KR20160120395A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20160120395A
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micro
display
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KR1020150049114A
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최지연
박상지
금병곤
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 이웃하는 표시부와 거울부를 포함하며, 상기 표시부는 제1 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 상기 화소 전극과 미세 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 지붕층, 상기 미세 공간을 채우고 있는 액정층을 포함하고, 상기 거울부는 제2 기판, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 상기 제1 전극과 미세 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 제2 전극, 상기 미세 공간 안에 형성된 전기 변색층을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICES}
본 발명은 표시 장치에 대한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어지며, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치를 구성하는 두 장의 표시판은 박막 트랜지스터 표시판과 대향 표시판으로 이루어질 수 있다. 박막 트랜지스터 표시판에는 게이트 신호를 전송하는 게이트선과 데이터 신호를 전송하는 데이터선이 서로 교차하여 형성되고, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등이 형성될 수 있다. 대향 표시판에는 차광부재, 색필터, 공통 전극 등이 형성될 수 있다. 경우에 따라 차광 부재, 색필터, 공통 전극이 박막 트랜지스터 표시판에 형성될 수도 있다.
그러나, 종래의 액정 표시 장치에서는 두 장의 기판이 필수적으로 사용되고, 두 장의 기판 위에 각각의 구성 요소들을 형성함으로써, 표시 장치가 무겁고, 두꺼우며, 비용이 많이 들고, 공정 시간이 오래 걸리는 등의 문제점이 있었다.
또한 최근 휴대폰이나 휴대용 정보 단말기와 같은 휴대용 전자기기는 소비자의 욕구에 부합하도록 다양한 기능들을 포함하고 있다. 예를 들어, 휴대용 전자기기는 거울기능(mirror function)을 포함할 수 있다. 거울 기능은 일반적으로 휴대용 전자기기의 일면에 거울을 부착하여 구현될 수 있다. 이로써 사용자는 별도의 거울을 휴대할 필요 없이 휴대용 전자기기의 거울을 이용할 수 있다. 그러나 휴대용 전자기기에 거울을 부착하기 위해서 거울 부착을 위한 별도의 공간이 요구될 수 있다. 따라서, 전자 기기의 부피가 증가하고 설계의 제약 요소가 많아지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 하나의 기판을 이용하여 표시 장치를 제조함으로써, 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있는 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한 본 발명은 거울전환이 가능한 표시 장치를 제공하며, 표시 장치가 표시 기능 및 거울 기능을 수행하면서도 두께가 두꺼워지지 않는 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예에 표시 장치는 서로 이웃하는 표시부와 거울부를 포함하며, 상기 표시부는 제1 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 상기 화소 전극과 미세 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 지붕층, 상기 미세 공간을 채우고 있는 액정층을 포함하고, 상기 거울부는 제2 기판, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 상기 제1 전극과 미세 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 제2 전극, 상기 미세 공간 안에 형성된 전기 변색층을 포함한다.
상기 거울부의 제2 전극위에 상기 표시부의 제1 기판이 적층되어 있을 수 있다.
상기 거울부의 제2 전극 위에 상기 표시부의 지붕층이 위치하여 서로 마주보고, 상기 거울부의 제2 기판과 상기 표시부의 제1 기판이 표시 장치의 양 바깥쪽에 형성될 수 있다.
상기 표시부는 상기 지붕층 위에 형성되어 상기 미세 공간을 밀봉하는 덮개막을 더 포함할 수 있다.
상기 거울부의 미세 공간은 전기 변색층, 전해질층, 이온 주입층이 차례로 적층되어 있고, 상기 미세 공간을 밀봉하는 캐핑막을 포함할 수 있다.
상기 거울부의 제1 전극은 금속 전극일 수 있다.
상기 거울부의 제2 전극은 투명 전극일 수 있다.
상기 표시부의 미세 공간의 폭과 상기 거울부의 미세 공간의 폭이 동일하지 않을 수 있다.
상기 거울부의 미세 공간의 폭이 상기 표시부의 미세 공간의 폭보다 넓을 수 있다.
상기 표시 장치가 표시 모드로 동작하는 경우, 상기 거울부의 변색층이 색을 나타낼 수 있다.
상기 표시 장치가 거울 모드로 동작하는 경우, 상기 거울부의 변색층이 투명할 수 있다.
상기 표시부의 구동과 상기 거울부의 구동은 하나의 구동부에서 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성된 복수의 미세 공간을 포함하며, 상기 복수의 미세 공간은 거울부 미세 공간 및 표시부 미세 공간으로 구분되고, 상기 표시부 미세 공간은 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 상기 화소 전극과 미세 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 지붕층, 상기 미세 공간을 채우고 있는 액정층을 포함하고, 상기 거울부 미세 공간은 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 상기 제1 전극과 미세 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성된 제2 전극, 상기 미세 공간 안에 형성된 전기 변색층을 포함한다.
상기 거울부 미세 공간과 상기 표시부 미세 공간은 행 또는 열 방향으로 한 줄씩 번갈아 형성되어 있을 수 있다.
상기 거울부 미세 공간의 폭이 상기 표시부 미세 공간의 폭보다 좁을 수 있다.
상기 미세 공간을 밀봉하는 덮개막을 포함할 수 있다.
상기 거울부의 미세 공간은 전기 변색층, 전해질층, 이온 주입층이 차례로 적층되어 있을 수 있다.
상기 거울부의 제1 전극은 금속 전극, 상기 제2 전극은 투명 전극일 수 있다.
상기 표시부의 화소 전극 및 공통 전극은 투명 전극일 수 있다.
