KR20170072420A - Organic light emitting display device and method for driving the organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
본 실시예들은, 유기발광표시장치의 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하고 보상하는 기술에 관한 것으로서, 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱하기 위한 전압을 센싱 구간의 제1타이밍에 센싱하고 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하기 위한 전압을 동일한 센싱 구간의 제2타이밍에 센싱하며, 제2타이밍에 센싱된 센싱값을 토대로 산출된 문턱전압에 대한 보상값과 제1타이밍에 센싱된 센싱값을 이용하여 이동도에 대한 보상값을 산출할 수 있도록 함으로써, 구동 트랜지스터의 문턱전압과 이동도를 동일한 센싱 구간에서 센싱하고 동시에 보상이 이루어질 수 있도록 한다.The present invention relates to a technique for sensing and compensating a characteristic value of a driving transistor in a sub-pixel of an organic light emitting diode display, in which a voltage for sensing the mobility of a driving transistor is sensed at a first timing of a sensing period, A voltage for sensing a threshold voltage is sensed at a second timing of the same sensing period and a sensing value sensed at a first timing and a compensation value for a threshold voltage calculated based on a sensing value sensed at a second timing So that the threshold voltage and the mobility of the driving transistor can be sensed in the same sensing period and the compensation can be performed at the same time.
Description
본 실시예들은 유기발광표시장치와 유기발광표시장치를 구동하는 방법에 관한 것이다.The present embodiments relate to an organic light emitting display and a method of driving the organic light emitting display.
최근 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 명암비, 발광효율, 휘도 및 시야각이 크다는 장점이 있다.BACKGROUND ART [0002] Organic light emitting displays (OLEDs), which have been popular as display devices in recent years, have advantages of high response speed, high contrast ratio, luminous efficiency, luminance and viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED)
이러한 유기발광표시장치는, 다수의 게이트 라인과 다수의 데이터 라인이 배치되고 게이트 라인과 데이터 라인이 교차되는 영역에 배치되는 다수의 서브픽셀을 포함하는 유기발광표시패널과, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 다수의 데이터 라인에 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버와, 게이트 드라이버와 데이터 드라이버의 구동을 제어하는 타이밍 컨트롤러 등을 포함하며, 서브픽셀은 유기발광다이오드(OLED)와 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함한다.The OLED display includes an OLED display panel having a plurality of gate lines and a plurality of data lines and a plurality of subpixels arranged in a region where gate lines and data lines cross each other, A data driver for supplying a data voltage to a plurality of data lines, a timing controller for controlling driving of a gate driver and a data driver, and the like, and the sub-pixel includes an organic light emitting diode (OLED) and an organic light emitting diode OLED ").
이러한 유기발광표시장치에서 각 서브픽셀 내 유기발광다이오드(OLED) 및 구동 트랜지스터 등의 회로 소자는 각각 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)를 갖는다. 그리고, 각 구동 트랜지스터는 구동 시간에 따라 열화(Degradation)가 진행되어 구동 트랜지스터가 갖는 고유한 특성치가 변할 수 있다.In such an OLED display device, each circuit element such as an organic light emitting diode (OLED) and a driving transistor in each sub-pixel has a unique characteristic value (e.g., threshold voltage, mobility, etc.). In addition, each driving transistor may undergo degradation according to the driving time, and the inherent characteristic value of the driving transistor may be changed.
이러한 특성치의 변화에 따라 해당 서브픽셀의 휘도 특성이 변경될 수 있으며, 회로 소자 간의 특성치 또는 특성치 변화가 서로 다른 경우 서브픽셀 간의 휘도 편차를 유발시켜 유기발광표시패널의 휘도 균일도를 나빠지게 하는 문제점이 존재한다.The brightness characteristic of the corresponding subpixel can be changed according to the change of the characteristic value, and when the characteristic value or the characteristic value change between the circuit elements is different, the luminance unevenness between the subpixels causes the brightness uniformity of the organic light emitting display panel to deteriorate exist.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 각 서브픽셀 내 회로 소자에 대한 특성치를 센싱하고 보상하는 기술이 개발되고 있다.In order to solve such a problem, techniques for sensing and compensating characteristic values for circuit elements in each sub-pixel have been developed.
예를 들어, 유기발광표시장치가 구동되지 않는 구간에서 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하고 센싱된 문턱전압에 따라 보상값을 산출한다. 그리고, 유기발광표시장치가 구동되면 문턱전압에 대한 보상값이 적용된 데이터 전압을 유기발광표시패널에 공급하며, 유기발광표시장치가 구동되는 구간에서 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱하고 센싱된 이동도에 따라 보상값을 산출한다.For example, the threshold voltage of the driving transistor is sensed in a region where the organic light emitting display is not driven, and the compensation value is calculated according to the sensed threshold voltage. When the organic light emitting display device is driven, a data voltage to which a compensation value for a threshold voltage is applied is supplied to the organic light emitting display panel, and the driving transistor mobility is sensed during the driving period of the organic light emitting display device, And calculates the compensation value accordingly.
따라서, 종래 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하고 보상하는 방식은, 구동 트랜지스터의 문턱전압과 이동도를 서로 다른 타이밍에 센싱하므로 두 번의 센싱 구간이 요구된다. 또한, 이동도를 유기발광표시장치의 구동 중 센싱하므로 영상 데이터가 출력되지 않는 짧은 블랭크 구간에 센싱하게 되어 센싱 시간에 제약이 존재한다.Therefore, in the conventional method of sensing and compensating the characteristic value of the driving transistor, since the threshold voltage and the mobility of the driving transistor are sensed at different timings, two sensing periods are required. In addition, since the mobility is sensed during driving of the OLED display device, sensing is performed in a short blank period in which no image data is output, so that there is a restriction on the sensing time.
센싱 시간의 제약은 센싱의 정확도에 영향을 줄 수 있으며, 구동 트랜지스터의 문턱전압과 이동도가 서로 다른 타이밍에 센싱되므로 문턱전압과 이동도에 대한 보상도 서로 다른 타이밍에 이루어지게 된다. 따라서, 구동 트랜지스터의 특성치 센싱의 정확도를 향상시키며 센싱과 보상을 보다 효율적으로 수행할 수 있도록 하는 기술이 요구된다.Since the threshold voltage and mobility of the driving transistor are sensed at different timings, compensation for the threshold voltage and the mobility is also performed at different timings. Therefore, there is a need for a technique for improving the accuracy of sensing the characteristic value of the driving transistor and for performing sensing and compensation more efficiently.
본 실시예들의 목적은, 유기발광표시패널의 서브픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 특성치들에 대한 센싱과 보상이 동시에 수행될 수 있도록 하는 유기발광표시장치와 유기발광표시장치의 구동 방법을 제공하는 데 있다.It is an object of the present embodiments to provide an organic light emitting display device and a driving method of the organic light emitting display device which enable simultaneous sensing and compensation of characteristic values of driving transistors included in subpixels of an organic light emitting display panel have.
본 실시예들의 목적은, 구동 트랜지스터의 이동도의 센싱 시간에 대한 제약을 해소하여 이동도 센싱의 정확도를 향상시킨 유기발광표시장치와 유기발광표시장치의 구동 방법을 제공하는 데 있다.It is an object of the present embodiments to provide an organic light emitting display device and a method of driving the organic light emitting display device in which the limitation on the sensing time of the mobility of the driving transistor is solved to improve the accuracy of the mobility sensing.
일 실시예는, 다수의 게이트 라인, 다수의 데이터 라인 및 다수의 서브픽셀이 배치되는 유기발광표시패널과, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 다수의 데이터 라인에 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버를 포함하고, 다수의 서브픽셀 각각은, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1노드와 기준 전압 라인 사이에 연결된 센싱용 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제2노드와 데이터 라인 사이에 연결된 스위칭 트랜지스터와, 제1노드와 제2노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하며, 제1노드의 전압이 상승하는 구간 동안, 구동 트랜지스터의 제1특성치를 측정하기 위해 그 구간 내의 제1타이밍에 제1노드의 전압을 측정하고, 구동 트랜지스터의 제2특성치를 측정하기 위해 동일한 구간 내의 제2타이밍에 제1노드의 전압을 측정하는 센싱부를 더 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다.One embodiment includes an organic light emitting display panel in which a plurality of gate lines, a plurality of data lines and a plurality of subpixels are arranged, a gate driver for driving a plurality of gate lines, data for supplying a data voltage to a plurality of data lines Driver, wherein each of the plurality of subpixels comprises: an organic light emitting diode; a driving transistor for driving the organic light emitting diode; a sensing transistor connected between a first node of the driving transistor and a reference voltage line; A switching transistor connected between the node and the data line and a storage capacitor coupled between the first node and the second node, wherein during a period in which the voltage of the first node rises, The voltage of the first node is measured at the first timing in the first period and the second characteristic value of the driving transistor is measured It is possible to provide an organic light emitting display device further comprising a sensing for measuring the voltage of the first node to the second timing in the same period.
