KR20170019706A - 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 패널 - Google Patents

전도성 구조체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 패널 Download PDF

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KR20170019706A
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Abstract

본 명세서는 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 패널에 관한 것이다.

Description

전도성 구조체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 패널{CONDUCTIVE STRUCTURE BODY, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL COMPRISING THE SAME}
본 명세서는 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 패널에 관한 것이다.
일반적으로, 터치 패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류할 수 있다. 즉, 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식(resistive type)과, 교류 전압을 인가한 상태에서 캐패시턴스 커플링(capacitance coupling)을 이용하는 정전 용량 방식(capacitive type)과, 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등이 있다.
상용화된 터치 스크린 패널(touch screen panel)은 ITO 박막을 기반으로 사용하고 있으나, 대면적 터치 스크린 패널 적용시 ITO 투명 전극 자체의 면저항으로 인해 터치 인식 속도가 느려진다는 단점을 안고 있었다. 이에 따라, 상기 투명 ITO 박막을 대체하기 위한 기술로서 터치 스크린 패널의 전극용으로 사용되는 메탈메쉬(metal mesh)가 제시되었다. 하지만, 메탈 메쉬의 경우, 높은 반사도로 인하여 패턴이 사람의 눈에 잘 나타나는 시인성 측면의 문제와 함께 외부 광에 대한 높은 반사도로 인하여 눈부심 등이 일어날 수 있는 문제 등을 개선하기 위한 노력이 필요하다.
대한민국 공개특허공보 제10-2010-0007605호
본 명세서가 해결하고자 하는 과제는, 전도성 라인의 눈부심 효과를 효과적으로 저감할 수 있는 전도성 구조체를 제공하고자 함에 있다.
본 명세서의 일 실시상태는, 기재; 상기 기재의 상면 상에 구비된 전도성 라인; 및 상기 전도성 라인의 상면 및 측면 상에 구비된 광반사 저감층을 포함하고,
상기 광반사 저감층은 고분자 매트릭스 및 유기 염료를 포함하는 것인 전도성 구조체를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 기재를 준비하는 단계; 상기 기재의 상면 상에, 금속을 포함하는 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층의 상면 상에, 고분자 화합물 및 유기 염료를 포함하는 조성물을 이용하여 고분자 패턴층을 형성하는 단계; 상기 금속층을 식각하여 전도성 라인을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 패턴층을 이용하여, 상기 전도성 라인의 상면 및 측면 상에 구비된 광반사 저감층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 화면부, 배선부 및 패드부를 포함하는 전기 전자 소자에 있어서, 상기 화면부는 상기 전도성 구조체를 포함하는 전기 전자 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 우수한 전기 전도도를 유지하며, 금속층의 눈부심 효과를 효과적으로 방지할 수 있는 장점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 시인성이 우수하며, 화학적 내구성 및 물리적 내구성이 우수한 장점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 간단한 제조 공정을 통하여 효과적으로 전도성 라인의 눈부심 현상을 제어할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 전도성 라인의 측면부에 의한 눈부심 현상도 제어할 수 있으므로, 우수한 시인성을 구현할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 단면을 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법을 도시한 것이다.
도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 주사 전자 현미경 이미지를 나타낸 것이다.
도 4는 광반사 저감층의 일부를 제거한 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 주사 전자 현미경 이미지를 나타낸 것이다.
도 5는 광반사 저감층을 적용 유무에 따른 실시예 1 및 비교예 1의 전도성 구조체의 광반사율을 나타낸 것이다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "전도성"이란 전기 전도성을 의미한다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 기재; 상기 기재의 상면 상에 구비된 전도성 라인; 및 상기 전도성 라인의 상면 및 측면 상에 구비된 광반사 저감층을 포함하고,
상기 광반사 저감층은 고분자 매트릭스 및 유기 염료를 포함하는 것인 전도성 구조체를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 전도성 라인이 기재에 접하는 면을 제외한 외측면 전체에 광반사 저감층이 구비되어, 우수한 은폐성을 구현할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 전도성 라인의 상면을 비롯한 측면부에도 광반사 저감층이 구비되어, 전도성 라인의 측면에서의 빛반사로 인한 눈부심 현상을 효과적으로 제어할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 전도성 라인의 외측면 전체에 광반사 저감층이 구비되어, 전도성 라인의 내구성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 광반사 저감층은 산소 및 수분으로부터 상기 전도성 라인을 보호할 수 있으므로, 전도성 라인의 성능 저하를 최소화할 수 있는 장점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 매트릭스는 방향족 화합물로부터 유래된 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 고분자 매트릭스는 방향족 화합물의 중합에 의하여 형성되는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 매트릭스는 광경화성 물질 또는 열경화성 물질을 상기 방향족 화합물과 함께 중합하여 형성될 수 있다. 상기 광경화성 물질 또는 열경화성 물질은 상기 고분자 매트릭스의 내구성을 향상시키는 역할을 할 수 있다.
상기 고분자 매트릭스는 상기 유기 염료가 구비될 수 있는 층을 의미할 수 있다. 구체적으로, 상기 고분자 매트릭스는 상기 유기 염료가 임베드(embed)될 수 있는 층을 의미할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 방향족 화합물은 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 에폭시 노볼락 수지, 레졸 수지, 폴리비닐페놀, 및 폴리스티렌-폴리비닐페놀 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 고분자 매트릭스는 상기 방향족 화합물을 이용하여, 우수한 내산성을 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 두께는 100 ㎚ 이상 2 ㎛ 이하일 수 있다.
상기 광반사 저감층의 두께 범위가 100 ㎚ 이상 2 ㎛ 이하인 경우, 효과적으로 전도성 라인의 눈부심 현상을 제어할 수 있다. 상기 광반사 저감층의 두께가 100 ㎚ 미만인 경우, 전도성 라인의 눈부심 현상을 낮추기 곤란하고, 상기 광반사 저감층의 두께가 2 ㎛를 초과하는 경우, 패턴 구현 정밀도가 현저하게 떨어지는 문제점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 염료의 함량은 상기 광반사 저감층에 대하여 10 wt% 이상 90 wt% 이하일 수 있다.
상기 유기 염료의 함량은 상기 광반사 저감층 고형분에 대한 함량으로서, 상기 광반사 저감층을 형성하기 위한 조성물에서의 함량은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 염료는 아닐리노 아조계 염료, 피리돈 아조계 염료, 피라졸 아조계 염료, 트리페닐메탄계 염료, 안트라퀴논계 염료, 아트라피리돈계 염료, 옥소놀계 염료, 벤질리덴 염료, 및 크산텐 염료로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 유기 염료를 사용하는 경우, 상기 광반사 저감층을 형성하기 위한 조성물 내에서 우수한 용해성을 확보할 수 있다. 또한, 안료에 비하여 낮은 응집력을 나타내므로 미세한 입자로 분산이 가능하며, 색불균형 및 입자 산란이 적은 장점이 있다. 또한, 상기 유기 염료를 이용하는 경우, 높은 색재현율을 구현할 수 있으며, 별도의 분산 과정이 필요하지 않은 장점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 복수의 개구부와 이를 구획하는 전도성 패턴을 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 규칙적 패턴 또는 불규칙적인 패턴을 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성 라인은 패터닝 과정을 통하여 상기 기재 상에서 패턴을 형성하며 구비될 수 있다.
구체적으로, 상기 패턴은 삼각형, 사각형 등의 다각형, 원, 타원형 또는 무정형의 형태가 될 수 있다. 상기 삼각형은 정삼각형 또는 직각삼각형 등이 될 수 있고, 상기 사각형은 정사각형, 직사각형 또는 사다리꼴 등이 될 수 있다.
상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴 형태를 불규칙 패턴으로 하는 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 상기 광반사 저감층에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하일 수 있고, 0.1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 또는 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 전도성 라인의 선폭은 상기 전도성 구조체의 최종 용도에 따라 설계될 수 있다.
상기 전도성 라인의 선폭이 0.1 ㎛ 미만이면 패턴의 구현이 어려울 수 있고, 100 ㎛ 초과이면 시인성이 떨어질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인 간의 선간격은 1 ㎛ 이상 1 ㎜ 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 선간격은 1 ㎛ 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 10 ㎛ 이상일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 20 ㎛ 이상일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 선간격은 1 ㎜ 이하, 또는 100 ㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 30 ㎛ 이하일 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 단면을 도시한 것이다. 도 1에 있어서, 기재(100), 전도성 라인(210), 전도성 라인의 상면 및 측면에 구비된 광반사 저감층(310)이 구비된 것을 나타낸다. 다만, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 도 1의 구조에 한정되지 않고, 추가의 층이 더 구비될 수 있다.
도 1에서 a는 전도성 라인의 선폭을 의미하고, b는 인접하는 전도성 라인간의 선간격을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 두께는 10 ㎚ 이상 1 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 두께는 100 nm 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 150 nm 이상일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 두께는 500 nm 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 200 nm 이하일 수 있다. 상기 전도성 라인의 전기 전도도가 두께에 의존하므로 매우 얇으면 연속적인 두께가 형성되지 않아서 비저항 값이 증가하는 문제가 있을 수 있으므로, 상기 전도성 라인의 두께는 100 nm 이상일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 구리, 알루미늄, 은, 네오디뮴, 몰리브덴, 니켈, 크롬 중 적어도 하나의 금속, 상기 금속 중 2 이상을 포함하는 합금, 상기 금속 중 1 이상을 포함하는 산화물 및 상기 금속 중 1 이상을 포함하는 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 알루미늄을 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 알루미늄으로 이루어진 것일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 알루미늄을 주성분으로 포함하는 것일 수 있다. 다만, 제조 공정상 불순물을 일부 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 특별히 한정되지 않으며, 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 기재는 투명 기재이면 어느 것이든 무방하며, 예를 들어, 유리 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 또는 폴리아미드(PA)일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층 표면에서의 광반사율은 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장 영역의 빛에서 평균 20 % 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층 표면에서의 광반사율은 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장 영역의 빛에서 평균 15 % 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 기재를 준비하는 단계; 상기 기재의 상면 상에, 금속을 포함하는 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층의 상면 상에, 고분자 화합물 및 유기 염료를 포함하는 조성물을 이용하여 고분자 패턴층을 형성하는 단계; 상기 금속층을 식각하여 전도성 라인을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 패턴층을 이용하여, 상기 전도성 라인의 상면 및 측면 상에 구비된 광반사 저감층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
상기 제조방법에 있어서, 기재, 전도성 라인 및 광반사 저감층은 전술한 바와 동일할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는, 상기 고분자 패턴층을 리플로우 처리하는 것일 수 있다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법을 도시한 것이다. 구체적으로, 도 2는 (a) 준비된 기재(100) 상에 금속층(200)을 형성하고, (b) 금속층 상에 고분자 패턴층(300)을 형성하며, (c) 식각 공정을 통하여, 금속층(200)을 전도성 라인(210)으로 형성하고, (d) 리플로우 처리를 통하여, 고분자 패턴층(300)을 광반사 저감층(310)으로 형성하는 과정을 도시한 것이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속을 포함하는 금속층을 형성하는 단계는 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법을 이용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 패턴층은 에칭 레지스트(Etching resist) 특성을 가질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 패턴층을 형성하는 단계는 상기 조성물을 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 건식 필름 레지스트 방법, 습식 레지스트 방법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이저 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등을 이용하여 고분자 패턴층을 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 조성물을 오프셋 인쇄법을 이용하여 인쇄한 후 건조하는 것을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 화합물은 방향족 화합물일 수 있다. 구체적으로, 상기 방향족 화합물은 전술한 방향족 화합물과 동일할 수 있다.
상기 고분자 패턴층은 상기 방향족 화합물의 중합을 통하여 형성될 수 있으며, 우수한 내산성을 나타낼 수 있다. 이를 통하여, 상기 금속층을 식각하는 경우 우수한 레지스트 역할을 할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인을 형성하는 단계는 금속 에천트를 이용한 습식 식각을 이용할 수 있다. 상기 에천트는 금속층을 에칭할 수 있는 것이라면 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는, 리플로우 처리를 통하여 상기 고분자 패턴층이 유동성을 가지게 되어, 상기 전도성 라인의 외측면을 모두 덮도록 하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 리플로우 처리는 110 ℃ 이상 150 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 리플로우 처리는 130 ℃ 이상 145 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는, 화면부, 배선부 및 패드부를 포함하는 전기 전자 소자에 있어서, 상기 화면부는 상기 전도성 구조체를 포함하는 전기 전자 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전기 전자 소자는 디스플레이 패널, 터치 센서, 전기 변색 소자 또는 발열체일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 전도성 패턴이 필요한 소자는 적용이 가능하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 디스플레이 패널은 터치 스크린 패널일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 전기 전자 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 구조체 이외에 추가의 구조체를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 2개의 구조체가 서로 같은 방향으로 배치될 수도 있으며, 2개의 구조체가 서로 반대 방향으로 배치될 수도 있다. 상기 터치 스크린 패널에 포함될 수 있는 2개 이상의 구조체는 동일한 구조일 필요는 없으며, 어느 하나, 바람직하게는 사용자에 가장 가까운 측의 구조체만 전술한 전도성 구조체를 포함하는 것이기만 할 수 있으며, 추가로 포함되는 구조체는 광반사 저감층을 포함하지 않아도 된다. 또한, 2개 이상의 구조체 내의 층 적층 구조가 서로 상이해도 된다. 2개 이상의 구조체가 포함되는 경우 이들 사이에는 절연층이 구비될 수 있다. 이 때 절연층은 점착층의 기능이 추가로 부여될 수도 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 하부 기재; 상부 기재; 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면 중 어느 한 면 또는 양면에 구비된 전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극층은 각각 X축 위치 검출 및 Y축 위치 검출 기능을 할 수 있다.
이 때, 상기 하부 기재 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층; 및 상기 상부 기재 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층 중 하나 또는 두 개 모두가 전술한 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체일 수 있다. 상기 전극층 중 어느 하나만이 본 명세서의 일 실시상태에 따른 따른 전도성 구조체인 경우, 나머지 다른 하나는 당 기술분야에 알려져 있는 전도성 패턴을 가질 수 있다.
상기 상부 기재와 상기 하부 기재 모두의 일면에 전극층이 구비되어 ２층의 전극층이 형성되는 경우, 상기 전극층의 간격을 일정하기 유지하고 접속이 일어나지 않도록 상기 하부 기재와 상부 기재 사이에 절연층 또는 스페이서가 구비될 수 있다. 상기 절연층은 점착제 또는 UV 혹은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 상기 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 구조체 중의 전도성층의 패턴과 연결된 접지부를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 접지부는 상기 기재의 전도성층의 패턴이 형성된 면의 가장자리부에 형성될 수 있다. 또한，상기 전도성 구조체를 포함하는 적층재의 적어도 일면에는 반사 방지 필름, 편광 필름 및 내지문 필름 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 설계사양에 따라 전술한 기능성 필름 이외에 다른 종류의 기능성 필름을 더 포함할 수도 있다. 상기와 같은 터치 스크린 패널은 OLED 디스플레이 패널(OLED Display Panel), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT) 및 PDP와 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 기재의 양면에 각각 전도성 라인 및 광반사 저감층이 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 상기 전도성 구조체 상에 전극부 또는 패드부를 추가로 포함할 수 있으며. 이 때 유효 화면부와 전극부 및 패드부는 동일한 전도체로 구성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 광반사 저감층은 사용자가 바라보는 측에 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 컬러필터 기판 또는 박막 트랜지스터 기판 등에 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체가 사용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양 전지를 제공한다. 예컨대, 태양 전지는 애노드 전극, 캐소드 전극, 광활성층, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층을 포함할 수 있는데, 본 출원의 하나의 실시상태에 따는 전도성 구조체는 상기 애노드 전극 및/또는 캐소드 전극으로 사용될 수 있다.
상기 전도성 구조체는 디스플레이 장치 또는 태양 전지에서 종래의 ITO를 대체할 수 있고, 플렉서블(flexible) 가능 용도로 활용할 수 있다. 또한, CNT, 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등과 함께 차세대 투명 전극으로 활용할 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
<실시예 1>
유기 염료(도일에코텍 5 社, Black 082) 와 노볼락 수지 (m-크레졸과 p-크레졸을 중량비 6:4로 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량 1,000)의 함량을 각각 90 wt%, 10 wt%가 되도록 조성물을 제조하였다. 상기 조성물을 오프셋 인쇄법을 이용하여 알루미늄이 증착된 기재 상에 고분자 패턴층을 형성한 후, 에칭하여 알루미늄으로 이루어진 전도성 라인을 패터닝하였다. 상기 에칭 공정 이후, 140 의 분위기에서 리플로우 처리를 하여 전도성 라인의 측면 및 상면 상에 광반사 저감층을 형성하여 전도성 구조체를 제조하였다.
도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 주사 전자 현미경 이미지를 나타낸 것이다.
도 4는 광반사 저감층의 일부를 제거한 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 주사 전자 현미경 이미지를 나타낸 것이다.
<비교예 1>
광반사 저감층을 형성한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 전도성 구조체를 제조하였다.
도 5는 광반사 저감층을 적용 유무에 따른 실시예 1 및 비교예 1의 전도성 구조체의 광반사율을 나타낸 것이다.
도 5에 따르면, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 광반사 저감층의 적용을 통하여 낮은 수준의 광반사율을 나타내는 것을 알 수 있다.
100: 기재
200: 금속층
210: 전도성 라인
300: 고분자 패턴층
310: 광반사 저감층

Claims (15)

  1. 기재;
    상기 기재의 상면 상에 구비된 전도성 라인; 및
    상기 전도성 라인의 상면 및 측면 상에 구비된 광반사 저감층을 포함하고,
    상기 광반사 저감층은 고분자 매트릭스 및 유기 염료를 포함하는 것인 전도성 구조체.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 고분자 매트릭스는 방향족 화합물로부터 유래된 것인 전도성 구조체.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 방향족 화합물은 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 에폭시 노볼락 수지, 레졸 수지, 폴리비닐페놀, 및 폴리스티렌-폴리비닐페놀 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 전도성 구조체.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층의 두께는 100 ㎚ 이상 2 ㎛ 이하인 것인 전도성 구조체.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 염료의 함량은 상기 광반사 저감층에 대하여 10 wt% 이상 90 wt% 이하인 것인 전도성 구조체.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 염료는 아닐리노 아조계 염료, 피리돈 아조계 염료, 피라졸 아조계 염료, 트리페닐메탄계 염료, 안트라퀴논계 염료, 아트라피리돈계 염료, 옥소놀계 염료, 벤질리덴 염료, 및 크산텐 염료로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 전도성 구조체.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 라인의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것인 전도성 구조체.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 라인 간의 선간격은 1 ㎛ 이상 1 ㎜ 이하인 것인 전도성 구조체.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 라인의 두께는 10 ㎚ 이상 1 ㎛ 이하인 것인 전도성 구조체.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층 표면에서의 광반사율은 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장 영역의 빛에서 평균 20 % 이하인 것인 전도성 구조체.
  11. 화면부, 배선부 및 패드부를 포함하는 전기 전자 소자에 있어서,
    상기 화면부는 청구항 1 내지 10 중 어느 한 항에 따른 전도성 구조체를 포함하는 전기 전자 소자.
  12. 기재를 준비하는 단계;
    상기 기재의 상면 상에, 금속을 포함하는 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층의 상면 상에, 고분자 화합물 및 유기 염료를 포함하는 조성물을 이용하여 고분자 패턴층을 형성하는 단계;
    상기 금속층을 식각하여 전도성 라인을 형성하는 단계; 및
    상기 고분자 패턴층을 이용하여, 상기 전도성 라인의 상면 및 측면 상에 구비된 광반사 저감층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는, 상기 고분자 패턴층을 리플로우 처리하는 것인 전도성 구조체의 제조방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 리플로우 처리는 110 ℃ 이상 150 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것인 전도성 구조체의 제조방법.
  15. 청구항 12에 있어서,
    상기 고분자 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 조성물을 오프셋 인쇄법을 이용하여 인쇄한 후 건조하는 것을 포함하는 것인 전도성 구조체의 제조방법.
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