KR20170000499A - Uv led package and the manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

A UV LED package according to an embodiment of the present invention is disclosed. The UV LED package may include an electrode layer which is divided into a cathode electrode and an anode electrode by a vertical insulating layer; a UV LED chip which is disposed on the electrode layer and wired around the cathode electrode and the anode electrode, respectively; a horizontal insulating layer which is formed with a predetermined pattern on the electrode layer so as to surround the UV LED chip; a metal layer which is disposed on the horizontal insulating layer; and a glass lens which is disposed on the metal layer and transmits UV rays emitted from the UV LED chip. So, electrical short can be prevented.

Description

UV LED 패키지 및 이의 제조 방법{UV LED PACKAGE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a UV LED package,

본 발명은 UV LED 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, UV LED 패키지에 유리 렌즈를 안정적으로 접합할 수 있는 UV LED 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a UV LED package and a method of manufacturing the same, and relates to a UV LED package and a method of manufacturing the same, which can stably bond a glass lens to a UV LED package.

UV LED 패키지는 발생하는 파장이 짧아서 특정 매질을 통과할 때 UV 파장의 손실이 발생한다. 따라서, UV LED 패키지는, 투명실리콘 충진재를 사용하여 몰딩(moulding)하는 일반 가시광선의 LED와는 달리, 유리 렌즈를 이용하여 실링(sealing)한다. 유리 렌즈를 이용한 실링을 하기 위해서는 내부에 탑재되는 UV LED 칩(chip)과 배선을 보호하기 위하여 내부에 수용공간이 형성된 패키지가 필요하다.UV LED packages have short wavelengths that cause UV wavelength loss when passing through certain media. Therefore, the UV LED package is sealed using a glass lens, unlike an ordinary visible light LED that is molded using a transparent silicon filler. In order to seal using a glass lens, a package having an accommodating space therein is required to protect the UV LED chip and the wiring mounted therein.

종래의 패키지는 대부분 세라믹 재료를 이용하여 형상을 만들고, 이를 고온에서 소결하는 공정을 거쳐서 생성되었다. 하지만, 이와 같은 세라믹 패키지는 가격이 비싸고, 금형이 반드시 필요하기 때문에 다양한 형태의 패키지 구현이 어렵다는 문제점이 있었다. Conventional packages were produced by forming a shape using mostly ceramic materials and sintering the material at a high temperature. However, since such a ceramic package is expensive and requires a mold, it is difficult to implement various types of packages.

이와 같은, 문제점을 해결하기 위하여, 열전도도가 우수하고 가공이 용이한 금속 패키지가 상용화 되고 있다. 그러나 종래의 금속 패키지는 유리 렌즈를 비전도성의 폴리머를 이용해서 접합 하였으나, 폴리머로 구성된 접합재료가 UV 파장에 의해 변질되는 문제점이 있었다. 이를 해결하기 위해, 최근에는 유리 렌즈를 금속 접합(soldering)을 이용하여 접합하는 패키지가 등장하고 있다. 그러나, 금속 패키지는 상부도 전극이 되기 때문에 금속 접합을 이용한 유리 렌즈 접합시, 접합되는 금속(solder)에 의해 전기적 쇼트(short)가 발생하는 문제점이 있었다.In order to solve such a problem, a metal package having excellent thermal conductivity and easy processing has been commercialized. However, in the conventional metal package, the glass lens is bonded by using the nonconductive polymer, but the bonding material composed of the polymer is deteriorated by the UV wavelength. In order to solve this problem, in recent years, there has been a package in which a glass lens is bonded by using a soldering method. However, since the metal package is also an electrode on the top, there is a problem that an electric short occurs due to the solder when the glass lens is bonded using the metal bonding.

또한, 금속 접합을 이용하여 유리 렌즈를 접합하기 위해서, 금속 패키지에 고온이 인가되는데, 이 경우, 유리 렌즈의 재질과 금속 재료 간의 열 팽창률 차이에 의해 상대적으로 기계적 강도가 취약한 유리 렌즈에 크랙(crack)이 발생하는 문제점이 있었다.Further, in order to bond the glass lens using the metal bonding, a high temperature is applied to the metal package. In this case, a glass lens having a relatively low mechanical strength due to a difference in thermal expansion coefficient between the material of the glass lens and the metal material is cracked ).

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 수평 절연층을 포함하여 전기적 쇼트를 방지하고, 열 팽창률이 낮은 금속을 이용하여 유리 렌즈를 안정적으로 접합할 수 있는 UV LED 패키지 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a UV LED package including a horizontal insulating layer to prevent electrical short-circuiting and stably bonding a glass lens using a metal having a low thermal expansion coefficient, and a method of manufacturing the same. .

본 발명의 일 실시예에 따라 UV LED 패키지가 개시된다. 상기 UV LED 패키지는 수직 절연층에 의해 캐소드(cathode) 전극 및 애노드(anode) 전극으로 분리되는 전극층; 상기 전극층 상에 배치되고, 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극에 각각 와이어링(wiring)되는 UV LED 칩; 상기 UV LED 칩을 둘러싸도록, 상기 전극층 상에 소정의 패턴으로 형성되는 수평 절연층; 상기 수평 절연층 상에 배치되는 금속층; 및 상기 금속층 상에 배치되어, 상기 UV LED 칩으로부터 발광하는 UV선이 투과하는 유리 렌즈를 포함할 수 있다.A UV LED package is disclosed in accordance with one embodiment of the present invention. The UV LED package comprising: an electrode layer separated by a vertical insulating layer into a cathode electrode and an anode electrode; A UV LED chip disposed on the electrode layer and wired to the cathode electrode and the anode electrode, respectively; A horizontal insulating layer formed on the electrode layer in a predetermined pattern so as to surround the UV LED chip; A metal layer disposed on the horizontal insulating layer; And a glass lens which is disposed on the metal layer and transmits UV rays emitted from the UV LED chip.

