KR20170022866A - Method for inspecting scribe line - Google Patents

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KR20170022866A
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히로시 소야마
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미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention provides a method for inspecting a scribe line to determine whether a crack line has been generated appropriately. On a first side (SF1) of a brittle substrate (4), a scribe line (SL) having a trench line (TL) extended in an extension direction in one location on the first side (SF1) is formed. Incident light (LI) of laser from the outside of the brittle substrate (4) is emitted immediately under the one location of the first side (SF1) of the brittle substrate (4) through the first side (SF1). An optical axis direction of the incident light (LI) has an inclination element in the direction perpendicular to the extension direction on the first side (SF1) with respect to the direction, as a reference, perpendicular to the first side (SF1). Reflected light (LR) directed to a second side (SF2) is generated as a crack line (CL) reflects the incident light (LI). As the reflected light (LR) is reflected, outgoing light (LO) directed to the outside of the brittle substrate (4) from the second side (SF2) through the first side (SF1) is generated.

Description

스크라이브 라인의 검사방법{METHOD FOR INSPECTING SCRIBE LINE}[0001] METHOD FOR INSPECTING SCRIBE LINE [0002]

본 발명은 취성 기판 상에 형성된 스크라이브 라인의 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of inspecting a scribe line formed on a brittle substrate.

플랫 디스플레이 패널 또는 태양 전지 패널 등의 전기 기기의 제조에 있어서, 유리 기판 등의 취성 기판을 분단시키는 것이 자주 필요해진다. 우선 기판 상에 스크라이브 라인이 형성되고, 다음에 이 스크라이브 라인을 따라서 기판이 분단된다. 스크라이브 라인은, 커팅 기구를 이용해서 기판을 기계적으로 가공함으로써 형성될 수 있다. 커팅 기구가 기판 위를 슬라이딩 또는 전동(轉動)함으로써 기판 상에 소성변형에 의한 트렌치(trench)가 형성됨과 동시에, 이 트렌치의 바로 아래에는 수직 크랙이 형성된다. 그 후, 브레이크 공정이라고 불리는 응력부여가 이루어진다. 브레이크 공정에 의해 크랙을 두께 방향으로 완전히 진행시킴으로써, 기판이 분단된다.In the production of electric devices such as a flat display panel or a solar cell panel, it is often necessary to separate a brittle substrate such as a glass substrate. First, a scribe line is formed on the substrate, and then the substrate is divided along the scribe line. The scribe line can be formed by mechanically processing the substrate using a cutting mechanism. A trench due to plastic deformation is formed on the substrate by sliding or rolling the cutting mechanism over the substrate and a vertical crack is formed immediately below the trench. Thereafter, a stress application called a braking process is performed. By fully advancing the crack in the thickness direction by the breaking process, the substrate is divided.

기판이 분단되는 공정은, 기판에 스크라이브 라인을 형성하는 공정의 직후에 행해지는 일이 많다. 그러나, 스크라이브 라인을 형성하는 공정과 브레이크 공정 사이에 있어서 기판을 가공하는 공정을 행하는 것도 제안되어 있다. 기판을 가공하는 공정이란, 예를 들면, 기판 상에 어떠한 부재를 형성하는 공정이다.The step of dividing the substrate is often performed immediately after the step of forming the scribe line on the substrate. However, it has also been proposed to perform a step of processing the substrate between the step of forming the scribe line and the step of breaking. The step of processing the substrate is, for example, a step of forming any member on the substrate.

예를 들어, 국제공개 제2002/104078호의 기술에 따르면, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법에 있어서, 밀봉캡을 장착하기 전에 각 유기 EL 디스플레이가 되는 영역마다 유리 기판 상에 스크라이브 라인이 형성된다. 이 때문에, 밀봉캡을 설치한 후에 유리 기판 상에 스크라이브 라인을 형성했을 때에 문제가 될 수 있는, 밀봉캡과 유리 커터의 접촉을 회피할 수 있다.For example, according to the technique of International Publication No. 2002/104078, in the method of manufacturing an organic EL display, a scribe line is formed on a glass substrate for each region to be an organic EL display before mounting the sealing cap. Therefore, it is possible to avoid the contact between the sealing cap and the glass cutter, which may become a problem when the scribe line is formed on the glass substrate after the sealing cap is provided.

또, 예를 들어, 국제공개 제2003/006391호의 기술에 따르면, 액정표시패널의 제조 방법에 있어서, 2개의 유리 기판이, 스크라이브 라인이 형성된 후에 접합될 수 있다. 이것에 의해 1회의 브레이크 공정으로 2매의 취성 기판을 동시에 브레이크시킬 수 있다.Further, for example, according to the technique of International Publication No. 2003/006391, in the method of manufacturing a liquid crystal display panel, two glass substrates can be bonded after the scribe lines are formed. As a result, two brittle substrates can be simultaneously braked by one braking process.

WOWO 20021040782002104078 AA WOWO 20030063912003006391 AA

상기 종래의 기술에 따르면, 취성 기판에의 가공이 스크라이브 라인의 형성후에 행해지고, 그 후 응력부여에 의해 브레이크 공정이 행해진다. 이것은, 취성 기판에의 가공 시 수직 크랙이 이미 존재하는 것을 의미한다. 이 수직 크랙의 두께 방향에 있어서의 더 한층의 진전이 가공 중에 의도치 않게 발생함으로써, 가공 중에는 일체이어야 할 취성 기판이 분리되어 버릴 수 있었다. 또한, 스크라이브 라인의 형성 공정과 기판의 브레이크 공정 사이에 기판의 가공 공정이 행해지지 않을 경우에 있어서도, 통상, 스크라이브 라인의 형성 공정 후 또한 기판의 브레이크 공정 전에 기판의 반송 또는 보관이 필요해지고, 그때에 기판이 의도치 않게 분단되어 버릴 수 있었다.According to the above conventional technique, the brittle substrate is processed after the formation of the scribe line, and then the braking process is performed by applying the stress. This means that a vertical crack already exists in the processing on the brittle substrate. Further progress in the thickness direction of the vertical cracks occurred unintentionally during processing, so that the brittle substrate, which should be a single piece, could be separated during processing. In addition, even when the substrate processing step is not performed between the scribing line forming step and the substrate breaking step, it is usually necessary to transport or store substrates after the scribing line forming step and before the breaking step of the substrate, The substrate may be unintentionally divided.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명자들은 독자적인 분단 기술을 개발해왔다. 이 기술에 따르면, 취성 기판이 분단되는 위치를 규정하는 라인으로서, 우선, 그 바로 아래에 크랙을 지니지 않는 트렌치 라인이 형성된다. 트렌치 라인이 형성됨으로써, 취성 기판이 분단되게 되는 위치가 규정된다. 그 후, 트렌치 라인의 바로 아래에 크랙이 존재하지 않고 있는 상태(이하, 「크랙 없는 상태」라고도 칭함)가 유지되어 있으면, 트렌치 라인을 따른 분단이 용이하게는 일어나기 어렵다. 이 상태를 이용함으로써, 취성 기판이 분단되게 되는 위치를 미리 규정하면서도, 분단되어야 할 시점보다 전에 취성 기판이 의도치 않게 분단되는 것을 방지할 수 있다. 그러나, 크랙 없는 상태가 유지된 후에 크랙 라인이 형성될 경우에는, 크랙 라인의 형성 불량이 비교적 생기기 쉬웠다. 이 때문에 크랙 라인의 형성 불량의 유무를 용이하게 판별하는 방법이 요구되었다.In order to solve the above problems, the inventors of the present invention have developed unique separation techniques. According to this technique, as a line defining the position where the brittle substrate is divided, first, a trench line having no crack is formed immediately below the line. By forming the trench line, the position at which the brittle substrate is divided is defined. Thereafter, when a state in which no crack is present immediately below the trench line (hereinafter also referred to as a " crack-free state ") is maintained, division along the trench line is difficult to occur easily. By using this state, it is possible to prevent the brittle substrate from being unintentionally divided before the time when the brittle substrate should be divided, while stipulating in advance the position where the brittle substrate is divided. However, when a crack line is formed after the crack-free state is maintained, defective formation of a crack line is relatively easy to occur. Therefore, there has been a demand for a method for easily identifying the presence or absence of defective formation of crack lines.

또, 크랙 없는 상태를 수반하지 않는 통상의 방법에 의해서 스크라이브 라인이 형성될 경우에 있어서도, 크랙 라인의 형성 불량의 유무를 용이하게 판별하는 방법이 요구될 수 있었다. 예를 들면, 스크라이브 라인이 커팅 기구의 전동에 의해 형성될 경우, 크랙 라인의 깊이 방향에 있어서의 성장의 수직성이 교란되기 쉽다. 그 결과, 크랙 라인을 따른 브레이크 공정에 지장이 생길 수 있었다.In addition, even when a scribe line is formed by a conventional method not involving a crack-free state, a method of easily discriminating the presence or absence of defective formation of a crack line can be demanded. For example, when the scribe line is formed by rolling the cutting mechanism, the perpendicularity of the growth in the depth direction of the crack line is likely to be disturbed. As a result, the brake process along the crack line could be hindered.

본 발명은 이상과 같은 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 크랙 라인이 적절하게 형성되어 있는지의 여부를 판별할 수 있는, 스크라이브 라인의 검사방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a scribe line inspection method capable of discriminating whether or not a crack line is appropriately formed.

본 발명의 스크라이브 라인의 검사방법은, 트렌치 라인과, 트렌치 라인의 바로 아래에서 트렌치 라인을 따라서 연장되는 크랙 라인을 구비하는 스크라이브 라인의 검사방법으로서, 다음 공정을 포함한다. 제1 면과, 제1 면과는 반대인 제2 면을 가진 취성 기판이 준비된다. 제1 면 상에는 제1 면 위의 하나의 위치에 있어서 연장 방향으로 연장되는 트렌치 라인을 구비하는 스크라이브 라인이 형성되어 있다. 취성 기판의 외부로부터 제1 면을 경유해서 취성 기판의 제1 면의 하나의 위치의 바로 아래에 레이저에 의한 입사광이 조사된다. 입사광의 광축방향은, 제1 면에 수직인 방향을 기준으로 해서, 제1 면 위에 있어서 연장 방향에 수직인 방향으로의 경사 성분을 지닌다. 크랙 라인이 입사광을 반사함으로써, 제2 면을 향하는 반사광이 생긴다. 반사광을 반사함으로써, 제2 면으로부터 제1 면을 경유해서 취성 기판의 외부로 향하는 출사광이 발생된다. 출사광의 강도가 측정된다.An inspection method of a scribe line of the present invention is a method of inspecting a scribe line having a trench line and a crack line extending along a trench line immediately below the trench line. A brittle substrate having a first side and a second side opposite to the first side is prepared. A scribe line having a trench line extending in the extending direction at one position on the first surface is formed on the first surface. Incident light from the laser is irradiated from the outside of the brittle substrate through the first surface and just below one position of the first surface of the brittle substrate. The direction of the optical axis of the incident light has a tilt component in a direction perpendicular to the extending direction on the first surface with reference to a direction perpendicular to the first surface. The crack line reflects incident light, so that reflected light toward the second surface is generated. By reflecting the reflected light, emitted light directed from the second surface to the outside of the brittle substrate via the first surface is generated. The intensity of the outgoing light is measured.

본 발명에 따르면, 출사광의 강도는, 크랙 라인이 적절하게 형성되어 있는지의 여부에 의존한다. 따라서, 출사광의 강도를 측정함으로써, 크랙 라인이 적절하게 형성되어 있는지의 여부를 판별할 수 있다.According to the present invention, the intensity of the outgoing light depends on whether or not the crack line is appropriately formed. Therefore, by measuring the intensity of the outgoing light, it is possible to judge whether or not a crack line is properly formed.

도 1은 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 스크라이브 라인의 검사방법의 구성을 개략적으로 나타낸 순서도;
도 2는 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 스크라이브 라인의 검사방법의 일 공정을 개략적으로 나타낸 평면도;
도 3은 정상인 크랙 라인을 구비하는 스크라이브 라인의 구성을 개략적으로 나타낸 부분 단면도;
도 4는 수직성이 교란된 크랙 라인을 구비하는 스크라이브 라인의 구성을 개략적으로 나타낸 부분 단면도;
도 5는 크랙 라인을 결여하는 스크라이브 라인의 구성을 개략적으로 나타낸 부분 단면도;
도 6은 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 스크라이브 라인의 검사방법에 이용되는 검사 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도;
도 7은 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 스크라이브 라인의 검사방법의 일 공정을 개략적으로 나타낸 단면도;
도 8은 도 7의 공정을 개략적으로 나타낸 평면도;
도 9는 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 스크라이브 라인의 검사방법의 일 공정을 개략적으로 나타낸 단면도;
도 10은 도 9의 공정을 개략적으로 나타낸 평면도;
도 11은 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 스크라이브 라인의 검사방법이 정상인 스크라이브 라인에 대하여 행해진 경우의, 광의 진행을 개략적으로 나타낸 부분 단면도;
도 12는 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 스크라이브 라인의 검사방법이, 수직성이 교란된 크랙 라인을 구비하는 스크라이브 라인에 대하여 행해진 경우의, 광의 진행을 개략적으로 나타낸 부분 단면도;
도 13은 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 스크라이브 라인의 검사방법이, 크랙 라인을 결여하는 스크라이브 라인에 대하여 행해진 경우의, 광의 진행을 개략적으로 나타낸 부분 단면도;
도 14는 본 발명의 실시형태 2에 있어서의 스크라이브 라인의 형성 방법의 구성을 개략적으로 나타낸 순서도;
도 15는 본 발명의 실시형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 이용되는 기구의 구성을 개략적으로 나타낸 측면도;
도 16은 도 15의 화살표(XVI)의 시점에서의 개략 평면도;
도 17은 본 발명의 실시형태 2에 있어서의 트렌치 라인의 형성 공정을 개략적으로 나타낸 평면도;
도 18은 본 발명의 실시형태 2에 있어서의 크랙 라인의 형성 공정을 개략적으로 나타낸 평면도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a flowchart schematically showing a configuration of a scribing line inspection method according to Embodiment 1 of the present invention; FIG.
2 is a plan view schematically showing one step of a scribing line inspection method according to Embodiment 1 of the present invention;
FIG. 3 is a partial cross-sectional view schematically showing a configuration of a scribe line having a normal crack line; FIG.
4 is a partial cross-sectional view schematically showing the configuration of a scribe line having a crack line with disturbed verticality;
5 is a partial cross-sectional view schematically showing a structure of a scribe line lacking a crack line;
6 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of an inspection apparatus used in a scribe line inspection method according to Embodiment 1 of the present invention;
7 is a cross-sectional view schematically showing a step of a scribing line inspection method according to Embodiment 1 of the present invention;
Figure 8 is a plan view schematically illustrating the process of Figure 7;
9 is a cross-sectional view schematically showing a step of a scribing line inspection method according to Embodiment 1 of the present invention;
FIG. 10 is a plan view schematically showing the process of FIG. 9; FIG.
11 is a partial cross-sectional view schematically showing progress of light when a scribe line inspection method according to Embodiment 1 of the present invention is performed on a normal scribe line;
12 is a partial cross-sectional view schematically showing progress of light when a scribe line inspection method according to Embodiment 1 of the present invention is performed on a scribe line having a crack line with disturbed verticality;
13 is a partial sectional view schematically showing progress of light when a scribe line inspection method according to Embodiment 1 of the present invention is performed on a scribe line lacking a crack line;
14 is a flowchart schematically showing a configuration of a scribing line forming method according to Embodiment 2 of the present invention;
15 is a side view schematically showing the structure of a mechanism used in the method of dividing a brittle substrate according to Embodiment 2 of the present invention;
FIG. 16 is a schematic plan view at the time of the arrow XVI in FIG. 15; FIG.
17 is a plan view schematically showing a step of forming a trench line in Embodiment 2 of the present invention;
18 is a plan view schematically showing a step of forming a crack line in Embodiment 2 of the present invention.

이하, 도면에 의거해서 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 또, 이하의 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에는 동일한 참조 번호를 붙이고 그 설명은 반복하지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof is not repeated.

(실시형태 1)(Embodiment 1)

본 실시형태에 있어서는, 크랙 없는 상태를 수반하지 않는 통상의 방법에 의해 스크라이브 라인이 형성될 경우에 대해서 설명한다.In the present embodiment, a case where a scribe line is formed by a conventional method not accompanied by a crack free state will be described.

도 1은, 본 실시형태에 있어서의 스크라이브 라인의 검사방법의 구성을 개략적으로 나타낸 순서도이다. 이하, 도 1을 참조하면서, 스크라이브 라인의 검사방법에 대해서 설명한다.1 is a flowchart schematically showing a configuration of a scribe line inspection method in the present embodiment. Hereinafter, a method of inspecting a scribe line will be described with reference to Fig.

도 2 및 도 3을 참조하면, 우선, 평탄한 상부면(SF1)(제1 면)과, 평탄한 하부면(SF2)(제1 면과는 반대인 제2 면)을 가진 유리 기판(4)(취성 기판)이 준비된다(도 1: 단계 S10). 상부면(SF1) 상에는 스크라이브 라인(SL)이 형성되어 있다.2 and 3, a glass substrate 4 (first surface) having a flat upper surface SF1 (first surface) and a flat lower surface SF2 (a second surface opposite to the first surface) Brittle substrate) is prepared (Fig. 1: step S10). A scribe line SL is formed on the upper surface SF1.

스크라이브 라인(SL)은, 트렌치 라인(TL)과, 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에서 트렌치 라인(TL)을 따라서 연장되는 크랙 라인(CL)을 구비하고 있다. 트렌치 라인(TL)은, 연장 방향(도 2에 있어서의 가로방향)으로 연장되고 있다. 또, 트렌치 라인(TL)은 전형적으로는 직선 형상이지만, 곡선 형상의 트렌치 라인이 형성되어도 되고, 이 경우, 트렌치 라인은, 상부면(SF1) 위의 적어도 하나의 위치에 있어서 하나의 연장 방향으로 연장되고 있다. 크랙 라인(CL)은, 트렌치 라인(TL)의 오목부로부터 유리 기판(4) 중에, 상부면(SF1)에 수직인 두께 방향(DT)으로 뻗는 크랙이다.The scribe line SL has a trench line TL and a crack line CL extending along the trench line TL immediately below the trench line TL. The trench line TL extends in the extending direction (the lateral direction in Fig. 2). Although the trench line TL is typically a straight line, a curved trench line may be formed. In this case, the trench line is formed in one extension direction at at least one position on the upper surface SF1 It is extended. The crack line CL is a crack extending from the concave portion of the trench line TL in the glass substrate 4 in the thickness direction DT perpendicular to the upper surface SF1.

크랙 라인(CL)에 의해서 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 유리 기판(4)은 트렌치 라인(TL)의 연장 방향과 교차하는 방향(DC)(도 3)에 있어서 연속적인 이어짐이 끊어져 있다. 여기에서 「연속적인 이어짐」이란, 바꿔 말하면, 크랙에 의해서 차단되어 있지 않은 이어짐이다. 또, 전술한 바와 같이 연속적인 관계가 끊어져 있는 상태에 있어서, 크랙 라인(CL)의 크랙을 개재해서 유리 기판(4)의 부분끼리 접촉하고 있어도 된다.The glass substrate 4 is disconnected from the continuous line in the direction DC (FIG. 3) intersecting the extending direction of the trench line TL immediately below the trench line TL by the crack line CL . Here, " continuous continuous " means, in other words, continuous continuous unblocked by cracks. In the state where the continuous relationship is broken as described above, portions of the glass substrate 4 may be in contact with each other through a crack of the crack line CL.

본 실시형태에 있어서는, 스크라이브 라인(SL)은, 통상의 스크라이브 방법에 의해서 형성될 수 있다. 구체적으로는, 다이아몬드 커터 등의 커팅 기구가 유리 기판(4)의 상부면(SF1) 위를 슬라이딩 또는 전동함으로써, 유리 기판(4) 상에 소성변형에 의한 트렌치가 형성됨과 동시에, 이 트렌치의 바로 아래에는 수직 크랙이 형성된다.In the present embodiment, the scribe line SL can be formed by a normal scribing method. Specifically, a cutting mechanism such as a diamond cutter slides or rolls over the upper surface SF1 of the glass substrate 4, thereby forming a trench by plastic deformation on the glass substrate 4, Vertical cracks are formed below.

경우에 따라서는, 어떠한 요인에 의해, 정상인 크랙 라인(CL)을 지닌 스크라이브 라인(SL)(도 3)이 상부면(SF1) 위에 형성되어 있지 않은 경우가 있을 수 있다. 구체적으로는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 수직성이 교란된(만곡, 혹은 경사진) 크랙 라인(CA)을 지니는 스크라이브 라인(SA)이 형성되어 있을 수 있다. 혹은, 도 5에 나타낸 바와 같이, 스크라이브 라인이 크랙 라인(CL)(도 3)을 결여하고 있을 수 있다. 그래서, 스크라이브 라인(SL)이 적절하게 형성되어 있는지의 여부를 판별하기 위한 검사가 행해진다.In some cases, there may be a case where a scribe line SL (FIG. 3) having a normal crack line CL is not formed on the upper surface SF1 due to some factor. Specifically, as shown in Fig. 4, a scribe line SA having a crack line CA having disturbed vertical (curved or inclined) may be formed. Alternatively, as shown in Fig. 5, the scribe line may lack the crack line CL (Fig. 3). Thus, a check is made to determine whether or not the scribe line SL is appropriately formed.

도 6을 참조하면, 상기 검사의 목적으로 검사 장치(40)가 준비된다. 검사 장치(40)는, 반사부재(10)와, 기판 누름부(11)와, 테이블(12)과, 레이저 헤드(20)와, 헤드 위치조정부(28)와, 앰프(29)를 구비하고 있다. 레이저 헤드(20)는 광원(21) 및 센서(22)를 구비하고 있다.Referring to FIG. 6, the inspection apparatus 40 is prepared for the purpose of the inspection. The inspection apparatus 40 includes a reflection member 10, a substrate pressing section 11, a table 12, a laser head 20, a head position adjustment section 28, and an amplifier 29 have. The laser head 20 includes a light source 21 and a sensor 22.

테이블(12)은, 반사부재(10)를 개재해서 유리 기판(4)을 지지하는 것이다. 또 테이블(12)은, 유리 기판(4)을 변위시키는 것이며, 예를 들면, 도면 중 화살표(A1 및 A2)로 각각 나타낸 바와 같이, 유리 기판(4)의 수평위치 및 경사각을 조정하는 것이다. 기판 누름부(11)는, 유리 기판(4)을 테이블(12) 위에 압압하는 것이다. 기판 누름부(11)에 의해서 압압됨으로써, 유리 기판(4)의 휨이 교정될 수 있다. 이것에 의해, 유리 기판(4) 및 반사부재(10)가 서로에 의해 밀착된다. 따라서 양자 간에 간극이 형성되기 어려워진다.The table 12 supports the glass substrate 4 with the reflective member 10 interposed therebetween. The table 12 displaces the glass substrate 4 and adjusts the horizontal position and the inclination angle of the glass substrate 4 as shown by, for example, arrows A1 and A2 in the figure. The substrate pressing section 11 presses the glass substrate 4 onto the table 12. [ By being pressed by the substrate pressing portion 11, the warping of the glass substrate 4 can be corrected. Thereby, the glass substrate 4 and the reflecting member 10 are brought into close contact with each other. Therefore, it is difficult to form a gap therebetween.

광원(21)은, 검사 대상인 유리 기판(4)에의 입사광(LI)으로서, 레이저에 의한 광을 방사하는 것이다. 레이저의 파장은, 입사광(LI)이 유리 기판(4)을 투과하기 쉬워지도록 선택된다. 본 실시형태와 같이 검사 대상이 유리 기판(4)일 경우, 예를 들면, 가시광 영역의 파장을 이용할 수 있다. 센서(22)는, 유리 기판(4)으로부터의 출사광(LO)을 검출하는 것이다. 센서(22)에 의해서 검출된 신호가 앰프(29)에 의해서 처리됨으로써, 출사광(LO)의 강도가 측정된다. 헤드위치 조정부(28)는, 레이저 헤드(20)를 변위시키는 것이며, 예를 들면, 도면 중 화살표(A3)로 나타낸 바와 같이, 유리 기판(4)의 두께 방향과 평행한 높이 위치를 조정하는 것이다. 레이저 헤드(20)가 변위됨으로써, 그것이 구비한 광원(21) 및 센서(22)는 함께 이동된다.The light source 21 emits light by a laser as incident light LI to the glass substrate 4 to be inspected. The wavelength of the laser is selected such that incident light LI is easily transmitted through the glass substrate 4. [ When the object to be inspected is the glass substrate 4 as in the present embodiment, for example, the wavelength of the visible light region can be used. The sensor 22 detects emitted light LO from the glass substrate 4. The signal detected by the sensor 22 is processed by the amplifier 29 so that the intensity of the emitted light LO is measured. The head position adjustment unit 28 displaces the laser head 20 and adjusts a height position parallel to the thickness direction of the glass substrate 4 as indicated by an arrow A3 in the figure . As the laser head 20 is displaced, the light source 21 and the sensor 22 provided therewith are moved together.

반사부재(10)는, 광원(21)으로부터의 레이저 광을 효율적으로 반사할 수 있는 표면을 갖고 있다. 이 때문에, 반사부재(10)의 표면은, 평탄한 형상과, 상기 레이저 광의 파장영역에서의 높은 반사율을 지니고 있는 것이 바람직하다. 가시광 영역의 레이저 광이 이용되는 경우, 반사부재(10)로서, 예를 들면, 연마면을 가진 실리콘 웨이퍼를 이용할 수 있다.The reflecting member 10 has a surface capable of efficiently reflecting the laser beam from the light source 21. Therefore, the surface of the reflecting member 10 preferably has a flat shape and a high reflectance in the wavelength region of the laser light. When a laser beam in a visible light region is used, for example, a silicon wafer having a polished surface can be used as the reflecting member 10.

도 7 및 도 9는, 검사 장치(40)(도 6)를 이용한 검사의 양상을 나타낸 단면도이다. 도 8 및 도 10의 각각은, 도 7 및 도 9의 공정을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 또한, 도 8 및 도 10에 있어서는 5개의 스크라이브 라인(SL)이 예시되어 있지만, 도 7 및 도 9에 있어서는 간략화를 위하여 그 중 1개만 도시되어 있다.Figs. 7 and 9 are cross-sectional views showing aspects of the inspection using the inspection apparatus 40 (Fig. 6). Each of Figs. 8 and 10 is a plan view schematically showing the process of Figs. 7 and 9. Fig. 8 and 10, five scribe lines SL are illustrated, but only one of them is shown in Figs. 7 and 9 for the sake of simplification.

도 7을 참조하면, 우선 유리 기판(4)의 하부면(SF2)이 반사부재(10) 위에 놓인다. 다음에, 기판 누름부(11)에 의해서 유리 기판(4)이 반사부재(10)를 개재해서 테이블(12)에 압압된다. 유리 기판(4)에의 입사광(LI)이 광원(21)으로부터 방사된다. 이것에 의해 유리 기판(4)의 상부면(SF1) 상에 국소적으로 입사광(LI)의 스팟 광(SP)(도 7 및 도 8)이 적용된다. 입사광(LI)의 광축방향은, 상부면(SF1)에 수직인 방향(도 7에 있어서의 세로방향)을 기준으로 해서, 상부면(SF1) 상에 있어서 트렌치 라인(TL)의 연장 방향(도 7에 있어서의 지면에 수직인 방향)에 수직인 방향(도 7에 있어서의 가로방향)에의 경사 성분을 지니고 있다. 바람직하게는, 입사광(LI)의 광축방향은, 상부면(SF1)에 수직인 방향(도 7에 있어서의 세로방향)을 기준으로 해서, 상부면(SF1) 상에 있어서 트렌치 라인(TL)의 연장 방향(도 7에 있어서의 지면에 수직인 방향)에 수직인 방향(도 7에 있어서의 가로방향)을 향해서 경사져 있다.Referring to Fig. 7, the lower surface SF2 of the glass substrate 4 is placed on the reflective member 10 first. Next, the glass substrate 4 is pressed onto the table 12 via the reflective member 10 by the substrate pressing unit 11. Next, Incident light (LI) onto the glass substrate (4) is radiated from the light source (21). As a result, the spot light SP (FIG. 7 and FIG. 8) of the incident light LI is locally applied on the upper surface SF1 of the glass substrate 4. The direction of the optical axis of the incident light LI is defined by the direction of extension of the trench line TL on the upper surface SF1 with reference to the direction perpendicular to the upper surface SF1 (The direction perpendicular to the paper surface in Fig. 7) (the transverse direction in Fig. 7). Preferably, the direction of the optical axis of the incident light LI is the direction of the optical axis of the trench line TL on the upper surface SF1 with reference to the direction perpendicular to the upper surface SF1 (the longitudinal direction in Fig. 7) And is inclined toward a direction perpendicular to the extending direction (the direction perpendicular to the paper surface in Fig. 7) (the lateral direction in Fig. 7).

트렌치 라인(TL)과 교차하는 방향(도 9에 있어서의 가로방향, 도 10에 있어서의 주사 방향(SC))을 따라서, 입사광(LI)의 스팟 광(SP)으로 상부면(SF1)이 주사된다. 이것에 의해, 유리 기판(4)의 외부에서부터 상부면(SF1)을 경유해서, 상부면(SF1)의, 트렌치 라인(TL)이 연장 방향으로 연장되고 있는 하나의 위치의 바로 아래에 입사광(LI)이 조사된다(도 1: 단계 S20). 이것에 의해 생기는 현상에 대해서, 이하, 3개의 경우로 나누어서 설명한다.The upper surface SF1 is scanned with the spot light SP of the incident light LI along the direction intersecting the trench line TL (the transverse direction in Fig. 9, the scanning direction SC in Fig. 10) do. Thereby, the incident light (LI) is incident on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 from the outside of the glass substrate 4 via the upper surface SF1 immediately below one position where the trench line TL extends in the extending direction (Fig. 1: step S20). The phenomenon caused by this will be described below in three cases.

도 11을 참조하면, 첫번째로, 상부면(SF1)에 거의 수직인 정상인 크랙 라인(CL)이 형성되어 있을 경우, 크랙 라인(CL)이 입사광(LI)을 반사함으로써, 하부면(SF2)을 향하는 반사광(LR)이 생긴다. 또, 입사광(LI)의 일부가 투과광(LT)으로서 크랙 라인(CL)을 투과해도 된다. 하부면(SF2)에 배치된 반사부재(10)가 반사광(LR)을 반사함으로써, 하부면(SF2)으로부터 상부면(SF1)을 경유해서 유리 기판(4)의 외부로 향하는 출사광(LO)이 발생된다(도 1: 단계 S30). 출사광(LO)이 센서(22)(도 9)에 의해서 검출됨으로써, 출사광(LO)의 강도가 측정된다(도 1: 단계 S40). 크랙 라인(CL)의 존재에 의해, 이 강도는 충분히 높은 것으로 된다.11, when a normal crack line CL is formed substantially perpendicular to the upper surface SF1, the crack line CL reflects the incident light LI, thereby forming the lower surface SF2 Reflected light LR is generated. It is also possible that a part of the incident light LI passes through the crack line CL as the transmitted light LT. The reflection member 10 disposed on the lower surface SF2 reflects the reflected light LR and thereby the emitted light LO directed from the lower surface SF2 to the outside of the glass substrate 4 via the upper surface SF1, (Fig. 1: step S30). The emitted light LO is detected by the sensor 22 (FIG. 9), so that the intensity of the emitted light LO is measured (FIG. 1: step S40). By the presence of the crack line CL, this strength becomes sufficiently high.

도 12를 참조하면, 두번째로, 수직성이 교란된(만곡된) 크랙 라인(CA)이 형성되어 있을 경우, 크랙 라인(CA)이 입사광(LI)을 확산시키므로, 도 11의 경우만큼 충분히 높은 반사광(LR)는 얻어지지 않는다. 이 결과, 측정되는 출사광(LO)의 강도는, 크랙 라인(CL)(도 11)이 형성되어 있을 경우에 비해서 작아진다. 마찬가지로, 경사진 크랙 라인이 형성되어 있을 경우에는, 정상인 크랙 라인(CL)이 형성되어 있을 경우와 비교해서 반사 각도가 다른 반사광이 생긴다. 이 경우, 출사광은 정상인 크랙 라인(CL)의 반사광을 수광하도록 설정된 센서(22)에는 수광되지 않고, 측정되는 출사광(LO)의 강도는, 크랙 라인(CL)(도 11)이 형성되어 있을 경우에 비해서 작아진다.Referring to FIG. 12, when the vertically disordered (curved) crack line CA is formed, since the crack line CA diffuses the incident light LI, The reflected light LR is not obtained. As a result, the intensity of the emitted light LO to be measured becomes smaller than that in the case where the crack line CL (FIG. 11) is formed. Likewise, when inclined crack lines are formed, reflected light having different reflection angles is generated as compared with the case where a normal crack line CL is formed. In this case, the outgoing light is not received by the sensor 22 set to receive the reflected light of the normal crack line CL, and the intensity of the outgoing light LO to be measured is set to the crack line CL (FIG. 11) Compared with the case where there is.

도 13을 참조하면, 세번째로, 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 크랙 라인(CL)을 결여할 경우, 반사광(LR)(도 11)은 생기지 않는다. 이 결과, 측정되는 출사광(LO)의 강도는 실질적으로 제로가 된다.Referring to Fig. 13, thirdly, when the crack line CL is lacked immediately below the trench line TL, the reflected light LR (Fig. 11) does not occur. As a result, the intensity of the emitted light LO to be measured becomes substantially zero.

본 실시형태에 따르면, 도 11 내지 도 13을 참조해서 전술한 바와 같이, 반사광(LR)으로부터 얻어지는 출사광(LO)의 강도는, 반사광(LR)을 생기게 하는 크랙 라인(CL)(도 11)이 적절하게 형성되어 있는지의 여부에 의존한다. 따라서, 출사광(LO)의 강도를 측정함으로써, 크랙 라인(CL)이 적절하게 형성되어 있는지의 여부를 판별할 수 있다. 이것에 의해, 크랙 라인(CL)의 형성 공정을 관리할 수 있다. 적절한 크랙 라인(CL)이 형성됨으로써, 그 후에 행해지는 크랙 라인(CL)을 따른 유리 기판(4)의 분단, 즉 브레이크 공정의 수율을 높일 수 있다.According to the present embodiment, as described above with reference to Figs. 11 to 13, the intensity of the emitted light LO obtained from the reflected light LR is the same as that of the crack line CL (Fig. 11) Is suitably formed. Therefore, by measuring the intensity of the emitted light (LO), it is possible to judge whether or not the crack line CL is appropriately formed. Thus, the formation process of the crack line CL can be managed. By forming an appropriate crack line CL, it is possible to increase the yield of the breaking process of the glass substrate 4, that is, the breaking process, along the crack line CL to be subsequently performed.

입사광(LI)을 조사하는 공정은, 스크라이브 라인(SL)과 교차하는 방향을 따라서 입사광(LI)의 스팟 광(SP)(도 10)으로 상부면(SF1)을 주사함으로써 행해질 수 있다. 이것에 의해, 입사광(LI)을 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 위치하는 크랙 라인(CL)에 확실하게 입사시킬 수 있다.The step of irradiating the incident light LI can be performed by scanning the upper surface SF1 with the spot light SP of the incident light LI (Fig. 10) along the direction intersecting with the scribe line SL. Thus, the incident light LI can be reliably incident on the crack line CL immediately below the trench line TL.

레이저 헤드(20)에 포함되는 광원(21) 및 센서(22)(도 6)는, 레이저 헤드(20)의 이동에 의해서 함께 이동시킬 수 있다. 이 경우, 입사광(LI)의 발생 위치와 출사광(LO)의 관측 위치의 상대관계가 유지된다. 따라서, 광학측정계에 있어서 소정의 광의 경로를 용이하게 유지할 수 있다. 따라서, 안정적인 측정이 용이하게 행해질 수 있다.The light source 21 and the sensor 22 (FIG. 6) included in the laser head 20 can be moved together by the movement of the laser head 20. In this case, the relative relationship between the position at which the incident light LI is generated and the position at which the emitted light LO is observed is maintained. Therefore, a predetermined light path can be easily maintained in the optical measurement system. Therefore, stable measurement can be easily performed.

또 기판 누름부(11)(도 6) 대신에, 다른 수단에 의해서 유리 기판(4)이 고정되어도 된다. 예를 들면, 진공 흡착 또는 점착 테이프가 이용되어도 된다. 또 광로의 교란이 문제가 되지 않는 한, 유리 기판(4)과 반사부재(10) 사이에 간격이 형성되어도 된다. 또 레이저 헤드(20) 및 테이블(12)의 변위는, 양자 간의 상대위치를 조정하기 위해서 행해지는 것이다. 따라서, 레이저 헤드(20) 및 테이블(12) 중 한쪽의 변위의 일부 또는 전부를 다른 쪽 변위에 의해서 대체시키는 것이 가능하다.Instead of the substrate pressing portion 11 (Fig. 6), the glass substrate 4 may be fixed by other means. For example, a vacuum adsorption or adhesive tape may be used. In addition, a gap may be formed between the glass substrate 4 and the reflecting member 10 as long as disturbance of the optical path is not a problem. The displacement of the laser head 20 and the table 12 is performed in order to adjust the relative position between them. Therefore, it is possible to replace part or all of the displacement of one of the laser head 20 and the table 12 by the other displacement.

(실시형태 2)(Embodiment 2)

본 실시형태에 있어서는, 스크라이브 라인(SL)(도 3)을 가진 유리 기판(4)이 준비되는 공정(도 1: 단계 S10)이, 크랙 없는 상태를 수반하는 공정(도 14)을 포함할 경우에 대해서 설명한다.In the present embodiment, when the process (FIG. 1: step S10) of preparing the glass substrate 4 having the scribe line SL (FIG. 3) includes the process Will be described.

도 15 및 도 16을 참조하면, 우선, 크랙 없는 상태의 트렌치 라인(TL)(도 5)을 형성하기(도 14: 단계 S11) 위한 커팅 기구(50)에 대해서 설명한다. 커팅 기구(50)는 칼 끝(51) 및 자루 부분(shank)(52)을 구비하고 있다.15 and 16, a cutting mechanism 50 for forming a trench line TL (FIG. 5) without cracks (FIG. 14: step S11) will be described first. The cutting mechanism 50 has a knife end 51 and a shank 52.

칼 끝(51)은, 그 홀더로서의 자루 부분(52)에 고정됨으로써 보유되어 있다. 칼 끝(51)에는, 천정면(SD1)과, 천정면(SD1)을 둘러싸는 복수의 면이 형성되어 있다. 이들 복수의 면은 측면(SD2) 및 측면(SD3)을 포함한다. 천정면(SD1), 측면(SD2 및 SD3)은, 서로 다른 방향을 향하고 있고, 또한 서로 이웃하고 있다. 칼 끝(51)은, 천정면(SD1), 측면(SD2) 및 (SD3)이 합류하는 정점을 지니고, 이 정점에 의해서 칼 끝(51)의 돌기부(PP)가 구성되어 있다. 또 측면(SD2 및 SD3)은, 칼 끝(51)의 측부(PS)를 구성하는 능선을 이루고 있다. 측부(PS)는 돌기부(PP)로부터 선 형상으로 연장되고 있다. 또 측부(PS)는, 전술한 바와 같이 능선이므로, 선 형상으로 연장되는 볼록 형상을 지닌다. 칼 끝(51)은 다이아몬드 포인트인 것이 바람직하다. 즉, 칼 끝(51)은, 경도 및 표면 조도를 작게 할 수 있는 점에서 다이아몬드로 만들어져 있는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 칼 끝(51)은 단결정 다이아몬드로 만들어져 있다. 더욱 바람직하게는, 결정학적으로 말해서, 천정면(SD1)은 {001}면이고, 측면(SD2 및 SD3)의 각각은 {111}면이다. 이 경우, 측면(SD2 및 SD3)은, 다른 방향을 갖지만, 결정학상, 서로 등가인 결정면이다. 또 단결정이 아닌 다이아몬드가 이용되어도 되고, 예를 들면, CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 합성된 다결정체 다이아몬드가 이용되어도 된다. 또는, 미립의 그래파이트나 비그래파이트 형상 탄소로부터, 철족 원소 등의 결합재를 함유하지 않고 소결된 다결정체 다이아몬드 입자를 철족 원소 등의 결합재에 의해서 결합시킨 소결 다이아몬드가 이용되어도 된다.The knife end 51 is held by being fixed to the bag portion 52 as its holder. A plurality of surfaces surrounding the ceiling face SD1 and the ceiling face SD1 are formed at the knife edge 51. These plural surfaces include a side surface SD2 and a side surface SD3. The ceiling face SD1 and the side faces SD2 and SD3 are oriented in different directions and are adjacent to each other. The knife end 51 has a vertex at which the ceiling face SD1, the side faces SD2 and SD3 join together and the protrusion PP of the knife edge 51 is formed by this vertex. Further, the side faces SD2 and SD3 form a ridge constituting the side portion PS of the knife end 51. The side portion PS extends linearly from the protruding portion PP. Since the side portion PS is a ridgeline as described above, it has a convex shape extending in a linear shape. The knife end 51 is preferably a diamond point. That is, it is preferable that the knife end 51 is made of diamond in that it can reduce hardness and surface roughness. More preferably, the knife end 51 is made of single crystal diamond. More preferably, the ceiling face SD1 is a {001} plane and each of side faces SD2 and SD3 is a {111} plane. In this case, the side faces SD2 and SD3 are crystal planes which have different orientations but are equivalent to each other in terms of crystallography. Alternatively, a diamond other than a single crystal may be used. For example, a polycrystalline diamond synthesized by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method may be used. Alternatively, a sintered diamond in which polycrystalline diamond grains sintered without containing a binder such as an iron family element are bonded from a fine graphite or non-graphite carbon by a binding material such as an iron family element may be used.

자루 부분(52)은 축방향(AX)을 따라서 연장되고 있다. 칼 끝(51)은, 천정면(SD1)의 법선방향이 축방향(AX)을 대체로 따르도록 자루 부분(52)에 부착되는 것이 바람직하다.The bag portion 52 extends along the axial direction AX. The knife end 51 is preferably attached to the bag portion 52 such that the normal direction of the ceiling face SD1 substantially follows the axial direction AX.

다음에, 커팅 기구(50)를 이용한 트렌치 라인(TL)의 형성(도 14: 단계 S11)에 대해서, 이하에 설명한다.Next, the formation of the trench line TL (Fig. 14: step S11) using the cutting mechanism 50 will be described below.

도 17을 참조하면, 우선, 트렌치 라인(TL)이 형성되게 되는 유리 기판(4)이 준비된다. 유리 기판(4)은 평탄한 상부면(SF1)을 지닌다. 상부면(SF1)을 둘러싸는 가장자리는, 서로 대향하는 변(ED1) 및 변(ED2)을 포함한다. 도 17에 나타낸 예에 있어서는, 가장자리는 장방 형상이다. 따라서 변(ED1 및 ED2)은 서로 평행한 변이다. 또 도 17에 나타낸 예에 있어서는 변(ED1 및 ED2)은 직사각형의 짧은 변이다.Referring to Fig. 17, first, a glass substrate 4 on which a trench line TL is to be formed is prepared. The glass substrate 4 has a flat upper surface SF1. The edge surrounding the upper surface SF1 includes edges ED1 and ED2 opposite to each other. In the example shown in Fig. 17, the edge has a rectangular shape. Therefore, sides ED1 and ED2 are parallel sides. In the example shown in Fig. 17, sides ED1 and ED2 are rectangular short sides.

다음에, 상부면(SF1)에 칼 끝(51)(도 15)이 위치(N1)(도 17)에서 압압된다. 위치(N1)의 상세는 후술한다. 칼 끝(51)의 압압은, 도 15를 참조하면, 유리 기판(4)의 상부면(SF1) 위에서 칼 끝(51)의 돌기부(PP)가 변(ED1)과 측부(PS) 사이에 배치되도록 또한 칼 끝(51)의 측부(PS)가 돌기부(PP)와 변(ED2) 사이에 배치되도록 행해진다.Next, the knife end 51 (Fig. 15) is pressed at the position N1 (Fig. 17) on the upper surface SF1. Details of the position N1 will be described later. 15, the protruding portion PP of the knife end 51 on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 is disposed between the side ED1 and the side PS So that the side PS of the knife edge 51 is arranged between the projection PP and the edge ED2.

다음에, 상부면(SF1) 위에서의 커팅 기구(50)의 슬라이딩이 행해진다. 이 슬라이딩은, 위치(N1)와 위치(N3) 사이에서 행해진다. 위치(N1 및 N3) 사이에는 위치(N2)가 위치한다. 따라서 트렌치 라인(TL)은, 위치(N1 및 N2) 사이와, 위치(N2 및 N3) 사이에 형성된다. 위치(N1 및 N3)는, 도 17에 나타낸 바와 같이 유리 기판(4)의 상부면(SF1)의 가장자리로부터 떨어져서 위치해도 되고, 또는, 그 한쪽 또는 양쪽이 상부면(SF1)의 가장자리에 위치해도 된다. 형성되는 트렌치 라인(TL)은, 전자의 경우에는 유리 기판(4)의 가장자리로부터 떨어져 있고, 후자의 경우는 유리 기판(4)의 가장자리에 접하고 있다. 위치(N1 및 N2)의 중 위치(N1) 쪽이 변(ED1)에 보다 가깝고, 또 위치(N1) 내지 (N2) 중 위치(N2) 쪽이 변(ED2)에 보다 가깝다. 또한 도 17에 나타낸 예에서는, 위치(N1)는 변(ED1 및 ED2) 중 변(ED1)에 가깝고, 위치(N2)는 변(ED1 및 ED2) 중 변(ED2)에 가깝지만, 위치(N1 및 N2)의 양쪽이 변(ED1) 또는 (ED2)의 어느 쪽인가 한쪽 가까이에 위치해도 된다.Next, the cutting mechanism 50 is slid on the upper surface SF1. This sliding is performed between the position N1 and the position N3. A position N2 is located between the positions N1 and N3. Therefore, the trench line TL is formed between the positions N1 and N2 and between the positions N2 and N3. The positions N1 and N3 may be located apart from the edge of the upper surface SF1 of the glass substrate 4 as shown in Fig. 17 or may be located at the edge of the upper surface SF1 do. The trench line TL to be formed is spaced apart from the edge of the glass substrate 4 in the case of electrons and in contact with the edge of the glass substrate 4 in the latter case. The middle position N1 of the positions N1 and N2 is closer to the side ED1 and the position N2 of the positions N1 to N2 is closer to the side ED2. 17, the position N1 is close to the side ED1 of the sides ED1 and ED2 and the position N2 is close to the side ED2 of the sides ED1 and ED2, N2 may be located near either one of the sides ED1 or ED2.

본 실시형태에 있어서는, 위치(N1)로부터 위치(N2)에 칼 끝(51)이 변위되고, 또한 위치(N2)로부터 위치(N3)로 변위된다. 즉, 도 15를 참조해서, 칼 끝(51)이, 변(ED1)로부터 변(ED2)을 향하는 방향인 방향(DA)으로 변위된다. 방향(DA)은, 측부(PS)를 상부면(SF1) 위로 투영한 방향에 대체로 평행하고, 칼 끝(51)으로부터 자루 부분(52)으로 뻗는 축방향(AX)을 상부면(SF1) 위에 투영한 방향을 대체로 향하고 있다. 이 경우, 칼 끝(51)은 자루 부분(52)에 의해서 상부면(SF1) 위를 질질 끌리게 된다. 즉, 압압된 칼 끝(51)이 유리 기판(4)의 상부면(SF1) 위에서 슬라이딩된다(도 17에 있어서의 화살표 참조). 이 슬라이딩에 의해서 유리 기판(4)의 상부면(SF1) 위에 소성변형이 발생된다. 이 소성변형에 의해 상부면(SF1) 위에, 홈 형상을 가진 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 이때 유리 기판(4)이 약간 깎여도 되지만, 그에 따라서 파편이 생길 수 있으므로, 그러한 깎기는 될 수 있는 한 적은 것이 바람직하다.In the present embodiment, the knife end 51 is displaced from the position N1 to the position N2, and is also displaced from the position N2 to the position N3. That is, referring to Fig. 15, the knife end 51 is displaced in the direction DA from the side ED1 toward the side ED2. The direction DA is substantially parallel to the direction in which the side PS is projected onto the upper surface SF1 and extends in the axial direction AX extending from the knife end 51 to the bag portion 52 on the upper surface SF1 The projection direction is generally directed. In this case, the knife end 51 is dragged on the upper surface SF1 by the bag portion 52. [ That is, the pressed knife end 51 is slid on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 (see arrows in Fig. 17). Plastic deformation occurs on the upper surface SF1 of the glass substrate 4 by this sliding. By this plastic deformation, a trench line TL having a groove shape is formed on the upper surface SF1. At this time, the glass substrate 4 may be slightly scraped off, but fragments may be generated accordingly. Therefore, it is preferable that such scraping be as small as possible.

트렌치 라인(TL)을 형성하는 상기 공정은, 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 유리 기판(4)이 트렌치 라인(TL)의 연장 방향과 교차하는 방향(DC)(도 5)에 있어서 연속적으로 연결되는 상태인 크랙 없는 상태가 얻어지도록 행해진다. 크랙 없는 상태에 있어서는, 소성변형에 의한 트렌치 라인(TL)은 형성되어 있지만, 그에 따른 크랙은 형성되어 있지 않다. 따라서 종래의 브레이크 공정과 같이 유리 기판(4)에 단순히 절곡 모멘트 등을 발생시키는 외력을 가해도, 트렌치 라인(TL)에 따른 분단은 용이하게는 일어나지 않는다. 이 때문에 크랙 없는 상태에 있어서는 트렌치 라인(TL)을 따른 분단 공정은 행해지지 않는다. 크랙 없는 상태를 얻기 위하여, 칼 끝(51)에 가해지는 하중은, 크랙이 발생하지 않을 정도로 작고, 또한 소성변형이 발생할 정도로 크게 된다.The above process of forming the trench line TL is performed in a continuous manner in the direction DC (FIG. 5) in which the glass substrate 4 intersects the extending direction of the trench line TL immediately below the trench line TL Crack-free state is obtained. In the crack-free state, the trench line TL due to plastic deformation is formed, but no crack is formed. Therefore, even if an external force such as a bending moment or the like is simply applied to the glass substrate 4 as in the conventional breaking process, division according to the trench line TL does not easily occur. Therefore, in the crack-free state, the division process along the trench line TL is not performed. In order to obtain a crack-free state, the load applied to the knife end 51 is small enough to prevent occurrence of cracks and large enough to cause plastic deformation.

크랙 없는 상태는, 필요한 시간에 걸쳐서 유지된다(도 14: 단계 S12). 크랙 없는 상태의 유지를 위해서는, 트렌치 라인(TL)에 있어서 유리 기판(4)에 대하여 과도한 응력이 가해지는 것과 같은 조작, 예를 들어, 기판에 파손을 일으키는 바와 같은 큰 외부응력의 인가 또는 큰 온도변화를 수반하는 가열을 피할 수 있으면 된다. 크랙 없는 상태가 유지되고 있는 동안, 유리 기판(4)이 반송되어도 되고,또 유리 기판(4)이 가공되어도 된다.The crack-free state is maintained over the necessary time (Fig. 14: step S12). In order to maintain the crack-free state, it is necessary to perform an operation such that excessive stress is applied to the glass substrate 4 in the trench line TL, for example, application of a large external stress such as breakage to the substrate, It is only necessary to avoid the heating accompanied by the change. While the crack-free state is maintained, the glass substrate 4 may be conveyed, or the glass substrate 4 may be processed.

도 18을 참조하면, 크랙 없는 상태가 유지된 후, 바꿔 말하면, 트렌치 라인(TL)의 형성으로부터 시간차를 두고, 트렌치 라인(TL)을 따라서 두께 방향(DT)(도 3)에 있어서의 유리 기판(4)의 크랙이 퍼진다. 구체적으로는, 트렌치 라인(TL)을 따라서 위치(N2)로부터 위치(N1) 쪽으로(도면 중, 파선 화살표 참조), 두께 방향(DT)에 있어서의 유리 기판(4)의 크랙이 퍼진다. 이것에 의해서, 트렌치 라인(TL)을 따라서 연장되는 크랙 라인(CL)이 형성된다(도 14: 단계 S13). 크랙 라인(CL)의 형성은, 보조 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)이 위치(N2)에서 서로 교차함으로써 개시된다. 이 목적으로, 트렌치 라인(TL)을 형성한 후에 보조 라인(AL)이 형성된다. 보조 라인(AL)은, 두께 방향(DT)에 있어서의 크랙을 따르는 통상의 스크라이브 라인이며, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부응력의 왜곡을 해방하는 것이다. 보조 라인(AL)의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 도 18에 나타낸 바와 같이, 상부면(SF1)의 가장자리를 기점으로 해서 형성되어도 된다.Referring to FIG. 18, after the crack-free state is maintained, in other words, the glass substrate in the thickness direction DT (FIG. 3) along the trench line TL with a time lag from the formation of the trench line TL, (4) is spread. Specifically, cracks of the glass substrate 4 in the thickness direction DT are spread from the position N2 to the position N1 (see the broken line arrow in the figure) along the trench line TL. As a result, a crack line CL extending along the trench line TL is formed (Fig. 14: step S13). The formation of the crack line CL is initiated by the intersection of the auxiliary line AL and the trench line TL at the position N2. For this purpose, the auxiliary line AL is formed after forming the trench line TL. The auxiliary line AL is a normal scribe line along the crack in the thickness direction DT and releases the distortion of the internal stress in the vicinity of the trench line TL. The method of forming the auxiliary line AL is not particularly limited, but it may be formed starting from the edge of the upper surface SF1 as shown in Fig.

또 위치(N2)로부터 위치(N1)로의 방향에 비해서, 위치(N2)로부터 위치(N3)에의 방향에는, 크랙 라인(CL)이 형성되기 어렵다. 즉 크랙 라인(CL)의 신전의 용이성에는 방향의존성이 존재한다. 따라서 크랙 라인(CL)이 위치(N1) 내지 (N2) 사이에는 형성되고 위치(N2) 내지 (N3) 사이에는 형성되지 않는다는 현상이 생길 수 있다. 본 실시형태는 위치(N1) 내지 (N2) 사이를 따른 유리 기판(4)의 분단을 목적으로 하고 있고, 위치(N2 및 N3) 사이를 따른 유리 기판(4)의 분리는 목적으로 하고 있지 않다. 따라서 위치(N1 및 N2) 사이에서 크랙 라인(CL)이 형성되는 것이 필요한 한편, 위치(N2) 내지 (N3) 사이에서의 크랙 라인(CL)의 형성되기 어려움은 문제로는 되지 않는다.In addition, the crack line CL is hardly formed in the direction from the position N2 to the position N3, as compared with the direction from the position N2 to the position N1. That is, there is a direction dependency on the easiness of extension of the crack line CL. Therefore, there may occur a phenomenon that the crack line CL is formed between the positions N1 to N2 and not between the positions N2 to N3. The present embodiment aims at the division of the glass substrate 4 along the positions N1 to N2 and does not aim at the separation of the glass substrate 4 along the positions N2 and N3 . Therefore, it is required that the crack line CL be formed between the positions N1 and N2, while the difficulty of forming the crack line CL between the positions N2 and N3 is not a problem.

전술한 바와 같이, 크랙 라인(CL)의 형성을 의도해서 보조 라인(AL)이 형성된다. 그러나, 보조 라인(AL)이 형성되어도 크랙 라인(CL)이 형성되지 않거나, 이상한 크랙 라인(CL)(도 4)이 형성되거나 할 경우가 있을 수 있다. 이 때문에, 보조 라인(AL)을 형성한 후에, 실시형태 1에서 설명한 바와 같이, 스크라이브 라인의 검사방법이 행해진다. 본 실시형태와 같이 크랙 없는 상태가 유지된 후에 크랙 라인(CL)이 형성될 경우에는, 크랙 없는 상태를 경유하지 않고 크랙 라인(CL)이 형성될 경우에 비해서, 크랙 라인(CL)의 형성의 확실성이 저하된다. 이러한 형성 불량의 유무를, 실시형태 1에서 설명한 스크라이브 라인의 검사방법에 의해, 용이하게 판별할 수 있다.As described above, the auxiliary line AL is formed by the purpose of forming the crack line CL. However, there may be cases where the crack line CL is not formed or the abnormal crack line CL (FIG. 4) is formed even if the auxiliary line AL is formed. Therefore, after the auxiliary line AL is formed, the scribe line inspection method is performed as described in the first embodiment. In the case where the crack line CL is formed after the crack-free state is maintained as in the present embodiment, as compared with the case where the crack line CL is formed without passing through the crack-free state, The certainty is deteriorated. The presence or absence of such defective formation can be easily determined by the inspection method of the scribe line described in the first embodiment.

또 트렌치 라인(TL)의 형성 시, 도 17의 화살표에 나타낸 바와 같이 칼 끝(51)이 위치(N1)로부터 위치(N3)로 변위되는 대신에, 위치(N3)로부터 위치(N1)로 변위되어도 된다. 이 경우, 칼 끝(51)은, 도 15에 있어서 방향(DA) 대신에 방향(DB)으로 변위된다. 또 트렌치 라인(TL)을 형성하기 위한 기구는, 칼 끝(51)(도 15)으로 한정되는 것은 아니고, 원뿔 형상의 칼 끝이 이용되어도 된다. 또한, 슬라이딩되는 칼 끝 대신에, 전동되는 칼 끝이 이용되어도 된다. 이 경우, 전동방향은 방향(DB)(도 15)에 상당하는 방향으로 되는 것이 바람직하다.When the trench line TL is formed, the knife end 51 is displaced from the position N3 to the position N1 instead of being displaced from the position N1 to the position N3 as shown by the arrow in Fig. . In this case, the knife end 51 is displaced in the direction DB instead of the direction DA in Fig. The mechanism for forming the trench line TL is not limited to the knife end 51 (Fig. 15), but a conical knife edge may be used. Also, instead of the end of the sliding knife, a driven end of the knife may be used. In this case, it is preferable that the electric direction is a direction corresponding to the direction DB (Fig. 15).

또한 크랙 라인(CL)은, 트렌치 라인(TL) 상에 있어서 유리 기판(4)에, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부응력의 왜곡을 해방하는 바와 같은 응력을 인가함으로써 개시될 수 있다. 보다 큰 응력을 발생시키기 위해서, 보조 라인(AL)을 따른 유리 기판(4)의 분단이 행해져도 된다. 또 보조 라인(AL)의 형성 대신에, 예를 들면, 형성된 트렌치 라인(TL) 위 혹은 그 근방에 다시 칼 끝을 압압하는 것에 의한 외부응력의 인가, 또는, 레이저 광의 조사 등에 의한 가열이 행해져도 된다.The crack line CL can also be initiated by applying stress to the glass substrate 4 on the trench line TL to release the distortion of the internal stress near the trench line TL. In order to generate a larger stress, the glass substrate 4 along the auxiliary line AL may be divided. Further, instead of forming the auxiliary line AL, for example, even if external stress is applied by pressing the end of the knife on or near the formed trench line TL, or heating by laser light irradiation or the like is performed do.

또 유리 기판(4)의 가장자리의 변(ED1 및 ED2)은 도 17에 있어서 직사각형의 짧은 변이지만, 직사각형의 긴 변이어도 된다. 또한 가장자리의 형상은 직사각형으로 한정되는 것은 아니고, 예를 들어, 정방형이어도 된다. 또 변(ED1 및 ED2)은 직선 형상인 것으로 한정되는 것은 아니고 곡선 형상이어도 된다. 또 유리 기판(4)의 상부면(SF1)은, 평탄한 것으로 한정되는 것은 아니고, 만곡하고 있어도 된다.The edges ED1 and ED2 of the edge of the glass substrate 4 are short sides of a rectangle in FIG. 17, but may be long sides of a rectangle. The shape of the edge is not limited to a rectangle, but may be square, for example. The sides ED1 and ED2 are not limited to being linear, but may be curved. Further, the upper surface SF1 of the glass substrate 4 is not limited to being flat, but may be curved.

또한 취성 기판으로서 유리 기판(4)이 이용되는 경우에 대해서 상세히 설명했지만, 취성 기판은 유리 기판에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 세라믹스, 실리콘, 화합물반도체, 사파이어 또는 석영 기판이 이용되어도 된다. 레이저 광의 파장과, 반사부재(10)의 재료는, 취성 기판의 재료에 따라서 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 취성 기판이 실리콘 기판일 경우, 적외선 레이저를 이용하는 것이 바람직하다.Although the case where the glass substrate 4 is used as the brittle substrate has been described in detail, the brittle substrate is not limited to the glass substrate, and for example, ceramics, silicon, compound semiconductor, sapphire or quartz substrate may be used. The wavelength of the laser beam and the material of the reflecting member 10 can be appropriately selected depending on the material of the brittle substrate. For example, when the brittle substrate is a silicon substrate, it is preferable to use an infrared laser.

4: 유리 기판(취성 기판) 10: 반사부재
12: 테이블 20: 레이저 헤드
21: 광원 22: 센서
28: 헤드 위치조정부 29: 앰프
40: 검사 장치 50: 커팅 기구
51: 칼 끝 52: 자루 부분
AL: 보조 라인 CA, CL: 크랙 라인
LI: 입사광 LO: 출사광
LR: 반사광 LT: 투과 광
SA, SL: 스크라이브 라인 SF1: 상부면(제1 면)
SF2: 하부면(제2 면) SP 스팟 광
TL 트렌치 라인
4: glass substrate (brittle substrate) 10: reflective member
12: Table 20: Laser head
21: light source 22: sensor
28: Head position adjusting section 29: Amplifier
40: inspection apparatus 50: cutting mechanism
51: Knife end 52: Sack portion
AL: auxiliary line CA, CL: crack line
LI: incident light LO: outgoing light
LR: reflected light LT: transmitted light
SA, SL: scribe line SF1: upper surface (first surface)
SF2: Lower surface (second surface) SP spot light
TL trench line

Claims (5)

트렌치 라인과, 상기 트렌치 라인의 바로 아래에서 상기 트렌치 라인을 따라서 연장되는 크랙 라인을 구비하는 스크라이브 라인의 검사방법으로서,
제1 면과, 상기 제1 면과는 반대인 제2 면을 가진 취성 기판을 준비하는 공정으로서, 상기 제1 면 상에는 상기 제1 면 위의 하나의 위치에 있어서 연장 방향으로 연장되는 상기 트렌치 라인을 구비하는 상기 스크라이브 라인이 형성되어 있는, 상기 취성 기판을 준비하는 공정;
상기 취성 기판의 외부로부터 상기 제1 면을 경유해서 상기 취성 기판의 상기 제1 면의 상기 하나의 위치의 바로 아래에 레이저에 의한 입사광을 조사하는 공정으로서, 상기 입사광의 광축방향은, 상기 제1 면에 수직인 방향을 기준으로 해서, 상기 제1 면 위에 있어서 상기 연장 방향에 수직인 방향으로의 경사 성분을 지니고, 상기 크랙 라인이 상기 입사광을 반사함으로써, 상기 제2 면을 향하는 반사광이 생기는, 상기 입사광을 조사하는 공정;
상기 반사광을 반사함으로써, 상기 제2 면으로부터 상기 제1 면을 경유해서 상기 취성 기판의 외부로 향하는 출사광을 발생시키는 공정; 및
상기 출사광의 강도를 측정하는 공정을 포함하는, 스크라이브 라인의 검사방법.
1. A method for inspecting a scribe line having a trench line and a crack line extending along the trench line immediately below the trench line,
A method of manufacturing a brittle substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, the method comprising the steps of: forming on the first surface a trench line extending in an extending direction at a location on the first surface, Forming a brittle substrate on which the scribe line is formed;
Irradiating an incident beam of laser light from the outside of the brittle substrate to the first surface of the brittle substrate immediately below the one position of the brittle substrate via the first surface, And the inclined component in a direction perpendicular to the extending direction is formed on the first surface with reference to a direction perpendicular to the surface of the first surface, and the reflected light, which is reflected toward the second surface, Irradiating the incident light;
Reflecting the reflected light to generate outgoing light from the second surface to the outside of the brittle substrate via the first surface; And
And measuring the intensity of the outgoing light.
제1항에 있어서, 상기 입사광을 조사하는 공정은, 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향을 따라서 상기 입사광으로 상기 제1 면을 주사함으로써 행해지는, 스크라이브 라인의 검사방법.The inspection method of a scribe line according to claim 1, wherein the step of irradiating the incident light is performed by scanning the first surface with the incident light along a direction intersecting with the trench line. 제1항에 있어서, 상기 출사광을 발생시키는 공정은, 상기 제2 면에 배치된 반사부재가 상기 반사광을 반사함으로써 행해지는, 스크라이브 라인의 검사방법.The inspection method of a scribe line according to claim 1, wherein the step of generating the outgoing light is performed by reflecting members of the reflection member arranged on the second surface. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 입사광을 조사하는 공정은, 레이저 광을 광원으로부터 방사함으로써 행해지고,
상기 출사광의 강도를 측정하는 공정은, 상기 출사광을 센서가 검출함으로써 행해지며,
상기 방법은, 상기 광원 및 상기 센서를 함께 이동시키는 공정을 더 포함하는, 스크라이브 라인의 검사방법.
The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the step of irradiating the incident light is performed by radiating laser light from a light source,
The step of measuring the intensity of the outgoing light is performed by detecting the outgoing light by the sensor,
Wherein the method further comprises moving the light source and the sensor together.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 취성 기판을 준비하는 공정은, 상기 취성 기판의 상기 제1 면 상에, 크랙 없는 상태가 얻어지도록 트렌치 라인을 형성하는 공정과, 상기 크랙 없는 상태를 유지하는 공정과, 상기 트렌치 라인을 따라서 연장되는 크랙 라인을 형성하는 공정을 포함하는, 스크라이브 라인의 검사방법.The method of manufacturing a brittle substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the step of preparing the brittle substrate includes the steps of forming a trench line on the first surface of the brittle substrate so as to obtain a state without cracks, And a step of forming a crack line extending along the trench line.
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