KR20170067805A - Brittle base plate disjoining method - Google Patents

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Abstract

스크라이빙 휠(51)을 하중(F)을 가하면서 전동시킴으로써 유리 기판(4) 상에 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 스크라이빙 휠(51)은 하중(F)의 면 내 성분(Fi)의 방향과 동일한 진행 방향(DP)을 향하여 진행된다. 트렌치 라인(TL)을 형성하는 공정은, 크랙리스 상태가 얻어지도록 행해진다. 두께 방향(DT)에 있어서의 유리 기판(4)의 크랙을 트렌치 라인(TL)을 따라서 진행 방향을 향하여 신전(伸展)시킴으로써, 크랙 라인(CL)이 형성된다. 크랙 라인(CL)에 의해 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 유리 기판(4)은 트렌치 라인(TL)과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다. 크랙 라인(CL)을 따라서 유리 기판(4)이 분단된다.The trench line TL is formed on the glass substrate 4 by rolling the scribing wheel 51 while applying the load F. [ The scribing wheel 51 proceeds toward the traveling direction DP which is the same as the direction of the in-plane component Fi of the load F. [ The process of forming the trench line TL is performed so as to obtain a crackle state. The crack line CL is formed by extending a crack of the glass substrate 4 in the thickness direction DT toward the advancing direction along the trench line TL. The glass substrate 4 is disconnected continuously in the direction crossing the trench line TL immediately below the trench line TL by the crack line CL. The glass substrate 4 is divided along the crack line CL.

Description

취성 기판의 분단 방법{BRITTLE BASE PLATE DISJOINING METHOD}[0001] BRITTLE BASE PLATE DISJOINING METHOD [0002]

본 발명은, 취성 기판(brittle base plate)의 분단 방법에 관한 것으로서, 특히, 스크라이빙 휠(scribing wheel)을 이용한 분단 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of dividing a brittle base plate, and more particularly, to a dividing method using a scribing wheel.

플랫 디스플레이 패널 또는 태양 전지 패널 등의 전기 기기의 제조에 있어서, 유리 기판 등의 취성 기판을 분단하는 일이 자주 필요해진다. 우선 기판 상에 스크라이브 라인이 형성되고, 다음으로 이 스크라이브 라인을 따라 기판이 분단된다. 스크라이브 라인은, 날끝을 이용하여 기판을 기계적으로 가공함으로써 형성될 수 있다. 날끝이 기판 상을 슬라이딩 또는 전동(rolling)함으로써, 기판 상에 소성 변형에 의한 트렌치가 형성됨과 동시에, 이 트렌치의 바로 아래에는 수직 크랙이 형성된다. 그 후, 브레이크 공정으로 불리는 응력 부여가 이루어진다. 브레이크 공정에 의해 크랙을 두께 방향으로 완전하게 진행시킴으로써, 기판이 분단된다.In the production of electric devices such as a flat display panel or a solar cell panel, it is often necessary to separate a brittle substrate such as a glass substrate. First, a scribe line is formed on the substrate, and then the substrate is divided along the scribe line. The scribe line can be formed by mechanically processing the substrate by using a blade tip. By sliding or cutting the edge of the substrate on the substrate, a trench due to plastic deformation is formed on the substrate, and a vertical crack is formed immediately below the trench. Thereafter, a stress imparting called a braking process is applied. By progressing the cracks completely in the thickness direction by the breaking process, the substrate is divided.

기판이 분단되는 공정은, 기판에 스크라이브 라인을 형성하는 공정의 직후에 행해지는 경우가 많다. 그러나, 스크라이브 라인을 형성하는 공정과 브레이크 공정의 사이에 있어서 기판을 가공하는 공정을 행하는 것도 제안되고 있다. 기판을 가공하는 공정이란, 예를 들면, 기판 상에 어떠한 부재를 형성하는 공정이다.The step of dividing the substrate is often performed immediately after the step of forming the scribe line on the substrate. However, it has also been proposed to perform a step of machining a substrate between a step of forming a scribe line and a step of breaking. The step of processing the substrate is, for example, a step of forming any member on the substrate.

예를 들면 국제공개공보 제2002/104078호의 기술에 의하면, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법에 있어서, 밀봉 캡을 장착하기 전에 각 유기 EL 디스플레이가 되는 영역마다 유리 기판 상에 스크라이브 라인이 형성된다. 이 때문에, 밀봉 캡을 형성한 후에 유리 기판 상에 스크라이브 라인을 형성했을 때에 문제가 되는 밀봉 캡과 유리 날끝의 접촉을 회피시킬 수 있다.For example, according to the technique of International Publication No. 2002/104078, in a method of manufacturing an organic EL display, a scribe line is formed on a glass substrate for each region to be an organic EL display before mounting a sealing cap. Therefore, when the scribe line is formed on the glass substrate after the sealing cap is formed, contact between the sealing cap and the glass edge can be avoided.

또한 예를 들면 국제공개공보 제2003/006391호의 기술에 의하면, 액정 표시 패널의 제조 방법에 있어서, 2개의 유리 기판이, 스크라이브 라인이 형성된 후에 접합된다. 이에 따라 한 번의 브레이크 공정으로 2매의 취성 기판을 동시에 브레이크할 수 있다.Further, according to the technique of International Publication No. 2003/006391, for example, in the method of manufacturing a liquid crystal display panel, two glass substrates are bonded after scribe lines are formed. Thus, two brittle substrates can be simultaneously braked by one braking process.