이러한 유기발광표시장치에서, 센싱부는, 제1노드의 전압이 상승하기 시작하고 제1노드의 전압이 선형적으로 상승하는 구간 내의 제1타이밍에 제1노드의 전압을 측정하고, 제1노드의 전압이 상승하기 시작하고 제1노드의 전압이 일정한 값에 수렴하는 제2타이밍에 제1노드의 전압을 측정할 수 있다.In this organic light emitting display, the sensing unit measures the voltage of the first node at a first timing within an interval in which the voltage of the first node starts rising and the voltage of the first node linearly rises, The voltage of the first node can be measured at the second timing at which the voltage starts to rise and the voltage at the first node converges to a constant value.
이러한 유기발광표시장치에서, 제1노드의 전압이 상승하는 구간 동안 센싱부와 기준 전압 라인을 제1타이밍과 제2타이밍에 연결해주는 스위치를 더 포함할 수 있다.The OLED display may further include a switch for connecting the sensing unit and the reference voltage line to the first timing and the second timing during a period in which the voltage of the first node rises.
이러한 유기발광표시장치에서, 제1타이밍에 측정된 제1노드의 전압과 제2타이밍에 측정된 제1노드의 전압을 토대로 구동 트랜지스터의 특성치에 대한 보상값을 산출하는 보상부를 더 포함할 수 있고, 보상부는, 제2타이밍에 측정된 제1노드의 전압을 이용하여 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값을 산출하고, 제1타이밍에 측정된 제1노드의 전압 및 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값을 이용하여 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값을 산출할 수 있다.The OLED display may further include a compensation unit for calculating a compensation value for the characteristic value of the driving transistor based on the voltage of the first node measured at the first timing and the voltage at the first node measured at the second timing , The compensating section calculates the compensation value for the second characteristic value of the driving transistor by using the voltage of the first node measured at the second timing and outputs the compensation value for the second characteristic value of the driving transistor The compensation value for the first characteristic value of the driving transistor can be calculated using the compensation value for the driving transistor.
이러한 유기발광표시장치에서, 데이터 드라이버는, 제1노드의 전압이 상승하는 구간 이전에 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값과 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값이 모두 적용되지 않거나 메모리에 저장된 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값과 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값이 모두 적용된 센싱용 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 제2노드에 인가할 수 있다.In such an OLED display device, the data driver does not apply the compensation value for the first characteristic value of the driving transistor and the compensation value for the second characteristic value of the driving transistor before the voltage rising time of the first node is applied, It is possible to apply a sensing data voltage to the second node of the driving transistor to which both the compensation value for the first characteristic value of the stored driving transistor and the compensation value for the second characteristic value of the driving transistor are applied.
다른 실시예는, 유기발광표시패널의 서브픽셀에 배치된 구동 트랜지스터의 제1노드에 기준 전압을 인가하는 단계와, 구동 트랜지스터의 제2노드에 센싱용 데이터 전압을 인가하는 단계와, 구동 트랜지스터의 제1노드를 플로팅시키는 단계와, 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압이 상승하는 구간 동안 구동 트랜지스터의 제1특성치를 측정하기 위해 그 구간 내의 제1타이밍에 제1노드의 전압을 측정하는 단계와, 구동 트랜지스터의 제2특성치를 측정하기 위해 동일한 구간 내의 제2타이밍에 제1노드의 전압을 측정하는 단계와, 제2타이밍에 측정된 전압을 이용하여 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값을 산출하는 단계와, 제1타이밍에 측정된 전압과 산출된 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값을 이용하여 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값을 산출하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법을 제공할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of driving a display device, comprising: applying a reference voltage to a first node of a driving transistor disposed in a subpixel of an organic light emitting display panel; applying a data voltage for sensing to a second node of the driving transistor; Measuring a voltage of the first node at a first timing within the interval to measure a first characteristic value of the driving transistor during a period in which the voltage of the first node of the driving transistor rises; Measuring a voltage of the first node at a second timing within the same section to measure a second characteristic value of the driving transistor; and calculating a compensation value for the second characteristic value of the driving transistor using the voltage measured at the second timing And using the voltage measured at the first timing and the compensation value for the calculated second characteristic value of the driving transistor to calculate the first characteristic value of the driving transistor It is possible to provide a driving method of the OLED display that includes the step of calculating a compensation value.
본 실시예들에 의하면, 유기발광표시패널의 서브픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 특성치들을 동일한 센싱 구간에서 센싱하도록 함으로써 각각의 특성치들을 센싱하기 위해 별도의 센싱 구간이 필요하지 않도록 한다.According to the embodiments, the characteristic values of the driving transistors included in the sub-pixels of the organic light emitting display panel are sensed in the same sensing period, so that no separate sensing period is required to sense the respective characteristic values.
본 실시예들에 의하면, 구동 트랜지스터의 특성치들을 동일한 센싱 구간에서 센싱함으로써 각각의 특성치들에 대한 보상이 동시에 수행될 수 있도록 한다.According to the embodiments, the characteristic values of the driving transistor are sensed in the same sensing period so that compensation for each characteristic value can be performed simultaneously.
본 실시예들에 의하면, 구동 트랜지스터의 이동도를 유기발광표시장치가 구동되지 않는 구간에서 센싱하도록 함으로써 충분한 이동도 센싱 시간을 확보하여 이동도 센싱의 정확도를 향상시킬 수 있도록 한다.According to the embodiments, the mobility of the driving transistor is sensed in a section where the organic light emitting display device is not driven, thereby securing a sufficient mobility sensing time and improving the accuracy of the mobility sensing.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조와 보상 회로의 예시를 나타낸 도면이다.
도 4와 도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터의 특성치 센싱 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 타이밍을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터의 특성치 센싱 타이밍을 나타낸 도면이다.
도 8과 도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터의 특성치 센싱값의 시뮬레이션 파형을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 방법의 과정을 나타낸 흐름도이다.FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an organic light emitting display according to the present embodiments.
2 is a diagram illustrating an example of a sub-pixel structure of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating an example of a sub-pixel structure and a compensation circuit of an organic light emitting display according to the present embodiments.
4 and 5 are views for explaining a characteristic value sensing method of the driving transistor of the organic light emitting display according to the present embodiments.
6 is a timing chart illustrating the sensing timing of the OLED display according to the present invention.
FIG. 7 is a timing chart illustrating a characteristic value sensing timing of the driving transistor of the OLED display according to the present invention.
FIGS. 8 and 9 are graphs showing simulation waveforms of the characteristic value sensing value of the driving transistor of the organic light emitting display according to the present embodiments.
