KR20160128935A - 광학적 및 화학적 안정성이 향상된 양자점 합성방법 - Google Patents

광학적 및 화학적 안정성이 향상된 양자점 합성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160128935A
KR20160128935A KR1020160053165A KR20160053165A KR20160128935A KR 20160128935 A KR20160128935 A KR 20160128935A KR 1020160053165 A KR1020160053165 A KR 1020160053165A KR 20160053165 A KR20160053165 A KR 20160053165A KR 20160128935 A KR20160128935 A KR 20160128935A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
precursor
group
mixture
surfactant
shell
Prior art date
Application number
KR1020160053165A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101692001B1 (ko
Inventor
이정훈
정혜란
남경목
이혁재
Original Assignee
주식회사 나노스퀘어
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 나노스퀘어 filed Critical 주식회사 나노스퀘어
Publication of KR20160128935A publication Critical patent/KR20160128935A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101692001B1 publication Critical patent/KR101692001B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/54—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/89—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing mercury

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(a) 코어를 형성하기 위한 12족 원소의 제1 전구체, 쉘을 형성하기 위한 12족 원소의 제2 전구체, 불포화 지방산 및 유기용매를 함유하는 혼합물 I을 승온시키는 단계; (b) 코어를 형성하기 위한 16족 원소의 제1 전구체, 쉘을 형성하기 위한 16족 원소의 제2 전구체 및 계면활성제를 함유하는 혼합물 II를 제공하는 단계; (c) 추가 쉘을 형성하기 위한 16족 원소의 제2 전구체 및 계면활성제를 함유하는 혼합물 III를 제공하는 단계; (d) 상기 (b) 단계의 혼합물 II를 상기 (a) 단계의 혼합물 I에 주입하여 반응시키는 단계; (e) 상기 (c) 단계의 혼합물 III을 상기 (d) 단계의 반응물에 주입하여 상기 추가 쉘을 성장시키는 단계; 및 (f) 상기 (e) 단계의 반응물을 정제하여 분말을 얻는 단계를 포함하는 양자점의 합성방법이 제공된다.

Description

광학적 및 화학적 안정성이 향상된 양자점 합성방법{Synthesizing method for quantum dot with enhanced optical and chemical stability}
본 명세서에 개시된 기술은 양자점 합성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광학적 및 화학적 안정성이 향상된 양자점을 효율적으로 합성하는 방법에 관한 것이다.
양자점의 경우 원자가 5 내지 10 층 정도 층을 이룬 구형이면서 반지름이 5 ~ 7 nm이다. 따라서 수분 또는 산소의 침투로 양자점 표면에 일부에 산화가 진행되면 양자점 고유의 발광 특성이 저하되거나 사라지는 문제점이 발생한다.
양자점의 파장특성은 코어의 크기에 기인하며, 코어의 사이즈가 커짐에 따라 단파장에서 장파장으로 변하게 되며, 이 위에 일률적인 두께의 쉘을 코팅하게 됨으로써 파장의 차이에 의해서 그 크기가 2~3배 차이가 나게 된다. 또한 파장대 별로 합성하는 방법이 제각기 달라 각각의 사이즈 균일도는 더 맞추기 힘든 실정이다. 이런 문제로 인하여 파장별 밀도 조절이나, 조색 구성, 재현성 등 세밀한 작업의 한계를 나타내고 있어, 양자점 합성 후 복합체 비드를 만들어 이를 해소하려 시도하고 있지만 이 방법 역시 방법이 복잡하여, 효율이 감소하며, 비경제적이고 사이즈도 너무 커지는 한계를 가지고 있으며 산업환경에 적용에 있어 어려움을 가지고 있는 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 디스플레이 또는 조명용에 응용하기 위해서 양자점 자체의 화학적 광학적 안정성을 향상시키고자 하는 것이다.
종래의 습식 화학법을 이용한 양자점 제조 방법으로는 먼저 코어를 합성 후 껍질을 코팅 하는 방법과 격자간의 불일치를 줄이기 위한 다중껍질 합성방법, 코어와 껍질을 동시에 혼합하여 합금(alloy)을 형성시키는 방법 등으로 나눌 수 있는데 이 두 방법 모두 각기 다른 파장을 만들 때는 각 반도체 전구체의 몰비나 온도, 반응 시간등에 따라 합성하며, 이때 코어의 사이즈에 따라 전체 크기 비율이 결정됨으로써 파장대별로 각기 다른 사이즈 영역을 나타내게 된다. 즉 기존의 기술은 구원 원자의 갯수에 따라 에너지 밴드갭이 변화하여 발광 파장이 바뀌는 구조이지만 본 발명은 구성원자 갯수가 아니라 원자간의 구성비율에 따라 에너지 밴드갭이 바뀌는 특성을 가진 기술이다.
본 발명의 일 측면에 의하면, (a) 코어를 형성하기 위한 12족 원소의 제1 전구체, 쉘을 형성하기 위한 12족 원소의 제2 전구체, 불포화 지방산 및 유기용매를 함유하는 혼합물 I을 승온시키는 단계; (b) 코어를 형성하기 위한 16족 원소의 제1 전구체, 쉘을 형성하기 위한 16족 원소의 제2 전구체 및 계면활성제를 함유하는 혼합물 II를 제공하는 단계; (c) 추가 쉘을 형성하기 위한 16족 원소의 제2 전구체 및 계면활성제를 함유하는 혼합물 III를 제공하는 단계; (d) 상기 (b) 단계의 혼합물 II를 상기 (a) 단계의 혼합물 I에 주입하여 반응시키는 단계; (e) 상기 (c) 단계의 혼합물 III을 상기 (d) 단계의 반응물에 주입하여 상기 추가 쉘을 성장시키는 단계; 및 (f) 상기 (e) 단계의 반응물을 정제하여 분말을 얻는 단계를 포함하는 양자점의 합성방법이 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, (a) 카드뮴 전구체, 아연 전구체, 불포화 지방산 및 유기용매를 함유하는 혼합물 I을 승온시키는 단계; (b) 황 전구체, 셀레늄 전구체 및 계면활성제를 함유하는 혼합물 II를 제공하는 단계; (c) 추가 쉘을 형성하기 위한 황 전구체 및 계면활성제를 함유하는 혼합물 III를 제공하는 단계; (d) 상기 (b) 단계의 혼합물 II를 상기 (a) 단계의 혼합물 I에 주입하여 반응시키는 단계; (e) 상기 (c) 단계의 혼합물 III을 상기 (d) 단계의 반응물에 주입하여 상기 추가 쉘을 성장시키는 단계; 및 (f) 상기 (e) 단계의 반응물을 정제하여 분말을 얻는 단계를 포함하는 양자점의 합성방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 상술한 합성방법으로 제조된 양자점이 제공된다.
상술한 양자점의 합성방법은 얼로이(alloy) 방법과 유사하나 기존의 방법처럼 각 파장별 합성방법을 원료 구성 몰비나, 온도, 시간 등으로 조절하는 것이 아니라 계면 활성제의 종류나, 첨가 비율만으로 조절하여 그 특성을 유지하면서도 껍질을 충분히 두껍게 형성되는 양자점을 합성할 수 있게 되었다.
양자점은 통상 발광하는 중심(코어: core)외 이를 보호하는 층인 껍질 (쉘: shell)로 이루어져 있는데, 본 발명에서는 양자점 자체에서 껍질의 두께를 키워서 화학적/광학적 안정성을 향상시킬 수 있다. 그 결과 동일 파장 조건에서 기존의 껍질보다 1~2nm 이상 두꺼워지고 양자 효율을 2~5% 이상 증가시킬 수 있다.
양자점 중심(코어: core)를 합금 형태(alloy) 형태로 만들 경우 기존의 코어-쉘 구조와는 다르게 코어와 쉘의 밴드 간격이 차이가 점진적으로 줄어들어 양자점 중심에 전자와 전공을 효율적으로 제한하여 양자효율을 높일 수 있으며, 또한 격자 불일치에 의한 격자의 피로를 낮출수 있어 반치폭을 좁게 할 수 있다.
통상 양자점 합성은 양자점 표면의 산화를 막기 위해 불활성이 뛰어난 질소 또는 아르곤 대기 하에서 합성하는데 단계적으로 전구체를 주입 시 불활성 한 분위기가 저해 받을 위험이 있다. 그리고 단계적으로 전구체를 주입 시 한 번에 주입했을 때보다 반응시간이 상대적으로 길어지는 단점을 가지고 있다. 그런데 본 발명의 경우 합성적인 측면에서 껍질을 두껍게 하기 위해서 여러 단계에 걸쳐 전구체를 주입하는 것이 아니라 화학 반응 비율을 조절하여 한 번에 주입하므로 공정이 단순하고 경제적이다.
본 발명의 일 구현예에 따른 양자점의 합성방법에 따르면, 계면활성제의 종류나 첨가비율 만을 조절하여 균일한 크기의 양자점을 합성할 수 있다. 이렇게 제조된 양자점은 코어의 크기가 다르지만, 이들의 쉘의 두께 또한 달라져서 궁극적으로는 코어-쉘 구조의 크기가 모두 균일하게 제조될 수 있다. 또한 본 발명의 일 구현예에 따른 합성방법으로 제조된 양자점은 LED나 OLED를 대체하는 염료, 평판 디스플레이, 태양광 에너지, 바이오 센서 등의 분야에 적용할 수 있으며 특히 여러 파장이 균일하게 배열되어 색좌표를 맞추는 적용에 있어서 공정이나 효율 측면에서 보다 탁월한 효과를 보인다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 양자점의 합성방법을 나타낸 공정흐름도이다.
도 2는 비교예와 실시예 1의 양자점을 나타낸 투과전자현미경 사진이다.
도 3은 양자점의 입자 크기분포를 나타낸 그래프이다.
도 4는 계면활성제 사용량의 상대농도에 따른 파장 조절을 나타낸 그래프이다.
이하 본 발명의 다양한 구현예들에 대해 보다 상세히 설명하고자 한다. 본 발명의 일 구현예에 따른 양자점의 합성방법의 특징은 양자점 합성과정에서 구성 몰비, 온도 또는 시간 등으로 조절하는 것이 아니라 계면 활성제의 종류나, 첨가 비율 만으로 조절하여 껍질 형성을 돕는 전구체를 과량 주입하여 온도 조건에 따라 지속적으로 반응을 유도하는 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따른 양자점의 합성방법을 도 1에 나타내었다. 도 1을 참조하면 단계 S1에서, 코어를 형성하기 위한 12족 원소의 제1 전구체, 쉘을 형성하기 위한 12족 원소의 제2 전구체, 불포화 지방산 및 유기용매를 함유하는 혼합물 I을 승온시킨다.
코어를 형성하기 위한 상기 12족 원소의 제1 전구체는 카드뮴, 아연, 수은 또는 납을 포함하는 화합물이다. 구체적인 예를 들면, 아연 아이오다이드, 아연 브로마이드, 아연 클로라이드, 아연 플루오라이드, 디메틸 아연, 디에틸 아연, 아연아세테이트, 아연 아세틸아세토네이트, 아연 카보네이트, 아연 시아나이드, 아연 나이트레이트, 아연 옥사이드, 아연 퍼옥사이드, 아연 퍼클로레이트, 아연 설페이트, 카드뮴 브로마이드, 카드뮴 클로라이드, 카드뮴 플루오라이드, 카드뮴 카보네이트, 카드뮴 나이트레이트, 디메틸 카드뮴, 디에틸 카드뮴, 카드뮴 아세테이트, 카드뮴 아세틸아세토네이트, 카드뮴 아이오다이드, 카드뮴 옥사이드, 카드뮴 퍼클로레이트, 카드뮴포스파이드, 카드뮴 설페이트, 수은 플루오라이드, 수은 시아나이드, 수은 나이트레이트, 수은 아세테이트, 수은 아이오다이드, 수은 브로마이드, 수은 클로라이드, 수은 옥사이드, 수은 퍼클로레이트, 수은 설페이트, 납 아세테이트, 납 브로마이드, 납 클로라이드, 납 플루오라이드, 납 옥사이드, 납 퍼클로레이트, 납 나이트레이트, 납 설페이트 또는 납 카보네이트로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다.