바람직하게는, 상기 금속층의 열 팽창률은 상기 전극층의 열 팽창률 보다 낮을 수 있다.Preferably, the thermal expansion coefficient of the metal layer may be lower than the thermal expansion coefficient of the electrode layer.

또한, 바람직하게는, 상기 금속층 상에 배치되는 지지대를 더 포함할 수 있다.Further, it may further comprise a support disposed on the metal layer.

또한, 바람직하게는, 상기 지지대의 열 팽창률은 상기 금속층의 열 팽창률 보다 낮을 수 있다.In addition, preferably, the thermal expansion coefficient of the support base may be lower than the thermal expansion coefficient of the metal layer.

또한, 바람직하게는, 상기 지지대 및 상기 유리 렌즈는 금속 접합(soldering)에 의해 결합할 수 있다.Further, preferably, the support and the glass lens can be combined by metal bonding.

또한, 바람직하게는, 상기 금속층 및 상기 지지대는 금속 접합(soldering)에 의해 결합할 수 있다.In addition, preferably, the metal layer and the support can be bonded by metal bonding.

본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지의 제조 방법이 개시된다. 상기 UV LED 패키지의 제조 방법은 수직 절연층에 의해 캐소드 전극 및 애노드 전극으로 분리되는 전극층 상에 수평 절연층을 배치하는 단계; 상기 수평 절연층 상에 금속층을 배치하는 단계; 상기 수평 절연층 및 상기 금속층을 소정의 패턴으로 식각하는 단계; 상기 식각에 의해 노출되는 상기 전극층 상에 UV LED 칩을 배치하는 단계; 상기 UV LED 칩에 전력을 공급하기 위해 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극 각각에 상기 UV LED 칩을 와이어링하는 단계: 및 상기 금속층 상에 유리 렌즈를 결합하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a UV LED package in accordance with an embodiment of the present invention is disclosed. The method of manufacturing the UV LED package includes: disposing a horizontal insulating layer on a cathode electrode and an anode electrode separated by a vertical insulating layer; Disposing a metal layer on the horizontal insulating layer; Etching the horizontal insulating layer and the metal layer in a predetermined pattern; Disposing a UV LED chip on the electrode layer exposed by the etching; Wiring the UV LED chip to each of the cathode electrode and the anode electrode to supply power to the UV LED chip; and bonding the glass lens on the metal layer.

바람직하게는, 상기 금속층의 열 팽창률은 상기 전극층의 열 팽창률 보다 낮을 수 있다.Preferably, the thermal expansion coefficient of the metal layer may be lower than the thermal expansion coefficient of the electrode layer.

또한, 바람직하게는, 상기 유리 렌즈에 지지재를 결합하는 단계를 더 포함하고, 상기 유리 렌즈를 배치하는 단계는 상기 지지대와 상기 금속층을 결합함으로써 수행될 수 있다.Further, preferably, the method further includes the step of bonding a support material to the glass lens, and the step of disposing the glass lens may be performed by combining the support and the metal layer.

또한, 바람직하게는, 상기 지지대의 열 팽창률은 상기 금속층의 열 팽창률 보다 낮을 수 있다.In addition, preferably, the thermal expansion coefficient of the support base may be lower than the thermal expansion coefficient of the metal layer.

또한, 바람직하게는, 상기 지지대와 상기 유리 렌즈 간의 결합은 금속 접합(soldering)에 의해 수행될 수 있다.Also, preferably, the coupling between the support and the glass lens can be performed by metal bonding.

또한, 바람직하게는, 상기 금속층 상에 상기 지지대를 결합하는 단계는, 상기 금속층 상에 솔더 페이스트를 도포하는 단계; 상기 솔더 페이스트 상에 상기 지지대를 배치하는 단계; 및 상기 솔더 페이스트에 열을 인가하여 상기 금속층과 상기 지지대를 결합하는 단계를 포함할 수 있다.Preferably, the step of bonding the support on the metal layer further comprises: applying a solder paste on the metal layer; Disposing the support on the solder paste; And applying heat to the solder paste to bond the metal layer and the support.

본 발명에 따르면, 금속으로 된 전극층 상부에 수평 절연층을 배치시킴으로써, 금속 접합을 이용한 유리 렌즈의 접합시, 접합되는 솔더(solder)에 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, by disposing the horizontal insulating layer on the metal electrode layer, it is possible to prevent electrical shorts from being generated in the solder to be bonded when the glass lens is joined by the metal bonding.

또한, 본 발명에 따르면, 유리 렌즈와 결합되는 금속층 또는 지지대의 열 팽창률을 전극층 보다 낮은 재료를 사용함으로써, 고온 공정을 통한 유리 렌즈의 접합시, 유리 렌즈에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the present invention, by using a material having a thermal expansion coefficient lower than that of the electrode layer in the metal layer or the support that is joined to the glass lens, it is possible to prevent the glass lens from cracking at the time of bonding the glass lens through the high temperature process.

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지의 단면도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지의 제조 방법을 도시한다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지 제조 방법을 공정별로 도시한다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 UV LED 패키지 제조 방법을 공정별로 도시한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS A brief description of each drawing is provided to more fully understand the drawings recited in the description of the invention.
1A is a cross-sectional view of a UV LED package according to an embodiment of the present invention.
1B is a perspective view of a UV LED package according to an embodiment of the present invention.
2 shows a method of manufacturing a UV LED package according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 3A to 3F illustrate a method of manufacturing a UV LED package according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 4A through 4G illustrate a method of manufacturing a UV LED package according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 따른 실시예들은 첨부된 도면들을 참조하여 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 실시예들을 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되거나 제한되지 않고 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. It should be noted that, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals whenever possible, even if they are shown in different drawings. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the difference that the embodiments of the present invention are not conclusive. In addition, embodiments of the present invention will be described below, but the technical idea of the present invention is not limited thereto and can be variously modified by those skilled in the art.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "indirectly connected" . Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지의 단면도를 도시하고, 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지의 사시도를 도시한다.FIG. 1A shows a cross-sectional view of a UV LED package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B shows a perspective view of a UV LED package according to an embodiment of the present invention.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지(100)는 전극층(110), UV LED 칩(120), 수평 절연층(130), 금속층(140), 지지대(150) 및 유리 렌즈(160)를 포함할 수 있다. 또한, 실시예에 따라 솔더 페이스트(170)를 더 포함할 수 있다.1A and 1B, a UV LED package 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes an electrode layer 110, a UV LED chip 120, a horizontal insulating layer 130, a metal layer 140, 150 and a glass lens 160. Further, it may further include a solder paste 170 according to an embodiment.

전극층(110)은 수직 절연층(111)에 의해 캐소드(cathode) 전극(112) 및 애노드(anode) 전극(113)으로 분리될 수 있다. 전극층(110)의 재료로는 열전도도 및 전기 전도도가 좋은 알루미늄이나 구리 또는 이들을 하나 이상 포함하는 합금 등이 사용될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 실시예에 따라, 가공이 용이하며, 열전도도가 우수한 금속을 포함하여 전극층(110)을 형성할 수 있다. 환원 반응이 일어나는 캐소드 전극(환원전극)(112) 및 산화 반응이 일어나는 애노드 전극(산화전극)(113)은 수직 절연층(111)에 의해 물리적, 전기적으로 분리될 수 있다. 도 1에는 하나의 수직 절연층(111)을 가지는 전극층(110)을 도시하고 있으나, 이는 예시적인 것으로서, UV LED 칩의 직렬 또는 병렬 구조에 따라, 복수 개의 수직 절연층(111)이 전극층(110)에 형성될 수도 있다.The electrode layer 110 may be separated into a cathode electrode 112 and an anode electrode 113 by a vertical insulating layer 111. As the material of the electrode layer 110, aluminum, copper, or an alloy containing one or more of these may be used, which have good thermal conductivity and electrical conductivity. However, this is an illustrative example, and it is possible to form the electrode layer 110 including a metal which is easy to process and has a high thermal conductivity according to the embodiment. The cathode electrode (reduction electrode) 112 where reduction reaction occurs and the anode electrode (oxidation electrode) 113 where oxidation reaction occurs can be physically and electrically separated by the vertical insulation layer 111. 1 illustrates an electrode layer 110 having one vertical insulating layer 111. The vertical insulating layer 111 may be formed by a plurality of vertical insulating layers 111 in accordance with a series or parallel structure of the UV LED chip, As shown in Fig.

UV LED 칩(120)은 전극층(110) 상에 배치될 수 있으며, 캐소드 전극(112) 및 애노드 전극(113)에 각각 와이어링(wiring) 될 수 있다. 와이어(121)는 전극층(110)과 UV LED 칩(120)을 연결하는 구성으로서, 예를 들어, 금(Au)으로 형성될 수 있다. 즉, 애노드 전극(113) 상에 위치하는 UV LED 칩(120)의 전극을 와이어(121)를 통해 캐소드 전극(112) 및 애노드 전극(113)과 와이어링 할 수 있다. UV LED 칩(120)은 파장 제어가 용이하고 소비전력이 낮으며 발열이 적은 장점을 가지고 있다. 또한, UV LED 칩(120)은 용이하게 소형 제품으로 형성시킬 수 있는 바, 실시예에 따라 다양한 형태 및 크기로 형성될 수 있다.The UV LED chip 120 may be disposed on the electrode layer 110 and may be wired to the cathode electrode 112 and the anode electrode 113, respectively. The wire 121 connects the electrode layer 110 and the UV LED chip 120 and may be formed of, for example, gold (Au). That is, the electrode of the UV LED chip 120 located on the anode electrode 113 can be connected to the cathode electrode 112 and the anode electrode 113 through the wire 121. The UV LED chip 120 has advantages of easy wavelength control, low power consumption, and low heat generation. In addition, the UV LED chip 120 can be easily formed into a small-sized product, and can be formed in various shapes and sizes according to embodiments.

수평 절연층(130)은 UV LED 칩(120)을 둘러싸도록, 전극층(110) 상에 소정의 패턴으로 형성될 수 있다. 수평 절연층(130)은 전극층(110)과 금속층(140) 사이를 전기적으로 절연시키는 역할을 할 수 있다. 이렇게 전극층(110)과 금속층(140)을 절연함으로써, 금속 접합(soldering)을 통한 금속층(140)과 유리 렌즈(160)의 접합 시, 접합되는 솔더(solder)에 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다. The horizontal insulating layer 130 may be formed in a predetermined pattern on the electrode layer 110 so as to surround the UV LED chip 120. The horizontal insulating layer 130 may electrically isolate the electrode layer 110 from the metal layer 140. By insulating the electrode layer 110 and the metal layer 140 from each other, it is possible to prevent electrical shorts from being generated in the solder to be bonded when the metal layer 140 and the glass lens 160 are bonded by metal bonding .

금속층(140)은 수평 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 금속층(140)은 유리 렌즈(160) 또는 유리 렌즈(160)와 결합된 지지대(150)와 금속 접합하는 곳으로서, UV 파장에 강한 금속 재료로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 금속층(140)의 열 팽창률은 전극층(110)의 열 팽창률보다 낮을 수 있다. 이를 통해, 금속층(140)과 유리 렌즈(160)의 금속 접합을 위해 UV LED 패키지(100)에 고온이 가해지더라도, 금속층(140)의 열 변형률이 낮아, 금속층(140)과 결합된 유리 렌즈(160)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어 금속층(140)은 열 팽창률이 낮은 구리 등으로 형성될 수 있으나, 이는 예시적인 것으로서, 통상의 기술자에게 알려진 바와 같이, 열 팽창률이 낮은 다양한 금속 및 그 합금으로 금속층(140)을 형성시킬 수 있다.The metal layer 140 may be disposed on the horizontal insulating layer 130. The metal layer 140 may be formed of a metal material resistant to the UV wavelength at a place where the metal layer 140 is metallurgically bonded to the support 150 coupled with the glass lens 160 or the glass lens 160. In one embodiment, the thermal expansion coefficient of the metal layer 140 may be lower than the thermal expansion coefficient of the electrode layer 110. Accordingly, even if a high temperature is applied to the UV LED package 100 for metal bonding between the metal layer 140 and the glass lens 160, the thermal strain of the metal layer 140 is low, 160 can be prevented from being cracked. For example, the metal layer 140 may be formed of copper or the like having a low coefficient of thermal expansion. However, the metal layer 140 may be formed by forming a metal layer 140 with various metals and alloys thereof having a low coefficient of thermal expansion, .

지지대(150)는, 실시예에 따라 생략될 수도 있는 구성이며, 금속층(140) 상에 배치될 수 있다. 지지대(150)는 금속층(140)과 유리 렌즈(160)에 금속 접합을 할 수 있다. 즉, 지지대(150)는 금속 접합을 이용하여 금속층(140) 및 유리 렌즈(160)와 결합됨으로써, 자외선으로 인한 접합 부위의 접착력 저하를 방지하고, 접착력 저하로 인하여 유리 렌즈(160)가 UV LED 패키지(100)로부터 탈락되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 지지대(150)는 열 팽창률이 낮은 몰리브덴(Mo) 등으로 형성될 수 있으나, 이는 예시적인 것으로서, 통상의 기술자에게 알려진 바와 같이, 열 팽창률이 낮은 다양한 금속 및 그 합금으로 지지대(150)를 형성시킬 수 있다.The support 150 is a configuration that may be omitted in accordance with the embodiment, and may be disposed on the metal layer 140. The support 150 may be metal bonded to the metal layer 140 and the glass lens 160. That is, since the support 150 is bonded to the metal layer 140 and the glass lens 160 using metal bonding, the bonding strength of the bonding portion due to ultraviolet rays can be prevented, And can be prevented from falling out of the package 100. For example, the support 150 may be formed of molybdenum (Mo) or the like having a low coefficient of thermal expansion, but this is illustrative and may be formed of various metals and alloys thereof having a low coefficient of thermal expansion, as known to those skilled in the art, ) Can be formed.

일 실시예에서, 지지대(150)의 열 팽창률은 금속층(140)의 열 팽창률 보다 낮을 수 있다. 이를 통해, 금속층(140)과 유리 렌즈(160)의 금속 접합을 위해 UV LED 패키지(100)에 고온이 가해지더라도, 지지대(150)의 열 변형률이 낮아 전극층(110)의 열 팽창률에 의한 스트레스를 최소화 할 수 있어, 유리 렌즈(160)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전극층(110), 금속층(140) 및 지지대(150)의 열 팽창률을 순차적으로 낮게 형성시킬 수 있어, 금속 접합을 위해 고온의 열이 인가되는 경우, 전극층(110)에서 발생하는 열 팽창을 금속층(140) 및 지지대(150)가 순차적으로 완충하는 구조로 형성시킬 수 있다. 이와 같이, 유리 렌즈(160)에 가까워 질수록 금속층(140) 및 지지대(130)의 열 팽창율이 순차적으로 낮아지는 완충 구조를 통해, 유리 렌즈(160)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다. In one embodiment, the thermal expansion rate of the support 150 may be lower than the thermal expansion rate of the metal layer 140. Accordingly, even if a high temperature is applied to the UV LED package 100 for the metal bonding of the metal layer 140 and the glass lens 160, the thermal strain of the support 150 is low and the stress due to the thermal expansion coefficient of the electrode layer 110 is reduced So that it is possible to prevent the glass lens 160 from being cracked. Particularly, according to one embodiment of the present invention, the thermal expansion coefficient of the electrode layer 110, the metal layer 140, and the support 150 can be sequentially lowered, and when high temperature heat is applied for metal bonding, The metal layer 140 and the support 150 may sequentially buffer the thermal expansion generated in the metal layer 110. As described above, it is possible to prevent the glass lens 160 from being cracked by the cushioning structure in which the thermal expansion coefficient of the metal layer 140 and the support base 130 is sequentially lowered as the glass lens 160 gets closer to the glass lens 160.

또한, 도 1a 및 1b에는, 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지(100)가 하나의 금속층(140) 및 하나의 지지대(150)를 포함하는 것을 도시하고 있으나, 이는 예시적인 것으로서, 실시예에 따라 하나의 금속층(140) 또는 하나의 지지대(150)가 선택적으로 배치되거나, 복수 개의 금속층(140) 및 복수 개의 지지대(150)를 열 팽창률에 따라 순차적으로 적층시키는 등 다양하게 변경될 수 있다.1A and 1B illustrate that the UV LED package 100 according to an embodiment of the present invention includes one metal layer 140 and one support 150, One metal layer 140 or one support 150 may be selectively disposed or a plurality of metal layers 140 and a plurality of supports 150 may be sequentially stacked in accordance with the thermal expansion rate have.

유리 렌즈(160)는 금속층(140) 상에 배치될 수 있으며, UV LED 칩(120)으로부터 발광하는 UV선이 투과할 수 있다. 유리 렌즈(160)는 UV선이 투과될 수 있도록, 예를 들어, 투명한 재료인 석영, 유리 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 유리 렌즈(160)는 사파이어 또는 실리콘 카바이드 재질을 포함할 수 있으며, 이를 통해, 유리 렌즈(160) 자체의 내열성을 강화시켜, 고온 공정에서 크랙의 발생을 방지할 수 있다.The glass lens 160 may be disposed on the metal layer 140 and may transmit UV light emitted from the UV LED chip 120. The glass lens 160 may include, for example, quartz, glass, or the like which is transparent material so that the UV rays can be transmitted. In one embodiment, the glass lens 160 may comprise sapphire or silicon carbide material, thereby enhancing the heat resistance of the glass lens 160 itself, thereby preventing the occurrence of cracks in the high temperature process.

솔더 페이스트(170)는 금속층(140) 상에 도포될 수 있다. 솔더 페이스트(170)는 금속층(140)과 지지대(150)를 결합시키는 구성으로서, 솔더 페이스트(170)에 열이 인가되면 금속층(140)과 지지대(150)를 금속 접합시킬 수 있다. 예를 들어, 솔더 페이스트(170)는 땜납분말에 플럭스를 혼합하여 페이스트상(풀모양)으로 형성될 수 있으나, 이는 예시적인 것으로서, 실시예에 따라 다양한 재료 및 형태의 솔더 페이스트(170)가 사용될 수 있다.
The solder paste 170 may be applied onto the metal layer 140. The solder paste 170 is configured to couple the metal layer 140 and the support 150. When heat is applied to the solder paste 170, the metal layer 140 and the support 150 can be metal-bonded. For example, the solder paste 170 may be formed in paste form (paste) by mixing the flux into the solder powder, but this is illustrative only, and various embodiments of the solder paste 170 may be used, .

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지의 제조 방법을 도시하고, 도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지 제조 방법을 공정별로 도시한다.FIG. 2 illustrates a method of manufacturing a UV LED package according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3A through 3F illustrate a method of manufacturing a UV LED package according to an embodiment of the present invention.

도 2의 방법을 기반으로 도 3a 내지 도 3f의 제조 공정을 설명하면 다음과 같다.The manufacturing process of FIGS. 3A to 3F will be described based on the method of FIG.

먼저, 도 3a를 참조하면, 수직 절연층(111)에 의해 캐소드 전극(112) 및 애노드 전극(113)으로 분리되는 전극층(110) 상에 수평 절연층(130)을 배치할 수 있다(S210 단계). 수평 절연층(130)은 전극층(110)의 절연 및 보호를 위한 것으로서, 구체적으로, 금속 접합(soldering) 시, 전극층(110)과 금속층(140) 간에 전기적 쇼트(short)가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 도 3a에 도시되는 바와 같이, 수평 절연층(130)은 전극층(110) 상부면 전부를 특정한 패턴을 형성하지 않으며 커버할 수 있다. 이를 통해, 미리 캐비티(수용공간)의 형태를 특정시키지 않음으로써, 실시예에 따라 다양한 형태의 캐비티를 형성시킬 수 있다.3A, the horizontal insulation layer 130 may be disposed on the electrode layer 110 separated by the vertical insulation layer 111 into the cathode electrode 112 and the anode electrode 113 (step S210 ). The horizontal insulating layer 130 is provided for insulating and protecting the electrode layer 110 and specifically prevents electrical short between the electrode layer 110 and the metal layer 140 during metal soldering . As shown in FIG. 3A, the horizontal insulating layer 130 may cover and cover the entire upper surface of the electrode layer 110 without forming a specific pattern. Accordingly, various types of cavities can be formed according to the embodiment by not previously specifying the shape of the cavity (accommodation space).

다음으로, 도 3b를 참조하면, 수평 절연층(130) 상에 금속층(140)을 배치할 수 있다(S220 단계). 금속층(140)은 유리 렌즈(160)와 접합할 수 있으며, UV LED 칩(120)에서 발생되는 UV 파장에도 변질되지 않아 유리 렌즈(160)와 안정적으로 접합을 유지할 수 있다. Next, referring to FIG. 3B, the metal layer 140 may be disposed on the horizontal insulating layer 130 (step S220). The metal layer 140 can be bonded to the glass lens 160 and can be stably bonded to the glass lens 160 because the UV wavelength generated from the UV LED chip 120 does not change.

또한, 금속층(140)은 고온에 노출되더라도 그 변형이 적은 금속으로 형성될 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속층(140)의 열 팽창률은 전극층(110)의 열 팽창률 보다 낮은 재료로 형성될 수 있다. 이를 통해, 유리 렌즈(160)와 금속층(140) 간의 결합을 위해 고온의 환경에 놓이게 되는 경우에도, 낮은 열 팽창률을 가지는 금속층(140)이 전극층(110)의 열 팽창으로 발생한 부하를 흡수함으로써, 금속층(140)과 결합된 유리 렌즈(160)에 크랙이 발생하지 않게 할 수 있다. In addition, the metal layer 140 may be formed of a metal that is less deformed even when exposed to high temperatures. Particularly, the thermal expansion coefficient of the metal layer 140 according to an embodiment of the present invention may be lower than the thermal expansion coefficient of the electrode layer 110. The metal layer 140 having a low coefficient of thermal expansion absorbs the load generated by the thermal expansion of the electrode layer 110 even when the glass lens 160 and the metal layer 140 are placed in a high temperature environment, It is possible to prevent a crack from occurring in the glass lens 160 coupled with the metal layer 140.

또한, 금속층(140)은, 도 3b에 도시되는 바와 같이, 수평 절연층(130) 상부면 전부를 특정한 패턴을 형성하지 않으며 커버할 수 있다. 이를 통해, 절연층(130)과 함께 미리 캐비티의 형태를 특정시키지 않음으로써, 실시예에 따라 다양한 형태의 캐비티를 형성시킬 수 있다.3B, the metal layer 140 may cover the entire upper surface of the horizontal insulating layer 130 without forming a specific pattern. Accordingly, various types of cavities can be formed according to the embodiment by not previously specifying the shape of the cavity together with the insulating layer 130.

다음으로, 도 3c를 참조하면, 수평 절연층(130) 및 금속층(140)을 소정의 패턴으로 식각할 수 있다(S230 단계). 도 3c에 도시되는 바와 같이, UV LED 칩(120)이 위치하는 곳은, 전극층(110)의 상부가 외부로 노출되도록 식각할 수 있으며, 동시에 수평 절연층(130) 및 금속층(140)이 UV LED 칩(120)을 둘러싸는 형상을 하도록 식각할 수 있다. 또한, 식각에 의해 노출되는 전극층(110)에는 하나 이상의 절연층을 내포하도록 식각될 수 있다. 이를 통해, UV LED 칩과 와이어를 보호할 수 있는 캐비티(수용공간)를 형성시킬 수 있으며, 동시에 UV 파장의 손실을 방지하기 위하여, 유리 렌즈로 실링(sealing)되는 UV LED 패키지(100)를 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 3C, the horizontal insulating layer 130 and the metal layer 140 may be etched in a predetermined pattern (operation S230). 3C, the UV LED chip 120 may be etched so that the upper portion of the electrode layer 110 is exposed to the outside, and at the same time, the horizontal insulating layer 130 and the metal layer 140 are formed of UV The LED chip 120 may be etched to have a shape surrounding the LED chip 120. In addition, the electrode layer 110 exposed by etching may be etched to contain one or more insulating layers. In this way, it is possible to form a cavity (accommodation space) for protecting the UV LED chip and the wire, and at the same time, to form a UV LED package 100 sealed with a glass lens can do.

도 3c에는 수평 절연층(130) 및 금속층(140)이 수직으로 형성된 모습을 도시하고 있으나, 이는 예시적인 것으로서, 경사 형태, 단층 형태 등 실시예에 따라 다양한 입체적 형상으로 수평 절연층(130) 및 금속층(140)을 식각할 수 있다. 이와 같은 수평 절연층(130) 및 금속층(140)의 식각은 절삭 기계 또는 프레스 기계와 같은 기계 공정으로 수행될 수 있다. 또한, 실시예에 따라서는 화학 공정에 의하여 수평 절연층(130) 및 금속층(140)을 소정의 패턴으로 식각할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지(100)는, 종래의 세라믹 패키지와 달리, 후속 공정에서 캐비티를 형성시킬 수 있는 바, 다양한 형상의 캐비티를 형성시킬 수 있다.Although the horizontal insulating layer 130 and the metal layer 140 are vertically formed in FIG. 3C, the horizontal insulating layer 130 and the metal layer 140 may be formed in various shapes such as an inclined shape, a single- The metal layer 140 can be etched. The etching of the horizontal insulating layer 130 and the metal layer 140 may be performed by a mechanical process such as a cutting machine or a press machine. In addition, according to the embodiment, the horizontal insulating layer 130 and the metal layer 140 can be etched in a predetermined pattern by a chemical process. As described above, the UV LED package 100 according to the embodiment of the present invention can form a cavity in a subsequent process, unlike a conventional ceramic package, and can form cavities of various shapes.

다음으로, 도 3d를 참조하면, 식각에 의해 노출되는 전극층(110) 상에 UV LED 칩(120)을 배치할 수 있다(S240 단계). S230 단계를 통해 노출된 전극층(110) 상에 UV LED 칩(120)을 배치할 수 있으며 특히 전극층(110) 중 애노드 전극(113) 상에 UV LED 칩(120)을 배치시킬 수 있다. Next, referring to FIG. 3D, the UV LED chip 120 may be disposed on the electrode layer 110 exposed by etching (operation S240). The UV LED chip 120 may be disposed on the exposed electrode layer 110 through step S230 and the UV LED chip 120 may be disposed on the anode electrode 113 of the electrode layer 110. [

다음으로, 도 3e를 참조하면, UV LED 칩(120)에 전력을 공급하기 위해 캐소드 전극(112) 및 애노드 전극(113) 각각에 UV LED 칩(120)을 와이어링 할 수 있다(S250 단계). 즉, UV LED 칩(120)이 접합 완료되면, 수직 절연층(111)을 기준으로 애노드 전극(113) 상에 위치하는 UV LED 칩(120)의 전극을 와이어(121)를 통해 캐소드 전극(112) 및 애노드 전극(113)에 와이어링 할 수 있다.Next, referring to FIG. 3E, the UV LED chip 120 may be respectively connected to the cathode electrode 112 and the anode electrode 113 to supply power to the UV LED chip 120 (step S250) . That is, when the UV LED chip 120 is bonded, the electrode of the UV LED chip 120 positioned on the anode electrode 113 on the basis of the vertical insulating layer 111 is electrically connected to the cathode electrode 112 And the anode electrode 113, respectively.

다음으로, 도 3f를 참조하면, 금속층(140) 상에 유리 렌즈(160)를 결합할 수 있다(S260 단계). 구체적으로, 금속층(140)과 유리 렌즈(160)를 금속 결합할 수 있으며, 이를 위해 금속층(140)과 유리 렌즈(160)를 배치시킨 후 고온의 열을 인가할 수 있다. 또한, 예를 들어, 금속층(140)과 유리 렌즈(160)의 금속 결합을 용이하게 수행하기 위하여, 솔더 페이스트를 금속층(140) 상에 도포한 후 열을 인가할 수 있다.Next, referring to FIG. 3F, the glass lens 160 may be coupled onto the metal layer 140 (step S260). Specifically, the metal layer 140 and the glass lens 160 may be metal-bonded to each other. For this purpose, the metal layer 140 and the glass lens 160 may be disposed and then heat of high temperature may be applied. For example, in order to easily perform the metal bonding between the metal layer 140 and the glass lens 160, a solder paste may be applied on the metal layer 140 and heat may be applied.

일 실시예에서, S260 단계는, 유리 렌즈(160)에 지지대(150)를 결합하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 금속층(140) 상에 유리 렌즈(160)를 배치하는 단계는 지지대(150)와 금속층(140)을 결합함으로써 수행될 수 있다. 지지대(150)는 금속층(140) 및 전극층(110)보다 열 팽창률이 낮은 바, 지지대(150)와 결합된 유리 렌즈(160)는 고온의 공정 시에도, 열 팽창에 의한 스트레스를 최소화 시킬 수 있다.In one embodiment, step S260 may further comprise joining the support 150 to the glass lens 160, and the step of disposing the glass lens 160 on the metal layer 140 may include the step of supporting the support 150, And the metal layer 140, as shown in FIG. The thermal expansion coefficient of the support 150 is lower than that of the metal layer 140 and the electrode layer 110 so that the glass lens 160 coupled with the support 150 can minimize stress due to thermal expansion even during a high temperature process .

일 실시예에서, S260 단계에서, 금속층(140) 상에 지지대(150)를 결합하는 단계는, 금속층(140) 상에 솔더 페이스트(170)를 도포한 후, 솔더 페이스트(170) 상에 유리 렌즈(160)와 결합된 지지대(160)를 배치시킬 수 있다. 계속하여, 솔더 페이스트(170)에 열을 인가하면, 솔더 페이스트(170)가 금속층(140) 및 지지대(150)와 결합됨으로써 결과적으로 금속층(140)과 유리 렌즈(160)를 금속 결합시킬 수 있다.
In one embodiment, in step S260, the step of bonding the support 150 onto the metal layer 140 includes applying a solder paste 170 on the metal layer 140, A support 160 coupled to the support 160 may be disposed. Subsequently, when heat is applied to the solder paste 170, the solder paste 170 is bonded to the metal layer 140 and the support base 150, and as a result, the metal layer 140 and the glass lens 160 can be metal-bonded .

도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 UV LED 패키지 제조 방법을 공정별로 도시한다.FIGS. 4A through 4G illustrate a method of manufacturing a UV LED package according to another embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4g에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 UV LED 패키지 제조 방법은 복수 개의 수직 절연층(411)이 형성되어 있는 전극층(410)을 대상으로 본 발명을 구현할 수 있다. 또한, 전극층(410)에는 복수 개의 UV LED 칩(420)이 직병렬 구조로 형성될 수 있는 바, UV LED 칩(420)의 직병렬 구조에 상응하여 복수 개의 캐비티(수용공간)가 형성될 수 있도록 수평 절연층(430) 및 금속층(440)을 식각할 수 있다. 이 경우, 식각에 의해 형성되는 캐비티에는 바닥에 적어도 하나의 이상의 수직 절연층(411)을 포함하도록 형성될 수 있다.4A to 4G, the method for fabricating a UV LED package according to another embodiment of the present invention can implement the present invention on an electrode layer 410 having a plurality of vertical insulating layers 411 formed thereon . In addition, a plurality of UV LED chips 420 may be formed in a serial-parallel structure in the electrode layer 410, and a plurality of cavities (accommodation spaces) may be formed corresponding to the series-parallel structure of the UV LED chip 420 The horizontal insulating layer 430 and the metal layer 440 may be etched. In this case, the cavity formed by the etching may be formed to include at least one vertical insulating layer 411 on the bottom.

도 4a 내지 도 4f의 공정 중, 상기 설명한 사항 이외의 UV LED 제조 방법은 도 2 및 도 3a 내지 도 3f를 참조하여 설명된 것과 마찬가지로 설명된다. 따라서, 이하 중복되는 설명은 생략된다.Among the processes of Figs. 4A to 4F, the method of manufacturing UV LEDs other than those described above is described as described with reference to Figs. 2 and 3A to 3F. Therefore, duplicate description will be omitted below.

다음으로, 도 4g를 참조하면, 유리 렌즈(460)가 결합된, UV LED 패키지를 소정의 크기로 잘라낼 수 있다. 이를 통하여, 복수 개의 UV LED 패키지를 생산할 수 있으며, 공정단일화 및 표준화를 통해 효율적이고 경제적으로 UV LED 패키지를 제공할 수 있다.
Next, referring to FIG. 4G, the UV LED package, to which the glass lens 460 is bonded, can be cut into a predetermined size. Through this, a plurality of UV LED packages can be produced, and UV LED packages can be efficiently and economically provided through process unification and standardization.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, an optimal embodiment has been disclosed in the drawings and specification. Although specific terms have been employed herein, they are used for purposes of illustration only and are not intended to limit the scope of the invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent embodiments are possible without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

100 UV LED 패키지 110 전극층
111 수직 절연층 112 캐소드 전극
113 애노드 전극 120 UV LED 칩
121 와이어 130 수평 절연층
140 금속층 150 지지대
160 유리 렌즈 170 솔더 페이스트
410 전극층 411 수직 절연층
412 캐소드 전극 413 애노드 전극
420 UV LED 칩 421 와이어
430 수평 절연층 440 금속층
450 지지대 460 유리 렌즈
470 솔더 페이스트100 UV LED package 110 Electrode layer
111 vertical insulating layer 112 cathode electrode
113 Anode electrode 120 UV LED chip
121 wire 130 horizontal insulating layer
140 metal layer 150 support
160 Glass Lens 170 Solder Paste
410 electrode layer 411 vertical insulating layer
412 Cathode electrode 413 Anode electrode
420 UV LED chip 421 wire
430 Horizontal Insulation Layer 440 Metal Layer
450 Support 460 Glass Lens
470 solder paste

Claims (12)

UV LED 패키지로서,
수직 절연층에 의해 캐소드(cathode) 전극 및 애노드(anode) 전극으로 분리되는 전극층;
상기 전극층 상에 배치되고, 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극에 각각 와이어링(wiring)(배선)되는 UV LED 칩;
상기 UV LED 칩을 둘러싸도록, 상기 전극층 상에 소정의 패턴으로 형성되는 수평 절연층;
상기 수평 절연층 상에 배치되는 금속층; 및
상기 금속층 상에 배치되어, 상기 UV LED 칩으로부터 발광하는 UV선이 투과하는 유리 렌즈;
를 포함하는, UV LED 패키지.As a UV LED package,
An electrode layer separated by a vertical insulating layer into a cathode electrode and an anode electrode;
A UV LED chip disposed on the electrode layer and wired (wired) to the cathode electrode and the anode electrode, respectively;
A horizontal insulating layer formed on the electrode layer in a predetermined pattern so as to surround the UV LED chip;
A metal layer disposed on the horizontal insulating layer; And
A glass lens disposed on the metal layer and through which UV rays emitted from the UV LED chip are transmitted;
Gt; UV LED < / RTI > package. 제 1 항에 있어서,
상기 금속층의 열 팽창률은 상기 전극층의 열 팽창률 보다 낮은, UV LED 패키지.The method according to claim 1,
And the thermal expansion coefficient of the metal layer is lower than the thermal expansion coefficient of the electrode layer. 제 1 항에 있어서,
상기 금속층 상에 배치되는 지지대를 더 포함하는, UV LED 패키지.The method according to claim 1,
And a support disposed on the metal layer. 제 3 항에 있어서,
상기 지지대의 열 팽창률은 상기 금속층의 열 팽창률 보다 낮은, UV LED 패키지.The method of claim 3,
Wherein the thermal expansion coefficient of the support is lower than the thermal expansion coefficient of the metal layer. 제 3 항에 있어서,
상기 지지대 및 상기 유리 렌즈는 금속 접합(soldering)에 의해 결합하는, UV LED 패키지.The method of claim 3,
Wherein the support and the glass lens are joined by metal soldering. 제 3 항에 있어서,
상기 금속층 및 상기 지지대는 금속 접합(soldering)에 의해 결합하는, UV LED 패키지.The method of claim 3,
Wherein the metal layer and the support are bonded by metal bonding. UV LED 패키지의 제조 방법으로서,
수직 절연층에 의해 캐소드 전극 및 애노드 전극으로 분리되는 전극층 상에 수평 절연층을 배치하는 단계;
상기 수평 절연층 상에 금속층을 배치하는 단계;
상기 수평 절연층 및 상기 금속층을 소정의 패턴으로 식각하는 단계;
상기 식각에 의해 노출되는 상기 전극층 상에 UV LED 칩을 배치하는 단계;
상기 UV LED 칩에 전력을 공급하기 위해 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극 각각에 상기 UV LED 칩을 와이어링하는 단계: 및
상기 금속층 상에 유리 렌즈를 결합하는 단계;
를 포함하는, 방법.A method of manufacturing a UV LED package,
Disposing a horizontal insulating layer on the electrode layer separated by the vertical insulating layer into a cathode electrode and an anode electrode;
Disposing a metal layer on the horizontal insulating layer;
Etching the horizontal insulating layer and the metal layer in a predetermined pattern;
Disposing a UV LED chip on the electrode layer exposed by the etching;
Wiring the UV LED chip to each of the cathode electrode and the anode electrode to supply power to the UV LED chip; and
Bonding a glass lens on the metal layer;
/ RTI > 제 7 항에 있어서,
상기 금속층의 열 팽창률은 상기 전극층의 열 팽창률 보다 낮은, 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the thermal expansion coefficient of the metal layer is lower than the thermal expansion coefficient of the electrode layer. 제 7 항에 있어서,
상기 유리 렌즈에 지지재를 결합하는 단계를 더 포함하고, 상기 유리 렌즈를 배치하는 단계는 상기 지지대와 상기 금속층을 결합함으로써 수행되는, 방법.8. The method of claim 7,
Further comprising joining a support to the glass lens, wherein the step of disposing the glass lens is performed by joining the support and the metal layer. 제 9 항에 있어서,
상기 지지대의 열 팽창률은 상기 금속층의 열 팽창률 보다 낮은, 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the thermal expansion coefficient of the support is lower than the thermal expansion coefficient of the metal layer. 제 9 항에 있어서,
상기 지지대와 상기 유리 렌즈 간의 결합은 금속 접합(soldering)에 의해 수행되는, 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the coupling between the support and the glass lens is performed by metal bonding. 제 9 항에 있어서, 상기 금속층 상에 상기 지지대를 결합하는 단계는,
상기 금속층 상에 솔더 페이스트를 도포하는 단계; 상기 솔더 페이스트 상에 상기 지지대를 배치하는 단계; 및 상기 솔더 페이스트에 열을 인가하여 상기 금속층과 상기 지지대를 결합하는 단계를 포함하는, 방법.10. The method of claim 9, wherein coupling the support on the metal layer comprises:
Applying a solder paste on the metal layer; Disposing the support on the solder paste; And applying heat to the solder paste to bond the metal layer and the support.
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