KR20160117824A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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KR20160117824A
KR20160117824A KR1020150045459A KR20150045459A KR20160117824A KR 20160117824 A KR20160117824 A KR 20160117824A KR 1020150045459 A KR1020150045459 A KR 1020150045459A KR 20150045459 A KR20150045459 A KR 20150045459A KR 20160117824 A KR20160117824 A KR 20160117824A
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 하우징, 상기 하우징 내부에 배치되고, 기판을 세정하는 처리 공간을 제공하는 컵, 상기 처리 공간 내에 배치되고, 상기 기판을 지지하는 지지판을 가지는 지지 유닛, 상기 하우징 내부에 배치되고, 상기 기판의 상면에 처리 유체를 분사하는 분사 유닛, 외기를 공급하여 상기 하우징 내에 하강 기류를 형성하는 팬 및 상기 팬을 회전시키는 팬구동기를 가지는 기류 공급 유닛, 및 상기 분사 유닛 및 상기 팬구동기를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 공정 단계에 따라 상기 팬의 회전속도가 변경되도록 상기 팬구동기를 제어할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus and method for treating a substrate}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로 보다 구체적으로는 기판을 세정하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 건조 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.
세정 공정은 하우징의 상부에 설치된 팬 필터 유닛에 의해 청정 공기의 하강 기류가 형성된 상태에서 수행된다. 하우징 내에는 상부가 개방된 컵이 제공되고, 기판은 컵 내에 배치된다. 그러나, 케미칼 공정시 흄(Fume)이 발생하여, 컵의 상부 영역 및 하우징 내 컵의 외측 영역이 오염된다. 또한, 건조 공정에서는 흄(Fume)에 의해 파티클이 발생하고, 흄(Fume)이 기판의 상부로 유입되어 기판이 오염된다.
본 발명은 기판 처리 공정시 하우징 내부의 청정도를 효율적으로 유지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 기판 처리 공정시 컵의 상부 영역 및 하우징 내 컵의 외측 영역의 청정도를 유지하여 흄(Fuem)에 의하 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 처리 장치는 하우징; 상기 하우징 내부에 배치되고 기판을 세정하는 처리 공간을 제공하는 컵; 상기 처리 공간 내에 배치되고, 상기 기판을 지지하는 지지판을 가지는 지지 유닛; 상기 하우징 내부에 배치되고, 상기 기판의 상면에 처리 유체를 분사하는 분사 유닛; 외기를 공급하여 상기 하우징 내에 하강 기류를 형성하는 팬 및 상기 팬을 회전시키는 팬구동기를 가지는 기류 공급 유닛; 및 상기 분사 유닛 및 상기 팬구동기를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 공정 단계에 따라 상기 팬의 회전속도가 변경되도록 상기 팬구동기를 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 분사 유닛은 프리웨트(Pre-Wet)액을 분사하는 액노즐, 및 케미칼을 분사하는 케미칼 노즐을 포함하고, 상기 제어기는, 상기 프리웨트(Pre-Wet)액을 분사하는 프리웨트(Pre-Wet) 공정과 상기 케미칼을 분사하는 케미칼 공정이 순차적으로 수행되도록 상기 분사 유닛을 제어하고, 상기 케미칼 공정시 상기 팬의 회전속도가 상기 프리웨트(Pre-Wet) 공정시 상기 팬의 회전속도보다 느리도록 상기 팬구동기를 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 분사 유닛은 케미칼을 분사하는 케미칼 노즐, 및 린스액을 분사하는 린스액 노즐을 포함하고, 상기 제어기는, 상기 케미칼을 분사하는 케미칼 공정과 상기 린스액을 분사하는 린스 공정이 순차적으로 수행되도록 상기 분사 유닛을 제어하고, 상기 케미칼 공정시 상기 팬의 회전속도가 상기 린스 공정시 상기 팬의 회전속도보다 느리도록 상기 팬구동기를 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 분사 유닛은 케미칼을 분사하는 케미칼 노즐, 및 건조 유체를 분사하는 건조 노즐을 포함하고, 상기 제어기는, 상기 케미칼을 분사하는 케미칼 공정과 상기 건조 유체를 분사하는 건조 공정이 순차적으로 수행되도록 상기 분사 유닛을 제어하고, 상기 케미칼 공정시 상기 팬의 회전속도가 상기 건조 공정시 상기 팬의 회전속도보다 느리도록 상기 팬구동기를 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 분사 유닛은 케미칼을 분사하는 케미칼 노즐, 린스액을 분사하는 린스액 노즐, 및 건조 유체를 분사하는 건조 노즐을 포함하고, 상기 제어기는, 상기 케미칼을 분사하는 케미칼 공정과 상기 린스액 및 상기 건조 유체를 순차적으로 분사하는 린스 및 건조 공정이 순차적으로 수행되도록 상기 분사 유닛을 제어하고, 상기 케미칼 공정시 상기 팬의 회전속도가 상기 린스 및 건조 공정시 상기 팬의 회전속도보다 느리도록 상기 팬구동기를 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 분사 유닛은 프리웨트(Pre-Wet)액을 분사하는 액노즐을 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 프리웨트(Pre-Wet)액을 분사하는 프리웨트(Pre-Wet) 공정이 상기 케미칼 공정보다 먼저 수행되도록 상기 분사 유닛을 제어하고, 상기 프리웨트(Pre-Wet) 공정시 상기 팬의 회전속도는, 상기 케미칼 공정시 상기 팬의 회전속도보다 빠르고, 상기 린스 및 건조 공정시 상기 팬의 회전속도보다 느리도록 상기 팬구동기를 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 케미칼은 인산을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 분사 유닛은 제1 케미칼을 분사하는 제1 케미칼 노즐, 및 제2 케미칼을 분사하는 제2 케미칼 노즐을 포함하고, 상기 제1 케미칼을 분사하는 제1 케미칼 공정과 상기 제2 케미칼을 분사하는 제2 케미칼 공정 중 어느 하나의 공정의 상기 팬의 회전속도는 다른 하나의 공정의 상기 팬의 회전속도보다 느릴 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 케미칼 공정은 상기 제2 케미칼 공정보다 흄(Fume) 발생이 많은 공정이고, 상기 제1 케미칼 공정에서 상기 팬의 회전속도는 상기 제2 케미칼 공정에서 상기 팬의 회전속도보다 느릴 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 케미칼은 인산일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 기판 처리 공정 중의 이물질과 처리 유체를 배기하는 배기 유닛을 더 포함하고, 상기 배기 유닛은 상기 컵의 처리 공간을 배기하는 제1 배기 부재 및 상기 하우징과 상기 컵 사이의 공간을 배기하는 제2 배기 부재를 포함할 수 있다.
