KR20170076090A - Liquid composition for stripping a color resist - Google Patents

Liquid composition for stripping a color resist Download PDF

Info

Publication number
KR20170076090A
KR20170076090A KR1020150185915A KR20150185915A KR20170076090A KR 20170076090 A KR20170076090 A KR 20170076090A KR 1020150185915 A KR1020150185915 A KR 1020150185915A KR 20150185915 A KR20150185915 A KR 20150185915A KR 20170076090 A KR20170076090 A KR 20170076090A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
methyl
weight
ether
hydroxide
Prior art date
Application number
KR1020150185915A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최경묵
김우일
방순홍
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020150185915A priority Critical patent/KR20170076090A/en
Publication of KR20170076090A publication Critical patent/KR20170076090A/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G02F2001/1316

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 A) 무기염기 또는 그의 염; B) 4급암모늄염 화합물; C) 화학식 1의 알콕시알킬아민; D) 알킬렌글리콜알킬에테르; E) DMSO와 설포란을 포함하는 용제; F) 방식제; G) 황화합물 안정제; 및 H) 물을 포함하는 칼라 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.A) an inorganic base or a salt thereof; B) quaternary ammonium salt compounds; C) alkoxyalkylamines of formula (1); D) alkylene glycol alkyl ethers; E) a solvent comprising DMSO and sulfolane; F) anticorrosives; G) Sulfur compound stabilizer; And H) water.

Description

칼라 레지스트 박리액 조성물{LIQUID COMPOSITION FOR STRIPPING A COLOR RESIST}LIQUID COMPOSITION FOR STRIPPING A COLOR RESIST

본 발명은 칼라필터의 경화된 칼라레지스트를 제거하여 칼라필터를 재사용하기 위한 칼라 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a color resist stripper composition for reusing a color filter by removing a cured color resist of a color filter.

칼라필터(color filter)는 상보성 금속 산화막 반도체(complementary metal oxide semiconductor, CMOS) 또는 전하결합소자(charge coupled device, CCD)와 같은 이미지 센서의 칼라 촬영 장치 내에 내장되어 실제로 칼라 화상을 얻는데 이용될 수 있으며, 이 밖에도 촬영소자, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 액정표시장치(LCD), 전계방출 디스플레이(FEL) 및 발광 디스플레이(LED) 등에 널리 이용되는 것으로, 그 응용 범위가 급속히 확대되고 있다. 특히, 최근에는 LCD의 용도가 더욱 확대되고 있으며, 이에 따라 LCD의 색조를 재현하는데 있어서 칼라필터는 가장 중요한 부품 중의 하나로 인식되고 있다.A color filter can be embedded in a color imaging device of an image sensor, such as a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) or a charge coupled device (CCD), and can be used to actually obtain a color image (PDP), a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FEL), and a light emitting display (LED), and the application range thereof is rapidly expanding. Particularly, in recent years, the use of LCDs has been further expanded, and accordingly, a color filter has been recognized as one of the most important components in reproducing color tone of an LCD.

칼라필터 기판은 적(R), 녹(G), 청(B) 패턴과 각 화소 사이의 누설광을 차단하고 대비를 향상시키기 위한 역할을 하는 블랙 매트릭스, 그리고 액정셀에 전압을 인가하는 공통전극으로 구성되어 있다.The color filter substrate includes a black matrix that blocks red (R), green (G), and blue (B) patterns and leakage light between the pixels and improves contrast, and a common electrode .

칼라필터는 용도에 따라 선택된 블랙매트릭스 재료를 유리 기판에 도포하고 블랙 마스크 패턴을 형성한 다음 칼라레지스트 패턴을 포토리소그래피 공정에 의해 형성함으로써 제조된다.The color filter is manufactured by applying a black matrix material selected according to the application to a glass substrate, forming a black mask pattern, and then forming a color resist pattern by a photolithography process.

이러한 칼라필터 제조 공정 중 불가피하게 칼라레지스트 패턴의 불량이 발생할 수 있는데, 칼라레지스트는 한번 경화되면 잘못된 부분만을 제거하여 수리하는 것이 거의 불가능하며, 또한 칼라레지스트를 제거할 수 있는 용매가 거의 없었기 때문에 불량 칼라필터는 수리 등의 재작업을 거치지 않고 바로 대부분 폐기 처리되어 생산성이 저하되는 문제가 있다.If the color resist is cured once, it is almost impossible to repair only a wrong part, and since there is almost no solvent capable of removing the color resist, a poor There is a problem that the color filter is mostly disposed of immediately without being reworked, such as repair, and the productivity is lowered.

이를 해결하기 위해 경화된 칼라레지스트를 제거하기 위한 조성물이 개발되고 있다.To solve this problem, a composition for removing a cured color resist has been developed.

레지스트는 크게 포지티브형 레지스트와 네거티브형 레지스트로 나눌 수 있는데, 제거가 보다 용이하여 유기용매 기반의 박리제에 의해 40 내지 50의 온도 조건에서 1분 이내에 제거되는 포지티브형 레지스트와는 달리, 칼라레지스트는 경화도가 높고 열처리에 의해 단단해져 박리 제거가 어려운 네거티브형 레지스트의 특성을 갖고 있다. 이에 따라 칼라레지스트의 제거를 위해서는 70 이상의 온도 조건에서 5분 이상의 시간이 소요되므로, 보다 강력한 박리 성능이 요구된다. Resists can be largely divided into positive resists and negative resists, which, unlike positive resists, which are easier to remove and are removed by organic solvent-based exfoliants within one minute at a temperature of 40 to 50, And is hardened by heat treatment to make it difficult to remove the resist. Accordingly, in order to remove the color resist, it takes more than 5 minutes at a temperature of 70 or more, and therefore stronger peeling performance is required.

또한 디스플레이의 고해상도 실현을 위해 패널의 픽셀수를 늘리게 되는데 이러한 패널의 광효율을 올리기 위한 4-픽셀구조를 이루는 RGBW의 투명 레지스트의 경우 칼라레지스트 또는 유기 절연막 보다 높은 경화도 뿐만 아니라 열안정성, 화학적 안정성이 높은 수지를 사용함으로써 제거가 더 어려운 문제가 있다. In addition, in order to realize a high resolution of a display, the number of pixels of the panel is increased. In the case of the RGBW transparent resist having a four-pixel structure for increasing the light efficiency of such a panel, thermal stability and chemical stability There is a problem that removal is more difficult by using a high resin.

이와 관련하여, 대한민국 공개특허 제2007-0075277호에는 용제로써 황화합물을 포함하는 칼라레지스트 박리액 조성물이 기재되어 있으나, 칼라레지스트에 대한 박리성을 충분히 높일 수 없으며, 일부 황화합물의 경우 산소와 결합하여 조성물의 변색을 유발시키는 문제점이 있다.Korean Patent Publication No. 2007-0075277 discloses a color resist stripper composition containing a sulfur compound as a solvent, but it can not sufficiently improve the peelability of a color resist, and in the case of some sulfur compounds, Thereby causing a discoloration of the ink.

대한민국 공개특허 제2007-0075277호Korean Patent Publication No. 2007-0075277

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 조성물의 변색을 최소화할 뿐 아니라, 하부막의 부식을 일으키지 않으면서, 현저히 우수한 박리성으로 칼라필터의 경화된 칼라레지스트, 유기절연막, 투명레진을 제거하여, 칼라필터의 재사용을 가능하게 하는 칼라레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a color filter which not only minimizes discoloration of a composition but also exhibits remarkably excellent peelability without causing corrosion of a lower film, It is an object of the present invention to provide a color resist stripper composition which removes resin to enable reuse of a color filter.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 A) 무기염기 또는 그의 염; B) 4급암모늄염 화합물; C) 화학식 1의 알콕시알킬아민; D) 알킬렌글리콜알킬에테르; E) DMSO와 설포란을 포함하는 용제; F) 방식제; G) 황화합물 제거제; 및 H) 물을 포함하며, 상기 DMSO의 함량이 설포란의 함량과 같거나 과량인 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a process for producing a polyurethane foam comprising: A) an inorganic base or a salt thereof; B) quaternary ammonium salt compounds; C) alkoxyalkylamines of formula (1); D) alkylene glycol alkyl ethers; E) a solvent comprising DMSO and sulfolane; F) anticorrosives; G) Sulfur compound remover; And H) water, wherein the content of DMSO is equal to or greater than the content of sulfolane.

또한, 본 발명은 상기 칼라레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method of manufacturing a flat panel display substrate including a step of cleaning the flat panel display substrate using the color resist stripping liquid composition.

본 발명에 따른 칼라레지스트 박리액 조성물은 변색을 최소화할 뿐 아니라, 하부막의 부식을 일으키지 않으면서, 현저히 우수한 박리성으로 칼라필터의 경화된 칼라레지스트, 유기절연막, 투명레진을 제거하여, 칼라필터의 재사용을 가능하게 한다.The color resist stripper composition according to the present invention not only minimizes discoloration but also removes the cured color resist, the organic insulating film and the transparent resin of the color filter with remarkably excellent peeling property without causing corrosion of the lower film, Enables reuse.

이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명은 칼라 레지스트 박리액 조성물로써, A) 무기염기 또는 그의 염; B) 4급암모늄염 화합물; C) 알콕시알킬아민; D) 알킬렌글리콜알킬에테르; E) DMSO와 설포란을 포함하는 용제; F) 방식제; G) 황화합물 안정제; 및 H) 물을 포함하며, 상기 DMSO의 함량이 설포란의 함량과 같거나 과량인 것을 특징으로 한다. 본 발명의 칼라레지스트 박리액 조성물은 경화된 칼라레지스트에 대하여 신속하고 강력한 박리 성능을 나타낸다. 특히, 본 발명은, DMSO와 설포란을 동시에 포함하는 용제 및 황화합물 안정제가 칼라레지스트 박리액 조성물에 포함되는 경우 박리액 조성물의 변색을 최소화할 뿐 아니라, 하부막의 부식을 일으키지 않으면서, 박리성이 현저히 향상됨을 실험적으로 확인하여 완성되었다. The present invention provides a color resist stripper composition comprising: A) an inorganic base or a salt thereof; B) quaternary ammonium salt compounds; C) alkoxyalkylamines; D) alkylene glycol alkyl ethers; E) a solvent comprising DMSO and sulfolane; F) anticorrosives; G) Sulfur compound stabilizer; And H) water, wherein the content of DMSO is equal to or greater than the content of sulfolane. The color resist stripper composition of the present invention exhibits fast and strong peeling performance against cured color resist. In particular, when the solvent and the sulfur compound stabilizer which simultaneously contain DMSO and sulfolane are included in the color resist stripper composition, discoloration of the stripper composition is minimized, and peeling resistance It was confirmed that the improvement was remarkable experimentally.