국제공개공보 제2002/104078호International Publication No. 2002/104078 국제공개공보 제2003/006391호International Publication No. 2003/006391

상기 종래의 기술에 의하면, 취성 기판으로의 가공이 스크라이브 라인의 형성 후에 행해지고, 그 후 응력 부여에 의해 브레이크 공정이 행해진다. 이 경우는, 취성 기판으로의 가공시에 수직 크랙이 이미 존재하는 것을 의미한다. 이 수직 크랙의 두께 방향에 있어서의 더 한층의 신전(伸展)이 가공 중에 의도치 않게 발생함으로써, 가공 중은 일체여야 할 취성 기판이 분리되어 버리는 경우가 있을 수 있었다. 또한, 스크라이브 라인의 형성 공정과 기판의 브레이크 공정의 사이에 기판의 가공 공정이 행해지지 않은 경우에 있어서도, 통상, 스크라이브 라인의 형성 공정의 후 또한 기판의 브레이크 공정의 전에 기판의 반송 또는 보관이 필요하고, 그 때에 기판이 의도치 않게 분단되어 버리는 경우가 있을 수 있었다.According to the above conventional technique, machining into a brittle substrate is carried out after formation of the scribe line, and thereafter, the braking process is performed by stress application. This means that a vertical crack already exists at the time of processing into the brittle substrate. Further elongation in the thickness direction of the vertical cracks unexpectedly occurs during processing, so that the brittle substrate, which should be integrated during processing, may be separated. Further, even when the substrate processing step is not performed between the scribing line forming step and the substrate breaking step, it is usually necessary to carry or store the substrate after the scribing line forming step and before the substrate breaking step At that time, the substrate may be unintentionally divided.

본 발명은 이상과 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 목적은, 취성 기판이 분단되는 위치를 미리 규정하면서도, 분단되어야 할 시점보다 전에 취성 기판이 의도치 않게 분단되는 것을 방지할 수 있는 취성 기판의 분단 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a brittle substrate, which is capable of preventing a brittle substrate from being unintentionally divided before a time when a brittle substrate is to be divided, The method comprising:

본 발명의 취성 기판의 분단 방법은, 날끝이 형성된 외주부를 회전축 주위에 갖는 스크라이빙 휠을 이용한 취성 기판의 분단 방법으로서, 이하의 공정을 갖는다.The breaking method of the brittle substrate according to the present invention is a breaking method of a brittle substrate using a scribing wheel having an outer peripheral portion with a blade edge formed around the rotation axis, and has the following steps.

제1 면과, 제1 면과 반대인 제2 면을 갖고, 제1 면에 수직인 두께 방향을 갖는 취성 기판이 준비된다.A brittle substrate having a first surface, a second surface opposite to the first surface, and a thickness direction perpendicular to the first surface is prepared.

다음으로, 스크라이빙 휠에 하중을 가함으로써 스크라이빙 휠의 외주부를 취성 기판의 제1 면 상으로 밀어붙이면서 취성 기판의 제1 면 상에서 스크라이빙 휠을 전동시킴으로써 취성 기판의 제1 면 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인이 형성된다. 하중은, 취성 기판의 제1 면에 평행한 면 내 성분을 갖는다. 트렌치 라인을 형성하는 공정에 있어서, 스크라이빙 휠은 제1 면 상을 면 내 성분의 방향과 동일한 진행 방향을 향하여 진행된다. 트렌치 라인을 형성하는 공정은, 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 취성 기판이 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 행해진다.Next, by applying a load to the scribing wheel, the outer peripheral portion of the scribing wheel is pressed onto the first surface of the brittle substrate, and the scribing wheel is rotated on the first surface of the brittle substrate, The trench line having the groove shape is formed. The load has in-plane components parallel to the first surface of the brittle substrate. In the step of forming the trench line, the scribing wheel proceeds on the first surface toward the same traveling direction as the direction of the in-plane component. The step of forming the trench line is performed so as to obtain a crackle state in a state in which the brittle substrate is continuously connected in the direction crossing the trench line immediately below the trench line.

다음으로, 두께 방향에 있어서의 취성 기판의 크랙을 트렌치 라인을 따라서 진행 방향을 향하여 신전시킴으로써, 크랙 라인이 형성된다. 크랙 라인에 의해 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 취성 기판은, 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적 연결이 끊어져 있다.Next, a crack line is formed by extending a crack of the brittle substrate in the thickness direction toward the advancing direction along the trench line. The brittle substrate immediately below the trench line by the crack line is disconnected continuously in the direction crossing the trench line.

다음으로, 크랙 라인을 따라서 취성 기판이 분단된다.Next, the brittle substrate is divided along the crack line.

본 발명에 의하면, 취성 기판이 분단되는 위치를 규정하는 라인으로서, 그 바로 아래에 크랙을 갖지 않는 트렌치 라인이 형성된다. 분단의 직접적인 계기로서 이용되게 되는 크랙 라인은, 트렌치 라인의 형성 후에 그를 따라 크랙을 신전시킴으로써 형성된다. 이에 따라, 트렌치 라인의 형성 후 또한 크랙 라인의 형성 전의 취성 기판은, 분단되는 위치가 트렌치 라인에 의해 규정되면서도, 크랙 라인이 아직 형성되어 있지 않기 때문에 용이하게 분단은 발생하지 않는 상태에 있다. 이 상태를 이용함으로써, 취성 기판이 분단되는 위치를 미리 규정하면서도, 분단되어야 할 시점보다 전에 취성 기판이 의도치 않게 분단되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, as a line defining the position where the brittle substrate is divided, a trench line having no crack is formed immediately below the line. The crackline to be used as a direct gauge of breakdown is formed by extending a crack along the trench line after it is formed. Thus, the brittle substrate after the formation of the trench line and before the formation of the crack line is in a state in which the division is not easily generated because the crack line is not yet formed, while the position where the brittle substrate is to be divided is defined by the trench line. By using this state, it is possible to prevent the brittle substrate from being unintentionally divided before the time when the brittle substrate is to be divided, while stipulating in advance the position where the brittle substrate is divided.