10 is a flowchart illustrating a method of driving an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
또한, 본 발명의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 구성을 나타낸 것이다.FIG. 1 shows a schematic configuration of an
도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)이 배치되고 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 배치되는 다수의 서브픽셀(SP)을 포함하는 유기발광표시패널(110)과, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(120)와, 다수의 데이터 라인(DL)에 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버(130)와, 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(140, T-CON)를 포함한다.1, the
게이트 드라이버(120)는, 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다.The
게이트 드라이버(120)는, 타이밍 컨트롤러(140)의 제어에 따라 온(ON) 전압 또는 오프(OFF) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 순차적으로 공급하여 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다.The
게이트 드라이버(120)는, 구동 방식에 따라 유기발광표시패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고 양측에 위치할 수도 있다.The
또한, 게이트 드라이버(120)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로(Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.In addition, the
각 게이트 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수 있다. 또한, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있으며, 유기발광표시패널(110)과 연결된 필름상에 실장되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다.Each gate driver integrated circuit may be connected to a bonding pad of the organic light
데이터 드라이버(130)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다.The
데이터 드라이버(130)는, 특정 게이트 라인(GL)이 열리면 타이밍 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)에 공급함으로써 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다.When the specific gate line GL is opened, the
데이터 드라이버(130)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인(DL)을 구동할 수 있다.The
각 소스 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다.Each source driver integrated circuit may be connected to a bonding pad of the organic light
또한, 각 소스 드라이버 집적회로는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 소스 드라이버 집적회로의 일 단은 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(Source Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 유기발광표시패널(110)에 본딩된다.In addition, each source driver integrated circuit may be implemented by a chip on film (COF) method. In this case, one end of each source driver integrated circuit is bonded to at least one source printed circuit board, and the other end is bonded to the organic light
타이밍 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)로 각종 제어 신호를 공급하여 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)의 구동을 제어한다.The
이러한 타이밍 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하며, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 제어한다.The
타이밍 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다.The
타이밍 컨트롤러(140)는, 외부로부터 입력된 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하는 것 이외에, 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 입력받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)로 출력한다.The
예를 들어, 타이밍 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다.For example, in order to control the
여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다.Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the
또한, 타이밍 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다.The
여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(130)의 출력 타이밍을 제어한다.Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the
타이밍 컨트롤러(140)는, 소스 드라이버 집적회로가 본딩된 소스 인쇄회로기판과 연성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 또는 연성 인쇄회로(FPC: Flexible Printed Circuit) 등의 연결 매체를 통해 연결된 컨트롤 인쇄회로기판(Control Printed Circuit Board)에 배치될 수 있다.The
이러한 컨트롤 인쇄회로기판에는, 유기발광표시패널(110), 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러(미도시)가 더 배치될 수 있다. 이러한 전원 컨트롤러는 전원 관리 집적회로(Power Management Integrated Circuit)라고도 한다.A power controller (not shown) for controlling various voltages or currents to supply or supply various voltages or currents to the organic light emitting
유기발광표시패널(110)에 배치되는 각 서브픽셀(SP)은 트랜지스터 등의 회로 소자를 포함하여 구성될 수 있다.Each sub-pixel SP disposed in the organic light emitting
예를 들어, 유기발광표시패널(110)에서 각 서브픽셀(SP)은 유기발광다이오드(OLED)와 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성될 수 있다.For example, in the organic light emitting
각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The types and the number of the circuit elements constituting each subpixel SP can be variously determined depending on a providing function, a design method, and the like.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀(SP) 구조의 예시를 나타낸 것이다.2 shows an example of the sub-pixel (SP) structure of the organic light emitting
도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 기준 전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 기준 전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결되는 센싱 트랜지스터(SENT: Sensing Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 데이터 전압(Vdata)을 공급하는 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결되는 스위칭 트랜지스터(SWT: Switching Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되는 스토리지 캐패시터(Cstg: Storage Capacitor) 등을 포함하여 구성된다.2, each of the sub-pixels SP includes an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DRT for driving the organic light emitting diode OLED, And a sensing transistor SENT which is electrically connected between a first node N1 of the driving transistor DRT and a reference voltage line RVL for supplying a reference voltage Vref A switching transistor SWT electrically connected between a second node N2 of the driving transistor DRT and a data line DL supplying a data voltage Vdata; And a storage capacitor Cstg electrically connected between the first node N1 and the second node N2.
유기발광다이오드(OLED)는, 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다.The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (e.g., an anode electrode or a cathode electrode), an organic layer, and a second electrode (e.g., a cathode electrode or an anode electrode).
구동 트랜지스터(DRT)는, 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급하여 유기발광다이오드(OLED)를 구동한다.The driving transistor DRT supplies a driving current to the organic light emitting diode OLED to drive the organic light emitting diode OLED.
이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있으며, 게이트 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동 전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다.The first node N1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED and may be a source node or a drain node. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the source node or the drain node of the switching transistor SWT and may be a gate node. The third node N3 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a driving voltage line DVL for supplying a driving voltage EVDD and may be a drain node or a source node.
센싱 트랜지스터(SENT)는, 게이트 신호에 의해 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 기준 전압(Vref)을 인가해줄 수 있다.The sensing transistor SENT may be turned on by a gate signal to apply the reference voltage Vref to the first node N1 of the driving transistor DRT.
또한, 센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴-온 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 대한 전압 센싱 경로로 활용될 수도 있다.In addition, the sensing transistor SENT may be utilized as a voltage sensing path for the first node N1 of the driving transistor DRT when turned on.
스위칭 트랜지스터(SWT)는, 게이트 신호에 의해 턴-온 시, 데이터 라인(DL)을 통해 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 전달해준다.The switching transistor SWT transfers the data voltage Vdata supplied through the data line DL to the second node N2 of the driving transistor DRT when the switching transistor SWT is turned on by the gate signal.
이때, 센싱 트랜지스터(SENT)와 스위칭 트랜지스터(SWT)는 서로 다른 게이트 라인(GL)에 연결되어 별도로 온-오프가 제어될 수도 있고, 동일한 게이트 라인(GL)에 연결되어 제어될 수도 있다.At this time, the sensing transistor SENT and the switching transistor SWT may be connected to different gate lines GL so that the sensing transistor SENT and the switching transistor SWT may be separately controlled to be turned on and off or may be connected to the same gate line GL to be controlled.
스토리지 캐패시터(Cstg)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되어, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata) 또는 이에 대응하는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지해줄 수 있다.The storage capacitor Cstg is electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT and supplies a data voltage Vdata corresponding to the video signal voltage or a voltage corresponding thereto You can keep it for one frame time.
한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다.In the
이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)가 변할 수 있다.Accordingly, inherent characteristic values (e.g., threshold voltage, mobility, etc.) of the circuit elements such as the organic light emitting diode OLED and the driving transistor DRT can be changed.
이러한 회로 소자의 특성치 변화는 해당 서브픽셀(SP)의 휘도 변화를 야기하며, 회로 소자 간의 열화 정도의 차이로 인한 회로 소자 간의 특성치 변화 차이는 서브픽셀(SP) 간의 휘도 편차를 발생시키고 유기발광표시패널(110)의 휘도 균일도 저하를 초래할 수 있다.A change in the characteristic value of the circuit element causes a luminance change of the corresponding sub-pixel SP, and a difference in characteristic value between the circuit elements due to a difference in degree of deterioration between the circuit elements generates a luminance deviation between the sub- The luminance uniformity of the
여기서, 회로 소자의 특성치는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압이나 이동도를 포함하며, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압을 포함할 수도 있다.Here, the characteristic value of the circuit element includes the threshold voltage and the mobility of the driving transistor DRT and may include the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED.
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 서브픽셀(SP) 간의 특성치 변화 또는 각 서브픽셀(SP) 간의 특성치 편차를 센싱하는 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 서브픽셀(SP)의 특성치를 보상하는 보상 기능을 제공할 수 있다.The
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀(SP) 구조와 보상 회로의 예시를 나타낸 것이다.FIG. 3 shows an example of a sub-pixel (SP) structure and a compensation circuit of the organic light emitting
도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀(SP)의 특성치를 센싱하고 보상하기 위해 센싱부(310), 보상부(320), 메모리(330), 기준 전압 스위치(SPRE) 및 샘플링 스위치(SAMP)를 포함할 수 있다.3, the
센싱부(310)는, 서브픽셀(SP)의 특성치 또는 그 변화를 센싱하기 위한 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 디지털 값으로 변환하며 변환된 센싱값을 포함하는 센싱 데이터를 출력한다. 여기서, 서브픽셀(SP)의 특성치는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압, 이동도나 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압을 의미하며, 센싱 데이터는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 데이터 포맷으로 되어있을 수 있다.The
센싱부(310)는, 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다. 각각의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 소스 드라이버 집적회로의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는 소스 드라이버 집적회로의 외부에 배치될 수도 있다.The
보상부(320)는, 센싱부(310)가 출력하는 센싱 데이터를 이용하여 서브픽셀(SP)의 특성치 또는 그 변화를 파악하여 서브픽셀(SP) 간의 특성치 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행한다.The
보상부(320)는, 타이밍 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 타이밍 컨트롤러(140)의 외부에 배치될 수도 있다.The
메모리(330)는, 센싱부(310)가 출력하는 센싱 데이터를 저장하며, 보상부(320)가 센싱 데이터를 토대로 산출한 보상값을 저장할 수도 있다.The
기준 전압 스위치(SPRE)는 기준 전압 라인(RVL)으로의 기준 전압(Vref)의 공급 여부를 제어하며, 샘플링 스위치(SAMP)는 서브픽셀(SP)의 특성치를 센싱하기 위한 전압을 센싱하기 위하여 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(310)의 연결을 제어한다.The reference voltage switch SPRE controls the supply of the reference voltage Vref to the reference voltage line RVL and the sampling switch SAMP controls the supply of the reference voltage Vref to the reference voltage line RVL in order to sense the voltage for sensing the characteristic value of the sub- And controls the connection between the voltage line RVL and the
기준 전압 스위치(SPRE)가 턴-온 되면, 기준 전압(Vref)이 기준 전압 라인(RVL)으로 공급된다. 기준 전압 라인(RVL)으로 공급된 기준 전압(Vref)은, 턴-온 되어있는 센싱 트랜지스터(SENT)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 인가될 수 있다.When the reference voltage switch SPRE is turned on, the reference voltage Vref is supplied to the reference voltage line RVL. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL may be applied to the first node N1 of the driving transistor DRT through the sensing transistor SENT which is turned on.
