KR20170065533A - Cmp polishing agent, method for manufacturing same, and method for polishing substrate - Google Patents

Cmp polishing agent, method for manufacturing same, and method for polishing substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20170065533A
KR20170065533A KR1020177009454A KR20177009454A KR20170065533A KR 20170065533 A KR20170065533 A KR 20170065533A KR 1020177009454 A KR1020177009454 A KR 1020177009454A KR 20177009454 A KR20177009454 A KR 20177009454A KR 20170065533 A KR20170065533 A KR 20170065533A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
film
cmp
abrasive
cmp abrasive
Prior art date
Application number
KR1020177009454A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102394717B1 (en
Inventor
미츠히토 타카하시
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20170065533A publication Critical patent/KR20170065533A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102394717B1 publication Critical patent/KR102394717B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00—Compounds of rare earth metals
    • C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
    • C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
    • C01F17/224—Oxides or hydroxides of lanthanides
    • C01F17/235—Cerium oxides or hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/04—Aqueous dispersions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/06—Other polishing compositions
    • C09G1/08—Other polishing compositions based on wax
    • C09G1/10—Other polishing compositions based on wax based on mixtures of wax and natural or synthetic resin
    • C09G1/12—Other polishing compositions based on wax based on mixtures of wax and natural or synthetic resin mixtures of wax and silicon-containing polycondensates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • C23F3/04—Heavy metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Abstract

본 발명은, 연마입자, 보호제, 및 물을 포함하는 CMP 연마제로서, 상기 보호제는, 극성기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머인 것을 특징으로 하는 CMP 연마제이다. 이에 따라, CMP 공정에 있어서, 연마에 의해 발생하는 연마흠집을 저감할 수 있고, 또한 높은 연마선택성을 갖는 CMP 연마제가 제공된다.The present invention is a CMP abrasive comprising abrasive particles, a protective agent and water, wherein the protective agent is a silsesquioxane polymer having a polar group. Thereby, in the CMP process, a polishing scratch caused by polishing is reduced, and a CMP abrasive having high polishing selectivity is provided.

Description

CMP 연마제 및 그 제조방법, 그리고 기판의 연마방법{CMP POLISHING AGENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE}Technical Field [0001] The present invention relates to a CMP polishing agent, a method for producing the same, and a polishing method for a substrate,

본 발명은, CMP 연마제 및 그 제조방법, 그리고 상기 CMP 연마제를 이용한 기판의 연마방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a CMP abrasive, a method of manufacturing the same, and a method of polishing a substrate using the CMP abrasive.

반도체 대규모 집적회로의 집적도의 향상, 고성능화를 위해서는 고밀도화가 필요하며, 고밀도화에 대응하기 위하여 배선패턴의 미세화에 수반하는 가공선폭의 저감, 및 배선의 다층화가 요구되고 있다. 이러한 다층배선구조는, 도전막이나 절연막의 성막과 에칭을 수회에 걸쳐 반복 형성되므로, 표면의 단차가 커지는 경향이 있다. 한편, 배선의 패터닝을 위하여 이용하는 레지스트의 초점심도는, 배선의 미세화에 수반하여 얕아지는 경향이 있고, 표면의 단차가 패터닝에 미치는 영향이 커져 문제시되고 있다. 이러한 배경으로부터, 패터닝을 용이하게 행하기 위하여 표면의 단차를 해소할 수 있는 광역적인 평탄화가 필요시되고 있다.
In order to improve the integration degree and high performance of semiconductor large-scale integrated circuits, high density is required. In order to cope with high density, reduction of the processing line width accompanying miniaturization of wiring patterns and multilayer wiring are required. Such a multilayer wiring structure tends to increase the step height of the surface because the film formation and etching of the conductive film and the insulating film are repeatedly formed over a plurality of times. On the other hand, the depth of focus of the resist used for patterning the wiring tends to become shallow with the miniaturization of the wiring, and the influence of the step on the surface on the patterning becomes large. From this background, in order to easily perform the patterning, it is required to perform wide-area planarization which can eliminate the step on the surface.

이러한 광역적인 평탄화기술로서, 폴리이미드 등의 수지의 코팅기술, 금속 및 절연막에 대한 에치백기술, 금속 및 절연막에 대한 리플로우기술, 그리고, 화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP)기술이 알려져 있다.
As such a wide-area flattening technique, there are known a coating technique of resin such as polyimide, an etch-back technique for metal and insulating film, a reflow technique for metal and insulating film, and a chemical mechanical polishing (CMP) technique .

CMP는, 연마입자가 포함되어 있는 슬러리를 기판 상에 투입하고 연마장치에 장착된 연마패드를 사용하여 연마를 행하는 방법이다. 이때, 연마입자는 연마장치로부터의 압력을 받아 기계적으로 표면을 연마하고, 슬러리에 포함되는 화학성분은 기판의 표면을 화학적으로 반응시켜, 기판의 표면부위를 화학적으로 제거한다.
CMP is a method in which a slurry containing abrasive grains is put on a substrate and polished using a polishing pad mounted on the polishing apparatus. At this time, the abrasive grains are mechanically polished by receiving pressure from the polishing apparatus, and the chemical components contained in the slurry chemically react with the surface of the substrate to chemically remove the surface portion of the substrate.

일반적으로, CMP에 이용되는 슬러리는, 연마대상막의 종류나 특성에 따라 다양한 종류가 있다. 사용되는 연마입자로는, 실리카(SiO2), 세리아(CeO2), 알루미나(Al2O3), 티타니아(TiO2), 지르코니아(ZrO2) 등이 있고, 연마대상막에 따라 선택적으로 사용할 수 있다.
Generally, there are various kinds of slurry to be used for CMP depending on the kind and characteristics of the film to be polished. As abrasive particles to be used include silica (SiO 2), ceria (CeO 2), alumina (Al 2 O 3), titania (TiO 2), zirconia (ZrO 2), etc., and selectively used depending on the polished film .

종래, 산화규소막 등의 절연막을 평탄화하기 위한 CMP용 슬러리로서, 실리카계의 슬러리가 일반적으로 검토되고 있다. 실리카계의 슬러리는, 실리카입자를 사염화규소의 열분해에 의해 입성장시키고, 암모니아 등의 알칼리금속을 포함하지 않는 알칼리용액으로 pH 조정을 행하여 제조하고 있다.
Conventionally, a silica-based slurry has been generally studied as a CMP slurry for planarizing an insulating film such as a silicon oxide film. The silica-based slurry is produced by grain growth of silica particles by pyrolysis of silicon tetrachloride and pH adjustment with an alkali solution containing no alkali metal such as ammonia.

또한, 산화규소막 등의 무기절연막의 CMP용 슬러리로서, 세리아슬러리도 사용되고 있다. 세리아입자는, 실리카입자나 알루미나입자에 비해 경도가 낮으므로, 연마 후의 막표면에 흠집 등의 결함이 쉽게 발생하지 않아 유용시되고 있다. 또한, 세리아입자는 강산화제로서 알려져 있고, 화학적으로 활성인 성질을 갖고 있으므로, 세리아슬러리는 산화규소막 등의 무기절연막용 CMP 연마에 유용시되고 있다. CMP 연마에 사용하는 세리아슬러리에 관해서는, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 개시되어 있다.
Ceria slurry is also used as a CMP slurry for an inorganic insulating film such as a silicon oxide film. The ceria particles have a hardness lower than that of silica particles or alumina particles, and defects such as scratches do not easily occur on the surface of the polished film, which is useful. Further, since the ceria particles are known as strong oxidizing agents and have chemically active properties, the ceria slurry is useful for CMP polishing for an inorganic insulating film such as a silicon oxide film. The ceria slurry used for CMP polishing is disclosed in Patent Documents 1 and 2. [

종래의 STI(Shallow Trench Isolation)를 형성하는 공정에 있어서는, 질화규소막을 하드마스크로 하는 공정이 실시된다. 기판 상에 질화규소막을 형성한 후, 질화규소막과 기판의 소정 영역에 트렌치를 형성하고, 트렌치가 매립되도록 산화규소막을 형성한 후, 산화규소막을 연마하여 소자 분리막이 형성된다. 이때, 산화규소막과 질화규소막의 높은 연마선택비를 확보할 수 있는 건식 세리아슬러리를 이용하여, 질화규소막이 노출될 때까지 산화규소막을 연마한다.
In a process for forming a conventional STI (Shallow Trench Isolation), a step of using a silicon nitride film as a hard mask is performed. A silicon nitride film is formed on a substrate, a silicon nitride film is formed, a trench is formed in a predetermined region of the substrate, a silicon oxide film is formed so that the trench is buried, and then the silicon oxide film is polished to form an element isolation film. At this time, the silicon oxide film is polished until the silicon nitride film is exposed using a dry ceria slurry capable of securing a high polishing selectivity between the silicon oxide film and the silicon nitride film.

한편으로, 질화규소막을 하드마스크로서 이용하는 대신에 폴리실리콘막을 연마정지막으로서 이용하는 경우가 있다. 이 경우, 폴리실리콘막은 질화규소막에 비해 경도가 낮으므로, CMP 연마 후의 폴리실리콘막 표면에 흠집 등의 결함(스크래치 결함)이 발생하기 쉬워지는 문제가 있다. CMP 연마 후의 폴리실리콘막 표면에 흠집 등의 결함이 발생하면, 미세한 트랜지스터나 배선의 단선불량이나 단락불량 등이 발생한다. 습식 세리아는 건식 세리아에 비해 다면체 구조를 갖고 있으며, 건식 세리아에 비해 스크래치 결함을 개선할 수 있어 유용하나, 반도체 디바이스의 회로치수가 보다 미세화되는 것에 수반하여, CMP 공정에서 발생하는 스크래치 결함은 더욱 심각한 문제가 되어, 향상된 개선이 요구되고 있다.
On the other hand, in place of using a silicon nitride film as a hard mask, a polysilicon film may be used as a polishing stop film. In this case, since the polysilicon film has a lower hardness than that of the silicon nitride film, defects such as scratches (scratch defects) are liable to occur on the surface of the polysilicon film after CMP polishing. If defects such as scratches are generated on the surface of the polysilicon film after CMP polishing, defective disconnection and short-circuiting of fine transistors and wirings occur. Wet ceria has a polyhedral structure compared to dry ceria and is useful because it can improve scratch defects compared to dry ceria. However, due to the finer circuit dimensions of semiconductor devices, scratch defects in the CMP process are more serious There is a problem, and an improvement is required.

