KR20170045106A - Oxygen free copper plate, method of manufacturing oxygen free copper plate and ceramic wiring board - Google Patents
Oxygen free copper plate, method of manufacturing oxygen free copper plate and ceramic wiring board Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170045106A KR20170045106A KR1020160114753A KR20160114753A KR20170045106A KR 20170045106 A KR20170045106 A KR 20170045106A KR 1020160114753 A KR1020160114753 A KR 1020160114753A KR 20160114753 A KR20160114753 A KR 20160114753A KR 20170045106 A KR20170045106 A KR 20170045106A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxygen
- free copper
- copper plate
- crystal
- plane
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3736—Metallic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
Abstract
Description
본 발명은, 무산소 동판(無酸素 銅板), 무산소 동판의 제조방법 및 세라믹 배선기판(ceramic 配線基板)에 관한 것이다.
The present invention relates to an oxygen-free copper plate (an oxygen-free copper plate), a method for producing an oxygen-free copper plate, and a ceramic wiring board (ceramic wiring board).
반도체소자를 실장(實裝)하는 기판으로서, 세라믹 배선기판이 사용되는 경우가 있다(예를 들면 특허문헌1∼2 참조). 세라믹 배선기판은, 세라믹 기판과, 세라믹 기판 상에 설치되고 예를 들면 에칭에 의하여 소정의 장소가 제거되어 배선 패턴(구리배선)이 되는 무산소 동판을 구비하고 있다.
As a substrate on which a semiconductor device is mounted, a ceramic wiring substrate may be used (see, for example, Patent Documents 1 and 2). The ceramic wiring board is provided with a ceramic substrate and an oxygen-free copper plate which is provided on a ceramic substrate and which is removed by etching, for example, to form a wiring pattern (copper wiring).
세라믹 배선기판에서는, 실장되는 반도체소자에 통전(通電)·정지(停止)가 반복됨으로써 반도체소자가 발열·방열을 반복한다. 이때에 반도체소자로부터의 열이 세라믹 배선기판에도 전달되어, 세라믹 배선기판은 승온(昇溫)·강온(降溫)을 반복하게 된다. 무산소 동(無酸素 銅; Oxygen Free Copper)의 선팽창계수는 1.7×10-5/K이고, 세라믹의 선팽창계수는 0.3∼0.8×10-5/K이다. 이 때문에 세라믹 배선기판이 승온과 강온을 반복하면, 무산소 동판과 세라믹 기판과의 열팽창 차에 의하여 무산소 동판과 세라믹 기판과의 계면(접합계면)에 반복하여 응력(열응력(熱應力))이 발생하게 된다. 이에 따라 세라믹 기판에 균열이 생기거나, 무산소 동판과 세라믹 기판과의 계면에서 박리가 생기는 등의 불량이 발생하는 경우가 있다.In a ceramic wiring board, a semiconductor element is repeatedly energized and de-energized by repeated energization and stoppage of the semiconductor element to be mounted. At this time, the heat from the semiconductor element is transferred to the ceramic wiring board, and the ceramic wiring board is repeatedly heated and cooled. The oxygen-free copper (Oxygen Free Copper) has a coefficient of linear expansion of 1.7 × 10 -5 / K, and a coefficient of linear expansion of ceramic is 0.3 to 0.8 × 10 -5 / K. Therefore, if the ceramic wiring board is repeatedly heated and cooled, stress (thermal stress) is repeatedly generated at the interface (bonding interface) between the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate due to the difference in thermal expansion between the oxygen- . As a result, cracks may be generated in the ceramic substrate, or peeling may occur at the interface between the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate.
본 발명은, 상기 과제를 해결하여, 세라믹 배선기판이 승온과 강온을 반복하는 경우에 있어서도 세라믹 기판의 균열이나 무산소 동판과 세라믹 기판과의 계면에서의 박리의 발생 등을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
The present invention solves the above problems and provides a technique capable of suppressing cracking of the ceramic substrate and occurrence of peeling at the interface between the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate even when the ceramic wiring substrate repeats the temperature increase and the temperature decrease .
본 발명의 1태양에 의하면,According to one aspect of the present invention,
압연됨으로써 평판 모양으로 형성되는 무산소 동판으로서, 800℃ 이상 1080℃ 이하의 조건하에서 5분 이상 가열한 후에, 압연면에서 측정한 평균결정입경이 500㎛ 이상이 되고, 또한 상기 무산소 동판의 상기 압연면과 평행한 면 내에 존재하는 각 결정면의 결정방위를 각각 측정하고, (211)면의 결정방위로부터의 기울기가 15° 이내인 결정방위를 갖는 결정면을 상기 (211)면으로 간주하였을 때에, 상기 압연면의 면적에 대한 상기 압연면에 존재하는 상기 (211)면의 합계면적의 비율이 80％ 이상이 되는 무산소 동판이 제공된다.An oxygen-free copper plate which is rolled and formed into a plate-like shape, characterized in that an average crystal grain size measured at the rolled surface is 500 占 퐉 or more after being heated at 800 占 폚 or more and 1080 占 폚 or less for 5 minutes or longer, (211) plane is regarded as the (211) plane, and when a crystal plane having a crystal orientation whose inclination from the crystal orientation of the (211) plane is within 15 degrees is regarded as the (211) plane, Wherein the ratio of the total area of the (211) face present on the rolled face to the area of the face is 80% or more.
본 발명의 다른 태양에 의하면,According to another aspect of the present invention,
세라믹 기판 상에 설치된 후에 열처리가 이루어짐으로써 배선재가 되는 무산소 동판의 제조방법으로서,A method for producing an oxygen-free copper plate to be a wiring material by performing heat treatment after being placed on a ceramic substrate,
무산소 동으로 형성된 피압연재에 대하여, 1회의 가공도가 40％ 이하인 냉간압연처리를 총가공도가 90％ 이상이 되도록 복수 회 실시하는 냉간압연공정을 구비하는 무산소 동판의 제조방법이 제공된다.There is provided a method for producing an oxygen-free copper plate having a cold rolling step in which a cold rolling process having a machining degree of 40% or less is performed a plurality of times so that a total machining degree is 90% or more.
본 발명의 또 다른 태양에 의하면,According to another aspect of the present invention,
세라믹 기판과,A ceramic substrate,
무산소 동에 대하여 압연가공을 함으로써 평판 모양으로 형성되고, 상기 세라믹 기판 상에 설치되는 배선재로서의 무산소 동판을And an oxygen-free copper plate as a wiring material to be provided on the ceramic substrate,
구비하고,Respectively,
상기 무산소 동판의 압연면의 평균결정입경이 500㎛ 이상임과 아울러, 상기 압연면에 존재하는 결정립이 갖는 결정면 중에서 (211)면의 결정방위로부터의 기울기가 15° 이내인 결정방위를 갖는 결정면을 상기 (211)면으로 간주하였을 때에, 상기 압연면의 면적에 대한 상기 (211)면의 합계면적의 비율이 80％ 이상인 세라믹 배선기판이 제공된다.
Wherein an average crystal grain size of the rolled surface of the oxygen-free copper plate is 500 占 퐉 or more and a crystal plane having a crystal orientation whose inclination from the crystal orientation of the (211) plane is within 15 占 of the crystal planes of the crystal grains existing on the rolled surface, (211) plane, the ratio of the total area of the (211) plane to the area of the rolled surface is 80% or more.
본 발명에 의하면, 세라믹 배선기판이 승온과 강온을 반복하는 경우에 있어서도 세라믹 기판의 균열이나 무산소 동판과 세라믹 기판과의 계면에서의 박리의 발생을 억제할 수 있다.
According to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the ceramic substrate and peeling at the interface between the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate even when the ceramic wiring substrate repeats the temperature rise and the temperature decrease.
도1은, 본 발명의 1실시형태에 관한 무산소 동판에 대하여 소정의 열처리를 한 후의 결정방위 맵이다.
도2는, 본 발명의 1실시형태에 관한 무산소 동판 및 세라믹 배선기판의 제조공정을 나타내는 플로차트이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a crystal orientation map obtained by subjecting an oxygen-free copper plate according to an embodiment of the present invention to a predetermined heat treatment; FIG.
2 is a flow chart showing a manufacturing process of an oxygen-free copper board and a ceramic wiring board according to an embodiment of the present invention.
〈본 발명의 1실시형태〉≪ One embodiment of the present invention &
(1) 세라믹 배선기판의 구성(1) Composition of ceramic wiring board
먼저, 본 발명의 1실시형태에 관한 세라믹 배선기판의 구성에 대하여 설명한다. 본 실시형태에 관한 세라믹 배선기판은, 소정의 두께(예를 들면 0.5㎜)의 세라믹 기판과, 세라믹 기판 상에 설치되는 배선재(配線材)를 구비하고 있다. 배선재로서는 무산소 동판(無酸素 銅板)이 사용되고 있다. 세라믹 배선기판은, 세라믹 기판과 무산소 동판이 예를 들면 용가재(鎔加材)를 사이에 두고 접합(부착)됨으로써 형성되어 있다. 이 접합은, 노(爐) 중에서 세라믹 기판, 무산소 동판 및 용가재의 적층체를 소정의 조건(예를 들면 800℃ 이상 1080℃ 이하의 온도에서 5분 이상)으로 가열하는 열처리에 의하여 이루어진다. 소정의 열처리가 이루어져 세라믹 기판과 무산소 동판이 접합된다. 또한 소정의 열처리가 이루어지고, 배선재가 되는 무산소 동판의 소정의 장소가 예를 들면 에칭에 의하여 제거되어 배선 패턴(구리배선)이 형성된다.First, the configuration of a ceramic wiring board according to an embodiment of the present invention will be described. The ceramic wiring board according to the present embodiment is provided with a ceramic substrate having a predetermined thickness (for example, 0.5 mm) and a wiring material (wiring material) provided on the ceramic substrate. As the wiring material, an oxygen-free copper plate (oxygen-free copper plate) is used. The ceramic wiring board is formed by bonding (attaching) a ceramic substrate and an oxygen-free copper plate, for example, with a filler interposed therebetween. This bonding is performed by heat treatment in which a laminate of a ceramic substrate, an oxygen-free copper plate and a filler material is heated in a furnace under predetermined conditions (for example, at a temperature of 800 ° C or more and 1080 ° C or less for 5 minutes or more). A predetermined heat treatment is performed to bond the ceramic substrate and the oxygen-free copper plate. In addition, a predetermined heat treatment is performed, and a predetermined place of the oxygen-free copper plate to be a wiring material is removed, for example, by etching to form a wiring pattern (copper wiring).
세라믹 기판으로서, 예를 들면 질화알루미늄(AlN)이나 질화규소(SiN) 등을 주성분으로 하는 세라믹 소결체가 사용된다.As the ceramic substrate, for example, a ceramic sintered body composed mainly of aluminum nitride (AlN) or silicon nitride (SiN) is used.
용가재로서, 예를 들면 은(Ag), 구리(Cu), 주석(Sn), 인듐(In), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo) 등의 금속, 또는 이들 금속 중에서 적어도 하나를 포함하는 금속합금이 사용된다.As the filler, for example, a metal such as silver (Ag), copper (Cu), tin (Sn), indium (In), titanium (Ti), molybdenum (Mo), or a metal alloy containing at least one of these metals Is used.
(2) 무산소 동판의 구성(2) Composition of anaerobic copper plate
이하에, 본 발명의 1실시형태에 관한 무산소 동판의 구성에 대하여 설명한다. 본 실시형태에 관한 무산소 동판은, 예를 들면 상기의 세라믹 배선기판이 구비하는 배선재로서 적합하게 사용된다.Hereinafter, the oxygen-oxygen copper plate according to one embodiment of the present invention will be described. The oxygen-free copper board according to the present embodiment is suitably used, for example, as a wiring material included in the above-described ceramic wiring board.
본 실시형태에 관한 무산소 동판은, 압연(壓延)됨으로써 평판(平板) 모양으로 형성되어 있다. 무산소 동판은, 소정의 열처리(예를 들면 800℃ 이상 1080℃ 이하의 조건하에서 5분 이상 가열하는 열처리)를 한 후에, 표면(압연면)에서 측정한 평균결정입경이 500㎛ 이상, 바람직하게는 500㎛ 이상 5㎝(50000㎛) 이하가 되고, 또한 무산소 동판의 압연면과 평행한 면 내에 존재하는 각 결정면의 결정방위를 각각 측정하고, (211)면의 결정방위로부터의 기울기가 15° 이내인 결정방위를 갖는 결정면을 (211)면으로 간주할 때에, 무산소 동판 표면의 면적(A)(무산소 동판의 어느 한 주면(主面)의 면적)에 대한 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 합계면적(B)의 비율((B/A)×100)이, 예를 들면 80％ 이상(즉 80％ 이상 100％ 이하), 바람직하게는 85％ 이상이 되도록 형성되어 있다. 이와 같이 본 실시형태에 관한 무산소 동판은, 예를 들면 상기의 세라믹 배선기판을 형성할 때의 세라믹 기판과 무산소 동판을 접합시키는 상기 열처리(소정의 열처리라고도 한다)에 의하여, 무산소 동판에 재결정 등이 생겨, 무산소 동판 표면의 평균결정입경이 500㎛ 이상이 되고, 무산소 동판 표면의 (211)면의 배향성이 80％ 이상이 되도록 형성되어 있다.The oxygen-free copper plate according to the present embodiment is formed into a flat plate shape by rolling. The oxygen-free copper plate has an average crystal grain size of not less than 500 탆 measured on the surface (rolled surface) after a predetermined heat treatment (for example, heat treatment for not less than 5 minutes at 800 캜 to 1080 캜) (50000 占 퐉) or less and the crystal orientations of the respective crystal planes existing in the plane parallel to the rolled surface of the oxygen-free copper plate were measured and the slope of the (211) plane from the crystal orientation was within 15 占(211) existing on the surface of the oxygen-free copper plate with respect to the area (A) of the oxygen-free copper plate surface (the area of one main surface of the oxygen-free copper plate) Is 80% or more (that is, 80% or more and 100% or less), preferably 85% or more, of the total area (B) As described above, the oxygen-free copper plate according to the present embodiment can be obtained, for example, by performing the heat treatment (also referred to as a predetermined heat treatment) for joining the ceramic substrate and the oxygen-free copper plate when forming the ceramic wiring board, And the average grain size of the oxygen-free copper plate surface is 500 占 퐉 or more and the orientation of the (211) plane of the oxygen-free copper plate surface is 80% or more.
또한 무산소 동판의 표면은, 예를 들면 상기의 세라믹 배선기판을 형성하였을 때에 세라믹 배선기판의 상면(上面)이 되는 면이다. 즉 세라믹 기판에 대향(對向)하는 면과는 반대 측의 면이다.The surface of the oxygen-free copper plate is, for example, a surface which becomes the upper surface (upper surface) of the ceramic wiring board when the above-described ceramic wiring board is formed. That is, the surface opposite to the surface facing the ceramic substrate.
예를 들면 무산소 동판을 사용하여 형성한 상기의 세라믹 배선기판에 있어서, 상기한 바와 같이 세라믹 기판과 무산소 동판과의 사이의 계면(접합계면)에 응력(應力)이 발생하면, 무산소 동판 내에 전위(轉位)가 발생한다. 이때에 세라믹 배선기판이 구비하는 무산소 동판, 즉 무산소 동판과 세라믹 기판을 접합시키는 소정의 열처리를 한 후의 무산소 동판에 있어서의 압연면의 평균결정입경이 500㎛ 미만이면, 무산소 동판 내에 존재하는 결정립계(結晶粒界)가 많아, 상기 전위의 무산소 동판 내에서의 이동이 억제되기 때문에, 상기의 응력이 완화되기 어렵다. 그 결과, 세라믹 배선기판에 있어서 세라믹 기판의 균열이나 세라믹 기판과 무산소 동판과의 계면에서의 박리를 억제할 수 없는 경우가 있다.When a stress is generated at the interface (bonding interface) between the ceramic substrate and the oxygen-free copper plate in the above-described ceramic wiring board formed using an oxygen-free copper plate, for example, Displacement occurs. At this time, if the average crystal grain size of the rolled surface of the oxygen-free copper plate, that is, the oxygen-free copper plate after the predetermined heat treatment for bonding the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate to each other is less than 500 탆, Crystal grain boundaries) are so large that the movement of the dislocations in the oxygen-free copper plate is suppressed, so that the above stress is hardly alleviated. As a result, cracking of the ceramic substrate in the ceramic wiring substrate and peeling at the interface between the ceramic substrate and the oxygen-free copper plate can not be suppressed.
무산소 동판이, 소정의 열처리를 한 후의 표면에 있어서의 평균결정입경이 500㎛ 이상이 되도록 형성됨으로써, 무산소 동판 내의 결정립계를 충분히 줄일 수 있고, 무산소 동판 내에서 상기 전위를 용이하게 이동시켜, 상기의 응력을 완화시킬 수 있다. 그 결과, 세라믹 배선기판에 있어서 세라믹 기판의 균열이나 세라믹 기판과 무산소 동판과의 계면에서의 박리를 억제할 수 있다.Since the oxygen-free copper plate is formed so as to have an average crystal grain size of 500 mu m or more on the surface after subjected to a predetermined heat treatment, the grain boundaries in the oxygen-free copper plate can be sufficiently reduced and the potential can be easily moved in the oxygen- Stress can be relieved. As a result, cracking of the ceramic substrate in the ceramic wiring board and peeling at the interface between the ceramic substrate and the oxygen-free copper plate can be suppressed.
무산소 동판은, 소정의 열처리를 한 후의 표면에 있어서의 평균결정입경이 5㎝ 이하가 되도록 형성되어 있다. 즉 무산소 동판은, 소정의 열처리를 한 후에도 단결정화되지 않고, 다결정체로 존재하도록 형성되어 있다.The oxygen-free copper plate is formed so that the average crystal grain size on the surface after the predetermined heat treatment is 5 cm or less. That is, the oxygen-free copper plate is formed so as to exist as a polycrystalline body without being monolithically cleaned even after a predetermined heat treatment.
또한 상기의 전위는 (211)면을 따라 이동하기 쉽다고 하는 성질을 가지고 있다. 따라서 소정의 열처리를 한 후의 무산소 동판 표면의 면적(A)에 대한 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 합계면적(B)의 비율(즉 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 면적율)이 80％ 미만이면, 상기 전위의 이동이 불충분하여, 상기의 응력을 충분히 완화시킬 수 없는 경우가 있다.In addition, the above potential has a property that it is easy to move along the (211) plane. Therefore, the ratio of the total area (B) of the (211) planes present on the surface of the oxygen-free copper plate to the area (A) of the oxygen-free copper plate after the predetermined heat treatment Area ratio) is less than 80%, the dislocation of the dislocation is insufficient, so that the above stress can not be sufficiently relaxed.
무산소 동판이, 소정의 열처리를 한 후의 표면에 있어서의 (211)면의 면적율이 80％ 이상이 되도록 형성됨으로써, 상기 전위를 충분히 이동시켜, 상기의 응력을 충분히 완화시킬 수 있다. 또한 무산소 동판이, 소정의 열처리를 한 후의 표면에 있어서의 (211)면의 면적율이 85％ 이상이 되도록 형성됨으로써, 상기 전위를 더욱 충분히 이동시켜, 상기의 응력을 더 완화시킬 수 있다.The oxygen-free copper plate is formed such that the area ratio of the (211) face on the surface after subjected to the predetermined heat treatment is 80% or more, whereby the above potential can be sufficiently moved to sufficiently relax the stress. Also, since the oxygen-free copper plate is formed such that the area ratio of the (211) face on the surface after subjected to the predetermined heat treatment is 85% or more, the above potential can be sufficiently shifted to further relax the above stress.
또한 무산소 동판의 표면에 존재하는 결정입자의 결정면의 측정방법은 하기와 같다. 무산소 동판의 표면에 존재하는 각 결정면(각 결정립)의 결정방위는 SEM/EBSD법에 의하여 측정한다. SEM/EBSD법은, 시료로서의 무산소 동판에 주사형 전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)으로 전자선을 조사하였을 때에 생기는 전자후방산란회절(EBSD: Electron Backscattering Diffraction)에 의하여 형성되는 회절패턴을 이용하여, 시료인 무산소 동판의 표면에 존재하는 결정면의 결정방위를 해석하는 방법이다. 예를 들면 SEM에, SEM으로부터 조사되는 전자선의 축과 직교하는 축에 대하여 약 60°∼70° 경사지게 하여 시료로서의 무산소 동판을 배치하고, 시료에 전자선을 조사한다. 이에 따라 시료(무산소 동판)의 표면으로부터 약 50㎚의 깊이까지의 영역에 존재하는 각 결정면에서 전자후방산란회절이 생겨, 회절패턴이 얻어진다. 얻어진 회절패턴을 해석하고, 시료(무산소 동판)의 표면에 존재하는 복수의 각 결정면의 결정방위를 각각 해석한다.The method of measuring the crystal face of the crystal grains present on the surface of the oxygen-free copper plate is as follows. The crystal orientation of each crystal plane (each crystal grain) present on the surface of the oxygen-free copper plate is measured by the SEM / EBSD method. The SEM / EBSD method uses a diffraction pattern formed by electron backscattering diffraction (EBSD) which occurs when an oxygen-free copper plate as a sample is irradiated with an electron beam by a scanning electron microscope (SEM) Is a method of analyzing the crystal orientation of a crystal face present on the surface of an oxygen-free copper plate as a sample. For example, an oxygen free copper plate as a sample is disposed in an SEM by inclining it by about 60 ° to 70 ° with respect to an axis orthogonal to the axis of the electron beam irradiated from the SEM, and the sample is irradiated with an electron beam. As a result, electron back scattering diffraction occurs at each crystal face present in the region from the surface of the sample (oxygen-free copper plate) to a depth of about 50 nm, and a diffraction pattern is obtained. The obtained diffraction pattern is analyzed and the crystal orientations of a plurality of respective crystal planes existing on the surface of the sample (oxygen-free copper plate) are analyzed.
이어서 결정방위에 의하여 결정립을 분류하고, 예를 들면 도1에 나타내는 바와 같은 결정방위 맵을 얻는다. 즉 동일한 결정방위를 가지는 결정면에는 동일한 색을 붙여 결정방위 맵을 얻는다. 이때에, (211)면의 결정방위로부터의 기울기가 15° 이내인 결정방위를 가지는 결정면은, (211)면으로 간주하는 것으로 한다. 즉 (211)면의 결정방위로부터의 기울기가 15° 이내인 결정방위를 가지는 결정면은, (211)면에 포함되는 것으로 한다. 그리고 얻어진 결정방위 맵으로부터, 무산소 동판 표면의 면적(A)에 대한 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 합계면적(B)의 비율((B/A)×100)을 산출함으로써, 무산소 동판 표면의 (211)면의 배향성을 평가할 수 있다.Then, the crystal grains are classified by the crystal orientation, and for example, a crystal orientation map as shown in Fig. 1 is obtained. Namely, the same color is attached to crystal planes having the same crystal orientation to obtain a crystal orientation map. At this time, the crystal plane having the crystal orientation whose inclination from the crystal orientation of the (211) plane is within 15 degrees is regarded as the (211) plane. That is, a crystal plane having a crystal orientation whose inclination from the crystal orientation of the (211) plane is within 15 degrees is included in the (211) plane. (B / A) x 100) of the total area (B) of the (211) plane existing on the surface of the anaerobic copper plate to the area (A) of the oxygen-free copper plate from the obtained crystal orientation map, The orientation of the (211) plane of the copper plate surface can be evaluated.
본 실시형태에 관한 무산소 동판은, 순도가 예를 들면 99.96질량％ 이상 99.999질량％ 이하인 구리를 사용하고, 산소(O)의 농도가 예를 들면 0.001질량％ 이하, 바람직하게는 0.0005질량％ 이하이고, 잔부(殘部)가 불가피적 불순물로 이루어지는 무산소 동으로 형성되어 있다. 무산소 동판은, 예를 들면 순도가 99.96질량％ 이상 99.999질량％ 이하이고, 산소(O)의 농도가 0.001질량％ 이하이며, 잔부가 불가피적 불순물로 이루어지는 무산소 동에 대하여 압연가공 등을 함으로써 형성되어 있다.The oxygen-free copper plate according to the present embodiment uses copper having a purity of, for example, 99.96 mass% or more and 99.999 mass% or less, and the concentration of oxygen (O) is, for example, 0.001 mass% or less, preferably 0.0005 mass% or less , And the remainder is formed of oxygen-free copper composed of inevitable impurities. The oxygen-free copper plate is formed, for example, by rolling processing an oxygen free copper having a purity of 99.96 mass% or more and 99.999 mass% or less, a concentration of oxygen (O) of 0.001 mass% or less and the remainder being inevitable impurities have.
