KR20170022722A - Oxide Transistor and the controlling Method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 산화물 트랜지스터 제조 기술에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 하부 게이트 구조의 산화물 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oxide transistor manufacturing technique, and more particularly, to an oxide transistor having a bottom gate structure and a manufacturing method thereof.
최근, 박막트랜지스터(이하 TFT)를 용액상태의 저온공정으로 제조하고자 하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 제조방법의 가장 큰 장점은 기존의 진공장치를 기반으로 전자기능성 박막을 형성했던 공정에 비해 상대적으로 저렴한 제조비용으로 박막을 제조할 수 있다는 점이다. BACKGROUND ART [0002] In recent years, studies have been actively made to manufacture a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) by a low temperature process in a solution state. A major advantage of such a manufacturing method is that a thin film can be manufactured at a relatively low manufacturing cost as compared to a process in which an electronic functional thin film is formed based on a conventional vacuum device.
또한, 상기 용액공정으로 제조된 TFT를 차세대 플렉서블 디스플레이의 구동소자나 바코드를 대체하는 개별물품단위 인식용 초저가 RFID 태그의 로직회로 등으로 활용하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다. In addition, much research has been conducted to utilize the TFT manufactured by the solution process as a driving element of a next generation flexible display or a logic circuit of an ultra low cost RFID tag for individual article unit recognition replacing a bar code.
더 나아가, 이렇게 제조된 TFT는 고분자 기판위에 구현되는 다양한 플렉서블 전자소자에 적용될 수 있다.Furthermore, the TFT thus manufactured can be applied to various flexible electronic devices implemented on a polymer substrate.
종래 기술에 따른 전극 또는 배선 등을 형성하는 TFT 공정으로는 포토리소그래피법이 주로 사용된다. 포토리소그래피법은 스퍼터법, 도금, 또는 ＣＶＤ법과 같이 기존 성막법에 의해 도전막을 형성한 후, 기판상에 감광재를 도포하고, 광을 조사하여 현상한 후, 레지스트 패턴에 따라 도전막을 에칭함으로써, 기능 박막의 전극 또는 배선패턴을 형성하는 단계를 거친다. A photolithography method is mainly used in the TFT process for forming an electrode, a wiring, or the like according to the related art. The photolithography method is a method in which a conductive film is formed by a conventional film forming method such as a sputtering method, a plating method, or a CVD method, a photosensitive material is coated on the substrate, and the conductive film is etched according to the resist pattern, Forming a functional thin film electrode or a wiring pattern.
이러한 포토리소그래피법은 박막의 형성, 패터닝, 성막처리 및 에칭 처리시에 진공장치 등의 대대적인 설비와 복잡한 공정을 필요로 한다. 또한, 재료 사용 효율이 수 % 정도에 지나지 않아 공정이 종료되면 재사용이 불가하고 폐기할 수 밖에 없으므로 제조 비용이 높고 불필요한 화학폐기물을 다량 발생시킬 수 있다.Such a photolithography method requires large facilities such as a vacuum apparatus and complicated processes at the time of forming a thin film, patterning, a film forming process, and an etching process. In addition, since the material utilization efficiency is only a few%, the process can not be reused when the process is completed, and it is inevitable to dispose of the material. Therefore, the manufacturing cost is high and unnecessary chemical waste can be generated in large quantity.
본 발명은 전술한 바와 같은 기술적 배경에서 안출된 것으로서, 공정 온도를 낮출 수 있는 산화물 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an oxide transistor and a method of manufacturing the same that can reduce the process temperature.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 일면에 따른 산화물 트랜지스터는, 게이트 전극으로 사용되는 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트절연막; 상기 실리콘 절연막의 상부에 밴드갭(Gap)이 기설정된 기준치 이상인 반도체 물질의 혼합 용액을 스핀코팅(Spin Coating)하는 공정중에 기설정된 자외선을 기설정된 시간동안 조사하여 산화물 활성층을 형성한 후 어닐링(annealing)함에 따라 형성된 산화물 박막; 및 상기 산화물 박막의 상부에 알루미늄을 증착하여 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.An oxide transistor according to an aspect of the present invention includes: a substrate used as a gate electrode; A gate insulating film formed on the substrate; The predetermined ultraviolet rays are irradiated for a preset time during spin coating of a mixed solution of a semiconductor material having a band gap (Gap) set above the silicon insulating film to form an oxide active layer, followed by annealing ); And source and drain electrodes formed by depositing aluminum on the oxide thin film.
본 발명의 다른 면에 따른 산화물 트랜지스터 제조 방법은, 실리콘 게이트절연막이 형성된 기판에 밴드갭(Gap)이 기설정된 기준치 이상인 반도체 물질의 혼합 용액을 회전코팅(Spin Coating)하는 공정 중에 자외선을 조사하여 산화물 활성층을 형성하는 단계; 상기 산화물 활성층이 형성된 상기 기판을 어닐링(annealing)함에 따라 산화물 박막을 형성하는 단계; 및 상기 산화물 박막의 상부에 알루미늄을 증착하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an oxide transistor, comprising the steps of: irradiating ultraviolet rays during a process of spin coating a mixed solution of a semiconductor material having a band gap (Gap) Forming an active layer; Forming an oxide thin film by annealing the substrate on which the oxide active layer is formed; And depositing aluminum on the oxide thin film to form source and drain electrodes.
본 발명에 따르면, 공정 온도를 낮출 수 있고 트랜지스터 성능을 개선할 수 있다.According to the present invention, the process temperature can be lowered and the transistor performance can be improved.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 산화물 트랜지스터를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 산화물 트랜지스터 제조 공정을 도시한 도면.
도 3a 및 도 3b는 각기 본 발명의 실시예에 따른 스핀코팅시에 자외선 조사시간을 달리하여 제조된 산화물 트랜지스터의 출력 커브(드레인 전류)와 전달 커브를 도시한 그래프.1 illustrates an oxide transistor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 illustrates a process for fabricating an oxide transistor according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIGS. 3A and 3B are graphs each showing an output curve (drain current) and a transfer curve of an oxide transistor manufactured by differently irradiating ultraviolet rays at the time of spin coating according to an embodiment of the present invention. FIG.
본 발명의 전술한 목적 및 그 이외의 목적과 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성소자, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성소자, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, advantages and features of the present invention and methods of achieving them will be apparent from the following detailed description of embodiments thereof taken in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. It is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms " comprises, " and / or "comprising" refer to the presence or absence of one or more other components, steps, operations, and / Or additions.
이제 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 산화물 트랜지스터를 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 산화물 트랜지스터 제조 공정을 도시한 도면이다. 본 명세서에서는 상부 전극 하부 게이트(top-contact bottom-gate) 구조의 산화물 트랜지스터에 대하여 예로 들어 설명하였다.Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a view showing an oxide transistor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view showing a process of manufacturing an oxide transistor according to an embodiment of the present invention. In this specification, an oxide transistor having a top-contact bottom-gate structure has been described as an example.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 산화물 트랜지스터(10)는 기판(110), 게이트절연막(120), IZO 박막(130), 소스 및 드레인 전극(141, 142)을 포함한다.1, an
기판(110)은 600um의 heavy Doped n-타입 실리콘(n-type Si) 웨이퍼를 이용하여 제조되며, 게이트 전극으로 사용된다.The
게이트절연막(120)은 기판(110) 상에 형성되며, 노(furnace)에서 열산화(thermal oxidation) 공정을 통해 100nm 두께로 이산화규소(SiO2)를 성장시킴에 따라 형성된다.The
이때, 게이트절연막(120)이 생성된 기판(110)은 예컨대, 피라냐 클리닝(piranha cleaning)에 의해 표준 세정된 후 IZO 박막(130)의 형성에 사용될 수 있다.At this time, the
IZO 박막(130)은 인듐-아연 용액을 기판(110)에 스핀공정하면서 자외선을 조사하여 형성된 산화물 활성층을 어닐링(anealing)하여 남은 용매를 증발시킴에 따라 형성된다.The IZO
여기서, 인듐-아연 용액은 다음과 같은 과정을 통해 제작될 수 있다. 구체적으로, 0.1M의 인듐과 아연(indium, zinc) 용액을 제작하기 위한 용매로써 2-메톡시에탄올(methoxyethanol)이 사용된다. 인듐 용액에는 시약을 용해시키기 위한 안정제로 아세틸아세톤(acetylacetone)을 첨가하고 빠른 반응을 위한 촉매로 NH3를 첨가하며, 아연 용액에는 안정제인 acetylacetone만 첨가하여 각각을 1시간 동안 60℃에서 스티어링(stirring)을 진행하였다. 이때, 시약은 질산인듐 수화물(indium nitrate hydrate)[In(NO3)32O], 아연 아세테이트 이수화물(zinc acetate dihydrate)[Zn(CH3COO)22O]이 사용된다. 이후, In 용액과 Zn 용액을 7:3의 비율로 혼합하여 상온에서 2시간 동안 스티어링(stirring)을 진행하였다.Here, the indium-zinc solution can be produced through the following process. Specifically, 2-methoxyethanol is used as a solvent for preparing a 0.1 M indium and zinc solution. In the indium solution, acetylacetone was added as a stabilizer to dissolve the reagent, NH 3 was added as a catalyst for rapid reaction, and acetylacetone, a stabilizer, was added to the zinc solution, and the mixture was steered at 60 ° C. for 1 hour. Respectively. At this time, indium nitrate hydrate [In (NO 3 ) 32 O], zinc acetate dihydrate [Zn (CH 3 COO) 22 O] is used as the reagent. Then, the In solution and the Zn solution were mixed at a ratio of 7: 3, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours.
전술한 인듐-아연 용액은 밴드갭(Gap)이 기설정된 기준치 이상인 다른 반도체 물질의 혼합 용액으로 대체될 수 있다. 여기서, 기설정된 기준치는 IZO 반도체 박막의 밴드갭인 3.5일 수 있다. 또한, 대체 가능한 다른 반도체 물질의 혼합 용액은 산화물 계열의 반도체 IYO(Indium gallium zinc oxide), IGZO(Zinc tin oxide), ZTO(Indium yttrium oxide) 등일 수 있다.The above-mentioned indium-zinc solution may be replaced with a mixed solution of another semiconductor material whose band gap (Gap) is equal to or higher than a predetermined reference value. Here, the preset reference value may be 3.5, which is the band gap of the IZO semiconductor thin film. In addition, a mixed solution of other substitutable semiconductor materials may be oxide semiconductor IYO (indium gallium zinc oxide), IGZO (zinc tin oxide), ZTO (indium yttrium oxide), or the like.
도 2의 S220단계를 참조하면, 산화물 활성층은 기설정된 속도로 기판(110)을 회전시키며, 인듐-아연 용액을 20~30nm의 두께로 코팅하면서, 게이트절연막(120)의 상부에 기설정된 자외선을 기설정된 시간동안 조사함에 따라 형성될 수 있다. Referring to step S220 of FIG. 2, the oxide active layer rotates the
여기서, 스핀코팅시 기판(110)의 회전속도는 1500rpm이며, 기설정된 자외선은 300nm~450nm 파장을 가질 수 있다. 또한, 자외선의 강도가 1200mW/cm2인 경우 자외선의 조사시간 60초 이상이면서 90초 이하인 시간일 수 있다. 이는 하나의 실시예에 지나지 않으며, 기설정된 자외선의 강도와 조사시간은 온/오프비와 모빌리티 특성을 고려하여 결정될 수 있음은 물론이다. 예를 들어, 스핀코팅시의 자외선 조사시간은 자외선의 강도가 증가할수록 짧아지되, 시험 결과 본 발명의 실시예에 따른 산화물 트랜지스터(10)의 온/오프비와 모빌리티가 각기 일정값 이상으로 유지할 수 있도록 설정될 수 있다. 여기서, 온/오프비와 모빌리티의 일정값은 각기 104 및 3cm2/Vs일 수 있다.Here, the spin speed of the
이 같이, 본 발명에서는 스핀코팅과 자외선 조사를 동시에 진행함에 따라 전체 공정 시간을 단축할 수 있을 뿐만 아니라, 용액 공정의 온도를 낮춰 유연한(Flexible) 소자를 제작할 수 있다.As described above, according to the present invention, not only the whole process time can be shortened by spin coating and irradiation of ultraviolet rays simultaneously, but also a flexible device can be manufactured by lowering the temperature of the solution process.