도 1은, 취성 기판의 분단 방법에 이용되는 커팅 기구의 구성을 개략적으로 나타내는 측면도이다.
도 2는, 도 1에 있어서의 스크라이빙 휠 및 핀의 구성을 개략적으로 나타내는 정면도(A) 및 그의 부분 확대도(B)이다.
도 3은, 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 구성을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 4는, 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 및 제2 공정을 개략적으로 나타내는 상면도 (A) 및 (B)이다.
도 5는, 도 4(A)에 있어서 형성되는 트렌치 라인의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도(A) 및 도 4(B)에 있어서 형성되는 크랙 라인의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도(B)이다.
도 6은, 본 발명의 실시 형태 1의 변형예에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도 (A) 및 (B)이다.
도 7은, 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 8은, 본 발명의 실시 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 9는, 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
1 is a side view schematically showing a configuration of a cutting mechanism used in a brittle substrate cutting method.
Fig. 2 is a front view (A) and a partially enlarged view (B) thereof schematically showing the configuration of the scribing wheel and pin in Fig.
Fig. 3 is a flow chart schematically showing a configuration of a method for separating a brittle substrate according to Embodiment 1 of the present invention. Fig.
4 is a top view (A) and a top view (B) schematically showing the first and second steps of the brittle substrate breaking method according to the first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a trench line formed in FIG. 4A and a cross-sectional view (B) schematically showing the configuration of a crack line formed in FIG. 4B.
6 is a top view (A) and a top view (B) schematically showing a dividing method of a brittle substrate in a modification of the first embodiment of the present invention.
Fig. 7 is a top view schematically showing a method of dividing a brittle substrate according to Embodiment 2 of the present invention. Fig.
Fig. 8 is a top view schematically showing a method of dividing a brittle substrate according to Embodiment 3 of the present invention. Fig.
Fig. 9 is a top view schematically showing a method of dividing a brittle substrate according to Embodiment 4 of the present invention. Fig.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에는 동일한 참조 번호를 붙이고 그 설명은 반복하지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

(실시 형태 1)(Embodiment 1)

도 1, 도 2(A) 및 도 2(B)를 참조하여, 우선 본 실시 형태의 유리 기판(4)(취성 기판)의 분단 방법에 이용되는 커팅 기구(50)에 대해서, 이하에 설명한다.With reference to Figs. 1, 2A and 2B, a cutting mechanism 50 used in the method of breaking the glass substrate 4 (brittle substrate) of the present embodiment will be described below .

커팅 기구(50)는, 스크라이브 헤드(도시하지 않음)에 부착됨으로써 유리 기판(4)에 대하여 상대적으로 이동함으로써, 유리 기판(4)에 대한 스크라이브를 행하는 것이다. 커팅 기구(50)는, 스크라이빙 휠(51)과, 핀(52)과, 홀더(53)를 갖는다. 스크라이빙 휠(51)은, 대체로 원반 형상의 형상을 갖고 있고, 그 직경은, 전형적으로는 수㎜ 정도이다. 스크라이빙 휠(51)은, 홀더(53)에 핀(52)을 통하여, 회전축(AX) 주위에 회전 가능하게 지지되어 있다.The cutting mechanism 50 is attached to a scribe head (not shown) to move relative to the glass substrate 4, thereby scribing the glass substrate 4. [ The cutting mechanism 50 has a scribing wheel 51, a pin 52, and a holder 53. The scribing wheel 51 has a substantially disk-like shape, and its diameter is typically on the order of several millimeters. The scribing wheel 51 is rotatably supported around the rotating shaft AX via a pin 52 to the holder 53. [

스크라이빙 휠(51)은, 날끝이 형성된 외주부(PF)를 갖는다. 외주부(PF)는, 회전축(AX) 주위에 원환 형상으로 연장되어 있다. 외주부(PF)는, 도 2(A)에 나타내는 바와 같이, 육안 레벨에서는 능선 형상으로 우뚝 솟아 있고, 이에 따라, 능선과 경사면으로 이루어지는 날끝을 구성하고 있다. 한편, 현미경 레벨에서는, 스크라이빙 휠(51)이 유리 기판(4) 내로 침입함으로써 실제로 작용하는 부분(도 2(B)의 이점쇄선보다도 하방)에 있어서 외주부(PF)의 능선은 미세한 표면 형상(MS)을 갖는다. 표면 형상(MS)은, 정면에서 볼 때(도 2(B))에 있어서, 유한한 곡률 반경을 갖는 곡선 형상을 갖는 것이 바람직하다. 스크라이빙 휠(51)은, 초경합금, 소결 다이아몬드, 다결정 다이아몬드 또는 단결정 다이아몬드 등의 경질 재료를 이용하여 형성되어 있다. 전술한 능선 및 경사면의 상면 거칠기를 작게 하는 관점에서 스크라이빙 휠(51) 전체가 단결정 다이아몬드로 만들어져도 좋다.The scribing wheel 51 has an outer peripheral portion PF on which a blade tip is formed. The outer peripheral portion PF extends in a toric shape around the rotary shaft AX. As shown in Fig. 2 (A), the outer peripheral portion PF rises in a ridge shape at the naked eye level, thereby forming a blade edge composed of a ridge line and an inclined plane. On the other hand, at the microscopic level, the ridgeline of the outer peripheral portion PF at the portion (actually lower than the dashed line in Fig. 2 (B)) actually affected by the penetration of the scribing wheel 51 into the glass substrate 4, Shape (MS). It is preferable that the surface shape MS has a curved shape having a finite radius of curvature in a front view (Fig. 2 (B)). The scribing wheel 51 is formed using a hard material such as a cemented carbide, sintered diamond, polycrystalline diamond, or single crystal diamond. The entire scribing wheel 51 may be made of single crystal diamond from the viewpoint of reducing the surface roughness of the above-mentioned ridgelines and slopes.

다음으로 커팅 기구(50)를 이용한 유리 기판(4)의 분단 방법에 대해서, 도 3에 나타내는 플로우를 참조하면서, 이하에 설명한다.Next, a method of cutting the glass substrate 4 using the cutting mechanism 50 will be described below with reference to the flow shown in Fig.

도 1 및 도 4(A)를 참조하여, 상면(SF1)(제1 면)과, 하면(SF2)(제1 면과 반대인 제2 면)을 갖는 유리 기판(4)이 준비된다(도 3: 스텝 S10). 유리 기판(4)은 상면(SF1)에 수직인 두께 방향(DT)을 갖는다. 도 4에 있어서, 유리 기판(4)은, 서로 대향하는 변(ED1 및 ED2)을 갖는다.1 and 4 (A), a glass substrate 4 having an upper surface SF1 (first surface) and a lower surface SF2 (second surface opposite to the first surface) is prepared 3: step S10). The glass substrate 4 has a thickness direction DT perpendicular to the top surface SF1. In Fig. 4, the glass substrate 4 has sides ED1 and ED2 facing each other.

다음으로, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에서 스크라이빙 휠(51)을 전동시킴으로써(도 1: 화살표(RT)), 스크라이빙 휠(51)이 상면(SF1) 상을 진행 방향(DP)으로 진행된다. 이 전동에 의한 진행은, 스크라이빙 휠(51)에 하중(F)을 가함으로써 스크라이빙 휠(51)의 외주부(PF)를 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상으로 밀어붙이면서 행해진다. 이에 따라 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인(TL)이 형성된다(도 3: 스텝 S20).Next, by moving the scribing wheel 51 on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 (Fig. 1: arrow RT), the scribing wheel 51 moves on the upper surface SF1 in the advancing direction (DP). This progression by the electric motor is performed while pushing the outer peripheral portion PF of the scribing wheel 51 onto the upper surface SF1 of the glass substrate 4 by applying the load F to the scribing wheel 51 All. Thus, plastic deformation is generated on the upper surface SF1 of the glass substrate 4, thereby forming a trench line TL having a groove shape (Fig. 3: step S20).

하중(F)은, 유리 기판(4)의 두께 방향(DT)에 평행한 수직 성분(Fp)과, 상면(SF1)에 평행한 면 내 성분(Fi)을 갖는다. 진행 방향(DP)은 면 내 성분(Fi)의 방향과 동일하다.The load F has a vertical component Fp parallel to the thickness direction DT of the glass substrate 4 and an in-plane component Fi parallel to the top face SF1. The traveling direction DP is the same as the direction of the in-plane component Fi.

도 5(A)를 참조하여, 전술한 트렌치 라인(TL)을 형성하는 공정은, 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 유리 기판(4)이 트렌치 라인(TL)과 교차하는 방향(DC)에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 행해진다. 크랙리스 상태에 있어서는, 소성 변형에 의해 트렌치 라인(TL)은 형성되어 있기는 하지만, 그것을 따른 크랙은 형성되어 있지 않다. 따라서 유리 기판(4)에 굽힘 모멘트가 가해져도, 트렌치 라인(TL)에 따른 분단은 용이하게는 발생하지 않는다. 크랙리스 상태를 얻기 위해서는, 수직 성분(Fp)(도 1)이 과도하게 커지지 않도록 하면 좋다.5A, the above-described step of forming the trench line TL is performed in the direction (DC) in which the glass substrate 4 intersects with the trench line TL immediately below the trench line TL, So as to obtain a cracked state in a state in which they are continuously connected to each other. In the cracked state, the trench line TL is formed by the plastic deformation, but no crack is formed along the trench line TL. Therefore, even if a bending moment is applied to the glass substrate 4, division according to the trench line TL does not easily occur. In order to obtain a crackle state, the vertical component Fp (Fig. 1) may not be excessively increased.

도 4(A)에 있어서는, 트렌치 라인(TL)은, 시점(始点)(N1)으로부터 도중점(N2)을 거쳐 종점(N3)까지 형성된다. 트렌치 라인(TL)은 상면(SF1)의 가장자리로부터 떨어져 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라 스크라이빙 휠(51)이 상면(SF1)의 가장자리와 접촉할 필요가 없어진다.In Fig. 4 (A), the trench line TL is formed from the starting point N1 to the end point N3 via the midpoint N2. The trench line TL is preferably formed away from the edge of the upper surface SF1. This eliminates the need for the scribing wheel 51 to contact the edge of the upper surface SF1.

또한 도 4(B)를 참조하여, 다음으로 어시스트 라인(AL)이 형성된다. 이를 계기로서, 트렌치 라인(TL)을 따라서 크랙 라인(CL)이 형성된다(도 3: 스텝 S30).Referring to Fig. 4 (B), an assist line AL is formed next. As a result, a crack line CL is formed along the trench line TL (Fig. 3: step S30).

도 5(B)를 참조하여, 크랙 라인(CL)에 의해서 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 유리 기판(4)은 트렌치 라인(TL)의 연재(延在) 방향(도 4(A) 및 (B)에 있어서의 횡방향)과 교차하는 방향(DC)에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다. 여기에서 「연속적인 연결」이란, 환언하면, 크랙에 의해 차단되어 있지 않은 연결이다. 또한, 전술한 바와 같이 연속적인 연결이 끊어져 있는 상태에 있어서, 크랙 라인(CL)의 크랙을 통하여 유리 기판(4)의 부분끼리 접촉하고 있어도 좋다. 크랙 라인(CL)의 형성은, 두께 방향(DT)에 있어서의 유리 기판(4)의 크랙(도 5(B) 참조)을 트렌치 라인(TL)을 따라서 진행 방향(DP)을 향하여 신전시킴으로써 행해진다.The glass substrate 4 is formed in the extending direction of the trench line TL (Fig. 4 (A)) immediately below the trench line TL by the crack line CL with reference to Fig. 5 (B) And in the direction (DC) intersecting with the longitudinal direction (lateral direction in Figs. 5A and 5B). Here, " continuous connection ", in other words, is a connection not blocked by a crack. Further, in the state where the continuous connection is disconnected as described above, the portions of the glass substrate 4 may be in contact with each other through the cracks of the crack line CL. The formation of the crack line CL is performed by extending a crack (see Fig. 5 (B)) of the glass substrate 4 in the thickness direction DT toward the advancing direction DP along the trench line TL All.

어시스트 라인(AL)은, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 있어서 트렌치 라인(TL)에 접하도록 형성되고, 본 실시 형태에 있어서는 트렌치 라인(TL)과 교차하도록 형성된다. 어시스트 라인(AL)은 일반적인 스크라이브 라인이며, 따라서, 유리 기판(4)의 두께 방향(DT)에 침투하는 크랙을 수반하고 있다. 어시스트 라인(AL)의 형성에는, 트렌치 라인(TL)의 형성에 이용한 커팅 기구(50)를 이용해도 좋지만, 그 경우, 트렌치 라인(TL)의 형성시의 하중(F)보다도 큰 하중이 필요하다. 또한, 보다 확실하게 어시스트 라인(AL)을 형성하기 위해서 다른 기구가 이용되어도 좋다. 예를 들면, 외주부(PF)를 따라서 요철 형상이 형성된 스크라이빙 휠이 이용되어도 좋다. 이러한 기구에 의하면, 보다 깊은 크랙을 수반하는 어시스트 라인(AL)을 형성하기 쉽다. 또한, 도 4(B)에 나타내는 바와 같이 유리 기판(4)의 가장자리로부터 떨어진 위치로부터 어시스트 라인(AL)이 개시되는 경우(소위 내측 커팅)에 있어서도, 보다 확실하게 크랙을 발생시킬 수 있다.The assist line AL is formed in contact with the trench line TL on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 and is formed so as to intersect with the trench line TL in the present embodiment. The assist line AL is a general scribe line and therefore involves a crack penetrating the thickness direction DT of the glass substrate 4. [ In order to form the assist line AL, a cutting mechanism 50 used for forming the trench line TL may be used. In this case, a load larger than the load F at the time of forming the trench line TL is required . Further, another mechanism may be used to more reliably form the assist line AL. For example, a scribing wheel having a concave-convex shape along the peripheral portion PF may be used. According to this mechanism, it is easy to form an assist line (AL) involving a deeper crack. Further, as shown in Fig. 4 (B), even when the assist line AL is started from a position away from the edge of the glass substrate 4 (so-called inner cutting), cracks can be generated more reliably.

또한 크랙 라인(CL)의 형성은, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 왜곡이 해방됨으로써 개시된다고 생각된다. 구체적으로는 이 내부 응력이, 어시스트 라인(AL)의 형성시에 유리 기판(4)에 가해지는 응력에 의해 해방된다고 생각된다. 크랙 라인(CL)의 형성이 개시되는 계기가 되는 처리는, 상기 어시스트 라인(AL)의 형성 처리에 한정되지 않고, 내부 응력이 개방되는 계기가 되는 어떠한 처리라도 좋다고 생각된다.It is considered that formation of the crack line CL is started by releasing the distortion of the internal stress in the vicinity of the trench line TL. Concretely, it is considered that the internal stress is released by the stress applied to the glass substrate 4 at the time of forming the assist line AL. It is considered that the process that is the trigger for starting the formation of the crack line CL is not limited to the process of forming the assist line AL but may be any process that causes the internal stress to be released.

본 발명자의 검토에 의하면, 도중점(N2)으로부터 종점(N3)으로의 방향에 비해, 도중점(N2)으로부터 시점(N1)으로의 방향으로는, 크랙 라인(CL)이 형성되기 어려웠다. 즉, 트렌치 라인(TL)의 형성시에 있어서의 스크라이빙 휠(51)의 진행 방향(DP)과 동일한 방향을 향하여 크랙 라인(CL)이 신전하기 쉽다는 방향 의존성이 존재했다. 이 원인은, 전술한 내부 응력의 분포에 기인한다고 생각된다.According to the examination by the inventor of the present invention, the crack line CL was hardly formed in the direction from the midpoint N2 to the viewpoint N1, as compared with the direction from the midpoint N2 to the end point N3. That is, there is a direction dependency that the crack line CL is liable to extend toward the same direction as the traveling direction DP of the scribing wheel 51 at the time of forming the trench line TL. This cause is considered to be due to the distribution of the internal stress described above.

다음으로, 스텝 S40(도 3)에서, 소위 브레이크 공정에 의해 크랙 라인(CL)을 따라서 유리 기판(4)이 분단된다. 브레이크 공정은, 예를 들면, 외력의 인가에 의해 유리 기판(4)을 휘게 함으로써 행할 수 있다. 또한 크랙 라인(CL)이 그 형성시에 두께 방향(DT)으로 완전하게 진행한 경우는, 크랙 라인(CL)의 형성과 유리 기판(4)의 분단이 동시에 발생할 수 있다. 이 경우, 브레이크 공정이 생략된다.Next, in step S40 (Fig. 3), the glass substrate 4 is divided along the crack line CL by a so-called break process. The breaking process can be performed, for example, by bending the glass substrate 4 by application of an external force. When the crack line CL is completely formed in the thickness direction DT at the time of its formation, the formation of the crack line CL and the division of the glass substrate 4 can occur at the same time. In this case, the braking process is omitted.

본 실시 형태에 의하면, 유리 기판(4)이 분단되는 위치를 규정하는 라인으로서, 그 바로 아래에 크랙을 갖지 않는 트렌치 라인(TL)(도 5(A))이 형성된다. 분단의 직접적인 계기로서 이용되게 되는 크랙 라인(CL)(도 5(B))은, 트렌치 라인(TL)의 형성 후에 그것을 따라서 크랙을 신전시킴으로써 형성된다. 이에 따라, 트렌치 라인(TL)의 형성 후 또한 크랙 라인(CL)의 형성 전의 유리 기판(4)(도 4(A))은, 유리 기판(4)이 분단되는 위치가 트렌치 라인(TL)에 의해 규정되면서도, 그것을 따른 크랙이 아직 형성되어 있지 않은 크랙리스 상태이다. 크랙리스 상태는, 유리 기판(4)에 대하여 과도하게 큰 응력이 가해지지 않는 한, 용이하게 유지된다. 따라서 이 크랙리스 상태의 사이에, 유리 기판(4)의 보관, 반송 및, 유리 기판(4) 상에서의 성막 및 에칭 등의 가공이, 의도치 않은 크랙의 발생을 수반하는 일 없이 안정적으로 행할 수 있다.According to the present embodiment, as a line defining the position where the glass substrate 4 is divided, a trench line TL (Fig. 5 (A)) having no cracks is formed immediately under the line. The crack line CL (FIG. 5 (B)) to be used as a direct gauge of division is formed by extending a crack along the trench line TL after formation thereof. Thus, the glass substrate 4 (Fig. 4 (A)) after the formation of the trench line TL and before the formation of the crack line CL has a position where the glass substrate 4 is divided into the trench line TL And a cracked state along which the crack is not yet formed. The crackle state is easily maintained as long as no excessive stress is applied to the glass substrate 4. Therefore, it is possible to stably perform the processing such as the storage and transport of the glass substrate 4 and the processing such as the film formation and etching on the glass substrate 4 without accompanied by the unintended occurrence of cracks during this crackle state have.

이상과 같이 본 실시 형태에 의하면, 크랙리스 상태를 이용함으로써, 유리 기판(4)이 분단되는 위치를 미리 규정하면서도, 소망하는 시점보다 전에 유리 기판(4)이 의도치 않게 분단되는 것을 막을 수 있다.As described above, according to the present embodiment, by using the crackle state, it is possible to prevent the glass substrate 4 from being unintentionally divided before a desired time, while specifying the position at which the glass substrate 4 is divided in advance .

또한 본 실시 형태에 있어서의 크랙 라인(CL)의 형성 공정은, 소위 브레이크 공정에 있어서의 크랙의 발생과 본질적으로 상이하다. 브레이크 공정은, 이미 형성되어 있는 크랙을 두께 방향으로 추가로 신전시킴으로써 기판을 완전하게 분리하는 것이다. 한편, 크랙 라인(CL)의 형성 공정은, 트렌치 라인(TL)의 형성에 의해 얻어진 크랙리스 상태로부터, 트렌치 라인(TL)을 따른 크랙을 갖는 상태로의, 질적 변화를 수반한다. 이 변화는, 크랙리스 상태가 갖는 내부 응력의 개방에 의해 발생한다고 생각된다.In addition, the step of forming the crack line CL in this embodiment is essentially different from the occurrence of the crack in the so-called break step. The breaking process is to completely separate the substrate by further extending the already formed cracks in the thickness direction. On the other hand, the process of forming the crack line CL involves a qualitative change from a crackle state obtained by forming the trench line TL to a state having a crack along the trench line TL. It is considered that this change is caused by the opening of the internal stress of the crackle state.

다음으로, 본 실시 형태의 변형예에 대해서 설명한다. 도 6(A)를 참조하여, 어시스트 라인(AL)이 형성된 것만으로는 트렌치 라인(TL)을 따른 크랙 라인(CL)이 형성되지 않는 경우가 있다. 도 6(B)를 참조하여, 그러한 경우라도, 어시스트 라인(AL)을 따라서 유리 기판(4)을 분리함으로써, 크랙 라인(CL)의 형성을 개시시킬 수 있다.Next, a modified example of the present embodiment will be described. Referring to FIG. 6 (A), a crack line CL along the trench line TL may not be formed only by forming the assist line AL. Referring to Fig. 6 (B), even in such a case, the formation of the crack line CL can be started by separating the glass substrate 4 along the assist line AL.

또한 본 변형예에 있어서의 어시스트 라인(AL)은, 전술한 크랙 라인(CL)과 동일한 방법으로 형성되어도 좋다. 즉, 트렌치 라인의 형성 후에 그것을 따라서 크랙을 형성함으로써 형성되어도 좋다.The assist line AL in this modification may be formed in the same manner as the crack line CL described above. That is, it may be formed by forming a crack along the trench line after formation thereof.

(실시 형태 2)(Embodiment 2)

본 실시 형태의 유리 기판(4)의 분단 방법에 있어서도, 우선 상기 실시 형태 1과 동일한 방법에 의해, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 트렌치 라인(TL)(도 4(A))이 형성된다.The trench line TL (Fig. 4 (A)) is formed on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 by the same method as in the first embodiment, .

도 7을 참조하여, 다음으로, 어시스트 라인(AL)이 유리 기판(4)의 하면(SF2) 상에 형성된다. 어시스트 라인(AL)은 평면 레이아웃에 있어서 트렌치 라인(TL)과 교차하고 있다. 또한 본 실시 형태에 있어서는 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)은, 유리 기판(4)이 상이한 면 상에 형성되기 때문에, 서로 직접적으로는 접촉하지 않는다.Referring to Fig. 7, next, an assist line AL is formed on the lower surface SF2 of the glass substrate 4. Fig. The assist line AL intersects the trench line TL in the planar layout. In the present embodiment, the assist line AL and the trench line TL are not directly in contact with each other because the glass substrate 4 is formed on a different surface.

다음으로, 실시 형태 1의 도 6(B)와 거의 동일하게, 어시스트 라인(AL)을 따라서 유리 기판(4)이 분리된다. 이에 따라 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다. 그 후, 실시 형태 1과 동일하게, 크랙 라인(CL)을 따라서 유리 기판(4)이 분단된다.Next, almost the same as in Fig. 6B of Embodiment 1, the glass substrate 4 is separated along the assist line AL. Thus, formation of the crack line CL is started. Thereafter, as in Embodiment 1, the glass substrate 4 is divided along the crack line CL.

(실시 형태 3) (Embodiment 3)

본 실시 형태의 유리 기판(4)의 분단 방법에 있어서도, 우선 상기 실시 형태 1과 동일한 방법에 의해, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 트렌치 라인(TL)(도 4(A))이 형성된다.The trench line TL (Fig. 4 (A)) is formed on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 by the same method as in the first embodiment, .

도 8을 참조하여, 다음으로, 어시스트 라인(AL)이, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 있어서 트렌치 라인(TL)과 부분적으로 겹치도록 형성된다. 도면 중에 있어서는, 어시스트 라인(AL)은, 트렌치 라인(TL) 중 시점(N1)과 도중점(N2)의 사이의 부분과 겹치도록, 또한 종점(N3)으로부터 떨어지도록 형성된다. 어시스트 라인(AL)의 길이는, 예를 들면 0.5㎜ 정도이다. 어시스트 라인(AL)의 형성을 계기로서, 크랙 라인(CL)이 형성된다.8, the assist line AL is formed so as to partially overlap the trench line TL on the upper surface SF1 of the glass substrate 4. [ In the drawing, the assist line AL is formed so as to overlap with the portion between the point N1 and the point N2 in the trench line TL and away from the end point N3. The length of the assist line AL is, for example, about 0.5 mm. With the formation of the assist line AL as an opportunity, the crack line CL is formed.

또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시 형태 1의 구성과 거의 동일하기 때문에, 동일 또는 대응하는 요소에 대해서 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 반복하지 않는다.The configuration other than the above is substantially the same as the configuration of the first embodiment described above, so that the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated.

(실시 형태 4)(Fourth Embodiment)

본 실시 형태의 유리 기판(4)의 분단 방법에 있어서도, 우선 상기 실시 형태 1과 동일한 방법에 의해, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 트렌치 라인(TL)(도 4(A))이 형성된다.The trench line TL (Fig. 4 (A)) is formed on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 by the same method as in the first embodiment, .

도 9를 참조하여, 다음으로, 트렌치 라인(TL)의 일부에 레이저광이 조사된다. 도면 중에 있어서는, 트렌치 라인(TL) 중 시점(N1)과 도중점(N2)의 사이의, 종점(N3)으로부터 떨어진 부분에 레이저광이 조사된다. 이에 따라, 트렌치 라인(TL) 중 시점(N1)과 도중점(N2)의 사이의 부분에 크랙 라인(CL)이 형성되고, 그것을 계기로서, 도중점(N2)으로부터 종점(N3)으로 크랙 라인(CL)이 형성된다.Referring to Fig. 9, next, a part of the trench line TL is irradiated with laser light. In the drawing, laser light is irradiated to a portion of the trench line TL, which is distant from the end point N3, between the point N1 and the point N2. As a result, a crack line CL is formed at a portion between the point of time N1 and the midpoint N2 of the trench line TL and the crack line CL is formed as an instrument from the midpoint N2 to the end point N3, (CL) is formed.

또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시 형태 1의 구성과 거의 동일하기 때문에, 동일 또는 대응하는 요소에 대해서 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 반복하지 않는다.The configuration other than the above is substantially the same as the configuration of the first embodiment described above, so that the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated.

상기 각 실시 형태에 의한 취성 기판의 분단 방법은 유리 기판에 대하여 특히 적합하게 적용되지만, 취성 기판은, 유리 이외의 재료로 만들어져 있어도 좋다. 예를 들면, 유리 이외의 재료로서 세라믹스, 실리콘, 화합물 반도체, 사파이어, 또는 석영이 이용되어도 좋다.The brittle substrate cutting method according to each of the above embodiments is particularly suitable for a glass substrate, but the brittle substrate may be made of a material other than glass. For example, ceramics, silicon, compound semiconductor, sapphire, or quartz may be used as a material other than glass.

4 : 유리 기판(취성 기판)
50 : 커팅 기구
51 : 스크라이빙 휠
52 : 핀
53 : 홀더
AL : 어시스트 라인
AX : 회전축
CL : 크랙 라인
DP : 진행 방향
DT : 두께 방향
F : 하중
Fi : 면 내 성분
Fp : 수직 성분
MS : 경면
N1 : 시점
N2 : 도중점
N3 : 종점(終點)
PF : 외주부
SF1 : 상면(제1 면)
SF2 : 하면(제2 면)
TL : 트렌치 라인
4: Glass substrate (brittle substrate)
50:
51: Scraping wheel
52:
53: Holder
AL: assist line
AX:
CL: crack line
DP: direction
DT: thickness direction
F: Load
Fi: Ingredients in cotton
Fp: vertical component
MS: Mirror surface
N1:
N2: midway point
N3: End point
PF: outer periphery
SF1: upper surface (first surface)
SF2: Lower (second side)
TL: Trench line

Claims (7)