본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 하강 기류가 제공되는 처리 공간 내에서 기판에 복수의 처리 유체를 순차적으로 공급하여 기판을 처리하되, 상기 처리 유체의 종류에 따라 상기 하강 기류의 속도가 변동될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 처리 유체는 프리웨트(Pre-Wet)액, 및 케미칼을 포함하고, 상기 케미칼 공급시 상기 하강 기류의 속도가 상기 프리웨트(Pre-Wet)액 공급시 상기 하강 기류의 속도보다 느릴 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 처리 유체는 케미칼 및 린스액을 포함하고, 상기 케미칼 공급시 상기 하강 기류의 속도가 상기 린스액 공급시 상기 하강 기류의 속도보다 느릴 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 처리 유체는 케미칼 및 건조 유체를 포함하고, 상기 케미칼 공급시 상기 하강 기류의 속도가 상기 건조 유체 공급시 상기 하강 기류의 속도보다 느릴 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 처리 유체는 케미칼, 린스액, 및 건조 유체를 포함하고, 상기 케미칼 공급시 상기 하강 기류의 속도가 상기 린스액 및 건조 유체를 공급시 상기 하강 기류의 속도보다 느릴 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 처리 유체는 프리웨트(Pre-Wet)액을 더 포함하고, 상기 프리웨트(Pre-Wet)액 공급시 상기 하강 기류의 속도는 상기 케미칼 공급시 상기 하강 기류의 속도보다 빠르고, 상기 린스액 및 건조 유체 공급시 하강 기류의 속도보다 느릴 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 케미칼은 제1 케미칼 및 제2 케미칼을 포함하되, 상기 제1 케미칼을 분사하는 제1 케미칼 공정과 상기 제2 케미칼을 분사하는 제2 케미칼 공정 중 어느 하나의 공정의 상기 하강 기류의 속도는 다른 하나의 공정의 상기 하강 기류의 속도보다 느릴 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 케미칼은 인산을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 케미칼 공정은 상기 제2 케미칼 공정보다 흄(Fume) 발생이 많은 공정이고, 상기 제1 케미칼 공정에서 상기 하강 기류의 속도는 상기 제2 케미칼 공정에서 상기 팬의 하강 기류의 속도보다 느릴 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 케미칼은 인산일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 기판 처리 공정 중에 상기 처리 공간 내부와 상기 처리 공간 외부를 각각 독립적으로 배기할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 공정 시, 케미칼 공정단계에서 기류 공급 유닛으로부터 공급되는 하강 기류의 세기를 제어하여, 하우징 내에 흄(Fume)이 분산되는 것을 방지하여 하우징 내의 청정도를 유지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 세정 공정시 린스 및 건조 공정단계에서 기류 공급 유닛으로부터 공급되는 하강 기류의 세기를 제어하여, 기판의 상부에 흄(Fume)이 유입되는 것을 방지하여 기판의 불량률을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 하우징에 제공된 기판 처리 장치의 일 실시예를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 프리웨트 공정시 기판 처리 장치의 하강 기류를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 케미칼 공정시 기판 처리 장치의 하강 기류를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 린스 공정 또는 건조 공정시 기판 처리 장치의 하강 기류를 도시한 도면이다.
도 6 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 각 공정단계에 따른 팬의 회전속도 또는 하강 기류의 속도를 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
이하, 도 1 내지 7을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 포함한다. 인덱스 모듈(100)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 놓인다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130)내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(200)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
아래에서는 처리 유체를 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 2는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는, 하우징(310), 컵(320), 지지 유닛(340), 분사 유닛(370), 기류 공급 유닛(380), 그리고 제어기(390)를 포함한다.
하우징(310)은 내부에 공간을 제공한다. 컵(320)은 하우징 내 공간에 위치하며, 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간(400)을 제공한다. 처리 공간(400)의 상부는 개방된다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리 유체 중 서로 상이한 처리 유체를 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 컵(320)은 전체가 상하방향으로 이동할 수 있고, 각각의 회수통(322, 324, 326)이 독립적으로 상하방향으로 이동하는 것도 가능하다.
내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리 유체가 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322, 324, 326)이 독립적으로 상하이동이 가능함에 따라, 각각의 내측공간(322a), 사이공간들(324a, 326a)은 어느 하나가 개방될 때, 다른 것은 폐쇄될 수 있다.
각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리 유체를 배출한다. 배출된 처리 유체는 외부의 처리 유체 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
지지 유닛(340)은 컵(320) 내에 배치된다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지 핀(344), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 포함한다. 지지판(342)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 지지판(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 지지판(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(344)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지 핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 지지판(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 지지 유닛(340)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
분사 유닛(370)은 기판 처리 공정 시 기판(W)으로 처리 유체를 공급한다. 분사 유닛(370)은 노즐 지지대(372), 노즐(374), 지지축(376), 그리고 구동기(378)를 가진다. 지지축(376)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(376)의 하단에는 구동기(378)가 결합된다. 구동기(378)는 지지축(376)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(372)는 구동기(378)와 결합된 지지축(376)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(374)은 노즐 지지대(372)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(374)은 구동기(378)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(374)이 컵(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(374)이 컵(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 노즐(374)은 프리웨트(Pre-Wet)액을 분사하는 액노즐(374a), 케미칼을 분사하는 케미칼 노즐(374b), 린스액을 분사하는 린스액 노즐(374c), 그리고 건조 유체를 분사하는 건조 노즐(374d)을 포함할 수 있다. 케미칼은 공정 진행 중에 흄(Fume) 발생이 많은 유체일 수 있다. 예를 들어, 케미칼은 인산일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 건조 유체는 이소프로필 알코올 증기, 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물 또는 이소프로필 알코올 액일 수 있다.
기류 공급 유닛(380)은 외기를 정화하여 처리 공간(400)에 하강 기류를 제공한다. 기류 공급 유닛(380)은 처리 공간(400)과 대향되게 처리 공간(400)의 상부에 제공된다. 일 실시예로 기류 공급 유닛(380)은 외부의 대기를 이용하여 하강 기류를 발생시키는 팬(382)과 팬(382)을 회전시키는 팬구동기(384)를 포함한다. 또한, 기류 공급 유닛(380)은 필터를 더 포함하며, 팬(382)과 필터는 하나의 유닛으로 제공될 수 있다.
제어기(390)는 분사 유닛(370)을 제어한다. 제어기(390)는 공정 순서에 맞추어 각 노즐이 처리 유체를 순차적으로 분사할 수 있도록 분사 유닛(370)을 제어할 수 있다. 구체적으로, 프리웨트(Pre-Wet)액을 분사하여 기판(W)을 씻어내는 프리웨트(Pre-Wet) 공정, 케미칼을 분사하여 기판(W)을 세정하는 케미칼 공정, 그리고 린스액을 분사하여 기판(W)을 린스하고, 기판(W)을 건조하는 린스 및 건조 공정이 순차적으로 수행되도록, 분사 유닛(370)을 제어한다.
또한, 제어기(390)는 공정 단계별로 팬구동기(384)를 제어하여, 팬(382)의 회전속도를 조정할 수 있다. 예를 들어, 프리웨트 공정시의 하강 기류의 속도를 제1 속도, 케미칼 공정시의 하강 기류의 속도를 제2 속도, 린스 및 건조 공정시의 하강 기류의 속도를 제3 속도라고 할때, 제2 속도는 제1 속도 및 제3 속도보다 느리고, 제3 속도는 제1 속도보다 빠르다.
배기 유닛(410)은 기판 처리 공정 중의 흄(Fume) 등의 이물질과 처리 유체를 기류를 통하여 배기한다. 배기 유닛(410)은 제1 배기 부재(410a) 및 제2 배기 부재(410b)를 가진다. 제1 배기 부재(410a)는 컵(320)의 처리 공간(400) 내부를 배기한다. 제1 배기 부재(410a)넌 컵(320)의 바닥면에 연결된다. 제2 배기 부재(410b)는 컵(320)과 하우징(310) 사이의 공간을 배기한다. 제2 배기 부재(410b)는 하우징(310)의 바닥면에 연결된다.
도 3 내지 도 6은 제어기가 분사 유닛 및 팬구동기를 제어하는 일 예를 보여주는 도면이다. 도 3 내지 도 5는 공정 단계별로 하강 기류의 크기를 보여주는 도면이고, 도 6은 공정 단계의 순서 및 팬의 회전 속도를 보여주는 그래프이다.
도 3 내지 도 5에서 도시한 화살표는 하강 기류를 나타내는 것이며, 화살표의 길이는 하강 기류의 속도를 나타낸 것이다. 화살표가 길수록 하강 기류의 속도가 빠름을 나타낸다.
제어기(390)는 각 공정 단계의 특성에 따라, 기류 공급 유닛(380)에서 발생하는 하강 기류의 세기가 달라지도록 팬구동기(384)를 제어한다.