이에, 스크래치 결함을 저감하는 방법으로서, 특허문헌 3에서는, 미소한 4가의 금속수산화물입자를 지립으로 사용함으로써, 스크래치 결함을 개선하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이러한 방법으로는 지립을 작게 함으로써 스크래치 결함은 개선되지만, 한편으로는 연마속도가 저하된다는 문제가 있다.
As a method for reducing scratch defects, Patent Document 3 discloses a method for improving scratch defects by using minute tetravalent metal hydroxide particles as abrasive grains. However, in such a method, scratch defects are improved by reducing the abrasive grain size, but on the other hand, there is a problem that the polishing rate is lowered.

또한, 반도체 디바이스의 회로치수가 보다 미세화됨으로써, 스크래치 결함 외에 연마선택비의 부족이 문제시되고 있다. 산화규소막과 폴리실리콘막의 연마선택비가 낮은 연마제를 사용하여 CMP 연마를 행한 경우, 연마정지막인 폴리실리콘막이 과잉으로 연마된다는 문제가 있어, 개선이 요구되고 있다.
In addition, since the circuit dimensions of the semiconductor device are further miniaturized, in addition to scratch defects, a shortage in selection ratio of polishing has been a problem. When the CMP polishing is performed using an abrasive having a low polishing selectivity between the silicon oxide film and the polysilicon film, there is a problem that the polysilicon film serving as the polishing stopper film is excessively polished, and improvement is required.

예를 들어, 특허문헌 4에서는, 폴리실리콘 연마마무리제로서 폴리옥시에틸렌아민에테르를 함유한 슬러리가 개시되어 있고, 특허문헌 5에서는, 양이온화폴리비닐알코올과, 아미노당, 또는 그 유도체, 아미노당을 갖는 다당류, 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 당류를 함유한 슬러리가 개시되어 있다. 그러나, 이들 슬러리는 폴리실리콘의 막의 보호기능이 충분하지 않고, 또한, CMP 연마 후의 세정성에 문제가 있어 개선이 필요시된다.
For example, Patent Document 4 discloses a slurry containing polyoxyethylene amine ether as a polysilicon abrasive finishing agent. Patent Document 5 discloses a slurry containing a cationized polyvinyl alcohol, an amino sugar, or a derivative thereof, an amino sugar A polysaccharide having at least one saccharide selected from the group consisting of polysaccharides and derivatives thereof. However, these slurries are insufficient in the protective function of the film of polysilicon, and there is a problem in cleaning property after CMP polishing, and improvement is required.

일본특허공개 H08-022970호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. H08-022970 일본특허공개 H10-106994호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-106994 일본특허공개 2012-084906호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-084906 일본특허공표 2011-529269호 공보Japanese Patent Publication No. 2011-529269 일본특허 제4894981호Japanese Patent No. 4894981

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, CMP 공정에 있어서, 연마에 의해 발생하는 연마흠집을 저감할 수 있고, 또한 높은 연마선택성을 갖는 CMP 연마제를 제공하는 것을 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a CMP abrasive which can reduce polishing scratches caused by polishing in a CMP process and has high polishing selectivity.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는,In order to solve the above problems, in the present invention,

연마입자, 보호제, 및 물을 포함하는 CMP 연마제로서,A CMP abrasive comprising abrasive particles, a protective agent, and water,

상기 보호제는, 극성기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머인 CMP 연마제를 제공한다.
The protective agent provides a CMP abrasive which is a silsesquioxane polymer having a polar group.

이러한 CMP 연마제이면, CMP 공정에 있어서, 연마흠집을 저감할 수 있고, 또한 높은 연마선택성을 갖는 연마제가 된다.
With such a CMP abrasive, abrasive flaws can be reduced in the CMP process, and an abrasive having high polishing selectivity can be obtained.

또한 이때, 상기 연마입자가, 습식 세리아입자인 것이 바람직하다.Further, at this time, it is preferable that the abrasive grains are wet ceria particles.

연마입자가 습식 세리아입자이면, 연마흠집의 발생을 보다 저감할 수 있다.
If the abrasive grains are wet ceria particles, the occurrence of polishing scratches can be further reduced.

이때, 상기 실세스퀴옥산폴리머가, 극성기로서 설포기 및 카르복시기 중 어느 하나 또는 모두를 갖는 수용성 실세스퀴옥산폴리머인 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the silsesquioxane polymer is a water-soluble silsesquioxane polymer having any one or both of a sulfo group and a carboxyl group as a polar group.

이러한 실세스퀴옥산폴리머이면, 설포기나 카르복시기에 의해, 연마정지막에 대하여 보다 효과적으로 보호막을 형성할 수 있으므로, 보다 연마선택성이 높은 것이 된다.
When such a silsesquioxane polymer is used, a protective film can be more effectively formed on the polishing stopper film by a sulfo group or a carboxyl group, resulting in a higher polishing selectivity.

또한 이때, 상기 실세스퀴옥산폴리머가, 상기 CMP 연마제 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 1질량부 이하로 배합된 것이 바람직하다.It is also preferable that the silsesquioxane polymer is blended in an amount of not less than 0.1 part by mass and not more than 1 part by mass based on 100 parts by mass of the CMP abrasive.

이러한 배합량이면, 연마정지막에 대하여 충분히 보호막을 형성할 수 있으므로, 보다 연마선택성이 높은 것이 된다.
With such a blending amount, a sufficient protective film can be formed on the polishing stop film, resulting in higher polishing selectivity.

또한 이때, 상기 CMP 연마제는, 절연막연마용 CMP 연마제인 것이 바람직하다.It is preferable that the CMP abrasive is a CMP abrasive for polishing an insulating film.

본 발명의 CMP 연마제는, 높은 연마선택성을 갖고, 절연막을 정도좋게 연마할 수 있으므로, 특히 절연막의 연마에 호적하게 이용할 수 있다.
The CMP abrasive of the present invention has high polishing selectivity and can polish the insulating film to a satisfactory extent, and thus can be used especially for polishing an insulating film.

또한 이때, 상기 CMP 연마제의 pH가, 3 이상 7 이하인 것이 바람직하다.Also, at this time, it is preferable that the pH of the CMP abrasive is 3 or more and 7 or less.

이러한 pH이면, 보다 보존안정성이나 연마속도가 우수한 CMP 연마제가 된다.
With such a pH, a CMP abrasive having better storage stability and polishing speed can be obtained.

또한, 본 발명에서는, 정반 상에 붙여진, 기판을 연마하기 위한 연마패드 상에, 상기의 CMP 연마제를 공급하면서, 상기 기판에 형성된 연마정지막 상의 절연막을 상기 연마패드에 맞대어 가압하면서, 상기 기판과 상기 정반을 상대적으로 움직임으로써 상기 절연막을 연마하는 기판의 연마방법을 제공한다.Further, in the present invention, while supplying the CMP abrasive on a polishing pad for polishing a substrate, the insulating film on the polishing stopper film formed on the substrate is pressed against the polishing pad, And polishing the insulating film by relatively moving the surface plate.

본 발명의 CMP 연마제를 사용한 기판의 연마방법이면, 절연막의 연마정지막에 대한 높은 연마선택비를 얻을 수 있고, 연마정지막을 과잉으로 연마하는 일 없이 정도가 높은 연마가 가능해진다. 또한, 기판의 연마면에 흠집 등의 결함이 발생하는 경우가 거의 없다.
With the polishing method of a substrate using the CMP abrasive of the present invention, a high polishing selectivity to the polishing stopper film of the insulating film can be obtained, and polishing can be performed to a high degree without excess polishing of the polishing stopper film. Further, defects such as scratches rarely occur on the polished surface of the substrate.

이때, 상기 연마정지막을 폴리실리콘막으로 하고, 상기 절연막을 산화규소막으로 하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the polishing stop film is a polysilicon film and the insulating film is a silicon oxide film.

본 발명의 연마방법은, 특히, 절연막으로서 산화규소막을, 연마정지막으로서 폴리실리콘막을 갖는 기판의 절연막을 연마하는 경우에 호적하며, 산화규소막의 폴리실리콘막에 대한 높은 연마선택비가 얻어지고, 나아가, 연마면에서의 흠집 등의 결함의 발생을 보다 한층 저감할 수 있다.
The polishing method of the present invention is particularly advantageous when a silicon oxide film is used as an insulating film and an insulating film of a substrate having a polysilicon film is polished as a polishing stop film and a high polishing selectivity to the polysilicon film of the silicon oxide film is obtained, , The occurrence of defects such as scratches on the polished surface can be further reduced.

또한, 본 발명에서는, 상기의 CMP 연마제의 제조방법으로서,Further, in the present invention, as a method for producing the above CMP abrasive,

상기 보호제로서, 극성기 함유 유기트리알콕시실란모노머의 가수분해와 중축합반응에 의해 합성된 실세스퀴옥산폴리머를 첨가하는 공정을 포함하는 CMP 연마제의 제조방법을 제공한다.There is provided a process for producing a CMP abrasive comprising a step of adding a silsesquioxane polymer synthesized by hydrolysis and polycondensation reaction of an organic trialkoxysilane monomer having a polar group as the protective agent.

이러한 제조방법이면, CMP 공정에 있어서, 연마흠집을 저감할 수 있고, 또한 높은 연마선택성을 갖는 CMP 연마제를 확실히 제조할 수 있다.
With such a production method, it is possible to reliably produce a CMP abrasive which can reduce polishing scratches and have high polishing selectivity in a CMP process.

이상과 같이, 본 발명의 CMP 연마제이면, CMP 공정에 있어서, 높은 연마선택비를 얻을 수 있고, 정도가 높은 CMP 연마를 실시할 수 있다. 나아가 기판의 연마면에 있어서의 흠집의 발생을 억제할 수 있다.As described above, in the case of the CMP abrasive of the present invention, a high polishing selectivity can be obtained in the CMP process, and CMP polishing with a high degree can be performed. The generation of scratches on the polished surface of the substrate can be suppressed.

또한, 특히, 절연막이 산화규소막, 연마정지막이 폴리실리콘막인 기판의 CMP 연마를 행할 때, 설포기나 카르복시기 등의 극성기를 갖는 수용성 실세스퀴옥산폴리머를 보호제로서 포함하는 본 발명의 CMP 연마제를 이용하면, 연마흠집의 발생을 억제하면서, 보다 높은 연마선택비를 얻을 수 있다.
Particularly when the CMP polishing of a substrate in which the insulating film is a silicon oxide film and a polishing stop film is a polysilicon film is carried out, the CMP abrasive of the present invention containing a water-soluble silsesquioxane polymer having a polar group such as a sulfo group or a carboxyl group as a protective agent , A higher polishing selectivity can be obtained while suppressing the occurrence of polishing scratches.

도 1은 폴리실리콘막과 산화규소막의 pH에 대한 제타 전위를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 연마방법에 있어서 사용할 수 있는 편면연마장치의 일례를 나타낸 개략도이다.
도 3은 도전막을 연마정지막으로 한 반도체소자의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 CMP 연마제에 의해 절연막을 CMP 연마한 후의 반도체소자의 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing the zeta potential against the pH of a polysilicon film and a silicon oxide film; FIG.
2 is a schematic view showing an example of a single-side polishing apparatus usable in the polishing method of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a semiconductor device having a conductive film as a polishing stop film.
4 is a cross-sectional view of a semiconductor device after CMP polishing of an insulating film by a CMP abrasive of the present invention.

이하, 본 발명에 대하여 실시의 형태를 설명하나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described, but the present invention is not limited thereto.

상기 서술한 바와 같이, CMP 공정에 있어서, 연마에 의해 발생하는 연마흠집을 저감할 수 있고, 또한 높은 연마선택성을 갖는 CMP 연마제의 개발이 요구되고 있었다.
As described above, there has been a demand for development of a CMP abrasive which can reduce polishing scratches caused by polishing in a CMP process and has high polishing selectivity.

본 발명자는, 상기 과제에 대하여 예의 검토를 거듭한 결과, 본 발명의 CMP 연마제이면, 보호제로서 포함되는 실세스퀴옥산폴리머의 작용에 의해 연마흠집을 저감할 수 있고, 또한 실세스퀴옥산폴리머가 갖는 극성기의 작용에 의해 높은 연마선택성이 얻어지는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have found that, in the case of the CMP abrasive of the present invention, abrasive scratches can be reduced by the action of the silsesquioxane polymer contained as a protective agent, and the silsesquioxane polymer And that a high polishing selectivity can be obtained by the action of the polar group having a fluorine atom.

즉, 본 발명은, 연마입자, 보호제, 및 물을 포함하는 CMP 연마제로서,That is, the present invention provides a CMP abrasive comprising abrasive particles, a protective agent, and water,

상기 보호제는, 극성기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머인 CMP 연마제이다.
The protective agent is a CMP abrasive which is a silsesquioxane polymer having a polar group.

여기서, 본 발명의 효과 중 하나인, 높은 연마속도비(연마선택비)가 얻어지는 기구에 대하여, 절연막이 산화규소막, 연마정지막이 폴리실리콘막인 기판의 연마를 행하는 경우를 예로 들어 설명한다.
Here, as an example, a case where the silicon oxide film as the insulating film and the substrate having the polysilicon film as the polishing stopper film are polished to a mechanism for obtaining a high polishing rate ratio (polishing selectivity ratio), which is one of the effects of the present invention.

본 발명자의 지견에 따르면, 상기 효과는 산화규소막에 대한 실세스퀴옥산폴리머(극성기)와의 상호작용과, 폴리실리콘막에 대한 실세스퀴옥산폴리머(극성기)와의 상호작용에 정도 차이가 있기 때문에, 산화규소막의 폴리실리콘막에 대한 높은 연마선택비가 얻어지는 것으로 추측된다.
According to the knowledge of the present inventors, the above effect is due to the difference in the interaction between the silsesquioxane polymer (polar group) and the silsesquioxane polymer (polar group) with respect to the silicon oxide film and the polysilicon film , It is presumed that a high polishing selectivity to the polysilicon film of the silicon oxide film is obtained.

도 1에 산화규소막과 폴리실리콘막의 pH에 대한 제타 전위의 관계를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 폴리실리콘막은, pH 3 ~ pH 7의 범위에 있어서는, 산화규소막에 비해 보다 플러스측의 전위를 갖고 있는 것을 알 수 있다. 따라서, 마이너스로 분극되어 있는 실세스퀴옥산폴리머의 설포기나 카르복시기(극성기)가, 보다 플러스측의 전위를 갖고 있는 폴리실리콘막에 효과적으로 상호작용함으로써, 실세스퀴옥산폴리머가 폴리실리콘막에 대한 보호막이 되어, 폴리실리콘막의 연마를 저해하므로, 산화규소막에 대하여 연마속도에 차이가 발생한다고 생각된다.
Fig. 1 shows the relationship between the zeta potential and the pH of the silicon oxide film and the polysilicon film. Referring to FIG. 1, it can be seen that the polysilicon film has a more positive potential than the silicon oxide film in the range of pH 3 to pH 7. Therefore, the sulfo group or the carboxy group (polar group) of the silsesquioxane polymer that is negatively polarized effectively interacts with the polysilicon film having the more positive side potential, so that the silsesquioxane polymer It becomes a protective film and inhibits the polishing of the polysilicon film, so that it is considered that a difference in polishing rate occurs with respect to the silicon oxide film.

또한, CMP 연마과정에 있어서는, 연마입자(지립)가 연마 중에 지립표면간에 축합하거나, 피연마막인 산화규소막으로부터 제거된 산화규소와 지립간에 축합하여 대입자화하고, 이 대입자화한 지립이 연마작용에 의해 스크래치 결함을 발생시킬 우려가 있다. 이에 대하여, 실세스퀴옥산폴리머를 첨가하면, 상기의 대입자화한 지립을 실세스퀴옥산폴리머가 형성하는 고분자 네트워크로 포획하고, 대입자화한 지립의 피연마막에 대한 접촉을 억제할 수 있으므로, 스크래치 결함의 발생을 억제할 수 있는 것으로 추측된다.
Further, in the CMP polishing process, the abrasive grains (abrasive grains) are condensed between the abrasive grains during abrasive polishing or condensed between the abrasive grains removed from the silicon oxide film as the abrasive polishing film to form substitution magnets, There is a fear that scratch defects may be generated by the action On the other hand, when the silsesquioxane polymer is added, the above-mentioned substitutional grains can be trapped by the polymer network formed by the silsesquioxane polymer and contact with the abrasive grains of the abrasive grains can be suppressed, It is presumed that the occurrence of scratch defects can be suppressed.

이하, 본 발명의 CMP 연마제 및 그 제조방법, 그리고 본 발명의 CMP 연마제를 이용한 기판의 연마방법에 대하여, 보다 상세하게 설명한다.
Hereinafter, the CMP abrasive of the present invention and its manufacturing method and the polishing method of the substrate using the CMP abrasive of the present invention will be described in more detail.

<CMP 연마제><CMP abrasive>

본 발명의 CMP 연마제는, 연마입자, 보호제, 및 물을 포함하고, 상기 보호제로서, 극성기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머를 포함하는 것이다.
The CMP abrasive of the present invention includes abrasive particles, a protective agent, and water, and includes, as the protective agent, a silsesquioxane polymer having a polar group.

[연마입자][Abrasive Particles]

본 발명의 CMP 연마제에 포함되는 연마입자로는, 특별히 한정되지 않으나, 피연마대상이 산화규소막이면, 습식 세리아입자인 것이 바람직하다. 습식 세리아입자는, 2차 입경이 큰 입자가 생성되지 않고, 다면체 구조를 갖고 있으므로, 마이크로스크래치 등의 연마흠집을 개선할 수 있는 점에서 바람직하다.
The abrasive grains contained in the CMP abrasive of the present invention are not particularly limited, but if the object to be polished is a silicon oxide film, wet ceria particles are preferable. Since the wet ceria particles have no polygonal structure, particles having a large secondary particle size are not formed, and thus polishing claws such as micro-scratches can be improved.

본 발명에 있어서, 습식 세리아입자의 평균입경은, 5nm~200nm의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20nm~100nm, 더욱 바람직하게는 40nm~70nm의 범위이다. 이러한 평균입경이면, 습식 세리아입자의 평균입경이 지나치게 작지 않고, 연마대상막에 대한 연마속도가 지나치게 낮아지지 않는다. 또한, 습식 세리아입자의 평균입경이 지나치게 크지 않으므로, 마이크로스크래치 등의 연마흠집의 발생을 억제할 수 있다.
In the present invention, the average particle diameter of the wet ceria particles is preferably in the range of 5 nm to 200 nm, more preferably in the range of 20 nm to 100 nm, and still more preferably in the range of 40 nm to 70 nm. With this average particle diameter, the average particle diameter of the wet ceria particles is not excessively small and the polishing rate for the polishing target film is not excessively low. In addition, since the average particle diameter of the wet ceria particles is not excessively large, occurrence of polishing scratches such as micro-scratches can be suppressed.

연마입자의 배합량은, 특별히 한정되지 않으나, 절연막에 대한 호적한 연마속도가 얻어지는 점에서, CMP 연마제 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상이 바람직하고, 0.5질량부 이상이 보다 바람직하고, 1질량부 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 연마입자의 배합량의 상한으로는, CMP 연마제의 보존안정성을 보다 높일 수 있는 점에서, 20질량부 이하가 바람직하고, 10질량부 이하가 보다 바람직하고, 5질량부 이하가 더욱 바람직하다.
The blending amount of the abrasive particles is not particularly limited, but is preferably not less than 0.1 part by mass, more preferably not less than 0.5 part by mass, and more preferably not less than 1 part by mass based on 100 parts by mass of the CMP abrasive from the viewpoint of obtaining a satisfactory polishing rate for the insulating film. Or more. The upper limit of the amount of the abrasive particles to be incorporated is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less, still more preferably 5 parts by mass or less, from the standpoint of further enhancing the storage stability of the CMP abrasive.

습식 세리아입자의 제조방법으로는, 세륨염을 전구체 물질로 하고, 염기성 용액과 혼합·가열처리함으로써 습식 세리아입자를 제조하는 방법(습식 침전법)이 바람직하다. 이하, 구체적으로 이 제조방법에 대하여 설명한다.
As a method of producing the wet ceria particles, a method (wet precipitation method) of producing the wet ceria particles by using a cerium salt as a precursor material and mixing and heating with a basic solution is preferable. Hereinafter, this manufacturing method will be specifically described.

우선, 습식 세리아입자의 전구체인 세륨염을 초순수와 혼합하여 세륨수용액을 제조한다. 세륨염과 초순수는, 예를 들어 2:1~4:1의 비율로 혼합할 수 있다. 여기서 세륨염으로는, Ce(III)염, 및 Ce(IV)염 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 즉, 적어도 하나의 Ce(III)염을 초순수와 혼합하거나, 또는, 적어도 하나의 Ce(IV)염을 초순수와 혼합하거나, 또는, 적어도 하나의 Ce(III)염과 적어도 하나의 Ce(IV)염을 초순수와 혼합할 수 있다.
First, a cerium salt, which is a precursor of wet ceria particles, is mixed with ultrapure water to prepare a cerium aqueous solution. The cerium salt and the ultrapure water can be mixed at a ratio of, for example, 2: 1 to 4: 1. As the cerium salt, at least one of Ce (III) salt and Ce (IV) salt can be used. That is, at least one Ce (III) salt is mixed with ultrapure water, or at least one Ce (IV) salt is mixed with ultrapure water, or at least one Ce (III) The salt can be mixed with ultrapure water.

Ce(III)염으로는, 예를 들어 염화세륨(III), 불화세륨(III), 황산세륨(III), 질산세륨(III), 탄산세륨(III), 과염소산세륨(III), 브롬화세륨(III), 황화세륨(III), 요오드화세륨(III), 옥살산세륨(III), 아세트산세륨(III) 등을 이용할 수 있다.Examples of the Ce (III) salt include cerium chloride (III), cerium fluoride (III), cerium sulfate (III), cerium nitrate (III), cerium carbonate (III), cerium perchlorate (III) III), cerium sulfide (III), cerium (III) iodide, cerium (III) oxalate and cerium (III) acetate.

Ce(IV)염으로는, 예를 들어 황산세륨(IV), 질산암모늄세륨(IV), 수산화세륨(IV) 등을 이용할 수 있다.As the Ce (IV) salt, for example, cerium (IV) sulfate, cerium (IV) nitrate, cerium (IV) hydroxide and the like can be used.

이들 중에서도, Ce(III)염으로는 질산세륨(III)이, Ce(IV)염으로 질산암모늄세륨(IV)이 사용하기 쉽다는 면에서 특히 호적하다.
Of these, cerium nitrate (III) is particularly preferable as a Ce (III) salt and cerium (IV) nitrate as a Ce (IV) salt.

나아가, 초순수와 혼합하여 제조된 세륨수용액의 안정화를 위하여 산성 용액을 혼합할 수 있다. 여기서, 산성 용액과 세륨용액은, 1:1~1:100의 비율로 혼합할 수 있다. 여기서 사용할 수 있는 산성 용액으로는, 과산화수소, 질산, 아세트산, 염산, 황산 등을 들 수 있다. 산성 용액과 혼합된 세륨용액은, pH를 예로 들어 0.01로 조정할 수 있다.
Furthermore, an acidic solution may be mixed to stabilize the aqueous cerium solution prepared by mixing with ultrapure water. Here, the acidic solution and the cerium solution can be mixed at a ratio of 1: 1 to 1: 100. Examples of the acidic solution usable herein include hydrogen peroxide, nitric acid, acetic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid and the like. The cerium solution mixed with the acidic solution can be adjusted to a pH of 0.01, for example.

여기서, 세륨용액과는 별도로 염기성 용액을 제조한다. 염기성 용액으로는, 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등을 사용할 수 있고, 초순수와 혼합하여 적절한 농도로 희석하여 사용된다. 희석하는 비율로는, 염기성 물질과 초순수를 1:1~1:100의 비율로 희석할 수 있다. 희석된 염기성 용액은, pH를 예를 들어 11~13으로 조정할 수 있다.
Here, a basic solution is prepared separately from the cerium solution. As the basic solution, ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like can be used, and they are mixed with ultrapure water and diluted to an appropriate concentration. As a dilution ratio, a basic substance and ultrapure water can be diluted at a ratio of 1: 1 to 1: 100. The diluted basic solution can be adjusted to a pH of, for example, 11 to 13.

이어서, 희석된 염기성 용액을 반응용기로 옮긴 후, 질소, 아르곤, 헬륨 등의 불활성 가스분위기하에서, 예를 들어 5시간 이하 교반을 행한다. 그리고, 희석된 염기성 용액에 세륨수용액을, 예를 들어 매초 0.1L 이상의 속도로 혼합한다. 그리고 계속해서, 소정의 온도로 열처리를 행한다. 이때의 열처리온도는, 100℃ 이하, 예를 들어 60℃ 이상 100℃ 이하로 할 수 있고, 열처리시간은, 2시간 이상, 예를 들어 2시간~10시간으로 할 수 있다. 또한, 상온으로부터 열처리온도까지의 승온속도는, 매분 0.2℃~1℃, 바람직하게는 매분 0.5℃로 할 수 있다.
Subsequently, the diluted basic solution is transferred to a reaction vessel and stirred for 5 hours or less, for example, in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen, argon or helium. Then, the cerium aqueous solution is mixed with the diluted basic solution at a rate of 0.1 L or more per second, for example. Subsequently, heat treatment is performed at a predetermined temperature. The heat treatment temperature at this time may be 100 占 폚 or lower, for example, 60 占 폚 or higher and 100 占 폚 or lower, and the heat treatment time may be 2 hours or more, for example, 2 hours to 10 hours. The rate of temperature rise from room temperature to the heat treatment temperature can be set to 0.2 ° C to 1 ° C per minute, preferably 0.5 ° C per minute.

마지막으로, 열처리를 실시한 혼합용액을, 실온까지 냉각한다. 이러한 과정을 거쳐, 1차입경이 예를 들어 100nm 이하인 습식 세리아입자를 제조할 수 있다.
Finally, the mixed solution subjected to the heat treatment is cooled to room temperature. Through this process, wet ceria particles having a primary particle size of, for example, 100 nm or less can be produced.

이상과 같이, 습식 세리아입자는, 전구체인 세륨염 수용액과 희석된 염기성 용액의 혼합액을, 적절한 승온속도로 승온하여, 적절한 범위의 열처리온도로 가열함으로써, 승온과정에서 혼합액내의 세륨염이 반응하여, 세리아(CeO2)의 미세핵이 생성되고, 이들 미세핵을 중심으로 결정을 성장시켜 제조할 수 있고, 예를 들어 5nm~100nm의 결정입자로 제조할 수 있다.
As described above, in the wet ceria particles, the mixture solution of the cerium salt aqueous solution, which is the precursor, and the diluted basic solution is heated at a proper heating rate and heated to a suitable range of the heat treatment temperature, Microcracks of ceria (CeO 2 ) are generated, and crystals can be grown by centering these microcracks. For example, crystal grains of 5 nm to 100 nm can be produced.

[보호제][Protective agent]

본 발명의 CMP 연마제는, 보호제로서 극성기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머를 함유하는 것을 특징으로 한다. 이러한 보호제를 포함함으로써, 연마흠집을 저감할 수 있음과 함께, 높은 연마선택성을 갖는 CMP 연마제가 된다.
The CMP abrasive of the present invention is characterized by containing a silsesquioxane polymer having a polar group as a protective agent. By including such a protective agent, a polishing scratch can be reduced and a CMP polishing agent having high polishing selectivity can be obtained.

보다 구체적으로는, 실세스퀴옥산폴리머가 갖는 극성기가 분극하고, 폴리실리콘막 등의 연마정지막과 상호작용함으로써, 연마정지막의 표면에 보호막이 형성되고, 이 보호막에 의해 연마가 저해됨으로써, 연마대상막과 연마정지막의 연마속도에 차가 발생하여, 연마대상막의 연마정지막에 대한 연마속도비를 높일 수 있다.More specifically, a polar group possessed by the silsesquioxane polymer is polarized and interacts with a polishing stopper film such as a polysilicon film to form a protective film on the surface of the polishing stopper film, and polishing is inhibited by the protective film, A polishing rate difference between the target film and the polishing stopper film is generated, and the polishing rate ratio to the polishing stopper film of the polishing target film can be increased.

또한, CMP 연마공정 중에 대입자화한 연마입자를 실세스퀴옥산폴리머가 형성하는 고분자 네트워크로 포획하고, 대입자화한 연마입자가 피연마막에 접촉하는 것을 억제할 수 있으므로, 스크래치 결함의 발생을 억제할 수 있다.
In addition, since the abrasive grains formed by substitution during the CMP polishing step are captured by the polymer network formed by the silsesquioxane polymer, the abrasive grains which have been immersed in the abrasive grains can be inhibited from coming into contact with the abrasive film, thereby suppressing the occurrence of scratch defects can do.

이러한 극성기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머로는, 극성기로서 설포기 및 카르복시기 중 어느 하나 또는 모두를 갖는 수용성 실세스퀴옥산폴리머가 바람직하다. 이러한 실세스퀴옥산폴리머이면, 설포기나 카르복시기에 의해, 연마정지막에 대하여 보다 효과적으로 보호막을 형성할 수 있으므로, 보다 연마선택성이 높은 것이 된다. 또한, 물에 대한 용해성이 향상됨으로써, CMP 연마제 중에서의 분산성이 양호한 것이 된다.
As the silsesquioxane polymer having such a polar group, a water-soluble silsesquioxane polymer having either or both of a sulfo group and a carboxyl group as a polar group is preferable. When such a silsesquioxane polymer is used, a protective film can be more effectively formed on the polishing stopper film by a sulfo group or a carboxyl group, resulting in a higher polishing selectivity. Further, since the solubility in water is improved, the dispersibility in the CMP abrasive becomes good.

극성기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머는, 예를 들어 극성기 함유 유기트리알콕시실란모노머의 가수분해와 중축합반응에 의해 합성할 수 있다.
The silsesquioxane polymer having a polar group can be synthesized, for example, by hydrolysis and polycondensation of an organic trialkoxysilane monomer containing a polar group.

합성에 사용되는 극성기 함유 유기트리알콕시실란모노머로는, 예를 들어 이하와 같은 것을 예시할 수 있다.As the polar group-containing organic trialkoxysilane monomer used in the synthesis, for example, the following may be mentioned.

극성기가 설포기가 되는 모노머로는, 염기성 조건하에서의 산화반응에 의해 설포기를 형성하는 치환기인 메르캅토기 함유 유기트리알콕시실란을 들 수 있다. 메르캅토기 함유 유기트리알콕시실란모노머로는, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 11-메르캅토운데실트리메톡시실란을 들 수 있고, 이들 중에서도 3-메르캅토프로필트리메톡시실란이 반응성의 면에서 특히 호적하다.
Examples of the monomer in which the polar group is a sulfo group include a mercapto group-containing organic trialkoxysilane which is a substituent which forms a sulfo group by an oxidation reaction under basic conditions. Examples of the mercapto group-containing organic trialkoxysilane monomer include 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, and 11-mercaptoundecyltrimethoxysilane. Of these, 3 -Mercaptopropyltrimethoxysilane is particularly favorable in terms of reactivity.

극성기가 카르복시기가 되는 모노머로는, 염기성 조건하에서의 가수분해에 의해 카르복시기를 형성하는 치환기인 시아노기 함유 유기트리알콕시실란을 들 수 있다. 시아노기 함유 유기트리알콕시실란모노머로는, 2-시아노에틸트리메톡시실란, 2-시아노에틸트리에톡시실란, 3-시아노프로필트리메톡시실란, 3-시아노프로필트리에톡시실란, 11-시아노운데실트리메톡시실란을 들 수 있고, 이들 중에서도 2-시아노에틸트리메톡시실란이 반응성의 면에서 특히 호적하다.
Examples of the monomer in which the polar group is a carboxyl group include a cyano group-containing organic trialkoxysilane which is a substituent which forms a carboxyl group by hydrolysis under basic conditions. Examples of the cyano group-containing organic trialkoxysilane monomer include 2-cyanoethyltrimethoxysilane, 2-cyanoethyltriethoxysilane, 3-cyanopropyltrimethoxysilane, 3-cyanopropyltriethoxysilane , And 11-cyanodecyltrimethoxysilane. Of these, 2-cyanoethyltrimethoxysilane is particularly preferable in view of reactivity.

또한, 물론 본 발명에 있어서 보호제로서 이용되는 실세스퀴옥산폴리머의 극성기는, 상기의 설포기나 카르복시기로 한정되는 것이 아니고, 연마대상막이나 연마정지막의 종류, 이들의 조합 등에 따라 적당히 선택할 수 있다.
Of course, the polar group of the silsesquioxane polymer used as a protective agent in the present invention is not limited to the above-mentioned sulfo group or carboxyl group, but may be appropriately selected depending on the kind of the film to be polished and the type of the polishing stopper film, .

극성기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머의 배합량은, CMP 연마제 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 1질량부 이하로 하는 것이 바람직하다. 이러한 배합량이면, 연마정지막에 대하여 충분히 보호막을 형성할 수 있으므로, 보다 연마선택성이 높은 CMP 연마제로 할 수 있다.
The blending amount of the silsesquioxane polymer having a polar group is preferably 0.1 parts by mass or more and 1 part by mass or less based on 100 parts by mass of the CMP abrasive. With such a blending amount, a protective film can be sufficiently formed on the polishing stopper film, so that a CMP polishing agent having higher polishing selectivity can be obtained.

[물][water]

본 발명의 CMP 연마제에 이용되는 물로는, 특별히 한정되지 않고, 순수나 초순수 등을 이용하면 된다. 또한, 물의 배합량은, 특별히 한정되지 않으나, CMP 연마제 100질량부에 대하여 80질량부 이상 99.8질량부 이하가 바람직하고, 90질량부 이상 99질량부 이하가 보다 바람직하다.
The water used for the CMP abrasive of the present invention is not particularly limited, and pure water, ultrapure water, or the like may be used. The blending amount of water is not particularly limited, but is preferably 80 parts by mass or more and 99.8 parts by mass or less, and more preferably 90 parts by mass or more and 99 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the CMP abrasive.

[기타 첨가제][Other additives]

본 발명의 CMP 연마제는, 상기의 필수성분 외에, 예를 들어 연마특성을 조정하는 첨가제 등을 배합할 수 있다.The CMP abrasive of the present invention may contain, for example, an additive for adjusting the polishing characteristics in addition to the above essential components.

이러한 첨가제로는, 연마입자의 표면전위를 마이너스로 전환할 수 있는 음이온성 계면활성제나 아미노산을 포함할 수 있다.
Such an additive may include an anionic surfactant or an amino acid capable of converting the surface potential of the abrasive particles to a negative value.

음이온성 계면활성제로는, 예를 들어 모노알킬황산염, 알킬폴리옥시에틸렌황산염, 알킬벤젠설폰산염, 모노알킬인산염, 라우릴황산염, 폴리카르본산, 폴리아크릴산염, 폴리메타크릴산염 등을 들 수 있다.Examples of the anionic surfactant include monoalkylsulfates, alkylpolyoxyethylene sulfates, alkylbenzenesulfonates, monoalkyl phosphates, laurylsulfates, polycarboxylic acids, polyacrylates, and polymethacrylates .

아미노산으로는, 예를 들어 아르기닌, 라이신, 아스파라긴산, 글루타민산, 아스파라긴, 글루타민, 히스티딘, 프롤린, 티로신, 세린, 트립토판, 트레오닌, 글리신, 알라닌, 메티오닌, 시스테인, 페닐알라닌, 류신, 발린, 이소류신 등을 들 수 있다.
Examples of amino acids include arginine, lysine, aspartic acid, glutamic acid, asparagine, glutamine, histidine, proline, tyrosine, serine, tryptophan, threonine, glycine, alanine, methionine, cysteine, phenylalanine, leucine, have.

이들 첨가제를 사용하는 경우, 첨가제의 배합량은, 연마입자 1질량부에 대하여 0.01질량부 이상 0.1질량부 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 연마입자 1질량부에 대하여 0.02질량부 이상 0.06질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.When these additives are used, the blending amount of the additive is preferably 0.01 part by mass or more and 0.1 part by mass or less with respect to 1 part by mass of abrasive grains. Further, it is more preferably not less than 0.02 parts by mass and not more than 0.06 parts by mass based on 1 part by mass of abrasive grains.

배합량이 연마입자 1질량부에 대하여 0.01질량부 이상이면, CMP 연마제의 분산안정성의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 연마입자 1질량부에 대하여 0.1질량부 이하이면, 연마대상막의 연마를 저해하는 일이 없어, 연마속도가 저하된다는 문제가 발생하지 않는다. 따라서, 이러한 배합량으로 조정하면, 연마를 저해하는 일 없이, CMP 연마제의 분산안정성을 향상시킬 수 있다.
When the blending amount is 0.01 parts by mass or more based on 1 part by mass of the abrasive grains, deterioration of the dispersion stability of the CMP abrasive can be suppressed. When the amount is less than 0.1 part by mass based on 1 part by mass of the abrasive grains, the polishing of the film to be polished is not hindered and the problem of the polishing rate being lowered does not occur. Therefore, by adjusting the blending amount, it is possible to improve the dispersion stability of the CMP abrasive without inhibiting the polishing.

본 발명의 CMP 연마제의 pH는, CMP 연마제의 보존안정성이나, 연마속도가 우수한 점에서, 3.0 이상 7.0 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다. pH의 하한값은 연마제의 분산안정성에 영향을 주어, 4.0 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 6.0 이상인 것이 바람직하다. 또한, pH의 상한값은 연마속도에 영향을 주어, 7.0 이하인 것이 바람직하다. pH 7.0 이하이면 염기성에 기인하여 폴리실리콘막의 연마속도가 급격히 증가하는 일이 없고, 산화규소막의 폴리실리콘막에 대한 연마선택비가 저하되는 일이 없다.
The pH of the CMP abrasive of the present invention is preferably in the range of 3.0 to 7.0 in view of excellent storage stability and polishing rate of the CMP abrasive. The lower limit value of the pH affects the dispersion stability of the abrasive, and is preferably 4.0 or more, more preferably 6.0 or more. Further, the upper limit value of the pH affects the polishing rate and is preferably 7.0 or lower. When the pH is 7.0 or less, the polishing rate of the polysilicon film does not increase sharply due to the basicity, and the polishing selectivity to the polysilicon film of the silicon oxide film does not decrease.

또한, CMP 연마제의 pH를 조정하기 위하여, 염산, 질산, 황산, 인산 등의 무기산, 포름산, 아세트산, 구연산, 옥살산 등의 유기산 등의 산이나, 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 테트라메틸암모늄하이드록시드(TMAH) 등의 염기를 첨가할 수도 있다.
In order to adjust the pH of the CMP abrasive, an acid such as inorganic acid such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid or phosphoric acid, organic acid such as formic acid, acetic acid, citric acid or oxalic acid, or an organic acid such as ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) or the like may be added.

본 발명의 CMP 연마제는, 높은 연마선택성을 갖고, 절연막을 정도 좋게 연마할 수 있으므로, 특히 절연막의 연마에 호적하게 이용할 수 있다.
The CMP abrasive of the present invention has high polishing selectivity and can polish the insulating film to a satisfactory extent, and thus can be used especially for polishing an insulating film.

<CMP 연마제의 제조방법>&Lt; Process for producing CMP abrasive article >

본 발명의 CMP 연마제는, 상기 서술한 바와 같은 연마입자, 보호제, 물, 및 필요에 따라 첨가제를 혼합하여 제조하면 된다. 또한, 이때, 극성기 함유 유기트리알콕시실란모노머의 가수분해와 중축합반응에 의해 합성된 실세스퀴옥산폴리머를 첨가하는 공정을 포함하는 방법으로 제조하면, 상기 서술한 본 발명의 CMP 연마제를 확실히 제조할 수 있다.The CMP abrasive of the present invention may be prepared by mixing abrasive particles, a protective agent, water, and additives as required, as described above. In addition, at this time, when the process is performed by a method including a step of adding a silsesquioxane polymer synthesized by hydrolysis and polycondensation reaction of a polar group-containing organic trialkoxysilane monomer, the CMP abrasive of the present invention described above can be reliably produced can do.

또한, 혼합후, 초음파분산이나 필터를 이용한 여과 등을 행할 수도 있다.
After mixing, ultrasonic dispersion or filtration using a filter may be performed.

<연마방법><Polishing method>

이어서, 본 발명의 CMP 연마제를 사용한 기판의 연마방법에 대하여 설명한다. 이하에서는, 반도체기판의 편면을 CMP 연마하는 경우를 예로 들어 설명한다.
Next, the polishing method of the substrate using the CMP abrasive of the present invention will be described. Hereinafter, the case where one side of the semiconductor substrate is CMP polished will be described as an example.

편면연마장치는, 예를 들어 도 2에 나타낸 바와 같이, 연마패드(4)가 첩부된 정반(3)과, 연마제 공급기구(5)와, 연마헤드(2) 등으로 구성된 편면연마장치(6)로 할 수 있다.As shown in Fig. 2, for example, the single-side polishing apparatus includes a polishing table 4 to which a polishing pad 4 is attached, a polishing agent supply mechanism 5, a single-side polishing apparatus 6 including a polishing head 2 ).

이러한 편면연마장치(6)에서는, 연마헤드(2)로 기판(W)을 유지하고, 연마제 공급기구(5)로부터 연마패드(4) 상에 본 발명의 CMP 연마제(1)를 공급함과 함께, 정반(3)과 연마헤드(2)를 각각 회전시켜 기판(W)의 표면을 연마패드(4)에 슬라이드 접촉시킴으로써 연마를 행한다.
In this single-side polishing apparatus 6, the substrate W is held by the polishing head 2, the CMP abrasive 1 of the present invention is supplied from the polishing-agent supply mechanism 5 onto the polishing pad 4, The surface of the substrate W is brought into sliding contact with the polishing pad 4 by rotating the base 3 and the polishing head 2 to perform polishing.

연마패드로는, 부직포, 발포폴리우레탄, 다공질수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 연마를 실시하는 동안에는, 항상 패드표면이 연마제로 덮여있도록, 펌프 등을 구비한 연마제 공급기구(5)로 연속적으로 CMP 연마제(1)를 공급하는 것이 바람직하다.
As the polishing pad, a nonwoven fabric, a foamed polyurethane, a porous resin, or the like can be used. During polishing, it is preferable to continuously supply the CMP abrasive 1 to the abrasive feed mechanism 5 provided with a pump or the like so that the surface of the pad is always covered with the abrasive.

이에, 본 발명에 있어서의 연마방법은, 정반(3) 상에 붙여진, 연마패드(4) 상에 본 발명의 CMP 연마제(1)를 공급하면서, 기판(W)에 형성된 연마정지막 상의 절연막을 연마패드(4)에 맞대어 가압하면서, 기판(W)과 정반(3)을 상대적으로 움직임으로써 절연막을 연마한다.
The polishing method according to the present invention is a polishing method in which a CMP abrasive 1 of the present invention is applied onto a polishing pad 4 which is adhered on a surface plate 3 and an insulating film on a polishing stop film The insulating film is polished by relatively moving the substrate W and the surface plate 3 while pressing them against the polishing pad 4. [

여기서 연마대상이 되는 기판(W)으로는, 반도체소자 제조에 관계하는 기판이며, 예를 들어 STI패턴, 배선패턴 등이 형성된 반도체기판 상에, 절연막 및 연마정지막이 형성된 기판을 들 수 있다. 연마대상인 막은 이들 패턴 상에 형성된 절연막이며, 예를 들어 산화규소막 등을 들 수 있다. 또한, 연마정지막으로는 폴리실리콘막 등을 들 수 있다. 이러한 반도체기판 상에 형성된 절연막을, 본 발명의 CMP 연마제로 연마함으로써, 반도체기판의 표면을 평탄한 면으로 할 수 있다.
Here, examples of the substrate W to be polished include substrates on which an insulating film and a polishing stopper film are formed on a semiconductor substrate on which an STI pattern, a wiring pattern, and the like are formed. The film to be polished is an insulating film formed on these patterns, for example, a silicon oxide film and the like. The polishing stop film may be a polysilicon film or the like. By polishing the insulating film formed on such a semiconductor substrate with the CMP abrasive of the present invention, the surface of the semiconductor substrate can be made flat.

본 발명의 CMP 연마제를 사용한 연마방법은, 산화규소 등으로 이루어진 절연막 등의 연마대상막의 하측(베이스기판측)의 연마정지막이 폴리실리콘막인 기판의 연마에 대하여 특히 호적하게 사용할 수 있고, 이러한 기판으로서, NAND플래시 메모리 소자기판을 들 수 있다. 이하에서는, 이 NAND플래시 메모리 소자기판의 CMP 공정에, 본 발명의 CMP 연마제를 적용한 경우를 설명한다.
The polishing method using the CMP abrasive of the present invention can be used particularly advantageously for polishing a substrate, which is a polysilicon film, on the lower side (base substrate side) of the polishing target film such as an insulating film made of silicon oxide or the like, A NAND flash memory element substrate is exemplified. Hereinafter, a case where the CMP abrasive of the present invention is applied to the CMP process of the NAND flash memory device substrate will be described.

예를 들어 NAND플래시 메모리 소자기판은, 도 3에 나타낸 바와 같이, 소정 영역의 도전막(30), 터널산화막(20)으로부터 베이스기판(10)을 소정의 깊이까지 에칭하여 복수의 트렌치가 형성되고, 그리고 트렌치가 매립되도록 절연막(40)이 형성되어 있다. 여기서, 도전막(30)은 플로팅 게이트가 되는 폴리실리콘막 등으로 형성되어 있는 것으로 할 수 있고, 이 경우에는 연마정지막으로서의 역할도 한다.
For example, as shown in Fig. 3, a plurality of trenches are formed in the NAND flash memory device substrate by etching the base substrate 10 from the conductive film 30 and the tunnel oxide film 20 in a predetermined region to a predetermined depth And an insulating film 40 is formed so as to fill the trench. Here, the conductive film 30 may be formed of a polysilicon film or the like to be a floating gate, and in this case also serves as a polishing stopper film.

절연막(40)은 산화막계의 물질에 의해 형성되어 있고, 이러한 절연막으로는, 예를 들어 BPSG막, PSG막, HDP막, TEOS막, USG막, PETEOS막, HARP막 등을 들 수 있다. 또한, 절연막(40)의 형성방법으로는, 예를 들어 PVD법, CVD법, MOCVD법, ALD법 등을 들 수 있다.The insulating film 40 is formed of an oxide film material. Examples of the insulating film include a BPSG film, a PSG film, a HDP film, a TEOS film, a USG film, a PETEOS film, and a HARP film. As the method of forming the insulating film 40, for example, PVD method, CVD method, MOCVD method, ALD method, and the like can be given.

또한, 베이스기판(10)으로는, 예를 들어 실리콘기판 등을 들 수 있다.
The base substrate 10 may be, for example, a silicon substrate or the like.

도 3에 나타낸 바와 같은, 트렌치에 절연막(40)이 매립된 베이스기판(10)을 갖는 NAND플래시 메모리 소자기판을, 도 2에 나타낸 바와 같은 연마장치내에 세트한 후, 본 발명의 CMP 연마제를 이용하여 도전막(30)이 노출될 때까지 절연막(40)을 연마함으로써, 도 4에 나타낸 바와 같이, 절연막(40)이 연마제거되고 STI 분리막(50)이 형성된다.
A NAND flash memory element substrate having a base substrate 10 on which an insulating film 40 is buried in a trench as shown in Fig. 3 is set in a polishing apparatus as shown in Fig. 2, and then the CMP abrasive of the present invention is used The insulating film 40 is polished until the conductive film 30 is exposed and the insulating film 40 is polished and removed to form the STI separation film 50 as shown in FIG.

이때, 절연막(40)의 도전막(30)에 대한 연마선택비가 10 이상인 것이 바람직하다. 연마선택비가 10 이상이면, 절연막(40)과 도전막(30)의 연마속도에 차이가 있으므로 연마정지위치의 검출이 용이해져, 절연막(40) 및 도전막(30)에 대하여 과잉연마되는 일 없이, 결함의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 이러한 연마선택비이면, 상기 STI 분리막의 형성에 의해 호적해진다. 그리고, 본 발명이면, 이 절연막의 도전막에 대한 연마선택비를 예를 들어 90 이상으로 할 수 있다.
At this time, it is preferable that the polishing selectivity ratio of the insulating film 40 to the conductive film 30 is 10 or more. When the polishing selectivity ratio is 10 or more, since the polishing rate of the insulating film 40 and the conductive film 30 is different, the polishing stop position can be easily detected and the insulating film 40 and the conductive film 30 are not excessively polished , The occurrence of defects can be suppressed. Therefore, if this polishing selectivity ratio is satisfied, the formation of the STI separation film becomes favorable. Then, in the present invention, the polishing selectivity for the conductive film of this insulating film can be made 90 or more, for example.

이상과 같이, 극성기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머를 포함하는 CMP 연마제를, 연마정지막에 도전막(30)이 적용된 경우의, 절연막(40)의 CMP 연마에 적용함으로써, 절연막(40)의 도전막(30)에 대한 높은 연마선택비가 얻어지고, 예를 들어 STI형성에 있어서 본 발명을 적용하면, 연마흠집 등의 결함이 적은 STI막의 형성이 가능해진다.
As described above, by applying the CMP abrasive containing a silsesquioxane polymer having a polar group to the CMP polishing of the insulating film 40 when the conductive film 30 is applied to the polishing stopper film, A high polishing selectivity ratio to the film 30 is obtained, and when the present invention is applied, for example, in the STI formation, it becomes possible to form an STI film with few defects such as polishing scratches.

실시예
Example

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하나, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

(습식 세리아의 합성)(Synthesis of wet ceria)

1,000g의 질산세륨육수화물(Ce(NO3)3·6H2O)을 순수 250g에 용해한 용액에, 질산 100g을 혼합하여 세륨(III)용액을 얻었다. 이어서, 1g의 질산이암모늄세륨((NH4)2Ce(NO3)3)을 순수 500g에 용해하여 세륨(IV)용액을 얻었다. 계속해서, 세륨(III)용액과 세륨(IV)용액을 혼합하여 세륨혼합액을 얻었다.
A cerium (III) solution was obtained by mixing 100 g of nitric acid in a solution of 1,000 g of cerium nitrate hexahydrate (Ce (NO 3 ) 3 .6H 2 O) in 250 g of pure water. Subsequently, 1 g of ammonium cerium nitrate ((NH 4 ) 2 Ce (NO 3 ) 3 ) was dissolved in 500 g of pure water to obtain a cerium (IV) solution. Subsequently, a cerium (III) solution and a cerium (IV) solution were mixed to obtain a cerium mixed solution.

이어서, 반응용기에 순수 4,000g을 질소가스분위기하에서 적하하고, 계속해서 1,000g의 암모니아수를 반응용기에 적하하고, 교반하여 염기성 용액을 얻었다.Subsequently, 4,000 g of pure water was dropped into the reaction vessel under a nitrogen gas atmosphere, and 1,000 g of ammonia water was then added dropwise to the reaction vessel and stirred to obtain a basic solution.

이어서, 세륨혼합액을 반응용기에 적하하고 염기성 용액과 혼합하고 교반하여, 질소가스분위기하에서 80℃까지 가열하였다. 8시간 열처리를 행하여, 세리아입자를 함유한 혼합용액을 얻었다.Then, the cerium mixed solution was dropped into the reaction vessel, mixed with the basic solution, stirred, and heated to 80 DEG C under a nitrogen gas atmosphere. Followed by heat treatment for 8 hours to obtain a mixed solution containing ceria particles.

세리아입자를 함유한 혼합액을 실온까지 냉각 후, 혼합액에 질산을 적하하고, 혼합액의 pH를 4 이하의 산성으로 조정하여 반응을 종결시켰다. 혼합액 중의 세리아입자를 침전시킨 후, 순수에 의해 수회 세정 및 원심분리를 반복하여 세정하고, 최종적으로 세리아입자를 얻었다.
After the mixed solution containing ceria particles was cooled to room temperature, nitric acid was added dropwise to the mixed solution, and the pH of the mixed solution was adjusted to an acidity of 4 or less to terminate the reaction. After the ceria particles in the mixed solution were precipitated, it was washed with pure water several times and centrifuged repeatedly to obtain ceria particles finally.

(실세스퀴옥산폴리머의 합성)(Synthesis of silsesquioxane polymer)

3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 2-시아노에틸트리메톡시실란을 각각 가수분해/축합하고, 설포기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머, 카르복시기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머를 합성하였다.
3-mercaptopropyltrimethoxysilane and 2-cyanoethyltrimethoxysilane were respectively hydrolyzed / condensed to synthesize a silsesquioxane polymer having a sulfo group and a silsesquioxane polymer having a carboxyl group.

(CMP 연마제의 조제)(Preparation of CMP abrasive)

상기의 방법으로 합성한 세리아입자, 실세스퀴옥산폴리머, 및 순수를 혼합하고, 교반하면서 초음파분산을 60분 행하였다. 얻어진 슬러리를 0.5μm 필터로 여과하고, 순수로 희석함으로써 CMP 연마제를 조제하였다.
The ceria particles, silsesquioxane polymer and pure water synthesized by the above method were mixed and ultrasonically dispersed for 60 minutes while stirring. The obtained slurry was filtered with a 0.5 mu m filter and diluted with pure water to prepare a CMP abrasive.

(절연막 연마)(Polishing of insulating film)

도 2에 나타낸 편면연마장치의 연마헤드에, 플라즈마 CVD법으로 산화규소막(SiO2막)을 형성한 실리콘기판을, 산화규소막의 표면을 아래로 하여 세트하였다. 그리고, 연마가중 6psi(pound per square inch), 정반 및 연마헤드의 회전속도를 70rpm, 상기 조제한 CMP 연마제를 매분 100mL로 공급하면서, 연마패드(IC1000/SubaIV CMP 패드: Dowchemical)를 이용하여, 60초간 연마를 실시하였다. 연마종료 후, 기판을 연마헤드로부터 분리하고, 순수로 세정 후 다시 초음파세정을 행하고, 건조기를 사용하여 80℃에서 건조시켰다. 그 후, 분광엘립소미터에 의해, 연마 전후의 막두께 변화를 측정함으로써 연마속도를 산출하였다. 마찬가지로, 저압CVD법으로 폴리실리콘막(Poly-Si막)을 형성한 실리콘기판을 동일 조건으로 연마하고, 연마 전후의 막두께 변화를 측정함으로써 연마속도를 산출하였다. 또한, 주사형 전자현미경에 의해, 연마 후의 폴리실리콘막 표면에 발생한 연마흠집의 개수를 구하였다.
A silicon substrate on which a silicon oxide film (SiO 2 film) was formed by a plasma CVD method was set on the polishing head of the single-side polishing apparatus shown in Fig. 2 with the surface of the silicon oxide film facing downward. Using a polishing pad (IC1000 / SubaIV CMP pad: Dowchemical), while supplying the prepared CMP abrasive at a rate of 100 ml per minute, the polishing speed of 60 Second polishing was carried out. After completion of the polishing, the substrate was separated from the polishing head, cleaned with pure water, ultrasonically cleaned again, and dried at 80 DEG C using a drier. Thereafter, the polishing rate was calculated by measuring the change in film thickness before and after polishing by a spectroscopic ellipsometer. Similarly, the silicon substrate on which the polysilicon film (Poly-Si film) was formed by the low-pressure CVD method was polished under the same conditions, and the change in film thickness before and after polishing was measured to calculate the polishing rate. Further, the number of polishing scratches on the surface of the polished silicon film after polishing was determined by a scanning electron microscope.

[실시예 1][Example 1]

세리아입자 500g, 극성기로서 설포기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머 15g, 순수 5,000g을 혼합하고, 교반하면서 초음파분산을 60분 행한 후, 0.5μm 필터로 여과하고, 순수로 다시 희석하여 세리아입자농도가 1질량%, 실세스퀴옥산폴리머농도가 0.15질량%인 CMP 연마제를 조제하였다.500 g of ceria particles, 15 g of silsesquioxane polymer having a sulfo group as a polar group, and 5,000 g of pure water were mixed and subjected to ultrasonic dispersion for 60 minutes while stirring. Then, the mixture was filtered with a 0.5 탆 filter, 1 mass%, and a silsesquioxane polymer concentration of 0.15 mass%.

얻어진 CMP 연마제의 pH는 6.3이었다. 입도분포를 초음파감쇠식 입도분포계(Zeta-APS: Matec제)로 측정한 결과, 평균입자경은 0.10μm였다.
The pH of the obtained CMP abrasive was 6.3. The particle size distribution was measured with an ultrasonic attenuated particle size distribution meter (Zeta-APS: Matec), and the average particle size was 0.10 μm.

[실시예 2][Example 2]

극성기로서 설포기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머 대신에 극성기로서 카르복시기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머를 첨가한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 순서에 따라 CMP 연마제를 조제하였다.A CMP abrasive was prepared in the same manner as in Example 1 except that a silsesquioxane polymer having a carboxyl group as a polar group was added instead of a silsesquioxane polymer having a sulfo group as a polar group.

얻어진 CMP 연마제의 pH는 6.5였다. 입도분포를 초음파감쇠식 입도분포계(Zeta-APS: Matec제)로 측정한 결과, 평균입자경이 0.11μm였다.
The pH of the obtained CMP abrasive was 6.5. The particle size distribution was measured with an ultrasonic attenuation particle size distribution meter (Zeta-APS: Matec), and the average particle size was 0.11 μm.

[비교예 1][Comparative Example 1]

실세스퀴옥산폴리머를 첨가하지 않은 것 이외는, 실시예 1과 동일한 순서에 따라 CMP 연마제를 조제하였다.A CMP abrasive was prepared in the same manner as in Example 1 except that silsesquioxane polymer was not added.

얻어진 CMP 연마제의 pH는 6.0이었다. 입도분포를 초음파감쇠식 입도분포계(Zeta-APS: Matec제)로 측정한 결과, 평균입자경이 0.11μm였다.
The pH of the obtained CMP abrasive was 6.0. The particle size distribution was measured with an ultrasonic attenuation particle size distribution meter (Zeta-APS: Matec), and the average particle size was 0.11 μm.

[비교예 2][Comparative Example 2]

실세스퀴옥산폴리머 대신에, 폴리메타크릴산암모늄염을 첨가한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 순서에 따라 CMP 연마제를 조제하였다.A CMP abrasive was prepared in the same manner as in Example 1 except that ammonium polymethacrylate was added instead of the silsesquioxane polymer.

얻어진 세리아연마제의 pH는 6.6이었다. 입도분포를 초음파감쇠식 입도분포계(Zeta-APS: Matec제)로 측정한 결과, 평균입자경이 0.10μm였다.
The pH of the obtained ceria abrasive was 6.6. The particle size distribution was measured with an ultrasonic attenuation particle size distribution meter (Zeta-APS: Matec), and the average particle size was 0.10 탆.

상기 기판을 연마장치에 세트하고, 실시예 및 비교예에서 조제한 CMP 연마제를 이용하여, 상기 연마조건으로 60초간 CMP 연마를 행하였다. 연마 전후의 막두께 변화를 측정함으로써, 산화규소막 및 폴리실리콘막의 연마속도를 산출하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 표 중의 숫자는 실시예 및 비교예에서 CMP 연마한 기판 5매의 평균값이다.
The substrate was set in a polishing apparatus, and CMP polishing was performed for 60 seconds under the above polishing conditions using the CMP abrasive prepared in Examples and Comparative Examples. The change in film thickness before and after polishing was measured to calculate the polishing rate of the silicon oxide film and the polysilicon film. The results are shown in Table 1. The numbers in the tables are average values of five CMP polished substrates in Examples and Comparative Examples.

[표 1][Table 1]

Figure pct00001

Figure pct00001

표 1에 나타낸 바와 같이, 보호제로서 극성기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머를 포함하는 실시예 1, 2의 CMP 연마제를 이용하여 CMP 연마를 행한 경우에는, 절연막(산화규소막)의 연마정지막(폴리실리콘막)에 대한 연마선택비가 90 이상이며, 비교예와 비교했을 때 매우 높은 연마선택비가 얻어졌다. 또한, 연마흠집의 발생이 없고, 연마흠집의 수에 대해서도 비교예와 비교했을 때 크게 저감되어 있었다.
As shown in Table 1, when CMP polishing was carried out using the CMP abrasives of Examples 1 and 2 including a silsesquioxane polymer having a polar group as a protective agent, the polishing stopper film (poly Silicon film) was 90 or more, and a very high polishing selectivity ratio was obtained as compared with the comparative example. In addition, there was no occurrence of polishing scratches, and the number of polishing scratches was greatly reduced as compared with the comparative example.

한편, 보호제를 첨가하지 않은 비교예 1의 CMP 연마제를 이용하여 CMP 연마를 행한 경우에는, 폴리실리콘막에 대한 연마선택비가 작고, 또한, 연마흠집의 발생도 많은 결과가 되었다.On the other hand, when CMP polishing was carried out using the CMP abrasive of Comparative Example 1 to which no protective agent was added, the polishing selectivity to the polysilicon film was small, and polishing scratches were also generated with many results.

또한, 보호제로서 실세스퀴옥산폴리머 대신에, 폴리메타크릴산암모늄염을 사용한 비교예 2의 CMP 연마제를 이용하여 CMP 연마를 행한 경우는, 폴리실리콘막에 대한 연마선택비의 향상이나 연마흠집의 저감효과는 다소 있으나, 실시예의 CMP 연마제에는 크게 뒤떨어지는 결과가 되었다.
In the case of performing CMP polishing using the CMP abrasive of Comparative Example 2 using a polymethacrylic acid ammonium salt instead of the silsesquioxane polymer as a protective agent, the polishing selectivity to the polysilicon film was improved and the polishing scratches were reduced The effect was somewhat poor, but it was largely inferior to the CMP abrasive of the examples.

이상과 같이, 본 발명의 CMP 연마제에 의해 폴리실리콘막을 연마정지막으로 한 CMP 연마를 행함으로써, 폴리실리콘막에 대한 높은 연마선택비가 얻어지고, 연마흠집의 발생을 적게 연마할 수 있는 것이 밝혀졌다.
As described above, it was found that by performing the CMP polishing using the polysilicon film as the polishing stopper film by the CMP abrasive of the present invention, a high polishing selectivity to the polysilicon film was obtained, and the occurrence of polishing scratches was less able to be polished .

또한, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것이 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the above-described embodiments. The above-described embodiments are illustrative, and any of those having substantially the same structure as the technical idea described in the claims of the present invention and exhibiting the same operational effects are included in the technical scope of the present invention.

Claims (9)

연마입자, 보호제, 및 물을 포함하는 CMP 연마제로서,
상기 보호제는, 극성기를 갖는 실세스퀴옥산폴리머인 것을 특징으로 하는 CMP 연마제.
A CMP abrasive comprising abrasive particles, a protective agent, and water,
Wherein the protective agent is a silsesquioxane polymer having a polar group.
제1항에 있어서,
상기 연마입자가, 습식 세리아입자인 것을 특징으로 하는 CMP 연마제.
The method according to claim 1,
Wherein the abrasive grains are wet ceria grains.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 실세스퀴옥산폴리머가, 극성기로서 설포기 및 카르복시기 중 어느 하나 또는 모두를 갖는 수용성 실세스퀴옥산폴리머인 것을 특징으로 하는 CMP 연마제.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the silsesquioxane polymer is a water-soluble silsesquioxane polymer having any one or both of a sulfo group and a carboxyl group as a polar group.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 실세스퀴옥산폴리머가, 상기 CMP 연마제 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 1질량부 이하로 배합된 것을 특징으로 하는 CMP 연마제.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the silsesquioxane polymer is incorporated in an amount of not less than 0.1 part by mass and not more than 1 part by mass based on 100 parts by mass of the CMP abrasive.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 CMP 연마제는, 절연막연마용 CMP 연마제인 것을 특징으로 하는 CMP 연마제.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the CMP abrasive is a CMP abrasive for polishing an insulating film.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 CMP 연마제의 pH가, 3 이상 7 이하인 것을 특징으로 하는 CMP 연마제.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the pH of the CMP abrasive is 3 or more and 7 or less.
정반 상에 붙여진, 기판을 연마하기 위한 연마패드 상에, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 CMP 연마제를 공급하면서, 상기 기판에 형성된 연마정지막 상의 절연막을 상기 연마패드에 맞대어 가압하면서, 상기 기판과 상기 정반을 상대적으로 움직임으로써 상기 절연막을 연마하는 것을 특징으로 하는 기판의 연마방법.
A polishing pad according to any one of claims 1 to 6, which is attached to a polishing pad for polishing a substrate, is supplied with a CMP abrasive, and the insulating film on the polishing stopper film formed on the substrate is pressed against the polishing pad And polishing the insulating film by relatively moving the substrate and the surface plate.
제7항에 있어서,
상기 연마정지막을 폴리실리콘막으로 하고, 상기 절연막을 산화규소막으로 하는 것을 특징으로 하는 기판의 연마방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the polishing stop film is a polysilicon film, and the insulating film is a silicon oxide film.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 CMP 연마제의 제조방법으로서,
상기 보호제로서, 극성기 함유 유기트리알콕시실란모노머의 가수분해와 중축합반응에 의해 합성된 실세스퀴옥산폴리머를 첨가하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 연마제의 제조방법.A method of producing a CMP abrasive according to any one of claims 1 to 6,
And a step of adding a silsesquioxane polymer synthesized by hydrolysis and polycondensation of an organic trialkoxysilane monomer having a polar group as the protective agent.
KR1020177009454A 2014-10-09 2015-08-28 Cmp polishing agent, method for manufacturing same, and method for polishing substrate KR102394717B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-208014 2014-10-09
JP2014208014A JP6170027B2 (en) 2014-10-09 2014-10-09 CMP abrasive, method for producing the same, and substrate polishing method
PCT/JP2015/004360 WO2016056165A1 (en) 2014-10-09 2015-08-28 Cmp polishing agent, method for manufacturing same, and method for polishing substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170065533A true KR20170065533A (en) 2017-06-13
KR102394717B1 KR102394717B1 (en) 2022-05-06

Family

ID=55652809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177009454A KR102394717B1 (en) 2014-10-09 2015-08-28 Cmp polishing agent, method for manufacturing same, and method for polishing substrate

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10297461B2 (en)
JP (1) JP6170027B2 (en)
KR (1) KR102394717B1 (en)
CN (1) CN106795422B (en)
WO (1) WO2016056165A1 (en)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6243791B2 (en) * 2014-05-09 2017-12-06 信越化学工業株式会社 CMP abrasive, method for producing the same, and substrate polishing method
JP2017228576A (en) * 2016-06-20 2017-12-28 日立化成株式会社 Polishing liquid and polishing method
JP6748010B2 (en) * 2017-03-21 2020-08-26 太陽誘電株式会社 Method of manufacturing acoustic wave device
CN107841288A (en) * 2017-12-12 2018-03-27 戚明海 CMP grinding agents and its manufacture method
CN107828374A (en) * 2017-12-12 2018-03-23 戚明海 A kind of novel C MP grinding agents and its manufacture method
JP7106907B2 (en) * 2018-03-19 2022-07-27 昭和電工マテリアルズ株式会社 Structure and its manufacturing method
JPWO2020196563A1 (en) * 2019-03-28 2020-10-01
CN111087930A (en) * 2019-12-23 2020-05-01 长江存储科技有限责任公司 Preparation method of chemical mechanical polishing grinding agent and chemical mechanical polishing method
CN112778970B (en) * 2021-01-04 2022-05-10 上海晖研材料科技有限公司 Method for preparing surface-modified cerium oxide particles and polishing solution containing same
CN112680185A (en) * 2021-01-04 2021-04-20 上海晖研材料科技有限公司 Application of surface modified silicon dioxide as abrasive particles
CN112680186A (en) * 2021-01-04 2021-04-20 上海晖研材料科技有限公司 Surface-modified silicon dioxide and preparation method of abrasive composition containing same
CN112680187A (en) * 2021-01-04 2021-04-20 上海晖研材料科技有限公司 Surface-modified silicon dioxide and abrasive composition containing same

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0822970A (en) 1994-07-08 1996-01-23 Toshiba Corp Polishing method
JPH10106994A (en) 1997-01-28 1998-04-24 Hitachi Chem Co Ltd Cerium oxide abrasive agent and polishing method of substrate
JP2007084799A (en) * 2005-08-24 2007-04-05 Toray Fine Chemicals Co Ltd Silicone copolymer having oxetanyl group
KR20080045326A (en) * 2006-11-20 2008-05-23 주식회사 엘지화학 Methodd for preparing cerium oxide powder using organic solvent and cmp slurry comprising the same
JP2011529269A (en) 2008-07-24 2011-12-01 テクノ セミケム シーオー．， エルティーディー． Chemical mechanical polishing composition containing a polysilicon polishing finish
JP4894981B2 (en) 2009-10-22 2012-03-14 日立化成工業株式会社 Abrasive, concentrated one-part abrasive, two-part abrasive and substrate polishing method
KR20130081599A (en) * 2012-01-09 2013-07-17 에스케이하이닉스 주식회사 Polishing composition and method of chemical mechanical planarization using the same
US20130244433A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Cabot Microelectronics Corporation Cmp compositions selective for oxide and nitride with high removal rate and low defectivity

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4366735B2 (en) * 1998-11-05 2009-11-18 Ｊｓｒ株式会社 Abrasives containing polymer particles
US6646348B1 (en) * 2000-07-05 2003-11-11 Cabot Microelectronics Corporation Silane containing polishing composition for CMP
JP4508635B2 (en) 2003-12-26 2010-07-21 リンテック株式会社 Hard coat film for image display device
JP2007009080A (en) 2005-06-30 2007-01-18 Nagase Chemtex Corp Coating composition for optical use
US9098571B2 (en) * 2011-01-24 2015-08-04 Aol Inc. Systems and methods for analyzing and clustering search queries
WO2013093556A1 (en) * 2011-12-21 2013-06-27 Basf Se Method for manufacturing cmp composition and application thereof

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0822970A (en) 1994-07-08 1996-01-23 Toshiba Corp Polishing method
JPH10106994A (en) 1997-01-28 1998-04-24 Hitachi Chem Co Ltd Cerium oxide abrasive agent and polishing method of substrate
JP2007084799A (en) * 2005-08-24 2007-04-05 Toray Fine Chemicals Co Ltd Silicone copolymer having oxetanyl group
KR20080045326A (en) * 2006-11-20 2008-05-23 주식회사 엘지화학 Methodd for preparing cerium oxide powder using organic solvent and cmp slurry comprising the same
JP2011529269A (en) 2008-07-24 2011-12-01 テクノ セミケム シーオー．， エルティーディー． Chemical mechanical polishing composition containing a polysilicon polishing finish
JP4894981B2 (en) 2009-10-22 2012-03-14 日立化成工業株式会社 Abrasive, concentrated one-part abrasive, two-part abrasive and substrate polishing method
JP2012084906A (en) 2009-10-22 2012-04-26 Hitachi Chem Co Ltd Abrasive, concentrated 1-liquid system abrasive, 2-liquid system abrasive, and substrate polishing method
KR20130081599A (en) * 2012-01-09 2013-07-17 에스케이하이닉스 주식회사 Polishing composition and method of chemical mechanical planarization using the same
US20130244433A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Cabot Microelectronics Corporation Cmp compositions selective for oxide and nitride with high removal rate and low defectivity

Also Published As

Publication number Publication date
CN106795422B (en) 2019-10-11
JP2016076676A (en) 2016-05-12
US10297461B2 (en) 2019-05-21
US20170278718A1 (en) 2017-09-28
KR102394717B1 (en) 2022-05-06
WO2016056165A1 (en) 2016-04-14
CN106795422A (en) 2017-05-31
JP6170027B2 (en) 2017-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102394717B1 (en) Cmp polishing agent, method for manufacturing same, and method for polishing substrate
US10647887B2 (en) Tungsten buff polishing compositions with improved topography
US10639766B2 (en) Methods and compositions for processing dielectric substrate
US10414947B2 (en) Polishing composition containing ceria particles and method of use
US8262435B2 (en) Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method, and chemical mechanical polishing aqueous dispersion preparation kit
KR102366907B1 (en) Polishing agent for cmp, process for producing same, and method for polishing substrate
US20090221213A1 (en) Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method for semiconductor device
TWI679272B (en) Polishing composition and polishing method using the same
KR20080042043A (en) Polishing agent, method for polishing surface to be polished, and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device
TWI621702B (en) Slurry composition for cerium oxide film
JP2009218558A (en) Polishing solution for cmp, method of polishing substrate and electronic components
WO2018124017A1 (en) Cerium oxide abrasive grains
JP2012186339A (en) Polishing liquid and polishing method of substrate using the same
WO2016021325A1 (en) Polishing liquid for cmp and polishing method using same
JP2009266882A (en) Abrasive powder, polishing method of base using same, and manufacturing method of electronic component
JP2017076694A (en) Polishing liquid for CMP and polishing method
CN113632205A (en) Polishing liquid and polishing method
JP6551053B2 (en) Polishing liquid for CMP and polishing method using the same
JPWO2004100243A1 (en) Chemical mechanical polishing slurry composition capable of compensating for nanotopography effect and surface planarization method of semiconductor device using the same
JP6627283B2 (en) Polishing liquid and polishing method
JP2017210497A (en) Cmp polishing solution and polishing method using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant