KR20170062822A - Light emitting module and lighting apparatus having thereof - Google Patents

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김도엽
김민지
손언호
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예에 따른 발광 모듈은, 수지층, 상기 수지층 상에 배선층, 및 상기 배선층 상에 보호층을 포함하는 회로 기판; 상기 회로 기판 상에 배치된 복수의 발광 소자를 갖는 광원부; 및 상기 회로 기판 상에 배치되며 상기 복수의 발광 소자 각각에 인접한 복수의 온도 센서를 포함하며, 상기 온도 센서는 상기 발광 소자의 개수와 동일한 개수를 포함한다.A light emitting module according to an embodiment includes: a circuit board including a resin layer, a wiring layer on the resin layer, and a protection layer on the wiring layer; A light source unit having a plurality of light emitting elements arranged on the circuit board; And a plurality of temperature sensors disposed on the circuit board and adjacent to each of the plurality of light emitting elements, wherein the temperature sensor includes the same number as the number of the light emitting elements.

Description

발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치{LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHTING APPARATUS HAVING THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting module,

본 발명은 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting module and a lighting device having the same.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART A light emitting device, for example, a light emitting device (Light Emitting Device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been widely recognized as a next generation light source in place of existing fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode. The light emitting diode has been increasingly used as a light source for various lamps used in indoor and outdoor, lighting devices such as a liquid crystal display, have.

실시 예는 복수의 발광 소자 각각이 온도 센서를 갖는 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module in which each of the plurality of light emitting elements has a temperature sensor.

실시 예는 서로 다른 컬러를 발광하는 복수의 발광 소자에 인접한 복수의 온도 센서를 갖는 발광 모듈을 제공한다.Embodiments provide a light emitting module having a plurality of temperature sensors adjacent to a plurality of light emitting elements emitting different colors.

실시 예는 복수의 발광 소자 각각이 서로 다른 방열부에 열적으로 연결된 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module in which a plurality of light emitting elements are thermally connected to different heat dissipating units.

실시 예는 복수의 발광 소자 중 어느 하나에 연결된 방열부의 방열 면적이 다른 발광 소자에 연결된 방열부의 면적보다 큰 발광 모듈을 제공한다. The embodiment provides a light emitting module having a heat dissipating area connected to any one of the plurality of light emitting devices, wherein the heat dissipating area is larger than an area of the heat dissipating part connected to the other light emitting device.

실시 예에 따른 발광 모듈은, 수지층, 상기 수지층 상에 배선층, 및 상기 배선층 상에 보호층을 포함하는 회로 기판; 상기 회로 기판 상에 배치된 복수의 발광 소자를 갖는 광원부; 및 상기 회로 기판 상에 배치되며 상기 복수의 발광 소자 각각에 인접한 복수의 온도 센서를 포함하며, 상기 온도 센서는 상기 발광 소자의 개수와 동일한 개수를 포함한다.A light emitting module according to an embodiment includes: a circuit board including a resin layer, a wiring layer on the resin layer, and a protection layer on the wiring layer; A light source unit having a plurality of light emitting elements arranged on the circuit board; And a plurality of temperature sensors disposed on the circuit board and adjacent to each of the plurality of light emitting elements, wherein the temperature sensor includes the same number as the number of the light emitting elements.

실시 예는 발광 모듈의 각 발광 소자별 온도 제어가 가능한 효과가 있다.The embodiment has an effect that the temperature can be controlled for each light emitting device of the light emitting module.

실시 예는 발광 모듈 내의 발광 소자들의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the heat radiation efficiency of the light emitting elements in the light emitting module.

실시 예는 서로 다른 컬러를 발광하는 발광 소자의 위치를 기판 중심부에 배치함으로써, 회로 기판의 사이즈를 최소화할 수 있다.The embodiment can minimize the size of the circuit board by arranging the positions of the light emitting elements emitting different colors in the central portion of the substrate.

실시 예는 조명 장치의 미리 설정된 CCT의 색 편차를 줄일 수 있다. The embodiment can reduce the color deviation of the preset CCT of the illumination device.

실시 예는 조명 장치에서 서로 다른 발광 모듈 간의 색감 차이를 줄여 줄 수 있다.Embodiments can reduce the color difference between different light emitting modules in an illumination device.

실시 예는 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치의 신뢰성이 개선될 수 있다.
The embodiment can improve the reliability of the light emitting module and the lighting device having the same.

도 1은 실시 예에 따른 발광 모듈의 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 모듈에서 회로 기판의 보호층이 제거된 평면도이다.
도 3은 도 2의 발광 모듈의 회로 기판의 배선의 상세 구성도이다.
도 4는 도 2의 발광 모듈의 발광 소자가 회로 기판에 탑재된 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 1의 발광 모듈의 발광 소자들의 회로 구성도이다.
도 6은 도 1의 발광 모듈의 온도 센서들의 회로 구성도이다.
도 7은 도 5 및 도 6의 발광 소자 및 온도 센서와 커넥터의 연결 구성도이다.
도 8은 도 1의 발광 모듈을 갖는 조명 장치의 예를 나타낸 단면도이다.
도 9는 도 8의 발광 모듈의 B-B측 평면도의 예를 나타낸 도면이다.
도 10 및 도 11은 발광 모듈의 색 온도별 온도 분포를 나타낸 도면이다.1 is a perspective view of a light emitting module according to an embodiment.
FIG. 2 is a plan view of the light emitting module of FIG. 1 with the protective layer of the circuit board removed.
Fig. 3 is a detailed configuration diagram of the wiring of the circuit board of the light emitting module of Fig. 2;
4 is a view illustrating an example in which a light emitting device of the light emitting module of FIG. 2 is mounted on a circuit board.
5 is a circuit diagram of light emitting devices of the light emitting module of FIG.
6 is a circuit diagram of temperature sensors of the light emitting module of FIG.
7 is a connection configuration diagram of the light emitting device and the temperature sensor and the connector of Figs. 5 and 6. Fig.
8 is a cross-sectional view showing an example of a lighting apparatus having the light emitting module of FIG.
9 is a view showing an example of a BB side plan view of the light emitting module of Fig.
10 and 11 are diagrams showing temperature distributions of color temperature of the light emitting module.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise. Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일 또는 유사한 도면 부호를 붙였다. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by the same or similar reference numerals throughout the specification.

<발광 모듈><Light emitting module>

이하에서는 도 1 내지 도 7을 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 모듈을 설명한다.Hereinafter, a light emitting module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7. FIG.

도 1은 실시 예에 따른 발광 모듈의 사시도이고, 도 2는 도 1의 발광 모듈의 평면도이며, 도 3은 도 2의 발광 모듈의 회로 기판의 배선의 상세 구성도이고, 도 4는 도 2의 발광 모듈의 발광 소자가 회로 기판에 탑재된 예를 나타낸 도면이며, 도 5는 도 1의 발광 모듈의 발광 소자들의 회로 구성도이고, 도 6은 도 1의 발광 모듈의 온도 센서들의 회로 구성도이며, 도 7은 도 5 및 도 6의 발광 소자 및 온도 센서와 커넥터의 연결 구성도이다.
1 is a plan view of the light emitting module of FIG. 1, FIG. 3 is a detailed configuration diagram of a circuit board of the light emitting module of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross- FIG. 5 is a circuit diagram of the light emitting devices of the light emitting module of FIG. 1, and FIG. 6 is a circuit diagram of the temperature sensors of the light emitting module of FIG. 1 And FIG. 7 is a connection configuration diagram of the light emitting device, the temperature sensor, and the connector of FIGS. 5 and 6.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 발광 모듈(100)은 회로 기판(10)과, 상기 회로 기판(10) 상에 배열되며 서로 다른 컬러의 광을 방출하는 복수의 발광 소자(R1,G1,B1)을 갖는 광원부(4)와, 상기 발광 소자(R1,G1,B1) 각각의 온도를 감지하는 복수의 온도 센서(81,82,83)를 포함한다. 1 to 7, a light emitting module 100 includes a circuit board 10, a plurality of light emitting devices R1, G1, B1 And a plurality of temperature sensors 81, 82 and 83 for sensing temperatures of the light emitting devices R1, G1 and B1, respectively.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 광원부(4)는 서로 다른 컬러를 발광하는 복수의 발광 소자(R1,G1,B1)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 소자(R1,G1,B1)의 개수는 5개 이하일 수 있으며, 예컨대 3개의 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 소자(R1,G1,B1)는 서로 다른 컬러를 혼합하여 백색을 제공할 수 있는 최소의 개수로 이루어지므로, 가격 경쟁력을 높여줄 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, the light source unit 4 may include a plurality of light emitting devices R1, G1, and B1 that emit different colors. The number of the plurality of light emitting devices Rl, G1, B1 may be five or less, and may include three light emitting devices, for example. Since the plurality of light emitting devices R1, G1, and B1 are formed of the minimum number of colors capable of providing white light by mixing different colors, the price competitiveness can be enhanced.