세라믹 배선기판에 사용되는 무산소 동판(동재(銅材))은, 통전할 때의 줄열(Joule熱)의 발생을 억제하거나 방열을 하기 위하여 고열전도율, 고전기전도율을 가질 필요가 있다. 이 목적을 달성하기 위해서는 무산소 동판 중의 불순물을 저감시키는 것이 효과적이다. 순도가 99.96질량％ 미만인 구리를 사용하면, 무산소 동판 중의 불순물이 많아지기 때문에 무산소 동판의 열전도율, 전기전도율이 낮아진다. 또한 순도가 99.96질량％ 미만이면, 형성된 무산소 동판에 대하여 소정의 열처리를 하여도, 이 열처리에 의하여 무산소 동판 중에 생기는 재결정이나 결정성장이 불충분하여, 상기의 평균결정입경이 500㎛ 미만이 되는 경우가 있다. 순도가 99.96질량％ 이상인 구리를 이용함으로써, 무산소 동판 중의 불순물을 충분히 저감시킬 수 있고, 무산소 동판에 소정의 열처리를 함으로써 무산소 동판 중에 충분한 재결정이나 결정성장을 발생시킬 수 있어, 상기의 평균결정입경을 500㎛ 이상으로 할 수 있다. 그러나 순도가 99.999질량％를 넘는 구리를 사용하면, 제조비용이 급증해버린다. 이 때문에, 공업적으로는 순도가 99.999질량％ 이하인 구리를 사용하는 것이 바람직하다.An oxygen-free copper plate (copper material) used for a ceramic wiring board needs to have a high thermal conductivity and a high electric conductivity in order to suppress the generation of joule heat when conducting electricity or to dissipate heat. In order to achieve this object, it is effective to reduce the impurities in the oxygen-free copper plate. When copper having a purity of less than 99.96 mass% is used, the thermal conductivity and the electric conductivity of the oxygen-free copper plate are lowered because impurities in the oxygen-free copper plate are increased. If the purity is less than 99.96% by mass, recrystallization or crystal growth occurring in the oxygen-free copper plate by the heat treatment is insufficient even when a predetermined heat treatment is performed on the formed oxygen free copper plate, and the above average crystal grain size becomes less than 500 탆 have. The use of copper having a purity of 99.96 mass% or more makes it possible to sufficiently reduce the impurities in the oxygen-free copper plate and to perform sufficient heat treatment on the oxygen-free copper plate to cause sufficient recrystallization and crystal growth in the oxygen- It may be 500 mu m or more. However, if copper having a purity of more than 99.999% by mass is used, the manufacturing cost increases sharply. For this reason, it is industrially preferable to use copper having a purity of 99.999 mass% or less.
상기한 바와 같이 세라믹 배선기판은, 용가재를 사이에 두고 세라믹 기판과 무산소 동판을 접합하여 형성된다. 이 접합은, 상기한 바와 같이 노 중에서 세라믹 기판, 무산소 동판 및 용가재의 적층체를 고온으로 가열하여 용가재를 용융시켜 이루어진다. 무산소 동판(무산소 동판을 형성하는 무산소 동) 중의 산소(O)의 농도가 높으면(예를 들면 무산소 동판 중의 산소(O)의 농도가 0.001질량％를 넘으면), 용가재를 가열하였을 때에 용가재 중의 활성금속과 무산소 동 중의 산소가 결합하여, 용가재의 활성이 떨어지는 경우가 있다. 즉 세라믹 기판과 무산소 동판과의 접합강도가 낮아져, 브레이징(brazing)의 신뢰성이 저하되는 경우가 있다. 또한 무산소 동판 중의 산소(O)의 농도가 0.001질량％를 넘으면, 소정의 열처리를 하더라도 무산소 동판 중에 발생하는 재결정이나 결정성장이 불충분하여, 소정의 열처리 후에 있어서의 무산소 동판 표면의 평균결정입경이 500㎛ 미만이 되는 경우가 있다.As described above, the ceramic wiring board is formed by bonding a ceramic substrate and an oxygen-free copper plate with a filler interposed therebetween. This bonding is performed by heating the laminate of the ceramic substrate, the oxygen-free copper plate and the filler material in the furnace at a high temperature to melt the filler as described above. When the concentration of oxygen (O) in the anaerobic copper plate (oxygen-free copper forming oxygen-free copper plate) is high (for example, when the concentration of oxygen (O) in the anaerobic copper plate exceeds 0.001 mass%), And oxygen in anaerobic copper may be combined to deteriorate the activity of the usable material. That is, the bonding strength between the ceramic substrate and the oxygen-free copper plate is lowered, and the reliability of brazing may be lowered. Further, when the concentration of oxygen (O) in the oxygen-free copper plate exceeds 0.001 mass%, recrystallization and crystal growth occurring in the oxygen-free copper plate are insufficient even after the predetermined heat treatment, and the average crystal grain size of the oxygen- Mu m or less.
산소(O)의 농도를 예를 들면 0.001질량％ 이하로 함으로써, 이들 문제를 해결하여 용가재의 활성이 떨어지는 것을 억제할 수 있고, 브레이징의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다. 또한 소정의 열처리에 의하여 무산소 동판 중에 재결정이나 결정성장을 충분히 발생시킬 수 있어, 상기의 평균결정입경을 확실하게 500㎛ 이상으로 할 수 있다. 산소(O)의 농도를 0.0005질량％ 이하로 함으로써, 브레이징의 신뢰성의 저하를 더 억제할 수 있고, 또 상기의 평균결정입경을 더 확실하게 500㎛ 이상으로 할 수 있다.By setting the concentration of oxygen (O) to, for example, 0.001 mass% or less, it is possible to solve these problems, suppress the deterioration of the activity of the filler, and suppress the deterioration of the reliability of the brazing. In addition, recrystallization and crystal growth can be sufficiently generated in the oxygen-free copper plate by a predetermined heat treatment, and the above average crystal grain size can surely be made 500 mu m or more. By reducing the concentration of oxygen (O) to 0.0005 mass% or less, the reliability of the brazing can be further suppressed, and the average crystal grain size can be more securely set to 500 탆 or more.
상기한 바와 같이 무산소 동판은 평판 모양으로 형성되어 있다. 무산소 동판은, 두께가 예를 들면 100㎛ 이상, 바람직하게는 100㎛ 이상 1㎜ 이하가 되도록 형성되어 있다.As described above, the oxygen-free copper plate is formed in a flat plate shape. The oxygen-free copper plate is formed to have a thickness of, for example, 100 占 퐉 or more, preferably 100 占 퐉 or more and 1 mm or less.
무산소 동판이 예를 들면 상기의 세라믹 배선기판에 사용되는 경우에, 무산소 동판의 두께가 100㎛ 미만이면, 방열성이 낮아 세라믹 배선기판에 사용할 수 없는 경우가 있다. 무산소 동판의 두께를 100㎛ 이상으로 함으로써, 충분한 방열성을 얻을 수 있다. 무산소 동판의 두께가 두꺼워질수록 높은 방열성이 얻어진다. 그러나 상기 세라믹 기판의 두께에 대하여 무산소 동판의 두께가 지나치게 두꺼운 경우, 세라믹의 선팽창계수와 무산소 동의 선팽창계수의 차이에 따른 열팽창 차에 의하여 세라믹 기판의 균열이나 세라믹 기판과 무산소 동판과의 계면에서의 박리가 생겨 버리는 경우가 있다. 무산소 동판의 두께를 1㎜ 이하로 함으로써, 이를 해결할 수 있어 상기의 열팽창 차에 의한 상기의 균열이나 상기의 박리를 억제할 수 있다.When the oxygen-free copper plate is used, for example, in the ceramic wiring board described above, if the thickness of the oxygen-free copper plate is less than 100 탆, heat dissipation is low and the ceramic wiring board can not be used. When the thickness of the oxygen-free copper plate is 100 mu m or more, sufficient heat radiation performance can be obtained. The thicker the oxygen-free copper plate, the higher the heat dissipation is obtained. However, when the thickness of the oxygen-free copper plate is excessively thick with respect to the thickness of the ceramic substrate, cracks in the ceramic substrate or separation at the interface between the ceramic substrate and the oxygen-free copper plate due to the difference in thermal expansion depending on the difference between the coefficient of linear expansion and the coefficient of linear expansion May occur. By setting the thickness of the oxygen-free copper plate to 1 mm or less, this can be solved, and the above cracking due to the difference in thermal expansion and the above peeling can be suppressed.
(3) 무산소 동판 및 세라믹 배선기판의 제조방법(3) Manufacturing method of anaerobic copper plate and ceramic wiring board
다음에, 본 실시형태에 관한 무산소 동판 및 무산소 동판을 사용한 세라믹 배선기판의 제조방법에 대하여 도2를 참조하면서 설명한다. 도2는, 본 실시형태에 관한 무산소 동판 및 세라믹 배선기판의 제조공정을 나타내는 플로차트이다.Next, a method of manufacturing a ceramic wiring board using an oxygen-free copper plate and an oxygen-free copper plate according to the present embodiment will be described with reference to Fig. 2 is a flow chart showing a manufacturing process of an oxygen-free copper board and a ceramic wiring board according to the present embodiment.
［무산소 동판 형성공정(S10)］[Process for forming oxygen-free copper plate (S10)]
도2에 나타내는 바와 같이 주조공정과 압연공정(열간압연공정, 냉간압연공정)을 하여 무산소 동판을 형성한다.As shown in Fig. 2, a casting step and a rolling step (hot rolling step, cold rolling step) are performed to form an oxygen-free copper plate.
(주조공정(S11))(Casting step S11)
먼저, 모재(母材)인 순도 99.99％의 전기 동(電氣 銅)을 예를 들면 고주파 용해로(高周波 溶解爐) 등을 사용하여 용해하여, 구리의 용탕(鎔湯)을 생성한다. 이어서 용탕의 탕면(湯面)을 목탄으로 피복하고, 목탄의 카본(C)과 용탕 중의 산소(O)를 반응시켜, 용탕 중의 산소(O)를 CO 가스로 하여 용탕 중에서 제거한다. 그리고 이 구리의 용탕을 주형(鑄型)에 부어 냉각시켜, 소정 형상의 주괴(鑄塊)를 주조(용제(溶製))한다.First, an electro-copper having a purity of 99.99% as a base material is melted using, for example, a high-frequency melting furnace or the like to produce molten copper. Subsequently, the molten metal surface is coated with charcoal, carbon (C) of charcoal is reacted with oxygen (O) in the molten metal, and oxygen (O) in the molten metal is removed as CO gas in the molten metal. Then, the molten copper is poured into a mold to cool the ingot, and a cast ingot of a predetermined shape is cast (melted).
(열간압연공정(S12))(Hot rolling step (S12))
주괴를 고온(예를 들면 750℃ 이상 950℃ 이하)으로 유지한 상태에서, 주괴에 대하여 열간압연처리를 하여, 소정의 두께(예를 들면 12㎜)의 열간압연재를 형성한다.The ingot is hot-rolled to a hot rolled material having a predetermined thickness (for example, 12 mm) while the ingot is maintained at a high temperature (for example, 750 ° C. or more and 950 ° C. or less).
(냉간압연공정(S13))(Cold rolling step (S13))
열간압연공정(S12)이 종료한 후에, 열간압연재에 대하여 소정의 냉간압연처리를 복수 회 하고, 소정의 두께(예를 들면 100㎛ 이상)의 평판 모양의 무산소 동판을 형성한다.After completion of the hot rolling step (S12), the hot rolled sheet is subjected to a predetermined cold rolling treatment several times to form a plate-like oxygen-free copper plate having a predetermined thickness (for example, 100 占 퐉 or more).
냉간압연공정(S13)에서는, 피압연재(被壓延材)에 재결정 등이 발생하지 않도록 냉간압연처리를 한다. 구체적으로는, 1회의 가공도(r)가 40％ 이하인 냉간압연처리(압연 패스)를 총가공도(R)가 90％ 이상이 되도록 복수 회 한다.In the cold rolling step (S13), the cold rolled steel sheet is subjected to cold rolling so as to prevent recrystallization or the like from occurring on the rolled steel sheet. More specifically, a plurality of cold rolling processes (rolling passes) each having a machinability r of 40% or less are performed so that the total machinability R is 90% or more.
1회의 냉간압연처리(1회의 압연 패스)의 가공도(r)는, 하기의 (수학식1)로부터 구할 수 있다. 또한 (수학식1) 중에서, t0는 1회의 냉간압연처리 전의 피압연재의 두께이고, t는 1회의 냉간압연처리 후의 피압연재의 두께이다.The processing degree (r) of one cold rolling treatment (one rolling pass) can be obtained from the following equation (1). In Equation (1), t0 is the thickness of the rolled material before cold rolling once, and t is the thickness of the rolled material after one cold rolling.
(수학식1)(1)
가공도(r)(％)＝{(t0－t)/t0}×100(R) (%) = {(t0-t) / t0} x100
1회의 냉간압연처리의 가공도(r)를 40％ 이하로 함으로써, 냉간압연처리를 함에 따라 발생하는 가공열의 양을 저감시킬 수 있다. 따라서 복수 회의 냉간압연처리를 하여 무산소 동판을 형성하는 동안에, 가공열에 의하여 피압연재에 재결정 등이 발생하는 온도로 피압연재가 가열되는 것을 억제할 수 있다. 또한 형성된 무산소 동판 중에, 통상의 압연조직(압연처리를 함으로써 발생하는 결정조직)과는 다른 결정조직이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 예를 들면 무산소 동판 중에 전단대(剪斷帶)가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 전단대는 무산소 동판의 두께방향으로 비스듬히 횡단하는 결정조직으로, 결정면의 정렬을 저해하는 요인이 된다.By setting the degree of processing (r) of the cold rolling at one time to 40% or less, it is possible to reduce the amount of processing heat generated by cold rolling. Therefore, it is possible to suppress the heating of the rolled material to a temperature at which recrystallization or the like occurs in the pressurized steel material by the processing heat during the formation of the oxygen-free copper plate by performing the cold rolling processing a plurality of times. In addition, generation of a crystal structure different from a normal rolled structure (a crystal structure produced by rolling processing) can be suppressed from occurring in the formed oxygen-free copper plate. It is possible to suppress the occurrence of shear zones in the oxygen-free copper plates, for example. The shear stage is a crystal structure that slants diagonally across the thickness direction of the oxygen-free copper plate, which is a factor that hinders the alignment of the crystal planes.
총가공도(R)는, 하기의 (수학식2)로부터 구할 수 있다. 또한 (수학식2) 중에서, T0는 열간압연재의 두께이고, T는 소정 회수의 냉간압연처리를 한 후(냉간압연공정(S13)이 종료한 후)의 압연재(즉 무산소 동판)의 두께이다.The total processability R can be found from the following equation (2). In the formula (2), T0 is the thickness of the hot rolled material, T is the thickness of the rolled material (i.e., anoxic copper plate) after a predetermined number of times of cold rolling (after the cold rolling step (S13) to be.
(수학식2)(2)
총가공도(R)(％)＝{(T0－T)/T0}×100Total processing degree (R) (%) = {(T0-T) / T0} x100
총가공도(R)를 높게 함으로써, 무산소 동판에 유입되는 스트레인양(strain量)을 많게 할 수 있다. 이에 따라 후술하는 세라믹 배선기판 형성공정(S20)에서 소정의 열처리(가열처리)를 함으로써, 무산소 동판 표면의 (211)면의 배향성을 높일 수 있다. 구체적으로는, 총가공도(R)를 90％ 이상으로 함으로써, 소정의 열처리를 한 후의 무산소 동판에 있어서의 표면의 (211)면의 배향성을 80％ 이상으로 할 수 있다.By increasing the total processing degree (R), the amount of strain introduced into the oxygen-free copper plate can be increased. Accordingly, the orientation of the (211) plane of the oxygen-free copper plate surface can be enhanced by performing a predetermined heat treatment (heat treatment) in the ceramic wiring board formation step (S20) described later. Specifically, by setting the total processing degree (R) to 90% or more, the orientation of the (211) surface of the oxygen-free copper plate after the predetermined heat treatment can be 80% or more.
또한 냉간압연공정(S13)에서는, 소둔처리(소둔 열처리)를 하지 않고 냉간압연처리를 복수 회 연속하여 하는 것이 바람직하다. 즉 종래의 무산소 동판을 제조하기 위한 냉간압연공정에서는 압연에 의하여 저하되는 가공성을 회복하기 위하여 소둔처리를 하지만, 본 실시형태에 관한 냉간압연공정에서는 소둔처리를 일체 하지 않고 피압연재(형성되는 무산소 동판)에 스트레인을 축적시키는 것이 바람직하다. 이에 따라 소정의 열처리를 한 후의 무산소 동판에 있어서의 표면의 (211)면의 배향성을 더 높일 수 있다.Further, in the cold rolling step (S13), the cold rolling treatment is preferably carried out a plurality of times without annealing treatment (annealing heat treatment). That is, in the cold rolling step for producing a conventional oxygen-free copper plate, the annealing treatment is performed in order to recover the workability degraded by the rolling. In the cold rolling step according to the present embodiment, however, ). ≪ / RTI > As a result, the orientation of the (211) surface of the oxygen-free copper plate after the predetermined heat treatment can be further enhanced.
［세라믹 배선기판 형성공정(S20)］(Ceramic wiring board formation step (S20))
이어서, 상기의 무산소 동판을 사용하여 세라믹 배선기판을 형성한다. 예를 들면 상기의 무산소 동판과, AlN을 주성분으로 하는 세라믹 소결체로 형성되는 세라믹 기판의 어느 한 주면을, 용가재를 사이에 두고 접합하여 세라믹 배선기판을 형성한다.Next, a ceramic wiring board is formed using the oxygen-free copper plate. For example, a ceramic wiring board is formed by joining together any major surfaces of an oxygen-free copper plate and a ceramic substrate formed of a ceramic sintered body mainly composed of AlN, with a filler interposed therebetween.
구체적으로는, 먼저 세라믹 기판 표면의 청정화 처리를 한다. 예를 들면 세라믹 기판을 소정의 온도(예를 들면 800℃∼1080℃)로 가열하여, 세라믹 기판의 표면에 부착되어 있는 유기물이나 잔류탄소를 제거한다. 그리고 예를 들면 스크린 인쇄법에 의하여, 세라믹 기판의 어느 한 주면 상에 페이스트상(paste狀)의 용가재를 도포한다.More specifically, first, the surface of the ceramic substrate is cleaned. For example, the ceramic substrate is heated to a predetermined temperature (for example, 800 DEG C to 1080 DEG C) to remove organic substances and residual carbon adhering to the surface of the ceramic substrate. For example, a paste-like filler is applied on one principal surface of the ceramic substrate by a screen printing method.
다음에 용가재 상에 무산소 동판을 배치한다. 그 후에 소정의 온도(예를 들면 800℃ 이상 1080℃ 이하)로 소정의 시간(예를 들면 5분 이상) 동안, 무산소 동판, 세라믹 기판 및 용가재의 적층체를 가열하고, 무산소 동판과 세라믹 기판을 접합시켜 세라믹 배선기판을 형성한다. 무산소 동판과 세라믹 기판을 접합시킬 때의 가열은, 진공 중 또는 환원가스 분위기 중 또는 불활성가스 분위기 중에서 하면 좋다.Next, an oxygen free copper plate is placed on the filler material. Thereafter, the laminate of the oxygen free copper plate, the ceramic substrate, and the filler material is heated at a predetermined temperature (for example, 800 ° C or more and 1080 ° C or less) for a predetermined time (for example, 5 minutes or more), and the oxygen free copper plate and the ceramic substrate And a ceramic wiring board is formed. Heating at the time of joining the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate may be performed in vacuum, in a reducing gas atmosphere, or in an inert gas atmosphere.
무산소 동판과 세라믹 기판을 접합시킬 때의 가열에 의하여 무산소 동판이 가열됨으로써, 무산소 동판에 재결정이나 결정성장이 발생한다. 이에 따라 무산소 동판의 압연면(즉 세라믹 기판의 주면방향에서 본 무산소 동판)의 평균결정입경이 500㎛ 이상이 되고, 또한 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 비율(면적율, 즉 상기의 (B/A)×100)이 80％ 이상(즉 무산소 동판에 있어서의 표면의 (211)면의 배향성이 80％ 이상)이 된다. 그리고 이와 같은 무산소 동판은 배선재로서 사용된다.Oxygen free copper plate is heated by heating when joining the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate, whereby recrystallization or crystal growth occurs in the oxygen-free copper plate. Thus, the average crystal grain size of the rolled surface of the oxygen-free copper plate (that is, the anaerobic copper plate seen from the main surface direction of the ceramic substrate) becomes 500 탆 or more and the ratio of the (211) plane existing on the surface of the oxygen- (B / A) x 100) is 80% or more (that is, the orientation of the (211) surface of the oxygen-free copper plate is 80% or more). Such oxygen-free copper plates are used as wiring materials.
또한 무산소 동판과 세라믹 기판을 접합시킬 때의 열처리 온도(이하, 접합온도라고도 한다)가 800℃ 미만이면, 이 열처리에 의하여 무산소 동판 중에 발생하는 재결정이나 결정성장이 불충분한 경우가 있다. 따라서 열처리를 한 후의 무산소 동판에 있어서의 표면의 평균결정입경이 500㎛ 미만이 되는 경우가 있다. 접합온도를 800℃ 이상으로 함으로써 이 문제를 해결할 수 있고, 열처리를 한 후의 무산소 동판에 있어서의 표면의 평균결정입경을 확실하게 500㎛ 이상으로 할 수 있다. 그러나 접합온도가 1080℃를 넘으면 무산소 동판이 용융되는 경우가 있다. 접합온도를 1080℃ 이하로 함으로써 이 문제를 해결할 수 있고, 무산소 동판이 용융되지 않고 무산소 동판 중에 재결정 등을 충분히 발생시킬 수 있다.If the heat treatment temperature (hereinafter also referred to as a bonding temperature) at the time of bonding the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate is less than 800 ° C, recrystallization and crystal growth occurring in the oxygen-free copper plate may be insufficient due to this heat treatment. Therefore, the average grain size of the surface of the oxygen-free copper plate after the heat treatment may be less than 500 占 퐉. This problem can be solved by setting the bonding temperature to 800 DEG C or higher, and the average crystal grain size of the surface of the oxygen-free copper plate after the heat treatment can be securely made 500 mu m or more. However, when the bonding temperature exceeds 1080 ° C, the oxygen-free copper plate may be melted. This problem can be solved by setting the joining temperature to 1080 占 폚 or lower, and it is possible to sufficiently generate recrystallization or the like in the oxygen-free copper plate without melting the oxygen free copper plate.
(4) 본 실시형태에 관한 효과(4) Effect of the present embodiment
본 실시형태에 의하면, 이하에 나타내는 하나 또는 복수의 효과를 얻을 수 있다.According to the present embodiment, one or a plurality of effects described below can be obtained.
(a) 본 실시형태에 관한 무산소 동판은, 소정의 열처리(예를 들면 세라믹 배선기판을 형성할 때의 세라믹 기판과 무산소 동판을 접합시키기 위한 열처리, 구체적으로는 800℃ 이상 1080℃ 이하의 조건하에서 5분 이상 가열하는 열처리)를 한 후에, 표면(압연면)의 평균결정입경이 500㎛ 이상이 되고, 또한 무산소 동판 표면의 면적(A)에 대한 무산소 동판의 표면에 존재하는 상기 (211)면의 합계면적(B)의 비율((B/A)×100)이 80％ 이상이 되도록 형성되어 있다.(a) The oxygen-free copper plate according to the present embodiment is subjected to a predetermined heat treatment (for example, heat treatment for bonding a ceramic substrate and an oxygen-free copper plate at the time of forming a ceramic wiring substrate, specifically, (211) plane existing on the surface of the oxygen-free copper plate with respect to the area (A) of the surface of the oxygen-free copper plate becomes 500 占 퐉 or more after the surface (rolling surface) (B / A) x 100) of the total area (B) of the non-woven fabric is 80% or more.
이에 따라, 예를 들면 무산소 동판을 사용하여 형성한 세라믹 배선기판에 있어서, 세라믹 배선기판에 탑재한 반도체소자 등을 구동시켰을 때에 세라믹 기판과 무산소 동판과의 계면에 발생하는 상기 응력을 완화시킬 수 있다. 따라서 세라믹 기판의 균열이나 세라믹 기판과 무산소 동판과의 계면에서의 박리의 발생을 억제할 수 있다. 그 결과, 세라믹 배선기판의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, when a semiconductor device or the like mounted on a ceramic wiring board is driven, for example, in a ceramic wiring board formed using an oxygen-free copper plate, the stress generated at the interface between the ceramic substrate and the oxygen- . Therefore, it is possible to suppress the occurrence of cracking of the ceramic substrate and peeling at the interface between the ceramic substrate and the oxygen-free copper plate. As a result, the reliability of the ceramic wiring board can be improved.
구체적으로는, 소정의 열처리 후의 무산소 동판 표면의 평균결정입경이 500㎛ 이상이 됨으로써, 소정의 열처리 후의 무산소 동판 중의 결정립계를 저감시킬 수 있다. 이에 따라 이 무산소 동판을 사용하여 형성한 세라믹 배선기판을 사용할 때(예를 들면 세라믹 배선기판에 탑재한 반도체소자 등을 구동할 때)에 무산소 동판 내에 발생한 상기 전위를 용이하게 이동시킬 수 있어, 세라믹 기판과 무산소 동판과의 계면에 발생한 응력을 완화시킬 수 있다.Specifically, the average grain size of the surface of the oxygen-free copper plate after the predetermined heat treatment is 500 占 퐉 or more, whereby the grain boundaries in the oxygen-free copper plate after the predetermined heat treatment can be reduced. Accordingly, when the ceramic wiring board formed by using the anaerobic copper plate is used (for example, when driving a semiconductor element mounted on a ceramic wiring board or the like), the potential generated in the oxygen-free copper plate can be easily moved, Stress generated at the interface between the substrate and the oxygen-free copper plate can be relaxed.
또한 소정의 열처리 후의 무산소 동판의 표면이 전위가 이동하기 쉬운 상기 (211)면으로 대부분 배향됨으로써, 즉 소정의 열처리 후의 무산소 동판 표면의 면적(A)에 대한 상기 (211)면의 합계면적(B)의 비율((B/A)×100)이 80％ 이상이 됨으로써, 이 무산소 동판을 사용하여 형성한 세라믹 배선기판을 사용할 때에 상기 전위를 충분히 이동시켜, 상기 응력을 충분히 완화시킬 수 있다.The surface of the oxygen-free copper plate after the predetermined heat treatment is mostly oriented to the (211) plane where the dislocations are easy to move, that is, the total area of the (211) plane with respect to the area A of the oxygen- ) (B / A) x 100) is 80% or more, the potential can be sufficiently moved when the ceramic wiring board formed using the oxygen-free copper plate is used, and the stress can be sufficiently relaxed.
(b) 본 실시형태에 관한 무산소 동판은, 대전류용 반도체소자(예를 들면 대전류 스위칭용 반도체소자)가 탑재되는 세라믹 배선기판에 사용되는 경우에 특히 유효하다. 대전류 스위칭용 반도체소자에는 다른 반도체소자보다도 큰 전류가 흐르기(통전되기) 때문에, 대전류용 반도체소자가 탑재된 세라믹 배선기판은 고온이 되기 더 쉽다. 이 때문에 이 세라믹 배선기판에서는, 승온(昇溫)과 강온(降溫)을 반복함으로써 세라믹 배선기판(세라믹 기판과 무산소 동판과의 계면)에 발생하는 응력이 더 커지게 된다. 본 실시형태에 관한 무산소 동판을 사용하여 형성한 세라믹 배선기판은, 이와 같이 큰 응력이 발생한 경우에 있어서도 세라믹 기판의 균열이나 세라믹 기판과 무산소 동판과의 계면에서의 박리의 발생을 억제할 수 있어, 세라믹 배선기판의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.(b) The oxygen-free copper plate according to the present embodiment is particularly effective when used in a ceramic wiring board on which a large current semiconductor element (for example, a large current switching semiconductor element) is mounted. Since a larger current flows (energized) in the semiconductor device for high current switching than in other semiconductor devices, the ceramic wiring substrate on which the semiconductor device for high current is mounted is likely to become hot. Therefore, in this ceramic wiring board, the stress generated in the ceramic wiring substrate (the interface between the ceramic substrate and the oxygen-free copper plate) is increased by repeating the temperature increase and the temperature decrease. The ceramic wiring board formed using the oxygen-free copper plate according to the present embodiment can suppress the occurrence of cracking of the ceramic substrate and peeling at the interface between the ceramic substrate and the oxygen-free copper plate even when such a large stress occurs, The reliability of the ceramic wiring board can be improved.
(c) 냉간압연공정(S13)에서 하는 1회의 냉간압연처리의 가공도(r)를 40％ 이하로 함으로써, 냉간압연처리를 함에 따라 발생하는 가공열을 저감시킬 수 있다. 즉 피압연재가, 가공열에 의하여 재결정 등이 발생하는 온도로 가열되는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라 무산소 동판 표면의 결정면((211)면)의 배향성을 높일 수 있다. 즉 소정의 열처리 후(예를 들면 세라믹 배선기판을 형성할 때의 열처리 후)에, 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 비율(상기 (B/A)×100)을 80％ 이상으로 할 수 있다. 따라서 상기 (a), (b)의 효과를 더 확실하게 얻을 수 있다.(c) By setting the degree of processing (r) of one cold rolling process in the cold rolling step (S13) to 40% or less, it is possible to reduce the processing heat generated by cold rolling. That is, it can be suppressed that the rolled material is heated to a temperature at which recrystallization occurs due to processing heat. Accordingly, the orientation of the crystal plane ((211) plane) of the oxygen-free copper plate surface can be enhanced. (B / A) x 100) of the (211) plane existing on the surface of the oxygen-free copper plate is 80% or more after the predetermined heat treatment (for example, after the heat treatment for forming the ceramic wiring board) can do. Therefore, the effects of (a) and (b) can be obtained more reliably.
(d) 냉간압연공정(S13)에서 하는 1회의 냉간압연처리의 가공도(r)를 40％ 이하로 함으로써, 무산소 동판 중에 결정면의 정렬을 저해하는 전단대가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라 무산소 동판 표면의 결정면((211)면)의 배향성을 더 높일 수 있다. 즉 소정의 열처리 후의 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 면적율을 더 확실하게 80％ 이상으로 할 수 있다. 따라서 상기 (a), (b)의 효과를 더 확실하게 얻을 수 있다.(d) By setting the degree of processing (r) of one cold rolling process in the cold rolling step (S13) to 40% or less, it is possible to suppress occurrence of a shearing stage that inhibits the alignment of the crystal planes in the oxygen-free copper plate. Accordingly, the orientation of the crystal plane ((211) plane) of the oxygen-free copper plate surface can be further enhanced. That is, the area ratio of the (211) face present on the surface of the oxygen-free copper plate after a predetermined heat treatment can be more reliably made 80% or more. Therefore, the effects of (a) and (b) can be obtained more reliably.
(e) 무산소 동판을 순도가 99.96질량％ 이상인 구리를 사용하여 형성함으로써, 압연면의 평균결정입경을 500㎛ 이상으로 하기 쉬워진다. 또한 무산소 동 중의 산소농도를 0.001질량％ 이하로 함으로써, 상기 브레이징의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 또 상기 평균결정입경을 더 확실하게 500㎛ 이상으로 할 수 있다.(e) An oxygen-free copper plate is formed by using copper having a purity of 99.96 mass% or more, whereby the average crystal grain size of the rolled surface is easily made 500 탆 or more. Further, by setting the oxygen concentration in the oxygen-free copper to 0.001 mass% or less, the reliability of the brazing can be improved, and the average crystal grain size can be more securely set to 500 탆 or more.
(f) 무산소 동판의 두께를 100㎛ 이상으로 함으로써, 무산소 동판에 대전류를 흐르게 할 수 있다. 즉 세라믹 배선기판에 대전류용 반도체소자를 탑재할 수 있다.(f) By making the thickness of the oxygen-free copper plate 100 mu m or more, a large current can flow through the oxygen-free copper plate. That is, a large current semiconductor device can be mounted on the ceramic wiring board.
(본 발명의 다른 실시형태)(Another embodiment of the present invention)
이상에서 본 발명의 1실시형태를 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 적당하게 변경할 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.
무산소 동판에는, 열전도율을 크게 손상시키지 않는 범위에서 Ag, Sn, Mg, Fe, Zr, Ti, Mn, P, Zn 등의 불순물이 포함되어 있어도 좋고, 허용 가능한 불순물의 합계 함유량은 0.04질량％ 미만이다.The oxygen-free copper plate may contain impurities such as Ag, Sn, Mg, Fe, Zr, Ti, Mn, P, and Zn within a range that does not significantly impair the thermal conductivity and the total content of permissible impurities is less than 0.04 mass% .
상기 실시형태에서는, 세라믹 배선기판 형성공정(S20)에 있어서, 무산소 동판과 세라믹 기판을 접합시킬 때의 가열에 의하여, 무산소 동판에 재결정 등을 발생시켜 무산소 동판 표면의 결정입경을 500㎛ 이상으로 하고, 또한 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 비율((B/A)×100)을 80％ 이상으로 하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 냉간압연공정(S13)이 종료한 후에, 무산소 동판을 소정의 온도로 소정의 시간 동안 가열하여 무산소 동판을 재결정시켜도 좋다.In the above embodiment, recrystallization or the like is generated in the oxygen-free copper plate by heating at the time of bonding the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate in the ceramic wiring board formation step (S20) so that the grain size of the oxygen- (B / A) x 100) of the (211) face present on the surface of the oxygen-free copper plate is 80% or more, but the present invention is not limited thereto. For example, after the cold rolling step (S13) is completed, the oxygen-free copper plate may be heated to a predetermined temperature for a predetermined time to recrystallize the oxygen-free copper plate.
상기 실시형태에서는 냉간압연공정(S13)에서 피압연재의 가공성을 회복시키는 소둔처리를 하지 않았지만, 스트레인을 충분히 축적시킬 수 있으면 냉간압연공정(S13) 중에 소둔처리를 하여도 좋다. 또한 소둔처리를 하는 경우에는, 소둔처리(최후의 가열처리)를 한 후의 피압연재의 두께로부터 압연재의 두께까지의 총가공도를 예를 들면 90％ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 즉 90％ 이상의 총가공도만큼의 스트레인을 압연재에 가하는 것이 바람직하다.In the above-described embodiment, the annealing treatment for restoring the workability of the press-welded member in the cold rolling step (S13) is not performed, but annealing may be performed during the cold rolling step (S13) if sufficient strain can be accumulated. Further, in the case of performing the annealing treatment, it is preferable that the total working degree from the thickness of the rolled material after the annealing treatment (the last heating treatment) to the thickness of the rolled material is 90% or more, for example. That is, it is preferable to apply a strain as much as 90% or more of the total processing degree to the rolled material.
상기 실시형태에서는 세라믹 배선기판 형성공정(S20)에서 청정화 처리를 하였지만, 이에 한정되지 않는다. 즉 청정화 처리는 필요에 따라 하면 좋고, 청정화 처리는 하지 않아도 좋다.In the above embodiment, the cleaning process is performed in the ceramic wiring board formation process (S20), but the present invention is not limited to this. That is, the purification process may be performed as needed, and the purification process may not be performed.
상기 실시형태에서는, 용가재를 사이에 두고 무산소 동판과 세라믹 기판을 접합시켜 세라믹 배선기판을 형성하였지만, 이에 한정되지 않는다. 즉 무산소 동판과 세라믹 기판을, 용가재를 사이에 두지 않고 접합시켜도 좋다. 예를 들면 무산소 동판과 세라믹 기판을 직접 접합시켜도 좋다.In the above embodiment, the ceramic wiring board is formed by joining the oxygen free copper plate and the ceramic substrate with the filler interposed therebetween, but the present invention is not limited to this. That is, the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate may be joined without putting the filler material therebetween. For example, the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate may be directly bonded.
(실시예)(Example)
다음에 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited thereto.
〈시료의 제작〉<Preparation of sample>
먼저 각 시료(시료(1)∼(13))가 되는, 세라믹 기판과 무산소 동판을 구비하는 세라믹 배선기판(무산소 동판 부착 세라믹 배선기판)을 제작하였다.First, a ceramic wiring board (ceramic wiring board with oxygen-free copper plate) having ceramic substrates and oxygen-free copper plates to be the respective samples (samples (1) to (13)) was produced.
(시료(1))(Sample (1))
시료(1)에서는, 모재로서 순도가 99.990질량％(99.990wt％)인 구리(전기 동)를 사용하였다. 그리고 카본 도가니(흑연 도가니)를 구비하는 고주파 용해로를 사용하고, 불활성가스(N2 가스) 분위기 중에서 모재를 소정의 온도로 가열하여 용해하고, 구리의 용탕을 제작하였다. 그리고 용탕의 표면(용탕의 탕면)을 목탄으로 피복하고, 목탄의 탄소(C)와 용탕 중의 산소(O)를 반응시켜 CO 가스를 발생시킴으로써, 용탕 중에서 산소(O)를 제거하여 무산소 동의 용탕을 제작하였다. 이어서 이 용탕을 주형에 부어 냉각하고, 소정 형상의 무산소 동의 주괴(잉곳(ingot))를 주조하였다.In the sample (1), copper (electric copper) having a purity of 99.990 mass% (99.990 wt%) was used as a base material. Then, using a high-frequency melting furnace equipped with a carbon crucible (graphite crucible), the base material was melted by heating at a predetermined temperature in an inert gas (N 2 gas) atmosphere to prepare a molten copper. The surface of the molten metal (the surface of the molten metal) is coated with charcoal, and carbon (C) of the charcoal is reacted with oxygen (O) in the molten metal to generate CO gas, thereby removing oxygen (O) Respectively. Subsequently, this molten metal was poured into a mold to cool it, and an oxygen-free copper ingot (ingot) having a predetermined shape was cast.
얻어진 주괴(무산소 동)에 있어서의 불순물의 분석을 플라스마 발광분광법(ICP-AES)에 의하여 한 결과, 무산소 동(구리)의 순도는 99.99질량％(99.99wt％)였다. 또한 무산소 동 중의 산소분석(산소농도의 측정)을, 흑연 도가니 내에서 구리를 용해하였을 때에 발생한 CO를 적외선 흡수법으로 측정하는 방법으로 한 결과, 무산소 동 중의 산소농도는 0.0002질량％(0.0002wt％)였다.Analysis of impurities in the obtained ingot (oxygen free copper) was performed by plasma emission spectroscopy (ICP-AES), and the purity of oxygen free copper (copper) was 99.99 mass% (99.99 wt%). In addition, oxygen analysis (measurement of oxygen concentration) in oxygen free copper was performed by measuring the CO generated by dissolving copper in the graphite crucible by the infrared absorption method. As a result, the oxygen concentration in oxygen free copper was 0.0002 mass% (0.0002 wt% ).
다음에 잉곳에 대하여 열간압연처리를 하여 12㎜의 열간압연재를 형성하였다. 그리고 열간압연재에 대하여, 1회의 가공도(r)가 40％ 이하인 냉간압연처리(압연 패스)를 소둔처리를 하지 않고 총가공도(R)가 90％ 이상이 되도록 소정의 횟수(복수 회) 연속하여 하는 냉간압연공정을 실시하여, 두께가 1.0㎜인 무산소 동판을 제작하였다. 또한 이때의 총가공도(R)는 91.7％가 되었다.Next, the ingot was hot-rolled to form a hot rolled material of 12 mm. The hot rolled sheet is subjected to a predetermined number of times (a plurality of times) so that the total processed degree (R) becomes 90% or more without performing the annealing treatment for the cold rolling treatment (rolling pass) Continuous cold rolling was carried out to produce an oxygen-free copper plate having a thickness of 1.0 mm. The total processing degree (R) at this time was 91.7%.
계속하여, 세라믹 기판으로서 AlN을 주성분으로 하고 두께가 0.5㎜인 세라믹 소결체를 준비하였다. 그리고 세라믹 기판을 800℃ 이상 900℃ 이하의 조건으로 열처리하고, 세라믹 기판의 표면에 부착된 유기물이나 잔류탄소를 제거하는 전처리(청정화 처리)를 하였다.Subsequently, a ceramic sintered body having AlN as a main component and having a thickness of 0.5 mm was prepared as a ceramic substrate. Then, the ceramic substrate was heat-treated at a temperature of 800 ° C or higher and 900 ° C or lower to perform pretreatment (cleaning treatment) for removing organic substances and residual carbon adhering to the surface of the ceramic substrate.
그 후에 스크린 인쇄법에 의하여, 세라믹 기판의 어느 한 주면 상에 페이스트상의 용가재를 두께가 0.03㎜가 되도록 도포하였다. 용가재로서, Ag을 70질량％, Cu를 28질량％, Ti을 2질량％ 포함하는 용가재를 사용하였다.Thereafter, a paste-like filler was applied on one major surface of the ceramic substrate to a thickness of 0.03 mm by a screen printing method. As the filler, a filler containing Ag in an amount of 70% by mass, Cu in an amount of 28% by mass, and Ti in an amount of 2% by mass was used.
그리고 제작한 무산소 동판을 용가재 상에 배치한 후에, 진공 중에서, 무산소 동판을 배치한 세라믹 기판(무산소 동판, 세라믹 기판 및 용가재의 적층체)을 850℃의 조건하에서 5분 동안 가열하고, 용가재를 사이에 두고 무산소 동판과 세라믹 기판을 접합시켜(부착시켜) 세라믹 배선기판을 제작하였다. 이 세라믹 배선기판을 시료(1)로 하였다.Then, the produced anaerobic copper plate was placed on a fountain material, and then a ceramic substrate (laminated body of oxygen-free copper plate, ceramic substrate and filler material) on which oxygen free copper plates were arranged was heated in a vacuum for 5 minutes under the condition of 850 ° C, , An oxygen-free copper plate and a ceramic substrate were bonded (attached) to produce a ceramic wiring board. This ceramic wiring board was used as sample (1).
(시료(2)∼(13))(Samples (2) to (13))
각각의 시료(2)∼(13)에서는, 무산소 동에 사용한 구리의 순도, 무산소 동 중의 산소농도, 냉간압연처리의 총가공도(R)(열간압연 후의 총가공도(R)), 1회의 냉간압연처리(압연 패스)의 가공도(r), 접합온도를 하기의 표1에 나타내는 바와 같이 하였다. 또한 표1에 있어서 1회의 압연 패스의 가공도(r)는, 복수 회 실시한 압연 패스의 각 가공도 중에서 최대의 가공도를 나타내고 있다. 또한 접합온도는, 무산소 동판과 세라믹 기판을 접합시킬 때의 열처리 온도(가열온도)이다. 그 외에는, 시료(1)과 마찬가지로 하여 세라믹 배선기판을 제작하였다. 이들을 각각 시료(2)∼(13)으로 하였다.In each of the samples (2) to (13), the purity of copper used for anaerobic copper, the oxygen concentration in anaerobic copper, the total working degree (R) of cold rolling (total working degree after hot rolling) (R) of the cold rolling process (rolling pass), and the joining temperature were as shown in Table 1 below. In Table 1, the machining depth (r) of one rolling pass shows the maximum machining depth among the machining depths of the rolling passes performed a plurality of times. The bonding temperature is the heat treatment temperature (heating temperature) at the time of bonding the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate. Otherwise, a ceramic wiring board was produced in the same manner as in the sample (1). These were referred to as Samples (2) to (13), respectively.
〈평가결과〉<Evaluation results>
각 시료에 대하여, 무산소 동판 표면(압연면)의 평균결정입경, 무산소 동판 표면의 (211)면의 배향성, 무산소 동판과 세라믹 기판의 접합상태, 히트 사이클 테스트(heat cycle test)에서의 균열·박리평가를 평가하였다.The average grain size of the oxygen-free copper plate surface (the rolled surface), the orientation of the (211) surface of the oxygen-free copper plate surface, the bonding state of the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate and the cracking and peeling in the heat cycle test The evaluation was evaluated.
(평균결정입경의 평가)(Evaluation of average crystal grain size)
시료(1)∼(13)의 각 시료가 구비하는 무산소 동판(즉 소정의 열처리 후의 무산소 동판)의 압연면(표면)의 평균결정입경을 각각 측정하였다. 결정입경의 측정은, 무산소 동판의 압연면에 상당하는 면을 소정의 거칠기(roughness)가 될 때까지 연마한 후에, 과산화수소를 가한 암모니아수로 표면(연마한 면)을 에칭한다. 그리고 에칭한 면을 광학현미경으로 관찰하여 JIS H5010의 절단법으로 결정입경을 구하고, 얻어진 결정입경으로부터 평균결정입경을 구했다. 그 결과를 하기의 표1에 나타낸다.The average crystal grain sizes of the rolled surfaces (surfaces) of the oxygen-free copper plates (that is, the oxygen-free copper plates after the predetermined heat treatment) included in each of the samples (1) to (13) were measured. The crystal grain size is measured by polishing the surface corresponding to the rolled surface of the oxygen-free copper plate until a predetermined roughness is obtained, and then etching the surface (polished surface) with ammonia water added with hydrogen peroxide. Then, the etched surface was observed with an optical microscope, and the crystal grain size was determined by the cutting method of JIS H5010, and the average crystal grain size was determined from the obtained crystal grain size. The results are shown in Table 1 below.
((211)면의 배향성의 평가)(Evaluation of orientation of (211) plane)
시료(1)∼(13)의 각 시료가 구비하는 무산소 동판에 대하여, 무산소 동판 표면(세라믹 배선기판에 있어서 세라믹 기판과 대향하는 측과는 반대 측의 무산소 동판의 면)의 (211)면의 배향성에 대한 평가를 하였다. 구체적으로는, 무산소 동판의 표면에 존재하는 각 결정면의 결정방위를 SEM/EBSD법에 의하여 각각 측정하고, 결정방위 맵을 제작하였다. EBSD의 측정장치 및 해석 소프트는 가부시키가이샤 TSL 솔루션즈(TSL Solutions, K.K.) 제품의 것을 사용하였다. 이때에, (211)면의 결정방위로부터의 기울기가 15° 이내인 결정방위를 구비하는 결정면은 (211)면으로 간주하였다. 그리고 제작한 결정방위 맵으로부터, 무산소 동판 표면의 면적(A)에 대한 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 합계면적(B)의 비율((B/A)×100)을 산출하였다. 무산소 동판 표면에 있어서의 (211)면의 면적의 비율을 무산소 동판의 (211)면의 배향성으로 하여 하기의 표1에 나타낸다.The oxygen-free copper plate of each of the samples (1) to (13) was measured for the oxygen-free copper plate surface (the surface of the oxygen-free copper plate opposite to the side facing the ceramic substrate in the ceramic wiring board) And the orientation was evaluated. Specifically, the crystal orientation of each crystal plane existing on the surface of the oxygen-free copper plate was measured by the SEM / EBSD method to prepare a crystal orientation map. The measurement apparatus and analysis software of EBSD were those of TSL Solutions, K.K. At this time, the crystal plane having the crystal orientation whose inclination from the crystal orientation of the (211) plane was within 15 占 was regarded as the (211) plane. (B / A) x 100) of the total area (B) of the (211) planes present on the surface of the oxygen-free copper plate to the area (A) of the oxygen-free copper plate was calculated from the prepared crystal orientation map. The ratio of the area of the (211) plane on the surface of the oxygen-free copper plate is shown in the following Table 1 as the orientation of the (211) plane of the oxygen-free copper plate.
(접합상태의 평가)(Evaluation of bonding state)
시료(1)∼(13)의 각 시료에서 각각, 초음파현미경(가부시키가이샤 히타치 파워 솔루션즈(Hitachi Power Solutions Co., Ltd.) 제품 Fine SAT Ⅲ)을 사용하여 무산소 동판과 세라믹 기판과의 접합계면의 미접합율을 구하였다. 미접합율은, 접합계면의 면적에 대한 미접합 부분의 면적의 비율이다. 미접합율이 10％ 미만인 시료의 평가를 「○」로 하고, 미접합율이 10％ 이상인 시료의 평가를 「×」로 하였다. 그 결과를 하기의 표1에 나타낸다.Each of the samples (1) to (13) was subjected to ultrasonic inspection using an ultrasonic microscope (Fine SAT III manufactured by Hitachi Power Solutions Co., Ltd.) The unbonded ratio of the non-bonded portions was obtained. The unbonded ratio is the ratio of the area of the unbonded portion to the area of the bonded interface. Evaluation of a sample having an unbonded ratio of less than 10% was evaluated as "? &Quot;, and evaluation of a sample having an unbonded ratio of 10% or more was evaluated as " The results are shown in Table 1 below.
(균열·박리평가)(Evaluation of Cracking and Peeling)
시료(1)∼(13)의 각 시료를 각각, -65℃의 에탄올 및 드라이아이스를 혼합한 한제(寒劑)의 액욕(液浴)과, 150℃의 오일 배스(oil bath)의 액욕에 교대로 투입하였다. 구체적으로는, 한제의 액욕에 5분간 투입한 후에 오일 배스의 액욕에 5분간 투입하는 사이클을 1사이클로 하고, 이 사이클을 합계 500사이클 반복하였다. 그리고 각 시료가 구비하는 세라믹 기판에 균열(크랙)이 발생하지 않았는지 여부, 또한 무산소 동판이 세라믹 기판으로부터 박리되어 있는 장소가 없는지 여부를 확인하여, 균열·박리평가를 하였다. 세라믹 기판에 균열이 발생하지 않았고, 무산소 동판이 세라믹 기판으로부터 박리되어 있는 장소가 없는 시료의 평가를 「○」로 하고, 세라믹 기판에 균열이 발생하였거나, 무산소 동판이 세라믹 기판으로부터 박리되어 있는 장소가 있는 시료의 평가를 「×」로 하였다. 그 결과를 하기의 표1에 나타낸다.Each of the samples (1) to (13) was added to a syringe bath of a cold agent prepared by mixing ethanol and dry ice at -65 ° C and an oil bath of an oil bath at 150 ° C, Respectively. Concretely, a cycle of 5 minutes of feeding into a syringe bath for 5 minutes followed by feeding into an oil bath bath for 5 minutes was defined as one cycle, and this cycle was repeated for a total of 500 cycles. The cracks and delamination were evaluated by confirming whether cracks (cracks) were not generated in the ceramic substrates provided in each sample, and whether there was no place where the oxygen-free copper plates were peeled off from the ceramic substrate. The evaluation of the sample where there was no crack in the ceramic substrate and where there was no peeling of the oxygen free copper plate from the ceramic substrate was evaluated as " Good ", and a crack occurred in the ceramic substrate or a place where the anaerobic copper plate was peeled off from the ceramic substrate &Quot; x ". The results are shown in Table 1 below.
(종합평가)(Comprehensive evaluation)
시료(1)∼(13)의 각 시료의 종합평가를 하였다. 무산소 동판의 평균결정입경이 500㎛ 이상이고, 무산소 동판 표면의 (211)면의 배향성이 80％ 이상이고, 접합상태의 평가가 「○」이며, 균열·박리평가가 「○」인 시료의 종합평가를 「◎」로 하였다. 무산소 동판의 결정입경이 500㎛ 미만이거나, 무산소 동판의 (211)면의 배향성이 80％ 미만이거나, 접합상태의 평가가 「×」이거나, 균열·박리평가가 「×」인 시료의 종합평가를 「×」로 하였다. 평가결과를 하기의 표1에 나타낸다.A comprehensive evaluation of each of the samples (1) to (13) was carried out. , The evaluation of the bonding state was " O ", the evaluation of the bonding state was " O ", and the evaluation of the bonding state was " Evaluation was rated as "? &Quot;. Evaluation of the bonding state is " x ", or evaluation of the cracking and peeling is " x ", the evaluation of the bonding state is "Quot; x ". The evaluation results are shown in Table 1 below.
(표1)(Table 1)
시료(1)∼(8)로부터, 소정의 열처리 후(예를 들면 세라믹 기판을 형성할 때의 무산소 동판과 세라믹 기판을 접합시키는 열처리 후)의 무산소 동판 표면의 평균결정입경이 500㎛ 이상이고, 또한 소정의 열처리 후의 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 비율이 80％ 이상이면(즉 무산소 동판의 (211)면의 배향성이 80％ 이상이면), 세라믹 배선기판(무산소 동판)의 승온과 강온이 반복되는 경우에 있어서도, 세라믹 기판에 균열(크랙)이 생기거나 무산소 동판과 세라믹 기판과의 계면에서의 박리(즉 무산소 동판이 세라믹 기판으로부터 박리되는 것)가 없는 것을 확인하였다.From the samples (1) to (8), the average crystal grain size of the surface of the oxygen-free copper plate after a predetermined heat treatment (for example, after the heat treatment for bonding the oxygen free copper plate and the ceramic substrate at the time of forming the ceramic substrate) When the ratio of the (211) plane present on the surface of the oxygen-free copper plate after the predetermined heat treatment is 80% or more (that is, the orientation of the (211) plane of the oxygen- It was confirmed that there was no crack (crack) in the ceramic substrate or peeling (i.e., peeling of the oxygen-free copper plate from the ceramic substrate) at the interface between the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate.
시료(9)∼(13)로부터, 소정의 열처리 후의 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 비율이 80％ 미만이면, 세라믹 배선기판의 승온과 강온이 반복되는 경우에, 세라믹 기판에 균열이 생기거나 무산소 동판이 세라믹 기판으로부터 박리되어 버리는 것을 확인하였다.From the samples (9) to (13), when the ratio of the (211) plane present on the surface of the oxygen-free copper plate after the predetermined heat treatment is less than 80%, the ceramic substrate is cracked And that the copper oxide-free copper plate was peeled off from the ceramic substrate.
시료(1), (5)와 시료(9)의 비교로부터, 냉간압연처리의 총가공도(R)(열간압연 후의 총가공도(R))가 90％ 미만이면, 세라믹 기판과 접합시킨 후(소정의 열처리 후)의 무산소 동판의 표면에 존재하는 (211)면의 비율이 80％ 미만이 되는 것을 확인하였다.From the comparison between the samples (1) and (5) and the sample (9), if the total machining degree (R) of the cold rolling treatment (total machining degree (R) after hot rolling) is less than 90% (211) plane present on the surface of the oxygen-free copper plate (after a predetermined heat treatment) was less than 80%.
시료(1)∼(3)과 시료(10)의 비교로부터, 무산소 동판을 형성하는 구리의 순도가 99.96질량％ 미만이면, 소정의 열처리 중에 있어서 무산소 동판 중에 발생하는 재결정이나 결정의 성장이 불충분하여, 소정의 열처리 후의 무산소 동판 표면의 평균결정입경이 500㎛ 미만이 되는 것을 확인하였다.When the purity of the copper forming the oxygen-free copper plate is less than 99.96 mass% from the comparison of the samples (1) to (3) and the sample (10), the recrystallization and crystal growth which occur in the anaerobic copper plate during the predetermined heat treatment are insufficient , It was confirmed that the average crystal grain size of the surface of the oxygen-free copper plate after the predetermined heat treatment became less than 500 탆.
시료(4)와 시료(11)의 비교로부터, 구리(무산소 동) 중의 산소농도가 0.001질량％를 넘으면, 소정의 열처리에 의하여 무산소 동판 중에 발생하는 재결정이나 결정성장이 불충분하여, 소정의 열처리 후의 무산소 동판 표면의 평균결정입경이 500㎛ 미만이 되는 것을 확인하였다. 또한 무산소 동판과 세라믹 기판의 접합상태도 「×」가 되어, 브레이징의 신뢰성이 낮아지는 것도 확인하였다.When the oxygen concentration in copper (oxygen free copper) exceeds 0.001 mass% from the comparison between the specimen 4 and the specimen 11, recrystallization or crystal growth occurring in the oxygen-free copper plate by the predetermined heat treatment is insufficient, It was confirmed that the average crystal grain size of the surface of the oxygen-free copper plate was less than 500 mu m. The bonding state of the oxygen-free copper plate and the ceramic substrate also became " x ", confirming that the reliability of the brazing was lowered.
시료(6), (7)과 시료(12)의 비교로부터, 접합온도가 800℃ 미만이면, 열처리에 의하여 무산소 동판 중에 발생하는 재결정이나 결정성장이 불충분하여, 소정의 열처리 후의 무산소 동판 표면의 평균결정입경이 500㎛ 미만이 되는 것을 확인하였다.From the comparison between the samples 6 and 7 and the sample 12, it is understood that when the bonding temperature is less than 800 ° C., recrystallization and crystal growth occurring in the oxygen-free copper plate by the heat treatment are insufficient, It was confirmed that the crystal grain size was less than 500 mu m.
또한 시료(1), (8)과 시료(13)의 비교로부터, 냉간압연공정에 있어서 1회의 냉간압연처리(압연 패스)의 가공도(r)가 40％를 넘으면, 즉 복수 회 실시하는 냉간압연처리 중에서 1회의 가공도(r)가 40％를 넘는 냉간압연처리를 1회라도 실시하면, 소정의 열처리 후의 무산소 동판의 (211)면의 배향성이 80％ 미만이 되는 것을 확인하였다.The comparison of the samples (1) and (8) with the sample (13) shows that when the machining degree (r) of one cold rolling process (rolling pass) in the cold rolling process exceeds 40%, that is, It was confirmed that the orientation of the (211) face of the oxygen-free copper plate after the predetermined heat treatment became less than 80% when the cold rolling process with one processing degree (r) exceeding 40% was carried out once during the rolling processing.
〈바람직한 태양〉<Preferred embodiment>
이하에, 본 발명의 바람직한 태양에 대하여 부기한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described.
［부기1］[Appendix 1]
본 발명의 1태양에 의하면,According to one aspect of the present invention,
압연됨으로써 평판 모양으로 형성되는 무산소 동판으로서, 800℃ 이상 1080℃ 이하의 조건하에서 5분 이상 가열한 후에, 압연면에서 측정한 평균결정입경이 500㎛ 이상이 되고, 또한 상기 무산소 동판의 상기 압연면과 평행한 면 내에 존재하는 각 결정면의 결정방위를 각각 측정하고, (211)면의 결정방위로부터의 기울기가 15° 이내인 결정방위를 갖는 결정면을 상기 (211)면으로 간주하였을 때에, 상기 압연면의 면적에 대한 상기 압연면에 존재하는 상기 (211)면의 합계면적의 비율이 80％ 이상이 되는 무산소 동판이 제공된다.An oxygen-free copper plate which is rolled and formed into a plate-like shape, characterized in that an average crystal grain size measured at the rolled surface is 500 占 퐉 or more after being heated at 800 占 폚 or more and 1080 占 폚 or less for 5 minutes or longer, (211) plane is regarded as the (211) plane, and when a crystal plane having a crystal orientation whose inclination from the crystal orientation of the (211) plane is within 15 degrees is regarded as the (211) plane, Wherein the ratio of the total area of the (211) face present on the rolled face to the area of the face is 80% or more.
［부기2］[Note 2]
본 발명의 다른 태양에 의하면,According to another aspect of the present invention,
무산소 동으로 이루어지는 주괴에 대하여 압연가공이 이루어짐으로써 평판 모양으로 형성되어 있고, 세라믹 기판 상에 설치된 후에 열처리가 이루어져 배선재가 되는 무산소 동판으로서,An oxygen-free copper plate which is formed in a flat plate shape by rolling an ingot made of oxygen-free copper and is heat-treated after being placed on a ceramic substrate to become a wiring material,
800℃ 이상 1080℃ 이하의 조건하에서 5분 이상 가열하는 열처리를 한 후에, 압연면의 평균결정입경이 500㎛ 이상이 됨과 아울러, 상기 압연면에 존재하는 결정립이 갖는 결정면 중에서 (211)면의 결정방위로부터의 기울기가 15° 이내인 결정방위를 갖는 결정면을 상기 (211)면으로 간주하였을 때에, 상기 압연면의 면적에 대한 상기 (211)면의 합계면적의 비율이 80％ 이상이 되는 무산소 동판이 제공된다.The average crystal grain size of the rolled surface is 500 占 퐉 or more after the heat treatment is performed at a temperature of 800 占 폚 or more and 1080 占 폚 or less for 5 minutes or more and a crystal of the (211) plane among the crystal planes of the crystal grains existing on the rolled surface Wherein the ratio of the total area of the (211) face to the area of the rolled face is 80% or more when the crystal face having a crystal orientation whose inclination from the orientation is within 15 占 is regarded as the (211) face, / RTI >
［부기3］[Note 3]
부기1 또는 2의 무산소 동판으로서, 바람직하게는,As the oxygen-free copper plate of App. 1 or 2,
순도가 99.96질량％ 이상인 구리를 사용하고, 산소의 농도가 0.001질량％ 이하이고, 잔부가 불가피적 불순물로 이루어지는 무산소 동으로 형성되어 있다. 예를 들면 무산소 동판은, 순도가 99.96질량％ 이상이고, 산소의 농도가 0.001질량％ 이하이며, 잔부가 불가피적 불순물로 이루어지는 무산소 동에 대하여 압연가공이 이루어짐으로써 형성된다.Copper having a purity of 99.96 mass% or more is used, and the oxygen concentration is 0.001 mass% or less and the remainder is formed of oxygen-free copper which is inevitable impurities. For example, the oxygen-free copper plate is formed by rolling processing an oxygen-free copper having a purity of 99.96 mass% or more, an oxygen concentration of 0.001 mass% or less, and the remainder being inevitable impurities.
［부기4］[Note 4]
부기1 내지 3 중의 어느 하나에 기재된 무산소 동판으로서, 바람직하게는,The oxygen-free copper plate according to any one of 1 to 3,
두께가 100㎛ 이상이다.The thickness is 100 占 퐉 or more.
［부기5］[Note 5]
부기1 내지 4 중의 어느 하나에 기재된 무산소 동판으로서, 바람직하게는,The oxygen-free copper plate according to any one of 1 to 4,
두께가 100㎛ 이상 1㎜ 이하이다.The thickness is not less than 100 μm and not more than 1 mm.
［부기6］[Note 6]
본 발명의 또 다른 태양에 의하면,According to another aspect of the present invention,
세라믹 기판 상에 설치된 후에 열처리가 이루어짐으로써 배선재가 되는 무산소 동판의 제조방법으로서,A method for producing an oxygen-free copper plate to be a wiring material by performing heat treatment after being placed on a ceramic substrate,
무산소 동으로 형성된 피압연재에 대하여, 1회의 가공도가 40％ 이하인 냉간압연처리를 총가공도가 90％ 이상이 되도록 복수 회 실시하는 냉간압연공정을 구비하는 무산소 동판의 제조방법이 제공된다.There is provided a method for producing an oxygen-free copper plate having a cold rolling step in which a cold rolling process having a machining degree of 40% or less is performed a plurality of times so that a total machining degree is 90% or more.
［부기7］[Note 7]
부기6의 무산소 동판의 제조방법으로서, 바람직하게는,As a method for producing the oxygen-free copper plate of App. 6,
상기 냉간압연공정에서는 소둔처리를 하지 않는다.The annealing treatment is not performed in the cold rolling step.
［부기8］[Note 8]
본 발명의 또 다른 태양에 의하면,According to another aspect of the present invention,
세라믹 기판과,A ceramic substrate,
무산소 동에 대하여 압연가공을 함으로써 평판 모양으로 형성되고, 상기 세라믹 기판 상에 설치되는 배선재로서의 무산소 동판을And an oxygen-free copper plate as a wiring material to be provided on the ceramic substrate,
구비하고,Respectively,
상기 무산소 동판의 압연면의 평균결정입경이 500㎛ 이상임과 아울러, 상기 압연면에 존재하는 결정립이 갖는 결정면 중에서 (211)면의 결정방위로부터의 기울기가 15° 이내인 결정방위를 갖는 결정면을 상기 (211)면으로 간주하였을 때에, 상기 압연면의 면적에 대한 상기 (211)면의 합계면적의 비율이 80％ 이상인 세라믹 배선기판이 제공된다.Wherein an average crystal grain size of the rolled surface of the oxygen-free copper plate is 500 占 퐉 or more and a crystal plane having a crystal orientation whose inclination from the crystal orientation of the (211) plane is within 15 占 of the crystal planes of the crystal grains existing on the rolled surface, (211) plane, the ratio of the total area of the (211) plane to the area of the rolled surface is 80% or more.
Claims (6)
무산소 동판.
An oxygen-free copper plate (an oxygen-free copper plate) formed into a flat plate shape by rolling is heated for 5 minutes or more under the condition of 800 ° C or more and 1080 ° C or less and then the average crystal grain size measured on the rolled surface is 500 μm And the crystal orientations of the respective crystal planes (crystal planes) existing in the plane parallel to the rolled surface of the oxygen-free copper plate were measured, and the crystal orientation in which the slope from the crystal orientation of the (211) , The ratio of the total area of the (211) face present on the rolled face to the area of the rolled face is 80% or more when considered as the (211) face
Oxygen free copper plate.
순도가 99.96질량％ 이상인 구리를 사용하고, 산소의 농도가 0.001질량％ 이하이고, 잔부(殘部)가 불가피적 불순물로 이루어지는 무산소 동(無酸素 銅)으로 형성되어 있는
무산소 동판.
The method according to claim 1,
Copper having a purity of 99.96 mass% or more is used, and the oxygen concentration is 0.001 mass% or less and the remainder is formed of oxygen-free copper
Oxygen free copper plate.
두께가 100㎛ 이상인
무산소 동판.
3. The method according to claim 1 or 2,
When the thickness is 100 占 퐉 or more
Oxygen free copper plate.
무산소 동으로 형성된 피압연재(被壓延材)에 대하여, 1회의 가공도가 40％ 이하인 냉간압연처리(冷間壓延處理)를, 총가공도가 90％ 이상이 되도록 복수 회 실시하는 냉간압연공정을 구비하는
무산소 동판의 제조방법.
A method for producing an oxygen-free copper plate as a wiring material (wiring material) by performing a heat treatment after being placed on a ceramic substrate,
A cold rolling process in which a cold rolling process having a machining degree of 40% or less is performed a plurality of times so that the total machining degree is 90% or more, is performed on a pressurized strip formed of oxygen-free copper Equipped
A method for producing an oxygen free copper plate.
상기 냉간압연공정에서는 소둔처리(燒鈍處理)를 하지 않는
무산소 동판의 제조방법.
5. The method of claim 4,
In the cold rolling step, the annealing treatment (annealing treatment) is not performed
A method for producing an oxygen free copper plate.
무산소 동에 대하여 압연가공을 함으로써 평판 모양으로 형성되고, 상기 세라믹 기판 상에 설치되는 배선재로서의 무산소 동판을
구비하고,
상기 무산소 동판의 압연면의 평균결정입경이 500㎛ 이상임과 아울러, 상기 압연면에 존재하는 결정립(結晶粒)이 갖는 결정면 중에서 (211)면의 결정방위로부터의 기울기가 15° 이내인 결정방위를 갖는 결정면을 상기 (211)면으로 간주하였을 때에, 상기 압연면의 면적에 대한 상기 (211)면의 합계면적의 비율이 80％ 이상인
세라믹 배선기판(ceramic 配線基板).A ceramic substrate,
And an oxygen-free copper plate as a wiring material to be provided on the ceramic substrate,
Respectively,
Wherein an average crystal grain size of the rolled surface of the oxygen-free copper plate is 500 占 퐉 or more and a crystal orientation in which the slope of the (211) plane from the crystal orientation within 15 占 of the crystal planes of the crystal grains Of the total area of the (211) plane with respect to the area of the rolled surface is 80% or more when the crystal plane having the (211) plane is regarded as the (211)
Ceramic wiring board (ceramic wiring board).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015204814A JP6734033B2 (en) | 2015-10-16 | 2015-10-16 | Oxygen-free copper plate, method for manufacturing oxygen-free copper plate, and ceramic wiring board |
| JPJP-P-2015-204814 | 2015-10-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170045106A true KR20170045106A (en) | 2017-04-26 |
Family
ID=58551040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160114753A KR20170045106A (en) | 2015-10-16 | 2016-09-07 | Oxygen free copper plate, method of manufacturing oxygen free copper plate and ceramic wiring board |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6734033B2 (en) |
| KR (1) | KR20170045106A (en) |
| CN (1) | CN106604537A (en) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102104252B1 (en) * | 2017-06-07 | 2020-04-24 | 가부시키가이샤 에스에이치 카퍼프로덕츠 | Oxygen free copper plate and ceramics wiring board |
| KR102514960B1 (en) * | 2018-03-20 | 2023-03-30 | 아우루비스 슈톨베르그 게엠베하 운트 컴파니 카게 | copper-ceramic substrate |
| CN111051546B (en) * | 2018-03-29 | 2021-09-14 | 古河电气工业株式会社 | Insulating substrate and method for manufacturing same |
| JP6582159B1 (en) * | 2018-03-29 | 2019-09-25 | 古河電気工業株式会社 | Insulating substrate and manufacturing method thereof |
| CN113226610B (en) * | 2018-12-28 | 2022-08-16 | 电化株式会社 | Ceramic-copper composite, ceramic circuit board, power module, and method for manufacturing ceramic-copper composite |
| EP3922391B1 (en) * | 2019-02-04 | 2023-09-20 | Mitsubishi Materials Corporation | Production method for copper/ceramic joined body, production method for insulated circuit board, copper/ceramic joined body, and insulated circuit board |
| JP6982710B1 (en) * | 2020-01-15 | 2021-12-17 | 古河電気工業株式会社 | Copper plate material and its manufacturing method, and insulating substrate with copper plate material |
| JP7342957B2 (en) * | 2020-03-06 | 2023-09-12 | 三菱マテリアル株式会社 | Pure copper plate, copper/ceramic bonded body, insulated circuit board |
| CN115354163B (en) * | 2022-07-15 | 2023-11-10 | 西安斯瑞先进铜合金科技有限公司 | Preparation method of fine-grain high-purity oxygen-free copper plate |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4285526B2 (en) * | 2006-10-26 | 2009-06-24 | 日立電線株式会社 | Rolled copper foil and method for producing the same |
-
2015
- 2015-10-16 JP JP2015204814A patent/JP6734033B2/en active Active
-
2016
- 2016-09-07 KR KR1020160114753A patent/KR20170045106A/en unknown
- 2016-10-08 CN CN201610879251.0A patent/CN106604537A/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017075382A (en) | 2017-04-20 |
| CN106604537A (en) | 2017-04-26 |
| JP6734033B2 (en) | 2020-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20170045106A (en) | Oxygen free copper plate, method of manufacturing oxygen free copper plate and ceramic wiring board | |
| EP3632879B1 (en) | Ceramic circuit board and method of production | |
| KR101158113B1 (en) | Copper alloy plate for electrical and electronic components | |
| TWI599666B (en) | High strength cu-ni-co-si copper alloy sheet and method of manufacture, and conductive components | |
| JP5698947B2 (en) | Heat sink for electronic device and method for manufacturing the same | |
| JP2011097038A (en) | Ceramic wiring substrate and manufacturing method of the same | |
| JP6744174B2 (en) | Oxygen-free copper plate, method for manufacturing oxygen-free copper plate, and ceramic wiring board | |
| KR20120125248A (en) | Pure copper plate production method, and pure copper plate | |
| JP6984799B1 (en) | Pure copper plate, copper / ceramic joint, insulated circuit board | |
| WO2021124923A1 (en) | Copper/ceramic joined body and insulated circuit board | |
| TW202138575A (en) | Pure copper plate | |
| CN115244197A (en) | Pure copper plate | |
| TW202138573A (en) | Pure copper plate, copper/ceramic joined body, and insulated circuit substrate | |
| JP2013019010A (en) | Copper material for sputtering target and method for production thereof | |
| TW201821623A (en) | Copper alloy plate for heat dissipation components, heat dissipation component, and method for producing heat dissipation component | |
| KR101474145B1 (en) | Aluminium alloy wire for power semiconductor device | |
| JP6202718B2 (en) | Heat dissipation board | |
| Hwang et al. | Interface microstructure between Fe-42Ni alloy and pure Sn | |
| JP6425404B2 (en) | Copper alloy material for ceramic wiring substrate, ceramic wiring substrate, and method of manufacturing ceramic wiring substrate | |
| WO2021033622A1 (en) | Copper/ceramic joined body, insulating circuit substrate, copper/ceramic joined body production method, and insulating circuit substrate production method | |
| JP2008240007A (en) | Cr-Cu ALLOY SHEET, HEAT SINK FOR SEMICONDUCTOR, AND HEAT DISSIPATING COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR | |
| CN111051546B (en) | Insulating substrate and method for manufacturing same | |
| JP7451964B2 (en) | Cu alloy plate and its manufacturing method | |
| KR102343189B1 (en) | Insulation substrate and method for manufacturing the same | |
| JP2004232069A (en) | Copper-based alloy, and material for heat radiating plate obtained by using the copper-based alloy |