상기 거울부의 제2 전극과 상기 표시부의 공통 전극은 단일 공정으로 형성될 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 미세 공간을 갖는 구조로 표시부 및 거울부를 형성하여 기판의 수를 감소시키고, 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있다. 또한 표시 장치가 표시 모드 및 거울 모드로 변환되어 다양한 용도로 기능할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 표시부를 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 2의 III-III선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 2의 IV-IV선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 거울부를 나타낸 평면도이다.
도 7은 도 6의 거울부를 VII-VII선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 소자의 표시부와 거울부의 외곽을 도시한 것이다.
도 9는 본 발명 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 것이다.
도 10은 본 발명 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면을 도시한 것이다.
도 11은 본 발명 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 12는 도 11의 실시예에 따른 표시 장치를 XII-XII선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 13은 본 발명 비교예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고로 하면 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 거울부(20) 및 표시부(10)가 적층되어 있다.
거울부(20) 및 표시부(10)는 각각 하나의 기판에 형성되어 있다. 따라서 표시 장치 전체를 총 2개의 기판이 존재한다.
도 1에 도시된 바와 같이 거울부(20) 및 표시부(10)는 각각 분리된 미세 공간을 갖는다.
먼저 거울부(20)에 대하여 간략하게 설명하면, 거울부는 기판(510) 및 기판(510) 위의 제1 전극(570), 제1 전극(570)과 일정 거리를 두고 이격되어 있는 제2 전극(580) 및 제1 전극(570)과 제2 전극(580) 사이에 형성된 미세 공간(560), 제2 전극(590) 상부 전체를 덮는 캐핑막(590)을 포함한다. 이후 자세히 설명하겠지만 미세 공간 내부에 전해질층 및 전기 변색층이 포함되어 있어, 제1 전극 및 제2 전극에 전류 공급을 통해 전기 변색층의 색이 달라지게 되고, 거울로서 기능하게 된다. 구체적인 동작 원리에 대하여는 후술한다.
본 발명의 거울부(20)는 단일 기판 위에 미세 공간(560)이 형성되어 있으며, 미세 공간을 두고 제1 전극(570) 및 제2 전극(590)이 이격되어 있다. 즉 하나의 기판(510)위에 제1 전극(570) 및 제2 전극(590l이 모두 형성되어 있다.
거울부(20) 위에는 표시부(10)가 형성되어 있다. 표시부(10)는 기판(110) 및 기판(110) 위의 미세 공간(305), 미세 공간 안에 채워진 액정층(310) 및 덮개막(390)을 포함하며, 도 1에 도시되지는 않았지만 미세 공간 안에 화소 전극 및 공통 전극이 형성되어 액정층에 전계를 형성한다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 거울부 및 표시부를 포함한다. 거울부 및 표시부는 각각 하나의 기판에 형성되며, 하나의 기판 위에 미세 공간이 형성되어 있고 미세 공간 안에 각각의 동작을 위한 전극이 형성되어 있다.
따라서 본 실시예에 따른 표시 장치는 전원 인가에 따라 표시 장치로 기능하거나 또는 거울로서 기능할 수 있다. 또한, 거울부 및 표시부가 각각 하나의 기판에 형성되어 있기 때문에 전체적으로 2개의 기판이 존재하고, 이는 표시 장치의 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있다.
그러면 이하에서 각 표시부 및 거울부의 구조에 대하여 상세하게 설명한다. 먼저 표시부에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 표시부를 나타낸 평면도이고, 편의상 도 2에는 일부 구성 요소만 도시되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 유리 또는 플라스틱 등과 같은 재료로 만들어진 기판(110), 기판(110) 위에 형성되어 있는 지붕층(360)을 포함한다.
기판(110)은 복수의 화소 영역(PX)을 포함한다. 복수의 화소 영역(PX)은 복수의 화소 행과 복수의 화소 열을 포함하는 매트릭스 형태로 배치되어 있다. 각 화소 영역(PX)은 제1 부화소 영역(PXa) 및 제2 부화소 영역(PXb)를 포함할 수 있다. 제1 부화소 영역(PXa) 및 제2 부화소 영역(PXb)은 상하로 배치될 수 있다.
제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb) 사이에는 화소 행 방향을 따라서 주입구 형성 영역(V1)이 위치하고 있고, 복수의 화소 열 사이에는 격벽 형성부(V2)가 위치하고 있다.
지붕층(360)은 화소 행 방향으로 형성되어 있다. 이때, 주입구 형성 영역(V1)에서는 지붕층(360)이 제거되어 지붕층(360) 아래에 위치하는 구성 요소가 외부로 노출될 수 있도록 입구부(307)가 형성되어 있다.
각 지붕층(360)은 인접한 격벽 형성부(V2)사이에서 기판(110)으로부터 떨어져 형성됨으로써, 미세 공간(305)이 형성된다. 또한, 각 지붕층(360)은 격벽 형성부(V2)에서는 격벽을 형성하고 미세 공간의 양 측면을 덮도록 한다.
상기에서 설명한 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 구조는 예시에 불과하며, 다양한 변형이 가능하다. 예를 들면, 화소 영역(PX), 주입구 형성 영역(V1), 및 격벽 형성부(V2)의 배치 형태의 변경이 가능하고, 복수의 지붕층(360)은 주입구 형성 영역(V1)에서 서로 연결될 수도 있으며, 각 지붕층(360)의 일부는 격벽 형성부(V2)에서 기판(110)으로부터 떨어져 형성됨으로써 인접한 미세 공간(305)이 서로 연결될 수도 있다.
이어 도 2 내지 도 5룰 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시부의 한 화소에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 2의 III-III선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이며, 도 5는 도 2의 IV-IV선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121), 복수의 감압 게이트선(123) 및 복수의 유지 전극선(131)을 포함하는 복수의 게이트 도전체가 형성되어 있다.
