KR20170032751A - 칩 인덕터의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 자성체 시트를 적층 및 압착하여 내부에 나선형의 코일이 형성된 자성체 바(Bar)를 형성하는 단계; 상기 자성체 바(Bar)의 상면 또는 하면 중 적어도 일면에 투명 테이프를 부착하는 단계; 및 상기 자성체 바(Bar)를 레이저를 이용하여 절단하는 단계;를 포함하는 칩 인덕터의 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 칩 인덕터의 제조 방법에 관한 것이다.
인덕터는 저항 및 커패시터와 더불어 전자 회로를 이루는 중요한 수동 소자의 하나로서, 노이즈(noise)를 제거하거나 LC 공진 회로를 이루는 부품 등에 사용되며, 그 구조에 따라 권선형, 적층형 및 박막형 등으로 분류할 수 있다.
칩 인덕터의 제조 방법은 크게 코일 형성 공정과 자성체 형성 공정으로 구성된다.
자성체 형성 공정은 자성체를 이용한 슬러리를 박막으로 도포하여 자성체 시트를 제조하여 이를 적층 및 압착하며, 압착된 자성체 바(bar)를 원하는 칩 크기로 절단한다.
종래에는 절단 공정은 다이싱 블레이드(Dicing blade)를 이용하여 수행되는데, 다이싱 블레이드를 이용한 절단 가공시에 발생하는 문제를 해결할 방법이 필요한 실정이다.
본 발명은 칩 인덕터의 제조 시에 다이싱 블레이드를 사용하는 경우에 발생하는 문제를 해결할 수 있는 칩 인덕터의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법은 자성체 시트를 적층 및 압착하여 내부에 나선형의 코일이 형성된 자성체 바(Bar)를 형성하는 단계; 상기 자성체 바(Bar)의 상면 또는 하면 중 적어도 일면에 투명 테이프를 부착하는 단계; 및 상기 자성체 바(Bar)를 레이저를 이용하여 절단하는 단계;를 포함한다.
일 실시 형태에 있어서, 상기 투명 테이프는 상기 자성체 바(Bar)의 상면에 부착될 수 있다.
일 실시 형태에 있어서, 상기 투명 테이프는 상기 자성체 바(Bar)의 하면에 부착될 수 있다.
일 실시 형태에 있어서, 상기 투명 테이프는 상기 자성체 바(Bar)의 상면 및 하면에 부착될 수 있다.
일 실시 형태에 있어서, 상기 절단하는 단계는 상기 자성체 바(Bar)를 절단한 후, 90도 회전시켜 절단하는 단계를 포함하여 수행될 수 있다.
일 실시 형태에 있어서, 상기 절단하는 단계는 상기 자성체 바(Bar)를 절단한 후, 상기 자성체 바(Bar)를 뒤집은 후 90도 회전시켜 절단하는 단계를 포함하여 수행될 수 있다.
일 실시 형태에 있어서, 상기 절단하는 단계에서 레이저의 초점은 상기 인턱터 바(Bar)의 상부 표면에 맞춰질 수 있다.
일 실시 형태에 있어서, 상기 절단하는 단계에서 레이저의 초점은 상기 인턱터 바(Bar)의 하부 표면에 맞춰질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법은 자성체 시트를 적층 및 압착하여 내부에 나선형의 코일이 형성된 자성체 바(Bar)를 형성하는 단계; 상기 자성체 바(Bar)의 상면 또는 하면 중 적어도 일면에 일정 간격으로 구멍이 뚫린 투명 테이프를 부착하는 단계; 및 상기 자성체 바(Bar)를 레이저를 이용하여 절단하는 단계;를 포함한다.
다른 실시 형태에 있어서, 상기 투명 테이프의 구멍은 절단하는 단계에서 생성되는 부수물들이 빠져나가는 통로의 역할을 수행할 수 있다.
본 발명 일 실시 형태의 칩 인덕터의 제조 방법은 칩 인덕터의 제조 시에 다이싱 블레이드를 사용하는 경우에 발생하는 슬러지로 인해 칩 인덕터 본체가 서로 부착되는 문제 및 슬러지로 인한 다이싱 블레이드의 오작동으로 인한 문제들을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태의 칩 인덕터의 제조 방법에 따라 제조되는 칩 인덕터는 인덕터 본체의 절단면인 측면에 열처리 층이 됨으로써 인덕터 본체의 표면에 존재하는 결함을 감소시키고, 나아가 인덕터 본체의 내부로 전도성 이물질들이 유입되는 것을 방지하여 칩 인덕터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법에 대한 개략적인 플로우 차트를 도시한 것이다.
도 2 내지 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 10 및 11은 다이싱 블레이드를 이용하여 자성체 바를 절단한 단면을 촬영한 사진(a)과 레이저를 이용하여 자성체 바를 절단한 단면을 촬영한 사진(b)을 나타낸 것이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법에 대한 개략적인 플로우 차트를 도시한 것이다.
도 13 내지 18은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 19 및 20는 초점(f)의 위치에 따른 자성체 바의 절단선의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 21은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법을 통해 제조된 칩 인덕터를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 22는 도 21의 A-A`의 개략적인 단면도이다.
도 2 내지 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 10 및 11은 다이싱 블레이드를 이용하여 자성체 바를 절단한 단면을 촬영한 사진(a)과 레이저를 이용하여 자성체 바를 절단한 단면을 촬영한 사진(b)을 나타낸 것이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법에 대한 개략적인 플로우 차트를 도시한 것이다.
도 13 내지 18은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 19 및 20는 초점(f)의 위치에 따른 자성체 바의 절단선의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 21은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법을 통해 제조된 칩 인덕터를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 22는 도 21의 A-A`의 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 더 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
본 발명의 칩 인덕터 및 칩 인덕터의 제조 방법은 권선형, 적층형 및 박막형 등의 칩 인덕터에도 적용될 수 있으나, 명확한 설명을 위해 이해 박막형 칩 인덕터를 기준으로 설명하도록 한다.
칩 인덕터의 제조 방법
도 1은 본 발명의 칩 인덕터의 제조 방법에 대한 개략적인 플로우 차트를 도시한 것이며, 도 2 내지 9는 본 발명의 칩 인덕터의 제조 방법을 개략적으로 도시한 사시도이다. 이하 각 도면들을 참조하여 칩 인덕터의 제조 방법을 설명하도록 한다.
도 2를 참조하여 자성체 바(10)를 형성하는 방법에 대해 살펴보도록 한다.
인덕터 바(10)를 형성하는 단계(S10)는 크게 코일 형성 공정과 자성체 형성 공정으로 이루어진다.
코일 형성 공정은 절연 또는 자성 재료로 이루어진 기판을 마련하고, 기판은 중앙에 코어를 형성하기 위한 관통공을 형성한다. 그 후, 단부가 양 단면을 통해 노출되도록 나선형으로 코일층을 형성한다.
자성체 형성 공정은 인덕터 본체를 형성하기 위한 자성체를 포함하는 재료를 적절한 비율로 혼합하여 고르게 분산된 슬러리를 제작한다. 액체 상태의 슬러리를 PET 필름 위에 수십 ㎛ 수준의 자성체 시트(11)를 형성한다. 코일이 형성된 기판(12)과 함께 복수의 자성체 시트(11)를 적층 및 압착하여 자성체 바(10)를 형성하게 된다.
그 후, 자성체 바(10)를 절단하기 위해 투명 테이프(20)를 부착하는 단계(S20)가 수행된다.
투명 테이프(20)는 자성체 바(10)의 상면 또는 하면 중 적어도 일면에 부착될 수 있다.
도 3을 참조하면, 투명 테이프(20)는 자성체 바(10)의 상면 및 하면에 부착될 수 있으며, 도 4 및 5에서 보는 바와 같이 투명 테이프(20)는 자성체 바(10)의 상면 또는 하면 중 일면에만 부착되는 것도 가능하다.
투명 테이프(20)는 후술하는 절단하는 단계(S30)에서 레이저가 통과되는 재질을 가지며, 일면이 접착성을 가지는 재료를 이용한 것일 수 있다.
투명 테이프(20)를 이용하여 자성체 바(10)를 고정한 뒤, 자성체 바(10)를 레이저(30)를 이용하여 절단하는 단계(S30)가 수행될 수 있다.
도 6를 참조하면, 레이저(30)는 최종 제품의 크기에 맞춰 자성체 바(10)를 절단할 수 있다.
자성체 바(10)를 형성한 후, 자성체 바(10)는 완성품으로 사용될 칩 인덕터의 크기로 절단되는데, 자성체 바를 절단한 것을 인덕터 본체라 한다.
종래에는 자성체 바를 절단하는 공정은 발포 테이프를 이용하여 자성체 바(bar)를 부착시킨 뒤 다이싱 블레이드(Dicing Blade)를 이용하여 수행되고 있다. 다이싱 블레이드를 이용하여 절단하는 공정은 톱으로 나무를 자르는 가공과 비슷한 메커니즘으로 수행된다. 즉, 다이싱 블레이드를 구성하는 그릿(Grit)이 자성체 바를 절단하면, 그릿 사이의 공간으로 절단 물질이 빠져나가게 된다. 이러한 절단 공정의 부수물은 냉각수에 의해 제거된다.
절단 부수물들은 냉각수에 의해 씻겨나가게 되며, 이로 인해 슬러지가 발생하게 되며, 슬러지로 인해 발포 및 탈착과정에서 칩이 서로 붙는 문제가 발생하게 된다. 또한 슬러지는 센서와 스핀들의 오작동을 유도하게 된다.
또한, 다이싱 블레이드를 이용하는 경우에는 1회 절단시에 1 ㎛ 정도의 마모가 발생되며, 절단 속도를 증가시키면 마모량도 비례하여 증가한다. 또한, 다이싱 블레이드의 사용에 따른 마모로 인해 절단시에 편차가 발생하게 되며, 금속 재료(권선)가 다이싱 블레이드의 그릿에 걸려 빠져나오게 되는 문제가 있어 회전 속도에 제한이 있다.
하지만 본 발명의 칩 인덕터 제조 방법은 다이싱 블레이드를 이용하지 않고, 레이저를 이용하기 때문에 절단선을 형성할 때에 자성체 바(10)에서 제거되는 양이 다이싱 블레이드에 비해 적다. 따라서 동일한 크기의 자성체 바(10)를 형성하는 경우에도 생산품의 수량을 증가시킬 수 있다.
형성된 인덕터 본체는 후공정으로 건식 그라인딩으로 절단면의 표면처리를 한 후에도 약 10 ㎛ 정도의 두께를 가지는 열처리 층이 일부 남아있게 된다. 이와 같이 형성된 열처리 층은 표면의 결합을 줄여주고, 인덕터 본체 내부로 전도성 이물질이 유입되는 것을 방지하여 인칩 인덕터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
나아가 권선형 인덕터의 경우에도 레이저(30)를 이용하면, 다이싱 블레이드의 회전으로 인해 권선이 그릿에 걸려 빠져나오는 문제를 예방할 수 있다.
또한, 레이저(30)로 인해 발생한 부수물들은 절단 과정의 진행과 동시에 제거되므로 슬러리로 인해 절단면이 다시 재부착되는 문제를 방지할 수 있다.
인덕터 본체를 형성하기 위해, 인덕터 바(10)를 먼저 제1 절단선(a)과 같이 레이저(30)를 이용하여 절단하고(도 6 참조), 도 7과 같이 90도 회전시켜 다시 고정시킨다. 이와 달리, 인덕터 바(10)를 뒤집은 후에 90도 회전시켜 고정할 수도 있다.
그 후, 도 8에서 보는 바와 같이 레이저(30) 이용해 제2 절단선(b)과 같이 인덕터 바(10)를 절단하여 인덕터 본체를 형성할 수 있다.
절단하는 공정(S30)을 수행한 후에 도 9와 같이 투명 테이프(20)를 제거하는 단계가 수행될 수 있다. 투명 테이프(20)를 제거하는 단계에서는 투명 테이프(20)가 제거됨에 따라 각각의 인덕터 본체가 분리되어 떨어져 나오게 된다.
도 10 및 11은 다이싱 블레이드를 이용하여 자성체 바를 절단한 단면을 촬영한 사진(a)과 레이저를 이용하여 자성체 바를 절단한 단면을 촬영한 사진(b)을 나타낸 것이다.
도 10을 참조하면, 레이저 다이싱을 하는 경우, 구리선이 노출되는 부분(50)이 관찰된다. 즉, 다이싱 블레이드를 이용하여 자성체 바를 절단한 단면에서는 도 10a와 같이 구리선이 노출되는 부분이 보여지지 않지만, 본 개시의 일 실시예에 따른 칩 인덕터의 제조 방법을 이용하는 경우에는 도 10b와 같이 자성체 바의 절단면에 구리선이 노출되는 면이 보여진다.
또한, 도 11을 참조하면, 도 11a에 비해 도 11b에서 조대분이 탈락된 부분이 다수 관찰되는 것을 알 수 있다. 즉, 본 개시의 일 실시예에 따른 칩 인덕터의 제조 방법을 이용하는 경우, 도 11b와 같이 조대분이 탈락된 부분이 관찰되며 결과적으로 다이싱 블레이드를 이용하는 경우와 다른 표면 형상을 가지게 된다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 칩 인덕터의 제조 방법에 대한 개략적인 플로우 차트를 도시한 것이며, 도 13 내지 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 칩 인덕터의 제조 방법을 개략적으로 도시한 사시도이다. 이하 각 도면들을 참조하여 칩 인덕터의 제조 방법을 설명하도록 한다.
도 13를 참조하여 자성체 바(10)를 형성하는 방법에 대해 살펴보도록 한다.
인덕터 바(10)를 형성하는 단계(S10)는 크게 코일 형성 공정과 자성체 형성 공정으로 이루어진다.
코일 형성 공정은 절연 또는 자성 재료로 이루어진 기판을 마련하고, 기판은 중앙에 코어를 형성하기 위한 관통공을 형성한다. 그 후, 단부가 양 단면을 통해 노출되도록 나선형으로 코일층을 형성한다.
자성체 형성 공정은 인덕터 본체를 형성하기 위한 자성체를 포함하는 재료를 적절한 비율로 혼합하여 고르게 분산된 슬러리를 제작한다. 액체 상태의 슬러리를 PET 필름 위에 수십 ㎛ 수준의 자성체 시트(11)를 형성한다. 코일이 형성된 기판(12)과 함께 복수의 자성체 시트(11)를 적층 및 압착하여 자성체 바(10)를 형성하게 된다.
그 후, 자성체 바(10)를 절단하기 위해 투명 테이프(20)를 부착하는 단계(S20)가 수행된다. 투명 테이프(20)는 일정한 간격으로 복수개의 구멍(21)이 뚫려 있다. 투명 테이프(20)는 자성체 바(10)의 상면 또는 하면 중 적어도 일면에 부착될 수 있다.
도 14를 참조하면, 복수개의 구멍(21)을 가지는 투명 테이프(20)는 자성체 바(10)의 상면 및 하면에 부착될 수 있다. 또한, 복수 개의 구멍(21) 을 가지는 투명 테이프(20)도 도 4 및 5에서 보는 바와 같이 투명 테이프(20)는 자성체 바(10)의 상면 또는 하면 중 일면에만 부착되는 것도 가능하다.
구멍(21)은 최종 제품의 상면에 대응하도록 형성될 수 있다. 투명 테이프(20)는 레이저가 통과되만 자성체 바(10)를 절단하는 과정에서 열이 발생하여 자성체 바(10)의 상면 또는 하면에 열에 의해 녹아 부착되는 문제가 발생할 수 있다. 하지만 최종 제품의 상면에 대응하는 위치에 형성된 구멍(21)을 가지는 투명 테이프(20)를 이용하는 경우에 투명 테이프(20)가 열에 의해 녹는 것을 방지할 수 있다.
투명 테이프(20)는 후술하는 절단하는 단계(S30)에서 레이저가 통과되는 재질을 가지며, 일면이 접착성을 가지는 재료를 이용한 것일 수 있다.
투명 테이프(20)를 이용하여 자성체 바(10)를 고정한 뒤, 자성체 바(10)를 레이저(30)를 이용하여 절단하는 단계(S30)가 수행될 수 있다.
도 15를 참조하면, 레이저(30)는 최종 제품의 크기에 맞춰 자성체 바(10)를 절단할 수 있다.
자성체 바(10)를 형성한 후, 자성체 바(10)는 완성품으로 사용될 칩 인덕터의 크기로 절단되는데, 자성체 바를 절단한 것을 인덕터 본체라 한다.
종래에는 자성체 바를 절단하는 공정은 발포 테이프를 이용하여 자성체 바(bar)를 부착시킨 뒤 다이싱 블레이드(Dicing Blade)를 이용하여 수행되고 있다. 다이싱 블레이드를 이용하여 절단하는 공정은 톱으로 나무를 자르는 가공과 비슷한 메커니즘으로 수행된다. 즉, 다이싱 블레이드를 구성하는 그릿(Grit)이 자성체 바를 절단하면, 그릿 사이의 공간으로 절단 물질이 빠져나가게 된다. 이러한 절단 공정의 부수물은 냉각수에 의해 제거된다.
절단 부수물들은 냉각수에 의해 씻겨나가게 되며, 이로 인해 슬러지가 발생하게 되며, 슬러지로 인해 발포 및 탈착과정에서 칩이 서로 붙는 문제가 발생하게 된다. 또한 슬러지는 센서와 스핀들의 오작동을 유도하게 된다.
또한, 다이싱 블레이드를 이용하는 경우에는 1회 절단시에 1 ㎛ 정도의 마모가 발생되며, 절단 속도를 증가시키면 마모량도 비례하여 증가한다. 또한, 다이싱 블레이드의 사용에 따른 마모로 인해 절단시에 편차가 발생하게 되며, 금속 재료(권선)가 다이싱 블레이드의 그릿에 걸려 빠져나오게 되는 문제가 있어 회전 속도에 제한이 있다.
하지만 본 발명의 칩 인덕터 제조 방법은 다이싱 블레이드를 이용하지 않고, 레이저를 이용하기 때문에 절단선을 형성할 때에 자성체 바(10)에서 제거되는 양이 다이싱 블레이드에 비해 적다. 따라서 동일한 크기의 자성체 바(10)를 형성하는 경우에도 생산품의 수량을 증가시킬 수 있다.
형성된 인덕터 본체는 후공정으로 건식 그라인딩으로 절단면의 표면처리를 한 후에도 약 10 ㎛ 정도의 두께를 가지는 열처리 층이 일부 남아있게 된다. 이와 같이 형성된 열처리 층은 표면의 결합을 줄여주고, 인덕터 본체 내부로 전도성 이물질이 유입되는 것을 방지하여 인칩 인덕터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
나아가 권선형 인덕터의 경우에도 레이저(30)를 이용하면, 다이싱 블레이드의 회전으로 인해 권선이 그릿에 걸려 빠져나오는 문제를 예방할 수 있다.
또한, 레이저(30)로 인해 발생한 부수물들은 절단 과정의 진행과 동시에 구멍(21)을 통해 제거되므로 슬러리로 인해 절단면이 다시 재부착되는 문제를 방지할 수 있다. 즉, 절단 과정이 수행되는 중에 재료의 반응 온도를 낮추거나 녹은 재료를 제거하기 위해 N2 가스를 분사하여 줄 수 있는데, 구멍(21)은 N2 가스가 빠져나가거나 부수물이 빠져나가는 통로를 제공할 수 있다.
인덕터 본체를 형성하기 위해, 인덕터 바(10)를 먼저 제1 절단선(a)과 같이 레이저(30)를 이용하여 절단하고(도 15 참조), 도 16과 같이 90도 회전시켜 다시 고정시킨다. 이와 달리, 인덕터 바(10)를 뒤집은 후에 90도 회전시켜 고정할 수도 있다.
그 후, 도 17에서 보는 바와 같이 레이저(30) 이용해 제2 절단선(b)과 같이 인덕터 바(10)를 절단하여 인덕터 본체를 형성할 수 있다.
절단하는 공정(S30)을 수행한 후에 도 18과 같이 투명 테이프(20)를 제거하는 단계가 수행될 수 있다. 투명 테이프(20)를 제거하는 단계에서는 투명 테이프(20)가 제거됨에 따라 각각의 인덕터 본체가 분리되어 떨어져 나오게 된다.
상술한 바와 같이 레이저를 이용하여 절단 공정을 수행하는 경우, 레이저의 초점(f)을 자성체 바(10)의 상면에 맞추게 되면 도 19과 같이 인덕터 본체의 하부가 넓어지도록 절단되며, 레이저의 초점(f)을 자성체 바(10)의 하면에 맞추게 되면 레이저가 조사되는 시간의 차이로 인해 도 20과 같이 인덕터 본체의 하부가 좁아지도록 절단된다.
칩 인덕터
도 21는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 칩 인덕터의 제조 방법에 의해 제조된 칩 인덕터의 개략적인 사시도를 도시한 것이고, 도 22은 A-A`에 따른 개략적인 단면도를 도시한 것이다.
도 21 및 도 22를 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 칩 인덕터(100)는 인덕터 본체(110)와, 인덕터 본체(110)의 양 단면에 형성되는 외부 전극(121, 122)을 포함한다.
하기에서는 도 15의 "L 방향"을 "길이 방향", "W 방향"을 "폭 방향", "T 방향"을 "두께 방향"으로 설정하여 설명한다.
외부 전극(21, 22)은 전기 전도성을 부여할 수 있는 금속으로, 예컨대 금, 은, 백금, 구리, 니켈, 팔라듐 및 이들의 합금으로부터 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
이때, 외부 전극(21, 22)의 표면에 필요시 니켈-도금층(미도시) 또는 주석 도금층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
인덕터 본체(110)는 직육면체일 수 있으며, 자성 재료로 이루어진 상부 및 하부 커버부와 코일층(130)의 관통공에 형성되는 자성 재료로 이루어진 코어를 포함할 수 있다.
상부 및 하부 커버부(111, 112) 사이에는 코어가 되는 중앙의 관통공을 가지는 코일층(130)이 배치되고, 코일 지지층(130)의 양면에는
단부가 인덕터 본체(110)의 양 단면을 통해 노출되어 외부 전극(121, 122)과 각각 전기적으로 접속되는 코일층(140)이 형성될 수 있다.
상부 및 하부 커버부(111, 112)는 기본적으로 코일층(140)의 전기적 특성이 저하되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
이러한 상부 및 하부 커버부(111, 112)는 페라이트 등의 금속 분말과 폴리머의 복합체로 이루어진 페이스트로 이루어지거나, 금속 분말을 포함하는 기판으로 이루어질 수 있다.
인덕터 본체(110)의 측면에는 열처리 층(150)이 형성된다. 열처리 층(150)은 레이저를 이용해 자성체 바를 절단하여 인덕터 본체(110)를 형성한다.
레이저를 이용해 자성체 바를 절단하기 때문에 인덕터 본체(110)의 측면은 바닥면에 대해 기울어져서 형성된다. 즉, 레이저의 초점(f)을 자성체 바의 상면에 맞추게 되면 도 19과 같이 인덕터 본체의 하부가 넓어지도록 절단되며, 레이저의 초점(f)을 자성체 바의 하면에 맞추게 되면 레이저가 조사되는 시간의 차이로 인해 도 20와 같이 인덕터 본체의 하부가 좁아지도록 절단된다.
일반적으로 자성체 바를 절단하여 인덕터 본체를 형성한 후에는 절단면을 건식 그라인딩을 이용해 표면 처리하게 된다. 레이저를 이용하여 절단한 경우, 이러한 건식 그라인딩으로 이용한 표면 처리 후에도 레이저로 인한 열처리 층(150)이 일부 잔존하게 된다.
자성체 바를 형성하면서 남아있거나 새롭게 발생한 결함은 레이저를 이용한 절단 과정에서 감소된다. 따라서 레이저를 이용하여 자성체 바를 절단하는 경우, 인덕터 본체는 절단면에 별도의 공정 없이 열처리 층(150)을 가지게 되며, 열처리 층(150)은 인덕터 본체 내부로 전도성 물질 등이 유입되는 것을 방지하여 칩 인덕터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
10: 인덕터 바(Bar)
20: 투명 테이프 21: 구멍
30: 레이저 41: 솜
42: 공기의 주입 장치
100: 칩 인덕터 110: 인덕터 본체
121, 122: 외부 전극 130: 코일 지지층
140: 코일층 150: 열처리층
20: 투명 테이프 21: 구멍
30: 레이저 41: 솜
42: 공기의 주입 장치
100: 칩 인덕터 110: 인덕터 본체
121, 122: 외부 전극 130: 코일 지지층
140: 코일층 150: 열처리층
Claims (10)
- 자성체 시트를 적층 및 압착하여 내부에 나선형의 코일이 형성된 자성체 바(Bar)를 형성하는 단계;
상기 자성체 바(Bar)의 상면 또는 하면 중 적어도 일면에 투명 테이프를 부착하는 단계; 및
상기 자성체 바(Bar)를 레이저를 이용하여 절단하는 단계;를 포함하는 칩 인덕터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 투명 테이프는 상기 자성체 바(Bar)의 상면에 부착되는 칩 인덕터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 투명 테이프는 상기 자성체 바(Bar)의 하면에 부착되는 칩 인덕터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 투명 테이프는 상기 자성체 바(Bar)의 상면 및 하면에 부착되는 칩 인덕터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 절단하는 단계는 상기 자성체 바(Bar)를 절단한 후, 90도 회전시켜 절단하는 단계를 포함하는 칩 인덕터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 절단하는 단계는 상기 자성체 바(Bar)를 절단한 후, 상기 자성체 바(Bar)를 뒤집은 후 90도 회전시켜 절단하는 단계를 포함하는 칩 인덕터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 절단하는 단계에서 레이저의 초점은 상기 인턱터 바(Bar)의 상부 표면에 맞춰지는 칩 인덕터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 절단하는 단계에서 레이저의 초점은 상기 인턱터 바(Bar)의 하부 표면에 맞춰지는 칩 인덕터의 제조 방법.
- 자성체 시트를 적층 및 압착하여 내부에 나선형의 코일이 형성된 자성체 바(Bar)를 형성하는 단계;
상기 자성체 바(Bar)의 상면 또는 하면 중 적어도 일면에 일정 간격으로 구멍이 뚫린 투명 테이프를 부착하는 단계; 및
상기 자성체 바(Bar)를 레이저를 이용하여 절단하는 단계;를 포함하는 칩 인덕터의 제조 방법.
- 제9항에 있어서,
상기 투명 테이프의 구멍은 절단하는 단계에서 생성되는 부수물들이 빠져나가는 통로의 역할을 수행하는 칩 인덕터의 제조 방법.
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JP2001053443A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Hitachi Ltd | 電子回路基板の製造方法,電子回路基板の製造装置及び電子回路基板 |
JP2005123288A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Tdk Corp | 積層電子部品の製造方法 |
JP2013254917A (ja) | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層インダクタ |
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JP2015149444A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
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2015
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