KR20150000726A - Method for Manufacturing Transparent Conductive Film And the Transparent Conductive Film Manufactured by the Method - Google Patents
Method for Manufacturing Transparent Conductive Film And the Transparent Conductive Film Manufactured by the Method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150000726A KR20150000726A KR1020130073206A KR20130073206A KR20150000726A KR 20150000726 A KR20150000726 A KR 20150000726A KR 1020130073206 A KR1020130073206 A KR 1020130073206A KR 20130073206 A KR20130073206 A KR 20130073206A KR 20150000726 A KR20150000726 A KR 20150000726A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- refractive index
- layer
- coating layer
- transparent conductive
- conductive film
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B17/00—Insulators or insulating bodies characterised by their form
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 투명 도전성 필름의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 투명 도전성 필름에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 투명 기재층과 투명 도전체층 사이에 굴절률 정합층이 형성된 투명 도전성 필름의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 투명 도전성 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a transparent conductive film and a transparent conductive film produced by the method, and more particularly, to a method for manufacturing a transparent conductive film having a refractive index matching layer formed between a transparent substrate layer and a transparent conductor layer, And a transparent conductive film.
최근 휴대폰 시장은 스마트폰이 대세를 이루고 있으며, 스마트폰의 사용이 증가함에 따라, 휴대폰의 입력 장치는 기존의 키패드에서 터치스크린으로 대체되고 있다.In recent years, smart phones are becoming popular in the mobile phone market. As the use of smart phones increases, the input devices of mobile phones are being replaced by touch screens from existing keypads.
터치스크린(touch-screen)이란, 키보드를 사용하지 않고 화면에 닿는 사람의 손끝 또는 기타 물체에 의해 입력을 받는 화면을 의미하며, 크게 저항막 방식(resistive overlay)의 터치스크린과 정전용량 방식(capacitive overlay)의 터치스크린으로 종류를 나눌 수 있다.The touch screen refers to a screen that receives input from a fingertip or other object that touches the screen without using a keyboard and is largely composed of a resistive overlay touch screen and a capacitive overlay) touch screen.
먼저 저항막 방식은, 유리나 투명한 플라스틱판 위에 저항 성분의 물질을 코팅하고 그 위에 폴리에스틸렌 필름을 덮어씌운 형태로, 두 면이 서로 닿지 않도록 일정한 간격으로 스페이서(spacer)가 설치되어 있는데, 손으로 접촉 시 이 두 면이 서로 접촉하게 되고, 이에 따라 저항값과 전압이 변화하게 되어, 이러한 전압의 변화 정도로 터치포인트(touch point)를 인식하는 방식이다.First, a resistive film is formed by coating a resistive material on a glass or a transparent plastic plate and covering the film with a polyestylene film. A spacer is provided at regular intervals so that the two surfaces do not touch each other. These two surfaces come into contact with each other at the time of contact, thereby changing the resistance value and the voltage, and the touch point is recognized by the degree of the voltage change.
다음으로 정전용량 방식은, 유리 양면에 투명한 특수 전도성 금속을 코팅하여 터치스크린의 네 모퉁이에 전압을 걸어주면 터치스크린 표면에 전자기장이 형성되고, 손가락 접촉 시 변화된 전자기장 차이를 컨트롤러에서 분석하여 터치 포인트를 인식하는 방식이다.Next, the electrostatic capacity type is coated with a transparent conductive special metal on both sides of the glass. When voltage is applied to the four corners of the touch screen, an electromagnetic field is formed on the surface of the touch screen. It is a way to recognize.