게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 게이트 신호를 전달한다. 게이트 도전체는 게이트선(121)으로부터 위아래로 돌출한 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)을 더 포함하고, 감압 게이트선(123)으로부터 위로 돌출한 제3 게이트 전극(124c)을 더 포함한다. 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)은 서로 연결되어 하나의 돌출부를 이룬다. 이때, 제1, 제2, 및 제3 게이트 전극(124h, 124l, 124c)의 돌출 형태는 변경이 가능하다.
유지 전극선(131)도 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 공통 전압(Vcom) 등의 정해진 전압을 전달한다. 유지 전극선(131)은 위 아래로 돌출한 유지 전극(129), 게이트선(121)과 실질적으로 수직하게 아래로 뻗은 한 쌍의 세로부(134) 및 한 쌍의 세로부(134)의 끝을 서로 연결하는 가로부(127)를 포함한다.
게이트 도전체(121, 123, 124h, 124l, 124c, 131) 위에는 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 제1 반도체(154h), 제2 반도체(154l), 및 제3 반도체(154c)가 형성되어 있다. 제1 반도체(154h)는 제1 게이트 전극(124h) 위에 위치할 수 있고, 제2 반도체(154l)는 제2 게이트 전극(124l) 위에 위치할 수 있으며, 제3 반도체(154c)는 제3 게이트 전극(124c) 위에 위치할 수 있다. 제1 반도체(154h)와 제2 반도체(154l)는 서로 연결될 수 있고, 제2 반도체(154l)와 제3 반도체(154c)도 서로 연결될 수 있다. 또한, 제1 반도체(154h)는 데이터선(171)의 아래까지 연장되어 형성될 수도 있다. 제1 내지 제3 반도체(154h, 154l, 154c)는 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제1 내지 제3 반도체(154h, 154l, 154c) 위에는 각각 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(도시하지 않음)가 더 형성될 수 있다. 저항성 접촉 부재는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.
제1 내지 제3 반도체(154h, 154l, 154c) 위에는 데이터선(data line)(171), 제1 소스 전극(173h), 제2 소스 전극(173l), 제3 소스 전극(173c), 제1 드레인 전극(175h), 제2 드레인 전극(175l), 및 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 제1 게이트 전극(124h) 및 제2 게이트 전극(124l)을 향하여 뻗으며 서로 연결되어 있는 제1 소스 전극(173h) 및 제2 소스 전극(173l)을 포함한다.
제1 드레인 전극(175h), 제2 드레인 전극(175l) 및 제3 드레인 전극(175c)은 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 포함한다. 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)의 막대형 끝 부분은 제1 소스 전극(173h) 및 제2 소스 전극(173l)으로 일부 둘러싸여 있다. 제2 드레인 전극(175l)의 넓은 한 쪽 끝 부분은 다시 연장되어 'U'자 형태로 굽은 제3 소스 전극(173c)을 이룬다. 제3 드레인 전극(175c)의 넓은 끝 부분(177c)은 용량 전극(137)과 중첩하여 감압 축전기(Cstd)를 이루며, 막대형 끝 부분은 제3 소스 전극(173c)으로 일부 둘러싸여 있다.
제1 게이트 전극(124h), 제1 소스 전극(173h), 및 제1 드레인 전극(175h)은 제1 반도체(154h)와 함께 제1 박막 트랜지스터(Qh)를 형성하고, 제2 게이트 전극(124l), 제2 소스 전극(173l), 및 제2 드레인 전극(175l)은 제2 반도체(154l)와 함께 제2 박막 트랜지스터(Ql)를 형성하며, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c), 및 제3 드레인 전극(175c)은 제3 반도체(154c)와 함께 제3 박막 트랜지스터(Qc)를 형성한다.
제1 반도체(154h), 제2 반도체(154l), 및 제3 반도체(154c)는 서로 연결되어 선형으로 이루어질 수 있으며, 소스 전극(173h, 173l, 173c)과 드레인 전극(175h, 175l, 175c) 사이의 채널 영역을 제외하고는 데이터 도전체(171, 173h, 173l, 173c, 175h, 175l, 175c) 및 그 하부의 저항성 접촉 부재와 실질적으로 동일한 평면 모양을 가질 수 있다.
제1 반도체(154h)에는 제1 소스 전극(173h)과 제1 드레인 전극(175h) 사이에서 제1 소스 전극(173h) 및 제1 드레인 전극(175h)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있고, 제2 반도체(154l)에는 제2 소스 전극(173l)과 제2 드레인 전극(175l) 사이에서 제2 소스 전극(173l) 및 제2 드레인 전극(175l)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있으며, 제3 반도체(154c)에는 제3 소스 전극(173c)과 제3 드레인 전극(175c) 사이에서 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있다.
데이터 도전체(171, 173h, 173l, 173c, 175h, 175l, 175c) 및 각 소스 전극(173h/173l/173c)과 각 드레인 전극(175h/175l/175c) 사이로 노출되어 있는 반도체(154h, 154l, 154c) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
보호막(180) 위에는 각 화소 영역(PX) 내에 색필터(230)가 형성되어 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 색필터(230)는 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 한정되지 아니하고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 등을 표시할 수도 있다. 도시된 바와 달리 색필터(230)는 이웃하는 데이터선(171) 사이를 따라서 열 방향으로 길게 뻗을 수도 있다.
이웃하는 색필터(230) 사이의 영역에는 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 영역(PX)의 경계부와 박막 트랜지스터 위에 형성되어 빛샘을 방지할 수 있다. 색필터(230)는 각 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb)에 형성되고, 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb) 사이에는 차광 부재(220)가 형성될 수 있다.
