KR20160143299A - Gas Sensor - Google Patents

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KR20160143299A
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Abstract

The present invention relates to a gas sensor. The gas sensor, which does not have a heat energy supply part, comprises: a substrate; an electrode which is arranged on the substrate; multiple nanowires which are arranged on the electrode; and a power source part which supplies currents to the electrode, wherein the nanowires cross each other and comprises: a core-shell structure having a first metal oxide and a second metal oxide surrounding the first metal oxide; and nanoparticles which are formed on the surface of the core-shell structure. Therefore, the present invention reduces energy consumption and improves the sensitivity with respect to gas.

Description

무가열 자기 활성 나노 와이어 가스 센서{Gas Sensor}Non-heating self-activating nanowire gas sensor {Gas Sensor}

본 발명은 가스 센서에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 금속 산화물을 포함하는 나노 와이어를 포함하는 가스 센서에 관한 것이다.
The present invention relates to a gas sensor. And more particularly to a gas sensor comprising a nanowire comprising a metal oxide.

가스 센서는 건강 관리, 질병 검출, 환경모니터링, 제조 공정 중 오염 물질 제어 등 다양한 분야에 적용할 수 있다. 특히, 건강 관리 및 질병 검출에 있어서, 인간이 호흡 시 날숨에 포함되어 있는 질병과 연관된 화학물질, 즉 바이오마커(bio-marker)를 검출하여 질병을 선제적으로 진단할 수 있는 화학센서에 대한 응용이 확대되고 있다. 예를 들면 톨루엔은 폐암, 아세톤은 당뇨, 벤젠은 백혈병, 일산화탄소는 천식과 깊은 상관성이 있음이 알려지고 있다. 이러한 화학물질이 호흡하는 날숨에 어느 한도 이상 포함되어 있거나, 포함된 양의 변화폭이 어느 한계 이상일 경우 해당 질병과의 관련성을 의심할 수 있다.
Gas sensors can be applied to various fields such as health care, disease detection, environmental monitoring, pollutant control during manufacturing process. Particularly, in the health care and disease detection, an application to a chemical sensor capable of detecting a chemical associated with a disease contained in exhalation during respiration, that is, a bio-marker, Is expanding. For example, it is known that toluene has a strong correlation with lung cancer, acetone with diabetes, benzene with leukemia, and carbon monoxide with asthma. If these chemicals contain more than a certain amount of exhaled breath, or if the change in the contained amount is above a certain limit, it may be suspicious of the disease.

이렇나 가스 센서에 사용되는 재료 중에서 산화물 반도체 재료는 안정성과 경제성 측면에서 대단히 유리한 소재이며, 특히 여러 가지 형태의 나노 구조를 채택하여 그 감응성을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 특히 금속 산화물 나노 와이어의 경우 표면적비가 박막 및 덩어리 소재에 비해 현저히 크고, 결정성이 우수하여 가스 감응성이 우수하다.
Of these materials used in gas sensors, oxide semiconductor materials are extremely advantageous in terms of stability and economical efficiency. In particular, various types of nanostructures can be employed to significantly improve the sensitivity of the materials. In particular, the surface area ratio of metal oxide nanowires is significantly larger than that of thin film and lump materials, and is superior in gas sensitivity due to excellent crystallinity.

이러한 나노 와이어를 포함하는 가스 센서의 경우 효과적인 가스분자의 흡탈착에 의한 전자교환을 이루기 위해서는 일정온도 이상의 열에너지가 필요하다. 일반적으로 200 내지 400℃ 범위의 온도를 외부에서 가해주어야 활용 가능한 수준의 저항변화가 발생하는 것으로 알려지고 있다. 이를 위하여 일반적인 가스 센서는 열 에너지를 공급하는 역할을 하는 구성을 포함하고 있다.
In the case of a gas sensor including such a nanowire, a thermal energy higher than a certain temperature is required to effect exchange of electrons by adsorption / desorption of an effective gas molecule. Generally, it is known that a resistance change of a level that can be utilized is exerted by externally applying a temperature in the range of 200 to 400 ° C. To this end, a typical gas sensor includes a configuration that serves to supply heat energy.

아래의 선행기술문헌은 정렬된 금속 산화물 나노 패턴을 포함하는 가스 센서를 개시하고 있다.
The following prior art document discloses a gas sensor comprising an aligned metal oxide nanopattern.

한국 특허 공개공보 제10-2014-0103816호Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2014-0103816

본 발명의 목적은, 소형화가 가능하고, 에너지 소모를 줄일 수 있으며, 가스에 대한 민감도가 높은 가스 센서를 제공하는 것이다.
An object of the present invention is to provide a gas sensor which can be downsized, can reduce energy consumption, and is highly sensitive to gas.

본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서는, 기판, 상기 기판 상에 배치된 전극, 상기 전극 상에 배치된 복수의 나노 와이어 및 상기 전극에 전류를 공급하는 전원부를 포함하고, 상기 복수의 나노 와이어는 서로 교차하고, 제1 금속 산화물 및 상기 제1 금속 산화물을 둘러싸는 제2 금속 산화물을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지고, 그 표면에 나노 입자를 포함한다.
A gas sensor according to an embodiment of the present invention includes a substrate, an electrode disposed on the substrate, a plurality of nanowires disposed on the electrode, and a power supply unit for supplying a current to the electrode, wherein the plurality of nanowires Shell structure comprising a first metal oxide and a second metal oxide surrounding the first metal oxide, the nanoparticles being included on the surface of the core-shell structure.

또한, 상기 나노 와이어는 상기 전극으로부터 뻗어 나오도록 형성되고, 상기 나노 입자는 Pt, Au, Pd, Ag 및 CuO 중 어느 하나일 수 있다.
The nanowire may be formed to extend from the electrode, and the nanoparticle may be one of Pt, Au, Pd, Ag, and CuO.

또한, 상기 나노 입자가 Pt, Au 또는 Pd인 경우 각각 톨루엔, CO, 벤젠에 대하여 선택성을 가질 수 있다. 즉, 상기 가스에 대하여 선택적인 감지가 가능할 수 있다.
Also, when the nanoparticles are Pt, Au or Pd, they may have selectivity for toluene, CO, and benzene, respectively. That is, selective sensing of the gas may be possible.

본 발명의 가스 센서는 소형화가 가능하고, 에너지 소모를 줄일 수 있으며, 가스에 대한 민감도가 높다.
The gas sensor of the present invention can be downsized, energy consumption can be reduced, and gas sensitivity is high.

도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서를 도시한 것이다.
도 2는 도 1을 AA’를 따라 절단한 후 절단면에서 바라본 것을 도시한 것이다.
도 3은 도 1 및 도 2의 나노 와이어의 단면을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서를 이용하여 톨루엔의 농도를 측정한 것이다.
도 5는 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서를 이용하여 CO, 톨루엔 및 벤젠에 따른 가스 센서의 응답성을 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서를 이용하여 CO의 농도를 측정한 것이다.
도 7은 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서를 이용하여 CO, 톨루엔 및 벤젠에 따른 가스 센서의 응답성을 도시한 것이다.

도 8은 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서를 이용하여 벤젠의 농도를 측정한 것이다.
도 9는 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서를 이용하여 CO, 톨루엔 및 벤젠에 따른 가스 센서의 응답성을 도시한 것이다.1 shows a gas sensor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA 'of FIG. 1. FIG.
Figure 3 shows a cross section of the nanowires of Figures 1 and 2;
4 is a graph showing the concentration of toluene measured using a gas sensor according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 illustrates the responsiveness of a gas sensor according to CO, toluene and benzene using a gas sensor according to an embodiment of the present invention.
6 is a graph illustrating the concentration of CO measured using a gas sensor according to an embodiment of the present invention.
7 shows the responsiveness of a gas sensor according to CO, toluene and benzene using a gas sensor according to an embodiment of the present invention.

8 is a graph showing the concentration of benzene measured using a gas sensor according to an embodiment of the present invention.
Figure 9 shows the responsiveness of a gas sensor according to CO, toluene and benzene using a gas sensor according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.　 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.　 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다. 덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 "포함"한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements. In the drawings, like reference numerals are used throughout the drawings. In addition, "including" an element throughout the specification does not exclude other elements unless specifically stated to the contrary.

도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)를 도시한 것이고, 도 2는 도 1을 AA'따라 절단한 후 절단면에서 바라본 것을 도시한 것이고, 도 3은 도 1 및 도 2의 나노 와이어(130)의 단면을 도시한 것이다.
1 shows a gas sensor 100 according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 shows a cutaway view after cutting Fig. 1 along AA ', Fig. 3 shows a gas sensor 100 according to Fig. And shows a cross section of the wire 130.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)는, 기판(110), 상기 기판(110) 상에 배치된 전극(120), 상기 전극(120) 상에 배치된 복수의 나노 와이어(130) 및 상기 전극(120)에 전류를 공급하는 전원부(140)를 포함한다. 이 때, 상기 복수의 나노 와이어(130)는 서로 교차하고, 제1 금속 산화물(131) 및 상기 제1 금속 산화물(131)을 둘러싸는 제2 금속 산화물(132)을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지고, 그 표면에 나노 입자(133)를 포함한다.
1, a gas sensor 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 110, electrodes 120 disposed on the substrate 110, a plurality of electrodes 120 disposed on the electrodes 120, And a power supply unit 140 for supplying current to the nanowire 130 and the electrode 120. At this time, the plurality of nanowires 130 intersect with each other and have a core-shell structure including a first metal oxide 131 and a second metal oxide 132 surrounding the first metal oxide 131 And has nanoparticles 133 on its surface.

기판(110)은 기판(110) 상부에 배치된 전극(120)을 지지하고 절연하는 역할을 할 수 있다. 상기 기판(110)은 특별히 제한 되지 않으며, 실리콘 웨이퍼, 석영 기판(110), 산화물 기판(110) 등일 수 있다.
The substrate 110 may support and insulate the electrodes 120 disposed on the substrate 110. The substrate 110 is not particularly limited and may be a silicon wafer, a quartz substrate 110, an oxide substrate 110, or the like.

상기 기판(110) 상에는 전극(120)이 배치된다. 상기 전극(120)은 전원부(140)로부터 공급되는 전류가 흐르는 통로를 형성하며, 상기 전극(120) 상에 배치된 나노 와이어(130)에 전류를 공급하는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 나노 와이어(130)를 형성하고 지지하는 역할을 할 수 있다.
An electrode 120 is disposed on the substrate 110. The electrode 120 forms a passage through which a current supplied from the power supply unit 140 flows and may supply current to the nanowire 130 disposed on the electrode 120. In addition, the nanowires 130 may be formed and supported.

상기 전극(120)의 재료는 전자 기기 분야에서 일반적으로 사용되는 도전성 물질일 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면 상기 전극(120)은 Au-Pt-Ti가 순차적으로 적층된 형상을 가질 수 있다. 상기 전극(120)의 제조 방법 역시 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면 포토리소그래피 공정(photolithography process)에 의해 형성될 수 있다.
The material of the electrode 120 may be a conductive material generally used in the field of electronic devices, and is not particularly limited. For example, the electrode 120 may have a shape in which Au-Pt-Ti is sequentially stacked. The method of manufacturing the electrode 120 is also not particularly limited. For example, by a photolithography process.

상기 기판(110) 및 전극(120) 사이에는 절연층(미도시)이 배치될 수 있다. 상기 절연층은 전극(120)을 지지하고 절연하는 역할을 할 수 있다.
An insulating layer (not shown) may be disposed between the substrate 110 and the electrode 120. The insulating layer may serve to support and insulate the electrode 120.

또한, 상기 전극(120)에 전류를 공급하는 전원부(140)를 포함한다. 상기 전원부(140)를 통해 공급된 전류는 전극(120) 및 나노 와이어(130)를 거쳐 흐를 수 있다. 상기 전류의 흐름에 따라 발생하는 저항 및 그 변화를 측정함으로써 가스의 농도를 측정할 수 있다. 본 발명에서 상기 전원부(140)의 형상 및 원리 등은 특별히 한정되지 않는다.
And a power supply unit 140 for supplying a current to the electrode 120. The current supplied through the power supply unit 140 may flow through the electrode 120 and the nanowire 130. The concentration of the gas can be measured by measuring the resistance and the change occurring in accordance with the current flow. In the present invention, the shape and principle of the power supply unit 140 are not particularly limited.

상기 전극(120) 상에는 복수의 나노 와이어(130)가 배치되며, 상기 복수의 나노 와이어(130)는 적어도 일부분이 서로 교차하고 있다. 또한, 상기 나노 와이어(130)는 제1 금속 산화물(131) 및 상기 제1 금속 산화물(131)을 둘러싸는 제2 금속 산화물(132)을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지고, 그 표면에 나노 입자(133)를 포함한다.
A plurality of nanowires 130 are disposed on the electrode 120, and at least a portion of the plurality of nanowires 130 cross each other. In addition, the nanowire 130 has a core-shell structure including a first metal oxide 131 and a second metal oxide 132 surrounding the first metal oxide 131, (133).

금속 산화물을 포함하는 나노 와이어(130)는 박막 형태 또는 덩어리 형태인 것에 비하여 표면적비가 높다. 따라서, 상기 나노 와이어(130)를 포함하는 가스 센서(100)는 측정 대상이 되는 가스에 대한 감응성, 즉 상기 가스에 대한 민감도가 높다.
The nanowire 130 including the metal oxide has a high surface area ratio as compared with a thin film or a lump shape. Accordingly, the gas sensor 100 including the nanowire 130 has high sensitivity to the gas to be measured, that is, sensitivity to the gas.

상기 금속 산화물을 포함하는 나노 와이어(130)를 포함하는 가스 센서(100)가 공기 중의 가스를 검출하는 원리는 아래와 같다.
The principle that the gas sensor 100 including the nanowire 130 containing the metal oxide detects gas in the air is as follows.

공기 중의 산소 분자가 나노 와이어(130) 표면에 흡착하면 상기 나노 와이어(130)의 표면의 전자가 상기 산소 분자에 포획되어 상기 나노 와이어(130)의 표면에 전자 공핍층이 형성되어 있을 수 있다.
When oxygen molecules in the air are adsorbed on the surface of the nanowire 130, electrons on the surface of the nanowire 130 may be trapped by the oxygen molecule to form an electron depletion layer on the surface of the nanowire 130.

만일, 산화성 가스 분자가 상기 나노 와이어(130)의 표면에 흡착하면 상기 나노 와이어(130)의 표면의 전자가 상기 산화성 가스 분자에 추가적으로 포획되어 상기 전자 공핍층이 더욱 확장될 수 있다. 이 경우, 상기 나노 와이어(130)의 표면에 형성된 전자 공핍층으로 인하여 상기 나노 와이어(130)의 전기 저항이 증가할 수 있다.
If the oxidizing gas molecules are adsorbed on the surface of the nanowire 130, electrons on the surface of the nanowire 130 are further captured by the oxidizing gas molecules, so that the electron depletion layer can be further expanded. In this case, the electrical resistance of the nanowire 130 may increase due to an electron depletion layer formed on the surface of the nanowire 130.

만일, 환원성 가스 분자가 상기 나노 와이어(130)의 표면에 흡착하면 산화성 가스 분자가 상기 나노 와이어(130)의 표면에 흡착한 경우와 이와 다른 결과가 발생할 수 있다. 환원성 가스 분자가 상기 나노 와이어(130)의 표면에 흡착하면 산소 분자와 환원성 가스 분자가 서로 반응하여 상기 나노 와이어(130)의 표면에서 떨어져 나갈 수 있다. 따라서, 상기 나노 와이어(130)의 표면에 형성된 전자 공핍층이 축소되어 상기 나노 와이어(130)의 전기 저항이 감소할 수 있다.
If the reducing gas molecules are adsorbed on the surfaces of the nanowires 130, different results may be obtained when the oxidizing gas molecules are adsorbed on the surface of the nanowires 130. When the reducing gas molecules are adsorbed on the surfaces of the nanowires 130, the oxygen molecules and the reducing gas molecules may react with each other and separate from the surface of the nanowires 130. Accordingly, the electron depletion layer formed on the surface of the nanowire 130 may be reduced to reduce the electrical resistance of the nanowire 130.

이와 같이, 나노 와이어(130)의 표면에 가스 분자가 탈착 및 부착하는 경우 전자 교환이 발생할 수 있다. 이러한 전자 교환이 효과적으로 이루어지기 위해서는 일정 값 이상의 열 에너지가 필요하기 때문에, 일반적으로 가스 농도 측정은 200℃ 내지 400℃의 온도에서 이루어진다.
As described above, when the gas molecules are desorbed and adhered to the surface of the nanowire 130, electron exchange may occur. Generally, the gas concentration measurement is carried out at a temperature of 200 to 400 DEG C because heat energy above a certain value is required for such an effective electron exchange.

앞서 설명한 열 에너지를 공급하기 위해, 일반적인 가스 센서의 경우 가스 센서 내에 가열부 또는 발열부 등의 열 에너지 공급부를 포함하고 있다. 열 에너지 공급부란 가스 센서에 열 에너지를 공급하여 내부 온도를 상승시키는 역할을 하는 구성을 의미하며, 나노 와이어를 이용하여 가스 농도를 측정하는 역할을 하기 위해 나노 와이어에 전류 또는 전압을 공급하거나 저항을 측정하기 위한 구성 등을 의미하지 않는다. 따라서, 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)에 있어서 전원부(140)는 상기 열 에너지 공급부에 해당하지 않는다.
In order to supply the above-described thermal energy, in the case of a general gas sensor, a gas sensor includes a heating part or a heat energy supplying part such as a heating part. The thermal energy supply means a structure that serves to increase the internal temperature by supplying thermal energy to the gas sensor. In order to measure the gas concentration using the nanowire, it is necessary to supply current or voltage to the nanowire, And the like. Therefore, in the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention, the power supply unit 140 does not correspond to the heat energy supply unit.

상기 일반적인 가스 센서는 열 에너지 공급에 따른 에너지 소모가 크고 전력소모가 클 수 있으며, 열에너지 공급부를 포함하고 있기 때문에 소형화가 어려울 수 있다.
The conventional gas sensor may have a large energy consumption and a large power consumption due to the supply of thermal energy, and it may be difficult to miniaturize because it includes a heat energy supply unit.

본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)는 별도의 열 에너지 공급부를 필요로 하지 않는다. 따라서, 가스 센서(100)의 소형화가 가능하고, 에너지 소모 또는 전력 소모를 줄일 수 있다. 또한, 열 에너지 공급부를 포함하고 있지 않음에도 가스에 대한 감응성은 높게 유지될 수 있다. 상기 감응성이란 가스 센서(100)가 특정 가스의 농도 변화를 감지할 수 있는 능력으로 정의될 수 있다.
The gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention does not require a separate thermal energy supply. Therefore, the gas sensor 100 can be miniaturized, and energy consumption or power consumption can be reduced. In addition, the sensitivity to the gas can be kept high even though it does not include the heat energy supplying portion. The sensitivity may be defined as the ability of the gas sensor 100 to detect a change in concentration of a specific gas.

본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)에 포함되는 나노 와이어(130)는 코어-쉘 구조를 가짐으로써, 쉘층에 대응되는 제2 금속 산화물(132) 영역이 일정한 밴드 구조를 형성하게 되고, 이로 인하여 상기 나노 와이어(130)의 전기 저항에 변화가 생기게 된다. 이러한 전기 저항의 변화는 가스, 특히 환원성 가스에 대한 감응성을 향상시킬 수 있다.
The nanowire 130 included in the gas sensor 100 according to an embodiment of the present invention has a core-shell structure, so that the region of the second metal oxide 132 corresponding to the shell layer forms a constant band structure, As a result, the electrical resistance of the nanowire 130 is changed. This change in electrical resistance can improve the sensitivity to gas, especially reducing gas.

즉, 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)에 포함되는 나노 와이어(130)의 교차로 인하여 발생하는 저항열이 일반적인 가스 센서에 포함되는 열 에너지 공급부에 의해 공급되는 열 에너지에 미치지 못하더라도, 본 발명의 일 실시 예를 따르는 가스 센서(100)는, 상기 나노 와이어(130)가 제1 금속 산화물(131) 및 상기 제1 금속 산화물(131)을 둘러싸는 제2 금속 산화물(132)을 포함함으로써 가스에 대한 감응성이 높기 때문에 가스 농도 측정이 가능하다.
That is, even if the resistance heat generated due to the intersection of the nanowires 130 included in the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention does not reach the thermal energy supplied by the thermal energy supply unit included in the general gas sensor, The gas sensor 100 according to an embodiment of the present invention includes the nanowire 130 including a first metal oxide 131 and a second metal oxide 132 surrounding the first metal oxide 131 This makes it possible to measure the gas concentration because the gas sensitivity is high.

또한, 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)는, 나노 와이어(130)의 표면에 배치된 나노 입자(133)를 포함하고 있기 때문에 가스에 대한 감응성이 보다 높다. 따라서, 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)는 열 에너지 공급부로부터 별도의 열 에너지를 공급받지 않더라도 가스의 농도 변화를 민감하게 감지할 수 있다.
In addition, since the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention includes the nanoparticles 133 disposed on the surface of the nanowire 130, the gas sensor 100 is more susceptible to gas. Therefore, the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention can sensitively detect the concentration change of the gas without receiving any thermal energy from the thermal energy supply unit.

즉, 나노 와이어(130)의 교차로 인하여 발생하는 저항열이 열 에너지 공급부에 의해 공급되는 열 에너지에 미치지 못하더라도, 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)는, 상기 나노 와이어(130)가 코어-쉘 구조를 갖고, 그 표면에 배치된 나노 입자(133)를 포함함으로써 가스에 대한 감응성이 높기 때문에 가스 농도 측정이 가능하다.
That is, even though the resistance heat generated due to the intersection of the nanowires 130 does not reach the thermal energy supplied by the thermal energy supply unit, the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention is configured such that the nanowires 130 The gas concentration measurement is possible because it has a core-shell structure and includes nanoparticles 133 disposed on the surface thereof, thereby being highly sensitive to gas.

코어-쉘 구조를 갖지만 그 표면에 나노 입자를 포함하지 않는 나노 와이어를 포함하는 가스 센서의 경우 가스 검출/농도 측정 시 쉘 영역에 완전 공핍층이 형성되어 가스에 대한 감응도가 커질 수 있다. 그러나, 상기 쉘 영역의 두께가 일정값 이상으로 두꺼운 경우 상기 쉘 영역의 일부에만 공핍층이 형성될 수 있으며, 가스에 대한 감응도가 감소할 수 있다.
In the case of a gas sensor having a core-shell structure but including nanowires not having nanoparticles on its surface, a complete depletion layer may be formed in the shell region during gas detection / concentration measurement, thereby increasing the sensitivity to gas. However, when the thickness of the shell region is thicker than a predetermined value, a depletion layer may be formed only in a part of the shell region, and sensitivity to gas may be reduced.

반면, 코어-쉘 구조를 갖고 그 표면에 나노 입자를 포함하는 나노 와이어(130)를 포함하는 가스 센서(100)의 경우 상기 쉘 영역의 표면에 배치된 나노 입자(133)로 인하여 상기 쉘 영역에는 추가적인 공핍영역이 발생하게 된다. 상기 쉘 영역의 두께가 두꺼워지더라도 상기 추가적인 공핍영역으로 인하여 나노 와이어(130)에서 발생하는 저항은 증가하게 된다. 따라서, 이러한 나노 와이어(130)를 포함하는 가스 센서(100)는 가스에 대한 감응도가 보다 증가하게 된다.
On the other hand, in the case of the gas sensor 100 including the nanowire 130 having a core-shell structure and including nanoparticles on its surface, the nanoparticles 133 disposed on the surface of the shell region cause the nanoparticles 133 An additional depletion region is generated. Even if the thickness of the shell region becomes thick, the resistance generated in the nanowire 130 due to the additional depletion region is increased. Accordingly, the gas sensor 100 including the nanowire 130 is more susceptible to gas.

상기 나노 와이어(130)는 상기 전극(120)으로부터 기상법 (vapor growth technique), 혹은 용액법(solution based growth technique)을 이용하여 성장시켜 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 나노 와이어(130)는 상기 전극으로부터 뻗어 나오는 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 나노 와이어(130)는 상기 전극(120)으로부터 수직 방향으로 형성될 수 있다. 상기 나노 와이어(130)가 상기 전극(120)으로부터 뻗어 나오도록 형성됨으로써 상기 나노 와이어(130)가 상호 교차하는 형상을 갖질 수 있다.
The nanowire 130 may be grown from the electrode 120 using a vapor growth technique or a solution based growth technique. In this case, the nanowire 130 may have a shape extending from the electrode. The nanowire 130 may be formed in a vertical direction from the electrode 120. The nanowires 130 may be formed so as to extend from the electrodes 120, so that the nanowires 130 may cross each other.

이와 같이 나노 와이어(130)의 형상, 구조 및 재료를 한정함으로써 가스 센서(100)의 가스에 대한 감응성을 보다 높일 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)는 열 에너지 공급부로부터 별도의 열 에너지를 공급받지 않더라도 가스의 농도 변화를 민감하게 감지할 수 있다.
By limiting the shape, structure, and material of the nanowire 130, the gas sensor 100 can be more susceptible to gas. Therefore, the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention can sensitively detect the concentration change of the gas without receiving any thermal energy from the thermal energy supply unit.

상기 나노 와이어(130)에 있어서, 상기 제1 금속 산화물(131) 또는 제2 금속 산화물(132)은 Ti. Sn. Zn, Mn, Mg, W, Co, Fe, Ba, In, Zr, Cu, Al, Bi, Pb, Ag, Cd, Y, Mo, Rh, Pd, Sb, Cs, La 및 이들의 조합으로부터 형성된 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
In the nanowire 130, the first metal oxide 131 or the second metal oxide 132 may be Ti. Sn. Metal formed from Zn, Mn, Mg, W, Co, Fe, Ba, In, Zr, Cu, Al, Bi, Pb, Ag, Cd, Y, Mo, Rh, Pd, Sb, Cs, La and combinations thereof Oxide. ≪ / RTI >

상기 나노 와이어(130)는 상기 제1 금속 산화물(131) 및 제2 금속 산화물(132)의 종류에 따라 p-n 타입의 코어-쉘 구조를 형성하거나 n-n 타입의 코어-쉘 구조를 형성할 수 있다.
The nanowire 130 may form a pn-type core-shell structure or an nn-type core-shell structure depending on the types of the first metal oxide 131 and the second metal oxide 132.

상기 나노 와이어(130)의 코어-쉘 구조를 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 코어는 기체-액체-고체(VLS: vapor-liquid-solid) 성장법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 쉘은 원자층증착법(ALD: atomic layer deposition)에 의하여 형성할 수 있다.
The method of forming the core-shell structure of the nanowire 130 is not particularly limited. For example, the core can be formed by a vapor-liquid-solid (VLS) growth method. In addition, the shell can be formed by atomic layer deposition (ALD).

상기 나노 입자(133)를 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 방사선 분해법을 이용함으로써 나노 와이어(130) 표면에 나노 입자(133)를 형성할 수 있다.
The method of forming the nanoparticles 133 is not particularly limited. For example, nanoparticles 133 can be formed on the surfaces of the nanowires 130 by using a radiation decomposition method.

가스 센서(100)의 가스에 대한 감응성은 나노 와이어(130)의 표면에 배치된 나노 입자(133)의 종류에 따라 감응성이 향상되는 가스가 달라질 수 있다. 상기 나노 입자(133)는 Pt, Au, Pd, Ag 및 CuO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이하, 도 4 내지 도 9를 참조하여 상기 나노 와이어(130)의 표면에 배치된 나노 입자(133)에 따른 가스 감응성 변화에 대하여 설명한다.
The sensitivity of the gas sensor 100 to gas may vary depending on the kind of the nanoparticles 133 disposed on the surface of the nanowire 130. The nanoparticles 133 may include at least one of Pt, Au, Pd, Ag, and CuO. Hereinafter, the change in gas sensitivity according to the nanoparticles 133 disposed on the surface of the nanowire 130 will be described with reference to FIGS. 4 to 9. FIG.

도 4 내지 도 9에서 사용된 가스 센서(100)는, 나노 와이어(130)가 코어-쉘 구조를 가지고 있으며, 코어를 구성하는 제1 금속 산화물(131)은 SnO2이고 쉘을 구성하는 제2 금속 산화물(132)은 ZnO이다. 또한, 나노 입자(133)는 도 4 및 도 5에서는 Pt, 도 6 및 도 7에서는 Au, 도 8 및 도 9에서는 Pd이다. 가스 센서(100)에 5V의 전압을 인가하였으며, 도 5, 도 7 및 도 9에서 측정 대상인 가스의 농도는 50ppm이다.
4 to 9, the nanowire 130 has a core-shell structure. The first metal oxide 131 constituting the core is SnO 2, and the second metal oxide 131 constituting the core is SnO 2 . The metal oxide 132 is ZnO. The nanoparticles 133 are Pt in Figs. 4 and 5, Au in Figs. 6 and 7, and Pd in Figs. 8 and 9. A voltage of 5 V was applied to the gas sensor 100, and the concentration of the gas to be measured in FIG. 5, FIG. 7, and FIG. 9 was 50 ppm.

도 4는 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)를 이용하여 톨루엔(C7H8)의 농도를 측정한 것으로, 톨루엔(C7H8)의 농도를 달리하여 가스 센서(100)의 감응성을 측정한 것이다. 도 4의 그래프에서 수직 축은 반응(Rair/Rgas, 그래프에서는 Ra/Rg로 표현됨)를 측정한 것으로 가스에 대한 감응성을 나타낸다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)는 별도의 열 에너지 공급부를 포함하지 않고서도 톨루엔의 농도 변화를 안정적으로 감지할 수 있음을 알 수 있다. 반응(Rair/Rgas)에서 Rair는 가스 센서에 일정한 전압을 인가한 후 공기(air) 상에서의 저항을 측정한 값이고, Rgas는 측정 대상 가스를 투입한 후 저항을 측정한 값이다.
4 is a graph showing the concentration of toluene (C 7 H 8 ) measured using a gas sensor 100 according to an embodiment of the present invention. The concentration of toluene (C 7 H 8 ) The sensitivity was measured. In the graph of FIG. 4, the vertical axis represents the response to gas (R air / R gas , expressed in terms of R a / R g in the graph). Referring to FIG. 4, it can be seen that the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention can stably detect changes in the concentration of toluene without including a separate thermal energy supply unit. In the reaction (R air / R gas ), R air is a value obtained by measuring a resistance on the air after a constant voltage is applied to the gas sensor, and R gas is a value obtained by measuring the resistance after the gas to be measured is charged .

도 5는 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)를 이용하여 5V, 50ppm 조건에서 CO, 톨루엔 및 벤젠에 따른 가스 센서(100)의 응답성을 도시한 것이다. 도 5를 참조하면, CO 및 벤젠(C6H6)에 대하여 민감하게 반응하지 못하지만 톨루엔(C7H8)에 대하여 민감하게 반응함을 알 수 있다. 즉, 나노 입자(133)가 Pt인 경우, 가스 센서(100)는 별도의 열 에너지 공급부를 포함하지 않고서도 톨루엔(C7H8)의 농도 변화에 대하여 민감하게 반응함을 알 수 있다.
5 shows the responsiveness of the gas sensor 100 according to CO, toluene and benzene at 5 V and 50 ppm using the gas sensor 100 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, it can be seen that although it does not react sensitively to CO and benzene (C 6 H 6 ), it sensitively reacts with toluene (C 7 H 8 ). That is, when the nanoparticles 133 are Pt, the gas sensor 100 responds sensitively to changes in the concentration of toluene (C 7 H 8 ) without including a separate thermal energy supply portion.

도 6은 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)를 이용하여 CO의 농도를 측정한 것으로, CO의 농도를 달리하여 가스 센서(100)의 감응성을 측정한 것이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)는 별도의 열 에너지 공급부를 포함하지 않고서도 CO의 농도 변화를 안정적으로 감지할 수 있음을 알 수 있다.
FIG. 6 is a graph illustrating the measurement of the concentration of CO by using the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention. The sensitivity of the gas sensor 100 is measured by varying the concentration of CO. Referring to FIG. 6, it can be seen that the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention can stably detect changes in concentration of CO even without including a separate thermal energy supply unit.

도 7은 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)를 이용하여 5V, 50ppm 조건에서 CO, 톨루엔 및 벤젠에 따른 가스 센서(100)의 응답성을 도시한 것이다. 도 7을 참조하면, 벤젠(C6H6) 및 톨루엔(C7H8)에 대하여 민감하게 반응하지 못하지만 CO에 대하여 민감하게 반응함을 알 수 있다. 즉, 나노 입자(133)가 Au인 경우, 가스 센서(100)는 별도의 열 에너지 공급부를 포함하지 않고서도 CO의 농도 변화에 대하여 민감하게 반응함을 알 수 있다.
7 shows the responsiveness of the gas sensor 100 according to CO, toluene and benzene at 5 V and 50 ppm using the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, it can be seen that it does not react sensitively to benzene (C 6 H 6 ) and toluene (C 7 H 8 ) but sensitively reacts with CO. That is, when the nanoparticles 133 are Au, the gas sensor 100 responds sensitively to changes in the concentration of CO without including a separate thermal energy supply.

도 8은 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)를 이용하여 벤젠(C6H6)의 농도를 측정한 것으로, 벤젠(C6H6)의 농도를 달리하여 가스 센서(100)의 감응성을 측정한 것이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)는 별도의 열 에너지 공급부를 포함하지 않고서도 벤젠의 농도 변화를 안정적으로 감지할 수 있음을 알 수 있다.
8 is a graph showing the concentration of benzene (C 6 H 6 ) measured using the gas sensor 100 according to an embodiment of the present invention. The concentration of benzene (C 6 H 6 ) The sensitivity was measured. Referring to FIG. 8, it can be seen that the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention can stably detect changes in the concentration of benzene without including a separate thermal energy supply unit.

도 9는 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)를 이용하여 5V, 50ppm 조건에서 CO, 톨루엔 및 벤젠에 따른 가스 센서(100)의 응답성을 도시한 것이다. 도 9를 참조하면, CO 및 톨루엔(C7H8)에 대하여 민감하게 반응하지 못하지만 벤젠(C6H6)에 대하여 민감하게 반응함을 알 수 있다. 즉, 나노 입자(133)가 Pd인 경우, 가스 센서(100)는 별도의 열 에너지 공급부를 포함하지 않고서도 벤젠(C6H6)의 농도 변화에 대하여 민감하게 반응함을 알 수 있다.
9 shows the responsiveness of the gas sensor 100 according to CO, toluene and benzene at 5 V and 50 ppm using the gas sensor 100 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, it can be seen that it does not react sensitively to CO and toluene (C 7 H 8 ) but sensitively reacts to benzene (C 6 H 6 ). That is, when the nanoparticles 133 are Pd, it can be seen that the gas sensor 100 responds sensitively to changes in the concentration of benzene (C 6 H 6 ) without including a separate thermal energy supply.

이하 본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)의 제조 방법을 설명한다. 다만, 아래 설명하는 제조 방법은 일 실시 예에 해당하는 것이므로, 본 발명이 여기에 한정하는 것은 아니다.
Hereinafter, a method of manufacturing the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention will be described. However, the manufacturing method described below corresponds to one embodiment, and thus the present invention is not limited thereto.

본 발명의 실시 예를 따르는 가스 센서(100)를 제조하기 위해 우선 기판(110)을 준비한다. 상기 기판(110)은 실리콘 웨이퍼, 석영 기판(110), 산화물 기판(110) 등일 수 있다.
In order to manufacture the gas sensor 100 according to the embodiment of the present invention, the substrate 110 is first prepared. The substrate 110 may be a silicon wafer, a quartz substrate 110, an oxide substrate 110, or the like.

다음으로 상기 기판(110) 상에 절연층(미도시)을 형성할 수 있다. 상기 기판(110) 및 절연층은 기판(110) 상에 형성되는 전극(120)을 지지하고 상호간에 절연하는 역할을 한다. 상기 절연층은 실리콘 옥사이드, 실리콘 다이옥사이드, 질화 실리콘, 폴리머 등일 수 있다.
Next, an insulating layer (not shown) may be formed on the substrate 110. The substrate 110 and the insulating layer support and insulate the electrodes 120 formed on the substrate 110. The insulating layer may be silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, a polymer, or the like.

다음으로 상기 기판(110) 상에 전극(120)을 형성할 수 있다. 상기 전극(120)은 당해 기술분야에서 일반적으로 사용하는 방법에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면 포토리소그래피 공정(photolithography process)에 의해 형성될 수 있다. 상기 전극(120)은 특별히 제한되지 않지만, Au-Pt-Ti가 순차적으로 적층된 형상을 가질 수 있다. 이 때 각 층의 두께는 필요에 따라 조절될 수 있다.
Next, the electrode 120 may be formed on the substrate 110. The electrode 120 may be formed by a method commonly used in the art. For example, by a photolithography process. The electrode 120 is not particularly limited, but Au-Pt-Ti may be sequentially stacked. At this time, the thickness of each layer can be adjusted as needed.

다음으로 상기 전극(120) 상에 나노 와이어(130)를 형성할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 나노 와이어(130)는 기체-액체-고체(VLS: vapor-liquid-solid) 성장법에 의해 형성할 수 있다. 이 때, 상기 나노 와이어(130)가 서로 교차하는 교차점(junction point)이 충분히 생성될 수 있도록 공정 조건을 조절할 필요가 있다. 상기 나노 와이어(130)는 제1 금속 산화물(131) 및 상기 제1 금속 산화물(131)을 둘러싸는 제2 금속 산화물(132)을 포함하는 코어-쉘 구조를 가진다. 이 때, 코어는 기체-액체-고체(VLS: vapor-liquid-solid) 성장법에 의해 형성할 수 있고, 쉘은 원자층증착법(ALD: atomic layer deposition)에 의하여 형성할 수 있다.
Next, the nanowire 130 may be formed on the electrode 120. As described above, the nanowires 130 can be formed by a vapor-liquid-solid (VLS) growth method. At this time, it is necessary to adjust process conditions so that a junction point at which the nanowires 130 intersect with each other can be sufficiently generated. The nanowire 130 has a core-shell structure including a first metal oxide 131 and a second metal oxide 132 surrounding the first metal oxide 131. At this time, the core can be formed by a vapor-liquid-solid (VLS) growth method, and the shell can be formed by atomic layer deposition (ALD).

상기 코어를 형성하는 공정은 일 예로 다음과 같을 수 있다. 주석 파우더(Aldrich, 99.9%)를 수평 석영튜브 반응로(quartz tube furnace)에 넣고 반응로의 압력을 1x10-3 torr로 설정한다. 상기 반응로 내부로 질소 300 sccm 및 산소 10 sccm을 주입한 후 900℃에서 15분 동안 가열함으로써 코어를 형성할 수 있다.
The process of forming the core may be, for example, as follows. Tin powder (Aldrich, 99.9%) is placed in a horizontal quartz tube furnace and the pressure in the reactor is set to 1x10-3 torr. 300 sccm of nitrogen and 10 sccm of oxygen are injected into the reactor, and the reactor is heated at 900 캜 for 15 minutes to form a core.

상기 쉘을 형성하는 공정은 일 예로 다음과 같을 수 있다. 전구체 용액을 준비한다. 상기 전구체 용액은 디에틸 아연(Zn(C2H5)2, DEZn) 및 물을 포함할 수 있다. 상기 전구체 용액을 반응기에 주입하고 상기 반응기는 온도 150℃, 압력 0.3 torr로 설정한다. 상기 전구체 용액에 앞서 형성한 코어가 형성된 기판(110)을 침지하고 원자층증착법을 실시 한다. 이 때 형성되는 쉘의 두께는 5 내지 80nm일 수 있다.
The step of forming the shell may be, for example, as follows. Prepare the precursor solution. The precursor solution may comprise diethylzinc (Zn (C 2 H 5 ) 2 , DEZn) and water. The precursor solution is injected into the reactor and the reactor is set at a temperature of 150 ° C and a pressure of 0.3 torr. The substrate 110 on which the core formed before the precursor solution is formed is immersed and atomic layer deposition is performed. The thickness of the shell formed at this time may be 5 to 80 nm.

다음으로 상기 나노 와이어(130) 표면에 나노 입자(133)를 형성한다. 우선 전구체 용액을 준비 한다. 상기 전구체 용액은 탈 이온수(DI Water) 94 vol%, 2-프로판올 6 vol%의 혼합 용매에 헥사클로로 백금(Ⅳ)산 수화물(Hydrogen hexachloroplatinate(IV) hydrate) 1.0 Mm을 넣어 형성할 수 있다. 앞서 형성한 코어-쉘 구조를 갖는 나노 와이어(130)가 형성된 기판(110)을 상기 전구체 용액에 침하고 방사선을 조사한다. 상기 방사선은 10 kGy/h에서 2시간 동안 조사할 수 있다.
Next, nanoparticles 133 are formed on the surfaces of the nanowires 130. First, prepare a precursor solution. The precursor solution can be formed by adding 1.0 Mm of hexachloroplatinate (IV) hydrate to a mixed solvent of 94 vol% DI water and 6 vol% 2-propanol. The substrate 110 on which the nanowire 130 having the core-shell structure formed is formed is immersed in the precursor solution and irradiated with the radiation. The radiation can be irradiated at 10 kGy / h for 2 hours.

다음으로, 상기 기판(110)을 500℃에서 1시간 동안 열처리하여 용매를 건조시키고 나노 와이어(130) 표면에 형성된 나노 입자(133)를 산화시킬 수 있다.
Next, the substrate 110 is heat-treated at 500 ° C. for 1 hour to dry the solvent and oxidize the nanoparticles 133 formed on the surface of the nanowire 130.

그 밖에 가스 센서를 제조 하기 위한 일반적인 공정, 예를 들면 전극에 전원부를 연결하는 공정 등이 추가 될 수 있다.
In addition, a general process for manufacturing a gas sensor, for example, a process of connecting a power source to an electrode, and the like may be added.

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is intended to be limited by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.

100: 가스 센서
110: 기판
120: 전극
130: 나노 와이어
131: 제1 금속 산화물
132: 제2 금속 산화물
133: 나노 입자
140: 전원부100: Gas sensor
110: substrate
120: Electrode
130: nanowire
131: First metal oxide
132: Second metal oxide
133: Nanoparticles
140:

Claims (9)

기판;
상기 기판 상에 배치된 전극;
상기 전극 상에 배치된 복수의 나노 와이어; 및
상기 전극에 전류를 공급하는 전원부;를 포함하고,
상기 복수의 나노 와이어는 서로 교차하고, 제1 금속 산화물 및 상기 제1 금속 산화물을 둘러싸는 제2 금속 산화물을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지고, 그 표면에 나노 입자를 포함하는 가스 센서.
Board;
An electrode disposed on the substrate;
A plurality of nanowires disposed on the electrode; And
And a power supply unit for supplying a current to the electrode,
Wherein the plurality of nanowires intersect each other and have a core-shell structure comprising a first metal oxide and a second metal oxide surrounding the first metal oxide, the nanowire comprising nanoparticles on its surface.
제1항에 있어서,
상기 나노 와이어는 상기 전극으로부터 뻗어 나오도록 형성된 가스 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the nanowire is configured to extend from the electrode.
제1항에 있어서,
상기 나노 입자는 Pt를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the nanoparticles comprise Pt.
제3항에 있어서,
상기 가스 센서는 톨루엔을 선택적으로 감지하는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
The method of claim 3,
Wherein the gas sensor selectively senses toluene.
제1항에 있어서,
상기 나노 입자는 Au를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the nanoparticles comprise Au.
제5항에 있어서,
상기 가스 센서는 CO를 선택적으로 감지하는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
6. The method of claim 5,
Wherein the gas sensor selectively senses CO.
제1항에 있어서,
상기 나노 입자는 Pd를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the nanoparticles comprise Pd.
제7항에 있어서,
상기 가스 센서는 벤젠을 선택적으로 감지하는 것을 특징으로 하는 가스 센서.
8. The method of claim 7,
Wherein the gas sensor selectively senses benzene.
제1항에 있어서,
상기 가스 센서는 열 에너지 공급부를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 가스 센서.


The method according to claim 1,
Wherein the gas sensor does not include a thermal energy supply.


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