이러한 두 가지 터치스크린은 디스플레이 영역의 전반에서 적용되고 있으나, 최근에는 저항막 방식보다 멀티 터치 기능이 가능한 정전용량 방식의 터치스크린의 적용이 늘어나는 추세이다. 정전용량 방식의 터치스크린을 좀 더 자세히 살펴보면, 정전용량 방식의 터치스크린에는 패턴(pattern)을 형성한 투명 기판, 즉 ITO글라스(glass) 혹은 ITO 필름(film)이 사용된다. 이러한 ITO 패턴은, 투명기판과 ITO의 굴절률(index of refrection)의 차이에 의해 눈에 보이게 될 수 있는데, 투명전도체 층을 패턴화하는 패턴부와 비패턴화부와의 차이가 명확하고 이에 따라 화면의 화질을 저하시킬 수 있게 된다. 특히, 정전용량 결합 방식의 터치 패널에 있어서는, 투명전도체 층이 입사 표면 층에 이용되기 위해, 투명전도체 층을 패턴화했을 경우에도 표시 소자로서 화질이 우수할 것이 요구되고 있다.These two types of touch screens are applied in the entire display area, but recently, the capacitive type touch screen capable of multi-touch function is more and more applied than the resistive type. The electrostatic capacitive type touch screen will be described in more detail. A transparent substrate on which a pattern is formed, that is, an ITO glass or an ITO film is used for a capacitance type touch screen. Such an ITO pattern can be seen by a difference in index of refraction between a transparent substrate and ITO. The difference between the pattern portion for patterning the transparent conductor layer and the non-patterned portion is clear, The image quality can be lowered. Particularly, in the capacitive coupling type touch panel, since the transparent conductor layer is used for the incident surface layer, it is required that the image quality of the display element is excellent even when the transparent conductor layer is patterned.
따라서 투명기판과 ITO의 굴절률을 정합시켜서 이러한 현상을 방지할 필요가 있었고, 종래에는 도 2와 같이 고굴절률을 갖는 물질과 저굴절률을 갖는 물질을 다층막으로 구성하여 투명기판과 ITO의 굴절률을 정합시켰다.Therefore, it has been necessary to prevent this phenomenon by matching the refractive indices of the transparent substrate and the ITO. In the past, as shown in FIG. 2, a material having a high refractive index and a material having a low refractive index were formed as a multilayer film to match the refractive indices of the transparent substrate and ITO .
특허문헌 1에서는 기판 상에 형성되며 굴절률이 2.2 ~ 2.3이고 두께가 10 ~ 15㎚인 Nb2O5 박막층, 상기 Nb2O5 박막층 상에 형성되며 굴절률이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 40 ~ 60㎚인 SiO2 박막층, 상기 SiO2 박막층 상에 형성되며 굴절률이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 20 ~ 30㎚인 ITO 박막층으로 구성되는 터치패널의 적층 구조에 관한 발명이 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses an Nb 2 O 5 thin film layer formed on a substrate and having a refractive index of 2.2 to 2.3 and a thickness of 10 to 15 nm, a thin film layer formed on the Nb 2 O 5 thin film layer, having a refractive index of 1.4 to 1.5 and a thickness of 40 to 60 nm is formed on the SiO 2 thin-film layer, the SiO 2 thin-film layer is an invention relating to a laminate structure of the touch panel, which is composed of a refractive index of 1.9 ~ 2.1, and an ITO thin film having a thickness of 20 ~ 30㎚ disclosed.
그러나, 이러한 종래의 다층막은 2개 이상의 물질을 증착해야 하므로 공정이 번거롭고 오산화나이오븀(Nb2O5)과 같은 고가의 타켓(target)을 이용하는 단점이 있었다.However, such a conventional multi-layer film has a disadvantage in that it requires a complicated process because of the necessity of depositing two or more materials, and it uses an expensive target such as an oxide or Nb 2 O 5 .
따라서, ITO 투명기판의 굴절률을 정합시키는 공정과 장비를 단순화시키면서, 이에 더 나아가 굴절률을 더 효과적으로 정합시킬 수 있는 굴절률 정합층 및 그 공정 방법의 개발이 요구되고 있다.Accordingly, there is a demand for development of a refractive-index matching layer and a processing method thereof which can more effectively match the refractive index while simplifying the process and equipment for matching the refractive index of the ITO transparent substrate.
