KR20160108241A - 센서 장치 및 그것의 검사 방법 - Google Patents

Abstract

[과제] 전용 단자를 설치하는 일 없이, 자기 발열을 이용한 고온 검사가 가능하고, 테스트 패드 추가에 의한 칩 점유 면적 증대에 수반하는 비용 증가를 억제한 센서 장치를 제공한다.
[해결 수단] 출력 드라이버의 액티브 논리를 전환하는 액티브 논리 전환 회로를 구비하고, 출력 드라이버를 발열원으로서, 검사 공정 중에서 출력 드라이버의 액티브 논리를 전환하면서 가열 검사를 행하는 구성으로 한 센서 장치.

Description

센서 장치 및 그것의 검사 방법{SENSOR DEVICE AND INSPECTION METHOD THEREOF}

본 발명은, 외부로부터 인가되는 물리량을 2치의 전압 신호 레벨로 변환하는 센서 장치 및 그 검사 방법에 관하고, 점유 면적이 큰 테스트 패드를 추가하는 일 없이, 자기 발열을 이용한 고온 검사를 실시 가능한 센서 장치 및 그것의 검사 방법에 관한 것이다.

반도체 장치는, 제조 후에 그 기능과 특성이 제품 규격을 만족하는 것을 확인하기 위해, 웨이퍼 상태 또는 패키지 상태로 검사된다. 상온뿐만이 아니라, 일반적으로 특성 변동이나 기능 부전을 일으키기 쉬운 고온 상태에서의 검사도 행하는 것이 바람직하나, 주위 온도를 상승시켜 그러한 고온 검사를 행하기 위해서는 장치의 도입이나 추가 검사 시간이 필요하게 되어, 비용 증가를 초래한다.

종래, 그러한 과제를 해결하기 위해 상온 상태에서 칩의 접합 온도를 상승시키고 고온 검사를 실시하는 시도가 이루어져 왔다.

도 11은, 종래의 자기 발열에 의한 고온 검사가 가능한 반도체 장치의 블럭도이다. 종래의 반도체 장치(1)는, 전원 단자(2)와, 접지 단자(3)와, 출력 단자(4)와, 테스트 단자(100)와, 테스트 단자(100)에 접속된 가열용 저항 소자(101)를 가지고 있다. 테스트 단자(100)로부터 전압 또는 전류를 공급하고 가열용 저항 소자(101)를 발열시킴으로써, 칩의 접합 온도를 상승시킨 상태에서 반도체 장치를 동작시킨 고온 검사가 가능해진다.

또, 도 12는 특허 문헌 1에 개시된, 자기 발열에 의한 고온 검사가 가능한 반도체 장치이다. 반도체 장치(1)는, 전원 단자(2)와, 접지 단자(3)와, 출력 단자(4)와, 검사시의 측정에 사용되지 않는 단자(102)와, 단자(102)에 접속된 ESD 보호 소자 등의 기생 PN 접합(103, 104)을 가진다. 이 구성에서는, 단자(102)로부터 기생 PN 접합(103) 또는 기생 PN 접합(104)에 순방향 전류를 공급함으로써, 기생 PN 접합을 발열시켜, 칩의 접합 온도를 상승시킨 상태에서 반도체 장치를 동작시킨 고온 검사가 가능해진다.

이와 같이, 전용 단자나 검사시의 측정에 사용되지 않는 기존 단자를 이용하여, 내부 소자에 자기 발열에 의해 접합 온도를 상승시키고 고온 검사를 실시하고 있다. 또, 고온 검사 환경에서 생성 가능한 주위 온도의 상한이 소망 온도에 미치지 않는 경우에 있어서도, 자기 발열을 이용하여 주위 온도보다 높은 접합 온도로 함으로써 소망 온도에서의 검사가 가능해진다.

일본국 특허 공개 평10-135286호 공보

그러나, 종래의 반도체 장치에서는, 발열 소자에 전압 혹은 전류를 공급하기 위한 전용 단자가 필요, 또는 검사시의 측정에 사용하지 않는 단자에 접속된 ESD 보호 소자의 기생 PN 접합에 전압 혹은 전류를 공급할 필요가 있었다.