한편, 쉘을 형성하기 위한 상기 12족 원소의 제2 전구체의 예는 상술한 제1 전구체의 예 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 전구체와 상기 제2 전구체는 서로 다르며, 추후 12-16족 코어 및 12-16족 쉘 형성시 상기 코어를 캡핑하는 상기 쉘이 보다 큰 밴드갭을 가질 수 있도록 선택될 수 있다.
또한 상기 제2 전구체는 충분한 두께의 쉘이 형성되도록 충분히 과량, 예를 들어 제1 전구체에 대비하여 몰비 기준으로 7 ~ 13 배가 사용될 수 있다. 상기 과량의 제2 전구체는 일반적 크기의 쉘 두께를 갖는 코어-쉘 양자점을 형성하고도 추가 쉘이 성장할 수 있는 양으로서, 동일 파장 조건에서 기존의 양자점보다 수 nm 두꺼운 쉘이 형성되도록 한다. 제2 전구체의 양이 상기 범위 미만에서는 양자점의 파장이 조절이 안될 수 있고, 상기 범위 초과에서는 ZnS와 같은 원치않는 합성 부산물이 합성될 수 있다.
상기 불포화 지방산은 상기 전구체들을 혼합할 때 균일한 분산을 위하여 첨가된다. 상기 불포화지방산은 라우르산(lauric acid), 팔미트산(palmitic acid), 올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 미리스트산(myristic acid), 엘라이드산(elaidic acid), 에이코사논산(eicosanoic acid), 헤네이코사논산(heneicosanoic acid), 트리코사논산(tricosanoic acid), 도코사논산(docosanoic acid), 테트라코사논산(tetracosanoic acid), 헥사코사논산(hexacosanoic acid), 헵타코사논산(heptacosanoic acid), 옥타코사논산(octacosanoic acid) 또는 시스-13-도코세논산(cis-13-docosenoic acid), 또는 이들의 조합으로부터 선택될 수 있으나, 이에 제한되지 아니한다.
상기 유기용매는 전구체들의 혼합을 위해 사용하게 되는데, 상기 유기용매는 1-옥타데센(1-octadecene), 1-노나데센(1-nonadecene), 시스-2-메틸-7-옥타데센(cis-2-methyl-7-octadecene), 1-헵타데센(1-heptadecene), 1-헥사데센(1-hexadecene), 1-펜타데센(1-pentadecene), 1-테트라데센(1-tetradecene), 1-트리데센(1-tridecene), 1-운데센(1-undecene), 1-도데센(1-dodecene), 1-데센(1-decene), 또는 이들의 조합으로부터 선택될 수 있으나, 이에 제한되지 아니한다.
상기 승온 온도는 200 내지 350 ℃일 수 있다. 상기 승온 온도 범위 미만에서는 양자점의 핵 형성이 안되거나 양자점의 결정성이 낮아 양자점의 광학적 특성이 저해 될 수 있고, 상기 승온 온도 범위 초과에서는 양자점이 서로 엉겨붙어 석출되거나 방출파장이 크게 적색편이가 발생 할 수 있다. 단계 S1의 구체적인 반응조건은 예를 들어 이하와 같다. 먼저 12족 원소의 제1 전구체 (예를 들어 CdO), 12족 원소의 제2 전구체 (예를 들어 Zn(Ac)), 불포화 지방산 (예를 들어 올레산(OA)), 유기용매 (예를 들어 1-옥타데센(ODE))의 혼합용액을 질소나 아르곤 분위기 및 상압 조건에서 320℃로 10분 내지 60분간 가열하여 혼합물을 투명하게 하고 계속 승온 조건을 유지한다. 그리하여 균일한 전구체 용액을 형성하게 하게 된다.
단계 S2에서, 코어를 형성하기 위한 16족 원소의 제1 전구체, 쉘을 형성하기 위한 16족 원소의 제2 전구체 및 계면활성제를 함유하는 혼합물 II를 제공한다.
코어를 형성하기 위한 상기 16족 원소의 제1 전구체는 황(S), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te) 또는 이들 원소를 포함하는 화합물일 수 있다. 상기 제1 전구체의 구체적인 예는 헥산 싸이올, 옥탄 싸이올, 데칸 싸이올, 도데칸 싸이올, 헥사데칸 싸이올, 머캡토 프로필 실란을 포함하는 알킬 싸이올 화합물, 설퍼-트리옥틸포스핀, 설퍼-트리부틸포스핀, 설퍼-트리페닐포스핀, 설퍼-트리옥틸아민, 트리메틸실릴 설퍼,황화 암모늄, 황화 나트륨, 셀렌-트리옥틸포스핀, 셀렌-트리부틸포스핀, 셀렌-트리페닐포스핀, 텔루르-트리옥틸포스핀, 텔루르-트리부틸포스핀, 또는 텔루르-트리페닐포스핀으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다.
한편, 쉘을 형성하기 위한 상기 16족 원소의 제2 전구체의 예는 상술한 제1 전구체의 예 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 전구체와 상기 제2 전구체는 서로 다르며, 추후 12-16족 코어 및 12-16족 쉘 형성시 상기 코어를 캡핑하는 상기 쉘이 보다 큰 밴드갭을 가질 수 있도록 선택될 수 있다.
또한 상기 제2 전구체는 얼로이 형태의 코어-쉘 양자점 합성하기에 적절한 양, 예를 들어 제1 전구체에 대비하여 몰비 기준으로 7 ~ 13 배가 사용될 수 있다. 제2 전구체의 양이 상기 범위 미만에서는 양자점의 파장이 조절이 안 될 수 있고, 상기 범위 초과에서는 CdS와 같은 원치 않는 합성 부산물이 합성될 수 있다.
상기 16족 원소의 제1 전구체는 상기 12족 원소의 제1 전구체에 대하여 1/3 내지 2.5배의 몰비의 양이 되도록 제어되는 것이 양자효율 측면에서 바람직하다. 또한 상기 16족 원소의 제2 전구체는 상기 12족 원소의 제2 전구체에 대하여 1/3 내지 2.5배의 몰비의 양이 되도록 제어되는 것이 양자효율 측면에서 바람직하다. 그 이유는 2가지가 있다. 첫째, 12족 양이온 전구체 대비 16족 음이온 전구체의 양이 많아지면 양자점 표면에 음이온이 비율이 높아지고, 음이온의 비율이 높아지면 음이온성을 가지고 있는 계면활성제가 양자점 표면에 붙지 못해 표면에 결함이 많아져 양자효율이 낮아진다. 둘째, 양자점 표면에 음이온의 비율이 높아지면, 댕글링 본드(dangling bond)가 많아져 멀티스테이트 밴드갭(multistate band gap)에 의해 파장이 장파장으로 이동하거나 양자효율이 낮아진다. 그래서 음이온과 양이온의 비율은 1/3 내지 2.5배 내에서 조절되는 것이 바람직하다.
상기 계면활성제는 16족 원소와 배위결합이 가능한 것으로서, 탄소수 5 이상의 알킬 또는 알킨(alkene) 사슬을 갖는 지방산, 포스핀, 포스핀 옥사이드 또는 아민 계열의 화합물인 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 계면활성제는 트리-n-옥틸포스핀옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide), 트리-n-옥틸포스핀(tri-n-octylphosphine), 데실아민(decylamine), 디데실아민(didecylamine), 트리데실아민(tridecylamine), 테트라데실아민(tetradecylamine), 펜타데실아민(pentadecylamine), 헥사데실아민(hexadecylamine), 옥타데실아민(octadecylamine), 운데실아민(undecylamin), 디옥타데실아민(dioctadecylamine), N,N-디메틸데실아민(N,N-dimethyldecylamine), N,N-디메틸도데실아민(N,N-dimethyldodecylamine), N,N-디메틸헥사데실아민(N,N-dimethylhexadecylamine), N,N-디메틸테트라데실아민(N,N-dimethyltetradecylamine), N,N-디메틸트리데실아민(N,N-dimethyltridecylamine), N,N-디메틸운데실아민(N,N-dimethylundecylamine), N-데실아민(N-decylamine), N-메틸옥타데실아민(N-methyloctadecylamine), 디도데실아민(didodecylamine), 트리도데실아민(tridodecylamine), 사이클로도데실아민(cyclododecylamine), N-메틸도데실아민(N-methyldodecylamine) 또는 트리옥틸아민(trioctylamine), 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 계면활성제의 양의 변화에 따라 발광 파장범위가 제어된 양자점을 수득할 수있다. 특히 상기 계면활성제의 양이 많아질수록 이온화된 전구체와 강하게 결합함으로써, 양자점 핵화(nucleation)가 지연되거나 양자점의 핵이 적게 형성되고 적게 형성된 핵이 남아 있는 전구체를 사용하여 성장하게 되어, 최종 양자점의 크기가 커져 발광 피크가 장파장 쪽으로 이동하게 된다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 적절한 계면활성제의 양은 12족 제1 전구체 대비하여 몰비로 1 내지 50배, 바람직하게는 10 내지 30배가 될 수 있다. 상기 계면활성제의 양이 상기 범위 미만에서는 계면활성제의 양이 부족하여 양자점이 석출되거나 12족 제1 전구체와 효과적으로 결합하지 못해 반응이 불균하게 형성 될 수 있고, 상기 범위 초과에서는 양자점의 핵형성이 되지 않거나 적은 수의 핵이 형성되어 파장 조절에 어려움을 겪을 수 있다. 즉 계면활성제의 양을 조절함으로써, 파장과 크기를 조절할 수 있다. 또한 계면활성제의 종류를 적절히 선택하면 파장과 크기를 조절할 수 있다. 예를 들어 동일한 양의 계면활성제를 사용하여 양자점을 합성한 경우 지방산계열의 계면활성제를 사용하면, 장파장의 양자점을 합성할 수 있고, 아민계열의 계면활성제를 사용하면, 단파장의 양자점을 합성할 수 있다.
단계 S2의 구체적인 반응조건은 예를 들어 이하와 같다. 먼저 16족 원소의 제1 전구체 (예를 들어 셀레늄 분말(Se)), 16족 원소의 제2 전구체 (예를 들어 황(S) 분말), 계면활성제 (예를 들어 트리-n-옥틸포스핀(TOP))를 질소나 아르곤 분위기 및 상압 조건에서 50℃로 10분 내지 60분간 가열하여 TOP-S와 TOP-Se를 얻는다.
단계 S3에서, 16족 원소의 제2 전구체 및 계면활성제의 혼합물 III를 제공한다. 이는 얼로이 형태의 코어-쉘 양자점 형성 뒤에도 단계 S1에서 반응 후 잔존하는 과량의 12족 원소의 제2 전구체와의 반응을 통해 추가 쉘을 성장시키기 위한 원료를 제공하기 위함이다. 이때 적절한 계면활성제의 비율은 상기 제2 전구체 대비 몰비로 1 내지 7배일 수 있다. 몰비에 따라 쉘 형성 속도와 크기를 조절할 수 있다. 일 구현예에서, 황 분말에 대하여 TOP를 1.5 내지 4배의 몰비로 혼합하여 혼합물 III를 형성할 수 있다. 일 구현예에서 추가 쉘의 성분은 ZnS로 구성될 수 있다.
단계 S4에서, 상기 단계 S2의 혼합물 II를 상기 단계 S1의 혼합물 I에 주입하여 반응시킨다. 앞서의 승온 조건에서 혼합물 II를 혼합물 I에 주입하는데, 주입방법은 예를 들어 주사기를 이용하여 빠른 속도로 주입한다. 본 명세서에서 "빠른 속도로 주입"하는 것은 상기 혼합물을 0.1 내지 5초, 바람직하게는 0.5 내지 2초 내에 주입하는 것을 의미한다. 예를 들어 5 ml/sec 내지 20 ml/sec의 속도로 주입하는 것이 코어의 조성비나 입자의 크기가 고르게 형성되는 면에서 바람직하다. 이때 주입시 주사기 바늘의 끝 부분이 한 개 이상의 다공성 구멍의 형태를 가짐으로써 원료들이 예를 들어 미스트(mist) 형태로 미세하고 균일하게 첨가될 수 있다. 주입 후 0.5초 내지 2분이 지나면 핵이 생성되어 중심에는 Se 비율이 높고 외곽 쪽으로 갈수록 S 비율이 높은 얼로이 형태의 코어가 형성될 수 있다.
