KR20160102198A - Wetting agent for semiconductor substrate, and polishing composition - Google Patents

Wetting agent for semiconductor substrate, and polishing composition Download PDF

Info

Publication number
KR20160102198A
KR20160102198A KR1020167016875A KR20167016875A KR20160102198A KR 20160102198 A KR20160102198 A KR 20160102198A KR 1020167016875 A KR1020167016875 A KR 1020167016875A KR 20167016875 A KR20167016875 A KR 20167016875A KR 20160102198 A KR20160102198 A KR 20160102198A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wetting agent
hydroxyethyl cellulose
semiconductor substrate
present
polishing composition
Prior art date
Application number
KR1020167016875A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102267568B1 (en
Inventor
다카유키 마쓰시타
Original Assignee
니타 하스 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니타 하스 인코포레이티드 filed Critical 니타 하스 인코포레이티드
Publication of KR20160102198A publication Critical patent/KR20160102198A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102267568B1 publication Critical patent/KR102267568B1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G1/00—Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
    • C01G1/02—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08B—POLYSACCHARIDES; DERIVATIVES THEREOF
    • C08B11/00—Preparation of cellulose ethers
    • C08B11/02—Alkyl or cycloalkyl ethers
    • C08B11/04—Alkyl or cycloalkyl ethers with substituted hydrocarbon radicals
    • C08B11/08—Alkyl or cycloalkyl ethers with substituted hydrocarbon radicals with hydroxylated hydrocarbon radicals; Esters, ethers, or acetals thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L1/00—Compositions of cellulose, modified cellulose or cellulose derivatives
    • C08L1/08—Cellulose derivatives
    • C08L1/26—Cellulose ethers
    • C08L1/28—Alkyl ethers
    • C08L1/284—Alkyl ethers with hydroxylated hydrocarbon radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

하이드록시에틸셀룰로오스 및 물을 포함하는 반도체 기판용 습윤제(wetting agent)로서, 상기 하이드록시에틸셀룰로오스는 관성(慣性) 반경이 56 ㎚ 이상 255 ㎚ 이하이며, 또한 접촉각이 10° 이상 32° 이하이다.Wherein the hydroxyethyl cellulose has an inertia radius of 56 nm or more and 255 nm or less and a contact angle of 10 DEG or more and 32 DEG or less. The wetting agent for a semiconductor substrate according to claim 1, wherein the hydroxyethyl cellulose is a hydroxyethyl cellulose.

Description

반도체 기판용 습윤제 및 연마용 조성물{WETTING AGENT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND POLISHING COMPOSITION}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a wetting agent for a semiconductor substrate and a polishing composition for polishing the same. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002]

본원은, 일본특원 2013-267255호의 우선권을 주장하고, 인용에 의해 본원 명세서에서 원용된다.The present application claims priority from Japanese Patent Application No. 2013-267255, which is incorporated herein by reference.

본 발명은, 반도체 기판용 습윤제(wetting agent) 및 연마용 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a wetting agent and a polishing composition for a semiconductor substrate.

최근, 집적 회로의 고도 집적화 등에 따라 반도체 장치의 미세화가 진행되고 있고, 그 결과, 반도체 웨이퍼(이하, 간단하게 웨이퍼라고도 한다.) 등의 반도체 기판(이하, 간단하게 기판이라고도 함)에는 높은 평탄성에 더하여, 표면의 젖음성의 향상 및 표면 결함의 저감에 대해서도 높은 레벨이 요구되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization of semiconductor devices has progressed due to high integration of integrated circuits and the like. As a result, semiconductor substrates such as semiconductor wafers (hereinafter, simply referred to as wafers) In addition, a high level is required for improvement of wettability of the surface and reduction of surface defects.

웨이퍼의 표면의 젖음성을 향상시키고, 또한 표면 결함을 저감하기 위하여, 예를 들면, 젖음성을 높이는 성분인 수용성 고분자의 수용액으로 웨이퍼 표면을 처리하는 것이 고려되고 있다.It has been considered to treat the surface of a wafer with an aqueous solution of a water-soluble polymer, which is a component for increasing wettability, in order to improve the wettability of the surface of the wafer and reduce surface defects.

수용성 고분자를 포함하는 수용액으로 웨이퍼를 처리함으로써, 수용성 고분자에 의한 친수성 막이 웨이퍼 표면에 부여되어, 젖음성이 높아지는 것으로 알려져 있다.It has been known that by treating a wafer with an aqueous solution containing a water-soluble polymer, a hydrophilic film formed by the water-soluble polymer is imparted to the surface of the wafer and the wettability is increased.

이와 같은 젖음성을 높일 수 있는 용액은, 예를 들면, 특허 문헌 1에 기재되어 있다.Such a solution capable of enhancing the wettability is described in, for example, Patent Document 1. [

특허 문헌 1에는, 수용성 고분자로서의 하이드록시에틸셀룰로오스를 포함하는 연마용 습윤제 및 연마용 조성물에 대하여 기재되어 있다.Patent Document 1 describes a wetting agent for polishing and a polishing composition comprising hydroxyethylcellulose as a water-soluble polymer.

하이드록시에틸셀룰로오스 등의 수용성 고분자는 전술한 바와 같이 젖음성을 높이는 성분이지만, 한편으로는, 수용액 중에 불용해성 물질을 생기게 하기 쉽고, 이러한 불용해성 물질은 처리 후의 웨이퍼 표면에 부착됨으로써, 웨이퍼 표면의 헤이즈 값(haze value)이나, LPD(Light Point Defects) 값의 상승 등, 표면 결함의 원인이 된다.Soluble polymer such as hydroxyethyl cellulose is a component for increasing the wettability as described above. On the other hand, the water-insoluble polymer easily attaches to the surface of the wafer after the treatment, This can cause surface defects such as haze value and LPD (Light Point Defects) value increase.

특허 문헌 1에는, 하이드록시에틸셀룰로오스로서 특정한 점도를 가지는 것을 사용함으로써, 표면 결함의 원인이 되는 불용해성 물질을 여과에 의해 제거하기 용이하게 하는 것에 대하여 기재되어 있다.Patent Document 1 describes that an insoluble substance which causes surface defects is easily removed by filtration by using a material having a specific viscosity as hydroxyethyl cellulose.

그러나, 특허 문헌 1에 기재된 습윤제 또는 연마용 조성물은, 용액 중의 불용해성 물질의 발생을 억제하는 것은 아니기 때문에, 여과가 불충분한 경우에는 연마 후의 웨이퍼의 표면 결함에 대한 억제는 할 수 없다. 또한, 여과할 수없을 정도로 미세한 불용해성 물질은 제거할 수 없으므로, 극히 미세한 불용해성 물질이 웨이퍼 표면에 부착되는 것은 억제할 수 없다. 따라서, 표면 결함의 저감이 불충분한 문제가 있다.However, the wetting agent or polishing composition disclosed in Patent Document 1 does not inhibit the generation of insoluble substances in the solution, and therefore, when the filtration is insufficient, surface defects of the wafer after polishing can not be suppressed. In addition, since the insoluble substance can not be removed to such an extent that it can not be filtered, it is not possible to suppress the adhesion of extremely insoluble substance to the wafer surface. Therefore, there is a problem that the reduction of surface defects is insufficient.

일본공개특허 2012-89862호 공보Japanese Laid-Open Patent Application No. 2012-89862

이에, 본 발명은, 전술한 바와 같은 종래의 문제를 감안하여, 반도체 기판 표면의 젖음성을 충분히 향상시키는 동시에, 기판의 표면 결함을 충분히 저감할 수 있는 반도체 기판용 습윤제 및 연마용 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a wetting agent for a semiconductor substrate and a polishing composition capable of sufficiently improving the wettability of the surface of a semiconductor substrate and sufficiently reducing surface defects of the substrate in view of the above- We will do it.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하고자 예의(銳意) 검토한 결과, 특정한 관성(慣性) 반경 및 접촉각을 가지는 하이드록시에틸셀룰로오스를 사용함으로써, 젖음성의 향상 및 표면 결함을 저감할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventors have intensively studied to solve the above problems and found that by using hydroxyethyl cellulose having a specific inertia radius and a contact angle, it is possible to improve wettability and reduce surface defects, The present invention has been completed.

본 발명에 따른 반도체 기판용 습윤제는, 하이드록시에틸셀룰로오스 및 물을 포함하는 반도체 기판용 습윤제로서, 상기 하이드록시에틸셀룰로오스는 관성 반경이 56 ㎚ 이상 255 ㎚ 이하이며, 또한 접촉각이 10° 이상 32° 이하이다.The wetting agent for a semiconductor substrate according to the present invention is a wetting agent for a semiconductor substrate comprising hydroxyethyl cellulose and water, wherein the hydroxyethyl cellulose has an inertia radius of not less than 56 nm and not more than 255 nm, Or less.

본 발명에 있어서, 반도체 기판용 습윤제는 pH 9.0 이상 11.0 이하라도 된다.In the present invention, the wetting agent for semiconductor substrate may be pH 9.0 to 11.0.

본 발명에 따른 연마용 조성물은, 하이드록시에틸셀룰로오스, 물 및 연마 입자를 포함하는 연마용 조성물로서, 상기 하이드록시에틸셀룰로오스는 관성 반경이 56 ㎚ 이상 255 ㎚ 이하이며, 또한 접촉각이 10° 이상 32° 이하이다.The polishing composition according to the present invention is a polishing composition comprising hydroxyethyl cellulose, water and abrasive particles, wherein the hydroxyethyl cellulose has an inertia radius of 56 nm or more and 255 nm or less, and a contact angle of 10 to 32 °.

본 발명에 있어서, 연마용 조성물은 pH 9.0 이상 11.0 이하라도 된다.In the present invention, the polishing composition may have a pH of 9.0 to 11.0.

이하에서, 본 발명에 따른 반도체 기판용 습윤제 및 연마용 조성물에 대하여 설명한다.Hereinafter, the wetting agent for a semiconductor substrate and the polishing composition according to the present invention will be described.

본 실시형태의 반도체 기판용 습윤제는, 하이드록시에틸셀룰로오스 및 물을 포함하는 반도체 기판용 습윤제로서, 상기 하이드록시에틸셀룰로오스는 관성 반경이 56 ㎚ 이상 255 ㎚ 이하이며, 또한 접촉각이 10° 이상 32° 이하이다.The wetting agent for a semiconductor substrate of the present embodiment is a wetting agent for a semiconductor substrate comprising hydroxyethyl cellulose and water, wherein the hydroxyethyl cellulose has an inertia radius of 56 nm or more and 255 nm or less and a contact angle of 10 to 32 Or less.

하이드록시에틸셀룰로오스는 친수성 고분자로서, 물과 혼합됨으로써 용이하게 수용액으로 된다. 상기 하이드록시에틸셀룰로오스의 수용액을, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판 표면에 접촉시킴으로써 상기 표면에 친수성을 부여하여, 젖음성을 향상시킬 수 있다.Hydroxyethylcellulose is a hydrophilic polymer, which is easily mixed with water to form an aqueous solution. By bringing the aqueous solution of hydroxyethylcellulose into contact with the surface of a semiconductor substrate such as a silicon wafer, hydrophilicity can be imparted to the surface to improve wettability.

본 실시형태의 습윤제에 포함되는 하이드록시에틸셀룰로오스의 관성 반경은 56 ㎚ 이상 255 ㎚ 이하(560Å(옹스트롬) 이상 2550Å 이하)이며, 56 ㎚ 이상 207 ㎚ 이하(560Å 이상 2070Å 이하)인 것이 바람직하다.The inertial radius of the hydroxyethyl cellulose contained in the humectant of the present embodiment is preferably 56 nm or more and 255 nm or less (560 Å or more and 2550 or less Å), and preferably 56 nm or more and 207 nm or less (560 or more and 2070 or less).

하이드록시에틸셀룰로오스의 관성 반경이 전술한 범위가 됨으로써, 젖음성을 향상시킬 수 있는 것과 동시에, 수용액 중의 불용해성 물질의 발생을 억제할 수 있다.By setting the inertia radius of hydroxyethyl cellulose to the above-mentioned range, the wettability can be improved and the generation of the insoluble substance in the aqueous solution can be suppressed.

본 실시형태에서의 하이드록시에틸셀룰로오스의 관성 반경이란, 수중에서의 관성 반경을 일컫는다.The inertia radius of hydroxyethyl cellulose in the present embodiment refers to the inertia radius in water.