상기 복수의 발광 소자(R1,G1,B1)는 상기 회로 기판(10)의 상면 센터 영역에 배치되어, 광의 혼색 율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 복수의 발광 소자(R1,G1,B1)는 상기 회로 기판(10) 상에서 서로 병렬로 연결될 수 있다. The plurality of light emitting devices R1, G1, and B1 may be disposed in the center region of the top surface of the circuit board 10 to improve the light mixing ratio. The plurality of light emitting devices R1, G1, and B1 may be connected to each other on the circuit board 10 in parallel.

상기 복수의 발광 소자(R1,G1,B1)는 제1컬러를 발광하는 제1발광 소자(R1), 제2컬러의 광을 발광하는 제2발광 소자(G1) 및 제3컬러의 광을 발광하는 제3발광 소자(B1)를 포함한다. 상기 제1발광 소자(R1), 제2발광 소자(G1), 및 제3발광 소자(B1)는 서로 동일한 개수로 배치될 수 있다.The plurality of light emitting devices R1, G1, and B1 may include a first light emitting device R1 that emits a first color light, a second light emitting device G1 that emits light of a second color, And a third light emitting element B1 for emitting light. The first light emitting device R1, the second light emitting device G1, and the third light emitting device B1 may be arranged in the same number.

상기 제1발광 소자(R1)는 제2 및 제3발광 소자(G1,B1)의 발열 특성보다 높은 발열 특성을 갖는 소자일 수 있으며, 상기 제2발광 소자(G1)는 상기 제3발광 소자(B1)의 발열 특성과 같거나 높은 발열 특성을 갖는 소자일 수 있다.The first light emitting device Rl may be a device having a heat generation characteristic higher than that of the second and third light emitting devices G1 and B1, B1) having the same or higher exothermic characteristic.

상기 제1발광 소자(R1)는 상기 제2 및 제3발광 소자(G1,B1)의 피크 파장보다 장 파장의 광을 발광하게 된다. 상기 제2발광 소자(G1)는 상기 제3발광 소자(B1)로부터 방출된 광의 파장보다 장 파장의 광을 발광한다. The first light emitting device Rl emits light having a longer wavelength than the peak wavelengths of the second and third light emitting devices G1 and B1. The second light emitting device G1 emits light having a longer wavelength than the wavelength of the light emitted from the third light emitting device B1.

상기 제1 발광 소자(R1)는, 가시광 스펙트럼 상의 적색광을 방출하는 적색 발광 소자일 수 있으며, 614nm에서 620nm 사이에서 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수도 있다. The first light emitting device Rl may be a red light emitting device that emits red light in the visible spectrum and may emit light having a peak wavelength between 614nm and 620nm.

상기 제2발광 소자(G1)는 가시광 스펙트럼 상의 녹색광을 방출하는 녹색 발광 소자일 수 있으며, 540nm에서 550nm 사이에서 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수도 있다.The second light emitting device G1 may be a green light emitting device that emits green light in a visible light spectrum and may emit light having a peak wavelength between 540 nm and 550 nm.

상기 제3발광 소자(B1)는 가시광 스펙트럼 상의 청색 광을 방출하는 청색 발광 소자일 수 있으며, 455nm에서 470nm 사이에서 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수도 있다. The third light emitting device B1 may be a blue light emitting device emitting blue light in the visible spectrum and may emit light having a peak wavelength between 455 nm and 470 nm.

상기 제1발광 소자(R1)는 적색 광을 발광하며, 상기 제2발광 소자(G1)는 녹색 광을 발광하며, 상기 제3발광 소자(B1)는 청색 광을 발광하게 되므로, 상기 광원부(4)로부터 방출된 광은 백색 광으로 혼합될 수 있다.The first light emitting device R1 emits red light and the second light emitting device G1 emits green light and the third light emitting device B1 emits blue light, May be mixed with white light.

상기 광원부(4)의 발광 소자들(R1, G1, B1) 각각은, 발광 다이오드(LED) 패키지이거나 칩(chip)일 수 있다. 상기 제1발광 소자(R1)는 제2 또는 제3발광 소자(G1,B1)과의 간격이 1mm 이하일 수 있으며, 상기 제2 및 제3발광 소자(G1,B1) 간의 간격은 1.5mm 이하일 수 있다. 상기 제1발광 소자(R1)과 제2 또는 제3발광 소자(G1,B1) 간의 간격은 상기 제2 및 제3발광 소자(G1,B1) 간의 간격보다 좁을 수 있다. 이러한 제1 내지 제3발광 소자(R1,G1,B1)은 상기 간격에 의해 컬러들 혼합이 개선될 수 있으며, 확산 시트와 같은 광학 시트와의 거리를 줄여줄 수 있다.Each of the light emitting elements R1, G1 and B1 of the light source unit 4 may be a light emitting diode (LED) package or a chip. The distance between the first and second light emitting devices R1 and G1 may be less than or equal to 1 mm and the distance between the second and third light emitting devices G1 and B1 may be less than or equal to 1.5 mm. have. The gap between the first light emitting device Rl and the second or third light emitting devices G1 and B1 may be narrower than the gap between the second and third light emitting devices G1 and B1. The first through third light emitting devices R1, G1, and B1 can improve color mixing by the interval and reduce the distance from the optical sheet such as a diffusion sheet.

상기 복수의 온도 센서(81,82,83)는 상기 제1발광 소자(R1)에 인접한 제1온도 센서(81), 상기 제2발광 소자(G1)에 인접한 제2온도 센서(82), 상기 제3발광 소자(B1)에 인접한 제3온도 센서(83)를 포함한다. 상기 복수의 온도 센서(81,82,83)는 상기 회로 기판(10) 상에 배치된 발광 소자(R1,G1,B1)의 개수와 동일한 개수일 수 있다. The plurality of temperature sensors 81, 82, and 83 may include a first temperature sensor 81 adjacent to the first light emitting device Rl, a second temperature sensor 82 adjacent to the second light emitting device G1, And a third temperature sensor 83 adjacent to the third light emitting device B1. The plurality of temperature sensors 81, 82, and 83 may be the same number as the number of the light emitting devices R1, G1, and B1 disposed on the circuit board 10. [

상기 제1온도 센서(81)는 제1발광 소자(R1)로부터 발생된 온도를 감지하며, 상기 제2온도 센서(82)는 상기 제2발광 소자(G1)로부터 발생된 온도를 감지하며, 상기 제3온도 센서(83)는 상기 제3발광 소자(B1)로부터 발생된 온도를 감지하게 된다. 이러한 제1 내지 제3온도 센서(81,82,83)로부터 감지된 온도는 미리 저장된 개별 발광 소자의 온도 테이블에 따라 상기 제1 내지 제3발광 소자(R1,G1,B1) 각각을 독립적으로 구동할 수 있게 제어부에 제공될 수 있다. The first temperature sensor 81 senses a temperature generated from the first light emitting device R 1 and the second temperature sensor 82 senses a temperature generated from the second light emitting device G 1. And the third temperature sensor 83 senses the temperature generated from the third light emitting device B1. The temperatures sensed by the first to third temperature sensors 81, 82, and 83 are controlled by independently driving each of the first to third light emitting devices Rl, G1, and B1 according to the temperature table of the pre- So that it can be provided to the control unit.

상기 온도 센서(81,82,83)는 온도에 따라 저항 값이 변하는 가변저항인 써미스터(thermistor)일 수 있다. 상기 온도 센서(81,82,83)는 온도가 상승함에 따라 비저항이 작아지는 NTC(negative temperature coefficient)일 수도 있다. 다른 예로서, 상기 온도 센서(81,82,83)는 PTC(positive temperature coefficient)일 수 있다.
The temperature sensors 81, 82 and 83 may be thermistors which are variable resistors whose resistance values vary according to temperature. The temperature sensors 81, 82, and 83 may be negative temperature coefficient (NTC) that the resistivity decreases as the temperature rises. As another example, the temperature sensor 81, 82, 83 may be a positive temperature coefficient (PTC).

상기 회로 기판(10)은 상기 회로 기판(10)은 수지 계열의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 회로 기판(10)은 FR(Frame Retardant)계 재질이거나 CEM(Composite Epoxy Material)계의 재질일 수 있다.The circuit board 10 may be formed of a resin-based PCB, a metal core PCB (MCPCB), or a flexible PCB (FPCB). The circuit board 10 may be a FR (Frame Retardant) material or a CEM (Composite Epoxy Material) material.

상기 회로 기판(10)은 제1축(X) 방향의 길이(D1)가 제2축(Y) 방향의 길이(D2)와 동일하거나 더 짧게 배치될 수 있다. 상기 제1축(X) 방향은 너비 방향이며, 제2축(Y) 방향은 길이 방향일 수 있다. The circuit board 10 may have a length D1 in the first axis X direction equal to or shorter than a length D2 in the second axis Y direction. The first axis (X) direction may be a width direction, and the second axis (Y) direction may be a length direction.