자기 스위치로 대표되는 3단자의 센서 장치에서는, 전원 단자, 접지 단자, 출력 단자 이외에 단자를 가지지 않기 때문에, 검사시의 측정에 사용되지 않는 단자가 원래 존재하지 않고, 또 새롭게 테스트 패드나 가열용 저항 소자를 칩 내에 설치하려고 하면, 칩 면적을 증대시키고, 비용상의 단점이 발생해 버린다고 하는 과제가 있다.

또, 3단자 패키지에서는, 패키지 상태에서의 가열 테스트를 행하기 위한 전용 단자를 설치하는 것이 불가능하다라고 하는 과제가 있다.

종래의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 센서 장치는 이하와 같은 구성으로 했다.

센서 소자에 인가되는 물리량에 따라 출력 드라이버의 온·오프를 전환하는 센서 장치로서, 출력 드라이버의 액티브 논리를 전환하는 액티브 논리 전환 회로를 구비하고, 출력 드라이버를 발열원으로서, 검사 공정 중에서 출력 드라이버의 액티브 논리를 전환하면서 가열 검사를 행하는 구성으로 했다.

본 발명에 의하면, 출력 드라이버의 액티브 논리를 전환하는 액티브 논리 전환 회로를 구비하며, 출력 드라이버를 가열용 소자로서 이용함으로써, 전용 단자나 가열용 소자를 새롭게 설치하는 일 없이, 자기 발열을 이용한 고온 검사가 가능하고, 테스트 패드 추가에 의한 칩 면적 증대에 수반하는 비용 증가를 억제한 센서 장치를 제공 가능하다.

도 1은 본 발명의 센서 장치의 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 센서 장치에 따른 제1 상태의 자전 변환 특성을 도시하는 도이다.
도 3은 본 발명의 센서 장치에 따른 제2 상태의 자전 변환 특성을 도시하는 도이다.
도 4는 본 발명의 센서 장치에 따른 출력 드라이버 전류 및 소비 전력의 출력 전압 의존을 도시하는 도이다.
도 5는 본 발명의 센서 장치에 따른 센서 특성의 온도 의존을 도시하는 도이다.
도 6은 본 발명의 센서 장치의 검사시에 있어서의 측정 회로를 도시하는 도이다.
도 7은 본 발명의 센서 장치의 검사 플로의 일 예를 나타내는 플로차트이다.
도 8은 본 발명의 센서 장치의 액티브 논리 전환 회로의 일 예를 도시하는 회로도이다.
도 9는 본 발명의 센서 장치의 액티브 논리 전환 회로의 다른 예를 도시하는 회로도이다.
도 10은 본 발명의 센서 장치의 동작을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 11은 종래의 고온 검사가 가능한 반도체 장치의 일 예를 도시하는 블럭도이다.
도 12는 종래의 고온 검사가 가능한 반도체 장치의 다른 예를 도시하는 블럭도이다.

이하, 본 발명의 센서 장치에 대해 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은, 본 발명의 센서 장치의 개념을 도시하는 블럭도이다. 센서 장치는, 센서 소자에 인가되는 물리량에 따라 출력 드라이버(7)의 온/오프 상태를 전환한다.

본 발명의 센서 장치(1)는, 전원 단자(2)와, 접지 단자(3)와, 출력 단자(4)와, 센서 회로(5)와, 액티브 논리 전환 회로(6)와, 출력 드라이버(7)를 구비하고 있다.

본 실시 형태에서는, 센서 장치(1)는, 교번 검지형의 자기 센서 회로로서 설명한다.

센서 회로(5)는, 입력된 쇄교 자속 밀도의 극성과 대소에 따라 센서 출력 논리 신호(8)를 출력한다. 액티브 논리 전환 회로(6)는, 입력된 센서 출력 논리 신호(8)를 전환 상태에 따라 양 논리 또는 음 논리로 변환하고, 드라이버 제어 신호(9)로서 출력한다. 출력 드라이버(7)는, 게이트에 드라이버 제어 신호(9)가 입력되고, 드레인이 출력 단자(4)에 접속된 저항으로 풀업된다. 출력 드라이버(7)는, 드라이버 제어 신호(9)가 “H” 일 때에는 온 상태가 되어 출력 단자(4)로부터 “L”을 출력하고, 드라이버 제어 신호(9)가 “L” 일 때에는 오프 상태가 되어 출력 단자(4)로부터“H”를 출력한다.

