KR20170077732A - 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양 전지 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 48
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 25
- 229920000936 Agarose Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 13
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims abstract description 11
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical class [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical class NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 6
- UODXCYZDMHPIJE-UHFFFAOYSA-N menthanol Chemical compound CC1CCC(C(C)(C)O)CC1 UODXCYZDMHPIJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 claims description 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 claims description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000326 ultraviolet stabilizing agent Substances 0.000 claims 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012963 UV stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 description 1
- 229920000037 Polyproline Polymers 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- HFBMWMNUJJDEQZ-UHFFFAOYSA-N acryloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C=C HFBMWMNUJJDEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007603 infrared drying Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N methacryloyl chloride Chemical compound CC(=C)C(Cl)=O VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 description 1
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
도전성 분말, 유리 프릿, 유기 바인더 및 용매를 포함하고, 상기 유기 바인더는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 불포화 작용기 및 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 말단 작용기를 포함하는 아가로스 유도체를 포함하는 전극 형성용 조성물을 제공한다.
Description
전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 태양 전지에 관한 것이다.
태양 전지는 태양광의 광자(photon)를 전기로 변환시키는 pn 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양 전지는 pn 접합이 구성되는 반도체 기판(반도체 웨이퍼) 상하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어있다. 태양 전지는 기판에 입사되는 태양광에 의해 pn 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다.
이러한 태양 전지의 전극은 전극 형성용 조성물의 도포, 패터닝 및 소성에 의해, 기판 표면에 일정 패턴으로 형성될 수 있다.
태양 전지의 변환효율을 향상시키기 위하여 기판과 접촉성을 향상하여 접촉저항(Rc)과 직렬저항(Rs)을 최소화시키거나 유기물로 스크린 마스크(screen mask)의 패턴 선폭을 작게 조절함으로써 미세 선폭(fine line)을 형성하여 단락전류(Isc)를 높이는 방법이 알려져 있다. 그러나 스크린 마스크를 이용하여 전극 패턴 선폭을 감소시키는 방법은 직렬저항(Rs)의 상승을 유발할 수 있고, 미세 패턴의 연속 인쇄성을 저하시킬 수 있다.
전극 형성용 조성물은 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여하기 위하여 유기 비히클을 사용하는데, 상기 유기 비히클은 통상적으로 유기 바인더와 용제 등을 포함할 수 있다.
분산성과 저장 안정성을 높이기 위한 방안으로 유기 바인더의 함량을 높이거나, 고분자량의 유기 바인더를 사용할 수 있다.
유기 바인더의 함량을 높이는 경우에는 전극 형성시 저항이 높아질 수 있으며, 고분자량의 유기 바인더를 사용하는 경우에는 고전단 속도(high shear rate)에서도 점도가 높아져 테일링(tailing) 현상 및 인쇄 불량이 발생할 수 있다는 문제점이 있다.
일 구현예는 고해상도의 미세 패턴의 형성이 가능하고 인쇄 특성이 우수하며, 분산성과 저장 안정성이 우수하며, 이로부터 형성된 전극의 평탄성이 우수한 전극 형성용 조성물을 제공한다.
다른 일 구현예는 상기 전극 형성용 조성물로 제조된 전극을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 전극을 포함하는 태양 전지를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 도전성 분말, 유리 프릿, 유기 바인더 및 용매를 포함하고, 상기 유기 바인더는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 불포화 작용기 및 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 말단 작용기를 포함하는 아가로스 유도체를 포함하는 전극 형성용 조성물을 제공한다.
상기 유기 바인더는 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체일 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C2 내지 C15 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 헤테로아릴기 및 하기 화학식 2로 표현되는 치환기에서 선택되고, R1, R2 및 R3중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표현되는 치환기이고,
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
R11과 R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 메틸렌기이고,
p는 0 내지 3의 정수이고,
q는 0 내지 3의 정수이고,
X는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 불포화 작용기이고,
Y는 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 말단 작용기이다.