한편, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 서브픽셀(SP)의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 등전위일 수 있는 기준 전압 라인(RVL)의 전압도 서브픽셀(SP)의 특성치를 반영하는 전압 상태가 될 수 있다. 이때, 기준 전압 라인(RVL) 상에 형성된 라인 캐패시터에 서브픽셀(SP)의 특성치를 반영하는 전압이 충전될 수 있다.On the other hand, when the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the characteristic value of the subpixel SP, a reference potential that can be equal to the first node N1 of the driving transistor DRT The voltage of the voltage line RVL may also be a voltage state reflecting the characteristic value of the subpixel SP. At this time, the line capacitor formed on the reference voltage line RVL may be charged with a voltage reflecting the characteristic value of the subpixel SP.
즉, 센싱 트랜지스터(SENT)가 턴-온 된 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은, 기준 전압 라인(RVL)의 전압과, 기준 전압 라인(RVL) 상에 형성된 라인 캐패시터에 충전된 전압은 동일할 수 있다.That is, when the sensing transistor SENT is turned on, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT is lower than the voltage of the reference voltage line RVL and the voltage of the line RVL formed on the reference voltage line RVL. The voltage charged in the capacitor may be the same.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 서브픽셀(SP)의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되면, 샘플링 스위치(SAMP)가 턴-온 되어, 센싱부(310)와 기준 전압 라인(RVL)이 연결될 수 있다.When the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the characteristic value of the sub pixel SP, the sampling switch SAMP is turned on, (RVL) can be connected.
이에 따라, 센싱부(310)는 서브픽셀(SP)의 특성치를 반영하는 전압 상태인 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱한다. 여기서, 기준 전압 라인(RVL)을 "센싱 라인(SL)"이라고 할 수도 있다.Accordingly, the
즉, 센싱부(310)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱한다.That is, the
센싱부(310)에서 센싱된 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱의 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 변화(ΔVth)를 포함하는 전압값일 수 있다.The voltage sensed by the
또한, 센싱부(310)에서 센싱된 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱의 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압값일 수도 있다.The voltage sensed by the
이하에서는, 도 4와 도 5를 참조하여 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압의 센싱 과정과 이동도의 센싱 과정을 설명한다.Hereinafter, the sensing process of the threshold voltage and the sensing process of the mobility of the driving transistor DRT will be described with reference to FIGS.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a method of sensing a threshold voltage of the driving transistor DRT of the
도 4를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)는 각각 기준 전압(Vref)과 센싱용 데이터 전압(Vdata)으로 초기화된다.4, when driving the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT respectively output the reference voltage Vref and the sensing data voltage Vdata).
이후, 기준 전압 스위치(SPRE)가 턴-오프 되면 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 플로팅(Floating)된다.Thereafter, when the reference voltage switch SPRE is turned off, the first node N1 of the driving transistor DRT is floated.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승한다.As a result, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은 상승하다가 상승 폭이 서서히 줄어들며 포화하게 된다.The voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises and then the rising width gradually decreases and becomes saturated.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 포화된 전압은 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압 편차(ΔVth)의 차이에 해당할 수 있다.The saturated voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT may correspond to the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth or the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage deviation Vth .
센싱부(310)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 포화되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 포화된 전압을 센싱한다.The
센싱부(310)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth)이거나, 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압 편차(ΔVth)를 뺀 전압(Vdata-ΔVth)일 수 있다.The voltage Vsen sensed by the
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a method of sensing the mobility of the driving transistor DRT of the
도 5를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)는 각각 기준 전압(Vref)과 센싱용 데이터 전압(Vdata)으로 초기화된다.5, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT sense the reference voltage Vref and the data voltage for sensing Vdata).
이후, 기준 전압 스위치(SPRE)가 턴-오프 되면 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 플로팅(Floating)된다. 이때, 스위칭 트랜지스터(SWT)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)도 플로팅(Floating)될 수 있다.Thereafter, when the reference voltage switch SPRE is turned off, the first node N1 of the driving transistor DRT is floated. At this time, the switching transistor SWT is turned off, and the second node N2 of the driving transistor DRT may also be floating.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하기 시작한다.As a result, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT starts to rise.
일정 시간 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 상승 폭(ΔV)은 전압 상승 속도로서, 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력, 즉, 이동도에 따라 달라진다.The voltage rising width DELTA V of the first node N1 of the driving transistor DRT is a voltage rising speed and varies depending on the current capability of the driving transistor DRT, that is, the mobility.
즉, 전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일수록 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 더욱 가파르게 상승하여, 일정 시간 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 상승 폭(ΔV)이 크다.That is, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT increases more steeply with the driving transistor DRT having a higher current capability (mobility), and the voltage of the first node N1 ) Is large.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 미리 정해진 일정 시간 동안 상승이 이루어진 이후, 센싱부(310)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 상승된 전압을 센싱한다.After the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises for a predetermined period of time, the
센싱부(310)에 의해 센싱된 전압(Vsen)에 따른 전압 상승 폭(ΔV)의 시간당 변화율, 즉, 기울기는 이동도일 수 있다.The rate of change per unit time of the voltage rise width? V according to the voltage Vsen sensed by the
센싱부(310)는, 전술한 문턱전압 또는 이동도 센싱 구동에 따라 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 센싱값을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 출력한다. 센싱부(310)에서 출력된 센싱 데이터는 메모리(330)에 저장되거나 보상부(320)로 제공될 수 있다.The
보상부(320)는, 센싱부(310)에 의해 제공된 센싱 데이터 또는 메모리(330)에 저장된 센싱 데이터를 토대로 해당 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 파악하고 특성치 편차를 보상하는 프로세스를 수행한다.The
특성치 보상 프로세스는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 보상하는 문턱전압 보상 처리와, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 보상하는 이동도 보상 처리를 포함할 수 있다.The characteristic value compensation process may include a threshold voltage compensation process for compensating the threshold voltage of the driving transistor DRT and a mobility compensation process for compensating the mobility of the driving transistor DRT.
문턱전압 보상 처리는, 문턱전압 또는 문턱전압 편차를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(330)에 저장하거나 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터를 변경하는 처리를 포함할 수 있다.The threshold voltage compensation process may include a process of calculating a compensation value for compensating for a threshold voltage or a threshold voltage deviation and storing the calculated compensation value in the
이동도 보상 처리는, 이동도 또는 이동도 편차를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(330)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터를 변경하는 처리를 포함할 수 있다.The mobility compensation process includes a process of calculating a compensation value to compensate for mobility or mobility deviation, storing the calculated compensation value in the
보상부(320)는, 문턱전압 보상 처리 또는 이동도 보상 처리를 통해 영상 데이터를 변경하고 변경된 데이터를 데이터 드라이버(130) 내 해당 소스 드라이버 집적회로로 공급해줄 수 있다.The
이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로는, 보상부(320)에서 변경된 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter)를 통해 데이터 전압으로 변환하여 해당 서브픽셀(SP)로 공급해줌으로써, 서브픽셀(SP)의 특성치에 대한 보상이 이루어질 수 있도록 한다.Accordingly, the source driver integrated circuit converts the data changed by the
이러한 서브픽셀(SP)의 특성치 보상이 이루어짐에 따라, 서브픽셀(SP) 간의 휘도 편차를 줄여주거나 방지해줌으로써, 유기발광표시패널(110)의 휘도 균일도를 높여주며 화상 품질을 향상시켜줄 수 있다.By compensating the characteristic values of the sub-pixels SP, the luminance deviation between the sub-pixels SP is reduced or prevented, thereby improving the luminance uniformity of the organic light emitting
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 타이밍을 나타낸 도면이다.6 is a timing chart illustrating the sensing timing of the
도 6을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 사용자 입력 등에 따라 파워-오프 신호가 발생한 이후, 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀(SP) 내 회로 소자의 특성치를 센싱할 수 있다.Referring to FIG. 6, the organic
이와 같이, 파워-오프 신호의 발생 이후 진행되는 센싱을 "오프-센싱(Off-Sensing)"이라고 한다.In this way, the ongoing sensing after the power-off signal is generated is referred to as " off-sensing ".
또한, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 사용자 입력 등에 따라 파워-온 신호가 발생한 이후, 영상 구동이 시작하기 전에, 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀(SP) 내 회로 소자의 특성치를 센싱할 수 있다.In addition, the organic
이와 같이, 파워-오프 신호의 발생 이후 영상 구동이 진행되기 전에 진행되는 센싱을 "온-센싱(On-Sensing)"이라고 한다.As described above, the sensing that is performed before the image driving is progressed after the power-off signal is generated is referred to as " on-sensing ".
또한, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 영상 구동 중에, 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀(SP) 내 회로 소자의 특성치를 센싱할 수도 있다.The organic light emitting
이와 같이, 영상 구동 중에 진행되는 센싱을 "실시간 센싱(Real-Time Sensing)"이라고 한다.As described above, the sensing progressed during the image driving is called "real-time sensing ".
이러한 실시간 센싱(Real-Time Sensing)은, 수직 동기 신호(Vsync)를 기준으로 액티브 시간(Active Time) 사이의 블랭크 시간(Blank Time)마다 진행될 수 있다.This real-time sensing may be performed for each blank time between active times based on the vertical synchronization signal Vsync.
일반적으로, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱 구동은 제1노드(N1)의 전압이 포화 상태가 되기 위한 시간이 요구되므로 오프-센싱 방식으로 진행하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱 구동은 비교적 짧은 시간에 가능하므로 실시간 센싱 방식으로 진행한다. 즉, 이동도 센싱은 문턱전압에 대한 센싱, 보상이 수행된 이후에 진행된다.Generally, since the threshold voltage sensing operation of the driving transistor DRT requires a time for the voltage of the first node N1 to saturate, it proceeds in an off-sensing manner, and the sensing of the mobility of the driving transistor DRT Can be performed in a relatively short period of time, so that the process proceeds to a real-time sensing system. That is, the mobility sensing is performed after the sensing and compensation for the threshold voltage is performed.
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 동일한 구간에서 센싱할 수 있도록 하는 방식을 제공하며, 오프-센싱 방식으로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 센싱할 수 있도록 한다. 또한, 문턱전압이 보상되지 않은 상태에서 이동도를 센싱하더라도 정확한 이동도의 센싱과 보상을 수행할 수 있도록 하는 방식을 제공한다.The organic light emitting
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 동일한 구간에서 센싱하는 방식의 센싱 타이밍을 나타낸 도면이다.7 is a timing chart illustrating a sensing timing of a method of sensing the threshold voltage and the mobility of the driving transistor DRT of the organic light emitting
도 7을 참조하면, 사용자의 입력에 따라 파워-오프 신호가 발생하면 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 센싱하기 위한 구동을 시작한다.Referring to FIG. 7, when a power-off signal is generated according to a user's input, the driver starts driving to sense threshold voltage and mobility of the driving transistor DRT.
파워-오프 신호가 발생하면, 기준 전압 스위치(SPRE)가 턴-온 되어 기준 전압 라인(RVL)으로 기준 전압(Vref)이 공급되어 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 초기화된다.When the power-off signal is generated, the reference voltage switch SPRE is turned on, the reference voltage Vref is supplied to the reference voltage line RVL, and the first node N1 of the driving transistor DRT is initialized.
또한, 스위칭 트랜지스터(SWT)가 턴-온 되어 센싱용 데이터 전압(Vdata)이 데이터 라인(DL)을 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 인가되어 제2노드(N2)가 초기화된다. 이때, 센싱용 데이터 전압(Vdata)은 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 보상값이 적용되지 않은 전압일 수 있다.The switching transistor SWT is turned on so that the sensing data voltage Vdata is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT via the data line DL so that the second node N2 is initialized do. At this time, the sensing data voltage Vdata may be a voltage to which the threshold voltage compensation value of the driving transistor DRT is not applied.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)가 초기화되면, 기준 전압 스위치(SPRE)가 턴-오프 되어 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 플로팅(Floating)된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하게 된다.When the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are initialized, the reference voltage switch SPRE is turned off so that the first node N1 of the driving transistor DRT is floating )do. As a result, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises.
샘플링 스위치(SAMP)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하기 위한 전압을 센싱하기 위해, 미리 정해진 타이밍에 센싱부(310)와 기준 전압 라인(RVL)을 연결하여 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱한다.The sampling switch SAMP connects the
샘플링 스위치(SAMP)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압 센싱을 위해 제1타이밍에 턴-온 되어 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱할 수 있도록 한다.The sampling switch SAMP is turned on at the first timing for voltage sensing for sensing the mobility of the driving transistor DRT so that the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT can be sensed do.
제1타이밍은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하기 시작한 이후부터 제1노드(N1)의 전압이 선형적으로 상승하는 구간 내의 타이밍일 수 있다.The first timing may be a timing within a section in which the voltage of the first node N1 linearly rises after the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT starts to rise.
즉, 제1노드(N1)의 전압이 상승하기 시작하면 초기에는 전압이 가파르게 상승하며, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도, 즉, 전류 능력을 측정하기 위해서는 일정 시간 동안의 전압 상승 폭을 계산해야 하므로, 제1노드(N1)의 전압이 상승하기 시작하고 선형적으로 증가하는 구간 내의 제1타이밍에 제1노드(N1)의 전압을 센싱한다.That is, when the voltage of the first node N1 begins to rise, the voltage rapidly increases at an initial stage. To measure the mobility of the driving transistor DRT, that is, the current capability, Therefore, the voltage of the first node N1 starts to rise and senses the voltage of the first node N1 at the first timing within the section where the voltage increases linearly.
이때, 제1타이밍은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하기 시작한 이후부터 수백 μs(예: 300μs) 이내의 타이밍일 수 있다.At this time, the first timing may be within a few hundreds of microseconds (e.g., 300 mu s) after the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT starts to rise.
센싱부(310)는, 샘플링 스위치(SAMP)가 제1타이밍에 턴-온 되면 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 디지털 값으로 변환하며 변환된 센싱값을 보상부(320)나 메모리(330)로 출력한다.The
샘플링 스위치(SAMP)는, 제1타이밍에 턴-온 되어 센싱부(310)가 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱할 수 있도록 하고 턴-오프 된다.The sampling switch SAMP is turned on at the first timing so that the
이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은 서서히 상승하며, 일정한 시간이 경과하면 상승 폭이 감소되면서 일정한 전압에 수렴하게 된다.Thereafter, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT gradually rises, and when a predetermined time elapses, the rising width decreases and converges to a constant voltage.
샘플링 스위치(SAMP)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱하기 위한 전압을 센싱할 수 있도록 오프-센싱이 진행되는 구간 중 제2타이밍에 턴-온 되어 센싱부(310)가 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱할 수 있도록 한다.The sampling switch SAMP is turned on at the second timing in the section where the off-sensing progresses so that the voltage for sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT can be sensed, DRT to sense the voltage of the first node N1.
제2타이밍은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하기 시작한 이후 제1노드(N1)의 전압이 일정한 값에 수렴하는 구간 내의 타이밍일 수 있다.The second timing may be a timing within a section in which the voltage of the first node N1 converges to a constant value after the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT starts to rise.
즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 포화 상태의 전압과 특성치 측정을 위해 인가된 센싱용 데이터 전압(Vdata)의 차이를 통해 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 변화(ΔVth)를 계산할 수 있으므로, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 일정한 값에 수렴하는 제2타이밍에 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱할 수 있도록 한다.That is, the threshold voltage Vth or the threshold voltage change DELTA Vth is determined by the difference between the voltage of the saturation state of the first node N1 of the driving transistor DRT and the sensing data voltage Vdata applied for measuring the characteristic value The voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT can be sensed at the second timing at which the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT converges to a constant value.
이때, 제2타이밍은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하기 시작하고 수십 ms(예: 60ms)에 해당하는 타이밍일 수 있다.At this time, the second timing may be the timing at which the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT starts to rise and corresponds to several tens of ms (e.g., 60 ms).
센싱부(310)는, 샘플링 스위치(SAMP)가 제2타이밍에 턴-온 되면 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 디지털 값으로 변환하며 변환된 센싱값을 보상부(320)나 메모리(330)로 출력한다.When the sampling switch SAMP is turned on at the second timing, the
보상부(320)는, 센싱부(310)에 의해 제1타이밍에 센싱된 센싱값과 제2타이밍에 센싱된 센싱값을 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도에 대한 보상값을 산출한다.The
보상부(320)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 보상함으로써 데이터 전압(Vdata)에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ids)를 일정하게 하며, 이를 통해 서브픽셀(SP) 간 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 편차에도 불구하고 휘도가 균일하도록 한다.The compensating
보상부(320)가 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 보상하는 과정은 아래 수학식 1 내지 3으로 나타낼 수 있다.The process of compensating the threshold voltage and mobility of the driving transistor DRT by the compensating
수학식 1은 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 보상하기 전에 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ids)를 나타낸 것이고, 수학식 2는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)과 이동도에 대한 보상값(α)을 적용한 것을 나타낸 것이다.
수학식 2와 같이 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도에 대한 보상값을 적용함으로써 수학식 3과 같이 데이터 전압(Vdata)에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ids)가 일정한 값을 가질 수 있도록 하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 편차를 보상하는 것이다.The current Ids flowing through the organic light emitting diode OLED according to the data voltage Vdata may be set to a constant value (for example, 1 V) by applying a compensation value for the threshold voltage and the mobility of the driving transistor DRT, So as to compensate for the characteristic value deviation of the driving transistor DRT.
보상부(320)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)을 센싱부(310)에 의해 제2타이밍에 센싱된 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압값에 기초하여 산출할 수 있다.The
전술한 바와 같이, 제2타이밍에 센싱된 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압값(Vsen)은 센싱용 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 변화(ΔVth)의 차이에 해당하므로, 센싱용 데이터 전압(Vdata)과 센싱된 전압값(Vsen)의 차이를 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)을 산출할 수 있다.As described above, the voltage value Vsen of the first node N1 of the driving transistor DRT sensed at the second timing is the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT or the data voltage Vdata of the driving transistor DRT, The compensation value? For the threshold voltage of the driving transistor DRT is calculated using the difference between the sensing data voltage Vdata and the sensed voltage value Vsen .
한편, 본 실시예들은 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 오프-센싱 방식으로 동일한 센싱 구간에서 센싱하므로, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간의 제1타이밍에 센싱된 전압값은 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)이 적용되지 않은 센싱용 데이터 전압(Vdata)을 토대로 센싱된 값이다.Since the present embodiment senses the threshold voltage and the mobility of the driving transistor DRT in the same sensing period in an off-sensing manner, the voltage value sensed at the first timing of the sensing period of the characteristic value of the driving transistor DRT Is a value sensed based on a sensing data voltage Vdata to which the compensation value? Of the threshold voltage of the driving transistor DRT is not applied.
따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 대한 보상값(α)을 산출하기 위해서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 의한 영향성을 제거하고 이동도에 대한 보상값(α)을 산출해야 한다. 본 실시예들은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 의한 영향성을 제거하고 이동도에 대한 보상값(α)을 산출할 수 있도록 함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 동일한 센싱 구간에 센싱할 수 있도록 한다.Therefore, in order to calculate the compensation value? For the mobility of the driving transistor DRT, the influence due to the threshold voltage of the driving transistor DRT must be removed and the compensation value? For mobility must be calculated . In the present embodiments, the influence of the threshold voltage of the driving transistor DRT is removed and the compensation value alpha for the mobility can be calculated, so that the threshold voltage and the mobility of the driving transistor DRT are set to the same sensing So that it can be sensed in the interval.
보상부(320)는, 제1타이밍에 센싱된 전압값과 제2타이밍에 센싱된 전압값을 토대로 산출된 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)을 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 대한 보상값(α)을 산출할 수 있으며, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 대한 보상값(α)을 산출하는 과정은 아래 수학식 4 내지 6으로 나타낼 수 있다.The
구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 인가된 센싱용 데이터 전압(Vdata)은 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)이 적용되지 않은 전압이므로, 이후 산출된 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)을 이용하여 수학식 4와 같이 나타낼 수 있다.The sensing data voltage Vdata applied to the second node N2 of the driving transistor DRT during the sensing period of the characteristic value of the driving transistor DRT is compensated for the threshold voltage of the driving transistor DRT, (4) using the compensated value (?) For the threshold voltage of the driving transistor (DRT).
따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도는 수학식 5와 같은 비례 관계가 있음을 알 수 있고, 이를 이용하여 수학식 6과 같이 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 계산해낼 수 있다.Accordingly, it can be seen that the mobility of the driving transistor DRT has a proportional relationship as shown in Equation (5), and the mobility of the driving transistor DRT can be calculated using Equation (6).
즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)이 적용된 상태에서는 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도는 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류에 비례하며, 그 전류는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에서 센싱된 전압에 비례하므로, 센싱된 전압의 비로 산출할 수 있다.That is, in a state where the compensation value? For the threshold voltage of the driving transistor DRT is applied, the mobility of the driving transistor DRT is proportional to the current flowing through the organic light emitting diode OLED, , It can be calculated by the ratio of the sensed voltage.
그러나, 본 실시예들에서는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)이 적용되지 않은 상태이므로, 산출된 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값과 수학식 5와 같은 비례 관계를 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 산출하고 이동도에 대한 보상값(α)을 산출할 수 있다.However, in the present embodiment, since the compensation value? For the threshold voltage of the driving transistor DRT is not applied, the compensated value for the threshold voltage of the calculated driving transistor DRT and the proportional value The mobility of the driving transistor DRT can be calculated using the relationship and the compensation value? For mobility can be calculated.
따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간의 제2타이밍에서 센싱된 센싱값을 토대로 산출된 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)과 제1타이밍에 센싱된 센싱값을 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 대한 보상값(α)을 산출할 수 있도록 함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 동일한 센싱 구간에서 센싱하고 보상할 수 있도록 한다.Therefore, the compensation value? Of the threshold voltage of the driving transistor DRT calculated based on the sensed sensing value at the second timing of the sensing period of the characteristic value of the driving transistor DRT and the sensing value? The threshold voltage and the mobility of the driving transistor DRT can be sensed and compensated in the same sensing period by making it possible to calculate the compensation value alpha for the mobility of the driving transistor DRT.
도 8과 도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱한 센싱값의 시뮬레이션 파형을 나타낸 것이다.FIGS. 8 and 9 show simulation waveforms of sensing values obtained by sensing characteristic values of the driving transistor DRT of the organic light emitting
도 8을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 측정하는 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하는 동안, 센싱부(310)는 제1타이밍에 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱하고 센싱된 전압값을 디지털 값으로 변환한다.8, during the period in which the characteristic value of the driving transistor DRT is measured, while the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises, the
제1타이밍에 센싱된 센싱값은 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하고 보상하기 위한 센싱값에 해당한다.The sensing value sensed at the first timing corresponds to a sensing value for sensing and compensating the mobility of the driving transistor DRT.
센싱부(310)는 제2타이밍에 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱하고 센싱된 전압값을 디지털 값으로 변환한다.The
제2타이밍에 센싱된 센싱값은 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱하고 보상하기 위한 센싱값에 해당한다.The sensing value sensed at the second timing corresponds to a sensing value for sensing and compensating the threshold voltage of the driving transistor DRT.
도 9는 도 8에서 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위해 제1노드(N1)의 전압을 센싱하는 구간을 확대한 것이다.FIG. 9 is an enlarged view of a section for sensing the voltage of the first node N1 in order to sense the mobility of the driving transistor DRT in FIG.
도 9를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 측정하는 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)이 전압이 상승하기 시작한 이후 초기에는 제1노드(N1)의 전압이 선형적으로 상승함을 알 수 있다.9, when the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT starts rising in a period during which the characteristic value of the driving transistor DRT is measured, the voltage of the first node N1 is linearly As shown in Fig.
따라서, 오프-센싱 방식으로 동일한 센싱 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 센싱할 수 있으며, 전술한 문턱전압과 이동도에 대한 보상값을 산출하는 방식에 의해 문턱전압과 이동도를 동일한 센싱 구간에서 센싱하더라도 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 편차에 대한 보상값을 산출할 수 있도록 함으로써 동시에 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도 편차를 보상할 수 있도록 한다.Therefore, the threshold voltage and the mobility of the driving transistor DRT can be sensed in the same sensing period by the off-sensing method, and the threshold voltage and the mobility can be calculated by the above- The compensating value for the characteristic value deviation of the driving transistor DRT can be calculated even when the sensing signal is sensed in the same sensing period and at the same time the deviation of the threshold voltage and the mobility of the driving transistor DRT can be compensated.
아래 표 1 내지 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 동일한 센싱 구간에서 센싱한 센싱값의 시뮬레이션 결과를 나타낸 것으로서, 센싱용 데이터 전압(Vdata)을 5V로 하고 문턱전압과 이동도를 가변하며 시뮬레이션한 결과를 나타낸 것이다.Tables 1 to 6 below show simulation results of sensing values obtained by sensing the threshold voltage and the mobility of the driving transistor DRT of the
표 1은 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 제1타이밍에 센싱된 값을 나타낸 것이다.Table 1 shows the values sensed at the first timing for sensing the mobility of the driving transistor DRT in the section for sensing the characteristic value of the driving transistor DRT.
표 1에 나타난 바와 같이, 이동도가 동일하게 설정된 경우에도 문턱전압(Vth)의 변화에 따라 센싱값이 상이함을 알 수 있다. 예를 들어, 이동도를 0.8로 설정하여 시뮬레이션한 결과 문턱전압(Vth)의 설정값에 따라 1.60, 0.83, 0.36과 같이 상이한 값이 센싱됨을 알 수 있다.As shown in Table 1, even when the mobility is set to the same, it can be seen that the sensing values are different according to the change of the threshold voltage Vth. For example, when the mobility is set to 0.8, it is understood that different values are sensed as 1.60, 0.83, and 0.36 according to the set value of the threshold voltage Vth as a result of simulation.
따라서, 제1타이밍에 센싱된 센싱값만으로는 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 대한 보상값(α)을 산출할 수가 없으나, 본 실시예들은, 아래 과정을 통해 이동도에 대한 보상값(α)을 산출할 수 있도록 한다.Therefore, the compensation value? For the mobility of the driving transistor DRT can not be calculated only by the sensing value sensed at the first timing. However, in the present embodiments, the compensation value? .
표 2는 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱하기 위한 제2타이밍에 센싱된 값을 나타낸 것이다.Table 2 shows the values sensed at the second timing for sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT in the section for sensing the characteristic value of the driving transistor DRT.
표 2를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 관계없이 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 따라 유사한 값이 센싱되는 것을 알 수 있다.Referring to Table 2, it can be seen that a similar value is sensed according to the threshold voltage of the driving transistor DRT regardless of the mobility of the driving transistor DRT.
표 3은 제2타이밍에 센싱된 센싱값을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)을 나타낸 것이다. 예를 들어, 문턱전압(Vth)을 -2V로 설정하고 이동도를 0.8로 설정하여 시뮬레이션 한 경우, 센싱용 데이터 전압(Vdata)이 5V이고 제2타이밍의 센싱값이 7.54V이므로 문턱전압에 대한 보상값은 5-7.54=-2.54가 된다.Table 3 shows the compensation value? For the threshold voltage of the driving transistor DRT based on the sensing value sensed at the second timing. For example, when the threshold voltage Vth is set to -2 V and the mobility is set to 0.8, the sensing data voltage Vdata is 5 V and the sensing value of the second timing is 7.54 V, The compensation value is 5-7.54 = -2.54.
표 4는 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 대한 보상값(α)을 산출하기 위하여 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)에 의한 영향성을 제거하는 과정에서 센싱용 데이터 전압(Vdata)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)을 뺀 값을 제곱한 결과를 나타낸 것이다.Table 4 shows the relationship between the sensing data voltage Vdata in the process of eliminating the influence due to the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT in order to calculate the compensation value alpha for the mobility of the driving transistor DRT, Is obtained by squaring the value obtained by subtracting the compensation value? Of the threshold voltage of the driving transistor DRT.
표 5는 표 1에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간의 제1타이밍에 센싱된 센싱값을 표 4에서의 값으로 나눈 결과를 나타낸 것이다.Table 5 shows the result of dividing the sensing value sensed at the first timing of the sensing period of the characteristic value of the driving transistor DRT in Table 1 by the value in Table 4. [
즉, 앞서 수학식 5를 통해 설명한 바와 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위해 센싱된 제1타이밍의 센싱값에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 의한 영향성을 제거하기 위하여, 표 5와 같이 제1타이밍의 센싱값을 표 4에서 계산된 값으로 나누어준다.That is, in order to eliminate the influence of the threshold voltage of the driving transistor DRT at the sensing value of the first timing sensed to sense the mobility of the driving transistor DRT, As shown in Table 5, the sensing value of the first timing is divided by the value calculated in Table 4.
표 5를 참조하면, 전술한 과정에 의하여 계산된 값은 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 따라 유사한 값으로 나타남을 알 수 있다. 예를 들어, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 0.8로 설정하여 시뮬레이션한 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)에 따라 0.028, 0.027, 0.028의 값이 계산됨으로써 계산된 결과를 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱할 수 있도록 한다.Referring to Table 5, it can be seen that the values calculated by the above-described procedure are similar to each other according to the mobility of the driving transistor DRT. For example, when the mobility of the driving transistor DRT is set to 0.8, a value calculated by calculating 0.028, 0.027, and 0.028 according to the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT is used So that the mobility of the driving transistor DRT can be sensed.
표 6은 표 5의 결과를 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 1로 설정한 경우의 결과를 기준으로 대비한 비율을 나타낸 것이다.Table 6 shows the ratio of the results of Table 5 based on the result obtained when the mobility of the driving transistor DRT is set to 1.
예를 들어, 표 5에서 문턱전압을 -2V로 설정하고 시뮬레이션 한 경우 이동도가 0.8로 설정된 경우의 결과 값은 0.028이고 이동도가 1로 설정된 경우의 결과 값은 0.033이다. 이동도가 1로 설정된 경우의 결과 값인 0.033을 기준으로 이동도가 0.8로 설정된 결과 값을 대비하면 0.86이 된다.For example, in Table 5, when the threshold voltage is set to -2V, the simulation result is 0.028 when the mobility is set to 0.8, and the result is 0.033 when the mobility is set to 1. When the mobility is set to 1, the mobility is set to 0.8 based on 0.033, which is 0.86.
따라서, 표 6에 나타난 바와 같이, 시뮬레이션을 위해 설정한 이동도와 유사한 값이 도출되므로, 전술한 과정을 통해서 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 정확하게 센싱하고 센싱된 값을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 대한 보상값(α)을 산출할 수 있도록 한다.Accordingly, as shown in Table 6, a value similar to the mobility set for the simulation is derived. Accordingly, the mobility of the driving transistor DRT is precisely sensed through the above-described process, and the driving transistor DRT So that the compensation value? For the mobility can be calculated.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 방법의 과정을 나타낸 것이다.10 illustrates a driving method of the
도 10을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 기준 전압(Vref)을 인가하고(S1000), 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 센싱용 데이터 전압(Vdata)을 인가하여(S1010), 제1노드(N1)와 제2노드(N2)를 초기화한다.Referring to FIG. 10, the organic
구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)를 초기화한 후, 제1노드(N1)를 플로팅(Floating)시켜준다(S1020). 따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하게 된다.The first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are initialized and then the first node N1 is floated in step S1020. Therefore, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises.
제1노드(N1)의 전압이 상승하는 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위해 제1타이밍에 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱한다(S1030).The voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT is sensed at the first timing to sense the mobility of the driving transistor DRT while the voltage of the first node N1 rises (S1030).
그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱하기 위해 제2타이밍에 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱한다(S1040).In order to sense the threshold voltage of the driving transistor DRT, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT is sensed at the second timing (S1040).
제2타이밍에 센싱된 센싱값을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 보상값(Φ)을 산출하고(S1050), 제1타이밍에 센싱된 센싱값과 산출된 문턱전압에 대한 보상값(Φ)을 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 대한 보상값(α)을 산출한다(S1060).The compensation value? For the threshold voltage of the driving transistor DRT is calculated based on the sensing value sensed at the second timing (S1050), and the sensing value sensed at the first timing and the compensation value? The compensation value alpha for the mobility of the driving transistor DRT is calculated (S1060).
따라서, 본 실시예들에 의하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 이동도를 동일한 센싱 구간에서 센싱할 수 있도록 한다. 또한, 동일한 센싱 구간에서 문턱전압과 이동도를 센싱하더라도 문턱전압에 의한 영향성을 제거하고 이동도에 대한 보상값(α)을 산출할 수 있도록 함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 센싱 구간은 감소시키며 보상값의 정확도는 유지할 수 있도록 한다.Therefore, according to the embodiments, the threshold voltage and the mobility of the driving transistor DRT can be sensed in the same sensing period. Also, even if the threshold voltage and the mobility are sensed in the same sensing period, the influence of the threshold voltage can be removed and the compensation value for the mobility can be calculated, thereby reducing the sensing period of the driving transistor DRT The accuracy of the compensation value can be maintained.
또한, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 오프-센싱 구간에서 센싱할 수 있도록 함으로써 충분한 센싱 시간을 확보할 수 있도록 하여 센싱의 정확도를 향상시킬 수 있도록 한다.In addition, since the mobility of the driving transistor DRT can be sensed in the off-sensing period, sufficient sensing time can be ensured and the accuracy of sensing can be improved.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이며, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. The embodiments of the present invention are not intended to limit the scope of the present invention but to limit the scope of the present invention.
100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 게이트 드라이버
130: 데이터 드라이버
140: 타이밍 컨트롤러
310: 센싱부
320: 보상부
330: 메모리100: organic light emitting display device 110: organic light emitting display panel
120: gate driver 130: data driver
140: timing controller 310: sensing unit
320: compensation unit 330: memory
Claims (14)
상기 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버; 및
상기 다수의 데이터 라인에 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버를 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀 각각은,
유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 기준 전압 라인 사이에 연결된 센싱용 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터의 제2노드와 상기 데이터 라인 사이에 연결된 스위칭 트랜지스터와, 상기 제1노드와 상기 제2노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하며,
상기 제1노드의 전압이 상승하는 구간 동안, 상기 구동 트랜지스터의 제1특성치를 측정하기 위해 상기 구간 내의 제1타이밍에 상기 제1노드의 전압을 측정하고, 상기 구동 트랜지스터의 제2특성치를 측정하기 위해 상기 구간 내의 제2타이밍에 상기 제1노드의 전압을 측정하는 센싱부를 더 포함하는 유기발광표시장치.