날끝이 형성된 외주부를 회전축 주위에 갖는 스크라이빙 휠을 이용한 취성 기판의 분단 방법으로서,
제1 면과 상기 제1 면과 반대인 제2 면을 갖고, 상기 제1 면에 수직인 두께 방향을 갖는 취성 기판을 준비하는 공정과,
상기 스크라이빙 휠에 하중을 가함으로써 상기 스크라이빙 휠의 상기 외주부를 상기 취성 기판의 제1 면 상으로 밀어붙이면서 상기 취성 기판의 상기 제1 상면에서 상기 스크라이빙 휠을 전동시킴으로써 상기 취성 기판의 상기 제1 면 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 하중은, 상기 취성 기판의 상기 제1 면에 평행한 면 내 성분을 갖고, 상기 트렌치 라인을 형성하는 공정에 있어서 상기 스크라이빙 휠은 상기 제1 면 상을 상기 면 내 성분의 방향과 동일한 진행 방향을 향하여 진행하고, 상기 트렌치 라인을 형성하는 공정은, 상기 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 상기 취성 기판이 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 행해지고, 추가로
상기 두께 방향에 있어서의 상기 취성 기판의 크랙을 상기 트렌치 라인을 따라서 상기 진행 방향을 향하여 신전(伸展)시킴으로써, 크랙 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 크랙 라인에 의해서 상기 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 상기 취성 기판은 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있고, 추가로
상기 크랙 라인을 따라서 상기 취성 기판을 분단하는 공정을 구비하는 취성 기판의 분단 방법.
A method of dividing a brittle substrate using a scribing wheel having an outer peripheral portion with a blade tip formed around a rotation axis,
Preparing a brittle substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface and having a thickness direction perpendicular to the first surface;
By moving the scribing wheel on the first upper surface of the brittle substrate while pushing the outer peripheral portion of the scribing wheel onto the first surface of the brittle substrate by applying a load to the scribing wheel, And forming a trench line having a groove shape by causing plastic deformation on the first surface of the brittle substrate, wherein the load has an in-plane component parallel to the first surface of the brittle substrate, Wherein the step of forming the trench line comprises the step of forming the trench line in a direction immediately below the trench line in the step of forming the trench line, And the brittle substrate is continuously connected in the direction intersecting with the trench line, thereby obtaining a crackle state Locked, additional
And forming a crack line by extending a crack of the brittle substrate in the thickness direction toward the advancing direction along the trench line. The crack line is formed by the crack line directly below the trench line Wherein the brittle substrate is continuously disconnected in a direction crossing the trench line,
And dividing the brittle substrate along the crack line.
제1항에 있어서,
상기 크랙 라인을 형성하는 공정은, 상기 취성 기판의 상기 두께 방향으로 침투하는 크랙을 수반하여 상기 취성 기판의 상기 제1 면 상에 있어서 상기 트렌치 라인에 접하는 어시스트 라인을 형성하는 공정을 포함하는 취성 기판의 분단 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the crackline includes a step of forming an assist line in contact with the trench line on the first surface of the brittle substrate accompanied by a crack penetrating the brittle substrate in the thickness direction of the brittle substrate .
제2항에 있어서,
상기 어시스트 라인을 형성하는 공정에 있어서 상기 어시스트 라인은, 상기 취성 기판의 상기 제1 면 상에 있어서 상기 트렌치 라인과 교차하도록 형성되는 취성 기판의 분단 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the assist line is formed so as to intersect the trench line on the first surface of the brittle substrate in the step of forming the assist line.
제3항에 있어서,
상기 크랙 라인을 형성하는 공정은, 상기 어시스트 라인을 따라서 상기 취성 기판을 분리하는 공정을 포함하는 취성 기판의 분단 방법.
The method of claim 3,
Wherein the step of forming the crack line includes a step of separating the brittle substrate along the assist line.
제2항에 있어서,
상기 어시스트 라인을 형성하는 공정에 있어서 상기 어시스트 라인은, 상기 취성 기판의 상기 제1 면 상에 있어서 상기 트렌치 라인과 부분적으로 겹치도록 형성되는 취성 기판의 분단 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the assist line in the step of forming the assist line is formed so as to partially overlap the trench line on the first surface of the brittle substrate.
제1항에 있어서,
상기 취성 기판의 상기 제2 면 상에 어시스트 라인을 형성하는 공정을 추가로 구비하고, 상기 어시스트 라인은 평면 레이아웃에 있어서 상기 트렌치 라인과 교차하고 있고,
상기 크랙 라인을 형성하는 공정은, 상기 어시스트 라인을 따라서 상기 취성 기판을 분리하는 공정을 포함하는 취성 기판의 분단 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of forming an assist line on the second side of the brittle substrate, the assist line intersecting the trench line in a planar layout,
Wherein the step of forming the crack line includes a step of separating the brittle substrate along the assist line.
제1항에 있어서,
상기 크랙 라인을 형성하는 공정은, 상기 트렌치 라인의 일부에 레이저광을 조사하는 공정을 포함하는 취성 기판의 분단 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the crack line includes a step of irradiating a part of the trench line with laser light.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018131179A1 (en) * 2018-12-06 2020-06-10 Schott Ag Glass element with cut edge and process for its production

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002104078A1 (en) 2001-06-14 2002-12-27 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Production device for organic el display and production method for organic el display
WO2003006391A1 (en) 2001-07-12 2003-01-23 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Flat display panel and method of dividing the flat display panel
JP2007331983A (en) * 2006-06-15 2007-12-27 Sony Corp Scribing method for glass
JP2008201629A (en) * 2007-02-21 2008-09-04 Epson Imaging Devices Corp Manufacturing method of electrooptical device, separating method of substrate, and substrate separating device
JP2012000793A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd Method for scribing brittle material substrate
JP2013010644A (en) * 2011-06-28 2013-01-17 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd Method for scribing glass substrate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004048058A1 (en) * 2002-11-22 2004-06-10 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. Method for dividing substrate and method for manufacturing substrate using such method
CN101585657B (en) * 2003-01-29 2012-03-21 三星宝石工业株式会社 Substrate dividing apparatus and method for dividing substrate
KR101140164B1 (en) * 2005-10-28 2012-04-24 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Method?of?forming?scribe?line?on?substrate?of?brittle?material?and?scribe?line?forming?apparatus
JP2007160811A (en) * 2005-12-15 2007-06-28 Pioneer Electronic Corp Manufacturing method of plane-surface display panel and cutting method of glass plate
JP4885675B2 (en) * 2006-09-27 2012-02-29 株式会社Nsc Method for cutting and separating laminated glass plates
CN101610870B (en) * 2007-10-16 2013-09-11 三星钻石工业股份有限公司 Method of machining u-shaped groove of substrate of fragile material, removal method, boring method and chamfering method using the same method
JP5450964B2 (en) * 2008-02-29 2014-03-26 三星ダイヤモンド工業株式会社 Scribing apparatus and scribing method
KR101247571B1 (en) * 2010-06-14 2013-03-26 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Method for scribing brittle material substrate
CN104303270B (en) * 2012-04-24 2016-04-13 株式会社东京精密 cutter
JP6039363B2 (en) * 2012-10-26 2016-12-07 三星ダイヤモンド工業株式会社 Method and apparatus for dividing brittle material substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002104078A1 (en) 2001-06-14 2002-12-27 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Production device for organic el display and production method for organic el display
WO2003006391A1 (en) 2001-07-12 2003-01-23 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Flat display panel and method of dividing the flat display panel
JP2007331983A (en) * 2006-06-15 2007-12-27 Sony Corp Scribing method for glass
JP2008201629A (en) * 2007-02-21 2008-09-04 Epson Imaging Devices Corp Manufacturing method of electrooptical device, separating method of substrate, and substrate separating device
JP2012000793A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd Method for scribing brittle material substrate
JP2013010644A (en) * 2011-06-28 2013-01-17 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd Method for scribing glass substrate

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