도 2는, 본 발명의 센서 장치의 제1 상태에서의 자전 변환 특성을 도시하는 도이다. Bin은 인가되는 자속 밀도, Vout는 출력 단자(4)를 칩 외부에서 풀업한 경우에 출력되는 출력 전압을 나타낸다. 액티브 논리 전환 회로(6)는, 제1 상태 에 있어서, 자속 밀도에 따라 도시한 출력 논리가 되도록 설정되어 있다.

도 3은, 본 발명의 센서 장치의 제2 상태에서의 자전 변환 특성을 도시하는 도이다. 액티브 논리 전환 회로(6)는, 제2 상태에 있어서, 제1 상태와 출력 논리가 반전하도록 설정되어 있다.

도 4는, 출력 드라이버의 온 상태에 있어서의 출력 전류 및 소비 전력의 출력 전압 의존을 도시하는 도이다. 통상 사용시에는, 부하선(L)으로 나타내는 바와 같이 외부에 접속하는 풀업 전압(VPU)과 풀업 저항(RPU)으로 전류 제한된 상태로 이용하기 때문에, 출력 전압은 포화 전압(VDSAT)을 웃돌 일이 없다. 따라서, 출력 드라이버(7)는, 저항 영역 동작하고, 저항체로서 행동한다. 한편, 검사시에 외부로부터 출력 전압을 인가하고, 인가된 출력 전압이 포화 전압(VDSAT)을 웃돌면, 출력 드라이버(7)는 포화 영역(정전류) 동작이 되며, 출력 드라이버(7)를 구성하는 트랜지스터의 W/L비와 트랜스 컨덕턴스 계수로 결정되는 일정 출력 전류(IOM)가 흐른다. 이때 출력 드라이버(7)의 소비 전력(즉 발열량)은 Pd=VOUT·IOM이 되며, 외부로부터 인가하는 출력 전압(VOUT)의 대소에 의해 칩의 발열량을 제어 가능하다.

도 5는, 본 발명의 센서 장치에 따른 센서 특성의 온도 의존을 도시하는 도이다. 도 5(a)는 제1 상태이다. Bin＜BOP 에 있어서 출력 드라이버(7)는 오프 상태(출력 전압 “H”에 상당)이며 전류가 흐르지 않으므로, 칩은, 출력 드라이버(7)가 자기 발열하지 않기 때문에 접합 온도(Tj)가 주위 온도(Ta)와 거의 동일하다. S극 자장을 인가하여 Bin＞BOP가 되면, 출력 드라이버(7)가 온(출력 전압 “L”에 상당) 한다. 이때, Tj=Ta에 있어서의 BOP가 측정된다.

칩은, 출력 드라이버(7)가 온 상태로 발열하면 가열되고, 주위의 환경에 의존하는 열 저항과 열 용량의 곱으로 나타내지는 시정수로 결정되는 시간을 거쳐 접합 온도(Tj)가 Ta＋θ·Pd가 된다. 여기서, θ는 칩과 주위 환경에 의존하는 열 저항, Pd는 출력 드라이버(7)의 소비 전력이다.

다음에, N극 자장을 인가하여 Bin＜BRP가 되면, 출력 드라이버(7)가 오프 상태(출력 전압“H”에 상당)가 된다. 이때, Tj=Ta＋θ·Pd에 있어서의 BRP가 측정된다.

도 5(b)는 제2 상태이다. Bin＜BOP에 있어서, 출력 드라이버(7)는 온 상태이며, 칩은, 출력 드라이버(7)가 발열하기 때문에 Tj=Ta＋θ·Pd이다. S극 자장을 인가하여 Bin＞BOP가 되면, 출력 드라이버(7)가 오프(출력 전압“H”에 상당) 한다. 이때, Tj=Ta＋θ·Pd에 있어서의 BOP가 측정된다. 드라이버 오프 상태에서는 출력 드라이버(7)가 발열하지 않기 때문에 칩은 주위 분위기로 냉각되고, 칩과 주위의 환경에 의존하는 열 저항과 열 용량의 곱으로 나타내지는 시정수로 결정되는 시간을 거쳐 접합 온도(Tj)는 Ta가 된다. 그 후, N극 자장을 인가하여 Bin＜BRP가 되면 출력 드라이버(7)가 온(출력 전압“L”에 상당)이 된다. 이때, Tj=Ta에 있어서의 BRP가 측정된다.

여기서, Pd=VOUT·IOM이며, Tj의 식을 변형하면, VOUT=(Tj－Ta)/(θ·IOM)=ΔT/(θ·IOM)으로 표기된다. 예를 들어, Tj=125℃, Ta=25℃, θ=0.2℃／mW, IOM=50mA로 하면, 출력 전압(VOUT)은 10V와 같이 부여된다. 또, Tj=150℃, Ta=85℃, θ=0.2℃／mW, IOM=50mA로 하면, 출력 전압(VOUT)은 6.5V와 같이 부여된다. 이 출력 전압(VOUT)은 출력 단자(4)에 인가 가능한 정격 전압으로, 상승시키는 것이 가능한 칩의 온도의 상한이 율속된다.

이상 설명한 바와 같이, 제1 상태와 제2 상태를 전환하면서 입력 자속 밀도를 스위프함으로써, 접합 온도(Tj)가 Ta일 때와 Ta＋θ·Pd일 때에 있어서의 센서 자기 특성(BOP 및 BRP)을 측정하는 것이 가능하다.

도 6은, 본 발명의 센서 장치의 검사시에 있어서의 측정 회로를 도시하는 도이다. 전원 단자(2)에는 전원(200)이 접속되고, 출력 단자(4)에는 출력 전압 전원(201) 및 전류계(202)가 접속된다. 전원(200)은, 센서 장치에 동작용의 전원 전압을 공급한다. 출력 전압 전원(201)은, 출력 드라이버(7)에 가열용의 전압을 공급한다. 전류계(202)는, 가열 전류를 모니터링하여 출력 전압 전원(201)의 출력 전압을 조절한다. 전류계(202)에 전류가 흐르는지 차단되는지를 모니터링하여, 입력 자속 밀도(Bin)가 BOP나 BRP를 초과했는지 여부를 판정할 수 있다.

도 7은, 본 발명의 센서 장치의 검사 플로의 일 예를 나타내는 플로차트이다. 이러한 검사 플로에 의해, 접합 온도(Tj)가 Ta 및 Ta＋θ·Pd에 있어서의 센서 자기 특성(BOP, BRP)을 측정하는 것이 가능하다. 이 검사 플로가 실현되기 위한 센서 장치의 회로예를, 이하에 도면을 이용하여 설명한다.

도 8은, 본 발명의 센서 장치의 액티브 논리 전환 회로(6)의 일 예를 도시하는 회로도이다.

도 8의 액티브 논리 전환 회로(6)는, 레이저 트리밍 퓨즈(10), 풀다운 소자(11), 트랜지스터(21~30), 인버터(37)를 가진다. 레이저 트리밍 퓨즈(10), 풀다운 소자(11)는 전원 단자(2)와 접지 단자(3)의 사이에 직렬로 접속되고, 그 중점 전압은 액티브 논리 전환 신호(12)이다. 레이저 트리밍 퓨즈(10)는 레이저 트리밍 장치에 의해 웨이퍼 검사 공정 중에서 용단하는 것이 가능하다. 풀다운 소자(11)의 저항값이 레이저 트리밍 퓨즈(10)의 저항값에 대해 충분히 작을 때, 액티브 논리 전환 신호(12)는 레이저 트리밍 퓨즈(10)가 용단 전 상태에서는 “H”, 용단 후 상태에서는 “L”이 된다.

