KR20170023327A - Equipment for inspecting photo mask - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 포토마스크 검사장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 진공 챔버(Vacuum Chamber)에 인입되기 전의 포토마스크의 오염 여부 또는 파티클의 유무 여부를 검사하는 포토마스크 검사장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photomask inspection apparatus, and more particularly, to a photomask inspection apparatus for checking whether a photomask is contaminated before it is introduced into a vacuum chamber or whether particles are present.
본 발명은 포토마스크 검사장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토마스크 공정 챔버로 인입되기전 포토마스크 상의 오염 여부 또는 파티클의 유무 여부를 검사하는 포토마스크 검사장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photomask inspection apparatus, and more particularly, to a photomask inspection apparatus for checking whether a photomask is contaminated or whether a particle is present before being introduced into a photomask process chamber.
또한, 본 발명의 진공챔버로 구성된 공정은 메인챔버 인입전 서브챔버에 오염 및 파티클을 검사장치에 관한 것이다. In addition, the process comprising the vacuum chamber of the present invention relates to an apparatus for inspecting contamination and particles in a sub-chamber before the main chamber is introduced.
반도체 제조 처리 라인에서, 입자는 고레벨에서 제거되면서 잔존하는 파티클의 수 및 크기가 항상 모니터링된다. 반도체 제조 처리 라인에서 각 공정 처리 시 포토마스크의 오염은 중대한 오류를 발생시킬 수 있다. In the semiconductor manufacturing processing line, the particles are removed at a high level and the number and size of remaining particles are always monitored. The contamination of the photomask in each processing process in the semiconductor manufacturing processing line can cause a serious error.
일반적으로 반도체 소자를 제조하는 공정에서 포토마스크에 형성된 패턴을 웨이퍼 상의 패턴으로 전사하는 공정을 리소그라피 공정이라고 한다. 리소그라피 공정을 수~수십회 반복하여 트랜지스터, 커패시터, 저항을 포함하는 반도체 소자가 제조된다.Generally, a process of transferring a pattern formed on a photomask to a pattern on a wafer in a process of manufacturing a semiconductor device is referred to as a lithography process. The lithography process is repeated several to several times to manufacture a semiconductor device including transistors, capacitors, and resistors.
리소그라피 공정을 수행하기 위해서 크롬(Cr) 또는 화합물(MoSi)과 같은 금속 물질을 이용하여 반투명 또는 불투명한 노광패턴이 형성된 레티클(reticle) 또는 포토마스크를 제조한다. 레티클이 준비된 후, 박막이 형성된 웨이퍼 상에는 감광물질을 포함하는 포토레지스트 필름이 형성되고, 레티클을 이용하여 포토레지스트 필름에는 광이 조사되어 포토레지스트 필름에 레티클의 노광 패턴이 전사되고, 현상액에 의하여 포토레지스트 필름을 현상함으로써 웨이퍼 상에는 포토레지스트 패턴이 형성된다. 이후, 포토레지스트 패턴에 이온 주입 등을 이용하여 불순물을 주입 또는 포토레지스트 패턴을 식각 하여 웨이퍼 상에 형성된 박막을 식각하여 패터닝한다.A reticle or photomask having a translucent or opaque exposure pattern is formed using a metal material such as chromium (Cr) or a compound (MoSi) to perform a lithography process. After the reticle is prepared, a photoresist film containing a photosensitive material is formed on the wafer on which the thin film is formed. Light is irradiated to the photoresist film using the reticle, and the exposed pattern of the reticle is transferred to the photoresist film. The resist film is developed to form a photoresist pattern on the wafer. Thereafter, impurities are implanted into the photoresist pattern by ion implantation or the like, or the photoresist pattern is etched to etch the thin film formed on the wafer and pattern it.
포토마스크 제조 시 투명도가 높은 사각의 석영(Qz)표면에 몰리(Mosi), 크롬(Cr) EBR(Electric Beam Resist)측으로 구성되며, 전자 빔을 이용하여, EBR표면에 패턴을 그리게 된다. Develop을 이용하여, 빔에 노출된 부분과 비노출 부분을 현상액을 통해, 패턴을 현상한다. 만일 포토마스크 표면에 이물 및 오염이 있다면, 이물 및 오염된 부분은 Beam이 조사되지 못해 , 패턴 현상을 해보변 패턴의 쇼트, 변형 등이 발생한다. 또한 반도체 칩의 고도화에 따른 패턴노광시간이 매우 오래 소요된다. 이때 이물 또는 오염원이 블랭크 마스크(Blank Mask: 패턴 노광전 깨끗한 마스크)에 존재한다면 큰 손실이 초래된다. 원자재가격 손실, 노광시간 손실, 개발기회손실 등 막대한 피해가 발생하는 문제점이 있다.It consists of a quartz (Qz) surface with a high degree of transparency when manufacturing photomasks, and a pattern on the EBR surface using an electron beam, which is composed of a molybdenum (Mosi) and chromium (Cr) EBR (Electric Beam Resist) side. Development is used to develop the pattern through the exposed and unexposed portions of the beam through the developer. If the photomask surface is contaminated with foreign matter or contamination, the foreign matter and the contaminated portion are not irradiated with the beam, and a pattern phenomenon is performed to cause a short or deformed side pattern. In addition, the pattern exposure time due to the advancement of the semiconductor chip is very long. At this time, if a foreign object or a contamination source is present in a blank mask (a clean mask before pattern exposure), a large loss is caused. There is a problem that massive damage such as loss of raw material price, loss of exposure time, loss of development opportunity occurs.
따라서 본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 공정챔버 입구에서 포토마스크의 파티클의 존재 여부를 감지하여 파티클이 존재하는 것으로 판단되면 포토마스크를 언로딩시킬 수 있는 포토마스크 검사장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a photomask inspection apparatus capable of detecting the presence of particles in a photomask at the entrance of a process chamber and unloading the photomask, The purpose is to provide.
또한, 본 발명은 진공챔버로 구성된 공정의 경우 포토 마스크가 메인챔버 인입 전 서브챔버에서 오염 및 이물질을 검사할 수 있도록 하는 포토마스크 검사창지를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a photomask inspection window for allowing a photomask to inspect contamination and foreign matter in a sub-chamber before the main chamber is introduced, in the case of a process including a vacuum chamber.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 포토마스크 검사장치는, 포토마스크를 이용하여 웨이퍼에 빔을 조사하여 패터닝을 수행하며 고진공 상태로 유지되는 메인챔버; 상기 포토마스크가 상기 메인챔버에 인입되기 전단에 구성되며 상기 포토마스크를 수용하고 상기 고진공챔버로 이동하기 위해 서브챔버 즉 대기압 압으로 배기 후 포토마스크 인입, 인입후 고진공챔버를 전달하기 위한 진공펌핑을 실시하여 설정된 진공도가 도달되며, 고진공 챔버로 이동된다. 진공 상태보다 낮은 진공상태를 유지하는 서브챔버; 및 상기 포토마스크가 상기 메인챔버로의 인입되기 전단에 구성되며 상기 포토마스크 상에 파티클이 존재하는 지의 여부 및 상기 파티클이 허용기준치를 초과하는 지의 여부를 검사하는 검사부;를 포함하여 구성된다. According to an aspect of the present invention, there is provided a photomask inspection apparatus comprising: a main chamber, which is patterned by irradiating a beam onto a wafer using a photomask and maintained in a high vacuum state; The photomask is placed before the photomask is introduced into the main chamber. The photomask is accommodated in the photomask, and the photomask is introduced into the sub-chamber, that is, the atmospheric pressure is applied to the high-vacuum chamber. And the set degree of vacuum is reached, and the vacuum chamber is moved to the high vacuum chamber. A sub-chamber maintaining a vacuum state lower than a vacuum state; And an inspection unit configured to detect whether or not the particles are present on the photomask and whether the particles exceed the allowable reference value.
상기 검사부는, 상기 서브챔버 내의 상부에 고정되어 구성될 수 있다. The inspection unit may be configured to be fixed to an upper portion of the sub-chamber.
상기 검사부는, 상기 포토마스크가 상기 서브챔버로 이송되기 전단에 구성되며 상기 이송부의 상부에 고정되어 구성될 수 있다.The inspection unit may be configured before the photomask is transferred to the sub-chamber, and may be configured to be fixed to the upper portion of the transfer unit.
상기 포토마스크 검사장치는, 상기 포토마스크가 상기 서브챔버로 인입되기 전단인 이송부의 상부에 고정하여 구성하고 상기 포토마스크를 액체 또는 기체 중 적어도 어느 하나를 분사하여 세척하는 세척부;를 더 포함하여 구성될 수 있다. The photomask inspection apparatus may further include a cleaning unit configured to fix the photomask on an upper portion of a transfer unit before the photomask is introduced into the sub chamber and to spray the photomask by spraying at least one of liquid and gas Lt; / RTI >
상기 세척부는, 상기 포토마스크가 상기 서브챔버로 인입되기 전단인 이송부의 상부에 고정하여 구성하고, 상기 검사부로부터 상기 서브챔버로 진행하는 방향에 배치될 수 있다. The cleaning unit may be configured to be fixed to an upper portion of a transfer unit, which is a front end before the photomask is introduced into the sub-chamber, and may be disposed in a direction from the inspection unit to the sub-chamber.
상기 세척부는, 상기 포토마스트가 상기 서브챔버 및 상기 검사부로 인입되기 전단인 이송부의 상부에 고정하여 구성될 수 있다. The cleaning unit may be configured to be fixed to an upper portion of the transfer unit, which is a front end before the photomast enters the sub-chamber and the inspection unit.
상기 검사부는, 브라이트필드 현미경 카메라 또는 다크필드 현미경 카메라 중 적어도 어느 하나를 이용하여 상기 포토마스크의 화상을 검출하고 검출된 화면으로부터 파티클의 존재 여부를 판별하도록 구성될 수 있다. The inspection unit may be configured to detect an image of the photomask using at least one of a bright field microscope camera and a dark field microscope camera and to determine whether or not the particle exists from the detected image.
전술한 구성을 가지는 본 발명의 포토마스크 검사장치는 포토마스크의 파티클의 존재 여부를 감지하여 파티클이 존재하는 것으로 판단되면 포토마스크를 언로딩시킬 수 있도록 하여 포토마스크로 인하여 발생하는 오류를 방지하는 효과가 있다. The apparatus for inspecting a photomask according to the present invention having the above-described structure detects the presence or absence of particles of a photomask and unloads the photomask if it is determined that particles exist, thereby preventing an error caused by the photomask .
또한, 본 발명의 포토마스크 검사장치는, 포토마스크의 파티클의 존재 여부를 감지하여 파티클이 존재하는 것으로 판단되면 포토마스크의 파티클을 제거하고 다시 서브챔버 및 메인챔버에 로딩시킬 수 있는 포토마스크 검사장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The photomask inspection apparatus of the present invention further includes a photomask inspection apparatus capable of removing particles of the photomask and loading the photomask into the sub-chamber and the main chamber when it is determined that particles exist in the photomask, And to provide the above-mentioned objects.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 진공 챔버의 파티클 모니터링 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도.
도 2은 본 발명의 다른 실시예에 따른 진공 챔버의 파티클 모니터링 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of a particle monitoring apparatus for a vacuum chamber according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a block diagram schematically showing the configuration of a particle monitoring apparatus for a vacuum chamber according to another embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 실시예를 나타내는 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 진공 챔버의 파티클 모니터링 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도이다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings showing embodiments of the present invention. FIG. 1 is a block diagram schematically showing the structure of a particle monitoring apparatus for a vacuum chamber according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
도 1을 참조하면, 본 발명의 포토마스크 검사장치(100)는 메인챔버(110), 서브챔버(120), 포토마스크 스테이지(130), 웨이퍼 스테이지(140), 고진공펌프(150), 저진공펌프(160) 및 제1 검사부(121)로 구성된다. 1, a photomask inspection apparatus 100 according to the present invention includes a
메인챔버(110)는 내부를 진공 상태로 만들기 위하여 2개의 펌프(130, 140)가 사용된다. 이를 위해 메인챔버(110)와 연통된 제1 가스관(152)이 연장되고 연장된 제1 가스관(152)의 단부에는 2개의 펌프 중 터보펌프(150)가 연결된다. 터보펌프(150)와 메인챔버(110) 간에도 개폐부(미도시됨)가 구성될 수 있다. 메인챔버(110)와 서브챔버(120) 간에는 제2 개폐수단(126)이 구성되어 있으며, 서브챔버(120)로부터 메인챔버(110)로 포토마스크(132)가 인입되는 경우 개방되고, 포토마스크(132)가 메인챔버(110)로의 인입이 완료되면 제2 개폐수단(126)은 폐쇄된다. 제2 개폐수단(126)이 폐쇄된 이후에 추가적으로 터보펌프(150)가 작동하여 메인챔버(110)의 진공상태를 높일 수 있다. 이와 같이 포토마스크(132)가 포토마스크 스테이지(130)에 고정되면, 빔을 웨이퍼(142)에 조사하여 패턴을 형성할 수 있다. 이때, 웨이퍼(142)는 웨이퍼 스테이지(140)에 고정된다. The
서브챔버(120)는 고진공 상태인 메인챔버(110) 전단에 구성되어 저진공 상태로 포토마스크(132)를 이송수단(122) 및 제1 개폐수단(124)를 통해 이송받아 수용한다. 서브챔버(120)는 메인챔버(110)에 포토마스크(132)를 수용하기 이전에 포토마스크(132)를 저진공 상태로 완충하여 수용할 수 있다. 즉, 고진공 상태인 메인챔버(110)로 인입되는 포토마스크(132)가 고진공에 의한 압력에 의해 강하게 흡입되어 흔들림 등에 의해 오차가 발생하는 것을 방지한다. 즉, 이송수단(122)에 의해 이송된 포토마스크(132)는 제1 개폐수단(124)이 개방되면, 서브챔버(120)로 인입되고 다시 제1 개폐수단(124)이 폐쇄되면 추가적으로 저진공 상태로 만들기 위하여 저진공펌프(160)가 작동하여 서브챔버(120) 내부를 원하는 저진공 상태로 만든다. 서브챔버(120)가 저진공 상태가 되면, 서브챔버(120)의 상부에 부착되어 구성된 제1 검사부(121)에 의해 포토마스크(130)에 파티클이 존재하는 지의 또느 존재하는 경우 허용기준치를 초과하였는 지의 여부가 검사한다. 제1 검사부(121)의 검사 결과 파티클이 허용치 이내로 검출되거나, 검출되지 않은 경우에는 제2 개폐수단(126)을 개방하여 포토마스크(132)를 메인챔버(110)로 인입시켜 포토마스크 스테이지(130)에 고정시키고 제2 개폐수단(126)을 폐쇄시킬 수 있다. 폐쇄된 이후에는 전술한 바와 같이 터보펌프(150)가 추가적으로 작동하여 메인챔버(110) 내부를 고진공 상태로 유지시킬 수 있다. The
터포펌프(150)는 메인챔버(110) 내부를 고진공 상태로 유지하기 위하여 제1 가스관(152)을 통하여 메인챔버(110)와 연결된다. 터보펌프(150)는 설정된 고진공 상태를 유지하기 위하여 메인챔버(110) 내부의 분위기를 제1 가스관(152)을 통해 흡입하여 고진공상태로 유지한다. The
서브챔버(120)는 내부를 진공 상태로 만들기 위하여 단부에 2개의 펌프(130, 140) 중 저진공펌프(160)가 연결되어 사용된다. 이를 위해 서브챔버(120)와 연통된 제2 가스관(162)이 연장되고 연장된 제2 가스관(162)의 단부에는 저진공펌프(160)가 연결된다. 저진공펌프(160)와 서브챔버(120) 간에도 개폐부(미도시됨)가 구성될 수 있다. The
저진공펌프(160)는 서브챔버(120) 내부를 고진공 상태보다 낮은 상태로 유지하기 위하여 제2 가스관(162)을 통하여 서브챔버(120)와 연결된다. 저진공펌프(160)는 설정된 저진공 상태를 유지하기 위하여 서브챔버(120) 내부의 분위기를 제2 가스관(162)을 통해 흡입하여 저진공상태로 유지한다. The
제1 검사부(121)는 서브챔버(120)의 상부에 부착되어 구성된다. 제1 검사부(121)는 광학현미경 카메라를 사용하고 이를 이용하여 포토마스크(132) 또는 포토마스크를 수용하는 파드(pod)의 화상을 획득하여 획득한 화상에서 파티클의 검출 여부 또는 검출된 파티클이 허용기준치를 초과하였는 지의 여부를 확인한다. 제1 검사부(121)에 사용되는 광학현미경 카메라는 브라이트필드 현미경 카메라가 사용될 수 있다. 이때, 브라이트필드 현미경 카메라로 포토마스크(132)를 촬상하는 경우 투명한 파티클의 경우에는 브라이트필드 현미경 카메라로 촬상되지 않을 수 있으므로, 다크필드 현미경 카메라를 함께 사용한다. 즉, 브라이트필드 현미경 카메라로 획득한 파트클의 개수에 다크필드 현미경 카메라로 획득한 파티클의 개수를 합산하여 파티클을 검출할 수 있다. 또는 브라이트필드 현미경 카메라 또는 다크필드 현미경 카메라를 각각 개별적으로 사용하여 파티클을 검출할 수 있다. The
제1 검사부(121)를 통해 검사된 포토마스크(132)에 파티클이 검출되거나 또는 파티클이 허용기준치를 초과하여 검출된 경우에는 제1 개폐수단(124)를 개방하고 포토마스크(132)를 이송부(122)로 이송시킨다. 이송된 포토마스크(132)를 이송수단(122)의 상단에 배치된 세척부(125)를 이용하여 세척한다. 세척부(125)는 불활성 기체를 고속분사하거나 또는 액체, 특히 증류수를 고속분사하여 파티클을 제거하도록 구성한다. 세척부(125)에 의해 세척이 완료된 이후 포토마스크(132)를 제1 개폐수단(124)를 개방하고 이송수단(122)을 통해 서브챔버(120)로 이송시킨다. 제1 검사부(121)는 포토마스크(132)를 검사하여 파티클이 검출되거나 파티클이 허용기준치를 초과하는 경우에는 앞서 개시한 세척부(125)를 통한 세척과정을 거치고, 파티클이 검출되지 않거나 파티클이 허용기준치 이내로 검출되는 경우에는 포토마스크(132)를 제2 개폐수단(126)을 개방하여 메인챔버(110)로 이송시킨다. 이송된 포토마스크(132)를 포토마스크 스테이지(130)에 고정시키고 제2 개폐수단(126)을 폐쇄시킬 수 있다. 폐쇄된 이후에는 전술한 바와 같이 터보펌프(150)가 추가적으로 작동하여 메인챔버(110) 내부를 고진공 상태로 유지시킬 수 있다. When the particles are detected in the
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 진공 챔버의 파티클 모니터링 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도이다. 도 2를 참조하면, 제2 검사부(123)가 이송수단(122)의 상부에 배치되어 이송 중에 제2 검사부(123)의 하부에 일시적으로 정지한 포토마스크(132)에 파티클이 검출되었는 지의 여부를 확인한다. 확인한 결과 파티클이 검출되거나 파티클이 허용기준치를 초과하는 경우에는 포토마스크(132)를 제2 검사부(123)의 다음 단에 설치된 세척부(125)로 이송시켜 기체 또는 액체, 특히 증류수에 의한 세척과정을 거치고, 제1 개폐수단(124)를 개방시켜 포토마스크(132)를 서브챔버(120)로 이송시킨다. 이후에 서브챔버(120)에 배치된 포토마스크(132)를 메인챔버(110)로 이송하는 과정은 도 1의 설명과 유사하며, 그 장치들의 동작도 유사하므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. 2 is a block diagram schematically showing the configuration of a particle monitoring apparatus for a vacuum chamber according to another embodiment of the present invention. 2, the
도 2의 도면에서는 세척부(125)와 제2 검사부(123)가 이송부(122)의 상부에 고정되어 구성하였으며 세척부(125)가 제2 검사부(123)의 다음 단, 즉, 세척부(125)가 제2 검사부(123)와 서브챔버(120) 사이에 연결된 것으로 도시하였으나, 신뢰성을 높이기 위하여 세척부(125)를 제2 검사부(123)의 전단에 구성할 수도 있다. 즉, 세척부(125)와 제2 검사부(123)를 이송부(122)의 상부에 고정되어 구성하되, 세척부(125)와 서브챔버(120) 사이에 제2 검사부(123)를 배치하여 제2 검사부(123)를 통해 파티클이 검출되거나 파티클이 허용기준치를 초과하는 경우에는 포토마스크(132)를 다시 세척부(125)로 이송시켜 반복적으로 포토마스크(132)를 세척하도록 구성할 수 있다. 2, the
상기 본 발명의 내용은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. will be. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
100, 101 : 포토마스크 검사장치
110 : 메인챔버
120 : 서브챔버
121 : 제1 검사부
122 : 이송수단
123 : 제2 검사부
124 : 제1 개폐수단
125 : 세척부
126 : 제2 개폐수단
130 : 포토마스크 스테이지
132 : 포토마스크
140 : 웨이퍼 스테이지
142 : 웨이퍼
150 : 고진공펌프
152 : 제1 가스관
160 : 저진공펌프
162 : 제2 가스관100, 101: Photomask inspection apparatus 110: Main chamber
120: Sub chamber 121: First inspection section
122: conveying means 123: second inspection section
124: first opening and closing means 125:
126: second opening and closing means 130: photomask stage
132: Photomask 140: Wafer stage
142: wafer 150: high vacuum pump
152: first gas pipe 160: low vacuum pump
162: second gas pipe
Claims (7)
상기 포토마스크가 상기 메인챔버에 인입되기 전단에 구성되며 상기 포토마스크를 수용하고 상기 고진공 상태보다 낮은 진공상태를 유지하는 서브챔버; 및
상기 포토마스크가 상기 메인챔버로의 인입되기 전단에 구성되며 상기 포토마스크 상에 파티클이 존재하는 지의 여부 및 상기 파티클이 허용기준치를 초과하는 지의 여부를 검사하는 검사부;를 포함하는 포토마스크 검사장치.
A main chamber in which a pattern is formed by irradiating a beam onto a wafer using a photomask and maintained in a high vacuum state;
A sub-chamber disposed upstream of the photomask into the main chamber, the sub-chamber receiving the photomask and maintaining a vacuum state lower than the high vacuum state; And
And an inspection unit configured to detect the presence or absence of particles on the photomask and whether the particles exceed the allowable reference value.
상기 서브챔버 내의 상부에 고정되어 구성되는 것인 포토마스크 검사장치.
The apparatus according to claim 1,
And is fixed to an upper portion of the sub-chamber.
상기 포토마스크가 상기 서브챔버로 이송되기 전단에 구성되며 상기 이송부의 상부에 고정되어 구성되는 것인 포토마스크 검사장치.
The apparatus according to claim 1,
Wherein the photomask is configured before the transfer of the photomask to the sub-chamber and is fixed to the upper portion of the transfer unit.
상기 포토마스크가 상기 서브챔버로 인입되기 전단인 이송부의 상부에 고정하여 구성하고 상기 포토마스크를 액체 또는 기체 중 적어도 어느 하나를 분사하여 세척하는 세척부;를 더 포함하는 것인 포토마스크 검사장치.
The photomask inspection apparatus according to claim 1,
And a cleaning unit configured to fix the photomask on an upper portion of a transfer unit which is a front end before the photomask is introduced into the sub-chamber, and to spray the photomask by spraying at least one of liquid or gas.
상기 포토마스크가 상기 서브챔버로 인입되기 전단인 이송부의 상부에 고정하여 구성하고, 상기 검사부로부터 상기 서브챔버로 진행하는 방향에 배치된 포토마스크 검사장치.
The washing machine according to claim 1,
Wherein the photomask is fixed to an upper portion of a transfer unit which is a front end before the photomask is introduced into the sub-chamber, and the photomask inspection apparatus is disposed in a direction from the inspection unit to the sub-chamber.
상기 포토마스트가 상기 서브챔버 및 상기 검사부로 인입되기 전단인 이송부의 상부에 고정하여 구성하는 것인 포토마스크 검사장치.
The washing machine according to claim 1,
Wherein the photomask is fixed to an upper portion of a transfer portion which is a front end before the photomast is drawn into the sub-chamber and the inspection portion.
브라이트필드 현미경 카메라 또는 다크필드 현미경 카메라 중 적어도 어느 하나를 이용하여 상기 포토마스크의 화상을 검출하고 검출된 화면으로부터 파티클의 존재 여부를 판별하도록 하는 것인 포토마스크 검사장치.The apparatus according to claim 1,
Wherein at least one of a bright field microscope camera and a dark field microscope camera is used to detect an image of the photomask and to determine whether or not the particle is present from the detected image.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150117672A KR20170023327A (en) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | Equipment for inspecting photo mask |
JP2015233409A JP2016180976A (en) | 2015-03-24 | 2015-11-30 | Photomask inspection apparatus and inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020150117672A KR20170023327A (en) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | Equipment for inspecting photo mask |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR20170023327A true KR20170023327A (en) | 2017-03-03 |
Family
ID=58410708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150117672A KR20170023327A (en) | 2015-03-24 | 2015-08-21 | Equipment for inspecting photo mask |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR20170023327A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190079199A (en) | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 인베니아 주식회사 | Apparatus for supporting mask and method of aligning mask using the same |
KR20190079200A (en) | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 인베니아 주식회사 | Apparatus for processing mask and method of processing mask using the same |
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KR102356127B1 (en) | 2021-04-08 | 2022-02-08 | 안혜지 | Manufacturing method of non-slip coated socks having elasticity and socks manufactured by the method |
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