본 발명의 목적은 동일한 스퍼터 타겟 물질을 사용하여 굴절률 정합층(Index Matching Layer: IM layer)에 포함되는 저굴절률 코팅층과 고굴절률 코팅층을 모두 성막함으로써, 가스 세퍼레이터 등의 고가의 설비 없이 간단하고 효율적으로 굴절률 정합층을 형성할 수 있는 투명 도전성 필름을 제조방법 및 상기 방법으로 제조된 투명 도전성 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a low refractive index coating layer and a high refractive index coating layer which are both included in an index matching layer (IM layer) using the same sputter target material and can be formed simply and efficiently without expensive equipment such as a gas separator A method for producing a transparent conductive film capable of forming a refractive index matching layer, and a transparent conductive film produced by the above method.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,According to an aspect of the present invention,
투명 기재층, 상기 투명 기재층 상부에 형성되는 굴절률 정합층 (Index Matching Layer: IM layer), 및 상기 굴절률 정합층 상부에 형성되는 투명 도전체층을 포함하며, 상기 굴절률 정합층은 하나 이상의 저굴절률 코팅층 및 하나 이상의 고굴절률 코팅층을 포함하는 투명 도전성 필름의 제조방법에 있어서,And a transparent conductor layer formed on the refractive index matching layer, wherein the refractive index matching layer comprises at least one low refractive index coating layer, And at least one high refractive index coating layer,
상기 저굴절률 코팅층 및 고굴절률 코팅층은 각각 실리카(Si) 타겟을 사용하여 스퍼터링에 의해 증착되며, 상기 스퍼터링 시 반응 가스인 산소(O2) 분압을 조절하여 증착층의 굴절률을 조절하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조방법을 제공한다.The low refractive index coating layer and the high refractive index coating layer are respectively deposited by sputtering using a silica target and the refractive index of the deposition layer is controlled by controlling the partial pressure of oxygen (O 2 ) which is a reactive gas during the sputtering. A method for producing a transparent conductive film is provided.
또한, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 투명 도전성 필름을 제공한다.The present invention also provides a transparent conductive film produced by the above method.
본 발명의 투명 도전성 필름의 제조방법에 따르면 실리카(SiO2)층/오산화나이오븀(Nb2O5)층/실리카(SiO2)층을 순차로 성막하는 기존의 굴절률 정합층의 형성 방법과 달리 하나의 실리카(Si) 타겟으로 저굴절률 코팅층과 고굴절률 코팅층을 모두 성막하는 것이 가능하다. 따라서, 성막 조건을 간소화 할 수 있어 비용상의 이득을 얻을 수 있고, 산소(O2)가스의 분압 만을 조절하는 방법으로 공정상의 이득을 얻을 수 있으며 기존 방식에 비해 가스 세퍼레이터가 필요하지 않으므로 스퍼터링 장비를 단순화 시킬 수 있는 장점이 있다. According to the production method of the transparent conductive film of the present invention, silica (SiO 2) layer / Osan upset EO byum (Nb 2 O 5) layer / silica (SiO 2) forming method of a conventional refractive index matching layer for forming the layer in this order and Alternatively, it is possible to form both the low refractive index coating layer and the high refractive index coating layer with one silica (Si) target. Therefore, it is possible to simplify the deposition conditions, to obtain a cost advantage, to obtain a process gain by a method of controlling only the partial pressure of oxygen (O 2 ) gas, and since a gas separator is not required compared with the conventional method, There is an advantage that it can be simplified.
도 1은 본 발명에서 사용하는 스퍼터링 장치를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 기존에 사용되고 있는 굴절률 정합층을 포함하는 ITO 투명기판의 구성을 나타내는 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 투명 도전성 필름의 적층 구조를 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a sputtering apparatus used in the present invention.
FIG. 2 is a configuration diagram showing the configuration of an ITO transparent substrate including a conventional refractive index matching layer.
3 is a view showing a laminated structure of a transparent conductive film according to the present invention.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
본 발명은 투명 기재층, 상기 투명 기재층 상부에 형성되는 굴절률 정합층 (Index Matching Layer: IM layer), 및 상기 굴절률 정합층 상부에 형성되는 투명 도전체층을 포함하며, 상기 굴절률 정합층은 하나 이상의 저굴절률 코팅층 및 하나 이상의 고굴절률 코팅층을 포함하는 투명 도전성 필름의 제조방법에 있어서,The present invention provides a light emitting device comprising a transparent substrate layer, an index matching layer (IM layer) formed on the transparent substrate layer, and a transparent conductor layer formed on the refractive index matching layer, A method for producing a transparent conductive film comprising a low refractive index coating layer and at least one high refractive index coating layer,
상기 저굴절률 코팅층 및 고굴절률 코팅층은 각각 실리카(Si) 타겟을 사용하여 스퍼터링에 의해 증착되며, 상기 스퍼터링 시 반응 가스인 산소(O2) 분압을 조절하여 증착층의 굴절률을 조절하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조방법에 관한 것이다.The low refractive index coating layer and the high refractive index coating layer are respectively deposited by sputtering using a silica target and the refractive index of the deposition layer is controlled by controlling the partial pressure of oxygen (O 2 ) which is a reactive gas during the sputtering. And a method for producing the transparent conductive film.