여기서, 트랜지스터(21~30)와 인버터(37)는 배타적 논리합 회로(40)를 구성하고, 그 입력의 한쪽은 센서 출력 논리 신호(8), 다른쪽은 액티브 논리 전환 신호(12)에 접속되며, 그 출력은 드라이버 제어 신호(9)에 접속된다. 레이저 트리밍 퓨즈(10)가 용단 전 상태에서는, 드라이버 제어 신호(9)는 센서 출력 논리 신호(8)의 양 논리(제1 상태에 대응)로서 출력되고, 레이저 트리밍 퓨즈(10)가 용단 후 상태에서는 드라이버 제어 신호(9)는 센서 출력 논리 신호(8)의 음 논리(제2 상태에 대응)로서 출력된다.

이와 같이 레이저 트리밍 퓨즈(10)를 레이저로 용단하는 전후에 있어서 드라이버 제어 신호(9)의 양음을 전환하는 것이 가능하다. 상술한 대로, 액티브 논리 전환 회로(6)가 제1 상태로부터 제2 상태로 전환되고, 드라이버 제어 신호(9)의 양음을 전환함으로써, 접합 온도(Tj)가 Ta 및 Ta＋θ·Pd에서의 센서 특성(BOP 및 BRP)을 측정하는 것이 가능하다.

도 8의 액티브 논리 전환 회로(6)는, 레이저 트리밍 퓨즈(10), 풀다운 소자(11)를 각각 전원 단자(2)측, 접지 단자(3)측에 접속하여 액티브 논리 전환 신호(12)가 용단 전에는 “H”, 용단 후에 “L”이 되도록 구성되어 있는데, 레이저 트리밍 퓨즈(10), 풀다운 소자(11)를 각각 접지 단자(3)측, 전원 단자(2)측에 접속하여 액티브 논리 전환 신호(12)가 용단 전에 “L”, 용단 후에 “H”가 되도록 구성해도 된다.

또, 풀다운 소자(11)를 대신하여 게이트 단자를 접지 단자(3)에 접속한 공핍형 트랜지스터를 사용해도 된다. 트랜지스터(21~30)와 인버터(37)는 논리 게이트이기 때문에 사용하는 제조 프로세스의 최소 치수 트랜지스터로 실현하면 되고, 추가 테스트 패드에 필요한 점유 면적(통상 100㎛×100㎛ 정도)에 비하면 훨씬 작은 실장 면적으로 실현 가능한 것은 자명하다.

도 9는, 본 발명의 센서 장치의 액티브 논리 전환 회로(6)의 다른 예를 도시하는 회로도이다.

도 9의 액티브 논리 전환 회로(6)는, N형 증가형 트랜지스터(31~33), P형 증가형 트랜지스터(34~35), N형 공핍형 트랜지스터(36), 인버터(37), AND 게이트(38), D형 플립플롭(39), EXOR 게이트(40)를 가진다. 도시하지 않으나 D형 플립플롭(39)에는 리셋 단자가 설치되어 있고, 전원 기동 후의 초기 내부 상태는 “L”로 되어 있다.

도 10은, 도 9에 도시하는 액티브 논리 전환 회로(6)의 동작을 나타내는 타이밍 차트이다.

N형 공핍형 트랜지스터(36)는, 게이트가 접지 단자에 접속되고, 정전류원으로서 동작한다. P형 증가형 트랜지스터(34~35)는, 커런트 미러 회로로서 동작하고, 트랜지스터(31~33)에 N형 공핍형 트랜지스터(36)로 생성한 미소한 정전류를 소정의 계수 배한 전류를 공급한다. 트랜지스터(31~33)는, 전원 단자(2)에 접속된 트랜지스터(31)의 게이트 전압이 3·VTH보다 낮을 때에는 오프되어 있다.

여기서, 3·VTH는 센서 장치가 통상 사용되는 전원 전압의 상한보다 높아지도록, 센서 장치를 구성하는 트랜지스터의 정격 전압보다 낮아지도록 설정된다. 이때, 인버터(37)의 입력 신호(43)는 “H”로 되어 있고, 인버터(37)의 출력 신호인 고전압 검출 신호(41)는 “L”이다. AND 게이트(38)의 출력인 전환 CLK 신호(42)는, 센서 출력 논리 신호(8)에 의하지 않고 항상 “L”이고, D형 플립플롭(39)의 CLK 단자에 CLK 신호가 입력되지 않으며, EXOR 게이트(40)의 한쪽의 입력에 접속되는 액티브 논리 전환 신호(12)는 “H”이다. 이 상태에서는, EXOR 게이트(40)의 출력인 드라이버 제어 신호(9)는, 센서 출력 논리 신호(8)의 양 논리(제1 상태에 대응)로서 출력된다.

다음에, 트랜지스터(31)의 게이트 전압이 3·VTH를 초과하면, 트랜지스터(31~33)가 온이 되어, 인버터(37)의 입력 신호(43)는 “L”이 된다. 이때, 고전압 검출 신호(41)는 “H”가 되며, 전환 CLK 신호(42)는 센서 출력 논리 신호(8)와 동일해진다. 여기서 Bin＞BOP가 되도록 인가 자속 밀도를 스위프함으로써, 센서 출력 논리 신호(8)를 “H”로부터“L”로 천이시킴과 더불어 전환 CLK 신호(42)를 “H”로부터 “L”로 천이시키면, D형 플립플롭(39)의 CLK 단자에는 하강 CLK 신호가 입력된다.

이때, D형 플립플롭(39)은 내부 상태가 “L”(Q=“L”/QX=“H”)로부터 “H”(Q=“H”/QX=“L”)로 전환되고, EXOR 게이트(40)의 한쪽의 입력에 접속되는 액티브 논리 전환 신호(12)는 “H”로부터 “L”로 전환된다. 이 상태에서는 EXOR 게이트(40)의 출력인 드라이버 제어 신호(9)는 센서 출력 논리 신호(8)의 음 논리(제2 상태에 대응)로서 출력된다.

이와 같이, 전원 단자(2)에 인가하는 전압과 인가 자속 밀도(Bin)에 의해 출력 드라이버(7)의 액티브 논리를 전환하는 것이 가능하다. 액티브 논리 전환 회로(6)를 제2 상태로부터 원래의 제1 상태로 복귀시키려면, 마찬가지로 전원 단자(2)의 전압을 3·VTH를 초과한 상태로 Bin＞BOP가 되도록 자계를 스위프함으로써, 센서 출력 논리 신호(8)를 “H”로부터 “L”로 천이시키면 된다.

상술한 대로, 액티브 논리 전환 회로(6)가 제1 상태로부터 제2 상태로 전환되고, 드라이버 제어 신호(9)의 양음을 전환함으로써, 접합 온도(Tj)가 Ta 및 Ta＋θ·Pd에서의 센서 특성(BOP, BRP)을 측정하는 것이 가능하다.

도 9의 회로에서는, N형 증가형 트랜지스터(31~33)를 3단 종적으로 구성으로 했는데, 센서가 통상 사용되는 전원 전압의 범위나 트랜지스터의 정격 전압을 감안하여 임의의 단수로 해도 되고, n단으로 종적인 경우의 고전압 검출의 역치는 n·VTH가 된다.

또, N형 증가형 트랜지스터를 사용하고 있는데, P형 증가형 트랜지스터를 사용해도 된다.

또, 정전류원으로서 게이트 단자를 접지 단자(3)에 접속한 공핍형 트랜지스터를 이용하고 있는데, 미소한 정전류를 생성할 수 있으면 좋고, 그 외의 정전류 회로를 사용해도 된다.

또, 액티브 논리 전환 상태의 유지를 위해 D형 플립플롭을 사용하고 있는데, T형이나 JK형 등의 다른 플립플롭을 이용하여 적당히 전후의 게이트 구성을 변경해도 된다.

이와 같이 전원 단자(2)와, 접지 단자(3)와, 출력 단자(4)와, 센서 회로(5)와, 액티브 논리 전환 회로(6)와, 출력 드라이버(7)를 설치하고, 출력 드라이버(7)를 발열 소자로서 이용함으로써, 전용 단자를 설치하는 일 없이, 자기 발열을 이용한 고온 검사가 가능하고, 신규 장치의 도입이나 검사 시간의 증대, 테스트 패드 추가에 의한 칩 점유 면적 증대에 수반하는 비용 증가를 억제한 센서 장치를 제공 가능하다.

명세서 중의 실시 형태에 있어서는, 레이저 트리밍 퓨즈를 이용한 액티브 논리 전환 회로, 고전압 검출 회로를 이용한 액티브 논리 전환 회로를 설명했는데, 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 전환 회로를 적용하는 것이 가능하다.

또, 실시 형태에서는 액티브 논리 전환 회로에 EXOR 게이트를 사용하고 있는데, 복수의 병렬 트랜스미션 게이트에 의한 셀렉터 회로를 사용해도 된다.

또, 명세서 중의 실시 형태에 있어서 센서 회로(5)는 교번 검지형 자기 스위치로서 설명했는데, 그 외의 2치 출력의 자기 센서, 예를 들어 편극 검지형 자기 스위치, 양극 검지형 자기 스위치여도 되고, 그 외의 2치 출력의 물리량 센서, 예를 들어 전류 스위치, 가속도 스위치나 조도 스위치에 적용해도 된다.

본 명세서에는 발명의 적절한 실시 형태에 대해 서술되어 있는데, 상기 서술은 본 발명의 원리의 단순한 예시이며, 따라서 본 발명의 범위 및 주지로부터 일탈하는 일 없이 여러가지 변경이, 당업자에 의해 이루어질 수 있다.

5 센서 회로
6 액티브 논리 전환 회로
7 출력 드라이버
10 레이저 트리밍 퓨즈
11 풀다운 소자

Claims (4)

1. 전원 단자와 접지 단자와 출력 단자의 3단자의 반도체 장치로 구성된, 센서 소자에 인가되는 물리량에 따라 출력 드라이버의 온/오프 상태를 전환하는 센서 장치로서,
   상기 물리량의 대소에 따라 2치의 센서 출력 논리 신호를 출력하는 센서 회로와,
   상기 센서 출력 논리 신호가 입력되고, 출력 드라이버의 온/오프 상태를 전환 제어하는 액티브 논리 전환 회로를 구비하며,
   상기 액티브 논리 전환 회로는, 내부에서 생성되는 액티브 논리 전환 신호에 따라, 입력된 상기 센서 출력 논리 신호의 논리를 전환하는 것을 특징으로 하는 센서 장치.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 액티브 논리 전환 회로는,
   상기 센서 출력 논리 신호와 상기 액티브 논리 전환 신호가 입력되는 논리 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 센서 장치.
3. 청구항 2에 있어서,
   상기 액티브 논리 전환 회로는,
   상기 전원 단자의 전압에 의해 상기 액티브 논리 전환 신호를 전환하여 출력하는 고전압 검출 회로와,
   상기 고전압 검출 회로가 출력하는 상기 액티브 논리 전환 신호를 상기 센서 출력 논리 신호의 천이에 따라 유지하는 플립플롭 회로를 가지는 상기 논리 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 센서 장치.
4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 센서 장치의 검사 방법으로서,
   상기 전원 단자에 제1 전압을 인가하고, 상기 출력 단자에 제2 전압을 인가하며, 상기 센서 장치를 제1 상태로 설정하는 공정과,
   상기 제1 상태에서 상기 물리량을 증가시키고, 상기 물리량을 검출함으로써 상기 출력 드라이버의 출력이 반전한 시점의 상기 물리량을 측정하는 공정과,
   상기 제1 상태에서 상기 물리량을 감소시키고, 상기 물리량을 검출하지 않게 됨으로써 상기 출력 드라이버의 출력이 반전한 시점의 상기 물리량을 측정하는 공정과,
   상기 전원 단자에 제1 전압보다 높은 제3 전압을 인가하고, 상기 센서 장치를 제2 상태로 설정하는 공정과,
   상기 제2 상태에서 상기 물리량을 증가시키고, 상기 물리량을 검출함으로써 상기 출력 드라이버의 출력이 반전한 시점의 상기 물리량을 측정하는 공정과,
   상기 제2 상태에서 상기 물리량을 감소시키고, 상기 물리량을 검출하지 않게 됨으로써 상기 출력 드라이버의 출력이 반전한 시점의 상기 물리량을 측정하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 센서 장치의 검사 방법.

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