KR20160109775A - Touch panel with a sapphire substrate and manufacturing method therof - Google Patents

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KR20160109775A KR1020150034822A KR20150034822A KR20160109775A KR 20160109775 A KR20160109775 A KR 20160109775A KR 1020150034822 A KR1020150034822 A KR 1020150034822A KR 20150034822 A KR20150034822 A KR 20150034822A KR 20160109775 A KR20160109775 A KR 20160109775A
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Abstract

The present invention relates to a touch panel using a sapphire substrate as a window and a manufacturing method thereof. The touch panel includes a transparent electrode pattern on a sapphire substrate, wherein the transparent electrode pattern is made of an Ag alloy thin film in which one or two or more selected from Fe, Cr, and Mo are added to Ag, thereby simplifying a structure of a transparent electrode thin film forming the touch panel to reduce a manufacturing cost while increasing light transmissivity.

Description

사파이어 기판을 이용한 터치패널 및 그 제조방법{TOUCH PANEL WITH A SAPPHIRE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEROF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a touch panel using a sapphire substrate and a manufacturing method thereof,

본 발명은 사파이어 기판을 윈도우로 이용한 터치패널과 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a touch panel using a sapphire substrate as a window and a manufacturing method thereof.

정전용량 방식의 터치패널은 그 구조에 따라 필름 라미네이트 타입, 글라스 라이네이트 타입, 윈도우 일체형, 디스플레이 일체형으로 나눌 수 있다.Capacitive type touch panels can be classified into film laminate type, glass lanthate type, window integral type, and display integrated type depending on their structure.

그런데 종래 방식의 터치패널 대부분은 투명전극(ITO), 광학접착체(OCA 또는 OCR), 필름 등이 중첩된 다중 구조로 이루어져 광학 특성이 저하되고, 복잡한 공정에 따라 결함 발생 가능성이 높다는 문제점이 있었다.However, most of the conventional touch panels have a multi-layer structure in which a transparent electrode (ITO), an optical adhesive (OCA or OCR), a film and the like are superimposed on each other to degrade optical characteristics, .

모바일 기기에 사용되는 터치패널의 윈도우로는 소다라임(soda lime)을 기초로 나트륨 이온의 교환 및 강화 열처리로 광투과율과 강도를 향상시킨 코닝(Corning) 사의 고릴라 글라스가 많이 사용되고 있다. 그러나 고릴라 글라스 역시 표면 경도가 낮아 표면에 스크래치가 많이 발생하고 충격에 매우 취약하여 제품의 신뢰성이 낮다는 문제점이 있었다. 또한 기존 강화처리된 고릴라 글라스 상에 ITO 박막을 스퍼터링하여 증착하는 경우, 저온 증착시 증착 시간이 많이 소요되어 생산성이 낮고, 고온 증착시 강도가 낮아지는 문제점이 있었다.Corning's gorilla glasses, which have improved light transmittance and strength by exchanging sodium ions and reinforcing heat treatment on the basis of soda lime, are widely used as windows for touch panels used in mobile devices. However, the gorilla glass also has a problem that the surface hardness is low and scratches are generated on the surface thereof and the product is very unstable because of its very low impact. Further, when the ITO thin film is deposited by sputtering on the existing tempered gorilla glass, it takes a long time for deposition at low temperature deposition, resulting in low productivity and low strength at high temperature deposition.

최근에 기존의 글라스보다 강도가 우수한 사파이어 소재로 대체하고자 하는 기술개발이 활발하게 이루어지고 있다. 그러나, 사파이어 소재 가격이 기존 글라스에 비해 약 3배 이상 고가라는 문제점이 있었다. 특히, 사파이어 기판은 글라스에 비하여 광투과율이 낮기 때문에 투명 터치패널에 적용하기 위해서는 광투율의 개선이라는 기술적 문제가 남아있어 상용화가 지연되고 있는 실정이다.In recent years, the development of technologies to replace sapphire materials having higher strength than those of conventional glasses has been actively carried out. However, there is a problem that the price of the sapphire material is about three times higher than that of the conventional glass. In particular, since the sapphire substrate has a lower light transmittance than glass, there is a technical problem of improving the transmittance of light to be applied to a transparent touch panel, so commercialization is delayed.

상술한 배경 기술상의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 사파이어 기판을 이용한 터치패널과 그 제조방법은, 윈도우로 사용되는 사파이어 기판 상에 투명전극박막 구조를 단순화시켜 가격 경쟁력을 높이면서도 광투과율을 향상시키는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention provides a touch panel using a sapphire substrate and a method of fabricating the sapphire substrate, which simplifies the structure of a transparent electrode thin film on a sapphire substrate used as a window to improve light transmittance while improving cost competitiveness. As a technical task.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사파이어 기판을 이용한 터치패널은, 윈도우로 사용되는 사파이어 기판; 및 상기 사파이어 기판 상에 Ag 합금 박막으로 이루어진 1 이상의 투명전극패턴; 을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a touch panel using a sapphire substrate comprising: a sapphire substrate used as a window; And at least one transparent electrode pattern made of an Ag alloy thin film on the sapphire substrate; .

바람직하게, 상기 사파이어기판 상에 형성된 제1 투명전극패턴; 상기 제1 투명전극패턴 상에 형성된 절연층; 및 상기 절연층 상에 형성된 제2 투명전극패턴; 을 더 포함하고, 상기 제1, 제2 투명전극패턴 중 적어도 어느 하나는 Ag 합금 박막으로 이루어진다.Preferably, the first transparent electrode pattern formed on the sapphire substrate; An insulating layer formed on the first transparent electrode pattern; And a second transparent electrode pattern formed on the insulating layer; And at least one of the first and second transparent electrode patterns is made of an Ag alloy thin film.

바람직하게, 상기 Ag 합금 박막은, Ag에 Fe, Cr, Mo 중에서 선택되는 어느 하나 또는 2 이상이 첨가된다. 이때, Ag 합금 박막은, Ag에 대하여 Fe, Cr, Mo 중에서 선택되는 어느 하나 또는 2 이상의 혼합량이 0.05~7at%가 되도록 첨가된다.Preferably, the Ag alloy thin film is one or more selected from the group consisting of Fe, Cr, and Mo. At this time, the Ag alloy thin film is added so that the mixing amount of any one selected from Fe, Cr, and Mo is 0.05 to 7 at% for Ag.

바람직하게, 상기 절연층은, Si3N4로 이루어진다.Preferably, the insulating layer is made of Si 3 N 4 .

바람직하게, 상기 제1, 제2 투명전극패턴의 두께는 3~5nm이고, 상기 절연층의 두께는 10~60nm이다.Preferably, the thickness of the first and second transparent electrode patterns is 3 to 5 nm, and the thickness of the insulating layer is 10 to 60 nm.

바람직하게, 상기 사파이어 기판과 상기 제1 투명전극패턴 사이에 형성된 SiO2 층; 을 더 포함한다.Preferably, a SiO 2 layer is formed between the sapphire substrate and the first transparent electrode pattern. .

바람직하게, 상기 제2 투명전극패턴 상에 형성된 SiO2 층; 을 더 포함하다.Preferably, the SiO 2 layer is formed on the second transparent electrode pattern. .

바람직하게, 상기 제1 투명전극패턴이 형성된 사파이어 기판의 다른 일면 상에 SiO2 층이 형성된다.Preferably, an SiO 2 layer is formed on the other surface of the sapphire substrate on which the first transparent electrode pattern is formed.

본 발명에 의한 터치패널 제조방법은, 윈도우로 사용되는 사파이어 기판 상에 Ag 합금 박막으로 이루어지는 1 이상의 투명전극패턴을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극패턴 상에 절연층을 형성하는 단계; 를 포함한다.A method of manufacturing a touch panel according to the present invention includes: forming at least one transparent electrode pattern made of a Ag alloy thin film on a sapphire substrate used as a window; And forming an insulating layer on the transparent electrode pattern. .

바람직하게, 윈도우로 사용되는 사파이어 기판 상에 제1 투명전극패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 투명전극패턴 상에 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 절연층 상에 제2 투명전극패턴을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 제1, 제2 투명전극패턴 중 적어도 어느 하나는 Ag 합금 박막으로 이루어진다.Preferably, a first transparent electrode pattern is formed on a sapphire substrate used as a window; Forming an insulating layer on the first transparent electrode pattern; And forming a second transparent electrode pattern on the insulating layer. And at least one of the first and second transparent electrode patterns is made of an Ag alloy thin film.

본 발명에 의하면 사파이어 기판 상에 Ag 합금 박막으로 이루어진 투명전극패턴을 형성함으로써 투명전극구조를 단순화시킴으로써 단가가 상대적으로 높은 사파이어 기판을 사용하면서도 전체 제조 비용을 절감함과 동시에 광투과율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the present invention, by forming the transparent electrode pattern made of the Ag alloy thin film on the sapphire substrate, the transparent electrode structure is simplified, so that the total manufacturing cost can be reduced while using the sapphire substrate having a relatively high unit price, There are advantages.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 터치패널의 구조를 나타낸 도면.
도 2는 X축과 Y축 투명전극패턴 구성도.
도 3은 본 발명을 구성하는 투명전극패턴의 결정구조를 나타낸 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a structure of a touch panel according to an embodiment of the present invention. FIG.
Fig. 2 is a diagram showing the X-axis and Y-axis transparent electrode patterns.
3 is a view showing a crystal structure of a transparent electrode pattern constituting the present invention.

이하에서는 본 발명의 사파이어 기판을 이용한 터치패널과 그 제조방법을 도면을 참고하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a touch panel using a sapphire substrate of the present invention and a manufacturing method thereof will be described in detail with reference to the drawings.

본 발명의 터치패널은, 윈도우로 사용되는 사파이어 기판 상에 Ag 합금 박막으로 이루어진 1 이상의 투명전극패턴을 포함한다.The touch panel of the present invention includes at least one transparent electrode pattern made of a Ag alloy thin film on a sapphire substrate used as a window.

여기서 투명전극패턴은 X축 전극패턴과 절연상태를 유지하는 Y축 전극패턴이 하나의 층상에 형성된 후 전극패턴되거나, X축 전극패턴과 Y축 전극패턴 사이에 절연층을 매개로 하여 절연상태를 유지하는 복층 구조로 형성될 수 있다.In this case, the transparent electrode pattern may be an electrode pattern in which a Y-axis electrode pattern that maintains an insulation state from the X-axis electrode pattern is formed on one layer, or an insulation pattern is formed between the X-axis electrode pattern and the Y- Or the like.

이하에서는 투명전극패턴이 복층으로 형성된 구조의 터치패널을 중심으로 설명하나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아님을 밝혀둔다. 또한 본 명세서에서 구성요소들 간의 위치 관계를 설명하는 용어로서 사용되는 '상', '상부', '하', '하부'는 그 사이에 제3의 구성요소가 게재될 수 있음을 배제하는 것은 아니다.Hereinafter, a touch panel having a structure in which a transparent electrode pattern is formed in a plurality of layers will be described, but the present invention is not limited thereto. Also, to denote that a third component can be placed between the 'upper', 'upper', 'lower', and 'lower' used as terms to describe the positional relationship between components in this specification no.

본 발명의 일시예에 의한 터치패널의 단면도는 도 1과 같이, 사파이어 기판(10), 제1 투명전극패턴(20), 절연층(30) 및 제1 투명전극패턴(40)으로 이루어진다.A cross-sectional view of a touch panel according to one example of the present invention includes a sapphire substrate 10, a first transparent electrode pattern 20, an insulating layer 30, and a first transparent electrode pattern 40 as shown in Fig.

이를 위해 먼저 사파이어 기판(10) 상에 제1 투명전극패턴(20)을 형성한다. 제1 투명전극패턴(20)은 사파이어 기판(10) 상에 3~5nm 두께의 Ag 합금 박막층을 형성한 후 포토리소그라피 공정을 통해 형성된다. 이는 도 2와 같은 X-Y 매트릭스 구조에서 X-좌표에 해당한다고 볼수 있다.First, a first transparent electrode pattern 20 is formed on a sapphire substrate 10. The first transparent electrode pattern 20 is formed through a photolithography process after forming a 3 to 5 nm thick Ag alloy thin film layer on the sapphire substrate 10. This corresponds to the X-coordinate in the X-Y matrix structure as shown in FIG.

Ag 합금 박막은, 기존의 저항이 높은 ITO 박막(전기저항: 100~150Ω/□)을 저저항의 소재(전기저항: 10~50Ω/□)로 치환하여 부품의 전압을 감소시키기 위한 것으로, Ag에 Fe, Cr, Mo 중에서 선택되는 어느 하나 또는 2 이상이 첨가된 합금 박막이다.The Ag alloy thin film is intended to reduce the voltage of a part by replacing a conventional ITO thin film (electric resistance: 100 to 150? /?) With a low resistance material (electric resistance: 10 to 50? /? And at least one selected from the group consisting of Fe, Cr and Mo is added.

이때 Fe, Cr, Mo는 그 총합은 0.05~7at%인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.1~5at%이다. 0.05at% 미만인 경우 박막 구조가 불안정하여 박리 현상이 발생될 위험성이 있고, 7at% 초과인 경우 광투과율이 낮아지는 문제점이 있기 때문이다.In this case, the sum of Fe, Cr and Mo is preferably 0.05 to 7 at%, more preferably 0.1 to 5 at%. If the content is less than 0.05 at%, the thin film structure may become unstable and the peeling phenomenon may occur. If the content is more than 7 at%, the light transmittance may be lowered.

그리고 제1 투명전극패턴(20)의 두께는 3~5nm로 하는 것이 바람직하다. 두께가 너무 작으면 광투과율 면에서 우수하나 전기저항이 높아지는 문제가 있고, 두께가 너무 크면 그 반대의 문제가 발생하기 때문이다.The thickness of the first transparent electrode pattern 20 is preferably 3 to 5 nm. If the thickness is too small, there is a problem in that the light transmittance is excellent but the electrical resistance is high. If the thickness is too large, the opposite problem occurs.

Ag 합금 박막의 광투과율과 전기저항Light transmittance and electrical resistance of Ag alloy thin films 구분division 박막종류(단위, nm)Thin film type (unit, nm) 광투과율
(파장, 550nm)Light transmittance
(Wavelength, 550 nm) 전기저항(Ω/□)Electrical Resistance (Ω / □) 비교예 1Comparative Example 1 Ag(3)/sapphireAg (3) / sapphire 8383 결정사이의 분리 현상으로 측정불가 No separation due to separation between crystals 비교예 2Comparative Example 2 Ag(5)/sapphireAg (5) / sapphire 7878 3535 실시예 1Example 1 Ag-0.1Fe(3)/sapphireAg-0.1Fe (3) / sapphire 8080 3030 실시예 2Example 2 Ag-1Fe(3)/sapphireAg-1Fe (3) / sapphire 7878 3535 실시예 3Example 3 Ag-5Fe(5)/sapphireAg-5Fe (5) / sapphire 7575 1515 실시예 4Example 4 Ag-0.1Cr(3)/sapphireAg-0.1Cr (3) / sapphire 8181 3030 실시예 5Example 5 Ag-1Cr(3)/sapphireAg-1Cr (3) / sapphire 7777 3636 실시예 6Example 6 Ag-5Cr(5)/sapphireAg-5Cr (5) / sapphire 7070 1616 실시예 7Example 7 Ag-0.1Mo(3)/sapphireAg-0.1Mo (3) / sapphire 8282 3232 실시예 8Example 8 Ag-1Mo(3)/sapphireAg-1Mo (3) / sapphire 7878 3535 실시예 9Example 9 Ag-5Mo(5)/sapphireAg-5Mo (5) / sapphire 7575 1717

위 표 1에서 비교예 1, 2는 0.8mm 두께의 사파이어 기판 상에 Fe, Cr, Mo가 첨가되지 않은 순수 Ag층을 3~5nm 두께로 형성한 상태에서 550nm의 광을 조사하였을 때의 광투과율과, 전기저항을 측정한 결과이다. 실시예 1~9는 Fe, Cr, Mo 중 어느 하나를 첨가한 경우이다.In Table 1, in Comparative Examples 1 and 2, a pure Ag layer not containing Fe, Cr, and Mo was formed on a sapphire substrate having a thickness of 0.8 mm and a light transmittance And electrical resistance. In Examples 1 to 9, any one of Fe, Cr, and Mo was added.

비교예 1, 2의 Ag 박막은 열적 안정성이 낮고, 박막 구조가 불안정하여 전기저항의 재현성이 낮음을 알 수 있었다. 이에 비하여 실시예 1~9에 의하면 열적안정성과 박막의 치밀한 구조를 구현함으로서 3~5nm 두께의 박막으로도 17~36Ω/□의 낮은 저항을 얻을 수 있었다. 이는 도 3과 같이, Ag에 첨가된 Fe, Cr, Mo 원소들이 박막이 형성되는 과정에서 결정들 경계(결정립계)에 편석되어 과도한 결정 성장을 억제함으로서 보다 치밀하고 균일한 조직을 유도하기 때문이다.The Ag thin films of Comparative Examples 1 and 2 had low thermal stability and unstable thin film structure, indicating low electrical resistance reproducibility. On the other hand, according to Examples 1 to 9, since the thermal stability and the dense structure of the thin film were realized, a low resistance of 17 to 36? /? Could be obtained even with a thin film having a thickness of 3 to 5 nm. As shown in FIG. 3, the Fe, Cr, and Mo elements added to Ag are segregated at the boundaries (grain boundaries) during the formation of the thin film to suppress excessive crystal growth, thereby inducing a more dense and uniform structure.

한편, 상술한 실시예 1~9는 전극패턴을 형성하지 않은 박막 상태에서 측정한 것이므로, 실제 전극패턴을 형성한 상태라면 표 1에 비하여 향상된 광투과율을 나타낼 것이다.On the other hand, Examples 1 to 9 described above were measured in the form of a thin film without an electrode pattern, and thus the light transmittance will be improved as compared with Table 1 if the electrode pattern is actually formed.

다음으로 제1 투명전극패턴(20) 상에 절연층(30)으로서 Si3N4층을 스퍼터링 등의 방법을 이용하여 증착시킨다. Si3N4층은 X-축의 Ag 박막으로부터 전자의 이동을 제한하는 역할을 수행하여 절연층으로 작용하는 동시에 터치패널 전체의 광투과율 향상에 기여한다. 또한 이 절연층(30)의 두께는 터치패널의 감도에 영향을 미치는 정전용량을 결정한다.Next, a Si 3 N 4 layer is deposited as an insulating layer 30 on the first transparent electrode pattern 20 by a method such as sputtering. The Si 3 N 4 layer serves to restrict the movement of electrons from the Ag thin film in the X-axis, thereby serving as an insulating layer and contributing to an improvement in light transmittance of the entire touch panel. The thickness of the insulating layer 30 also determines the capacitance that affects the sensitivity of the touch panel.

이때, Si3N4층의 두께는 10~60nm로 하는 것이 바람직하다. 두께가 너무 작은 경우 절연 성능의 낮아지고, 너무 크면 터치 패널의 감도가 낮아진다는 문제가 있기 때문이다.At this time, the thickness of the Si 3 N 4 layer is preferably 10 to 60 nm. If the thickness is too small, the insulation performance becomes low. If the thickness is too large, the sensitivity of the touch panel is low.

마지막으로, 절연층(30) 상에 제2 투명전극패턴(40)을 형성한다. 제2 투명전극패턴(40)은, Y-축 좌표를 형성하기 위한 전극으로서 제1 투명전극패턴(20)과 마찬가지로 3~5nm 두께의 Ag 합금 박막을 포토리소그라피 공정을 통해 형성한다.Finally, a second transparent electrode pattern 40 is formed on the insulating layer 30. The second transparent electrode pattern 40 is formed by a photolithography process to form an Ag alloy thin film having a thickness of 3 to 5 nm in the same manner as the first transparent electrode pattern 20 as an electrode for forming Y-axis coordinates.

상술한 바와 같이 사파이어 기판(10) 상에 제1 투명전극패턴(20), 절연층(30) 및 제2 투명전극패턴(40)이 형성된 터치패널을 각 층의 두께를 달리하였을 때의 광투과율을 비교한 결과는 아래의 표 2와 같다.As described above, the touch panel in which the first transparent electrode pattern 20, the insulating layer 30 and the second transparent electrode pattern 40 are formed on the sapphire substrate 10 has a light transmittance The results are shown in Table 2 below.

터치패널 각 구성층의 두께를 변화하였을 때의 광투과율 비교Comparison of light transmittance when thickness of each constituent layer of touch panel is changed 구분division 박막종류 (단위, nm)Thin film type (unit, nm) 광투과율 (파장, 550nm)Light transmittance (wavelength, 550 nm) 실시예 10Example 10 Ag(3)/Si3N4(10)/Ag(3)/sapphireAg (3) / Si3N4 (10) / Ag (3) / sapphire 8585 실시예 11Example 11 Ag(3)/Si3N4(30)/Ag(3)/sapphireAg (3) / Si3N4 (30) / Ag (3) / sapphire 8787 실시예 12Example 12 Ag(3)/Si3N4(60)/Ag(3)/sapphireAg (3) / Si3N4 (60) / Ag (3) / sapphire 8686 실시예 13Example 13 Ag(5)/Si3N4(10)/Ag(5)/sapphireAg (5) / Si3N4 (10) / Ag (5) / sapphire 8585 실시예 14Example 14 Ag(5)/Si3N4(30)/Ag(5)/sapphireAg (5) / Si3N4 (30) / Ag (5) / sapphire 8686 실시예 15Example 15 Ag(5)/Si3N4(60)/Ag(5)/sapphireAg (5) / Si3N4 (60) / Ag (5) / sapphire 8484

한편, 본 발명의 다른 실시예로서, 광투과율을 더욱 향상시키기 위하여 SiO2 층으로 이루어진 광투과율 개선층을 사파이어 기판(10)과 상기 제1 투명전극패턴(20) 사이에 형성할 수 있다. 또는 광투율 개선층을 제2 투명전극패턴(40) 상에 형성하거나, 제1 투명전극패턴(20)이 형성된 사파이어 기판(10)의 다른 일면 상에 형성할 수도 있다. 또는 이러한 광투과율 개선층을 상술한 위치 중 2개소 이상에 복합적으로 형성할 수도 있다.Meanwhile, as another embodiment of the present invention, a light transmittance improving layer composed of a SiO 2 layer may be formed between the sapphire substrate 10 and the first transparent electrode pattern 20 to further improve the light transmittance. Alternatively, the light transmittance improving layer may be formed on the second transparent electrode pattern 40, or on the other surface of the sapphire substrate 10 on which the first transparent electrode pattern 20 is formed. Alternatively, such a light transmittance improving layer may be formed in combination at two or more of the positions described above.

이와 같이 1 또는 2 이상의 광투과율 개선층이 부가 형성된 터치패널의 실시예 16~19는, 아래의 표 3과 같이 표 2의 실시예에 비하여 광투과율이 향상되었음을 알 수 있다.Examples 16 to 19 of the touch panel in which one or two or more light transmittance improving layers are additionally provided as described above show that the light transmittance is improved as compared with the examples of Table 2 as shown in Table 3 below.

광투과율 개선층이 부가된 터치패널의 광투과율The light transmittance of the touch panel to which the light transmittance improving layer is added 구분division 박막종류 (단위, nm)Thin film type (unit, nm) 광투과율 (파장, 550nm)Light transmittance (wavelength, 550 nm) 실시예 16Example 16 SiO2(60)/Ag(5)/Si3N4(30)/Ag(5)/SiO2(10)/sapphire(60) / Ag (5) / Si3N4 (30) / Ag (5) / SiO2 (10) / sapphire 8787 실시예 17Example 17 SiO2(60)/Ag(5)/Si3N4(30)/Ag(5)/sapphireSiO2 (60) / Ag (5) / Si3N4 (30) / Ag (5) / sapphire 8888 실시예 18Example 18 SiO2(50)/Ag(5)/Si3N4(50)/Ag(5)/sapphire/SiO2(100)(50) / Ag (5) / Si3N4 (50) / Ag (5) / sapphire / SiO2 (100) 9595 실시예 19Example 19 SiO2(50)/Ag(5)/Si3N4(50)/Ag(5)/sapphire/SiO2(50)(50) / Ag (5) / Si3N4 (50) / Ag (5) / sapphire / SiO2 (50) 9292

상술한 바와 같이 사파이어 기판(10) 상에 제1 투명전극패턴(20), 절연층(30) 및 제2 투명전극패턴(40)을 차례로 형성한 다음, 통상의 터치패널 제조 방식과 마찬가지로 투명전극패턴(20, 40)과 전기적으로 연결되는 배선전극을 설치함으로서 사파이어 기판(10)의 접촉에 의하여 감지된 신호를 제어부에 전달하도록 구성할 수 있다.The first transparent electrode pattern 20, the insulating layer 30 and the second transparent electrode pattern 40 are sequentially formed on the sapphire substrate 10 as described above. A wiring electrode electrically connected to the patterns 20 and 40 may be provided to transmit a signal sensed by the contact of the sapphire substrate 10 to the control unit.

이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 본 발명의 권리범위는 특허청구범위에 기재된 기술적 사상을 중심으로 해석되어져야 하며, 다양한 균등물이나 변형물에까지 그 효력이 미침은 당연하다 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.

10 : 사파이어 기판
20 : 제1 투명전극패턴
30 : 절연층
40 : 제2 투명전극패턴10: sapphire substrate
20: First transparent electrode pattern
30: Insulation layer
40: second transparent electrode pattern

Claims (11)

윈도우로 사용되는 사파이어 기판; 및
상기 사파이어 기판 상에 Ag 합금 박막으로 이루어진 1 이상의 투명전극패턴; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널.A sapphire substrate used as a window; And
At least one transparent electrode pattern made of an Ag alloy thin film on the sapphire substrate; And a touch panel. 청구항 1에 있어서,
상기 사파이어기판 상에 형성된 제1 투명전극패턴;
상기 제1 투명전극패턴 상에 형성된 절연층; 및
상기 절연층 상에 형성된 제2 투명전극패턴; 을 더 포함하고,
상기 제1, 제2 투명전극패턴 중 적어도 어느 하나는 Ag 합금 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치패널.The method according to claim 1,
A first transparent electrode pattern formed on the sapphire substrate;
An insulating layer formed on the first transparent electrode pattern; And
A second transparent electrode pattern formed on the insulating layer; Further comprising:
Wherein at least one of the first and second transparent electrode patterns is made of an Ag alloy thin film. 청구항 2에 있어서,
상기 Ag 합금 박막은, Ag에 Fe, Cr, Mo 중에서 선택되는 어느 하나 또는 2 이상이 첨가된 것을 특징으로 하는 터치패널.The method of claim 2,
Wherein the Ag alloy thin film is one wherein at least one selected from Fe, Cr, and Mo is added to Ag. 청구항 3에 있어서,
상기 Ag 합금 박막은, Ag에 대하여 Fe, Cr, Mo 중에서 선택되는 어느 하나 또는 2 이상의 혼합량이 0.05~7at%가 되도록 첨가되는 것을 특징으로 하는 터치패널.The method of claim 3,
Wherein the Ag alloy thin film is added so that a mixed amount of any one or more of Fe, Cr, and Mo is 0.05 to 7 at% in relation to Ag. 청구항 2에 있어서,
상기 절연층은, Si3N4로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치패널.The method of claim 2,
Wherein the insulating layer is made of Si 3 N 4 . 청구항 2에 있어서,
상기 제1, 제2 투명전극패턴의 두께는 3~5nm이고,
상기 절연층의 두께는 10~60nm인 것을 특징으로 하는 터치패널.The method of claim 2,
The thickness of the first and second transparent electrode patterns is 3 to 5 nm,
Wherein the insulating layer has a thickness of 10 to 60 nm. 청구항 2에 있어서,
상기 사파이어 기판과 상기 제1 투명전극패턴 사이에 형성된 SiO2 층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널.The method of claim 2,
An SiO 2 layer formed between the sapphire substrate and the first transparent electrode pattern;
Wherein the touch panel further comprises: 청구항 2에 있어서,
상기 제2 투명전극패턴 상에 형성된 SiO2 층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널.The method of claim 2,
An SiO 2 layer formed on the second transparent electrode pattern;
Wherein the touch panel further comprises: 청구항 2에 있어서,
상기 제1 투명전극패턴이 형성된 사파이어 기판의 다른 일면 상에 SiO2 층이 형성된 것을 특징으로 하는 터치패널.The method of claim 2,
And a SiO 2 layer is formed on the other surface of the sapphire substrate on which the first transparent electrode pattern is formed. 윈도우로 사용되는 사파이어 기판 상에 Ag 합금 박막으로 이루어지는 1 이상의 투명전극패턴을 형성하는 단계; 및
상기 투명전극패턴 상에 절연층을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널 제조방법.Forming at least one transparent electrode pattern made of an Ag alloy thin film on a sapphire substrate used as a window; And
Forming an insulating layer on the transparent electrode pattern;
The method comprising the steps of: 윈도우로 사용되는 사파이어 기판 상에 제1 투명전극패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 투명전극패턴 상에 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 절연층 상에 제2 투명전극패턴을 형성하는 단계; 를 포함하고,
상기 제1, 제2 투명전극패턴 중 적어도 어느 하나는 Ag 합금 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치패널 제조방법.Forming a first transparent electrode pattern on a sapphire substrate used as a window;
Forming an insulating layer on the first transparent electrode pattern; And
Forming a second transparent electrode pattern on the insulating layer; Lt; / RTI >
Wherein at least one of the first and second transparent electrode patterns is made of an Ag alloy thin film.
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