상기 투명 기재층은 터치스크린에 사용되는 투명한 막을 의미하며, 흔히 글래스(glass)나 필름(film) 등의 용어로도 지칭되는 막을 의미한다. 이러한 상기 투명 기재층의 재질은 PET(Poly Ethylene Terephthalate), PC(Poly Carbonate), PMMA(Poly Methyl Methacrylate)등일 수 있는데, 경우에 따라서는 유리(glass)가 이용될 수 있다.The transparent substrate layer refers to a transparent film used in a touch screen, and is often referred to as a glass or a film. The material of the transparent substrate layer may be PET (Poly Ethylene Terephthalate), PC (Poly Carbonate), PMMA (Poly Methyl Methacrylate) or the like. In some cases, glass may be used.
상기에서 투명 도전체층은 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide)로 형성될 수 있으며 이는 산화 주석의 화합물(ln2O3, SnO2)로 이루어진 막을 의미한다. ITO는 도전성과 투명성의 성질을 나타낼 수 있어서 터치스크린 등의 화면 표시 장치에 주로 사용되고 있다. The transparent conductor layer may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO), which means a film made of tin oxide (ln 2 O 3 , SnO 2 ). ITO can exhibit properties of conductivity and transparency, and thus is mainly used for a screen display device such as a touch screen.
상기 굴절률 정합층(Index Matching Layer: IM layer)은, 상기와 같은 투명 기재층과 투명 도전체층 사이의 굴절률(index of refraction)의 차이에 의해 투명 도전체층에 형성된 패턴이 눈에 보이는 것을 방지하는 역할을 하며, 화면의 화질 저하를 방지한다.The index matching layer (IM layer) prevents the pattern formed on the transparent conductor layer from being visible due to the difference in refractive index (index of refraction) between the transparent substrate layer and the transparent conductor layer, And prevents degradation of the picture quality of the screen.
본 발명에 따른 굴절률 정합층은, 실리카(Si)/오산화나이오븀(Nb2O5)/실리카(Si)와 같이 2 이상의 성분을 포함하는 다층막으로 이루어진 종래의 기술과 달리 하나 이상의 저굴절률 코팅층 및 하나 이상의 고굴절률 코팅층을 포함하고, 상기 저굴절률 코팅층 및 고굴절률 코팅층은 모두 실리카(Si) 타겟을 사용하여 스퍼터링에 의해 증착되며, 상기 스퍼터링 시 반응 가스인 산소(O2) 분압을 조절하여 증착층의 굴절률을 조절하는 것을 특징으로 한다.The refractive index matching layer according to the present invention differs from the conventional technique in which the refractive index matching layer is composed of a multilayer film including two or more components such as silica (Si) / diatomite and Nb 2 O 5 / silica (Si) And at least one high refractive index coating layer, wherein the low refractive index coating layer and the high refractive index coating layer are all deposited by sputtering using a silica (Si) target, and the partial pressure of oxygen (O 2 ) And the refractive index of the layer is controlled.
본 발명의 굴절률 정합층을 형성하는 저굴절률 코팅층 및 고굴절률 코팅층은 실리카(Si) 타겟을 사용하여 스퍼터링에 의해 증착되는데, 상기 스퍼터링 방법은 이 분야에서 알려진 방법으로 실시 할 수 있다.The low refractive index coating layer and the high refractive index coating layer forming the refractive index matching layer of the present invention are deposited by sputtering using a silica (Si) target. The sputtering method can be performed by a method known in the art.