차광 부재(220)는 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)을 따라 뻗어 위아래로 확장되어 있으며 제1 박막 트랜지스터(Qh), 제2 박막 트랜지스터(Ql) 및 제3 박막 트랜지스터(Qc) 등이 위치하는 영역을 덮는 가로 차광 부재(220a)와 데이터선(171)을 따라 뻗어 있는 세로 차광 부재(220b)를 포함한다. 즉, 가로 차광 부재(220a)는 주입구 형성 영역(V1)에 형성되고, 세로 차광 부재(220b)는 격벽 형성부(V2)에 형성될 수 있다. 색필터(230)와 차광 부재(220)는 일부 영역에서 서로 중첩될 수도 있다.
세로 차광 부재(220b)는 생략될 수도 있다.
색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 제1 절연층(240)이 더 형성될 수 있다. 제1 절연층(240)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화산화물(SiOxNy) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제1 절연층(240)은 유기 물질로 이루어진 색필터(230) 및 차광 부재(220)를 보호하는 역할을 하며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
제1 절연층(240), 차광 부재(220), 보호막(180)에는 제1 드레인 전극(175h)의 넓은 끝 부분과 제2 드레인 전극(175l)의 넓은 끝 부분을 각각 드러내는 복수의 제1 접촉 구멍(185h) 및 복수의 제2 접촉 구멍(185l)이 형성되어 있다.
제1 절연층(240) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다.
화소 전극(191)은 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)을 사이에 두고 서로 분리되어, 게이트선(121) 및 감압 게이트선(123)을 중심으로 화소 영역(PX)의 위와 아래에 배치되어 열 방향으로 이웃하는 제1 부화소 전극(191h)과 제2 부화소 전극(191l)을 포함한다. 즉, 제1 부화소 전극(191h)과 제2 부화소 전극(191l)은 주입구 형성 영역(V1)를 사이에 두고 분리되어 있으며, 제1 부화소 전극(191h)은 제1 부화소 영역(PXa)에 위치하고, 제2 부화소 전극(191l)은 제2 부화소 영역(PXb)에 위치한다.
제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 제1 접촉 구멍(185h) 및 제2 접촉 구멍(185l)을 통하여 각기 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)과 연결되어 있다. 따라서, 제1 박막 트랜지스터(Qh) 및 제2 박막 트랜지스터(Ql)가 온 상태일 때 제1 드레인 전극(175h) 및 제2 드레인 전극(175l)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.
제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l) 각각의 전체적인 모양은 사각형이며 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l) 각각은 가로 줄기부(193h, 193l), 가로 줄기부(193h, 193l)와 교차하는 세로 줄기부(192h, 192l)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한, 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 각각 복수의 미세 가지부(194h, 194l), 부화소 전극(191h, 191l)의 가장자리 변에서 아래 또는 위로 돌출된 돌출부(197h, 197l)를 포함한다.
화소 전극(191)은 가로 줄기부(193h, 193l)와 세로 줄기부(192h, 192l)에 의해 4개의 부영역으로 나뉘어진다. 미세 가지부(194h, 194l)는 가로 줄기부(193h, 193l) 및 세로 줄기부(192h, 192l)로부터 비스듬하게 뻗어 있으며 그 뻗는 방향은 게이트선(121) 또는 가로 줄기부(193h, 193l)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이룰 수 있다. 또한 이웃하는 두 부영역의 미세 가지부(194h, 194l)가 뻗어 있는 방향은 서로 직교할 수 있다.
본 실시예에서 제1 부화소 전극(191h)은 외곽을 둘러싸는 외곽 줄기부를 더 포함하고, 제2 부화소 전극(191l)은 상단 및 하단에 위치하는 가로부 및 제1 부화소 전극(191h)의 좌우에 위치하는 좌우 세로부(198)를 더 포함한다. 좌우 세로부(198)는 데이터선(171)과 제1 부화소 전극(191h) 사이의 용량성 결합, 즉 커플링을 방지할 수 있다.
상기에서 설명한 화소 영역의 배치 형태, 박막 트랜지스터의 구조 및 화소 전극의 형상은 하나의 예에 불과하며, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 다양한 변형이 가능하다.
화소 전극(191) 위에는 화소 전극(191)으로부터 일정한 거리를 가지고 이격되도록 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에는 미세 공간(microcavity, 305)이 형성되어 있다. 즉, 미세 공간(305)은 화소 전극(191) 및 공통 전극(270)에 의해 둘러싸여 있다. 미세 공간(305)의 폭과 넓이는 표시 장치의 크기 및 해상도에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
공통 전극(270)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다. 공통 전극(270)에는 일정한 전압이 인가될 수 있고, 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에 전계가 형성될 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 제1 배향막(11)이 형성되어 있다. 제1 배향막(11)은 화소 전극(191)에 의해 덮여있지 않은 제1 절연층(240) 바로 위에도 형성될 수 있다.
제1 배향막(11)과 마주보도록 공통 전극(270) 아래에는 제2 배향막(21)이 형성되어 있다.
제1 배향막(11)과 제2 배향막(21)은 수직 배향막으로 이루어질 수 있고, 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane), 폴리 이미드(Polyimide) 등의 배향 물질로 이루어질 수 있다. 제1 및 제2 배향막(11, 21)은 화소 영역(PX)의 가장자리에서 서로 연결될 수 있다.
화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에 위치한 미세 공간(305) 내에는 액정 분자(310)들로 이루어진 액정층이 형성되어 있다. 액정 분자(310)들은 음의 유전율 이방성을 가지며, 전계가 인가되지 않은 상태에서 기판(110)에 수직한 방향으로 서 있을 수 있다. 즉, 수직 배향이 이루어질 수 있다.
데이터 전압이 인가된 제1 부화소 전극(191h) 및 제2 부화소 전극(191l)은 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 미세 공간(305) 내에 위치한 액정 분자(310)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자(310)의 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.
공통 전극(270) 위에는 제2 절연층(350)이 더 형성될 수 있다. 제2 절연층(350)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화산화물(SiOxNy) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
제2 절연층(350) 위에는 지붕층(360)이 형성되어 있다. 지붕층(360)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 지붕층(360)의 아래에는 미세 공간(305)이 형성되어 있고, 지붕층(360)은 경화 공정에 의해 단단해져 미세 공간(305)의 형상을 유지할 수 있다. 즉, 지붕층(360)은 화소 전극(191)과 미세 공간(305)을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있다.
지붕층(360)은 화소 행을 따라 각 화소 영역(PX) 및 격벽 형성부(V2)에 형성되며, 주입구 형성 영역(V1)에는 형성되지 않는다. 즉, 지붕층(360)은 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb) 사이에는 형성되지 않는다. 각 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb)에서는 각 지붕층(360)의 아래에 미세 공간(305)이 형성되어 있다. 격벽 형성부(V2)에서는 지붕층(360)의 아래에 미세 공간(305)이 형성되지 않는다. 따라서, 격벽 형성부(V2)에 위치하는 지붕층(360)의 두께가 각 제1 부화소 영역(PXa) 및 제2 부화소 영역(PXb)에 위치하는 지붕층(360)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 미세 공간(305)의 상부면 및 양측면은 지붕층(360)에 의해 덮여 있는 형태로 이루어지게 된다.
공통 전극(270), 제2 절연층(350), 및 지붕층(360)에는 미세 공간(305)의 일부를 노출시키는 입구부(307)가 형성되어 있다. 입구부(307)는 제1 부화소 영역(PXa)과 제2 부화소 영역(PXb)의 가장자리에 서로 마주보도록 형성될 수 있다. 즉, 입구부(307)는 제1 부화소 영역(PXa)의 하측 변, 제2 부화소 영역(PXb)의 상측 변에 대응하여 미세 공간(305)의 측면을 노출시키도록 형성될 수 있다. 입구부(307)에 의해 미세 공간(305)이 노출되어 있으므로, 입구부(307)를 통해 미세 공간(305) 내부로 배향액 또는 액정 물질 등을 주입할 수 있다.
지붕층(360) 위에는 제3 절연층(370)이 더 형성될 수 있다. 제3 절연층(370)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화산화물(SiOxNy) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제3 절연층(370)은 지붕층(360)의 상부면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 제3 절연층(370)은 유기 물질로 이루어진 지붕층(360)을 보호하는 역할을 한다.
상기에서 지붕층(360) 위에 제3 절연층(370)이 형성되어 있는 구조에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며 제3 절연층(370)은 생략될 수도 있다.
제3 절연층(370) 위에는 덮개막(390)이 형성될 수 있다. 덮개막(390)은 미세 공간(305)의 일부를 외부로 노출시키는 입구부(307)를 덮도록 형성된다. 즉, 덮개막(390)은 미세 공간(305)의 내부에 형성되어 있는 액정 분자(310)가 외부로 나오지 않도록 미세 공간(305)을 밀봉할 수 있다. 덮개막(390)은 액정 분자(310)과 접촉하게 되므로, 액정 분자(310)과 반응하지 않는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 덮개막(390)은 페릴렌(Parylene) 등으로 이루어질 수 있다.
덮개막(390)은 이중막, 삼중막 등과 같이 다중막으로 이루어질 수도 있다. 이중막은 서로 다른 물질로 이루어진 두 개의 층으로 이루어져 있다. 삼중막은 세 개의 층으로 이루어지고, 서로 인접하는 층의 물질이 서로 다르다. 예를 들면, 덮개막(390)은 유기 절연 물질로 이루어진 층과 무기 절연 물질로 이루어진 층을 포함할 수 있다.
도시는 생략하였으나, 표시 장치의 상하부 면에는 편광판이 더 형성될 수 있다. 편광판은 제1 편광판 및 제2 편광판으로 이루어질 수 있다. 제1 편광판은 기판(110)의 하부 면에 부착되고, 제2 편광판은 덮개막(390) 위에 부착될 수 있다.
그러면, 도 6 및 도 7을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 거울부에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 거울부를 나타낸 평면도이고, 편의상 도 2에는 일부 구성 요소만 도시되어 있다. 도 7은 도 6의 거울부를 VII-VII선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 6을 참고로 하면 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 거울부는 기판(510) 위에 복수의 미세 공간(560)이 형성되어 있다.
이러한 미세 공간(560)은 이웃하는 미세 공간과 분리되어 있으며, 미세 공간의 하부 및 상부에는 각각 제1 전극 및 제2 전극이 형성되어 있을 수 있다.
도 1을 참고하면, 이러한 거울부의 미세 공간(560)의 폭 M1과 표시부의 미세 공간의 폭 D1은 서로 상이할 수 잇다.
즉, 거울부의 미세 공간(560)의 폭 M1이 표시부의 미세 공간의 폭 D1보다 더 넓을 수 있다. 표시부의 미세 공간의 폭 D1은 하나의 화소의 폭과 동일해야 하지만, 거울부의 미세 공간은 하나의 화소 단위를 구성하는 것이 아니므로 미세 공간의 형상을 유지할 수 있는 범위내에서 크기를 자유롭게 조절 가능하다.
도 7은 도 6의 하나의 미세 공간의 단면을 잘라 도시한 단면도이다. 도 7을 참고로 하여 본 발명의 거울부의 하나의 미세 공간에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저 기판(510)이 형성되어 있다. 기판(510)은 유리기판, 플라스틱기판, 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO)기판, 또는 불소가 도핑된 산화주석(Fluorine containing tin oxide, FTO)기판일 수 있다.
기판(510) 위에 제1 전극(570)이 위치한다. 제1 전극(570)은 금속 전극일 수 있다. 제1 전극(570)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 및/또는 백금(Pt) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 전극(570)은 거울기능을 제공할 수 있다.
제1 전극과 미세 공간을 사이에 두고 이격되어 제2 전극(580)이 위치한다. 제2 전극은 투명 전극일 수 있다. 즉, 제2 전극은 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(580)은 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO), 갈륨이 도핑된 산화아연(ZnO:Al), 붕소가 도핑된 산화아연(ZnO:B), 및/또는 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO: Aluminum Zinc Oxide)일수 있다.
미세 공간(560)에는 전기 변색층(561), 전해질층(562) 및 이온 저장층(563)이 형성되어 있다.
전기 변색층(561)은 전원 인가에 의한 전류의 흐름에 따라 색이 변할 수 있다. 이에 따라, 광의 투과도나 반사도를 조절할 수 있다. 실시예에 따르면, 전기변색층(561)은 무기착색물질을 포함할 수 있다. 무기착색물질에는 환원변색물질(Cathodic coloration materials)과 산화변색물질(Anodic coloration materials)이 있다. 환원변색물질은 환원반응(cathodic reaction)이 일어날 때 착색되고, 산화반응(anodic reaction)이 일어날 때탈색된다. 환원변색물질은 WO3, TiO2, MoO3, 및/또는 Nb2O5일 수 있다. 산화변색물질은 산화반응일 때 착색되고 환원반응일 때 탈색될 수 있다. 산화변색물질은 Ni(OH)2, Ir(OH)x, 및/또는 CoO2일 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 전기변색층(561)은 유기착색물질을 포함할 수 있다. 유기 착색 물질은 폴리아닐린일 수 있다.
전해질층(562)은 전기 변색 물질과 반응하는 산화/환원 물질을 공급할 수 있다. 전해질층(562)은 고체, 액체, 및/또는 젤 전해질층을 포함할 수 있다. 전해질층(562)은 이온전도도는 높으나, 전자전도도가 낮은 물질을 포함할 수 있다.
전해질층(562)은 산화 탄탈럼(Tantalum pentoxide, Ta2O5), 산화 안티모니 (Antimonium oxide, Sb2O5), 산화 타이타늄(Titanium oxide, TiO2), 산화 지르코늄 (Zirconium oxide, ZrO2), 및/또는 산화 알루미늄(Aluminium oxide, Al2O3) 등의 무기 산화물 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, Poly(acrylic acid),Poly(Methyl methacrylate), Poly(ethylene oxide), Poly(vinyl chloride) 등의 고분자 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수도 있으며, 프로필렌(Proplene)계 물질, 및/또는 카보네이트(Carbonate)계 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 전해질층(562)의 두께는 조절될 수 있다. 이에 따라, 디스플레이 모드 동작 시 전기 변색부(300)에서 흡수하지 못하는 빛을 최소화할 수 있다.
이온 저장층(563)은 CeO2, 및/또는 TiO2를 포함할 수 있다. 이온 저장층(563)은 전기변색의 착색 및 탈색시의 이온 (예를 들어, 수소이온 또는 리튬이온)을 저장하는 역할을 할 수 있다. 이온저장층에 사용되는 물질들은 산화 상태 또는 환원 상태 모두 가시광 영역에서 흡수 파장을 가지지 않아 항상 투명한 특성을 가진다.
제2 전극(580)위에는 캐핑막(590)이 형성되어 있다. 캐핑막(390)은 미세 공간(560)의 내부에 형성되어 있는 전해질층(562) 등이 외부로 나오지 않도록 미세 공간(560)을 밀봉할 수 있다.
본 발명의 표시 장치는 표시부 및 거울부의 적층 구조로 이루어져서, 표시 모드 및 거울 모드로 전환이 가능하다.
표시 모드는 제2 전극(580)에 (-)전압을, 제1 전극(570)에 (+)전압을 인가하여 작동시킬 수 있다 전기변색층(561)은 산화텅스텐(WO3)과 같은 환원변색물질을 포함할 수 있다. 전압이 인가되면, 전기변색층(561)은 다음 화학식의 과정을 거쳐서 색을 나타내게 된다.
<화학식>
WO3 (투명색) + xe- + xM+ <==> MxWO3 (진한 청색)
상기 화학식에서 M은 수소(H)또는 리튬(Li)일 수 있다.
WO3은 투명상태(transparent state), HxWO3는 착색상태 (colored state) 일 수 있다. 전압을 인가하면, 이온저장층(563)에 있던 이온(M)들이 전해질층(562)을 통해 전기변색층(561)으로 이동할 수 있다. 이동해온 이온들은 전기변색층(561)의 환원변색물질인 WO3와 반응하여 HxWO3를 생성할 수 있다. 전기변색층(561)은 진한 청색의 착색상태로 변할 수 있다. 따라서, 표시 소자의 거울부(20)가 표시부(10)의 동작에 필요한 흑색 백플레인의 역할을 할 수 있다.
거울 모드는 제2 전극(580)에 (+)전압을, 제1 전극(570)에 (-)전압을 인가하여 작동시킬 수 있다. 표시 모드와 반대 방향의 전압을 인가하게 되면, 이온(M+)들이 전기변색층(561)으로부터 빠져나와 전해질층(562)을 통해 이온 저장층(563)으로 이동할 수 있다. MxWO3상태의 전기변색층(561)은 WO3와 M+로 변환될 수 있다. 전기변색층(561)은 투명상태로 변할 수 있다. 따라서 거울부(20)는 금속물질을 포함하는 제1 전극(570)에 의해 거울의 특성을 나타낼 수 있다.
