KR20160110217A - Method for producing ceramic structure - Google Patents

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KR20160110217A
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다이치 나카무라
야수히코 와타나베
가즈히로 노보리
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엔지케이 인슐레이터 엘티디
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Abstract

According to the present invention, a ceramic heater (10) has a structure connecting a hollow ceramic shaft (14) to one surface (12b) of a ceramic plate (12) with a wafer arrangement surface (12a). To complete the ceramic heater (10), the method comprises: a polishing process of polishing a hollow ceramic shaft (14) with a diamond wheel (26) by using a water-soluble polishing liquid (30); a washing process of washing a ceramic heater (10) completing the polishing process with cleaning water; and a heating process of heating the ceramic heater (10) completing the washing process. Since mist (34) is sprayed all over the ceramic heater (10) during the polishing process by a mist sprayer (32), a part where the polishing liquid is sprayed among the ceramic heater (10) is kept in a wet state by water or the water-soluble liquid to prevent the part from becoming dry.

Description

세라믹 구조체의 제법{METHOD FOR PRODUCING CERAMIC STRUCTURE}[0001] METHOD FOR PRODUCING CERAMIC STRUCTURE [0002]

본 발명은 세라믹 구조체의 제법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic structure.

에칭 장치나 CVD 장치 등의 반도체 제조 장치에 있어서, 표면이 웨이퍼 배치면인 원반형의 세라믹 플레이트의 이면에 원통형의 세라믹 샤프트를 연결한 구조의 반도체 제조 장치용 부재가 사용되는 경우가 있다. 이러한 반도체 제조 장치용 부재를 제조할 때, 지석으로 평면 연삭 가공이나 원통 연삭 가공 등을 행하는 경우가 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). A semiconductor manufacturing apparatus having a structure in which a cylindrical ceramic shaft is connected to a back surface of a disc-shaped ceramic plate whose surface is a wafer disposing surface is sometimes used in a semiconductor manufacturing apparatus such as an etching apparatus or a CVD apparatus. In manufacturing such a member for a semiconductor manufacturing apparatus, a planar grinding process, a cylindrical grinding process, or the like may be performed with a grinding stone (see, for example, Patent Document 1).

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2007-173596호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-173596

그런데, 연삭 가공시에 수용성의 연삭액을 사용하고, 연삭 가공 후에 반도체 제조 장치용 부재를 물로 세정하며, 그 후 가열하면, 부분적으로 얼룩이 표면화(顯在化)되는 경우가 있었다. 그 원인을 추구한 결과, 연삭 가공시에 연삭액이 부착된 채로 말라 버린 부위는, 연삭 가공 후에 물로 세정해도 연삭액의 성분이 빠지지 않고 잔류하고, 그 잔류 성분이 열에 의해 얼룩으로서 표면화되는 것을 알 수 있었다. 이러한 얼룩이 발생한 반도체 제조 장치용 부재는, 외관상의 검사로 불합격이 되기 때문에, 얼룩을 재가공으로 벗겨내거나, 불량품으로서 폐기하게 된다.However, there has been a case where a water-soluble grinding fluid is used for grinding, the member for semiconductor manufacturing apparatus is cleaned with water after grinding, and then the grinding is heated. As a result of pursuing the cause, it was found that the dried portion of the grinding liquid adhered to the grinding liquid at the time of grinding was left unremoved even when the grinding liquid was cleaned with water after the grinding process, and the residual components were surface- I could. Since a member for a semiconductor manufacturing apparatus in which such a smear occurs is rejected by an apparent inspection, the smear is peeled off by reprocessing or is discarded as a defective product.

본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 세라믹 구조체를 제조할 때, 수용성의 연삭액을 이용하여 연삭 가공을 행한 후, 연삭액에 기인하는 얼룩이 발생하는 것을 방지하는 것을 주목적으로 한다. Disclosure of the Invention The present invention has been made in order to solve these problems, and it is a main object of the present invention to prevent unevenness caused by a grinding liquid from occurring after grinding using a water-soluble grinding fluid when producing a ceramic structure.

본 발명의 세라믹 구조체의 제법은, The production method of the ceramic structural body of the present invention,

세라믹 구조체에 수용성의 연삭액을 이용하여 연삭 가공을 실시하는 연삭 공정과, A grinding step of grinding the ceramic structural body using a water-soluble grinding liquid;

상기 연삭 공정 후의 세라믹 구조체를 세정수로 세정하는 세정 공정과, A cleaning step of cleaning the ceramic structure after the grinding step with cleaning water,

상기 세정 공정 후의 세라믹 구조체를 가열하는 가열 공정A heating step of heating the ceramic structure after the cleaning step

을 포함하는 세라믹 구조체의 제법으로서, Wherein the ceramic structure comprises a ceramic body,

상기 연삭 공정 동안, 상기 세라믹 구조체 중 상기 연삭액이 뿌려진 부위를 물 또는 수용액으로 젖은 상태로 유지하도록 하는 것이다.During the grinding process, the portion of the ceramic structure where the grinding liquid is sprayed is kept wet by water or an aqueous solution.

이 세라믹 구조체의 제법에 의하면, 연삭 공정 후의 세라믹 구조체를 세정수로 세정할 때, 연삭액이 뿌려진 부위는 젖은 상태로 유지되어 있기 때문에, 연삭액을 세정수로 용이하게 씻어 버릴 수 있다. 그 때문에, 세정 공정 후의 세라믹 구조체는, 연삭액의 성분이 잔류하고 있는 부위가 없어, 그 후의 가열 공정에 있어서 연삭액에 기인하는 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.According to the method of manufacturing the ceramic structure, when the ceramic structure after the grinding process is cleaned with the washing water, the portion to which the grinding liquid has been sprayed is kept in a wet state, so that the grinding liquid can be easily washed away with the washing water. Therefore, the ceramic structural body after the cleaning process can prevent the occurrence of unevenness caused by the grinding liquid in the subsequent heating step because there is no part where the components of the grinding liquid remain.

본 발명의 세라믹 구조체의 제법에 있어서, 상기 연삭 공정 도중에, 상기 물 또는 수용액의 미스트를 상기 세라믹 구조체 전체에 뿌리도록 해도 좋다. 이렇게 하면, 연삭액이 뿌려진 부위를 특정하지 않아도, 세라믹 구조체 전체를 젖은 상태로 두기 때문에, 필연적으로 연삭액이 뿌려진 부위는 젖은 상태가 된다. 또한, 미스트를 이용하기 때문에, 폐수가 증가하는 것을 억제할 수 있다.In the production of the ceramic structure of the present invention, the water or the mist of the aqueous solution may be sprayed on the entire ceramic structure during the grinding step. In this case, even if the part where the grinding liquid is sprayed is not specified, since the entire ceramic structure is kept wet, the part where the grinding liquid is sprayed is inevitably wet. Further, since the mist is used, the increase of the wastewater can be suppressed.

본 발명의 세라믹 구조체의 제법에 있어서, 상기 연삭액은, 트리에탄올아민 및/또는 메틸디에탄올아민을 포함하고 있어도 좋다. 이러한 종류의 연삭액이 뿌려진 부위는 마른 후 세정수로 세정하려고 해도 잔류하기 쉽기 때문에, 본 발명을 적용하는 의의가 높다. In the production of the ceramic structural body of the present invention, the grinding liquid may contain triethanolamine and / or methyldiethanolamine. This kind of grinding liquid sprayed portion is liable to remain even after cleaning with cleaning water after drying, so the application of the present invention is significant.

본 발명의 세라믹 구조체의 제법에 있어서, 상기 연삭 공정 도중에, 상기 수용액으로서 상기 연삭액을 이용하여 상기 연삭액이 뿌려진 부위를 젖은 상태로 유지하도록 해도 좋다. 이렇게 하면, 연삭 공정 후의 폐수는 연삭액이기 때문에, 그 폐수를 회수하여 그대로 연삭액으로서 재사용하는 것이 용이해진다.In the method of manufacturing the ceramic structure of the present invention, during the grinding process, the grinding liquid may be used as the aqueous solution to keep the portion to which the grinding liquid has been sprayed wet. In this way, since the wastewater after the grinding process is a grinding liquid, it is easy to recover the wastewater and reuse it as it is.

본 발명의 세라믹 구조체의 제법에 있어서, 상기 세라믹 구조체는, 표면이 웨이퍼 배치면인 세라믹 플레이트의 이면에 세라믹 샤프트를 연결한 구조의 반도체 제조 장치용 부재여도 좋다. 이러한 반도체 제조 장치용 부재는, 형상이 비교적 복잡하기 때문에, 연삭 공정에서 비산한 연삭액이 뿌려진 부위가 그대로 말라 버리는 경우가 많기 때문에, 본 발명을 적용하는 의의가 높다. In the production of the ceramic structural body of the present invention, the ceramic structural body may be a member for a semiconductor manufacturing apparatus having a structure in which a ceramic shaft is connected to a back surface of a ceramic plate whose surface is a wafer placement surface. Since such a member for a semiconductor manufacturing apparatus is relatively complicated in shape, the portion scattered by the grinding liquid scattered in the grinding process often dries down as it is, so the application of the present invention is significant.

도 1은 세라믹 히터(10)를 금속 지그(20)에 고정하는 모습을 도시한 설명도이다.
도 2는 세라믹 히터(10)를 원통 연삭하는 모습을 도시한 설명도이다.
도 3은 세라믹 히터(10)를 세정하는 모습을 도시한 설명도이다.
도 4는 가열하여 금속 지그(20)로부터 세라믹 히터(10)를 떼어내는 모습을 도시한 설명도이다. 1 is an explanatory view showing a state in which the ceramic heater 10 is fixed to the metal jig 20. Fig.
2 is an explanatory view showing a state in which the ceramic heater 10 is subjected to cylindrical grinding.
3 is an explanatory diagram showing a state in which the ceramic heater 10 is cleaned.
4 is an explanatory view showing a state in which the ceramic heater 10 is removed from the metal jig 20 by heating.

다음으로, 본 발명의 세라믹 구조체의 제법 순서의 일례를 도면을 이용하여 이하에 설명한다. 도 1은 세라믹 구조체의 일례를 나타내는 세라믹 히터(10)를 금속 지그(20)에 고정하는 모습을 도시한 설명도이고, 도 2는 세라믹 히터(10)를 원통 연삭하는 모습을 도시한 설명도이며, 도 3은 세라믹 히터(10)를 세정하는 모습을 도시한 설명도이고, 도 4는 가열하여 금속 지그(20)로부터 세라믹 히터(10)를 떼어내는 모습을 도시한 설명도이다. Next, an example of the manufacturing method of the ceramic structural body of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing a state in which a ceramic heater 10 showing an example of a ceramic structure is fixed to a metal jig 20, and FIG. 2 is an explanatory view showing a state in which the ceramic heater 10 is subjected to cylindrical grinding FIG. 3 is an explanatory view showing a state in which the ceramic heater 10 is cleaned, and FIG. 4 is an explanatory view showing a state in which the ceramic heater 10 is removed from the metal jig 20 by heating.

세라믹 히터(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마를 이용하여 CVD나 에칭 등을 행하는 웨이퍼를 가열하기 위해서 이용되는 것이며, 도시하지 않은 반도체 프로세스용 챔버의 내부에 부착하여 사용하는 것이다. 이 세라믹 히터(10)는, 웨이퍼를 배치할 수 있는 웨이퍼 배치면(12a)을 갖는 세라믹 플레이트(12)와, 세라믹 플레이트(12)의 웨이퍼 배치면(12a)과는 반대측의 면(12b)에 접합된 중공 세라믹 샤프트(14)를 구비하고 있다. As shown in Fig. 1, the ceramic heater 10 is used for heating a wafer to be subjected to CVD, etching, or the like using plasma, and is attached to the inside of a semiconductor process chamber (not shown). This ceramic heater 10 has a ceramic plate 12 having a wafer placing face 12a on which a wafer can be placed and a ceramic plate 12 on the face 12b opposite to the wafer placing face 12a of the ceramic plate 12 And a jointed hollow ceramic shaft 14.

세라믹 플레이트(12)는, AlN을 주성분으로 하는 백색의 원판 부재이다. 이 세라믹 플레이트(12)에는, 도시하지 않은 히터 전극이 매설되어 있다. 히터 전극은, Mo를 주성분으로 하는 코일을 세라믹 플레이트(12)의 전면(全面)에 걸쳐 끊김 없이 배선한 것이다. 웨이퍼 배치면(12a)은, 세라믹 플레이트(12)의 표면에 오목 형상으로 형성되어 있다.The ceramic plate 12 is a white disk member having AlN as a main component. A heater electrode (not shown) is buried in the ceramic plate 12. The heater electrode is formed by laminating a coil having Mo as a main component over the entire surface of the ceramic plate 12 without interruption. The wafer placing surface 12a is formed on the surface of the ceramic plate 12 in a concave shape.

중공 세라믹 샤프트(14)는, AlN으로 하는 백색의 원통 부재이며, 한쪽 개구 주위에 제1 플랜지(14a), 다른쪽 개구 주위에 제2 플랜지(14b)를 갖고 있다. 제1 플랜지(14a)의 단부면은, 세라믹 플레이트(12)의 면(12b)에 고상(固相) 접합에 의해 접합되어 있다. The hollow ceramic shaft 14 is a white cylindrical member made of AlN and has a first flange 14a around one opening and a second flange 14b around the other opening. The end face of the first flange 14a is bonded to the face 12b of the ceramic plate 12 by solid phase bonding.

이러한 세라믹 히터(10)는, 금속 지그 부착 공정, 연삭 공정, 세정 공정, 가열 공정을 거쳐, 최종적으로 완성품이 된다. 이하, 각 공정에 대해 설명한다.The ceramic heater 10 is finally manufactured through a metal jig attaching step, a grinding step, a cleaning step, and a heating step. Each step will be described below.

·금속 지그 부착 공정(도 1 참조)· Metal jig attaching process (see FIG. 1)

금속 지그(20)는, 대직경 원판(22)에 소직경 원판(24)이 동축이 되도록 적층 고정된 것이다. 이 금속 지그(20)의 대직경 원판(22)의 표면에 왁스를 도포하고, 그 왁스를 도포한 표면을 세라믹 히터(10)의 웨이퍼 배치면(12a)에 밀어붙여 가열한 후 냉각한다. 이에 의해, 세라믹 히터(10)의 웨이퍼 배치면(12a)에 금속 지그(20)의 대직경 원판(22)이 접착된다. 한편, 왁스 대신에 유기 접착제를 이용해도 좋다. The metal jig 20 is laminated and fixed so that the small-diameter disk 24 is coaxial with the large-diameter disk 22. The surface of the large-diameter circular plate 22 of the metal jig 20 is coated with wax and the surface coated with the wax is pressed against the wafer placement surface 12a of the ceramic heater 10 and heated. Thereby, the large-diameter circular plate 22 of the metal jig 20 is bonded to the wafer placing surface 12a of the ceramic heater 10. [ On the other hand, an organic adhesive may be used instead of the wax.

·연삭 공정(도 2 참조)The grinding process (see Fig. 2)

금속 지그(20)의 대직경 원판(22)에 고정된 세라믹 히터(10)를 중공 세라믹 샤프트(14)의 축이 수평이 되도록 하여, 금속 지그(20)의 소직경 원판(24)을 원통 연삭기의 회전체(50)에 부착한다. 그리고, 원통 연삭기의 회전체(50)를 회전시킴으로써, 세라믹 히터(10)를 회전시킨다. 그와 함께, 원통형의 다이아몬드 지석(26)을 축 회전시키면서, 중공 세라믹 샤프트(14)의 외면을 따라 제1 플랜지(14a)로부터 제2 플랜지(14b)까지 이동시킨다(점선 화살표 참조). 이때, 다이아몬드 지석(26)과 중공 세라믹 샤프트(14)의 접촉면에 급액기(給液機; 28)로부터 연삭액(30)을 분무하면서 다이아몬드 지석(26)을 이동시킨다. 연삭액(30)은, 방청제로서 트리에탄올아민이나 메틸디에탄올아민을 포함하는 것 외에, 계면 활성제를 포함하는 것을 이용한다. 연삭 가공 중, 세라믹 히터(10)의 상방에 배치된 스프레이 분무 방식의 미스트 살포기(32)에 의해, 순수의 미스트(34)를 세라믹 히터(10) 전체에 뿌리도록 한다. 미스트 살포기(32)는, 파이프에 다수의 구멍을 형성한 것이며, 파이프에 물을 가압 공급함으로써 구멍으로부터 순수가 세라믹 히터(10)를 향해 안개 형상으로 분사되는 장치이다. 연삭액(30)은, 중공 세라믹 샤프트(14)의 연삭 대상 부위에 분무되지만, 그 중 일부가 비산하여 세라믹 플레이트(12)에 뿌려지거나 중공 세라믹 샤프트(14)의 연삭 대상 부위 이외의 부위에 뿌려지는 경우가 있다. 그 때문에, 미스트 살포기(32)에 의해 순수의 미스트(34)를 세라믹 히터(10) 전체에 뿌리도록 함으로써, 연삭액(30)이 뿌려진 부위를 젖은 상태로 유지하도록 한다. 한편, 여기서는, 연삭액(30)을 회수하는 라인과 미스트(34)를 회수하는 라인을 동일 라인으로 한다. The ceramic heater 10 fixed to the large diameter circular plate 22 of the metal jig 20 is horizontally aligned with the axis of the hollow ceramic shaft 14 so that the small diameter circular plate 24 of the metal jig 20 is rotated by a cylindrical grinder To the rotating body (50). Then, the ceramic heater 10 is rotated by rotating the rotating body 50 of the cylindrical grinding machine. Along therewith, while rotating the cylindrical diamond grindstone 26, the first flange 14a is moved from the first flange 14a to the second flange 14b along the outer surface of the hollow ceramic shaft 14 (see a dotted arrow). At this time, the diamond grinding wheel 26 is moved while spraying the grinding liquid 30 from the supply unit 28 to the contact surface between the diamond grinding wheel 26 and the hollow ceramic shaft 14. [ The grinding liquid 30 contains triethanolamine or methyldiethanolamine as a rust preventive agent, and further contains a surfactant. The pure mist 32 is sprayed over the entire ceramic heater 10 by the spray mist type mist spreader 32 disposed above the ceramic heater 10 during the grinding process. The mist disperser 32 is a device in which a plurality of holes are formed in a pipe, and pure water is injected from the holes into the ceramic heater 10 in a mist shape by supplying water to the pipe. The grinding liquid 30 is sprayed on the grinding target portion of the hollow ceramic shaft 14 but a part of the grinding liquid 30 is scattered to the ceramic plate 12 or sprinkled on the portion of the hollow ceramic shaft 14 other than the grinding target portion . Therefore, pure mist 34 is sprayed to the entire ceramic heater 10 by the mist disperser 32, so that the sprayed portion of the grinding liquid 30 is maintained in a wet state. On the other hand, here, the line for collecting the grinding liquid 30 and the line for collecting the mist 34 are the same line.

중공 세라믹 샤프트(14)를 연삭하는 것은, 접합 후의 최종의 형상을 갖추기 위함이다. 연삭하면, 세라믹 샤프트(14)의 두께가 얇아진다. 그 결과, 웨이퍼로부터 세라믹 샤프트(14)를 통해 빠져나가는 열이 적어져, 웨이퍼를 고르게 가열할 수 있게 된다. The hollow ceramic shaft 14 is ground to achieve the final shape after joining. By grinding, the thickness of the ceramic shaft 14 becomes thinner. As a result, heat escaping from the wafer through the ceramic shaft 14 is reduced, and the wafer can be heated evenly.

·세정 공정(도 3 참조) · Cleaning process (see FIG. 3)

연삭 가공 후의 세라믹 히터(10)를 금속 지그(20)를 통해 원통 연삭기의 회전체(50)에 부착한 채로, 미스트 살포기(32)를 살수기(36)로 교환하고, 회전체(50)를 회전시킴으로써 세라믹 히터(10)를 회전시키면서, 살수기(36)로부터 다량의 세정수(예컨대 순수)(38)를 세라믹 히터(10)를 향해 분사하여 세라믹 히터(10) 전체를 세정수(38)로 씻어 버린다. 즉, 중공 세라믹 샤프트(14)의 외면 외에, 세라믹 플레이트(12)의 외면도 세정수(38)로 씻어 버린다. 한편, 수량(水量)을 조절할 수 있는 미스트 살포기(32)를 이용하는 경우에는, 살수기(36)로 교환하지 않고, 미스트 살포시의 수량과 비교해서 많이 큰 수량으로 조절하여 세라믹 히터(10)를 세정해도 좋다. The ceramic heater 10 after the grinding process is attached to the rotating body 50 of the cylindrical grinding machine through the metal jig 20 and the mist disperser 32 is exchanged with the sprinkler 36 to rotate the rotating body 50 A large amount of washing water (for example, pure water) 38 is sprayed toward the ceramic heater 10 from the sprinkler 36 while rotating the ceramic heater 10 to wash the entire ceramic heater 10 with the washing water 38 Throw away. That is, in addition to the outer surface of the hollow ceramic shaft 14, the outer surface of the ceramic plate 12 is also rinsed with the washing water 38. On the other hand, in the case of using the mist disperser 32 capable of controlling the amount of water (the amount of water), the ceramic heater 10 can be cleaned by adjusting the amount of the mist dispersed in the mist good.

·가열 공정(도 4 참조)The heating process (see Fig. 4)

세정 공정 후의 세라믹 히터(10)를 원통 연삭기의 회전체(50)로부터 떼어내고, 금속 지그(20)가 접착된 세라믹 히터(10)를 왁스의 용융 온도 이상으로 가열한다. 왁스가 용융된 후, 금속 지그(20)에 대해 세라믹 히터(10)를 들어올림으로써(흰 화살표 참조), 금속 지그(20)로부터 세라믹 히터(10)를 떼어낸다. The ceramic heater 10 after the cleaning process is detached from the rotating body 50 of the cylindrical grinder and the ceramic heater 10 to which the metal jig 20 is bonded is heated to the melting temperature or higher of the wax. After the wax is melted, the ceramic heater 10 is removed from the metal jig 20 by lifting the ceramic heater 10 against the metal jig 20 (see a white arrow).

이상 설명한 세라믹 히터(10)의 제법에 의하면, 연삭 공정 후의 세라믹 히터(10)를 세정수(38)로 세정할 때, 연삭액(30)이 뿌려진 부위는 젖은 상태로 유지되어 있기 때문에, 연삭액(30)을 세정수로 용이하게 씻어 버릴 수 있다. 그 때문에, 세정 공정 후의 세라믹 히터(10)는, 연삭액(30)의 성분이 잔류하고 있는 부위가 없어, 그 후의 가열 공정에 있어서 연삭액(30)에 기인하는 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다. According to the above-described manufacturing method of the ceramic heater 10, when the ceramic heater 10 after the grinding process is cleaned with the cleaning water 38, the portion to which the grinding liquid 30 is sprayed is maintained in a wet state, (30) can be easily washed away with washing water. Therefore, the ceramic heater 10 after the cleaning process can prevent the occurrence of unevenness caused by the grinding liquid 30 in the subsequent heating process because there is no part where the components of the grinding liquid 30 remain .

또한, 연삭 공정 도중에, 미스트(34)를 세라믹 히터(10) 전체에 뿌리도록 했기 때문에, 연삭액(30)이 뿌려진 부위를 특정하지 않아도 그 부위는 필연적으로 젖은 상태가 된다. 또한, 미스트(34)를 이용하기 때문에, 폐수가 증가하는 것을 억제할 수 있다. In addition, since the mist 34 is sprayed over the ceramic heater 10 during the grinding process, the portion is inevitably wetted even if the grinding liquid 30 is not specified. Further, since the mist 34 is used, the increase of the wastewater can be suppressed.

또한, 연삭액(30)은, 트리에탄올아민이나 메틸디에탄올아민을 포함하는 것이며, 연삭액(30)이 뿌려진 부위는 마른 후 세정수로 세정하려고 해도 잔류하기 쉽기 때문에, 본 발명을 적용하는 의의가 높다.Further, the grinding liquid 30 contains triethanolamine or methyldiethanolamine. Since the portion to which the grinding liquid 30 is sprayed is likely to remain even after cleaning with the washing water after drying, the significance of applying the present invention high.

한편, 본 발명은 전술한 실시형태에 조금도 한정되는 일은 없으며, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러 가지 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms within the technical scope of the present invention.

예컨대, 전술한 실시형태에서는, 연삭 공정에 있어서, 미스트 살포기(32)로부터 순수의 미스트(34)를 살포하였으나, 순수 대신에 연삭액을 미스트(34)로서 살포해도 좋다. 이렇게 하면, 연삭 공정 후의 폐수는 연삭액이기 때문에, 그 폐수를 회수하여 그대로 연삭액으로서 재사용하는 것이 용이해진다.For example, in the above-described embodiment, the mist 34 is sprayed from the mist disperser 32 in the grinding step, but the grinding liquid may be sprayed as mist 34 instead of pure water. In this way, since the wastewater after the grinding process is a grinding liquid, it is easy to recover the wastewater and reuse it as it is.

전술한 실시형태에서는, 가열 공정으로서, 금속 지그(20)를 떼어내기 위해서 왁스의 용융 온도 이상으로 가열하는 공정을 예시하였으나, 예컨대, 단자 접합 공정을 가열 공정으로 간주해도 좋다. 단자 접합 공정에서는, 세라믹 히터(10)를 접합로(接合爐)에 넣고, 세라믹 플레이트(12)의 면(12b)으로부터 도시하지 않은 히터 전극에 이르도록 형성된 구멍에 땜납재를 통해 단자를 배치하며, 고온으로 가열하여 단자를 히터 전극에 땜납 접합한다. 그 경우, 접합로를 진공 상태로 하지만, 세라믹 히터(10)에 연삭액이 잔류하고 있으면, 얼룩의 발생 원인이 될 뿐만이 아니라, 진공도가 저하되어 진공화의 리드 타임이 길어지거나, 단자 접합의 품질이 저하될 우려가 있다. 본 발명에 의하면, 이러한 우려도 해소된다.In the above-described embodiment, as the heating step, the step of heating the wax to a melting temperature or more of the wax for removing the metal jig 20 is exemplified. However, for example, the terminal bonding step may be regarded as a heating step. In the terminal joining step, the ceramic heater 10 is placed in a joining furnace and a terminal is disposed through a solder material in a hole formed so as to reach a heater electrode (not shown) from the surface 12b of the ceramic plate 12 , And heated to a high temperature to solder the terminal to the heater electrode. In this case, if the joining furnace is in a vacuum state and the grinding liquid remains in the ceramic heater 10, not only the cause of stains but also the degree of vacuum and the lead time for evacuation are increased, May be deteriorated. According to the present invention, such a concern is solved.

전술한 실시형태에서는, 원통 연삭기로 중공 세라믹 샤프트(14)의 외면을 연삭하였으나, 세라믹 히터(10)의 다른 장소[예컨대 웨이퍼 배치면(12a) 등]를 연삭해도 좋다. 그 경우에도, 연삭 공정으로부터 세정 공정으로 옮겨가기까지의 도중에, 세라믹 히터(10) 중 연삭액이 뿌려진 부위가 마르지 않도록 젖은 상태로 하면, 연삭액(30)에 기인하는 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.In the above-described embodiment, the outer surface of the hollow ceramic shaft 14 is ground with a cylindrical grinder, but other places of the ceramic heater 10 (e.g., the wafer placement surface 12a) may be ground. Even in this case, if the ceramic heater 10 is wet so that the portion to which the grinding liquid is sprayed does not dry during the period from the grinding step to the cleaning step, the occurrence of stains due to the grinding liquid 30 can be prevented have.

전술한 실시형태에서는, 연삭 가공 중, 스프레이 분무 방식의 미스트 살포기(32)에 의해 미스트(34)를 세라믹 히터(10) 전체에 뿌리도록 하였으나, 스프레이 분무 방식 대신에 스프링클러 방식을 채용해도 좋다.In the above-described embodiment, the mist 34 is sprayed over the entire ceramic heater 10 by the mist sprayer 32 of the spray spraying type during grinding, but a sprinkler method may be employed instead of the spray spraying method.

전술한 실시형태에서는, 연삭액(30)을 회수하는 라인과 미스트(34)를 회수하는 라인을 동일 라인으로 하였으나, 양자를 각각의 라인으로 회수해도 좋다. 이렇게 하면, 연삭액(30)을 미스트(34)로 묽게 하지 않고 회수할 수 있기 때문에, 회수한 연삭액(30)을 재이용하기 쉬워진다.In the above-described embodiment, the line for collecting the grinding liquid 30 and the line for collecting the mist 34 are the same line, but both may be collected in each line. In this way, the grinding liquid 30 can be recovered without being diluted with the mist 34, so that the recovered grinding liquid 30 can be easily reused.

전술한 실시형태에서는, AlN제의 세라믹 히터(10)를 예시하였으나, 특별히 AlN제에 한정되는 것은 아니며, 다른 세라믹(예컨대 알루미나 등)으로 제조된 것이어도 좋다. 특히 백색의 세라믹의 경우, 얼룩이 눈에 띄기 때문에, 본 발명의 제법을 채용하는 의의가 높다.In the above-described embodiment, the ceramic heater 10 made of AlN is exemplified. However, the ceramic heater 10 is not limited to AlN, but may be made of other ceramics (such as alumina). Particularly, in the case of white ceramics, since the unevenness is noticeable, the production method of the present invention is highly significant.

전술한 실시형태에서는, 세라믹 구조체로서 세라믹 히터(10)를 예시하였으나, 정전 척이나 써셉터 등의 다른 반도체 제조 장치용 부재로 해도 좋다. 또한, 반도체 제조 장치용 부재 이외의 세라믹 구조체여도 좋다.Although the ceramic heater 10 is exemplified as the ceramic structure in the above-described embodiment, it may be a member for another semiconductor manufacturing apparatus such as an electrostatic chuck or a susceptor. It may also be a ceramic structure other than members for semiconductor manufacturing apparatuses.

전술한 실시형태에서는, 세정 공정을 연삭 공정에 이어서 원통 연삭기로 행하도록 하였으나, 연삭 공정에서 세라믹 히터(10)를 원통 연삭기로부터 떼어내어 세정조에 넣고, 세정조 내에서 세정수를 뿌려 세정해도 좋다. 그때, 스펀지 등으로 문지르면서 세정수를 뿌려도 좋다. 스펀지 문지르기는 설비에 기능을 마련하여 자동화해도 좋다.In the above-described embodiment, the cleaning step is performed by a cylindrical grinding machine following the grinding step. However, the ceramic heater 10 may be removed from the cylindrical grinding machine in the grinding step and put into the cleaning bath. At that time, rinse with a sponge and rinse with water. The sponge rubbing machine may be automated by providing a function to the equipment.

전술한 실시형태에서는, 원통 연삭기를 예시하였으나, 특별히 원통 연삭기에 한정되는 것은 아니며, 최종 가공면을 연삭하는 장치이면 어떠한 장치여도 좋다. 그러한 장치로서는, 예컨대, 머시닝 센터나 수직형 복합 연삭기 등을 들 수 있다. Although a cylindrical grinding machine is exemplified in the above-described embodiment, it is not limited to a cylindrical grinding machine in particular, and any device may be used as long as it is an apparatus for grinding the final machined surface. As such an apparatus, for example, a machining center or a vertical type multiple grinding machine can be cited.

10: 세라믹 히터 12: 세라믹 플레이트
12a: 웨이퍼 배치면 12b: 웨이퍼 배치면의 반대측의 면
14: 중공 세라믹 샤프트 14a: 플랜지
14b: 플랜지 20: 금속 지그
22: 대직경 원판 24: 소직경 원판
26: 다이아몬드 지석 28: 급액기
30: 연삭액 32: 미스트 살포기
34: 미스트 36: 살수기
38: 세정수 50: 회전체10: ceramic heater 12: ceramic plate
12a: Wafer placing face 12b: Face on the opposite side of the wafer placing face
14: hollow ceramic shaft 14a: flange
14b: flange 20: metal jig
22: large diameter disc 24: small diameter disc
26: Diamond grinding wheel 28:
30: grinding liquid 32: mist spreader
34: Mist 36: Sprinkler
38: washing water 50: rotating body

Claims (5)

세라믹 구조체에 수용성의 연삭액을 이용하여 연삭 가공을 실시하는 연삭 공정과,
상기 연삭 공정 후의 세라믹 구조체를 세정수로 세정하는 세정 공정과,
상기 세정 공정 후의 세라믹 구조체를 가열하는 가열 공정
을 포함하는 세라믹 구조체의 제법으로서,
상기 연삭 공정 도중에, 상기 세라믹 구조체 중 상기 연삭액이 뿌려진 부위를 물 또는 수용액으로 젖은 상태로 유지하도록 하는 것인 세라믹 구조체의 제법. A grinding step of grinding the ceramic structural body using a water-soluble grinding liquid;
A cleaning step of cleaning the ceramic structure after the grinding step with cleaning water,
A heating step of heating the ceramic structure after the cleaning step
Wherein the ceramic structure comprises a ceramic body,
Wherein during the grinding process, the portion of the ceramic structure that is ground with the grinding liquid is kept wet by water or an aqueous solution. 제 1항에 있어서,
상기 연삭 공정 도중에, 상기 물 또는 수용액의 미스트를 상기 세라믹 구조체 전체에 뿌리도록 하는 것인 세라믹 구조체의 제법. The method according to claim 1,
Wherein the water or the mist of the aqueous solution is sprayed on the entire ceramic structure during the grinding process. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 연삭액은, 트리에탄올아민 및 메틸디에탄올아민 중 하나 이상을 포함하는 것인 세라믹 구조체의 제법. 3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the grinding liquid contains at least one of triethanolamine and methyldiethanolamine. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 연삭 공정 도중에, 상기 수용액으로서 상기 연삭액을 이용하여 상기 연삭액이 뿌려진 부위를 젖은 상태로 유지하도록 하는 것인 세라믹 구조체의 제법. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein during the grinding step, the grinding liquid is used as the aqueous solution to keep the portion to which the grinding liquid is sprayed in a wet state. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세라믹 구조체는, 표면이 웨이퍼 배치면인 세라믹 플레이트의 이면에 세라믹 샤프트를 연결한 구조의 반도체 제조 장치용 부재인 것인 세라믹 구조체의 제법.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the ceramic structural body is a member for a semiconductor manufacturing apparatus having a structure in which a ceramic shaft is connected to a back surface of a ceramic plate whose surface is a wafer placement surface.
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