본 발명에서는 도 1에 도시된 바와 같은 스퍼터링 장치가 사용될 수 있다. 즉, 도 1에 나타낸 스퍼터링 장치에는, 하드 코트층이 미리 형성된 롤형의 필름(105)을 풀어내는 권출실(109)과, 필름(105) 상에 스퍼터링을 행하는 스퍼터실(101)과 필름(105)을 감는 권취실(110)이 연속하여 설치되어 있다. 스퍼터실(101)에는 필름(105)을 둘러감아서 화살표방향으로 주행시키는 메인롤러(103)가 설치되고, 메인롤러(103)의 주위에 일정거리를 두고, 타겟을 재치한 캐소드(107)가 복수 설치되어 있다. 이 구성에 있어서, 각 캐소드(107) 표면에 산소가스 분위기를 형성하고, 캐소드(107)에 전압을 인가함으로써, 각 캐소드(107)에 재치한 타겟에 따른 스퍼터막이 필름(105) 상에 순차로 성막하게 된다.
In the present invention, a sputtering apparatus as shown in FIG. 1 may be used. The sputtering apparatus shown in Fig. 1 includes an
본 발명의 굴절률 정합층을 구성하는 저굴절률 코팅층과 고굴절률 코팅층은 0.3 이상 1 이하의 굴절률 차이를 갖는 것이 바람직하다.
The low refractive index coating layer and the high refractive index coating layer constituting the refractive index matching layer of the present invention preferably have a refractive index difference of 0.3 or more and 1 or less.
본 발명에 있어서, 굴절률 정합층을 형성하는 저굴절률 코팅층은 SiO2로 형성되며 고굴절률 코팅층은 SiOx(0.5≤x<2)으로 형성 될 수 있다. SiOx의 굴절률은 x의 값에 따라 달라지며 상기 x는 오퍼레이션 윈도우(Opeartion Window)를 확보할 수 있는 범위로 설정되어야 한다. 저굴절층은 굴절률이 1.4~1.49 일 경우, 고굴절층은 굴절률이 1.8~1.9일 때가 바람직하다. 상기 고굴절률 코팅층에서 산소의 포함 범위는 Si 한 원자당 0.5≤x<2으로 포함되는 것이 바람직하고, 1.0≤x≤1.5로 포함되는 것이 더욱 바람직하며, 1.15≤x≤1.45로 포함되는 것이 가장 바람직하다. 고굴절률 코팅층에서 Si 한 원자당 포함되는 산소의 범위가 상기와 같은 경우에 적당한 고굴절률(n≥1.95)을 얻을 수 있다.
In the present invention, the low refractive index coating layer forming the refractive index matching layer may be formed of SiO 2 and the high refractive index coating layer may be formed of SiO x (0.5? X <2). The refractive index of SiO x depends on the value of x, and x should be set within a range in which an operation window can be secured. When the refractive index of the low refractive layer is 1.4 to 1.49, the refractive index of the high refractive layer is preferably 1.8 to 1.9. The range of oxygen content in the high refractive index coating layer is preferably 0.5? X <2 per one Si atom, more preferably 1.0? X? 1.5, most preferably 1.15? X? Do. A suitable high refractive index (n? 1.95) can be obtained when the range of oxygen contained per one atom of Si in the high refractive index coating layer is in the above range.
상기 굴절률 정합층(Index Matching Layer: IM layer)은 순차적으로 도 3에 도시된 바와 같이 형성되는 굴절률이 1.3~1.6인 저굴절률 코팅층, 굴절률이 1.8~2.4인 고굴절률 코팅층 및 굴절률이 1.3~1.6인 저굴절률 코팅층을 포함할 수 있다.
The index matching layer (IM layer) sequentially forms a low refractive index coating layer having a refractive index of 1.3 to 1.6, a high refractive index coating layer having a refractive index of 1.8 to 2.4, and a refractive index coating layer having a refractive index of 1.3 to 1.6 And a low refractive index coating layer.
본 발명에 있어서, 투명 도전체층은 패턴을 포함한 형태로 형성 될 수 있으며, 상기 패턴 형성은 이 분야에서 알려진 방법을 참고로 하여 실시 될 수 있다. 터치 패널용 투명 도전성 필름은 터치된 위치의 식별성을 높이기 위하여 투명 도전체층을 패터닝하는데, 이와 같은 패턴화에 의해 패턴부와 비패턴부로 구성되어진다.In the present invention, the transparent conductor layer may be formed in a form including a pattern, and the pattern formation may be carried out with reference to a method known in the art. The transparent conductive film for a touch panel is patterned with a transparent conductor layer in order to enhance the discrimination of the touched position. The patterned portion includes the pattern portion and the non-pattern portion.
본 발명의 투명 도전성 필름은 터치 패널로 사용될 수 있다.
The transparent conductive film of the present invention can be used as a touch panel.
또한, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 투명 도전성 필름을 제공한다.
The present invention also provides a transparent conductive film produced by the above method.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the following examples are intended to further illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited by the following examples.
실시예1Example 1 : 투명 도전성 필름의 제조 : Preparation of transparent conductive film
실리콘(Si) 타겟 재료를 사용하여 아르곤 200 sccm, 산소 100 sccm을 도입하여 공정압력 3 m Torr에서, 반응성 스퍼터링법에 의해서 하드코팅 층이 형성된 투명 기재 필름 상에 막두께 10 nm의 SiO2막(굴절률 1.45)을 성막하였다.A SiO 2 film (thickness: 10 nm) (thickness: 10 nm) was formed on a transparent base film formed by a reactive sputtering method at a process pressure of 3 mTorr by introducing 200 sccm of argon and 100 sccm of oxygen using a silicon (Si) Refractive index 1.45).
연속하여, 상기 SiO2막(굴절률 1.45) 위에 실리콘(Si) 타겟 재료를 사용하여 아르곤 200 sccm, 산소 20 sccm을 도입하여 공정압력 4.5 mTorr에서, 반응성 스퍼터링법에 의해서 막두께 12 nm의 SiO1 .2막(굴절률 1.82)을 성막하였다.Subsequently, the SiO 2 film (refractive index: 1.45) on using the silicon (Si) target material argon 200 sccm, at the process pressure of 4.5 by introducing
연속하여, 상기 SiO1 .2막(굴절률 1.82) 위에 실리콘(Si) 타겟 재료를 사용하여 아르곤 200 sccm, 산소 100 sccm을 도입하여 공정압력 3 mTorr에서, 반응성 스퍼터링법에 의해서 막두께 50 nm의 SiO2막(굴절률 1.45)을 성막하여 굴절률 정합층을 형성하였다.Subsequently, 200 sccm of argon and 100 sccm of oxygen were introduced on the SiO 2 .2 film (refractive index: 1.82) using a silicon (Si) target material, and a
상기 굴절률 정합층 위에 산화인듐 95 중량%, 산화주석 5 중량%의 타겟 재료를 사용하여 아르곤 200 sccm, 산소 5 sccm을 도입하여 공정압력 3.3 mTorr에서, 두께 23 nm의 ITO막(굴절률 1.95)을 형성하여 투명 도전성 필름을 제조하였다.An ITO film (refractive index: 1.95) having a thickness of 23 nm was formed at a process pressure of 3.3 mTorr by introducing 200 sccm of argon and 5 sccm of oxygen using a target material of 95 wt% indium oxide and 5 wt% tin oxide on the refractive index matching layer Thereby preparing a transparent conductive film.
투명 Transparency 도전체층의The conductor layer 패턴화 단계 Patterning step
투명 도전성 필름 위에 일명 드라이필름을 라미네이팅한 후, 패턴 마스크필름을 이용하여 노광하고, 염산 18.3%, 4.5%의 에칭액을 이용하여 40℃ 에서 에칭을 한 후에 수산화나트륨으로 드라이필름을 제거하였다. 패턴은 일정한 간격 (50㎛)의 선폭을 갖는 스트라이프 모양이다. 그 후, ITO 막의 내구성 향상 및 결정화를 위하여 진공오븐(Vacuum oven)에서 120℃, 60 분간 어닐링 열처리를 실시하여 ITO 막을 결정화시켰다.A dry film was laminated on the transparent conductive film, exposed using a pattern mask film, etched at 40 占 폚 using 18.3% and 4.5% hydrochloric acid etching solution, and then the dry film was removed with sodium hydroxide. The pattern is a stripe shape having a line width of a constant interval (50 mu m). Thereafter, the ITO film was crystallized by annealing heat treatment at 120 DEG C for 60 minutes in a vacuum oven to improve durability and crystallization of the ITO film.
시험예Test Example : 물성 테스트: Property test
상술한 방법의 실시예 1로 제조된 투명 도전성 필름에 대하여 아래와 같은 방법으로 평가를 실시한 후, 그 결과를 [표 1]에 나타내었다.
The transparent conductive film prepared in Example 1 of the above-described method was evaluated in the following manner, and the results are shown in Table 1. [Table 1]
<굴절률 테스트: 450 ~ 650nm의 평균투과율, 평균반사율><Refractive index test: average transmittance of 450 to 650 nm, average reflectance>
광도계 CM-3600D를 사용하여 가시광선의 450 ~ 650nm 파장 대역에 걸쳐 평균투과율, 평균반사율을 측정하였고, 450, 550, 650nm 파장 대역에서의 반사율을 별도로 측정하였다. 비패턴부와 패턴부 각각에 대하여 측정하여, 비패턴부와 패턴부의 광학물성 차이를 각각 나타내었다.Using the photometer CM-3600D, the average transmittance and the average reflectance were measured over the wavelength band of 450 to 650 nm of the visible light, and the reflectance was measured separately in the wavelength bands 450, 550 and 650 nm. The optical property differences between the non-pattern portion and the pattern portion were measured for each of the non-pattern portion and the pattern portion, respectively.
평균투과율(%)450 to 650 nm
Average transmittance (%)
평균반사율(%)450 to 650 nm
Average reflectance (%)
반사율(%)At 450 nm
reflectivity(%)
반사율(%)At 550 nm
reflectivity(%)
반사율(%)At 650 nm
reflectivity(%)
(비패턴부)Example 1
(Non-pattern portion)
(패턴부)Example 1
(Pattern part)
비패턴부와 패턴부의 광학 물성의 차이에 있어서, 본 발명에 따른 실시예 1의 경우에는 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 평균 반사율 차이가, 0.2 % 미만을 나타내었다. 또한, 가시광선 중 450nm인 청색 파장 대역에서의 반사율 차이는, 0.3 % 미만을 나타내었다. 또한, 가시광선 중 650nm인 적색 파장 대역에서의 반사율 차이는, 0.6 % 미만을 나타내었다. 그 결과, 비패턴부와 패턴부가 식별되지 않아 양호한 외관 평가 결과를 얻을 수 있었다.In the case of Example 1 according to the present invention, the difference in the optical properties between the non-pattern portion and the pattern portion showed an average reflectance difference of less than 0.2% in all wavelength bands of the visible light. In addition, the reflectance difference in a blue wavelength band of 450 nm in visible light was less than 0.3%. Also, the reflectance difference in the red wavelength band of 650 nm in visible light was less than 0.6%. As a result, the non-pattern portion and the pattern portion were not identified, and good appearance evaluation results were obtained.
a:패턴부 b:비패턴부
50: 투명 도전체층 40: 저굴절률 코팅층
30: 고굴절률 코팅층 20: 저굴절률 코팅층
10: 투명 기재층 101: 스퍼터실
103: 메인롤러 105: 필름
107: 캐소드 109: 권출실
110: 권취실a: pattern part b: non-pattern part
50: transparent conductor layer 40: low refractive index coating layer
30: high refractive index coating layer 20: low refractive index coating layer
10: transparent base layer 101: sputtering chamber
103: main roller 105: film
107: cathode 109:
110: Winding room
Claims (7)
상기 저굴절률 코팅층 및 고굴절률 코팅층은 각각 실리카(Si) 타겟을 사용하여 스퍼터링에 의해 증착되며, 상기 스퍼터링 시 반응 가스인 산소(O2) 분압을 조절하여 증착층의 굴절률을 조절하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조방법.And a transparent conductor layer formed on the refractive index matching layer, wherein the refractive index matching layer comprises at least one low refractive index coating layer, And at least one high refractive index coating layer,
The low refractive index coating layer and the high refractive index coating layer are respectively deposited by sputtering using a silica target and the refractive index of the deposition layer is controlled by controlling the partial pressure of oxygen (O 2 ) which is a reactive gas during the sputtering. A method for producing a transparent conductive film.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130073206A KR20150000726A (en) | 2013-06-25 | 2013-06-25 | Method for Manufacturing Transparent Conductive Film And the Transparent Conductive Film Manufactured by the Method |
| PCT/KR2014/005551 WO2014208968A1 (en) | 2013-06-25 | 2014-06-24 | Method for manufacturing transparent conductive film and transparent conductive film manufactured by same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130073206A KR20150000726A (en) | 2013-06-25 | 2013-06-25 | Method for Manufacturing Transparent Conductive Film And the Transparent Conductive Film Manufactured by the Method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150000726A true KR20150000726A (en) | 2015-01-05 |
Family
ID=52142238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130073206A KR20150000726A (en) | 2013-06-25 | 2013-06-25 | Method for Manufacturing Transparent Conductive Film And the Transparent Conductive Film Manufactured by the Method |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20150000726A (en) |
| WO (1) | WO2014208968A1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104766647B (en) * | 2015-04-02 | 2017-02-01 | 江苏双星彩塑新材料股份有限公司 | ITO transparent conducting thin film |
| CN110042359A (en) * | 2019-05-14 | 2019-07-23 | 南京汇金锦元光电材料有限公司 | Flexible transparent electromagnetic shielding film and preparation method |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0803549B1 (en) * | 1996-04-25 | 2001-09-19 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Brilliant coloured pigments |
| US6842288B1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-01-11 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer optical adhesives and articles |
| KR20110006141A (en) * | 2009-07-13 | 2011-01-20 | 이노베이션 앤드 인피니티 글로벌 코포레이션 | Optical film structure and display device thereof |
| KR101219313B1 (en) * | 2010-02-01 | 2013-01-08 | (주)리지스 | Construction of touch panel layer |
| KR20120125824A (en) * | 2011-05-09 | 2012-11-19 | 에이스하임 주식회사 | A ito transparent substrate comprising a continuous index matching layer and manufacturing process thereof |
-
2013
- 2013-06-25 KR KR1020130073206A patent/KR20150000726A/en not_active Application Discontinuation
-
2014
- 2014-06-24 WO PCT/KR2014/005551 patent/WO2014208968A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014208968A1 (en) | 2014-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10082920B2 (en) | Transparent conductive coating for capacitive touch panel or the like | |
| TWI541369B (en) | Method and system for manufacturing a transparent body for use in a touch panel | |
| Hong et al. | Index-matched indium tin oxide electrodes for capacitive touch screen panel applications | |
| CN103353815B (en) | Capacitance plate OGS shadow eliminating structure and manufacturing process thereof | |
| TWI486973B (en) | Transparent conductive multilayered film, producing method of the same, and touch panel containing the same | |
| KR101049182B1 (en) | Transparent conductive substrate for touch panel and manufacturing method thereof | |
| CN101599315A (en) | A kind of transparent conductive material of resistive touch screen | |
| US20160004350A1 (en) | Transparent body with single substrate and anti-reflection and/or anti-fingerprint coating and method of manufacturing thereof | |
| JP2010086684A (en) | Optical thin film with transparent conductive wiring film | |
| WO2016101495A1 (en) | Method for manufacturing touch panel, touch panel, touch screen and display device | |
| CN102194539A (en) | Transparent electric-conducting laminate body and manufacturing method thereof | |
| CN106970439A (en) | Touch control display apparatus and contact panel | |
| US9677168B2 (en) | Touch panel and method for manufacturing the same | |
| US10198121B2 (en) | Projected capacitive touch switch panel | |
| US20170205911A1 (en) | Touch substrate, manufacturing method thereof and touch display panel | |
| KR20150000726A (en) | Method for Manufacturing Transparent Conductive Film And the Transparent Conductive Film Manufactured by the Method | |
| CN105005402A (en) | Touch panel | |
| KR20110061685A (en) | Capacitance touch panel and method for manufacturing the same | |
| KR20120125824A (en) | A ito transparent substrate comprising a continuous index matching layer and manufacturing process thereof | |
| KR20140087039A (en) | Light transmissive conductive film and capacitance-type touch panel using same | |
| KR20120127984A (en) | Capacitive touch screen panel using multi-layer thin film and manufacturing process thereof | |
| KR20100057402A (en) | Transparent touch pannel | |
| JP2015230510A (en) | Touch panel sensor substrate, touch panel sensor and display device | |
| CN105541124A (en) | Shadow-eliminating electrically conducting glass | |
| KR102022250B1 (en) | Display device with coating layer improved AR / IR reflectance and transmittance by sputtering process |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |