KR20170074581A - 디스플레이 장치용 기판 - Google Patents

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KR20170074581A
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고동호
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Abstract

본 출원은, 디스플레이 장치용 기판, 그 제조 방법 및 상기 기판을 포함하는 광변조 장치에 관한 것이다. 본 출원의 기판은, 예를 들면, 통상 유리 기판인 디스플레이 장치의 기판을 대체할 수 있는 것으로, 보다 경량이고, 얇은 디스플레이 장치의 제조에 적용될 수 있다.

Description

디스플레이 장치용 기판{SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE}
본 출원은, 디스플레이 장치용 기판, 그 제조 방법 및 광변조 장치에 대한 것이다.
액정 및 편광판을 이용한 광변조 장치의 대표적인 예로는 액정 디스플레이(LCD: Liquid Crystal Display)가 있다.
통상적으로 액정 디스플레이는, 가장 내측에 액정층인 광변조층을 조명할 수 있는 백라이트 유닛이 배치되고, 그 상부에 편광층, 하부 기판, 액정층, 상부 기판 및 편광층이 순차 배치되어 있다. 상기와 같은장치에서 하부 및 상부 기판으로는 유리 기판이 주로 적용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1).
한국공개특허 제2012-0033050호
본 출원은, 디스플레이 장치용 기판, 그 제조 방법 및 광변조 장치를 제공한다. 본 출원은, 통상적으로 사용되는 디스플레이 장치의 기판인 유리 기판을 대체할 수 있는 기판을 제공하는 것을 하나의 주요 목적으로 한다.
본 출원의 디스플레이 장치용 기판은, 두께가 200 ㎛ 이상인 지지용 고분자 필름; 상기 고분자 필름의 하부에 존재하는 편광층; 및 상기 편광층의 하부에 존재하는 액정 배향층을 포함할 수 있다.
상기에서 액정 배향층이 후술하는 바와 같이 저온 소성이 가능한 배향막인 경우에 상기 배향층은 상기 편광층의 하부에 직접 형성되어 있을 수 있다. 또한, 상기 액정 배향층이 고온 소성이 필요한 경우에 상기 기판은 상기 편광층과 액정 배향층의 사이에 유리전이온도가 230℃ 이상인 내열 고분자 필름을 추가로 포함할 수 있다. 이러한 경우에 상기 내열 고분자 필름의 일면에 상기 액정 배향층을 형성한 후에 상기 내열 고분자 필름의 다른 면에 상기 편광층과 지지용 고분자 필름을 순차 형성할 수 있다.
상기에서 지지용 고분자 필름은 이방성 필름일 수 있다.
상기에서 지지용 고분자 필름은 폴리에스테르 필름일 수 있다.
상기 편광층으로는 이색성 염료가 흡착 배향된 폴리비닐알코올 필름이나, 유방성 액정을 포함하거나, 혹은 반응성 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함하는 편광 코팅층일 수 있다.
상기에서 내열 고분자 필름으로는, 폴리벤즈이미다졸 필름, 폴리벤즈옥사졸 필름, 폴리벤즈아졸 필름, 폴리벤즈티아졸 필름 또는 폴리이미드 필름 등을 사용할 수 있다.
상기 내열 고분자 필름은 두께가 1㎛ 내지 40㎛의 범위 내에 있을 수 있다.
상기 내열 고분자 필름은, 예를 들면, 등방성 필름일 수 있다. 상기 내열 고분자 필름은, 550 nm의 파장에 대한 면상 위상차가 -10 nm 내지 10 nm의 범위 내이고, 550 nm의 파장의 광에 대한 두께 방향 위상차가 -100 nm 내지 100 nm의 범위 내에 있을 수 있다.
상기 디스플레이 장치용 기판에서 액정 배향막은 광배향막 또는 러빙 배향막일 수 있다.
상기 디스플레이 장치용 기판은, 유리 기판을 포함하지 않을 수 있다.
본 출원의 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법은, 예를 들면, 편광층의 일면에 액정 배향막을 형성하고, 상기 편광층의 다른 면에 두께가 200 ㎛ 이상인 지지용 고분자 필름을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
액정 배향막의 형성 시에 액정 배향막은 저온 소성에 의해 형성하거나, 고온 소성에 의해 형성할 수 있다. 상기에서 저온 소성은, 약 150℃ 이하의 온도, 예를 들면, 약 10℃ 내지 150℃, 20℃ 내지 150℃, 30℃ 내지 150℃, 40℃ 내지 150℃, 50℃ 내지 150℃, 60℃ 내지 150℃, 70℃ 내지 150℃, 80℃ 내지 150℃, 약 90℃ 내지 150℃ 또는 약 100℃ 내지 150℃ 정도의 온도에서 수행되는 것일 수 있다. 이와 같은 저온 소성이 가능한 액정 배향막은 상기 편광층의 일면에 직접 형성되거나, 혹은 필요하다면 다른 필름에 형성된 후에 그 필름과 함께 또는 그 필름으로부터 분리되어 상기 편광층에 적용될 수 있다.
이러한 경우 상기 액정 배향막의 형성 과정은, 상기 액정 배향막을 150℃ 이하의 온도에서 소성하여 형성할 수 있고, 상기 소성은 상기 편광층상에서 수행될 수 있다.
고온 소성은 소성 온도가 약 150℃를 초과하는 경우이다. 이러한 경우에 상기 방법은, 상기 내열 고분자 필름의 일면에 액정 배향막을 형성하고, 다른 면에 편광층과 상기 지지용 고분자 필름을 순차 형성하는 과정을 포함할 수 있다.
이러한 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법은, 롤투롤 공정으로 진행될 수 있다.
본 출원의 광변조 장치는, 서로 대향 배치된 하부 기판과 시인측 기판; 상기 하부 기판과 시인측 기판의 사이에 존재하는 광변조층을 포함하되, 상기 시인측 기판으로서 상기 디스플레이 장치용 기판을 사용할 수 있다.
상기 광변조 장치에서, 디스플레이 장치용 기판의 액정 배향막이 하부 기판과 대향하여 배치되어 있을 수 있다.
이러한 광변조 장치의 제조 방법은, 예를 들면, 상부에 광변조층이 형성되어 있고, 테두리에는 실런트가 배치되어 있는 하부 기판의 상부에 상기 디스플레이 장치용 기판을 적층하는 과정을 포함할 수 있다.
본 출원의 기판은, 통상 유리 기판인 디스플레이 장치의 기판을 대체할 수 있는 것으로, 예를 들면, 보다 경량이고, 얇은 디스플레이 장치의 제조에 적용될 수 있다.
도 1은, 예시적인 디스플레이 장치용 기판을 보여주는 도면이다.
본 출원의 예시적인 기판은, 지지용 고분자 필름; 편광층; 및 액정 배향층을 순차 포함할 수 있다. 상기 기판은 상기 편광층과 액정 배향층의 사이에 내열 고분자 필름을 추가로 포함할 수 있다. 도 1은 예시적인 상기 기판의 단면도로서, 상기 지지용 고분자 필름(101), 그 하부에 형성된 상기 편광층(102), 그 하부에 형성된 상기 내열 고분자 필름(103) 및 그 하부에 형성된 액정 배향층(104)을 순차 포함하는 구조를 보여주고 있다. 도 1에서 내열 고분자 필름(103)은 생략될 수 있다.
본 출원에서 용어 지지용 고분자 필름은, 상기 기판 구조를 지지할 수 있을 정도의 적절한 두께를 가지는 필름을 의미할 수 있다. 하나의 예시에서 상기 지지용 고분자 필름은, 200㎛ 이상 또는 250㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다. 상기와 같은 두께 범위 내에서 지지용 고분자 필름은, 기판 구조를 적절하게 지지할 수 있다. 상기 지지용 고분자 필름의 두께의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니나, 광변조 장치가 지나치게 두꺼워지는 점 등을 고려하여 상기 필름의 두께는 예를 들면 2,000㎛, 1,500㎛ 또는 1,000 ㎛ 이하 정도로 조절될 수 있다.
지지용 고분자 필름의 광학 특성은 특별히 제한되지 않는다. 상기 고분자 필름은, 예를 들면, 이방성 고분자 필름이거나 등방성 고분자 필름일 수 있다.
지지용 고분자 필름으로는, 상기와 같은 특성을 가지는 것이라면 특별한 제한 없이 다양한 종류의 필름을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 지지용 필름으로는 PET(poly(ethylene terephthalate)) 또는 PC(polycarbonate) 필름 등과 같은 폴리에스테르 필름을 사용할 수 있지만, 투명성을 가지는 필름이라면 특별히 제한되는 것은 아니다.
기판에서 상기 지지용 고분자 필름의 하부에는 편광층이 형성되어 있을 수 있다. 편광층으로는 공지의 편광층을 사용할 수 있다. 예를 들어, 편광층으로는 통상적인 액정 디스플레이에 사용되는 것으로서 적절한 이색성 염료고 흡착 배향되어 있는 폴리비닐알코올 필름을 사용할 수 있다. 다른 예시로서 상기 편광층으로서 고팅형 편광층을 사용할 수도 있다. 코팅형 편광층은, 예를 들면, 유방성 액정(LLC: Lyotropic Liquid Crystal)을 포함하거나, 혹은 반응성 액정 화합물(RM: Reactive Mesogen) 및 이색성 염료를 포함할 수 있다. 유방성 액정은 코팅 시에 가해지는 전단력의 방향에 따라 정렬할 수 있는 특성을 가지는 액정이고, 이러한 액정을 적절한 전단력을 가하면서 코팅하여 상기 편광층을 형성할 수 있다. 또한 ,상기 편광층은 소위 호스트 게스트(host-guest) 효과를 나타내는 반응성 액정과 이색성 염료의 혼합물을 코팅하여 형성할 수도 있다. 이러한 편광층은 요구되는 기능을 고려하여 적정 두께로 형성할 수 있으며, 그 구체적인 범위는 특별히 제한되지 않는다.
기판에서 편광층의 하부에는 내열 고분자 필름이 존재할 수 있다. 본 출원에서 용어 내열 고분자 필름은, 적절하게 높은 유리전이온도를 가져는 필름을 의미할 수 있다. 상기 내열 고분자 필름은, 예를 들면, 230℃ 이상, 250℃ 이상 또는 300℃ 이상의 유리전이온도를 가질 수 있다. 이러한 범위의 유리전이온도를 가짐으로써, 기판의 제조 과정에서 수행되는 고온 공정, 예를 들면, 배향막의 형성 공정이나 전극의 패턴화 공정을 효율적으로 수행할 수 있다. 상기 내열 고분자 필름의 유리전이온도의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니고, 예를 들면, 약 700℃ 이하, 약 650℃ 이하, 약 600℃ 이하 또는 약 550℃ 이하일 수 있다.
상기 내열 고분자 필름으로는 등방성 고분자 필름을 사용할 수 있다. 본 출원에서 용어 등방성 고분자 필름은, 그 진상축 방향의 굴절률, 지상축 방향의 굴절률 및 두께 방향의 굴절률이 실질적으로 동등한 범위에 있는 필름을 의미할 수 있다.
상기 내열 고분자 필름은, 예를 들어, 550 nm의 광에 대한 면상 위상차가 -10 nm 내지 10 nm 또는 -5 nm 내지 5 nm의 범위 내일 수 있다. 또한, 상기 내열 고분자 필름은, 550 nm의 광에 대한 두께 방향의 위상차가 -100 nm 내지 100 nm, -90 nm 내지 90 nm, -80 nm 내지 80 nm, -70 nm 내지 70 nm, -60 nm 내지 60 nm, -50 nm 내지 50 nm, -40 nm 내지 40 nm, -30 nm 내지 30 nm, -20 nm 내지 20 nm, -10 nm 내지 10 nm 또는 -5 nm 내지 5 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 면상 위상차 및 두께 방향 위상차는 하기 수식 1 또는 2에 따라 구해질 수 있다.
[수식 1]
Rin = d×(Nx - Ny)
[수식 2]
Rth = d×(Nz - Ny)
수식 1 및 2에서 Rin은 면상 위상차이고, Rth는 두께 방향 위상차이며, d는 상기 내열 고분자 필름의 두께이고, Nx는 상기 내열 고분자 필름의 지상축 방향의 굴절률이며, Ny는 상기 내열 고분자 필름의 진상축 방향의 굴절률이며, Nz는 상기 내열 고분자 필름의 두께 방향의 굴절률이다.
내열 고분자 필름으로는, 상기와 같은 특성을 가지는 것이라면 어떠한 종류도 사용될 수 있다. 상기 필름으로는, 예를 들면, 폴리벤즈이미다졸(polybenzimidazole, PBI) 필름, 폴리벤즈옥사졸(polybenzoxazole, PBO) 필름, 폴리이미드(polyimide, PI) 필름, 폴리벤즈티아졸(polybenzothiazole) 필름 또는 폴리벤즈아졸(polybenzazole, PBZ) 필름 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
내열 고분자 필름의 두께는 요구되는 기능을 고려하여 설정될 수 있는 것으로 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 필름은, 약 1㎛ 내지 40㎛ 정도의 범위 내에 있을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
기판에서 상기 내열 고분자 필름의 하부에는 액정 배향막이 존재한다. 상기 배향막으로는, 인접하는 액정을 배향시킬 수 있는 것이라면, 공지의 배향막이 사용될 수 있다. 하나의 예시에서 상기 배향막으로는 공지의 러빙 배향막 또는 광배향막이 사용될 수 있다.
상기 광배향막은 광배향성 화합물을 포함할 수 있다. 본 출원에서 용어 광배향성 화합물은, 예를 들면, 광의 조사, 예를 들면, 직선 편광된 광의 조사를 통하여 소정 방향으로 정렬(orientationally ordered)되고, 상기 정렬된 상태에서 이방성 상호 작용(anisotropic interaction) 등의 상호 작용을 통하여 인접하는 액정 화합물을 소정 방향으로 배향시킬 수 있는 화합물을 의미할 수 있다. 상기 화합물은, 단분자 화합물, 단량체성 화합물, 올리고머성 화합물 또는 고분자성 화합물일 수 있다.
광배향성 화합물은, 광감응성 잔기(photosensitive moiety)를 포함하는 화합물일 수 있다. 액정 화합물의 배향에 사용될 수 있는 광배향성 화합물은 다양하게 공지되어 있다. 광배향성 화합물로는, 예를 들면, 트랜스-시스 광이성화(trans-cis photoisomerization)에 의해 정렬되는 화합물; 사슬 절단(chain scission) 또는 광산화(photo-oxidation) 등과 같은 광분해(photo-destruction)에 의해 정렬되는 화합물; [2+2] 첨가 환화([2+2] cycloaddition), [4+4] 첨가 환화 또는 광이량화(photodimerization) 등과 같은 광가교 또는 광중합에 의해 정렬되는 화합물; 광 프리즈 재배열(photo-Fries rearrangement)에 의해 정렬되는 화합물 또는 개환/폐환(ring opening/closure) 반응에 의해 정렬되는 화합물 등을 사용할 수 있다. 트랜스-시스 광이성화에 의해 정렬되는 화합물로는, 예를 들면, 술포화 디아조 염료(sulfonated diazo dye) 또는 아조고분자(azo polymer) 등의 아조 화합물이나 스틸벤 화합물(stilbenes) 등이 예시될 수 있고, 광분해에 의해 정렬되는 화합물로는, 시클로부탄 테트라카복실산 이무수물(cyclobutane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride), 방향족 폴리실란 또는 폴리에스테르, 폴리스티렌 또는 폴리이미드 등이 예시될 수 있다. 또한, 광가교 또는 광중합에 의해 정렬되는 화합물로는, 신나메이트(cinnamate) 화합물, 쿠마린(coumarin) 화합물, 신남아미드(cinnamamide) 화합물, 테트라히드로프탈이미드(tetrahydrophthalimide) 화합물, 말레이미드(maleimide) 화합물, 벤조페논 화합물 또는 디페닐아세틸렌(diphenylacetylene) 화합물이나 광감응성 잔기로서 찰코닐(chalconyl) 잔기를 가지는 화합물(이하, 찰콘 화합물) 또는 안트라세닐(anthracenyl) 잔기를 가지는 화합물(이하, 안트라세닐 화합물) 등이 예시될 수 있고, 광 프리즈 재배열에 의해 정렬되는 화합물로는 벤조에이트(benzoate) 화합물, 벤조아미드(benzoamide) 화합물, 메타아크릴아미도아릴 (메타)아크릴레이트(methacrylamidoaryl methacrylate) 화합물 등의 방향족 화합물이 예시될 수 있으며, 개환/폐환 반응에 의해 정렬하는 화합물로는 스피로피란 화합물 등과 같이 [4+2] π 전자 시스템([4+2] π electronic system)의 개환/폐환 반응에 의해 정렬하는 화합물 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
광배향성 화합물은, 단분자 화합물, 단량체성 화합물, 올리고머성 화합물 또는 고분자성 화합물이거나, 상기 광배향성 화합물과 고분자의 블랜드(blend) 형태일 수 있다. 상기에서 올리고머성 또는 고분자성 화합물은, 상기 기술한 광배향성 화합물로부터 유도된 잔기 또는 상기 기술한 광감응성 잔기를 주쇄 내 또는 측쇄에 가질 수 있다.
광배향성 화합물로부터 유도된 잔기 또는 광감응성 잔기를 가지거나, 상기 광배향성 화합물과 혼합될 수 있는 고분자로는, 폴리노르보넨, 폴리올레핀, 폴리아릴레이트, 폴라아크릴레이트, 폴리(메타)아크릴레이트, 폴리이미드, 폴리암산(poly(amic acid)), 폴리말레인이미드, 폴리아크릴아미드, 폴리메타크릴아미드, 폴리비닐에테르, 폴리비닐에스테르, 폴리스티렌, 폴리실록산, 폴리아크릴니트릴 또는 폴리메타크릴니트릴 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
배향성 화합물이 고분자성 화합물인 경우에 상기 화합물은, 예를 들면, 약 10,000 g/mol 내지 500,000 g/mol 정도의 수평균분자량을 가질 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
러빙 배향막으로도 공지의 배향막이 적용될 수 있으며, 예를 들면, 폴리이미드 배향막이나 폴리비닐알코올 배향막 등을 사용할 수 있다.
상기와 같은 배향막은 전술한 저온 소성이 가능한 것이거나, 혹은 고온 소성이 가능한 것일 수 있다.
상기와 같은 구조의 기판에서 각층들은 서로 직접 적층되어 있거나, 공지의 점착제층 또는 접착제층에 의해 적층되어 있을 수 있다.
상기 기판은, 전술한 구성 외에 다른 구성을 포함할 수 있으나, 적절하게는 유리 기판을 포함하지 않을 수 있다. 상기 디스플레이 장치용 기판은, 상기와 같이 유리기판을 포함하지 않는 상태에서 다양한 디스플레이 장치의 기판으로 적용될 수 있다.
상기와 같은 기판은 다양한 방식으로 제조될 수 있다.
예를 들면, 상기 기판은 편광층의 일면에 액정 배향막을 형성하고, 상기 편광층의 다른 면에 두께가 200 ㎛ 이상인 지지용 고분자 필름을 형성하는 단계를 포함하는 방법으로 제조할 수 있다. 상기에서 액정 배향막의 형성 시에 액정 배향막은 저온 소성에 의해 형성하거나, 고온 소성에 의해 형성할 수 있다. 상기에서 저온 소성은, 약 150℃ 이하의 온도, 예를 들면, 약 10℃ 내지 150℃, 20℃ 내지 150℃, 30℃ 내지 150℃, 40℃ 내지 150℃, 50℃ 내지 150℃, 60℃ 내지 150℃, 70℃ 내지 150℃, 80℃ 내지 150℃, 약 90℃ 내지 150℃ 또는 약 100℃ 내지 150℃ 정도의 온도에서 수행되는 것일 수 있다. 이와 같은 저온 소성이 가능한 액정 배향막은 상기 편광층의 일면에 직접 형성되거나, 혹은 필요하다면 다른 필름에 형성된 후에 그 필름과 함께 또는 그 필름으로부터 분리되어 상기 편광층에 적용될 수 있다.
이러한 경우 상기 액정 배향막의 형성 과정은, 상기 액정 배향막을 150℃ 이하의 온도에서 소성하여 형성할 수 있고, 상기 소성은 상기 편광층상에서 수행될 수 있다.
고온 소성은 소성 온도가 약 150℃를 초과하는 경우이다. 이러한 경우에 상기 방법은, 상기 내열 고분자 필름의 일면에 액정 배향막을 형성하고, 다른 면에 편광층과 상기 지지용 고분자 필름을 순차 형성하는 과정을 포함할 수 있다.
상기 방법에서 배향막의 형성 과정과 편광층 등의 형성 과정은 동시에 진행될 수 있고, 순차로 진행될 수 있다. 적절한 예시에서는 우선 내열 고분자 필름 또는 편광층의 일면에 배향막이 형성된 후에 다른 면에 편광층 및/또는 지지용 고분자 필름이 순차 적층될 수 있다.
상기 배향막의 형성 방식은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 고분자 필름의 일면에 전술한 광배향성 화합물을 포함하는 층을 형성하고, 상기 층을 노광하여 배향막을 형성할 수도 있다. 다른 방식에서는 상기 고분자 필름의 일면에 러빙 배향막의 전구체를 형성한 후에 상기 전구체를 러빙하여 형성할 수도 있다. 상기에서 러빙 배향막은, 예를 들면, 상기 고분자 필름의 일면에 폴리아믹산 등과 같은 전구체를 형성하고, 상기 전구체를 러빙 배향막으로 전환시킨 후에 러빙하여 배향막을 형성할 수 있다. 상기에서 전구체의 전환 공정은, 경우에 따라서 고온에서 진행될 수 있으며, 예를 들어, 상기 폴리아믹산을 폴리이미드로 전환시켜 러빙 배향막을 제조하는 경우 상기 전환 공정은, 약 200℃ 내지 300℃의 온도에서 약 10분 내지 1 시간 동안 수행될 수 있다.
상기와 같은 과정 후에 내열 고분자 필름의 다른 면에 편광층이 형성될 수 있다. 편광층은, 전술한 폴리비닐알코올 필름 등을 점착제 또는 접착제 등을 통해 부착하거나, 혹은 편광 코팅층을 형성할 수 있는 코팅액을 코팅하여 형성할 수 있다.
이와 같은 공정에 이어서 편광층에 지지용 고분자 필름이 적층될 수 있다. 지지용 고분자 필름을 적층하는 방법도 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 적절한 점착제 또는 접착제를 사용하여 수행할 수 있다.
상기와 같은 기판 제조 공정은, 예를 들면, 소위 롤투롤(roll to roll) 방식으로 연속적으로 진행될 수 있다.
본 출원은, 또한 광변조 장치에 대한 것이다. 상기 장치는, 예를 들면, 서로 대향 배치된 하부 기판과 시인측 기판을 포함하고, 상기 하부 기판과 시인측 기판의 사이에 존재하는 광변조층을 포함할 수 있다. 상기 장치에서 상기 시인측 기판으로서 상기 기술한 디스플레이 장치용 기판이 사용될 수 있다.
하나의 예시에서 상기 광변조 장치는, 통상적인 액정 디스플레이와 동일한 구조를 가지되, 그 디스플레이의 상부 기판, 즉 시인측 기판으로서 유리 기판 대신 상기 디스플레이 장치용 기판이 사용된 구조를 가질 수 있다. 따라서, 상기 광변조층은 액정츠일 수 있다. 또한, 본 출원에서 용어 하부 기판은 광변조 장치에 포함되는 2개의 기판 중에서 다른 기판 대비 시인측에서 떨어져 있는 기판, 액정 디스플레이의 경우, 백라이트 유닛에 보다 가깝게 배치되는 기판을 의미할 수 있다. 또한, 용어 시인측 기판 또는 상부 기판은 광변조 장치에 포함되는 2개의 기판 중에서 다른 기판 대비 시인측에서 가갑게 배치되어 있는 기판을 의미할 수 있다. 상기에서 디스플레이용 기판은 전술한 액정 배향막이 상기 하부 기판과 대향한 상태로 배치되어 있을 수 있다.
상기와 같은 광변조 장치는 다양한 방식으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 장치는, 상기 하부 기판의 표면에 광변조층, 예를 들면 액정층이 형성되어 있고, 그 테두리에는 실런트가 배치되어 있는 상태에서 상기 디스플레이 장치용 기판을 그 상부에 적층하는 과정을 포함하는 방식으로 제조될 수 있다.
상기 방법도 소위 롤투롤 공정에 의해 연속적으로 진행될 수 있고, 경우에 따라서 전술한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정에 이어서 연속하여 수행될 수도 있다.
상기 기판을 적용한 광변조 장치의 다른 구성이나, 그 제조 방식은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 공지의 액정 디스플레이 장치에서 적용되는 구성이나 방식이 동일하게 적용될 수 있다.
101: 지지용 고분자 필름
102: 편광층
103: 내열 고분자 필름
104: 액정 배향막

Claims (18)

  1. 두께가 200 ㎛ 이상인 지지용 고분자 필름; 상기 고분자 필름의 하부에 존재하는 편광층; 및 상기 편광층의 하부에 존재하는 액정 배향층을 포함하는 디스플레이 장치용 기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 지지용 고분자 필름은 이방성 필름 또는 등방성 필름인 디스플레이 장치용 기판.
  3. 제 1 항에 있어서, 지지용 고분자 필름은 폴리에스테르 필름인 디스플레이 장치용 기판.
  4. 제 1 항에 있어서, 편광층은, 이색성 염료가 흡착 배향된 폴리비닐알코올 필름인 디스플레이 장치용 기판.
  5. 제 1 항에 있어서, 편광층은, 유방성 액정을 포함하거나, 혹은 반응성 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함하는 디스플레이 장치용 기판.
  6. 제 1 항에 있어서, 편광층과 액정 배향층의 사이에 유리전이온도가 230℃ 이상인 내열 고분자 필름을 추가로 포함하는 디스플레이 장치용 기판.
  7. 제 6 항에 있어서, 내열 고분자 필름은 폴리벤즈이미다졸 필름, 폴리벤즈옥사졸 필름, 폴리벤즈아졸 필름, 폴리벤즈티아졸 필름 또는 폴리이미드 필름인 디스플레이 장치용 기판.
  8. 제 6 항에 있어서, 내열 고분자 필름은 두께가 1㎛ 내지 40㎛의 범위 내에 있는 디스플레이 장치용 기판.
  9. 제 6 항에 있어서, 내열 고분자 필름은, 550 nm의 파장에 대한 면상 위상차가 -10 nm 내지 10 nm의 범위 내이고, 550 nm의 파장의 광에 대한 두께 방향 위상차가 -100 nm 내지 100 nm의 범위 내에 있는 디스플레이 장치용 기판.
  10. 제 1 항에 있어서, 액정 배향막은 광배향막 또는 러빙 배향막인 디스플레이 장치용 기판.
  11. 제 1 항에 있어서, 유리 기판을 포함하지 않는 디스플레이 장치용 기판.
  12. 편광층의 일면에 액정 배향막을 형성하고, 상기 편광층의 다른 면에 두께가 200 ㎛ 이상인 지지용 고분자 필름을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 액정 배향막을 150℃ 이하의 온도에서 소성하여 형성하는 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서, 유리전이온도가 100℃ 이상인 내열 고분자 필름의 일면에 액정 배향막을 형성하고, 다른 면에 편광층과 두께가 200 ㎛ 이상인 지지용 고분자 필름을 순차 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.
  15. 제 12 항에 있어서, 롤투롤 공정으로 진행되는 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.
  16. 서로 대향 배치된 하부 기판과 시인측 기판; 상기 하부 기판과 시인측 기판의 사이에 존재하는 광변조층을 포함하는 광변조 장치로서, 상기 시인측 기판으로서 제 1 항의 디스플레이 장치용 기판을 사용하는 광변조 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 디스플레이 장치용 기판의 액정 배향막이 하부 기판과 대향하여 배치되어 있는 광변조 장치.
  18. 상부에 광변조층이 형성되어 있고, 테두리에는 실런트가 배치되어 있는 하부 기판의 상부에 제 1 항의 디스플레이 장치용 기판을 적층하는 과정을 포함하는 광변조 장치의 제조 방법.
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