KR20170026963A - 양자점, 양자점 필름, 양자점을 포함하는 엘이디 패키지 및 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소를 포함하며, 반치폭이 감소하고 양자효율이 증가하여 고색순도 고효율의 발광 특성을 갖는 양자점을 제공한다.

Description

양자점, 양자점 필름, 양자점을 포함하는 엘이디 패키지 및 표시장치{Quantum dot, Quantum dot film, and LED package and Display device including quantum dot}
본 발명은 양자점에 관한 것으로, 특히 고 색순도 및 친화경의 양자점, 양자점 필름, 양자점을 포함하는 엘이디 패키지 및 표시장치에 관한 것이다.
사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기발광다이오드표시장치(organic light emitting diode display device: OELD) 등과 같은 다양한 평판표시장치가 개발되어 각광받고 있다.
한편, 최근에는 양자점(quantum dot)을 표시장치에 이용하고자 하는 연구가 진행되고 있다.
양자점은 불안정한 상태의 전자가 전도대(conduction band)에서 가전자대(valence band)로 내려오면서 발광한다. 양자점은 흡광계수(extinction coefficient)가 매우 크고 양자효율(quantum yield)도 우수하므로 강한 형광을 발생시킨다. 또한, 양자점의 크기에 따라 발광 파장이 변경되므로, 양자점의 크기를 조절하면 가시광선 전 영역대의 빛을 얻을 수 있다.
도 1은 종래 양자점을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 양자점(1)은 코어(10)와 쉘(20)을 포함한다. 상기 코어(10)로 가장 널리 이용되는 물질은 CdSe이다. CdSe 코어(10)를 포함하는 양자점(1)은 높은 색순도의 가시광을 발하는 장점을 갖는다.
그러나, 카드뮴(Cd)은 인체에 해롭고 환경규제물질로 사용에 제한을 받고 있다.
본 발명은, 카드뮴 없는 (Cd-free) 양자점을 제공하고자 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명의 양자점은, XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소를 포함한다.
이때, 상기 제 1 및 제 3 원소는 XIII-XV족의 제 1 화합물을 이루고, 상기 제 2 및 제 3 원소는 상기 제 1 화합물과는 다른 XIII-XV족의 제 2 화합물을 이루며, 상기 제 4 및 제 5 원소는 XII-XVI족의 제 3 화합물을 이루고, 상기 제 4 및 제 6 원소는 상기 제 3 화합물과는 다른 XII-XVI족의 제 4 화합물을 이룬다.
여기서, 상기 제 1 화합물은 GaP이고 상기 제 2 화합물은 InP이며, 상기 제 3 화합물은 ZnSe이고 상기 제 4 화합물은 ZnS일 수 있다.
또한, 본 발명은, 전술한 양자점을 포함하는 양자점 필름, 엘이디 패키지 및 표시장치를 제공한다. 이때, 양자점 필름은 액정표시장치에서 액정패널과 백라이트 유닛 사이에 위치할 수 있고, 양자점은 엘이디 패키지에서 엘이디 칩을 덮는 봉지부에 포함되거나 양자점 발광다이오드 표시장치에서 양자점 발광층에 포함될 수 있다.
본 발명의 양자점은, XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소를 포함하며, 반치폭이 감소하고 양자효율이 증가하여 고색순도 고효율의 발광 특성을 갖는다.
또한, 본 발명의 양자점은 카드뮴을 포함하지 않기 때문에, 인체에 무해하고 환경 친화적인 장점을 갖는다.
본 발명의 양자점을 포함하는 양자점 필름은, 액정표시장치에서 광학 필름으로 이용되어 고색재현의 액정표시장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 양자점을 포함하는 엘이디 패키지는, 고색순도의 빛을 발광하는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명의 양자점을 포함하는 발광다이오드 표시장치는, 고색재현의 영상을 제공할 수 있다.
도 1은 종래 양자점을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점의 특성과 성분을 보여주는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점의 특성과 성분을 보여주는 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 양자점의 특성과 성분을 보여주는 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 양자점의 특성과 성분을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 양자점을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 양자점 필름과 이를 포함하는 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 8은 도 7의 액정패널을 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 엘이디 패키지를 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 양자점 발광다이오드 표시장치를 보여주는 개략적인 단면도이다.
본 발명은, XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소를 포함하는 양자점을 제공한다.
본 발명의 양자점에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 원소는 상기 XIII족에서 선택되고, 상기 제 3 원소는 XV족에서 선택되며, 상기 제 4 및 제 5 원소는 상기 XII족에서 선택되고, 상기 제 6 원소는 상기 XVI족에서 선택될 수 있다.
본 발명의 양자점은, 상기 제 1 내지 제 3 원소 중 적어도 두 개 이상의 원소로 이루어진 제 1 화합물과, 상기 제 1 내지 제 3 원소 중 적어도 두 개 이상의 원소로 이루어지고, 상기 제 1 화합물과 다른 제 2 화합물, 및 상기 제 4 내지 제 6 원소 중 적어도 두 개 이상의 원소로 이루어진 제 3 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 양자점은, 상기 제 4 내지 제 6 원소 중 적어도 두 개 이상의 원소로 이루어지고, 상기 제 3 화합물과 다른 제 4 화합물을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 양자점에 있어서, 상기 제 1 원소는 Ga이고, 상기 제 2 원소는 In이고, 상기 제 3 원소는 P이며, 상기 제 4 원소는 Zn이고, 상기 제 5 원소는 Se이며, 상기 제 6 원소는 S일 수 있다.
본 발명의 양자점에 있어서, 상기 제 1 화합물은 제 1 내부에 위치하고, 상기 제 2 화합물은 상기 제 1 내부를 감싸는 제 2 내부에 위치하며, 상기 제 3 화합물은 상기 제 2 내부를 감싸는 제 1 외부에 위치하고, 상기 제 4 화합물은 상기 제 1 외부를 감싸는 제 2 외부에 위치할 수 있다.
다른 관점에서, 본 발명은, 바인더와, 전술한 양자점을 포함하는 양자점 필름을 제공한다.
또 다른 관점에서, 본 발명은, 액정 패널과, 상기 액정 패널 하부에 위치하며 광원을 포함하는 백라이트 유닛과, 상기 액정 패널과 상기 백라이트 유닛 사이에 위치하는 제 6 항의 양자점 필름을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.
본 발명의 액정표시장치에 있어서, 상기 광원은, 청색 엘이디 칩과 상기 청색 엘이디 칩을 덮고 녹색 형광체를 포함하는 봉지부를 포함하는 엘이디 패키지일 수 있다.
또 다른 관점에서, 본 발명은, 엘이디 칩과, 상기 엘이디 칩을 덮고 전술한 양자점을 포함하는 봉지부를 포함하는 엘이디 패키지를 제공한다.
또 다른 관점에서, 본 발명은, 액정 패널과, 상기 액정 패널 하부에 위치하며, 전술한 엘이디 패키지로 이루어진 광원을 갖는 백라이트 유닛을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.
또 다른 관점에서, 본 발명은, 기판과, 상기 기판 상에 위치하는 구동 소자와, 상기 구동 소자에 연결되며, 서로 마주하는 제 1 및 제 2 전극과, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하며 제 1 항 내지 제 5 항의 양자점을 포함하는 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광다이오드 표시장치를 제공한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명의 양자점은 XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소를 포함한다. 즉, 카드뮴 없이 (Cd-free quantum dot) 높은 양자효율과 고색순도를 갖는 양자점을 제공한다.
-제 1 실시예-
본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점은, XIII과 XV족에서 선택되는 제 1 및 제 2 원소와, XII과 XVI족에서 선택되는 제 3 및 제 4 원소를 포함한다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 원소는 XIII-XV족의 제 1 화합물을 이루고, 제 3 및 제 4 원소는 XII-XVI족의 제 2 화합물을 이룰 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 원소는 In이고, 상기 제 2 원소는 P이며, 상기 제 3 원소는 Zn이고, 상기 제 4 원소는 S일 수 있다. 즉, 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물은 InP일 수 있고, 상기 XII-XVI족의 제 2 화합물은 ZnS일 수 있다.
또한, 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물층은 상기 XII-XVI족의 제 2 화합물층에 의해 둘러싸일 수 있다.
즉, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점은 종래 CdSe의 코어 대신에 InP 코어를 포함하여, 인체에 해로운 종래 양자점의 문제를 해결한다.
양자점의 합성
InR3 (R=Palmitic acid) 1mmol과 1-Octadecene 50mL를 250mL Flask에 넣은 후 150도씨 온도 조건에서 1시간 진공 교반하였다.
다음, Tris(trimethylsilyl) Phosphine 1mmol과 1-Octadecene 5mL를 300도씨, 진공 조건 하에서 혼합물에 주입하고, 300도씨 온도 조건에서 10분간 교반하였다.
ZnR3 (R=Palmitic acid)와 1-Dodecanethiol을 주입한 후 300도씨 온도 조건에서 1시간 교반하고, 반응 완료 후 상온으로 혼합물을 냉각시킨 후 Toluene과 Methanol을 이용하여 침전법으로 정제하여 양자점을 얻었다.
도 2a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점의 PL 스펙트럼이고, 도 2b는 위 합성예를 통해 얻어진 양자점의 TEM 사진이며, 도 2c는 EDS 그래프이다.
도 2a에서와 같이, 본 발명의 양자점은 적색 파장의 가시광을 발광하며, 도 2c에서 보여지는 바와 같이, TEM Grid 내 전체 입자를 스캔하여 성분 분석한 결과 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점은 In, P, Zn, S의 네 성분을 포함한다.
즉, 본 발명은, 카드뮴 없이 XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소를 포함하며 적색 파장의 가시광을 발광하는 양자점을 제공한다.
도 2c의 STEM/EDS 성분 분석 데이터를 아래 표1에 기재하였다. (X-Max 80 TLE 이용, constant>1.5이면 원소 검출)
Figure pat00001
그런데, XIII-XV족 제 1 화합물인 InP는 CdSe에 비해 입자의 크기가 작고 입자 크기의 분포가 넓어 색순도 특성이 저하된다. 즉, 표면적(surface area)가 증가하여 높은 표면에너지를 갖고, 이로 인해 표면 결함(defect site)에 의한 트랩 발광(trap emission)이 발생된다. 따라서, InP를 포함하는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점은 넓은 발광 영역을 갖게 되며 색순도가 저하되는 문제가 발생된다.
-제 2 실시예-
본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점은, XIII과 XV족에서 선택되는 제 1 및 제 2 원소와, XII과 XVI족에서 선택되는 제 3 내지 제 5 원소를 포함한다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 원소는 XIII-XV족의 제 1 화합물을 이루고, 제 3 및 제 4 원소는 XII-XVI족의 제 2 화합물을 이루며, 상기 제 3 및 제 5 원소는 상기 제 2 화합물과는 다른 XII-XVI족의 제 3 화합물을 이룰 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 원소는 In이고, 상기 제 2 원소는 P이며, 상기 제 3 원소는 Zn이고, 상기 제 4 원소는 Se이며, 상기 제 5 원소는 S일 수 있다. 즉, 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물은 InP일 수 있고, 상기 XII-XVI족의 제 2 화합물은 ZnSe일 수 있으며, 상기 XII-XVI족의 제 3 화합물은 ZnS일 수 있다.
또한, 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물층은 상기 XII-XVI족의 제 3 화합물층에 의해 둘러싸이고, 상기 XII-XVI족의 제 2 화합물층은 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물층과 상기 XII-XVI족의 제 3 화합물층 사이에 위치할 수 있다.
즉, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점은 종래 CdSe의 코어 대신에 InP 코어를 포함하여, 인체에 해로운 종래 양자점의 문제를 해결한다.
양자점의 합성
InR3 (R=Palmitic acid) 1mmol과 1-Octadecene 50mL를 250mL Flask에 넣은 후 150도씨 온도 조건에서 진공 교반하였다.
다음, 300도씨, 질소 조건하에서 Tris(trimethylsilyl) Phosphine 1mmol을 주입하여 30분간 성장시켰다. 검은 빛의 용액이 된 후 1-Dodecanethiol 1mmol을 주입하고 1분 교반 후 Se-trioctylphosphine (Se-TOP) (0.1mmol)을 추가 주입하고 300도씨 온도 조건에서 교반하였다.
혼합물을 상온으로 냉각 후 ZnR3 (R=Palmitic acid) 1mmol 주입하고 250도 온도 조건에서 2시간 교반하였다. 교반 완료 후, 상온으로 냉각시키고 1-Dodecanetiol 주입 후 2시간 동안 250도 온도 조건에서 교반하였다.
반응 완료 후 상온으로 혼합물을 냉각하고 Toluene과 Methanol을 이용하여 침전법으로 정제하여 양자점을 얻었다.
도 3a는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점의 PL 스펙트럼이고, 도 3b는 위 합성예를 통해 얻어진 양자점의 TEM 사진이며, 도 3c는 EDS 그래프이다.
도 3a에서와 같이, 본 발명의 양자점은 적색 파장의 가시광을 발광하며, 도 3c에서 보여지는 바와 같이, TEM Grid 내 전체 입자를 스캔하여 성분 분석한 결과 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점은 In, P, Zn, S, Se의 다섯 성분을 포함한다.
즉, 본 발명은, 카드뮴 없이 XIII과 XV족에서 선택되는 제 1 및 제 2 원소와, XII과 XVI족에서 선택되는 제 3 내지 제 5 원소를 포함하며 적색 파장의 가시광을 발광하는 양자점을 제공한다.
도 3c의 STEM/EDS 성분 분석 데이터를 아래 표2에 기재하였다. (X-Max 80 TLE 이용, constant>1.5이면 원소 검출)
Figure pat00002
도 3a를 참조하면, PL 스펙트럼의 반치폭(full width at half maximum, FWHM)이 제 1 실시예의 양자점보다 감소하기는 하나, CdSe 양자점에 비하면 반치폭이 커서 색순도가 저하된다.
-제 3 실시예-
본 발명의 제 3 실시예에 따른 양자점은, XIII과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII과 XVI족에서 선택되는 제 4 및 제 5 원소를 포함한다. 예를 들어, 제 1 및 제 3 원소는 XIII-XV족의 제 1 화합물을 이루고, 상기 제 2 및 제 3 원소는 상기 제 1 화합물과는 다른 XIII-XV족의 제 2 화합물을 이루며, 상기 제 4 및 제 5 원소는 XII-XVI족의 제 3 화합물을 이룰 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 원소는 Ga이고, 상기 제 2 원소는 In이며, 상기 제 3 원소는 P이고, 상기 제 4 원소는 Zn이며, 상기 제 5 원소는 S일 수 있다. 즉, 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물은 GaP일 수 있고, 상기 XIII-XV족의 제 2 화합물은 InP일 수 있으며, 상기 XII-XVI족의 제 3 화합물은 ZnS일 수 있다.
또한, 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물층은 상기 XII-XVI족의 제 3 화합물층에 의해 둘러싸이고, 상기 XIII-XV족의 제 2 화합물층은 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물층과 상기 XII-XVI족의 제 3 화합물층 사이에 위치할 수 있다.
즉, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 양자점은 종래 CdSe의 코어 대신에 InP 코어를 포함하여, 인체에 해로운 종래 양자점의 문제를 해결한다.
양자점의 합성
GaCl3 0.25mmol, Tris(trimethylsilyl) Phosphine 0.25mmol, 1-Octadecene 3mL를 혼합하여 Ga-P 핵(nucleus)을 제조하였다. (맑은 노란 용액에서 Ga-P 형성 후 흰 뿌연 용액으로 변화되었다.)
위 혼합물에 InR3 (R=Palmitic acid) 1mmol과 1-Octadecene 50mL를 250mL Flask에 넣은 후 300도씨 온도 조건에서 10분간 교반하고 Tris(trimethylsilyl) Phosphine 1mmol을 300도씨 온도 조건에서 주입하여 30분간 성장시켰다. 검은 빛의 용액이 된 후 1-Dodecanethiol 1mmol을 주입하고 1시간 동안 온도 조건에서 교반하였다.
혼합물을 상온으로 냉각 후 ZnR3 (R=Palmitic acid) 1mmol 주입하고 250도 온도 조건에서 2시간 교반하였다. 교반 완료 후, 상온으로 냉각시키고 1-Dodecanetiol 주입 후 2시간 동안 250도 온도 조건에서 교반하였다.
반응 완료 후 상온으로 혼합물을 냉각하고 Toluene과 Methanol을 이용하여 침전법으로 정제하여 양자점을 얻었다.
도 4a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 양자점의 PL 스펙트럼이고, 도 4b는 위 합성예를 통해 얻어진 양자점의 TEM 사진이며, 도 4c는 EDS 그래프이다.
도 4a에서와 같이, 본 발명의 양자점은 적색 파장의 가시광을 발광하며, 도 4c에서 보여지는 바와 같이, TEM Grid 내 전체 입자를 스캔하여 성분 분석한 결과 본 발명의 제 3 실시예에 따른 양자점은 Ga, In, P, Zn, S의 다섯 성분을 포함한다.
즉, 본 발명은, 카드뮴 없이 XIII과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII과 XVI족에서 선택되는 제 4 및 제 5 원소를 포함하며 적색 파장의 가시광을 발광하는 양자점을 제공한다.
도 4c의 STEM/EDS 성분 분석 데이터를 아래 표3에 기재하였다. (X-Max 80 TLE 이용, constant>1.5이면 원소 검출)
Figure pat00003
도 4a를 참조하면, PL 스펙트럼의 반치폭(full width at half maximum, FWHM)이 제 2 실시예의 양자점보다 감소하기는 하나, CdSe 양자점에 비하면 반치폭이 커서 색순도가 저하된다. 또한, 제 2 실시예의 양자점에 비해 반치폭이 감소하는 반면 양자효율이 감소하는 문제가 발생한다.
-제 4 실시예-
본 발명의 제 4 실시예에 따른 양자점은, XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소를 포함한다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 3 원소는 XIII-XV족의 제 1 화합물을 이루고, 상기 제 2 및 제 3 원소는 상기 제 1 화합물과는 다른 XIII-XV족의 제 2 화합물을 이루며, 상기 제 4 및 제 5 원소는 XII-XVI족의 제 3 화합물을 이루고, 상기 제 4 및 제 6 원소는 상기 제 3 화합물과는 다른 XII-XVI족의 제 4 화합물을 이룰 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 원소는 Ga이고, 상기 제 2 원소는 In이며, 상기 제 3 원소는 P이고, 상기 제 4 원소는 Zn이며, 상기 제 5 원소는 Se이고, 상기 제 6 원소는 S일 수 있다. 즉, 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물은 GaP일 수 있고, 상기 XIII-XV족의 제 2 화합물은 InP일 수 있으며, 상기 XII-XVI족의 제 3 화합물은 ZnSe일 수 있고, 상기 XII-XVI족의 제 4 화합물은 ZnS일 수 있다. 또한, 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물층은 상기 XII-XVI족의 제 4 화합물층에 의해 둘러싸이고, 상기 XIII-XV족의 제 2 화합물층은 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물층과 상기 XII-XVI족의 제 4 화합물층 사이에 위치하며, 상기 XII-XVI족의 제 3 화합물층은 상기 XIII-XV족의 제 2 화합물층과 상기 XII-XVI족의 제 4 화합물층 사이에 위치할 수 있다.
즉, 본 발명의 양자점을 설명하기 위한 예시적인 도면인 도 6을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 양자점(100)은, XIII-XV족의 제 1 화합물인 GaP로 이루어지는 씨드(seed, 제 1 내부, 110)와, 상기 씨드(110)를 감싸며 XIII-XV족의 제 2 화합물인 InP로 이루어지는 코어(core, 제 2 내부, 120)와, 상기 코어(120)를 감싸며 XII-XVI족의 제 3 화합물인 ZnSe로 이루어지는 제 1 쉘(shell, 제 1 외부, 130)과, 상기 제 1 쉘(130)을 감싸며 XII-XVI족의 제 4 화합물인 ZnS로 이루어지는 제 2 쉘(제 2 외부, 140)을 포함한다. 도시하지 않았으나, 상기 제 2 쉘(140)의 표면에는 유기 리간드(ligand)가 결합될 수 있다.
즉, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 양자점은 종래 CdSe의 코어 대신에 InP 코어를 포함하여, 인체에 해로운 종래 양자점의 문제를 해결한다. 또한, GaP 씨드의 표면으로부터 InP 코어가 성장하므로, In 원소와 P 원소의 주입량에 따라 InP 코어의 크기(직경)가 조절되어 색순도가 향상된다.
즉, 제 1 및 제 2 실시예에서와 같이 GaP 씨드 없이 InP 코어를 성장시키는 경우, InP 코어의 크기가 반응시간 및/또는 반응온도에 의존하기 때문에 균일한 크기의 InP를 얻을 수 없고 이에 따라 색순도가 저하된다. 그러나, 본 발명의 제 4 실시예에서는, GaP 씨드를 이용하여 InP 코어가 성장하기 때문에, 균일한 크기의 InP 코어를 얻을 수 있고 양자점의 색순도가 향상된다.
또한, ZnS와 ZnSe의 이중 쉘이 InP 코어를 감싸므로, 양자점의 발광 효율이 증가한다.
양자점의 합성
GaCl3 0.25mmol, Tris(trimethylsilyl) Phosphine 0.25mmol, 1-Octadecene 3mL를 혼합하여 Ga-P 핵(nucleus)을 제조하였다. (맑은 노란 용액에서 Ga-P 형성 후 흰 뿌연 용액으로 변화되었다.)
위 혼합물에 InR3 (R=Palmitic acid) 1mmol과 1-Octadecene 50mL를 250mL Flask에 넣은 후 300도씨 온도 조건에서 10분간 교반하고 Tris(trimethylsilyl) Phosphine 1mmol을 300도씨 온도 조건에서 주입하여 30분간 성장시켰다. 검은 빛의 용액이 된 후 1-Dodecanethiol 1mmol을 주입하고 1분 교반 후 Se-trioctylphosphine (Se-TOP) (0.1mmol)을 추가 주입하고 300도씨 온도 조건에서 교반하였다.
혼합물을 상온으로 냉각 후 ZnR3 (R=Palmitic acid) 1mmol 주입하고 250도 온도 조건에서 2시간 교반하였다. 교반 완료 후, 상온으로 냉각시키고 1-Dodecanetiol 주입 후 2시간 동안 250도 온도 조건에서 교반하였다.
반응 완료 후 상온으로 혼합물을 냉각하고 Toluene과 Methanol을 이용하여 침전법으로 정제하여 양자점을 얻었다.
도 5a는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 양자점의 PL 스펙트럼이고, 도 5b는 위 합성예를 통해 얻어진 양자점의 TEM 사진이며, 도 5c는 EDS 그래프이다.
도 5a에서와 같이, 본 발명의 양자점은 적색 파장의 가시광을 발광하며, 도 5c에서 보여지는 바와 같이, TEM Grid 내 전체 입자를 스캔하여 성분 분석한 결과 본 발명의 제 4 실시예에 따른 양자점은 Ga, In, P, Zn, S, Se의 여섯 성분을 포함한다.
즉, 본 발명은, 카드뮴 없이 XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소를 포함하며 적색 파장의 가시광을 발광하는 양자점을 제공한다.
다시 말해, 본 발명의 양자점은, 상기 제 1 내지 제 3 원소 중 적어도 두개 이상의 원소로 이루어지는 제 1 화합물과, 상기 제 1 내지 제 3 원소 중 적어도 두개 이상의 원소로 이루어지며 사익 제 1 화합물과 다른 제 2 화합물과, 상기 제 4 내지 제 6 원소 중 적어도 두 개 이상의 원소로 이루어진 제 3 화합물을 포함하며, 상기 제 4 내지 제 6 원소 중 적어도 두 개 이상의 원소로 이루어지고, 상기 제 3 화합물과 다른 제 4 화합물을 더 포함할 수 있다.
도 5c의 STEM/EDS 성분 분석 데이터를 아래 표4에 기재하였다. (X-Max 80 TLE 이용, constant>1.5이면 원소 검출)
Figure pat00004
도 5a를 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 양자점의 PL 스펙트럼 반치폭이 제 1 내지 제 3 실시예보다 증가하였다. 따라서, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 양자점은 카드뮴 없이 고색순도의 빛을 발광하게 된다.
또한, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 양자점은 높은 양자효율을 갖는다.
본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 양자점의 PL 스펙트럼 피크, 반치폭 및 양자효율(quantum yield, QY)을 아래 표5에 기재하였다.
Figure pat00005
표1에서 보여지는 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에서와 같이, XIII-XV족의 제 1 화합물과, 상기 제 1 화합물과는 다른 XIII-XV족의 제 2 화합물과, XII-XVI족의 제 3 화합물과, 상기 제 3 화합물과는 다른 XII-XVI족의 제 4 화합물을 포함하는 양자점은 좁은 반치폭을 가져 색순도가 향상되고 높은 양자효율을 가져 광 효율이 증가한다.
-제 5 실시예-
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 양자점 필름과 이를 포함하는 액정표시장치의 개략적인 단면도이고, 도 8은 도 7의 액정패널을 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 표시장치인 액정표시장치(200)는, 액정패널(210)과, 상기 액정패널(210) 하부에 위치하는 백라이트 유닛(260)과, 상기 액정패널(210)과 상기 백라이트 유닛(260) 사이에 위치하는 양자점 필름(270)을 포함한다.
도 8을 참조하면, 상기 액정패널(210)은, 서로 마주하는 제 1 및 제 2 기판(220, 250)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(220, 250) 사이에 개재되며 액정분자(262)를 포함하는 액정층(260)을 포함한다.
상기 제 1 기판(220) 상에는 게이트 전극(222)이 형성되고, 상기 게이트 전극(222)을 덮으며 게이트 절연막(224)이 형성된다. 또한, 상기 제 1 기판(220) 상에는 상기 게이트 전극(222)과 연결되는 게이트 배선(미도시)이 형성된다.
상기 게이트 절연막(224) 상에는 반도체층(226)이 상기 게이트 전극(222)에 대응하여 형성된다. 상기 반도체층(226)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 반도체층(226)은 비정질 실리콘으로 이루어지는 액티브층과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어지는 오믹 콘택층을 포함할 수 있다.
상기 반도체층(226) 상에는 서로 이격하는 소스 전극(230)과 드레인 전극(232)이 형성된다. 또한, 상기 소스 전극(230)과 연결되는 데이터 배선(미도시)이 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하며 형성된다.
상기 게이트 전극(222), 상기 반도체층(226), 상기 소스 전극(230) 및 상기 드레인 전극(232)은 박막트랜지스터(Tr)를 구성한다.
상기 박막트랜지스터(Tr) 상에는, 상기 드레인 전극(232)을 노출하는 드레인 콘택홀(236)을 갖는 보호층(234)이 형성된다.
상기 보호층(234) 상에는, 상기 드레인 콘택홀(236)을 통해 상기 드레인 전극(232)에 연결되는 화소 전극(240)과, 상기 화소 전극(240)과 교대로 배열되는 공통 전극(242)이 형성된다.
상기 제 2 기판(250) 상에는 상기 박막트랜지스터(Tr), 상기 게이트 배선, 상기 데이터 배선 등 비표시영역을 가리는 블랙매트릭스(254)가 형성된다. 또한, 화소영역에 대응하여 컬러필터층(256)이 형성된다.
상기 제 1 및 제 2 기판(220, 250)은 액정층(260)을 사이에 두고 합착되며, 상기 화소 전극(240)과 상기 공통 전극(242) 사이에서 발생되는 전계에 의해 상기 액정층(260)의 액정분자(262)가 구동된다.
도시하지 않았으나, 상기 액정층(260)과 접하여 상기 제 1 및 제 2 플렉서블 기판(212, 250) 각각의 상부에는 배향막이 형성될 수 있으며, 상기 제 1 및 제 2 플렉서블 기판(212, 250) 각각의 외측에는 서로 수직한 투과축을 갖는 편광판이 부착될 수 있다.
상기 백라이트 유닛(260)은 광원(미도시)을 포함하며 액정패널(210)로 빛을 공급한다.
상기 백라이트 유닛(260)은 광원의 위치에 따라 직하형(direct type)과 측면형(side type)으로 분류될 수 있고, 상기 광원은 형광 램프 또는 엘이디(light emitting diode, LED) 패키지일 수 있다.
상기 백라이트 유닛(260)이 직하형인 경우, 상기 백라이트 유닛은 상기 액정패널(210)의 하부를 감싸는 바텀 프레임(미도시)을 포함하고, 상기 광원은 상기 바텀 프레임의 수평면에 다수개가 배열될 수 있다.
한편, 상기 백라이트 유닛(260)이 측면형인 경우, 상기 백라이트 유닛은 상기 액정패널(210)의 하부를 감싸는 바텀 프레임(미도시)을 포함하고, 상기 바텀 프레임의 수평면에 도광판(light guide plate, 미도시)이 배치되며, 상기 광원은 상기 도광판의 적어도 일측에 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 광원이 엘이디 패키지인 경우, 상기 엘이디 패키지는 청색 엘이디 칩과 상기 엘이디 칩의 발광면을 덮고 녹색 형광체를 포함할 수 있다.
상기 양자점 필름(270)은, 상기 액정패널(210)과 상기 백라이트 유닛(260) 사이에 위치하며 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 양자점(272)을 포함하여 상기 백라이트 유닛(270)으로부터의 제공되는 빛의 색순도를 향상시킨다.
예를 들어, 상기 양자점 필름(270)은 에폭시 화합물 또는 아크릴레이트 화합물과 같은 바인더와, XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소를 포함하는 양자점(272)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 양자점(272)은 XIII-XV족의 제 1 화합물과, XIII-XV족의 제 2 화합물과, XII-XVI족의 제 3 화합물과, XII-XVI족의 제 4 화합물을 포함할 수 있다. 이때, 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물은 GaP일 수 있고, 상기 XIII-XV족의 제 2 화합물은 InP일 수 있으며, 상기 XII-XVI족의 제 3 화합물은 ZnSe일 수 있고, 상기 XII-XVI족의 제 4 화합물은 ZnS일 수 있다.
이와 달리, 상기 엘이디 패키지가 녹색 형광체 없이 청색 엘이디 칩을 포함하고, 상기 양자점 필름(270)은 상기 양자점(272)과 녹색 형광체(미도시) 또는 녹색 양자점(미도시)을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, XIII-XV족의 제 1 화합물과, XIII-XV족의 제 2 화합물과, XII-XVI족의 제 3 화합물과, XII-XVI족의 제 4 화합물을 포함하는 양자점(272)은, 높은 색순도와 양자효율을 갖기 때문에, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 액정표시장치(200)는 높은 색재현율과 고휘도의 영상을 제공할 수 있다.
-제 6 실시예-
도 9는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 엘이디 패키지를 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 엘이디 패키지(300)는, 케이스(330)와, 엘이디 칩(310)과, 상기 엘이디 칩(310)에 제 1 및 제 2 와이어(352, 354)를 통해 각각 연결되며 상기 케이스(330) 외부로 노출되는 제 1 및 제 2 전극리드(342, 344)와, 상기 엘이디 칩(310)을 덮는 봉지부(encapsulation part, 320)를 포함한다.
상기 케이스(330)는, 바디(332)와 상기 바디(332)의 상부면으로부터 돌출되어 반사면의 역할을 하는 측벽(334)을 포함하며, 상기 엘이디 칩(310)은 상기 바디(332) 상에 배치되어 상기 측벽(334)에 의해 둘러싸인다.
상기 엘이디 칩(310)은 청색 엘이디 칩이고, 상기 봉지부(320)는 적색을 발광하는 양자점(322)을 포함하여 고색순도의 광을 제공할 수 있다. 즉, 상기 봉지부(320)는 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 양자점(322)을 포함하며 이에 따라 엘이디 패키지(300)의 색순도가 향상된다.
예를 들어, 상기 양자점(322)은 XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소를 포함할 수 있다. 즉, 상기 양자점(322)은, XIII-XV족의 제 1 화합물과, XIII-XV족의 제 2 화합물과, XII-XVI족의 제 3 화합물과, XII-XVI족의 제 4 화합물을 포함할 수 있다. 이때, 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물은 GaP일 수 있고, 상기 XIII-XV족의 제 2 화합물은 InP일 수 있으며, 상기 XII-XVI족의 제 3 화합물은 ZnSe일 수 있고, 상기 XII-XVI족의 제 4 화합물은 ZnS일 수 있다.
한편, 상기 봉지부(320)에는 녹색 형광체(미도시) 또는 녹색 양자점(미도시)을 더 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, XIII-XV족의 제 1 화합물과, XIII-XV족의 제 2 화합물과, XII-XVI족의 제 3 화합물과, XII-XVI족의 제 4 화합물을 포함하는 양자점(322)은, 높은 색순도와 양자효율을 갖기 때문에, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 엘이디 패키지(300)는 고색순도의 광을 제공할 수 있다.
-제 7 실시예-
도 10은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 양자점 발광다이오드 표시장치를 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 7 실시예에 따른 양자점 발광다이오드 표시장치(400)는, 기판(110)과, 상기 기판(410) 상에 위치하는 구동 소자(Tr)와, 상기 구동 소자(Tr)에 연결되는 발광다이오드(D)를 포함한다.
상기 기판(410) 상에는 산화물 반도체 물질 또는 다결정 실리콘으로 이루어지는 반도체층(422)이 형성된다.
상기 반도체층(422)이 산화물 반도체 물질로 이루어질 경우, 상기 반도체층(422) 하부에는 차광패턴(도시하지 않음)이 형성될 수 있으며, 차광패턴은 반도체층(422)으로 빛이 입사되는 것을 방지하여 반도체층(422)이 빛에 의해 열화되는 것을 방지한다. 이와 달리, 반도체층(422)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 반도체층(422)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다.
반도체층(422) 상부에는 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(424)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(424)은 산화 실리콘 또는 질화 실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 절연막(424) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(430)이 반도체층(422)의 중앙에 대응하여 형성된다.
상기 게이트 전극(430) 상부에는 절연물질로 이루어진 층간 절연막(432)이 형성된다. 층간 절연막(432)은 산화 실리콘이나 질화 실리콘과 같은 무기 절연물질로 형성되거나, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토 아크릴(photo-acryl)과 같은 유기 절연물질로 형성될 수 있다.
상기 층간 절연막(432)은 상기 반도체층(422)의 양측을 노출하는 제 1 및 제 2 콘택홀(434, 436)을 갖는다. 제 1 및 제 2 콘택홀(434, 436)은 게이트 전극(430)의 양측에 게이트 전극(430)과 이격되어 위치한다.
상기 층간 절연막(432) 상에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어지는 소스 전극(440)과 드레인 전극(442)이 형성된다.
소스 전극(440)과 드레인 전극(442)은 상기 게이트 전극(430)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 상기 제 1 및 제 2 콘택홀(434, 436)을 통해 상기 반도체층(422)의 양측과 접촉한다.
상기 반도체층(422)과, 상기 게이트전극(430), 상기 소스 전극(440), 상기 드레인전극(442)은 구동 소자(Tr)인 박막트랜지스터를 이룬다.
상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 반도체층(422)의 상부에 상기 게이트 전극(430), 상기 소스 전극(440) 및 상기 드레인 전극(442)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.
이와 달리, 박막트랜지스터(Tr)는 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다.
도시하지 않았으나, 게이트 배선과 데이터 배선이 서로 교차하여 화소영역을 정의하며, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선에 연결되는 스위칭 소자가 더 형성된다. 상기 스위칭 소자는 구동 소자인 박막트랜지스터(Tr)에 연결된다.
또한, 파워 배선이 상기 게이트 배선 또는 상기 데이터 배선과 평행하게 이격되어 형성되며, 일 프레임(frame) 동안 구동소자인 박막트랜지스터(Tr)의 게이트전극의 전압을 일정하게 유지되도록 하기 위한 스토리지 캐패시터가 더 구성될 수 있다.
상기 박막트랜지스터(Tr)의 상기 드레인 전극(442)을 노출하는 드레인 콘택홀(452)을 갖는 보호층(450)이 상기 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 형성된다.
상기 보호층(450) 상에는 상기 드레인 콘택홀(452)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 상기 드레인 전극(442)에 연결되는 제 1 전극(460)이 각 화소 영역 별로 분리되어 형성된다. 상기 제 1 전극(460)은 애노드(anode)일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(460)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 양자점 발광다이오드 표시장치(400)이 상부 발광 방식(top-emission type)인 경우, 상기 제 1 전극(460) 하부에는 반사전극 또는 반사층이 더욱 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사전극 또는 상기 반사층은 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-paladium-copper: APC) 합금으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 보호층(450) 상에는 상기 제 1 전극(460)의 가장자리를 덮는 뱅크층(468)이 형성된다. 상기 뱅크층(468)은 상기 화소영역에 대응하여 상기 제 1 전극(460)의 중앙을 노출한다.
상기 제 1 전극(460) 상에는 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 양자점(464)을 포함하는 양자점 발광층(462)이 형성된다.
예를 들어, 상기 양자점 발광층(462)은 XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와, XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소를 포함하는 양자점(464)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 양자점(464)은, XIII-XV족의 제 1 화합물과, XIII-XV족의 제 2 화합물과, XII-XVI족의 제 3 화합물과, XII-XVI족의 제 4 화합물을 포함할 수 있다. 이때, 상기 XIII-XV족의 제 1 화합물은 GaP일 수 있고, 상기 XIII-XV족의 제 2 화합물은 InP일 수 있으며, 상기 XII-XVI족의 제 3 화합물은 ZnSe일 수 있고, 상기 XII-XVI족의 제 4 화합물은 ZnS일 수 있다.
한편, 발광 효율을 높이기 위해, 상기 제 1 전극(460)과 상기 양자점 발광층(462) 사이에 순차 적층되는 정공주입층(hole injection layer) 및 정공수송층(hole transporting layer)과 상기 양자점 발광층(462)과 상기 제 2 전극(466) 사이에 순차 적층되는 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)이 더 형성될 수 있다.
상기 양자점 발광층(462)이 형성된 상기 기판(410) 상부로 제 2 전극(466)이 형성된다. 상기 제 2 전극(466)은 표시영역의 전면에 위치하며 일함수 값이 비교적 작은 도전성 물질로 이루어져 캐소드(cathode)로 이용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 전극(466)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 전극(460), 상기 양자점(464)을 포함하는 상기 양자점 발광층(462) 및 상기 제 2 전극(466)은 발광다이오드(D)를 이룬다.
전술한 바와 같이, XIII-XV족의 제 1 화합물과, XIII-XV족의 제 2 화합물과, XII-XVI족의 제 3 화합물과, XII-XVI족의 제 4 화합물을 포함하는 양자점(464)은, 높은 색순도와 양자효율을 갖기 때문에, 본 발명의 제 7 실시예에 따른 양자점 발광다이오드 표시장치(400)는 높은 색재현율과 고휘도의 영상을 제공할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 272, 322, 464: 양자점
200: 액정표시장치 270: 양자점 필름
300: 엘이디 패키지 400: 양자점 발광다이오드 표시장치
462: 양자점 발광층

Claims (12)

  1. XIII족과 XV족에서 선택되는 제 1 내지 제 3 원소와;
    XII족과 XVI족에서 선택되는 제 4 내지 제 6 원소
    를 포함하는 양자점.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 원소는 상기 XIII족에서 선택되고, 상기 제 3 원소는 XV족에서 선택되며, 상기 제 4 및 제 5 원소는 상기 XII족에서 선택되고, 상기 제 6 원소는 상기 XVI족에서 선택되는 양자점.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 3 원소 중 적어도 두 개 이상의 원소로 이루어진 제 1 화합물과;
    상기 제 1 내지 제 3 원소 중 적어도 두 개 이상의 원소로 이루어지고, 상기 제 1 화합물과 다른 제 2 화합물; 및
    상기 제 4 내지 제 6 원소 중 적어도 두 개 이상의 원소로 이루어진 제 3 화합물을 포함하는 양자점.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 4 내지 제 6 원소 중 적어도 두 개 이상의 원소로 이루어지고, 상기 제 3 화합물과 다른 제 4 화합물을 더 포함하는 양자점.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 원소는 Ga이고, 상기 제 2 원소는 In이고, 상기 제 3 원소는 P이며, 상기 제 4 원소는 Zn이고, 상기 제 5 원소는 Se이며, 상기 제 6 원소는 S인 양자점.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 화합물은 제 1 내부에 위치하고, 상기 제 2 화합물은 상기 제 1 내부를 감싸는 제 2 내부에 위치하며, 상기 제 3 화합물은 상기 제 2 내부를 감싸는 제 1 외부에 위치하고, 상기 제 4 화합물은 상기 제 1 외부를 감싸는 제 2 외부에 위치하는 양자점.
  7. 바인더와;
    제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 양자점
    을 포함하는 양자점 필름.
  8. 액정 패널과;
    상기 액정 패널 하부에 위치하며 광원을 포함하는 백라이트 유닛과;
    상기 액정 패널과 상기 백라이트 유닛 사이에 위치하는 제 7 항의 양자점 필름
    을 포함하는 액정표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 광원은, 청색 엘이디 칩과 상기 청색 엘이디 칩을 덮고 녹색 형광체를 포함하는 봉지부를 포함하는 엘이디 패키지인 액정표시장치.
  10. 엘이디 칩과;
    상기 엘이디 칩을 덮고 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 양자점을 포함하는 봉지부
    를 포함하는 엘이디 패키지.
  11. 액정 패널과;
    상기 액정 패널 하부에 위치하며,
    제 10 항의 엘이디 패키지로 이루어진 광원을 갖는 백라이트 유닛을 포함하는 액정표시장치.
  12. 기판과;
    상기 기판 상에 위치하는 구동 소자와;
    상기 구동 소자에 연결되며, 서로 마주하는 제 1 및 제 2 전극과, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하며 제 1 항 내지 제 6 항의 양자점을 포함하는 양자점 발광층
    을 포함하는 양자점 발광다이오드 표시장치.
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