산화변색물질을 포함하는 표시 소자는 환원변색물질을 포함하는 표시 소자와 반대방향의 전압을 인가하여 표시 모드와 거울 모드를 구동할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 소자의 표시부와 거울부의 외곽을 도시한 것이다. 도 8을 참고로 하면 표시부 외곽 및 거울부 외곽에 접촉 전극이 형성되어 있다. 도시되지는 않았지만 표시부 외곽의 표시부 접촉 전극(800)과 거울부 외곽의 접촉 전극(700)은 동일 구동부에 연결되어 구동될 수 있다. 즉, 각각의 구동부는 거울모드 및 표시모드의 경우 표시부 및 거울부에 적절한 전압 신호를 인가해주는 구동부에 연결되어 있을 수 있다.
도 9 내지 도 12는 본 발명 다양한 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 것이다.
도 9를 참고하면 본 실시예에 따른 표시 장치에서는 표시부의 기판(110)과 거울부의 기판(510)이 서로 반대 방향에 형성될 수 있다. 즉, 도 9에 도시된 바와 같이 거울부의 미세 공간(560)과 표시부의 미세 공간(305)이 서로 마주보고 형성될 수 있다.
이러한 구조의 표시 장치의 경우, 표시 장치의 양 외곽에 기판(110, 510)이 위치하므로 구조적 안정성을 확보할 수 있다.
도 10은 본 발명 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면을 도시한 것이다. 도 10을 참고로 하면, 표시부과 거울부의 미세 공간의 폭은 동일하지 않을 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이 거울부(20)의 하나의 미세 공간의 폭(M1)이 표시부(10)의 하나의 미세 공간의 폭(D1)보다 넓을 수 있다.
이는 표시부의 미세 공간의 폭 D1은 하나의 화소의 폭과 동일하므로 해상도를 위해 좁아져야 하지만, 거울부의 미세 공간은 하나의 화소 단위를 구성하는 것이 아니므로 미세 공간의 형상을 유지할 수 있는 범위내에서 크기를 자유롭게 조절 가능하기 때문이다.
따라서 거울부의 미세 공간(560)이 처지지 않고 형상을 유지할 수 있는 범위에서 그 폭은 자유롭게 넓힐 수 있다. 즉, 표시부의 미세 공간의 폭(D1)과 거울부의 미세 공간의 폭(M1)이 동일하지 않을 수 있다.
도 11은 본 발명 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 12는 도 11의 실시예에 따른 표시 장치를 XII-XII선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 11 및 도 12를 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 하나의 기판 위에 거울부의 미세 공간(560) 및 표시부의 미세 공간(305)이 모두 형성되어 있다.
즉 하나의 기판 위에 복수개의 미세 공간이 형성되어 있고, 이 중 일부의 미세 공간은 액정이 주입되고 화소 전극 및 공통 전극이 형성되어 표시부로 기능하고, 일부의 미세 공간은 전기 변색층 및 전해질층등이 형성되고 제1 전극 및 제2 전극이 형성되어 거울부로 기능하게 된다.
이때 표시부 미세 공간의 공통 전극과, 상기 거울부 미세 공간의 제2 전극은 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 단일 공정으로 형성될 수 있다.
도 12를 참고하면, 거울부 미세 공간(560)및 표시부 미세 공간(305)이 교대로 배열되어 있다. 각 미세 공간의 폭은 동일할 수도 있고, 표시 품질 향상을 위해 거울부 미세 공간의 폭이 보다 작을 수도 있다.
이때 각 미세 공간에 대한 구체적인 적층 구조 및 설명은 앞선 실시예에서 설명한 바와 동일하다.
이러한 실시예에 따른 표시 장치의 경우, 하나의 기판으로 거울 모드 및 표시 모드를 모두 구현할 수 있기 때문에 표시 장치의 두께를 최소화 할 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 경우, 표시부와 거울부가 적층되어 표시 모드 및 거울 모드로 동작할 수 있으며, 표시부와 거울부 각각에 하나의 기판만 사용되어 전체적인 표시 장치의 두께를 감소시킬 수 있다. 즉, 미세 공간을 갖는 구조로 표시부 및 거울부를 형성하여 기판의 수를 종전 표시부 2개, 거울부 2개 총 4개에서 2개로 줄일 수 있다.
도 13은 본 발명에 대비되는 비교예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 13을 참고하면 본 발명 비교예에 따른 표시 장치는 표시부(10)에 제1 기판(1000) 및 제2 기판(2000), 사이에 개재된 액정층(3000)을 포함하고 있다. 이때 제1 기판(1000)에는 화소 전극이, 제2 기판에는 공통 전극이 형성되어 있거나, 바뀌어서 형성되어 있을 수 있다. 또는 하나의 기판에 화소 전극 및 공통 전극이 절연되어 존재할 수 있으며, 이때 전극이 형성되지 않은 기판에는 차광부재 또는 색필터가 형성되어 있을 수 있다.
다음 거울부(20)는 거울부 제1 기판(5000), 거울부 제2 기판(6000) 및 사이의 전기 변색층(7000), 전해질층(8000) 및 이온 저장층(9000)을 포함한다.
거울부 제1 기판(5000) 위에는 투명 전극인 제1 전극(미도시)이 형성되어 있고, 거울부 제2 기판(600)위에는 금속 전극인 제2 전극(미도시)이 형성되어 있다.
