KR20160106950A - 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치 및 세정방법 - Google Patents

웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치 및 세정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160106950A
KR20160106950A KR1020150029728A KR20150029728A KR20160106950A KR 20160106950 A KR20160106950 A KR 20160106950A KR 1020150029728 A KR1020150029728 A KR 1020150029728A KR 20150029728 A KR20150029728 A KR 20150029728A KR 20160106950 A KR20160106950 A KR 20160106950A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
storage unit
wafer transfer
transfer storage
water tank
unit
Prior art date
Application number
KR1020150029728A
Other languages
English (en)
Inventor
진태영
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020150029728A priority Critical patent/KR20160106950A/ko
Publication of KR20160106950A publication Critical patent/KR20160106950A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

실시예는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치에 관한 것으로서, 수조; 상기 수조의 일측면에 연결되어 초순수(DeIonized Water : DIW)를 상기 수조에 공급하는 초순수 공급관; 상기 초순수 공급관과 연결되는 기포 생성부; 상기 기포 생성부와 연결되어 상기 수조의 하단부에 배치되는 기포 분사부; 상기 수조의 상부에 배치되는 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부; 및 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부를 회전시키는 회전부를 포함한다.

Description

웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치 및 세정방법{Cleaning Apparatus for Storage Unit for Transferring Wafer and Cleaning Method using the same}
실시예는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치 및 세정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 이송용 저장유닛을 기포로 세정하여 웨이퍼 이송용 저장유닛의 청정도를 개선하고, 웨이퍼 이송용 저장유닛에 안착되는 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치 및 세정방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 웨이퍼에 대해 증착, 식각, 세정 및/또는 건조 등과 같은 다양한 제조 공정을 거쳐야 한다. 예를 들어 식각 장치, 세정 장치, 증착 장치, 건조 장치 또는 증착, 식각, 세정, 건조 등이 연속적으로 이루어질 수 있는 웨이퍼 처리 장치를 이용하여 기판에 다양한 제조 공정을 진행하게 된다.
통상적으로, 웨이퍼들은 웨이퍼 이송용 저장장치인 FOUP(Front Opening Unified Pod)에 안착되어 이송되고, 이송된 웨이퍼들은 낱장 단위로 공정 챔버로 들어가서 제조 공정들을 거치게 된다.
여기서, FOUP은 복수의 반도체 웨이퍼를 정렬하여 수납하는 본체와 본체를 개폐하는 덮개로 구성되어 있다. 그리고, 본체에는 반도체 웨이퍼가 안착될 수 있는 슬롯(slot)이 구비되어 있는데, 반도체 웨이퍼가 슬롯에 잔류하는 이물질로부터 반도체 웨이퍼가 오염되는 문제가 발생한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 한국공개특허 제10-2012-0131785호에서 개시하고 있는 '반도체 캐리어 세정장치'는 일정한 내부 체적을 가지며, 개폐가능한 커버를 가지는 밀폐 챔버; 상기 밀폐 챔버 내부 하측에 설치되며, 반도체 캐리어가 뒤집어진 상태로 안착되는 캐리어 안착부; 상기 밀폐 챔버의 하면 중앙에 설치되며, 회전가능하게 설치되는 회전 정반; 상기 회전 정반에 설치되며, 상기 캐리어 안착부에 안착된 상기 반도체 캐리어 내부에 고압의 초순수(DeIonized Water)를 분사하는 DI 고압 분사부; 상기 회전 정반에에 상기 DI 고압 분사부와 인접하게 설치되며, 상기 캐리어 안착부에 안착된 상기 반도체 캐리어 내부에 고압의 기체를 분사하는 기체 고압 분사부; 상기 회전 정반을 회전시키는 정반 회전부; 및 상기 밀폐 챔버에 설치되며, 상기 밀폐 챔버 내부의 기체를 외부로 배출하는 배기부를 포함한다. 그리고, 자동화 방식으로 세정 효율을 향상시키고 온순수를 사용하여 반도체 캐리어에 대한 세정 능력이 향상시킬 수 있는 효과가 있으나, 종래의 '반도체 캐리어 세정장치'를 이용하여 반도체 캐리어를 세척하고 난 후 파티클(particle) 이나 유기물이 완전히 제거되지 않는 문제점이 있다.