도 4 및 도 1을 참조하면, 상기 회로 기판(10)은 수지층(L1), 상기 수지층(L1) 상에 보호층(L3) 및 배선층(L4)을 포함할 수 있다. 상기 배선층(L4)은 도 1의 광원부(4)의 발광 소자 (R1,G1,B1)에 선택적으로 연결될 수 있다.4 and 1, the circuit board 10 may include a resin layer L1, a protective layer L3, and a wiring layer L4 on the resin layer L1. The wiring layer L4 may be selectively connected to the light emitting elements R1, G1, and B1 of the light source unit 4 of FIG.

상기 수지층(L1)은 상기 배선층(L4)들을 절연시켜 주게 되며, 에폭시계 또는 폴리 이미드계 수지를 포함하며, 내부에 고형 성분, 예를 들어, 필러 또는 유리 섬유 등이 분산되어 있을 수 있으며, 이와 달리 산화물 또는 질화물 등의 무기물일 수 있다. 상기 수지층(L1)은 FR계 기판이거나, CEM계 기판일 수 있다. The resin layer (L1) insulates the wiring layers (L4). The resin layer (L1) may include an epoxy or polyimide resin. A solid component such as a filler or glass fiber may be dispersed in the resin layer. Alternatively, it may be an inorganic substance such as an oxide or a nitride. The resin layer L1 may be a FR-based substrate or a CEM-based substrate.

상기 배선층(L4)은 미리 설정된 회로 패턴으로 식각될 수 있으며, 상기 회로 패턴의 상면 중 일부 영역은 상기 보호층(L3)이 노출되어 패드(예: P1,P2,P3)로 기능하게 된다. 상기 배선층(L4)은 구리, 또는 구리를 포함하는 합금이 될 수 있으며, 상기 배선층(L4)의 표면에는 니켈, 은, 금 또는 팔라듐 또는 이들 중 하나 이상을 포함하는 합금을 이용하여 표면 처리될 수 있다. 상기 배선층(L4)은 후술되는 미리 설정된 회로 패턴으로 발광 소자(R1,G1,B1)에 연결될 수 있다. 상기 배선층(4)은 후술되는 회로 패턴으로 복수의 온도 센서(81,82,83)에 연결될 수 있다. The wiring layer L4 may be etched with a predetermined circuit pattern and a portion of the upper surface of the circuit pattern is exposed to the protective layer L3 to function as a pad such as P1, P2 or P3. The wiring layer L4 may be an alloy containing copper or copper and the surface of the wiring layer L4 may be surface-treated with nickel, silver, gold or palladium or an alloy containing at least one of them. have. The wiring layer L4 may be connected to the light emitting devices R1, G1, and B1 in a predetermined circuit pattern, which will be described later. The wiring layer 4 may be connected to a plurality of temperature sensors 81, 82, and 83 in a circuit pattern described later.

상기 보호층(L3)은 상기 배선층(L4)을 보호하는 층이다. 상기 보호층(L3)은 패드를 제외한 영역이 노출되는 것을 차단하기 위한 층으로서, 절연 재질 예컨대, 솔더 레지스트를 포함한다. 상기 보호층(L3)은 백색, 녹색 또는 흑색을 갖고, 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 보호층(L3)에 오픈된 패드 형상은 원 형상, 반구형 형상, 다각형 형상, 비 정형 형상 중에서 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The protective layer L3 is a layer for protecting the wiring layer L4. The protective layer L3 is a layer for blocking exposure of a region except the pad, and includes an insulating material such as a solder resist. The protective layer L3 has a white color, a green color or a black color and can improve the light reflection efficiency. The pad shape opened in the protective layer L3 may be selectively formed in a circular shape, hemispherical shape, polygonal shape, or irregular shape, but is not limited thereto.

도 2, 도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 회로 기판(10)의 배선층(L4)은 상기 제1 내지 제3발광 소자(R1,G1,B1)의 아래에 배치되며 상기 제1 내지 제3발광 소자(R1,G1,B1)에 연결된 제1리드부(30), 상기 제1발광 소자(R1)의 아래에 배치된 제2리드부(31), 상기 제2발광 소자(G1) 아래에 배치된 제3리드부(32), 및 상기 제3발광 소자(B1) 아래에 배치된 제4리드부(33)를 포함한다. 상기 제1리드부(30)는 정 극성의 단자(LED+)로서 상기 제1 내지 제3발광 소자(R1,G1,B1)에 공통 전극으로 연결될 수 있다. 상기 제1리드부(30)는 상기 제1발광 소자(R1)에 연결된 부 극성의 단자(R-)일 수 있다. 상기 제3리드부(32)는 상기 제2발광 소자(G1)에 연결된 부 극성의 단자(G-)일 수 있다. 상기 제4리드부(33)는 상기 제3발광 소자(B1)에 연결된 부 극성의 단자(B-)일 수 있다.2, 3, and 5, the wiring layer L4 of the circuit board 10 is disposed under the first to third light emitting devices R1, G1, and B1, A first lead portion 30 connected to the light emitting devices R1, G1 and B1, a second lead portion 31 disposed below the first light emitting device R1, And a fourth lead portion 33 disposed below the third light emitting device B1. The first lead portion 30 may be connected to the first, second, and third light emitting devices R1, G1, and B1 as a common electrode as a positive terminal (LED +). The first lead portion 30 may be a negative terminal R- connected to the first light emitting device Rl. The third lead portion 32 may be a negative terminal G- connected to the second light emitting device G1. The fourth lead portion 33 may be a negative terminal B- connected to the third light emitting device B1.

상기 제1리드부(30)와 제2리드부(31)은 수직한 직선 라인 형태로 배치되며, 상기 제3 및 제4리드부(32,33)은 수직한 수평 라인 형태로 배치될 수 있다. 상기 제3 및 제4리드부(33,34)는 상기 제1리드부(30)를 기준으로 서로 반대측에 배치되거나 180도 어긋난 위치에 배치될 수 있다. 상기 제1내지 제4리드부(30,31,32,33)는 탑뷰 형상이 서로 접촉되지 않는 십자(+) 형태로 배치될 수 있다. The first lead portion 30 and the second lead portion 31 may be arranged in a straight line form and the third and fourth lead portions 32 and 33 may be arranged in a vertical horizontal line form . The third and fourth lead portions 33 and 34 may be disposed on opposite sides of the first lead portion 30 or may be displaced 180 degrees from each other. The first to fourth lead portions 30, 31, 32, and 33 may be arranged in a cross shape in which top view shapes are not in contact with each other.

상기 제1리드부(30)는 복수의 제1패드(P1,P11,P21)를 갖고 제1내지 제3발광 소자(R1,G1,B1)의 애노드(Anode)에 각각 연결된다. 상기 복수의 제1패드(P1,P11,P21)는 상기 회로 기판(10)의 센터 영역의 중심부에 서로 이격되어 배치될 수 있다.
The first lead portion 30 has a plurality of first pads P1, P11 and P21 and is connected to the anodes of the first through third light emitting devices R1, G1 and B1. The plurality of first pads P1, P11, and P21 may be spaced apart from each other at a central portion of the center region of the circuit board 10. [

상기 제2리드부(31)는 제2패드(P2)를 갖고 제1발광 소자(R1)의 캐소드(Cathode)에 연결될 수 있으며, 제3리드부(32)는 제2패드(P12)를 갖고 제2발광 소자(G1)의 캐소드에 연결될 수 있으며, 제4리드부(33)는 제2패드(P22)를 갖고 제3발광 소자(B1)의 캐소드에 연결될 수 있다.
The second lead portion 31 may have a second pad P2 and be connected to a cathode of the first light emitting device R1 and the third lead portion 32 may have a second pad P12 And the fourth lead portion 33 may be connected to the cathode of the third light emitting device B1 with the second pad P22.

상기 배선층(L4)은 복수의 방열부(41,42,43)를 포함할 수 있다. 상기 방열부(41,42,43)는 상기 제1발광 소자(R1)에 열적으로 연결된 제1방열부(41), 상기 제2발광 소자(G1)에 열적으로 연결된 제2방열부(42), 상기 제3발광 소자(B1)에 열적으로 연결된 제3방열부(43)를 포함한다. The wiring layer L4 may include a plurality of heat dissipation units 41, 42, and 43. The heat dissipating units 41, 42 and 43 include a first heat dissipating unit 41 thermally connected to the first light emitting device Rl, a second heat dissipating unit 42 thermally connected to the second light emitting device G1, And a third heat dissipation part 43 thermally connected to the third light emitting device B1.

상기 제1방열부(41)는 오픈된 제3패드(P3)를 갖고 제1발광 소자(R1)의 방열 프레임(도 4의 F3)에 연결될 수 있다. 상기 제2방열부(42)는 오픈된 제3패드(P13)를 갖고 제2발광 소자(G1)의 방열 프레임(도 4의 F3)에 연결될 수 있다. 상기 제3방열부(43)는 오픈된 제3패드(P23)를 갖고 제3발광 소자(B1)의 방열 프레임(도 4의 F3)에 연결될 수 있다. 상기 제1내지 제3방열부(41,42,43)의 제3패드(P3,P13,P23)는 상기 제1리드부(30)의 제1패드(P1,P11,P21) 각각과 제2내지 제4리드부(31,32,33)의 제2패드(P2,P12,P22) 사이에 각각 배치될 수 있다. The first heat-radiating portion 41 may have a third pad P3 that is opened and may be connected to the heat-radiating frame (F3 of FIG. 4) of the first light-emitting device R1. The second heat-radiating portion 42 may have an opened third pad P13 and may be connected to the heat-radiating frame (F3 in FIG. 4) of the second light-emitting device G1. The third heat-radiating portion 43 may have an opened third pad P23 and may be connected to the heat-radiating frame (F3 of FIG. 4) of the third light-emitting device B1. The third pads P3, P13 and P23 of the first to third heat radiating portions 41, 42 and 43 are connected to the first pads P1, P11 and P21 of the first lead portion 30, P12, and P22 of the first to fourth lead portions 31, 32, and 33, respectively.

