KR20170041487A - Luminescence dispaly panel - Google Patents

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KR20170041487A
KR20170041487A KR1020150140965A KR20150140965A KR20170041487A KR 20170041487 A KR20170041487 A KR 20170041487A KR 1020150140965 A KR1020150140965 A KR 1020150140965A KR 20150140965 A KR20150140965 A KR 20150140965A KR 20170041487 A KR20170041487 A KR 20170041487A
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유세종
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a light emitting display panel which prevents an organic layer from peeling off during implementation of a fordable display by applying a spherical spacer and not forming the organic layer on a contact surface between the spherical spacer and a bank layer, and at the same time, minimizes foreign substances generated on a contact surface between an FMM and the spacer. The light emitting display panel of the present invention comprises an organic layer including a light emitting layer between a first electrode and a second electrode located on a substrate, and further comprises a bank insulating film including an organic hole for defining a light emitting area on the first electrode. The light emitting display panel also comprises a spherical spacer made of a hydrophobic polymer material or a conductive nanoparticle coated with the hydrophobic polymer material on an upper portion of the bank insulating film.

Description

발광 표시 패널{LUMINESCENCE DISPALY PANEL}[0001] LUMINESCENCE DISPALY PANEL [0002]

본 발명은 발광 표시 패널에 관한 것으로, 특히 구형 스페이서를 구비하여 유기층 박리를 방지함과 동시에 유기층 증착 공정 중 유기층이 손상되지 않도록 제조할 수 있는 발광 표시 패널에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting display panel, and more particularly, to a light emitting display panel having a spherical spacer to prevent peeling of an organic layer and to prevent damage to an organic layer during an organic layer deposition process.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기 전계 발광 표시 장치(OLED) 등이 각광 받고 있다. OLED는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점을 갖고 있다. The image display device that realizes various information on the screen is a core technology of the information communication age and it is becoming thinner, lighter, more portable and higher performance. An organic light emitting display (OLED) for displaying an image by controlling the amount of light emitted from the organic light emitting layer by using a flat panel display capable of reducing weight and volume, which is a disadvantage of a cathode ray tube (CRT) OLED is a self-luminous device using a thin light emitting layer between electrodes and has the advantage of being thin like a paper.

액티브 매트릭스 OLED(AMOLED)는 3색(R, G, B) 서브 화소로 구성된 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 각 서브 화소는 유기 전계 발광(OEL) 셀과, 그 OEL 셀을 독립적으로 구동하는 셀 구동부를 구비한다. In the active matrix OLED (AMOLED), pixels composed of three color (R, G, B) sub-pixels are arranged in a matrix form to display an image. Each sub-pixel includes an organic electroluminescent (OEL) cell and a cell driver for independently driving the OEL cell.

OEL 셀은 셀 구동부와 접속된 제 1 전극과, 제 1 전극을 노출시키는 유기홀이 형성된 뱅크 절연막과, 제 1 전극의 상부에 위치하는 발광층을 포함하는 유기층과, 유기층 위에 형성된 제 2 전극으로 구성된다. 이 때 뱅크 절연막의 상부에는 스페이서가 구비된다. The OEL cell includes a first electrode connected to a cell driving unit, a bank insulating film formed with an organic hole for exposing the first electrode, an organic layer including a light emitting layer located above the first electrode, and a second electrode formed on the organic layer do. At this time, spacers are provided on the upper portion of the bank insulating film.

셀 구동부는 스캔 신호를 공급하는 게이트 라인과, 비디오 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인과, 공통 전원 신호를 공급하는 공통 전원 라인 사이에 접속된 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 캐패시터로 구성되어 OEL 셀을 구동한다.The cell driver includes at least two thin film transistors and a storage capacitor connected between a gate line for supplying a scan signal, a data line for supplying a video data signal, and a common power supply line for supplying a common power supply signal, do.

근래에는 OLED를 이용한 다양한 형태의 폴더블 디스플레이가 제안되고 있다. 그런데, 종래의 OLED의 경우 발광층을 포함하는 유기층의 점착력이 약하여, 폴딩되는 영역 부근에서의 유기층의 박리가 일어나는 문제가 발생하였다.In recent years, various types of foldable display using OLED have been proposed. However, in the case of the conventional OLED, the organic layer including the light emitting layer has a weak adhesive force, resulting in peeling of the organic layer near the folding region.

상기 문제점을 해결하기 위해 출원인은 스페이서의 형태를 역 사다리꼴 형태로 개선한 역 스페이서를 구비한 OLED 장치를 출원한 바 있다.In order to solve the above problems, the applicant has filed an application for an OLED device having an inverted spacer in which the shape of the spacer is inverted to an inverted trapezoidal shape.