예를 들어, 케미칼 공정시 케미칼을 기판(W)의 상부면에 분사하면 기판(W)의 상부면에서 흄(Fume)이 발생한다. 발생한 흄(Fume)은 컵(320)의 상부 및 하우징(310) 내부를 오염시키고, 이후의 린스 공정, 건조 공정이 수행되는 동안 기판(W)의 상부로 유입되어 기판을 오염시킬 위험이 있다. 이러한 흄(Fume)은 케미칼 공정 진행시 기류 공급 유닛(380)으로부터 공급되는 하강 기류의 세기가 클수록 하우징(310) 내부에 널리 분산된다. 하강 기류는 기류 공급 유닛(380)의 팬(382)의 회전속도에 따라 결정될 수 있으므로, 케미칼 공정시에는 제어기(390)로 팬(382)을 회전시키는 팬구동기(384)를 제어하여 프리웨트 공정시보다 팬(382)의 회전속도를 낮출 수 있다.
케미칼 공정 후에는, 발생한 흄(Fume)이 컵(320)의 상부 영역 및 하우징(310) 내 컵(320)의 외측 영역 등에 분산되어 있다. 린스액 또는 건조 유체가 기판(W)의 상부면에 공급되면, 분산되어 있는 흄(Fume)이 기판(W)의 상부면으로 유입이 되어 기판(W)이 오염될 위험이 있다. 따라서, 린스 및 건조 공정 중에 기류 공급 유닛(380)으로부터 공급되는 하강 기류의 세기를 크게 하여, 흄(Fume)을 하우징(310)의 하부로 유도하여 배기할 수 있다. 이로 인하여, 흄(Fume)이 기판(W)의 상부면에 유입되지 않고, 기판(W)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 프리웨트 공정, 케미칼 공정, 그리고 린스 및 건조 공정이 모두 행해지는 것이 아니라, 프리웨트 공정과 린스 및 건조 공정 중 어느 하나는 생략될 수 있다. 이때, 분사 유닛(370)은 생략되는 공정에 맞도록 처리 유체를 분사하는 노즐도 함께 생략될 수 있다.
예를 들어, 분사 유닛(370)은, 액노즐(374a)이 생략되어, 공정 중에서 프리웨트(Pre-Wet)공정이 생략될 수 있다. 또한, 분사 유닛(370)에서 린스 노즐(374c)이 생략되어 린스 공정이 생략될 수 있다. 또한, 분사 유닛(370)에서 건조 노즐이 생략되어 건조 공정이 생략될 수 있다. 이때, 제어기(390)는 상술한 바와 같이, 각 공정단계별로 하강 기류의 속도를 다르게 할 수 있다.
상술한 예에서는, 린스 및 건조 공정이 동시에 수행되는 것으로 설명하였으나, 린스 공정이 건조 공정보다 먼저 수행될 수 있다.
도 7은 본 발명의 변형예에 따른 각 공정단계의 팬의 회전속도를 나타낸 그래프이다.
케미칼은 복수의 처리 유체일 수 있다. 분사 유닛(370)은 제1 케미칼을 분사하는 제1 케미칼 노즐(374b')과 제2 케미칼을 분사하는 제2 케미칼 노즐(374b")을 포함할 수 있다. 제어기(390)는 제1 케미칼 공정과 제2 케미칼 공정이 순차적으로 수행되도록 분사 유닛(370)을 제어할 수 있다. 제1 케미칼 공정은 제2 케미칼 공정보다 흄(Fume)의 발생이 많은 공정일 수 있다. 예를 들어, 제1 케미칼은 인산일 수 있다. 제2 케미칼은 NH4OH, H2O 및 H2O2로 이루어진 스탠다드 클리닝 용액(SC-1)일 수 있다. 이때, 제어기(390)는 제1 케미칼 공정의 팬(382)의 속도가 제2 케미칼 공정의 팬(382)의 속도보다 느리도록 팬구동기(384)를 제어할 수 있다.