즉 본 발명의 일 구현예에 따른 합성방법으로 제조된 양자점은 중심으로 갈수록 상기 16족 원소의 제1 전구체의 금속 비율이 높고 외곽으로 갈수록 및 상기 16족 원소의 제2 전구체의 금속 비율이 높은 얼로이 구조를 갖는 코어를 가진다.
단계 S5에서, 상기 단계 S3의 혼합물 III을 상기 단계 S4의 반응물에 주입하여 추가 쉘을 성장시킨다. 이때 혼합물 III는 혼합물 I과 혼합물 II의 반응 후 남은 잔존하는 12족 원소의 제2 전구체(예를 들어, 아연 전구체)와 반응하기 위한 16족 원소의 제2 전구체(예를 들어, 황 분말)를 포함하며, 그 결과 코어-쉘 양자점 입자를 패시베이션할 수 있도록 12족 원소의 제2 전구체의 금속과 16족 원소의 제2 전구체의 금속의 합금으로 이루어진 추가 쉘이 수 nm 두께로 최외곽에 형성될 수 있다. 예를 들어 얼로이 구조의 코어-쉘(CdSexS1-x/ZnSeyS1-y) 양자점 입자의 바깥쪽에 ZnS 쉘 층이 1 ~ 2nm 두께로 추가적으로 형성될 수 있다. 원료의 주입은 고속 주입 방식으로 수행되며, 예를 들어 5 ml/sec ~ 200 ml/sec의 속도로 수행될 수 있다. 반응시간은 1분 내지 15 분 정도이며, 반응 온도는 280 내지 350℃ 정도로 수행될 수 있다.
단계 S6에서 단계 S5의 반응물을 정제하여 분말을 얻는다. 앞서의 반응이 완료되면 상온에서 방치 후 정제를 하게 된다. 정제과정은 예를 들어 다량의 아세톤으로 3번 이상 정제하여 분말로 만들 수 있으며, 이후 분말을 클로로포름, 톨루엔, 또는 헥산과 같은 용매에 분산시켜 보관 및 사용할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 단계 S4와 단계 S5 사이에 단계 S4까지의 반응물에 알킬 싸이올 화합물을 적가하는 단계가 더 포함될 수 있다. 상기 알킬 싸이올 화합물을 적가함으로써 다충 쉘을 형성 하는 효과가 있다. 상기 알킬 싸이올 화합물의 구체적인 예는 헥산 싸이올, 옥탄 싸이올, 데칸 싸이올, 도데칸 싸이올, 헥사데칸 싸이올, 머캡토 프로필 실란을 포함한다.
다른 구현예에 따르면, 단계 S5 이후에도 단계 S5까지의 반응물에 알킬 싸이올 화합물을 적가하는 단계가 더 포함될 수 있다. 상기 알킬 싸이올 화합물을 적가함으로써 S1 단계 또는 S4 단계에서 미반응 12족 전구체와 반응하여 쉘을 형성하는 효과가 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 양자점의 합성방법에 의하면, 상기 계면활성제의 비율에 따라 420nm ~ 630nm까지의 다양한 파장 범위를 갖는 양자점이 합성될 수 있으며, 양자효율이 70% 이상일 수 있다.
본 발명의 방법에 의하여 제조된 균일한 크기의 코어-쉘 구조의 양자점은, 같은 크기를 갖지만, 상기 계면활성제의 양을 조절함으로써 다른 파장을 갖는 양자점을 합성할 수 있다. 즉, 서로 다른 파장의 빛을 내는 양자점을 같은 크기로 제조함으로써, 상기 다른 파장의 빛을 내는 양자점들을 매우 용이하고 균일하게 혼합할 수 있으며, 본 발명의 방법에 의하여 제조된 균일한 크기의 코어-쉘 구조의 양자점은 평균크기의 차이가 가시광선 영역에서 서로 다른 파장 사이에 양자점의 평균 크기 차이가 1.0 nm 내지 2.0 nm 이내의 균일한 크기를 가질 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 양자점의 안정성도 뛰어나서 필요한 경우, 다양한 표면처리를 통하여 여러 가지 응용 제품을 제조할 수 있다.
이하 본 발명을 다양한 실시예를 통해 설명하고자 하나 본 발명의 기술적 사상이 이하의 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1: (파장 515 ~ 545 nm)
500ml 삼구 플라스크에 CdO 2.33 mmol과 Zn(Ac) 23.87 mmol, 추가 Zn(Ac) 5~10 mmol, OA 33 ml 및 ODE 120 ml를 넣고 320℃까지 온도를 올렸다(혼합물 I). 다음 15ml 팔콘튜브를 이용하여 TOP 1.471 ml에 Se 1.21 mmol과 S 11.97 mmol을 글로브 박스내에서 준비하였다(혼합물 II). 그리고 15 ml 팔콘튜브를 이용하여 TOP 1.471 ml에 S 5~10 mmol을 글로브 박스 내에서 준비하였다(혼합물 III). 315℃에서 혼합물 II 13.14 ml를 24ml 시린지를 이용하여 고속 주입하였다. 주입 7분 후 옥탄 싸이올(OTT) 1.8ml를 3 ml 시린지를 이용하여 적가(dropwise) 방법을 이용하여 추가하였다. 다시 2분 30초 후에 혼합물 III 13.14 ml를 24ml 시린지를 이용하여 고속 주입하였다. 10분 내지 20분 경과한 후 도데칸 싸이올(DDT) 또는 OTT 3.8 ml를 6 ml 시린지를 이용하여 적가하여 주입하였다. 다시 2분 30초 반응한 후에 가열 장치를 제거하고 실온으로 온도를 낮추었다.
실시예 2: (파장: 545 ~ 565 nm)
500ml 삼구 플라스크에 CdO 2.33 mmol과 Zn(Ac) 23.87 mmol, 추가 Zn(Ac) 5~10 mmol, OA 33ml 및 ODE 120 ml를 넣고 320℃까지 온도를 올렸다(혼합물 I). 15ml 팔콘튜브를 이용하여 TOP 1.736 ml에 Se 1.21 mmol과 S 11.97 mmol을 글로브 박스 내에서 준비하였다(혼합물 II). 그리고 15 ml 팔콘튜브를 이용하여 TOP 1.736 ml에 S 5~10 mmol을 글로브 박스 내에서 준비하였다(혼합물 III). 315℃에서 혼합물 II 13.14 ml를 24ml 시린지를 이용하여 고속 주입하였다. 주입 7분 후 OTT 1.8 ml를 3 ml 시린지를 이용하여 적가(dropwise) 방법을 이용하여 추가하였다. 다시 2분 30초 후에 혼합물 III 13.14 ml를 24 ml 시린지를 이용하여 고속 주입하였다. 10분 내지 20분 경과한 후 DDT 또는 OTT 3.8 ml를 6 ml 시린지를 이용하여 적가하여 주입하였다. 다시 2분 30초 반응한 후에 가열 장치를 제거하고 실온으로 온도를 낮추었다.
실시예 3: (파장: 570 ~ 590 nm)
500ml 삼구 플라스크에 CdO 2.33 mmol과 Zn(Ac) 23.87 mmol, 추가 Zn(Ac) 5~10 mmol, OA 33 ml 및 ODE 120 ml를 넣고 320℃까지 온도를 올렸다(혼합물 I). 15ml 팔콘튜브를 이용하여 TOP 1.942 ml에 Se 1.21 mmol과 S 11.97 mmol을 글로브 박스 내에서 준비하였다(혼합물 II). 그리고 15ml 팔콘튜브를 이용하여 TOP 1.942 ml에 S 5~10 mmol을 글로브 박스 내에서 준비하였다(혼합물 III). 315℃에서 혼합물 II 13.14 ml를 24ml 시린지를 이용하여 고속 주입하였다. 주입 7분 후 OTT 1.8 ml를 3 ml 시린지를 이용하여 적가(dropwise) 방법을 이용하여 추가하였다. 다시 2분 30초 후에 혼합물 III 13.14 ml를 24ml 시린지를 이용하여 고속 주입하였다. 10분 내지 20분 경과한 후 DDT 또는 OTT 3.8 ml를 6 ml 시린지를 이용하여 적가하여 주입하였다. 다시 2분 30초 반응한 후에 가열 장치를 제거하고 실온으로 온도를 낮추었다.
실시예 4: (파장: 605 ~ 615 nm)
500ml 삼구 플라스크에 CdO 2.33 mmol과 Zn(Ac) 23.87 mmol, 추가 Zn(Ac) 5~10 mmol, OA 33ml 및 ODE 120 ml를 넣고 320℃까지 온도를 올렸다(혼합물 I). 15ml 팔콘튜브를 이용하여 TOP 2.346 ml에 Se 1.21 mmol과 S 11.97 mmol을 글로브 박스 내에서 준비하였다(혼합물 II). 그리고 15ml 팔콘튜브를 이용하여 TOP 2.346 ml에 S 5~10 mmol을 글로브 박스 내에서 준비하였다(혼합물 III). 315℃에서 혼합물 II 13.14 ml를 24ml 시린지를 이용하여 고속 주입하였다. 주입 7분 후 OTT 1.8 ml를 3 ml 시린지를 이용하여 적가(dropwise) 방법을 이용하여 추가하였다. 다시 2분 30초 후에 혼합물 III 13.14 ml를 24ml 시린지를 이용하여 고속 주입하였다. 10분 내지 20분 경과한 후 DDT 또는 OTT 3.8 ml를 6 ml 시린지를 이용하여 적가하여 주입하였다. 다시 2분 30초 반응한 후에 가열 장치를 제거하고 실온으로 온도를 낮추었다.
실시예 5: (파장: 495 ~ 515 nm)
500ml 삼구 플라스크에 CdO 2.33 mmol과 Zn(Ac) 23.87 mmol, 추가 Zn(Ac) 5~10 mmol, OA 33ml 및 ODE 120 ml를 넣고 320℃까지 온도를 올렸다(혼합물 I). 혼합물 II를 15ml 팔콘튜브를 이용하여 TOP 1.323 ml에 Se 1.21 mmol과 S 11.97 mmol을 글로브 박스 내에서 준비하였다. 그리고 15ml 팔콘튜브를 이용하여 TOP 1.323 ml에 S 5~10 mmol을 글로브 박스 내에서 준비하였다(혼합물 III). 315℃에서 혼합물 II 13.14 ml를 24ml 시린지를 이용하여 고속 주입하였다. 주입 7분 후 OTT 1.8 ml를 3 ml 시린지를 이용하여 적가(dropwise) 방법을 이용하여 추가하였다. 다시 2분 30초 후에 혼합물 III 13.14 ml를 24ml 시린지를 이용하여 고속 주입하였다. 10분 내지 20분 경과한 후 DDT 또는 OTT 3.8 ml를 6 ml 시린지를 이용하여 적가하여 주입하였다. 다시 2분 30초 반응한 후에 가열 장치를 제거하고 실온으로 온도를 낮추었다.
[비교예]
500ml 삼구 플라스크에 CdO 2.33 mmol과 Zn(Ac) 23.87 mmol, OA 33ml 및 ODE 120 ml를 넣고 320℃까지 온도를 올렸다(혼합물 I). 15ml 팔콘튜브를 이용하여 TOP 1.471 ml에 Se 1.21 mmol과 S 11.97 mmol을 글로브 박스 내에서 준비하였다(혼합물 II). 그리고 315℃에서 혼합물 II 13.14 ml를 24ml 시린지를 이용하여 고속 주입하였다. 주입 7분 후 OTT 1.8ml를 3 ml 시린지를 이용하여 적가(dropwise) 방법을 이용하여 추가하였다. 2분 30초 반응한 후에 가열 장치를 제거하고 실온으로 온도를 낮추었다.
도 2는 비교예와 실시예 1의 투과전자현미경 사진이다. 도 2를 참조하면 비교에에 비해 실시예 1의 경우 양자점의 크기가 증가하며 구형에 더욱 가까워진 것을 확인할 수 있다. 또한 쉘 두께가 약 1nm 증가하여 전체 지름이 약 2nm 증가하였다. 한편 발광효율은 종래 비교예 대비하여 3~5% 증가하면서도 반치폭의 변화는 없었다.
도 3은 양자점의 입자 크기분포를 나타낸 그래프이다. 도 3의 다이아몬드형으로 표시된 부분은 비교예의 양자점이고 원형으로 표시된 부분은 실시예 1의 양자점이다. 도 3을 참조하면, 개선후 입자의 크기가 더 커짐을 알 수 있다. 합성된 양자점은 표준편차 10% 내의 균일한 크기 분포를 가지고 있다.
도 4는 계면활성제 사용량의 상대농도에 따른 파장 조절을 나타낸 그래프이다. 도 4를 참조하면, 계면활성제의 사용량에 따라 청색부터 적색까지 파장 조절이 가능한 것을 알 수 있다.

Claims (14)

  1. (a) 코어를 형성하기 위한 12족 원소의 제1 전구체, 쉘을 형성하기 위한 12족 원소의 제2 전구체, 불포화 지방산 및 유기용매를 함유하는 혼합물 I을 승온시키는 단계;
    (b) 코어를 형성하기 위한 16족 원소의 제1 전구체, 쉘을 형성하기 위한 16족 원소의 제2 전구체 및 계면활성제를 함유하는 혼합물 II를 제공하는 단계;
    (c) 추가 쉘을 형성하기 위한 16족 원소의 제2 전구체 및 계면활성제를 함유하는 혼합물 III를 제공하는 단계;
    (d) 상기 (b) 단계의 혼합물 II를 상기 (a) 단계의 혼합물 I에 주입하여 반응시키는 단계;
    (e) 상기 (c) 단계의 혼합물 III을 상기 (d) 단계의 반응물에 주입하여 상기 추가 쉘을 성장시키는 단계; 및
    (f) 상기 (e) 단계의 반응물을 정제하여 분말을 얻는 단계를 포함하는 양자점의 합성방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 코어를 형성하기 위한 상기 12족 원소의 제1 전구체 및 상기 쉘을 형성하기 위한 상기 12족 원소의 제2 전구체는 서로 다르며, 각각 카드뮴, 아연, 수은 및 납으로 이루어진 군 중에서 선택된 원소를 포함하는 화합물인 것인 양자점의 합성방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 코어를 형성하기 위한 상기 16족 원소의 제1 전구체 및 상기 쉘을 형성하기 위한 상기 16족 원소의 제2 전구체는 서로 다르며, 각각 황, 셀레늄, 텔레륨 및 이들 원소를 포함하는 화합물로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 양자점의 합성방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 (a) 단계에서, 상기 제1 전구체에 대비하여 상기 제2 전구체가 몰비 기준으로 7 ~ 13배 사용되는 것인 양자점의 합성방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서, 상기 제1 전구체에 대비하여 상기 제2 전구체가 몰비 기준으로 7 ~ 13배 사용되는 것인 양자점의 합성방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 계면활성제는 16족 원소와 배위결합이 가능한 것으로서, 탄소수 5 이상의 알킬 또는 알킨 사슬을 갖는 지방산, 포스핀, 포스핀 옥사이드 또는 아민 계열의 화합물인 것인 양자점의 합성방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 계면활성제의 양의 변화에 따라 발광 파장범위가 제어된 양자점을 수득하는 양자점의 합성방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 계면활성제의 양이 상기 12족 원소의 제1 전구체 대비하여 몰비로 1 내지 50배인 것인 양자점의 합성방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 양자점은 중심으로 갈수록 상기 16족 원소의 제1 전구체의 금속 비율이 높고 외곽으로 갈수록 및 상기 16족 원소의 제2 전구체의 금속 비율이 높은 얼로이 구조를 갖는 코어를 갖는 것인 양자점의 합성방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 추가 쉘의 성분은 상기 12족 원소의 제2 전구체의 금속과 상기 16족 원소의 제2 전구체의 금속의 합금인 것인 양자점의 합성방법.
  11. (a) 카드뮴 전구체, 아연 전구체, 불포화 지방산 및 유기용매를 함유하는 혼합물 I을 승온시키는 단계;
    (b) 황 전구체, 셀레늄 전구체 및 계면활성제를 함유하는 혼합물 II를 제공하는 단계;
    (c) 추가 쉘을 형성하기 위한 황 전구체 및 계면활성제를 함유하는 혼합물 III를 제공하는 단계;
    (d) 상기 (b) 단계의 혼합물 II를 상기 (a) 단계의 혼합물 I에 주입하여 반응시키는 단계;
    (e) 상기 (c) 단계의 혼합물 III을 상기 (d) 단계의 반응물에 주입하여 상기 추가 쉘을 성장시키는 단계; 및
    (f) 상기 (e) 단계의 반응물을 정제하여 분말을 얻는 단계를 포함하는 양자점의 합성방법.
  12. 상기 계면활성제는 트리-n-옥틸포스핀옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide), 트리-n-옥틸포스핀(tri-n-octylphosphine), 데실아민(decylamine), 디데실아민(didecylamine), 트리데실아민(tridecylamine), 테트라데실아민(tetradecylamine), 펜타데실아민(pentadecylamine), 헥사데실아민(hexadecylamine), 옥타데실아민(octadecylamine), 운데실아민(undecylamin), 디옥타데실아민(dioctadecylamine), N,N-디메틸데실아민(N,N-dimethyldecylamine), N,N-디메틸도데실아민(N,N-dimethyldodecylamine), N,N-디메틸헥사데실아민(N,N-dimethylhexadecylamine), N,N-디메틸테트라데실아민(N,N-dimethyltetradecylamine), N,N-디메틸트리데실아민(N,N-dimethyltridecylamine), N,N-디메틸운데실아민(N,N-dimethylundecylamine), N-데실아민(N-decylamine), N-메틸옥타데실아민(N-methyloctadecylamine), 디도데실아민(didodecylamine), 트리도데실아민(tridodecylamine), 사이클로도데실아민(cyclododecylamine), N-메틸도데실아민(N-methyldodecylamine) 및 트리옥틸아민(trioctylamine)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종 이상인 양자점의 합성방법.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 계면활성제의 양의 변화에 따라 발광 파장범위가 제어된 양자점을 수득하는 양자점의 합성방법.
  14. 제1 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 합성된 양자점.
KR1020160053165A 2015-04-29 2016-04-29 광학적 및 화학적 안정성이 향상된 양자점 합성방법 KR101692001B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20150060270 2015-04-29
KR1020150060270 2015-04-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160128935A true KR20160128935A (ko) 2016-11-08
KR101692001B1 KR101692001B1 (ko) 2017-01-03

Family

ID=57528349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160053165A KR101692001B1 (ko) 2015-04-29 2016-04-29 광학적 및 화학적 안정성이 향상된 양자점 합성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101692001B1 (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101880510B1 (ko) * 2018-01-26 2018-08-16 나노캠텍 주식회사 CaMgS 쉘을 포함하는 비카드뮴계 양자점 및 이의 제조방법
KR20180105503A (ko) * 2017-03-15 2018-09-28 (주)디씨티 양자점의 제조 방법 및 이로 제조된 양자점
JP2018199807A (ja) * 2017-05-26 2018-12-20 優美特創新材料股▲ふん▼有限公司 特大量子ドットおよびその形成方法
KR20190007294A (ko) * 2017-07-12 2019-01-22 엘지디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20220055069A (ko) * 2020-10-26 2022-05-03 재단법인 구미전자정보기술원 양자점의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 양자점
WO2023102052A1 (en) * 2021-12-03 2023-06-08 Applied Materials, Inc. Narrowband quantum dots and methods of making them
WO2023215153A1 (en) * 2022-05-02 2023-11-09 Applied Materials, Inc. Photoluminescent materials with phosphorous additives to reduce photodegradation

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102718274B1 (ko) 2019-08-30 2024-10-15 삼성전자주식회사 양자점, 양자점의 제조 방법, 및 양자점을 포함하는 소자

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120100617A (ko) * 2011-03-04 2012-09-12 주식회사 나노스퀘어 동일한 크기에 각기 다른 파장을 갖는 코어-쉘 구조의 양자점 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120100617A (ko) * 2011-03-04 2012-09-12 주식회사 나노스퀘어 동일한 크기에 각기 다른 파장을 갖는 코어-쉘 구조의 양자점 제조 방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J. Phys. Chem. B 2004, 108, 18826-18831 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180105503A (ko) * 2017-03-15 2018-09-28 (주)디씨티 양자점의 제조 방법 및 이로 제조된 양자점
JP2018199807A (ja) * 2017-05-26 2018-12-20 優美特創新材料股▲ふん▼有限公司 特大量子ドットおよびその形成方法
KR20190007294A (ko) * 2017-07-12 2019-01-22 엘지디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR101880510B1 (ko) * 2018-01-26 2018-08-16 나노캠텍 주식회사 CaMgS 쉘을 포함하는 비카드뮴계 양자점 및 이의 제조방법
KR20220055069A (ko) * 2020-10-26 2022-05-03 재단법인 구미전자정보기술원 양자점의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 양자점
WO2023102052A1 (en) * 2021-12-03 2023-06-08 Applied Materials, Inc. Narrowband quantum dots and methods of making them
WO2023215153A1 (en) * 2022-05-02 2023-11-09 Applied Materials, Inc. Photoluminescent materials with phosphorous additives to reduce photodegradation

Also Published As

Publication number Publication date
KR101692001B1 (ko) 2017-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101692001B1 (ko) 광학적 및 화학적 안정성이 향상된 양자점 합성방법
KR101739751B1 (ko) 합금-쉘 양자점 제조 방법, 합금-쉘 양자점 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR101774775B1 (ko) 합금-다중 쉘 양자점, 그 제조 방법, 합금-다중 쉘 양자점 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102066423B1 (ko) Iii-v/아연 칼코겐 화합물로 합금된 반도체 양자점
KR101563878B1 (ko) 양자점의 제조방법
US11788003B2 (en) Semiconductor nanoparticles and method of producing semiconductor nanoparticles
KR20180060923A (ko) 발광 조성물, 양자점 및 이의 제조방법
KR101664180B1 (ko) 양자점 제조 방법
JP2023156284A (ja) 半導体ナノ粒子およびその製造方法
JP2013064141A (ja) 青色発光半導体ナノクリスタル物質
KR101977282B1 (ko) 티올계 리간드를 포함하는 양자점 및 이의 제조방법
KR20230043092A (ko) 반도체 나노결정 입자 및 이를 포함하는 소자
JP6529582B2 (ja) コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム
KR20190055390A (ko) InP/ZnS 코어/쉘 양자점의 제조방법
KR20120100617A (ko) 동일한 크기에 각기 다른 파장을 갖는 코어-쉘 구조의 양자점 제조 방법
KR20200120531A (ko) Ⅲ­ⅴ계 양자점 및 이의 제조방법
KR20200120530A (ko) Ⅲ­ⅴ계 양자점 및 이의 제조방법
JP6630446B2 (ja) コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム
JP6630447B2 (ja) コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム
KR101544020B1 (ko) 동일한 크기에 각기 다른 파장을 갖는 코어-쉘 구조의 양자점 제조 방법
KR20200120529A (ko) Ⅲ­ⅴ계 양자점 제조를 위한 활성 나노 클러스터, 이를 포함하는 양자점 및 이들의 제조방법
KR101640429B1 (ko) 합금-쉘 양자점 제조 방법, 합금-쉘 양자점 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US9997355B1 (en) Method for preparing a quantum dot mixture with a bimodal size distribution
KR20220047088A (ko) Ⅲ―ⅴ족계 양자점 및 이의 제조방법
KR20220047091A (ko) 성장층을 가지는 ⅲ―ⅴ족계 양자점 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 4