KR20170071670A - 반도체 발광소자용 기판 - Google Patents

반도체 발광소자용 기판 Download PDF

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KR20170071670A
KR20170071670A KR1020150179294A KR20150179294A KR20170071670A KR 20170071670 A KR20170071670 A KR 20170071670A KR 1020150179294 A KR1020150179294 A KR 1020150179294A KR 20150179294 A KR20150179294 A KR 20150179294A KR 20170071670 A KR20170071670 A KR 20170071670A
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Abstract

본 개시는, 접합부 및 반도체 발광소자 칩을 포함하는 반도체 발광소자가 실장되는 반도체 발광소자용 기판으로서, 반도체 발광소자 칩의 전극이 반도체 발광소자용 기판과 직접 전기적으로 연결되어 실장되는 반도체 발광소자용 기판에 있어서, 반도체 발광소자용 기판의 일면에 형성되어 반도체 발광소자 칩의 전극과 전기적으로 연결되는 기판 전극; 그리고, 반도체 발광소자의 접합부가 결합되는 기판 접합부;로서, 기판 전극과 동일한 반도체 발광소자용 기판 면에 형성되는 기판 접합부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자용 기판{SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자용 기판에 관한 것으로, 특히 반도체 발광소자와의 접착력을 향상시킨 반도체 발광소자용 기판에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.
반도체 발광소자 칩은 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다.
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지재(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만 , 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다. 반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120)에 의해 반도체 발광소자용 기판(예 : PCB 기판, 서브마운트 등)과 전기적으로 연결된다.
도 4는 한국 공개특허공보 제10-2011-0119155호에 기재된 반도체 발광소자용 기판에 대한 일 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.
반도체 발광소자용 기판(200)은 외부 전원 입력부(210), 제1 전극 패턴(220), 제2 전극 패턴(230) 및 인터페이스부(240)를 포함한다. 인터페이스부(240)는 제1 전극부(241) 및 제2 전극부(242)를 포함한다. 인터페이스부(240)에 반도체 발광소자(미도시)가 장착되며, 반도체 발광소자의 전극이 인터페이스부(240)의 전극부(241, 242)에 전기적으로 연결된다. 반도체 발광소자와 반도체 발광소자용 기판(200)이 인터페이스부(240)의 전극부(241, 242)를 통해 전기적으로 연결되는 경우, 전극부(241, 242)의 접착 면적이 크지 않은 경우 접착력에 문제가 발생할 수 있다.
본 개시는 반도체 발광소자용 기판에 대한 것으로, 반도체 발광소자와 반도체 발광소자용 기판이 전기적으로 연결될 때, 반도체 발광소자와 반도체 발광소자용 기판의 접착력을 향상시킨 반도체 발광소자용 기판을 제공한다.
이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 이 제공된다.
이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 한국 공개특허공보 제10-2011-0119155호에 기재된 반도체 발광소자용 기판에 대한 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판에 사용되는 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판의 일 예를 보여주는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판에 사용되는 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판의 다양한 실시 예를 보여주는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판에 사용되는 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5(a)는 사시도이며, 도 5(b)는 AA'에 따른 단면도이며, 도 5(c)는 저면도이다.
반도체 발광소자(300)는 몸체(310), 반도체 발광소자 칩(320), 봉지재(330) 및 접합부(340)를 포함한다.
몸체(310)는 측벽(311) 및 바닥부(312)를 포함한다. 바닥부(312)는 홀(313)을 포함한다. 또한 측벽(311) 및 바닥부(312)에 의해 형성된 캐비티(314)를 포함한다. 바닥부(312)는 상면(315)과 하면(316)을 포함한다. 측벽(311)은 외측면(317)과 내측면(318)을 포함한다. 측벽(311)의 높이(H)는 바닥부(312)의 길이(L)보다 작을 수 있다. 예를 들어 측벽(311)의 높이(H)는 0.1mm 이상 내지 0.6mm 이하 일 수 있으며, 바닥부(312)의 길이(L)는 0.5mm 이상일 수 있다. 또한 측벽(311)은 필요에 따라 없을 수도 있다.(미도시). 홀(313)의 크기는 반도체 발광소자 칩(320)의 크기와 비슷하거나 반도체 발광소자 칩(320)의 크기의 1.5배가 바람직하다. 또한 홀(313)의 측면(340)은 광 추출 효율의 향상을 위해 경사진 것이 바람직하다.
반도체 발광소자 칩(320)은 홀(313)에 위치하고 있다. 반도체 발광소자 칩(320)은 래터럴 칩, 수직 칩 및 플립 칩이 가능하다. 다만 본 개시에서 반도체 발광소자 칩의 전극(321)이 몸체(310) 바닥부(312) 하면(316) 방향으로 노출되어 있는 점에서 플립 칩이 바람직하다. 바닥부(312)의 높이(319)는 반도체 발광소자 칩(320)의 높이(322)보다 낮은 것이 바람직하다. 바닥부(312)의 높이(319)가 반도체 발광소자 칩(320)의 높이(322)보다 높은 경우 반도체 발광소자(300)의 광 추출 효율이 떨어질 수 있기 때문이다. 다만 광 추출 효율이 떨어질 수 있지만, 광 경로 등을 고려하여 바닥부(312)의 높이(319)가 반도체 발광소자 칩(320)의 높이보다 높게 할 수도 있다. 바닥부(312)의 높이(319) 및 반도체 발광소자 칩(320)의 높이(322)는 바닥부(312)의 하면(316)을 기준으로 측정할 수 있다. 반도체 발광소자 칩(320)의 높이(322)는 0.05mm 이상 내지 0.5mm 이하 일 수 있다. 바닥부(312)의 높이(319)는 0.08mm 이상 내지 0.4mm 이하 일 수 있다.
봉지재(330)는 적어도 캐비티(314)에 구비되어 반도체 발광소자 칩(320)을 덮고 있어서, 홀(313)에 위치하고 있는 반도체 발광소자 칩(320)을 몸체(310)에 고정시킬 수 있다. 봉지재(330)는 투광성을 갖고 있으며, 예를 들어 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 하나로 이루어질 수 있다. 필요한 경우 파장 변환재(331)를 포함할 수 있다. 파장 변환재(331)는 반도체 발광소자 칩(320)의 활성층으로부터 생성되는 빛을 다른 파장의 빛으로 변환하는 것이라면 어떠한 것이라도 좋지만(예: 안료, 염료 등), 광 변환 효율을 고려할 때 형광체(예: YAG, (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu 등)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 파장 변환재(331)는 반도체 발광소자에서 나오는 빛의 색에 따라 정해질 수 있으며, 당업자에게 잘 알려져 있다.
접합부(340)는 몸체(310) 바닥부(312)의 하면(316)에 위치한다. 다만 몸체(310) 바닥부(312)의 하면(316) 방향으로 노출된 반도체 발광소자 칩(320)의 전극(321)과 떨어져 위치한다. 접합부(340)로 인하여 반도체 발광소자(300)가 반도체 발광소자용 기판과 전기적으로 접합될 때, 전극(321)만으로 접합하는 경우보다 접착력이 향상될 수 있다. 접합부(340)는 금속일 수 있다. 예를 들어 접합부(340)는 은(Ag), 구리(Cu) 및 금(Au) 중 하나일 수 있다. 또한 접합부(340)는 2개 이상의 금속의 조합일 수 있다. 예를 들어 니켈(Ni)과 구리 조합, 크롬(Cr)과 구리 조합, 티타늄(Ti)과 구리 조합 중 하나일 수 있다. 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서 접합부(340)는 다양한 조합이 가능하다. 도 5(c)는 저면도이며, 전극(321)과 접합부(340)의 배치를 확인할 수 있다. 또한 도 5(d)와 같이 반도체 발광소자 칩(320)이 복수개 포함될 수 있다. 도 5(d)에서는 2개의 반도체 발광소자 칩(320)만이 도시되어 있지만 2개 이상도 가능하다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판의 일 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 반도체 발광소자가 실장된 반도체 발광소자용 기판 부분에 대한 단면도(도 6(a)) 및 평면도(도 6(b))를 도시하였다.
반도체 발광소자용 기판(400)은 기판 전극(410) 및 기판 접합부(420)를 포함한다. 반도체 발광소자용 기판(400)은 반도체 발광소자의 전극이 전기적으로 결합하여 실장되는 것으로 예를 들어 PCB 기판 및 서브 마운트 중 하나일 수 있다. 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)는 반도체 발광소자 칩(310)의 전극이 직접 반도체 발광소자용 기판(400)과 전기적으로 연결되어 실장된다. 반도체 발광소자 칩(320) 전극(321) 면적은 도 3과 같은 종래의 반도체 발광소자의 리드 프레임의 면적보다 작기 때문에 반도체 발광소자(300)와 반도체 발광소자용 기판(400) 사이의 접착력이 약할 수 있다. 본 개시는 반도체 발광소자 칩의 전극이 직접 반도체 발광소자용 기판과 전기적으로 연결되어 실장되는 반도체 발광소자와 반도체 발광소자용 기판 사이의 접착력을 향상시키기 위해 반도체 발광소자(300)가 접합부(340)를 포함하고, 반도체 발광소자용 기판(400)은 반도체 발광소자(300)의 접합부(340)와 결합하는 기판 접합부(420)를 포함한다. 도 6(a)는 전극(321) 및 접합부(340)를 포함하는 반도체 발광소자(300)와 기판 전극(410) 및 기판 접합부(420)를 포함하는 반도체 발광소자용 기판(400)이 결합한 단면도를 보여주는 도면이다. 기판 접합부(420)의 평면도에서의 면적의 크기가 반도체 발광소자(300)의 접합부(340)의 평면도에서의 면적 크기보다 큰 것이 바람직하다. 도 6(b)는 기판 전극(410)과 기판 접합부(420)의 위치 관계를 보여주는 평면도이다. 기판 접합부(420)는 접합부(340)와 동일한 재질로 형성될 수 있다. 기판 접합부(420)가 금속 재질로 형성되는 경우 반도체 발광소자(300)의 보호를 위해 전기가 흐르지 않도록 기판 접합부(420)와 기판 전극(410)은 일정 간격(430)으로 떨어져 있는 것이 바람직하다. 바람직하게는 0.5mm 이상 떨어져 있는 것이 바람직하다.
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자용 기판(500)은 기판 접합부(520)가 기판 전극(510)을 감싸고 있다. 도 7과 같이 기판 접합부(520)의 면적을 크게 하기 위해 기판 접합부(520)가 기판 전극(510)을 감싸고 있는 경우에는 쇼트 방지를 위해 반드시 기판 접합부(520)는 기판 전극(510)과 일정 간격(530) 떨어져야 한다. 또한 도 7(b)와 같이 도 7에 기재된 반도체 발광소자용 기판(500)에 실장되는 반도체 발광소자(300)의 접합부(340)는 기판 접합부(520)와 같은 형상을 갖고 있는 것이 바람직하다. 도 7에서 설명한 것을 제외하고 반도체 발광소자용 기판(500)은 도 6에 기재된 반도체 발광소자용 기판(400)과 실질적으로 동일하다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자용 기판(600)은 기판 전극(610)과 기판 접합부(620) 사이에 솔더 리지스트(630)를 포함한다. 반도체 발광소자(300)와 반도체 발광소자용 기판(600)의 결합은 솔더링을 통해 이루어질 수 있다. 기판 접합부(620)와 기판 전극(610) 사이의 일정 간격(640)이 솔더링에 의해 전기적으로 연결되지 않도록 기판 접합부(620)와 기판 전극(610) 사이에 도 8(a)와 같이 솔더 리지스트(630)가 형성될 수도 있다. 또한 기판 접합부(620) 위에 기판 전극(610)이 형성되고 도 8(b)와 같이 솔더 리지스트(630)가 형성될 수도 있다. 즉 반도체 발광소자의 접합부가 결합되는 기판 접합부(620)의 부분(621)과 기판 전극(610) 사이에 솔더 리지스트(630)가 형성된다. 도 8에서 설명한 것을 제외하고 반도체 발광소자용 기판(600)은 도 6에 기재된 반도체 발광소자용 기판(400)과 실질적으로 동일하다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 반도체 발광소자와 결합되어 있는 단면도로 표시하였다.
반도체 발광소자용 기판(700)은 도 10에 기재된 접합부(820)에 보호소자(840)를 포함하고 있는 반도체 발광소자(800)에 사용된다. 반도체 발광소자용 기판(700)은 보호소자(840)가 작동되기 위해, 기판 전극(710)이 도 9와 같이 반도체 발광소자(800)의 전극(831)과 접합부(820)에 전기적으로 연결된다. 또한 접착력 향상을 위해 기판 접합부(720)가 접합부(820)에 연결된다. 다만 전기적 쇼트를 방지하기 위해 기판 접합부(720)는 도 7과 같이 1개의 형태가 아닌 도 6과 같이 떨어져 있는 2개의 형태이어야 한다. 또한 도 6 내지 도 9에서 기판 전극(410, 510, 610, 710)에 전기를 공급하는 기판 배선은 당업자에게 용이한 것으로 도면에 별도로 표시하지 않았다. 또한 기판 접합부(420, 520, 620, 720)는 예를 들어 도금 등의 방법으로 형성할 수 있다.
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판에 사용되는 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면이다. 도 10(a) 및 도 10(c)는 저면도이며, 도 10(b)는 도 10(a)의 AA'를 따라 자른 단면도이고 도 10(d)는 도 10(c)의 BB'를 따라 자른 단면도이다.
접합부(820)를 포함하는 반도체 발광소자(800)는 도 10(a) 및 도 10(b)와 같이 접합부(820)가 반도체 발광소자 칩(830)을 정전기 또는 역방향 전류로부터 보호하기 위한 보호 소자(840; 예: 제너 다이오드, pn 다이오드)를 포함할 수 있다. 또한 도 10(b)와 같이 접합부(820)에 보호 소자(840)가 삽입되어 있다. 보호 소자(840)는 보호 소자(840)의 전극(841)을 제외하고 예를 들어 백색 실리콘 수지(850)로 덮혀 있다. 또한 보호 소자(840)의 위치관계를 명확히 하기 위해 도 10(b)에 몸체(810) 바닥부의 상면(812)을 표시하였다. 다만 보호 소자(840)의 크기가 작기 때문에 반도체 발광소자용 기판의 전극에 직접 실장하는 것이 어려울 수 있으며, 이를 해결하기 위해 도 10(c) 및 도 10(d)와 같이 몸체(810)에 보호 소자(840)가 삽입될 수 있다. 보호 소자(840)의 전극(841)이 단락된 접합부(820) 위에 위치하여, 접합부(820)와 전기적으로 연결된다. 보호 소자(840)는 백색 실리콘 수지(850)로 덮혀 있다. 접합부(820)가 반도체 발광소자용 기판의 전극에 반도체 발광소자 칩(830)과 함께 연결된다. 쇼트를 방지하기 위해 도 10(c)에 기재된 접합부는 단락(822)되어 있다. 도 10(a) 및 10(c)의 보호 소자(840)는 반도체 발광소자용 기판의 전극을 통해 반도체 발광소자 칩(830)과 전기적으로 역방향 병렬연결된다. 다만 도 10(a)에서는 보호 소자(840)가 직접 반도체 발광소자용 기판과 전기적으로 연결되지만, 도 10(c)에서는 보호 소자(840)가 접합부(820)를 통해 반도체 발광소자용 기판과 전기적으로 연결된다.
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 기판의 다양한 실시 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자용 기판(900)은 복수의 반도체 발광소자가 실장될 수 있다. 즉 도 11(a) 내지 도 11(c)와 같이 기판 전극(910) 및 기판 접합부(920)가 배치될 수 있다. 도 11(d) 및 도 11(e)는 반도체 발광소자용 기판(900)과 결합하고 있는 반도체 발광소자를 보여주고 있다. 도 11(d)와 같이 도 5(b)에 기재된 반도체 발광소자(300)가 복수개 실장될 수 있으며, 도 11(e)와 같이 도 5(d)에 기재된 복수의 반도체 발광소자 칩을 포함하는 반도체 발광소자(300)가 실장될 수도 있다.
본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 접합부 및 반도체 발광소자 칩을 포함하는 반도체 발광소자가 실장되는 반도체 발광소자용 기판으로서, 반도체 발광소자 칩의 전극이 반도체 발광소자용 기판과 직접 전기적으로 연결되어 실장되는 반도체 발광소자용 기판에 있어서, 반도체 발광소자용 기판의 일면에 형성되어 반도체 발광소자 칩의 전극과 전기적으로 연결되는 기판 전극; 그리고, 반도체 발광소자의 접합부가 결합되는 기판 접합부;로서, 기판 전극과 동일한 반도체 발광소자용 기판 면에 형성되는 기판 접합부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
(2) 기판 접합부가 기판 전극을 감싸고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
(3) 기판 접합부는 은(Ag), 구리(Cu) 및 금(Au) 재질 중 적어도 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
(4) 기판 접합부는 기판 전극과 0.5mm 이상 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
(5) 기판 접합부와 기판 전극 사이에 솔더 리지스트(Solder Resist)가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
(6) 기판 접합부 위에 기판 전극이 형성되고, 반도체 발광소자의 접합부와 기판 접합부가 결합하는 기판 접합부의 부분과 기판 전극 사이에 솔더 리지스트가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
(7) 기판 전극이 반도체 발광소자의 반도체 발광소자 칩의 전극 및 접합부와 전기적으로 결합하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
(8) 기판 접합부의 형상은 반도체 발광소자 접합부의 형상과 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
(9) 기판 접합부의 평면적이 반도체 발광소자의 접합부의 평면적보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
(10) 기판 접합부 위에 기판 전극이 형성되고, 반도체 발광소자의 접합부와 기판 접합부가 결합하는 기판 접합부의 부분과 기판 전극 사이에 솔더 리지스트가 형성되며, 기판 전극이 반도체 발광소자의 반도체 발광소자 칩의 전극 및 접합부와 전기적으로 결합하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
본 개시에 따르면 반도체 발광소자와 반도체 발광소자용 기판이 전기적으로 연결될 때, 반도체 발광소자와 반도체 발광소자용 기판의 접착력을 향상시킨 반도체 발광소자용 기판을 얻을 수 있다.
반도체 발광소자 : 100, 300, 800
반도체 발광소자 칩 : 150, 320, 830
반도체 발광소자용 기판 : 200, 400, 500, 600, 700

Claims (10)

  1. 접합부 및 반도체 발광소자 칩을 포함하는 반도체 발광소자가 실장되는 반도체 발광소자용 기판으로서, 반도체 발광소자 칩의 전극이 반도체 발광소자용 기판과 직접 전기적으로 연결되어 실장되는 반도체 발광소자용 기판에 있어서,
    반도체 발광소자용 기판의 일면에 형성되어 반도체 발광소자 칩의 전극과 전기적으로 연결되는 기판 전극; 그리고,
    반도체 발광소자의 접합부가 결합되는 기판 접합부;로서, 기판 전극과 동일한 반도체 발광소자용 기판 면에 형성되는 기판 접합부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
  2. 청구항 1에 있어서,
    기판 접합부가 기판 전극을 감싸고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
  3. 청구항 1에 있어서,
    기판 접합부는 은(Ag), 구리(Cu) 및 금(Au) 재질 중 적어도 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
  4. 청구항 1에 있어서,
    기판 접합부는 기판 전극과 0.5mm 이상 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
  5. 청구항 4에 있어서,
    기판 접합부와 기판 전극 사이에 솔더 리지스트(Solder Resist)가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
  6. 청구항 1에 있어서,
    기판 접합부 위에 기판 전극이 형성되고, 반도체 발광소자의 접합부와 결합하는 기판 접합부의 부분과 기판 전극 사이에 솔더 리지스트가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
  7. 청구항 1에 있어서,
    기판 전극이 반도체 발광소자의 반도체 발광소자 칩의 전극 및 접합부와 전기적으로 결합하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
  8. 청구항 1에 있어서,
    기판 접합부의 형상은 반도체 발광소자 접합부의 형상과 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
  9. 청구항 1에 있어서,
    기판 접합부의 평면적이 반도체 발광소자의 접합부의 평면적보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
  10. 청구항 1에 있어서,
    기판 접합부 위에 기판 전극이 형성되고, 반도체 발광소자의 접합부와 결합하는 기판 접합부의 부분과 기판 전극 사이에 솔더 리지스트가 형성되며,
    기판 전극이 반도체 발광소자의 반도체 발광소자 칩의 전극 및 접합부와 전기적으로 결합하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 기판.
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