상술한 예에서는 제1 케미칼 공정이 제2 케미칼 공정보다 먼저 수행되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 제2 케미칼 공정이 제1 케미칼 공정보다 먼저 수행될 수도 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 하강 기류가 제공되는 처리 공간(400) 내에서 기판(W)에 복수의 처리 유체를 순차적으로 공급하여 기판(W)을 처리하되, 상기 처리 유체의 종류에 따라 상기 하강 기류의 속도가 변동될 수 있다.
기판(W)을 세정하는 공정 단계에 따라 공급하는 처리 유체가 다를 수 있다. 예를 들어, 기판(W)을 세정하기 전에 기판(W)을 씻어내기 위하여 기판(W)의 상부면에 프리웨트(Pre-Wet)액을 공급하는 프리웨트 공정, 기판(W)을 세정하기 위하여 기판(W)의 상부면에 1이상의 케미칼을 공급하는 케미칼 공정, 기판(W)을 린스하기 위하여 기판(W)의 상부면에 린스액을 공급하고, 기판(W)을 건조하기 위하여 기판(W)의 상부면에 건조 유체를 공급하는 린스 및 건조 공정이 순차적으로 수행될 수 있다. 케미칼은 인산일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 건조 유체는 이소프로필 알코올 증기, 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물 또는 이소프로필 알코올 액일 수 있다. 이하, 도 6 내지 7을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
상기 처리 유체는, 프리웨트(Pre-Wet)액, 케미칼, 린스액 및 건조 유체를 포함할 수 있다.
기판 처리 공정은 프리웨트(Pre-Wet)액을 분사하는 프리웨트 공정, 케미칼을 분사하는 케미칼 공정, 린스액 및 건조 유체를 분사하는 린스 및 건조 공정이 순차적으로 수행된다. 이때, 프리웨트 공정시의 하강 기류의 속도를 제1 속도, 케미칼 공정시의 하강 기류의 속도를 제2 속도, 린스 및 건조 공정시의 하강 기류의 속도를 제3 속도라고 할때, 제2 속도는 제1 속도 및 제3 속도보다 느리고, 제3 속도는 제1 속도보다 빠르다.
또한, 상술한 바와 같이, 프리웨트 공정, 케미칼 공정, 린스 및 건조 공정이 모두 행해지는 것이 아니라, 프리웨트 공정과 린스 및 건조 공정 중 어느 하나는 생략될 수 있다. 예를 들어, 프리웨트(Pre-Wet) 공정이 생략될 수 있다. 또한, 린스 및 건조 공정이 생략될 수 있다. 이때, 하강 기류의 속도는 상술한 바와 같이 공정단계별로 다르게 할 수 있다.
케미칼은 1이상의 복수의 처리 유체일 수 있다. 예를 들어, 케미칼은 제1 케미칼 및 제2 케미칼을 포함할 수 있다. 케미칼 공정은 제1 케미칼이 공급되는 제1 케미칼 공정과, 제2 케미칼이 공급되는 제2 케미칼 공정을 포함할 수 있다. 이때, 제1 케미칼 공정과 제2 케미칼 공정은 순차적으로 수행되고, 제1 케미칼 공정은 제2 케미칼 공정보다 흄(Fume) 발생이 많은 공정일 수 있다. 예를 들어, 제1 케미칼은 인산일 수 있다. 제2 케미칼은 NH4OH, H2O 및 H2O2로 이루어진 스탠다드 클리닝 용액(SC-1)일 수 있다. 이때, 기판(W)의 오염을 방지하기 위해 제1 케미칼 공정에서의 하강 기류의 속도는 제2 케미칼 공정에서의 하강 기류의 속도보다 느릴 수 있다.
또한, 기판 처리 공정 중에 상기 처리 공간 내부와 상기 처리 공간 외부를 각각 독립적으로 배기할 수 있다. 예를 들어, 컵(320)의 바닥면에 배기 부재가 연결되어, 처리 공간(400) 내부의 처리액 및 이물질을 배기할 수 있다. 또한, 하우징(310)의 바닥면에 배기 부재가 연결되어, 컵(320)과 하우징(310) 사이의 공간을 배기할 수 있다. 이와 같이, 처리 공정 중에 공급된 처리 유체 및 발생하는 이물질을 배출하여, 공정을 원활하게 하고 기판의 오염을 방지할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
W : 기판 300 : 기판 처리 장치
310 : 하우징 320 : 컵
340 : 지지 유닛 370 : 분사 유닛
380: 기류 공급 유닛 390: 제어기

Claims (22)

  1. 하우징;
    상기 하우징 내부에 배치되고, 기판을 세정하는 처리 공간을 제공하는 컵;
    상기 처리 공간 내에 배치되고, 상기 기판을 지지하는 지지판을 가지는 지지 유닛;
    상기 하우징 내부에 배치되고, 상기 기판의 상면에 처리 유체를 분사하는 분사 유닛;
    외기를 공급하여 상기 하우징 내에 하강 기류를 형성하는 팬 및 상기 팬을 회전시키는 팬구동기를 가지는 기류 공급 유닛; 및
    상기 분사 유닛 및 상기 팬구동기를 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는 공정 단계에 따라 상기 팬의 회전속도가 변경되도록 상기 팬구동기를 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분사 유닛은,
    프리웨트(Pre-Wet)액을 분사하는 액노즐, 및
    케미칼을 분사하는 케미칼 노즐을 포함하고,
    상기 제어기는 상기 프리웨트(Pre-Wet)액을 분사하는 프리웨트(Pre-Wet) 공정과 상기 케미칼을 분사하는 케미칼 공정이 순차적으로 수행되도록 상기 분사 유닛을 제어하고, 상기 케미칼 공정시 상기 팬의 회전속도가 상기 프리웨트(Pre-Wet) 공정시 상기 팬의 회전속도보다 느리도록 상기 팬구동기를 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 분사 유닛은,
    케미칼을 분사하는 케미칼 노즐, 및
    린스액을 분사하는 린스액 노즐을 포함하고,
    상기 제어기는 상기 케미칼을 분사하는 케미칼 공정과 상기 린스액을 분사하는 린스 공정이 순차적으로 수행되도록 상기 분사 유닛을 제어하고, 상기 케미칼 공정시 상기 팬의 회전속도가 상기 린스 공정시 상기 팬의 회전속도보다 느리도록 상기 팬구동기를 제어하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 분사 유닛은,
    케미칼을 분사하는 케미칼 노즐, 및
    건조 유체를 분사하는 건조 노즐을 포함하고,
    상기 제어기는 상기 케미칼을 분사하는 케미칼 공정과 상기 건조 유체를 분사하는 건조 공정이 순차적으로 수행되도록 상기 분사 유닛을 제어하고, 상기 케미칼 공정시 상기 팬의 회전속도가 상기 건조 공정시 상기 팬의 회전속도보다 느리도록 상기 팬구동기를 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 분사 유닛은,
    케미칼을 분사하는 케미칼 노즐,
    린스액을 분사하는 린스액 노즐, 및
    건조 유체를 분사하는 건조 노즐을 포함하고,
    상기 제어기는 상기 케미칼을 분사하는 케미칼 공정과 상기 린스액 및 상기 건조 유체를 순차적으로 분사하는 린스 및 건조 공정이 순차적으로 수행되도록 상기 분사 유닛을 제어하고, 상기 케미칼 공정시 상기 팬의 회전속도가 상기 린스 및 건조 공정시 상기 팬의 회전속도보다 느리도록 상기 팬구동기를 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 분사 유닛은 프리웨트(Pre-Wet)액을 분사하는 액노즐을 더 포함하고,
    상기 제어기는 상기 프리웨트(Pre-Wet)액을 분사하는 프리웨트(Pre-Wet) 공정이 상기 케미칼 공정보다 먼저 수행되도록 상기 분사 유닛을 제어하고, 상기 프리웨트(Pre-Wet) 공정시 상기 팬의 회전속도는 상기 케미칼 공정시 상기 팬의 회전속도보다 빠르고 상기 린스 및 건조 공정시 상기 팬의 회전속도보다 느리도록 상기 팬구동기를 제어하는 기판 처리 장치.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 케미칼은 인산을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 분사 유닛은,
    제1 케미칼을 분사하는 제1 케미칼 노즐, 및
    제2 케미칼을 분사하는 제2 케미칼 노즐을 포함하고,
    상기 제1 케미칼을 분사하는 제1 케미칼 공정과 상기 제2 케미칼을 분사하는 제2 케미칼 공정 중 어느 하나의 공정의 상기 팬의 회전속도는 다른 하나의 공정의 상기 팬의 회전속도보다 느린 기판 처리 장치.

  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 케미칼 공정은 상기 제2 케미칼 공정보다 흄(Fume) 발생이 많은 공정이고, 상기 제1 케미칼 공정에서 상기 팬의 회전속도는 상기 제2 케미칼 공정에서 상기 팬의 회전속도보다 느린 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 케미칼은 인산인 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    기판 처리 공정 중의 이물질과 처리 유체를 배기하는 배기 유닛을 더 포함하고,
    상기 배기 유닛은 상기 컵의 처리 공간을 배기하는 제1 배기 부재 및 상기 하우징과 상기 컵 사이의 공간을 배기하는 제2 배기 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 하강 기류가 제공되는 처리 공간 내에서 기판에 복수의 처리 유체를 순차적으로 공급하여 기판을 처리하되, 상기 처리 유체의 종류에 따라 상기 하강 기류의 속도가 변동되는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 처리 유체는 프리웨트(Pre-Wet)액 및 케미칼을 포함하고,
    상기 케미칼 공급시 상기 하강 기류의 속도가 상기 프리웨트(Pre-Wet)액 공급시 상기 하강 기류의 속도보다 느린 기판 처리 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 처리 유체는 케미칼 및 린스액을 포함하고,
    상기 케미칼 공급시 상기 하강 기류의 속도가 상기 린스액 공급시 상기 하강 기류의 속도보다 느린 기판 처리 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 처리 유체는 케미칼 및 건조 유체를 포함하고,
    상기 케미칼 공급시 상기 하강 기류의 속도가 상기 건조 유체 공급시 상기 하강 기류의 속도보다 느린 기판 처리 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 처리 유체는 케미칼, 린스액 및 건조 유체를 포함하고,
    상기 케미칼 공급시 상기 하강 기류의 속도가 상기 린스액 및 건조 유체를 공급시 상기 하강 기류의 속도보다 느린 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 처리 유체는 프리웨트(Pre-Wet)액을 더 포함하고,
    상기 프리웨트(Pre-Wet)액 공급시 상기 하강 기류의 속도는 상기 케미칼 공급시 상기 하강 기류의 속도보다 빠르고, 상기 린스액 및 건조 유체 공급시 하강 기류의 속도보다 느린 기판 처리 방법.
  18. 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 케미칼은 인산을 포함하는 기판 처리 방법.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 케미칼은 제1 케미칼 및 제2 케미칼을 포함하되,
    상기 제1 케미칼을 분사하는 제1 케미칼 공정과 상기 제2 케미칼을 분사하는 제2 케미칼 공정 중 어느 하나의 공정의 상기 하강 기류의 속도는 다른 하나의 공정의 상기 하강 기류의 속도보다 느린 기판 처리 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 케미칼 공정은 상기 제2 케미칼 공정보다 흄(Fume) 발생이 많은 공정이고, 상기 제1 케미칼 공정에서 상기 하강 기류의 속도는 상기 제2 케미칼 공정에서 상기 하강 기류의 속도보다 느린 기판 처리 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1 케미칼은 인산인 기판 처리 방법.
  22. 제12항에 있어서,
    기판 처리 공정 중에 상기 처리 공간 내부와 상기 처리 공간 외부를 각각 독립적으로 배기하는 기판 처리 방법.

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