상기 제1방열부(41)는 상기 제1방열부(41)로부터 연장된 제1연장부(41A)를 포함하며, 상기 제1연장부(41A)와 상기 제1방열부(41)는 상기 제1발광 소자(R1)에 연결된 제1방열부(41)의 제3패드(P3)로 연결될 수 있다. 상기 제1방열부(41)와 상기 제1연장부(41A) 사이의 영역에는 상기 제2리드부(31)가 배치될 수 있다. 상기 제1방열부(41)는 상기 제2리드부(31)와 상기 제4리드부(33)의 외측 영역에 배치되며, 상기 제1연장부(41A)는 상기 제2리드부(31)와 상기 제3리드부(32)의 외측 영역에 배치될 수 있다. The first extension portion 41A extends from the first heat dissipation portion 41 and the first extension portion 41A and the first heat dissipation portion 41 are spaced apart from the first extension portion 41A, And may be connected to the third pad P3 of the first heat dissipating unit 41 connected to the first light emitting device R1. The second lead portion 31 may be disposed in a region between the first heat radiating portion 41 and the first extending portion 41A. The first heat radiating portion 41 is disposed in an outer region of the second lead portion 31 and the fourth lead portion 33. The first extending portion 41A is disposed on the second lead portion 31, And the third lead portion 32, as shown in FIG.

상기 제1방열부(41)는 상기 제1연장부(41A)의 면적과 동일하거나 더 큰 면적을 가질 수 있다. 상기 제1연장부(41A)를 갖는 제1방열부(41)의 면적은 상기 제2 및 제3방열부(42,43) 각각의 면적보다 클 수 있다. 또한 상기 제1연장부(41A)를 갖는 제1방열부(41)의 면적은 상기 제2 및 제3방열부(42,43)의 면적의 합보다 클 수 있다. 상기 제1방열부(41)는 발열 특성이 가장 높은 제1발광 소자(R1)에 연결됨으로써, 상기 제1발광 소자(R1)로부터 발생된 열을 효과적으로 방열할 수 있다.
The first heat radiating portion 41 may have an area equal to or larger than that of the first extending portion 41A. The area of the first heat radiating portion 41 having the first extending portion 41A may be larger than the area of each of the second and third heat radiating portions 42 and 43. The area of the first heat-radiating portion 41 having the first extending portion 41A may be larger than the sum of the areas of the second and third heat-radiating portions 42 and 43. The first heat-radiating part 41 is connected to the first light-emitting device R1 having the highest heat-generating characteristic, thereby effectively dissipating heat generated from the first light-emitting device R1.

상기 제2방열부(42)는 제2연장부(42A)를 포함하며, 상기 제2연장부(42A)와 상기 제2방열부(42)는 제2발광 소자(G1)에 연결된 제2방열부(42)의 제3패드(P13)로 연결될 수 있다. 상기 제2연장부(42A)와 제2방열부(42) 사이의 영역은 제3리드부(32)가 배치될 수 있다. 상기 제2연장부(42A)는 상기 제1방열부(41)의 제1연장부(42A)와 상기 제3리드부(32) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2방열부(42)는 상기 제1방열부(42) 또는 제1연장부(41A)와 동일한 면적일 수 있다. 상기 제2연장부(42A)는 상기 제2방열부(42)의 면적보다 작은 면적일 수 있다. 상기 제2방열부(42)는 상기 제1리드부(30) 및 제3리드부(32)의 외측 영역에 배치되고 열적으로 연결된 제2발광 소자(G1)로부터 발생된 열을 방열하게 된다. The second extending portion 42A includes a second heat dissipating portion 42 and the second heat dissipating portion 42 includes a second heat dissipating portion 42A connected to the second light emitting device G1. To the third pad (P13) of the pad (42). A third lead portion 32 may be disposed in a region between the second extension portion 42A and the second heat dissipation portion 42. The second extended portion 42A may be disposed between the first extended portion 42A of the first heat radiating portion 41 and the third lead portion 32. [ The second heat-radiating portion 42 may have the same area as the first heat-radiating portion 42 or the first extending portion 41A. The second extending portion 42A may have an area smaller than that of the second heat-radiating portion 42. [ The second heat dissipation unit 42 is disposed in an outer region of the first and third lead portions 30 and 32 to dissipate heat generated from the second light emitting device G1 thermally connected.

상기 제3방열부(43)는 제3연장부(43A)를 포함하며, 상기 제3연장부(43A)와 상기 제3방열부(43)는 상기 제3발광 소자(B1)에 연결된 제3패드(P23)로 연결될 수 있다. 상기 제3연장부(43A)와 상기 제3방열부(43) 사이의 영역은 제4리드부(33)가 배치될 수 있다. 상기 제3방열부(43)는 상기 제1방열부(42) 또는 제1연장부(41A)와 동일한 면적일 수 있다. 상기 제3연장부(43A)는 상기 제3방열부(42)의 면적보다 작은 면적일 수 있다. 상기 제3방열부(43)는 상기 제1리드부(30) 및 상기 제4리드부(33)의 외측 영역에 배치되고, 열적으로 연결된 제3발광 소자(B1)로부터 발생된 열을 방열하게 된다.
The third extending portion 43A includes a third extending portion 43A and the third extending portion 43A and the third heat dissipating portion 43 include a third extending portion 43A connected to the third light emitting device B1. Pad P23. The fourth lead portion 33 may be disposed in a region between the third extension 43A and the third heat dissipation portion 43. The third heat-radiating portion 43 may have the same area as the first heat-radiating portion 42 or the first extending portion 41A. The third extension 43A may be smaller than the area of the third heat dissipation unit 42. [ The third heat dissipating unit 43 is disposed in the outer region of the first and third lead portions 30 and 33 to radiate heat generated from the third light emitting device B1 thermally connected do.

상기 제1방열부(41)는 제1온도 센서(81)의 아래에 배치된 제4패드(P4)를 포함하며, 상기 제2방열부(42)는 상기 제2온도 센서(82) 아래에 배치된 제4패드(P41)를 포함하며, 상기 제3방열부(43)는 상기 제3온도 센서(83) 아래에 배치된 제4패드(P51)를 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3방열부(41,42,43)는 상기 제3패드(P3,P13,P23)를 통해 열을 전도받고 상기 제4패드(P4,P41,P51)를 통해 제1 내지 제3온도 센서(81,82,83)로 각각 전달하게 된다. 이에 따라 제1 내지 제3온도 센서(81,82,83)는 제1,2,3방열부(41,42,43)를 통해 제1,2,3발광 소자(R1,G1,B1) 각각으로 발생된 열을 감지하게 된다.
The first heat radiating part 41 includes a fourth pad P4 disposed below the first temperature sensor 81 and the second heat radiating part 42 is disposed below the second temperature sensor 82 And the third heat dissipation unit 43 may include a fourth pad P51 disposed under the third temperature sensor 83. The fourth pad P41 may include a fourth pad P41, The first to third heat dissipation units 41, 42 and 43 conduct heat through the third pads P3, P13 and P23 and receive heat through the fourth pads P4, P41 and P51, 3 temperature sensors 81, 82, and 83, respectively. Accordingly, the first to third temperature sensors 81, 82, and 83 are connected to the first, second, and third light emitting devices Rl, G1, and B1 through the first, As shown in FIG.

상기 배선층(L4)은 접지부(21)를 포함할 수 있다. 상기 접지부(21)는 상기 제1온도 센서(81)에 연결된 제1접지부(21A), 상기 제2온도 센서(82)에 연결된 제2접지부(21B), 상기 제3온도 센서(83)에 연결된 제3접지부(21C)를 포함한다. 상기 제1접지부(21A)는 상기 접지부(21)로부터 분기되어 상기 제2리드부(31)와 제1방열부(41) 사이에 연장되며, 상기 제2접지부(21B)는 상기 접지부(21)로부터 분기되어 상기 제1리드부(30)와 제2방열부(42) 사이로 연장되며, 상기 제3접지부(21C)는 상기 접지부(21)로부터 분기되어 상기 제1리드부(30)와 제3방열부(43) 사이로 연장될 수 있다. The wiring layer L4 may include a ground portion 21. The grounding unit 21 includes a first grounding unit 21A connected to the first temperature sensor 81, a second grounding unit 21B connected to the second temperature sensor 82, a third grounding unit 21B connected to the third temperature sensor 83 And a third grounding part 21C connected to the second grounding part 21C. The first grounding portion 21A is branched from the grounding portion 21 and extends between the second lead portion 31 and the first heat radiating portion 41. The second grounding portion 21B extends from the grounding portion 21, And the third grounding portion 21C branches from the grounding portion 21 and extends between the first and second heat dissipating portions 30 and 42. The third grounding portion 21C is branched from the grounding portion 21, (30) and the third heat-radiating portion (43).