이후, 도 2b를 참조하면, IZO 박막(130)은 산화물 활성층이 코팅된 기판(110)을 노(furnace)에서 350℃의 온도에서 4시간 동안 어닐링함에 따라 형성될 수 있다. 이 같이, 본 발명에서는 노를 이용한 어닐링을 수행함에 따라 소자별 성능 비균등화를 방지할 수 있고, UV 조사 및 스핀 공정 후에 노를 이용한 어닐링을 수행함에 따라 어닐링에 따른 소자의 특성 저하 현상을 방지할 수 있다. Referring to FIG. 2B, the IZO
도 2c를 참조하면, 소스 및 드레인 전극(141, 142)은 IZO 박막(130)의 상부 각기 소스 전극과 드레인 전극이 형성될 위치에 메탈 증발기(metal evaporator)를 이용하여 100nm 두께로 알루미늄 소스를 증착함에 따라 형성된다.Referring to FIG. 2C, the source and
이와 같이, 본 발명의 실시예는 용액 공정을 이용한 공정 단계를 축소할 수 있으면서 UV 조사와 용액 공정의 동시 진행에 의해 공정 시간을 단축할 수 있고, 용액 공정의 온도를 낮춰 유연한(Flexible) 소자를 제작할 수 있다.As described above, the embodiment of the present invention can reduce the process steps using the solution process, shorten the process time by simultaneously performing the UV irradiation and the solution process, lower the temperature of the solution process, Can be produced.
뿐만 아니라, 본 발명의 실시예는 소자별 성능을 어느 정도 균등하게 유지할 수 있고, 어닐링에 따른 소자의 특성 저하 현상을 방지할 수 있다. In addition, the embodiment of the present invention can maintain the performance of each device to some extent and prevent degradation of characteristics of the device due to annealing.
또한, 본 발명의 실시예는 밴드갭(Band GAP)이 큰 인듐-아연 산화물 반도체 트랜지스터를 제작함에 따라 투명 전자소자로 응용될 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention can be applied to a transparent electronic device by fabricating an indium-zinc oxide semiconductor transistor having a large band gap (Band GAP).
더 나아가, 본 발명의 실시예는 산화물 트랜지스터, 디스플레이 백플레인 소자, 유연한 전자소자, 투명 전자소자 등의 다양한 분야의 특성을 향상시킬 수 있다.Furthermore, embodiments of the present invention can improve the properties of various fields such as oxide transistors, display backplane elements, flexible electronic elements, transparent electronic elements, and the like.
이하, 도 3a 및 3b를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 산화물 트랜지스터의 성능에 대하여 설명한다. 도 3a 및 도 3b는 각기 본 발명의 실시예에 따른 스핀코팅시에 자외선 조사시간을 달리하여 제조된 산화물 트랜지스터의 출력 커브(드레인 전류)와 전달 커브를 도시한 그래프이다. 해당 실험에서 산화물 트랜지스터의 소스 전극은 접지되고, 드레인 전극과 게이트 전극에는 전압이 인가되었다.Hereinafter, the performance of the oxide transistor according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A and 3B. FIG. FIGS. 3A and 3B are graphs showing output curves (drain currents) and transfer curves of an oxide transistor fabricated by varying ultraviolet irradiation time at the time of spin coating according to an embodiment of the present invention. In this experiment, the source electrode of the oxide transistor was grounded, and the drain electrode and the gate electrode were applied with voltage.
도 3a 및 도 3b의 (a)는 스핀코팅시에 자외선을 조사하지 않은 경우, (b)는 스핀코팅시에 자외선을 30초 조사한 경우, (c)는 스핀코팅시에 자외선을 60초 조사한 경우, (d)는 스핀코팅시에 자외선을 90초 조사한 경우의 그래프이다.3A and 3B show a case where ultraviolet rays are not irradiated at the time of spin coating, a case where ultraviolet rays are irradiated for 30 seconds at the time of spin coating, and a case where ultraviolet rays are irradiated for 60 seconds at the time of spin coating , and (d) are graphs obtained by irradiating ultraviolet rays for 90 seconds at the time of spin coating.
게이트 전극(110)과 드레인 전극(142)에 0, 10V, 20V, 30V의 전압을 각기 인가하며 드레인 전류를 측정한 결과, 도 3a 및 도 3b와 같이, 스핀코팅시에 60초 이상 기설정된 자외선을 조사한 경우에 산화물 트랜지스터가 제대로 동작함을 알 수 있다.As a result of measuring the drain current by applying voltages of 0, 10V, 20V, and 30V to the
또한, 본 발명의 실시예에 따른 스핀코팅시에 자외선을 90초 이상 조사하여 제작된 산화물 트랜지스터의 경우, 온/오프비가 107으로 가장 높고 모빌리티도 3cm2/Vs 이상이 되는 것을 확인할 수 있다. In addition, in the case of an oxide transistor manufactured by irradiating ultraviolet rays for 90 seconds or more during spin coating according to an embodiment of the present invention, it can be confirmed that the ON / OFF ratio is the highest at 10 7 and the mobility is at least 3 cm 2 / Vs.
반면, 본 발명의 실시예에 따른 스핀코팅시에 자외선을 60초 조사하여 제작된 산화물 트랜지스터의 경우, 모빌리티는 5cm2/Vs 이상으로 뛰어나지만, 온/오프비가 104으로 낮은 것을 알 수 있다. On the other hand, in the case of the oxide transistor fabricated by irradiating ultraviolet rays for 60 seconds in the spin coating according to the embodiment of the present invention, the mobility is superior to 5 cm 2 / Vs, but the ON / OFF ratio is as low as 10 4 .
이와 같이, 본 발명에서는 스핀코팅 공정중에 UV 조사시간을 조정함에 따라 온/오프비와 모빌리티를 어느 정도 이상으로 보장할 수 있는 산화물 트랜지스터를 제조하도록 지원할 수 있다.Thus, in the present invention, it is possible to manufacture an oxide transistor capable of ensuring on / off ratio and mobility to some extent or more as the UV irradiation time is adjusted during the spin coating process.
이상, 본 발명의 구성에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하였으나, 이는 예시에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에 통상의 지식을 가진자라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 보호 범위는 전술한 실시예에 국한되어서는 아니되며 이하의 특허청구범위의 기재에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the invention is not limited to the above-described embodiments. Those skilled in the art will appreciate that various modifications, Of course, this is possible. Accordingly, the scope of protection of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be determined by the description of the following claims.
Claims (12)
상기 기판 상에 형성된 게이트절연막;
상기 실리콘 절연막의 상부에 밴드갭(Gap)이 기설정된 기준치 이상인 반도체 물질의 혼합 용액을 스핀코팅(Spin Coating)하는 공정중에 기설정된 자외선을 기설정된 시간동안 조사하여 산화물 활성층을 형성한 후 어닐링(annealing)함에 따라 형성된 산화물 박막; 및
상기 산화물 박막의 상부에 알루미늄을 증착하여 형성된 소스 및 드레인 전극
을 포함하는 산화물 트랜지스터.A substrate used as a gate electrode;
A gate insulating film formed on the substrate;
The predetermined ultraviolet rays are irradiated for a preset time during spin coating of a mixed solution of a semiconductor material having a band gap (Gap) set above the silicon insulating film to form an oxide active layer, followed by annealing ); And
The source and drain electrodes formed by depositing aluminum on the oxide thin film
≪ / RTI >
1500rpm의 속도로 회전되는 것인 산화물 트랜지스터.The method of claim 1, wherein, during spin coating,
Lt; RTI ID = 0.0 > 1500rpm. ≪ / RTI >
300 내지 450nm 파장의 자외선인 산화물 트랜지스터.The method according to claim 1,
And an ultraviolet ray having a wavelength of 300 to 450 nm.
상기 스핀코팅의 공정중에 60초 이상, 90초 이하의 시간동안 상기 일 자외선이 조사되는 것인 산화물 트랜지스터.The method according to claim 1, wherein when the ultraviolet ray is one ultraviolet ray having an intensity of 1200 mW / cm 2 ,
Wherein the one ultraviolet ray is irradiated for 60 seconds or more and 90 seconds or less during the spin coating process.
상기 산화물 활성층이 형성된 상기 기판을 노(Furnace)에서 350도의 온도에서 4시간 동안 어닐링하여 형성되는 것인 산화물 트랜지스터.The method according to claim 1,
And the substrate on which the oxide active layer is formed is annealed in a furnace at a temperature of 350 DEG C for 4 hours.
인듐-아연용액, IYO(Indium gallium zinc oxide), IGZO(Zinc tin oxide), ZTO(Indium yttrium oxide)를 포함하는 밴드갭인 3.5인 산화물 계열의 반도체 물질의 혼합용액인 산화물 트랜지스터.The method according to claim 1,
An oxide transistor is a mixed solution of an oxide-based semiconductor material having a bandgap of 3.5 which includes indium-zinc solution, indium gallium zinc oxide (IYO), zinc tin oxide (IGZO) and indium yttrium oxide (ZTO).
상기 산화물 박막은 인듐-아연 산화물(IZO) 박막인 산화물 트랜지스터.The method of claim 1,
Wherein the oxide thin film is an indium-zinc oxide (IZO) thin film.
상기 산화물 활성층이 형성된 상기 기판을 어닐링(annealing)함에 따라 산화물 박막을 형성하는 단계; 및
상기 산화물 박막의 상부에 알루미늄을 증착하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 산화물 트랜지스터 제조 방법.Forming an oxide active layer by irradiating ultraviolet rays during spin coating of a mixed solution of a semiconductor material having a band gap (Gap) equal to or greater than a predetermined value on a substrate having a silicon gate insulating film formed thereon;
Forming an oxide thin film by annealing the substrate on which the oxide active layer is formed; And
Depositing aluminum on the oxide thin film to form source and drain electrodes
≪ / RTI >
1500rpm의 속도로 회전하는 기판 상에 상기 혼합 용액을 코팅하는 단계; 및
상기 혼합 용액의 코팅 면의 상부에서 1200mW/cm2 강도의 자외선을 60초 이상, 90초 이하의 시간동안 조사하는 단계
를 포함하는 것인 산화물 트랜지스터 제조 방법.9. The method of claim 8, wherein forming the oxide active layer comprises:
Coating the mixed solution on a substrate rotating at a speed of 1500 rpm; And
Irradiating ultraviolet rays having an intensity of 1200 mW / cm 2 from above the coating surface of the mixed solution for 60 seconds or more and 90 seconds or less
/ RTI > of claim 1,
상기 혼합 용액은 인듐 용액과 아연 용액을 7:3 비율로 혼합한 용액이며,
상기 산화물 박막은 인듐-아연 산화물 박막인 산화물 트랜지스터 제조 방법.9. The method of claim 8,
The mixed solution is a mixture of an indium solution and a zinc solution in a ratio of 7: 3,
Wherein the oxide thin film is an indium-zinc oxide thin film.
상기 산화물 활성층이 형성된 상기 기판을 노(Furnace)에서 350도의 온도에서 4시간 동안 어닐링하는 단계를 포함하는 것인 산화물 트랜지스터 제조 방법.9. The method of claim 8, wherein forming the oxide thin film comprises:
And annealing the substrate on which the oxide active layer is formed in a furnace at a temperature of 350 degrees for 4 hours.
온/오프비가 104이상 및 모빌리티가 3cm2/Vs이상인 산화물 트랜지스터를 제조 가능하도록 설정되는 것인 산화물 트랜지스터 제조 방법.The method according to claim 8, wherein the irradiation time of the ultraviolet ray is determined according to the intensity thereof,
An on / off ratio of 10 4 or more, and a mobility of 3 cm 2 / Vs or more.
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