An organic light emitting display panel in which a plurality of gate lines, a plurality of data lines, and a plurality of subpixels are disposed;
A gate driver for driving the plurality of gate lines; And
And a data driver for supplying a data voltage to the plurality of data lines,
Each of the plurality of sub-
An organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a sensing transistor connected between a first node of the driving transistor and a reference voltage line, a switching transistor connected between the second node of the driving transistor and the data line, And a storage capacitor coupled between the first node and the second node,
Measuring a voltage of the first node at a first timing in the period to measure a first characteristic value of the driving transistor during a period in which the voltage of the first node rises, measuring a second characteristic value of the driving transistor And a sensing unit for measuring a voltage of the first node at a second timing within the period.
상기 센싱부는,
상기 제1노드의 전압이 상승하기 시작하고 상기 제1노드의 전압이 선형적으로 상승하는 구간 내의 상기 제1타이밍에 상기 제1노드의 전압을 측정하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
The sensing unit includes:
Wherein the voltage of the first node is measured at the first timing within a period in which the voltage of the first node starts to rise and the voltage of the first node linearly rises.
상기 센싱부는,
상기 제1노드의 전압이 상승하기 시작하고 상기 제1노드의 전압이 일정한 값에 수렴하는 상기 제2타이밍에 상기 제1노드의 전압을 측정하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
The sensing unit includes:
And the voltage of the first node is measured at the second timing at which the voltage of the first node starts to rise and the voltage of the first node converges to a constant value.
상기 제1노드의 전압이 상승하는 구간 동안 상기 센싱부와 상기 기준 전압 라인을 상기 제1타이밍과 상기 제2타이밍에 연결해주는 스위치를 더 포함하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
And a switch for connecting the sensing unit and the reference voltage line to the first timing and the second timing during a period in which the voltage of the first node rises.
상기 제1타이밍에 측정된 상기 제1노드의 전압과 상기 제2타이밍에 측정된 상기 제1노드의 전압을 토대로 상기 구동 트랜지스터의 특성치에 대한 보상값을 산출하는 보상부를 더 포함하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
And a compensation unit for calculating a compensation value for a characteristic value of the driving transistor based on the voltage of the first node measured at the first timing and the voltage of the first node measured at the second timing, .
상기 보상부는,
상기 제2타이밍에 측정된 상기 제1노드의 전압을 이용하여 상기 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값을 산출하고, 상기 제1타이밍에 측정된 상기 제1노드의 전압 및 상기 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값을 이용하여 상기 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값을 산출하는 유기발광표시장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the compensation unit comprises:
Wherein the control circuit calculates a compensation value for the second characteristic value of the driving transistor by using the voltage of the first node measured at the second timing, And calculating a compensation value for the first characteristic value of the driving transistor by using a compensation value for the two characteristic values.
상기 보상부는,
상기 구동 트랜지스터의 특성치를 측정하기 위해 상기 구동 트랜지스터의 제2노드에 인가된 센싱용 데이터 전압에서 상기 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값을 제거한 값의 제곱과 상기 제1타이밍에 측정된 상기 제1노드의 전압의 비를 이용하여 상기 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값을 산출하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the compensation unit comprises:
Wherein the driving transistor has a first value obtained by subtracting a compensation value for a second characteristic value of the driving transistor from a sensing data voltage applied to a second node of the driving transistor to measure a characteristic value of the driving transistor, Wherein a compensation value for the first characteristic value of the driving transistor is calculated using a ratio of a voltage of the one node.
상기 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값과 상기 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값을 저장하는 메모리를 더 포함하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 6,
And a memory for storing a compensation value for the first characteristic value of the driving transistor and a compensation value for the second characteristic value of the driving transistor.
상기 데이터 드라이버는,
상기 제1노드의 전압이 상승하는 구간 이전에 상기 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값과 상기 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값이 모두 적용되지 않거나 상기 메모리에 저장된 상기 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값과 상기 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값이 모두 적용된 센싱용 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터의 제2노드에 인가하는 유기발광표시장치.
9. The method of claim 8,
The data driver includes:
Wherein a compensation value for the first characteristic value of the driving transistor and a compensation value for the second characteristic value of the driving transistor are not applied before a period in which the voltage of the first node rises, And applies a sensing data voltage to which the compensation value for the characteristic value and the compensation value for the second characteristic value of the driving transistor are both applied to the second node of the driving transistor.
상기 구동 트랜지스터의 제2노드에 센싱용 데이터 전압을 인가하는 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제1노드를 플로팅시키는 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압이 상승하는 구간 동안 상기 구동 트랜지스터의 제1특성치를 측정하기 위해 상기 구간 내의 제1타이밍에 상기 제1노드의 전압을 측정하는 단계; 및
상기 구동 트랜지스터의 제2특성치를 측정하기 위해 상기 구간 내의 제2타이밍에 상기 제1노드의 전압을 측정하는 단계
를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
Applying a reference voltage to a first node of a driving transistor disposed in a subpixel of the organic light emitting display panel;
Applying a sensing data voltage to a second node of the driving transistor;
Floating the first node of the driving transistor;
Measuring a voltage of the first node at a first timing within the interval to measure a first characteristic value of the driving transistor during a period in which the voltage of the first node of the driving transistor rises; And
Measuring a voltage of the first node at a second timing within the interval to measure a second characteristic value of the driving transistor
And a driving method of the organic light emitting display device.
상기 제1타이밍에 상기 제1노드의 전압을 측정하는 단계는,
상기 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압이 선형적으로 상승하는 구간 내의 상기 제1타이밍에 상기 제1노드의 전압을 측정하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein measuring the voltage of the first node at the first timing comprises:
Wherein the voltage of the first node is measured at the first timing within a period in which the voltage of the first node of the driving transistor linearly rises.
상기 제2타이밍에 상기 제1노드의 전압을 측정하는 단계는,
상기 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압이 일정한 값에 수렴하는 상기 제2타이밍에 상기 제1노드의 전압을 측정하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein measuring the voltage of the first node at the second timing comprises:
And measures the voltage of the first node at the second timing at which the voltage of the first node of the driving transistor converges to a constant value.
상기 제2타이밍에 측정된 전압을 이용하여 상기 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값을 산출하는 단계; 및
상기 제1타이밍에 측정된 전압과 상기 산출된 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값을 이용하여 상기 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값을 산출하는 단계를 더 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
11. The method of claim 10,
Calculating a compensation value for a second characteristic value of the driving transistor by using a voltage measured at the second timing; And
And calculating a compensation value for the first characteristic value of the driving transistor by using the voltage measured at the first timing and the compensation value for the calculated second characteristic value of the driving transistor, Way.
상기 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값을 산출하는 단계는,
상기 센싱용 데이터 전압에서 상기 구동 트랜지스터의 제2특성치에 대한 보상값을 제거한 값의 제곱과 상기 제1타이밍에 측정된 전압의 비를 이용하여 상기 구동 트랜지스터의 제1특성치에 대한 보상값을 산출하는 유기발광표시장치의 구동 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the step of calculating the compensation value for the first characteristic value of the driving transistor comprises:
A compensation value for the first characteristic value of the driving transistor is calculated using the square of the value obtained by removing the compensation value for the second characteristic value of the driving transistor from the sensing data voltage and the ratio of the voltage measured at the first timing A method of driving an organic light emitting display device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170072420A true KR20170072420A (en) | 2017-06-27 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020150180297A KR102500858B1 (en) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | Organic light emitting display device and method for driving the organic light emitting display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102500858B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114341968A (en) * | 2019-09-30 | 2022-04-12 | Lx半导体科技有限公司 | Pixel sensing circuit and display driving integrated circuit |
| US11727863B2 (en) | 2021-08-13 | 2023-08-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device which senses and compensates for degradation of a pixel and method of driving display device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110057534A (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display and driving method thereof |
| KR20120076215A (en) * | 2010-12-29 | 2012-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
| KR20150027906A (en) * | 2013-09-04 | 2015-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic electro luminescent display device, and display panel and driving method thereof |
-
2015
- 2015-12-16 KR KR1020150180297A patent/KR102500858B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110057534A (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display and driving method thereof |
| KR20120076215A (en) * | 2010-12-29 | 2012-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
| KR20150027906A (en) * | 2013-09-04 | 2015-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic electro luminescent display device, and display panel and driving method thereof |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114341968A (en) * | 2019-09-30 | 2022-04-12 | Lx半导体科技有限公司 | Pixel sensing circuit and display driving integrated circuit |
| US11935472B2 (en) | 2019-09-30 | 2024-03-19 | Lx Semicon Co., Ltd. | Pixel sensing circuit and display driver integrated circuit |
| CN114341968B (en) * | 2019-09-30 | 2024-04-12 | Lx半导体科技有限公司 | Pixel sensing circuit and display driving integrated circuit |
| US11727863B2 (en) | 2021-08-13 | 2023-08-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device which senses and compensates for degradation of a pixel and method of driving display device |
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