상기 제1접지부(21A)는 상기 제1온도 센서(81)에 연결된 제5패드(P5)를 포함하며, 상기 제2접지부(21B)는 상기 제2온도 센서(82)에 연결된 제5패드(P42)를 포함하며, 상기 제3접지부(21C)는 상기 제3온도 센서(83)에 연결된 제6패드(P52)를 포함한다. 상기 제1내지 제3접지부(21A,21B,21C)의 제5패드(P5,P42,P52)는 상기 제1내지 제3온도 센서(81,82,83)를 접지 단(GND)으로 연결하게 된다.
The first grounding part 21A includes a fifth pad P5 connected to the first temperature sensor 81 and the second grounding part 21B includes a fifth pad P5 connected to the second temperature sensor 82, Pad P42 and the third ground 21C includes a sixth pad P52 connected to the third temperature sensor 83. [ The fifth pads P5, P42 and P52 of the first to third ground units 21A, 21B and 21C are connected to the ground terminals GND of the first to third temperature sensors 81, .

도 5 및 도 3을 참조하면, 제1,2,3발광 소자(R1,G1,B1)의 애노드는 제1리드부(30)인 정 극성 단자(LED+)에 연결되며, 캐소드는 제2,3,4리드부인 부 극성 단자(R-,G-,B-)에 연결될 수 있다.5 and 3, the anode of the first, second and third light emitting devices R1, G1 and B1 is connected to the positive terminal LED + which is the first lead portion 30, (R-, G-, B-) which are the negative three-lead terminal.

여기서, 상기 제1,2,3발광 소자(R1,G1,B1)는 온도 센서 단자(RT,GT,BT)에 열적으로 연결될 수 있다. 상기 온도 센서 단자(RT,GT,BT)에서 적색 발광 소자의 온도를 감지하는 단자(RT: Red Temperature)는 제1방열부(41)의 제4패드(P4)이고, 녹색 발광 소자의 온도를 감지하는 단자(GT: Green Temperature)는 제2방열부(42)의 제4패드(P41)이고, 청색 발광 소자의 온도를 감지하는 단자(BT: Blue Temperature)는 제3방열부(43)의 제4패드(P51)일 수 있다.The first, second and third light emitting devices R1, G1 and B1 may be thermally connected to the temperature sensor terminals RT, GT and BT. A terminal (RT) for sensing the temperature of the red light emitting element in the temperature sensor terminals RT, GT and BT is a fourth pad P4 of the first heat dissipating part 41, The terminal (GT) for sensing the temperature of the blue light emitting element is connected to the fourth pad P41 of the second heat dissipating unit 42 and the terminal (BT) And may be the fourth pad P51.

도 6을 참조하면, 도 5의 온도 감지 단자(RT,GT,BT)는 상기 각 온도 센서(81,82,83)에 연결될 수 있다. Referring to FIG. 6, the temperature sensing terminals RT, GT and BT of FIG. 5 may be connected to the temperature sensors 81, 82 and 83, respectively.

상기 회로 기판(10)에는 커넥터(75)가 연결되거나 배치될 수 있으며, 상기 커넥터(75)에 연결된 외부 단자(T1)들은 상기 상기 제1 내지 제3방열부(41,42,43), 상기 제1 내지 제4리드부(30,31,32,33) 및 상기 접지부(21:21A,21B,21C)에 연결될 수 있다. 이러한 커넥터(75)는 도 7과 같이 외부 단자(RT,G-,GT,GND,LED+,GND,BT,B-,R-)에 연결되고, 제어부에 의해 각 발광 소자의 구동 전류를 전달하게 된다.
A connector 75 may be connected to or disposed on the circuit board 10 and external terminals T1 connected to the connector 75 may be connected to the first through third heat dissipation units 41, And may be connected to the first to fourth lead portions 30, 31, 32, 33 and the ground portions 21, 21A, 21B, 21C. 7, the connector 75 is connected to the external terminals RT, G-, GT, GND, LED +, GND, BT, B- and R- do.

상기 회로 기판(10)에는 결합 구멍(15)을 포함할 수 있으며, 상기 결합 구멍(15)은 다른 구조물이 결합될 수 있다. 상기 결합 구멍은 상기 회로 기판의 모서리 영역에 각각 배치되거나, 회로 기판의 측면이나 에지(edge)에 인접한 영역에 배치될 수 있다. 상기 결합 구멍들은 상기 회로 기판의 중심으로부터 동일한 거리로 이격될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The circuit board 10 may include a coupling hole 15, and the coupling hole 15 may be coupled to another structure. The engaging holes may be respectively disposed in corner areas of the circuit board, or may be disposed in areas adjacent to side surfaces or edges of the circuit board. The engagement holes may be spaced at equal distances from the center of the circuit board, but are not limited thereto.

실시 예에 따른 발광 모듈에서 방출될 수 있는 광의 상관 색온도(CCT)는 2700K부터 6500K 사이에 위치한다. 표 1은 실시 예에 따른 발광 모듈에서 방출될 수 있는 광속이 100lm인 경우, 상관 색온도 2700K와 6500K에서의 각 발광 소자의 특성을 나타낸 것이다.The correlated color temperature (CCT) of light that can be emitted from the light emitting module according to the embodiment is located between 2700K and 6500K. Table 1 shows the characteristics of the respective light emitting devices at the correlated color temperatures of 2700K and 6500K when the light flux that can be emitted from the light emitting module according to the embodiment is 100 lm.

색 온도Color temperature RedRed GreenGreen BlueBlue 2700K2700K Current[mA]Current [mA] 189189 238238 33 Voltage[V]Voltage [V] 2.32.3 3.053.05 3.053.05 Power[W]Power [W] 0.430.43 0.730.73 0.0090.009 Thermal Power[W]Thermal Power [W] 0.280.28 0.470.47 0.0060.006 6500K6500K Current[mA]Current [mA] 4848 267267 4848 Voltage[V]Voltage [V] 2.32.3 3.053.05 3.053.05 Power[W]Power [W] 0.110.11 0.810.81 0.150.15 Thermal Power[W]Thermal Power [W] 0.070.07 0.530.53 0.10.1

표 1과 같이, 전류 량에 비해 적색 발광 소자의 발열 량(Thermal power)이 현저하게 개선됨을 알 수 있다. 여기서, 상기 발열 량은 전체 파워(Total power)의 65%로 가정하여 측정한 것이다. 이에 따라 적색, 녹색 및 청색 발광 소자의 온도를 정확하게 감지하고, 감지된 온도에 따라 각각의 발광 소자를 독립적으로 구동시켜 줄 수 있으며, CCT별 및 컬러별로 제어할 수 있다.As shown in Table 1, it can be seen that the thermal power of the red light emitting device is remarkably improved as compared with the current amount. Here, the amount of heat generated is assumed to be 65% of the total power. Accordingly, the temperature of the red, green, and blue light emitting devices can be precisely detected, and each light emitting device can be independently driven according to the sensed temperature.

도 10 내지 도 13은, 표 1과 같은 조건에서 실시 예에 따른 발광 모듈이 구동될 때, 상관 색온도에 따른 회로 기판의 표면에서의 발열 온도를 체크한 것이다. 이 경우 녹색 발광 소자로부터 발생된 검출 온도는 다른 발광 소자보다 낮음을 알 수 있다. 녹색 발광 소자가 탑재된 회로 기판의 표면에서의 감지 온도(PG)는 도 10과 같이 상관 색온도 2700K일 때 56.10℃ 정도이고, 도 11과 같이 상관 색온도가 6500K일 때 55.87℃로 검출된다. 청색 발광 소자가 탑재된 회로 기판의 표면에서의 감지 온도(PB)는 도 12와 같이 상관 색온도 2700K일 때 56.72 정도이고, 도 11과 같이 상관 색온도가 6500K일 때 56.72℃로 검출된다. 이러한 녹색 발광 소자와 청색 발광 소자의 감지 온도(PG,PB)는 유사하게 검출되지만, 적색 발광 소자의 검출 온도가 더 낮게 검출됨을 알 수 있다.
10 to 13 are views for checking the heat generation temperature at the surface of the circuit board according to the correlated color temperature when the light emitting module according to the embodiment is driven under the same conditions as in Table 1. In this case, it can be understood that the detection temperature generated from the green light emitting element is lower than that of the other light emitting elements. 10, the sensed temperature P G on the surface of the circuit board on which the green light emitting device is mounted is about 56.10 캜 when the correlated color temperature is 2700 K and 55.87 캜 when the correlated color temperature is 6500 K as shown in Fig. The sensed temperature (P B ) on the surface of the circuit board on which the blue light emitting element is mounted is about 56.72 when the correlated color temperature is 2700K as shown in FIG. 12 and 56.72 ° C when the correlated color temperature is 6500K as shown in FIG. It can be seen that the detection temperatures (P G , P B ) of the green light emitting device and the blue light emitting device are detected similarly, but the detection temperature of the red light emitting device is detected to be lower.