상기 유기 바인더의 중량평균분자량(Mw)은 1,000 내지 300,000g/mol일 수 있다.
상기 전극 형성용 조성물은 도전성 분말 60 내지 95 중량%; 유리 프릿 0.5 내지 20 중량%; 유기 바인더 0.1 내지 20 중량% 및 용매를 잔부량으로 포함할 수 있다.
상기 유리 프릿은 납(Pb), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi), 리튬(Li), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 철(Fe), 규소(Si), 아연(Zn), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 세슘(Cs), 스트론튬(Sr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 나트륨(Na), 칼륨(K), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn) 및 알루미늄(Al)에서 선택되는 1종 이상의 금속 원소를 포함할 수 있다.
상기 용매는 메틸 셀로솔브(methyl cellosolve), 에틸 셀로솔브(ethyl cellosolve), 부틸 셀로솔브(butyl cellosolve), 지방족 알코올(aliphatic alcohol), α-터피네올(terpineol), β-터피네올, 다이하이드로터피네올(dihydro-terpineol), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 에틸렌 글리콜모노부틸에테르(ethylene glycol mono butyl ether), 부틸셀로솔브 아세테이트(butyl cellosolve acetate) 및 텍사놀(Texanol)에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전극 형성용 조성물은 표면처리제, 분산제, 요변제, 점도 안정화제, 가소제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제에서 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함할 수 있다.
다른 구현예는 상기 전극 형성용 조성물로 제조된 전극을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 전극을 포함하는 태양 전지를 제공한다.
상기 전극 형성용 조성물은 고해상도의 미세 패턴의 형성이 가능하고 인쇄 특성이 우수하며 분산성과 저장 안정성이 우수하며, 이로부터 형성된 전극의 평탄성이 우수하다.
도 1은 일 구현예에 따른 태양 전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
이하에서 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐(F, Cl, Br 또는 I), 히드록시기, C1 내지 C20의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산기 또는 그것의 염, C1 내지 C20의 알킬기, C2 내지 C20의 알케닐기, C2 내지 C20의 알키닐기, C6 내지 C30의 아릴기, C3 내지 C20의 사이클로알킬기, C3 내지 C20의 사이클로알케닐기, C3 내지 C20의 사이클로알키닐기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 고리기 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.
일 구현예에 따른 전극 형성용 조성물은 도전성 분말 유리 프릿 유기 바인더 및 용매를 포함하고 상기 유기 바인더는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 불포화 작용기 및 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 말단 작용기를 포함하는 아가로스 유도체이다.
이하, 상기 전극 형성용 조성물의 각 구성 성분을 상세히 설명하면 다음과 같다.
상기 전극 형성용 조성물은 도전성 분말로서 금속 분말을 포함할 수 있다. 상기 금속 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 레늄(Re), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 이트륨(Y), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 철(Fe), 텅스텐(W), 주석(Sn), 크롬(Cr) 및 망간(Mn)에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 도전성 분말은 나노 사이즈 또는 마이크로 사이즈의 입경을 갖는 분말일 수 있는데, 예를 들어 수십 내지 수백 나노미터 크기의 도전성 분말, 수 내지 수십 마이크로미터의 도전성 분말일 수 있으며, 2 이상의 서로 다른 사이즈를 갖는 도전성 분말을 혼합하여 사용할 수도 있다.
상기 도전성 분말은 입자 형상이 구형, 판상, 무정형 형상을 가질 수 있다. 상기 도전성 분말의 평균 입경(D50)은 바람직하게는 0.1㎛ 내지 10㎛이며, 더 바람직하게는 0.5㎛ 내지 5㎛이 될 수 있다. 상기 평균 입경은 이소프로필알코올(IPA)에 도전성 분말을 초음파로 상온(20 내지 25℃에서 3분 동안 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다. 상기 범위 내에서, 접촉저항과 선 저항이 낮아지는 효과를 가질 수 있다.
상기 도전성 분말은 전극 형성용 조성물 총량 100 중량%에 대하여 60 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 저항의 증가로 변환 효율이 낮아지는 것을 막을 수 있고, 유기 비히클 양의 상대적인 감소로 페이스트화가 어려워지는 것을 막을 수 있다. 바람직하게는 70 내지 90 중량%로 포함될 수 있다.
상기 유리 프릿(glass frit)은 전극 형성용 조성물의 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭(etching)하고, 도전성 분말 입자를 용융시켜 저항이 낮아질 수 있도록 에미터 영역에 도전성 분말의 금속 결정 입자를 생성시키고, 도전성 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결 시에 연화하여 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도한다.
태양 전지의 효율을 증가시키기 위하여 태양 전지의 면적을 증가시키면 태양 전지의 접촉저항이 높아질 수 있으므로 pn 접합(pn junction)의 손상을 최소화함과 동시에 직렬저항을 최소화시켜야 한다. 또한, 다양한 면저항을 가지는 기판의 증가에 따라 소성 온도가 변동폭이 커지므로 넓은 소성 온도에서도 열안정성이 충분히 확보될 수 있는 유리 프릿을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 유리 프릿은 통상적으로 전극 형성용 조성물에 사용되는 유연 유리 프릿 및 무연 유리 프릿 중 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
상기 유리 프릿은 납(Pb), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi), 리튬(Li), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 철(Fe), 규소(Si), 아연(Zn), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 세슘(Cs), 스트론튬(Sr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 나트륨(Na), 칼륨(K), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn) 및 알루미늄(Al)에서 선택되는 1종 이상의 금속 원소를 포함할 수 있다.
유리 프릿은 통상의 방법을 사용하여 상기 기술된 금속 원소의 산화물로부터 유래된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 원소의 산화물을 특정 조성으로 혼합하여 제조한 혼합물을 용융한 후 급냉(quenching)한 다음 다시 분쇄하여 얻을 수 있다. 상기 혼합 공정은 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill)을 사용하여 실시할 수 있다. 상기 용융 공정은 700℃내지 1300℃의 조건에서 실시할 수 있으며, 상기 급냉 공정은 상온(20 내지 25℃)에서 실시할 수 있다. 상기 분쇄 공정은 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등에 의해 실시할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 10㎛인 것이 사용될 수 있으며, 전극 형성용 조성물 총량 100 중량%에 대하여 0.5 내지 20 중량% 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 전극의 전기적 특성을 저해하지 않는 범위에서 전극의 접착 강도(adhesion strength)를 향상시킬 수 있다.
상기 유리 프릿의 형상은 구형이어도 무정형상이어도 무방하다. 일 구현예에서, 전이 온도가 상이한 2종의 유리 프릿을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 전이 온도가 200℃이상 350 ℃이하인 제1 유리 프릿과 전이 온도가 350℃초과 550℃이하인 제2 유리 프릿을 1 : 0.2 내지 1 : 1의 중량비로 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 유기 바인더는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 불포화 작용기 및 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 말단 작용기를 포함하는 아가로스 유도체이다.
상기 유기 바인더는 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체일 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C2 내지 C15 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 헤테로아릴기 및 하기 화학식 2로 표현되는 치환기에서 선택되고, R1, R2 및 R3중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표현되는 치환기이고,
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
R11과 R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 메틸렌기이고,
p는 0 내지 3의 정수이고,
q는 0 내지 3의 정수이고,
X는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 불포화 작용기이고,
Y는 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 말단 작용기이다.
상기 유기 바인더는 아가로스에 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 불포화 작용기 및 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 말단 작용기가 포함되도록 개질된 아가로스 유도체이다. 상기 개질된아가로스 유도체는 용매에 대한 용해성(solubility)이 우수하다.
상기 유기 바인더는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 불포화 작용기를 포함하여 전극 형성용 조성물의 건조 및/또는 소성시에 가교결합을 유도하여 패턴의 형상과 선폭을 유지하고 높은 종횡비를 유지할 수 있도록 한다.
또한 말단에 존재하는 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 작용기는 도전성 분말의 표면 전하와의 정전기적 결합을 유도하여 도전성 분말의 분산성을 극대화할 수 있고 이로써 저장 안정성을 향상시킬 수 있으며, 결과적으로 향상된 분산성에 기인하여 우수한 전기 비저항 특성을 얻을 수 있다.
또한, 상기 말단에 존재하는 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 말단 작용기는 수소결합력을 증대시켜 소성시 발생하는 열에 의하여 페이스트(paste)가 뭉개지면서 폭(width)이 넓어지는 현상을 줄여 높은 종횡비의 미세 패턴 구현이 가능하며, 측쇄(side chain) 효과로 전단 박화성(shear thinning)이 좋아 고해상도의 전극 패턴을 구현할 수 있다.
또한, 상기 유기 바인더는 후술하는 첨가제들과 유기 바인더의 상용성(compatibility)을 향상시켜 전극 형성용 조성물의 인쇄 특성을 향상시킬 수 있다.
상기 아가로스 유도체는 아가로스의 히드록시기와 반응할 수 있는 작용기를 함유하고 상기 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 불포화 작용기 및 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 말단 작용기를 포함하거나 유도할 수 있는 개질제(modifying agent)를 아가로스와 반응시켜 제조할 수 있다. 상기 개질제의 예로는 말레산(maleic acid), 말레산 무수물(maleic anhydride), 아크릴로일 클로라이드(acryloyl chloride), 메타크릴로일 클로라이드(methacryloyl chloride), 글리시딜 아크릴레이트(glycidyl acrylate), 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate) 등을 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기 바인더의 중량평균분자량(Mw)은 1,000 내지 300,000g/mol일 수 있으며, 구체적으로는 5,000 내지 200,000 g/mol 일 수 있다. 상기 범위에서 전극 형성용 조성물의 분산성과 인쇄 특성을 개선할 수 있다.
상기 전극 형성용 조성물은 도전성 분말 60 내지 95 중량%; 유리 프릿 0.5 내지 20 중량%; 유기 바인더 0.1 내지 20 중량% 및 용매를 잔부량으로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 전극 형성용 조성물의 적절한 점도를 얻을 수 있어 기판과의 접착력 저하를 방지할 수 있으며, 소성시 유기 바인더의 분해가 원활히 이뤄지지 않아 저항이 높아지고 소성 공정시 전극의 갈라짐, 오픈, 핀홀 발생 등의 문제점을 방지할 수 있다.
상기 용매로는 100℃이상의 비점을 갖는 것으로, 메틸셀로솔브(methyl cellosolve), 에틸 셀로솔브(ethyl cellosolve), 부틸 셀로솔브(butylcellosolve), 지방족 알코올(aliphatic alcohol), α-터피네올(terpineol), β-터피네올, 다이하이드로터피네올(dihydro-terpineol), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 에틸렌 글리콜모노부틸에테르(ethylene glycol mono butyl ether), 부틸셀로솔브 아세테이트(butyl cellosolve acetate), 텍사놀(Texanol) 등을 단독 또는 2종이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 용매는 전극 형성용 조성물 중 잔부량으로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 전극 형성용 조성물 총량 100 중량%에 대하여 1 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 충분한 접착강도와 우수한 인쇄성을 확보할 수 있다.
상기 전극 형성용 조성물은 상기에서 기술한 구성 요소 외에 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 표면처리제, 분산제, 요변제, 점도 안정화제, 가소제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
이들은 전극 형성용 조성물 총량 100 중량%에 대하여 0.1 내지 5 중량%로 포함될 수 있지만 필요에 따라 함량을 변경할 수 있다. 상기 첨가제의 함량은 전극 형성용 조성물의 인쇄 특성, 분산성 및 저장 안정성을 고려하여 선택될 수 있다.
다른 구현예에 따르면 상기 전극 형성용 조성물로부터 형성된 전극을 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면 상기 전극을 포함하는 태양 전지를 제공한다.
도 1을 참조하여 일 구현예에 따른 태양 전지를 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 태양 전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
도 1을 참조하면, p층(또는 n층)(101) 및 에미터로서의 n층(또는 p층)(102)을 포함하는 기판(100) 상에, 전극 형성용 조성물을 인쇄하고 소성하여 후면 전극(210) 및 전면 전극(230)을 형성할 수 있다. 예컨대, 전극 형성용 조성물을 기판의 후면에 인쇄 도포한 후, 대략 200℃내지 400℃온도로 대략10 내지 60초 정도 건조하여 후면 전극을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다.
또한, 기판의 전면에 전극 형성용 조성물을 인쇄한 후 건조하여 전면 전극을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 400℃ 내지 980℃, 바람직하게는 700℃ 내지 980℃에서 약 30초 내지 210초 소성 과정을 수행하여 전면 전극 및 후면 전극을 형성할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로, 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
<합성예> 아가로스 유도체의 합성
1L 둥근 플라스크에 1,4-디옥산 200ml와 아가로스 20g을 투입하고 서서히 교반 후 실온에서 6시간 유지하였다. 피리딘 8g을 투입한 후 말레산 무수물(maleic anhydride) 14g을 서서히 추가투입하고 질소가스(N2) 분위기 하에서 반응온도 60℃까지 서서히 승온하여 6시간 동안 교반 후 반응 종료 하였다. 반응 종료 후 정제 및 건조하여 말레인산 무수물로 개질된 아가로스 유도체를 수득하였다.
전극 형성용 조성물의 제조
<
실시예
1>
유기 바인더로서 상기 합성예에서 제조된 아가로스 유도체 2 중량%을 용매인 텍사놀(Eastman chemical) 7.5 중량%에 50℃에서 충분히 용해한 후, 평균입경(D50)이 5.0㎛인 구형의 은 분말(Dowa Hightech Co. Ltd, 5-8F) 87 중량%, 평균 입경(D50)이 1.0㎛ 이고 전이점이 341℃인 유연 유리((주)파티클로지, CI-124) 프릿 3 중량%, 첨가제로서 분산제 BYK102(BYK-chemie) 0.2 중량% 및 요변제 Thixatrol ST(Elementis Co.) 0.3 중량%를 투입하여 균일하게 믹싱 후 3롤 혼련기로 혼합 분산시켜 태양전지 전극 형성용 조성물을 준비하였다.
<
비교예
1>
상기 합성예에서 제조된 아가로스 유도체 대신 에틸셀룰로오스(Dow chemical, STD4)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 조성물을 준비하였다.
<비교예 2>
상기 합성예에서 제조된 아가로스 유도체 대신 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트(cellulose acetate butyrate, Eastman, CAB381-0.5)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 조성물을 준비하였다.
[물성 평가 방법]
(1) 미세패턴 평가: 준비된 전극 형성용 조성물을 면 저항 90Ω인 폴리 P 타입 실리콘 웨이퍼(Wafer) 전면에 스크린 마스크를 이용하여 각각 스크린 프린팅하여 전극 패턴을 인쇄하고, 적외선 건조로를 사용하여 건조시켰다. 이후 웨이퍼의 후면에 알루미늄을 포함하는 전극 형성용 조성물을 후면 인쇄한 후 동일한 방법으로 건조하였다. 상기 과정으로 형성된 Cell을 벨트형 소성로를 사용하여 400℃ 내지 950℃사이로 30초에서 50초간 소성을 행하였으며, 제조된 전극의 단선 여부를 확인하기 위하여 EL tester(MV tech社)를 이용하여 Line open 개수를 측정하였으며 전극 라인의 선폭 및 두께는 VK 장비(KEYENCE社 VK9710)를 이용하여 측정하였으며 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
* 스크린 마스크: SUS325 type/Emulsion 두께 15㎛/finger bar 선폭 35㎛, finger bar 개수 90개
| 실시예 1 | 비교예 1 | 비교예 2 | ||
| 조성 | 은 분말(중량%) | 87 | 87 | 87 |
| 유리프릿(중량%) | 3 | 3 | 3 | |
| 아가로스 유도체 | 2 | 0 | 0 | |
| 에틸셀룰로오스 (STD4) (중량%) | 0 | 2 | 0 | |
| 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트(중량%) | 0 | 0 | 2 | |
| 유기용매(중량%) | 7.5 | 7.5 | 7.5 | |
| 첨가제(중량%) | 0.5 | 0.5 | 0.5 | |
| 소성 후 선폭 (㎛) | 65 | 74 | 80 | |
| 물성 | 소성 후 두께 (㎛) | 24 | 23 | 20 |
| 종횡비 (두께/선폭) | 0.37 | 0.31 | 0.25 | |
상기 표 1의 결과값에서 보듯이, 유기 바인더로서 아가로스 유도체를 사용한 실시예 1의 태양전지 전극 형성용 조성물은 이러한 유기 바인더를 사용하지 않은 비교예 1 및 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트를 사용한 비교예 2의 태양전지 전극 형성용 조성물 대비 종횡비가 우수하며 미세선폭 구현이 가능한 것을 알 수 있다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
Claims (9)
- 도전성 분말, 유리 프릿, 유기 바인더 및 용매를 포함하고, 상기 유기 바인더는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 불포화 작용기 및 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 말단 작용기를 포함하는 아가로스 유도체인 전극 형성용 조성물.
- 제1항에 있어서,
유기 바인더는 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체인 전극 형성용 조성물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C15 알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C2 내지 C15 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 헤테로아릴기 및 하기 화학식 2로 표현되는 치환기에서 선택되고, R1, R2 및 R3중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표현되는 치환기이고,
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
R11과 R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 메틸렌기이고,
p는 0 내지 3의 정수이고,
q는 0 내지 3의 정수이고,
X는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 불포화 작용기이고,
Y는 에스터기, 카르복실기, 아마이드기, 아민기, 이소시아네이트기 및 우레탄기에서 선택되는 적어도 하나의 말단 작용기이다. - 제2항에 있어서,
상기 유기 바인더의 중량평균분자량(Mw)은 1,000 내지 300,000g/mol인 전극 형성용 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 전극 형성용 조성물은 도전성 분말 60 내지 95 중량%; 유리 프릿 0.5 내지 20 중량%; 유기 바인더 0.1 내지 20 중량% 및 용매를 잔부량으로 포함하는 전극 형성용조성물. - 제1항에 있어서,
상기 유리 프릿은 납(Pb), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi), 리튬(Li), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 철(Fe), 규소(Si), 아연(Zn), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 세슘(Cs), 스트론튬(Sr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 나트륨(Na), 칼륨(K), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn) 및 알루미늄(Al)에서 선택되는 1종 이상의 금속 원소를 포함하는 전극 형성용 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 용매는 메틸셀로솔브(methyl cellosolve), 에틸 셀로솔브(ethyl cellosolve), 부틸 셀로솔브(butyl cellosolve), 지방족 알코올(aliphatic alcohol), α-터피네올(terpineol), β-터피네올, 다이하이드로터피네올(dihydro-terpineol), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 에틸렌 글리콜모노부틸에테르(ethylene glycol mono butylether), 부틸셀로솔브 아세테이트(butyl cellosolve acetate) 및 텍사놀(Texanol)에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 전극 형성용 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 전극 형성용 조성물은 표면처리제, 분산제, 요변제, 점도 안정화제, 가소제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제에서 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함하는 전극 형성용조성물. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 전극 형성용 조성물로 제조된 전극.
- 제8항에 따른 전극을 포함하는 태양 전지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020150187951A KR101863247B1 (ko) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양 전지 |
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| KR20170077732A true KR20170077732A (ko) | 2017-07-06 |
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Family
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| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101863247B1 (ko) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2013108047A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Pelnox Ltd | 表面加工用水溶性ペースト組成物 |
| JP2014072437A (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
-
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