KR20170054284A - 플라즈마 프로세싱 시스템들의 매칭 네트워크들에서 가변 커패시터들의 위치 변환들을 수행하고 변환 모델들을 캘리브레이팅하기 위한 시스템들 및 방법들 - Google Patents
플라즈마 프로세싱 시스템들의 매칭 네트워크들에서 가변 커패시터들의 위치 변환들을 수행하고 변환 모델들을 캘리브레이팅하기 위한 시스템들 및 방법들 Download PDFInfo
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Abstract
제어 시스템이 제공되고 그리고 메모리 및 변환 모듈을 포함한다. 메모리는 제 1 플라즈마 프로세싱 시스템의 제 1 매칭 네트워크의 제 1 가변 커패시터의 제 1 위치들의 위치 데이터를 저장하도록 구성된다. 제 1 가변 커패시터의 제 1 위치들 각각은 제 1 매칭 네트워크에 의해 겪는 복수의 부하들 중 각각의 부하에 대응한다. 변환 모듈은 메모리에 저장된 위치 데이터를 획득하고; 위치 데이터에 기초하여 기준 커패시터 위치들을 결정하고; 기준 커패시터 위치들에 기초하여 캘리브레이팅된 변환 모델을 결정하고; 그리고 캘리브레이팅된 변환 모델을 저장하도록 구성되고, 캘리브레이팅된 변환 모델은 제 1 가변 커패시터의 제 2 위치들을 필적할만한 커패시터 위치들로 변환하고, 그리고 제 2 위치들은 캘리브레이팅된 변환 모델의 결정 후에 존재하는 제 1 가변 커패시터의 위치들이다.
Description
본 개시는 에칭 및 증착 시스템들, 보다 구체적으로, TCCT (transformer coupled capacitive tuning) 시스템들에 관한 것이다.
본 명세서에 제공된 배경 기술 설명은 일반적으로 본 개시의 맥락을 제공하기 위한 것이다. 본 발명자들의 성과로서 본 배경기술 섹션에 기술되는 정도의 성과, 뿐만 아니라 출원시 종래 기술로서 인정되지 않을 수도 있는 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.
반도체 디바이스들의 제작 동안, 에칭 프로세스들 및 증착 프로세스들은 프로세싱 챔버 내에서 수행될 수도 있다. 이온화된 가스, 또는 플라즈마는 반도체 웨이퍼와 같은 기판으로부터 재료를 에칭하도록 (또는 제거하도록) 그리고 기판 상에 재료를 스퍼터링하거나 (sputter) 증착하도록 플라즈마 챔버 내로 도입될 수 있다. 제작 또는 제조 프로세스들에서 사용되는 플라즈마를 생성하는 것은 통상적으로 프로세싱 챔버 내로 프로세스 가스들을 도입함으로써 시작된다. 기판은 프로세싱 챔버 내에서 정전 척 또는 페데스탈과 같은 기판 지지부 상에 배치된다.
프로세싱 챔버는 TCP (transformer coupled plasma) 반응기 코일들을 포함할 수도 있다. 전력 소스에 의해 생성된 RF (radio frequency) 신호는 TCP 반응기 코일들에 공급된다. 세라믹과 같은 재료로 구성된 유전체 윈도우는 프로세싱 챔버의 상부 표면에 포함된다. 유전체 윈도우는 RF 신호로 하여금 TCP 반응기 코일들로부터 프로세싱 챔버의 내부 내로 전송되게 한다. RF 신호는 유도 결합된 플라즈마를 생성하도록 프로세싱 챔버 내에서 가스 분자들을 여기시킨다.
TCP 반응기 코일들은 TCCT (transformer coupled capacitive tuning) 매칭 네트워크에 의해 구동된다. TCCT 매칭 네트워크는 전력 소스에 의해 공급된 RF 신호를 수신하고 그리고 TCP 반응기 코일들에 제공된 전력의 튜닝을 인에이블한다 (enable). TCCT 매칭 네트워크는 가변 커패시터들을 포함할 수도 있다. 가변 커패시터들 각각은 고정된 전극 및 이동 가능한 전극을 포함한다. 대응하는 커패시터의 커패시턴스는 고정된 전극에 대한 이동 가능한 전극의 위치와 직접적으로 관련된다. 이동 가능한 전극들은 회전하는 모터에 의해 구동될 수 있는 리드 나사 (leadscrew) 에 연결될 수 있다.
TCP 반응기 코일들 각각에 공급된 전력은 커패시터들의 이동 가능한 전극들의 위치들에 기초한다. TCP 코일들에 전달된 전력의 비는 또한 커패시터들의 이동 가능한 전극들의 위치들에 기초한다. 에칭 동안 제공된 하나 이상의 전력 비들은 증착 동안 제공된 하나 이상의 전력 비들과 상이할 수 있다.
제어 시스템이 제공되고 그리고 메모리 및 변환 모듈을 포함한다. 메모리는 제 1 플라즈마 프로세싱 시스템의 제 1 매칭 네트워크의 제 1 가변 커패시터의 제 1 위치들의 위치 데이터를 저장하도록 구성된다. 제 1 가변 커패시터의 제 1 위치들 각각은 제 1 매칭 네트워크에 의해 경험되는 복수의 부하들 중 각각의 부하에 대응한다. 변환 모듈은: 메모리에 저장된 위치 데이터를 획득하고; 위치 데이터에 기초하여 기준 커패시터 위치들을 결정하고; 기준 커패시터 위치들에 기초하여 캘리브레이팅된 변환 모델을 결정하고; 그리고 캘리브레이팅된 변환 모델을 저장하도록 구성되고, 캘리브레이팅된 변환 모델은 제 1 가변 커패시터의 제 2 위치들을 비슷한 커패시터 위치들로 변환하고, 그리고 제 2 위치들은 캘리브레이팅된 변환 모델의 결정 후에 존재하는 제 1 가변 커패시터의 위치들이다.
다른 특징들에서, 제어 시스템이 제공되고 그리고 메모리 및 변환 모듈을 포함한다. 메모리는 제 1 플라즈마 프로세싱 시스템의 제 1 전력 스플리터의 가변 커패시터의 제 1 위치들의 위치 데이터를 저장하도록 구성된다. 가변 커패시터의 제 1 위치들 각각은 제 1 전력 스플리터에 의해 경험되는 복수의 부하들 중 각각의 부하에 대응한다. 변환 모듈은: 메모리에 저장된 위치 데이터를 획득하고; 위치 데이터에 기초하여 기준 커패시터 위치들을 결정하고; 기준 커패시터 위치들에 기초하여 캘리브레이팅된 변환 모델을 결정하고; 그리고 캘리브레이팅된 변환 모델을 저장하도록 구성되고, 캘리브레이팅된 변환 모델은 가변 커패시터의 제 2 위치들을 비슷한 커패시터 위치들로 변환하고, 그리고 제 2 위치들은 상기 캘리브레이팅된 변환 모델의 결정 후에 존재하는 가변 커패시터의 위치들이다.
본 개시의 적용 가능성의 추가의 영역들은 상세한 기술, 청구항들 및 도면들로부터 분명해질 것이다. 상세한 기술 및 구체적인 예들은 오직 예시의 목적들을 위해 의도된 것이고 본 개시의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
본 개시는 상세한 기술 및 첨부된 도면들로부터 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1은 본 개시에 따른, 위치 변환 제어기를 포함한 플라즈마 프로세싱 시스템의 예의 기능 블록도이다.
도 2는 본 개시에 따른, TCCT 매칭 네트워크 및 대응하는 커패시턴스 조정 시스템의 예의 개략도이다.
도 3은 TCCT 매칭 네트워크의 또 다른 예의 기능 블록도이다.
도 4는 본 개시에 따른, 도 3의 TCCT 매칭 네트워크의 예의 개략도이다.
도 5는 바이어스 매칭 네트워크의 RF 매칭 네트워크의 예의 개략도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른, 위치 변환 제어기를 포함한 제어 시스템의 예의 기능 블록도이다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른, 캘리브레이션 방법을 예시한다.
도 8a는 본 개시의 일 실시예에 따른, 검출된 커패시터 위치들에 대한 비슷한 커패시터 위치 커브 및 4차 다항식 변환 커브의 예시적인 플롯이다.
도 8b는 도 8a의 비슷한 커패시터 위치 커브와 4차 다항식 변환 커브 사이의 에러의 예시적인 플롯이다.
도 9a는 본 개시의 일 실시예에 따른, 검출된 커패시터 위치들에 대한 비슷한 커패시터 위치 커브 및 2차 다항식 변환 커브의 예시적인 플롯이다.
도 9b는 도 9a의 비슷한 커패시터 위치 커브와 2차 다항식 변환 커브 사이의 에러의 예시적인 플롯이다.
도 10a는 본 개시의 일 실시예에 따른, 검출된 커패시터 위치들에 대한 비슷한 커패시터 위치 커브 및 선형 변환 커브의 예시적인 플롯이다.
도 10b는 도 10a의 비슷한 커패시터 위치 커브와 선형 변환 커브 사이의 에러의 예시적인 플롯이다.
도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른, 도 6의 제어 시스템 및 도 1의 플라즈마 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법을 예시한다.
도면들에서, 참조 번호들은 유사한 그리고/또는 동일한 엘리먼트들 (elements) 을 식별하기 위해 재사용될 수도 있다.
도 1은 본 개시에 따른, 위치 변환 제어기를 포함한 플라즈마 프로세싱 시스템의 예의 기능 블록도이다.
도 2는 본 개시에 따른, TCCT 매칭 네트워크 및 대응하는 커패시턴스 조정 시스템의 예의 개략도이다.
도 3은 TCCT 매칭 네트워크의 또 다른 예의 기능 블록도이다.
도 4는 본 개시에 따른, 도 3의 TCCT 매칭 네트워크의 예의 개략도이다.
도 5는 바이어스 매칭 네트워크의 RF 매칭 네트워크의 예의 개략도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른, 위치 변환 제어기를 포함한 제어 시스템의 예의 기능 블록도이다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른, 캘리브레이션 방법을 예시한다.
도 8a는 본 개시의 일 실시예에 따른, 검출된 커패시터 위치들에 대한 비슷한 커패시터 위치 커브 및 4차 다항식 변환 커브의 예시적인 플롯이다.
도 8b는 도 8a의 비슷한 커패시터 위치 커브와 4차 다항식 변환 커브 사이의 에러의 예시적인 플롯이다.
도 9a는 본 개시의 일 실시예에 따른, 검출된 커패시터 위치들에 대한 비슷한 커패시터 위치 커브 및 2차 다항식 변환 커브의 예시적인 플롯이다.
도 9b는 도 9a의 비슷한 커패시터 위치 커브와 2차 다항식 변환 커브 사이의 에러의 예시적인 플롯이다.
도 10a는 본 개시의 일 실시예에 따른, 검출된 커패시터 위치들에 대한 비슷한 커패시터 위치 커브 및 선형 변환 커브의 예시적인 플롯이다.
도 10b는 도 10a의 비슷한 커패시터 위치 커브와 선형 변환 커브 사이의 에러의 예시적인 플롯이다.
도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른, 도 6의 제어 시스템 및 도 1의 플라즈마 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법을 예시한다.
도면들에서, 참조 번호들은 유사한 그리고/또는 동일한 엘리먼트들 (elements) 을 식별하기 위해 재사용될 수도 있다.
관련 출원들의 상호 참조
본 출원은 2015년 11월 4일 출원된 미국 가출원 제 62/250,648 호의 이점을 주장한다. 상기 언급된 출원의 전체 개시는 참조로서 본 명세서에 인용된다.
종래의 TCCT 매칭 네트워크는 가변 커패시터들 (예를 들어, 진공 가변 커패시터들) 을 포함할 수도 있는 전력 스플리터 및 RF (radio frequency) 매칭 네트워크를 포함할 수도 있다. 전력 스플리터의 가변 커패시터들은 프로세싱 챔버의 TCP 반응기 코일들에 대응한다. 가변 커패시터들 각각은 고정된 전극들 및 이동 가능한 전극들을 포함할 수도 있다. TCP 반응기 코일들은 내측 코일 및 외측 코일을 포함할 수도 있다. 내측 코일은 외측 코일 내에 배치된다. 외측 코일에 공급된 전력에 대한 내측 코일에 공급된 전력의 비는, 고정된 전극들에 대해 커패시터들의 이동 가능한 전극들을 이동시킴으로써 조정된다. 이동 가능한 전극들은 리드 나사들 및 회전하는 모터들 각각을 통해 이동될 수도 있다.
고객 (customer) 의 프로세싱 설비는 복수의 프로세싱 챔버들을 가질 수도 있다. 프로세싱 챔버 각각은 각각의 TCCT 매칭 네트워크를 가질 수도 있다. TCCT 매칭 네트워크들 내의 전력 스플리터들 및 RF 매칭 네트워크들의 컴포넌트들 (components) 과 연관된 제작 차들 및 프로세싱 챔버들 내의 제작 변동들은 TCCT 매칭 네트워크들 상에 상이한 커패시터 위치들 및 부하들을 발생시킬 수 있다. 예로서, 커패시터들의 제작 차들은 동일한 위치에 대해 상이한 커패시턴스들을 갖는 상이한 TCCT 매칭 네트워크들의 동일한 대응하는 커패시터들을 발생시킬 수도 있다. 또한, TCCT 매칭 네트워크들의 가변 커패시터들의 위치들은 예를 들어, RF 매칭 네트워크들을 통한 전력 이송을 최대화하도록, 반사된 전력 전력을 최소화하도록, 그리고 미리 결정된 전력 비들을 제공하도록 조정될 수 있다. 그 결과, 동일한 타입의 TCCT 매칭 네트워크들의 가변 커패시터들의 설정 위치들은 동일한 레시피에 따라 동작할 때 상이할 수 있다.
상이한 TCCT 매칭 네트워크들의 동일한 대응하는 커패시터들의 위치들의 차들은 프로세싱 챔버들 중 일 프로세싱 챔버 및/또는 TCCT 매칭 네트워크들 중 일 TCCT 매칭 네트워크 ("아웃라이어 (outlier) 챔버" 또는 "아웃라이어 TCCT 매칭 네트워크"로서 지칭됨) 에 대한 이슈의 지표로서 고객에 의해 사용될 수도 있다. 이슈가 존재하는지를 결정하도록, TCCT 매칭 네트워크들의 커패시터 위치들은 동일한 레시피에 따른 프로세싱 챔버들의 동작에 대해 비교될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 프로세싱 챔버에 대한 제 1 RF 매칭 네트워크의 커패시터의 위치가 동일하지 않거나 다른 프로세싱 챔버들의 RF 매칭 네트워크들 내의 동일한 대응하는 커패시터들의 위치들의 미리 결정된 범위 내에 있다면, 그러면 제 1 RF 매칭 네트워크에 대한 이슈가 존재할 수도 있다. 위치들의 차는 제 1 RF 매칭 네트워크가 열화되고 그리고/또는 수리되거나 교체될 필요가 있다는 것을 예측하도록 초기의 지표로서 사용될 수도 있다. 예로서, 제 1 RF 매칭 네트워크의 컴포넌트는, 제 1 RF 매칭 네트워크가 다른 RF 매칭 네트워크들보다 보다 많이 손상되도록 열화될 수도 있다. 그러나, TCCT 매칭 네트워크들 및/또는 프로세싱 챔버들의 제작 차들에 기인하여, 커패시터 위치들의 차들은 거짓 알람을 제공할 수 있다. 제 1 RF 매칭 네트워크 또는 대응하는 전력 스플리터가 수리되거나 교체될 필요가 있다는 잘못된 결정이 행해질 수도 있다. 예를 들어, 제 1 RF 매칭 네트워크의 커패시터의 위치는 명시된 제작 차들에 기인하여 그리고 컴포넌트 열화에 기인하지 않고 상이할 수도 있다. 이 차는 거짓 알람을 유발하게 충분히 클 수도 있다. 거짓 알람들은 RF 매칭 네트워크들, 전력 스플리터들, 및 TCCT 매칭 네트워크들의 빈번한 제거 및/또는 교체를 유발할 수 있다.
RF 매칭 네트워크는 2 이상의 인덕터-커패시터 브랜치들을 포함할 수도 있고, 여기서 브랜치 각각은 커패시터와 직렬로 연결된 인덕터를 포함한다. 브랜치 각각은 3 개의 파라미터들: 인덕터의 인덕턴스, 커패시터의 커패시턴스, 및 카운트 당 커패시턴스 비 α를 특징으로 한다. 커패시터들의 위치들은 카운트들의 수로서 지칭될 수도 있고, 여기서 0 카운트들은 최소 커패시턴스 위치를 지칭하고 그리고 카운트들의 최대량 (예를 들어, 1000 카운트들) 은 최대 커패시턴스 위치를 지칭한다. 예를 들어, 가변 진공 커패시터의 커패시턴스 C(s) 는 방정식 1로 나타낼 수도 있고, 여기서 C0은 기준 커패시턴스이고 그리고 s는 가변 진공 커패시터의 위치를 지칭한다.
기준 커패시턴스는 로우 엔드 커패시턴스 (예를 들어, 최소 커패시턴스 또는 0 pF (pico-farads)) 또는 하이 엔드 커패시턴스 (예를 들어, 최대 커패시턴스 또는 1500 pF) 를 지칭할 수도 있다. RF 매칭 네트워크들의 동일한 대응하는 브랜치의 임피던스들이 동일할지라도, 브랜치들 각각의 3 개의 파라미터들 중 임의의 파라미터들의 변동은 커패시터 위치 s로 하여금 RF 매칭 네트워크로부터 RF 매칭 네트워크로 상이하게 한다. 그 결과, 거짓 알람들은 3 개의 파라미터들의 변동들 때문에 정기적으로 발생할 수 있다.
이하에 제시된 예들은 거짓 알람들이 발생하는 것을 최소화하거나 방지하도록 커패시터 위치 변환들을 수행하는 것을 포함한다. 커패시터 위치 변환들은 대응하는 비교들이 신뢰할 수도 없는 실제 커패시터 위치들을 거짓 알람들의 생성을 최소화하고 그리고/또는 방지하는 비슷한 커패시터 위치들 (본 명세서에 "골든 매칭 위치들"로 지칭됨) 로 변환하는 것을 포함한다. 변환은 실제로 제작 차들에 기인하여 보고된 커패시터 위치들의 가변성을 최소화하고 그리고/또는 제거한다. 기준 및/또는 평균 커패시터 위치들이 생성되고 그리고 캘리브레이팅된 변환 모델을 제공하도록 대응하는 실제 커패시터 위치들로부터 맵핑된다. 캘리브레이팅된 변환 모델은 매칭 네트워크의 가변 커패시터 각각의 캘리브레이션 프로세스 동안 생성될 수도 있다. 이어서 캘리브레이팅된 변환 모델은 실제 커패시터 위치들을, 이어서 매칭 네트워크의 퍼포먼스 (performance) 를 평가하도록 사용될 수도 있는 비슷한 커패시터 위치들로 변환하도록 사용된다.
도 1은 RF 전력 비 스위칭 시스템 (11), 플라즈마 프로세싱 챔버 (12), 및 TCP 반응기 코일들 (14) 을 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 을 도시한다. RF 전력 비 스위칭 시스템 (10) 은 TCP 반응기 코일들 (14) 의 RF 전력 비들을 스위칭한다. TCP 반응기 코일들 (14) 은 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 외부에 그리고 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 위에 배치된다. 제 1 전력 소스 (16) 는 제 1 RF 소스 신호를 제공한다. RF 전력 비 스위칭 시스템 (11) 은 TCCT (또는 제 1) 매칭 네트워크 (17) 를 포함한다. TCCT 매칭 네트워크 (17) 는 제 1 전력 소스 (16) 와 TCP 반응기 코일들 (14) 사이에 포함된다. TCCT 매칭 네트워크 (17) 는 TCP 반응기 코일들 (14) 에 제공된 전력의 튜닝을 인에이블한다. TCCT 매칭 네트워크 (17) 는 TCCT 매칭 네트워크 (17) 내에 포함된 가변 커패시터들의 커패시턴스들 및/또는 위치들의 조정을 제어하는 TCCT 제어기 (19) 를 포함하는 TCCT 커패시턴스 조정 시스템 (18) 을 포함한다.
플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 는 TCP 반응기 코일들 (14) 에 인접하게 위치되고 그리고 플라즈마 생성 목적들을 위해 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 내로의 제 1 RF 소스 신호의 효율적인 전송을 허용하는 유전체 윈도우 (20) 를 포함한다. 정전 척, 페데스탈 또는 다른 적합한 기판 지지부와 같은 기판 지지부 (21) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 의 하단에 배치된다. 기판 지지부 (21) 는 기판 (22) 을 지지한다. 기판 지지부 (21) 가 정전 척이라면, 기판 지지부 (21) 는 서로 전기적으로 절연되는 전기적으로 전도성 부분들 (24 및 26) 을 포함한다. 기판 지지부 (21) 는 절연체 (28) 에 의해 둘러싸이고 그리고 기판 (22) 에 용량 결합된다. 전도성 부분들 (24, 26) 에 걸쳐 DC 전압을 인가함으로써, 정전 커플링은 전도성 부분들 (24, 26) 과 기판 (22) 사이에 생성된다. 이 정전 커플링은 기판 지지부 (21) 에 대해 기판 (22) 을 끌어당긴다.
플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 은 바이어스 (또는 제 2) 매칭 네트워크 (32) 에 연결되는 바이어스 RF 전력 소스 (30) 를 더 포함한다. 바이어스 매칭 네트워크 (32) 는 바이어스 RF 전력 소스 (30) 와 기판 지지부 (21) 사이에 연결된다. 바이어스 매칭 네트워크 (32) 는 바이어스 매칭 네트워크 (32) 에 나타낸 바와 같이 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 내의 플라즈마 (35) 및 기판 지지부 (21) 의 임피던스에 바이어스 RF 전력 소스 (30) 의 임피던스 (예를 들어, 50 Ω) 를 매칭한다. 바이어스 매칭 네트워크 (32) 는 바이어스 제어기 (34) 를 포함하는 바이어스 커패시턴스 조정 시스템 (33) 을 포함한다. 바이어스 제어기 (34) 는 바이어스 매칭 네트워크 (32) 내에 포함된 가변 커패시터들의 커패시턴스들 및/또는 위치들의 조정을 제어한다.
커패시턴스 조정 시스템들 (18, 33) 은 제어기들 (19, 34) 에 의해 제어되는 모터들과 같은 액추에이터들을 포함할 수도 있다. 액추에이터들은 가변 커패시터들의 샤프트들에 연결될 수도 있다. 제어기들 (19, 34) 은 가변 커패시터들의 커패시턴스들을 조정하도록 바이어스 매칭 네트워크 (32) 내 그리고 TCCT 매칭 네트워크 (17) 내에 포함된 가변 커패시터들의 위치들을 조정한다. 매칭 네트워크들 (17, 32) 내의 가변 커패시터들의 위치 조정들은 네트워크들 (17, 32) 내에 포함된 RF 매칭 네트워크들의 임피던스들을 조정한다. TCCT 매칭 네트워크 (17) 내의 가변 커패시터들의 위치 조정들은 TCP 반응기 코일들 (14) 에 공급된 전력의 RF 전력 비를 조정한다. 가변 커패시터들, RF 매칭 네트워크들, 및 매칭 네트워크들 (17, 32) 의 다른 회로의 예들은 도 3 내지 도 5에 도시된다. 커패시턴스 조정 시스템들 (18, 33) 이 매칭 네트워크들 (17, 32) 의 일부로서 도시되지만, 커패시턴스 조정 시스템들 (18, 33) 의 부분들 또는 전부는 매칭 네트워크들 (17, 32) 로부터 분리될 수도 있다. 매칭 네트워크들 (17, 32) 은 입력부들 및 출력부들을 가진 하우징들을 각각 갖는 시스템들 및/또는 독립형 회로들로서 구현될 수도 있다.
플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 은 VCI (voltage control interface) (40) 를 더 포함한다. VCI (40) 는 픽업 디바이스 (42), 전압 센서 (44), 시스템 제어기 (46) 및 전압 센서 (44) 와 시스템 제어기 (46) 사이의 회로들을 포함할 수도 있다. 픽업 디바이스 (42) 는 기판 지지부 (21) 내로 연장한다. 이 픽업 디바이스 (42) 는 전도체 (48) 를 통해 전압 센서 (44) 에 연결되고 그리고 RF 전압 신호를 생성하도록 사용된다.
전압 센서 (44) 의 동작이 모니터링되고, 수동으로 제어되고, 그리고/또는 시스템 제어기 (46) 를 통해 제어될 수도 있다. 시스템 제어기 (46) 는 디스플레이 (50) 상에 전압 센서 (44) 의 채널들의 출력 전압들을 디스플레이할 수도 있다. 시스템 제어기 (46) 로부터 분리된 것으로 도시되지만, 디스플레이 (50) 는 시스템 제어기 (46) 내에 포함될 수도 있다. 시스템 오퍼레이터는 입력 디바이스 (52) 를 통해 (i) 채널들 사이에서 스위칭하는지, (ii) 하나 이상의 채널들 중 어느 채널이 활성인지, 그리고/또는 (iii) 하나 이상의 채널들 중 어느 채널이 비활성인지를 나타내는 입력 신호들을 제공할 수도 있다.
시스템 제어기 (46) 는 커패시터 위치 변환들을 수행하는 위치 변환 제어기 (54) 를 포함한다. 이것은 매칭 네트워크들 (17, 32) 의 가변 커패시터들의 실제 위치들을 골든 매칭 위치들로 변환하는 것을 포함한다. 이어서 골든 매칭 위치들은 디스플레이 (50) 상에 디스플레이된다. 변환 프로세스는 도 6 내지 도 11에 대해 이하에 더 기술된다. 시스템 제어기 (46) 는 또한 복수의 프로세싱 시스템들 및/또는 챔버들의 복수의 TCCT 매칭 네트워크들 및/또는 바이어스 매칭 네트워크들의 동일한 대응하는 가변 커패시터들의 위치들을 비교할 수도 있다. 시스템 제어기 (46) 는 디스플레이 (50) 를 통해 비교 결과들을 나타낼 수도 있다. 시스템 제어기 (46) 는 또한 비교 결과들에 기초하여, 매칭 네트워크들 (17, 32) 내에 포함된 전력 스플리터들 및/또는 RF 임피던스 매칭 네트워크들 및/또는 매칭 네트워크들 (17, 32) 중 하나에 대한 이슈가 존재하는지를 나타낼 수도 있다.
동작시, 이온화할 수 있는 가스는 가스 유입부 (56) 를 통해 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 내로 흐르고 그리고 가스 유출부 (58) 를 통해 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 를 나간다. 제 1 RF 신호는 RF 전력 소스 (16) 에 의해 생성되고 그리고 TCP 반응기 코일 (14) 로 전달된다. 제 1 RF 신호는 TCP 반응기 코일 (14) 로부터 윈도우 (20) 를 통해 그리고 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 내로 퍼진다. 이것은 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 내의 가스로 하여금 이온화되고 플라즈마 (35) 를 형성하게 한다. 플라즈마 (35) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 의 벽들을 따라 시스 (60) 를 생성한다. 플라즈마 (35) 는 전자들 및 양으로 대전된 이온들을 포함한다. 양으로 대전된 이온들보다 훨씬 가벼운 전자들은 보다 쉽게 이동하는 경향이 있고, 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 의 내측 표면들에서 DC 바이어스 전압들 및 DC 시스 전위들을 생성한다. 기판 (22) 에서의 평균 DC 바이어스 전압 및 DC 시스 전위는 양으로 대전된 이온들이 기판 (22) 에 부딪치는 에너지에 영향을 준다. 이 에너지는 에칭 또는 증착이 발생하는 레이트들과 같은 프로세싱 특성들에 영향을 준다.
시스템 제어기 (46) 는 기판 (22) 에서 DC 바이어스 및/또는 DC 시스 전위의 양을 변화시키도록 RF 전력 소스 (30) 에 의해 생성된 바이어스 RF 신호를 조정할 수도 있다. 시스템 제어기 (46) 는 하나 이상의 설정값들 (set point values) 에 채널들의 출력들에 기초하여 도출된 대표값 및/또는 전압 센서 (44) 의 채널들의 출력들을 비교할 수도 있다. 설정값들은 미리 결정될 수도 있고 그리고 시스템 제어기 (46) 의 메모리 (62) 에 저장될 수도 있다. 바이어스 RF 신호는 (i) 전압 센서 (44) 의 출력들 및/또는 대표값과 (ii) 하나 이상의 설정값들 사이의 차들에 기초하여 조정될 수도 있다. 바이어스 RF 신호는 바이어스 매칭 네트워크 (32) 를 통과한다. 바이어스 매칭 네트워크 (32) 에 의해 제공된 출력 (매칭된 신호로 지칭됨) 은 이어서 기판 지지부 (21) 로 지나간다. 바이어스 RF 신호는 절연체 (28) 를 통해 기판 (22) 으로 지나간다.
도 2는 예시적인 TCP 반응기 코일들 (100, 102, 104, 106) 에 연결된 TCCT 매칭 네트워크 (17) 의 예를 도시한다. TCP 반응기 코일들 (100, 102) 은 외측 코일로 집합적으로 지칭된다. TCP 반응기 코일들 (104, 106) 은 내측 코일로 집합적으로 지칭된다. 외측 코일 및 내측 코일은 도시된 바와 같이 나선 형상일 수도 있거나 상이한 형상 및/또는 구성을 가질 수도 있다. TCCT 매칭 네트워크 (17) 는 TCCT 코일 입력 회로들 (110) 및 TCCT 코일 출력 회로들 (112) 을 포함한다. TCCT 코일 입력 회로들 (110) 은 코일 단부들 (D 및 E) 에서 내측 코일에 그리고 코일 단부들 (B 및 G) 에서 외측 코일에 연결된다. TCCT 코일 출력 회로들 (112) 은 코일 단부들 (C 및 F) 에서 내측 코일에 그리고 코일 단부들 (A 및 H) 에서 외측 코일에 연결된다. TCCT 코일 입력 회로들 (110) 은 기준 단자 (또는 접지 기준) (120) 에 연결되는 전력 소스 (16) 로부터 전력을 수용한다. TCCT 코일 출력 회로들 (112) 은 기준 단자 (120) 에 연결된다.
TCCT 코일 입력 회로들 (110) 은 가변 커패시터들을 포함한다; 그 예들은 도 3 내지 도 5에 도시된다. 가변 커패시터들의 위치 조정은 TCCT 코일 입력 회로들 (110) 로부터 내측 코일 및 외측 코일 각각으로 공급된 전력을 조정한다. 이것은 내측 코일과 외측 코일 사이의 RF 전력 비를 조정한다. TCCT 커패시턴스 조정 시스템 (18) 은 TCCT 코일 입력 회로들 (110) 에 연결되고 그리고 시스템 제어기 (46) 에 연결되는 TCCT 제어기 (19) 에 의해 제어된다.
TCCT 커패시턴스 조정 시스템 (18) 은 TCCT 매칭 네트워크 (17) 의 가변 커패시터들의 위치들을 저장하기 위한 레지스터들 (114) 을 포함할 수도 있다. 이것은 시스템 제어기 (46) 및/또는 위치 변환 제어기 (54) 로부터 수신될 수도 있는, 기준 커패시터 위치들을 저장하는 것 및/또는 가변 커패시터들의 실제 (또는 원 (raw)) 위치들을 저장하는 것을 포함할 수도 있다.
도 3은 도 1 및 도 2의 TCCT 매칭 네트워크 (17) 를 대체할 수도 있는 TCCT 매칭 네트워크 (150) 를 도시한다. TCCT 매칭 네트워크 (150) 는 전력 소스 (16) 로부터 전력을 수용한다. TCCT 매칭 네트워크 (150) 는 RF 매칭 네트워크 (152), 내측 코일 입력 회로 (154), 외측 코일 입력 회로 (156), 내측 코일 출력 회로 (158), 및 외측 코일 출력 회로 (160) 를 포함한다. 코일 입력 회로들 (154, 156) 은 제 1 가변 커패시터 (162) 및 제 2 가변 커패시터 (164) 를 포함할 수도 있고 그리고 전력을 내측 코일 IC (166) 및 외측 코일 OC (168) 에 제공할 수도 있다. 코일들 (166, 168) 로부터의 전력은 기준 단자 (120) 에 연결되는 코일 출력 회로들 (158, 160) 에 제공된다. 가변 커패시터들 (162, 164) 은 예를 들어, TCCT 커패시턴스 조정 시스템의 액추에이터들을 통해 TCCT 제어기 (19) 에 의해 조정된다.
도 4는 도 3의 TCCT 매칭 네트워크 (150) 의 일 예인 TCCT 매칭 네트워크 (200) 를 도시한다. TCCT 매칭 네트워크 (200) 는 전력 소스 (16) 로부터 전력을 수용한다. TCCT 매칭 네트워크 (200) 는 RF 매칭 네트워크 (152), 내측 코일 입력 회로 (202), 외측 코일 입력 회로 (204), 내측 코일 출력 회로 (206), 및 외측 코일 출력 회로 (208) 를 포함한다. RF 매칭 네트워크 (152) 는 'T'-타입 네트워크 구성으로 3 개의 브랜치들을 포함할 수도 있다. 제 1 브랜치는 제 1 커패시터 C1 및 제 1 인덕터 L1을 포함한다. 제 2 브랜치는 제 2 커패시터 C2 및 제 2 인덕터 L2를 포함한다. 제 3 브랜치는 제 3 커패시터 C3 및 제 3 인덕터 L3을 포함한다. 예로서, 커패시터들 C1 및 C3은 가변 커패시터들일 수도 있고 그리고 인덕터들 L1 및 L2는 기생 인덕턴스들일 수도 있다. 커패시터들 C1, C3 및 인덕터들 L1, L3은 전력 소스 (16) 와 코일 입력 회로들 (202, 204) 사이에 직렬로 연결된다. 커패시터 C2 및 인덕터 L2는 직렬로 그리고 (i) 커패시터 C1의 출력부 및 커패시터 C3의 입력부와, (ii) 기준 단자 (120) 사이에 연결된다.
내측 코일 입력 회로 (202) 는 커패시터들 C4, C5를 포함할 수도 있고, 여기서 커패시터 C5는 가변 커패시터이다. 커패시터들 C4 및 C5는 인덕터 L3과 내측 코일 L4 사이에 직렬로 연결된다. 내측 코일 출력 회로 (206) 는 내측 코일 L4와 기준 단자 (120) 사이에 연결되는 인덕터 L5를 포함할 수도 있다. 외측 코일 입력 회로 (204) 는 인덕터 L3과 외측 코일 L7 사이에 직렬로 연결되는 커패시터 C6 및 인덕터 L6을 포함할 수도 있다. 외측 코일 출력 회로 (208) 는 외측 코일 L7과 기준 단자 (120) 사이에 연결되는 커패시터 C7을 포함할 수도 있다.
커패시터들 C1, C3, C5, C6은 커패시턴스 조정 시스템 (19) 에 의해 조정되는 가변 커패시터들일 수도 있다. 용량성 조정 시스템 (19) 은 커패시터들 C1, C3, C5, C6 및 액추에이터들 (212) 의 하나 이상의 샤프트들 및/또는 로드들의 위치들을 검출하기 위한 센서들 (210) (예를 들어, 전위차계들, 인코더들, 등) 로부터 신호들을 수신할 수도 있다. 센서들 (210) 은 액추에이터들 (212) 내에, 액추에이터들 (212) 상에 포함될 수도 있고, 그리고/또는 샤프트들 및/또는 로드들에 직접적으로 그리고/또는 간접적으로 연결될 수도 있다. 도 1의 제어기 (46) 는 센서들 (210) 로부터 수신된 신호들에 기초하여 샤프트들 및/또는 로드들의 위치를 조정하도록 액추에이터들 (212) 에 공급된 전압, 전류, 및/또는 전력을 조정할 수도 있다.
도 5는 도 1의 바이어스 매칭 네트워크 (32) 로 구현될 수도 있는 RF 매칭 네트워크 (250) 를 도시한다. RF 매칭 네트워크 (250) 는 'L'-타입 구성이고 그리고 2 개의 브랜치들을 포함한다. 제 1 브랜치는 커패시터 C1 및 인덕터 L1을 포함한다. 제 2 브랜치는 커패시터 C2 및 인덕터 L2를 포함한다. 제 1 인덕터 L1 및 제 2 커패시터 C2는 예를 들어, 도 1의 소스 (30) 로부터 입력 단자 (252) 를 통해 RFIN을 수신한다. 커패시터 C1 및 인덕터 L1은 입력 단자 (252) 와 기준 단자 (120) 사이에 직렬로 연결된다. 커패시터 C2 및 인덕터 L2는 입력 단자 (252) 와 출력 단자 (254) 사이에 직렬로 연결된다. 커패시터들 C1, C2는 도 1의 바이어스 커패시턴스 조정 시스템 (33) 에 의해 조정된 가변 커패시터들일 수도 있다. 도 1의 바이어스 매칭 네트워크 (32) 는 커패시터들 C1, C2의 위치들을 조정하기 위한 TCCT 매칭 네트워크 (17) 와 유사한 액추에이터들 및 센서들을 포함할 수도 있다.
도 6은 도 1의 위치 변환 제어기 (54) 및 제어기들 (19, 34) 을 포함한 제어 시스템 (300) 을 도시한다. 분리된 제어기들로서 도시되지만, 제어기들 (19, 34 및 54) 은 단일의 제어기로서 구현될 수도 있고 그리고/또는 제어기들 (19, 34) 은 제어기 (54) 의 부분으로서 구현될 수도 있다. TCCT 제어기 (19) 는 TCCT 레지스터들 (114) 을 포함한다. 바이어스 제어기 (34) 는 바이어스 레지스터들 (302) 을 포함할 수도 있다. 바이어스 레지스터들은 바이어스 매칭 네트워크 (32) 의 가변 커패시터들 (예를 들어, 도 5의 커패시터들 C1, C2) 의 실제 위치들 및/또는 시스템 제어기 (46) 및/또는 위치 변환 제어기 (54) 에 의해 제공된 기준 커패시터 위치들을 저장할 수도 있다.
위치 변환 제어기 (54) 는 제 1 위치 수집 모듈 (310), 제 2 위치 수집 모듈 (312), 메모리 (314), TCCT 변환 모듈 (316), 바이어스 변환 모듈 (318), 디스플레이 모듈 (320), 비교 모듈 (322) 및 열화 보고 모듈 (324) 을 포함한다. 모듈들 (310, 312) 은 디지털 통신 인터페이스 (예를 들어, RS-232 인터페이스, Ethernet 인터페이스, EtherCat (Ethernet for control automation technology) 인터페이스, 또는 다른 적합한 인터페이스) 를 통해 제어기들 (19, 34) 과 통신할 수도 있다. 메모리 (314) 는 실제 검출된 그리고/또는 지시된 커패시터 위치들 (330), 위치 변환 모델들 (332), 기준 커패시터 위치들 (333), 및 비슷한 커패시터 (또는 골든 매칭) 위치들 (334) 을 저장한다. 메모리 (314) 는 또한 (i) TCCT 매칭 네트워크들의 가변 커패시터들의 커패시턴스들 및/또는 위치들 사이의 비교들, 및/또는 (ii) 바이어스 매칭 네트워크들의 가변 커패시터들의 커패시턴스들 및/또는 위치들 사이의 비교들의 결과들을 저장할 수도 있다. 비슷한 커패시터 위치들 (334), 비교 결과들, 및/또는 비교 결과들의 평가에 기초하여 결정된 이슈들은 디스플레이 (50) 상에 나타날 수도 있다.
도 1 내지 도 4 및 도 6의 제어기들 및 모듈들의 더 규정된 구조에 대해, 도 7 및 도 11의 아래에 제공된 방법들 및 용어 "제어기" 및 "모듈"에 대해 아래에 제공된 정의들을 참조하라. 본 명세서에 개시된 시스템들은 수많은 방법들을 사용하여 동작될 수도 있고, 예시적인 방법들은 도 7 및 도 11에 예시된다. 도 7에서, 제어 시스템 (300) 을 캘리브레이팅하기 위한 캘리브레이션 방법이 도시된다. 다음의 태스크들은 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 내에서 구현되고 동작되는 동안 캘리브레이팅될 제어 시스템 (300) 에 대해 주로 기술되지만, 제어 시스템 (300) 은 (i) 플라즈마 프로세싱 시스템 및/또는 플라즈마 프로세싱 시스템의 일부의 제작 동안, (ii) 테스트 스탠드 (test stand) 상에서, 및/또는 (iii) 또 다른 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 에서 캘리브레이팅될 수도 있다. 제어 시스템 (300) 은 캘리브레이션 후에 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 내에서 구현될 수도 있다. 다음의 동작들이 도 1 내지 도 6의 구현예들에 대해 주로 기술되지만, 동작들은 본 개시의 다른 구현예들에 적용되도록 쉽게 수정될 수도 있다. 동작들은 반복하여 수행될 수도 있다.
방법은 400에서 시작될 수도 있다. 동작들 402 내지 407이 도시되지만, 태스크들 402 내지 406 또는 동작 407이 수행되지 않을 수도 있다. 동작들 402 내지 407은 가변 커패시터 위치 데이터를 수집하기 위한 예시적인 동작들로서 도시된다. 동작들 402 내지 406 동안, 매칭 네트워크들 (17, 32) 은 유한한 수의 미리 결정된 부하들에 기초하여 그리고 유한한 수의 레시피들에 대해 동작된다. 미리 결정된 부하들은 (i) 정상 동작 동안 사용된 레시피들과 연관된 임피던스들을 가진 테스트 부하들, 또는 (ii) 정상 동작 조건들 하에서 경험되는 실제 부하들일 수도 있다. 태스크들 402 내지 406이 매칭 네트워크들 (17, 32) 및 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 에 대해 수행되는 것으로 기술되지만, 태스크들 402 내지 406은 또한 매칭 네트워크들 (17, 32) 및 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 과 동일한 타입의 다른 매칭 네트워크들 및 플라즈마 프로세싱 시스템에 대해 수행될 수도 있고 그리고 동일한 미리 결정된 부하들 및 레시피들에 기초하여 동작할 수도 있다. 어구 "동일한 타입"은 일 매칭 네트워크가 동일한 타입의 또 다른 매칭 네트워크를 대체할 수도 있도록, 유사한 결과들을 제공하기 위해서 동일하게 구성되고 그리고 동일한 컴포넌트들로 제작된 매칭 네트워크들을 지칭한다.
402에서, 매칭 네트워크들 (17, 32) 은 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 에 대한 미리 결정된 부하 및 미리 결정된 레시피를 겪으면서 동작된다. 시스템 제어기 (46) 는 매칭 네트워크들 (17, 32) 의 동작을 제어하는 제어기들 (19, 34) 의 동작을 개시시키고 제어할 수도 있다. 부하는 가변 커패시터 위치들의 안정된 일관된 결과들을 제공하도록 미리 결정될 수도 있다. 레시피는 미리 결정된 가스 혼합물, 미리 결정된 농도 레벨, 미리 결정된 전력 레벨, 미리 결정된 바이어스 전압들, 등을 지칭할 수도 있다.
403에서, 제어기들 (19, 34) 은 미리 결정된 필요조건들이 충족되는지, 예컨대, 매칭 네트워크들 (17, 32, 152) 및/또는 전력 스플리터 (153) 의 미리 결정된 임피던스들이 존재하는지; 미리 결정된 양의 전력이 매칭 네트워크들 (17, 32, 152) 을 통해 이송되는지; 및/또는 미리 결정된 전력 비가 내측 코일과 외측 코일 (예를 들어, 도 2의 코일들 (100 및 102), 도 3의 코일들 (166 및 168), 또는 도 4의 코일들 (L4 및 L7)) 사이에 존재하는지를 결정할 수도 있다. 이 결정은 센서들 (44, 210) 및/또는 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 내에 포함된 다른 센서들로부터의 신호들에 기초할 수도 있다. 미리 결정된 필요조건들이 충족되지 않는다면, 동작 404가 수행되고, 그렇지 않으면 동작 405가 수행된다.
404에서, 제어기들 (19, 34) 은 상기에 기술된 바와 같이, 대응하는 가변 커패시터들의 위치들을 조정한다. 가변 커패시터들의 조정된 위치들은 레지스터들 (114, 302) 내에 저장될 수도 있다. 동작 403은 동작 404 후에 수행될 수도 있다. 405에서, 위치 수집 모듈들 (310, 312) 은 레지스터들 (114, 302) 에 액세스할 수도 있고 그리고 가변 커패시터들의 결과로 발생한 위치들을 메모리 (314) 에 저장할 수도 있다.
406에서, 시스템 제어기 (46) 는 또 다른 부하 조건에 기초하여 그리고/또는 또 다른 레시피에 대해 매칭 네트워크들 (17, 32) 을 동작시킬지를 결정할 수도 있다. 복수의 부하 조건들은 레시피 각각에 대해 제공될 수도 있다. 가변 커패시터 위치들이 또 다른 부하 조건 및/또는 또 다른 레시피에 대해 획득된다면, 동작 402가 수행될 수도 있고, 그렇지 않으면 동작 408이 수행될 수도 있다. 동작들 402 내지 406의 완료는 각각의 부하 및 각각의 레시피에 대해 저장된 결과로 발생한 커패시터 위치 데이터를 제공한다.
407에서, 이력 가변 커패시터 위치 데이터가 수집되고 그리고 메모리 (314) 에 저장된다. 이것은 레지스터들 (114, 302) 로부터 그리고/또는 다른 매칭 네트워크들의 다른 레지스터들로부터 커패시터 위치 데이터를 수집하는 위치 수집 모듈들 (310, 312) 을 포함할 수도 있다. 매칭 네트워크들은 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 와 다른 프로세싱 챔버들 및/또는 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 과 다른 플라즈마 프로세싱 시스템들에 대응할 수도 있다. 이력 가변 커패시터 위치 데이터는 임의의 수의 매칭 네트워크들, 부하들, 레시피들, 및/또는 플라즈마 프로세싱 챔버들에 대한 데이터일 수도 있다. 이력 가변 커패시터 위치 데이터는 2 이상의 부하들의 동일한 세트에 연결되고 그리고/또는 2 이상의 부하들의 동일한 세트에 전력을 공급하는 동일한 타입의 매칭 네트워크의 복수의 버전들에 대한 데이터일 수도 있다. 일 실시예에서, 동작 407은 태스크들 402 내지 406 후에 수행된다.
캘리브레이션 프로세스는 TCCT 매칭 네트워크 및/또는 바이어스 매칭 네트워크의 전력 스플리터 및/또는 RF 매칭 네트워크의 가변 커패시터 각각에 대한 위치 데이터를 수집하는 것을 포함할 수도 있다. 커패시터 위치 데이터는 하나 이상의 플라즈마 프로세싱 챔버들에 대응하는 매칭 네트워크들의 하나 이상의 세트들에 대해 수집될 수도 있다. 매칭 네트워크들의 세트는 예를 들어, 특정한 플라즈마 프로세싱 시스템 및/또는 플라즈마 프로세싱 챔버의 매칭 네트워크들 (예를 들어, 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 및/또는 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 의 매칭 네트워크들 (17 및 32)) 을 포함할 수도 있다. 커패시터 위치 데이터는 플라즈마 프로세싱 챔버들 각각에 대해 경험되는 복수의 미리 결정된 부하들 중 부하 각각에 대해 수집될 수도 있다. 커패시터 위치 데이터가 수집되고 그리고 매칭 네트워크의 타입에 기초하여 그리고/또는 매칭 네트워크의 대응하는 플라즈마 프로세싱 챔버에 기초하여 분류될 수도 있다.
408에서, 위치 변환 제어기 (54) 는 가변 커패시터 위치 데이터가 일 플라즈마 프로세싱 챔버에 대해 동작하는 매칭 네트워크들의 일 세트에 대해서만 이용 가능한지를 결정할 수도 있다. 커패시터 위치 데이터가 단일의 프로세싱 챔버에 대해 동작하는 매칭 네트워크들의 단일의 세트에 대해서만 이용 가능할 때, 매칭 네트워크들의 세트는 동작들 402 내지 406 동안 상이한 부하들에 기초하여 동작된다. 동작들 403 및 404 동안 조정된 후에 제공된 결과로 발생한 커패시터 위치들은 405에서 저장되고 그리고 이어서 416에서 사용된다. 데이터가 매칭 네트워크들의 일 세트에 대해서만 이용 가능하다면, 동작 409가 수행되고, 그렇지 않으면 동작 410이 수행된다.
409에서, 변환 모듈들 (316, 318) 은 동작 416에 대한 기준으로 사용될 기준 커패시터 위치들로서 가변 커패시터 위치들을 설정할 수도 있다. 변환 모듈 (316) 은 TCCT 매칭 네트워크 (17) 의 가변 커패시터들에 대한 동작들을 수행할 수도 있다. 변환 모듈 (318) 은 바이어스 매칭 네트워크 (32) 의 가변 커패시터들에 대한 동작들을 수행할 수도 있다. 410에서, 모듈들 (316, 318) 은 동일한 부하 조건에 기초하여 동작하는 상이한 프로세싱 챔버들에 대응하는, 동일한 타입의 상이한 매칭 네트워크들의 동일한 대응하는 커패시터들의 커패시터 위치들을 평균할 수도 있다. 예를 들어, 상이한 플라즈마 프로세싱 챔버들의 복수의 RF 매칭 네트워크들은 도 4의 가변 커패시터 C1의 일 버전을 포함할 수도 있다. RF 매칭 네트워크들은 동일한 부하 및 레시피에 기초하여 동작될 수도 있고 그리고 이에 따라 조정될 수도 있다. 결과로 발생한 커패시터 위치들의 버전들은 결과로 발생한 평균 위치들을 제공하도록 평균될 수도 있다. 이것은 동일한 타입의 가변 커패시터 각각에 대해 수행될 수도 있고 그리고 매칭 네트워크의 동일한 타입에서 구현될 수도 있다. 412에서, 변환 모듈들 (316, 318) 은 (i) 기준 커패시터 위치들에 대한 평균 커패시터 위치들, 또는 (ii) 매칭 회로들 중 일 매칭 회로와 연관되고 그리고 기준 커패시터 위치들로서 평균 커패시터 위치들에 가장 가까운 커패시터 위치들을 설정한다. 414에서, 모듈들 (316, 318) 은 기준 커패시터 위치들을 메모리 (314) 에 저장한다.
416에서, 모듈들 (316, 318) 은 캘리브레이팅된 변환 파라미터들, 맵핑 관계들 및/또는 매칭 네트워크들 (17, 32) 의 가변 커패시터들 각각에 대한 변환 모델을 결정한다. 캘리브레이팅된 변환 파라미터들은 변환 방정식의 미지수들, 변환 다항 방정식의 미지의 계수들, 및/또는 다른 변환 파라미터들을 지칭할 수도 있다. 캘리브레이팅된 맵핑 관계들은 실제 검출된 그리고/또는 지시된 가변 커패시터 위치들과 기준 커패시터 위치들 사이의 관계들을 지칭할 수도 있다. 캘리브레이팅된 변환 모델들은 변환 방정식, 변환 다항 방정식, 1차 방정식, 변환 커브, 변환 표, 등을 포함할 수도 있다. 3 개의 예들은 동작들 416A, 416B, 416C에 의해 제공된다.
416A에서, 가변 커패시터 각각에 대한 변환 모듈들 (316, 318) 은 위치 변환 방정식의 미지수들을 결정한다. 위치 변환 방정식은 대응하는 회로의 파라미터들에 기초하여 검출된 그리고/또는 지시된 가변 커패시터 위치들로부터 기준 커패시터 위치들로의 정밀한 변환일 수도 있다. 예시적인 변환 방정식은 방정식 2로서 RF 매칭 네트워크에 대해 도시되고, 여기서: s2는 검출된 그리고/또는 지시된 커패시터 위치이고; s는 기준 커패시터 위치이고; C02는 RF 매칭 네트워크의 브랜치의 커패시터의 실제 커패시턴스이고; C0은 s에 대응하는 커패시턴스이고; L2는 RF 매칭 네트워크의 브랜치의 인덕턴스이고; L은 s에 대응하는 인덕턴스이고; α2는 검출된 커패시터 위치 s에 대한 카운트 당 커패시턴스 비이고; α는 기준 커패시터 위치 s2에 대한 카운트 당 커패시턴스 비이고; ΔL=L2-L이고; f{s2}는 방정식 2로 나타낸 바와 같이 s를 제공하기 위한 s2의 함수이고, 그리고 ω는 RF 매칭 네트워크를 통한 RF 신호의 각 주파수이다. C0, L 및 α의 값들은 미지수일 수도 있고 그리고 동작 416A 동안 결정될 수도 있다. 대안적으로, P1 내지 P4의 값들은 결정되는 미지의 값들일 수도 있고, 여기서 P1은 
이고, P2는 
이고, P3은 
이고, 그리고 P4는 
이다.
미지수들을 결정하도록, s2, s, L2, C02 및 α2에 대한 값들은 복수의 부하들 각각에 대해 공지될 수도 있고, 따라서 미지수 각각에 대해 이 방정식의 적어도 일 버전을 제공한다. 방정식 2가 도시되지만, 다른 변환 방정식들이 사용될 수도 있다. 방정식 2는 상이한 가변 커패시터들, 매칭 네트워크들, 등에 대해 수정되고 그리고/또는 대체될 수도 있다. 일 실시예에서, 방정식 2는 사용되지 않는다.
캘리브레이션 프로세스 및/또는 변환 모델의 결정을 단순화하도록, 416B 및 416C 중 하나 이상이 수행될 수도 있다. 동작들 416B 및 416C는 동작 416A 대신에 수행될 수도 있다. 동작들 416B 및 416C의 결과들이 동작 416A의 결과들보다 덜 정확할 수도 있지만, 차들은 이하에 나타낸 바와 같이 무시해도 될 정도일 수도 있다.
416B에서, 가변 커패시터 각각에 대한 변환 모듈들 (316, 318) 은 4차 방정식, 2차 방정식, 또는 1차 방정식과 같은 다항 방정식의 계수들을 결정한다. 기준 커패시터 위치들 및 대응하는 검출된 가변 커패시터 위치들이 공지된다. 방정식 3과 같은 4차 방정식이 사용된다면, 계수들 a0 내지 a4가 결정되고, 여기서 g(s2)는 도 11의 방법에서 비슷한 커패시터 (또는 골든 매칭) 위치들을 제공하도록 사용된 골든 매칭 변환 함수이다. 커패시터 위치 데이터의 적어도 5 개의 쌍들이 적어도 5 개의 방정식들 및 5 개의 미지수들을 제공하도록 사용된다. 예로서, 단일의 플라즈마 프로세싱 챔버의 5 개의 부하들 각각에 대한 한 쌍 또는 동일한 부하를 사용하여 동작하는 플라즈마 프로세싱 챔버 각각에 대한 한 쌍을 가진 {s2i, si}의 5 개의 상이한 데이터 쌍들이 사용될 수도 있고, 여기서 i는 데이터 쌍의 수를 지칭한다.
도 8a는 검출된 커패시터 위치들 s2에 대한 f{s2} 및 g(s2)의 예시적인 플롯을 도시한다. 도 8b는 4차 다항식 변환에 대한 g(s2) 및 f{s2}의 커브들 사이의 에러의 예시적인 플롯을 도시한다. 도시된 바와 같이, 도 8b의 플롯은 g(s2) - f{s2}에 대한 플롯이다. 4차 다항식은 방정식 2로 나타낸 커브와 딱 매칭한다. 이것은 도 8a의 플롯에 의해 알 수 있다. 알 수 있는 바와 같이 에러는 무시할 수 있는 정도이다. s2의 범위는 s의 범위와 상이할 수도 있다. 예로서, s의 범위는 0 내지 650 카운트들일 수도 있고, s2의 범위는 0 내지 1000 카운트들일 수도 있다.
저차 다항 방정식이 4차 다항식 대신에 사용될 수도 있다. 커패시터 위치 데이터의 쌍들의 수는 다항 방정식의 차수와 적어도 동일하다. 다항식의 차수가 보다 낮아질수록, f{s2}와 g(s2) 사이의 에러는 보다 높아진다. 제 1 예로서, 2차 다항식이 사용될 수도 있다. 예시적인 결과들은 도 9a 및 도 9b에 도시된다. 도 9a는 검출된 커패시터 위치들에 대한 f{s2} 및 g(s2)의 예시적인 플롯을 도시하고, 여기서 g(s2)는 2차 다항식 커브로 나타난다. 도 9b는 2차 다항식 변환 예에 대한 f{s2} 및 g(s2)의 커브들 사이의 에러의 예시적인 플롯을 도시한다. 또 다른 예로서, 1차 방정식이 사용될 수도 있다. 1차 방정식에 대응하는 기울기 및 절편 정보는 메모리 (314) 에 저장될 수도 있다. 예시적인 결과들은 도 10a 및 도 10b에 도시된다. 도 10a는 f{s2} 및 g(s2) 의 예시적인 플롯을 도시하고, g(s2)는 선으로 나타난다. 도 10b는 선형 변환 예에 대한 f{s2} 및 g(s2)의 커브들 사이의 에러의 예시적인 플롯을 도시한다.
416C에서, 가변 커패시터 각각에 대한 변환 모듈들 (316, 318) 은 점들의 일 세트를 플롯팅하고 그리고/또는 결정할 수도 있고, 점들의 세트 각각은 기준 커패시터 위치들 중 일 기준 커패시터 위치 및 실제 커패시터 위치들 중 대응하는 실제 커패시터 위치를 포함한 데이터 쌍을 지칭한다. 예로서, 동일한 타입의 하나 이상의 매칭 네트워크들, 하나 이상의 부하들, 및/또는 하나 이상의 플라즈마 프로세싱 챔버들에 대한 기준 커패시터 위치들은 대응하는 실제 커패시터 위치들에 대해 플롯팅될 수도 있다. 또 다른 예로서, 동일한 프로세싱 챔버 내에서 경험되는 상이한 부하들에 대한 평균 커패시터 위치들 및/또는 상이한 프로세싱 챔버들의 상이한 부하들에 대한 평균 커패시터 위치들은 실제 커패시터 위치들에 대해 플롯팅될 수도 있다. 이어서 커브 피팅 프로세스는 점들의 세트에 커브 피팅하는 커브를 생성하도록 수행될 수도 있다. 일 실시예에서, 다항식 커브에 대한 최소 제곱 피팅 (least squares fit) 이 사용된다. 점들의 세트는 다항식 커브, 예컨대, 4차 커브, 2차 커브, 1차 커브, 또 다른 다항식-기반 커브, 및/또는 이들 커브들의 조합을 사용하여 커브 피팅될 수도 있다. 예를 들어, 1차 커브는 위치들의 제 1 부분에 대해 사용될 수도 있고 그리고 고차 다항식 커브는 위치들의 제 2 부분에 대해 사용될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 저차 다항 방정식은 제한된 수의 위치들에 대해 사용된다. 예를 들어, 1차 커브 또는 2차 커브는 0 내지 650 카운트들과 연관된 위치들에 대해 사용될 수도 있다.
결과로 발생한 캘리브레이팅된 변환 파라미터들, 맵핑 관계들, 방정식들, 커브들, 및/또는 동작 416 동안 결정된 변환 모델들은 418에서 메모리 (314) 에 저장될 수도 있고 그리고 대응하는 플라즈마 프로세싱 시스템의 동작 동안 실제 커패시터 위치들을 비슷한 커패시터 위치들로 변환하도록 사용될 수도 있다. 이것은 도 11의 방법에 대해 더 기술된다. 상기 명시된 방법 동안 수집되고 그리고/또는 제공된 s2i, si의 데이터 쌍들은 레지스터들 (114, 302) 에 저장될 수도 있고, 여기서 i는 2 이상의 정수이다. 일 데이터 쌍은 가변 커패시터 각각에 대해 저장될 수도 있다. 일 실시예에서, s2i 값들만이 레지스터들 (114, 302) 내에 저장되고 그리고 나중에 위치 변환 제어기 (54) 에 제공된다. 방법은 420에서 종료될 수도 있다.
상기 기술된 방법은 시간에 걸쳐 시프트들을 고려하도록 주기적으로 반복될 수도 있다. 이것은 캘리브레이팅된 데이터로 하여금 조정되게 하고 그리고 맵핑 관계들 및 캘리브레이팅된 변환 모델들로 하여금 업데이트되게 한다.
상기 기술된 동작들은 예시적인 예들을 의미하고; 동작들은 순차적으로, 동기로, 동시에, 연속적으로, 오버랩된 시간 기간들 동안 또는 애플리케이션에 따라 상이한 순서로 수행될 수도 있다. 또한, 동작들 중 임의의 동작은 이벤트들의 시퀀스 및/또는 구현예에 따라 수행되지 않거나 스킵될 수도 있다.
도 11에서, 도 7의 캘리브레이션 방법의 결과들에 기초하여 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 및 제어 시스템 (300) 을 동작시키는 방법이 도시된다. 다음의 동작들이 도 1 내지 도 6의 구현예들에 대해 주로 기술되지만, 동작들은 본 개시의 다른 구현예들에 적용되도록 쉽게 수정될 수도 있다. 동작들은 반복하여 수행될 수도 있다.
방법은 500에서 시작될 수도 있다. 502에서, 미리 결정된 레시피에 따라 매칭 네트워크들 (17, 32) 을 동작하는 것을 포함하여 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 이 실행된다. 504에서, 매칭 네트워크들 (17, 32) 의 가변 커패시터들의 위치들은 미리 결정된 필요조건들을 충족시키도록 조정된다. 미리 결정된 필요조건들은: 매칭 네트워크들 (17, 32, 152) 및/또는 전력 스플리터 (153) 의 미리 결정된 임피던스들; 매칭 네트워크들 (17, 32, 152) 을 통한 미리 결정된 전력 이송량; 내측 코일과 외측 코일 (예를 들어, 도 2의 코일들 (100 및 102), 도 3의 코일들 (166 및 168), 또는 도 4의 코일들 (L4 및 L7)) 사이의 미리 결정된 전력 비; 및/또는 다른 미리 결정된 필요조건들을 포함할 수도 있다.
506에서, 위치 수집 모듈들 (310, 312) 은 레지스터들 (114, 302) 로부터 가변 커패시터 위치 데이터를 수집할 수도 있다. 이것은 데이터 쌍들 s2i, si를 수집하는 것을 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 인터페이스 (예를 들어, RS-232 인터페이스, Ethernet 인터페이스, EtherCat (Ethernet for control automation technology) 인터페이스, 또는 다른 적합한 인터페이스) 를 통한 제어기들 (19, 34) 과의 디지털 통신이 확립될 때마다, 위치 수집 모듈들 (310, 312) 은 매칭 네트워크들의 일련 번호들에 기초하여 매칭 네트워크들을 모니터링하고 그리고 레지스터들 (114, 302) 내에 저장된 데이터 쌍들에 액세스한다. 508에서, 변환 모듈들 (316, 318) 은 실제 검출된 그리고/또는 지시된 가변 커패시터 위치들을 비슷한 커패시터 (또는 골든 매칭) 위치들로 변환한다. 변환들은 캘리브레이팅된 변환 파라미터들, 맵핑 관계들, 방정식들, 커브들, 및/또는 동작 416 동안 결정된 변환 모델들에 기초하여 수행된다. 예로서, 실제 커패시터 위치는 비슷한 커패시터 위치를 제공하도록 변환 방정식에 플러깅될 (plugged) 수도 있다. 또 다른 예로서, 변환 플롯, 커브, 표, 및/또는 다른 맵핑 관계는 실제 커패시터 위치들을 변환하도록 사용될 수도 있다.
510에서, 모듈들 (316, 318) 은 비슷한 커패시터 위치들을 메모리 (314) 에 저장하고 그리고/또는 데이터 로깅 목적들을 위해 디스플레이 (50) 상에 비슷한 커패시터 위치들을 디스플레이한다. 디스플레이 (50) 상에 디스플레이된 비슷한 커패시터 위치들은 대응하는 가변 커패시터들의 실제 위치들이 아니다. 비슷한 커패시터 위치들을 디스플레이함으로써, 거짓 알람들이 방지된다. 비슷한 커패시터 위치들은 상기 기술된 캘리브레이션 및 변환 프로세스들의 결과로서, 제작 차들에 상관없이 동일한 타입의 다른 매칭 네트워크들의 비슷한 커패시터 위치들과 유사해야 한다. 이것은 시스템 오퍼레이터가 단순히 제작 차들에 기인한 가변 커패시터 위치들의 큰 차들로 인해 경고받는 것을 방지한다.
일 실시예에서, 다음의 동작들 512 내지 516은 수행되지 않는다. 512에서, 비교 모듈 (322) 은 동일한 타입의 2 이상의 매칭 네트워크들 및/또는 2 이상의 플라즈마 프로세싱 챔버들에 대한 비슷한 커패시터 위치들을 비교할 수도 있다. 이 데이터는 시스템 제어기 (46) 의 메모리 (314) 및/또는 플라즈마 프로세싱 챔버들 중 임의의 수의 플라즈마 프로세싱 챔버들에 대응하는 다른 시스템 제어기들의 다른 메모리들로부터 수집될 수도 있다. 이것은 동일한 타입 및 레시피 조건들의 다른 매칭 네트워크들 및/또는 전력 스플리터들과 상이하게 동작하는 아웃라이어 매칭 네트워크 및/또는 전력 스플리터를 검출하도록 행해질 수도 있다. 514에서, 열화 보고 모듈 (324) 은 512에서 수행된 비교들의 결과들을 평가한다. 이것은 미리 결정된 값들과 차들을 비교하는 것 그리고 차들이 미리 결정된 값들을 초과하고 그리고/또는 미리 결정된 값들의 미리 결정된 범위들 외부에 있는지를 결정하는 것을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 차가 10 카운트들 (또는 전체 동작 범위의 1.0 %) 이상이라면, 그러면 이슈가 보고될 수도 있다.
516에서, 열화 보고 모듈은 매칭 네트워크들 (17, 32) 에 대한 검출된 이슈들, 비교들로부터 발생한 차들, 차들이 미리 결정된 문턱값들 및/또는 미리 결정된 범위들에 얼마나 근접한지 나타내는 값들, 등을 디스플레이할 수도 있다. 열화 보고 모듈은: 매칭 네트워크들 (17, 32) 중 일 매칭 네트워크에 대한 이슈가 존재할 때; 차들 중 하나 이상이 대응하는 미리 결정된 문턱값(들)을 초과할 때; 및/또는 차들 중 하나 이상이 대응하는 미리 결정된 범위(들) 외부에 있을 때 보호 조치를 수행할 수도 있다. 보호 조치는: 매칭 네트워크들 (17, 32) 중 하나 이상에 대한 전력 및/또는 제한된 전력을 비활성화시키는 것; 플라즈마 프로세싱 시스템 (10) 의 부분들 또는 전부를 비활성화시키는 것, 또는 다른 적합한 보호 조치를 포함할 수도 있다. 보호 조치는 디스플레이 (50) 상에 디스플레이된 보고된 정보에 응답하여 시스템 오퍼레이터로부터 수신된 입력에 기초하여 작용을 수행하는 것을 포함할 수도 있다. 방법은 518에서 종료될 수도 있다.
상기 기술된 동작들은 예시적인 예들을 의미하고; 동작들은 순차적으로, 동기로, 동시에, 연속적으로, 오버랩된 시간 기간들 동안 또는 애플리케이션에 따라 상이한 순서로 수행될 수도 있다. 또한, 동작들 중 임의의 동작은 이벤트들의 시퀀스 및/또는 구현예에 따라 수행되지 않거나 스킵될 수도 있다.
일 실시예에서, 매칭 네트워크 또는 매칭 네트워크들의 가변 커패시터들에 대해 미리설정된 값들이 제공된다. 현재의 값들은 미리 결정되고 그리고/또는 도 1의 입력 디바이스 (52) 를 통해 제공될 수도 있다. 현재의 값들은 메모리 (314) 로부터 액세스될 수도 있다. 위치 변환 제어기 (54) 는 상기에 기술되는 것으로부터 반전 변환을 수행하고 그리고 s 값들을 s2 값들로 바꾼다. 이어서 가변 커패시터 위치들은 제어기들 (19, 34) 로 전송된 값들인 s2 값들과 매칭되도록 조정된다. 예로서, 방정식 2의 역 버전이 이 프로세스를 위해 사용될 수도 있다.
상기 기술된 방법들은 예를 들어, 다항식 기반 변환들을 사용하여 기준 매칭 위치들에 대한 가변 커패시터 위치들의 개선된 맵핑을 제공한다. 방법들은 조정의 범위를 제공하고 그리고 캘리브레이션 데이터로 하여금 시간에 걸친 시프트들을 고려하도록 조정되게 한다.
전술한 기술은 단순히 특성을 예시하는 것이고 어떠한 방식으로도 본 개시, 이의 애플리케이션, 또는 용도를 제한하도록 의도되지 않는다. 본 개시의 광범위한 교시들은 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시는 특정한 예들을 포함하지만, 본 개시의 진정한 범위는 다른 수정들이 도면들, 명세서, 및 이하의 청구항들을 연구함으로써 명백해질 것이기 때문에 그렇게 제한되지 않아야 한다. 방법 내에서 하나 이상의 단계들은 본 개시의 원리들을 변경하지 않고 상이한 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 실시예들 각각이 특정한 피처들을 갖는 것으로 상기에 기술되지만, 본 개시의 임의의 실시예에 대해 기술된 임의의 하나 이상의 이들 피처들은, 조합이 명시적으로 기술되지 않아도, 임의의 다른 실시예들의 피처들로 및/또는 임의의 다른 실시예들의 피처들과 조합하여 구현될 수 있다. 즉, 기술된 실시예들은 상호 배타적이지 않고, 하나 이상의 실시예들의 또 다른 실시예와의 치환들이 본 개시의 범위 내에 남는다.
엘리먼트들 간 (예를 들어, 모듈들, 회로 엘리먼트들, 반도체 층들, 등 간) 의 공간적 및 기능적 관계들은, "연결된 (connected)", "인게이지된 (engaged)", "커플링된 (coupled)", "인접한 (adjacent)", "옆에 (next to)", "~의 상단에 (on top of)", "위에 (above)", "아래에 (below)", 및 "배치된 (disposed)"을 포함하는, 다양한 용어들을 사용하여 기술된다. "직접적 (direct)"인 것으로 명시적으로 기술되지 않는 한, 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 간의 관계가 상기 개시에서 기술될 때, 이 관계는 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 다른 중개하는 엘리먼트가 존재하지 않는 직접적인 관계일 수 있지만, 또한 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 (공간적으로 또는 기능적으로) 하나 이상의 중개하는 엘리먼트들이 존재하는 간접적인 관계일 수 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 구 A, B, 및 C 중 적어도 하나는 비배타적인 논리 OR를 사용하여, 논리적으로 (A 또는 B 또는 C) 를 의미하는 것으로 해석되어야 하고, "적어도 하나의 A, 적어도 하나의 B, 및 적어도 하나의 C"를 의미하도록 해석되지 않아야 한다.
일부 구현예들에서, 제어기는 상술한 실례들의 일부일 수 있는 시스템의 일부이다. 이러한 시스템들은, 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들, 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 페데스탈, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함할 수 있다. 이러한 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자장치에 통합될 수도 있다. 전자장치는 시스템 또는 시스템들의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부품들을 제어할 수도 있는 "제어기"로서 지칭될 수도 있다. 제어기는, 시스템의 프로세싱 요건들 및/또는 타입에 따라서, 예를 들어 프로세싱 가스들의 전달, 온도 설정사항들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정사항들, 진공 설정사항들, 전력 설정사항들, 무선 주파수 (RF) 생성기 설정사항들, RF 매칭 회로 설정사항들, 주파수 설정사항들, 플로우 레이트 설정사항들, 유체 전달 설정사항들, 위치 및 동작 설정사항들, 툴들 및 다른 전달 툴들 및/또는 특정 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드록들 내외로의 웨이퍼 전달들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스를 제어하도록 프로그램될 수도 있다.
이하의 정의들을 포함하는 본 출원에서, 용어 "모듈" 또는 용어 "제어기"는 용어 "회로"로 대체될 수도 있다. 용어 "모듈"은 ASIC (Application Specific Integrated Circuit); 디지털, 아날로그, 또는 혼합된 아날로그/디지털 개별 회로; 디지털, 아날로그, 또는 혼합된 아날로그/디지털 집적 회로; 조합형 논리 회로; FPGA (field programmable gate array); 코드를 실행하는 (공유된, 전용, 또는 그룹) 프로세서 회로; 프로세서 회로에 의해 실행된 코드를 저장하는 (공유된, 전용, 또는 그룹) 메모리 회로; 기술된 기능을 제공하는 다른 적합한 하드웨어 컴포넌트들; 또는 시스템-온-칩과 같은, 상기한 것들의 일부 또는 전부의 조합을 지칭하고, 이의 일부일 수도 있고, 또는 이를 포함할 수도 있다.
모듈은 하나 이상의 인터페이스 회로들을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 인터페이스 회로들은 LAN (local area network), 인터넷, WAN (wide area network), 또는 이들의 조합들에 접속된 유선 인터페이스 또는 무선 인터페이스를 포함할 수도 있다. 본 개시의 임의의 주어진 모듈의 기능은 인터페이스 회로들을 사용하여 접속된 복수의 모듈들 중에 분배될 수도 있다. 예를 들어, 복수의 모듈들은 부하 밸런싱을 허용할 수도 있다. 추가의 예에서, 서버 (또한 원격 또는 클라우드로 공지됨) 모듈은 클라이언트 모듈을 대신하여, 일부 기능을 달성할 수도 있다.
상기에 사용된 바와 같이, 용어 코드는 소프트웨어, 펌웨어, 및/또는 마이크로코드를 포함할 수도 있고, 프로그램들, 루틴들, 함수들, 클래스들, 데이터 구조체들, 및/또는 객체들을 지칭할 수도 있다. 용어 공유된 프로세서 회로는 복수의 모듈들로부터의 일부 또는 모든 코드를 실행하는 단일의 프로세서 회로를 포괄한다. 용어 그룹 프로세서 회로는 추가적인 프로세서 회로들과 조합하여, 하나 이상의 모듈들로부터의 일부 또는 모든 코드를 실행하는 프로세서 회로를 포괄한다. 복수의 프로세서 회로들에 대한 참조들은 개별 다이들 상의 복수의 프로세서 회로들, 단일의 다이 상의 복수의 프로세서 회로들, 단일의 프로세서 회로의 복수의 코어들, 단일의 프로세서 회로의 복수의 스레드들, 또는 상기한 것들의 조합을 포괄한다. 용어 공유된 메모리 회로는 복수의 모듈들로부터의 일부 또는 모든 코드를 저장하는 단일의 메모리 회로를 포괄한다. 용어 그룹 메모리 회로는 추가적인 메모리들과 조합하여, 하나 이상의 모듈들로부터의 일부 또는 모든 코드를 저장하는 메모리 회로를 포괄한다.
용어 메모리 회로는 용어 컴퓨터 판독가능 매체의 서브세트이다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 컴퓨터 판독가능 매체는 매체를 통해 (예를 들어, 반송파 상에서) 전파되는 일시적인 전자 신호 및 전자기 신호는 포괄하지 않는다; 따라서 용어 컴퓨터 판독가능 매체는 유형이고 비일시적인 것으로 간주될 수도 있다. 비일시적인, 유형의 컴퓨터 판독가능 매체의 비제한적인 예들은 (플래시 메모리 회로, 소거 및 프로그램 가능 판독 전용 메모리 회로, 또는 마스크 판독 전용 메모리 회로와 같은) 비휘발성 메모리 회로들, (SRAM (static random access memory) 회로 또는 DRAM (dynamic random access memory) 회로와 같은) 휘발성 메모리, (아날로그 또는 디지털 자기 테이프 또는 하드 디스크 드라이브와 같은) 자기 저장 매체, 및 (CD, DVD, 또는 Blu-ray Disc와 같은) 광학 저장 매체이다.
본 출원에서, 특정한 속성들을 갖거나 특정한 동작들을 수행하는 것으로 기술된 장치 엘리먼트들은 이들 특정한 속성들을 갖고 그리고 이들 특정한 동작들을 수행하도록 특히 구성된다. 특히, 작용을 수행하기 위한 엘리먼트의 기술은, 엘리먼트가 작용을 수행하도록 구성된다는 것을 의미한다. 엘리먼트의 구성은 엘리먼트와 연관된 비일시적인, 유형 컴퓨터 판독가능 매체 상에 인스트럭션들을 인코딩함으로써와 같이, 엘리먼트의 프로그래밍을 포함할 수도 있다.
본 출원에 기술된 장치들 및 방법들은 컴퓨터 프로그램들로 구현된 하나 이상의 특정한 기능들을 실행하기 위해 범용 컴퓨터를 구성함으로써 생성된 특수 목적 컴퓨터에 의해 부분적으로 또는 완전히 구현될 수도 있다. 상기에 기술된 기능 블록들, 흐름도 컴포넌트들, 및 다른 엘리먼트들은 숙련된 기술자 또는 프로그래머의 루틴 작업에 의해 컴퓨터 프로그램들로 바뀔 수 있는 소프트웨어 사양들로서 작용한다.
컴퓨터 프로그램들은 적어도 하나의 비일시적인, 유형의 컴퓨터 판독가능 매체 상에 저장된, 프로세서 실행가능 인스트럭션들을 포함한다. 컴퓨터 프로그램들은 또한 저장된 데이터를 포함하거나 저장된 데이터에 의존할 수도 있다. 컴퓨터 프로그램들은 특수 목적 컴퓨터의 하드웨어와 상호작용하는 BIOS (basic input/output system), 특수 목적 컴퓨터의 특정한 디바이스들과 상호작용하는 디바이스 드라이버들, 하나 이상의 운영 체제들, 사용자 애플리케이션들, 백그라운드 서비스들, 백그라운드 애플리케이션들, 등을 포괄할 수도 있다.
컴퓨터 프로그램들은: (i) HTML (hypertext markup language), XML (extensible markup language), 또는 JSON (JavaScript Object Notation) 과 같은 파싱될 기술 텍스트, (ii) 어셈블리 코드, (iii) 컴파일러에 의해 소스 코드로부터 생성된 객체 코드, (iv) 인터프리터에 의해 실행하기 위한 소스 코드, (v) JIT 컴파일러 (just-in-time compiler) 에 의한 컴파일 및 실행을 위한 소스 코드, 등을 포함할 수도 있다. 단지 예들로서, 소스 코드는 C, C++, C#, Objective-C, Swift, Haskell, Go, SQL, R, Lisp, Java?, Fortran, Perl, Pascal, Curl, OCaml, Javascript?, HTML5 (Hypertext Markup Language 5th revision), Ada, ASP (Active Server Pages), PHP (PHP: Hypertext Preprocessor), Scala, Eiffel, Smalltalk, Erlang, Ruby, Flash?, Visual Basic?, Lua, MATLAB, SIMULINK, 및 Python?을 포함한 언어들로부터 신택스 (syntax) 를 사용하여 작성될 수도 있다.
일반적으로 말하면, 제어기는 인스트럭션들을 수신하고 인스트럭션들을 발행하고 동작을 제어하고 세정 동작들을 인에이블하고, 엔드포인트 측정들을 인에이블하는 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자장치로서 규정될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSP), ASIC (application specific integrated circuit) 으로서 규정되는 칩들 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 또는 시스템으로 전달되는 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 산화물들, 실리콘, 이산화 실리콘, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어에 의해서 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.
제어기는, 일부 구현예들에서, 시스템에 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 이와 달리 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 되는 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부일 수도 있다. 예를 들어, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 가능하게 할 수 있는 공장 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 "클라우드" 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하고, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하고, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 계측치들을 조사하고, 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하고, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하고, 또는 새로운 프로세스를 시작하기 위해서 시스템으로의 원격 액세스를 인에이블할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 는 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는 네트워크를 통해서 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정사항들의 입력 또는 프로그래밍을 가능하게 하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기는 하나 이상의 동작들 동안에 수행될 프로세스 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정한, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 이 파라미터들은 제어기가 제어하거나 인터페이싱하도록 구성된 툴의 타입 및 수행될 프로세스의 타입에 특정적일 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 상술한 바와 같이, 제어기는 예를 들어 서로 네트워킹되어서 함께 공통 목적을 위해서, 예를 들어 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들을 위해서 협력하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적을 위한 분산형 제어기의 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 조합되는, (예를 들어, 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 원격으로 위치한 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 수 있다.
비한정적으로, 예시적인 시스템들은 플라즈마 에칭 챔버 또는 모듈, 증착 챔버 또는 모듈, 스핀-린스 챔버 또는 모듈, 금속 도금 챔버 또는 모듈, 세정 챔버 또는 모듈, 베벨 에지 에칭 챔버 또는 모듈, PVD (physical vapor deposition) 챔버 또는 모듈, CVD (chemical vapor deposition) 챔버 또는 모듈, ALD (atomic layer deposition) 챔버 또는 모듈, ALE (atomic layer etch) 챔버 또는 모듈, 이온 주입 챔버 또는 모듈, 트랙 (track) 챔버 또는 모듈, 및 반도체 웨이퍼들의 제조 및/또는 제작 시에 사용되거나 연관될 수도 있는 임의의 다른 반도체 프로세싱 시스템들을 포함할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 툴에 의해서 수행될 프로세스 단계 또는 단계들에 따라서, 제어기는, 반도체 제조 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터/로 웨이퍼들의 컨테이너들을 이동시키는 재료 이송 시에 사용되는, 다른 툴 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴 인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 다른 제어기 또는 툴들 중 하나 이상과 통신할 수도 있다.
Claims (23)
- 제 1 플라즈마 프로세싱 시스템의 제 1 매칭 네트워크의 제 1 가변 커패시터의 제 1 위치들의 위치 데이터를 저장하도록 구성된 메모리로서, 상기 제 1 가변 커패시터의 상기 제 1 위치들 각각은 상기 제 1 매칭 네트워크에 의해 경험되는 복수의 부하들 중 각각의 부하에 대응하는, 상기 메모리; 및
변환 모듈을 포함하고,
상기 변환 모듈은,
상기 메모리에 저장된 상기 위치 데이터를 획득하고,
상기 위치 데이터에 기초하여 기준 커패시터 위치들을 결정하고,
상기 기준 커패시터 위치들에 기초하여 캘리브레이팅된 변환 모델을 결정하고, 그리고
상기 캘리브레이팅된 변환 모델을 저장하도록 구성되고,
상기 캘리브레이팅된 변환 모델은 상기 제 1 가변 커패시터의 제 2 위치들을 비슷한 커패시터 위치들로 변환하고, 그리고 상기 제 2 위치들은 상기 캘리브레이팅된 변환 모델의 상기 결정 후에 존재하는 상기 제 1 가변 커패시터의 위치들인, 제어 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 매칭 네트워크의 매칭 네트워크 제어기로서, 상기 매칭 네트워크 제어기는 레지스터를 포함하고, 그리고 상기 레지스터는 상기 위치 데이터를 저장하도록 구성되는, 상기 매칭 네트워크 제어기; 및
상기 매칭 네트워크 제어기로부터 분리되고 그리고 (i) 상기 매칭 네트워크 제어기의 상기 레지스터 내에 저장된 상기 위치 데이터를 획득하고, 그리고 (ii) 상기 메모리에 상기 위치 데이터를 저장하도록 구성되는, 위치 수집 모듈을 더 포함하는, 제어 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 비슷한 커패시터 위치들은, 상기 제 2 위치들과 제 3 위치들 사이의 차들에 대한 상기 제 1 매칭 네트워크와 제 2 매칭 네트워크 사이의 제작 차들의 영향들이 최소화되도록, 상기 제 2 매칭 네트워크의 제 2 가변 커패시터의 상기 제 3 위치들과 비슷한, 제어 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 비슷한 커패시터 위치들은, 상기 제 2 위치들과 상기 제 3 위치들 사이의 차들에 대한 상기 제 1 플라즈마 프로세싱 시스템과 제 2 플라즈마 프로세싱 시스템 사이의 제작 차들의 영향들이 최소화되도록, 상기 제 2 매칭 네트워크의 상기 제 3 위치들과 비슷하고;
상기 제 2 매칭 네트워크는 상기 제 1 매칭 네트워크와 동일한 타입의 매칭 네트워크이고; 그리고
상기 제 2 매칭 네트워크는 상기 제 2 플라즈마 프로세싱 시스템에 대해 동작되는, 제어 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 3 위치들은 제 2 캘리브레이팅된 변환 모델을 사용하여 결정된 비슷한 커패시터 위치들인, 제어 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 캘리브레이팅된 변환 모델은 변환 파라미터들, 맵핑 관계, 및 변환 방정식을 포함하는, 제어 시스템. - 제 6 항에 있어서,
상기 변환 방정식은 다항 방정식인, 제어 시스템. - 제 6 항에 있어서,
상기 변환 방정식은 4차 다항 방정식인, 제어 시스템. - 제 1 항에 있어서,
(i) 매칭 네트워크 제어기의 레지스터로부터 상기 위치 데이터를 획득하고, (ii) 상기 메모리에 상기 위치 데이터를 저장하고, 그리고 (iii) 제 2 매칭 네트워크의 제 2 매칭 네트워크 제어기의 상기 레지스터로부터 위치 데이터를 수집하도록 구성된 위치 수집 모듈을 더 포함하고,
상기 변환 제어기는 상기 제 2 매칭 네트워크 제어기의 상기 레지스터로부터 수신된 상기 위치 데이터에 기초하여 상기 기준 커패시터 위치들을 결정하도록 구성되는, 제어 시스템. - 제 1 항에 있어서,
위치 수집 모듈은 복수의 매칭 네트워크들의 동작을 제어하는 복수의 제어기들의 레지스터들로부터 위치 데이터를 수집하도록 구성되고, 상기 복수의 매칭 네트워크들은 상기 제 1 매칭 네트워크를 포함하고 그리고 적어도 하나의 플라즈마 프로세싱 챔버에 대응하고; 그리고
상기 변환 모듈은 상기 복수의 제어기들의 상기 레지스터로부터 수신된 상기 위치 데이터에 기초하여 상기 기준 커패시터 위치들을 결정하도록 구성되는, 제어 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 기준 커패시터 위치들은, 상기 캘리브레이팅된 변환 모델을 생성하도록 상기 제 1 플라즈마 프로세싱 시스템의 미리 결정된 동작 필요조건들을 충족시키기 위해서 상기 제 2 위치들을 조정하는 상기 변환 모듈의 결과들인, 제어 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 매칭 네트워크의 매칭 네트워크 제어기를 더 포함하고, 상기 매칭 네트워크 제어기는 레지스터를 포함하고,
상기 레지스터는 상기 위치 데이터를 저장하도록 구성되고;
상기 매칭 네트워크 제어기는, 상기 제 1 플라즈마 프로세싱 시스템이 제 1 레시피에 따라 동작하는 동안 그리고 상기 제 1 매칭 네트워크가 제 1 부하에 전력을 제공하는 동안, 상기 제 1 가변 커패시터의 위치의 조정을 제어하도록 구성되고;
상기 매칭 네트워크 제어기는, 상기 변환 모듈이 상기 매칭 네트워크 제어기의 상기 레지스터로부터의 상기 위치 데이터에 액세스하기 전에, 적어도 하나의 미리 결정된 필요조건을 충족시키도록 상기 제 1 가변 커패시터의 상기 위치를 조정하도록 구성되고; 그리고
상기 미리 결정된 필요조건은 (i) 상기 제 1 매칭 네트워크의 미리 결정된 임피던스, (ii) 상기 제 1 매칭 네트워크를 통해 이송된 미리 결정된 전력량, 또는 (iii) TCCT (transformer coupled capacitive tuning) 네트워크의 내측 코일과 외측 코일 사이의 미리 결정된 전력 비 중 적어도 하나를 포함하는, 제어 시스템. - 제 1 플라즈마 프로세싱 시스템의 제 1 전력 스플리터의 가변 커패시터의 제 1 위치들의 위치 데이터를 저장하도록 구성된 메모리로서, 상기 가변 커패시터의 상기 제 1 위치들 각각은 상기 제 1 전력 스플리터에 의해 경험되는 복수의 부하들 중 각각의 부하에 대응하는, 상기 메모리; 및
변환 모듈을 포함하고,
상기 변환 모듈은,
상기 메모리에 저장된 상기 위치 데이터를 획득하고,
상기 위치 데이터에 기초하여 기준 커패시터 위치들을 결정하고,
상기 기준 커패시터 위치들에 기초하여 캘리브레이팅된 변환 모델을 결정하고, 그리고
상기 캘리브레이팅된 변환 모델을 저장하도록 구성되고,
상기 캘리브레이팅된 변환 모델은 상기 가변 커패시터의 제 2 위치들을 비슷한 커패시터 위치들로 변환하고, 그리고 상기 제 2 위치들은 상기 캘리브레이팅된 변환 모델의 상기 결정 후에 존재하는 상기 가변 커패시터의 위치들인, 제어 시스템. - 제 13 항에 있어서,
상기 비슷한 커패시터 위치들은, 상기 제 2 위치들과 제 3 위치들 사이의 차들에 대한 상기 제 1 전력 스플리터와 제 2 전력 스플리터 사이의 제작 차들의 영향들이 최소화되도록, 상기 제 2 전력 스플리터의 가변 커패시터의 상기 제 3 위치들과 비슷한, 제어 시스템. - 제 13 항에 있어서,
상기 캘리브레이팅된 변환 모델은 변환 파라미터들, 맵핑 관계, 및 변환 방정식을 포함하고; 그리고
상기 변환 방정식은 4차 다항 방정식인, 제어 시스템. - 플라즈마 프로세싱 시스템의 동작을 제어하도록 구성된 제 1 제어기; 및
상기 플라즈마 프로세싱 시스템의 제 1 매칭 네트워크의 제 1 가변 커패시터의 위치 데이터를 저장하도록 구성된 메모리를 포함하고,
상기 제 1 제어기는,
변환 모듈로서, (i) 상기 메모리에 저장된 상기 제 1 가변 커패시터의 상기 위치 데이터를 획득하도록 구성되고, 상기 위치 데이터는 상기 제 1 매칭 네트워크 상의 각각의 복수의 부하들에 대한 상기 제 1 가변 커패시터의 제 1 위치들을 포함하고, 그리고 (ii) 캘리브레이팅된 변환 모델에 기초하여 상기 제 1 위치들을 비슷한 커패시터 위치들로 변환하도록 구성되고, 상기 캘리브레이팅된 변환 모델은 상기 제 1 가변 커패시터의 기준 커패시터 위치들에 기초하는, 상기 변환 모듈, 및
디스플레이 상에 상기 비슷한 커패시터 위치들을 디스플레이하도록 구성된 디스플레이 모듈을 포함하는, 시스템. - 제 16 항에 있어서,
상기 플라즈마 프로세싱 시스템이 제 1 레시피를 따라 동작하는 동안 그리고 상기 제 1 매칭 네트워크가 전력을 제 1 부하로 제공하는 동안 상기 제 1 가변 커패시터의 위치의 조정을 제어하고;
적어도 하나의 미리 결정된 필요조건을 충족시키도록 상기 제 1 가변 커패시터의 상기 위치를 조정하고; 그리고
상기 적어도 하나의 미리 결정된 필요조건이 충족될 때 레지스터 내의 상기 제 1 가변 커패시터의 결과로 발생한 위치를 저장하도록 구성된 제 2 제어기를 더 포함하고,
상기 복수의 부하들은 상기 제 1 부하를 포함하고, 그리고
상기 제 1 제어기는 상기 제 1 가변 커패시터의 상기 결과로 발생한 위치를 획득하기 위해서 상기 레지스터에 액세스하도록 구성되고, 그리고
상기 제 1 위치들은 상기 결과로 발생한 위치를 포함하는, 시스템. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 레시피는 제 2 레시피와 상이하고; 그리고
상기 제 2 레시피는 상기 캘리브레이팅된 변환 모델을 생성하도록 캘리브레이션 동안 사용되는, 시스템. - 제 17 항에 있어서,
상기 미리 결정된 필요조건은 (i) 상기 제 1 매칭 네트워크의 미리 결정된 임피던스, (ii) 상기 제 1 매칭 네트워크를 통해 이송된 미리 결정된 전력량, 또는 (iii) TCCT 네트워크의 내측 코일과 외측 코일 사이의 미리 결정된 전력 비 중 적어도 하나를 포함하는, 시스템. - 제 16 항에 있어서,
상기 캘리브레이팅된 변환 모델은 변환 파라미터들, 맵핑 관계, 및 변환 방정식을 포함하는, 시스템. - 제 20 항에 있어서,
상기 변환 방정식은 다항 방정식인, 시스템. - 제 20 항에 있어서,
상기 변환 방정식은 4차 다항 방정식인, 시스템. - 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 위치들을 제 2 위치들과 비교하도록 구성된 비교 모듈로서, 상기 제 2 위치들은 제 2 매칭 네트워크의 제 2 가변 커패시터의 위치들이고, 상기 제 2 매칭 네트워크는 상기 제 1 매칭 네트워크와 동일한 타입의 매칭 네트워크인, 상기 비교 모듈; 및
(i) 상기 비교들의 결과들을 평가하고, 그리고 (ii) 상기 결과들에 기초하여, 상기 제 1 매칭 네트워크의 이슈가 존재하는지를 나타내도록 구성된 열화 보고 모듈을 더 포함하는, 시스템.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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