즉, 본 발명 비교예에 따른 표시 장치의 경우 표시부에 2개의 기판 및 거울부에 2개의 기판이 형성되고, 표시 장치 전체로는 총 4개의 기판이 필요하다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 경우, 미세 공간을 갖는 구조로 표시부 및 거울부를 형성하여 기판의 수를 종전 표시부 2개, 거울부 2개 총 4개에서 2개로 줄일 수 있다. 또한 단일 기판에 표시부 미세 공간과 거울부 미세 공간을 번갈아 형성하는 경우 기판의 수를 1개로 줄일 수 있다. 이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 표시부 20: 거울부
11: 제1 배향막 21: 제2 배향막
110, 510: 기판
121: 게이트선 123: 감압 게이트선
124h: 제1 게이트 전극 124l: 제2 게이트 전극
124c: 제3 게이트 전극 131: 유지 전극선
140: 게이트 절연막 154h: 제1 반도체
154l: 제2 반도체 154c: 제3 반도체
171: 데이터선 173h: 제1 소스 전극
173l: 제2 소스 전극 173c: 제3 소스 전극
175h: 제1 드레인 전극 175l: 제2 드레인 전극
175c: 제3 드레인 전극 180: 보호막
191: 화소 전극 191h: 제1 부화소 전극
191l: 제2 부화소 전극 220: 차광 부재
230: 색필터 240: 제1 절연층
270: 공통 전극 300: 희생층
305, 560: 미세 공간 307: 주입구
310: 액정 분자
350: 제2 절연층 360: 지붕층
370: 제3 절연층 390: 덮개막
570: 제1 전극 580: 제2 전극
590: 캐핑막 561: 전기 변색층
562: 전해질층 563: 이온 저장층

Claims (20)

  1. 서로 이웃하는 표시부와 거울부를 포함하며,
    상기 표시부는
    제1 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극,
    상기 화소 전극 위에 상기 화소 전극과 미세 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 지붕층,
    상기 미세 공간을 채우고 있는 액정층을 포함하고,
    상기 거울부는
    제2 기판,
    상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 상기 제1 전극과 미세 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 제2 전극,
    상기 미세 공간 안에 형성된 전기 변색층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 거울부의 제2 전극위에 상기 표시부의 제1 기판이 적층되어 있는 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 거울부의 제2 전극 위에 상기 표시부의 지붕층이 위치하여 서로 마주보고,
    상기 거울부의 제2 기판과 상기 표시부의 제1 기판이 표시 장치의 양 바깥쪽에 형성된 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 표시부는
    상기 지붕층 위에 형성되어 상기 미세 공간을 밀봉하는 덮개막을 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 거울부의 미세 공간은 전기 변색층, 전해질층, 이온 주입층이 차례로 적층되어 있고,
    상기 미세 공간을 밀봉하는 캐핑막을 포함하는 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 거울부의 제1 전극은 금속 전극인 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 거울부의 제2 전극은 투명 전극인 표시 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 표시부의 미세 공간의 폭과 상기 거울부의 미세 공간의 폭이 동일하지 않은 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 거울부의 미세 공간의 폭이 상기 표시부의 미세 공간의 폭보다 넓은 표시 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 표시 장치가 표시 모드로 동작하는 경우,
    상기 거울부의 변색층이 색을 나타내는 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 표시 장치가 거울 모드로 동작하는 경우,
    상기 거울부의 변색층이 투명한 표시 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 표시부의 구동과 상기 거울부의 구동은 하나의 구동부에서 수행되는 표시 장치.
  13. 기판,
    상기 기판 위에 형성된 복수의 미세 공간을 포함하며,
    상기 복수의 미세 공간은 거울부 미세 공간 및 표시부 미세 공간으로 구분되고,
    상기 표시부 미세 공간은
    화소 전극,
    상기 화소 전극 위에 상기 화소 전극과 미세 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 지붕층,
    상기 미세 공간을 채우고 있는 액정층을 포함하고,
    상기 거울부 미세 공간은
    제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 상기 제1 전극과 미세 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성된 제2 전극,
    상기 미세 공간 안에 형성된 전기 변색층을 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 거울부 미세 공간과 상기 표시부 미세 공간은 행 또는 열 방향으로 한 줄씩 번갈아 형성되어 있는 표시 장치.
  15. 제13항에서,
    상기 거울부 미세 공간의 폭이 상기 표시부 미세 공간의 폭보다 좁은 표시 장치.
  16. 제13항에서,
    상기 미세 공간을 밀봉하는 덮개막을 포함하는 표시 장치
  17. 제13항에서,
    상기 거울부의 미세 공간은 전기 변색층, 전해질층, 이온 주입층이 차례로 적층되어 있는 표시 장치.
  18. 제13항에서,
    상기 거울부의 제1 전극은 금속 전극, 상기 제2 전극은 투명 전극인 표시 장치.
  19. 제13항에서,
    상기 표시부의 화소 전극 및 공통 전극은 투명 전극인 표시 장치.
  20. 제13항에서,
    상기 거울부의 제2 전극과 상기 표시부의 공통 전극은 단일 공정으로 형성되는 표시 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210086159A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 한국전자기술연구원 원자층 증착공정을 이용한 전기변색소자 및 그의 제조방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107644897B (zh) * 2017-10-24 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其控制方法
US10468463B1 (en) * 2017-12-14 2019-11-05 Facebook Technologies, Llc Display device with optical reflecting layer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2684198B1 (fr) * 1991-11-22 1994-09-23 Thomson Csf Ecran pour projection d'image.
JP2004069926A (ja) 2002-08-05 2004-03-04 Seiko Epson Corp 鏡機能付き表示装置及び電子機器
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
KR20130124827A (ko) 2012-05-07 2013-11-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210086159A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 한국전자기술연구원 원자층 증착공정을 이용한 전기변색소자 및 그의 제조방법

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