode 35 may be disposed in contact with the depletion layer 15 through the first protective layer 21 and the second protective layer 22. The gate line 41 may be disposed on the second protective layer 22 and electrically connected to the first gate electrode 35. The second protective layer 22 may be formed of an insulating material. The second passivation layer 22 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , or an organic insulating material .

실시 예에 의하면, 상기 제2 보호막(22) 위에 제3 보호막(23)이 배치될 수 있다. 상기 제3 보호막(23)은 상기 제2 보호막(22)과 상기 게이트 배선(41) 위에 배치될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 상기 제1 게이트 전극(35) 위에 접촉되어 배치되고 상기 제3 보호막(23)에 의하여 둘러 싸여 제공될 수 있다.According to the embodiment, the third protective film 23 may be disposed on the second protective film 22. The third protective film 23 may be disposed on the second protective film 22 and the gate wiring 41. The gate wiring 41 may be disposed in contact with the first gate electrode 35 and surrounded by the third protective film 23.

상기 소스 전극(71)은 상기 제2 보호막(22)과 상기 제3 보호막(23)을 관통하여 상기 소스 컨택부(31)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 제3 보호막(23) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 제3 보호막(23)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 제2 보호막(22)과 상기 제3 보호막(23)을 관통하여 상기 드레인 컨택부(32)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 제3 보호막(23) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 제3 보호막(23)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. The source electrode 71 may be electrically connected to the source contact part 31 through the second protective film 22 and the third protective film 23. The source electrode 71 may include a first region disposed on the third protective layer 23. The source electrode 71 may include a second region penetrating the third protective film 23 and the second protective film 22. The drain electrode 72 may be electrically connected to the drain contact part 32 through the second protective film 22 and the third protective film 23. The drain electrode 72 may include a first region disposed on the third passivation layer 23. The drain electrode 72 may include a second region penetrating the third protective layer 23 and the second protective layer 22.

상기 제2 게이트 전극(36)은 상기 채널층(60) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(36)은 상기 제1 질화물 반도체층(61) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(36)과 상기 채널층(60) 아래에 제6 보호막(26)이 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(36)은 상기 채널층(60)의 하부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(36)은 상기 제1 질화물 반도체층(61)에 샤키 접촉(Schottky contact)될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(36)은 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 팔라듐(Pd)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 샤키 접촉은 상기 채널층(60)에 대한 플라즈마 처리(plasma treatment)에 의하여 구현될 수 있다. The second gate electrode 36 may be disposed under the channel layer 60. The second gate electrode 36 may be disposed under the first nitride semiconductor layer 61. A sixth protective layer 26 may be disposed under the second gate electrode 36 and the channel layer 60. The second gate electrode 36 may be disposed in contact with the lower surface of the channel layer 60. The second gate electrode 36 may be Schottky contact with the first nitride semiconductor layer 61. The second gate electrode 36 may be a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of nickel (Ni), platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd) . By way of example, the sharkey contact may be implemented by plasma treatment of the channel layer 60.

상기 제1 게이트 전극(35)과 상기 제2 게이트 전극(36)은 도 26에 도시된 바와 같이 전기적으로 연결될 수 있다. 실시 예에 따른 박막 트랜지스터(130)는 상기 제2 보호막(22) 위에 배치되며, 상기 제1 게이트 전극(35)과 전기적으로 연결되며 상기 게이트 배선(41)으로부터 연장되어 배치된 게이트 연결배선(38)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 연결배선(38)은 상기 제2 보호막(22)을 관통하여 상기 제2 게이트 전극(36)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제1 게이트 전극(35)과 상기 게이트 배선(41)은 동일 공정에서 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 게이트 전극(35)과 상기 게이트 배선(41)은 서로 다른 공정에서 분리되어 형성되어 전기적으로 연결될 수도 있다.The first gate electrode 35 and the second gate electrode 36 may be electrically connected as shown in FIG. The thin film transistor 130 according to the embodiment is disposed on the second protective film 22 and is electrically connected to the first gate electrode 35 and is connected to the gate connection wiring 38 ). The gate connection wiring 38 may be electrically connected to the second gate electrode 36 through the second protective film 22. For example, the first gate electrode 35 and the gate wiring 41 may be integrally formed in the same process. The first gate electrode 35 and the gate wiring 41 may be separately formed and electrically connected to each other.

도 26에 도시된 바와 같이, 상기 채널층(60)과 상기 디플리션 형성층(15)은 서로 동일한 폭으로 형성될 수 있다. 상기 디플리션 형성층(15)의 폭이 상기 채널층(60)의 폭에 비해 작은 경우에는 누설 전류(leakage current)가 발생될 수 있다. 다른 표현으로서, 상기 제1 게이트 전극(35)이 연장되어 배치된 방향을 따라 제공된 상기 채널층(60)의 길이와 상기 디플리션 형성층(15)의 길이가 동일하게 제공될 수 있다.As shown in FIG. 26, the channel layer 60 and the depletion-imparting layer 15 may have the same width. When the width of the depletion-forming layer 15 is smaller than the width of the channel layer 60, a leakage current may be generated. In other words, the length of the channel layer 60 and the length of the depletion-imparting layer 15 provided along the direction in which the first gate electrode 35 is extended and arranged may be provided equally.

상기 제3 보호막(23)은 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제3 보호막(23)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The third protective film 23 may include an insulating material. The third protective film 23 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide including Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제3 보호막(23) 위에 배치된 제4 보호막(24)을 포함할 수 있다. 상기 제4 보호막(24)은 상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72) 위에 배치될 수 있다. 상기 제4 보호막(24)은 상기 제1 게이트 전극(35) 위에 배치될 수 있다. 상기 제4 보호막(24)은 상기 드레인 전극(72) 위에 제공된 컨택홀(H3)을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a fourth protective film 24 disposed on the third protective film 23. The fourth protective layer 24 may be disposed on the source electrode 71 and the drain electrode 72. The fourth protective film 24 may be disposed on the first gate electrode 35. The fourth protective layer 24 may include a contact hole H3 provided on the drain electrode 72. [

상기 제4 보호막(24)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The fourth passivation layer 24 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , .

실시 예에 의하면, 상기 화소전극(80)은 상기 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 상기 제4 보호막(24)에 제공된 컨택홀(H3)을 통하여 상기 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 화소전극(80)의 하부 면은 상기 드레인 전극(72)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the pixel electrode 80 may be disposed on the fourth protective layer 24. The pixel electrode 80 may be electrically connected to the drain electrode 72 through the contact hole H3 provided in the fourth protective layer 24. [ The lower surface of the pixel electrode 80 may be disposed in contact with the upper surface of the drain electrode 72.

상기 화소전극(80)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The pixel electrode 80 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 80 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 80 may be formed of one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (IZTO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 상기 기판(55)과 상기 채널층(60) 사이에 배치된 블랙 매트릭스(46)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(46)는 상기 기판(55)과 상기 제6 보호막(26) 사이에 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(46)는 상기 기판(55)과 상기 제2 게이트 전극(36) 사이에 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(46)는 상기 제6 보호막(26) 하부에 대응되는 형태로 배치될 수 있다. 상기 채널층(60)의 폭과 상기 블랙 매트릭스(46)의 폭이 같게 제공될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(46)는 예로서 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(46)는 상기 박막 트랜지스터(130)로 입사되는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 박막 트랜지스터(130)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a black matrix 46 disposed between the substrate 55 and the channel layer 60. The black matrix 46 may be disposed between the substrate 55 and the sixth protective film 26. The black matrix 46 may be disposed between the substrate 55 and the second gate electrode 36. The black matrix 46 may be disposed corresponding to the lower portion of the sixth protective layer 26. The width of the channel layer 60 and the width of the black matrix 46 may be the same. The black matrix 46 may be provided as a single layer or multiple layers including, for example, at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials, and organic materials. The black matrix 46 may block light incident on the thin film transistor 130. Accordingly, it is possible to prevent the thin film transistor 130 from being deteriorated by a photo current or the like.

실시 예에 의하면, 상기 기판(55)과 상기 채널층(60) 사이에 상기 본딩층(50)이 배치될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 상기 기판(55)과 상기 블랙 매트릭스(46) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(50)은 상기 기판(55)의 전체 영역 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 상기 제2 보호막(22)과 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 본딩층(50)의 상부면과 상기 제2 보호막(22)의 하부면이 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 블랙 매트릭스(46)가 제공되지 않은 영역에서, 상기 본딩층(50)의 상부면과 상기 제2 보호막(22)의 하부면이 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the bonding layer 50 may be disposed between the substrate 55 and the channel layer 60. The bonding layer 50 may be disposed between the substrate 55 and the black matrix 46. By way of example, the bonding layer 50 may be disposed over the entire area of the substrate 55. The bonding layer 50 may be disposed in contact with the second protective layer 22. The upper surface of the bonding layer 50 and the lower surface of the second protective film 22 may be in contact with each other. For example, in an area where the black matrix 46 is not provided, the upper surface of the bonding layer 50 and the lower surface of the second protective film 22 may be disposed in direct contact with each other.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 게이트 전극(36)의 높이와 폭에 대응되는 리세스(recess)가 상기 기판(55) 또는 상기 본딩층(50)에 제공될 수 있다. 상기 제6 보호막(26)의 일부는 상기 제2 게이트 전극(36)의 단면 형상에 대응되도록 상부 및 측면의 적어도 일부에 배치되어 상기 리세스(recess) 영역에 제공될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(46)는 상기 제6 보호막(26)의 하부 형상과 대응되는 형상으로 배치되고 적어도 일부는 상기 리세스(recess) 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(36)의 적어도 일부도 상기 리세스(recess) 영역에 배치될 수 있다. 이러한 구조로 상기 제2 게이트 전극(36) 제공에 따른 박막 트랜지스터 기판의 두께가 증가되는 것을 최소화 할 수 있다.Also, according to the embodiment, a recess corresponding to the height and width of the second gate electrode 36 may be provided in the substrate 55 or the bonding layer 50. A part of the sixth protective film 26 may be provided in the recess region by being disposed on at least a part of the upper side and the side surface to correspond to the sectional shape of the second gate electrode 36. The black matrix 46 may be disposed in a shape corresponding to a lower shape of the sixth protective film 26, and at least a part of the black matrix 46 may be disposed in the recess region. At least a portion of the second gate electrode 36 may also be disposed in the recess region. With this structure, it is possible to minimize an increase in the thickness of the thin film transistor substrate due to the provision of the second gate electrode 36.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 컬러필터 기판과 합착되어 액정표시 패널을 제공할 수 있다. 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판 사이에는 액정층이 제공될 수 있다. 컬러필터 기판에는 공통전극이 제공될 수 있으며, 공통전극과 박막 트랜지스터 기판에 제공된 화소전극 간에 인가되는 전압 차에 의하여 그 사이에 배치된 액정층의 배열이 조절되고 해당 화소의 광 투과량을 제어할 수 있게 된다. 이와 같은 구조를 갖는 액정표시 패널은 수직 전계형 액정표시 패널로 지칭될 수도 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment can be bonded to the color filter substrate to provide a liquid crystal display panel. A liquid crystal layer may be provided between the thin film transistor substrate and the color filter substrate. The color filter substrate may be provided with a common electrode, and the arrangement of the liquid crystal layers disposed therebetween may be adjusted by the voltage difference applied between the common electrode and the pixel electrode provided on the TFT substrate, and the light transmission amount of the pixel may be controlled . A liquid crystal display panel having such a structure may be referred to as a vertical electric field type liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 27은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 27에 도시된 박막 트랜지스터 기판은 이중 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터가 적용된 실시 예로서, 도 1 내지 도 26을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 27 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. The thin film transistor substrate shown in FIG. 27 is an embodiment to which a thin film transistor having a double gate structure is applied, and description overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 26 may be omitted.

도 25 및 도 26을 참조하여 설명된 박막 트랜지스터 기판은 수직 전계형 액정표시 패널에 적용될 수 있는 것이다. 박막 트랜지스터 기판에는 화소전극(80)이 배치되고 화소전극(80)과 함께 화소에 전계를 형성하는 공통전극은 별도의 컬러필터 기판에 제공됨으로써 수직 전계형 액정표시 패널을 구현할 수 있는 것이다. 한편, 도 27을 참조하여 설명되는 박막 트랜지스터 기판은 수평 전계형 액정표시 패널에 적용될 수 있는 것이다. The thin film transistor substrate described with reference to FIGS. 25 and 26 can be applied to a vertical electric field type liquid crystal display panel. A pixel electrode 80 is disposed on the thin film transistor substrate and a common electrode for forming an electric field in the pixel along with the pixel electrode 80 is provided on a separate color filter substrate to realize a vertical electric field type liquid crystal display panel. On the other hand, the thin film transistor substrate described with reference to FIG. 27 can be applied to a horizontal electric field type liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 27에 도시된 바와 같이, 화소전극(81), 공통전극(85), 제5 보호막(25)을 포함할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a pixel electrode 81, a common electrode 85, and a fifth protective film 25 as shown in FIG.

상기 공통전극(85)은 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 제5 보호막(25)은 상기 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 제5 보호막(25)은 상기 공통전극(85)과 상기 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 상기 제4 보호막(24)과 상기 제5 보호막(25) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제5 보호막(25)은 상기 제4 보호막(24)을 통하여 노출된 드레인 전극(72) 위에도 제공될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 상기 제5 보호막(25) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역은 상기 제5 보호막(25)에 제공된 제4 컨택홀(H4)을 통하여 상기 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역은 상기 제4 컨택홀(H4)을 통하여 상기 드레인 전극(72)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 상기 제4 보호막(24)과 상기 제5 보호막(25)을 관통하여 상기 드레인 전극(72)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역과 상기 공통전극(85)의 일부 영역이 수직 방향으로 서로 중첩되어 배치될 수 있다.The common electrode 85 may be disposed on the fourth protective film 24. The fifth protective film 25 may be disposed on the fourth protective film 24. The fifth protective film 25 may be disposed on the common electrode 85 and the fourth protective film 24. The common electrode 85 may be disposed between the fourth protective film 24 and the fifth protective film 25. The fifth protective layer 25 may be provided on the drain electrode 72 exposed through the fourth protective layer 24. The pixel electrode 81 may be disposed on the fifth protective layer 25. A portion of the pixel electrode 81 may be electrically connected to the drain electrode 72 through the fourth contact hole H4 provided in the fifth protective layer 25. [ A portion of the pixel electrode 81 may be disposed in contact with the upper surface of the drain electrode 72 through the fourth contact hole H4. The pixel electrode 81 may be disposed in contact with the upper surface of the drain electrode 72 through the fourth protective layer 24 and the fifth protective layer 25. A part of the pixel electrode 81 and a part of the common electrode 85 may be overlapped with each other in the vertical direction.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 게이트 배선(41)과 데이터 배선(73)이 교차되는 영역에 배치된 복수의 박막 트랜지스터(130)를 포함할 수 있다. 상기 게이트 배선(41)과 상기 데이터 배선(73)에 의하여 정의되는 영역에 상기 화소전극(81)이 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 핑거 형상으로 연장된 부분을 포함할 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역은 상기 게이트 배선(41)과 중첩되어 배치될 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a plurality of thin film transistors 130 arranged in regions where the gate wiring 41 and the data wiring 73 intersect each other. The pixel electrode 81 may be disposed in a region defined by the gate line 41 and the data line 73. The pixel electrode 81 may include a finger extended portion. A portion of the pixel electrode 81 may overlap with the gate line 41.

상기 공통전극(85)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The common electrode 85 may be formed of a transparent conductive material. The common electrode 85 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide film. The common electrode 85 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 화소전극(81)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The pixel electrode 81 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 81 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 81 may be formed of one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (IZTO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 제5 보호막(25)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The fifth protective film 25 may include a single layer or multiple layers including at least one material, for example, a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , or an organic insulating material .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 컬러필터 기판과 합착되어 액정표시 패널을 제공할 수 있다. 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판 사이에는 액정층이 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 공통전극(85)과 상기 화소전극(81) 간에 인가되는 전압 차에 의하여 액정층의 배열이 조절되고 해당 화소의 광 투과량을 제어할 수 있게 된다. 이와 같은 구조를 갖는 액정표시 패널은 수평 전계형 액정표시 패널, 횡 전계형 액정표시 패널, 또는 IPS(In Plane Switching) 액정표시 패널로 지칭될 수 있다. 액정표시 패널은 자체에 광원이 없으므로 액정표시 패널에 빛을 공급하는 라이트 유닛이 제공됨으로써 표시장치를 구현할 수 있게 된다.The thin film transistor substrate according to the embodiment can be bonded to the color filter substrate to provide a liquid crystal display panel. A liquid crystal layer may be provided between the thin film transistor substrate and the color filter substrate. In the thin film transistor substrate according to the embodiment, the arrangement of the liquid crystal layer is adjusted by the voltage difference applied between the common electrode 85 and the pixel electrode 81, and the light transmission amount of the pixel can be controlled. The liquid crystal display panel having such a structure may be referred to as a horizontal electric field type liquid crystal display panel, a transverse electric field type liquid crystal display panel, or an IPS (In Plane Switching) liquid crystal display panel. Since the liquid crystal display panel itself has no light source, the display unit can be implemented by providing the light unit that supplies light to the liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 28은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 28에 도시된 박막 트랜지스터 기판은 이중 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터가 적용된 실시 예로서, 도 1 내지 도 27을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.28 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. The thin film transistor substrate shown in FIG. 28 is an embodiment to which a thin film transistor having a double gate structure is applied, and a description of parts overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 27 may be omitted.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 화소전극(82), 공통전극(85), 금속층(90), 터치패널 하부전극(91), 터치패널 상부전극(92)을 포함할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a pixel electrode 82, a common electrode 85, a metal layer 90, a touch panel lower electrode 91, and a touch panel upper electrode 92.

상기 공통전극(85)은 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 제5 보호막(25) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 화소전극(82)과 상기 드레인 전극(72) 사이에는 금속층(90)이 제공될 수 있다. 상기 금속층(90)은 상기 제4 보호막(24)을 통하여 노출된 상기 드레인 전극(72)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 화소전극(82)의 일부 영역은 상기 제5 보호막(25)에 제공된 제5 컨택홀(H5)을 통하여 상기 금속층(90)을 통하여 상기 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. The common electrode 85 may be disposed on the fourth protective film 24. The pixel electrode 82 may be disposed on the fifth protective layer 25. The pixel electrode 82 may be electrically connected to the drain electrode 72. A metal layer 90 may be provided between the pixel electrode 82 and the drain electrode 72. The metal layer 90 may be disposed in contact with the drain electrode 72 exposed through the fourth protective layer 24. A portion of the pixel electrode 82 may be electrically connected to the drain electrode 72 through the metal layer 90 through the fifth contact hole H5 provided in the fifth protective layer 25. [

실시 예에 의하면, 상기 제5 보호막(25) 위에 터치패널 상부전극(92)이 제공될 수 있으며, 상기 터치패널 상부전극(92) 아래에 상기 터치패널 하부전극(91)이 배치될 수 있다. 상기 터치패널 하부전극(91)은 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있으며, 상기 공통전극(85)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 터치패널 하부전극(91)은 상기 공통전극(85)과 상기 제5 보호막(25) 사이에 배치될 수 있다. 상기 터치패널 상부전극(92)은 상기 터치패널 하부전극(91)과 수직 방향으로 서로 중첩되어 배치될 수 있다.The touch panel upper electrode 92 may be provided on the fifth protective layer 25 and the touch panel lower electrode 91 may be disposed below the touch panel upper electrode 92. [ The touch panel lower electrode 91 may be disposed on the fourth protective layer 24 and may be electrically connected to the common electrode 85. The touch panel lower electrode 91 may be disposed between the common electrode 85 and the fifth protective film 25. The touch panel upper electrode 92 may be disposed to overlap with the touch panel lower electrode 91 in the vertical direction.

상기 터치패널 상부전극(92)과 상기 터치패널 하부전극(91)은 표시패널 내에 제공된 인셀 터치패널을 구성할 수 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 인셀 터치패널을 이용하여 외부로부터의 표시패널 접촉 여부를 검출할 수 있게 된다. The touch panel upper electrode 92 and the touch panel lower electrode 91 may constitute an inshell touch panel provided in the display panel. Accordingly, the thin film transistor substrate according to the embodiment can detect whether or not the display panel is contacted from the outside by using the incelel touch panel.

상기 공통전극(85)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The common electrode 85 may be formed of a transparent conductive material. The common electrode 85 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide film. The common electrode 85 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 화소전극(82)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The pixel electrode 82 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 82 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 82 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 터치패널 하부전극(91), 상기 터치패널 상부전극(92)는 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The touch panel lower electrode 91 and the touch panel upper electrode 92 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 82 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 82 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

실시 예에 따른 인셀 터치패널 일체형 박막 트랜지스터 기판은 컬러필터 기판과 합착되어 액정표시 패널을 제공할 수 있다. 인셀 터치패널 일체형 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판 사이에는 액정층이 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 인셀 터치패널 일체형 박막 트랜지스터 기판은 상기 공통전극(85)과 상기 화소전극(82) 간에 인가되는 전압 차에 의하여 액정층의 배열이 조절되고 해당 화소의 광 투과량을 제어할 수 있게 된다. 이와 같은 구조를 갖는 인셀 터치패널 일체형 액정표시 패널은 수평 전계형 액정표시 패널, 횡 전계형 액정표시 패널, 또는 IPS(In Plane Switching) 액정표시 패널로 지칭될 수 있다. 인셀 터치패널 일체형 액정표시 패널은 자체에 광원이 없으므로 인셀 터치패널 일체형 액정표시 패널에 빛을 공급하는 라이트 유닛이 제공됨으로써 표시장치를 구현할 수 있게 된다.The Insel touch panel monolithic thin film transistor substrate according to the embodiment may be bonded to a color filter substrate to provide a liquid crystal display panel. A liquid crystal layer may be provided between the in-cell touch panel integrated thin film transistor substrate and the color filter substrate. In the in-cell touch panel integrated thin film transistor substrate according to the embodiment, the arrangement of the liquid crystal layer is adjusted by the voltage difference applied between the common electrode 85 and the pixel electrode 82, and the light transmission amount of the corresponding pixel can be controlled . The Insel touch panel integrated type liquid crystal display panel having such a structure may be referred to as a horizontal electric field type liquid crystal display panel, a transverse electric field type liquid crystal display panel, or an IPS (In Plane Switching) liquid crystal display panel. Since the in-line touch panel integrated type liquid crystal display panel has no light source itself, the display unit can be implemented by providing the light unit that supplies light to the in-line touch panel integrated liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 29 내지 도 31은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 29 내지 도 31을 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 28을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 도 29 내지 도 31에 도시된 실시 예는 각각 도 19, 도 20, 도 20 대비하여 본딩층 구조에 차이가 있다.29 to 31 are views showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 29 to 31, the description of the thin film transistor substrate according to the embodiment may be omitted. The embodiments shown in Figs. 29 to 31 are different in bonding layer structures from those of Figs. 19, 20 and 20, respectively.

도 29 내지 도 31에 도시된 바와 같이, 상기 기판(55) 위에 본딩층(53)이 제공될 수 있다. 상기 본딩층(53)은 상기 기판(55)과 상기 블랙 매트릭스(46) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(53)의 폭은 상기 블랙 매트릭스(46)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(53)의 폭은 상기 채널층(60)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. As shown in FIGS. 29 to 31, a bonding layer 53 may be provided on the substrate 55. The bonding layer 53 may be disposed between the substrate 55 and the black matrix 46. For example, the width of the bonding layer 53 may be equal to the width of the black matrix 46. For example, the width of the bonding layer 53 may be equal to the width of the channel layer 60.

실시 예에 의하면, 상기 기판(55) 위에 상기 제2 보호막(22)이 배치될 수 있다. 상기 제2 보호막(22)의 하부면이 상기 기판(55)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 본딩층(53)이 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(22)이 상기 기판(55)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. According to the embodiment, the second protective film 22 may be disposed on the substrate 55. The lower surface of the second protective film 22 may be disposed in contact with the upper surface of the substrate 55. In the region where the bonding layer 53 is not provided, the second protective film 22 may be disposed in direct contact with the substrate 55.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 게이트 전극(36)의 높이와 폭에 대응되는 리세스(recess)가 상기 본딩층(53)에 제공될 수 있다. 상기 제6 보호막(26)의 일부는 상기 제2 게이트 전극(36)의 단면 형상에 대응되도록 상부 및 측면의 적어도 일부에 배치되어 상기 리세스(recess) 영역에 제공될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(46)는 상기 제6 보호막(26)의 하부 형상과 대응되는 형상으로 배치되고 적어도 일부는 상기 리세스(recess) 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(36)의 적어도 일부도 상기 리세스(recess) 영역에 배치될 수 있다. 이러한 구조로 상기 제2 게이트 전극(36) 제공에 따른 박막 트랜지스터 기판의 두께가 증가되는 것을 최소화 할 수 있다.Also, according to the embodiment, a recess corresponding to the height and width of the second gate electrode 36 may be provided in the bonding layer 53. A part of the sixth protective film 26 may be provided in the recess region by being disposed on at least a part of the upper side and the side surface to correspond to the sectional shape of the second gate electrode 36. The black matrix 46 may be disposed in a shape corresponding to a lower shape of the sixth protective film 26, and at least a part of the black matrix 46 may be disposed in the recess region. At least a portion of the second gate electrode 36 may also be disposed in the recess region. With this structure, it is possible to minimize an increase in the thickness of the thin film transistor substrate due to the provision of the second gate electrode 36.

이와 같이, 도 29 내지 도 31에 도시된 실시 예에 의하면, 도 19, 도 20, 도 21에 도시된 실시 예에 비하여, 상기 제2 보호막(22)과 상기 기판(55)이 직접 접촉되어 배치될 수 있게 되므로, 상기 제2 보호막(22)과 상기 기판(55) 사이에 제공되는 층(예로서, 도 19, 도 20, 도 21에 도시된 본딩층)을 배제시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 빛이 진행되는 광 경로 상에 이종 물질층 간의 경계면이 줄어 들게 되므로 경계면에서의 반사/굴절 등에 의한 광손실을 줄일 수 있게 된다.29 to 31, the second protective film 22 and the substrate 55 are in direct contact with each other, as compared with the embodiment shown in Figs. 19, 20 and 21, It becomes possible to eliminate the layer provided between the second protective film 22 and the substrate 55 (for example, the bonding layer shown in FIGS. 19, 20, and 21). Thus, according to the embodiment, since the interface between the different material layers is reduced on the light path, the light loss due to reflection / refraction at the interface can be reduced.

실시 예에 따른 상기 본딩층(53)은 예로서 반사층, 메탈본딩층, 절연층을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 상기 기판(55) 위에 배치될 수 있으며, 상기 메탈본딩층은 상기 반사층 위에 배치되고, 상기 절연층은 상기 메탈본딩층 위에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(53)은 상기 메탈본딩층을 포함할 수 있으며, 상기 반사층과 상기 절연층은 선택적으로 포함할 수도 있다.The bonding layer 53 according to the embodiment may include, for example, a reflective layer, a metal bonding layer, and an insulating layer. The reflective layer may be disposed on the substrate 55, the metal bonding layer may be disposed on the reflective layer, and the insulating layer may be disposed on the metal bonding layer. For example, the bonding layer 53 may include the metal bonding layer, and the reflective layer and the insulating layer may be selectively included.

상기 절연층은 상기 채널층(60)의 누설 특성을 보완해 줄 수 있다. 예로서, 상기 절연층은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The insulating layer can compensate leakage characteristics of the channel layer 60. By way of example, the insulating layer may comprise a single layer or multiple layers comprising at least one material, for example, a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide comprising Al 2 O 3 , or an organic insulating material.

상기 메탈본딩층은 아래에 배치된 상기 기판(55)과의 접착을 위하여 제공될 수 있다. 예로서, 상기 메탈본딩층은 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 니켈(Ni), 은(Ag), 구리(Cu)를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다.The metal bonding layer may be provided for adhesion with the substrate 55 disposed below. For example, the metal bonding layer may include at least one material selected from the group consisting of gold (Au), tin (Sn), indium (In), nickel (Ni), silver (Ag) . ≪ / RTI >

상기 반사층은 상기 본딩층에서의 광 흡수를 줄여줄 수 있다. 예로서, 상기 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 로듐(Rh)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 예로서 반사특성이 60%를 넘는 물질로 제공될 수 있다.The reflective layer may reduce light absorption in the bonding layer. For example, the reflective layer may include at least one material or alloy selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), and rhodium (Rh). The reflective layer may be provided as a material having a reflection characteristic of more than 60%, for example.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 32는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 32에 도시된 박막 트랜지스터 기판은 채널층의 리세스된 영역에 게이트가 배치된 구조를 갖는 박막 트랜지스터가 적용된 실시 예로서 도 1 내지 도 31을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.32 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. The thin film transistor substrate shown in FIG. 32 is an embodiment in which a thin film transistor having a structure in which gates are disposed in a recessed region of a channel layer is applied, and description overlapping with those described in FIGS. 1 to 31 will be described Can be omitted.

본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 32에 도시된 바와 같이, 기판(55)과 상기 기판(55) 위에 배치된 박막 트랜지스터(230), 상기 박막 트랜지스터(230)에 전기적으로 연결된 화소전극(80)을 포함할 수 있다.32, a thin film transistor substrate according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 55, a thin film transistor 230 disposed on the substrate 55, a pixel electrode electrically connected to the thin film transistor 230, Electrode 80 as shown in FIG.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터(230)는 게이트 전극(233), 채널층(260), 소스 전극(71), 드레인 전극(72)을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 채널층(260)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 채널층(260)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 채널층(260)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 채널층(260)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 게이트 전극(233)은 상기 채널층(260) 위에 배치될 수 있다. The thin film transistor 230 according to the embodiment may include a gate electrode 233, a channel layer 260, a source electrode 71, and a drain electrode 72. The source electrode 71 may be electrically connected to a first region of the channel layer 260. The source electrode 71 may be electrically connected to the upper surface of the channel layer 260. The drain electrode 72 may be electrically connected to a second region of the channel layer 260. The drain electrode 72 may be electrically connected to the upper surface of the channel layer 260. The gate electrode 233 may be disposed on the channel layer 260.

상기 채널층(260)은 상부 면에 하부 방향으로 함몰된 리세스 영역을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(233)은 상기 채널층(60)의 리세스된 영역에 배치될 수 있다.The channel layer 260 may include a recessed region recessed downward in the top surface. The gate electrode 233 may be disposed in the recessed region of the channel layer 60.

상기 채널층(260)은 예로서 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 채널층(260)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 채널층(260)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The channel layer 260 may be formed of, for example, a Group III-V compound semiconductor. For example, the channel layer 260 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . The channel layer 260 may include a single layer or multiple layers selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP,

상기 채널층(260)은 제1 질화물 반도체층(261)과 제2 질화물 반도체층(262)을 포함할 수 있다. 상기 제1 질화물 반도체층(261)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(262)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(262)의 상부 면에 하부 방향으로 함몰된 리세스 영역에 제공될 수 있다. 상기 게이트 전극(233)은 상기 제2 질화물 반도체층(262)의 리세스 영역에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(233)의 상부 면이 상기 제2 질화물 반도체층(262)의 최 상부 면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(233)과 상기 제2 질화물 반도체층(262)은 샤키 접촉(Schottky contact)될 수 있다.The channel layer 260 may include a first nitride semiconductor layer 261 and a second nitride semiconductor layer 262. The first nitride semiconductor layer 261 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? . ≪ / RTI > The second nitride semiconductor layer 262 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? . ≪ / RTI > And may be provided in a recessed region recessed downward on the upper surface of the second nitride semiconductor layer 262. The gate electrode 233 may be disposed in a recessed region of the second nitride semiconductor layer 262. The upper surface of the gate electrode 233 may be disposed higher than the uppermost surface of the second nitride semiconductor layer 262. The gate electrode 233 and the second nitride semiconductor layer 262 may be Schottky contact.

실시 예에 따른 상기 채널층(260)에 의하면, 상기 제1 질화물 반도체층(261)이 GaN 반도체층을 포함하고, 상기 제2 질화물 반도체층(262)이 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. According to the embodiment, the first nitride semiconductor layer 261 may include a GaN semiconductor layer, and the second nitride semiconductor layer 262 may include an AlGaN semiconductor layer.