실시예는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로, 웨이퍼 이송용 저장유닛 세정 시에 기포를 웨이퍼 이송용 저장유닛에 분사하여 세정할 수 있는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치 및 세정방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 실시예는 수조; 상기 수조의 일측면에 연결되어 초순수(DeIonized Water : DIW)를 상기 수조에 공급하는 초순수 공급관; 상기 초순수 공급관과 연결되는 기포 생성부; 상기 기포 생성부와 연결되어 상기 수조의 하단부에 배치되는 기포 분사부; 상기 수조의 상부에 배치되는 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부; 및 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부를 회전시키는 회전부를 포함하는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치를 제공한다.
실시예에서, 상기 기포 분사부는 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛의 내벽 상부를 향하여 배치되는 제1 노즐과, 상기 제1 노즐의 양단에 배치되어 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛의 내벽 측면을 향하여 배치되는 제2 노즐과 제3 노즐을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 기포 분사부는 마이크로 버블(micro bubble)을 분사할 수 있다.
한편, 상기 수조의 하면에 초음파 세척 유닛이 배치될 수 있다.
아울러, 상기 초음파 세척 유닛은 상기 수조의 하면 중앙부에 설치되는 복수 개의 진동자와, 상기 진동자를 발진시키는 발진기를 포함할 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 다른 실시예는 웨이퍼 이송용 저장유닛을 수조에 투입하는 단계; 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에 초순수(DeIonized Water : DIW)를 분사하여 파티클(particle)을 제거하는 단계; 세정액을 이용하여 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에서 유기물과 금속물질을 제거하는 단계; 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에 상기 초순수를 분사하여 잔류하는 상기 세정액을 제거하는 단계; 상기 수조에 상기 초순수를 공급하고, 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에 기포를 분사하여 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 상기 파티클(particle)을 제거하는 단계; 및 웨이퍼 이송용 저장유닛을 건조시키는 단계를 포함할 수 있다.
실시예에서, 상기 웨이퍼 이송 저장유닛에 분사되는 기포는 마이크로 버블(micro bubble)일 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼 이송 저장유닛에 분사되는 기포는 상기 웨이퍼 이송 저장유닛의 내벽 상부와 측면으로 분사될 수 있다.
그리고, 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에 기포를 분사하여 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 상기 파티클(particle)을 제거하는 단계는 초음파 세척 단계를 더 포함할 수 있다.
아울러, 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에 기포를 분사하여 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 상기 파티클(particle)을 제거하는 단계에서 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛을 회전시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같은 실시예에 의하면, 기포를 웨이퍼 이송용 저장유닛에 분사하여 웨이퍼 이송용 저장유닛을 세정함으로써 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 파티클(particle)이나 유기물을 제거할 수 있다.
그리고, 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 파티클(particle)이나 유기물을 제거함으로써 웨이퍼 이송용 저장유닛에 안착되는 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치의 기포 생성부를 나타내는 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치를 나타내는 저면도이다.
도 4는 실시예에 따른 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정방법을 도시한 순서도 이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치(100)는 수조(110), 초순수 공급관(120), 기포 생성부(130), 기포 분사부(140), 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부(150), 회전부(160)를 포함하여 이루어진다.
먼저 수조(110)는 금속 소재로 구비될 수 있고, 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)이 투입될 수 있을 정도의 깊이를 가질 수 있다. 그리고, 수조(110)은 원통형이나 사각통 형상으로 구비될 수 있다.
또한, 초순수 공급관(120)은 수조(110)의 일측면에 연결될 수 있는데, 실시예에서는 수조(110)의 일측면 하부에 직선 형태의 관으로 연결되어 수조(110)에 초순수(DeIonized Water : DIW)(W)를 공급해 준다.
그리고, 수조(110)에 초순수 공급관(120)을 통해 초순수(W)가 채워지면 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)을 세정하도록 기포를 생성시켜 주는 기포 생성부(130)가 수조(110)의 외부에 구비될 수 있다.
여기서, 기포 생성부(130)는 초순수 공급관(120)과 연결될 수 있는데, 초순수 공급관(120)의 일부 지점이 연장되어 기포 생성부(130)와 연결될 수 있다. 그리고, 기포 생성부(130)에서 생성되는 기포는 마이크로 버블(micro bubble)일 수 있는데, 마이크로 버블은 40KHz의 초음파를 발생하고, 4,000℃ 내지 6,000℃의 순간적인 고열을 발생하며, 수중에서 압력에 의해 축소되어 높은 에너지를 발생시키며 소멸하기 때문에 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 표면에 고착되어 있는 파티클, 금속물질, 유기물을 효과적으로 제거할 수 있다.
아울러, 기포 생성부(130)에서 생성되는 기포는 기포 분사부(140)를 통해 분사될 수 있는데, 기포 분사부(140)는 기포 생성부(130)와 연결되어 수조(110)의 하단부에 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 기포 생성부(130)에서 생성된 기포는 기포 분사부(140)를 통해 수조(110)에 투입된 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부로 분사될 수 있다.
도 2는 실시예에 따른 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치의 기포 생성부를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기포 분사부(140)는 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 표면에 기포가 고루 분사될 수 있도록 복수의 노즐이 배치될 수 있다. 다시 말해서, 기포 분사부(140)는 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내벽 상부를 향하여 배치되는 제1 노즐(141)과, 제1 노즐(141)의 양단에 배치되어 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내벽 측면을 향하여 배치되는 제2 노즐(142)과 제3 노즐(143)을 포함할 수 있다.
그리고, 제1 노즐(141)은 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 저면을 관통하는 초순수 공급관(120)의 일단에서 양쪽으로 연장되어 구비되는 제1 초순수 공급관(120a)의 상단에 구비되고, 제1 노즐(141)을 통하여 분사되는 기포가 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 상단면에 부딪혀 터지면서 이때 발생되는 에너지가 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 표면에 고착된 파티클 및 유기물을 제거해 줄 수 있다.
또한, 제2 노즐(142)과 제3 노즐(143)은 제1 노즐(141)이 배치되는 제1 초순수 공급관(120a)의 양단에 하방으로 경사지도록 구비되는 제2 초순수 공급관(120b)과 제3 초순수 공급관(120c)에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 노즐(142)과 제3 노즐(143)을 분사되는 기포가 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 측면에 부딪혀 터지면서 이때 발생되는 에너지가 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 측면에 고착된 파티클 및 유기물을 제거해 줄 수 있다.
여기서, 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 상부와 측면에 기포가 고루 분사될 수 있도록 제1 노즐(141)이 구비되는 제1 초순수 공급관(120a)은 수평으로 구비되고, 제2 노즐(142)과 제3 노즐(143)이 각각 배치되는 제2 초순수 공급관(120b)과 제3 초순수 공급관(120c)은 제1 초순수 공급관(120a)의 양단에서 하방으로 경사가 지는데, 이때 경사도는 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 측면에 기포가 분사되어 도달할 수 있는 경사도를 가지도록 구비될 수 있다.
상술한 기포 분사부(140)의 구조는 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 표면에 기포가 고루 분사될 수 있는 구조이면 이에 한정하지 않는다.
도 1을 참조하면, 수조(110)의 상부에는 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부(150)가 구비될 수 있는데, 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부(150)는 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)을 고정시켜 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)을 상하로 이동시키며 수조(110)에 투입시킬 수 있다.
한편, 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부(150)의 상단에는 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부(150)을 회전시킬 수 있는 회전부(160)가 배치될 수 있다.
여기서, 회전부(160)는 기포를 이용하여 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부를 세정할 때 그 세정력을 높이기 위해, 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)을 회전시킬 수 있다.
도 3은 실시예에 따른 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치를 나타내는 저면도이다.
도 1과 도 3을 참조하면, 마이크로 버블로 웨이퍼 이송용 저장유닛의 내부 표면에 고착된 파티클, 금속물질, 유기물을 제거하는데 있어서, 실시예에서는 웨이퍼 이송용 저장유닛을 회전시키면서, 그 세정력을 더 향상시키기 위해 초음파 세척 유닛(170)이 구비될 수 있다.
그리고, 초음파 세척 유닛(170)은 수조(110)의 저면에 배치될 수 있고, 수조의 하면 중앙부에 설치되는 복수 개의 진동자(172)와, 진동자(172)를 발진시키는 발진기(미도시)를 포함할 수 있다.
실시예에서 진동자(172)는 수조(110)의 중앙부를 관통하는 초순수 공급관(120)을 중심으로 수조(110)의 중앙부에 4개가 배치될 수 있다.
그리고, 발진기(미도시)로부터 전기 신호가 진동자로 인가되어 수조에 담긴 초순수에 초음파 진동을 가해 웨이퍼 이송용 저장유닛의 내부 표면에 고착된 파티클, 금속물질, 유기물을 제거하는데 있어서, 마이크로 버블과의 교호작용으로 세정효과를 증대시킬 수 있다.
아울러, 초음파 주파수의 크기는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 내벽면에 파티클이 고착된 정도에 따라 다르게 제어할 수 있다.
도 4는 실시예에 따른 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정방법을 도시한 순서도 이다.
도 1과 도 4를 참조하면, 실시예에 의한 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정방법은 웨이퍼 이송용 저장유닛을 수조에 투입하는 단계(S10), 웨이퍼 이송용 저장유닛에 초순수(DeIonized Water : DIW)를 분사하여 파티클(particle)을 제거하는 단계(S20), 세정액을 이용하여 웨이퍼 이송용 저장유닛에서 유기물과 금속물질을 제거하는 단계(S30), 웨이퍼 이송용 저장유닛에 초순수를 분사하여 잔류하는 세정액을 제거하는 단계(S40), 수조에 초순수를 공급하고, 웨이퍼 이송용 저장유닛에 기포를 분사하여 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 파티클(particle)을 제거하는 단계(S50), 웨이퍼 이송용 저장유닛을 건조시키는 단계(S60)를 포함한다.
웨이퍼 이송용 저장유닛에 고착되어 있는 파티클(particle), 금속물질, 유기물을 제거하기 위해서는 파티클의 경우 물리력을 이용하여 세정이 가능하고, 유기물이나 금속물질의 경우 계면활성력을 이용하여 제거할 수 있다.
실시예에서는 웨이퍼 이송용 저장유닛을 수조에 투입(S10)하고, 1차적으로 웨이퍼 이송용 저장유닛에 부착된 파티클을 제거하기 위해 웨이퍼 이송용 저장유닛에 초순수(DeIonized Water : DIW)를 분사(S20)할 수 있다.
그리고, 세정액을 이용하여 웨이퍼 이송용 저장유닛에서 유기물과 금속물질을 제거하는 단계(S30)에서 세정액은 알칼리 계열의 음이온 계면활성제를 포함할 수 있다.
또한, 유기물과 금속물질을 제거하기 위한 세정액을 웨이퍼 이송용 저장유닛으로부터 제거하기 위해 웨이퍼 이송용 저장유닛에 초순수를 분사(S40)할 수 있다.
그리고, 1차 파티클 제거 단계에서 제거되지 않고 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 파티클을 제거(S50)하기 위해 초순수가 담긴 수조에서 2차적으로 파티클 제거 공정이 진행될 수 있다.
웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 파티클(particle)을 제거하는 단계(S50)에서는 수조(110)에 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)이 잠길 수 있도록 초순수(W)를 공급하고, 수조(110)의 하단에 설치되는 기포 분사부(140)로부터 분사되는 기포가 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 표면에 부딪혀 터지면서 이때 발생되는 에너지가 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 표면에 고착된 파티클 및 유기물을 제거해 줄 수 있다.
여기서, 웨이퍼 이송 저장유닛에 분사되는 기포는 마이크로 버블(micro bubble)일 수 있으며, 마이크로 버블은 40KHz의 초음파를 발생하고, 4,000℃ 내지 6,000℃의 순간적인 고열을 발생하며, 수중에서 압력에 의해 축소되어 높은 에너지를 발생시키며 소멸하기 때문에 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 표면에 고착되어 있는 파티클, 금속물질, 유기물을 효과적으로 제거할 수 있다.
그리고, 기포 분사부(140)의 노즐은 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내벽 상부와 내측면을 향하도록 배치되어 기포가 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부 상부와 측면에 고루 분사될 수 있다.
또한, 웨이퍼 이송용 저장유닛에 기포를 분사하여 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 상기 파티클을 제거하는 단계는 초음파 세척 단계를 더 포함할 수 있다. 여기서, 초음파 세척 유닛(170)은 초음파 세척 유닛(170)은 수조(110)의 저면에 배치될 수 있고, 수조의 하면 중앙부에 설치되는 복수 개의 진동자(미도시)와, 진동자(미도시)를 발진시키는 발진기(미도시)를 포함할 수 있다.
아울러, 발진기로부터 전기 신호가 진동자로 인가되어 수조에 담긴 초순수에 초음파 진동을 가해 웨이퍼 이송용 저장유닛의 내부 표면에 고착된 파티클, 금속물질, 유기물을 제거하는데 있어서, 마이크로 버블과의 교호작용으로 세정효과를 증대시킬 수 있다.
한편, 웨이퍼 이송용 저장유닛에 기포를 분사하여 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 파티클을 제거하는 단계에서는 기포를 이용하여 웨이퍼 이송용 저장유닛(180)의 내부를 세정할 때 그 세정력을 높이기 위해, 웨이퍼 이송용 저장유닛을 회전시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 웨이퍼 이송용 저장유닛에 고착된 파티클, 금속물질, 유기물이 제거된 웨이퍼 이송용 저장유닛은 수조 내에 고압의 기체를 분사하는 기체 분사부(미도시)를 통해 건조(S60)시킬 수 있다.
실시예에 따르면 웨이퍼 이송용 저장유닛의 오염물질을 제거하는데 있어서, 기포를 웨이퍼 이송용 저장유닛에 분사하여 웨이퍼 이송용 저장유닛을 세정함과 동시에 초음파 세척을 동시에 적용함으로써 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 파티클(particle)이나 유기물을 제거할 수 있는 세척력을 향상시킬 수 있다. 아울러, 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 파티클(particle)이나 유기물을 제거함으로써 웨이퍼 이송용 저장유닛에 안착되는 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치
110 : 수조 120 : 초순수 공급관
130 : 기포 생성부 140 : 기포 분사부
141 : 제1 노즐 142 : 제2 노즐
143 : 제3 노즐 150 : 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부
160 : 회전부 170 : 초음파 세척 유닛
172 : 진동자 180 : 웨이퍼 이송용 저장유닛
W : 초순수

Claims (10)

  1. 수조;
    상기 수조의 일측면에 연결되어 초순수(DeIonized Water : DIW)를 상기 수조에 공급하는 초순수 공급관;
    상기 초순수 공급관과 연결되는 기포 생성부;
    상기 기포 생성부와 연결되어 상기 수조의 하단부에 배치되는 기포 분사부;
    상기 수조의 상부에 배치되는 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부; 및
    상기 웨이퍼 이송용 저장유닛 홀딩부를 회전시키는 회전부를 포함하는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 기포 분사부는 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛의 내벽 상부를 향하여 배치되는 제1 노즐과,
    상기 제1 노즐의 양단에 배치되어 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛의 내벽 측면을 향하여 배치되는 제2 노즐과 제3 노즐을 포함하는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 기포는 마이크로 버블(micro bubble)인 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 수조의 하면에 초음파 세척 유닛이 배치되는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 초음파 세척 유닛은 상기 수조의 하면 중앙부에 설치되는 복수 개의 진동자와,
    상기 진동자를 발진시키는 발진기를 포함하는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치.
  6. 웨이퍼 이송용 저장유닛을 수조에 투입하는 단계;
    상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에 초순수(DeIonized Water : DIW)를 분사하여 파티클(particle)을 제거하는 단계;
    세정액을 이용하여 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에서 유기물과 금속물질을 제거하는 단계;
    상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에 상기 초순수를 분사하여 잔류하는 상기 세정액을 제거하는 단계;
    상기 수조에 상기 초순수를 공급하고, 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에 기포를 분사하여 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 상기 파티클(particle)을 제거하는 단계; 및
    웨이퍼 이송용 저장유닛을 건조시키는 단계를 포함하는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이송 저장유닛에 분사되는 기포는 마이크로 버블(micro bubble)인 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정방법.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이송 저장유닛에 분사되는 기포는 상기 웨이퍼 이송 저장유닛의 내벽 상부와 측면으로 분사되는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정방법.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에 기포를 분사하여 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 상기 파티클(particle)을 제거하는 단계는 초음파 세척 단계를 더 포함하는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정방법.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이송용 저장유닛에 기포를 분사하여 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛의 표면에 고착된 상기 파티클(particle)을 제거하는 단계에서 상기 웨이퍼 이송용 저장유닛을 회전시키는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정방법.
KR1020150029728A 2015-03-03 2015-03-03 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치 및 세정방법 KR20160106950A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150029728A KR20160106950A (ko) 2015-03-03 2015-03-03 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치 및 세정방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150029728A KR20160106950A (ko) 2015-03-03 2015-03-03 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치 및 세정방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160106950A true KR20160106950A (ko) 2016-09-13

Family

ID=56946484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150029728A KR20160106950A (ko) 2015-03-03 2015-03-03 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치 및 세정방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160106950A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190012774A (ko) * 2017-07-28 2019-02-11 명지대학교 산학협력단 미세 버블을 이용한 세정 시스템 및 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190012774A (ko) * 2017-07-28 2019-02-11 명지대학교 산학협력단 미세 버블을 이용한 세정 시스템 및 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9044794B2 (en) Ultrasonic cleaning fluid, method and apparatus
US10090189B2 (en) Substrate cleaning apparatus comprising a second jet nozzle surrounding a first jet nozzle
JP2008251743A (ja) 基板処理システム及び基板洗浄装置
JP2000188273A (ja) 半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法
KR20090101242A (ko) 반도체 프로세스 장치 컴포넌트 및 부품의 메가소닉 정밀 세정
KR102661662B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 처리 장치
JP6473248B2 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、および基板洗浄方法
JP2013065795A (ja) 基板処理方法
TWI666070B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20160106950A (ko) 웨이퍼 이송용 저장유닛의 세정장치 및 세정방법
US20140182628A1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
KR101776023B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US7926494B2 (en) Bernoulli blade
KR101065349B1 (ko) 세정 노즐 및 이를 포함하는 세정 장치
TWI697948B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
KR20080030203A (ko) 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판의 세정 방법
JP2007059832A (ja) 基板処理装置
JP2008166426A (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
KR102553350B1 (ko) 세정액 노즐, 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP2004247752A (ja) クローズドマニュファクチャリング装置およびこの装置を用いて被洗浄基板を処理する方法
KR100841995B1 (ko) 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 세정 방법
KR20110062026A (ko) 기판 세정 장치
KR20190019510A (ko) 기판 세정 시스템
KR20160060475A (ko) 기판 액처리 장치 및 방법
TW201900286A (zh) 基板處理裝置、噴頭清洗裝置和噴頭清洗方法