이하, 본 발명의 각 구성을 상세히 설명한다. Hereinafter, each configuration of the present invention will be described in detail.

A) 무기염기 또는 그의 염A) an inorganic base or a salt thereof

본 발명의 무기염기 또는 그의 염은 유기계 절연막에 대한 박리력을 향상시키는 역할을 한다. The inorganic base or salt thereof of the present invention has a role of improving the peeling force against the organic insulating film.

상기 무기염기 또는 그의 염은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 중탄산나트륨, 질산나트륨, 질산칼륨, 황산나트륨, 황산칼륨, 규산나트륨 및 규산칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. The inorganic base or its salt may be at least one selected from the group consisting of sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium bicarbonate, sodium nitrate, potassium nitrate, sodium sulfate, potassium sulfate, sodium silicate and potassium silicate.

본 발명의 무기염기 또는 그의 염은 조성물 총 중량에 대하여 0.01-2 중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 무기염기 또는 그의 염의 함량이, 0.01 중량% 미만이면 유기계 절연막에 대한 박리력이 떨어지며, 2 중량%를 초과하면 증량에 따른 효과가 미미하며 경제적이지 못하다.The inorganic base or salt thereof of the present invention is preferably contained in an amount of 0.01 to 2% by weight based on the total weight of the composition. If the content of the inorganic base or its salt in the detergent composition of the present invention is less than 0.01% by weight, the peeling force against the organic insulating film is poor. If the amount is more than 2% by weight, the effect of increasing the amount is insignificant and not economical.

B) B) 4급암모늄염Quaternary ammonium salt 화합물 compound

본 발명의 4급암모늄염 화합물은 히드록시드 이온을 배출하고, 이는 레지스트내로 침투하여 고분자 레지스트의 용해를 촉진하는 역할을 한다. The quaternary ammonium salt compound of the present invention releases hydroxide ions, which penetrate into the resist and promote the dissolution of the polymer resist.

상기 4급암모늄염 화합물은 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH) 및 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. The quaternary ammonium salt compound is selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH), tetrapropylammonium hydroxide (TPAH) and tetrabutylammonium hydroxide (TBAH) Or more.

본 발명의 4급암모늄염 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 1-10 중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 4급암모늄염 화합물이 1 중량% 미만으로 포함되면 하이드록사이드 이온의 칼라 레지스트 고분자 내로 침투력이 감소되며, 10 중량%를 초과하면 물의 함량이 증가되어 고분자 레진에 대한 용해력이 감소되는 문제가 있다.The quaternary ammonium salt compound of the present invention is preferably contained in an amount of 1-10% by weight based on the total weight of the composition. When the quaternary ammonium salt compound is contained in the detergent composition of the present invention in an amount of less than 1% by weight, penetration ability into the color resist polymer of the hydroxide ion is decreased. When the quaternary ammonium salt compound is contained in an amount of more than 10% by weight, There is a problem of being reduced.

C) C) 알콕시알킬아민Alkoxyalkylamine

본 발명의 알콕시알킬아민은 경화된 레진 내 침투하여 결합을 끊어 고분자를 용해시키는 역할을 한다The alkoxyalkylamine of the present invention functions to dissolve the polymer by penetrating into the cured resin to break the bond

본 발명에서, 상기 알콕시알킬아민은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이다. In the present invention, the alkoxyalkylamine is a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서, R1은 C1~C6의 사슬형 또는 고리형 알콕시기이며, 상기 알콕시기는 C1~C6의 사슬형 또는 고리형 알킬기, 또는 C1~C3의 알콕시기로 치환된 것 일 수 있고, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소, 또는 C1~C6의 사슬형 또는 고리형 알킬기이고, n은 1 내지 4의 정수이다.Wherein R 1 is a C 1 to C 6 chained or cyclic alkoxy group, and the alkoxy group is a C 1 to C 6 chained or cyclic alkyl group or a C 1 to C 3 alkoxy group And R 2 and R 3 are each independently hydrogen or a C 1 -C 6 chain or cyclic alkyl group, and n is an integer of 1 to 4.

구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 알콕시알킬아민은 메톡시에틸아민, 메톡시프로필아민, 에톡시프로필아민, 프로폭시에틸아민, 이소프로폭시프로필아민, 메톡시에톡시프로필아민, 옥솔란-2-일-메탄아민, (옥솔란-2-일-메틸)부탄-1-아민 및 메틸옥솔란-2-일-메탄아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 일 수 있다. Specifically, the alkoxyalkylamine represented by the above-mentioned general formula (1) is preferably selected from the group consisting of methoxyethylamine, methoxypropylamine, ethoxypropylamine, propoxyethylamine, isopropoxypropylamine, methoxyethoxypropylamine, oxolane- -Methanamine, (oxolan-2-yl-methyl) butan-l-amine and methyloxolan-2-yl-methanamine.

본 발명의 알콕시 알킬아민은 조성물 총 중량에 대하여 1-20 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 알콕시 알킬아민이 1 중량% 미만으로 포함되면 경화된 레진 내 침투에 의한 결합을 끊는 힘이 떨어지게 되고, 20 중량%를 초과하면 4급암모늄염 화합물 및 용제의 상대적 감소로 인해 고분자 레지스트의 용해력이 저하된다.The alkoxyalkylamine of the present invention is preferably contained in an amount of 1-20% by weight based on the total weight of the composition. If the alkoxyalkylamine is contained in the detergent composition of the present invention in an amount of less than 1% by weight, the force to break the bond due to penetration into the cured resin is lowered. If the alkoxyalkylamine is more than 20% by weight, the quaternary ammonium salt compound and the solvent The solubility of the polymer resist decreases.

D) D) 알킬렌글리콜알킬에테르Alkylene glycol alkyl ether

본 발명의 알킬렌글리콜알킬에테르는 유기절연막에 침투하여 팽윤시켜 기판에서의 탈착을 촉진하는 역할을 한다. The alkylene glycol alkyl ether of the present invention penetrates into the organic insulating film and swells to facilitate desorption on the substrate.

상기 알킬렌글리콜디알킬에테르는 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸부틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르 및 디프로필렌글리콜디메틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. Examples of the alkylene glycol dialkyl ether include ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol methyl butyl ether, propylene glycol dimethyl ether And dipropylene glycol dimethyl ether.

본 발명의 알킬렌글리콜디알킬에테르는 조성물 총 중량에 대하여 1-20 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 알킬렌글리콜디알킬에테르의 함량이 1 중량% 미만이면 레지스트 고분자의 팽윤 효과가 감소되어 하이드록사이드 이온의 레지스트 내로 침투력이 감소되며, 20 중량%를 초과하면 증량에 따른 효과가 더 이상 없으며 무기염의 용해력이 감소되는 문제가 있다.The alkylene glycol dialkyl ether of the present invention is preferably contained in an amount of 1-20% by weight based on the total weight of the composition. If the content of the alkylene glycol dialkyl ether is less than 1% by weight in the detergent composition of the present invention, the swelling effect of the resist polymer is reduced to decrease penetration into the resist of the hydroxide ion, and if it exceeds 20% by weight, There is no further effect and the solubility of the inorganic salt is reduced.

E) E) DMSO와DMSO and 설포란을Sulfolane 동시에 포함하는 용제 At the same time,

본 발명의 DMSO와 설포란은 레지스트에 침투하여 팽윤성을 증가시켜 기판 표면으로부터 박리력을 증가시킨다. 또한, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물의 물에 대한 용해력을 향상시키고, 이후 수세 공정에서 잔류물 제거가 용이하도록 한다.The DMSO and sulfolane of the present invention penetrate the resist to increase the swelling property and increase the peeling force from the substrate surface. Further, the dissolution ability of the resist stripper composition of the present invention in water is improved, and the residue can be easily removed in the subsequent water washing step.

본 발명의 DMSO와 설포란을 포함하는 용제는 조성물 총 중량에 대하여 20-70 중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 극성용제가 20 중량% 미만으로 포함되면 고분자 레진의 용해력이 떨어지게 되고, 70 중량%를 초과하면 암모늄염 화합물의 활성을 저해하여 오히려 제거성이 떨어지게 된다.The solvent containing DMSO and sulfolane of the present invention is preferably contained in an amount of 20-70% by weight based on the total weight of the composition. If the polar solvent is included in the detergent composition of the present invention, the solubility of the polymer resin is lowered. If the polar solvent is contained in an amount of more than 70% by weight, the activity of the ammonium salt compound is deteriorated.

또한 상기 DMSO의 함량이 설포란의 함량과 같거나 과량인 것이 바람직한데, 이 경우 레지스트에 침투하여 팽윤성을 증가시켜 기판 표면으로부터 박리력을 증가시킬 수 있다. DMSO 함량이 설포란의 함량보다 적으면 레지스트에 팽윤성을 떨어 뜨려 박리력이 떨어진다. Also, it is preferable that the content of DMSO is equal to or greater than the content of sulfolane. In this case, it is possible to increase the peeling force from the substrate surface by increasing the swelling property by penetrating the resist. If the DMSO content is less than the sulfolane content, the swellability of the resist is lowered and the peeling force is lowered.

F) 방식제F) Corrective agent

본 발명의 방식제는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2'-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2'-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2'-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올을 포함하는 아졸계 화합물; 1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논을 포함하는 퀴논계 화합물; 카테콜; 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 갈릭산을 포함하는 알킬 갈레이트류 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The antifoaming agent of the present invention is not particularly limited and includes, for example, benzotriazole, tolythriazole, methyltolytriazole, 2,2 '- [[[benzotriazole] methyl] imino] Methyl] imino] bist methanol, 2,2 '- [[[ethyl-1-hydrogen benzotriazol- 1 -yl] methyl] Imino] bisethanol, 2,2 '- [[[methyl-1-hydrogen-benzotriazole- Benzimidazol-1-yl] methyl] imino] bismethylamine, 2,2 '- [[ An azole-based compound comprising [[amine-1-hydrogen-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bisethanol; Quinone compounds including 1,2-benzoquinone, 1,4-benzoquinone, 1,4-naphthoquinone, and anthraquinone; Catechol; Alkyl gallate compounds including pyrogallol, methyl gallate, propyl gallate, dodecyl galatate, octyl galatate and gallic acid. These may be used alone or in combination of two or more.

방식제는 레지스트 박리액 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 내지 5중량%로 포함될 수 있다. 방식제의 함량이 0.1중량% 미만인 경우 박리 혹은 탈이온수 린스 공정에서 알루미늄 또는 알루미늄 합금 및 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 금속배선에 부식이 발생할 수 있으며, 5중량% 초과인 경우 표면의 흡착에 의한 2차 오염 및 박리력 저하가 발생할 수 있다.The anticorrosive agent may be contained in an amount of 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the resist stripper composition. If the content of the anticorrosive agent is less than 0.1% by weight, corrosion may occur in a metal wiring made of aluminum or an aluminum alloy and a copper or copper alloy in a peeling or deionized water rinsing process, and if it exceeds 5% by weight, Contamination and degradation of the peeling force may occur.

G) 황화합물 안정제G) Sulfur compound stabilizer

본 발명의 황화합물 안정제는 하기 화학식 2의 구조를 갖는 화합물일 수 있다. The sulfur compound stabilizer of the present invention may be a compound having a structure represented by the following formula (2).

[화학식 2] (2)

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

R4 및 R5 는, 각각 독립적으로, C1~C10의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기이며, 상기 C1~C10의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기는 C1~C10 의 알킬기, C2~C10의 알케닐기, C1~C10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기, 또는 C1~C10의 알콕시기로 치환된 것일 수 있다. R 4 and R 5 are respectively independently, C 1 ~ C 10 an alkyl group, a phenyl group or a benzyl group, a C 1 ~ C 10 alkyl group, phenyl group or benzyl group is C 1 ~ C 10 alkyl group, C 2 ~ C of A C 1 to C 10 hydroxyalkyl group, a carboxyl group, a hydroxy group, or a C 1 to C 10 alkoxy group.

황화합물 안정제는 레지스트 박리액 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 내지 5중량%로 포함될 수 있다. 함량이 0.1중량% 미만인 경우 박리 혹은 탈이온수 린스 공정에서 알루미늄 또는 알루미늄 합금 및 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 금속배선에 부식이 발생할 수 있으며, 5중량% 초과인 경우 표면의 흡착에 의한 2차 오염 및 박리력 저하가 발생할 수 있다 또한 0.1중량 % 미만 일 경우 황화합물 안정성에 도움을 주지 못 하며 5중량% 초과인 경우 표면의 흡착에 의한 2차 오염 및 박리력 저하가 발생할 수 있다. The sulfur compound stabilizer may be contained in an amount of 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the resist stripper composition. When the content is less than 0.1% by weight, corrosion may occur in a metal wiring made of aluminum or an aluminum alloy and a copper or copper alloy in a peeling or deionized water rinsing process. If the content is more than 5% by weight, secondary contamination and peeling If less than 0.1 wt%, the stability of the sulfur compound is not improved. If it is more than 5 wt%, secondary contamination due to adsorption of the surface and deterioration of the peeling force may occur.

H) 물H) water

본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 상기 성분들을 구체적인 필요에 따라 적절하게 채택한 후, 물을 첨가하여 전체 조성을 조절하게 되어 전체 조성물의 잔량은 물이 차지한다. 바람직하게는 상기 성분들이 전술한 함량 범위를 갖도록 조절한다.The resist stripper composition of the present invention may be appropriately selected according to the specific needs of the above components, and then water may be added to adjust the total composition so that the remaining amount of the entire composition is occupied by water. Preferably, the components are adjusted to have the aforementioned content ranges.

물의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 탈이온 증류수인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 반도체 공정용 탈이온 증류수로서 비저항값이 18㏁·㎝ 이상인 것이 좋다.The kind of water is not particularly limited, but it is preferably deionized distilled water, more preferably deionized distilled water for semiconductor processing, and has a specific resistance value of 18 M OMEGA. Or more.

본 발명은 상기 기재된 칼라레지스트 박리액 조성물을 사용하여 하부막질 및 각종 금속 배선을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 방법을 제공한다. 상기 하부 막질은 Cu, Mo, 및 Al 중 하나 이상을 포함할 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다. The present invention provides a method for manufacturing a flat panel display substrate including a step of cleaning a flat panel display substrate including a bottom film and various metal wirings using the color resist stripping liquid composition described above. The underlying film may include, but is not limited to, one or more of Cu, Mo, and Al.

이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the following examples are intended to further illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.

실시예Example  And 비교예Comparative Example : : 레지스트Resist 박리액 조성물의 제조 Preparation of release liquid composition

하기 기재된 조성 및 함량(중량%)에 잔량의 물을 첨가하여 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.A residual amount of water was added to the composition and the content (% by weight) described below to prepare a resist stripping liquid composition.

A)
무기염기 또는 그의 염
A)
An inorganic base or a salt thereof
B)
4급암모늄염 화합물
B)
Quaternary ammonium salt compound
C)
화학식1의 알콕시알킬아민
C)
The alkoxyalkylamines of formula (I)
D) D)
알킬렌글리콜알킬에테Alkylene glycol alkyl ether Le
E)
DMSO와 설포란을 포함하는 용제
E)
DMSO and Solvent containing sulfolane
F)
방식제
F)
Anti-corrosion agent
G)G)
황화합물 안정제Sulfur compound stabilizer
성분ingredient 중량weight 성분ingredient 중량weight 성분ingredient 중량weight 성분ingredient 중량weight 성분ingredient 중량weight 성분ingredient 중량weight 성분ingredient 중량weight 성분ingredient 중량weight 실시예 1Example 1 KOH KOH 0.40.4 TMAHTMAH 77 A1A1 1515 G1G1 2020 S1S1 2020 S3S3 1010 BTABTA 0.10.1 H1H1 33 실시예 2Example 2 KOH KOH 0.10.1 TMAHTMAH 55 A1A1 1515 G1G1 1010 S1S1 3535 S3S3 1515 BTABTA 1One H2H2 1One 실시예 3Example 3 KOHKOH 1One TMAHTMAH 1010 A1A1 1515 G1G1 1515 S1S1 2525 S3S3 2525 BTABTA 0.30.3 H1H1 0.10.1 실시예 4Example 4 KOH KOH 0.10.1 TMAHTMAH 55 A2A2 1515 G1G1 1010 S1S1 3535 S3S3 1515 BTABTA 1One H1H1 1One 실시예 5Example 5 KOH KOH 0.10.1 TMAHTMAH 55 A2A2 1515 G2G2 1010 S1S1 3535 S3S3 1515 BTABTA 1One H2H2 1One 비교예 1Comparative Example 1 KOHKOH 0.50.5 TMAHTMAH 77 A1A1 1010 G1G1 2020 S1S1 1515 S3S3 3030 BTABTA 1.51.5 비교예 2Comparative Example 2 KOHKOH 0.30.3 TMAHTMAH 88 A1A1 2020 G1G1 1515 S3S3 4040 BTABTA 22 H2H2 55 비교예 3Comparative Example 3 KOHKOH 0.70.7 TMAHTMAH 99 A1A1 1515 G1G1 2020 S1S1 4545 BTABTA 0.50.5 H1H1 22 비교예 4Comparative Example 4 KOHKOH 0.40.4 TMAHTMAH 1010 A1A1 1010 G1G1 1010 S1S1 3030 S3S3 2525 BTABTA 1One HAHA 1One 비교예 5Comparative Example 5 KOH KOH 0.40.4 TMAHTMAH 77 A1A1 1515 G2G2 2020 S1S1 2020 S2S2 1010 BTABTA 0.10.1 H1H1 33

KOH : 수산화칼륨KOH: Potassium hydroxide

TMAH : 테트라메틸암모늄 히드록사이드TMAH: tetramethylammonium hydroxide

A1 : 3-메톡시프로필아민A1: 3-methoxypropylamine

A2 : 3-에톡시프로필아민A2: 3-ethoxypropylamine

G1 : 디에틸렌글리콜디메틸에테르G1: Diethylene glycol dimethyl ether

G2 : 트리에틸렌글리콜디메틸에테르G2: triethylene glycol dimethyl ether

S1 : 디메틸설폭사이드S1: dimethyl sulfoxide

S2 : 디프로필설폭사이드S2: dipropyl sulfoxide

S3 : 설포란 S3: Sulforan

H1 : 디에틸히드록실아민H1: Diethylhydroxylamine

H2 : 디메틸히드록실아민H2: dimethylhydroxylamine

HA : 히드록실아민HA: Hydroxylamine

BTA : 벤조트리아졸BTA: benzotriazole

<실험예 1> 박리액의 박리력 평가EXPERIMENTAL EXAMPLE 1 Evaluation of Peelability of Peeling Solution

칼라레지스트의 제거 평가는 Red, Green, Blue(이하 RGB)가 각각 도포되어 있는 칼라필터 기판을 사용하였다.A color filter substrate on which Red, Green, and Blue (hereinafter referred to as RGB) were respectively applied was used for the removal evaluation of the color resist.

칼라레지스트는 도포 후 90℃에서 120초간 프리베이크한 뒤, 노광을 시킨 다음, 현상하였다. 그 후, 오븐에서 패턴이 형성된 기판을 220℃ 오븐에서 하드베이크 하여 제작하였다.The color resist was applied, pre-baked at 90 캜 for 120 seconds, exposed, and then developed. Thereafter, the substrate having the pattern formed in the oven was hard baked in an oven at 220 캜.

칼라레지스트의 제거성을 확인하기 위해 75도의 용액에 3분, 5분, 10분간 침적하여 광학현미경으로 레지스트의 잔존 여부를 확인 하였다. 하기의 기준으로 평가하여 그 결과를 표 2에 기재하였다.  In order to confirm the removability of the color resist, the resist was immersed in a 75 ° C solution for 3 minutes, 5 minutes, and 10 minutes, and the presence or absence of the resist was confirmed by an optical microscope. The results are shown in Table 2. &lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt;

◎ : 레지스트 100% 제거◎: 100% resist removal

○ : 레지스트 80%이상 제거○: Resist 80% or more removed

△ : 레지스트 80%미만 제거?: Less than 80% resist removal

X : 레지스트 제거 안됨X: No resist removal

<실험예 2> 박리액의 변색성 평가EXPERIMENTAL EXAMPLE 2 Evaluation of discoloration of peeling liquid

상기 실시예 및 비교예의 조성물을 75도에서 방치하면서, 색의 변화를 관찰하였다. 하기의 기준으로 평가하여 그 결과를 표 2에 기재하였다.Changes in color were observed while the compositions of the above Examples and Comparative Examples were left at 75 占 폚. The results are shown in Table 2. &lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt;

◎; 12시간 후 변색이 관찰되지 않음.◎; No discoloration was observed after 12 hours.

○; 9시간 후 변색이 확인됨.○; Discoloration was confirmed after 9 hours.

△; 6시간 후 변색이 확인됨.?; Discoloration was confirmed after 6 hours.

×; 3시간 후 변색이 확인됨.×; Discoloration was confirmed after 3 hours.

<실험예 3> 박리액의 하부막 부식 평가&Lt; Experimental Example 3 > Evaluation of corrosion of the lower film of the peeling liquid

상기 실시예 및 비교예의 75도 조성물에 기판을 침적하여, 광학현미경으로 구리 부식을 관찰하였다. 하기의 기준으로 평가하여 그 결과를 표 2에 기재하였다.The substrate was immersed in the 75 ° composition of the above Examples and Comparative Examples, and copper corrosion was observed with an optical microscope. The results are shown in Table 2. &lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt;

◎; 3시간 후 하부막 부식 확인 되지 않음.◎; Corrosion of the lower film after 3 hours is not confirmed.

○; 2시간 후 하부막 부식 확인됨.○; Corrosion of the lower film was confirmed after 2 hours.

△; 1시간 후 하부막 부식 확인됨.?; Corrosion of the lower film was confirmed after 1 hour.

×; 0.5시간 후 하부막 부식 확인됨.×; Corrosion of the lower film was confirmed after 0.5 hours.

박리성Peelability 변색성Discoloration 하부막 부식 Lower membrane corrosion 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 비교예 1Comparative Example 1 ×× 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 ×× 비교예 5Comparative Example 5 비교예 6Comparative Example 6

상기 표 2에 나타난 바와 같이, 실시예의 포토레지스트 박리액을 사용하였을 경우, 비교예의 포토레지스트 박리액 조성물을 사용했을 때와 비교하여 박리성, 변색성 및 하부막 부식 평가 모두에서 매우 우수한 효과를 나타내는 것으로 확인하였다.As shown in Table 2, when the photoresist peeling solution of the example was used, the peeling property, the discoloring property, and the lower film corrosion evaluation were both excellent as compared with the case of using the photoresist peeling solution composition of the comparative example Respectively.

Claims (9)

A) 무기염기 또는 그의 염; B) 4급암모늄염 화합물; C) 화학식 1의 알콕시알킬아민; D) 알킬렌글리콜알킬에테르; E) DMSO와 설포란을 포함하는 용제; F) 방식제; G) 황화합물 안정제; 및 H) 물을 포함하며, 상기 DMSO의 함량이 설포란의 함량과 같거나 과량인 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00003


상기 화학식 1에서, R1은 C1~C6의 사슬형 또는 고리형 알콕시기이며, 상기 알콕시기는 C1~C6의 사슬형 또는 고리형 알킬기, 또는 C1~C3의 알콕시기로 치환된 것 일 수 있고, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소, 또는 C1~C6의 사슬형 또는 고리형 알킬기이고, n은 1 내지 4의 정수이다.
A) an inorganic base or a salt thereof; B) quaternary ammonium salt compounds; C) alkoxyalkylamines of formula (1); D) alkylene glycol alkyl ethers; E) a solvent comprising DMSO and sulfolane; F) anticorrosives; G) Sulfur compound stabilizer; And H) water, wherein the content of DMSO is equal to or greater than the content of sulfolane.
[Chemical Formula 1]
Figure pat00003


Wherein R 1 is a C 1 to C 6 chained or cyclic alkoxy group, and the alkoxy group is a C 1 to C 6 chained or cyclic alkyl group or a C 1 to C 3 alkoxy group And R 2 and R 3 are each independently hydrogen or a C 1 -C 6 chain or cyclic alkyl group, and n is an integer of 1 to 4.
청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여
A) 무기염기 또는 그의 염 0.01-2중량%;
B) 4급암모늄염 화합물 1-10중량%;
C) 화학식 1의 알콕시알킬아민 1-20중량%;
D) 알킬렌글리콜알킬에테르 1-20 중량%;
E) DMSO와 설포란을 포함하는 용제 20-70 중량%;
F) 방식제 0.1-5 중량%;
G) 황화합물 안정제 0.1-5중량%; 및
H) 물 잔량을 포함하는 칼라 레지스트 박리액 조성물.
The composition according to claim 1,
A) 0.01-2% by weight of an inorganic base or salt thereof;
B) 1 to 10% by weight of a quaternary ammonium salt compound;
C) 1-20% by weight of an alkoxyalkylamine of formula (1);
D) 1-20% by weight of an alkylene glycol alkyl ether;
E) 20-70% by weight of a solvent comprising DMSO and sulfolane;
F) antiseptics 0.1-5% by weight;
G) 0.1-5% by weight of a sulfur compound stabilizer; And
H) remaining amount of water.
청구항 1에 있어서, 상기 G) 황화합물 안정제는 하기 화학식 2의 구조를 갖는것인 칼라 레지스트 박리액 조성물:
[화학식 2]
Figure pat00004

상기 화학식 2에서,
R4 및 R5 는, 각각 독립적으로, C1~C10의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기이며, 상기 C1~C10의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기는 C1~C10 의 알킬기, C2~C10의 알케닐기, C1~C10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기, 또는 C1~C10의 알콕시기로 치환된 것일 수 있다.
The color resist stripping composition according to claim 1, wherein the G) sulfur compound stabilizer has a structure represented by the following formula (2):
(2)
Figure pat00004

In Formula 2,
R 4 and R 5 are, each independently, C 1 ~ C 10 an alkyl group, a phenyl group or a benzyl group, a C 1 ~ C 10 alkyl group, phenyl group or benzyl group is C 1 ~ C 10 alkyl group, C 2 ~ C of A C 1 to C 10 hydroxyalkyl group, a carboxyl group, a hydroxy group, or a C 1 to C 10 alkoxy group.
청구항 1에 있어서, 상기 A) 무기염기 또는 그의 염은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 중탄산나트륨, 질산나트륨, 질산칼륨, 황산나트륨, 황산칼륨, 규산나트륨 및 규산칼륨에서 선택되는 하나 이상인 칼라 레지스트 박리액 조성물.
The method of claim 1, wherein the inorganic base or salt thereof is at least one selected from the group consisting of sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium bicarbonate, sodium nitrate, potassium nitrate, sodium sulfate, potassium sulfate, sodium silicate, Resist stripper composition.
청구항 1에 있어서, 상기 B) 4급암모늄염 화합물은 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH) 및 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH)에서 선택되는 하나 이상인 칼라 레지스트 박리액 조성물.
The method according to claim 1, wherein the B) quaternary ammonium salt compound is at least one selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH), tetrapropylammonium hydroxide (TPAH) and tetrabutylammonium hydroxide TBAH). &Lt; / RTI &gt;
청구항 1에 있어서, 상기 C) 화학식 1의 알콕시알킬아민은 알콕시 알킬아민은 메톡시에틸아민, 메톡시프로필아민, 에톡시프로필아민, 프로폭시에틸아민, 이소프로폭시프로필아민, 메톡시에톡시프로필아민, 옥솔란-2-일-메탄아민, (옥솔란-2-일-메틸)부탄-1-아민 및 메틸옥솔란-2-일-메탄아민에서 선택되는 하나 이상인 칼라 레지스트 박리액 조성물.
The method of claim 1, wherein the alkoxyalkylamine of the formula (1) is selected from the group consisting of methoxyethylamine, methoxypropylamine, ethoxypropylamine, propoxyethylamine, isopropoxypropylamine, methoxyethoxypropyl Amine and at least one selected from the group consisting of oxolan-2-yl-methanamine, (oxolan-2-yl-methyl) butan- 1 -amine and methyloxolan-2-yl-methanamine.
청구항 1에 있어서, 상기 D) 알킬렌글리콜알킬에테르는 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸부틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르 및 디프로필렌글리콜디메틸에테르에서 선택되는 하나 이상인 칼라 레지스트 박리액 조성물.
The process according to claim 1, wherein the D) alkylene glycol alkyl ether is selected from the group consisting of ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol methyl butyl Ether, propylene glycol dimethyl ether, and dipropylene glycol dimethyl ether.
청구항 1에 있어서, 상기 F) 방식제는 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2'-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2'-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2'-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올을 포함하는 아졸계 화합물; 1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논을 포함하는 퀴논계 화합물; 카테콜; 및 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 갈릭산을 포함하는 알킬 갈레이트류 화합물에서 선택되는 하나 이상인 칼라 레지스트 박리액 조성물.
The method according to claim 1, wherein the F) anticorrosion agent is selected from the group consisting of benzotriazole, tolythriazole, methyltolytriazole, 2,2 '- [[[benzotriazole] methyl] imino] - [[ethyl-1-hydrogen benzotriazol-1-yl] methyl] imino] Dihydrobenzotriazol-1-yl] methyl] imino] bisethanol, 2,2 '- [[[methyl- - [[methyl-1-hydrogen-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bismethylamine, 2,2 '- [[[ -1 hydrogen-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bisethanol; Quinone compounds including 1,2-benzoquinone, 1,4-benzoquinone, 1,4-naphthoquinone, and anthraquinone; Catechol; And alkyl gallate compounds including pyrogallol, methyl gallate, propyl gallate, dodecyl gale, octyl galeate and gallic acid.
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항의 칼라 포토레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 방법.
A method for manufacturing a flat panel display substrate comprising the step of cleaning a flat panel display substrate using the color photoresist stripping liquid composition of any one of claims 1 to 8.
KR1020150185915A 2015-12-24 2015-12-24 Liquid composition for stripping a color resist KR20170076090A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150185915A KR20170076090A (en) 2015-12-24 2015-12-24 Liquid composition for stripping a color resist

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150185915A KR20170076090A (en) 2015-12-24 2015-12-24 Liquid composition for stripping a color resist

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170076090A true KR20170076090A (en) 2017-07-04

Family

ID=59357369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150185915A KR20170076090A (en) 2015-12-24 2015-12-24 Liquid composition for stripping a color resist

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20170076090A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160017477A (en) Cleaning composition
CN104102097A (en) Corrosion Resistant Agent And Stripping Agent Composition
KR102347618B1 (en) Resist stripper composition
KR20170076083A (en) Liquid composition for stripping a color resist
KR20170076090A (en) Liquid composition for stripping a color resist
KR20170084578A (en) Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer
KR20160017606A (en) Cleaning composition
KR101758051B1 (en) Stripping composition for color filter
KR102668667B1 (en) Resist stripper composition
KR20170076087A (en) Liquid composition for stripping a color resist
CN111596533B (en) Resist stripping liquid composition
KR20120022195A (en) Resist stripper composition and a method of stripping resist using the same
CN106896652B (en) Color resist stripper composition
KR20160018210A (en) Cleaning composition
KR102317153B1 (en) Resist stripper composition
KR20170086965A (en) Liquid composition for stripping a color resist and an organic layer
KR20160016179A (en) Stripper composition for photoresist and organic layer
KR20180102329A (en) Resist stripper composition
KR102040066B1 (en) Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer
KR102009530B1 (en) Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer
KR20180087820A (en) Resist stripper composition
KR102091582B1 (en) Resist stripper composition
KR20170086838A (en) Stripper composition for cured film
KR102010593B1 (en) Liquid composition for stripping a color resist and an organic insulating layer
CN107193187B (en) Resist stripping liquid composition