KR20170072662A - 발광 장치 - Google Patents

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KR20170072662A
KR20170072662A KR1020150181113A KR20150181113A KR20170072662A KR 20170072662 A KR20170072662 A KR 20170072662A KR 1020150181113 A KR1020150181113 A KR 1020150181113A KR 20150181113 A KR20150181113 A KR 20150181113A KR 20170072662 A KR20170072662 A KR 20170072662A
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신은성
김태현
김종일
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주식회사 루멘스
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Abstract

발광 장치가 개시된다. 개시되는 발광 장치는, 각각이 하나 이상의 LED로 이루어진 복수 개의 LED 어레이들, 입력노드 및 출력노드를 포함하는, LED 블록과, LED 블록의 입력노드에 인가되는 전원의 전압 레벨이 제1 레벨인 경우 LED 어레이들이 서로 병렬 연결되어 동작하도록 제어하고, 전원의 전압 레벨이 제1 레벨보다 높은 제2 레벨인 경우 LED 어레이들 중 하나의 LED 어레이와 나머지 LED 어레이 간에는 서로 직렬 연결로 전환되도록 제어하는, 드라이버 IC와, LED 블록의 출력노드에 병렬 연결되는 출력노드 바이패스 용량성 소자를 포함한다.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 장치에 관한 것이며, 구체적으로는 LED에서 발생하는 열을 방출하기 위해 기판의 하부에 히트싱크를 조립함에 있어서 빈번히 발생하는 조립 불량에 따른 고주파로 인한 문제점들을 개선하기 위한 발광 장치에 관한 것이다.
일반적으로 LED(Light Emitting Diode)를 기반으로 하는 발광 장치의 입력 전원으로 상용 교류 전원을 적용하는 경우, 안정된 전압 공급을 브릿지 정류기 양단에 필터링 커패시터를 결합하여 사용한다. 하지만, 안정된 전압을 공급하기 위해 사용되는 이러한 필터링 커패시터의 존재로 인해, 역률(Power Factor)이 저하되고 입력 전원의 주파수와 관련된 문제 등이 발생하는 불이익이 있어 왔다. 이러한 불이익을 해소하고자 필터링 커패시터의 사용을 생략하면서, LED 블록 내 LED들의 전류 경로들을 적절히 제어하여 LED들을 순차적으로 동작시키거나 발광 효율을 높이도록 LED들의 연결 관계를 변화시키기 위해 FET등으로 구현된 스위치를 기반으로 한 드라이버 IC가 채용되기에 이르렀다. 드라이버 IC는 일반적으로 반도체 제조 공정에 의해 제조되므로 매우 민감한 특징이 있다.
한편, LED를 기반으로 하는 발광 장치를 구현에 있어서는 통상적으로 열을 방출하기 위해 LED가 실장되는 기판의 하부에 히트 싱크가 조립된다. 히트 싱크를 조립함에 있어서, 기판과 히트 싱크 사이에 공기보다 열 전도도가 더 좋은 써멀 패드 등과 같은 TIM(Thermal Interface Material)이 개재된 상태로 조립된다.
기판에 히트 싱크를 조립하는 과정에서 세심한 주의가 요구되는데, 이러한 주의에도 불구하고 여러 가지 유형의 조립불량이 빈번하게 발생한다. 예컨대, 기판-TIM-히트싱크 간을 스크류 체결함에 있어서 스크류 체결 불량에 의한 TIM과 기판 간의 에어갭, TIM 또는 히트싱크 간의 에어갭, TIM 내의 에어 보이드(Air Void), 그리고 스크류와 기판 표면 사이의 밀착력을 높이기 위해 절연기능을 갖는 플라스틱 홀더나 플라스틱 부싱을 사용하지 않고 금속 와샤를 사용하여 체결하는 경우 등의 유형이 있을 수 있다. 본 명세서 내에서는 이러한 여러 가지 유형들이 모두 조립불량이라는 용어 속에 포함되는 것으로 정의된다.
일반적으로, 에어갭(Air Gap)이 없거나 일정 수준 이하의 에어갭이 존재하도록 조립된 경우(즉, 정상적인 조립 상태로 볼 수 있는 경우), 고압의 전원전압이 인가되더라도 대부분의 전압이 기판 내의 절연층(예컨대, prepreg)에 걸리기 때문에 특별히 큰 문제가 되지 않는다.
하지만, 에어 갭이 일정 수준 이상으로 존재하는 경우, 전원 인가시, 전자가 양극에 끌어당겨져 가속화되고 충돌한 공기 분자가 계속해서 전자를 때리게 되어 이온화되고 그 결과 불꽃방전이 발생하게 된다. 이 경우 기판은 용량성 부하로서 작용한다. 그 결과, 불꽃방전에 의해 발생하는 수 kHz 내지 수 GHz의 광대역 고주파 성분이 절연층을 통과하여 기판 상에 실장된 드라이버 IC나 LED 등의 여러 가지 부품들에 손상을 주게 된다. 앞서 언급한 바와 같이, 드라이버 IC는 반도체 제조 공정을 따르므로 매우 민감하여, 이러한 조립불량에 기인하는 광대역 고주파 성분이 드라이버 IC가 연결된 노드를 통해 유입되는 경우 그에 따른 영향을 필연적일 수 밖에 없다.
또한, 위에서 언급한 조립불량 유형 이외에도 기판과 히트 싱크 사이에 개재되는 TIM이 기판 전체를 커버하지 못할 정도로 그 면적이 적은 경우, 다시 말해, 조립시 기판 외곽 부분의 하부에 TIM이 존재하지 않는 부분이 있도록 조립된 경우에도 같은 문제가 발생한다. 따라서, 이러한 문제점들을 해결하기 위한 방안이 당해 기술 분야에서 요구되고 있다.
미국공개특허 US2015/0036362A1(2015.02.05.)
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 TIM을 개재한 상태로 기판과 히트 싱크 간을 조립하는 경우에 발생하는 조립불량에 의해, 고압의 전원 인가시 기판과 히트 싱크 사이에 불꽃방전과 같은 현상들이 발생하고, 불꽃방전으로 인해 고주파 성분이 발생하여 절연층을 통과하여 기판 상에 실장되어 있는 LED를 포함한 여러 가지 부품들에 손상을 입히게 되는 문제점을 개선하기 위한 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 양상에 따른 발광 장치는, 각각이 하나 이상의 LED로 이루어진 복수 개의 LED 어레이들, 입력노드 및 출력노드를 포함하는, LED 블록과, 상기 LED 블록의 입력노드에 인가되는 전원의 전압 레벨이 제1 레벨인 경우 상기 LED 어레이들이 서로 병렬 연결되어 동작하도록 제어하고, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨인 경우 상기 LED 어레이들 중 하나의 LED 어레이와 나머지 LED 어레이 간에는 서로 직렬 연결로 전환되도록 제어하는, 드라이버 IC와, 상기 LED 블록의 출력노드에 병렬 연결되는 출력노드 바이패스 용량성 소자를 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 LED 블록의 입력노드에 병렬 연결되는 입력노드 바이패스 용량성 소자를 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 LED 어레이들 사이 및 상기 LED 어레이들 내 각각의 LED 사이 중 어느 하나에 병렬 연결되는 중간노드 바이패스 용량성 소자를 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 하나의 LED 어레이와 상기 나머지 LED 어레이 사이에 연결되는 역류 방지 다이오드를 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 드라이버 IC는 복수 개의 스위칭 유닛들을 포함하고, 상기 스위칭 유닛들은, 상기 하나의 LED 어레이의 출력노드에 병렬로 연결되는 제1 스위칭 유닛과, 상기 하나의 LED 어레이의 입력단과 상기 역류 방지 다이오드의 후단에 걸쳐 연결되는 제2 스위칭 유닛과, 상기 나머지 LED 어레이의 출력노드에 병렬로 연결되는 제3 스위칭 유닛을 포함하며, 상기 제1 스위칭 유닛과 상기 제2 스위칭 유닛은, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제1 레벨인 경우 온(ON) 상태를 유지하고, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제2 레벨인 경우 오프(OFF)되며, 상기 제3 스위칭 유닛은 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제2 레벨인 경우 온 상태를 유지한다.
일 실시예에 따라, 상기 LED 블록의 입력노드에 병렬 연결되는 입력노드 바이패스 용량성 소자와, 상기 LED 어레이들 사이 및 상기 LED 어레이들 내 각각의 LED 사이 중 어느 하나에 병렬 연결되는 중간노드 바이패스 용량성 소자를 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 출력노드 바이패스 용량성 소자는, 정전 용량이 0.01㎌ ~ 0.1㎌으로서 세라믹 재질을 사용한다.
일 실시예에 따라, 상기 출력노드 바이패스 용량성 소자, 상기 입력노드 바이패스 용량성 소자, 및 상기 중간노드 바이패스 용량성 소자는, 정전 용량이 0.01㎌ ~ 0.1㎌으로서 세라믹 재질을 사용한다.
일 실시예에 따라, 상기 출력노드 바이패스 용량성 소자, 상기 입력노드 바이패스 용량성 소자, 및 상기 중간노드 바이패스 용량성 소자 각각은, 적어도 하나 이상의 커패시터가 직렬 또는 병렬로 연결된다.
일 실시예에 따라, 상기 LED 어레이들 각각은, 하나 이상의 LED가 직렬 또는 병렬로 연결된다.
또한, 본 발명의 일 양상에 따라 역률 개선을 위한 발광 장치는, 각각이 하나 이상의 LED로 이루어진 복수 개의 LED 어레이들, 입력노드 및 출력노드를 포함하는, LED 블록과, 상기 LED 블록의 입력노드에 인가되는 전원의 전압 레벨이 제1 레벨인 경우 상기 LED 어레이들이 서로 병렬 연결되어 동작하도록 제어하고, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨인 경우 상기 LED 어레이들 중 하나의 LED 어레이와 나머지 LED 어레이 간에는 서로 직렬 연결로 전환되도록 제어하는, 드라이버 IC와, 상기 하나의 LED 어레이와 상기 나머지 LED 어레이 사이에 연결되는 역류 방지 다이오드를 포함하며, 상기 드라이버 IC는 복수 개의 스위칭 유닛들을 포함하고, 상기 스위칭 유닛들은, 상기 하나의 LED 어레이의 출력노드에 병렬로 연결되는 제1 스위칭 유닛과, 상기 하나의 LED 어레이의 입력단과 상기 역류 방지 다이오드의 후단에 걸쳐 연결되는 제2 스위칭 유닛과, 상기 나머지 LED 어레이의 출력노드에 병렬로 연결되는 제3 스위칭 유닛을 포함하며, 상기 제1 스위칭 유닛과 상기 제2 스위칭 유닛은, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제1 레벨인 경우 온(ON) 상태를 유지하고, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제2 레벨인 경우 오프(OFF)되며, 상기 제3 스위칭 유닛은 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제2 레벨인 경우 온 상태를 유지한다.
본 발명은 고주파가 바이패스될 수 있는 경로를 제공하는 발광 장치를 제공함으로써, TIM을 개재한 상태로 기판과 히트 싱크 간을 조립하는 경우에 발생하는 조립불량에 의해 발생하는 불꽃방전에 기인한 고주파 성분으로부터 기판 상에 실장되어 있는 LED를 포함하는 여러 가지 부품들을 보호하는 효과를 갖는다.
뿐만 아니라, 전원 후단의 필터링 커패시터를 생략함으로써, 역률이 개선되는 효과도 갖는다.
도 1은 조립 불량에 기인한 고주파 발생에 대한 기판 측 등가 커패시턴스(C1)와 히트싱크 측 등가 커패시턴스(C2)의 관계를 설명하기 위해 모델링된 발광 장치의 등가 회로도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 LED 블록의 전단(입력노드), 후단(출력노드), 및 LED 블록 내 LED 어레이들 사이에 용량성 소자들(Ca1, Ca2, Ca3, Ca4, Ca5)를 병렬로 연결한 발광 장치의 등가 회로도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라, 인가되는 전원의 전압 레벨에 따라서 LED 어레이들이 병렬 연결 또는 직렬 연결되어 동작하는 LED 블록의 출력노드(N4)에 용량성 소자(Ca2)를 병렬로 연결한 발광 장치의 등가 회로도이고,
도 4는 도 3의 실시예에서 LED 블록의 출력노드(N4) 뿐만 아니라 LED 블록의 입력노드(N1), LED 블록 내의 LED 어레이들의 중간노드(N2, N3)에 용량성 소자(Ca3, Ca4)를 병렬로 연결한 발광 장치의 등가 회로도이고,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라, LED 블록 내의 LED 어레이(CH1, CH2, CH3)의 개수가 3개인 경우 LED 블록의 출력노드(N7), 입력노드(N1), 중간노드(N2, N3, N4, N5, N6)에 용량성 소자(Ca3, Ca4, Ca5, Ca6, Ca7)을 병렬로 연결한 발광 장치의 등가 회로도이고,
도 6은 커패시터의 종류에 따른 주파수 특성을 나타낸 그래프이고,
도 7은 세라믹 커패시터의 주파수와 커패시턴스에 따른 임피던스 특성을 나타낸 그래프이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들이 설명된다. 첨부된 도면들 및 이들을 참조하여 설명되는 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자로 하여금 본 발명에 관한 이해를 쉽게 하기 위해 간략화되고 예시된 것임에 유의하여야 할 것이다.
도 1의 (a)는 조립 불량에 기인한 고주파 발생에 대한 기판측 등가 커패시턴스(C1)와 히트싱크측 등가 커패시턴스(C2)의 관계를 설명하기 위해 모델링된 등가 회로도이다. 도 1의 (b)는 도 1의 (a)에 상응하는 발광 장치의 수직 구조이다.
도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 발광 장치는 LED 블록 및 각종 부품이 실장되는 기판, TIM, 및 히트싱크를 포함한다. 기판은 L1으로 표시된 상부 금속층, L2로 표시된 절연층(예컨대, prepreg) 및 L3로 표시된 하부 금속층(L3)까지이다. 그리고, TIM은 L4로 표시되어 있으며 써멀 패드일 수 있다. 히트싱크는 L5로 표시되어 있으며, 열 방출 특성이 우수한 금속 재료일 수 있다.
도 1의 (b)에 도시된 발광 장치의 수직 구조는 교류 입력에 대해서는 (a)에 도시된 바와 같은 등가회로로 모델링될 수 있다. C1은 L1(금속)-L2(절연층)-L3(금속) 관계를 고려한 값이고, C2는 L3(금속)-L4(TIM, 절연물질)-L5(금속) 관계를 고려한 값이다. 본 명세서 내에서는 편의상 C1은 기판측 등가 커패시턴스로 일컬어지고, C2는 히트싱크측 등가 커패시턴스로 일컬어진다. 또한, R1은 기판측 등가 저항, R2는 히트싱크측 등가 저항으로 일컬어진다.
정상적인 상태에서는 기판측 등가 저항(R1)보다는 히트싱크측 등가 저항(R2)이 크게 나타나며, 정상적인 조립 상태에서는 고압의 전원 전압이 인가되어도 대부분의 전압이 기판 내의 절연층(L2)에 걸리기 때문에 그다지 문제가 되지 않는다. 하지만, 앞서 언급한 바와 같이, 조립 불량이 발생한 경우, 고압의 전원 전압이 인가되면 불안정한 그라운드 및 접촉 불량 등에 의한 불꽃방전 등에 기인하여 수 kHz 내지 수 GHz의 광대역 고주파 성분이 절연층(L2)을 통과하여 기판 상에 실장된 드라이브 IC나 LED등의 부품에 대미지를 입히게 된다.
즉, 도 1의 (a)에서 고압의 고주파가 유입되는 경우를 고려해 보면, 기판측 등가 커패시턴스(C1)가 히트싱크측 등가 커패시턴스(C2)보다 작은 경우, 고주파 성분의 대부분의 전압이 기판측 등가 커패시턴스(C1)에 걸리게 된다. 그리하여, 앞서 언급한 바와 같이, 반도체 제조 공정으로 제조되는 드라이버 IC에 고압의 고주파 성분이 영향을 미치게 되어, 드라이버 IC나 여기에 연결된 기판 상의 LED들과 같은 여러 가지 중요 부품들을 손상시키게 된다. 따라서, 본 발명은 이러한 고압의 고주파의 영향으로 인해 발광 장치가 손상되지 않도록 하기 위한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 LED 블록(10)의 전단(N1), 후단(Nn), 및 LED 블록(10) 내 LED 어레이들 사이에 용량성 소자(Ca1, Ca2, C3, Ca4, Ca5)를 병렬로 연결한 발광 장치의 등가 회로도이다. LED 블록(10)은 복수 개의 LED 어레이들을 포함하며, LED 어레이들의 순방향은 좌측에서 우측 방향이다. 본 명세서 내에서 "LED 블록의 전단(front end)"이라 함은, LED 블록에서 순방향 연결을 고려할 때 가장 먼저 배치되는 LED 어레이와 정류부재(도 3의 참조부호 2) 사이의 노드(N1)를 의미하는 것으로, 이하에서 입력노드로 일컬어진다. 또한, "LED 블록의 후단(rear end)"은 LED 블록(10)에서 순방향 연결을 고려할 때 가장 나중에 배치되는 LED 어레이 이후의 노드(Nn)를 의미하는 것으로, 이하에서는 출력노드로 일컬어진다. 또한, 본 명세서 내에서 "LED 블록에 병렬로 연결" 또는 "LED 어레이에 병렬로 연결" 이라는 것의 의미는, 용량성 소자가 소정의 노드 내에 직렬로 삽입되는 형태로 연결되는 것이 아니라, 용량성 소자가 소정의 노드와 접지단 사이에 삽입되는 연결을 의미한다.
또한, 전원을 Vi로 나타내고 있으나, 교류 전원(미도시)과 LED 블록의 입력노드 전단에 연결되어, LED 블록의 입력노드로 포지티브(Positive) 전압이 인가되도록 상기 전원의 네거티브 파트(Negative part)를 포지티브 파트(Positive part)로 변환하는 정류부재(Bridge Rectifier)를 더 포함한다. 따라서, 본 명세서 내에서의 전원(Vi)은 정류부재 이후의 전파 정류된 전압을 의미한다.
도 2를 도 1의 (a)와 함께 참조하면, 우선, 입력노드(N1)와 출력노드(Nn)에 병렬로 연결되는 용량성 소자(Ca1, Ca2)는 기판측 등가 커패시턴스(C1)를 증가시키면서 조립불량에 의한 불꽃방전 등에 기인한 고주파 성분이 바이패스되는 경로를 제공해준다. 본 명세서 내에서 LED 블록(10)의 입력노드(N1)에 병렬 연결되는 용량성 소자(Ca1)는 입력노드 바이패스 용량성 소자로 일컬어지고, LED 블록의 출력노드(Nn)에 병렬 연결되는 용량성 소자(Ca2)는 출력노드 바이패스 용량성 소자로 일컬어진다. 더 나아가, 도 2에 도시된 바와 같이, 용량성 소자는 LED 블록(10) 내의 LED 어레이들 사이의 노드에 더 연결될 수 있으며, 이러한 용량성 소자(Ca3, Ca4, Ca5, ...)는 중간노드 바이패스 용량성 소자로 일컬어진다.
특히, LED 블록(10)의 입력노드(N1)에 병렬로 연결된 용량성 소자, 즉 입력노드 바이패스 용량성 소자(Ca1)는 기판측 등가 커패시턴스를 증가시키는 역할을 함과 동시에 입력노드(N1)로 고주파 성분이 유입되는 경우, 드라이버 IC로 유입되지 않고 입력노드 바이패스 용량성 소자(Ca1)를 통해 접지로 빠지도록 하여 드라이버 IC가 고주파 성분으로부터 영향을 덜 받도록 하여, LED들을 포함하는 기판상의 중요 부품들이 손상되지 않도록 한다. LED 블록의 출력노드(Nn)에 병렬로 연결되는 용량성 소자, 즉 출력노드 바이패스 용량성 소자(Ca2)는 출력노드(Nn)로 유입되는 고주파 성분을 바이패스시켜, 드라이버 IC가 고주파 성분으로부터 영향을 덜 받도록 하여 기판 상의 중요 부품들이 손상되지 않도록 한다. 여기서의 고주파 성분은 조명장치의 기판과 히트싱크 간의 조립불량으로 인해 발생하는 고주파 성분을 의미하며, 이하의 내용에서도 마찬가지이다.
이하에서는, 입력노드 바이패스 용량성 소자(Ca1), 출력노드 바이패스 용량성 소자(Ca2) 및 중간노드 바이패스 용량성 소자(Ca3, Ca4, Ca5)와, LED 블록(10) 내 LED 어레이들 간의 관계에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
먼저, 출력노드 바이패스 용량성 소자(Ca2)가 없고, 입력노드(N1)에만 입력노드 바이패스 용량성 소자(Ca1)가 병렬로 연결되는 경우를 가정해 보자. LED 어레이들 사이인 중간 노드들에 고주파 성분이 유입되는 경우, 용량성 소자(Ca1) 측을 고려할 때, LED 어레이들이 역방향 연결이므로, 고주파 성분이 입력노드 바이패스 용량성 소자(Ca1) 측으로 빠져나가지 못하고 LED 블록(10) 내 LED 어레이들 사이의 중간 노드들에 큰 전압이 인가되어, 이들 노드들에 연결된 드라이버 IC(20)에 영향을 미칠 가능성이 매우 높다. 따라서, 출력노드 바이패스 용량성 소자(Ca2)를 출력노드에 병렬로 연결함으로써, 출력노드(Nn)를 통해 유입되는 고주파 성분이 바이패스되도록 하여 드라이버 IC 및 LED들등을 보호할 수 있다. 이와 유사한 맥락에서, LED 블록의 중간노드들에 중간노드 바이패스 용량성 소자(Ca3, Ca4, Ca5)가 병렬로 더 연결될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라, 인가되는 전원의 전압 레벨에 따라서 LED 어레이들이 병렬 연결 또는 직렬 연결되어 동작하는 LED 블록의 출력노드(N4)에 용량성 소자(Ca2)를 병렬로 연결한 발광 장치의 등가 회로도이고, 도 4는 도 3의 실시예에서 LED 블록의 출력노드(N4) 뿐만 아니라 LED 블록의 입력노드(N1), LED 블록 내의 LED 어레이들의 중간노드(N2, N3)에 용량성 소자(Ca3, Ca4)를 병렬로 연결한 발광 장치의 등가 회로도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라, LED 블록 내의 LED 어레이(CH1, CH2, CH3)의 개수가 3개인 경우 LED 블록의 출력노드(N7), 입력노드(N1), 중간노드(N2, N3, N4, N5, N6)에 용량성 소자(Ca3, Ca4, Ca5, Ca6, Ca7)을 병렬로 연결한 발광 장치의 등가 회로도이고,
우선, 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는, 각각이 하나 이상의 LED로 이루어진 복수 개의 LED 어레이들(CH1, CH2), 입력노드(N1) 및 출력노드(N4)를 포함하는, LED 블록을 포함한다. 그리고, 상기 LED 블록의 입력노드(N1)에 인가되는 전원(Vi)의 전압 레벨이 제1 레벨인 경우 상기 LED 어레이들이 서로 병렬 연결되어 동작하도록 제어하고, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨인 경우 상기 LED 어레이들 중 하나의 LED 어레이(CH1)와 나머지 LED 어레이(CH2) 간에는 서로 직렬 연결로 전환되도록 제어하는, 드라이버 IC(Q1, Q2, Q3)와, 상기 LED 블록의 출력노드(N4)에 병렬 연결되는 출력노드 바이패스 용량성 소자(Ca2)를 포함한다.
복수 개의 LED 어레이들(CH1, CH2) 각각은 하나 이상의 LED를 포함하며, LED 어레이가 복수 개의 LED들을 포함하는 경우, 이들 간에는 서로 병렬, 직렬 또는 직렬과 병렬의 조합으로 연결될 수 있다.
드라이버 IC는 복수 개의 스위칭 유닛들(Q1, Q2, Q3)을 포함하며, 스위칭 유닛들 각각은, FET나 BJT 등의 트랜지스터일 수 있으나, 이러한 예들로 한정되는 것은 아니다. 이하에서는 편의상 이들 스위칭 유닛들을 포함하는 드라이버 IC를 참조부호 20으로 표시하도록 한다.
또한, 상기 발광 장치는 하나의 LED 어레이(CH1)와 나머지 LED 어레이(CH2) 사이에 연결되는 역류 방지 다이오드(D1)를 더 포함한다. 역류 방지 다이오드(D1)는 하나의 LED 어레이(CH1)와 나머지 LED 어레이(CH2)가 서로 병렬 연결되어 동작하도록 드라이버 IC가 제어하는 경우, 제2 스위칭 유닛(Q2)를 통해 흐르는 전류가 제1 스위칭 유닛(Q1)을 통해 흐르지 않고 후단으로 흐르도록 하여 LED 어레이(CH2)가 동작할 수 있도록 해준다.
LED 어레이들(CH1, CH2)의 순방향 전압(forward voltage)의 크기가 Vf로 동일하다는 가정하에 기본적인 동작을 설명하면 이하와 같다. 이하의 설명에서 스위칭 유닛들을 오프로 전환시키는 제어는, 예를 들어, 스위칭 유닛들이 n-MOSFET인 경우 각각의 스위칭 유닛들의 게이트 전압(Vg1, Vg2, Vg3, Vg4, Vg5, Vg6, Vg7)을 낮춤으로써 수행될 수 있다.
먼저, 전원(Vi)의 전압 레벨이 제1 레벨보다 낮은 경우(즉, Vi<Vf), LED 블록 내의 LED 어레이들(CH1, CH2)은 동작하지 않는다. 전압 레벨이 제1 레벨인 경우(즉, Vf≤Vi<2Vf), LED 어레이들(CH1, CH2)은 서로 병렬 연결되어 동작한다. LED 어레이들(CH1, CH2)이 서로 병렬 연결되어 동작하도록 하기 위해, 제1 스위칭 유닛(Q1)과 제2 스위칭 유닛(Q2)은 모두 온(ON) 상태를 유지한다. 하나의 LED 어레이(CH1)와 나머지 LED 어레이(CH2)가 병렬 연결되어 동작하는 경우, 전류 경로를 살펴보면, 하나의 LED 어레이(CH1) - 제1 스위칭 유닛(Q1) - 저항(R1)을 따르는 전류 경로와, 제2 스위칭 유닛(Q2) - 저항(R2) - 나머지 LED 어레이(CH2) - 제3 스위칭 유닛(Q3) - 저항(R1)을 따르는 전류 경로가 형성된다.
만약 전원의 전압 레벨이 제1 레벨보다 높은 제2 레벨인 경우(즉, 2Vf≤Vi<3Vf), 하나의 LED 어레이(CH1)와 나머지 LED 어레이(CH2)의 직렬 구동이 가능하다. 따라서, 이 구간에서는, 제1 스위칭 유닛(Q1)과 제2 스위칭 유닛(Q2)가 오프(OFF)로 전환된다. 이 경우, 제3 스위칭 유닛(Q3)은 온 상태를 유지하여야 한다. 전류 경로를 살펴보면, 하나의 LED 어레이(CH1) - 역류 방지 다이오드(D1) - 저항(R2) - 나머지 LED 어레이(CH2) - 제3 스위칭 유닛(Q3) - 저항(R1)을 따르는 전류 경로가 형성된다. 따라서, 전원의 전압 레벨이 제2 레벨인 경우(2Vf≤Vi<3Vf), LED 블록 내의 LED 어레이들(CH1, CH2)은 직렬 구동된다.
출력노드 바이패스 용량성 소자(Ca2)는 LED 블록의 출력노드(N4)에 연결되어, 드라이버 IC(20)가 고주파 성분으로부터 영향을 덜받도록 한다. 앞서 언급한 바와 같이, 조립불량으로 인해 불꽃방전이 발생하여 고압의 고주파 성분이 회로 내로 유입될 수 있으며, 이 때 드라이버 IC에 영향을 미쳐 기판 상에 실장된 LED들을 포함한 여러 가지 중요 부품들에 대미지를 가하게 된다. 따라서, 본 발명은 이러한 고주파 성분을 출력노드 바이패스 용량성 소자(Ca2)를 이용하여 접지로 내보낼 수 있도록 한다.
드라이버 IC(20)가 영향을 덜 받도록 하기 위해, 도 4에 도시된 바와 같이, LED 블록의 입력노드(N1)에 입력노드 바이패스 용량성 소자(Ca1)를 병렬로 더 연결할 수 있으며, 더 나아가, LED 어레이들 사이 및 LED 어레이들 내 각각의 LED 사이 중 어느 하나에 병렬로 중간노드 바이패스 용량성 소자(Ca3, Ca4)가 더 연결될 수 있다. 도 4의 경우에는, 중간노드 바이패스 용량성 소자(Ca3, Ca4)가 LED 어레이(CH1)의 출력노드(N2)에 병렬로 더 연결되고, 또한 역류 방지 다이오드(D1)의 후단(N3)에 병렬로 더 연결된 경우를 예시하였으나, LED 어레이(CH1)가 복수 개의 LED들을 포함하는 경우, 이들 LED들 사이에도 병렬로 더 연결될 수 있다. 또한, 요구되는 커패시턴스를 맞추기 위해, 출력노드 바이패스 용량성 소자(Ca2), 입력노드 바이패스 용량성 소자(Ca1) 및 중간노드 바이패스 용량성 소자(Ca3, Ca4) 각각은, 적어도 하나 이상의 커패시터가 직렬 또는 병렬, 또는 직렬과 병렬의 적절한 조합으로 연결될 수도 있다.
도 5는 LED 블록을 구성하는 LED 어레이들이 CH1, CH2 및 CH3로서 3개인 경우이다. 이와 같이 LED 어레이들이 3개인 경우에도 2개인 경우의 회로 해석을 그대로 적용하여 발광 장치의 동작을 해석할 수 있다.
먼저, 전원(Vi)의 전압 레벨이 제1 레벨보다 낮은 경우(즉, Vi<Vf)에는 LED 블록 내의 LED 어레이들(CH1, CH2, CH3)은 동작하지 않는다. 전압 레벨이 제1 레벨인 경우(즉, Vf≤Vi<2Vf), 하나의 LED 어레이(CH1)과 나머지 LED 어레이들(CH2, CH3)은 서로 병렬 연결되어 동작한다. 나머지 LED 어레이들(CH2, CH3) 간에도 서로 병렬 연결되어 동작한다. 따라서, 전체 LED 어레이들(CH1, CH2, CH3)이 서로 병렬 연결되어 동작한다. 물론, 이 경우 드라이버 IC를 구성하는 모든 스위칭 유닛들(Q1, Q2, Q3, Q4, Q5)이 온 상태를 유지하여야 한다.
이후, 전압 레벨이 제2 레벨인 경우(즉, 2Vf≤Vi<3Vf), 제1 스위칭 유닛(Q1)과 제2 스위칭 유닛(Q2)은 오프로 전환된다. 따라서, 이 경우 하나의 LED 어레이(CH1)와 나머지 LED 어레이들(CH2, CH3) 간에는 서로 직렬로 연결된다. 나머지 LED 어레이들(CH2, CH3) 간에는 병렬 연결을 그대로 유지한 상태로 동작한다.
전압 레벨이 제2 레벨보다 높아지는 경우(즉, 3Vf≤Vi<4Vf), 제1 스위칭 유닛(Q1), 제2 스위칭 유닛(Q2), 제3 스위칭 유닛(Q3) 및 제4 스위칭 유닛(Q4)은 모두 오프로 전환되고, 제5 스위칭 유닛(Q5)만이 온 상태를 유지한다. 따라서, 이 경우 모든 LED 어레이들(CH1, CH2, CH3)이 직렬 연결을 유지하여 동작한다.
나아가, LED 블록을 구성하는 LED 어레이들이 그보다 많은 개수인 경우에도 이와 같은 패턴으로 발광 장치의 동작을 해석할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 중간노드 바이패스 용량성 소자들은 드라이버 IC를 구성하는 스위칭 유닛과 가장 가까운 노드 곳곳에 병렬로 연결되어 조립불량으로 인한 고주파 성분이 유입되더라도 접지로 바이패스시켜 드라이버 IC 및 LED 등을 포함하는 중요 부품들을 효과적으로 보호할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 실시예들에서, 출력노드 바이패스 용량성 소자(Ca2), 입력노드 바이패스 용량성 소자(Ca1), 및 중간노드 바이패스 용량성 소자(Ca3, Ca4, Ca5, Ca6, Ca7)는, 정전 용량(커패시턴스)이 0.01㎌ ~ 0.1㎌으로서 세라믹 재질을 사용하는 것이 바람직하다.
도 6 및 도 7은 세라믹 재질을 사용하는 커패시터, 즉 세라믹 커패시터에 관한 설명을 위한 도면으로서, 특히, 도 6은 커패시터의 종류에 따른 주파수 특성을 나타낸 그래프이고, 도 7은 세라믹 커패시터의 주파수와 커패시턴스에 따른 임피던스 특성을 나타낸 그래프이다.
일반적으로, 커패시터의 임피던스는 주파수와 커패시턴스에 반비례하므로, 주파수가 높아질수록 임피던스는 감소하게 되는데, 커패시턴스의 형태와 커패시터를 구성하는 유전체에 따라서 도시된 바와 같이 주파수가 증가하면서 임피던스는 다시 증가하게 된다. 가장 이상적인 커패시터의 형태는 "combined"로 표시된 것과 같이 될 수 있으나, 이는 이론적인 커패시터에 지나지 않는다.
도 6에 도시된 바와 같이, 전해 커패시터나 탄탈 커패시터에 비해, 세라믹 커패시터는 고주파에서 비교적 임피던스 특성이 좋다. 즉, 세라믹 커패시터는 고주파 대역에서 사용하기에 적합하고, 타 커패시터에 비해 정격 전압이 높고 ESR(Equivalent series resistance)이 낮아 발열이 적으며, 극성이 없어 기판에 실장시 유리하며, 절연저항과 브레이크다운 전압도 높으므로, 본 발명의 용량성 소자들로 채용되기에 적합하다. 세라믹 커패시터에서의 전극간의 유전체로는 티탄산 바륨과 같은 유전율이 큰 재료가 사용될 수 있다.
뿐만 아니라, 도 7에 도시된 바와 같이, 세라믹 커패시터에 있어서도 용량이 작을수록 그리고 높은 주파수 대역에서 낮은 임피던스 성분을 갖는 특성을 보인다. 특히, 0.01㎌ ~ 0.1㎌의 커패시턴스 범위에서 0.1오옴 이하의 낮은 임피던스 특성을 갖는다.
따라서, 본 발명의 바이패스 용량성 소자들(입력노드 바이패스 용량성 소자, 출력노드 바이패스 용량성 소자, 중간노드 바이패스 용량성 소자)은 세라믹 커패시터인 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, 바이패스 용량성 소자들은 0.01㎌ ~ 0.1㎌의 커패시턴스를 갖는 세라믹 커패시터일 수 있다. 더욱더 바람직하게는, 바이패스 용량성 소자들의 내압은 100V ~ 500V의 범위를 가질 수 있다. 예컨대, 입력노드에 연결되는 입력노드 바이패스 용량성 소자는 비교적 큰 내전압을 가져야 하고, 출력노드에 연결되는 출력노드 바이패스 용량성 소자는 비교적 작은 내전압을 가져도 되므로, 바이패스 용량성 소자들의 내압은 이렇듯 연결되는 노드, LED 어레이들의 사용전압에 따라서 달라질 수 있다. 뿐만 아니라, 이들 바이패스 용량성 소자들은, 요구되는 커패시턴스에 따라, 적절히 직렬연결 또는 병렬 연결, 또는 직렬연결되어 사용될 수도 있다.
요컨대, LED 어레이들이 순차적으로 구동되는 발광 장치에서, 조립불량으로 인해, 드라이버 IC가 견딜 수 있는 전압내성 이상의 전압이 인가될 때 드라이버 IC가 대미지를 받는다. 드라이버 IC는 반도체 소자로 이루어져 있으며, 사용하는 재료 및 공정에 따라서 반도체 소자의 전압내성이 결정되게 된다. 전압내성은 대체로 250V에서부터 700V까지 다양하며, 그보다 높은 전압이 인가될 때 드라이버 IC 등의 반도체 소자는 파괴된다. 본 발명은 이러한 고압의 고주파 성분으로부터 드라이버 IC를 보호하기 위해 LED 블록의 출력노드, 입력노드 또는 중간노드들에 커패시터를 병렬로 연결하여, 이들 고주파 성분이 접지로 빠져나가게 함으로써, 드라이버 IC를 포함한 여러 가지 부품들을 보호할 수 있다.
10 : LED 블록
20 : 드라이버 IC
CH1, CH2, CH3 : LED 어레이
D1, D2 : 역류 방지 다이오드
Q1, Q2, Q3 : 스위칭 유닛

Claims (11)

  1. 각각이 하나 이상의 LED로 이루어진 복수 개의 LED 어레이들, 입력노드 및 출력노드를 포함하는, LED 블록;
    상기 LED 블록의 입력노드에 인가되는 전원의 전압 레벨이 제1 레벨인 경우 상기 LED 어레이들이 서로 병렬 연결되어 동작하도록 제어하고, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨인 경우 상기 LED 어레이들 중 하나의 LED 어레이와 나머지 LED 어레이 간에는 서로 직렬 연결로 전환되도록 제어하는, 드라이버 IC; 및
    상기 LED 블록의 출력노드에 병렬 연결되는 출력노드 바이패스 용량성 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 LED 블록의 입력노드에 병렬 연결되는 입력노드 바이패스 용량성 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 LED 어레이들 사이 및 상기 LED 어레이들 내 각각의 LED 사이 중 어느 하나에 병렬 연결되는 중간노드 바이패스 용량성 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 하나의 LED 어레이와 상기 나머지 LED 어레이 사이에 연결되는 역류 방지 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 드라이버 IC는 복수 개의 스위칭 유닛들을 포함하고, 상기 스위칭 유닛들은, 상기 하나의 LED 어레이의 출력노드에 병렬로 연결되는 제1 스위칭 유닛과, 상기 하나의 LED 어레이의 입력단과 상기 역류 방지 다이오드의 후단에 걸쳐 연결되는 제2 스위칭 유닛과, 상기 나머지 LED 어레이의 출력노드에 병렬로 연결되는 제3 스위칭 유닛을 포함하며, 상기 제1 스위칭 유닛과 상기 제2 스위칭 유닛은, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제1 레벨인 경우 온(ON) 상태를 유지하고, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제2 레벨인 경우 오프(OFF)되며, 상기 제3 스위칭 유닛은 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제2 레벨인 경우 온 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 LED 블록의 입력노드에 병렬 연결되는 입력노드 바이패스 용량성 소자; 및
    상기 LED 어레이들 사이 및 상기 LED 어레이들 내 각각의 LED 사이 중 어느 하나에 병렬 연결되는 중간노드 바이패스 용량성 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 출력노드 바이패스 용량성 소자는, 정전 용량이 0.01㎌ ~ 0.1㎌으로서 세라믹 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 출력노드 바이패스 용량성 소자, 상기 입력노드 바이패스 용량성 소자, 및 상기 중간노드 바이패스 용량성 소자는, 정전 용량이 0.01㎌ ~ 0.1㎌으로서 세라믹 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 출력노드 바이패스 용량성 소자, 상기 입력노드 바이패스 용량성 소자, 및 상기 중간노드 바이패스 용량성 소자 각각은, 적어도 하나 이상의 커패시터가 직렬 또는 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 LED 어레이들 각각은, 하나 이상의 LED가 직렬 또는 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  11. 각각이 하나 이상의 LED로 이루어진 복수 개의 LED 어레이들, 입력노드 및 출력노드를 포함하는, LED 블록;
    상기 LED 블록의 입력노드에 인가되는 전원의 전압 레벨이 제1 레벨인 경우 상기 LED 어레이들이 서로 병렬 연결되어 동작하도록 제어하고, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨인 경우 상기 LED 어레이들 중 하나의 LED 어레이와 나머지 LED 어레이 간에는 서로 직렬 연결로 전환되도록 제어하는, 드라이버 IC; 및
    상기 하나의 LED 어레이와 상기 나머지 LED 어레이 사이에 연결되는 역류 방지 다이오드;를 포함하며,
    상기 드라이버 IC는 복수 개의 스위칭 유닛들을 포함하고, 상기 스위칭 유닛들은, 상기 하나의 LED 어레이의 출력노드에 병렬로 연결되는 제1 스위칭 유닛과, 상기 하나의 LED 어레이의 입력단과 상기 역류 방지 다이오드의 후단에 걸쳐 연결되는 제2 스위칭 유닛과, 상기 나머지 LED 어레이의 출력노드에 병렬로 연결되는 제3 스위칭 유닛을 포함하며, 상기 제1 스위칭 유닛과 상기 제2 스위칭 유닛은, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제1 레벨인 경우 온(ON) 상태를 유지하고, 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제2 레벨인 경우 오프(OFF)되며, 상기 제3 스위칭 유닛은 상기 전원의 전압 레벨이 상기 제2 레벨인 경우 온 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
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