KR20170070721A - Cylindrical perovskite solar cell - Google Patents

Cylindrical perovskite solar cell Download PDF

Info

Publication number
KR20170070721A
KR20170070721A KR1020150178579A KR20150178579A KR20170070721A KR 20170070721 A KR20170070721 A KR 20170070721A KR 1020150178579 A KR1020150178579 A KR 1020150178579A KR 20150178579 A KR20150178579 A KR 20150178579A KR 20170070721 A KR20170070721 A KR 20170070721A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cylindrical
perovskite
perovskite solar
solar cells
layer
Prior art date
Application number
KR1020150178579A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박정하
손세환
전성호
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020150178579A priority Critical patent/KR20170070721A/en
Publication of KR20170070721A publication Critical patent/KR20170070721A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022466Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022466Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022475Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02322Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 원통형 페로브스카이트 태양 전지는, 태양광의 입사각과 무관하게 태양광을 흡수할 수 있어, 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다는 특징이 있다. The cylindrical perovskite solar cell according to the present invention is capable of absorbing solar light irrespective of the angle of incidence of sunlight, thereby improving the efficiency of the solar cell.

Description

원통형 페로브스카이트 태양 전지{Cylindrical perovskite solar cell}[0001] Cylindrical perovskite solar cell [0002]

본 발명은 태양광의 입사각과 무관하게 태양광을 흡수할 수 있는, 원통형 페로브스카이트 태양 전지에 관한 것이다. The present invention relates to a cylindrical perovskite solar cell capable of absorbing sunlight regardless of the incident angle of sunlight.

화석 에너지의 고갈과 이의 사용에 의한 지구 환경적인 문제를 해결하기 위하여 태양 에너지, 풍력, 수력과 같은 재생 가능하며, 청정한 대체 에너지원에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. Researches on renewable and clean alternative energy sources such as solar energy, wind power, and hydro power are actively being conducted to solve the global environmental problems caused by the depletion of fossil energy and its use.

이중, 태양광으로부터 직접 전기적 에너지를 변화시키는 태양 전지에 대한 관심이 크게 증가하고 있다. 여기서 태양 전지란, 태양광으로부터 광 에너지를 흡수하여 전자와 정공을 발생시키는 광기전 효과를 이용하여 전류-전압을 생성하는 전지를 의미한다. Of these, there is a great interest in solar cells that change electrical energy directly from sunlight. The term "solar cell" as used herein refers to a cell that generates a current-voltage by utilizing a photovoltaic effect that absorbs light energy from sunlight to generate electrons and holes.

태양광으로부터 광 에너지를 흡수하여 엑시톤을 형성할 수 있는 다양한 물질들이 보고되고 있으며, 최근에는 페로브스카이트형 화합물이 주목받고 있다. 페로브스카이트형 화합물은 일반적으로 양이온(A 및 M)과 음이온(X)이 AMX3의 화학식으로 구성되며, CH3NH3PbI3가 태양전지의 흡수체로 사용될 수 있음이 보고된 이후(Scientific Reports 2, 591), 다양한 화합물이 보고되고 있다. Various materials capable of absorbing light energy from solar light to form excitons have been reported, and recently, perovskite type compounds have been attracting attention. Perovskite type compounds are generally reported to be composed of AMX 3 cations (A and M) and anions (X), and CH 3 NH 3 PbI 3 can be used as an absorber of solar cells (Scientific Reports 2, 591), various compounds have been reported.

이러한 페로브스카이트 화합물은 양이온과 음이온의 치환 등 구조의 변경이 가능한데, 이를 통한 밴드갭의 변화를 통하여 태양전지에 적합한 흡수체를 제조할 수 있다. 또한, 최근에는 다양한 전자 전달층 및 정공 전달층이 페로브스카이트 화합물과 함께 사용되어, 태양전지 효율을 높일 수 있음이 보고되고 있다. These perovskite compounds can change the structure, such as substitution of cations and anions. Through the change of the band gap, an absorber suitable for a solar cell can be manufactured. Recently, it has been reported that various electron transporting layers and hole transporting layers can be used together with perovskite compounds to increase solar cell efficiency.

그러나, 종래의 페로브스카이트 태양 전지는 기판형으로 제조되어, 태양각의 입사각에 따른 태양광 흡수량의 한계로 인하여, 태양전지의 효율이 낮아지는 단점이 있다. 이로 인하여 페로브스카이트 화합물 자체의 광변환 효율에도 불구하고, 태양 전지의 사용시 충분한 태양전지 효율을 나타내지 못하는 문제가 있었다. However, the conventional perovskite solar cell is manufactured in the form of a substrate, and has a disadvantage in that the efficiency of the solar cell is lowered due to the limitation of the amount of sunlight absorbed by the angle of incidence of the sun. Thus, there is a problem that sufficient solar cell efficiency can not be exhibited when the solar cell is used, despite the light conversion efficiency of the perovskite compound itself.

이에 본 발명자들은, 종래의 기판형 페로브스카이트 태양 전지와 달리 원통형의 페로브스카이트 태양 전지가 태양광의 입사각에 무관하게 태양광의 흡수가 가능하여 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있음을 확인하여 본 발명을 완성하였다. Accordingly, the inventors of the present invention confirmed that cylindrical perovskite solar cells, unlike the conventional substrate type perovskite solar cells, can absorb sunlight regardless of the incident angle of sunlight, thereby improving the efficiency of the solar cell Thus completing the present invention.

본 발명은 태양광의 입사각과 무관하게 태양광을 흡수할 수 있는, 원통형 페로브스카이트 태양 전지를 제공하기 위한 것이다. The present invention provides a cylindrical perovskite solar cell capable of absorbing sunlight regardless of the incident angle of sunlight.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 하기를 포함하는 원통형 페로브스카이트 태양 전지를 제공한다:In order to solve the above problems, the present invention provides a cylindrical perovskite solar cell comprising:

원통형의 전극; A cylindrical electrode;

상기 전극의 외주면에 형성된 홀 전도 층; A hole conduction layer formed on an outer circumferential surface of the electrode;

상기 홀 전도층의 외주면에 형성된 페로브스카이트 층; A perovskite layer formed on an outer peripheral surface of the hole conductive layer;

상기 페로브스카이트 층의 외주면에 형성된 금속 산화물 층; 및 A metal oxide layer formed on an outer circumferential surface of the perovskite layer; And

상기 금속 산화물 층의 외주면에 형성된 투명 전극 층.And a transparent electrode layer formed on an outer peripheral surface of the metal oxide layer.

본 발명에 따른 원통형 태양 전지의 광흡수체는 페로브스카이트 화합물이다. 본 발명에서 사용되는 용어 "페로브스카이트(perovskite)"란, 러시아 광물학자 Lev Perovski의 이름을 딴 것으로, 양이온(A 및 M)과 음이온(X)이 AMX3의 화학식으로 구성되며, 최초의 페로브스카이트형 물질인 Ural 산에서 발견된 CaTiO3와 같은 구조를 가지는 물질을 의미한다. The light absorber of the cylindrical solar cell according to the present invention is a perovskite compound. That bears the term "perovskite (perovskite)" is, the Russian mineralogist name of Lev Perovski used in the present invention, the cation (A and M) and anion (X) a is composed of the chemical formula of AMX 3, the first Means a material having the same structure as CaTiO 3 found in Ural acid, which is a perovskite type material.

종래 페로브스카이트 화합물을 사용한 태양 전지는 기판형으로 제조되어, 정해진 조사각에서만 태양광의 흡수가 가능하였다. 이에 따라 흡수할 수 있는 태양광이 한정되어 태양 전지의 효율도 제한되었다. 그러나, 본 발명에서는 기판형 태양 전지의 구조 대신 원통형 구조를 사용하여 조사각에 상관 없이 태양광을 흡수할 수 있도록 하여, 흡수할 수 있는 태양광의 양을 증가시켜 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다는 특징이 있다. Conventionally, a solar cell using a perovskite compound is manufactured in a substrate shape, and can absorb sunlight only at a predetermined irradiation angle. As a result, sunlight that can be absorbed is limited and the efficiency of the solar cell is also limited. However, in the present invention, it is possible to absorb sunlight regardless of the irradiation angle by using a cylindrical structure instead of the structure of the substrate type solar cell, thereby increasing the amount of sunlight absorbable to improve the efficiency of the solar cell Feature.

이에 본 발명에 따른 원통형 페로브스카이트 태양 전지의 구체적인 구조를 도 1과 함께 설명한다. A specific structure of a cylindrical perovskite solar cell according to the present invention will be described with reference to FIG.

도 1에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 원통형 페로브스카이트 태양 전지의 최내부에는 원통형의 전극이 위치하고 있다. 상기 원통형의 전극은 본 발명에 따른 원통형 페로브스카이트 태양 전지의 기본 구조를 형성한다. 또한, 상기 원통형의 전극은 내부 공간이 있는 중공형일 수 있다. 바람직하게는, 상기 원통형 전극의 지름은 1 um 내지 10 cm이다. As shown in FIG. 1, the cylindrical perovskite solar cell according to the present invention has a cylindrical electrode at its innermost part. The cylindrical electrode forms the basic structure of a cylindrical perovskite solar cell according to the present invention. In addition, the cylindrical electrode may be hollow with an inner space. Preferably, the diameter of the cylindrical electrode is 1 to 10 cm.

또한, 상기 원통형 전극은 페로브스카이트 태양 전지에서 사용될 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 일례로, 상기 상기 원통형 전극으로 Pt, Al, Au, Ag, Pd, 탄소나노튜브, 카본블랙, 및 전도성 폴리머로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 사용할 수 있다. Further, the cylindrical electrode is not particularly limited as long as it can be used in a perovskite solar cell. For example, one or more selected from the group consisting of Pt, Al, Au, Ag, Pd, carbon nanotubes, carbon black, and conductive polymer may be used as the cylindrical electrode.

상기 원통형 전극의 외주면에는 홀 전도 층이 형성되어 있으며, 상기 페로브스카이트 층에서 발생하는 홀을 상기 원통형 전극으로 전달하는 역할을 한다. 바람직하게는, 상기 홀 전도 층의 두께는 50 nm 내지 1 um이다. A hole conductive layer is formed on the outer circumferential surface of the cylindrical electrode, and a hole generated in the perovskite layer is transmitted to the cylindrical electrode. Preferably, the thickness of the hole conductive layer is 50 nm to 1 um.

상기 홀 전도 층으로는, 페로브스카이트 태양 전지에서 사용될 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 일례로, 상기 상기 홀 전도 층으로 스피로-OMeTAD(2,2',7,7'-테트라키스-(N,N-디-p-메톡시페닐아민)9,9'-스피로비플루오렌)), P3HT(폴리(3-헥실티오펜)), PCPDTBT(폴리[2,1,3-벤조티아디아졸-4,7-디일[4,4-비스(2-에틸헥실)-4H-시클로펜타[2,1-b:3,4-b']디티오펜-2,6-디일]]), PVK(폴리(N-비닐카바졸)), HTM-TFSI(1-헥실-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드), Li-TFSI(리튬 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드), tBP(tert-부틸피리딘), 및 PDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate))로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 사용할 수 있다. The hole conduction layer is not particularly limited as long as it can be used in a perovskite solar cell. For example, spiro-OMeTAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis- (N, N-di-p-methoxyphenylamine) 9,9'-spirobifluorene) ), P3HT (poly (3-hexylthiophene)), PCPDTBT (poly [2,1,3-benzothiadiazole-4,7- (Poly (N-vinylcarbazole)), HTM-TFSI (1-hexyl-3-methyl PTS (Poly (3 (3-hydroxyphenyl) imidazolium) imide), Li-TFSI (lithium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide), tBP , 4-ethylenedioxythiophene) poly (styrenesulfonate)) may be used.

상기 홀 전도층의 외주면에는 페로브스카이트 층이 형성되어 있다. 상기 페로브스카이트 층은 태양광을 흡수하여 엑시톤을 형성하는 역할을 한다. 바람직하게는, 상기 페로브스카이트 층의 두께는 200 nm 내지 10 um이다. A perovskite layer is formed on the outer circumferential surface of the hole conductive layer. The perovskite layer absorbs sunlight to form excitons. Preferably, the thickness of the perovskite layer is 200 nm to 10 μm.

상기 페로브스카이트는, 페로브스카이트 태양 전지에서 사용될 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 일례로, 상기 페로브스카이트는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다. The perovskite is not particularly limited as long as it can be used in a perovskite solar cell. For example, the perovskite may use a compound represented by the following formula (1) or (2).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

AMX3 AMX 3

[화학식 2](2)

A2MX4 A 2 MX 4

상기 화학식 1 및 2에서, In the above Formulas 1 and 2,

A는 각각 독립적으로 R1R2R3R4N+ 또는 (R5R6N=CH-NR7R8)+의 유기 양이온이고, A is independently an organic cation of R 1 R 2 R 3 R 4 N + or (R 5 R 6 N = CH-NR 7 R 8 ) + ,

여기서, R1 내지 R8는 각각 독립적으로 수소, 또는 C1-10 알킬이고, 단 R1, R2, R3 및 R4는 중 적어도 하나는 C1-10 알킬이고,Wherein R 1 to R 8 are each independently hydrogen or C 1-10 alkyl, provided that at least one of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 is C 1-10 alkyl,

M은 2가의 금속 양이온이고,M is a divalent metal cation,

X는 각각 독립적으로 할로겐이다. X is each independently halogen.

바람직하게는, A는 각각 독립적으로 CH3NH3 + 또는 (H2N=CH-NH2)+이다. Preferably, A is independently CH 3 NH 3 + or (H 2 N = CH-NH 2 ) + .

바람직하게는, M은 Pb2 +, Sn2 +, Pd2 +, Cu2 +, Ge2 +, Sr2 +, Cd2 +, Ca2 +, Ni2 +, Mn2 +, Fe2+, Co2+, Sn2+, Yb2+, 또는 Eu2+이다. Preferably, M is Pb 2 +, Sn 2 +, Pd 2 +, Cu 2 +, Ge 2 +, Sr 2 +, Cd 2 +, Ca 2 +, Ni 2 +, Mn 2 +, Fe 2+, Co 2+ , Sn 2+ , Yb 2+ , or Eu 2+ .

바람직하게는, X는 각각 독립적으로 Cl-, Br-, 또는 I-이다. X는 서로 상이할 수 있기 때문에, 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 2종 이상의 할로겐을 포함할 수 있다. Preferably, X is independently Cl - is -, Br -, or I. Since X may be different from each other, the compound represented by Formula 1 or 2 may include two or more halogens.

상기 페로브스카이트 층의 외주면에는 금속 산화물 층이 형성되어 있다. 상기 금속 산화물 층은 페로브스카이트 층에서 형성된 전자를 효과적으로 투명 전극으로 전달하는 역할을 한다. 바람직하게는, 상기 금속 산화물 층의 두께는 20 nm 내지 2 um이다. A metal oxide layer is formed on the outer circumferential surface of the perovskite layer. The metal oxide layer effectively transfers the electrons formed in the perovskite layer to the transparent electrode. Preferably, the thickness of the metal oxide layer is 20 nm to 2 탆.

상기 금속 산화물 층은, 페로브스카이트 태양 전지에서 사용될 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 일례로, 상기 금속 산화물로 TiO2, SnO2, ZnO, Nb2O5, Ta2O5, WO3, W2O5, In2O3, Ga2O3, Nd2O3, PbO, 또는 CdO를 사용할 수 있다. The metal oxide layer is not particularly limited as long as it can be used in a perovskite solar cell. For example, the metal oxide may include TiO 2 , SnO 2 , ZnO, Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , WO 3 , W 2 O 5 , In 2 O 3 , Ga 2 O 3 , Nd 2 O 3 , PbO, Or CdO may be used.

상기 금속 산화물 층의 외주면에는 투명 전극 층이 형성되어 있다. 상기 투명 전극 층은, 상기 원통형 전극의 대항 전극의 역할을 한다. A transparent electrode layer is formed on the outer circumferential surface of the metal oxide layer. The transparent electrode layer serves as a counter electrode of the cylindrical electrode.

상기 투명 전극으로는, 페로브스카이트 태양 전지에서 사용될 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 일례로, 상기 투명 전극으로 불소 함유 산화주석(FTO; Fouorine doped Tin Oxide), 인듐 함유 산화주석(ITO; Indium doped Tin Oxide) 등을 사용할 수 있다. The transparent electrode is not particularly limited as long as it can be used in a perovskite solar cell. For example, as the transparent electrode, fluorine-containing tin oxide (FTO), indium doped tin oxide (ITO), or the like can be used.

또한 바람직하게는, 상기 투명 전극 층의 외주면에 투명 필름이 추가로 형성될 수 있다. 페로브스카이트는 수분에 민감하여 수분에 노출시 분해 등의 문제가 있어 태양전지에 적용시 장기 안정성이 떨어지는 단점이 있다. 따라서, 상기와 같이 투명 필름을 추가로 형성하여 수분이 원통형 페로브스카이트 내부로 침투하는 것을 차단할 수 있다. Also, a transparent film may be further formed on the outer circumferential surface of the transparent electrode layer. Perovskite is susceptible to moisture and has problems such as decomposition upon exposure to moisture, which is disadvantageous in that the long-term stability is poor when applied to solar cells. Therefore, a transparent film may be additionally formed as described above to prevent moisture from penetrating into the cylindrical perovskite.

상기 투명 필름으로는, 페로브스카이트 태양 전지에서 사용될 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 일례로, 상기 투명 필름으로 PET, PI, 및 glass로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 사용할 수 있다. The transparent film is not particularly limited as long as it can be used in a perovskite solar cell. For example, one or more selected from the group consisting of PET, PI, and glass may be used as the transparent film.

본 발명에 따른 원통형 페로브스카이트 태양 전지는, 페로브스카이트 층이 원통형으로 형성되어 있기 때문에 태양광의 입사각과 무관하게 다양한 입사각의 태양광을 흡수할 수 있어, 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다. The cylindrical perovskite solar cell according to the present invention is capable of absorbing sunlight having various incidence angles irrespective of the incident angle of sunlight because the perovskite layer is formed in a cylindrical shape, have.

또한, 본 발명은 상기 원통형 페로브스카이트 태양 전지의 제조 방법을 제공한다. 구체적으로, 1) 원통형의 투명 전극, 또는 원통형의 투명 필름의 내주면에 증착된 투명 전극의 내주면에 금속 산화물 층을 코팅하는 단계; 2) 상기 금속 산화물 층의 내주면에 페로브스카이트 층을 코팅하는 단계; 3) 상기 페로브스카이트 층의 내주면에 홀 전도 층을 코팅하는 단계; 및 4) 상기 홀 전도 층의 내주면에 전극을 코팅하는 단계를 포함하는 제조 방법을 제조할 수 있다. The present invention also provides a method of manufacturing the cylindrical perovskite solar cell. Specifically, 1) coating a metal oxide layer on the inner circumferential surface of a cylindrical transparent electrode or a transparent electrode deposited on an inner circumferential surface of a cylindrical transparent film; 2) coating a perovskite layer on the inner peripheral surface of the metal oxide layer; 3) coating the hole conductive layer on the inner circumferential surface of the perovskite layer; And 4) coating an electrode on the inner circumferential surface of the hole conductive layer.

상기 단계 1은 금속 산화물을 포함하는 페이스트를 코팅하고 이를 열처리하여 수행할 수 있다. 이때 열처리는 400℃ 내지 600℃에서 1분 내지 1시간 동안 수행하는 것이 바람직하다. The step 1 may be performed by coating a paste containing a metal oxide and heat treating the paste. At this time, the heat treatment is preferably performed at 400 ° C to 600 ° C for 1 minute to 1 hour.

상기 단계 2는, 페로브스카이트 화합물을 포함하는 용액을 도포하는 방법으로 수행할 수 있으며, 이 경우 딥 코팅이 바람직하다. 상기 용액의 도포는 10초 내지 10분 동안 수행할 수 있다. 또한, 상기 용액의 도포는 25 내지 70℃에서 수행하는 것이 바람직하다. 상기 도포 후에는, 30 내지 200℃로 열처리를 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 열처리는 1분 내지 60분 동안 수행하는 것이 바람직하다. Step 2 may be carried out by applying a solution containing a perovskite compound, in which case dip coating is preferred. The application of the solution can be performed for 10 seconds to 10 minutes. In addition, it is preferable that the application of the solution is carried out at 25 to 70 캜. After the application, it is preferable to perform the heat treatment at 30 to 200 캜. Also, the heat treatment is preferably performed for 1 minute to 60 minutes.

상기 단계 3은, 홀 전도성 물질을 포함하는 용액을 도포하는 방법으로 수행할 수 있으며, 이 경우 딥 코팅이 바람직하다. 상기 용액의 도포는 10초 내지 10분 동안 수행할 수 있다. 또한, 상기 용액의 도포는 25 내지 70℃에서 수행하는 것이 바람직하다.Step 3 may be carried out by applying a solution containing a hole-conducting material, in which dip coating is preferred. The application of the solution can be performed for 10 seconds to 10 minutes. In addition, it is preferable that the application of the solution is carried out at 25 to 70 캜.

상기 단계 4는, 전극으로 사용될 물질을 증착하는 방법으로 형성할 수 있다. 바람직하게는, 상기 증착은 진공에서 수행한다. Step 4 may be formed by depositing a material to be used as an electrode. Preferably, the deposition is performed in vacuum.

본 발명에 따른 원통형 페로브스카이트 태양 전지는, 태양광의 입사각과 무관하게 태양광을 흡수할 수 있어, 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다는 특징이 있다. The cylindrical perovskite solar cell according to the present invention is capable of absorbing solar light irrespective of the angle of incidence of sunlight, thereby improving the efficiency of the solar cell.

도 1은, 본 발명의 원통형 페로브스카이트 태양 전지의 구조를 도식적으로 나타낸 것이다. Fig. 1 schematically shows the structure of a cylindrical perovskite solar cell of the present invention.

Claims (11)

원통형의 전극;
상기 전극의 외주면에 형성된 홀 전도 층;
상기 홀 전도층의 외주면에 형성된 페로브스카이트 층;
상기 페로브스카이트 층의 외주면에 형성된 금속 산화물 층; 및
상기 금속 산화물 층의 외주면에 형성된 투명 전극 층을 포함하는,
원통형 페로브스카이트 태양 전지.
A cylindrical electrode;
A hole conduction layer formed on an outer circumferential surface of the electrode;
A perovskite layer formed on an outer peripheral surface of the hole conductive layer;
A metal oxide layer formed on an outer circumferential surface of the perovskite layer; And
And a transparent electrode layer formed on an outer peripheral surface of the metal oxide layer,
Cylindrical perovskite solar cells.
제1항에 있어서,
상기 원통형의 전극의 지름이 1 um 내지 10 cm인 것을 특징으로 하는,
원통형 페로브스카이트 태양 전지.
The method according to claim 1,
Characterized in that the cylindrical electrode has a diameter of 1 to 10 cm.
Cylindrical perovskite solar cells.
제1항에 있어서,
상기 원통형의 전극은 Pt, Al, Au, Ag, Pd, 탄소나노튜브, 카본블랙, 및 전도성 폴리머로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
원통형 페로브스카이트 태양 전지.
The method according to claim 1,
Wherein the cylindrical electrode is at least one selected from the group consisting of Pt, Al, Au, Ag, Pd, carbon nanotubes, carbon black, and conductive polymer.
Cylindrical perovskite solar cells.
제1항에 있어서,
상기 홀 전도 층의 두께가 50 nm 내지 1 um인 것을 특징으로 하는,
원통형 페로브스카이트 태양 전지.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the hole conductive layer is 50 nm to 1 [mu] m.
Cylindrical perovskite solar cells.
제1항에 있어서,
상기 홀 전도 층은 스피로-OMeTAD(2,2',7,7'-테트라키스-(N,N-디-p-메톡시페닐아민)9,9'-스피로비플루오렌)), P3HT(폴리(3-헥실티오펜)), PCPDTBT(폴리[2,1,3-벤조티아디아졸-4,7-디일[4,4-비스(2-에틸헥실)-4H-시클로펜타[2,1-b:3,4-b']디티오펜-2,6-디일]]), PVK(폴리(N-비닐카바졸)), HTM-TFSI(1-헥실-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드), Li-TFSI(리튬 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드), tBP(tert-부틸피리딘), 및 PDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate))로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
원통형 페로브스카이트 태양 전지.
The method according to claim 1,
The hole-transporting layer may be formed by spiro-OMeTAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis- (N, N-di-p- methoxyphenylamine) 9,9'-spirobifluorene) (3-hexylthiophene), PCPDTBT (poly [2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl [4,4-bis (2-ethylhexyl) -4H-cyclopenta [ 1-b: 3,4-b '] dithiophene-2,6-diyl]]), PVK (poly (N-vinylcarbazole)), HTM-TFSI (Trifluoromethylsulfonyl) imide), Li-TFSI (lithium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide), tBP (tert-butylpyridine), and PDOT: PSS (Poly (3,4-ethylenedioxythiophene ) poly (styrenesulfonate)). < RTI ID = 0.0 >
Cylindrical perovskite solar cells.
제1항에 있어서,
상기 페로브스카이트 층의 두께가 200 nm 내지 10 um인 것을 특징으로 하는,
원통형 페로브스카이트 태양 전지.
The method according to claim 1,
Characterized in that the thickness of the perovskite layer is between 200 nm and 10 < RTI ID = 0.0 > um. ≪
Cylindrical perovskite solar cells.
제1항에 있어서,
상기 페로브스카이트는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는,
원통형 페로브스카이트 태양 전지:
[화학식 1]
AMX3
[화학식 2]
A2MX4
상기 화학식 1 및 2에서,
A는 각각 독립적으로 R1R2R3R4N+ 또는 (R5R6N=CH-NR7R8)+의 유기 양이온이고,
여기서, R1 내지 R8는 각각 독립적으로 수소, 또는 C1-10 알킬이고, 단 R1, R2, R3 및 R4는 중 적어도 하나는 C1-10 알킬이고,
M은 2가의 금속 양이온이고,
X는 각각 독립적으로 할로겐이다.
The method according to claim 1,
Wherein the perovskite is a compound represented by the following formula (1) or a compound represented by the following formula (2)
Cylindrical Perovskite Solar Cell:
[Chemical Formula 1]
AMX 3
(2)
A 2 MX 4
In the above Formulas 1 and 2,
A is independently an organic cation of R 1 R 2 R 3 R 4 N + or (R 5 R 6 N = CH-NR 7 R 8 ) + ,
Wherein R 1 to R 8 are each independently hydrogen or C 1-10 alkyl, provided that at least one of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 is C 1-10 alkyl,
M is a divalent metal cation,
X is each independently halogen.
제1항에 있어서,
상기 금속 산화물 층의 두께가 20 nm 내지 2 um인 것을 특징으로 하는,
원통형 페로브스카이트 태양 전지.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the metal oxide layer is 20 nm to 2 [mu] m.
Cylindrical perovskite solar cells.
제1항에 있어서,
상기 금속 산화물은 TiO2, SnO2, ZnO, Nb2O5, Ta2O5, WO3, W2O5, In2O3, Ga2O3, Nd2O3, PbO, 또는 CdO인 것을 특징으로 하는,
원통형 페로브스카이트 태양 전지.
The method according to claim 1,
The metal oxide is TiO 2, SnO 2, ZnO, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, WO 3, W 2 O 5, In 2 O 3, Ga 2 O 3, Nd 2 O 3, PbO, or CdO ≪ / RTI >
Cylindrical perovskite solar cells.
제1항에 있어서,
상기 투명 전극은 불소 함유 산화주석(FTO; Fouorine doped Tin Oxide), 또는 인듐 함유 산화주석(ITO; Indium doped Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는,
원통형 페로브스카이트 태양 전지.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent electrode is made of fluorine-containing tin oxide (FTO) or indium-doped tin oxide (ITO).
Cylindrical perovskite solar cells.
제1항에 있어서,
상기 투명 전극 층의 외주면에 투명 필름이 추가로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는,
원통형 페로브스카이트 태양 전지.
The method according to claim 1,
Wherein a transparent film is additionally formed on an outer circumferential surface of the transparent electrode layer.
Cylindrical perovskite solar cells.
KR1020150178579A 2015-12-14 2015-12-14 Cylindrical perovskite solar cell KR20170070721A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150178579A KR20170070721A (en) 2015-12-14 2015-12-14 Cylindrical perovskite solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150178579A KR20170070721A (en) 2015-12-14 2015-12-14 Cylindrical perovskite solar cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170070721A true KR20170070721A (en) 2017-06-22

Family

ID=59283067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150178579A KR20170070721A (en) 2015-12-14 2015-12-14 Cylindrical perovskite solar cell

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20170070721A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110114889A (en) * 2017-11-15 2019-08-09 君泰创新(北京)科技有限公司 Solar battery and combination electrode thereon and preparation method thereof
WO2022255804A1 (en) * 2021-06-02 2022-12-08 주성엔지니어링(주) Solar cell and method for manufacturing same
CN115915791A (en) * 2022-09-28 2023-04-04 中国科学技术大学 Metal substrate perovskite structure, preparation method and solar cell

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5178705B2 (en) * 2006-03-30 2013-04-10 ソルインドラ,インコーポレーテッド Non-planar solar unit assembly with internal spacing
KR101430139B1 (en) * 2012-06-29 2014-08-14 성균관대학교산학협력단 Manufacturing technology perovskite-based mesoporous thin film solar cell
KR20150125618A (en) * 2014-04-30 2015-11-09 주식회사 엘지화학 Solar cell and method for manufacturing the same
KR101571528B1 (en) * 2014-07-01 2015-11-25 한국화학연구원 Perovskite solar cell improving photoelectric conversion efficiency and the manufacturing method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5178705B2 (en) * 2006-03-30 2013-04-10 ソルインドラ,インコーポレーテッド Non-planar solar unit assembly with internal spacing
KR101430139B1 (en) * 2012-06-29 2014-08-14 성균관대학교산학협력단 Manufacturing technology perovskite-based mesoporous thin film solar cell
KR20150125618A (en) * 2014-04-30 2015-11-09 주식회사 엘지화학 Solar cell and method for manufacturing the same
KR101571528B1 (en) * 2014-07-01 2015-11-25 한국화학연구원 Perovskite solar cell improving photoelectric conversion efficiency and the manufacturing method thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110114889A (en) * 2017-11-15 2019-08-09 君泰创新(北京)科技有限公司 Solar battery and combination electrode thereon and preparation method thereof
WO2022255804A1 (en) * 2021-06-02 2022-12-08 주성엔지니어링(주) Solar cell and method for manufacturing same
CN115915791A (en) * 2022-09-28 2023-04-04 中国科学技术大学 Metal substrate perovskite structure, preparation method and solar cell
CN115915791B (en) * 2022-09-28 2023-09-15 中国科学技术大学 Metal substrate perovskite structure, preparation method and solar cell

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2022201316B2 (en) Device architecture
Zhang et al. Molecularly tailored SnO2/perovskite interface enabling efficient and stable FAPbI3 solar cells
Zhao et al. Introduction of multifunctional triphenylamino derivatives at the perovskite/HTL interface to promote efficiency and stability of perovskite solar cells
KR101740654B1 (en) Organic/inorganic hybrid perovskite compound, preparing method thereof, and solar cell comprising the same
JP2018517304A (en) Method for depositing perovskite materials
JP6697406B2 (en) Transparent electrode, electronic device, and method for manufacturing electronic device
JP6418469B2 (en) Solar cell
JP6598971B2 (en) Organic-inorganic mixed perovskite, method for producing the same, and solar cell including the same
KR102102461B1 (en) Solar cell and preparation method thereof
JP2018056473A (en) Perovskite solar battery arranged by use of pyridine derivative
KR101116250B1 (en) Nanostructured inorganic-organic heterojunction solar cells and fabrication method thereof
Wu et al. Multifunctional two-dimensional benzodifuran-based polymer for eco-friendly perovskite solar cells featuring high stability
KR20170070721A (en) Cylindrical perovskite solar cell
CN113782677A (en) Solar cell device and manufacturing method thereof
Sumona et al. Optimization of Perovskite-KSnI3 Solar Cell by Using Different Hole and Electron Transport Layers: A Numerical SCAPS-1D Simulation
KR101994429B1 (en) Method for preparation of absorber of solar cell
KR101701670B1 (en) Perovskite solar cells containing N-type semiconductors modified with oxygen and halogen atoms, and fabricating method thereof
KR101619780B1 (en) hole-transporting material for inorganic-organic hybrid perovskite solar cells
KR101791801B1 (en) Perovskite solar cells containing N-type semiconductors modified with chalcogens, and fabricating method therof
KR101976115B1 (en) A compound having acryl group as an absorber, method for preparation thereof, and solar cell comprising the same
Liu et al. High-Performance Perovskite Solar Cells by Doping Didodecyl Dimethyl Ammonium Bromide in the Hole Transport Layer
KR102167415B1 (en) Fabrication method of solar cells with metal chalcogenide-modified N-type semiconductors and solar cells prepared therefrom
KR101994427B1 (en) Method for preparation of absorber of solar cell
KR20170073387A (en) Cylindrical perovskite solar cell
Fakharuddin et al. Hybrid organic/inorganic and perovskite solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application