도 4는 실시 예에 따른 회로 기판 상에 배치된 발광 소자의 상세 구조의 예를 나타낸 도면이다.4 is a diagram showing an example of a detailed structure of a light emitting device disposed on a circuit board according to an embodiment.

도 4를 참조하면, 발광 소자(R1,G1,B1)는 몸체(90), 복수의 전극(F1, F2), 방열 프레임(F3), 발광 칩(94), 본딩 부재(95), 및 몰딩 부재(97)를 포함할 수 있다.4, the light emitting devices R1, G1, and B1 include a body 90, a plurality of electrodes F1 and F2, a heat radiating frame F3, a light emitting chip 94, a bonding member 95, Member (97).

상기 몸체(90)는 절연 재질, 투광성 재질, 전도성 재질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 세라믹 재질, 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC), 폴리머 계열, 플라스틱 계열과 같은 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(90)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 세라믹 재질, 실리콘 또는 에폭시 재질 중에서 선택될 수 있다. 상기 몸체(90)의 형상은 위에서 볼 때, 다각형, 원형, 또는 곡면을 갖는 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 90 may be made of an insulating material, a light transmitting material, or a conductive material. The body 90 may be made of resin such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), ceramic material, metal material, PSG ), Sapphire (Al 2 O 3 ), silicone, epoxy molding compound (EMC), polymer series, and plastic series. For example, the body 90 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a ceramic material, a silicone, or an epoxy material. The shape of the body 90 may include polygonal, circular, or curved shapes as viewed from above, but is not limited thereto.

상기 몸체(90)는 캐비티(91)를 포함할 수 있으며, 상기 캐비티(91)는 상부가 개방되며, 그 둘레는 경사진 면으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(91)의 너비는 하부가 넓고 상부가 좁게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐비티(91)의 바닥에는 복수의 전극(F1,F2) 예컨대, 2개 또는 3개 이상이 배치될 수 있다. 상기 복수의 전극(F1,F2)은 상기 캐비티(91)의 바닥에서 서로 이격될 수 있으며, 발광 칩(94)와 와이어(96)으로 연결될 수 있다. The body 90 may include a cavity 91. The cavity 91 may have an open top and an inclined surface. The width of the cavity 91 may be wide and the top may be narrow, but the present invention is not limited thereto. At the bottom of the cavity 91, a plurality of electrodes F1 and F2, for example, two or three or more electrodes may be disposed. The plurality of electrodes F1 and F2 may be spaced from each other at the bottom of the cavity 91 and may be connected to the light emitting chip 94 by a wire 96.

상기 복수의 전극(F1,F2) 사이에는 방열 프레임(F3)가 배치되며, 상기 방열 프레임(F3)은 상기 복수의 전극(F1,F2)와 전기적으로 이격될 수 있다. 상기 방열 프레임(F3) 상에는 발광 칩(94)가 배치되며, 상기 발광 칩(94)와 본딩 부재(95)로 본딩될 수 있다. 상기 본딩 부재(95)는 열 전도성 접착제 예컨대, 은(Ag) 포함하는 전도성 페이스트 재질일 수 있다. 상기 방열 프레임(F3)은 회로 기판(10)의 방열부의 제3패드(P3)에 접합 부재(98A)로 접합될 수 있다. 상기 방열 프레임(F3)은 상기 발광 칩(94)의 아래에서 상기 발광 칩(94)로부터 발생된 열을 전도받아 회로 기판(10)의 배선층(4)에 구성된 제3패드(P3,P13,P23)로 전도하게 된다.A heat radiation frame F3 may be disposed between the plurality of electrodes F1 and F2 and the heat radiation frame F3 may be electrically separated from the plurality of electrodes F1 and F2. A light emitting chip 94 is disposed on the heat dissipating frame F3 and may be bonded to the light emitting chip 94 and the bonding member 95. [ The bonding member 95 may be a conductive paste material including a thermally conductive adhesive such as silver (Ag). The heat radiating frame F3 may be bonded to the third pad P3 of the heat radiating portion of the circuit board 10 with a bonding member 98A. The heat dissipation frame F3 receives the heat generated from the light emitting chip 94 under the light emitting chip 94 and receives the third pads P3, P13 and P23 constituting the wiring layer 4 of the circuit board 10, ).

상기 전극(F1,F2) 및 방열 프레임(F3)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. The electrodes F1 and F2 and the heat dissipating frame F3 may be made of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, ), Platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P) and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer.

상기 복수의 전극(F1,F2) 및 방열 프레임(F3) 사이의 간극부는 절연 재질로 형성될 수 있으며, 상기 절연 재질은 상기 몸체(50)와 동일한 재질이거나 다른 절연 재질일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The gap portion between the plurality of electrodes F1 and F2 and the heat dissipating frame F3 may be formed of an insulating material and the insulating material may be the same material as the body 50 or other insulating material, I do not.

상기 복수의 전극(F1,F2)는 접합 부재(98,99)를 통해 회로 기판(10)의 배선층(L4)의 패드(P1,P2)에 전기적으로 연결된다.
The plurality of electrodes F1 and F2 are electrically connected to the pads P1 and P2 of the wiring layer L4 of the circuit board 10 through the bonding members 98 and 99. [

상기 각 발광 소자(R1,G1,B1)의 발광 칩(94)은 적색 LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩일 수 있으며, 다른 예로서 엘로우 그린(yellow green) LED 칩, UV LED 칩, 화이트(white) LED 칩 중에서 어느 하나일 수 있다. 상기 발광 칩(94)은 III족-V족 또는/및 II족-VI족 원소의 화합물 반도체를 포함한다. 상기 발광 칩(94)은 수평형 전극 구조를 갖는 칩 구조로 배치하였으나, 두 전극이 상/하로 배치된 수직형 전극 구조를 갖는 칩 구조로 배치할 수 있다. The light emitting chip 94 of each of the light emitting devices R1, G1 and B1 may be a red LED chip, a blue LED chip or a green LED chip. As another example, a yellow green LED chip, a UV LED chip, white LED chips. The light emitting chip 94 includes compound semiconductors of Group III-V or / and Group II-VII elements. Although the light emitting chip 94 is disposed in a chip structure having a horizontal electrode structure, the light emitting chip 94 may be arranged in a chip structure having a vertical electrode structure in which two electrodes are arranged up and down.

상기 발광 소자는 적색 광을 발광하는 제1발광 소자(R1)일 수 있으며, 상기 제1발광 소자(R1)는 상기 발광 칩(94)이 적색 LED 칩으로 이루어지거나, UV LED 칩과 적색 형광체를 포함할 수 있다. The light emitting device may be a red LED chip or a combination of a UV LED chip and a red phosphor may be used as the first light emitting device Rl. .

상기 발광 소자는 녹색 광을 발광하는 제2발광 소자(G1)일 수 있으며, 상기 제2발광 소자(G1)는 상기 발광 칩(94)이 녹색 LED 칩으로 이루어지거나, UV LED 칩과 녹색 형광체를 포함할 수 있다. The light emitting device may be a green LED chip or a combination of a UV LED chip and a green phosphor may be used as the light emitting device 94. [ .

상기 발광 소자는 청색 광을 발광하는 제3발광 소자(G3)일 수 있으며, 상기 제3발광 소자(G3)는 상기 발광 칩(94)이 청색 LED 칩으로 이루어지거나, UV LED 칩과 청색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자의 LED 칩은 하나 또는 2개 이상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The third light emitting device G3 may be a light emitting device in which the light emitting chip 94 is formed of a blue LED chip or a combination of a UV LED chip and a blue phosphor, . The number of LED chips of the light emitting device may be one or two or more, but is not limited thereto.

상기 발광 칩(94)은 상기 캐비티(91) 내에 하나 또는 2개 이상이 배치될 수 있으며, 2개 이상의 발광 칩은 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. One or two or more light emitting chips 94 may be disposed in the cavity 91, and two or more light emitting chips may be connected in series or in parallel. However, the present invention is not limited thereto.

상기 캐비티(91)에는 수지 재질의 몰딩 부재(97)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(97)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 재질을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(97)의 상면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들면 상기 몰딩 부재(97)의 표면은 오목한 곡면 또는 볼록한 곡면으로 형성될 수 있으며, 이러한 곡면은 발광 칩(94)의 광 출사면이 될 수 있다.A mold member 97 made of a resin material may be formed in the cavity 91. The molding member 97 includes a light-transmitting material such as silicon or epoxy, and may be formed as a single layer or a multilayer. The upper surface of the molding member 97 may include at least one of a flat shape, a concave shape, and a convex shape. For example, the surface of the molding member 97 may be formed as a concave curved surface or a convex curved surface, Such a curved surface may be a light emitting surface of the light emitting chip 94. [

상기 몰딩 부재(97)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 수지 재질 내에 상기 발광 칩(94) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The molding member 97 may include a fluorescent material for converting the wavelength of light emitted onto the light emitting chip 94 in a transparent resin material such as silicon or epoxy. The fluorescent material may include YAG, TAG, Silicate, Nitride , And an oxy-nitride-based material. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but the present invention is not limited thereto.

상기 몰딩 부재(97) 상에 광학 렌즈(미도시)가 결합될 수 있으며, 상기 광학 렌즈는 굴절률이 1.4 이상 1.7 이하인 투명 재료를 이용할 수 있다. 또한, 상기 광학렌즈는, 굴절률이 1.49인 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 굴절률이 1.59인 폴리카보네이트(PC), 에폭시 수지(EP)의 투명 수지 재료나 투명한 글래스(Glass)에 의해 형성될 수 있다.
An optical lens (not shown) may be coupled onto the molding member 97, and the optical lens may use a transparent material having a refractive index of 1.4 to 1.7. The optical lens may be formed of a transparent resin material of a polymethyl methacrylate (PMMA) having a refractive index of 1.49, a polycarbonate (PC) having a refractive index of 1.59, an epoxy resin (EP), or a transparent glass have.

도 8은 실시 예에 따른 발광 모듈을 갖는 조명 장치의 예이며, 도 9는 도 8의 조명 장치의 B-B측 단면도의 예이다. 도 8 및 도 9를 설명함에 있어서, 실시 예와 동일한 부분은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.Fig. 8 is an example of a lighting apparatus having a light emitting module according to an embodiment, and Fig. 9 is an example of a cross-sectional view on the B-B side of the lighting apparatus of Fig. In describing FIGS. 8 and 9, the same portions as those of the embodiment will be described with reference to the description of the embodiments disclosed above.

도 8 및 도 9를 참조하면, 조명 장치는 도 1의 발광 모듈을 포함하며, 상기 조명 장치는 광원부(4)가 배치된 회로 기판(10), 및 상기 광원부(4)의 둘레에 배치된 반사 부재(61), 상기 반사 부재(61) 내에 투광성 부재(67), 상기 반사 부재(61) 상에 광학 부재(69)를 포함할 수 있다. 8 and 9, the illumination device includes the light emitting module of FIG. 1, which includes a circuit board 10 on which the light source part 4 is disposed, A light transmissive member 67 in the reflective member 61 and an optical member 69 on the reflective member 61. [

상기 광원부(4)는 반사 부재(61) 내에 배치되며 제1발광 소자(R1), 제2발광 소자(G1), 및 제3발광 소자(B1)를 포함할 수 있다. 상기 반사 부재(61) 내에는 제1 내지 제3온도 센서(81,82,83)를 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3발광 소자(R1,G1,B1)는 각각 구동되고 개별적으로 전류를 제어받게 된다. 그리고, 제어부는 상기 온도 센서(81,82,83)에 의해 감지된 온도에 따라 각 발광 소자(R1,G1,B1)을 개별 구동 제어할 수 있다. The light source unit 4 may include a first light emitting device R1, a second light emitting device G1, and a third light emitting device B1, which are disposed in the reflective member 61. The reflection member 61 may include first to third temperature sensors 81, 82, and 83. The first through third light emitting devices Rl, G1, and B1 are driven and individually controlled by currents. The control unit can individually drive and control each of the light emitting devices Rl, G1, and B1 according to the temperature sensed by the temperature sensors 81, 82, and 83. [

상기 반사 부재(61)는 제1내지 제3발광 소자(R1,G1,B1)의 둘레에 배치되고 입사되는 광을 광 출사 방향으로 반사하게 된다. 상기 반사 부재(61)는 플라스틱, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 반사 부재(61)의 내측 면에는 금속 재질의 반사층이 배치될 수 있다. 상기에 개시된 실시 예의 반사 부재(61)는 회로 기판(10)의 구멍(15)에 결합된 체결 부재(65)에 의해 체결되고 지지될 수 있다.
The reflective member 61 is disposed around the first to third light emitting devices Rl, G1, and B1, and reflects the incident light in the light emitting direction. The reflective member 61 may include at least one of a resin material such as plastic, silicon, or epoxy. A reflective layer made of a metal may be disposed on the inner surface of the reflective member 61. The reflecting member 61 of the above-described embodiment can be fastened and supported by the fastening member 65 coupled to the hole 15 of the circuit board 10. [

상기 반사 부재(61)의 내부 직경(C1)은 15mm 이하 예컨대, 12mm 이하일 수 있으며, 상기 반사 부재(61)의 내부 직경(C1)이 상기 범위를 초과할 경우 발광 모듈의 사이즈가 커질 수 있고 광원부(4)로부터 방출된 광의 광도가 저하될 수 있다. 이러한 반수 부재(61)는 광원부(4)로부터 발생된 광들에 의한 휘도 및 광속의 균일도를 개선시켜 줄 수 있다. The inner diameter C1 of the reflective member 61 may be 15 mm or less, for example, 12 mm or less. If the inner diameter C1 of the reflective member 61 exceeds the above range, the size of the light emitting module may be increased, The light intensity of the light emitted from the light source 4 can be lowered. The half-circle member 61 can improve the luminance and the uniformity of the light flux by the light generated from the light source unit 4. [

상기 반사 부재(61)는 회로 기판(10)의 상면에 대해 예각의 각도(θ1)로 경사지게 되므로, 입사되는 광을 광 출사 방향으로 효과적으로 반사해 줄 수 있다.
Since the reflective member 61 is inclined at an acute angle? 1 with respect to the upper surface of the circuit board 10, the incident light can be effectively reflected in the light emitting direction.

상기 투광성 부재(67)는 실리콘, 에폭시와 같은 투명한 수지 재질을 포함한다. 상기 투광성 부재(67) 내에는 형광체가 첨가되지 않을 수 있다. 상기 투광성 부재(67) 내에는 다른 예로서, 형광체 예컨대, 황색이나 적색 형광체가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light transmissive member 67 includes a transparent resin material such as silicon or epoxy. The phosphor may not be added to the light transmitting member 67. As another example, a fluorescent substance such as a yellow or red fluorescent substance may be added to the light transmitting member 67, but the present invention is not limited thereto.

상기 투광성 부재(67)는 상기 회로 기판(10)의 상면 및 상기 반사 부재(61)의 내 측면에 접촉될 수 있다. 상기 투광성 부재(67)의 두께는 상기 반사 부재(61)의 높이와 같거나 높을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 투광성 부재(67)의 상면은 볼록한 면, 오목한 면, 또는 평탄한 면 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투광성 부재(67)의 상부 내경은 하부 내경보다 넓게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 투광성 부재(67)는 형성하지 않을 수 있다.
The light transmissive member 67 may be in contact with the upper surface of the circuit board 10 and the inner surface of the reflective member 61. The thickness of the light transmissive member 67 may be equal to or higher than the height of the reflective member 61, but is not limited thereto. The upper surface of the light transmitting member 67 may include at least one of a convex surface, a concave surface, or a flat surface. The upper inner diameter of the light transmitting member 67 may be larger than the lower inner diameter, but is not limited thereto. The light transmitting member 67 may not be formed.

상기 방열체(68)는 회로 기판(10)의 하면에 결합될 수 있다. 상기 방열체(68)의 두께는 상기 회로 기판(10)의 두께보다 두껍게 배치될 수 있다. 상기 방열체(68)의 두께는 상기 투광성 부재(67)의 두께보다 얇게 배치될 수 있다. 상기 방열체(68)는 방열핀(68A)을 가질 수 있다. 방열핀(68A)은 방열체(68)의 외측방향으로 돌출 또는 연장된 것일 수도 있다. 상기 방열핀(68A)은 상기 회로기판(10)이 배치된 면의 반대측 방향으로 복수개가 돌출될 수 있다. 상기 방열핀(68A)은 방열체(68)의 방열 면적을 넓혀, 발광 모듈의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 방열핀(68A)은 측 단면이 원 기둥 형상, 다각 기둥 형상이거나, 외측 방향으로 갈수록 점차 두께가 얇은 형상을 갖는 기둥 형상일 수 있다.The heat discharging body 68 may be coupled to a lower surface of the circuit board 10. The thickness of the heat discharging body 68 may be larger than the thickness of the circuit board 10. The thickness of the heat discharging body 68 may be smaller than the thickness of the light transmitting member 67. The heat discharging body 68 may have a heat radiating fin 68A. The radiating fins 68A may protrude or extend in the outer direction of the heat discharging body 68. A plurality of the heat radiating fins 68A may protrude in a direction opposite to the surface on which the circuit board 10 is disposed. The heat dissipation fin 68A can enlarge the heat dissipation area of the heat dissipator 68 to improve the heat dissipation efficiency of the light emitting module. The radiating fin 68A may have a circular columnar shape, a polygonal columnar shape, or a columnar shape having a gradually thinner shape toward the outer side.

상기 방열체(68)는 열 방출 효율이 뛰어난 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 방열체(68)의 재질은 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
The heat dissipation member 68 may be formed of a metal material or a resin material having excellent heat dissipation efficiency, but is not limited thereto. For example, the material of the heat discharging body 68 may include at least one of aluminum (Al), nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), and tin (Sn).

상기 광학 부재(69)는 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 임의의 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. The optical member 69 may include at least one of a diffusion sheet, a horizontal / vertical prism sheet, and a brightness enhanced sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet condenses the incident light into an arbitrary area. The brightness enhancing sheet improves the brightness by reusing the lost light.

상기 광학 부재(69)는 상기 투광성 부재(67)가 존재하는 경우, 상기 투광성 부재(67) 상에 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 투광성 부재(67)는 상기 광학 부재(69)가 쳐지는 것을 지지할 수 있다. 상기 광학 부재(69)의 너비 또는 면적은 하나의 발광 모듈 상에 배치된 구조로 설명하였으나, 실시 예에 따른 발광 모듈이 복수개 배열될 때, 복수의 발광 모듈 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The optical member 69 may be in contact with the light transmissive member 67 when the light transmissive member 67 is present, but is not limited thereto. The light transmissive member 67 can support the striking of the optical member 69. The width or area of the optical member 69 is arranged on one light emitting module. However, when a plurality of light emitting modules according to the embodiment are arranged, they may be disposed on the plurality of light emitting modules, I do not.

실시 예에 따른 발광 모듈은 백색광이 구현될 수 있음을 확인할 수 있었고, 또한 2700K ~ 6500K 범위의 CCT 갖는 백색광의 구현이 가능함을 확인할 수 있었다. 또한 이러한 발광 모듈은 수명등, 수유등, 무드(Mood)등과 같은 조명 장치로 구현될 수 있다. It can be confirmed that the white light can be realized in the light emitting module according to the embodiment and the white light having CCT in the range of 2700K to 6500K can be realized. Further, such a light emitting module can be realized by an illumination device such as a mood, such as a life span, such as a milking.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

10: 회로기판
L1: 수지층
L3: 보호층
L4: 배선층
R1,G1,B1: 발광 소자
4: 광원부
30,31,32,33: 리드부
41,42,43: 방열부
21,21A,21B,21C: 접지부
15: 결합 구멍
61: 반사 부재
67: 투광성 부재
69: 광학 시트
81,82,83: 온도 센서
100: 발광 모듈10: Circuit board
L1: resin layer
L3: Protective layer
L4: wiring layer
R1, G1, B1: Light emitting element
4:
30, 31, 32, 33:
41, 42, 43:
21, 21A, 21B, 21C:
15: Coupling hole
61: reflective member
67: Light-transmissive member
69: Optical sheet
81, 82, 83: Temperature sensor
100: Light emitting module

Claims (13)

수지층, 상기 수지층 상에 배선층, 및 상기 배선층 상에 보호층을 포함하는 회로 기판;
상기 회로 기판 상에 배치된 복수의 발광 소자를 갖는 광원부; 및
상기 회로 기판 상에 배치되며 상기 복수의 발광 소자 각각에 인접한 복수의 온도 센서를 포함하며,
상기 온도 센서는 상기 발광 소자의 개수와 동일한 개수를 포함하는 발광 모듈.A circuit board including a resin layer, a wiring layer on the resin layer, and a protection layer on the wiring layer;
A light source unit having a plurality of light emitting elements arranged on the circuit board; And
And a plurality of temperature sensors disposed on the circuit board and adjacent to each of the plurality of light emitting elements,
Wherein the temperature sensor includes the same number as the number of the light emitting elements. 제1항에 있어서,
상기 배선층은 상기 제1 내지 제3발광 소자에 연결된 방열부를 포함하며,
상기 복수의 온도 센서 각각은 상기 복수의 발광 소자 각각에 연결된 방열부에 연결되는 발광 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the wiring layer includes a heat dissipation unit connected to the first to third light emitting devices,
Wherein each of the plurality of temperature sensors is connected to a heat dissipation unit connected to each of the plurality of light emitting devices. 제2항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자는 적색 광을 발광하는 제1발광 소자, 녹색 광을 발광하는 제2발광 소자, 및 청색 광을 발광하는 제3발광 소자를 포함하며,
상기 온도 센서는 상기 제1발광 소자에 열적으로 연결된 제1온도 센서, 상기 제2발광 소자에 열적으로 연결된 제2온도 센서, 및 상기 제3발광 소자에 연결된 제3온도 센서를 포함하는 발광 모듈.3. The method of claim 2,
Wherein the plurality of light emitting devices include a first light emitting device that emits red light, a second light emitting device that emits green light, and a third light emitting device that emits blue light,
Wherein the temperature sensor includes a first temperature sensor thermally connected to the first light emitting device, a second temperature sensor thermally connected to the second light emitting device, and a third temperature sensor connected to the third light emitting device. 제3항에 있어서,
상기 배선층은 상기 제1 내지 제3발광 소자 아래에 배치되며 상기 제1 내지 제3발광 소자에 공통으로 연결된 제1리드부, 상기 제1발광 소자의 아래에 배치된 제2리드부, 상기 제2발광 소자 아래에 배치된 제3리드부, 및 상기 제3발광 소자 아래에 배치된 제4리드부를 포함하는 발광 모듈.The method of claim 3,
Wherein the wiring layer includes a first lead portion disposed under the first through third light emitting elements and connected to the first through third light emitting elements in common, a second lead portion disposed below the first light emitting element, A third lead portion disposed under the light emitting element, and a fourth lead portion disposed under the third light emitting element. 제4항에 있어서,
상기 배선층의 방열부는 상기 제1발광 소자 및 상기 제1온도 센서에 연결되는 제1방열부, 상기 제2발광 소자 및 제2온도 센서에 연결된 제2방열부, 및 상기 제3발광 소자 및 제3온도 센서에 연결된 제3방열부를 포함하며,
상기 제1방열부는 상기 제2 및 제3방열부 각각의 면적보다 큰 면적을 갖는 발광 모듈.5. The method of claim 4,
Wherein the heat dissipation portion of the wiring layer includes a first heat dissipation portion connected to the first light emitting device and the first temperature sensor, a second heat dissipation portion connected to the second light emitting device and the second temperature sensor, And a third heat dissipating unit connected to the temperature sensor,
Wherein the first heat-radiating portion has an area larger than an area of each of the second and third heat-radiating portions. 제5항에 있어서,
상기 제1방열부의 면적은 상기 제2 및 제3방열부의 면적의 합 이상인 발광 모듈.6. The method of claim 5,
Wherein an area of the first heat-radiating portion is equal to or larger than a sum of areas of the second and third heat-radiating portions. 제5항에 있어서,
상기 제1방열부는 상기 제1발광 소자 아래를 통해 연장된 제1연장부를 포함하며, 상기 제1방열부와 제1연장부 사이에는 제1리드부가 배치되며,
상기 제2방열부는 상기 제3리드부와 상기 제1방열부의 제1연장부 사이에 배치된 제2연장부를 포함하며,
상기 제3방열부는 상기 제4리드부와 상기 제2방열부 사이에 배치된 제3연장부를 포함하는 발광 모듈.6. The method of claim 5,
Wherein the first heat dissipation part includes a first extension part extending through the first light emitting element and a first lead part is disposed between the first heat dissipation part and the first extension part,
And the second heat radiating portion includes a second extending portion disposed between the third lead portion and the first extending portion of the first heat radiating portion,
And the third heat dissipation part includes a third extension part disposed between the fourth lead part and the second heat dissipation part. 제7항에 있어서,
상기 제2연장부는 상기 제2발광 소자 아래에서 상기 제2발광 소자와 열적으로 연결되며,
상기 제3연장부는 상기 제3발광 소자 아래에서 상기 제3발광 소자와 열적으로 연결되는 발광 모듈.8. The method of claim 7,
The second extending portion is thermally connected to the second light emitting element under the second light emitting element,
And the third extending portion is thermally connected to the third light emitting element under the third light emitting element. 제7항에 있어서,
상기 제1내지 제4리드부는 서로 이격되며 십자 형태로 배치되는 발광 모듈.8. The method of claim 7,
Wherein the first to fourth lead portions are spaced apart from each other and arranged in a cross shape. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배선층은 접지부를 포함하며,
상기 복수의 온도 센서 각각은 상기 접지부와 서로 다른 방열부에 연결되는 발광 모듈.5. The method according to any one of claims 2 to 4,
Wherein the wiring layer includes a ground portion,
Wherein each of the plurality of temperature sensors is connected to a different heat radiating part from the grounding part. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 발광 모듈; 및
상기 발광 모듈의 회로 기판 상에 배치되며 상기 광원부의 둘레에 배치된 반사 부재를 포함하는 조명 장치.A light emitting module according to any one of claims 1 to 4; And
And a reflective member disposed on the circuit board of the light emitting module and disposed around the light source portion. 제11항에 있어서,
상기 반사 부재 내에 투광성 부재를 포함하는 조명 장치. 12. The method of claim 11,
And a light transmissive member in the reflective member. 제12항에 있어서,
상기 반사 부재는 상부 직경이 하부 직경보다 넓은 조명 장치. 13. The method of claim 12,
Wherein the reflecting member has an upper diameter larger than a lower diameter.
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