상기 기판(55)은 투명기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(55)은 예로서 0.1 mm 내지 3 mm의 두께를 갖는 투명기판으로 구현될 수 있다. 또한, 상기 기판(55)의 두께는 적용되는 표시장치의 용도 및 크기에 따라 변경될 수 있는 것으로서 0.4~1.1mm의 두께 범위 내에서 선택될 수도 있다. 예로서, 상기 기판(55)은 0.6~0.8mm의 두께로 제공될 수도 있다. 상기 기판(55)은 실리콘, 유리, 폴리이미드, 플라스틱을 포함하는 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 기판(55)은 플렉시블 기판을 포함할 수 있다.The substrate 55 may include a transparent substrate. The substrate 55 may be embodied as a transparent substrate having a thickness of, for example, 0.1 mm to 3 mm. In addition, the thickness of the substrate 55 may vary depending on the application and size of the display device to be applied, and may be selected within a thickness range of 0.4 to 1.1 mm. As an example, the substrate 55 may be provided in a thickness of 0.6 to 0.8 mm. The substrate 55 may include at least one material selected from materials including silicon, glass, polyimide, and plastic. The substrate 55 may include a flexible substrate.

상기 기판(55)은 트랜스퍼(transfer) 공정에서 적용되는 기판으로서 상기 박막 트랜지스터(230)를 지지하는 역할을 수행한다. 또한, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 기판(55)과 상기 박막 트랜지스터(230) 사이에 제공된 본딩층(50)을 포함할 수 있다. The substrate 55 is a substrate to be used in a transfer process and supports the thin film transistor 230. In addition, the thin film transistor substrate according to the embodiment may include a bonding layer 50 provided between the substrate 55 and the thin film transistor 230.

상기 본딩층(50)은 유기물을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 투명물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 예로서 투과도가 70% 이상인 물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 아크릴, 벤조시클로부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(50)은 예로서 0.5~6㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 본딩층(50)의 두께는 선택된 물질 종류에 따라 차이가 있을 수 있으며 1~3㎛의 두께로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 본딩층(50)은 예로서 1.8~2.2㎛의 두께로 제공될 수도 있다.The bonding layer 50 may include an organic material. The bonding layer 50 may be formed of a transparent material. The bonding layer 50 may be formed of a material having a transmittance of 70% or more, for example. The bonding layer 50 may include an organic insulating material. The bonding layer 50 may include at least one material selected from the group consisting of acryl, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like. The bonding layer 50 may be provided in a thickness of 0.5 to 6 mu m, for example. The thickness of the bonding layer 50 may vary depending on the selected type of material and may be provided in a thickness of 1 to 3 탆. In addition, the bonding layer 50 may be provided in a thickness of, for example, 1.8 to 2.2 탆.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터(230)는 상기 채널층(260)의 제1 영역 위에 배치된 소스 컨택부(31)와 상기 채널층(260)의 제2 영역 위에 배치된 드레인 컨택부(32)를 포함할 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)는 상기 채널층(260)의 제1 영역에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 채널층(260)의 제2 영역에 접촉되어 배치될 수 있다.The thin film transistor 230 according to the embodiment includes a source contact portion 31 disposed on a first region of the channel layer 260 and a drain contact portion 32 disposed on a second region of the channel layer 260 . The source contact portion 31 may be disposed in contact with the first region of the channel layer 260. The drain contact portion 32 may be disposed in contact with the second region of the channel layer 260.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터(230)는 상기 게이트 전극(233) 위에 배치된 게이트 배선(41)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 상기 게이트 전극(233)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)의 하부 면이 상기 게이트 전극(233)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The thin film transistor 230 according to the embodiment may include a gate wiring 41 disposed on the gate electrode 233. [ The gate wiring 41 may be electrically connected to the gate electrode 233. The lower surface of the gate wiring 41 may be disposed in contact with the upper surface of the gate electrode 233.

상기 소스 전극(71)은 상기 소스 컨택부(31)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 소스 컨택부(31)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 소스 전극(71)은 상기 소스 컨택부(31)를 통하여 상기 채널층(260)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 드레인 컨택부(32)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 드레인 컨택부(32)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 드레인 전극(72)은 상기 드레인 컨택부(32)를 통하여 상기 채널층(260)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다.The source electrode 71 may be electrically connected to the source contact portion 31. The source electrode 71 may be disposed in contact with the upper surface of the source contact portion 31. For example, the source electrode 71 may be electrically connected to the first region of the channel layer 260 through the source contact portion 31. The drain electrode 72 may be electrically connected to the drain contact portion 32. The drain electrode 72 may be disposed in contact with the upper surface of the drain contact portion 32. For example, the drain electrode 72 may be electrically connected to the second region of the channel layer 260 through the drain contact portion 32.

상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 채널층(260)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제2 질화물 반도체층(262)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 예로서 0.1~1㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)와 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 채널층(260)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the channel layer 260. The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may include a material that makes an ohmic contact with the second nitride semiconductor layer 262. For example, the source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be formed of a metal such as aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), copper alloy Mo, Ag, Ag alloy, Au, Au alloy, Cr, Ti, Ti alloy, molybdenum tungsten, And may include a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of moly titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi). The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be provided in a thickness of 0.1 to 1 mu m, for example. The source contact portion 31 and the drain contact portion 32 may be provided with a thickness of 1 μm or less since the current contact portion 31 does not need to perform a current diffusion function as a layer for contact with the channel layer 260.

상기 게이트 전극(233)은 상기 채널층(260)과 샤키 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 게이트 전극(233)은 상기 제2 질화물 반도체층(262)과 샤키 접촉되는 물질로 구현될 수 있다. 상기 게이트 전극(233)은 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 팔라듐(Pd)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 샤키 접촉은 상기 채널층(260)에 대한 플라즈마 처리(palsma treatment)에 의하여 구현될 수 있다. 상기 플라즈마 처리는 예로서 불소(F) 이온 처리가 적용될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터(230)는 상기 샤키 접촉에 의하여 문턱 전압이 제공될 수 있으며 노멀리 오프(normally off) 특성을 가질 수 있다. 상기 게이트 전극(233)에 문턱 전압 이상의 전압을 인가하면 상기 게이트 전극(233)의 하부에 형성된 채널이 온 상태가 되어 상기 채널층(260)에 전류가 흐를 수 있게 된다.The gate electrode 233 may be formed of a material that makes shark-contacting with the channel layer 260. The gate electrode 233 may be formed of a material which is in contact with the second nitride semiconductor layer 262 in a shark-like manner. The gate electrode 233 may comprise a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of nickel (Ni), platinum (Pt), gold (Au), palladium . By way of example, the sharkey contact may be implemented by a plasma treatment for the channel layer 260. As the plasma treatment, for example, fluorine (F) ion treatment may be applied. Accordingly, the thin film transistor 230 according to the embodiment can be provided with a threshold voltage by the sharkey contact and can have a normally off characteristic. When a voltage equal to or higher than the threshold voltage is applied to the gate electrode 233, a channel formed under the gate electrode 233 is turned on and a current can flow through the channel layer 260.

한편, 실시 예에 따른 상기 채널층(260)에 의하면, 상기 제1 질화물 반도체층(261)이 GaN 반도체층을 포함하고, 상기 제2 질화물 반도체층(262)이 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(262)의 두께가 두꺼울수록 2차원 전자가스(2DEG)가 잘 형성되기 때문에 노멀리 오프(normally off) 특성을 만들기가 어렵다. 또한, 상기 제2 질화물 반도체층(262)의 두께가 너무 얇게 제공되면 게이트 리키지(gate leakage)가 심해질 수 있는 문제점이 있다. 이에 따라, 상기 리세스 영역 아래에 배치된 상기 제2 질화물 반도체층(262)의 두께는 2~10nm 두께로 제공되는 것이 바람직할 수 있다. 그리고, 게이트 리키지(gate leakage)를 줄이기 위한 방안으로서, 상기 게이트 전극(233)과 상기 제2 질화물 반도체층(262) 사이에 절연물이 배치되도록 하여 일종의 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 구조로 제공될 수도 있다. 예로서, 상기 리세스가 형성되지 않은 영역의 상기 제2 질화물 반도체층(262)의 두께는 15~25nm로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스의 폭은 예로서 1.5~2.5㎛로 제공될 수 있다.Meanwhile, in the channel layer 260 according to the embodiment, the first nitride semiconductor layer 261 may include a GaN semiconductor layer, and the second nitride semiconductor layer 262 may include an AlGaN semiconductor layer . As the thickness of the second nitride semiconductor layer 262 is thicker, the two-dimensional electron gas (2DEG) is well formed, and it is difficult to make the normally off characteristic. Also, if the thickness of the second nitride semiconductor layer 262 is too small, gate leakage may increase. Accordingly, it is preferable that the thickness of the second nitride semiconductor layer 262 disposed under the recess region is 2 to 10 nm thick. As a method for reducing gate leakage, an insulating material is disposed between the gate electrode 233 and the second nitride semiconductor layer 262 to provide a MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) structure . For example, the thickness of the second nitride semiconductor layer 262 in the region where the recess is not formed may be 15 to 25 nm. Further, the width of the recesses may be provided as 1.5 to 2.5 占 퐉, for example.

상기 게이트 배선(41)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 게이트 전극(33)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The gate wiring 41 may be formed of a metal such as aluminum (Al), an aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), a copper alloy, molybdenum (Mo), silver (Ag) (Au), Au alloy, chromium (Cr), titanium (Ti), titanium alloy, molybdenum tungsten (MoW), molybdenum titanium (MoTi), copper / molybdenum titanium / MoTi). ≪ / RTI > < RTI ID = 0.0 > The gate wiring 41 may be provided in a thickness of 0.1 to 3 占 퐉, for example. Since the gate wiring 41 performs a function of sequentially applying a voltage to a plurality of transistors, the gate wiring 41 may be provided thicker than the gate electrode 33.

상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 소스 컨택부(31)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다. 상기 드레인 전극(72)도 상기 드레인 컨택부(32)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The source electrode 71 and the drain electrode 72 may be formed of one selected from the group consisting of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Ag), Ag alloy, Au, Au alloy, Cr, Ti, Ti alloy, molybdenum tungsten (MoW), molybdenum titanium (MoTi) , Copper / moly titanium (Cu / MoTi), and the like. The source electrode 71 and the drain electrode 72 may be provided with a thickness of 0.1 to 3 m, for example. Since the source electrode 71 functions to sequentially apply a voltage to the plurality of transistors, the source electrode 71 may be thicker than the source contact portion 31. The drain electrode 72 may also be thicker than the drain contact portion 32.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 채널층(260) 위에 배치된 제1 보호막(21)을 포함할 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 상기 제2 질화물 반도체층(262) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)의 하부 면은 상기 제2 질화물 반도체층(262)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a first protective film 21 disposed on the channel layer 260. The first passivation layer 21 may be disposed on the second nitride semiconductor layer 262. The lower surface of the first protective film 21 may be disposed in contact with the upper surface of the second nitride semiconductor layer 262.

실시 예에 의하면, 상기 소스 컨택부(31)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)는 상기 제1 보호막(21)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 소스 컨택부(31)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치되고 상기 채널층(260)의 제1 영역에 접촉되어 제공될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제1 보호막(21)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 드레인 컨택부(32)는 상기 제1 보호막(21)을 관통하여 배치되고 상기 채널층(260)의 제2 영역에 접촉되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, the source contact portion 31 may be disposed through the first protective film 21. The source contact portion 31 may be surrounded by the first protective film 21. The source contact portion 31 may be disposed through the first protective layer 21 and may be provided in contact with the first region of the channel layer 260. The drain contact portion 32 may be disposed to penetrate the first protective film 21. The drain contact portion 32 may be surrounded by the first protective film 21. The drain contact portion 32 may be provided through the first protective film 21 and in contact with the second region of the channel layer 260.

상기 제1 보호막(21)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 보호막(21)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The first passivation layer 21 may be formed of an insulating material. The first passivation layer 21 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 의하면, 상기 기판(55)과 상기 제1 보호막(21) 위에 제2 보호막(22)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(233)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22) 중에서 적어도 하나를 관통하여 배치될 수 있다. 예로서, 상기 게이트 전극(233)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(233)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22) 중에서 적어도 하나를 관통하여 상기 채널층(260)에 접촉되어 배치될 수 있다, 예로서, 상기 게이트 전극(233)은 상기 제1 보호막(21)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하여 상기 채널층(260)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 상기 제2 보호막(22) 위에 배치되어 상기 게이트 전극(233)과 전기적으로 연결될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 22 may be disposed on the substrate 55 and the first protective film 21. The gate electrode 233 may be disposed to penetrate at least one of the first protective film 21 and the second protective film 22. For example, the gate electrode 233 may be disposed to pass through the first protective film 21 and the second protective film 22. The gate electrode 233 may be disposed in contact with the channel layer 260 through at least one of the first protective film 21 and the second protective film 22. For example, the gate electrode 233 May be disposed in contact with the channel layer 260 through the first protective layer 21 and the second protective layer 22. The gate line 41 may be disposed on the second passivation layer 22 and may be electrically connected to the gate electrode 233.

상기 제2 보호막(22)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 보호막(22)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The second protective layer 22 may be formed of an insulating material. The second passivation layer 22 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , or an organic insulating material .

실시 예에 의하면, 상기 제2 보호막(22) 위에 제3 보호막(23)이 배치될 수 있다. 상기 제3 보호막(23)은 상기 제2 보호막(22)과 상기 게이트 배선(41) 위에 배치될 수 있다. 상기 게이트 배선(41)은 상기 게이트 전극(233) 위에 접촉되어 배치되고 상기 제3 보호막(23)에 의하여 둘러 싸여 제공될 수 있다.According to the embodiment, the third protective film 23 may be disposed on the second protective film 22. The third protective film 23 may be disposed on the second protective film 22 and the gate wiring 41. The gate line 41 may be disposed in contact with the gate electrode 233 and surrounded by the third protective film 23.

상기 소스 전극(71)은 상기 제2 보호막(22)과 상기 제3 보호막(23)을 관통하여 상기 소스 컨택부(31)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 제3 보호막(23) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(71)은 상기 제3 보호막(23)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 제2 보호막(22)과 상기 제3 보호막(23)을 관통하여 상기 드레인 컨택부(32)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 제3 보호막(23) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(72)은 상기 제3 보호막(23)과 상기 제2 보호막(22)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다.The source electrode 71 may be electrically connected to the source contact part 31 through the second protective film 22 and the third protective film 23. The source electrode 71 may include a first region disposed on the third protective layer 23. The source electrode 71 may include a second region penetrating the third protective film 23 and the second protective film 22. The drain electrode 72 may be electrically connected to the drain contact part 32 through the second protective film 22 and the third protective film 23. The drain electrode 72 may include a first region disposed on the third passivation layer 23. The drain electrode 72 may include a second region penetrating the third protective layer 23 and the second protective layer 22.

상기 제3 보호막(23)은 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제3 보호막(23)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The third protective film 23 may include an insulating material. The third protective film 23 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide including Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제3 보호막(23) 위에 배치된 제4 보호막(24)을 포함할 수 있다. 상기 제4 보호막(24)은 상기 소스 전극(71)과 상기 드레인 전극(72) 위에 배치될 수 있다. 상기 제4 보호막(24)은 상기 드레인 전극(72) 위에 제공된 컨택홀(H3)을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a fourth protective film 24 disposed on the third protective film 23. The fourth protective layer 24 may be disposed on the source electrode 71 and the drain electrode 72. The fourth protective layer 24 may include a contact hole H3 provided on the drain electrode 72. [

상기 제4 보호막(24)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The fourth passivation layer 24 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , .

실시 예에 의하면, 상기 화소전극(80)은 상기 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 상기 제4 보호막(24)에 제공된 컨택홀(H3)을 통하여 상기 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 화소전극(80)의 하부 면은 상기 드레인 전극(72)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the pixel electrode 80 may be disposed on the fourth protective layer 24. The pixel electrode 80 may be electrically connected to the drain electrode 72 through the contact hole H3 provided in the fourth protective layer 24. [ The lower surface of the pixel electrode 80 may be disposed in contact with the upper surface of the drain electrode 72.

상기 화소전극(80)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(80)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The pixel electrode 80 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 80 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 80 may be formed of one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (IZTO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 상기 기판(55)과 상기 채널층(260) 사이에 배치된 블랙 매트릭스(40)를 포함할 수 있다. 상기 채널층(260)의 폭과 상기 블랙 매트릭스(40)의 폭이 같게 제공될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(40)는 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(40)는 상기 박막 트랜지스터(230)로 입사되는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 박막 트랜지스터(230)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include a black matrix 40 disposed between the substrate 55 and the channel layer 260. The width of the channel layer 260 and the width of the black matrix 40 may be the same. The black matrix 40 may be provided as a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials, and organic materials. The black matrix 40 may block light incident on the thin film transistor 230. Accordingly, it is possible to prevent the thin film transistor 230 from being deteriorated by a photo current or the like.

실시 예에 의하면, 상기 기판(55)과 상기 채널층(260) 사이에 상기 본딩층(50)이 배치될 수 있다. 상기 본딩층(50)은 상기 기판(55)과 상기 블랙 매트릭스(40) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(50)은 상기 기판(55)의 전체 영역 위에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the bonding layer 50 may be disposed between the substrate 55 and the channel layer 260. The bonding layer 50 may be disposed between the substrate 55 and the black matrix 40. By way of example, the bonding layer 50 may be disposed over the entire area of the substrate 55.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 컬러필터 기판과 합착되어 액정표시 패널을 제공할 수 있다. 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판 사이에는 액정층이 제공될 수 있다. 컬러필터 기판에는 공통전극이 제공될 수 있으며, 공통전극과 박막 트랜지스터 기판에 제공된 화소전극 간에 인가되는 전압 차에 의하여 그 사이에 배치된 액정층의 배열이 조절되고 해당 화소의 광 투과량을 제어할 수 있게 된다. 이와 같은 구조를 갖는 액정표시 패널은 수직 전계형 액정표시 패널로 지칭될 수도 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment can be bonded to the color filter substrate to provide a liquid crystal display panel. A liquid crystal layer may be provided between the thin film transistor substrate and the color filter substrate. The color filter substrate may be provided with a common electrode, and the arrangement of the liquid crystal layers disposed therebetween may be adjusted by the voltage difference applied between the common electrode and the pixel electrode provided on the TFT substrate, and the light transmission amount of the pixel may be controlled . A liquid crystal display panel having such a structure may be referred to as a vertical electric field type liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다. Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 33은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 33에 도시된 박막 트랜지스터 기판은 채널층의 리세스된 영역에 게이트가 배치된 구조를 갖는 박막 트랜지스터가 적용된 실시 예로서 도 1 내지 도 32를 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.33 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. The thin film transistor substrate shown in FIG. 33 is an embodiment in which a thin film transistor having a structure in which gates are disposed in a recessed region of a channel layer is applied, and description overlapping with those described in FIGS. 1 to 32 will be described Can be omitted.

도 32를 참조하여 설명된 박막 트랜지스터 기판은 수직 전계형 액정표시 패널에 적용될 수 있는 것이다. 한편, 도 33을 참조하여 설명되는 박막 트랜지스터 기판은 수평 전계형 액정표시 패널에 적용될 수 있는 것이다. The thin film transistor substrate described with reference to FIG. 32 can be applied to a vertical electric field type liquid crystal display panel. On the other hand, the thin film transistor substrate described with reference to FIG. 33 can be applied to a horizontal electric field type liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 33에 도시된 바와 같이, 화소전극(81), 공통전극(85), 제5 보호막(25)을 포함할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a pixel electrode 81, a common electrode 85, and a fifth protective film 25 as shown in FIG.

상기 공통전극(85)은 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 제5 보호막(25)은 상기 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 제5 보호막(25)은 상기 공통전극(85)과 상기 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 상기 제4 보호막(24)과 상기 제5 보호막(25) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제5 보호막(25)은 상기 제4 보호막(24)을 통하여 노출된 드레인 전극(72) 위에도 제공될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 상기 제5 보호막(25) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역은 상기 제5 보호막(25)에 제공된 제4 컨택홀(H4)을 통하여 상기 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역은 상기 제4 컨택홀(H4)을 통하여 상기 드레인 전극(72)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 상기 제4 보호막(24)과 상기 제5 보호막(25)을 관통하여 상기 드레인 전극(72)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역과 상기 공통전극(85)의 일부 영역이 수직 방향으로 서로 중첩되어 배치될 수 있다.The common electrode 85 may be disposed on the fourth protective film 24. The fifth protective film 25 may be disposed on the fourth protective film 24. The fifth protective film 25 may be disposed on the common electrode 85 and the fourth protective film 24. The common electrode 85 may be disposed between the fourth protective film 24 and the fifth protective film 25. The fifth protective layer 25 may be provided on the drain electrode 72 exposed through the fourth protective layer 24. The pixel electrode 81 may be disposed on the fifth protective layer 25. A portion of the pixel electrode 81 may be electrically connected to the drain electrode 72 through the fourth contact hole H4 provided in the fifth protective layer 25. [ A portion of the pixel electrode 81 may be disposed in contact with the upper surface of the drain electrode 72 through the fourth contact hole H4. The pixel electrode 81 may be disposed in contact with the upper surface of the drain electrode 72 through the fourth protective layer 24 and the fifth protective layer 25. A part of the pixel electrode 81 and a part of the common electrode 85 may be overlapped with each other in the vertical direction.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 게이트 배선(41)과 데이터 배선(73)이 교차되는 영역에 배치된 복수의 박막 트랜지스터(230)를 포함할 수 있다. 상기 게이트 배선(41)과 상기 데이터 배선(73)에 의하여 정의되는 영역에 상기 화소전극(81)이 배치될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 핑거 형상으로 연장된 부분을 포함할 수 있다. 상기 화소전극(81)의 일부 영역은 상기 게이트 배선(41)과 중첩되어 배치될 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a plurality of thin film transistors 230 arranged in a region where the gate wiring 41 and the data wiring 73 intersect each other. The pixel electrode 81 may be disposed in a region defined by the gate line 41 and the data line 73. The pixel electrode 81 may include a finger extended portion. A portion of the pixel electrode 81 may overlap with the gate line 41.

상기 공통전극(85)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The common electrode 85 may be formed of a transparent conductive material. The common electrode 85 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide film. The common electrode 85 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 화소전극(81)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(81)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The pixel electrode 81 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 81 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 81 may be formed of one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (IZTO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 제5 보호막(25)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The fifth protective film 25 may include a single layer or multiple layers including at least one material, for example, a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , or an organic insulating material .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 컬러필터 기판과 합착되어 액정표시 패널을 제공할 수 있다. 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판 사이에는 액정층이 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 공통전극(85)과 상기 화소전극(81) 간에 인가되는 전압 차에 의하여 액정층의 배열이 조절되고 해당 화소의 광 투과량을 제어할 수 있게 된다. 이와 같은 구조를 갖는 액정표시 패널은 수평 전계형 액정표시 패널, 횡 전계형 액정표시 패널, 또는 IPS(In Plane Switching) 액정표시 패널로 지칭될 수 있다. 액정표시 패널은 자체에 광원이 없으므로 액정표시 패널에 빛을 공급하는 라이트 유닛이 제공됨으로써 표시장치를 구현할 수 있게 된다.The thin film transistor substrate according to the embodiment can be bonded to the color filter substrate to provide a liquid crystal display panel. A liquid crystal layer may be provided between the thin film transistor substrate and the color filter substrate. In the thin film transistor substrate according to the embodiment, the arrangement of the liquid crystal layer is adjusted by the voltage difference applied between the common electrode 85 and the pixel electrode 81, and the light transmission amount of the pixel can be controlled. The liquid crystal display panel having such a structure may be referred to as a horizontal electric field type liquid crystal display panel, a transverse electric field type liquid crystal display panel, or an IPS (In Plane Switching) liquid crystal display panel. Since the liquid crystal display panel itself has no light source, the display unit can be implemented by providing the light unit that supplies light to the liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 34는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 34에 도시된 박막 트랜지스터 기판은 채널층의 리세스된 영역에 게이트가 배치된 구조를 갖는 박막 트랜지스터가 적용된 실시 예로서 도 1 내지 도 33을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.34 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. The thin film transistor substrate shown in FIG. 34 is an embodiment in which a thin film transistor having a structure in which gates are arranged in a recessed region of a channel layer is applied, and description overlapping with those described in FIGS. 1 to 33 will be described Can be omitted.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 화소전극(82), 공통전극(85), 금속층(90), 터치패널 하부전극(91), 터치패널 상부전극(92)을 포함할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a pixel electrode 82, a common electrode 85, a metal layer 90, a touch panel lower electrode 91, and a touch panel upper electrode 92.

상기 공통전극(85)은 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 제5 보호막(25) 위에 배치될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 화소전극(82)과 상기 드레인 전극(72) 사이에는 금속층(90)이 제공될 수 있다. 상기 금속층(90)은 상기 제4 보호막(24)을 통하여 노출된 상기 드레인 전극(72)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 화소전극(82)의 일부 영역은 상기 제5 보호막(25)에 제공된 제5 컨택홀(H5)을 통하여 상기 금속층(90)을 통하여 상기 드레인 전극(72)에 전기적으로 연결될 수 있다. The common electrode 85 may be disposed on the fourth protective film 24. The pixel electrode 82 may be disposed on the fifth protective layer 25. The pixel electrode 82 may be electrically connected to the drain electrode 72. A metal layer 90 may be provided between the pixel electrode 82 and the drain electrode 72. The metal layer 90 may be disposed in contact with the drain electrode 72 exposed through the fourth protective layer 24. A portion of the pixel electrode 82 may be electrically connected to the drain electrode 72 through the metal layer 90 through the fifth contact hole H5 provided in the fifth protective layer 25. [

실시 예에 의하면, 상기 제5 보호막(25) 위에 터치패널 상부전극(92)이 제공될 수 있으며, 상기 터치패널 상부전극(92) 아래에 상기 터치패널 하부전극(91)이 배치될 수 있다. 상기 터치패널 하부전극(91)은 제4 보호막(24) 위에 배치될 수 있으며, 상기 공통전극(85)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 터치패널 하부전극(91)은 상기 공통전극(85)과 상기 제5 보호막(25) 사이에 배치될 수 있다. 상기 터치패널 상부전극(92)은 상기 터치패널 하부전극(91)과 수직 방향으로 서로 중첩되어 배치될 수 있다.The touch panel upper electrode 92 may be provided on the fifth protective layer 25 and the touch panel lower electrode 91 may be disposed below the touch panel upper electrode 92. [ The touch panel lower electrode 91 may be disposed on the fourth protective layer 24 and may be electrically connected to the common electrode 85. The touch panel lower electrode 91 may be disposed between the common electrode 85 and the fifth protective film 25. The touch panel upper electrode 92 may be disposed to overlap with the touch panel lower electrode 91 in the vertical direction.

상기 터치패널 상부전극(92)과 상기 터치패널 하부전극(91)은 표시패널 내에 제공된 인셀 터치패널을 구성할 수 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 인셀 터치패널을 이용하여 외부로부터의 표시패널 접촉 여부를 검출할 수 있게 된다. The touch panel upper electrode 92 and the touch panel lower electrode 91 may constitute an inshell touch panel provided in the display panel. Accordingly, the thin film transistor substrate according to the embodiment can detect whether or not the display panel is contacted from the outside by using the incelel touch panel.

상기 공통전극(85)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 공통전극(85)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The common electrode 85 may be formed of a transparent conductive material. The common electrode 85 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide film. The common electrode 85 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 화소전극(82)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The pixel electrode 82 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 82 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 82 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

상기 터치패널 하부전극(91), 상기 터치패널 상부전극(92)은 투명 도전성 물질로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 예로서 투명 도전성 산화막으로 구현될 수 있다. 상기 화소전극(82)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The touch panel lower electrode 91 and the touch panel upper electrode 92 may be formed of a transparent conductive material. The pixel electrode 82 may be formed of a transparent conductive oxide film, for example. The pixel electrode 82 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide) and IZON (IZO Nitride).

실시 예에 따른 인셀 터치패널 일체형 박막 트랜지스터 기판은 컬러필터 기판과 합착되어 액정표시 패널을 제공할 수 있다. 인셀 터치패널 일체형 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판 사이에는 액정층이 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 인셀 터치패널 일체형 박막 트랜지스터 기판은 상기 공통전극(85)과 상기 화소전극(82) 간에 인가되는 전압 차에 의하여 액정층의 배열이 조절되고 해당 화소의 광 투과량을 제어할 수 있게 된다. 이와 같은 구조를 갖는 인셀 터치패널 일체형 액정표시 패널은 수평 전계형 액정표시 패널, 횡 전계형 액정표시 패널, 또는 IPS(In Plane Switching) 액정표시 패널로 지칭될 수 있다. 인셀 터치패널 일체형 액정표시 패널은 자체에 광원이 없으므로 인셀 터치패널 일체형 액정표시 패널에 빛을 공급하는 라이트 유닛이 제공됨으로써 표시장치를 구현할 수 있게 된다.The Insel touch panel monolithic thin film transistor substrate according to the embodiment may be bonded to a color filter substrate to provide a liquid crystal display panel. A liquid crystal layer may be provided between the in-cell touch panel integrated thin film transistor substrate and the color filter substrate. In the in-cell touch panel integrated thin film transistor substrate according to the embodiment, the arrangement of the liquid crystal layer is adjusted by the voltage difference applied between the common electrode 85 and the pixel electrode 82, and the light transmission amount of the corresponding pixel can be controlled . The Insel touch panel integrated type liquid crystal display panel having such a structure may be referred to as a horizontal electric field type liquid crystal display panel, a transverse electric field type liquid crystal display panel, or an IPS (In Plane Switching) liquid crystal display panel. Since the in-line touch panel integrated type liquid crystal display panel has no light source itself, the display unit can be implemented by providing the light unit that supplies light to the in-line touch panel integrated liquid crystal display panel.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 35 내지 도 37은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 35 내지 도 37을 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 34를 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 도 35 내지 도 37에 도시된 실시 예는 각각 도 32, 도 33, 도 34 대비하여 본딩층 구조에 차이가 있다.35 to 37 are views showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 35 to 37, the description of the thin film transistor substrate according to the embodiment may be omitted from those of the thin film transistor substrate described with reference to FIGS. 1 to 34. The embodiments shown in FIGS. 35 to 37 are different in bonding layer structure from those of FIGS. 32, 33 and 34, respectively.

도 35 내지 도 37에 도시된 바와 같이, 상기 기판(55) 위에 본딩층(53)이 제공될 수 있다. 상기 본딩층(53)은 상기 기판(55)과 상기 블랙 매트릭스(40) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(53)의 폭은 상기 블랙 매트릭스(40)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(53)의 폭은 상기 채널층(260)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. As shown in FIGS. 35 to 37, a bonding layer 53 may be provided on the substrate 55. The bonding layer 53 may be disposed between the substrate 55 and the black matrix 40. For example, the width of the bonding layer 53 may be equal to the width of the black matrix 40. For example, the width of the bonding layer 53 may be equal to the width of the channel layer 260.

실시 예에 의하면, 상기 기판(55) 위에 상기 제2 보호막(22)이 배치될 수 있다. 상기 제2 보호막(22)의 하부면이 상기 기판(55)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 본딩층(53)이 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(22)이 상기 기판(55)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 22 may be disposed on the substrate 55. The lower surface of the second protective film 22 may be disposed in contact with the upper surface of the substrate 55. In the region where the bonding layer 53 is not provided, the second protective film 22 may be disposed in direct contact with the substrate 55.

이와 같이, 도 35 내지 도 37에 도시된 실시 예에 의하면, 도 32, 도 33, 도 34에 도시된 실시 예에 비하여, 상기 제2 보호막(22)과 상기 기판(55)이 직접 접촉되어 배치될 수 있게 되므로, 상기 제2 보호막(22)과 상기 기판(55) 사이에 제공되는 층(예로서, 도 32, 도 33, 도 34에 도시된 본딩층)을 배제시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 빛이 진행되는 광 경로 상에 이종 물질층 간의 경계면이 줄어 들게 되므로 경계면에서의 반사/굴절 등에 의한 광손실을 줄일 수 있게 된다.35 to 37, the second protective film 22 and the substrate 55 are in direct contact with each other, as compared with the embodiment shown in Figs. 32, 33 and 34, It is possible to eliminate the layer provided between the second protective film 22 and the substrate 55 (for example, the bonding layer shown in FIGS. 32, 33, and 34). Thus, according to the embodiment, since the interface between the different material layers is reduced on the light path, the light loss due to reflection / refraction at the interface can be reduced.

실시 예에 따른 상기 본딩층(53)은 예로서 반사층, 메탈본딩층, 유기본딩층, 절연층을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 상기 기판(55) 위에 배치될 수 있으며, 상기 메탈본딩층은 상기 반사층 위에 배치되고, 상기 절연층은 상기 메탈본딩층 위에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(53)은 상기 메탈본딩층과 상기 유기본딩층 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 반사층과 상기 절연층은 선택적으로 포함할 수도 있다.The bonding layer 53 may include, for example, a reflective layer, a metal bonding layer, an organic bonding layer, and an insulating layer. The reflective layer may be disposed on the substrate 55, the metal bonding layer may be disposed on the reflective layer, and the insulating layer may be disposed on the metal bonding layer. For example, the bonding layer 53 may include at least one of the metal bonding layer and the organic bonding layer, and the reflective layer and the insulating layer may be selectively included.

상기 절연층은 상기 채널층(260)의 누설 특성을 보완해 줄 수 있다. 예로서, 상기 절연층은 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The insulating layer can compensate the leakage characteristic of the channel layer 260. By way of example, the insulating layer may comprise a single layer or multiple layers comprising at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide comprising Al 2 O 3 , or an organic insulating material.

상기 메탈본딩층 또는 상기 유기본딩층은 아래에 배치된 상기 기판(55)과의 접착을 위하여 제공될 수 있다. 예로서, 상기 메탈본딩층은 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 니켈(Ni), 은(Ag), 구리(Cu)를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 유기본딩층은 아크릴, 벤조시크롤부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.The metal bonding layer or the organic bonding layer may be provided for bonding with the substrate 55 disposed below. For example, the metal bonding layer may include at least one material selected from the group consisting of gold (Au), tin (Sn), indium (In), nickel (Ni), silver (Ag) . ≪ / RTI > For example, the organic bonding layer may comprise at least one material selected from the group consisting of acrylic, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like.

상기 반사층은 상기 본딩층에서의 광 흡수를 줄여줄 수 있다. 예로서, 상기 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 로듐(Rh)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 예로서 반사특성이 60%를 넘는 물질로 제공될 수 있다.The reflective layer may reduce light absorption in the bonding layer. For example, the reflective layer may include at least one material or alloy selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), and rhodium (Rh). The reflective layer may be provided as a material having a reflection characteristic of more than 60%, for example.

한편 실시 예에 의하면, 예로서 상기 본딩층(53)이 상기 메탈본딩층과 상기 반사층을 포함하는 경우, 상기 블랙매트릭스(40)는 생략될 수도 있다.According to the embodiment, when the bonding layer 53 includes the metal bonding layer and the reflective layer, the black matrix 40 may be omitted.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 38 내지 도 40은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 38 내지 도 40을 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 37을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 도 38 내지 도 40에 도시된 실시 예는 각각 도 32, 도 33, 도 34 대비하여 트랜스퍼 공정이 적용되지 않고 성장기판 위에 박막 트랜지스터가 제공되는 점에 차이가 있다.38 to 40 are views showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 38 to 40, in the description of the thin film transistor substrate according to the embodiment, description overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 37 may be omitted. The embodiments shown in FIGS. 38 to 40 are different from those of FIGS. 32, 33, and 34 in that a transfer process is not applied and a thin film transistor is provided on a growth substrate.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 38 내지 도 40에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼 공정에 이용되는 지지기판 대신에 성장기판(10)을 기판으로서 포함할 수 있다. 상기 성장기판(10)은 예를 들어, 사파이어(Sapphire), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. As shown in FIGS. 38 to 40, the thin film transistor substrate according to the embodiment may include the growth substrate 10 as a substrate in place of the support substrate used in the transfer process. The growth substrate 10 may include at least one selected from the group consisting of, for example, sapphire, SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge.

상기 성장기판(10) 위에 블랙 매트릭스(45)가 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(45)는 상기 성장기판(10) 위에 배치되어 상기 채널층(260)으로 빛이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(45)는 예로서 가시광선을 흡수하거나 반사하는 물질로 구현될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 상기 채널층(260)으로 빛이 입사되어 광전류(photo current) 등에 의하여 박막 트랜지스터(230)가 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다. 예로서, 상기 블랙 매트릭스(45)는 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(45)는 Si, GaAs 등의 물질을 선택적으로 포함할 수 있다.A black matrix 45 may be disposed on the growth substrate 10. The black matrix 45 may be disposed on the growth substrate 10 to prevent light from entering the channel layer 260. The black matrix 45 may be embodied as a material that absorbs or reflects visible light, for example. Accordingly, according to the embodiment, light can be incident on the channel layer 260 and the thin film transistor 230 can be prevented from deteriorating due to a photo current or the like. By way of example, the black matrix 45 may be provided as a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials, and organic materials. The black matrix 45 may selectively include a material such as Si or GaAs.

실시 예에 의하면, 상기 블랙 매트릭스(45) 위에 버퍼층(47)이 제공될 수 있다. 상기 버퍼층(47)은 상기 블랙 매트릭스(45)와 상기 채널층(260) 사이에 제공될 수 있다. 상기 버퍼층(47)은 상기 채널층(260)을 구성하는 질화물 반도체층의 성장을 도울 수 있다. 예로서, 상기 버퍼층(47)은 AlN, AlInN, AlGaN을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.According to an embodiment, a buffer layer 47 may be provided on the black matrix 45. The buffer layer 47 may be provided between the black matrix 45 and the channel layer 260. The buffer layer 47 may help to grow the nitride semiconductor layer constituting the channel layer 260. By way of example, the buffer layer 47 may comprise a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of AlN, AlInN, AlGaN.

예로서, 상기 블랙 매트릭스(45)의 폭은 상기 버퍼층(47)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 블랙 매트릭스(45)의 폭은 상기 채널층(260)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 버퍼층(47)의 폭은 상기 채널층(260)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다.For example, the width of the black matrix 45 may be the same as the width of the buffer layer 47. For example, the width of the black matrix 45 may be equal to the width of the channel layer 260. The width of the buffer layer 47 may be equal to the width of the channel layer 260.

실시 예에 의하면, 상기 성장기판(10) 위에 상기 제2 보호막(22)이 배치될 수 있다. 상기 제2 보호막(22)의 하부면이 상기 성장기판(10)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(45)가 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(22)이 상기 성장기판(10)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 22 may be disposed on the growth substrate 10. The lower surface of the second protective film 22 may be disposed in contact with the upper surface of the growth substrate 10. In the region where the black matrix 45 is not provided, the second protective film 22 may be disposed in direct contact with the growth substrate 10.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 41은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 포함하는 표시장치의 예를 나타낸 블록도이다.41 is a block diagram showing an example of a display device including a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention.

실시 예에 따른 표시장치는, 도 41에 도시된 바와 같이, 표시패널(1100), 라이트 유닛(1200), 패널 구동부(1300)를 포함할 수 있다.The display device according to the embodiment may include a display panel 1100, a light unit 1200, and a panel driver 1300 as shown in Fig.

상기 표시패널(1100)은 도 1 내지 도 40을 참조하여 설명된 박막 트랜지스터 기판 중의 어느 하나와, 상기 박막 트랜지스터 기판 위에 배치된 컬러필터 기판을 포함할 수 있다. 상기 표시패널(1100)은 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러필터 기판 사이에 배치된 액정층을 포함할 수 있다.The display panel 1100 may include any one of the thin film transistor substrates described with reference to FIGS. 1 to 40 and a color filter substrate disposed on the thin film transistor substrate. The display panel 1100 may include a liquid crystal layer disposed between the thin film transistor substrate and the color filter substrate.

상기 라이트 유닛(1200)은 상기 표시패널(1100) 아래에 배치될 수 있으며 상기 표시패널(1100)에 빛을 공급할 수 있다. 상기 패널 구동부(1300)는 상기 표시패널(1100)에 구동 신호를 제공할 수 있다. 상기 패널 구동부(1300)는 상기 표시패널(1100)에 제공된 복수 화소의 광 투과율을 제어할 수 있으며, 상기 라이트 유닛(1200)으로부터 제공되는 빛을 이용하여 상기 표시패널(1100)에 영상이 표시될 수 있게 된다.The light unit 1200 may be disposed below the display panel 1100 and may supply light to the display panel 1100. The panel driver 1300 may provide a driving signal to the display panel 1100. The panel driver 1300 may control the light transmittance of a plurality of pixels provided in the display panel 1100 and may display an image on the display panel 1100 using light provided from the light unit 1200 .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다. 한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 의하면 성장기판 위에 박막 트랜지스터 및 화소전극을 제공하고, 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수도 있다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate. As described above, according to the embodiment, a thin film transistor and a pixel electrode are provided on a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 42는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 43은 도 42에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 D-D 선에 따른 단면도이고, 도 44는 도 42에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 E-E 선에 따른 단면도이다. 42 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. FIG. 43 is a cross-sectional view taken along line D-D of the thin film transistor substrate shown in FIG. 42, and FIG. 44 is a cross-sectional view taken along line E-E of the thin film transistor substrate shown in FIG.

도 1 내지 도 41을 참조하여 설명된 실시 예는 액정 표시장치에 적용될 수 있는 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이며, 도 42 내지 도 44를 참조하여 설명되는 박막 트랜지스터 기판은 유기발광 표시장치에 적용될 수 있는 것이다.The embodiments described with reference to Figs. 1 to 41 relate to a thin film transistor substrate that can be applied to a liquid crystal display, and the thin film transistor substrate described with reference to Figs. 42 to 44 can be applied to an organic light emitting display .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 스위칭 박막 트랜지스터(330)와 구동 박막 트랜지스터(430)를 포함할 수 있다. 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)는 게이트 라인(341)과 데이터 라인(373)으로부터 신호를 인가 받을 수 있으며, 해당 화소에 게이트 신호 및 데이터 신호를 제공할 수 있다. 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)는 제1 게이트 전극(333), 제1 소스 전극(371), 제1 드레인 전극(372)을 포함할 수 있다. 상기 구동 박막 트랜지스터(430)는 제2 게이트 전극(433), 제2 소스 전극(471), 제2 드레인 전극(472)을 포함할 수 있다. 상기 구동 박막 트랜지스터(430)의 상기 제2 게이트 전극(433)은 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)의 상기 제1 드레인 전극(372)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 구동 박막 트랜지스터(430)의 상기 제2 소스 전극(471)은 구동 전원배선(Vdd, 474)에 연결될 수 있다. 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)와 상기 구동 박막 트랜지스터(430)의 동작에 대해서는 도 45를 참조하여 뒤에서 다시 설명하기로 한다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a switching thin film transistor 330 and a driving thin film transistor 430. The switching thin film transistor 330 may receive a signal from the gate line 341 and the data line 373 and may provide a gate signal and a data signal to the pixel. The switching thin film transistor 330 may include a first gate electrode 333, a first source electrode 371, and a first drain electrode 372. The driving thin film transistor 430 may include a second gate electrode 433, a second source electrode 471, and a second drain electrode 472. The second gate electrode 433 of the driving thin film transistor 430 may be electrically connected to the first drain electrode 372 of the switching thin film transistor 330. The second source electrode 471 of the driving thin film transistor 430 may be connected to a driving power supply line (Vdd, 474). The operation of the switching thin film transistor 330 and the driving thin film transistor 430 will be described later with reference to FIG.

본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 42 내지 도 44에 도시된 바와 같이, 기판(355)과 상기 기판(355) 위에 배치된 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330), 상기 구동 박막 트랜지스터(430), 상기 구동 박막 트랜지스터(430)에 전기적으로 연결된 발광층(488)을 포함할 수 있다.42 to 44, the thin film transistor substrate according to the exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 355 and the switching thin film transistor 330, the driving thin film transistor 430, And a light emitting layer 488 electrically connected to the driving thin film transistor 430.

실시 예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터(330)는 제1 디플리션 형성층(depletion forming layer, 315), 제1 게이트 전극(333), 제1 채널층(360), 제1 소스 전극(371), 제1 드레인 전극(372)을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 채널층(360)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 채널층(360)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 채널층(360)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(333)은 상기 제1 채널층(360) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)은 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역과 제2 영역 사이 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)은 상기 제1 채널층(360)과 상기 제1 게이트 전극(333) 사이에 배치될 수 있다.The switching thin film transistor 330 according to the embodiment includes a first depletion forming layer 315, a first gate electrode 333, a first channel layer 360, a first source electrode 371, 1 drain electrode 372, as shown in FIG. The first source electrode 371 may be electrically connected to a first region of the first channel layer 360. The first source electrode 371 may be electrically connected to the upper surface of the first channel layer 360. The first drain electrode 372 may be electrically connected to a second region of the first channel layer 360. The first drain electrode 372 may be electrically connected to the upper surface of the first channel layer 360. The first gate electrode 333 may be disposed on the first channel layer 360. The first depletion layer 315 may be disposed between the first and second regions of the first channel layer 360. The first depletion layer 315 may be disposed between the first channel layer 360 and the first gate electrode 333.

실시 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(430)는 제2 디플리션 형성층(depletion forming layer, 415), 제2 게이트 전극(433), 제2 채널층(460), 제2 소스 전극(471), 제2 드레인 전극(472)을 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 채널층(460)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 채널층(460)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 채널층(460)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(433)은 상기 제2 채널층(460) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역과 제2 영역 사이 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 상기 제2 채널층(460)과 상기 제2 게이트 전극(433) 사이에 배치될 수 있다.The driving thin film transistor 430 according to the embodiment includes a second depletion forming layer 415, a second gate electrode 433, a second channel layer 460, a second source electrode 471, 2 drain electrode 472, as shown in FIG. The second source electrode 471 may be electrically connected to the first region of the second channel layer 460. The second source electrode 471 may be electrically connected to the upper surface of the second channel layer 460. The second drain electrode 472 may be electrically connected to a second region of the second channel layer 460. The second drain electrode 472 may be electrically connected to the upper surface of the second channel layer 460. The second gate electrode 433 may be disposed on the second channel layer 460. The second depletion layer 415 may be disposed between the first and second regions of the second channel layer 460. The second depletion layer 415 may be disposed between the second channel layer 460 and the second gate electrode 433. [

상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)와 상기 구동 박막 트랜지스터(430)의 구조는 서로 유사하며, 상기 구동 박막 트랜지스터(430)를 설명함에 있어 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)를 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.The structure of the switching thin film transistor 330 and the driving thin film transistor 430 is similar to that of the driving thin film transistor 430. In the description of the driving thin film transistor 430, The description may be omitted.

상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)은 예로서 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)은 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.The first channel layer 360 and the second channel layer 460 may be formed of a Group III-V compound semiconductor, for example. For example, the first channel layer 360 and the second channel layer 460 may be formed of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Lt; RTI ID = 0.0 > of < / RTI > The first channel layer 360 and the second channel layer 460 may be a single layer or multiple layers selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, Layer. The first channel layer 360 and the second channel layer 460 may be formed of different materials.

상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460) 각각은 제1 질화물 반도체층(361, 461)과 제2 질화물 반도체층(362, 462)을 포함할 수 있다. 상기 제1 질화물 반도체층(361. 461)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(362, 462)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. Each of the first channel layer 360 and the second channel layer 460 may include first and second nitride semiconductor layers 361 and 461 and second nitride semiconductor layers 362 and 462. The first nitride semiconductor layer 361 461 has a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) Semiconductor material. The second nitride semiconductor layers 362 and 462 have a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) Semiconductor material.

실시 예에 따른 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)에 의하면, 상기 제1 질화물 반도체층(361, 461)이 GaN 반도체층을 포함하고, 상기 제2 질화물 반도체층(362, 462)이 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 채널층(360)의 상기 제2 질화물 반도체층(362)은 상기 제1 질화물 반도체층(361)과 상기 제1 디플리션 형성층(315) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 채널층(460)의 상기 제2 질화물 반도체층(462)은 상기 제1 질화물 반도체층(461)과 상기 제2 디플리션 형성층(415) 사이에 배치될 수 있다.According to the first channel layer 360 and the second channel layer 460 according to the embodiment, the first nitride semiconductor layers 361 and 461 include GaN semiconductor layers, and the second nitride semiconductor layers 362, and 462 may include an AlGaN semiconductor layer. The second nitride semiconductor layer 362 of the first channel layer 360 may be disposed between the first nitride semiconductor layer 361 and the first depletion-forming layer 315. The second nitride semiconductor layer 462 of the second channel layer 460 may be disposed between the first nitride semiconductor layer 461 and the second depletion-forming layer 415.

상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 예로서 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 p형 도펀트가 첨가된 질화물 반도체층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 p형 도펀트가 첨가된 GaN 반도체층 또는 p형 도펀트가 첨가된 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 예컨대, p-AlxGa1-xN (0≤x≤0.3)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. The first and second depletion-forming layers 315 and 415 may be formed of, for example, Group III-V compound semiconductors. For example, the first depletion-forming layer 315 and the second depletion-forming layer 415 is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤ x + y < / = 1). The first depletion layer 315 and the second depletion layer 415 may be formed of a material selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, Single layer or multiple layers. The first and second depletion-forming layers 315 and 415 may include a nitride semiconductor layer doped with a p-type dopant. For example, the first and second depletion-forming layers 315 and 415 may include a GaN semiconductor layer doped with a p-type dopant or an AlGaN semiconductor layer doped with a p-type dopant. The first and second depletion-forming layers 315 and 415 may be formed of a single material, for example, a semiconductor material having a composition formula of p-Al x Ga 1-x N (0? X ? 0.3) Layer or multiple layers.

상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 예로서 2~300nm의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)에 제공된 2차원 전자가스(2DEG)에 디플리션 영역(depletion region)을 제공하기 위하여 적어도 2nm의 두께로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 제조공정에 따른 두께 편차를 고려하여 30nm 이상의 두께로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 제조공정에 따른 두께 편차를 고려하여 200nm 이하의 두께로 제공될 수도 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 예로서 50~100nm의 두께로 제공될 수도 있다.The first and second depletion-forming layers 315 and 415 may be provided with a thickness of, for example, 2 to 300 nm. The first depletion layer 315 and the second depletion layer 415 are formed on the two-dimensional electron gas (2DEG) provided in the first channel layer 360 and the second channel layer 460, May be provided to a thickness of at least 2 nm to provide a depletion region. In addition, the first and second deformation-forming layers 315 and 415 may be provided with a thickness of 30 nm or more in consideration of the thickness variation according to the manufacturing process. In addition, the first and second depletion-forming layers 315 and 415 may be provided with a thickness of 200 nm or less in consideration of the thickness variation according to the manufacturing process. The first depletion-imparting layer 315 and the second depletion-forming layer 415 may be provided in a thickness of 50 to 100 nm, for example.

상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)에 첨가된 물질과 첨가된 물질의 첨가량은 서로 다를 수 있다.The first and second depletion-forming layers 315 and 415 may include different materials. The addition amount of the substance added to the first depletion generation layer 315 and the amount of the added substance to the second depletion formation layer 415 may be different from each other.

상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 상기 제1 채녈층(360)과 상기 제2 채널층(460)에 제공된 2차원 전자가스(2DEG)에 디플리션 영역(depletion region)을 형성하는 역할을 할 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)에 의해 그 아래에 위치하는 제2 질화물 반도체층(362) 부분의 에너지 밴드갭(energy bandgap)이 높아질 수 있고, 그 결과 상기 제1 디플리션 형성층(315)에 대응하는 상기 제1 채널층(360) 부분에 2차원 전자가스(2DEG)의 디플리션 영역이 제공될 수 있다. 따라서, 상기 제1 채널층(360)에 제공되는 2차원 전자가스(2DEG) 중 상기 제1 디플리션 형성층(315)이 배치된 위치에 대응되는 영역은 끊어질 수 있다. 상기 제1 채널층(360)에서 2차원 전자가스(2DEG)가 끊어진 영역을 단절영역이라 할 수 있으며, 예로서 상기 제2 질화물 반도체층(362)에 단절영역이 형성될 수 있다. 이러한 단절영역에 의해 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)는 노멀리-오프(normally-off) 특성을 가질 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(333)에 문턱 전압(threshold voltage) 이상의 전압을 인가하면, 단절영역에 2차원 전자가스(2DEG)가 생성되어, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)가 온 상태가 된다. 상기 제1 게이트 전극(333)의 하부에 형성된 채널이 온 상태가 되면 상기 제1 채널층(360)에 형성된 2차원 전자가스(2DEG)를 경유하여 전류가 흐를 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 게이트 전극(333)에 인가되는 전압에 따라 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역으로부터 제2 영역으로의 전류 흐름이 제어될 수 있게 된다. 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 유사한 역할을 수행할 수 있다.The first depletion layer 315 and the second depletion layer 415 are formed on the second channel layer 460 and the second channel layer 460. The first and second depletion- And can form a depletion region. The energy band gap of the portion of the second nitride semiconductor layer 362 located under the first depletion layer 315 can be increased by the first depletion layer 315, (2DEG) may be provided in the portion of the first channel layer 360 corresponding to the second channel layer 360. [ Therefore, the region corresponding to the position where the first depletion-imparting layer 315 is disposed in the two-dimensional electron gas (2DEG) provided in the first channel layer 360 may be broken. The region where the two-dimensional electron gas (2DEG) is broken in the first channel layer 360 may be referred to as a cut-off region. For example, a cut-off region may be formed in the second nitride semiconductor layer 362. The switching thin film transistor 330 may have a normally-off characteristic by the cut-off region. When a voltage equal to or higher than a threshold voltage is applied to the first gate electrode 333, a two-dimensional electron gas (2DEG) is generated in the disconnected region, and the switching thin film transistor 330 is turned on. When the channel formed below the first gate electrode 333 is turned on, a current can flow through the two-dimensional electron gas (2DEG) formed on the first channel layer 360. Accordingly, the current flow from the first region to the second region of the first channel layer 360 can be controlled according to the voltage applied to the first gate electrode 333. The second depletion-forming layer 415 may have a role similar to that of the first depletion-forming layer 315.

상기 기판(355)은 투명기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(355)은 예로서 0.1 mm 내지 3 mm의 두께를 갖는 투명기판으로 구현될 수 있다. 또한, 상기 기판(355)의 두께는 적용되는 표시장치의 용도 및 크기에 따라 변경될 수 있는 것으로서 0.4~1.1mm의 두께 범위 내에서 선택될 수도 있다. 예로서, 상기 기판(355)은 0.6~0.8mm의 두께로 제공될 수도 있다. 상기 기판(355)은 실리콘, 유리, 폴리이미드, 플라스틱을 포함하는 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 기판(355)은 플렉시블 기판을 포함할 수 있다.The substrate 355 may include a transparent substrate. The substrate 355 may be embodied as a transparent substrate having a thickness of, for example, 0.1 mm to 3 mm. In addition, the thickness of the substrate 355 may vary depending on the application and size of the display device to be applied, and may be selected within a thickness range of 0.4 to 1.1 mm. As an example, the substrate 355 may be provided in a thickness of 0.6 to 0.8 mm. The substrate 355 may include at least one material selected from materials including silicon, glass, polyimide, and plastic. The substrate 355 may include a flexible substrate.

상기 기판(355)은 트랜스퍼(transfer) 공정에서 적용되는 기판으로서 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)와 상기 구동 박막 트랜지스터(430)를 지지하는 역할을 수행한다. 또한, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 기판(355)과 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330) 사이에 제공된 본딩층(350)을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)과 상기 구동 박막 트랜지스터(430) 사이에 배치될 수 있다.The substrate 355 is a substrate to be used in a transfer process and supports the switching thin film transistor 330 and the driving thin film transistor 430. In addition, the thin film transistor substrate according to the embodiment may include a bonding layer 350 provided between the substrate 355 and the switching thin film transistor 330. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the driving thin film transistor 430.

상기 본딩층(350)은 유기물을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 투명물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 예로서 투과도가 70% 이상인 물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 아크릴, 벤조시클로부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 예로서 0.5~6㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 본딩층(350)의 두께는 선택된 물질 종류에 따라 차이가 있을 수 있으며 1~3㎛의 두께로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 본딩층(350)은 예로서 1.8~2.2㎛의 두께로 제공될 수도 있다.The bonding layer 350 may include an organic material. The bonding layer 350 may be formed of a transparent material. The bonding layer 350 may be formed of a material having a transmittance of 70% or more. The bonding layer 350 may include an organic insulating material. The bonding layer 350 may include at least one material selected from the group consisting of acryl, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like. The bonding layer 350 may be provided in a thickness of 0.5 to 6 mu m, for example. The thickness of the bonding layer 350 may vary depending on the selected type of material and may be 1 to 3 μm. In addition, the bonding layer 350 may be provided in a thickness of, for example, 1.8 to 2.2 μm.

실시 예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터(330)는 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역 위에 배치된 제1 소스 컨택부(331)와 상기 제1 채널층(360)의 제2 영역 위에 배치된 제1 드레인 컨택부(332)를 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 채널층(360)의 제2 영역에 접촉되어 배치될 수 있다.The switching thin film transistor 330 according to the embodiment includes a first source contact portion 331 disposed on a first region of the first channel layer 360 and a second source contact portion 332 disposed on a second region of the first channel layer 360 And may include a first drain contact portion 332. The first source contact portion 331 may be disposed in contact with the first region of the first channel layer 360. The first drain contact portion 332 may be disposed in contact with a second region of the first channel layer 360.

실시 예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터(330)는 상기 제1 게이트 전극(333) 위에 배치된 제1 게이트 배선(341)을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)은 상기 제1 게이트 전극(333)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)의 하부 면이 상기 제1 게이트 전극(333)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The switching thin film transistor 330 according to the embodiment may include a first gate wiring 341 disposed on the first gate electrode 333. [ The first gate wiring 341 may be electrically connected to the first gate electrode 333. The lower surface of the first gate wiring 341 may be disposed in contact with the upper surface of the first gate electrode 333.

상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 소스 컨택부(331)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 소스 컨택부(331)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 소스 컨택부(331)를 통하여 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 드레인 컨택부(332)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 드레인 컨택부(332)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 드레인 컨택부(332)를 통하여 상기 제1 채널층(360)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다.The first source electrode 371 may be electrically connected to the first source contact portion 331. The first source electrode 371 may be disposed in contact with the upper surface of the first source contact portion 331. For example, the first source electrode 371 may be electrically connected to the first region of the first channel layer 360 through the first source contact portion 331. The first drain electrode 372 may be electrically connected to the first drain contact 332. The first drain electrode 372 may be disposed in contact with the upper surface of the first drain contact 332. For example, the first drain electrode 372 may be electrically connected to a second region of the first channel layer 360 through the first drain contact portion 332.

실시 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(430)는 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역 위에 배치된 제2 소스 컨택부(431)와 상기 제2 채널층(460)의 제2 영역 위에 배치된 제2 드레인 컨택부(432)를 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제2 채널층(460)의 제2 영역에 접촉되어 배치될 수 있다.The driving thin film transistor 430 according to the embodiment includes a second source contact portion 431 disposed over the first region of the second channel layer 460 and a second source contact portion 432 disposed over the second region of the second channel layer 460 And a second drain contact portion 432. The second source contact portion 431 may be disposed in contact with the first region of the second channel layer 460. The second drain contact portion 432 may be disposed in contact with a second region of the second channel layer 460.

실시 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(430)는 상기 제2 게이트 전극(433) 위에 배치된 제2 게이트 배선(441)을 포함할 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)은 상기 제2 게이트 전극(433)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)의 하부 면이 상기 제2 게이트 전극(433)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The driving thin film transistor 430 according to the embodiment may include a second gate wiring 441 disposed on the second gate electrode 433. [ The second gate line 441 may be electrically connected to the second gate electrode 433. The lower surface of the second gate wiring 441 may be disposed in contact with the upper surface of the second gate electrode 433.

상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 소스 컨택부(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 소스 컨택부(431)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 소스 컨택부(431)를 통하여 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 드레인 컨택부(432)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 드레인 컨택부(432)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 드레인 컨택부(432)를 통하여 상기 제2 채널층(460)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다.The second source electrode 471 may be electrically connected to the second source contact portion 431. The second source electrode 471 may be disposed in contact with the upper surface of the second source contact portion 431. For example, the second source electrode 471 may be electrically connected to the first region of the second channel layer 460 through the second source contact portion 431. The second drain electrode 472 may be electrically connected to the second drain contact 432. The second drain electrode 472 may be disposed in contact with the upper surface of the second drain contact part 432. For example, the second drain electrode 472 may be electrically connected to a second region of the second channel layer 460 through the second drain contact portion 432.

상기 제1 소스 컨택부(331)와 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 채널층(360)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)와 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제2 질화물 반도체층(362)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)와 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제2 채널층(460)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)와 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제2 질화물 반도체층(462)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 소스 컨택부(331), 상기 제1 드레인 컨택부(332), 제2 소스 컨택부(431), 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331), 상기 제1 드레인 컨택부(332), 상기 제2 소스 컨택부(431), 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 예로서 0.1~1㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331), 상기 제1 드레인 컨택부(332), 상기 제2 소스 컨택부(431), 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 채널층(360) 및 상기 제2 채널층(460)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.The first source contact portion 331 and the first drain contact portion 332 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the first channel layer 360. The first source contact portion 331 and the first drain contact portion 332 may include a material that makes an ohmic contact with the second nitride semiconductor layer 362. The second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the second channel layer 460. [ The second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 may include a material that makes an ohmic contact with the second nitride semiconductor layer 462. For example, the first source contact portion 331, the first drain contact portion 332, the second source contact portion 431, and the second drain contact portion 432 may be formed of aluminum (Al), aluminum alloy The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of forming an Al alloy, tungsten (W), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), silver (Ag), silver alloy, At least any one material selected from the group consisting of chromium (Cr), titanium (Ti), titanium alloy, molybdenum tungsten (MoW), moly titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi) ≪ RTI ID = 0.0 > and / or < / RTI > The first source contact portion 331, the first drain contact portion 332, the second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 are provided with a thickness of, for example, . The first source contact portion 331, the first drain contact portion 332, the second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 are formed on the first channel layer 360, It is not necessary to perform the current diffusion function as a layer for contact with the second channel layer 460, and thus it may be provided with a thickness of 1 mu m or less.

상기 제1 게이트 전극(333)은 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(433)은 상기 제2 디플리션 형성층(415)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 예로서, 상기 제1 게이트 전극(333)과 상기 제2 게이트 전극(433)은 p형 질화물층과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(333)과 상기 제2 게이트 전극(433)은 텅스텐(W), 텅스텐실리콘(WSi2), 티타늄질소(TiN), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨질소(TaN), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(333)과 상기 제2 게이트 전극(433)은 예로서 0.1~1㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(333)과 상기 제2 게이트 전극(433)은 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.The first gate electrode 333 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the first depletion layer 315. The second gate electrode 433 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the second depletion layer 415. For example, the first gate electrode 333 and the second gate electrode 433 may be formed of a material in ohmic contact with the p-type nitride layer. The first gate electrode 333 and the second gate electrode 433 may be formed of tungsten (W), tungsten silicon (WSi 2 ), titanium nitride (TiN), tantalum (Ta), tantalum nitrogen (TaN), palladium ), Nickel (Ni), platinum (Pt), or the like. The first gate electrode 333 and the second gate electrode 433 may be provided with a thickness of, for example, 0.1-1 탆. The first gate electrode 333 and the second gate electrode 433 function as a layer for contacting the first and second depletion-forming layers 315 and 415, respectively, It may be provided at a thickness of 1 mu m or less.

상기 제1 게이트 배선(341)과 상기 제2 게이트 배선(441)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)과 상기 제2 게이트 배선(441)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)과 상기 제2 게이트 배선(441)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 제1 게이트 전극(333) 및 상기 제2 게이트 전극(433)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The first gate wiring 341 and the second gate wiring 441 may be formed of a metal such as aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), copper alloy, molybdenum ), Silver (Ag), silver alloy, gold (Au), gold alloy, chromium (Cr), titanium (Ti), titanium alloy, molybdenum tungsten And may include a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi). The first gate wiring 341 and the second gate wiring 441 may be provided in a thickness of 0.1 to 3 占 퐉, for example. Since the first gate wiring 341 and the second gate wiring 441 function to sequentially apply a voltage to the plurality of transistors, the first gate electrode 333 and the second gate electrode 433 It may be provided thicker than the thickness.

상기 제1 소스 전극(371), 상기 제1 드레인 전극(372), 상기 제2 소스 전극(471), 제2 드레인 전극(472)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371), 상기 제1 드레인 전극(372), 상기 제2 소스 전극(471), 제2 드레인 전극(472)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)과 상기 제2 소스 전극(471)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 제1 소스 컨택부(331) 및 상기 제2 소스 컨택부(431)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)과 상기 제2 드레인 전극(472)도 상기 제1 드레인 컨택부(332) 및 상기 제2 드레인 컨택부(432)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The first source electrode 371, the first drain electrode 372, the second source electrode 471 and the second drain electrode 472 may be formed of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W ), Copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), silver (Ag), silver alloy, gold (Au), gold alloy, chromium (Cr) A single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of Ti, Ti alloy, molybdenum (MoW), moly titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi) . ≪ / RTI > The first source electrode 371, the first drain electrode 372, the second source electrode 471 and the second drain electrode 472 may be provided with a thickness of 0.1 to 3 μm, for example. Since the first source electrode 371 and the second source electrode 471 function to sequentially apply a voltage to the plurality of transistors, the first source contact portion 331 and the second source contact portion 431 As compared to the thickness of the first layer. The first drain electrode 372 and the second drain electrode 472 may be provided thicker than the first drain contact portion 332 and the second drain contact portion 432.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460) 위에 배치된 제1 보호막(321, 421)을 포함할 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 상기 제1 채널층(360)의 상기 제2 질화물 반도체층(362) 및 상기 제2 채널층(460)의 제2 질화물 반도체층(462) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)의 하부 면은 상기 제1 채널층(360)의 상기 제2 질화물 반도체층(362) 및 상기 제2 채널층(460)의 제2 질화물 반도체층(462) 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 상기 제1 디플리션 형성층(315)의 측면과 상기 제2 디플리션 형성층(415)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 상기 제1 디플리션 형성층(315)의 측면과 상기 제2 디플리션 형성층(415)의 측면을 감싸도록 배치될 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include first protective layers 321 and 421 disposed on the first channel layer 360 and the second channel layer 460. The first passivation layer 321 and 421 may be disposed on the second nitride semiconductor layer 362 of the first channel layer 360 and the second nitride semiconductor layer 462 of the second channel layer 460 have. The lower surfaces of the first protective films 321 and 421 are formed on the second nitride semiconductor layer 362 of the first channel layer 360 and the upper surface of the second nitride semiconductor layer 462 of the second channel layer 460 Can be placed in contact with the surface. The first protective films 321 and 421 may be disposed on the first and second depletion-forming layers 315 and 415, respectively. The first protective films 321 and 421 may be disposed on the sides of the first and second depletion-forming layers 315 and 415, respectively. The first protective layers 321 and 421 may be disposed to surround the side surfaces of the first and second depletion-forming layers 315 and 415, respectively.

실시 예에 의하면, 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 보호막(321)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치되고 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역에 접촉되어 제공될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 보호막(321)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치되고 상기 제1 채널층(360)의 제2 영역에 접촉되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first source contact portion 331 may be disposed through the first protective film 321. The first source contact portion 331 may be surrounded by the first protective layer 321. The first source contact portion 331 may be disposed through the first protective layer 321 and may be provided in contact with the first region of the first channel layer 360. The first drain contact part 332 may be disposed through the first protective film 321. The first drain contact portion 332 may be surrounded by the first protective layer 321. The first drain contact portion 332 may be disposed through the first passivation layer 321 and may be provided in contact with the second region of the first channel layer 360.

실시 예에 의하면, 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제1 보호막(421)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치되고 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역에 접촉되어 제공될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 보호막(421)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치되고 상기 제2 채널층(460)의 제2 영역에 접촉되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, the second source contact portion 431 may be disposed to penetrate the first protective film 421. The second source contact portion 431 may be surrounded by the first protective layer 421. The second source contact portion 431 may be disposed through the first protective layer 421 and may be provided in contact with the first region of the second channel layer 460. The second drain contact portion 432 may be disposed through the first protective layer 421. The second drain contact portion 432 may be surrounded by the first protective layer 421. The second drain contact portion 432 may be disposed through the first protective layer 421 and may be provided in contact with the second region of the second channel layer 460.

상기 제1 보호막(321, 421)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The first protective films 321 and 421 may be formed of an insulating material. The first protective films 321 and 421 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 의하면, 상기 기판(355)과 상기 제1 보호막(321, 421) 위에 제2 보호막(322)이 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(333)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 게이트 전극(333)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(333)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 상기 제1 디플리션 형성층(315)에 접촉되어 배치될 수 있다, 예로서, 상기 제1 게이트 전극(333)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 상기 제1 디플리션 형성층(315)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)은 상기 제2 보호막(322) 위에 배치되어 상기 제1 게이트 전극(333)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(433)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 게이트 전극(433)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(433)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 상기 제2 디플리션 형성층(415)에 접촉되어 배치될 수 있다, 예로서, 상기 제2 게이트 전극(433)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 상기 제2 디플리션 형성층(415)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)은 상기 제2 보호막(322) 위에 배치되어 상기 제2 게이트 전극(433)과 전기적으로 연결될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 322 may be disposed on the substrate 355 and the first protective films 321 and 421. The first gate electrode 333 may be disposed through at least one of the first passivation layer 321 and the second passivation layer 322. For example, the first gate electrode 333 may be disposed through the first passivation layer 321 and the second passivation layer 322. The first gate electrode 333 may be disposed in contact with the first depletion layer 315 through at least one of the first protective layer 321 and the second protective layer 322. For example, The first gate electrode 333 may be disposed in contact with the first depletion layer 315 through the first protective layer 321 and the second protective layer 322. The first gate line 341 may be disposed on the second passivation layer 322 and may be electrically connected to the first gate electrode 333. The second gate electrode 433 may be disposed to penetrate at least one of the first passivation layer 321 and the second passivation layer 322. For example, the second gate electrode 433 may be disposed through the first passivation layer 321 and the second passivation layer 322. The second gate electrode 433 may be disposed in contact with the second depletion layer 415 through at least one of the first protective layer 321 and the second protective layer 322. For example, The second gate electrode 433 may be disposed in contact with the second depletion layer 415 through the first protective layer 321 and the second protective layer 322. The second gate line 441 may be disposed on the second passivation layer 322 and may be electrically connected to the second gate electrode 433.

상기 제2 보호막(322)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 보호막(322)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The second passivation layer 322 may be formed of an insulating material. The second passivation layer 322 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , .

실시 예에 의하면, 상기 제2 보호막(322) 위에 제3 보호막(323)이 배치될 수 있다. 상기 제3 보호막(323)은 상기 제2 보호막(322), 상기 제1 게이트 배선(341), 상기 제2 게이트 배선(441) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)은 상기 제1 게이트 전극(333) 위에 접촉되어 배치되고 상기 제3 보호막(323)에 의하여 둘러 싸여 제공될 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)은 상기 제2 게이트 전극(433) 위에 접촉되어 배치되고 상기 제3 보호막(323)에 의하여 둘러 싸여 제공될 수 있다.According to the embodiment, the third protective film 323 may be disposed on the second protective film 322. The third protective film 323 may be disposed on the second protective film 322, the first gate wiring 341, and the second gate wiring 441. The first gate wiring 341 may be disposed in contact with the first gate electrode 333 and may be provided surrounded by the third protective film 323. The second gate line 441 may be disposed in contact with the second gate electrode 433 and surrounded by the third passivation layer 323.

상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제1 소스 컨택부(331) 에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제1 드레인 컨택부 (332)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. The first source electrode 371 may be electrically connected to the first source contact portion 331 through the second protective layer 322 and the third protective layer 323. The first source electrode 371 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The first source electrode 371 may include a second region penetrating the third protective layer 323 and the second protective layer 322. The first drain electrode 372 may be electrically connected to the first drain contact 332 through the second protective layer 322 and the third protective layer 323. The first drain electrode 372 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The first drain electrode 372 may include a second region penetrating the third passivation layer 323 and the second passivation layer 322.

상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제2 소스 컨택부(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제2 드레인 컨택부(432)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다.The second source electrode 471 may be electrically connected to the second source contact portion 431 through the second protective layer 322 and the third protective layer 323. The second source electrode 471 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The second source electrode 471 may include a second region penetrating the third protective film 323 and the second protective film 322. The second drain electrode 472 may be electrically connected to the second drain contact 432 through the second passivation layer 322 and the third passivation layer 323. The second drain electrode 472 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The second drain electrode 472 may include a second region penetrating the third passivation layer 323 and the second passivation layer 322.

실시 예에 의하면, 상기 제3 보호막(323) 위에 제1 드레인-게이트 연결배선(375)이 배치될 수 있다. 상기 제1 드레인-게이트 연결배선(375)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 드레인-게이트 연결배선(375)은 상기 제3 보호막(323)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 드레인-게이트 연결배선(375)의 제1 영역은 상기 제1 드레인 전극(372)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인-게이트 연결배선(375)의 제1 영역은 상기 제1 드레인 전극(372)으로부터 연장되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 드레인-게이트 연결배선(375)은 상기 제1 드레인 전극(372)과 동일 공정에서 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 드레인-게이트 연결배선(375)과 상기 제1 드레인 전극(372)은 서로 다른 공정에서 분리되어 형성되어 전기적으로 연결될 수도 있다.According to the embodiment, the first drain-gate connection line 375 may be disposed on the third passivation layer 323. The first drain-gate connection line 375 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The first drain-gate connection line 375 may include a second region penetrating the third passivation layer 323. A first region of the first drain-gate connection wiring 375 may be electrically connected to the first drain electrode 372. A first region of the first drain-gate connection line 375 may extend from the first drain electrode 372. For example, the first drain-gate connection line 375 may be formed integrally with the first drain electrode 372 in the same process. Also, the first drain-gate connection line 375 and the first drain electrode 372 may be separately formed and electrically connected to each other.

실시 예에 의하면, 상기 제2 보호막(322) 위에 제2 드레인-게이트 연결배선(475)이 배치될 수 있다. 상기 제2 드레인-게이트 연결배선(475)은 상기 제1 드레인-게이트 연결배선(375)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인-게이트 연결배선(375)의 제2 영역은 상기 제2 드레인-게이트 연결배선(475)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 드레인-게이트 연결배선(475)은 상기 제2 게이트 배선(441)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인-게이트 연결배선(475)은 상기 제2 게이트 배선(441)으로부터 연장되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 드레인-게이트 연결배선(475)은 상기 제2 게이트 배선(441)과 동일 공정에서 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 드레인-게이트 연결배선(475)은 상기 제2 게이트 배선(441)과 서로 분리된 공정에서 형성되어 전기적으로 연결될 수도 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 드레인-게이트 연결배선(375), 상기 제2 드레인-게이트 연결배선(475), 상기 제2 게이트 배선(441)을 통하여 상기 제2 게이트 전극(433)에 전기적으로 연결될 수 있다.According to the embodiment, the second drain-gate connection line 475 may be disposed on the second passivation layer 322. The second drain-gate connection line 475 may be electrically connected to the first drain-gate connection line 375. The second region of the first drain-gate connection line 375 may be disposed in contact with the second drain-gate connection line 475. The second drain-gate connection line 475 may be electrically connected to the second gate line 441. The second drain-gate connection line 475 may extend from the second gate line 441. For example, the second drain-gate connection line 475 may be formed integrally with the second gate line 441 in the same process. In addition, the second drain-gate connection line 475 may be formed and electrically connected to the second gate line 441 in a separate process. The first drain electrode 372 is electrically connected to the second gate electrode 433 through the first drain-gate connection line 375, the second drain-gate connection line 475, As shown in FIG.

도 44에 도시된 바와 같이, 상기 제2 채널층(460)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 서로 동일한 폭으로 형성될 수 있다. 상기 제2 디플리션 형성층(415)의 폭이 상기 제2 채널층(460)의 폭에 비해 작은 경우에는 누설 전류(leakage current)가 발생될 수 있다. 다른 표현으로서, 상기 제2 게이트 전극(433)이 연장되어 배치된 방향을 따라 제공된 상기 제2 채널층(460)의 길이와 상기 제2 디플리션 형성층(415)의 길이가 동일하게 제공될 수 있다.44, the second channel layer 460 and the second depletion-imparting layer 415 may have the same width. If the width of the second depletion-forming layer 415 is smaller than the width of the second channel layer 460, a leakage current may be generated. In other words, the length of the second channel layer 460 provided along the direction in which the second gate electrode 433 is extended and arranged and the length of the second depletion-imparting layer 415 may be provided equally have.

상기 제3 보호막(323)은 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제3 보호막(323)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The third protective film 323 may include an insulating material. The third passivation layer 323 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제4 보호막(324)을 포함할 수 있다. 상기 제4 보호막(324)은 상기 제1 소스 전극(371), 상기 제1 드레인 전극(372), 상기 제2 소스 전극(471), 상기 제2 드레인 전극(472) 위에 배치될 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a fourth protective film 324 disposed on the third protective film 323. The fourth protective layer 324 may be disposed on the first source electrode 371, the first drain electrode 372, the second source electrode 471, and the second drain electrode 472.

상기 제4 보호막(324)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The fourth passivation layer 324 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide comprising Al 2 O 3 , .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 구동 박막 트랜지스터(430) 위에 배치된 하부 전극(486)을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 구동 박막 트랜지스터(430)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 구동 박막 트랜지스터(430)의 제2 드레인 전극(472)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 제4 보호막(324) 위에 배치될 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 제4 보호막(324)에 제공된 컨택홀을 통하여 상기 제2 드레인 전극(472)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 하부 전극(486)의 하부 면은 상기 제2 드레인 전극(472)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a lower electrode 486 disposed on the driving thin film transistor 430. The lower electrode 486 may be electrically connected to the driving thin film transistor 430. The lower electrode 486 may be electrically connected to the second drain electrode 472 of the driving thin film transistor 430. The lower electrode 486 may be disposed on the fourth protective film 324. The lower electrode 486 may be electrically connected to the second drain electrode 472 through a contact hole provided in the fourth protective layer 324. The lower surface of the lower electrode 486 may be disposed in contact with the upper surface of the second drain electrode 472.

또한 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제4 보호막(324) 위에 배치된 제5 보호막(325)을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(486) 위에 상기 발광층(488)이 배치될 수 있으며, 상기 발광층(488) 위에 상부 전극(487)이 배치될 수 있다. 상기 발광층(488)과 상기 상부 전극(487)은 상기 제5 보호막(325) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광층(488)의 제1 영역은 상기 제5 보호막(325) 위에 배치되고 상기 발광층(488)의 제2 영역은 상기 제5 보호막(325)에 제공된 컨택홀을 통하여 상기 하부 전극(486)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 발광층(488)은 예로서 적색, 녹색, 청색, 백색 중에서 어느 하나의 빛을 발광할 수 있다. 상기 발광층(488)은 예로서 유기물로 구현될 수 있다.In addition, the thin film transistor substrate according to the embodiment may include a fifth protective film 325 disposed on the fourth protective film 324. The light emitting layer 488 may be disposed on the lower electrode 486 and the upper electrode 487 may be disposed on the light emitting layer 488. The light emitting layer 488 and the upper electrode 487 may be disposed on the fifth protective layer 325. The first region of the light emitting layer 488 is disposed on the fifth protective film 325 and the second region of the light emitting layer 488 is electrically connected to the lower electrode 486 through a contact hole provided in the fifth protective film 325. [ And can be disposed in contact with the upper surface. The light emitting layer 488 may emit any one of red, green, blue, and white light. The light emitting layer 488 may be formed of an organic material, for example.

상기 하부 전극(486)과 상기 상부 전극(487)은 예로서 ITO, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO, ITO/Ag/IZO 중에서 선택된 하나의 물질, 또는 그 물질을 포함하는 합금을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(486)과 상기 상부 전극(487)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 전극(486) 또는 상기 하부 전극(487) 중에서 하나는 투명 전극으로 형성될 수 있으며, 투명 전극 방향으로 상기 발광층(488)에서 발광된 빛이 외부로 방출될 수 있게 된다.The lower electrode 486 and the upper electrode 487 may comprise one material selected from, for example, ITO, ITO / Ag, ITO / Ag / ITO, ITO / Ag / IZO, have. The lower electrode 486 and the upper electrode 487 may include different materials. One of the upper electrode 486 and the lower electrode 487 may be formed as a transparent electrode so that the light emitted from the light emitting layer 488 may be emitted to the outside in the direction of the transparent electrode.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 상기 기판(355)과 상기 제1 채널층(360) 사이에 배치된 제1 블랙 매트릭스(340)를 포함할 수 있다. 상기 제1 채널층(360)의 폭과 상기 제1 블랙 매트릭스(340)의 폭이 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(340)는 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(340)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)로 입사되는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a first black matrix 340 disposed between the substrate 355 and the first channel layer 360. The width of the first channel layer 360 and the width of the first black matrix 340 may be the same. The first black matrix 340 may be provided as a single layer or multiple layers including at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials, and organic materials. The first black matrix 340 may block light incident on the switching thin film transistor 330. Accordingly, it is possible to prevent the switching thin film transistor 330 from being deteriorated due to a photo current or the like.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 상기 기판(355)과 상기 제2 채널층(460) 사이에 배치된 제2 블랙 매트릭스(440)를 포함할 수 있다. 상기 제2 채널층(460)의 폭과 상기 제2 블랙 매트릭스(440)의 폭이 같게 제공될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(440)는 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(440)는 상기 구동 박막 트랜지스터(430)로 입사되는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 구동 박막 트랜지스터(430)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include a second black matrix 440 disposed between the substrate 355 and the second channel layer 460. The width of the second channel layer 460 and the width of the second black matrix 440 may be the same. The second black matrix 440 may be provided as a single layer or multiple layers including at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials and organic materials. The second black matrix 440 may block light incident on the driving thin film transistor 430. Accordingly, it is possible to prevent the driving thin film transistor 430 from being deteriorated by a photo current or the like.

실시 예에 의하면, 상기 기판(355)과 상기 제1 채널층(360) 사이에 상기 본딩층(350)이 배치될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)과 상기 제1 블랙 매트릭스(340) 사이에 배치될 수 있다. 상기 기판(355)과 상기 제2 채널층(460) 사이에 상기 본딩층(350)이 배치될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)과 상기 제2 블랙 매트릭스(440) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)의 전체 영역 위에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the first channel layer 360. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the first black matrix 340. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the second channel layer 460. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the second black matrix 440. For example, the bonding layer 350 may be disposed over the entire area of the substrate 355.

도 45는 도 42 내지 도 44를 참조하여 설명된 박막 트랜지스터 기판에 있어서 하나의 화소를 등가적으로 나타낸 회로도이다.45 is a circuit diagram equivalent to one pixel in the thin film transistor substrate described with reference to FIGS. 42 to 44. FIG.

도 45에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 화소는 유기발광다이오드(OLED), 서로 교차하는 데이터 라인(D) 및 게이트 라인(G), 상기 게이트 라인(G) 상의 스캔 펄스(SP)에 데이터를 화소에 순차적으로 전달하기 위한 스위칭 박막 트랜지스터(330), 게이트 및 소스 단자 사이의 전압에 의해 전류를 생성하는 구동 박막 트랜지스터(430), 데이터를 저장하여 일정 시간 동안 유지하기 위한 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 이와 같이 두 개의 트랜지스터(330, 430)와 한 개의 커패시터(Cst)로 구성된 구조를 간단히 2T-1C 구조라고 할 수 있다. 45, a pixel of a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode (OLED), data lines D and gate lines G intersecting with each other, A switching thin film transistor 330 for sequentially transmitting data to the pixels in the scan pulse SP, a driving thin film transistor 430 for generating a current by a voltage between the gate and the source terminals, And a storage capacitor (Cst) for storing data. The structure consisting of the two transistors 330 and 430 and one capacitor Cst can be simply referred to as a 2T-1C structure.

상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)는 게이트 라인(G)으로부터의 스캔 펄스(SP)에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)의 게이트 온 타임 기간 동안 데이터 라인(D)으로부터의 데이터전압은 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)의 소스전극과 드레인전극을 경유하여 상기 구동 박막 트랜지스터(430)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가된다. 상기 구동 박막 트랜지스터(430)는 자신의 게이트전극과 소스전극 간의 차 전압에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 자신의 일측 전극에 인가된 데이터전압을 저장함으로써 상기 구동 박막 트랜지스터(430)의 게이트전극에 공급되는 전압을 한 프레임 기간 동안 일정하게 유지시킨다. 상기 구동 박막 트랜지스터(430)의 소스전극에는 구동 전원배선(VDD)이 연결될 수 있다. 도 45와 같은 구조로 구현되는 유기발광다이오드(OLED)는 상기 구동 박막 트랜지스터(430)의 드레인전극과 저전위 구동전압원(VSS) 사이에 접속될 수 있다. 또한, 유기발광다이오드(OLED)는 상기 구동 박막 트랜지스터(430)의 소스전극과 구동 전원배선(VDD) 사이에 접속되어 배치될 수도 있다.The switching thin film transistor 330 turns on in response to the scan pulse SP from the gate line G, thereby conducting a current path between the source electrode and the drain electrode. The data voltage from the data line D during the gate on time of the switching TFT 330 is applied to the gate electrode of the driving TFT 430 through the source and drain electrodes of the switching TFT 330 And is applied to the storage capacitor Cst. The driving thin film transistor 430 controls the current flowing in the organic light emitting diode OLED according to the difference voltage between its gate electrode and the source electrode. The storage capacitor Cst maintains the voltage supplied to the gate electrode of the driving thin film transistor 430 constant for one frame period by storing the data voltage applied to one electrode of the storage capacitor Cst. A driving power supply line VDD may be connected to a source electrode of the driving TFT 430. An organic light emitting diode (OLED) having a structure as shown in FIG. 45 may be connected between a drain electrode of the driving thin film transistor 430 and a low potential driving voltage source (VSS). The organic light emitting diode OLED may be connected between the source electrode of the driving thin film transistor 430 and the driving power supply line VDD.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 46은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 46을 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 45를 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 도 46에 도시된 실시 예는 도 42 내지 도 45를 참조하여 설명된 박막 트랜지스터 기판 대비하여 본딩층 구조에 차이가 있다.46 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 46, description of the thin film transistor substrate according to the embodiment may be omitted from the overlapping with the portions described with reference to FIGS. 1 to 45. FIG. The embodiment shown in FIG. 46 differs from the thin film transistor substrate described with reference to FIGS. 42 to 45 in the bonding layer structure.

도 46에 도시된 바와 같이, 상기 기판(355) 위에 제1 본딩층(353)과 제2 본딩층(453)이 제공될 수 있다. 상기 제1 본딩층(353)은 상기 기판(355)과 상기 제1 블랙 매트릭스(340) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩층(353)의 폭은 상기 제1 블랙 매트릭스(340)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩층(353)의 폭은 상기 제1 채널층(360)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 제2 본딩층(453)은 상기 기판(355)과 상기 제2 블랙 매트릭스(440) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩층(453)의 폭은 상기 제2 블랙 매트릭스(440)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩층(453)의 폭은 상기 제2 채널층(460)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다.As shown in FIG. 46, a first bonding layer 353 and a second bonding layer 453 may be provided on the substrate 355. The first bonding layer 353 may be disposed between the substrate 355 and the first black matrix 340. For example, the width of the first bonding layer 353 may be equal to the width of the first black matrix 340. For example, the width of the first bonding layer 353 may be equal to the width of the first channel layer 360. The second bonding layer 453 may be disposed between the substrate 355 and the second black matrix 440. For example, the width of the second bonding layer 453 may be equal to the width of the second black matrix 440. For example, the width of the second bonding layer 453 may be equal to the width of the second channel layer 460.

실시 예에 의하면, 상기 기판(355) 위에 상기 제2 보호막(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 보호막(322)의 하부면이 상기 기판(355)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩층(353)이 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(322)이 상기 기판(355)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩층(453)이 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(322)이 상기 기판(355)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 322 may be disposed on the substrate 355. The lower surface of the second protective film 322 may be disposed in contact with the upper surface of the substrate 355. In the region where the first bonding layer 353 is not provided, the second protective film 322 may be disposed in direct contact with the substrate 355. In the region where the second bonding layer 453 is not provided, the second protective film 322 may be disposed in direct contact with the substrate 355.

이와 같이, 도 46에 도시된 실시 예에 의하면, 도 43에 도시된 실시 예에 비하여, 상기 제2 보호막(322)과 상기 기판(355)이 직접 접촉되어 배치될 수 있게 되므로, 상기 제2 보호막(322)과 상기 기판(355) 사이에 제공되는 층(예로서, 도 43에 도시된 본딩층)을 배제시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 빛이 진행되는 광 경로 상에 이종 물질층 간의 경계면이 줄어 들게 되므로 경계면에서의 반사/굴절 등에 의한 광손실을 줄일 수 있게 된다.46, since the second protective film 322 and the substrate 355 can be disposed in direct contact with each other, as compared with the embodiment shown in FIG. 43, (For example, the bonding layer shown in Fig. 43) provided between the substrate 322 and the substrate 355 can be excluded. Thus, according to the embodiment, since the interface between the different material layers is reduced on the light path, the light loss due to reflection / refraction at the interface can be reduced.

실시 예에 따른 상기 제1 본딩층(353)과 상기 제2 본딩층(453)은 예로서 반사층, 메탈본딩층, 유기본딩층, 절연층을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 상기 기판(355) 위에 배치될 수 있으며, 상기 메탈본딩층은 상기 반사층 위에 배치되고, 상기 절연층은 상기 메탈본딩층 위에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩층(353)과 상기 제2 본딩층(453)은 상기 메탈본딩층과 상기 유기본딩층 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 반사층과 상기 절연층은 선택적으로 포함할 수도 있다.The first bonding layer 353 and the second bonding layer 453 may include a reflective layer, a metal bonding layer, an organic bonding layer, and an insulating layer. The reflective layer may be disposed on the substrate 355, the metal bonding layer may be disposed on the reflective layer, and the insulating layer may be disposed on the metal bonding layer. For example, the first bonding layer 353 and the second bonding layer 453 may include at least one of the metal bonding layer and the organic bonding layer, and the reflective layer and the insulating layer may be selectively included It is possible.

상기 절연층은 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)의 누설 특성을 보완해 줄 수 있다. 예로서, 상기 절연층은 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The insulating layer may compensate leakage characteristics of the first channel layer 360 and the second channel layer 460. By way of example, the insulating layer may comprise a single layer or multiple layers comprising at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide comprising Al 2 O 3 , or an organic insulating material.

상기 메탈본딩층 또는 상기 유기본딩층은 아래에 배치된 상기 기판(355)과의 접착을 위하여 제공될 수 있다. 예로서, 상기 메탈본딩층은 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 니켈(Ni), 은(Ag), 구리(Cu)를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 유기본딩층은 아크릴, 벤조시크롤부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.The metal bonding layer or the organic bonding layer may be provided for bonding with the substrate 355 disposed below. For example, the metal bonding layer may include at least one material selected from the group consisting of gold (Au), tin (Sn), indium (In), nickel (Ni), silver (Ag) . ≪ / RTI > For example, the organic bonding layer may comprise at least one material selected from the group consisting of acrylic, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like.

상기 반사층은 상기 본딩층에서의 광 흡수를 줄여줄 수 있다. 예로서, 상기 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 로듐(Rh)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 예로서 반사특성이 60%를 넘는 물질로 제공될 수 있다.The reflective layer may reduce light absorption in the bonding layer. For example, the reflective layer may include at least one material or alloy selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), and rhodium (Rh). The reflective layer may be provided as a material having a reflection characteristic of more than 60%, for example.

한편 실시 예에 의하면, 예로서 상기 제1 본딩층(353)과 상기 제2 본딩층(453)이 상기 메탈본딩층과 상기 반사층을 포함하는 경우, 상기 제1 블랙매트릭스(340)와 상기 제2 블랙매트릭스(440)는 생략될 수도 있다.According to the embodiment, when the first bonding layer 353 and the second bonding layer 453 include the metal bonding layer and the reflective layer, for example, the first black matrix 340 and the second The black matrix 440 may be omitted.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 47은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 47을 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 46을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 도 47에 도시된 실시 예는 도 45 대비하여 트랜스퍼 공정이 적용되지 않고 성장기판 위에 박막 트랜지스터가 제공되는 점에 차이가 있다.47 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 47, the description of the thin film transistor substrate according to the embodiment may be omitted from those of FIGS. 1 to 46. The embodiment shown in FIG. 47 differs from FIG. 45 in that a transfer process is not applied and a thin film transistor is provided on a growth substrate.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 47에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼 공정에 이용되는 지지기판 대신에 성장기판(310)을 기판으로서 포함할 수 있다. 상기 성장기판(310)은 예를 들어, 사파이어(Sapphire), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a growth substrate 310 as a substrate in place of the support substrate used in the transfer process, as shown in Fig. The growth substrate 310 may include at least one of, for example, sapphire, SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge.

상기 성장기판(310) 위에 제1 블랙 매트릭스(345)와 제2 블랙 매트릭스(445)가 배치될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(345)는 상기 성장기판(310) 위에 배치되어 상기 제1 채널층(360)으로 빛이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(345)는 예로서 가시광선을 흡수하거나 반사하는 물질로 구현될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 상기 제1 채널층(360)으로 빛이 입사되어 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)가 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다. 상기 제2 블랙 매트릭스(445)는 상기 성장기판(310) 위에 배치되어 상기 제2 채널층(460)으로 빛이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(445)는 예로서 가시광선을 흡수하거나 반사하는 물질로 구현될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 상기 제2 채널층(460)으로 빛이 입사되어 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 구동 박막 트랜지스터(430)가 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다.A first black matrix 345 and a second black matrix 445 may be disposed on the growth substrate 310. The first black matrix 345 may be disposed on the growth substrate 310 to prevent light from entering the first channel layer 360. The first black matrix 345 may be embodied as a material that absorbs or reflects visible light, for example. Accordingly, according to the embodiment, light can be incident on the first channel layer 360, and the switching thin film transistor 330 can be prevented from deteriorating due to photo current or the like. The second black matrix 445 may be disposed on the growth substrate 310 to prevent light from being incident on the second channel layer 460. The second black matrix 445 may be embodied as a material that absorbs or reflects visible light, for example. Accordingly, according to the embodiment, light can be incident on the second channel layer 460, and the driving thin film transistor 430 can be prevented from deteriorating due to a photo current or the like.

예로서, 상기 제1 블랙 매트릭스(345)와 상기 제2 블랙 매트릭스(445)는 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(345)와 상기 제2 블랙 매트릭스(445)는 Si, GaAs 등의 물질을 선택적으로 포함할 수 있다.For example, the first black matrix 345 and the second black matrix 445 may be a single layer or multi-layer structure including at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al- Layer. ≪ / RTI > The first black matrix 345 and the second black matrix 445 may selectively include a material such as Si or GaAs.

실시 예에 의하면, 상기 제1 블랙 매트릭스(345) 위에 제1 버퍼층(347)이 제공될 수 있다. 상기 제1 버퍼층(347)은 상기 제1 블랙 매트릭스(345)와 상기 제1 채널층(360) 사이에 제공될 수 있다. 상기 제1 버퍼층(347)은 상기 제1 채널층(360)을 구성하는 질화물 반도체층의 성장을 도울 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(445) 위에 제2 버퍼층(447)이 제공될 수 있다. 상기 제2 버퍼층(447)은 상기 제2 블랙 매트릭스(445)와 상기 제2 채널층(460) 사이에 제공될 수 있다. 상기 제2 버퍼층(447)은 상기 제2 채널층(460)을 구성하는 질화물 반도체층의 성장을 도울 수 있다. 예로서, 상기 제1 버퍼층(347)과 상기 제2 버퍼층(447)은 AlN, AlInN, AlGaN을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.According to an embodiment, a first buffer layer 347 may be provided on the first black matrix 345. The first buffer layer 347 may be provided between the first black matrix 345 and the first channel layer 360. The first buffer layer 347 may help to grow the nitride semiconductor layer constituting the first channel layer 360. A second buffer layer 447 may be provided on the second black matrix 445. The second buffer layer 447 may be provided between the second black matrix 445 and the second channel layer 460. The second buffer layer 447 may help to grow the nitride semiconductor layer constituting the second channel layer 460. For example, the first buffer layer 347 and the second buffer layer 447 may include a single layer or multiple layers including at least one material selected from the group consisting of AlN, AlInN, and AlGaN.

예로서, 상기 제1 블랙 매트릭스(345)의 폭은 상기 제1 버퍼층(347)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 블랙 매트릭스(345)의 폭은 상기 제1 채널층(360)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 제1 버퍼층(347)의 폭은 상기 제1 채널층(360)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(445)의 폭은 상기 제2 버퍼층(447)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 블랙 매트릭스(445)의 폭은 상기 제2 채널층(460)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 제2 버퍼층(447)의 폭은 상기 제2 채널층(460)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다.For example, the width of the first black matrix 345 may be equal to the width of the first buffer layer 347. For example, the width of the first black matrix 345 may be equal to the width of the first channel layer 360. The width of the first buffer layer 347 may be equal to the width of the first channel layer 360. The width of the second black matrix 445 may be equal to the width of the second buffer layer 447. For example, the width of the second black matrix 445 may be equal to the width of the second channel layer 460. The width of the second buffer layer 447 may be equal to the width of the second channel layer 460.

실시 예에 의하면, 상기 성장기판(310) 위에 상기 제2 보호막(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 보호막(322)의 하부면이 상기 성장기판(310)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(345)와 상기 제2 블랙 매트릭스(445)가 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(322)이 상기 성장기판(310)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 322 may be disposed on the growth substrate 310. The lower surface of the second protective film 322 may be disposed in contact with the upper surface of the growth substrate 310. The second protective layer 322 may be disposed in direct contact with the growth substrate 310 in an area where the first black matrix 345 and the second black matrix 445 are not provided.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 48은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 48은 도 42에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 D-D 선에 따른 단면도이다. 도 48에 도시된 박막 트랜지스터 기판은 이중 게이트 구조를 갖는 스위칭 박막 트랜지스터가 적용된 실시 예로서 도 1 내지 도 47을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 48 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. FIG. 48 is a cross-sectional view taken along the line D-D of the thin film transistor substrate shown in FIG. The thin film transistor substrate shown in FIG. 48 is an embodiment in which a switching thin film transistor having a double gate structure is applied, and description overlapping with those described in FIGS. 1 to 47 may be omitted.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 스위칭 박막 트랜지스터(530)와 구동 박막 트랜지스터(630)을 포함할 수 있다. 상기 스위칭 박막 트랜지스터(530)는 게이트 라인(341)과 데이터 라인(373)으로부터 신호를 인가 받을 수 있으며, 해당 화소에 게이트 신호 및 데이터 신호를 제공할 수 있다. 상기 구동 박막 트랜지스터(630)의 게이트 전극(635)은 상기 스위칭 박막 트랜지스터(530)의 드레인 전극(372)과 전기적으로 연결될 수 있다. The thin film transistor substrate according to an embodiment may include a switching thin film transistor 530 and a driving thin film transistor 630. The switching thin film transistor 530 can receive a signal from the gate line 341 and the data line 373 and can provide a gate signal and a data signal to the pixel. The gate electrode 635 of the driving thin film transistor 630 may be electrically connected to the drain electrode 372 of the switching thin film transistor 530.

본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 48에 도시된 바와 같이, 기판(355)과 상기 기판(355) 위에 배치된 상기 스위칭 박막 트랜지스터(530), 상기 구동 박막 트랜지스터(630), 상기 구동 박막 트랜지스터(630)에 전기적으로 연결된 발광층(488)을 포함할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention may include a substrate 355 and the switching thin film transistor 530, the driving thin film transistor 630, And a light emitting layer 488 electrically connected to the driving thin film transistor 630.

실시 예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터(530)는 제1 디플리션 형성층(depletion forming layer, 315), 제1 게이트 전극(535), 제1 이중 게이트 전극(536), 제1 채널층(360), 제1 소스 전극(371), 제1 드레인 전극(372)을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 채널층(360)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 채널층(360)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 채널층(360)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(535)은 상기 제1 채널층(360) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 이중 게이트 전극(536)은 상기 제1 채널층(360) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)은 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역과 제2 영역 사이 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)은 상기 제1 채널층(360)과 상기 제1 게이트 전극(535) 사이에 배치될 수 있다.The switching thin film transistor 530 according to the embodiment includes a first depletion forming layer 315, a first gate electrode 535, a first double gate electrode 536, a first channel layer 360, A first source electrode 371, and a first drain electrode 372. The first source electrode 371 may be electrically connected to a first region of the first channel layer 360. The first source electrode 371 may be electrically connected to the upper surface of the first channel layer 360. The first drain electrode 372 may be electrically connected to a second region of the first channel layer 360. The first drain electrode 372 may be electrically connected to the upper surface of the first channel layer 360. The first gate electrode 535 may be disposed on the first channel layer 360. The first double gate electrode 536 may be disposed under the first channel layer 360. The first depletion layer 315 may be disposed between the first and second regions of the first channel layer 360. The first depletion layer 315 may be disposed between the first channel layer 360 and the first gate electrode 535.

실시 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(630)는 제2 디플리션 형성층(depletion forming layer, 415), 제2 게이트 전극(635), 제2 이중 게이트 전극(636), 제2 채널층(460), 제2 소스 전극(471), 제2 드레인 전극(472)을 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 채널층(460)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 채널층(460)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 채널층(460)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(635)은 상기 제2 채널층(460) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역과 제2 영역 사이 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 상기 제2 채널층(460)과 상기 제2 게이트 전극(635) 사이에 배치될 수 있다.The driving thin film transistor 630 according to the embodiment includes a second depletion forming layer 415, a second gate electrode 635, a second double gate electrode 636, a second channel layer 460, A second source electrode 471, and a second drain electrode 472. [ The second source electrode 471 may be electrically connected to the first region of the second channel layer 460. The second source electrode 471 may be electrically connected to the upper surface of the second channel layer 460. The second drain electrode 472 may be electrically connected to a second region of the second channel layer 460. The second drain electrode 472 may be electrically connected to the upper surface of the second channel layer 460. The second gate electrode 635 may be disposed on the second channel layer 460. The second depletion layer 415 may be disposed between the first and second regions of the second channel layer 460. The second depletion layer 415 may be disposed between the second channel layer 460 and the second gate electrode 635.

상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)은 예로서 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)은 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.The first channel layer 360 and the second channel layer 460 may be formed of a Group III-V compound semiconductor, for example. For example, the first channel layer 360 and the second channel layer 460 may be formed of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Lt; RTI ID = 0.0 > of < / RTI > The first channel layer 360 and the second channel layer 460 may be a single layer or multiple layers selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, Layer. The first channel layer 360 and the second channel layer 460 may be formed of different materials.

상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460) 각각은 제1 질화물 반도체층(361, 461)과 제2 질화물 반도체층(362, 462)을 포함할 수 있다. 상기 제1 질화물 반도체층(361. 461)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(362, 462)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. Each of the first channel layer 360 and the second channel layer 460 may include first and second nitride semiconductor layers 361 and 461 and second nitride semiconductor layers 362 and 462. The first nitride semiconductor layer 361 461 has a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) Semiconductor material. The second nitride semiconductor layers 362 and 462 have a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) Semiconductor material.

실시 예에 따른 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)에 의하면, 상기 제1 질화물 반도체층(361, 461)이 GaN 반도체층을 포함하고, 상기 제2 질화물 반도체층(362, 462)이 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 채널층(360)의 상기 제2 질화물 반도체층(362)은 상기 제1 질화물 반도체층(361)과 상기 제1 디플리션 형성층(315) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 채널층(460)의 상기 제2 질화물 반도체층(462)은 상기 제1 질화물 반도체층(461)과 상기 제2 디플리션 형성층(415) 사이에 배치될 수 있다.According to the first channel layer 360 and the second channel layer 460 according to the embodiment, the first nitride semiconductor layers 361 and 461 include GaN semiconductor layers, and the second nitride semiconductor layers 362, and 462 may include an AlGaN semiconductor layer. The second nitride semiconductor layer 362 of the first channel layer 360 may be disposed between the first nitride semiconductor layer 361 and the first depletion-forming layer 315. The second nitride semiconductor layer 462 of the second channel layer 460 may be disposed between the first nitride semiconductor layer 461 and the second depletion-forming layer 415.

상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 예로서 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 p형 도펀트가 첨가된 질화물 반도체층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 p형 도펀트가 첨가된 GaN 반도체층 또는 p형 도펀트가 첨가된 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 예컨대, p-AlxGa1-xN (0≤x≤0.3)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. The first and second depletion-forming layers 315 and 415 may be formed of, for example, Group III-V compound semiconductors. For example, the first depletion-forming layer 315 and the second depletion-forming layer 415 is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤ x + y < / = 1). The first depletion layer 315 and the second depletion layer 415 may be formed of a material selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, Single layer or multiple layers. The first and second depletion-forming layers 315 and 415 may include a nitride semiconductor layer doped with a p-type dopant. For example, the first and second depletion-forming layers 315 and 415 may include a GaN semiconductor layer doped with a p-type dopant or an AlGaN semiconductor layer doped with a p-type dopant. The first and second depletion-forming layers 315 and 415 may be formed of a single material, for example, a semiconductor material having a composition formula of p-Al x Ga 1-x N (0? X ? 0.3) Layer or multiple layers.

상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 예로서 2~300nm의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)에 제공된 2차원 전자가스(2DEG)에 디플리션 영역(depletion region)을 제공하기 위하여 적어도 2nm의 두께로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 제조공정에 따른 두께 편차를 고려하여 30nm 이상의 두께로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 제조공정에 따른 두께 편차를 고려하여 200nm 이하의 두께로 제공될 수도 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 예로서 50~100nm의 두께로 제공될 수도 있다.The first and second depletion-forming layers 315 and 415 may be provided with a thickness of, for example, 2 to 300 nm. The first depletion layer 315 and the second depletion layer 415 are formed on the two-dimensional electron gas (2DEG) provided in the first channel layer 360 and the second channel layer 460, May be provided to a thickness of at least 2 nm to provide a depletion region. In addition, the first and second deformation-forming layers 315 and 415 may be provided with a thickness of 30 nm or more in consideration of the thickness variation according to the manufacturing process. In addition, the first and second depletion-forming layers 315 and 415 may be provided with a thickness of 200 nm or less in consideration of the thickness variation according to the manufacturing process. The first depletion-imparting layer 315 and the second depletion-forming layer 415 may be provided in a thickness of 50 to 100 nm, for example.

상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)에 첨가된 물질과 첨가된 물질의 첨가량은 서로 다를 수 있다.The first and second depletion-forming layers 315 and 415 may include different materials. The addition amount of the substance added to the first depletion generation layer 315 and the amount of the added substance to the second depletion formation layer 415 may be different from each other.

상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)은 상기 제1 채녈층(360)과 상기 제2 채널층(460)에 제공된 2차원 전자가스(2DEG)에 디플리션 영역(depletion region)을 형성하는 역할을 할 수 있다. 상기 제1 디플리션 형성층(315)에 의해 그 아래에 위치하는 제2 질화물 반도체층(362) 부분의 에너지 밴드갭(energy bandgap)이 높아질 수 있고, 그 결과 상기 제1 디플리션 형성층(315)에 대응하는 상기 제1 채널층(360) 부분에 2차원 전자가스(2DEG)의 디플리션 영역이 제공될 수 있다. 따라서, 상기 제1 채널층(360)에 제공되는 2차원 전자가스(2DEG) 중 상기 제1 디플리션 형성층(315)이 배치된 위치에 대응되는 영역은 끊어질 수 있다. 상기 제1 채널층(360)에서 2차원 전자가스(2DEG)가 끊어진 영역을 단절영역이라 할 수 있으며, 예로서 상기 제2 질화물 반도체층(362)에 단절영역이 형성될 수 있다. 이러한 단절영역에 의해 상기 스위칭 박막 트랜지스터(530)는 노멀리-오프(normally-off) 특성을 가질 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(535)에 문턱 전압(threshold voltage) 이상의 전압을 인가하면, 단절영역에 2차원 전자가스(2DEG)가 생성되어, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(530)가 온 상태가 된다. 상기 제1 게이트 전극(535)의 하부에 형성된 채널이 온 상태가 되면 상기 제1 채널층(360)에 형성된 2차원 전자가스(2DEG)를 경유하여 전류가 흐를 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 게이트 전극(535)과 상기 제1 이중 게이트 전극(536)에 인가되는 전압에 따라 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역으로부터 제2 영역으로의 전류 흐름이 제어될 수 있게 된다. 상기 제2 디플리션 형성층(415)에 의해 그 아래에 위치하는 제2 질화물 반도체층(462) 부분의 에너지 밴드갭(energy bandgap)이 높아질 수 있고, 그 결과 상기 제2 디플리션 형성층(415)에 대응하는 상기 제2 채널층(460) 부분에 2차원 전자가스(2DEG)의 디플리션 영역이 제공될 수 있다. 따라서, 상기 제2 채널층(460)에 제공되는 2차원 전자가스(2DEG) 중 상기 제2 디플리션 형성층(415)이 배치된 위치에 대응되는 영역은 끊어질 수 있다. 상기 제2 채널층(460)에서 2차원 전자가스(2DEG)가 끊어진 영역을 단절영역이라 할 수 있으며, 예로서 상기 제2 질화물 반도체층(462)에 단절영역이 형성될 수 있다. 이러한 단절영역에 의해 상기 구동 박막 트랜지스터(630)는 노멀리-오프(normally-off) 특성을 가질 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(635)에 문턱 전압(threshold voltage) 이상의 전압을 인가하면, 단절영역에 2차원 전자가스(2DEG)가 생성되어, 상기 구동 박막 트랜지스터(630)가 온 상태가 된다. 상기 제2 게이트 전극(635)의 하부에 형성된 채널이 온 상태가 되면 상기 제2 채널층(460)에 형성된 2차원 전자가스(2DEG)를 경유하여 전류가 흐를 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제2 게이트 전극(635)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636)에 인가되는 전압에 따라 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역으로부터 제2 영역으로의 전류 흐름이 제어될 수 있게 된다.The first depletion layer 315 and the second depletion layer 415 are formed on the second channel layer 460 and the second channel layer 460. The first and second depletion- And can form a depletion region. The energy band gap of the portion of the second nitride semiconductor layer 362 located under the first depletion layer 315 can be increased by the first depletion layer 315, (2DEG) may be provided in the portion of the first channel layer 360 corresponding to the second channel layer 360. [ Therefore, the region corresponding to the position where the first depletion-imparting layer 315 is disposed in the two-dimensional electron gas (2DEG) provided in the first channel layer 360 may be broken. The region where the two-dimensional electron gas (2DEG) is broken in the first channel layer 360 may be referred to as a cut-off region. For example, a cut-off region may be formed in the second nitride semiconductor layer 362. The switching thin film transistor 530 may have a normally-off characteristic by the cut-off region. When a voltage equal to or higher than a threshold voltage is applied to the first gate electrode 535, a two-dimensional electron gas (2DEG) is generated in the cut-off region, and the switching thin film transistor 530 is turned on. When the channel formed below the first gate electrode 535 is turned on, a current can flow through the two-dimensional electron gas (2DEG) formed on the first channel layer 360. Accordingly, current flow from the first region to the second region of the first channel layer 360 is controlled according to the voltage applied to the first gate electrode 535 and the first double gate electrode 536 . The energy band gap of the portion of the second nitride semiconductor layer 462 located under the second depletion layer 415 can be increased and the energy band gap of the second depletion layer 415 The second channel layer 460 corresponding to the second channel layer 460 may be provided with a depletion region of the two-dimensional electron gas (2DEG). Accordingly, a region of the two-dimensional electron gas (2DEG) provided in the second channel layer 460 corresponding to the position where the second depletion-imparting layer 415 is disposed may be broken. A region where the two-dimensional electron gas (2DEG) is broken in the second channel layer 460 may be referred to as a cut-off region. For example, a cut-off region may be formed in the second nitride semiconductor layer 462. The driving thin film transistor 630 may have a normally-off characteristic by the cut-off region. When a voltage equal to or higher than a threshold voltage is applied to the second gate electrode 635, a two-dimensional electron gas (2DEG) is generated in the cut-off region, and the driving thin film transistor 630 is turned on. When the channel formed below the second gate electrode 635 is turned on, a current can flow through the two-dimensional electron gas (2DEG) formed in the second channel layer 460. Accordingly, current flow from the first region to the second region of the second channel layer 460 is controlled according to the voltage applied to the second gate electrode 635 and the second double gate electrode 636 .

본 실시 예에 의하면, 상기 제1 채널층(360) 아래에 상기 제1 이중 게이트 전극(536)이 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(535)과 상기 제1 이중 게이트 전극(536)은 수직 방향에서 서로 중첩되어 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 채널층(360)의 하부 및 상부에 상기 제1 게이트 전극(535)과 상기 제1 이중 게이트 전극(536)이 배치됨에 따라 상기 제1 채널층(360)에서의 전류의 흐름을 효율적이고 신뢰성 있게 조절할 수 있게 된다. 상기 제2 채널층(460) 아래에 상기 제2 이중 게이트 전극(636)이 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(635)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636)은 수직 방향에서 서로 중첩되어 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 채널층(460)의 하부 및 상부에 상기 제2 게이트 전극(635)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636)이 배치됨에 따라 상기 제2 채널층(460)에서의 전류의 흐름을 효율적이고 신뢰성 있게 조절할 수 있게 된다.According to the present embodiment, the first double gate electrode 536 may be disposed under the first channel layer 360. The first gate electrode 535 and the first double gate electrode 536 may be overlapped with each other in the vertical direction. The first gate electrode 535 and the first double gate electrode 536 are disposed on the lower portion and the upper portion of the first channel layer 360 and the first gate electrode 535 and the first double gate electrode 536 are disposed on the first channel layer 360, The current flow can be controlled efficiently and reliably. The second double gate electrode 636 may be disposed under the second channel layer 460. The second gate electrode 635 and the second double gate electrode 636 may be overlapped with each other in the vertical direction. The second gate electrode 635 and the second double gate electrode 636 may be disposed on the lower and upper portions of the second channel layer 460. In this case, The current flow can be controlled efficiently and reliably.

한편, 도 48을 참조하여 실시 예를 설명함에 있어, 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 상기 구동 박막 트랜지스터가 모두 이중 게이트 구조로 제공되는 경우를 기준으로 설명하였으나, 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 상기 구동 박막 트랜지스터 중에서 적어도 하나가 이중 게이트 구조로 제공될 수도 있다.48, the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are both provided in a double gate structure. However, at least one of the switching thin film transistor and the driving thin film transistor May be provided as a double gate structure.

상기 기판(355)은 투명기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(355)은 예로서 0.1 mm 내지 3 mm의 두께를 갖는 투명기판으로 구현될 수 있다. 또한, 상기 기판(355)의 두께는 적용되는 표시장치의 용도 및 크기에 따라 변경될 수 있는 것으로서 0.4~1.1mm의 두께 범위 내에서 선택될 수도 있다. 예로서, 상기 기판(355)은 0.6~0.8mm의 두께로 제공될 수도 있다. 상기 기판(355)은 실리콘, 유리, 폴리이미드, 플라스틱을 포함하는 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. The substrate 355 may include a transparent substrate. The substrate 355 may be embodied as a transparent substrate having a thickness of, for example, 0.1 mm to 3 mm. In addition, the thickness of the substrate 355 may vary depending on the application and size of the display device to be applied, and may be selected within a thickness range of 0.4 to 1.1 mm. As an example, the substrate 355 may be provided in a thickness of 0.6 to 0.8 mm. The substrate 355 may include at least one material selected from materials including silicon, glass, polyimide, and plastic.

상기 기판(355)은 플렉시블 기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(355)은 트랜스퍼(transfer) 공정에서 적용되는 기판으로서 상기 스위칭 박막 트랜지스터(530)와 상기 구동 박막 트랜지스터(630)를 지지하는 역할을 수행한다. 또한, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 기판(355)과 상기 스위칭 박막 트랜지스터(530) 사이에 제공된 본딩층(350)을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)과 상기 구동 박막 트랜지스터(630) 사이에 배치될 수 있다.The substrate 355 may include a flexible substrate. The substrate 355 is a substrate to be used in a transfer process and supports the switching thin film transistor 530 and the driving thin film transistor 630. In addition, the thin film transistor substrate according to the embodiment may include a bonding layer 350 provided between the substrate 355 and the switching thin film transistor 530. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the driving thin film transistor 630.

상기 본딩층(350)은 유기물을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 투명물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 예로서 투과도가 70% 이상인 물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 아크릴, 벤조시클로부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 예로서 0.5~6㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 본딩층(350)의 두께는 선택된 물질 종류에 따라 차이가 있을 수 있으며 1~3㎛의 두께로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 본딩층(350)은 예로서 1.8~2.2㎛의 두께로 제공될 수도 있다.The bonding layer 350 may include an organic material. The bonding layer 350 may be formed of a transparent material. The bonding layer 350 may be formed of a material having a transmittance of 70% or more. The bonding layer 350 may include an organic insulating material. The bonding layer 350 may include at least one material selected from the group consisting of acryl, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like. The bonding layer 350 may be provided in a thickness of 0.5 to 6 mu m, for example. The thickness of the bonding layer 350 may vary depending on the selected type of material and may be 1 to 3 μm. In addition, the bonding layer 350 may be provided in a thickness of, for example, 1.8 to 2.2 μm.

실시 예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터(530)는 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역 위에 배치된 제1 소스 컨택부(331)와 상기 제1 채널층(360)의 제2 영역 위에 배치된 제1 드레인 컨택부(332)를 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 채널층(360)의 제2 영역에 접촉되어 배치될 수 있다.The switching thin film transistor 530 according to the embodiment includes a first source contact portion 331 disposed on a first region of the first channel layer 360 and a second source contact portion 332 disposed on a second region of the first channel layer 360 And may include a first drain contact portion 332. The first source contact portion 331 may be disposed in contact with the first region of the first channel layer 360. The first drain contact portion 332 may be disposed in contact with a second region of the first channel layer 360.

실시 예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터(530)는 상기 제1 게이트 전극(535) 위에 배치된 제1 게이트 배선(341)을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)은 상기 제1 게이트 전극(535)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)의 하부 면이 상기 제1 게이트 전극(535)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The switching thin film transistor 530 according to the embodiment may include a first gate wiring 341 disposed on the first gate electrode 535. The first gate wiring 341 may be electrically connected to the first gate electrode 535. The lower surface of the first gate wiring 341 may be disposed in contact with the upper surface of the first gate electrode 535.

상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 소스 컨택부(331)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 소스 컨택부(331)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 소스 컨택부(331)를 통하여 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 드레인 컨택부(332)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 드레인 컨택부(332)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 드레인 컨택부(332)를 통하여 상기 제1 채널층(360)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다.The first source electrode 371 may be electrically connected to the first source contact portion 331. The first source electrode 371 may be disposed in contact with the upper surface of the first source contact portion 331. For example, the first source electrode 371 may be electrically connected to the first region of the first channel layer 360 through the first source contact portion 331. The first drain electrode 372 may be electrically connected to the first drain contact 332. The first drain electrode 372 may be disposed in contact with the upper surface of the first drain contact 332. For example, the first drain electrode 372 may be electrically connected to a second region of the first channel layer 360 through the first drain contact portion 332.

실시 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(630)는 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역 위에 배치된 제2 소스 컨택부(431)와 상기 제2 채널층(460)의 제2 영역 위에 배치된 제2 드레인 컨택부(432)를 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제2 채널층(460)의 제2 영역에 접촉되어 배치될 수 있다.The driving thin film transistor 630 according to the embodiment includes a second source contact portion 431 disposed over the first region of the second channel layer 460 and a second source contact portion 432 disposed over the second region of the second channel layer 460 And a second drain contact portion 432. The second source contact portion 431 may be disposed in contact with the first region of the second channel layer 460. The second drain contact portion 432 may be disposed in contact with a second region of the second channel layer 460.

실시 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(630)는 상기 제2 게이트 전극(635) 위에 배치된 제2 게이트 배선(441)을 포함할 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)은 상기 제2 게이트 전극(635)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)의 하부 면이 상기 제2 게이트 전극(635)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The driving thin film transistor 630 according to the embodiment may include a second gate wiring 441 disposed on the second gate electrode 635. [ The second gate line 441 may be electrically connected to the second gate electrode 635. The lower surface of the second gate wiring 441 may be disposed in contact with the upper surface of the second gate electrode 635.

상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 소스 컨택부(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 소스 컨택부(431)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 소스 컨택부(431)를 통하여 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 드레인 컨택부(432)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 드레인 컨택부(432)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 드레인 컨택부(432)를 통하여 상기 제2 채널층(460)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다.The second source electrode 471 may be electrically connected to the second source contact portion 431. The second source electrode 471 may be disposed in contact with the upper surface of the second source contact portion 431. For example, the second source electrode 471 may be electrically connected to the first region of the second channel layer 460 through the second source contact portion 431. The second drain electrode 472 may be electrically connected to the second drain contact 432. The second drain electrode 472 may be disposed in contact with the upper surface of the second drain contact part 432. For example, the second drain electrode 472 may be electrically connected to a second region of the second channel layer 460 through the second drain contact portion 432.

상기 제1 소스 컨택부(331)와 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 채널층(360)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)와 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제2 질화물 반도체층(362)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)와 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제2 채널층(460)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)와 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제2 질화물 반도체층(462)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 소스 컨택부(331), 상기 제1 드레인 컨택부(332), 제2 소스 컨택부(431), 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331), 상기 제1 드레인 컨택부(332), 상기 제2 소스 컨택부(431), 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 예로서 0.1~1㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331), 상기 제1 드레인 컨택부(332), 상기 제2 소스 컨택부(431), 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 채널층(360) 및 상기 제2 채널층(460)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.The first source contact portion 331 and the first drain contact portion 332 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the first channel layer 360. The first source contact portion 331 and the first drain contact portion 332 may include a material that makes an ohmic contact with the second nitride semiconductor layer 362. The second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the second channel layer 460. [ The second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 may include a material that makes an ohmic contact with the second nitride semiconductor layer 462. For example, the first source contact portion 331, the first drain contact portion 332, the second source contact portion 431, and the second drain contact portion 432 may be formed of aluminum (Al), aluminum alloy The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of forming an Al alloy, tungsten (W), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), silver (Ag), silver alloy, At least any one material selected from the group consisting of chromium (Cr), titanium (Ti), titanium alloy, molybdenum tungsten (MoW), moly titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi) ≪ RTI ID = 0.0 > and / or < / RTI > The first source contact portion 331, the first drain contact portion 332, the second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 are provided with a thickness of, for example, . The first source contact portion 331, the first drain contact portion 332, the second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 are formed on the first channel layer 360, It is not necessary to perform the current diffusion function as a layer for contact with the second channel layer 460, and thus it may be provided with a thickness of 1 mu m or less.

상기 제1 게이트 전극(535)은 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(635)은 상기 제2 디플리션 형성층(415)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 예로서, 상기 제1 게이트 전극(535)과 상기 제2 게이트 전극(635)은 p형 질화물층과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(535)과 상기 제2 게이트 전극(635)은 텅스텐(W), 텅스텐실리콘(WSi2), 티타늄질소(TiN), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨질소(TaN), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(535)과 상기 제2 게이트 전극(635)은 예로서 0.1~1㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(535)과 상기 제2 게이트 전극(635)은 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.The first gate electrode 535 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the first depletion-forming layer 315. The second gate electrode 635 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the second depletion layer 415. For example, the first gate electrode 535 and the second gate electrode 635 may be formed of a material in ohmic contact with the p-type nitride layer. The first gate electrode 535 and the second gate electrode 635 may be formed of tungsten (W), tungsten silicon (WSi 2 ), titanium nitride (TiN), tantalum (Ta), tantalum nitrogen (TaN), palladium ), Nickel (Ni), platinum (Pt), or the like. The first gate electrode 535 and the second gate electrode 635 may be provided in a thickness of 0.1 to 1 占 퐉, for example. The first gate electrode 535 and the second gate electrode 635 function as a layer for contact between the first and second deformation formation layers 315 and 415, It may be provided at a thickness of 1 mu m or less.

상기 제1 게이트 배선(341)과 상기 제2 게이트 배선(441)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)과 상기 제2 게이트 배선(441)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)과 상기 제2 게이트 배선(441)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 제1 게이트 전극(535) 및 상기 제2 게이트 전극(635)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The first gate wiring 341 and the second gate wiring 441 may be formed of a metal such as aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), copper alloy, molybdenum ), Silver (Ag), silver alloy, gold (Au), gold alloy, chromium (Cr), titanium (Ti), titanium alloy, molybdenum tungsten And may include a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi). The first gate wiring 341 and the second gate wiring 441 may be provided in a thickness of 0.1 to 3 占 퐉, for example. Since the first gate wiring 341 and the second gate wiring 441 function to sequentially apply a voltage to the plurality of transistors, the first gate electrode 535 and the second gate electrode 445 It may be provided thicker than the thickness.

상기 제1 소스 전극(371), 상기 제1 드레인 전극(372), 상기 제2 소스 전극(471), 제2 드레인 전극(472)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371), 상기 제1 드레인 전극(372), 상기 제2 소스 전극(471), 제2 드레인 전극(472)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)과 상기 제2 소스 전극(471)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 제1 소스 컨택부(331) 및 상기 제2 소스 컨택부(431)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)과 상기 제2 드레인 전극(472)도 상기 제1 드레인 컨택부(332) 및 상기 제2 드레인 컨택부(432)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The first source electrode 371, the first drain electrode 372, the second source electrode 471 and the second drain electrode 472 may be formed of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W ), Copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), silver (Ag), silver alloy, gold (Au), gold alloy, chromium (Cr) A single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of Ti, Ti alloy, molybdenum (MoW), moly titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi) . ≪ / RTI > The first source electrode 371, the first drain electrode 372, the second source electrode 471 and the second drain electrode 472 may be provided with a thickness of 0.1 to 3 μm, for example. Since the first source electrode 371 and the second source electrode 471 function to sequentially apply a voltage to the plurality of transistors, the first source contact portion 331 and the second source contact portion 431 As compared to the thickness of the first layer. The first drain electrode 372 and the second drain electrode 472 may be provided thicker than the first drain contact portion 332 and the second drain contact portion 432.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460) 위에 배치된 제1 보호막(321, 421)을 포함할 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 상기 제1 채널층(360)의 상기 제2 질화물 반도체층(362) 및 상기 제2 채널층(460)의 제2 질화물 반도체층(462) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)의 하부 면은 상기 제1 채널층(360)의 상기 제2 질화물 반도체층(362) 및 상기 제2 채널층(460)의 제2 질화물 반도체층(462) 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 상기 제1 디플리션 형성층(315) 및 상기 제2 디플리션 형성층(415) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 상기 제1 디플리션 형성층(315)과 상기 제2 디플리션 형성층(415)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 상기 제1 디플리션 형성층(315)의 측면과 상기 제2 디플리션 형성층(415)의 측면을 감싸도록 배치될 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include first protective layers 321 and 421 disposed on the first channel layer 360 and the second channel layer 460. The first passivation layer 321 and 421 may be disposed on the second nitride semiconductor layer 362 of the first channel layer 360 and the second nitride semiconductor layer 462 of the second channel layer 460 have. The lower surfaces of the first protective films 321 and 421 are formed on the second nitride semiconductor layer 362 of the first channel layer 360 and the upper surface of the second nitride semiconductor layer 462 of the second channel layer 460 Can be placed in contact with the surface. The first protective films 321 and 421 may be disposed on the first and second depletion-forming layers 315 and 415, respectively. The first protective films 321 and 421 may be disposed on the side surfaces of the first and second depletion-forming layers 315 and 415, respectively. The first protective layers 321 and 421 may be disposed to surround the side surfaces of the first and second depletion-forming layers 315 and 415, respectively.

실시 예에 의하면, 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 보호막(321)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치되고 상기 제1 채널층(360)의 제1 영역에 접촉되어 제공될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 보호막(321)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치되고 상기 제1 채널층(360)의 제2 영역에 접촉되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first source contact portion 331 may be disposed through the first protective film 321. The first source contact portion 331 may be surrounded by the first protective layer 321. The first source contact portion 331 may be disposed through the first protective layer 321 and may be provided in contact with the first region of the first channel layer 360. The first drain contact part 332 may be disposed through the first protective film 321. The first drain contact portion 332 may be surrounded by the first protective layer 321. The first drain contact portion 332 may be disposed through the first passivation layer 321 and may be provided in contact with the second region of the first channel layer 360.

실시 예에 의하면, 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제1 보호막(421)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치되고 상기 제2 채널층(460)의 제1 영역에 접촉되어 제공될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 보호막(421)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치되고 상기 제2 채널층(460)의 제2 영역에 접촉되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, the second source contact portion 431 may be disposed to penetrate the first protective film 421. The second source contact portion 431 may be surrounded by the first protective layer 421. The second source contact portion 431 may be disposed through the first protective layer 421 and may be provided in contact with the first region of the second channel layer 460. The second drain contact portion 432 may be disposed through the first protective layer 421. The second drain contact portion 432 may be surrounded by the first protective layer 421. The second drain contact portion 432 may be disposed through the first protective layer 421 and may be provided in contact with the second region of the second channel layer 460.

상기 제1 보호막(321, 421)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The first protective films 321 and 421 may be formed of an insulating material. The first protective films 321 and 421 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 의하면, 상기 기판(355)과 상기 제1 보호막(321, 421) 위에 제2 보호막(322)이 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(535)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 게이트 전극(535)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(535)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 상기 제1 디플리션 형성층(315)에 접촉되어 배치될 수 있다, 예로서, 상기 제1 게이트 전극(535)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 상기 제1 디플리션 형성층(315)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)은 상기 제2 보호막(322) 위에 배치되어 상기 제1 게이트 전극(535)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(635)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 게이트 전극(635)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(635)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 상기 제2 디플리션 형성층(415)에 접촉되어 배치될 수 있다, 예로서, 상기 제2 게이트 전극(635)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 상기 제2 디플리션 형성층(415)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)은 상기 제2 보호막(322) 위에 배치되어 상기 제2 게이트 전극(635)과 전기적으로 연결될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 322 may be disposed on the substrate 355 and the first protective films 321 and 421. The first gate electrode 535 may be disposed through at least one of the first passivation layer 321 and the second passivation layer 322. For example, the first gate electrode 535 may be disposed through the first passivation layer 321 and the second passivation layer 322. The first gate electrode 535 may be disposed in contact with the first depletion layer 315 through at least one of the first protective layer 321 and the second protective layer 322. For example, The first gate electrode 535 may be disposed in contact with the first depletion layer 315 through the first protective layer 321 and the second protective layer 322. The first gate line 341 may be disposed on the second passivation layer 322 and may be electrically connected to the first gate electrode 535. The second gate electrode 635 may be disposed through at least one of the first passivation layer 321 and the second passivation layer 322. For example, the second gate electrode 635 may be disposed through the first passivation layer 321 and the second passivation layer 322. The second gate electrode 635 may be disposed in contact with the second depletion layer 415 through at least one of the first protective layer 321 and the second protective layer 322. For example, The second gate electrode 635 may be disposed in contact with the second depletion layer 415 through the first protective layer 321 and the second protective layer 322. The second gate line 441 may be disposed on the second passivation layer 322 and may be electrically connected to the second gate electrode 635.

상기 제2 보호막(322)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 보호막(322)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The second passivation layer 322 may be formed of an insulating material. The second passivation layer 322 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , .

실시 예에 의하면, 상기 제2 보호막(322) 위에 제3 보호막(323)이 배치될 수 있다. 상기 제3 보호막(323)은 상기 제2 보호막(322), 상기 제1 게이트 배선(341), 상기 제2 게이트 배선(441) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)은 상기 제1 게이트 전극(535) 위에 접촉되어 배치되고 상기 제3 보호막(323)에 의하여 둘러 싸여 제공될 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)은 상기 제2 게이트 전극(635) 위에 접촉되어 배치되고 상기 제3 보호막(323)에 의하여 둘러 싸여 제공될 수 있다.According to the embodiment, the third protective film 323 may be disposed on the second protective film 322. The third protective film 323 may be disposed on the second protective film 322, the first gate wiring 341, and the second gate wiring 441. The first gate line 341 may be disposed in contact with the first gate electrode 535 and may be provided surrounded by the third protective layer 323. The second gate line 441 may be disposed in contact with the second gate electrode 635 and surrounded by the third passivation layer 323.

상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제1 소스 컨택부(331)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제1 드레인 컨택부(332)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. The first source electrode 371 may be electrically connected to the first source contact portion 331 through the second protective layer 322 and the third protective layer 323. The first source electrode 371 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The first source electrode 371 may include a second region penetrating the third protective layer 323 and the second protective layer 322. The first drain electrode 372 may be electrically connected to the first drain contact 332 through the second protective layer 322 and the third protective layer 323. The first drain electrode 372 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The first drain electrode 372 may include a second region penetrating the third passivation layer 323 and the second passivation layer 322.

상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제2 소스 컨택부(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제2 드레인 컨택부(432)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다.The second source electrode 471 may be electrically connected to the second source contact portion 431 through the second protective layer 322 and the third protective layer 323. The second source electrode 471 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The second source electrode 471 may include a second region penetrating the third protective film 323 and the second protective film 322. The second drain electrode 472 may be electrically connected to the second drain contact 432 through the second passivation layer 322 and the third passivation layer 323. The second drain electrode 472 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The second drain electrode 472 may include a second region penetrating the third passivation layer 323 and the second passivation layer 322.

상기 제1 이중 게이트 전극(536)은 상기 제1 채널층(360) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 이중 게이트 전극(536)은 상기 제1 질화물 반도체층(361) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 이중 게이트 전극(536)과 상기 제1 채널층(360) 아래에 제6 보호막(526)이 배치될 수 있다. 상기 제1 이중 게이트 전극(536)은 상기 제1 채널층(360)의 하부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 이중 게이트 전극(536)은 상기 제1 질화물 반도체층(361)에 샤키 접촉(Schottky contact)될 수 있다. 상기 제1 이중 게이트 전극(536)은 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 팔라듐(Pd)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 샤키 접촉은 상기 제1 채널층(360)에 대한 플라즈마 처리(plasma treatment)에 의하여 구현될 수 있다. The first double gate electrode 536 may be disposed under the first channel layer 360. The first double gate electrode 536 may be disposed under the first nitride semiconductor layer 361. A sixth protective layer 526 may be disposed under the first double gate electrode 536 and the first channel layer 360. The first double gate electrode 536 may be disposed in contact with the lower surface of the first channel layer 360. The first double gate electrode 536 may be Schottky contact with the first nitride semiconductor layer 361. The first double gate electrode 536 may be a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of nickel (Ni), platinum (Pt), gold (Au), palladium . ≪ / RTI > By way of example, the sharkey contact may be implemented by plasma treatment of the first channel layer 360.

상기 제2 이중 게이트 전극(636)은 상기 제2 채널층(460) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 이중 게이트 전극(636)은 상기 제1 질화물 반도체층(461) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 이중 게이트 전극(636)과 상기 제2 채널층(460) 아래에 제6 보호막(626)이 배치될 수 있다. 상기 제2 이중 게이트 전극(636)은 상기 제2 채널층(460)의 하부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 이중 게이트 전극(636)은 상기 제1 질화물 반도체층(461)에 샤키 접촉(Schottky contact)될 수 있다. 상기 제2 이중 게이트 전극(636)은 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 팔라듐(Pd)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 샤키 접촉은 상기 제2 채널층(460)에 대한 플라즈마 처리(plasma treatment)에 의하여 구현될 수 있다.The second double gate electrode 636 may be disposed below the second channel layer 460. The second double gate electrode 636 may be disposed under the first nitride semiconductor layer 461. A sixth protective layer 626 may be disposed under the second double gate electrode 636 and the second channel layer 460. The second double gate electrode 636 may be disposed in contact with the lower surface of the second channel layer 460. The second double gate electrode 636 may be Schottky contact with the first nitride semiconductor layer 461. The second double gate electrode 636 may be a single layer or multiple layers including at least one material selected from the group consisting of nickel (Ni), platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd) . ≪ / RTI > By way of example, the sharkey contact may be implemented by plasma treatment of the second channel layer 460.

상기 제1 게이트 전극(535)과 상기 제1 이중 게이트 전극(536)은 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(635)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636)은 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 스위칭 박막 트랜지스터(530)의 상기 제2 드레인 전극(372)과 상기 구동 박막 트랜지스터(630)의 상기 제2 게이트 전극(635)은 전기적으로 연결될 수 있다.The first gate electrode 535 and the first double gate electrode 536 may be electrically connected. The second gate electrode 635 and the second double gate electrode 636 may be electrically connected. The second drain electrode 372 of the switching thin film transistor 530 and the second gate electrode 635 of the driving thin film transistor 630 may be electrically connected.

상기 제3 보호막(323)은 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제3 보호막(323)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The third protective film 323 may include an insulating material. The third passivation layer 323 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제4 보호막(324)을 포함할 수 있다. 상기 제4 보호막(324)은 상기 제1 소스 전극(371), 상기 제1 드레인 전극(372), 상기 제2 소스 전극(471), 상기 제2 드레인 전극(472) 위에 배치될 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a fourth protective film 324 disposed on the third protective film 323. The fourth protective layer 324 may be disposed on the first source electrode 371, the first drain electrode 372, the second source electrode 471, and the second drain electrode 472.

상기 제4 보호막(324)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The fourth passivation layer 324 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide comprising Al 2 O 3 , .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 구동 박막 트랜지스터(630) 위에 배치된 하부 전극(486)을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 구동 박막 트랜지스터(630)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 구동 박막 트랜지스터(630)의 제2 드레인 전극(472)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 제4 보호막(324) 위에 배치될 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 제4 보호막(324)에 제공된 컨택홀을 통하여 상기 제2 드레인 전극(472)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 하부 전극(486)의 하부 면은 상기 제2 드레인 전극(472)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a lower electrode 486 disposed on the driving thin film transistor 630. The lower electrode 486 may be electrically connected to the driving thin film transistor 630. The lower electrode 486 may be electrically connected to the second drain electrode 472 of the driving thin film transistor 630. The lower electrode 486 may be disposed on the fourth protective film 324. The lower electrode 486 may be electrically connected to the second drain electrode 472 through a contact hole provided in the fourth protective layer 324. The lower surface of the lower electrode 486 may be disposed in contact with the upper surface of the second drain electrode 472.

또한 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제4 보호막(324) 위에 배치된 제5 보호막(325)을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(486) 위에 상기 발광층(488)이 배치될 수 있으며, 상기 발광층(488) 위에 상부 전극(487)이 배치될 수 있다. 상기 발광층(488)과 상기 상부 전극(487)은 상기 제5 보호막(325) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광층(488)의 제1 영역은 상기 제5 보호막(325) 위에 배치되고 상기 발광층(488)의 제2 영역은 상기 제5 보호막(325)에 제공된 컨택홀을 통하여 상기 하부 전극(486)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 발광층(488)은 예로서 적색, 녹색, 청색, 백색 중에서 어느 하나의 빛을 발광할 수 있다. 상기 발광층(488)은 예로서 유기물로 구현될 수 있다.In addition, the thin film transistor substrate according to the embodiment may include a fifth protective film 325 disposed on the fourth protective film 324. The light emitting layer 488 may be disposed on the lower electrode 486 and the upper electrode 487 may be disposed on the light emitting layer 488. The light emitting layer 488 and the upper electrode 487 may be disposed on the fifth protective layer 325. The first region of the light emitting layer 488 is disposed on the fifth protective film 325 and the second region of the light emitting layer 488 is electrically connected to the lower electrode 486 through a contact hole provided in the fifth protective film 325. [ And can be disposed in contact with the upper surface. The light emitting layer 488 may emit any one of red, green, blue, and white light. The light emitting layer 488 may be formed of an organic material, for example.

상기 하부 전극(486)과 상기 상부 전극(487)은 예로서 ITO, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO, ITO/Ag/IZO 중에서 선택된 하나의 물질, 또는 그 물질을 포함하는 합금을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(486)과 상기 상부 전극(487)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 전극(486) 또는 상기 하부 전극(487) 중에서 하나는 투명 전극으로 형성될 수 있으며, 투명 전극 방향으로 상기 발광층(488)에서 발광된 빛이 외부로 방출될 수 있게 된다.The lower electrode 486 and the upper electrode 487 may comprise one material selected from, for example, ITO, ITO / Ag, ITO / Ag / ITO, ITO / Ag / IZO, have. The lower electrode 486 and the upper electrode 487 may include different materials. One of the upper electrode 486 and the lower electrode 487 may be formed as a transparent electrode so that the light emitted from the light emitting layer 488 may be emitted to the outside in the direction of the transparent electrode.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 상기 기판(355)과 상기 제1 채널층(360) 사이에 배치된 제1 블랙 매트릭스(546)를 포함할 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(546)는 상기 기판(355)과 상기 제6 보호막(526) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(546)는 상기 기판(355)과 상기 제1 이중 게이트 전극(536) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(546)는 상기 제6 보호막(526) 하부에 대응되는 형태로 배치될 수 있다. 상기 제1 채널층(360)의 폭과 상기 제1 블랙 매트릭스(546)의 폭이 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(546)는 예로서 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(546)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터(530)로 입사되는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 스위칭 박막 트랜지스터(530)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include a first black matrix 546 disposed between the substrate 355 and the first channel layer 360. The first black matrix 546 may be disposed between the substrate 355 and the sixth protective layer 526. The first black matrix 546 may be disposed between the substrate 355 and the first double gate electrode 536. The first black matrix 546 may be disposed at a lower portion of the sixth protective layer 526. The width of the first channel layer 360 and the width of the first black matrix 546 may be the same. The first black matrix 546 may be provided as a single layer or multiple layers including, for example, at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials and organic materials. The first black matrix 546 may block light incident on the switching thin film transistor 530. Accordingly, it is possible to prevent the switching thin film transistor 530 from being deteriorated due to a photo current or the like.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 상기 기판(355)과 상기 제2 채널층(460) 사이에 배치된 제2 블랙 매트릭스(646)를 포함할 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(646)는 상기 기판(355)과 상기 제6 보호막(626) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(646)는 상기 기판(355)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(646)는 상기 제6 보호막(626) 하부에 대응되는 형태로 배치될 수 있다 상기 제2 채널층(460)의 폭과 상기 제2 블랙 매트릭스(646)의 폭이 같게 제공될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(646)는 예로서 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(646)는 상기 구동 박막 트랜지스터(630)로 입사되는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 구동 박막 트랜지스터(630)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include a second black matrix 646 disposed between the substrate 355 and the second channel layer 460. The second black matrix 646 may be disposed between the substrate 355 and the sixth protective layer 626. The second black matrix 646 may be disposed between the substrate 355 and the second double gate electrode 636. The second black matrix 646 may be disposed corresponding to the lower portion of the sixth protective layer 626. The width of the second channel layer 460 and the width of the second black matrix 646 may be equal to each other. . The second black matrix 646 may be provided as a single layer or multiple layers including, for example, at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials and organic materials. The second black matrix 646 may block light incident on the driving thin film transistor 630. Accordingly, it is possible to prevent the driving thin film transistor 630 from being deteriorated by a photo current or the like.

실시 예에 의하면, 상기 기판(355)과 상기 제1 채널층(360) 사이에 상기 본딩층(350)이 배치될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)과 상기 제1 블랙 매트릭스(546) 사이에 배치될 수 있다. 상기 기판(355)과 상기 제2 채널층(460) 사이에 상기 본딩층(350)이 배치될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)과 상기 제2 블랙 매트릭스(646) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)의 전체 영역 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 상기 제2 보호막(322)과 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 본딩층(350)의 상부면과 상기 제2 보호막(322)의 하부면이 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 블랙 매트릭스(546)과 상기 제2 블랙 매트릭스(646)가 제공되지 않은 영역에서, 상기 본딩층(350)의 상부면과 상기 제2 보호막(322)의 하부면이 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the first channel layer 360. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the first black matrix 546. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the second channel layer 460. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the second black matrix 646. For example, the bonding layer 350 may be disposed over the entire area of the substrate 355. The bonding layer 350 may be disposed in contact with the second protective layer 322. The upper surface of the bonding layer 350 and the lower surface of the second protective layer 322 may be in contact with each other. For example, in an area where the first black matrix 546 and the second black matrix 646 are not provided, the upper surface of the bonding layer 350 and the lower surface of the second protective layer 322 are in direct contact with each other .

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 이중 게이트 전극(536)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636)의 높이와 폭에 대응되는 리세스(recess)가 상기 기판(355) 또는 상기 본딩층(350)에 제공될 수 있다. 상기 제6 보호막(526, 626)의 일부는 상기 제1 이중 게이트 전극(536)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636)의 단면 형상에 대응되도록 상부 및 측면의 적어도 일부에 배치되어 상기 리세스(recess) 영역에 제공될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(546)는 상기 제6 보호막(526)의 하부 형상과 대응되는 형상으로 배치되고 적어도 일부는 상기 리세스(recess) 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(646)는 상기 제6 보호막(626)의 하부 형상과 대응되는 형상으로 배치되고 적어도 일부는 상기 리세스(recess) 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 이중 게이트 전극(536)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636)의 적어도 일부도 상기 리세스(recess) 영역에 배치될 수 있다. 이러한 구조로 상기 제1 이중 게이트 전극(536)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636) 제공에 따른 박막 트랜지스터 기판의 두께가 증가되는 것을 최소화 할 수 있다.A recess corresponding to the height and width of the first double gate electrode 536 and the second double gate electrode 636 may be formed on the substrate 355 or the bonding layer 350 ). ≪ / RTI > A portion of the sixth protective film 526 and 626 is disposed on at least a portion of the top and side surfaces to correspond to the cross sectional shapes of the first double gate electrode 536 and the second double gate electrode 636, recess regions. The first black matrix 546 may be disposed in a shape corresponding to the lower shape of the sixth protective film 526 and at least a portion thereof may be disposed in the recess region. The second black matrix 646 may be disposed in a shape corresponding to a lower shape of the sixth protective layer 626 and at least a portion thereof may be disposed in the recess region. At least a portion of the first double gate electrode 536 and the second double gate electrode 636 may also be disposed in the recess region. With this structure, it is possible to minimize the thickness increase of the thin film transistor substrate due to the provision of the first double gate electrode 536 and the second double gate electrode 636.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 49는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 49를 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 48을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 도 49에 도시된 실시 예는 도 48을 참조하여 설명된 박막 트랜지스터 기판 대비하여 본딩층 구조에 차이가 있다.49 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 49, in explaining the thin film transistor substrate according to the embodiment, description overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 48 may be omitted. The embodiment shown in FIG. 49 differs from the thin film transistor substrate described with reference to FIG. 48 in the bonding layer structure.

도 49에 도시된 바와 같이, 상기 기판(355) 위에 제1 본딩층(553)과 제2 본딩층(653)이 제공될 수 있다. 상기 제1 본딩층(553)은 상기 기판(355)과 상기 제1 블랙 매트릭스(546) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩층(553)의 폭은 상기 제1 블랙 매트릭스(546)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩층(553)의 폭은 상기 제1 채널층(360)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 제2 본딩층(653)은 상기 기판(355)과 상기 제2 블랙 매트릭스(646) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩층(653)의 폭은 상기 제2 블랙 매트릭스(646)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩층(653)의 폭은 상기 제2 채널층(460)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다.The first bonding layer 553 and the second bonding layer 653 may be provided on the substrate 355 as shown in FIG. The first bonding layer 553 may be disposed between the substrate 355 and the first black matrix 546. For example, the width of the first bonding layer 553 may be equal to the width of the first black matrix 546. For example, the width of the first bonding layer 553 may be equal to the width of the first channel layer 360. The second bonding layer 653 may be disposed between the substrate 355 and the second black matrix 646. For example, the width of the second bonding layer 653 may be equal to the width of the second black matrix 646. For example, the width of the second bonding layer 653 may be equal to the width of the second channel layer 460.

실시 예에 의하면, 상기 기판(355) 위에 상기 제2 보호막(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 보호막(322)의 하부면이 상기 기판(355)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩층(553)이 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(322)이 상기 기판(355)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩층(653)이 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(322)이 상기 기판(355)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 322 may be disposed on the substrate 355. The lower surface of the second protective film 322 may be disposed in contact with the upper surface of the substrate 355. In the region where the first bonding layer 553 is not provided, the second protective film 322 may be disposed in direct contact with the substrate 355. In the region where the second bonding layer 653 is not provided, the second protective film 322 may be disposed in direct contact with the substrate 355.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 이중 게이트 전극(536)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636)의 높이와 폭에 대응되는 리세스(recess)가 상기 제1 본딩층(526)과 상기 제2 본딩층(626)에 제공될 수 있다. 상기 제6 보호막(526, 626)의 일부는 상기 제1 이중 게이트 전극(536)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636)의 단면 형상에 대응되도록 상부 및 측면의 적어도 일부에 배치되어 상기 리세스(recess) 영역에 제공될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(546)는 상기 제6 보호막(526)의 하부 형상과 대응되는 형상으로 배치되고 적어도 일부는 상기 리세스(recess) 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(646)는 상기 제6 보호막(626)의 하부 형상과 대응되는 형상으로 배치되고 적어도 일부는 상기 리세스(recess) 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 이중 게이트 전극(536)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636)의 적어도 일부도 상기 리세스(recess) 영역에 배치될 수 있다. 이러한 구조로 상기 제1 이중 게이트 전극(536)과 상기 제2 이중 게이트 전극(636) 제공에 따른 박막 트랜지스터 기판의 두께가 증가되는 것을 최소화 할 수 있다.According to the embodiment, a recess corresponding to the height and width of the first double gate electrode 536 and the second double gate electrode 636 is formed on the first bonding layer 526 and the second double gate electrode 636, 2 < / RTI > bonding layer 626. In FIG. A portion of the sixth protective film 526 and 626 is disposed on at least a portion of the top and side surfaces to correspond to the cross sectional shapes of the first double gate electrode 536 and the second double gate electrode 636, recess regions. The first black matrix 546 may be disposed in a shape corresponding to the lower shape of the sixth protective film 526 and at least a portion thereof may be disposed in the recess region. The second black matrix 646 may be disposed in a shape corresponding to a lower shape of the sixth protective layer 626 and at least a portion thereof may be disposed in the recess region. At least a portion of the first double gate electrode 536 and the second double gate electrode 636 may also be disposed in the recess region. With this structure, it is possible to minimize the thickness increase of the thin film transistor substrate due to the provision of the first double gate electrode 536 and the second double gate electrode 636.

이와 같이, 도 49에 도시된 실시 예에 의하면, 도 48에 도시된 실시 예에 비하여, 상기 제2 보호막(322)과 상기 기판(355)이 직접 접촉되어 배치될 수 있게 되므로, 상기 제2 보호막(322)과 상기 기판(355) 사이에 제공되는 층(예로서, 도 48에 도시된 본딩층)을 배제시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 빛이 진행되는 광 경로 상에 이종 물질층 간의 경계면이 줄어 들게 되므로 경계면에서의 반사/굴절 등에 의한 광손실을 줄일 수 있게 된다.49, since the second protective film 322 and the substrate 355 can be disposed in direct contact with each other, as compared with the embodiment shown in FIG. 48, (For example, the bonding layer shown in Fig. 48) provided between the substrate 322 and the substrate 355 can be excluded. Thus, according to the embodiment, since the interface between the different material layers is reduced on the light path, the light loss due to reflection / refraction at the interface can be reduced.

실시 예에 따른 상기 제1 본딩층(553)과 상기 제2 본딩층(653)은 예로서 반사층, 메탈본딩층, 유기본딩층, 절연층을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 상기 기판(355) 위에 배치될 수 있으며, 상기 메탈본딩층은 상기 반사층 위에 배치되고, 상기 절연층은 상기 메탈본딩층 위에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩층(553)과 상기 제2 본딩층(653)은 상기 메탈본딩층과 상기 유기본딩층 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 반사층과 상기 절연층은 선택적으로 포함할 수도 있다.The first bonding layer 553 and the second bonding layer 653 may include a reflective layer, a metal bonding layer, an organic bonding layer, and an insulating layer, for example. The reflective layer may be disposed on the substrate 355, the metal bonding layer may be disposed on the reflective layer, and the insulating layer may be disposed on the metal bonding layer. For example, the first bonding layer 553 and the second bonding layer 653 may include at least one of the metal bonding layer and the organic bonding layer, and the reflective layer and the insulating layer may be selectively included It is possible.

상기 절연층은 상기 제1 채널층(360)과 상기 제2 채널층(460)의 누설 특성을 보완해 줄 수 있다. 예로서, 상기 절연층은 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The insulating layer may compensate leakage characteristics of the first channel layer 360 and the second channel layer 460. By way of example, the insulating layer may comprise a single layer or multiple layers comprising at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide comprising Al 2 O 3 , or an organic insulating material.

상기 메탈본딩층 또는 상기 유기본딩층은 아래에 배치된 상기 기판(355)과의 접착을 위하여 제공될 수 있다. 예로서, 상기 메탈본딩층은 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 니켈(Ni), 은(Ag), 구리(Cu)를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 유기본딩층은 아크릴, 벤조시크롤부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.The metal bonding layer or the organic bonding layer may be provided for bonding with the substrate 355 disposed below. For example, the metal bonding layer may include at least one material selected from the group consisting of gold (Au), tin (Sn), indium (In), nickel (Ni), silver (Ag) . ≪ / RTI > For example, the organic bonding layer may comprise at least one material selected from the group consisting of acrylic, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like.

상기 반사층은 상기 본딩층에서의 광 흡수를 줄여줄 수 있다. 예로서, 상기 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 로듐(Rh)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 예로서 반사특성이 60%를 넘는 물질로 제공될 수 있다.The reflective layer may reduce light absorption in the bonding layer. For example, the reflective layer may include at least one material or alloy selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), and rhodium (Rh). The reflective layer may be provided as a material having a reflection characteristic of more than 60%, for example.

한편 실시 예에 의하면, 예로서 상기 제1 본딩층(553)과 상기 제2 본딩층(653)이 상기 메탈본딩층과 상기 반사층을 포함하는 경우, 상기 제1 블랙매트릭스(546)와 상기 제2 블랙매트릭스(646)는 생략될 수도 있다.According to the embodiment, when the first bonding layer 553 and the second bonding layer 653 include the metal bonding layer and the reflective layer, for example, the first black matrix 546 and the second The black matrix 646 may be omitted.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 50은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 50은 도 42에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 D-D 선에 따른 단면도이다.50 is a view showing another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. 50 is a cross-sectional view taken along line D-D of the thin film transistor substrate shown in Fig.

도 50에 도시된 박막 트랜지스터 기판은 채널층의 리세스된 영역에 게이트 전극이 배치된 구조를 갖는 박막 트랜지스터가 적용된 실시 예로서 도 1 내지 도 49를 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.The thin film transistor substrate shown in FIG. 50 is an embodiment in which a thin film transistor having a structure in which a gate electrode is disposed in a recessed region of a channel layer is applied, and a description overlapping with those described in FIGS. 1 to 49 Can be omitted.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 스위칭 박막 트랜지스터(730)와 구동 박막 트랜지스터(830)를 포함할 수 있다. 상기 스위칭 박막 트랜지스터(730)는 제1 게이트 라인(341)과 데이터 라인(373)으로부터 신호를 인가 받을 수 있으며, 해당 화소에 게이트 신호 및 데이터 신호를 제공할 수 있다. 상기 구동 박막 트랜지스터(830)의 제2 게이트 전극(833)은 상기 스위칭 박막 트랜지스터(330)의 제1 드레인 전극(372)과 전기적으로 연결될 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include a switching thin film transistor 730 and a driving thin film transistor 830. The switching thin film transistor 730 can receive a signal from the first gate line 341 and the data line 373 and can provide a gate signal and a data signal to the pixel. The second gate electrode 833 of the driving thin film transistor 830 may be electrically connected to the first drain electrode 372 of the switching thin film transistor 330.

본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 50에 도시된 바와 같이, 기판(355)과 상기 기판(355) 위에 배치된 상기 스위칭 박막 트랜지스터(730), 상기 구동 박막 트랜지스터(830), 상기 구동 박막 트랜지스터(830)에 전기적으로 연결된 발광층(488)을 포함할 수 있다.The thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention may include a substrate 355 and the switching thin film transistor 730, the driving thin film transistor 830, And a light emitting layer 488 electrically connected to the driving thin film transistor 830.

실시 예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터(730)는 제1 게이트 전극(733), 제1 채널층(760), 제1 소스 전극(371), 제1 드레인 전극(372)을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 채널층(760)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 채널층(760)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 채널층(760)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 채널층(760)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(733)은 상기 제1 채널층(760) 위에 배치될 수 있다. The switching thin film transistor 730 according to the embodiment may include a first gate electrode 733, a first channel layer 760, a first source electrode 371, and a first drain electrode 372. The first source electrode 371 may be electrically connected to a first region of the first channel layer 760. The first source electrode 371 may be electrically connected to the upper surface of the first channel layer 760. The first drain electrode 372 may be electrically connected to a second region of the first channel layer 760. The first drain electrode 372 may be electrically connected to the upper surface of the first channel layer 760. The first gate electrode 733 may be disposed on the first channel layer 760.

상기 제1 채널층(760)은 상부 면에 하부 방향으로 함몰된 리세스 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(733)은 상기 제1 채널층(760)의 리세스된 영역에 배치될 수 있다.The first channel layer 760 may include a recessed region recessed downward on the top surface. The first gate electrode 733 may be disposed in the recessed region of the first channel layer 760.

실시 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(830)는 제2 게이트 전극(833), 제2 채널층(860), 제2 소스 전극(471), 제2 드레인 전극(472)을 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 채널층(860)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 채널층(860)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 채널층(860)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 채널층(860)의 상부 면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(833)은 상기 제2 채널층(860) 위에 배치될 수 있다. The driving thin film transistor 830 according to the embodiment may include a second gate electrode 833, a second channel layer 860, a second source electrode 471, and a second drain electrode 472. The second source electrode 471 may be electrically connected to the first region of the second channel layer 860. The second source electrode 471 may be electrically connected to the upper surface of the second channel layer 860. The second drain electrode 472 may be electrically connected to a second region of the second channel layer 860. The second drain electrode 472 may be electrically connected to the upper surface of the second channel layer 860. The second gate electrode 833 may be disposed on the second channel layer 860.

상기 제2 채널층(860)은 상부 면에 하부 방향으로 함몰된 리세스 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(833)은 상기 제2 채널층(860)의 리세스된 영역에 배치될 수 있다.The second channel layer 860 may include a downwardly recessed recessed area on the top surface. The second gate electrode 833 may be disposed in the recessed region of the second channel layer 860.

상기 스위칭 박막 트랜지스터(730)와 상기 구동 박막 트랜지스터(830)의 구조는 서로 유사하며, 상기 구동 박막 트랜지스터(830)를 설명함에 있어 상기 스위칭 박막 트랜지스터(730)를 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.The structure of the switching thin film transistor 730 and the driving thin film transistor 830 are similar to each other. In the description of the driving thin film transistor 830, the description of the switching thin film transistor 730 The description may be omitted.

상기 제1 채널층(760)과 상기 제2 채널층(860)은 예로서 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 채널층(760)과 상기 제2 채널층(860)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 채널층(760)과 상기 제2 채널층(860)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택된 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 채널층(760)과 상기 제2 채널층(860)은 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.The first channel layer 760 and the second channel layer 860 may be formed of a Group III-V compound semiconductor, for example. For example, the first channel layer 760 and the second channel layer 860 may be In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Lt; RTI ID = 0.0 > of < / RTI > The first channel layer 760 and the second channel layer 860 may be a single layer or multiple layers selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, Layer. The first channel layer 760 and the second channel layer 860 may be formed of different materials.

상기 제1 채널층(760)과 상기 제2 채널층(860) 각각은 제1 질화물 반도체층(761, 861)과 제2 질화물 반도체층(762, 862)을 포함할 수 있다. 상기 제1 질화물 반도체층(761. 861)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(762, 862)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(762, 862)의 상부 면에 하부 방향으로 함몰된 리세스 영역에 제공될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(733)은 상기 제2 질화물 반도체층(762)의 리세스 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(733)의 상부 면이 상기 제2 질화물 반도체층(762)의 최 상부 면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(733)과 상기 제2 질화물 반도체층(762)은 샤키 접촉(Schottky contact)될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(833)은 상기 제2 질화물 반도체층(862)의 리세스 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(833)의 상부 면이 상기 제2 질화물 반도체층(862)의 최 상부 면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(833)과 상기 제2 질화물 반도체층(862)은 샤키 접촉(Schottky contact)될 수 있다. 실시 예에 따른 상기 제1 채널층(760)과 상기 제2 채널층(860)에 의하면, 상기 제1 질화물 반도체층(761, 861)이 GaN 반도체층을 포함하고, 상기 제2 질화물 반도체층(762, 862)이 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. Each of the first channel layer 760 and the second channel layer 860 may include first and second nitride semiconductor layers 761 and 861 and second nitride semiconductor layers 762 and 862. The first nitride semiconductor layer 761. 861 has a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) Semiconductor material. The second nitride semiconductor layers 762 and 862 have a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) Semiconductor material. May be provided in a recessed region recessed downward on the upper surface of the second nitride semiconductor layer (762, 862). The first gate electrode 733 may be disposed in a recessed region of the second nitride semiconductor layer 762. The upper surface of the first gate electrode 733 may be disposed higher than the uppermost surface of the second nitride semiconductor layer 762. The first gate electrode 733 and the second nitride semiconductor layer 762 may be Schottky contact. The second gate electrode 833 may be disposed in a recessed region of the second nitride semiconductor layer 862. The upper surface of the second gate electrode 833 may be disposed higher than the uppermost surface of the second nitride semiconductor layer 862. The second gate electrode 833 and the second nitride semiconductor layer 862 may be Schottky contact. According to the first channel layer 760 and the second channel layer 860 according to the embodiment, the first nitride semiconductor layers 761 and 861 include GaN semiconductor layers, and the second nitride semiconductor layer 762, and 862 may include an AlGaN semiconductor layer.

상기 기판(355)은 투명기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(355)은 예로서 0.1 mm 내지 3 mm의 두께를 갖는 투명기판으로 구현될 수 있다. 또한, 상기 기판(355)의 두께는 적용되는 표시장치의 용도 및 크기에 따라 변경될 수 있는 것으로서 0.4~1.1mm의 두께 범위 내에서 선택될 수도 있다. 예로서, 상기 기판(355)은 0.6~0.8mm의 두께로 제공될 수도 있다. 상기 기판(355)은 실리콘, 유리, 폴리이미드, 플라스틱을 포함하는 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 기판(355)은 플렉시블 기판을 포함할 수 있다.The substrate 355 may include a transparent substrate. The substrate 355 may be embodied as a transparent substrate having a thickness of, for example, 0.1 mm to 3 mm. In addition, the thickness of the substrate 355 may vary depending on the application and size of the display device to be applied, and may be selected within a thickness range of 0.4 to 1.1 mm. As an example, the substrate 355 may be provided in a thickness of 0.6 to 0.8 mm. The substrate 355 may include at least one material selected from materials including silicon, glass, polyimide, and plastic. The substrate 355 may include a flexible substrate.

상기 기판(355)은 트랜스퍼(transfer) 공정에서 적용되는 기판으로서 상기 스위칭 박막 트랜지스터(730)와 상기 구동 박막 트랜지스터(830)를 지지하는 역할을 수행한다. 또한, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 기판(355)과 상기 스위칭 박막 트랜지스터(730) 사이에 제공된 본딩층(350)을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)과 상기 구동 박막 트랜지스터(830) 사이에 배치될 수 있다.The substrate 355 is a substrate to be used in a transfer process and supports the switching thin film transistor 730 and the driving thin film transistor 830. In addition, the thin film transistor substrate according to the embodiment may include a bonding layer 350 provided between the substrate 355 and the switching thin film transistor 730. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the driving thin film transistor 830.

상기 본딩층(350)은 유기물을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 투명물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 예로서 투과도가 70% 이상인 물질로 구현될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 아크릴, 벤조시클로부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(350)은 예로서 0.5~6㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 본딩층(350)의 두께는 선택된 물질 종류에 따라 차이가 있을 수 있으며 1~3㎛의 두께로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 본딩층(350)은 예로서 1.8~2.2㎛의 두께로 제공될 수도 있다.The bonding layer 350 may include an organic material. The bonding layer 350 may be formed of a transparent material. The bonding layer 350 may be formed of a material having a transmittance of 70% or more. The bonding layer 350 may include an organic insulating material. The bonding layer 350 may include at least one material selected from the group consisting of acryl, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like. The bonding layer 350 may be provided in a thickness of 0.5 to 6 mu m, for example. The thickness of the bonding layer 350 may vary depending on the selected type of material and may be 1 to 3 μm. In addition, the bonding layer 350 may be provided in a thickness of, for example, 1.8 to 2.2 μm.

실시 예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터(730)는 상기 제1 채널층(760)의 제1 영역 위에 배치된 제1 소스 컨택부(331)와 상기 제1 채널층(760)의 제2 영역 위에 배치된 제1 드레인 컨택부(332)를 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 채널층(760)의 제1 영역에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 채널층(760)의 제2 영역에 접촉되어 배치될 수 있다.The switching thin film transistor 730 according to the embodiment includes a first source contact portion 331 disposed on a first region of the first channel layer 760 and a second source contact portion 332 disposed on a second region of the first channel layer 760 And may include a first drain contact portion 332. The first source contact portion 331 may be disposed in contact with the first region of the first channel layer 760. The first drain contact portion 332 may be disposed in contact with a second region of the first channel layer 760.

실시 예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터(730)는 상기 제1 게이트 전극(733) 위에 배치된 제1 게이트 배선(341)을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)은 상기 제1 게이트 전극(733)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)의 하부 면이 상기 제1 게이트 전극(733)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The switching thin film transistor 730 according to the embodiment may include a first gate wiring 341 disposed on the first gate electrode 733. [ The first gate wiring 341 may be electrically connected to the first gate electrode 733. The lower surface of the first gate wiring 341 may be disposed in contact with the upper surface of the first gate electrode 733. [

상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 소스 컨택부(331)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 소스 컨택부(331)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제1 소스 컨택부(331)를 통하여 상기 제1 채널층(760)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 드레인 컨택부(332)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 드레인 컨택부(332)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제1 드레인 컨택부(332)를 통하여 상기 제1 채널층(760)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다.The first source electrode 371 may be electrically connected to the first source contact portion 331. The first source electrode 371 may be disposed in contact with the upper surface of the first source contact portion 331. For example, the first source electrode 371 may be electrically connected to the first region of the first channel layer 760 through the first source contact portion 331. The first drain electrode 372 may be electrically connected to the first drain contact 332. The first drain electrode 372 may be disposed in contact with the upper surface of the first drain contact 332. For example, the first drain electrode 372 may be electrically connected to a second region of the first channel layer 760 through the first drain contact portion 332.

실시 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(830)는 상기 제2 채널층(860)의 제1 영역 위에 배치된 제2 소스 컨택부(431)와 상기 제2 채널층(860)의 제2 영역 위에 배치된 제2 드레인 컨택부(432)를 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제2 채널층(860)의 제1 영역에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제2 채널층(860)의 제2 영역에 접촉되어 배치될 수 있다.The driving thin film transistor 830 according to the embodiment includes a second source contact portion 431 disposed over the first region of the second channel layer 860 and a second source contact portion 432 disposed over the second region of the second channel layer 860 And a second drain contact portion 432. The second source contact portion 431 may be disposed in contact with the first region of the second channel layer 860. The second drain contact portion 432 may be disposed in contact with a second region of the second channel layer 860.

실시 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(830)는 상기 제2 게이트 전극(433) 위에 배치된 제2 게이트 배선(441)을 포함할 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)은 상기 제2 게이트 전극(833)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)의 하부 면이 상기 제2 게이트 전극(833)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The driving thin film transistor 830 according to the embodiment may include a second gate wiring 441 disposed on the second gate electrode 433. [ The second gate line 441 may be electrically connected to the second gate electrode 833. The lower surface of the second gate wiring 441 may be disposed in contact with the upper surface of the second gate electrode 833.

상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 소스 컨택부(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 소스 컨택부(431)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 소스 컨택부(431)를 통하여 상기 제2 채널층(860)의 제1 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 드레인 컨택부(432)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 드레인 컨택부(432)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 드레인 컨택부(432)를 통하여 상기 제2 채널층(860)의 제2 영역에 전기적으로 연결될 수 있다.The second source electrode 471 may be electrically connected to the second source contact portion 431. The second source electrode 471 may be disposed in contact with the upper surface of the second source contact portion 431. For example, the second source electrode 471 may be electrically connected to the first region of the second channel layer 860 through the second source contact portion 431. The second drain electrode 472 may be electrically connected to the second drain contact 432. The second drain electrode 472 may be disposed in contact with the upper surface of the second drain contact part 432. For example, the second drain electrode 472 may be electrically connected to the second region of the second channel layer 860 through the second drain contact portion 432.

상기 제1 소스 컨택부(331)와 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 채널층(760)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)와 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제2 질화물 반도체층(762)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)와 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제2 채널층(860)과 오믹 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)와 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제2 질화물 반도체층(862)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 소스 컨택부(331), 상기 제1 드레인 컨택부(332), 제2 소스 컨택부(431), 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331), 상기 제1 드레인 컨택부(332), 상기 제2 소스 컨택부(431), 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 예로서 0.1~1㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331), 상기 제1 드레인 컨택부(332), 상기 제2 소스 컨택부(431), 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 채널층(360) 및 상기 제2 채널층(460)과의 접촉을 위한 층으로서 전류 확산 기능을 수행하지 않아도 되므로 1㎛ 이하의 두께로 제공될 수도 있다.The first source contact portion 331 and the first drain contact portion 332 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the first channel layer 760. The first source contact portion 331 and the first drain contact portion 332 may include a material that makes an ohmic contact with the second nitride semiconductor layer 762. The second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 may be formed of a material that makes an ohmic contact with the second channel layer 860. The second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 may include a material that makes an ohmic contact with the second nitride semiconductor layer 862. [ For example, the first source contact portion 331, the first drain contact portion 332, the second source contact portion 431, and the second drain contact portion 432 may be formed of aluminum (Al), aluminum alloy The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of forming an Al alloy, tungsten (W), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), silver (Ag), silver alloy, At least any one material selected from the group consisting of chromium (Cr), titanium (Ti), titanium alloy, molybdenum tungsten (MoW), moly titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi) ≪ RTI ID = 0.0 > and / or < / RTI > The first source contact portion 331, the first drain contact portion 332, the second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 are provided with a thickness of, for example, . The first source contact portion 331, the first drain contact portion 332, the second source contact portion 431 and the second drain contact portion 432 are formed on the first channel layer 360, It is not necessary to perform the current diffusion function as a layer for contact with the second channel layer 460, and thus it may be provided with a thickness of 1 mu m or less.

상기 제1 게이트 전극(733)은 상기 제1 채널층(760)과 샤키 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(733)은 상기 제2 질화물 반도체층(762)과 샤키 접촉되는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(733)은 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 팔라듐(Pd)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 샤키 접촉은 상기 제1 채널층(760)에 대한 플라즈마 처리(palsma treatment)에 의하여 구현될 수 있다. 상기 플라즈마 처리는 예로서 불소(F) 이온 처리가 적용될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터(730)는 상기 샤키 접촉에 의하여 문턱 전압이 제공될 수 있으며 노멀리 오프(normally off) 특성을 가질 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(733)에 문턱 전압 이상의 전압을 인가하면 상기 제1 게이트 전극(733)의 하부에 형성된 채널이 온 상태가 되어 상기 제1 채널층(760)에 전류가 흐를 수 있게 된다.The first gate electrode 733 may be formed of a material which is in sharky contact with the first channel layer 760. The first gate electrode 733 may be formed of a material which is in contact with the second nitride semiconductor layer 762 in a shark-like manner. The first gate electrode 733 may be a single layer or multiple layers including at least one material selected from the group consisting of nickel (Ni), platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd) . By way of example, the sharkey contact may be implemented by a plasma treatment for the first channel layer 760. As the plasma treatment, for example, fluorine (F) ion treatment may be applied. Accordingly, the switching thin film transistor 730 according to the embodiment may be provided with a threshold voltage by the shark touch and may have a normally off characteristic. When a voltage equal to or higher than a threshold voltage is applied to the first gate electrode 733, a channel formed under the first gate electrode 733 is turned on to allow current to flow through the first channel layer 760.

상기 제2 게이트 전극(833)은 상기 제2 채널층(860)과 샤키 접촉하는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(833)은 상기 제2 질화물 반도체층(862)과 샤키 접촉되는 물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(833)은 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 팔라듐(Pd)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 샤키 접촉은 상기 제2 채널층(860)에 대한 플라즈마 처리(palsma treatment)에 의하여 구현될 수 있다. 상기 플라즈마 처리는 예로서 불소(F) 이온 처리가 적용될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 구동 박막 트랜지스터(830)는 상기 샤키 접촉에 의하여 문턱 전압이 제공될 수 있으며 노멀리 오프(normally off) 특성을 가질 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(833)에 문턱 전압 이상의 전압을 인가하면 상기 제2 게이트 전극(833)의 하부에 형성된 채널이 온 상태가 되어 상기 제2 채널층(860)에 전류가 흐를 수 있게 된다.The second gate electrode 833 may be formed of a material which is in sharky contact with the second channel layer 860. The second gate electrode 833 may be formed of a material which is in contact with the second nitride semiconductor layer 862 in a shark-like manner. The second gate electrode 833 may be a single layer or multiple layers including at least one material selected from the group consisting of nickel (Ni), platinum (Pt), gold (Au), palladium (Pd) . By way of example, the sharkey contact may be implemented by a plasma treatment for the second channel layer 860. As the plasma treatment, for example, fluorine (F) ion treatment may be applied. Accordingly, the driving thin film transistor 830 according to the embodiment may be provided with a threshold voltage by the shark touch, and may have a normally off characteristic. When a voltage equal to or higher than the threshold voltage is applied to the second gate electrode 833, the channel formed below the second gate electrode 833 is turned on to allow current to flow through the second channel layer 860.

한편, 실시 예에 따른 상기 제1 채널층(760)에 의하면, 상기 제1 질화물 반도체층(761)이 GaN 반도체층을 포함하고, 상기 제2 질화물 반도체층(762)이 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(762)의 두께가 두꺼울수록 2차원 전자가스(2DEG)가 잘 형성되기 때문에 노멀리 오프(normally off) 특성을 만들기가 어렵다. 또한, 상기 제2 질화물 반도체층(762)의 두께가 너무 얇게 제공되면 게이트 리키지(gate leakage)가 심해질 수 있는 문제점이 있다. 이에 따라, 상기 리세스 영역 아래에 배치된 상기 제2 질화물 반도체층(762)의 두께는 2~10nm 두께로 제공되는 것이 바람직할 수 있다. 그리고, 게이트 리키지(gate leakage)를 줄이기 위한 방안으로서, 상기 게이트 전극(733)과 상기 제2 질화물 반도체층(762) 사이에 절연물이 배치되도록 하여 일종의 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 구조로 제공될 수도 있다. 예로서, 상기 리세스가 형성되지 않은 영역의 상기 제2 질화물 반도체층(762)의 두께는 15~25nm로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스의 폭은 예로서 1.5~2.5㎛로 제공될 수 있다.According to the first channel layer 760 according to the embodiment, the first nitride semiconductor layer 761 includes a GaN semiconductor layer, and the second nitride semiconductor layer 762 includes an AlGaN semiconductor layer . As the thickness of the second nitride semiconductor layer 762 is thicker, the two-dimensional electron gas (2DEG) is well formed, so that it is difficult to form a normally off characteristic. Further, if the thickness of the second nitride semiconductor layer 762 is too small, gate leakage may be increased. Accordingly, it is preferable that the thickness of the second nitride semiconductor layer 762 disposed under the recess region is 2 to 10 nm thick. As a method for reducing gate leakage, an insulating material is disposed between the gate electrode 733 and the second nitride semiconductor layer 762 to provide a MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) structure . As an example, the thickness of the second nitride semiconductor layer 762 in the region where the recess is not formed may be provided in a range of 15 to 25 nm. Further, the width of the recesses may be provided as 1.5 to 2.5 占 퐉, for example.

실시 예에 따른 상기 제2 채널층(860)에 의하면, 상기 제1 질화물 반도체층(861)이 GaN 반도체층을 포함하고, 상기 제2 질화물 반도체층(862)이 AlGaN 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제2 질화물 반도체층(862)의 두께가 두꺼울수록 2차원 전자가스(2DEG)가 잘 형성되기 때문에 노멀리 오프(normally off) 특성을 만들기가 어렵다. 또한, 상기 제2 질화물 반도체층(862)의 두께가 너무 얇게 제공되면 게이트 리키지(gate leakage)가 심해질 수 있는 문제점이 있다. 이에 따라, 상기 리세스 영역 아래에 배치된 상기 제2 질화물 반도체층(862)의 두께는 2~10nm 두께로 제공되는 것이 바람직할 수 있다. 그리고, 게이트 리키지(gate leakage)를 줄이기 위한 방안으로서, 상기 게이트 전극(833)과 상기 제2 질화물 반도체층(862) 사이에 절연물이 배치되도록 하여 일종의 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 구조로 제공될 수도 있다. 예로서, 상기 리세스가 형성되지 않은 영역의 상기 제2 질화물 반도체층(862)의 두께는 15~25nm로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스의 폭은 예로서 1.5~2.5㎛로 제공될 수 있다.According to the second channel layer 860 according to the embodiment, the first nitride semiconductor layer 861 may include a GaN semiconductor layer, and the second nitride semiconductor layer 862 may include an AlGaN semiconductor layer . As the thickness of the second nitride semiconductor layer 862 is thicker, the two-dimensional electron gas (2DEG) is well formed, so it is difficult to form a normally off characteristic. Also, if the thickness of the second nitride semiconductor layer 862 is too small, gate leakage may be increased. Accordingly, it is preferable that the thickness of the second nitride semiconductor layer 862 disposed under the recess region is 2 to 10 nm thick. As a method for reducing gate leakage, an insulating material is disposed between the gate electrode 833 and the second nitride semiconductor layer 862 to provide a MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) structure . For example, the thickness of the second nitride semiconductor layer 862 in the region where the recess is not formed may be 15 to 25 nm. Further, the width of the recesses may be provided as 1.5 to 2.5 占 퐉, for example.

상기 제1 게이트 배선(341)과 상기 제2 게이트 배선(441)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)과 상기 제2 게이트 배선(441)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)과 상기 제2 게이트 배선(441)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 제1 게이트 전극(733) 및 상기 제2 게이트 전극(833)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The first gate wiring 341 and the second gate wiring 441 may be formed of a metal such as aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), copper alloy, molybdenum ), Silver (Ag), silver alloy, gold (Au), gold alloy, chromium (Cr), titanium (Ti), titanium alloy, molybdenum tungsten And may include a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi). The first gate wiring 341 and the second gate wiring 441 may be provided in a thickness of 0.1 to 3 占 퐉, for example. Since the first gate wiring 341 and the second gate wiring 441 function to sequentially apply a voltage to the plurality of transistors, the first gate electrode 733 and the second gate electrode 443 It may be provided thicker than the thickness.

상기 제1 소스 전극(371), 상기 제1 드레인 전극(372), 상기 제2 소스 전극(471), 제2 드레인 전극(472)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371), 상기 제1 드레인 전극(372), 상기 제2 소스 전극(471), 제2 드레인 전극(472)은 예로서 0.1~3㎛의 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)과 상기 제2 소스 전극(471)은 복수의 트랜지스터에 순차적으로 전압을 인가하는 기능을 수행하므로 상기 제1 소스 컨택부(331) 및 상기 제2 소스 컨택부(431)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)과 상기 제2 드레인 전극(472)도 상기 제1 드레인 컨택부(332) 및 상기 제2 드레인 컨택부(432)의 두께에 비하여 더 두껍게 제공될 수도 있다.The first source electrode 371, the first drain electrode 372, the second source electrode 471 and the second drain electrode 472 may be formed of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W ), Copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), silver (Ag), silver alloy, gold (Au), gold alloy, chromium (Cr) A single layer or multiple layers comprising at least one material selected from the group consisting of Ti, Ti alloy, molybdenum (MoW), moly titanium (MoTi), copper / moly titanium (Cu / MoTi) . ≪ / RTI > The first source electrode 371, the first drain electrode 372, the second source electrode 471 and the second drain electrode 472 may be provided with a thickness of 0.1 to 3 μm, for example. Since the first source electrode 371 and the second source electrode 471 function to sequentially apply a voltage to the plurality of transistors, the first source contact portion 331 and the second source contact portion 431 As compared to the thickness of the first layer. The first drain electrode 372 and the second drain electrode 472 may be provided thicker than the first drain contact portion 332 and the second drain contact portion 432.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제1 채널층(760)과 상기 제2 채널층(860) 위에 배치된 제1 보호막(321, 421)을 포함할 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 상기 제1 채널층(760)의 상기 제2 질화물 반도체층(762) 및 상기 제2 채널층(860)의 제2 질화물 반도체층(862) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)의 하부 면은 상기 제1 채널층(760)의 상기 제2 질화물 반도체층(762) 및 상기 제2 채널층(860)의 제2 질화물 반도체층(862) 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include first protective layers 321 and 421 disposed on the first channel layer 760 and the second channel layer 860. The first passivation layer 321 and 421 may be disposed on the second nitride semiconductor layer 762 of the first channel layer 760 and the second nitride semiconductor layer 862 of the second channel layer 860 have. The lower surfaces of the first protective films 321 and 421 are formed on the second nitride semiconductor layer 762 of the first channel layer 760 and the upper surface of the second nitride semiconductor layer 862 of the second channel layer 860 Can be placed in contact with the surface.

실시 예에 의하면, 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 보호막(321)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제1 소스 컨택부(331)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치되고 상기 제1 채널층(760)의 제1 영역에 접촉되어 제공될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 보호막(321)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제1 드레인 컨택부(332)는 상기 제1 보호막(321)을 관통하여 배치되고 상기 제1 채널층(760)의 제2 영역에 접촉되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first source contact portion 331 may be disposed through the first protective film 321. The first source contact portion 331 may be surrounded by the first protective layer 321. The first source contact portion 331 may be disposed through the first protective layer 321 and may be provided in contact with the first region of the first channel layer 760. The first drain contact part 332 may be disposed through the first protective film 321. The first drain contact portion 332 may be surrounded by the first protective layer 321. The first drain contact portion 332 may be disposed through the first protective layer 321 and may be provided in contact with the second region of the first channel layer 760.

실시 예에 의하면, 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제1 보호막(421)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제2 소스 컨택부(431)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치되고 상기 제2 채널층(860)의 제1 영역에 접촉되어 제공될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 보호막(421)에 의하여 둘러 싸여 배치될 수 있다. 상기 제2 드레인 컨택부(432)는 상기 제1 보호막(421)을 관통하여 배치되고 상기 제2 채널층(860)의 제2 영역에 접촉되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, the second source contact portion 431 may be disposed to penetrate the first protective film 421. The second source contact portion 431 may be surrounded by the first protective layer 421. The second source contact portion 431 may be disposed through the first protective layer 421 and may be provided in contact with the first region of the second channel layer 860. The second drain contact portion 432 may be disposed through the first protective layer 421. The second drain contact portion 432 may be surrounded by the first protective layer 421. The second drain contact portion 432 may be disposed through the first protective layer 421 and may be provided in contact with the second region of the second channel layer 860.

상기 제1 보호막(321, 421)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제1 보호막(321, 421)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The first protective films 321 and 421 may be formed of an insulating material. The first protective films 321 and 421 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 의하면, 상기 기판(355)과 상기 제1 보호막(321, 421) 위에 제2 보호막(322)이 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(733)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 게이트 전극(733)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(733)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 상기 제1 채널층(760)에 접촉되어 배치될 수 있다, 예로서, 상기 제1 게이트 전극(733)은 상기 제1 보호막(321)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 상기 제1 채널층(760)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 배선(341)은 상기 제2 보호막(322) 위에 배치되어 상기 제1 게이트 전극(233)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(833)은 상기 제1 보호막(421)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 게이트 전극(833)은 상기 제1 보호막(421)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(833)은 상기 제1 보호막(421)과 상기 제2 보호막(322) 중에서 적어도 하나를 관통하여 상기 제2 채널층(860)에 접촉되어 배치될 수 있다, 예로서, 상기 제2 게이트 전극(833)은 상기 제1 보호막(421)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하여 상기 제2 채널층(860)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)은 상기 제2 보호막(322) 위에 배치되어 상기 제2 게이트 전극(833)과 전기적으로 연결될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 322 may be disposed on the substrate 355 and the first protective films 321 and 421. The first gate electrode 733 may be disposed to penetrate at least one of the first passivation layer 321 and the second passivation layer 322. For example, the first gate electrode 733 may be disposed through the first passivation layer 321 and the second passivation layer 322. The first gate electrode 733 may be disposed in contact with the first channel layer 760 through at least one of the first protective layer 321 and the second protective layer 322. For example, The first gate electrode 733 may be disposed in contact with the first channel layer 760 through the first passivation layer 321 and the second passivation layer 322. The first gate line 341 may be disposed on the second passivation layer 322 and may be electrically connected to the first gate electrode 233. The second gate electrode 833 may be disposed through at least one of the first passivation layer 421 and the second passivation layer 322. For example, the second gate electrode 833 may be disposed to pass through the first protective film 421 and the second protective film 322. The second gate electrode 833 may be disposed in contact with the second channel layer 860 through at least one of the first protective layer 421 and the second protective layer 322. For example, The second gate electrode 833 may be disposed in contact with the second channel layer 860 through the first protective layer 421 and the second protective layer 322. The second gate line 441 may be disposed on the second passivation layer 322 and may be electrically connected to the second gate electrode 833.

상기 제2 보호막(322)은 절연물질로 구현될 수 있다. 상기 제2 보호막(322)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The second passivation layer 322 may be formed of an insulating material. The second passivation layer 322 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , .

실시 예에 의하면, 상기 제2 보호막(322) 위에 제3 보호막(323)이 배치될 수 있다. 상기 제3 보호막(323)은 상기 제2 보호막(322), 상기 제1 게이트 배선(341), 상기 제2 게이트 배선(441) 위에 배치될 수 있다.According to the embodiment, the third protective film 323 may be disposed on the second protective film 322. The third protective film 323 may be disposed on the second protective film 322, the first gate wiring 341, and the second gate wiring 441.

상기 제1 게이트 배선(341)은 상기 제1 게이트 전극(333) 위에 접촉되어 배치되고 상기 제3 보호막(323)에 의하여 둘러 싸여 제공될 수 있다. 상기 제2 게이트 배선(441)은 상기 제2 게이트 전극(833) 위에 접촉되어 배치되고 상기 제3 보호막(323)에 의하여 둘러 싸여 제공될 수 있다.The first gate wiring 341 may be disposed in contact with the first gate electrode 333 and may be provided surrounded by the third protective film 323. The second gate line 441 may be disposed in contact with the second gate electrode 833 and surrounded by the third passivation layer 323.

상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제1 소스 컨택부(331)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 전극(371)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제1 드레인 컨택부(332)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(372)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. The first source electrode 371 may be electrically connected to the first source contact portion 331 through the second protective layer 322 and the third protective layer 323. The first source electrode 371 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The first source electrode 371 may include a second region penetrating the third protective layer 323 and the second protective layer 322. The first drain electrode 372 may be electrically connected to the first drain contact 332 through the second protective layer 322 and the third protective layer 323. The first drain electrode 372 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The first drain electrode 372 may include a second region penetrating the third passivation layer 323 and the second passivation layer 322.

상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제2 소스 컨택부(431)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 전극(471)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제2 보호막(322)과 상기 제3 보호막(323)을 관통하여 상기 제2 드레인 컨택부(432)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제1 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 드레인 전극(472)은 상기 제3 보호막(323)과 상기 제2 보호막(322)을 관통하는 제2 영역을 포함할 수 있다.The second source electrode 471 may be electrically connected to the second source contact portion 431 through the second protective layer 322 and the third protective layer 323. The second source electrode 471 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The second source electrode 471 may include a second region penetrating the third protective film 323 and the second protective film 322. The second drain electrode 472 may be electrically connected to the second drain contact 432 through the second passivation layer 322 and the third passivation layer 323. The second drain electrode 472 may include a first region disposed on the third passivation layer 323. The second drain electrode 472 may include a second region penetrating the third passivation layer 323 and the second passivation layer 322.

상기 제3 보호막(323)은 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제3 보호막(323)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The third protective film 323 may include an insulating material. The third passivation layer 323 may include a single layer or multiple layers including at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide containing Al 2 O 3 , and an organic insulating material .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제3 보호막(323) 위에 배치된 제4 보호막(324)을 포함할 수 있다. 상기 제4 보호막(324)은 상기 제1 소스 전극(371), 상기 제1 드레인 전극(372), 상기 제2 소스 전극(471), 상기 제2 드레인 전극(472) 위에 배치될 수 있다. The thin film transistor substrate according to the embodiment may include a fourth protective film 324 disposed on the third protective film 323. The fourth protective layer 324 may be disposed on the first source electrode 371, the first drain electrode 372, the second source electrode 471, and the second drain electrode 472.

상기 제4 보호막(324)은 예로서 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The fourth passivation layer 324 may comprise a single layer or multiple layers including, for example, at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide comprising Al 2 O 3 , .

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 구동 박막 트랜지스터(830) 위에 배치된 하부 전극(486)을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 구동 박막 트랜지스터(830)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 구동 박막 트랜지스터(830)의 제2 드레인 전극(472)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 제4 보호막(324) 위에 배치될 수 있다. 상기 하부 전극(486)은 상기 제4 보호막(324)에 제공된 컨택홀을 통하여 상기 제2 드레인 전극(472)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 하부 전극(486)의 하부 면은 상기 제2 드레인 전극(472)의 상부 면에 접촉되어 배치될 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include a lower electrode 486 disposed on the driving thin film transistor 830. The lower electrode 486 may be electrically connected to the driving thin film transistor 830. The lower electrode 486 may be electrically connected to the second drain electrode 472 of the driving TFT 830. The lower electrode 486 may be disposed on the fourth protective film 324. The lower electrode 486 may be electrically connected to the second drain electrode 472 through a contact hole provided in the fourth protective layer 324. The lower surface of the lower electrode 486 may be disposed in contact with the upper surface of the second drain electrode 472.

또한 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 상기 제4 보호막(324) 위에 배치된 제5 보호막(325)을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(486) 위에 상기 발광층(488)이 배치될 수 있으며, 상기 발광층(488) 위에 상부 전극(487)이 배치될 수 있다. 상기 발광층(488)과 상기 상부 전극(487)은 상기 제5 보호막(325) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광층(488)의 제1 영역은 상기 제5 보호막(325) 위에 배치되고 상기 발광층(488)의 제2 영역은 상기 제5 보호막(325)에 제공된 컨택홀을 통하여 상기 하부 전극(486)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 발광층(488)은 예로서 적색, 녹색, 청색, 백색 중에서 어느 하나의 빛을 발광할 수 있다. 상기 발광층(488)은 예로서 유기물로 구현될 수 있다.In addition, the thin film transistor substrate according to the embodiment may include a fifth protective film 325 disposed on the fourth protective film 324. The light emitting layer 488 may be disposed on the lower electrode 486 and the upper electrode 487 may be disposed on the light emitting layer 488. The light emitting layer 488 and the upper electrode 487 may be disposed on the fifth protective layer 325. The first region of the light emitting layer 488 is disposed on the fifth protective film 325 and the second region of the light emitting layer 488 is electrically connected to the lower electrode 486 through a contact hole provided in the fifth protective film 325. [ And can be disposed in contact with the upper surface. The light emitting layer 488 may emit any one of red, green, blue, and white light. The light emitting layer 488 may be formed of an organic material, for example.

상기 하부 전극(486)과 상기 상부 전극(487)은 예로서 ITO, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO, ITO/Ag/IZO 중에서 선택된 하나의 물질, 또는 그 물질을 포함하는 합금을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(486)과 상기 상부 전극(487)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 전극(486) 또는 상기 하부 전극(487) 중에서 하나는 투명 전극으로 형성될 수 있으며, 투명 전극 방향으로 상기 발광층(488)에서 발광된 빛이 외부로 방출될 수 있게 된다.The lower electrode 486 and the upper electrode 487 may comprise one material selected from, for example, ITO, ITO / Ag, ITO / Ag / ITO, ITO / Ag / IZO, have. The lower electrode 486 and the upper electrode 487 may include different materials. One of the upper electrode 486 and the lower electrode 487 may be formed as a transparent electrode so that the light emitted from the light emitting layer 488 may be emitted to the outside in the direction of the transparent electrode.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 상기 기판(355)과 상기 제1 채널층(760) 사이에 배치된 제1 블랙 매트릭스(340)를 포함할 수 있다. 상기 제1 채널층(760)의 폭과 상기 제1 블랙 매트릭스(340)의 폭이 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(340)는 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(340)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터(730)로 입사되는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 스위칭 박막 트랜지스터(730)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include a first black matrix 340 disposed between the substrate 355 and the first channel layer 760. The width of the first channel layer 760 and the width of the first black matrix 340 may be the same. The first black matrix 340 may be provided as a single layer or multiple layers including at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials, and organic materials. The first black matrix 340 may block light incident on the switching thin film transistor 730. Accordingly, the switching thin film transistor 730 can be prevented from being deteriorated by a photo current or the like.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 상기 기판(355)과 상기 제2 채널층(860) 사이에 배치된 제2 블랙 매트릭스(440)를 포함할 수 있다. 상기 제2 채널층(860)의 폭과 상기 제2 블랙 매트릭스(440)의 폭이 같게 제공될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(440)는 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(440)는 상기 구동 박막 트랜지스터(830)로 입사되는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 구동 박막 트랜지스터(830)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.The thin film transistor substrate according to an embodiment may include a second black matrix 440 disposed between the substrate 355 and the second channel layer 860. The width of the second channel layer 860 and the width of the second black matrix 440 may be the same. The second black matrix 440 may be provided as a single layer or multiple layers including at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials and organic materials. The second black matrix 440 may block light incident on the driving thin film transistor 830. Accordingly, it is possible to prevent the driving thin film transistor 830 from deteriorating due to a photo current or the like.

실시 예에 의하면, 상기 기판(355)과 상기 제1 채널층(760) 사이에 상기 본딩층(350)이 배치될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)과 상기 제1 블랙 매트릭스(340) 사이에 배치될 수 있다. 상기 기판(355)과 상기 제2 채널층(860) 사이에 상기 본딩층(350)이 배치될 수 있다. 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)과 상기 제2 블랙 매트릭스(440) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 본딩층(350)은 상기 기판(355)의 전체 영역 위에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the first channel layer 760. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the first black matrix 340. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the second channel layer 860. The bonding layer 350 may be disposed between the substrate 355 and the second black matrix 440. For example, the bonding layer 350 may be disposed over the entire area of the substrate 355.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 51은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 51을 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 50을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 도 51에 도시된 실시 예는 도 50을 참조하여 설명된 박막 트랜지스터 기판 대비하여 본딩층 구조에 차이가 있다.51 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 51, in explaining the thin film transistor substrate according to the embodiment, description overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 50 may be omitted. The embodiment shown in FIG. 51 differs from the thin film transistor substrate described with reference to FIG. 50 in the bonding layer structure.

도 51에 도시된 바와 같이, 상기 기판(355) 위에 제1 본딩층(353)과 제2 본딩층(453)이 제공될 수 있다. 상기 제1 본딩층(353)은 상기 기판(355)과 상기 제1 블랙 매트릭스(340) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩층(353)의 폭은 상기 제1 블랙 매트릭스(340)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩층(353)의 폭은 상기 제1 채널층(760)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 제2 본딩층(453)은 상기 기판(355)과 상기 제2 블랙 매트릭스(440) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩층(453)의 폭은 상기 제2 블랙 매트릭스(440)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩층(453)의 폭은 상기 제2 채널층(860)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다.As shown in FIG. 51, a first bonding layer 353 and a second bonding layer 453 may be provided on the substrate 355. The first bonding layer 353 may be disposed between the substrate 355 and the first black matrix 340. For example, the width of the first bonding layer 353 may be equal to the width of the first black matrix 340. For example, the width of the first bonding layer 353 may be equal to the width of the first channel layer 760. The second bonding layer 453 may be disposed between the substrate 355 and the second black matrix 440. For example, the width of the second bonding layer 453 may be equal to the width of the second black matrix 440. For example, the width of the second bonding layer 453 may be equal to the width of the second channel layer 860.

실시 예에 의하면, 상기 기판(355) 위에 상기 제2 보호막(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 보호막(322)의 하부면이 상기 기판(355)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩층(353)이 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(322)이 상기 기판(355)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩층(453)이 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(322)이 상기 기판(355)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 322 may be disposed on the substrate 355. The lower surface of the second protective film 322 may be disposed in contact with the upper surface of the substrate 355. In the region where the first bonding layer 353 is not provided, the second protective film 322 may be disposed in direct contact with the substrate 355. In the region where the second bonding layer 453 is not provided, the second protective film 322 may be disposed in direct contact with the substrate 355.

이와 같이, 도 51에 도시된 실시 예에 의하면, 도 50에 도시된 실시 예에 비하여, 상기 제2 보호막(322)과 상기 기판(355)이 직접 접촉되어 배치될 수 있게 되므로, 상기 제2 보호막(322)과 상기 기판(355) 사이에 제공되는 층(예로서, 도 50에 도시된 본딩층)을 배제시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 빛이 진행되는 광 경로 상에 이종 물질층 간의 경계면이 줄어 들게 되므로 경계면에서의 반사/굴절 등에 의한 광손실을 줄일 수 있게 된다.51, since the second protective film 322 and the substrate 355 can be disposed in direct contact with each other, as compared with the embodiment shown in FIG. 50, (For example, the bonding layer shown in Fig. 50) provided between the substrate 322 and the substrate 355 can be excluded. Thus, according to the embodiment, since the interface between the different material layers is reduced on the light path, the light loss due to reflection / refraction at the interface can be reduced.

실시 예에 따른 상기 제1 본딩층(353)과 상기 제2 본딩층(453)은 예로서 반사층, 메탈본딩층, 유기본딩층, 절연층을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 상기 기판(355) 위에 배치될 수 있으며, 상기 메탈본딩층은 상기 반사층 위에 배치되고, 상기 절연층은 상기 메탈본딩층 위에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩층(353)과 상기 제2 본딩층(453)은 상기 메탈본딩층과 상기 유기본딩층 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 반사층과 상기 절연층은 선택적으로 포함할 수도 있다.The first bonding layer 353 and the second bonding layer 453 may include a reflective layer, a metal bonding layer, an organic bonding layer, and an insulating layer. The reflective layer may be disposed on the substrate 355, the metal bonding layer may be disposed on the reflective layer, and the insulating layer may be disposed on the metal bonding layer. For example, the first bonding layer 353 and the second bonding layer 453 may include at least one of the metal bonding layer and the organic bonding layer, and the reflective layer and the insulating layer may be selectively included It is possible.

상기 절연층은 상기 제1 채널층(760)과 상기 제2 채널층(860)의 누설 특성을 보완해 줄 수 있다. 예로서, 상기 절연층은 실리콘 계열의 산화물, 실리콘 계열의 질화물, Al2O3를 포함하는 금속 산화물, 유기 절연물 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.The insulating layer may compensate leakage characteristics of the first channel layer 760 and the second channel layer 860. By way of example, the insulating layer may comprise a single layer or multiple layers comprising at least one of a silicon-based oxide, a silicon-based nitride, a metal oxide comprising Al 2 O 3 , or an organic insulating material.

상기 메탈본딩층 또는 상기 유기본딩층은 아래에 배치된 상기 기판(355)과의 접착을 위하여 제공될 수 있다. 예로서, 상기 메탈본딩층은 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 니켈(Ni), 은(Ag), 구리(Cu)를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 유기본딩층은 아크릴, 벤조시크롤부텐(BCB), SU-8 폴리머(SU-8 polymer) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.The metal bonding layer or the organic bonding layer may be provided for bonding with the substrate 355 disposed below. For example, the metal bonding layer may include at least one material selected from the group consisting of gold (Au), tin (Sn), indium (In), nickel (Ni), silver (Ag) . ≪ / RTI > For example, the organic bonding layer may comprise at least one material selected from the group consisting of acrylic, benzocyclobutene (BCB), SU-8 polymer, and the like.

상기 반사층은 상기 본딩층에서의 광 흡수를 줄여줄 수 있다. 예로서, 상기 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 로듐(Rh)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 예로서 반사특성이 60%를 넘는 물질로 제공될 수 있다.The reflective layer may reduce light absorption in the bonding layer. For example, the reflective layer may include at least one material or alloy selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), and rhodium (Rh). The reflective layer may be provided as a material having a reflection characteristic of more than 60%, for example.

한편 실시 예에 의하면, 예로서 상기 제1 본딩층(353)과 상기 제2 본딩층(453)이 상기 메탈본딩층과 상기 반사층을 포함하는 경우, 상기 제1 블랙매트릭스(340)와 상기 제2 블랙매트릭스(440)는 생략될 수도 있다.According to the embodiment, when the first bonding layer 353 and the second bonding layer 453 include the metal bonding layer and the reflective layer, for example, the first black matrix 340 and the second The black matrix 440 may be omitted.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

실시 예에 의하면, 성장기판을 이용하여 품질이 좋은 반도체층을 형성할 수 있으며, 지지기판을 이용하여 트랜스퍼(transfer) 공정을 적용함으로써 전자 이동도가 우수한 박막 트랜지스터 기판을 제공할 수 있게 된다.According to the embodiments, a semiconductor layer with good quality can be formed using a growth substrate, and a thin film transistor substrate having excellent electron mobility can be provided by applying a transfer process using a supporting substrate.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 52는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 52를 참조하여 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 51을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 설명이 생략될 수 있다. 도 52에 도시된 실시 예는 도 50 대비하여 트랜스퍼 공정이 적용되지 않고 성장기판 위에 박막 트랜지스터가 제공되는 점에 차이가 있다.52 is a view showing still another example of the thin film transistor substrate according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 52, in explaining the thin film transistor substrate according to the embodiment, description overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 51 may be omitted. The embodiment shown in FIG. 52 differs from FIG. 50 in that a transfer process is not applied and a thin film transistor is provided on a growth substrate.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 도 52에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼 공정에 이용되는 지지기판 대신에 성장기판(310)을 기판으로서 포함할 수 있다. 상기 성장기판(310)은 예를 들어, 사파이어(Sapphire), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 52, the thin film transistor substrate according to the embodiment may include a growth substrate 310 as a substrate in place of the support substrate used in the transfer process. The growth substrate 310 may include at least one of, for example, sapphire, SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge.

상기 성장기판(310) 위에 제1 블랙 매트릭스(345)와 제2 블랙 매트릭스(445)가 배치될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(345)는 상기 성장기판(310) 위에 배치되어 상기 제1 채널층(760)으로 빛이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(345)는 예로서 가시광선을 흡수하거나 반사하는 물질로 구현될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 상기 제1 채널층(760)으로 빛이 입사되어 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 스위칭 박막 트랜지스터(730)가 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다. 상기 제2 블랙 매트릭스(445)는 상기 성장기판(310) 위에 배치되어 상기 제2 채널층(860)으로 빛이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(445)는 예로서 가시광선을 흡수하거나 반사하는 물질로 구현될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면 상기 제2 채널층(860)으로 빛이 입사되어 광전류(photo current) 등에 의하여 상기 구동 박막 트랜지스터(830)가 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다.A first black matrix 345 and a second black matrix 445 may be disposed on the growth substrate 310. The first black matrix 345 may be disposed on the growth substrate 310 to prevent light from entering the first channel layer 760. The first black matrix 345 may be embodied as a material that absorbs or reflects visible light, for example. Accordingly, according to the embodiment, light can be incident on the first channel layer 760, thereby preventing the switching thin film transistor 730 from deteriorating due to photo current or the like. The second black matrix 445 may be disposed on the growth substrate 310 to prevent light from being incident on the second channel layer 860. The second black matrix 445 may be embodied as a material that absorbs or reflects visible light, for example. Accordingly, according to the embodiment, light can be incident on the second channel layer 860 and the driving thin film transistor 830 can be prevented from deteriorating due to photo current or the like.

예로서, 상기 제1 블랙 매트릭스(345)와 상기 제2 블랙 매트릭스(445)는 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(345)와 상기 제2 블랙 매트릭스(445)는 Si, GaAs 등의 물질을 선택적으로 포함할 수 있다.For example, the first black matrix 345 and the second black matrix 445 may be a single layer or multi-layer structure including at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al- Layer. ≪ / RTI > The first black matrix 345 and the second black matrix 445 may selectively include a material such as Si or GaAs.

실시 예에 의하면, 상기 제1 블랙 매트릭스(345) 위에 제1 버퍼층(347)이 제공될 수 있다. 상기 제1 버퍼층(347)은 상기 제1 블랙 매트릭스(345)와 상기 제1 채널층(760) 사이에 제공될 수 있다. 상기 제1 버퍼층(347)은 상기 제1 채널층(760)을 구성하는 질화물 반도체층의 성장을 도울 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(445) 위에 제2 버퍼층(447)이 제공될 수 있다. 상기 제2 버퍼층(447)은 상기 제2 블랙 매트릭스(445)와 상기 제2 채널층(860) 사이에 제공될 수 있다. 상기 제2 버퍼층(447)은 상기 제2 채널층(860)을 구성하는 질화물 반도체층의 성장을 도울 수 있다. 예로서, 상기 제1 버퍼층(347)과 상기 제2 버퍼층(447)은 AlN, AlInN, AlGaN을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다.According to an embodiment, a first buffer layer 347 may be provided on the first black matrix 345. The first buffer layer 347 may be provided between the first black matrix 345 and the first channel layer 760. The first buffer layer 347 may help to grow the nitride semiconductor layer constituting the first channel layer 760. A second buffer layer 447 may be provided on the second black matrix 445. The second buffer layer 447 may be provided between the second black matrix 445 and the second channel layer 860. The second buffer layer 447 may help to grow the nitride semiconductor layer constituting the second channel layer 860. For example, the first buffer layer 347 and the second buffer layer 447 may include a single layer or multiple layers including at least one material selected from the group consisting of AlN, AlInN, and AlGaN.

예로서, 상기 제1 블랙 매트릭스(345)의 폭은 상기 제1 버퍼층(347)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 블랙 매트릭스(345)의 폭은 상기 제1 채널층(760)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 제1 버퍼층(347)의 폭은 상기 제1 채널층(760)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(445)의 폭은 상기 제2 버퍼층(447)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 블랙 매트릭스(445)의 폭은 상기 제2 채널층(860)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 제2 버퍼층(447)의 폭은 상기 제2 채널층(860)의 폭과 동일하게 제공될 수 있다.For example, the width of the first black matrix 345 may be equal to the width of the first buffer layer 347. For example, the width of the first black matrix 345 may be equal to the width of the first channel layer 760. The width of the first buffer layer 347 may be equal to the width of the first channel layer 760. The width of the second black matrix 445 may be equal to the width of the second buffer layer 447. For example, the width of the second black matrix 445 may be equal to the width of the second channel layer 860. The width of the second buffer layer 447 may be equal to the width of the second channel layer 860.

실시 예에 의하면, 상기 성장기판(310) 위에 상기 제2 보호막(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 보호막(322)의 하부면이 상기 성장기판(310)의 상부면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 블랙 매트릭스(345)와 상기 제2 블랙 매트릭스(445)가 제공되지 않은 영역에서, 상기 제2 보호막(322)이 상기 성장기판(310)에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second protective film 322 may be disposed on the growth substrate 310. The lower surface of the second protective film 322 may be disposed in contact with the upper surface of the growth substrate 310. The second protective layer 322 may be disposed in direct contact with the growth substrate 310 in an area where the first black matrix 345 and the second black matrix 445 are not provided.

실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공함으로써 높은 캐리어 이동도를 구현할 수 있게 된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 채널층으로 적용되는 물질에 따라 전자 이동도(㎠/Vs)가 달라지게 되는데, 아몰퍼스 실리콘 반도체의 경우에는 전자 이동도가 1이고, 산화물 반도체의 경우에는 10 내지 80, 폴리 실리콘 반도체의 경우에는 100 이하인 것으로 보고되고 있다. 그러나, 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 전자 이동도가 1500에 달하는 것으로 측정되고 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 질화물계 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 반도체가 적용된 박막 트랜지스터에 비해 15 배 이상의 높은 전자 이동도를 구현할 수 있게 된다.According to the thin film transistor substrate according to the embodiment, a high carrier mobility can be realized by providing the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer. For example, the electron mobility (cm 2 / Vs) varies depending on the material used as the channel layer in the thin film transistor. In the amorphous silicon semiconductor, the electron mobility is 1, and in the case of the oxide semiconductor, And in the case of a polysilicon semiconductor, it is reported to be 100 or less. However, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment has been measured to have an electron mobility of 1500. Accordingly, the thin film transistor including the nitride based semiconductor layer according to the embodiment can realize a 15 times higher electron mobility than the thin film transistor to which the polysilicon semiconductor is applied.

따라서, 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치에 의하면, 높은 캐리어 이동도를 제공할 수 있게 되므로, 고해상도를 구현하고 부드러운 동화상을 재생할 수 있게 된다.Therefore, according to the thin film transistor substrate, the display panel and the display device including the thin film transistor substrate according to the embodiment, it is possible to provide a high carrier mobility, thereby realizing a high resolution and reproducing a smooth moving image.

도 53은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 포함하는 표시장치의 예를 나타낸 블록도이다.53 is a block diagram showing an example of a display device including a thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention.

실시 예에 따른 표시장치는, 도 53에 도시된 바와 같이, 표시패널(2100)과 패널 구동부(2300)를 포함할 수 있다. The display device according to the embodiment may include a display panel 2100 and a panel driver 2300 as shown in FIG.

상기 표시패널(2100)은 도 42 내지 도 52를 참조하여 설명된 박막 트랜지스터 기판 중의 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 패널 구동부(2300)는 상기 표시패널(2100)에 구동 신호를 제공할 수 있다. 상기 패널 구동부(2300)는 상기 표시패널(2100)에 제공된 복수 화소의 광 투과율을 제어할 수 있으며, 이에 따라 상기 표시패널(2100)에 영상이 표시될 수 있게 된다.The display panel 2100 may include any one of the thin film transistor substrates described with reference to FIGS. The panel driver 2300 may provide a driving signal to the display panel 2100. The panel driving unit 2300 can control the light transmittance of a plurality of pixels provided on the display panel 2100 so that an image can be displayed on the display panel 2100.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

10, 310 성장기판 15 디플리션 형성층
21 제1 보호막 22 제2 보호막
23 제3 보호막 24 제4 보호막
30, 130, 230 박막 트랜지스터 31 소스 컨택부
32 드레인 컨택부 33, 233, 733, 833 게이트 전극
35 제1 게이트 전극 36 제2 게이트 전극
38제2 게이트 연결배선 40, 45, 46 블랙 매트릭스
41 게이트 배선 47 버퍼층
50, 51 본딩층 53 본딩층
55, 56 지지기판 60, 260, 760, 860 채널층
61, 261, 761, 861 제1 질화물 반도체층
62, 262, 762, 862 제2 질화물 반도체층
71 소스 전극 72 드레인 전극
73 데이터 배선 80, 81, 82 화소전극
85 공통전극 91 터치패널 하부전극
92 터치패널 상부전극 330, 530, 730 스위칭 박막 트랜지스터
331 제1 소스 컨택부 332 제1 드레인 컨택부
333 제1 게이트 전극 341 제1 게이트 배선
360 제1 채널층 361 제1 질화물 반도체층
362 제2 질화물 반도체층 371 제1 소스 전극
372 제1 드레인 전극 373 데이터 배선
375 제1 드레인-게이트 연결배선
430, 830 구동 박막 트랜지스터
431 제2 소스 컨택부 432 제2 드레인 컨택부
433 제2 게이트 전극 441 제2 게이트 배선
460 제2 채널층 461 제1 질화물 반도체층
462 제2 질화물 반도체층 471 제2 소스 전극
472 제2 드레인 전극 474 구동 전원배선
475 제2 드레인-게이트 연결배선
486 하부 전극 487 상부 전극
488 발광층 535 제1 게이트 전극
536 제1 이중 게이트 전극10, < / RTI > 310 growth substrate 15 depletion layer
21 First protective film 22 Second protective film
23 Third protective film 24 Fourth protective film
30, 130, 230 Thin film transistor 31 Source contact portion
32 drain contact portions 33, 233, 733, 833,
35 first gate electrode 36 second gate electrode
38 second gate connection wiring 40, 45, 46 black matrix
41 gate wiring 47 buffer layer
50, 51 Bonding layer 53 Bonding layer
55, 56 Support substrate 60, 260, 760, 860 Channel layer
61, 261, 761, 861 The first nitride semiconductor layer
62, 262, 762, 862 A second nitride semiconductor layer
71 source electrode 72 drain electrode
73 data wiring 80, 81, 82 pixel electrode
85 Common electrode 91 Touch panel lower electrode
92 touch panel upper electrode 330, 530, 730 switching thin film transistor
331 first source contact portion 332 first drain contact portion
333 First gate electrode 341 First gate wiring
360 first channel layer 361 first nitride semiconductor layer
362 Second nitride semiconductor layer 371 First source electrode
372 First drain electrode 373 Data line
375 First drain-gate connection wiring
430, 830 driving thin film transistor
431 second source contact portion 432 second drain contact portion
433 Second gate electrode 441 Second gate wiring
460 Second channel layer 461 First nitride semiconductor layer
462 Second nitride semiconductor layer 471 Second source electrode
472 Second drain electrode 474 Driving power supply wiring
475 2nd drain-gate connection wiring
486 lower electrode 487 upper electrode
488 Emissive layer 535 First gate electrode
536 first double gate electrode

Claims (22)

기판;
상기 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제1 채널층, 상기 제1 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제1 소스 전극, 상기 제1 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제1 드레인 전극, 상기 제1 채널층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 상기 제1 채널층과 상기 제1 게이트 전극 사이에 배치된 제1 디플리션 형성층, 상기 제1 채널층 아래에 배치된 제1 이중 게이트 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터;
상기 기판 위에 배치되며, 질화물계 반도체층을 포함하는 제2 채널층, 상기 제2 채널층의 제1 영역에 전기적으로 연결된 제2 소스 전극, 상기 제2 채널층의 제2 영역에 전기적으로 연결된 제2 드레인 전극, 상기 제2 채널층 위에 배치된 제2 게이트 전극, 상기 제2 채널층과 상기 제2 게이트 전극 사이에 배치된 제2 디플리션 형성층, 상기 제2 채널층 아래에 배치된 제2 이중 게이트 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터;
를 포함하는 박막 트랜지스터 기판.Board;
A first channel layer disposed on the substrate and including a nitride based semiconductor layer, a first source electrode electrically coupled to a first region of the first channel layer, a second source electrode electrically coupled to the second region of the first channel layer, 1 drain electrode, a first gate electrode disposed on the first channel layer, a first depletion-imparting layer disposed between the first channel layer and the first gate electrode, a first depletion-forming layer disposed between the first channel layer and the first gate electrode, A switching thin film transistor including a double gate electrode;
A second channel layer disposed on the substrate and including a nitride based semiconductor layer, a second source electrode electrically coupled to the first region of the second channel layer, and a second source electrode electrically coupled to the second region of the second channel layer, A drain electrode, a second gate electrode disposed on the second channel layer, a second depletion-imparting layer disposed between the second channel layer and the second gate electrode, a second depletion-layer formed between the second channel layer and the second gate layer, A driving thin film transistor including a double gate electrode;
And a thin film transistor substrate. 제1항에 있어서,
상기 제1 채널층과 상기 제2 채널층은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 1,
Wherein the first channel layer and the second channel layer are formed of a thin film including In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Transistor substrate. 제1항에 있어서,
상기 제1 채널층은 제1 GaN 반도체층과, 상기 제1 GaN 반도체층과 상기 제1 디플리션 형성층 사이에 배치된 제1 AlGaN 반도체층을 포함하고,
상기 제2 채널층은 제2 GaN 반도체층과, 상기 제2 GaN 반도체층과 상기 제2 디플리션 형성층 사이에 배치된 제2 AlGaN 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 1,
Wherein the first channel layer comprises a first GaN semiconductor layer and a first AlGaN semiconductor layer disposed between the first GaN semiconductor layer and the first depletion-
Wherein the second channel layer comprises a second GaN semiconductor layer, and a second AlGaN semiconductor layer disposed between the second GaN semiconductor layer and the second depletion-forming layer. 제3항에 있어서,
상기 제1 디플리션 형성층과 상기 제2 디플리션 형성층은 p형 도펀트가 첨가된 질화물 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.The method of claim 3,
Wherein the first depletion-forming layer and the second depletion-forming layer include a nitride semiconductor layer doped with a p-type dopant. 제3항에 있어서,
상기 제1 디플리션 형성층과 상기 제2 디플리션 형성층은 p형 도펀트가 첨가된 GaN 반도체층 또는 p형 도펀트가 첨가된 AlGaN 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.The method of claim 3,
Wherein the first and second depletion-forming layers include a GaN semiconductor layer doped with a p-type dopant or an AlGaN semiconductor layer doped with a p-type dopant. 제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 채널층 사이에 배치된 제1 블랙 매트릭스, 상기 기판과 상기 제2 채널층 사이에 배치된 제2 블랙 매트릭스를 포함하는 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 1,
A first black matrix disposed between the substrate and the first channel layer; and a second black matrix disposed between the substrate and the second channel layer. 제6항에 있어서,
상기 제1 채널층의 폭과 상기 제1 블랙 매트릭스의 폭이 같고, 상기 제2 채널층의 폭과 상기 제2 블랙 매트릭스의 폭이 같은 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 6,
Wherein a width of the first channel layer is equal to a width of the first black matrix and a width of the second channel layer is equal to a width of the second black matrix. 제6항에 있어서,
상기 제1 블랙 매트릭스와 상기 제2 블랙 매트릭스는 Si 기반의 물질, Ga 기반의 물질, Al 기반의 물질, 유기물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단일층 또는 다중층인 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 6,
Wherein the first black matrix and the second black matrix are a single layer or multiple layers comprising at least one material selected from Si-based materials, Ga-based materials, Al-based materials and organic materials. 제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 채널층 사이에 배치된 제1 본딩층, 상기 기판과 상기 제2 채널층 사이에 배치된 제2 본딩층을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 1,
A first bonding layer disposed between the substrate and the first channel layer; and a second bonding layer disposed between the substrate and the second channel layer. 제9항에 있어서,
상기 제1 본딩층과 상기 제2 본딩층 각각은, 상기 기판 위에 배치된 반사층과, 상기 반사층 위에 배치된 메탈본딩층과 상기 메탈본딩층 위에 배치된 절연층을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.10. The method of claim 9,
Wherein each of the first bonding layer and the second bonding layer includes a reflective layer disposed on the substrate, a metal bonding layer disposed on the reflective layer, and an insulating layer disposed on the metal bonding layer. 제9항에 있어서,
상기 제1 채널층의 폭과 상기 제1 본딩층의 폭이 같고, 상기 제2 채널층의 폭과 상기 제2 본딩층의 폭이 같은 박막 트랜지스터 기판.10. The method of claim 9,
Wherein a width of the first channel layer is equal to a width of the first bonding layer and a width of the second channel layer is equal to a width of the second bonding layer. 제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 채널층 사이, 상기 기판과 상기 제2 채널층 사이에 배치된 본딩층을 포함하고,
상기 본딩층은 상기 기판의 전체 면적에 배치되며, 유기물을 포함하고 투과도가 70% 이상인 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 1,
And a bonding layer disposed between the substrate and the first channel layer, between the substrate and the second channel layer,
Wherein the bonding layer is disposed on an entire surface of the substrate, the substrate includes an organic material and has a transmittance of 70% or more. 제1항에 있어서,
상기 기판은 성장기판인 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is a growth substrate. 제1항에 있어서,
상기 스위칭 박막 트랜지스터의 제1 드레인 전극과 상기 구동 박막 트랜지스터의 제2 게이트 전극이 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 1,
Wherein a first drain electrode of the switching thin film transistor and a second gate electrode of the driving thin film transistor are electrically connected to each other. 제1항에 있어서,
상기 제1 채널층 위에 배치된 제1 보호막, 상기 기판 및 상기 제1 보호막 위에 배치된 제2 보호막, 상기 제1 보호막을 관통하여 상기 제1 채널층의 제1 영역에 접촉되어 배치되고 상기 제1 소스 전극에 전기적으로 연결된 제1 소스 컨택부, 상기 제1 보호막을 관통하여 상기 제1 채널층의 제2 영역에 접촉되어 배치되고 상기 제1 드레인 전극에 전기적으로 연결된 제1 드레인 컨택부를 포함하는 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 1,
A first protective film disposed on the first channel layer, a second protective film disposed on the substrate and the first protective film, a second protective film disposed in contact with the first region of the first channel layer through the first protective film, A first source contact portion electrically connected to the source electrode, a first drain contact portion disposed in contact with a second region of the first channel layer through the first passivation layer and electrically connected to the first drain electrode, Transistor substrate. 제15항에 있어서,
상기 제1 게이트 전극은 상기 제1 보호막과 상기 제2 보호막을 관통하여 상기 제1 디플리션 형성층에 접촉되어 배치되고,
상기 제2 보호막 위에 배치되어 상기 제1 게이트 전극과 전기적으로 연결된 게이트 배선을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.16. The method of claim 15,
Wherein the first gate electrode is disposed in contact with the first depletion-forming layer through the first protective film and the second protective film,
And a gate wiring disposed on the second protective film and electrically connected to the first gate electrode. 제16항에 있어서,
상기 제2 보호막과 상기 게이트 배선 위에 배치된 제3 보호막을 포함하고,
상기 제1 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극은 상기 제3 보호막 위에 배치된 박막 트랜지스터 기판.17. The method of claim 16,
And a third protective film disposed on the second protective film and the gate wiring,
Wherein the first source electrode and the first drain electrode are disposed on the third protective film. 제15항에 있어서,
상기 제1 소스 컨택부의 측면과 상기 제1 드레인 컨택부의 측면이 서로 마주보게 배치되고, 상기 제1 디플리션 형성층이 상기 제1 소스 컨택부의 측면과 상기 제1 드레인 컨택부의 측면 사이에 일 방향으로 연장되어 배치되고, 상기 일 방향으로 연장되어 배치된 상기 제1 디플리션 형성층의 길이가 상기 제1 소스 컨택부의 측면 길이에 비해 더 긴 박막 트랜지스터 기판.16. The method of claim 15,
Wherein the first source contact portion and the first drain contact portion are disposed so as to face each other, and the first depletion-forming layer is disposed between the side surface of the first source contact portion and the side surface of the first drain contact portion in one direction And a length of the first depletion-imparting layer extending in the one direction is longer than a side length of the first source contact portion. 제1항에 있어서,
상기 제1 게이트 전극과 상기 제1 이중 게이트 전극이 수직 방향에서 서로 중첩되어 배치된 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 1,
Wherein the first gate electrode and the first double gate electrode are disposed so as to overlap each other in a vertical direction. 제1항에 있어서,
상기 구동 박막 트랜지스터 위에 배치되며 상기 구동 박막 트랜지스터의 상기 제2 드레인 전극에 전기적으로 연결된 하부 전극;
상기 하부 전극 위에 배치된 발광층;
상기 발광층 위에 배치된 상부 전극;
을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.The method according to claim 1,
A lower electrode disposed on the driving thin film transistor and electrically connected to the second drain electrode of the driving thin film transistor;
A light emitting layer disposed on the lower electrode;
An upper electrode disposed on the light emitting layer;
And a gate electrode. 제1항 내지 제20항 중의 어느 한 항에 따른 박막 트랜지스터 기판을 포함하는 표시패널.20. A display panel comprising the thin film transistor substrate according to any one of claims 1 to 20. 제1항 내지 제20항 중의 어느 한 항에 따른 박막 트랜지스터 기판을 포함하는 표시패널;
상기 표시패널을 구동하는 패널 구동부;
를 포함하는 표시장치.
A display panel including the thin film transistor substrate according to any one of claims 1 to 20;
A panel driver for driving the display panel;
.
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