관성 반경은, 정적(靜的) 광산란법으로 측정되는 관성 반경을 일컬으며, 구체적으로는, 후술하는 실시예에서 나타내는 측정 방법으로 측정되는 값을 일컫는다.The inertia radius refers to an inertia radius measured by a static light scattering method and specifically refers to a value measured by a measuring method described in the following embodiments.

본 실시형태가 습윤제에 포함되는 하이드록시에틸셀룰로오스의 접촉각은 10° 이상 32° 이하이며, 15° 이상 29° 이하인 것이 바람직하다.The contact angle of the hydroxyethyl cellulose contained in the wetting agent of the present embodiment is preferably 10 ° or more and 32 ° or less, more preferably 15 ° or more and 29 ° or less.

하이드록시에틸셀룰로오스의 접촉각이 전술한 범위가 됨으로써, 젖음성을 향상시킬 수 있는 것과 동시에, 수용액 중의 불용해성 물질의 발생을 억제할 수 있다.When the contact angle of the hydroxyethyl cellulose is in the above-mentioned range, the wettability can be improved and the generation of the insoluble substance in the aqueous solution can be suppressed.

본 실시형태에서의 하이드록시에틸셀룰로오스의 접촉각이란, 하이드록시에틸셀룰로오스의 0.3 질량% 수용액의, 표면 거칠기(Ra)가 10Å(1 ㎚)인 오르토규산 테트라에틸(TEOS)제 웨이퍼 표면에 대한 접촉각을 일컬으며, 구체적으로는, 후술하는 실시예에 나타내는 측정 방법으로 측정되는 값을 일컫는다.The contact angle of hydroxyethyl cellulose in the present embodiment means a contact angle with respect to the surface of a wafer made of tetraethylorthosilicate (TEOS) having a surface roughness (Ra) of 10 angstroms (1 nm) in a 0.3 mass% aqueous solution of hydroxyethylcellulose And specifically refers to a value measured by a measuring method described in the following embodiments.

본 실시형태에서의 하이드록시에틸셀룰로오스는, 절대 분자량이, 예를 들면, 30만 이상이며, 30만 이상 400만 이하인 것이 바람직하며, 300만 이상 360만 이하인 것이 더욱 바람직하게 사용된다.The hydroxyethyl cellulose in the present embodiment has an absolute molecular weight of, for example, 300,000 or more, preferably 300,000 or more and 4,000,000 or less, and more preferably 3,000,000 or more and 3,600,000 or less.

절대 분자량이 전술한 범위인 경우에는, 수용액 중의 불용해성 물질의 발생을 더욱 억제할 수 있다.When the absolute molecular weight is in the above-mentioned range, generation of an insoluble substance in the aqueous solution can be further suppressed.

본 실시형태에 있어서의 하이드록시에틸셀룰로오스의 절대 분자량이란, 광 산란법을 이용하여 측정되는 절대 분자량을 일컬으며, 구체적으로는, 후술하는 실시예에 나타내는 측정 방법으로 측정되는 값을 일컫는다.The absolute molecular weight of hydroxyethyl cellulose in the present embodiment refers to the absolute molecular weight measured by the light scattering method and specifically refers to a value measured by the measuring method described in the following examples.

하이드록시에틸셀룰로오스의 반도체 기판용 습윤제 중에서의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 0.1 ppm 이상 20000 ppm 이하이며, 10 ppm 이상 10000 ppm 이하인 것이 바람직하다.The content of hydroxyethyl cellulose in the wetting agent for the semiconductor substrate is not particularly limited, but is preferably 0.1 ppm or more and 20000 ppm or less, more preferably 10 ppm or more and 10000 ppm or less, for example.

하이드록시에틸셀룰로오스의 함유량이 전술한 범위인 경우에는, 불용해성 물질의 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 것과 동시에, 기판 표면의 젖음성을 충분히 향상시킬 수 있다.When the content of hydroxyethyl cellulose is in the above-mentioned range, the generation of the insoluble substance can be effectively suppressed, and the wettability of the surface of the substrate can be sufficiently improved.

본 실시형태의 습윤제는, pH 9.0 이상 11 이하이며, pH 9.5 이상 10.5 이하인 것이 바람직하다.The wetting agent of the present embodiment preferably has a pH of 9.0 to 11, and a pH of 9.5 to 10.5.

습윤제의 pH가 전술한 범위인 경우에는, 불용해성 물질의 발생을 더욱 효과적으로 억제할 수 있다.When the pH of the wetting agent is in the range described above, generation of the insoluble substance can be suppressed more effectively.

pH를 전술한 범위로 조정하기 위하여, 본 실시형태의 습윤제는 공지의 pH 조정제가 포함되어 있어도 된다.In order to adjust the pH to the above-mentioned range, the wetting agent of the present embodiment may contain a known pH adjusting agent.

상기 pH 조정제로서는, 예를 들면, 암모니아; 수산화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라에틸암모늄, 수산화 테트라부틸암모늄 등의 4급 수산화 암모늄염 등이 있다.Examples of the pH adjuster include ammonia; Quaternary ammonium hydroxide salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide.

그 중에서도, 암모니아가 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판 표면에 금속 불순물을 생성시키기 어렵기 때문에 바람직하다.Among them, ammonia is preferable because it is difficult to generate metal impurities on the surface of a semiconductor substrate such as a silicon wafer.

본 실시형태의 습윤제에 포함되는 물로서는, 습윤제의 작용을 저해하지 않는 불순물의 함유량이 적은 것이 바람직하다. 예를 들면, 이온 교환수, 순수, 초순수, 증류수 등이 있다.As the water contained in the wetting agent of the present embodiment, it is preferable that the content of the impurity that does not hinder the action of the wetting agent is small. For example, ion exchange water, pure water, ultrapure water, distilled water, and the like.

본 실시형태의 습윤제에는, 습윤제의 작용을 저해하지 않는 범위에서, 다른 성분이 더 포함되어 있어도 된다.The wetting agent of the present embodiment may further contain other components as long as the effect of the wetting agent is not impaired.

상기 다른 성분으로서는, 아미노 카르본산계 킬레이트제, 유기 포스폰산계 킬레이트 등의 킬레이트제, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 옥시알킬렌 중합체, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄 지방산 에스테르 등의 폴리옥시알킬렌 부가물 등이나, 복수 종류의 옥시알킬렌의 공중합체 등의 비이온성 계면활성제 등을 예로 들 수 있다.Examples of the other components include chelating agents such as aminocarboxylic acid chelating agents and organic phosphonic acid chelates, oxyalkylene polymers such as polyethylene glycol and polypropylene glycol, polyoxyethylene fatty acid esters and polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters Polyoxyalkylene adducts, and nonionic surfactants such as copolymers of plural kinds of oxyalkylene.

본 실시형태의 습윤제는, 사용 시의 원하는 농도보다 고농도인 고농도액으로 조정해 두고, 사용 시에 희석할 수도 있다.The humectant of the present embodiment may be adjusted to a high concentration solution at a concentration higher than a desired concentration at the time of use and may be diluted at the time of use.

이러한 고농도액으로서 조정한 경우에는, 습윤제의 저장, 수송에 편리하다.When adjusted as such a high concentration liquid, it is convenient for storage and transportation of the wetting agent.

그리고, 고농도액으로 조정하는 경우에는, 사용 시의 5배∼100배로 조정하며, 20배∼60배로 희석하는 정도의 농도로 조정하는 것을 바람직한 예로서 들 수 있다.In the case of adjusting with a high concentration liquid, the concentration is adjusted to 5 to 100 times of that at the time of use, and adjusted to a concentration of diluting 20 to 60 times.

본 실시형태의 반도체 기판용 습윤제는, 연마 전, 또는 연마 후의 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판에 사용함으로써, 연마 후의 기판 표면의 젖음성을 향상시키면서, 기판의 표면 결함을 충분히 저감할 수 있다.The wetting agent for a semiconductor substrate of the present embodiment can be used in a semiconductor substrate such as a semiconductor wafer before or after polishing to sufficiently reduce the surface defects of the substrate while improving the wettability of the substrate surface after polishing.

본 실시형태의 반도체 기반(基盤)용 습윤제는, 예를 들면, 웨이퍼의 연마 후에 연마용 조성물을 씻어 내는 세정제로서도 사용할 수 있다. 이러한 세정제를 사용함으로써, 연마 후의 연마용 조성물의 잔존 연마 입자 등을 세정하면서웨이퍼의 표면 결함을 저감시켜, 웨이퍼 표면의 젖음성을 향상시킬 수 있다.The semiconductor-based wetting agent of the present embodiment can also be used, for example, as a cleaning agent for washing the polishing composition after polishing the wafer. By using such a cleaning agent, it is possible to reduce the surface defects of the wafer while cleaning the remaining abrasive grains and the like of the polishing composition after polishing, and to improve the wettability of the wafer surface.

다음으로, 본 발명에 따른 연마용 조성물에 대하여 설명한다.Next, the polishing composition according to the present invention will be described.

본 실시형태의 연마용 조성물은, 하이드록시에틸셀룰로오스, 물 및 연마 입자를 포함하는 연마용 조성물로서, 상기 하이드록시에틸셀룰로오스는 관성 반경이 56 ㎚ 이상 255 ㎚ 이하이며, 또한 접촉각이 10° 이상 32° 이하인 조성물이다.The polishing composition of the present embodiment is a polishing composition comprising hydroxyethyl cellulose, water and abrasive grains, wherein the hydroxyethyl cellulose has an inertia radius of 56 nm or more and 255 nm or less, and a contact angle of 10 to 32 Deg.

본 실시형태의 연마용 조성물에 포함되는 하이드록시에틸셀룰로오스는, 전술한 반도체 기판용 습윤제에 포함되는 것과 동일한 것을 예로 들 수 있다.The hydroxyethyl cellulose contained in the polishing composition of the present embodiment is the same as that contained in the above-mentioned wetting agent for semiconductor substrate.

일반적으로는 수용성 고분자가 연마용 조성물 중에 연마 입자와 함께 포함되어 있는 경우에는, 조성물 중의 연마 입자가 쉽게 응집하는 문제가 있다.Generally, when the water-soluble polymer is contained in the polishing composition together with the abrasive grains, the abrasive grains in the composition easily agglomerate.

특히, 분자량이 큰 수용성 고분자는 연마 입자에 용이하게 부착되고, 그 결과 연마 입자의 응집이 보다 촉진되는 문제가 있다.Particularly, a water-soluble polymer having a large molecular weight is easily attached to abrasive grains, and as a result, agglomeration of abrasive grains is further promoted.

본 실시형태의 연마용 조성물에 있어서, 젖음성을 높이는 성분으로서, 특정한 범위의 관성 반경 및 접촉각을 가지는 하이드록시에틸셀룰로오스를 포함하는 것에 의해, 조성물 중에서의 연마 입자의 응집을 억제할 수 있다.In the polishing composition of the present embodiment, by containing hydroxyethyl cellulose having a specific range of inertia radius and contact angle as a component for increasing the wettability, agglomeration of abrasive particles in the composition can be suppressed.

하이드록시에틸셀룰로오스의 연마용 조성물 중의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 사용 시의 농도로, 0.1 ppm 이상 10000 ppm 이하이며, 10 ppm 이상 6000 ppm 이하인 것을 바람직한 예로 들 수 있다.The content of the hydroxyethyl cellulose in the polishing composition is not particularly limited, but is preferably 0.1 ppm or more and 10,000 ppm or less, and 10 ppm or more and 6000 ppm or less in terms of the concentration at the time of use.

하이드록시에틸셀룰로오스의 함유량이 전술한 범위인 경우에는, 불용해성 물질의 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 것과 동시에, 피연마물 표면의 젖음성을 충분히 향상시킬 수 있다.When the content of hydroxyethyl cellulose is in the above-mentioned range, the generation of the insoluble substance can be effectively suppressed, and the wettability of the surface of the object to be polished can be sufficiently improved.

또한, 연마 입자의 응집을 충분히 억제할 수 있다.Further, aggregation of abrasive particles can be sufficiently suppressed.

연마 입자는, 반도체 웨이퍼 등의 기판 연마에 사용되는 연마 입자이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 이산화 규소, 알루미나, 세리아, 지르코니아 등의 공지의 연마 입자 입자가 있다.The abrasive grains are not particularly limited as long as the abrasive grains are used for polishing a substrate such as a semiconductor wafer. For example, there are known abrasive grains such as silicon dioxide, alumina, ceria and zirconia.

그 중에서도, 콜로이달(colloidal) 실리카, 퓸드 실리카 등의 이산화 규소로 이루어지는 연마 입자가 바람직하고, 특히, 콜로이달 실리카가, 연마 입자로부터 유래하는 흠 등의 표면 결함을 쉽게 발생시키지 않으므로 바람직하다.Above all, abrasive particles composed of silicon dioxide such as colloidal silica and fumed silica are preferable, and in particular, colloidal silica is preferable because surface defects such as flaws derived from abrasive particles are not easily generated.

연마 입자의 연마용 조성물 중의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 사용 시의 농도로 0.01 질량% 이상 10 질량% 이하이며, 0.1 질량% 이상 1 질량% 이하인 것을 바람직한 예로서 들 수 있다.The content of the abrasive grains in the polishing composition is not particularly limited, but is preferably 0.01% by mass or more and 10% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or more and 1% by mass or less,

연마 입자의 함유량이 전술한 범위인 경우에는, 연마성을 유지하면서, 연마 후에 기판 표면에 연마 입자 잔사(殘渣)가 부착되는 것을 억제할 수 있다.When the content of the abrasive grains is within the above-mentioned range, it is possible to suppress the adhesion of the abrasive grain residue to the substrate surface after polishing while maintaining the abrasive property.

본 실시형태의 연마용 조성물은, 본 실시형태의 습윤제와, 연마 입자가 포함되어 있어도 된다. 즉, 전술한 바와 같은 반도체 기판용 습윤제에 연마 입자가 첨가됨으로써 얻어진 연마용 조성물이라도 된다.The polishing composition of the present embodiment may contain the wetting agent of the present embodiment and abrasive grains. That is, it may be a polishing composition obtained by adding abrasive grains to the wetting agent for semiconductor substrate as described above.

본 실시형태의 연마용 조성물에는, 또한 다른 성분이 포함되어 있어도 된다.The polishing composition of the present embodiment may further contain other components.

상기 다른 성분으로서는, 아미노카르본산계 킬레이트제, 유기 포스폰산계 킬레이트제 등의 킬레이트제, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 옥시알킬렌 중합체, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방산 에스테르 등의 폴리옥시알킬렌 부가물 등이나, 복수 종류의 옥시알킬렌의 공중합체 등의 비이온성 계면활성제 등을 예로 들 수 있다.Examples of the other components include chelating agents such as aminocarboxylic acid chelating agents and organic phosphonic acid chelating agents, oxyalkylene polymers such as polyethylene glycol and polypropylene glycol, polyoxyethylene fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters and the like Polyoxyalkylene adducts of polyoxyalkylene adducts, and nonionic surfactants such as copolymers of plural kinds of oxyalkylene.

본 실시형태의 연마용 조성물로 연마한 후의 반도체 기판 표면의 젖음성을 충분히 향상시키고, 상기 기판의 표면 결함을 충분히 저감할 수 있다.The wettability of the surface of the semiconductor substrate after polishing with the polishing composition of this embodiment can be sufficiently improved and the surface defects of the substrate can be sufficiently reduced.

또한, 헤이즈의 원인으로 되는 연마 입자의 응집도 억제할 수 있으므로, 연마 후의 헤이즈를 더욱 억제할 수 있다.Further, since the agglomeration of the abrasive grains as a cause of haze can be suppressed, the haze after polishing can be further suppressed.

본 실시형태의 연마용 조성물은, 사용 시의 원하는 농도보다 고농도인 고농도액으로 조정해 두고 사용 시에 희석할 수도 있다.The polishing composition of the present embodiment may be adjusted to a high concentration solution at a concentration higher than a desired concentration at the time of use and may be diluted at the time of use.

이러한 고농도액으로 조정한 경우에는, 연마용 조성물의 저장 및 수송이 편리하다.When the solution is adjusted with such a high concentration liquid, storage and transportation of the polishing composition are convenient.

그리고, 고농도액으로 조정하는 경우에는, 사용 시의 5배∼100배, 20배∼60배로 희석하는 정도의 농도로 조정하는 것을 바람직한 예로서 들 수 있다.In the case of adjusting to a high concentration liquid, it is preferable to adjust the concentration to the extent of diluting to 5 times to 100 times and 20 times to 60 times of the time of use.

본 실시형태의 반도체 기판용 습윤제, 또는 연마용 조성물로 처리한 반도체 기판은, 표면의 젖음성이 양호함과 동시에, 표면 결함이 적다.The wetting agent for a semiconductor substrate or the semiconductor substrate treated with the polishing composition of the present embodiment has good surface wettability and little surface defects.

하이드록시에틸셀룰로오스는 수용액의 상태로 처리 대상의 기판 표면의 젖음성을 향상시키지만, 한편으로는, 불용해성 물질이 생기기 쉽다. 이러한 불용해성 물질은, 기판 표면에 부착되어 헤이즈나 LPD 값이 상승하여, 기판의 표면 결함이 증가하는 원인이 된다.Hydroxyethylcellulose improves the wettability of the surface of the substrate to be treated in an aqueous solution state, but on the other hand, an insoluble substance tends to be generated. Such an insoluble substance adheres to the surface of the substrate, causing an increase in haze or LPD value, which causes an increase in surface defects of the substrate.

본 실시형태의 반도체 기판용 습윤제, 또는 연마용 조성물은, 전술한 바와 같이 특정한 범위의 관성 반경 및 접촉각을 가지는 하이드록시에틸셀룰로오스를 포함하므로, 불용해성 물질이 쉽게 생기지 않아, 기판의 표면 결함을 저감할 수 있다.Since the wetting agent for semiconductor substrate or the polishing composition of the present embodiment includes hydroxyethyl cellulose having a specific range of inertia radius and contact angle as described above, an insoluble material is not readily generated, and the surface defect of the substrate is reduced can do.

본 실시형태의 반도체 기판용 습윤제, 또는 연마용 조성물로 처리한 후의 기판 표면은, 예를 들면, 공초점(confocal) 광학계의 레이저 현미경(MGICS M5640 레이저테크사 제조) 등의 표면 결함 검사 장치를 사용하여 측정되는 이물질, 얼룩, 입자 잔존 등의 이른바 표면 결함(디펙트(defect))의 수가, 12 인치의 원형 기판 1장당 3000개 이하이며, 2000개 이하인 것인 바람직하고, 1000개 이하인 것이 더욱 바람직하다.The surface of the substrate after the treatment with the wetting agent for semiconductor substrate or the polishing composition according to the present embodiment is applied to a surface defect inspection apparatus such as a confocal optical system laser microscope (MGICS M5640 Laser Tech Co., Ltd.) The number of so-called surface defects (defects) such as foreign matter, stains, and residual particles measured by the defects is preferably 3,000 or less, preferably 2,000 or less, and more preferably 1,000 or less per one 12-inch circular substrate Do.

전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 기판용 습윤제는, 하이드록시에틸셀룰로오스 및 물을 포함하는 반도체 기판용 습윤제로서, 상기 하이드록시에틸셀룰로오스는 관성 반경이 56 ㎚ 이상 255 ㎚ 이하이며, 또한 접촉각이 10° 이상 32° 이하이다. 즉, 본 발명에 따른 반도체 기판용 습윤제에는 하이드록시에틸셀룰로오스가 포함되어 있으므로, 반도체 기판 표면의 젖음성을 향상시킬 수 있다. 또한, 하이드록시에틸셀룰로오스의 관성 반경 및 접촉각이 전술한 범위이므로, 수용액에 있어서 불용해성 물질의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 표면의 젖음성을 충분히 향상시킬 수 있는 것과 동시에, 불용해성 물질에 의한 기판 표면의 미소한 흠이나 오염 등의 표면 결함을 충분히 저감할 수 있다.As described above, the wetting agent for a semiconductor substrate according to the present invention is a wetting agent for a semiconductor substrate comprising hydroxyethyl cellulose and water, wherein the hydroxyethyl cellulose has an inertia radius of 56 nm or more and 255 nm or less, 10 DEG to 32 DEG. That is, since the wetting agent for a semiconductor substrate according to the present invention contains hydroxyethyl cellulose, the wettability of the surface of the semiconductor substrate can be improved. Furthermore, since the inertia radius and the contact angle of the hydroxyethyl cellulose are in the above-mentioned range, the generation of the insoluble substance in the aqueous solution can be suppressed. Therefore, the wettability of the substrate surface can be sufficiently improved, and surface defects such as minute scratches and dirt on the surface of the substrate caused by the insoluble substance can be sufficiently reduced.

본 발명에 있어서, 반도체 기판용 습윤제가 pH 9.0 이상 11.0 이하인 경우에는, 반도체 기판의 젖음성을 더욱 충분히 향상시킬 수 있는 것과 동시에, 기판 표면의 표면 결함을 더욱 충분히 저감할 수 있다.In the present invention, when the pH of the wetting agent for semiconductor substrate is pH 9.0 to 11.0, the wettability of the semiconductor substrate can be further improved sufficiently, and surface defects on the surface of the substrate can be further reduced sufficiently.

또한, 본 발명에 따른 연마용 조성물은, 하이드록시에틸셀룰로오스, 물 및 연마 입자를 포함하는 연마용 조성물로서, 상기 하이드록시에틸셀룰로오스는 관성 반경이 56 ㎚ 이상 255 ㎚ 이하이며, 또한 접촉각이 10° 이상 32° 이하이다.The polishing composition according to the present invention is a polishing composition comprising hydroxyethyl cellulose, water and abrasive particles, wherein the hydroxyethyl cellulose has an inertia radius of 56 nm or more and 255 nm or less and a contact angle of 10 DEG Or more and 32 degrees or less.

또한, 본 발명에 따른 연마용 조성물은 pH 9.0 이상 11.0 이하라도 된다.The polishing composition according to the present invention may have a pH of 9.0 to 11.0.

이상과 같이, 본 발명에 의하면, 반도체 기판 표면의 젖음성을 충분히 향상시키는 동시에, 기판의 표면 결함을 충분히 저감할 수 있다.As described above, according to the present invention, the wettability of the surface of the semiconductor substrate can be sufficiently improved, and the surface defects of the substrate can be sufficiently reduced.

그리고, 본 실시형태에 따른 반도체 기판용 습윤제 및 연마용 조성물은 전술한 바와 같지만, 금번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아닌 것으로 여겨야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 설명이 아닌 특허 청구의 범위에 의해 나타내어지고, 특허 청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것으로 의도된다.Incidentally, the wetting agent and polishing composition for a semiconductor substrate according to the present embodiment are as described above, but the presently disclosed embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. It is intended that the scope of the invention be indicated by the appended claims rather than the foregoing description, and that all changes that come within the meaning and range of equivalency of the claims are intended to be embraced therein.

실시예Example

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described, but the present invention is not limited thereto.

<<하이드록시에틸셀룰로오스>><< Hydroxyethyl Cellulose >>

하기 표 1에 나타낸 상이한 분자량의 6종류의 하이드록시에틸셀룰로오스(HEC 1∼6)를 준비하였다.Six types of hydroxyethylcellulose (HEC 1 to 6) having different molecular weights shown in Table 1 below were prepared.

각 HEC 0.3 질량%, 연마 입자(졸겔법으로 제조된 이산화 규소, 입자 직경: 동적 광산란법으로 70 ㎚) 9.5 질량%, 암모니아 0.5 질량%(NH3로서의 질량%), 잔수(殘水)를 혼합하여 연마용 조성물 1∼6을 얻었다., 9.5 mass% of each HEC, 9.5 mass% of abrasive grains (silicon dioxide produced by the sol-gel method, particle diameter: 70 nm by dynamic light scattering method), 0.5 mass% of ammonia (mass% as NH 3 ), and residual water To obtain abrasive compositions 1 to 6.

각 연마용 조성물을 물로 31배로 희석하고, 피연마물로서의 실리콘제 웨이퍼(12 인치)를 하기 연마 조건 하에서 연마를 행하고, 연마 후의 웨이퍼 표면의 젖음성, 표면 결함의 개수 및 pH를 하기의 방법으로 측정한 결과를 표 1에 나타내었다.Each of the polishing compositions was diluted 31 times with water and the wafer made of silicon (12 inches) as an object to be polished was polished under the following polishing conditions. The wettability of the wafer surface after polishing, the number of surface defects, and pH were measured by the following methods The results are shown in Table 1.

<<연마 조건>><< Polishing condition >>

연마 장치: SPP800S(오카모토공작기계사 제조)Polishing apparatus: SPP800S (manufactured by Okamoto Machine Tool Co., Ltd.)

연마 패드: Supreme RN-H(니타·하스사 제조)Polishing pad: Supreme RN-H (manufactured by Nitta Hass Co.)

정반(定盤) 속도: 40 rpmPlaten Speed: 40 rpm

연마 하중: 100 gf/cm2 Polishing load: 100 gf / cm 2

유량: 0.6 L/minFlow rate: 0.6 L / min

피연마물: 12 inch Silicon waferObjects to be processed: 12 inch Silicon wafer

연마 시간: 300 secPolishing time: 300 sec

<<젖음성>><< Wetness >>

젖음성은 하기의 방법으로 평가했다.The wettability was evaluated by the following method.

상기 연마 조건 하에서 연마한 웨이퍼를, 육안에 의해 평가했다. 평가 기준은, 연마 직후의 웨이퍼 전체면이 젖어 있는 것을 확인한 경우에 "○"(양호)로 표시하였다.The wafers polished under the above polishing conditions were visually evaluated. The evaluation criterion was indicated as "Good" (good) when it was confirmed that the entire surface of the wafer immediately after polishing was wet.

<<표면 결함의 측정 방법>><< How to measure surface defects >>

표면 결함(defect)은, 상기 연마 조건 하에서 연마한 후의 웨이퍼를 암모니아/과산화 수소 혼합액으로 세정한 후에, 측정 장치(MAGICS M5640(레이저테크사 제조))를 사용하여 측정을 행하였다(에지익스클루젼(edge exclusion) EE: 5 ㎜, Slice level: D37mV). The surface defects were measured by using a measuring device (MAGICS M5640 (manufactured by Laser Tech Co., Ltd.)) after cleaning the wafer after polishing under the above polishing conditions with an ammonia / hydrogen peroxide mixture solution (edge exclusion (edge exclusion) EE: 5 mm, Slice level: D37 mV).

또한, 각 HEC에 대하여, 관성 반경, 절대 분자량, 접촉각을 하기의 방법으로 측정하였다.For each HEC, the inertial radius, the absolute molecular weight, and the contact angle were measured by the following methods.

<<관성 반경 및 절대 분자량의 측정 방법>><< Measurement method of inertia radius and absolute molecular weight >>

상기 각 연마용 조성물 1∼6을 사용하여, 조성물 중의 하이드록시에틸셀룰로오스의 관성 반경을 측정하였다.Using each of the above polishing compositions 1 to 6, the inertia radius of hydroxyethyl cellulose in the composition was measured.

관성 반경의 측정은, 먼저, 하이드록시에틸셀룰로오스의 농도 1 mg/ml, 2 mg/ml, 3 mg/ml, 4 mg/ml의 각 샘플을 제작하고, 각 샘플을, 스태틱 광 산란광도계 SLS-6500(오오츠카 전자사 제조)을 사용하여, 측정각도 60°/90°/120°/150°로 측정을 행하고, 평방근 Zi㎜ 플롯(plot) 해석에 의해 관성 반경 및 절대 분자량의 산출을 행하였다.The measurement of the inertial radius was carried out by first preparing each sample with a concentration of 1 mg / ml, 2 mg / ml, 3 mg / ml and 4 mg / ml of hydroxyethylcellulose and measuring each sample with a static light scattering photometer SLS- 65 ° C (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) at 60 ° / 90 ° / 120 ° / 150 ° measurement angles and calculating the inertia radius and the absolute molecular weight by a square root Zi mm plot analysis.

<<접촉각>><< Contact Angle >>

각 HEC의 0.3 질량% 수용액을 제작하고, 표면 거칠기(Ra)가 10Å(1 ㎚)인 TEOS 웨이퍼 상에 적하했을 때의 접촉각을 자동 접촉각계 DM500(교와 계면화학사 제조)를 사용하여 측정하였다.A contact angle when a 0.3 mass% aqueous solution of each HEC was prepared and dropped onto a TEOS wafer having a surface roughness (Ra) of 10 Å (1 nm) was measured using an automatic contact angle meter DM500 (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.).

측정 방법은, 0.1ml의 HEC 수용액을 주사기에 충전하고, 상기 TEOS 웨이퍼에 주사 바늘로부터 HEC 수용액을 나오게 하여 웨이퍼 표면에 부착시키고, 액적과 바늘 끝이 이격되고 나서 1초 후의 상태를 CCD 카메라로 촬영하고 TEOS 기판과 액의 접촉각도를 θ/2법을 사용하여 산출하였다.The measurement method was as follows: 0.1 ml of HEC aqueous solution was charged into a syringe, the HEC aqueous solution was discharged from the injection needle to the TEOS wafer, adhered to the surface of the wafer, and the state after one second after the droplet and needle tip were separated was photographed with a CCD camera And the contact angle of the TEOS substrate with the solution was calculated using the θ / 2 method.

<<pH>><< pH >>

각각의 조성물의 액 온도도 25℃일 때의 pH를, pH미터(호리바 제작소사 제조)를 사용하여 측정하였다.The pH at which the liquid temperature of each composition was also at 25 占 폚 was measured using a pH meter (manufactured by Horiba Ltd.).

[표 1][Table 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 모든 실시예 및 비교예는 연마 후의 웨이퍼 표면의 젖음성은 양호했지만, 피관성(被慣性) 반경이 560Å(56 ㎚) 미만이며, 또한 접촉각이 32°를 초과한 HEC를 사용한 비교예에서는, LPD값이 높아, 표면 결함의 저감이 불충분했다.As can be seen from Table 1, the wettability of the wafer surface after polishing was good in all the examples and the comparative examples, but the wettability of the surface of the wafer after polishing was good, but the contact angle was less than 560 Å (56 nm) In the comparative example using HEC, the LPD value was high and the reduction of surface defects was insufficient.

Claims (4)

하이드록시에틸셀룰로오스 및 물을 포함하는 반도체 기판용 습윤제(wetting agent)로서,
상기 하이드록시에틸셀룰로오스는 관성(慣性) 반경이 56 ㎚ 이상 255 ㎚ 이하이며, 또한 접촉각이 10° 이상 32° 이하인, 반도체 기판용 습윤제.1. A wetting agent for semiconductor substrates comprising hydroxyethyl cellulose and water,
Wherein the hydroxyethyl cellulose has an inertia radius of 56 nm or more and 255 nm or less and a contact angle of 10 DEG or more and 32 DEG or less. 제1항에 있어서,
pH가 9.0 이상 11.0 이하인, 반도체 기판용 습윤제.The method according to claim 1,
and a pH of from 9.0 to 11.0. 하이드록시에틸셀룰로오스, 물 및 연마 입자를 포함하는 연마용 조성물로서,
상기 하이드록시에틸셀룰로오스는 관성 반경이 56 ㎚ 이상 255 ㎚ 이하이며, 또한 접촉각이 10° 이상 32° 이하인, 연마용 조성물.A polishing composition comprising hydroxyethyl cellulose, water and abrasive particles,
Wherein the hydroxyethyl cellulose has an inertia radius of 56 nm or more and 255 nm or less and a contact angle of 10 DEG or more and 32 DEG or less. 제3항에 있어서,
pH가 9.0 이상 11.0 이하인, 연마용 조성물.The method of claim 3,
wherein the pH is 9.0 or more and 11.0 or less.
KR1020167016875A 2013-12-25 2014-12-19 Wetting agent for semiconductor substrate, and polishing composition KR102267568B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-267255 2013-12-25
JP2013267255A JP6266337B2 (en) 2013-12-25 2013-12-25 Wetting agent for semiconductor substrate and polishing composition
PCT/JP2014/083789 WO2015098777A1 (en) 2013-12-25 2014-12-19 Wetting agent for semiconductor substrate, and polishing composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160102198A true KR20160102198A (en) 2016-08-29
KR102267568B1 KR102267568B1 (en) 2021-06-18

Family

ID=53478634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167016875A KR102267568B1 (en) 2013-12-25 2014-12-19 Wetting agent for semiconductor substrate, and polishing composition

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6266337B2 (en)
KR (1) KR102267568B1 (en)
CN (1) CN105849219B (en)
TW (1) TWI652320B (en)
WO (1) WO2015098777A1 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018025656A1 (en) * 2016-08-02 2018-02-08 株式会社フジミインコーポレーテッド Production method for silicon wafer rough-polishing composition, silicon wafer rough-polishing composition set, and silicon wafer polishing method
WO2018025655A1 (en) * 2016-08-02 2018-02-08 株式会社フジミインコーポレーテッド Liquid concentrate of composition for rough-polishing silicon wafers
KR102517629B1 (en) 2016-11-22 2023-04-05 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 polishing composition
TWI787224B (en) 2016-12-28 2022-12-21 日商日揮觸媒化成股份有限公司 Method for producing silica particle dispersion
US11254580B2 (en) 2017-01-20 2022-02-22 Jgc Catalysts And Chemicals Ltd. Silica particle liquid dispersion and production method therefor
CN110177853A (en) 2017-02-20 2019-08-27 福吉米株式会社 Composition for polishing and silicon substrate composition for polishing set group among silicon substrate
WO2018181713A1 (en) 2017-03-31 2018-10-04 日揮触媒化成株式会社 Production method for silica particle liquid dispersion
KR20210144718A (en) 2019-03-27 2021-11-30 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 A method of polishing an abrasive object comprising a material having a silicon-silicon bond

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005085858A (en) * 2003-09-05 2005-03-31 Fujimi Inc Polishing composition
JP2005286224A (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Nitta Haas Inc Semiconductor polishing composition
JP2008078233A (en) * 2006-09-19 2008-04-03 Nissan Chem Ind Ltd Composition for polishing
JP2012089862A (en) 2008-07-03 2012-05-10 Fujimi Inc Wetting agent for semiconductor, and composition for polishing and polishing method using the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4212861B2 (en) 2002-09-30 2009-01-21 株式会社フジミインコーポレーテッド Polishing composition and silicon wafer polishing method using the same, and rinsing composition and silicon wafer rinsing method using the same
WO2009041697A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Nitta Haas Incorporated Polishing composition
JP5474400B2 (en) * 2008-07-03 2014-04-16 株式会社フジミインコーポレーテッド Semiconductor wetting agent, polishing composition and polishing method using the same
PL2601280T3 (en) * 2010-08-03 2015-03-31 Basf Se Carrier fluids for abrasives

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005085858A (en) * 2003-09-05 2005-03-31 Fujimi Inc Polishing composition
JP2005286224A (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Nitta Haas Inc Semiconductor polishing composition
JP2008078233A (en) * 2006-09-19 2008-04-03 Nissan Chem Ind Ltd Composition for polishing
JP2012089862A (en) 2008-07-03 2012-05-10 Fujimi Inc Wetting agent for semiconductor, and composition for polishing and polishing method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW201533185A (en) 2015-09-01
JP2015124231A (en) 2015-07-06
KR102267568B1 (en) 2021-06-18
WO2015098777A1 (en) 2015-07-02
CN105849219B (en) 2018-11-23
TWI652320B (en) 2019-03-01
CN105849219A (en) 2016-08-10
JP6266337B2 (en) 2018-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6266337B2 (en) Wetting agent for semiconductor substrate and polishing composition
KR101728646B1 (en) Polishing liquid composition for silicon wafers
TWI650410B (en) 矽 wafer honing composition
KR101719029B1 (en) Composition for polishing and composition for rinsing
KR101983868B1 (en) Composition for polishing purposes, polishing method using same, and method for producing substrate
US10344185B2 (en) Composition for polishing silicon wafers
WO2014129408A1 (en) Polishing composition and method for manufacturing polished article
JP6705757B2 (en) Silicon wafer polishing method and surface treatment composition
TWI572701B (en) A polishing composition and a grinding method using the same
JPWO2015046090A1 (en) Polishing composition, method for producing polishing composition, and method for producing silicon wafer
US20180179417A1 (en) Polishing agent, storage solution for polishing agent and polishing method
TWI588249B (en) Silicon wafer polishing composition
JP6013828B2 (en) Polishing composition, method for producing polishing composition, and method for producing semiconductor substrate using the polishing composition
JP6724573B2 (en) Polishing liquid, polishing liquid set, and polishing method for substrate
TWI572703B (en) Silicon wafer grinding composition
JP2014038906A (en) Polishing composition, polishing composition manufacturing method and semiconductor substrate manufacturing method using polishing composition
JP7450532B2 (en) polishing composition
TW202223058A (en) Polishing method capable of increasing polishing speed for polishing a silicon substrate
KR20230082605A (en) Polishing of silicon substrate
WO2024043061A1 (en) Polishing composition
KR20230082604A (en) Polishing liquid composition for silicon substrate
JP2022063113A (en) Polishing liquid composition
JP2023003634A (en) Rinse agent composition for silicon wafer
JP2022063112A (en) Polishing method
JP2022063116A (en) Polishing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant