KR20160131242A - 기판 연마장치의 디척 방법 - Google Patents

기판 연마장치의 디척 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160131242A
KR20160131242A KR1020150063154A KR20150063154A KR20160131242A KR 20160131242 A KR20160131242 A KR 20160131242A KR 1020150063154 A KR1020150063154 A KR 1020150063154A KR 20150063154 A KR20150063154 A KR 20150063154A KR 20160131242 A KR20160131242 A KR 20160131242A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
vacuum
pressure
polishing
polishing pad
Prior art date
Application number
KR1020150063154A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102332801B1 (ko
Inventor
이근우
신인철
박성현
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020150063154A priority Critical patent/KR102332801B1/ko
Publication of KR20160131242A publication Critical patent/KR20160131242A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102332801B1 publication Critical patent/KR102332801B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

기판의 디척 공정 시 오류 발생을 최소화할 수 있는 기판 연마장치의 디척 방법이 개시된다. 기판 연마장치의 디척 방법은, 연마 공정이 완료된 기판을 연마패드에 대해서 가압하는 단계, 상기 기판에 대한 가압을 중단하고, 상기 기판에 진공을 제공하는 단계 및 상기 연마패드에서 발생하는 반발력과 상기 기판에 제공된 진공 압력으로 상기 기판을 상기 연마패드에서 분리하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

기판 연마장치의 디척 방법{DECHUCK METHOD FOR SUBSTRATE POLISHING APPARATUS}
본 발명은 기판의 화학기계적 연마장치에 관한 것으로, 기판의 디척 공정 시 오류 발생을 최소화할 수 있는 기판 연마장치의 디척 방법에 관한 것이다.
최근 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여, 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 반도체 공정 기술이 발전되고 있다.
반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 실리콘 기판은 다결정의 실리콘을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말한다. 기판을 제조하는 공정은 성장된 실리콘 단결정 잉곳(ingot)을 박판으로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정, 기판의 두께를 균일화하고 평면화하는 래핑(lapping) 공정, 슬라이싱 공정 및 래핑 공정에서 발생한 데미지를 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정, 기판 표면을 경면화하는 연마(polishing) 공정 및 연마가 완료된 기판을 세척하고 표면에 부착된 이물질을 제거하는 세정(cleaning) 공정으로 이루어진다.
여기서, 연마 공정은 기판의 표면 변질층을 제거하고 두께 균일도를 개선시키는 스톡(stock) 연마와 기판의 표면을 경면으로 가공하는 파이널(final) 연마로 나뉜다.
파이널 연마 공정은 기판에 일정한 압력을 가하여 고정시키는 연마헤드(polishing head)와 연마포가 부착된 테이블인 정반이 회전하면서 작용하는 기계적 반응과 콜로이달 실리카로 구성된 연마 슬러리에 의한 화학적인 반응에 의해 연마되는 화학기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 장치가 사용된다.
이러한 CMP 장치는, 기판을 파지하는 장치로서 캐리어 헤드가 사용되는데, 캐리어 헤드는, 기판을 직접 및 간접적으로 진공 흡착하여 파지하며, 멤브레인(membrane) 타입이 주로 사용되고 있다. 또한, 기판의 표면에 단순히 균일한 압력을 가하여 연마하는 단계를 넘어서, 하나의 기판에 국부적으로 다른 압력을 가하여 기판의 연마 프로파일을 다양하게 조절할 수 있는 다중영역분할 연마식의 캐리어 헤드가 제안된 바 있다.
한편, 연마 공정이 완료된 후에는 기판을 파지하고 있는 캐리어 헤드에서 기판에 소정의 진공 압력을 제공하여 연마패드에서 기판을 분리하는 디척 공정을 수행한다. 그런데, 기존의 디척 공정에서는 연마패드에서 기판을 분리하기 위해서 기판에 강하게 진공을 작용시킴에 따라 오류 발생 또는 기판의 파손 위험이 있다. 따라서, 기판의 디척 시 오류 발생이나 기판의 파손 발생 위험을 줄일 수 있는 디척 공정의 개발이 필요하다 할 것이다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 기판을 디척 시 오류 발생 및 기판의 파손 위험을 최소화하는 기판 연마장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 연마장치의 디척 방법은, 연마 공정이 완료된 기판을 연마패드에 대해서 가압하는 단계, 상기 기판에 대한 가압을 중단하고, 상기 기판에 진공을 제공하는 단계 및 상기 연마패드에서 발생하는 반발력과 상기 기판에 제공된 진공 압력으로 상기 기판을 상기 연마패드에서 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 가압하는 단계에서는, 상기 기판을 연마하는 공정 동안 가해지는 공정 압력보다 높은 압력을 인가할 수 있다. 또한, 상기 가압하는 단계에서는, 상기 기판과 상기 연마패드 사이에서 작용하는 표면장력보다 상기 연마패드에서 발생하는 반발력의 크기가 더 커지도록 압력을 인가할 수 있다. 또한, 상기 가압하는 단계는, 상기 기판의 전체에 대해서 균일한 압력을 인가할 수 있다. 또는, 상기 가압하는 단계는, 상기 캐리어 헤드는 내부에 복수의 존으로 구획된 압력 챔버가 구비되고, 상기 존마다 서로 다른 크기의 압력을 인가할 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 진공을 제공하는 단계는, 상기 가압하는 단계 직후 또는 상기 가압하는 단계와 동시에 수행되는 수 있다. 예를 들어, 상기 진공을 제공하는 단계에서는, 상기 기판을 상기 연마패드에서 들어올릴 수 있는 크기의 진공을 제공할 수 있다. 또한, 상기 진공을 제공하는 단계에서는, 상기 기판에 작용하는 진공 압력의 크기가 상기 연마패드와 상기 기판 사이에 작용하는 표면장력 이상의 크기를 갖도록 진공을 제공할 수 있다. 또한, 상기 진공을 제공하는 단계는, 상기 캐리어 헤드는 내부에 복수의 존으로 구획된 압력 챔버가 구비되고, 상기 존마다 서로 다른 크기의 진공을 제공하여 상기 기판을 분리할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예는 아래의 효과 중 하나 이상을 가질 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 연마패드에서 발생하는 반발력과 진공을 이용하여 기판을 디척하므로, 진공압만으로 디척하는 경우에 비해서 작은 압력으로 디척이 가능하여, 디척 오류를 방지 및 개선할 수 있고, 기판의 디척 공정 중에 기판의 리젝(reject) 또는 파손을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치의 요부 사시도이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치의 디척 방법을 설명하기 위한 모식도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치의 디척 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 기판 연마장치의 디척 방법에 대해서 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치(10)의 요부 사시도이고, 도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치(10)의 디척 방법을 설명하기 위한 모식도들이다. 그리고 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치(10)의 디척 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도면을 참조하면, 기판 연마장치(10)는 기판(1)을 파지하는 캐리어 헤드(11)와 연마를 위한 연마패드(12) 및 정반(121)을 포함하여 구성된다.
캐리어 헤드(11)는 기판(1)을 파지하고, 연마패드(12)에 대해서 소정 압력으로 가압하여 회전시킴에 따라 기판(1)을 연마한다. 캐리어 헤드(11)는 구동을 위한 구동축(미도시)에 연결된 본체부(111)와, 내부에 기판(1)에 압력을 가하기 위한 압력 챔버(113) 및 기판(1)을 파지하기 위한 링부(112)를 포함하여 구성된다. 그리고 압력 챔버(113)에 압력을 제공하거나 진공을 제공하도록 압력을 조절하는 압력조절부(114)가 연결된다. 여기서, 기판 연마장치(10) 및 캐리어 헤드(11)의 상세 구조에 대해서는 상세한 설명 및 도시를 생략한다.
캐리어 헤드(11)는 기판(1)에 소정 크기의 진공을 제공하여 기판(1)을 파지하고, 연마 공정이 수행되는 동안에는 연마패드(12)에 대해서 기판(1)을 소정의 압력(이하, '공정 압력(P0)'이라 함)으로 가압하여 연마 공정을 수행한다.
연마 공정이 완료된 후에는, 기판(1)을 연마패드(12)에서 분리시키는 디척 공정이 수행된다. 여기서, 연마 공정이 수행되는 동안 기판(1)을 연마패드(12)에 대해서 가압시키므로, 기판(1)과 연마패드(12)는 밀착되어 있고, 그 사이에 소정 크기의 표면장력이 작용하는 상태이다. 연마패드(12)에서 기판(1)을 분리시키기 위해서는 기판(1)과 연마패드(12) 사이의 표면장력보다는 큰 힘을 가하게 된다. 본 실시예에 따르면, 기판(1)의 디척 공정에서는, 기판(1)에 캐리어 헤드(11)에서 진공 압력과 연마패드(12)에서의 반발력의 2가지 힘이 작용하게 된다.
상세하게는, 연마 공정이 완료된 후(S1), 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(1)을 연마패드(12)에 대해서 소정의 압력(이하, '디척 압력(P1)'이라 함)으로 가압한다(S2). 여기서, 가압 단계(S2)에서는 연마패드(12)에서 소정의 반발력이 발생하도록 기판(1)을 연마패드(12)에 대해서 가압한다. 이 경우 기판(1)에 작용시키는 디척 압력(P1)은 공정 압력(P0)보다 더 큰 압력으로 가압된다.
그리고 기판(1)에 디척 압력(P1)을 작용시키면 연마패드(12)에서는 소정의 반발력이 발생하면서 기판(1)과 연마패드(12) 사이가 소정 간격 이격된다. 또는 기판(1)에 디척 압력(P1)을 작용시키면, 적어도 기판(1)과 연마패드(12) 사이의 표면장력이 깨질 정도의 반발력이 발생하게 된다.
한편, 디척 압력(P1)은 전체 기판(1)에 대해서 균일한 크기의 압력이 인가될 수 있다. 그러나 이와는 달리, 캐리어 헤드(11)에서 압력 챔버(113)는 내부가 복수의 존으로 구획되고, 각 존마다 서로 다른 크기로 디척 압력을 인가하는 것도 가능하다.
다음으로, 도 4에 도시한 바와 같이, 캐리어 헤드(11)에서 기판(1)에 소정의 진공을 제공하면(이하, '진공 압력(P2)'라 함) 기판(1)이 연마패드(12)에서 분리되면서 디척 공정이 완료된다(S4). 여기서, 진공 압력(P2)은, 기판(1)이 이미 연마패드(12)와의 표면장력이 깨지고, 연마패드(12)에서 반발력을 받고 있는 상태이기 때문에, 진공만 제공하여서 연마패드(12)에서 기판(1)을 분리시키는 경우에 비해서, 작은 진공 압력 만으로도 기판(1)을 분리시킬 수 있다. 또한, 진공 압력(P2)은 기판(1)을 들어올릴 수 있을 정도의 압력만으로도 디척 공정이 완료된다.
여기서, 상술한 디척 압력(P1)과 마찬가지로, 캐리어 헤드(11)에서 압력 챔버(113)는 내부가 복수의 존으로 구획되고, 각 존마다 서로 다른 크기로 진공 압력(P2)을 제공하여 기판(1)을 분리시키는 것도 가능하다. 즉, 본 실시예에서는, 캐리어 헤드(11)에서 균일한 크기의 디척 압력(P1)을 가하거나 복수의 존마다 서로 다른 크기의 디척 압력(P1)을 가하여 가압한 후, 캐리어 헤두(11)에서 하나의 균일한 진공 압력(P2)을 제공하거나 복수의 존마다 서로 다른 크기의 진공 압력(P2)을 가하여 기판(1)을 분리시키는 것이 가능하다. 캐리어 헤드(11)에 하나의 압력 또는 진공을 형성하거나, 복수의 존마다 서로 다른 크기의 압력 또는 진공을 형성하는 것은 필요에 따라 실질적으로 다양하게 변경하여 적용할 수 있다.
한편, 기판(1)의 가압 단계(S2)와 기판(1)에 진공을 제공하는 단계(S3)는 순차적으로 수행되거나, 동시에 수행될 수 있다.
본 실시예들에 따르면, 기판(1)에 연마패드(12)에서 발생하는 반발력에 의해 캐리어 헤드(11)에 분리되기 때문에, 기판(1)의 디척이 용이하다. 또한, 기판(1)의 디척 시 연마패드(12)에서 발생하는 반발력과 캐리어 헤드(11)에서 제공되는 진공이 같이 작용하기 때문에, 진공만으로 디척하는 것에 비해서 작은 진공압으로 기판(1)을 디척할 수 있으므로, 디척 오류를 방지 및 개선할 수 있다. 또한, 과도한 진공이 기판(1)에 가해짐으로써 발생할 수 있는 기판(1)의 리젝(reject) 또는 파손을 방지할 수 있다. 또한, 기판 연마장치(10)의 구조를 변경하거나 추가하지 않고도 기판(1)의 디척 공정을 수행할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
1: 기판
10: 기판 연마장치
11: 캐리어 헤드
111: 본체부
112: 링부(R-ring)
113: 압력 챔버
114: 압력조절부
12: 연마패드
121: 정반

Claims (9)

  1. 하는 단계;
    상기 기판에 대한 가압을 중단하고, 상기 기판에 진공을 제공하는 단계; 및
    상기 연마패드에서 발생하는 반발력과 상기 기판에 제공된 진공 압력으로 상기 기판을 상기 연마패드에서 분리하는 단계;
    를 포함하는 기판 연마장치의 디척 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가압하는 단계에서는, 상기 기판을 연마하는 공정 동안 가해지는 공정 압력보다 높은 압력을 인가하는 기판 연마장치의 디척 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가압하는 단계에서는, 상기 기판과 상기 연마패드 사이에서 작용하는 표면장력보다 상기 연마패드에서 발생하는 반발력의 크기가 더 커지도록 압력을 인가하는 기판 연마장치의 디척 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 가압하는 단계는, 상기 기판의 전체에 대해서 균일한 압력을 인가하는 기판 연마장치의 디척 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 가압하는 단계는, 상기 캐리어 헤드는 내부에 복수의 존으로 구획된 압력 챔버가 구비되고, 상기 존마다 서로 다른 크기의 압력을 인가하는 기판 연마장치의 디척 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 진공을 제공하는 단계는, 상기 가압하는 단계 직후 또는 상기 가압하는 단계와 동시에 수행되는 기판 연마장치의 디척 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 진공을 제공하는 단계에서는, 상기 기판을 상기 연마패드에서 들어올릴 수 있는 크기의 진공을 제공하는 기판 연마장치의 디척 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 진공을 제공하는 단계에서는, 상기 기판에 작용하는 진공 압력의 크기가 상기 연마패드와 상기 기판 사이에 작용하는 표면장력 이상의 크기를 갖도록 진공을 제공하는 기판 연마장치의 디척 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 진공을 제공하는 단계는, 상기 캐리어 헤드는 내부에 복수의 존으로 구획된 압력 챔버가 구비되고, 상기 존마다 서로 다른 크기의 진공을 제공하는 기판 연마장치의 디척 방법.
KR1020150063154A 2015-05-06 2015-05-06 기판 연마장치의 디척 방법 KR102332801B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150063154A KR102332801B1 (ko) 2015-05-06 2015-05-06 기판 연마장치의 디척 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150063154A KR102332801B1 (ko) 2015-05-06 2015-05-06 기판 연마장치의 디척 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160131242A true KR20160131242A (ko) 2016-11-16
KR102332801B1 KR102332801B1 (ko) 2021-11-30

Family

ID=57540689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150063154A KR102332801B1 (ko) 2015-05-06 2015-05-06 기판 연마장치의 디척 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102332801B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09174420A (ja) * 1995-10-27 1997-07-08 Applied Materials Inc ケミカルメカニカルポリシングの連続処理システム
JPH11188682A (ja) * 1997-10-23 1999-07-13 Hiroshi Akashi 剥離機構を備えた空気保持装置
JP2000354960A (ja) * 1999-04-22 2000-12-26 Applied Materials Inc 基板をケミカルメカニカルポリシングするためのキャリヤヘッド
KR20020014058A (ko) * 2000-08-16 2002-02-25 윤종용 반도체 장치의 제조에서 연마 장치
KR20050037514A (ko) * 2002-06-28 2005-04-22 램 리서치 코포레이션 부분막 캐리어 헤드

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09174420A (ja) * 1995-10-27 1997-07-08 Applied Materials Inc ケミカルメカニカルポリシングの連続処理システム
JPH11188682A (ja) * 1997-10-23 1999-07-13 Hiroshi Akashi 剥離機構を備えた空気保持装置
JP2000354960A (ja) * 1999-04-22 2000-12-26 Applied Materials Inc 基板をケミカルメカニカルポリシングするためのキャリヤヘッド
KR20020014058A (ko) * 2000-08-16 2002-02-25 윤종용 반도체 장치의 제조에서 연마 장치
KR20050037514A (ko) * 2002-06-28 2005-04-22 램 리서치 코포레이션 부분막 캐리어 헤드

Also Published As

Publication number Publication date
KR102332801B1 (ko) 2021-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5096556B2 (ja) 基板の薄層化方法
JP3925580B2 (ja) ウェーハ加工装置および加工方法
US5821166A (en) Method of manufacturing semiconductor wafers
US11075085B2 (en) Wafer polishing method
EP2762272B1 (en) Wafer polishing apparatus and method
US9748089B2 (en) Method for producing mirror-polished wafer
CN113439008A (zh) 晶片制造方法以及晶片
US8500516B2 (en) Method for polishing a semiconductor wafer
TWI459504B (zh) 一種提供夾具平台空氣區的系統及方法
KR101160266B1 (ko) 웨이퍼 지지 부재, 그 제조방법 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 유닛
TWI658510B (zh) 晶圓研磨方法及裝置
US9929052B2 (en) Wafer processing method
KR20160131242A (ko) 기판 연마장치의 디척 방법
TW201935548A (zh) 用於拋光半導體晶圓的方法
JP5581118B2 (ja) 半導体ウェハの部分研磨方法
CN116053209A (zh) 氮化镓晶圆的切割方法及氮化镓功率器件的封装方法
JP2005205543A (ja) ウエーハの研削方法及びウエーハ
KR20190129307A (ko) 기판 캐리어 및 그 제어방법
US20130149941A1 (en) Method Of Machining Semiconductor Substrate And Apparatus For Machining Semiconductor Substrate
KR100555049B1 (ko) 웨이퍼 형상의 피가공물 가공 방법
CN106711018B (zh) 半导体晶圆表面加工方法
EP2192609A1 (en) Method of producing wafer for active layer
CN216967413U (zh) 卡环及包括该卡环的基板研磨装置
JP3611029B2 (ja) 半導体基板の研磨用保持板
US9824926B1 (en) Wafer processing method

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right