그러나, 역 스페이서를 구비한 OLED 장치는, 상부 접촉 면적이 증가하여 OLED를 형성할 때 사용하는 FMM(Fine Metal Mask)과 역 스페이서와의 접촉 면적이 넓어지고, FMM과 역 스페이서와의 접촉면에서 발생한 이물로 인해 OLED 장치의 불량을 초래하였다. However, an OLED device having an inverse spacer increases the contact area between an FMM (fine metal mask) used for forming an OLED and an inverse spacer due to an increase in an upper contact area, and a contact area between the FMM and an inverse spacer Foreign objects caused defective OLED devices.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 구형 스페이서를 적용하여 구형 스페이서와 뱅크층과의 접촉면에서 유기층이 형성되지 않도록 함으로써 폴더블 디스플레이 구현시 발생하는 유기층이 박리 현상을 해결함과 동시에 FMM 과 스페이서와의 접촉면에서 발생하는 이물을 최소화시킨 OLED 장치를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to provide a spherical spacer and a bank layer, And an OLED device in which foreign matter generated on the contact surface with the spacer is minimized.

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 유기 발광 표시 패널은, 기판 상에 위치하는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층이 포함된 유기층을 포함하는 구성을 가지며, 제 1 전극 상에는 발광 영역을 정의하는 유기홀이 포함된 뱅크 절연막을 더 구비하고, 뱅크 절연막의 상부에 소수성 고분자 물질로 이루어지거나, 소수성 고분자 물질이 코팅된 전도성 나노 입자로 이루어진 구형의 스페이서를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display panel including a first electrode and a second electrode, the organic layer including a light emitting layer between the first electrode and the second electrode, And a spherical spacer made of a hydrophobic polymer material or a conductive nanoparticle coated with a hydrophobic polymer material on the bank insulating film.

본 발명에 의한 유기 발광 표시 패널은 상기 뱅크 절연막 상에 상기 구형 스페이서와 정 스페이서를 모두 구비할 수도 있으며, 이 때 정 스페이서의 높이는 구형 스페이서의 높이보다 더 높다.The organic light emitting display panel according to the present invention may have both the spherical spacer and the positive spacer on the bank insulating film, wherein the height of the positive spacer is higher than the height of the spherical spacer.

본 발명에 의한 유기 발광 표시 패널은, 유기층 형성시 FMM이 구형 스페이서 의 상부와 접촉됨으로써, 폴더블 디스플레이에서 발생하는 유기층의 박리 현상을 개선함과 동시에 역 스페이서를 이용하는 경우보다 FMM과 구형 스페이서간의 접촉 면적이 작으므로, FMM과 스페이서 사이의 접촉으로 인해 발생하는 이물 현상도 개선할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 유기 발광 표시 패널에 구형 스페이서만 형성된 경우, 정 스페이서를 형성하기 위한 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정을 생략할 수 있으므로, 공정 절감의 효과를 가질 수 있다.In the organic light emitting display panel according to the present invention, the FMM contacts the top of the spherical spacer at the time of forming the organic layer, thereby improving the peeling of the organic layer generated in the foldable display and at the same time the contact between the FMM and the spherical spacer Since the area is small, it is possible to improve the foreign matter phenomenon caused by the contact between the FMM and the spacer. In addition, in the case where only the spherical spacer is formed on the organic light emitting display panel according to the present invention, the photolithography process and the etching process for forming the positive spacers can be omitted.

한편, 정 스페이서와 구형 스페이서가 모두 형성된 유기 발광 패널은, 정 스페이서와 FMM이 접촉되고, 구형 스페이서와 FMM은 접촉되지 않으므로, FMM과 스페이서 사이의 접촉 면적을 최소화할 수 있으며, 그와 동시에 폴더블 디스플레이에서 발생하는 유기층의 박리 현상을 개선할 수 있다.On the other hand, the organic light emitting panel in which the positive spacer and the spherical spacer are both formed can minimize the contact area between the FMM and the spacer because the positive spacer and the FMM are in contact with each other and the spherical spacer and the FMM are not in contact with each other. The peeling phenomenon of the organic layer occurring in the display can be improved.

도 1은 본 발명에 따른 발광 표시 패널의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명에 의한 발광 표시 패널의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 정 스페이서와 구형 스페이서가 모두 구비된 발광 표시 패널을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4k는 본 발명에 의한 발광 표시 패널을 형성하는 방법을 설명하기 위한 예시도이다.
1 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a light emitting display panel according to the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting display panel according to the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting display panel including both a positive spacer and a spherical spacer.
4A to 4K are views for explaining a method of forming the light emitting display panel according to the present invention.

이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments.

도 1은 본 발명에 따른 발광 표시 패널의 한 화소에 대한 등가 회로도이다. 1 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a light emitting display panel according to the present invention.

도 1에 도시된 발광 표시 패널의 한 화소는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 접속된 스위치 박막 트랜지스터(T1)와, 스위치 박막 트랜지스터(T1) 및 전원 라인(PL)과 OEL 셀과 접속된 구동 박막 트랜지스터(T2)와, 전원 라인(PL)과 스위치 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 전극 사이에 접속된 스토리지 커패시터(C)와, 구동 박막 트랜지스터(T2)와 접속된 OEL 셀을 포함한다. One pixel of the light emitting display panel shown in FIG. 1 includes a switch thin film transistor T1 connected to a gate line GL and a data line DL, a switch thin film transistor T1 and a power line PL, an OEL cell, A storage capacitor C connected between the power source line PL and the drain electrode of the switch thin film transistor T1 and an OEL cell connected to the drive thin film transistor T2 .

스위치 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)과 접속되고 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 접속되며 드레인 전극은 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극 및 스토리지 캐패시터(C)와 접속된다. 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극은 전원 라인(PL)과 접속되고 드레인 전극은 OEL 셀의 전극 중 어느 하나와 접속된다. 스토리지 캐패시터(C)는 전원 라인(PL)과 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극 사이에 접속된다. The gate electrode of the switch thin film transistor T1 is connected to the gate line GL, the source electrode thereof is connected to the data line DL and the drain electrode thereof is connected to the gate electrode of the driving TFT T2 and the storage capacitor C . The source electrode of the driving thin film transistor T2 is connected to the power supply line PL and the drain electrode is connected to one of the electrodes of the OEL cell. The storage capacitor C is connected between the power supply line PL and the gate electrode of the driving thin film transistor T2.

스위치 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(GL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(C) 및 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극으로 공급한다. 구동 박막 트랜지스터(T2)는 게이트 전극으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(PL)으로부터 OEL 셀로 공급되는 전류(I)을 제어함으로써 OEL 셀의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 스위치 박막 트랜지스터(T1)가 턴-오프되더라도 스토리지 캐패시터(C)에 충전된 전압에 의해 구동 박막 트랜지스터(T2)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류(I)를 공급하여 OEL 셀이 발광을 유지하게 한다. The switch thin film transistor T1 is turned on when a scan pulse is supplied to the gate line GL to supply the data signal supplied to the data line DL to the gate electrode of the storage capacitor C and the drive thin film transistor T2 do. The driving thin film transistor T2 controls the amount of light emitted from the OEL cell by controlling the current I supplied from the power source line PL to the OEL cell in response to the data signal supplied to the gate electrode. Even if the switch thin film transistor T1 is turned off, the driving thin film transistor T2 supplies the constant current I until the data signal of the next frame is supplied by the voltage charged in the storage capacitor C, Allowing the cell to maintain luminescence.

구동 박막 트랜지스터(T2)는 도 2에 도시된 바와 같이 기판(100) 및 버퍼층(101)상에 형성되고, 양 측면에 소스 영역(109a) 및 드레인 영역(109b)을 포함하는 반도체층(104)과, 반도체층(104)을 덮는 게이트 절연막(106)과, 반도체층(104)에 대응되는 게이트 절연막(106)의 상부에 위치하는 게이트 전극(102)과, 게이트 전극(102)을 포함하는 기판(100)을 덮으며, 상기 반도체층(104)의 양측면에 위치하는 소스/드레인 영역(109a, 109b)을 노출하는 콘택홀(113)들을 포함하는 제 1 보호층(112)과, 콘택홀(113)을 통해 소스/드레인 영역(109a, 109b)과 접속하는 소스 전극(110) 및 드레인 전극(108)을 포함한다.The driving thin film transistor T2 is formed on the substrate 100 and the buffer layer 101 as shown in Fig. 2 and has a semiconductor layer 104 including a source region 109a and a drain region 109b on both sides, A gate insulating film 106 covering the semiconductor layer 104, a gate electrode 102 located above the gate insulating film 106 corresponding to the semiconductor layer 104, and a gate electrode 102 including the gate electrode 102. [ A first passivation layer 112 covering the source and drain regions 100 and including contact holes 113 exposing source / drain regions 109a and 109b located on both sides of the semiconductor layer 104, And a source electrode 110 and a drain electrode 108 which are connected to the source / drain regions 109a and 109b through the source / drain regions 113 and 113, respectively.

OEL 셀은 구동 박막 트랜지스터를 덮는 제 1 보호막(112) 및 제 2 보호막(114) 상에 제 1 전극(116)과, 제 1 전극(116)을 노출시키는 유기홀이 형성된 뱅크 절연막(124)과, 뱅크 절연막(124)상에 위치하는 구형 스페이서(126)와, 유기홀을 통해 노출된 제 1 전극(116) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기층(118)과, 유기층(118) 위에 형성된 제 2 전극(120)으로 구성된다.The OEL cell includes a first protective film 112 covering the driving thin film transistor and a first insulating film 116 on the second protective film 114 and a bank insulating film 124 having an organic hole for exposing the first electrode 116, An organic layer 118 including a spherical spacer 126 located on the bank insulating film 124 and a light emitting layer formed on the first electrode 116 exposed through the organic hole and a second electrode 118 formed on the organic layer 118. [ (120).

이 때 구형 스페이서(126)는 소수성의 열경화성 수지로 형성되거나, 소수성 고분자 화합물로 코팅된 전도성 나노 입자로 형성될 수 있다.The spherical spacers 126 may be formed of a hydrophobic thermosetting resin or may be formed of conductive nanoparticles coated with a hydrophobic polymer compound.

이 때 제 1 보호막(112)은 드레인 전극(108)을 노출하는 콘택홀(122)을 포함하고, 제 1 전극(116)은 콘택홀(122)을 통해 박막 트랜지스터의 드레인 전극(108)과 접속된다.The first protective film 112 includes a contact hole 122 exposing the drain electrode 108 and the first electrode 116 is connected to the drain electrode 108 of the thin film transistor through the contact hole 122 do.

이 때 기판(100)은 플렉서블한 유리 또는 폴리머 기판으로서, 본 발명에 의한 발광 표시 패널은 플렉서블 디스플레이 또는 폴더블 디스플레이로서 제조될 수 있다.At this time, the substrate 100 is a flexible glass or polymer substrate, and the light emitting display panel according to the present invention can be manufactured as a flexible display or a foldable display.

유기층(118)은 전자 주입층(Electron Injection layer;EIL), 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL), 발광층(206), 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL)으로 구분된다. 발광층은 음극으로부터의 전자와 양극으로부터의 정공이 재결합되어 생성된 여기자가 바닥상태로 되돌아가면서 특정 파장의 빛을 발광하게 된다.The organic layer 118 includes an electron injection layer (EIL), an electron transport layer (ETL), a light emitting layer 206, a hole transport layer (HTL), a hole injection layer (HIL) ). The excitons generated by the recombination of the electrons from the cathode and the holes from the anode emit light of a specific wavelength while returning to the ground state.

이 때 제 1 전극(116)이 음극인 경우 제 2 전극(120)은 양극이며, 제 1 전극(116)이 양극인 경우 제 2 전극(120)은 음극이 된다.In this case, when the first electrode 116 is a cathode, the second electrode 120 is an anode, and when the first electrode 116 is an anode, the second electrode 120 becomes a cathode.

한편, 유기층(118) 및 제 2 전극(120)은 구형 스페이서의 상부에도 위치한다.On the other hand, the organic layer 118 and the second electrode 120 are also located on top of the spherical spacer.

뱅크 절연막(124) 상에 형성된 유기층(118) 및 제 2 전극(120)은, 구형 스페이서(126)와 뱅크 절연막(124)이 접하는 지점에는 형성되지 않으며, 구형 스페이서(126)의 측면의 일부 영역에도 유기층(118)은 형성되지 않는다. 그에 따라 구형 스페이서(126)의 상부에 형성된 유기층(118)과 유기홀 및 뱅크 절연막(124)에 형성된 유기층(118)은 구형 스페이서(126)와 뱅크 절연막(124)이 접하는 지점에서 분리되어 있다. The organic layer 118 and the second electrode 120 formed on the bank insulating film 124 are not formed at a position where the spherical spacer 126 and the bank insulating film 124 are in contact with each other, The organic layer 118 is not formed. The organic layer 118 formed on the spherical spacer 126 and the organic layer 118 formed on the organic hole and the bank insulating film 124 are separated from each other at the point where the spherical spacer 126 and the bank insulating film 124 are in contact with each other.

이와 같이 구형 스페이서(126)를 뱅크 절연막(124) 상에 형성할 경우, 구형 스페이서(126)과 뱅크 절연막(124)이 접하는 지점과 구형 스페이서(126)의 측면에는 유기층(118)이 증착이 되지 않으므로, 부분적으로 유기층(118)의 연속성이 끊어진다. 그에 더하여, 유기층(118)의 연속성이 끊어지는 영역에도 배리어층(130)이 형성되며, 배리어층(130)은 구형 스페이서(126)와 뱅크 절연막(124)이 접하는 지점과 구형 스페이서(126)의 측면에 접착되는 접착력이 우수하여 배리어층(130)의 하부에 위치하는 유기층(118)을 고정시키는 효과를 가진다.When the spherical spacer 126 is formed on the bank insulating film 124 as described above, the organic layer 118 is not deposited on the side where the spherical spacer 126 contacts the bank insulating film 124 and the side surface of the spherical spacer 126 The continuity of the organic layer 118 is partially cut off. The barrier layer 130 is formed in a region where the continuity of the organic layer 118 is broken and the barrier layer 130 is formed at a position where the spherical spacer 126 and the bank insulating film 124 are in contact with each other, And has an effect of securing the organic layer 118 located under the barrier layer 130 because of its excellent adhesion to the side surface.

따라서, 본 발명에 의한 발광 표시 패널은 유기층(118)의 접착력이 향상되며, 특히 폴더블 패널을 구현할 때 폴딩 영역에서의 유기층(118)의 박리를 방지할 수 있다.Accordingly, the light-emitting display panel according to the present invention can improve the adhesion of the organic layer 118, and can prevent peeling of the organic layer 118 in the folding area, particularly when implementing a foldable panel.

또한, 본 발명에 의한 발광 표시 패널은 구형 스페이서(126)를 사용하므로, 역 스페이서를 사용하는 경우와 비교하여 유기층(118)을 형성하기 위해 사용하는 FMM(Fine Metal Mask)과 스페이서간의 접촉 면적이 작다. 그에 따라 본 발명과 같이 구형 스페이서(126)를 사용하는 경우 폴더블 디스플레이에서 발생하는 유기층의 박리 현상을 개선함과 동시에 역 스페이서와 FMM간의 접촉에 의해 발생하는 이물을 최소화할 수 있다.Since the light-emitting display panel according to the present invention uses the spherical spacer 126, the contact area between the FMM (Fine Metal Mask) used for forming the organic layer 118 and the spacer is smaller than that small. Accordingly, when the spherical spacer 126 is used as in the present invention, the peeling phenomenon of the organic layer generated in the foldable display can be improved, and foreign matter generated by the contact between the inverse spacer and the FMM can be minimized.

도 3은 정 스페이서와 구형 스페이서가 모두 구비된 발광 표시 패널을 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting display panel including both a positive spacer and a spherical spacer.

도 3에 도시된 것과 같이, 본 발명에 의한 발광 표시 패널은 뱅크 절연막(124)의 상부 서로 다른 영역에 종래에 사용되던 스페이서(128) 및 구형 스페이서126)가 모두 형성될 수 있다. 종래의 스페이서는 하부 영역보다 상부 영역의 폭이 더 좁은 형태로 형성되며, 이를 편의상 '정 스페이서(128)' 라고 칭한다.As shown in FIG. 3, the light emitting display panel according to the present invention may be formed with both the spacer 128 and the spherical spacer 126 which are conventionally used in different regions above the bank insulating film 124. The conventional spacer is formed in a shape having a narrower width of the upper region than the lower region, and is referred to as a 'positive spacer 128' for convenience.

이 때 정 스페이서(128)의 높이는 구형 스페이서(126)의 높이보다 더 높다.따라서 유기층(118)을 형성할 때 이용되는 FMM은 정 스페이서(128)와 접촉된다.At this time, the height of the positive spacer 128 is higher than the height of the spherical spacer 126. Therefore, the FMM used when forming the organic layer 118 is contacted with the positive spacer 128. [

다시 말하면, 본 발명에 의한 발광 표시 패널은 정 스페이서(128)를 이용하여 발광 표시 패널과 FMM간의 간격을 유지하고, 구형 스페이서(126)를 이용하여 폴더블 디스플레이를 구현할 때 발생하는 유기층(118)의 박리 현상을 방지한다.In other words, the light-emitting display panel according to the present invention maintains the gap between the light-emitting display panel and the FMM using the positive spacer 128, and the organic layer 118, which occurs when the spherical spacer 126 is used to implement the foldable display, Thereby preventing the peeling phenomenon.

도 4a 내지 도 4k는 본 발명에 의한 발광 표시 패널을 형성하는 방법을 설명하기 위한 예시도이다.4A to 4K are views for explaining a method of forming the light emitting display panel according to the present invention.

도 4a를 참조하면, 기판(100) 상에 버퍼층(101)이 형성되고, 그 상부에 반도체층(104)이 형성된다. 이 때 버퍼층(101) 및 반도체층(104)은 PECVD(Plasma Vapor Deposition)등의 증착 방법을 이용하여 형성된다. 그리고 반도체층(104)은 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 통해 패터닝된다.4A, a buffer layer 101 is formed on a substrate 100, and a semiconductor layer 104 is formed thereon. At this time, the buffer layer 101 and the semiconductor layer 104 are formed using a deposition method such as PECVD (Plasma Vapor Deposition). Then, the semiconductor layer 104 is patterned through a photolithography process and an etching process.

도 4b를 참조하면, 반도체층(104)을 포함하는 기판(100) 상에 무기 절연 물질이 PECVD 등의 증착 방법을 통해 증착됨으로써 게이트 절연막(106)이 형성된다. 그 상부에는 금속층이 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 통해 증착되고, 포토 리소그래피 및 식각 공정에 의해 패터닝되어 게이트 전극(102)이 형성된다.Referring to FIG. 4B, an inorganic insulating material is deposited on a substrate 100 including a semiconductor layer 104 through a deposition method such as PECVD, thereby forming a gate insulating film 106. A metal layer is deposited thereon by a method such as sputtering and is patterned by a photolithography and etching process to form the gate electrode 102.

상기 게이트 전극(102)을 마스크로 하고, 반도체층(104)의 양 측면에 이온 주입법(Ion Implantation)등을 통해 불순물이 주입됨으로써 소스 드레인 영역(109a, 109b)이 형성된다.The source and drain regions 109a and 109b are formed by implanting impurities into the both sides of the semiconductor layer 104 through ion implantation or the like using the gate electrode 102 as a mask.

도 4c를 참조하면, 게이트 전극(102) 및 반도체층(104)을 포함하는 기판(100)상에는 PECVD 등의 증착 방법을 통해 제 1 보호막(112)이 형성된다. 제 1 보호막(112)에는 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정을 통해 소스/드레인 영역(109a,109b)을 노출하도록 콘택홀(113)이 형성된다.Referring to FIG. 4C, a first protective layer 112 is formed on a substrate 100 including a gate electrode 102 and a semiconductor layer 104 through a deposition method such as PECVD. A contact hole 113 is formed in the first protective film 112 to expose the source / drain regions 109a and 109b through a photolithography process and an etching process.

도 4d를 참조하면, 스퍼터링 등의 방법을 통해 소스 전극(110) 및 드레인 전극(108)을 형성하는 금속층이 증착된다. 소스/드레인 금속층으로는 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 텅스텐(MoW), 구리(Cu) 등으로 이용된다. 이 소스/드레인 금속층이 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝됨으로써 소스 전극(110), 드레인 전극(108)을 포함하는 소스/드레인 전극 패턴이 형성된다.Referring to FIG. 4D, a metal layer for forming the source electrode 110 and the drain electrode 108 is deposited by a method such as sputtering. As the source / drain metal layer, molybdenum (Mo), molybdenum tungsten (MoW), copper (Cu), or the like is used. The source / drain metal layer is patterned by a photolithography process and an etching process, thereby forming a source / drain electrode pattern including the source electrode 110 and the drain electrode 108.

도 4e를 참조하면, 소스 전극(110) 및 드레인 전극(108)을 포함하는 제 1 보호막(112) 상에는 콘택홀(122)을 포함하는 제 2 보호막(114)이 증착된다. 이 때 제 2 보호막(114)은 아크릴 등과 같은 유기 절연 물질이 스핀 코팅(Spin Coating), 스핀리스 코팅(Spinless Coating) 등의 방법을 통해 형성될 수 있다. 그리고 제 2 보호막(114)에는 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해 드레인 전극(108)을 노출하는 콘택홀(122)이 형성된다. 4E, a second passivation layer 114 including a contact hole 122 is deposited on the first passivation layer 112 including the source electrode 110 and the drain electrode 108. Referring to FIG. At this time, the second protective layer 114 may be formed of an organic insulating material such as acryl or the like through a method such as spin coating or spinless coating. A contact hole 122 exposing the drain electrode 108 is formed in the second protective film 114 by a photolithography process and an etching process.

도 4f를 참조하면, 제 2 보호막(114) 상에는 제 1 전극(116)이 형성된다. Referring to FIG. 4F, a first electrode 116 is formed on the second protective layer 114.

구체적으로, 제 1 전극(116)은 제 2 보호막(114) 상에 알루미늄(Al)과 같은 불투명한 도전 물질 또는 ITO와 같은 투명 도전 물질이 스퍼터링 등과 같은 증착 방법으로 형성될 수 있다. 제 1 전극(116)은 박막 트랜지스터의 드레인 전극(108)과 컨택홀(122)을 통해 접속된다. Specifically, the first electrode 116 may be formed on the second protective layer 114 by using an opaque conductive material such as aluminum (Al) or a transparent conductive material such as ITO by a deposition method such as sputtering. The first electrode 116 is connected to the drain electrode 108 of the thin film transistor through the contact hole 122.

도 4g를 참조하면, 제 1 전극(116) 상에는 제 1 전극(122)이 형성된 기판(101) 상에 유기홀(140)이 포함된 뱅크 절연막(124)이 형성된다.Referring to FIG. 4G, a bank insulating layer 124 including an organic hole 140 is formed on a substrate 101 on which a first electrode 122 is formed on a first electrode 116.

뱅크 절연막(124) 및 유기홀(140) 상에는 뱅크 절연막(124)과 동일하게 스핀리스 또는 스핀 코팅 등의 코팅 방법을 통해 감광성 유기 절연 물질이 전면 도포되어 스페이서를 형성하기 위한 유기 절연층이 형성된다. 상기 유기 절연층을 포토리소그래피 공정 및 패터닝 공정으로 패터닝함으로써 정 스페이서(128)을 형성한다.A photosensitive organic insulating material is coated on the bank insulating film 124 and the organic hole 140 through a coating method such as spin-spin or spin coating in the same manner as the bank insulating film 124 to form an organic insulating layer for forming spacers . The positive insulating spacer 128 is formed by patterning the organic insulating layer by a photolithography process and a patterning process.

구형 스페이서(126)만 형성하는 경우, 상기 정 스페이서(128)를 형성하는 공정은 생략될 수 있다. 즉, 구형 스페이서(126)만 형성하는 경우 정 스페이서(128)를 형성하기 위한 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정을 생략할 수 있으므로, 제조공정이 절감되는 효과를 가진다.In the case of forming only the spherical spacers 126, the process of forming the positive spacers 128 may be omitted. That is, in the case of forming only the spherical spacers 126, the photolithography process and the etching process for forming the positive spacers 128 can be omitted, thereby reducing the manufacturing process.

구형 스페이서(126)를 형성하는 공정은 도 4h 및 도 4i를 참조하여 상세히 설명한다.The process of forming the spherical spacers 126 will be described in detail with reference to Figs. 4H and 4I.

구형 스페이서(126)는 도 4h와 같이 마스크(150)를 이용하여 뱅크 절연막(124)만을 노출한 상태에서 구형 스페이서(126)를 형성할 수 있는 소수성 열경화 수지를 분사시킨 후, 이를 경화시켜 형성한다.The spherical spacers 126 are formed by injecting a hydrophobic thermosetting resin capable of forming the spherical spacers 126 in a state in which only the bank insulating film 124 is exposed by using the mask 150 as shown in FIG. do.

이 때 뱅크 절연막(124)은 소수성 물질로 이루어지며, 제 1 전극(122)을 이루는 금속은 친수성으로 이루어진다. 그에 따라. 구형 스페이서(126)은 친수성인 제 1 전극(122) 상에는 형성되지 않고, 뱅크 절연막(124)의 상부에만 형성될 수 있다.At this time, the bank insulating film 124 is made of a hydrophobic material, and the metal forming the first electrode 122 is made hydrophilic. thereafter. The spherical spacers 126 are not formed on the first electrode 122 which is hydrophilic, but may be formed only on the upper portion of the bank insulating film 124.

한편, 구형 스페이서(126)는 도 4i와 같이 전계를 이용하여 형성할 수 있다. 이를 위하여 구형 스페이서(126)는 소수성 고분자 화합물(132)로 코팅된 전도성 나노 입자(132)를 이용하여 형성한다.On the other hand, the spherical spacers 126 can be formed by using an electric field as shown in FIG. 4I. To this end, spherical spacers 126 are formed using conductive nanoparticles 132 coated with a hydrophobic polymeric compound 132.

이 때, 마스크(150)는 금속 마스크이며, 마스크(150)에 전계를 가하여 마스크(150)가 대전되도록 하고, 소수성 고분자 화합물(134)로 코팅된 전도성 나노 입자(132)를 마스크(150)에 뿌림으로써, 상기 나노 입자(132)가 마스크(150)에 부착되도록 한다.At this time, the mask 150 is a metal mask, and an electric field is applied to the mask 150 so that the mask 150 is charged, and the conductive nanoparticles 132 coated with the hydrophobic polymer compound 134 are applied to the mask 150 By spraying, the nanoparticles 132 are allowed to adhere to the mask 150.

그 후 마스크(150)를 뒤집어 기판(100)에 근접시킨 뒤 마스크(150)에 가하던 전계를 제거하면, 상기 나노 입자(132)는 뱅크 절연막(124)의 상부에 위치하여 구형 스페이서(126)가 형성된다.The nanoparticles 132 are positioned on the bank insulating layer 124 and the spherical spacers 126 are formed on the upper surface of the bank insulating layer 124. [ .

구형 스페이서(126)는 소수성 고분자 화합물(134)로 코팅되므로, 구형 스페이서(126)은 친수성인 제 1 전극(122)상에는 형성되지 않고, 뱅크 절연막(124)의 상부에만 형성된다.Since the spherical spacer 126 is coated with the hydrophobic polymer compound 134, the spherical spacer 126 is not formed on the hydrophilic first electrode 122 but only on the upper portion of the bank insulating film 124.

상기와 같이 구형 스페이서(126)를 형성한 다음, 도 4j와 같이 유기홀(140)이 포함된 뱅크 절연막(124)이 형성된 기판(101) 상에 유기층(126), 제 2 전극(128)이 순차적으로 형성된다.After forming the spherical spacers 126 as described above, the organic layer 126 and the second electrode 128 are formed on the substrate 101 on which the bank insulating layer 124 including the organic hole 140 is formed, Respectively.

구체적으로, 제 1 전극(116) 상에는 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 발광층, 정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)이 포함된 유기층(118)이 열증착 방법, 스퍼터링 방법 또는 그의 조합 방법으로 형성된다. 유기층(118)을 형성할 때에는 FMM이 이용되며, FMM은 정 스페이서(128), 또는 구형 스페이서(126)에 의해 고정, 지지된다.  An organic layer 118 including an electron injection layer (EIL), an electron transport layer (ETL), a light emitting layer, a hole transport layer (HTL), and a hole injection layer (HIL) is formed on the first electrode 116 by a thermal deposition method, Or a combination thereof. FMM is used for forming the organic layer 118, and the FMM is fixed and supported by the positive spacer 128 or the spherical spacer 126.

이 때 FMM은 정 스페이서(128)에 접촉되거나, 구형 스페이서(126)의 상부 일부 영역에만 부분적으로 접촉되므로, 역 스페이서를 이용한 경우에 비하여 이물의 발생이 현저히 감소한다.At this time, since the FMM is in contact with the positive spacer 128 or only partially in the upper part of the upper part of the spherical spacer 126, the generation of foreign matter is remarkably reduced as compared with the case where the reverse spacer is used.

이후, 유기층(118)이 형성된 기판(100) 상에 제 2 전극(120)이 형성된다. Thereafter, the second electrode 120 is formed on the substrate 100 on which the organic layer 118 is formed.

제 2 전극(120)은 유기층(118)과 동일한 방법으로 투명 도전 물질이나 금속 물질을 이용하여 적어도 1층 구조로 형성되거나 투명 도전 물질 및 금속 물질을 이용하여 다층 구조로 형성될 수 있다. The second electrode 120 may have a multi-layer structure using a transparent conductive material or a metal material, or may have a multi-layer structure using a transparent conductive material and a metallic material.

도 4k를 참조하면, 제 2 전극(120)의 상부에는 배리어층(130)이 형성된다. 배리어층(130)은 적어도 하나의 무기막(127)과 유기막(129)이 교차되어 적층되는 구조를 가지며, ALD(Atomic Layer Deposition) 등의 방법에 의해 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4K, a barrier layer 130 is formed on the second electrode 120. The barrier layer 130 has a structure in which at least one inorganic film 127 and the organic film 129 are stacked in an alternating manner and may be formed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method or the like.

배리어층(130)상부에는 상부 기판(미도시)이 더 포함될 수 있으나, 상부 기판이 구비되지 않아도 무방하다.An upper substrate (not shown) may be further formed on the barrier layer 130, but the upper substrate may not be provided.

이같이, 본 발명에 의한 유기 발광 표시 패널은 구형 스페이서(126)를 형성하거나, 정 스페이서(128)과 구형 스페이서(126)를 형성하고, 유기층(118) 형성시 FMM이 정 스페이서(128) 또는 구형 스페이서(126)의 상부와 접촉됨으로써, 폴더블 디스플레이에서 발생하는 유기층(118)의 박리 현상을 개선함과 동시에 역 스페이서를 이용하는 경우보다 FMM과 정 스페이서(128) 또는 구형 스페이서(126)간의 접촉 면적이 작으므로, FMM과 스페이서 사이의 접촉으로 인해 발생하는 이물 현상도 개선할 수 있다.The organic light emitting display panel according to the present invention can be manufactured by forming the spherical spacers 126 or forming the positive spacers 128 and the spherical spacers 126. When the organic layer 118 is formed, Contact with the upper portion of the spacer 126 improves the peeling phenomenon of the organic layer 118 generated in the foldable display and at the same time the contact area between the FMM and the positive spacer 128 or the spherical spacer 126 It is possible to improve the foreign matter phenomenon caused by the contact between the FMM and the spacer.

한편, 정 스페이서(128)와 구형 스페이서(126)를 모두 형성할 경우, FMM과의 접촉은 정 스페이서(128)에서만 발생하므로, 이물 현상을 최소화할 수 있으면서도 유기층(118)의 박리 현상을 개선할 수 있다.On the other hand, when both the positive spacer 128 and the spherical spacer 126 are formed, the contact with the FMM occurs only in the positive spacer 128, so that the foreign matter phenomenon can be minimized and the peeling phenomenon of the organic layer 118 can be improved .

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

100: 기판 101: 버퍼층
102: 게이트 전극 104: 반도체층
106: 게이트 절연막 109a, 109b : 소스/드레인 영역
108: 드레인 전극 110: 소스 전극
112: 제 1 보호막 113, 122: 콘택홀
114: 제 2 보호막 116: 제 1 전극
118: 유기층 120: 제 2 전극
124: 뱅크 절연막 126: 구형 스페이서
127: 무기막 128: 정 스페이서
129: 유기막 130: 배리어층
132: 전도성 나노 입자 134: 소수성 고분자 화합물
100: substrate 101: buffer layer
102: gate electrode 104: semiconductor layer
106: gate insulating film 109a, 109b: source / drain region
108: drain electrode 110: source electrode
112: first protective film 113, 122: contact hole
114: second protective film 116: first electrode
118: organic layer 120: second electrode
124: bank insulating film 126: spherical spacer
127: inorganic film 128: positive spacer
129: organic film 130: barrier layer
132: conductive nanoparticles 134: hydrophobic polymer compound

Claims (6)

기판 상에 위치하는 제 1 전극과,
상기 제 1 전극이 구비된 기판상에 제 1 전극을 노출시키는 유기홀이 포함된 뱅크 절연막과,
상기 뱅크 절연막 상에 위치하는 구형 스페이서와,
상기 유기홀을 통해 노출된 제 1 전극과, 상기 뱅크 절연막 및 상기 구형 스페이서의 상부에 위치하는 발광층을 포함하는 유기층과,
상기 뱅크 절연막 및 상기 유기층을 포함하는 기판 전면에 위치하는 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 패널.
A first electrode positioned on the substrate;
A bank insulating layer including an organic hole exposing a first electrode on a substrate having the first electrode;
A spherical spacer positioned on the bank insulating film,
An organic layer including a first electrode exposed through the organic hole, and a light emitting layer disposed on the bank insulating film and the spherical spacer,
And a second electrode located on a front surface of the substrate including the bank insulating layer and the organic layer.
제 1 항에 있어서,
상기 유기층 및 제 2 전극을 포함하는 기판 전면에 위치하는 배리어층을 더 포함하는 유기 발광 표시 패널.
The method according to claim 1,
Further comprising a barrier layer located on a front surface of the substrate including the organic layer and the second electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 뱅크 절연막 및 상기 구형 스페이서는 소수성의 열경화성 수지로 이루어지는 유기 발광 표시 패널.
The method according to claim 1,
Wherein the bank insulating film and the spherical spacer are made of a hydrophobic thermosetting resin.
제 1 항에 있어서,
상기 구형 스페이서는, 소수성 고분자 화합물로 코팅된 전도성 나노 입자로 이루어지고, 상기 뱅크 절연막은 소수성의 열경화성 수지로 이루어진 유기 발광 표시 패널.
The method according to claim 1,
Wherein the spherical spacer is made of conductive nanoparticles coated with a hydrophobic polymer compound, and the bank insulating film is made of a hydrophobic thermosetting resin.
제 1 항에 있어서,
상기 구형 스페이서가 위치하는 영역과 동일 평면상의 다른 영역인 상기 뱅크 절연막의 상부에 위치하는 정 스페이서를 더 포함하는 유기 발광 표시 패널.
The method according to claim 1,
Further comprising a positive spacer located on an upper portion of the bank insulating film which is another region on the same plane as the region where the spherical spacer is located.
제 5 항에 있어서,
상기 정 스페이서의 높이는 상기 구형 스페이서보다 높은 유기 발광 표시 패널.
6. The method of claim 5,
And the height of the positive spacer is higher than that of the spherical spacer.
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