KR20160095071A - Workpiece thickness measurement device, measure method, and workpiece polishing device - Google Patents
Workpiece thickness measurement device, measure method, and workpiece polishing device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160095071A KR20160095071A KR1020167017957A KR20167017957A KR20160095071A KR 20160095071 A KR20160095071 A KR 20160095071A KR 1020167017957 A KR1020167017957 A KR 1020167017957A KR 20167017957 A KR20167017957 A KR 20167017957A KR 20160095071 A KR20160095071 A KR 20160095071A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thickness
- measuring
- liquid
- polishing
- workpiece
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 140
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 40
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 76
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 90
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 126
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 210000002418 meninge Anatomy 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
본 발명의 워크의 두께 측정 장치는, 연마 후의 워크의 적어도 일부를 액체에 침지하는 액체 침지기와 대향하여 배치되고, 상기 워크의 상기 액체에 침지된 부분의 표면까지의 거리를 측정 가능한 2개 이상의 측정기를 구비한다. 또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 방법은, 연마 후의 워크의 적어도 일부를 액체에 침지하는 공정과 상기 워크의 적어도 일부가 상기 액체에 침지된 상태로, 상기 워크를 사이에 끼우고 대향하여 배치되고 상기 워크의 상기 액체에 침지된 부분의 표면까지의 거리를 측정 가능한 2개 이상의 측정기에 의해, 상기 워크의 두께를 측정하는 공정을 포함한다. 본 발명의 워크의 연마 장치는, 상기 측정 장치 또는 측정 방법에 의해 측정된, 상기 워크의 두께의 정보를 수취하는 수신부와 상기 워크의 두께의 정보에 기초하고, 연마 레시피의 변환 또는 연마 조건의 파라미터의 보정을 행하는 연산부를 구비한다.The apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention is a device for measuring the thickness of a work which is disposed so as to oppose a liquid immersion unit for immersing at least a part of the work after polishing into a liquid, And a measuring device. A method for measuring the thickness of a work according to the present invention is a method for measuring a thickness of a workpiece comprising the steps of immersing at least a part of the workpiece after polishing in a liquid and a step of arranging the workpiece so that at least a part of the workpiece is immersed in the liquid, And measuring the thickness of the workpiece with two or more measuring devices capable of measuring the distance to the surface of the portion of the workpiece immersed in the liquid. A polishing apparatus for a workpiece according to the present invention includes a receiving section for receiving information on the thickness of the workpiece measured by the measuring apparatus or measuring method and a control section for controlling the changing of the polishing recipe or the parameters And a correction unit for correcting the correction value.
Description
본 발명은, 워크의 두께 측정 장치, 측정 방법, 및 워크의 연마 장치에 관한 것이며, 특히 워크가 젖은 상태로 당해 워크의 두께를 측정할 수 있는 워크의 두께 측정 장치 및 측정 방법, 그리고 당해 측정 장치 및 측정 방법에 의한 측정 결과를 이용하는 워크의 연마 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to an apparatus for measuring the thickness of a work, a measuring method, and a polishing apparatus for a work, and particularly relates to a work thickness measuring apparatus and a measuring method capable of measuring the thickness of the work in a wet state, And a polishing apparatus for a workpiece using the measurement result by the measuring method.
종래, 연마에 제공하는 워크의 전형예인 실리콘 웨이퍼의 제조 프로세스에 있어서, 웨이퍼를 소정의 두께로 마무리하기 위한 편면 연마(마무리 연마)가 행해지고 있고, 또한, 특히 높은 평탄도가 요구되는 지름 300mm 이상의 웨이퍼에서는, 웨이퍼의 표리면을 동시에 연마하는 양면 연마 공정이 일반적으로 채용되고 있다.Conventionally, in a manufacturing process of a silicon wafer, which is a typical example of a work to be provided for polishing, single-side polishing (finish polishing) for finishing the wafer to a predetermined thickness is performed, and a wafer having a diameter of 300 mm or more, A two-side polishing process for simultaneously polishing the front and back surfaces of a wafer is generally employed.
이러한 연마에서는, 연마 부자재의 교환 시기나, 장치의 정지의 타이밍의 어긋남 등, 연마 환경에 의한 영향을 크게 받게 되어, 연마의 가공여유분량의 변화를 정확하게 파악할 수 없는 점으로부터 연마 시간을 적정하게 설정하지 못하고, 평탄도나 LPD(Light Point Defects)의 밀도에 편차가 발생한다고 하는 문제가 있었다. In this polishing, since the change in the polishing allowance amount of the polishing can not be accurately grasped because the abrasive circumstance such as the replacement time of the polishing subsidiary material or the timing of stopping the apparatus is deviated, the polishing time is appropriately set And there is a problem in that the density of the flatness or the LPD (Light Point Defects) varies.
이에 대하여, 연마 후의 웨이퍼의 두께를 측정하여, 연마의 가공여유분량의 변화를 파악하고, 이 변화를 연마 장치에 피드백하여, 연마 레시피의 전환 또는 연마 조건의 파라미터의 보정을 행하는 수법이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).On the other hand, there has been proposed a method of measuring the thickness of a wafer after polishing, grasping a change in the polishing allowance amount of the polishing, feeding back the change to the polishing apparatus, and changing the polishing recipe or correcting the parameters of the polishing conditions (See, for example, Patent Document 1).
그러나, 연마 공정에 있어서는, 연마 슬러리나 연삭수 등을 이용하여 연마를 행하기 때문에, 연마 후에는 웨이퍼가 젖은 상태이고, 따라서, 특허문헌 1의 수법에서는, 웨이퍼의 두께를 정확하게 측정하기 위해서 웨이퍼가 건조되는 것을 기다릴 필요가 있었다. However, in the polishing step, since the polishing is performed by using a polishing slurry or grinding water, the wafer is in a wet state after polishing. Therefore, in the technique of
따라서, 웨이퍼의 두께를 정확하게 측정할 수 있게 되기까지, 즉 건조 공정이 종료하기까지의 수 시간의 타임 래그가 발생하기 때문에, 그 사이에 처리된 웨이퍼는, 연마량을 정확하게 제어하지 못하고, 혹은, 연마량을 정확하게 제어하기 위해서 건조 공정이 종료할 때까지 다음의 웨이퍼의 연마를 실시하지 않고 두는 경우에는 연마 처리의 스루풋이 저하된다고 하는 문제가 있었다. 또한, 이러한 문제는, 실리콘 웨이퍼뿐만 아니라, 동일한 수법에 의해 연마를 행하는 워크 일반에 발생할 수 있는 문제였다. Therefore, since time lag of several hours occurs until the thickness of the wafer can be accurately measured, that is, the drying process is completed, the wafer processed therebetween can not accurately control the amount of polishing, There has been a problem that the throughput of the polishing process is lowered when the next wafer is not polished until the drying process is completed so as to accurately control the polishing rate. This problem has also been a problem that can occur not only in silicon wafers but also in general workpieces subjected to polishing by the same technique.
본 발명은, 상기의 문제를 해결하고자 하는 것이며, 워크가 젖은 상태로 당해 워크의 두께를 측정할 수 있는, 워크의 두께 측정 장치 및 워크의 두께 측정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 스루풋을 확보하면서, 또한, 연마량을 적절히 제어할 수 있는, 워크의 연마 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to solve the above problems and provide a work thickness measuring apparatus and a work thickness measuring method capable of measuring the thickness of a work in a wet state. It is another object of the present invention to provide a polishing apparatus for a workpiece capable of appropriately controlling the amount of polishing while ensuring throughput.
본 발명의 요지 구성은, 이하와 같다. The structure of the present invention is as follows.
본 발명의 워크의 두께 측정 장치는, 연마 후의 워크의 적어도 일부를 액체에 침지하는 액체 침지기와, 대향하여 배치되고, 상기 워크의 상기 액체에 침지된 부분의 표면까지의 거리를 측정 가능한 2개 이상의 측정기를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다. The apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention comprises a liquid immersion machine for immersing at least a part of a work after polishing into a liquid and two And a measuring device having the above-described structure.
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에서는, 상기 측정기를 고정하는 지지 부재를 추가로 구비하는 것이 바람직하다. In the apparatus for measuring a thickness of a work according to the present invention, it is preferable that a support member for fixing the measuring instrument is additionally provided.
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에 있어서는, 상기 측정기는, 선단에 캡을 구비하는 것이 바람직하다. In the apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention, it is preferable that the measuring instrument has a cap at its tip.
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에 있어서는, 상기 액체 침지기는, 상기 워크를 내부에 수용 가능한 조(槽)인 것이 바람직하다. In the apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention, it is preferable that the liquid immersing apparatus is a tank capable of accommodating the work.
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에서는, 상기 조는, 석영 또는 판유리로 되어 있는 것이 바람직하다. Further, in the apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention, it is preferable that the above-mentioned bath is made of quartz or plate glass.
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에 있어서는, 상기 조 내에, 상기 측정기의 적어도 일부가 삽입되고, 상기 조와 상기 측정기의 사이에 극간을 갖는 것이 바람직하다. In the apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention, it is preferable that at least a part of the measuring instrument is inserted into the vessel and a gap is provided between the vessel and the measuring instrument.
그리고 또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에 있어서는, 상기 액체 침지기는, 상기 워크의 적어도 일부가 상기 액체에 항상 침지되도록 상기 액체를 공급 가능한 액체 공급관인 것이 바람직하다.Further, in the apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention, it is preferable that the liquid submerger is a liquid supply pipe capable of supplying the liquid so that at least a part of the work is always immersed in the liquid.
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에서는, 상기 액체 공급관은, 상기 액체를 공급하는 양을 조정 가능한 액체 공급량 조정부를 구비하는 것이 바람직하다. In the work thickness measuring apparatus of the present invention, it is preferable that the liquid supply pipe includes a liquid supply amount adjusting section capable of adjusting an amount of supplying the liquid.
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에서는, 상기 워크의 두께의 측정 개소에 근접하여 상기 워크를 사이에 끼우고 대향하여 배치되는 액체 도입관을 추가로 구비하고, 상기 측정기의 적어도 선단은, 상기 액체 도입관 내에 삽입되는 것이 바람직하다. The apparatus for measuring thickness of a work according to the present invention may further comprise a liquid introduction pipe arranged so as to be opposed to each other with the work interposed therebetween in proximity to a measurement point of the thickness of the work, It is preferable to be inserted into the liquid introduction pipe.
여기에서, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에서는, 상기 액체는, 물인 것이 바람직하다. Here, in the apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention, it is preferable that the liquid is water.
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에서는, 상기 측정기는, 광학식의 분광 간섭형 측정기인 것이 바람직하다. Further, in the work thickness measuring apparatus of the present invention, it is preferable that the measuring apparatus is an optical spectroscopic interference measuring apparatus.
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에서는, 상기 워크의 두께의 측정시에, 상기 조의 변형량이 50nm 이하인 것이 바람직하다. Further, in the apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention, it is preferable that the deformation amount of the above-mentioned bath is 50 nm or less at the time of measuring the thickness of the work.
여기에서, 「조의 변형량」은, 상기 2개의 측정기가 대향하는 선상의 점에 있어서의 변형량을 말하며, 측정 시간의 사이에 있어서의 최대 변위를 말하는 것으로 한다. Here, the " deformation amount of the tank " refers to the amount of deformation at a point on the line opposite to the two measuring instruments, and refers to the maximum displacement between measurement times.
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에서는, 상기 조에 보강판을 배치하여 이루어지는 것이 바람직하다. In the apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention, it is preferable that a reinforcing plate is disposed in the above-mentioned trough.
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에서는, 상기 조는, 액체배출부와, 상기 액체배출부로부터의 액체배출량을 측정하는 액체배출량 측정기와, 측정한 액체배출량에 기초하여 액체배출량을 조정하는 제어부를 갖는 것이 바람직하다. In the apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention, the tank may further include a liquid discharge portion, a liquid discharge amount measuring device for measuring a discharge amount of liquid from the liquid discharge portion, and a control portion for adjusting the liquid discharge amount based on the measured liquid discharge amount .
여기에서, 본 발명의 워크의 두께 측정 방법은, 연마 후의 워크의 적어도 일부를 액체에 침지하는 공정과, 상기 워크의 적어도 일부가 상기 액체에 침지된 상태로, 상기 워크를 사이에 끼우고 대향하여 배치되고, 상기 워크의 상기 액체에 침지된 부분의 표면까지의 거리를 측정 가능한 2개 이상의 측정기에 의해, 상기 워크의 두께를 측정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. Here, the method for measuring the thickness of a work according to the present invention includes a step of immersing at least a part of a work after polishing in a liquid, a step of sandwiching the work in a state in which at least a part of the work is immersed in the liquid And measuring the thickness of the workpiece with two or more measuring devices capable of measuring the distance to the surface of the portion of the workpiece immersed in the liquid.
또한, 본 발명의 1의 실시 형태에 의한 워크의 연마 장치는, 상기의 워크의 두께 측정 장치에 의해 측정된, 상기 워크의 두께의 정보를 수취하는 수신부와, 상기 워크의 두께의 정보에 기초하여, 연마 레시피의 전환 또는 연마 조건의 파라미터의 보정을 행하는 연산부를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다. A polishing apparatus for a workpiece according to an embodiment of the present invention includes a receiving section for receiving information on the thickness of the workpiece measured by the thickness measuring apparatus of the workpiece; And an arithmetic section for performing the switching of the polishing recipe or the correction of the parameters of the polishing conditions.
또한, 본 발명의 다른 실시 형태에 의한 워크의 연마 장치는, 상기의 워크의 두께 측정 방법에 의해 측정된, 상기 워크의 두께의 정보를 수취하는 수신부와, 상기 워크의 두께의 정보에 기초하여, 연마 레시피의 전환 또는 연마 조건의 파라미터의 보정을 행하는 연산부를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다. According to another aspect of the present invention, there is provided a polishing apparatus for a workpiece, comprising: a receiving section for receiving information on the thickness of the workpiece measured by the method for measuring the thickness of the workpiece; And an arithmetic section for performing the switching of the polishing recipe or the correction of the parameters of the polishing conditions.
본 발명에 의하면, 워크가 젖은 상태로 당해 워크의 두께를 측정할 수 있는, 워크의 두께 측정 장치 및 워크의 두께 측정 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 스루풋을 확보하면서, 또한, 연마량을 적절하게 제어할 수 있는, 워크의 연마 장치를 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a work thickness measuring apparatus and a work thickness measuring method which can measure the thickness of a work in a wet state. Further, according to the present invention, it is possible to provide a polishing apparatus for a workpiece capable of appropriately controlling the amount of polishing while ensuring throughput.
도 1(a)는 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 개략 사시도이고, 도 1(b)는 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 주요부를 나타내는 도면이다.
도 2(a)는 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 개략 사시도이고, 도 2(b) 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 주요부를 나타내는 도면이다.
도 3(a)는 본 발명의 제3의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 개략 단면도이고, 도 3(b) 본 발명의 제3의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 주요부를 나타내는 단면도이다.
도 4(a)는 본 발명의 제4의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 개략 단면도이고, 도 4(b) 본 발명의 제4의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 주요부를 나타내는 단면도이다. Fig. 1 (a) is a schematic perspective view of a work thickness measuring apparatus according to a first embodiment of the present invention, and Fig. 1 (b) is a cross sectional view showing a main part of a work thickness measuring apparatus according to the first embodiment of the present invention Fig.
Fig. 2 (a) is a schematic perspective view of a work thickness measuring apparatus according to a second embodiment of the present invention, and Fig. 2 (b) is a view showing a main part of a work thickness measuring apparatus according to a second embodiment of the present invention FIG.
Fig. 3 (a) is a schematic sectional view of a work thickness measuring apparatus according to a third embodiment of the present invention, and Fig. 3 (b) is a view showing a main part of a work thickness measuring apparatus according to a third embodiment of the present invention Sectional view.
Fig. 4A is a schematic sectional view of a work thickness measuring apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and Fig. 4B is a cross sectional view showing a main part of a work thickness measuring apparatus according to a fourth embodiment of the present invention Sectional view.
(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 상세하게 예시 설명한다. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(워크의 두께 측정 장치)(Work thickness measuring device)
＜제1의 실시 형태＞≪ First Embodiment >
도 1(a)은, 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 개략 사시도이고, 도 1(b)은, 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 주요부를 나타내는 도면이다. 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 이 워크의 두께 측정 장치(1)는, 물(순수)을 채운 수조(2)를 갖고 있다. 이 수조(2)는, 연마 후의 워크(W)(본 실시 형태에서는 실리콘 웨이퍼)를 수용 가능하고, 웨이퍼(W) 전체 또는 일부를 물에 침지할 수 있는 액체 침지기이다. Fig. 1 (a) is a schematic perspective view of a work thickness measuring apparatus according to a first embodiment of the present invention, and Fig. 1 (b) is a schematic view of a work thickness measuring apparatus according to the first embodiment of the present invention Fig. As shown in Fig. 1 (a), this work
또한, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 이 워크의 두께 측정 장치(1)는, 대향하여 배치되고, 웨이퍼(W)의 액체에 침지된 부분의 표면까지의 거리를 측정 가능한 2개 이상(도시예에서는 2개)의 측정기(3)를 구비하고 있다. 즉, 측정기(3)의 한쪽은, 당해 측정기(3)로부터 웨이퍼(W)의 앞측의 표면까지의 거리를 측정할 수 있고, 다른 한쪽은, 당해 측정기(3)로부터 웨이퍼(W)의 뒤측의 표면까지의 거리를 측정할 수 있다. 1 (a), the
그리고, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 이 워크의 두께 측정 장치(1)에서는, 측정기(3)을 고정하는 지지 부재(4)를 추가로 구비하고 있다. 도시예에서는, 지지 부재(4)는, 수조(2)를 둘러싸도록 배치된 4개의 지주와 지주 사이를 연결하는 강성이 높은 4개의 판 형상 부재로부터 이루어지며, 대향하는 2개의 판 형상 부재에 측정기(3)가 고정됨으로써, 대향하는 측정기(3)의 사이의 거리가 일정하게 유지된다. 1 (a), the work
이에 따라, 측정기(3)는, 웨이퍼(W)의 소정의 위치에 있어서의, 웨이퍼(W)의 앞측의 표면까지의 거리 및 웨이퍼(W)의 뒤측의 표면까지의 거리를 측정함으로써, 예를 들면 도시하지 않는 연산 유닛에 의해, 그 소정의 위치에 있어서의 웨이퍼(W)의 두께를 구할 수 있다. The
여기에서, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 수조(2)에는, 물(순수; 5)이 채워져, 전체 면이 그 물(5)에 침지되도록 하면서, 대향하는 측정기(3)의 사이에 웨이퍼(W)가 배치되어 있다. 이 웨이퍼(W)는, 연마 후에 연마 슬러리나 연삭액 등으로 젖은 상태로, 이송부(도시하지 않음)를 이용하여 수중에 이송된 것이다. Here, as shown in Fig. 1 (b), water (pure water) 5 is filled in the
이하, 제1의 실시 형태의 작용 효과에 대해서 설명한다. Hereinafter, the operation and effect of the first embodiment will be described.
본 실시 형태의 워크의 두께 측정 장치(1)에 의하면, 우선, 웨이퍼(W)가 젖은 상태로 수중에 이송되어, 웨이퍼(W)가 수중에 침지된 상태로 웨이퍼(W)의 두께를 측정할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)를 건조시키고 나서 웨이퍼(W)의 두께를 계측하는 경우와 비교해서, 연마 처리의 스루풋을 확보할 수 있다. 또한, 연마 전의 웨이퍼(W)의 두께와의 비교에 의해 연마의 가공여유분량의 변화를 파악하고, 그것을 연마 장치에 피드백하여 연마 레시피의 변경이나 연마 조건의 파라미터의 보정을 행함으로써, 연마 장치에 의한 연마량을 적절히 제어할 수 있다. 또한, 연마의 가공여유분량은, 예를 들면, 1매의 웨이퍼(W)로 파악해도 좋고, 또한 예를 들면, 복수 매의 웨이퍼(W)를 통계적으로 보고 파악해도 좋다. 따라서, 본 실시 형태에 의한 측정의 결과를 이용함으로써, 연마 후의 웨이퍼(W)의 평탄도(특히 외주부의 평탄도)나 LPD의 밀도를 개선할 수 있다. 또한, 연마의 가공여유분량을 관리함으로써, 일회용의 연마 슬러리의 사용량을 적정화할 수 있어, 자재비를 저감할 수도 있다. According to the work
또한, 웨이퍼(W)를, 도시하지 않는 이송부에 의해 웨이퍼(W)의 지름 방향으로 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)가 있는 직경 범위에 있어서의 모든 면 내의 웨이퍼(W)의 두께를 측정할 수 있다. 이 경우, 수조(2)는, 웨이퍼(W)의 이동 범위도 포함하는 큰 용적의 것으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 웨이퍼(W)의 반경 범위에서 두께를 측정해도 좋다. 혹은, 측정기(3)를 이동시켜 웨이퍼(W)의 임의의 위치에서의 두께를 측정할 수도 있다. 이 경우는, 대향하는 측정기(3) 사이의 거리는 일정하게 유지하도록 하면서, 당해 측정기(3)를 이동시킨다. It is also possible to measure the thickness of the wafer W in all the planes in the diameter range in which the wafer W exists by moving the wafer W in the radial direction of the wafer W by a transfer unit . In this case, the
또한, 이송부에 웨이퍼(W)를 회전시키는 기구를 설치함으로써, 웨이퍼(W)의 임의의 위치에서의 두께 측정, 임의의 방향의 반경 범위 또는 직경 범위에서의 두께 측정 및 웨이퍼(W)의 원주 방향에 따른 면 내의 두께 측정을 할 수도 있다. By providing a mechanism for rotating the wafer W on the transfer section, it is possible to measure the thickness at an arbitrary position of the wafer W, measure the thickness in the radial range or the diameter range in an arbitrary direction, and measure the thickness of the wafer W in the circumferential direction The in-plane thickness measurement can be performed.
또한, 본 실시 형태에서는, 대향하는 2개의 측정기(3)를 이용하여 웨이퍼(W)의 표면까지의 거리로부터 웨이퍼(W)의 두께를 산출하고 있다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 편측으로부터 레이저 등을 조사하여 표리면의 반사광의 간섭에 의해 웨이퍼(W)의 두께를 측정하는 방법에서는, 실리콘 기판 중의 불순물 농도가 높은 경우에 빛이 이면까지 투과하지 않아서, 웨이퍼의 두께를 평가할 수 없는 경우가 있지만, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 불순물 농도에 상관없이 웨이퍼(W)의 두께를 측정 가능하다. In the present embodiment, the thickness of the wafer W is calculated from the distance to the surface of the wafer W by using two
여기에서, 본 발명에 있어서는, 이 실시 형태와 같이, 액체를 물로 하는 것이 바람직하고, 순수로 하는 것이 특히 바람직하다. 빛을 투과시키면서, 웨이퍼(W)나 측정기(3)와 화학적으로 반응하지 않기 때문이다. Here, in the present invention, as in this embodiment, the liquid is preferably water, and particularly preferably pure water. This is because it does not chemically react with the wafer W or the
또한, 측정기(3)는, 광학식의 분광 간섭형 측정기로 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 물 등의 액체를 개재하여도, 측정기(3)로부터 웨이퍼(W)의 표면까지의 거리를 측정할 수 있기 때문이다. It is also preferable that the measuring
여기에서, 도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 예에서는, 측정기(3)는, 수조(2)의 외측에 배치되어 있기 때문에, 수조(2)는, 빛을 투과 시키는 재료로 되어 있는 것이 바람직하다. Here, in the example shown in Figs. 1A and 1B, since the measuring
또한, 도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 수조(2)에 홈(2a)을 설치하고, 웨이퍼(W)와 측정기(3)와의 거리를 접근시킴으로써, 측정기(3)를 고 정밀도로 사용할 수도 있다. 1 (a) and 1 (b), the
그런데, 도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 수중 부분과 측정기(3)의 사이에 공기층(7)이 개재하는 경우에, 웨이퍼(W)의 수중에서의 이동 등에 의해 수압이 변화하면, 수조(2)가 변형되고, 공기층(7)과 수중 부분의 거리의 비율이 변화하여, 광학적인 외관상의 거리에 다소의 어긋남이 발생하는 경우를 생각할 수 있다. 본 발명자는, 이것을 억제함으로써, 보다 고 정밀도로 웨이퍼(W)의 두께를 측정할 수 있는 경우를 새롭게 발견했다. 1 (a) and 1 (b), when the
그래서, 도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 실시 형태에서는, 수조(2)는, 석영 또는 판유리로 되어 있는 것이 바람직하다. 석영이나 판유리는, 강성이 높은 재료이기 때문에 수조의 변형을 작게 할 수 있기 때문이다. 이에 따라, 공기층(7)이 개재하는 경우에 의한 상기의 문제를 회피할 수 있기 때문이다. Therefore, in the embodiment shown in Figs. 1 (a) and 1 (b), it is preferable that the
또한, 수조(2)의 강성을 높이기 위해서, 수조(2)의 두께를 두껍게 하는 것이 바람직하며, 구체적으로는, 8mm 이상으로 하는 것이 바람직하고, 10mm 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 12mm 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. In order to increase the rigidity of the
또한, 본 발명의 워크의 두께 측정 장치에서는, 워크의 두께의 측정시에, 조의 변형량이 50nm 이하인 것이 바람직하다. 보다 고 정밀도로 웨이퍼(W)의 두께를 측정할 수 있기 때문이다. 또한, 조의 변형량은, 특별히 한정하지 않지만, 키엔스사 제조 SI－F10 등을 이용하여 측정할 수 있다. Further, in the apparatus for measuring the thickness of a work according to the present invention, it is preferable that the deformation amount of the jaw is 50 nm or less at the time of measuring the thickness of the work. This is because the thickness of the wafer W can be measured with higher precision. The amount of deformation of the bath is not particularly limited, but can be measured using SI-F10 manufactured by Keyence Corporation.
조의 변형량을 50nm 이하로 하기 위해서는, 구체적으로는, 조의, 2개의 측정기(3)가 대향하는 선상의 측정용의 투과창(도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 예에서는, 수조(2)의 홈(2a))의 주위에 보강재(도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 예에서는, 보강판(2b))를 갖는 것이 바람직하다. 이에 따라, 보강재에 의해 조를 보강하고, 조의 변형량을 저감 할 수 있기 때문이다. More specifically, in order to make the amount of deformation of the tank 50 nm or less, a transmission window for measurement on the line (in the example shown in Figs. 1 (a) and 1 (b) (In the example shown in Figs. 1 (a) and 1 (b), a reinforcing
여기에서, 보강 효과를 높이기 위해서는, 보강재는, 적어도 측정용의 투과창의 상하 좌우를 덮는 것이 바람직하고, 조의 측면 전체를 보강하는 것이 더한층 바람직하다. 또한, 보강재의 재질은, SUS등의 금속을 이용하는 것이 바람직하다. Here, in order to enhance the reinforcing effect, it is preferable that the reinforcing material covers at least the top, bottom, left and right sides of the transmission window for measurement, and it is further preferable to reinforce the entire side surface of the tank. As the material of the reinforcing material, it is preferable to use a metal such as SUS.
혹은, 조 자체를, 측정용의 투과창의 부분을 제외하고, SUS등의 금속으로 구성할 수도 있다. Alternatively, the chamber itself may be formed of a metal such as SUS, except for the portion of the transmission window for measurement.
또한, 조의 변형량을 50nm 이하로 하기 위해서는, 조 내의 액면의 높이(도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 예에서는, 수조(2) 내의 수면의 높이)가 일정하게 되도록 조정하는 것이 바람직하다. It is preferable to adjust the height of the liquid level in the tank (the height of the water surface in the
구체적으로는, 예를 들면, 도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 예에서는, 조(이 예에서는 수조(2))에 액체배출부(이 예에서는 배수부)를 설치하고, 당해 액체배출부(이 예에서는 배수부)로부터의 액체배출량(이 예에서는 배수량)을 액체배출량 측정기(배수량 측정기)에 의해 측정하고, 당해 측정한 액체배출량(배수량)에 기초하여, 제어부에 의해, 공급하는 액체의 양(급수량), 및/또는, 웨이퍼(W)를 이동시키는 이송부의 이동 속도를 제어하여, 액체배출량(배수량)을 조정하는 것이 바람직하다. Specifically, for example, in the example shown in Figs. 1A and 1B, a liquid discharge portion (drainage portion in this example) is provided in a tank (the
＜제2의 실시 형태＞≪ Second Embodiment >
도 2(a)는, 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 개략 사시도이고, 도 2(b)는, 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 주요부를 나타내는 도면이다. FIG. 2 (a) is a schematic perspective view of a work thickness measuring apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 2 (b) is a schematic view of a work thickness measuring apparatus according to a second embodiment of the present invention Fig.
도 2(a) 및 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 이 실시 형태의 워크의 두께 측정 장치(1)는, 수조(2) 내에, 측정기(3)의 선단이 삽입되어, 수조(2)와 측정기(3)의 사이에 극간(8)을 설치하고 있는 점에서, 도 1(a) 및 도 1(b)에 나타내는 실시 형태와 상이하다. 그리고, 측정기(3)의 선단에는 캡(6)이 설치되어, 이 캡(6)에 의해 금속제의 측정기(3)가 방수되고, 또한, 측정기(3)의 선단과 캡(6)의 사이에 공기층(7)이 형성된다. 2 (a) and 2 (b), in the work
제2의 실시 형태에 의하면, 우선, 기본적인 구성이 제1의 실시 형태와 동일하기 때문에, 상술한 제1의 실시 형태와 동일한 작용 효과를 가져올 수 있다. According to the second embodiment, since the basic configuration is the same as that of the first embodiment, the same operational effects as those of the first embodiment described above can be obtained.
또한, 제2의 실시 형태에 의하면, 수조(2)와 측정기(3)의 사이에 극간(8)을 설치하여, 이 극간(8)으로부터 수조(2) 내의 물(5)이 새는 구조로 되어 있기 때문에, 수압의 변동 등에 의해 수조(2)가 변형된 경우에서도 측정기(3)와는 간섭하지 않고, 공기층(7)과 수중 부분의 거리의 비율이 변화하여 광학적인 외관상의 거리가 변화하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에 의하면, 공기층(7)이 개재하는 경우에 의한 상기의 문제를 회피할 수 있다. 또한, 제2의 실시 형태에 의하면, 측정기(3)를 웨이퍼(W)에 접근시킬 수 있기 때문에, 측정 정밀도의 향상의 이점을 얻을 수 있다. According to the second embodiment, the
또한, 본 실시 형태에서는, 물(5)이 수조(2)로부터 새는 구조이기 때문에, 수조(2) 내에 공급하는 물의 양을 많게 하는 것이 바람직하지만, 물(5)의 난류가 발생하여 웨이퍼(W)를 진동시켜 측정 오차를 발생시키는 경우가 없을 수 있도록, 극간(8)으로부터 새어 나오는 양보다 약간 많은 정도로 물(5)을 공급하는 것이 바람직하다. In this embodiment, it is preferable to increase the amount of water to be supplied into the
＜제3의 실시 형태＞≪ Third Embodiment >
도 3(a)은, 본 발명의 제3의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 개략 단면도이며, 도 3(b)은, 본 발명의 제3의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 주요부를 나타내는 단면도이다. 3 (a) is a schematic cross-sectional view of a work thickness measuring apparatus according to a third embodiment of the present invention, and Fig. 3 (b) is a cross sectional view of a work thickness measuring apparatus according to a third embodiment of the present invention And Fig.
제3의 실시 형태는, 공기층(7)과 수중 부분과의 광학적인 외관상의 거리의 비율이 변화하는 원인이 되는 수조(2)의 변형을 없애기 위해서, 수조(2) 자체를 이용하지 않는 예이다. The third embodiment is an example in which the
여기에서, 액체 공급관(9)은, 물(5)을 공급하는 양을 조정 가능한 액체 공급량 조정부를 구비하고, 물(5)의 공급량을 넉넉하게 조정함으로써, 웨이퍼(W)의 두께를 측정하는 위치에 수막(11)을 형성하여, 측정 개소가 항상 물(5)에 침지된 상태로 할 수 있다. The liquid supply pipe 9 is provided with a liquid supply amount adjuster capable of adjusting the amount of
또한, 물(5)은, 예를 들면, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 원통형의 액체 도입관(10)의 한쪽의 단부로부터 액체 도입관(10) 내에 도입되어, 액체 도입관(10) 내를 흐른다. 3 (a), the
제3의 실시 형태에 의하면, 우선, 웨이퍼(W)의 적어도 두께를 측정하는 개소는, 물에 침지된 상태가 되기 때문에, 앞의 제1및 제2의 실시 형태와 동일하게, 웨이퍼(W)가 수중에 침지된 상태로 웨이퍼(W)의 두께를 측정할 수 있고, 웨이퍼(W)를 건조시킨 후에 웨이퍼(W)의 두께를 계측하는 경우와 비교해서, 연마 처리의 스루풋을 확보할 수 있다. 또한, 연마 전의 웨이퍼(W)의 두께와의 비교에 의해 연마의 가공여유분량의 변화를 파악하고, 그것을 연마 장치에 피드백하여 연마 레시피의 변경이나 연마 조건의 파라미터의 보정을 행함으로써, 연마 장치에 의한 연마량을 적절히 제어할 수 있다. 본 실시 형태에 의한 측정 결과를 이용함으로써, 연마 후의 웨이퍼(W)의 평탄도(특히 외주부의 평탄도)나 LPD의 밀도를 개선할 수 있다. 또한, 연마의 가공여유분량을 관리함으로써, 일회용의 연마 슬러리의 사용량을 적정화할 수 있어 자재비를 저감 할 수도 있다. According to the third embodiment, at least a portion for measuring the thickness of the wafer W is first immersed in water. Therefore, as in the first and second embodiments, The thickness of the wafer W can be measured in a state in which the wafer W is immersed in water and the throughput of the polishing process can be secured as compared with the case where the thickness of the wafer W is measured after the wafer W is dried . Further, the change in the machining allowance amount of polishing is grasped by comparison with the thickness of the wafer W before polishing, and it is fed back to the polishing apparatus to change the polishing recipe and correct the parameters of the polishing conditions, It is possible to appropriately control the amount of polishing by the polishing pad. By using the measurement result according to the present embodiment, the flatness (particularly the flatness of the outer peripheral portion) of the wafer W after polishing and the density of the LPD can be improved. Further, by controlling the amount of machining allowance for polishing, the amount of disposable polishing slurry can be appropriately used, and the material cost can be reduced.
또한, 제3의 실시 형태에 있어서도, 웨이퍼(W)를, 도시하지 않는 이송부에 의해 웨이퍼(W)의 지름 방향으로 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)가 있는 직경 범위에 있어서의 모든 면 내의 웨이퍼(W)의 두께를 측정할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 의하면, 제1및 제2의 실시 형태와 동일하게, 웨이퍼(W)의 불순물 농도에 의존하지 않고 웨이퍼(W)의 두께를 측정 가능하다. Also in the third embodiment, the wafer W is moved in the radial direction of the wafer W by a transferring unit (not shown), so that the wafer W in all the planes in the diameter range in which the wafer W exists ) Can be measured. According to the present embodiment, it is possible to measure the thickness of the wafer W without depending on the impurity concentration of the wafer W, as in the first and second embodiments.
그리고, 제3의 실시 형태에 의하면, 수조(2)를 이용하지 않기 때문에, 상술한 바와 같은 수조(2)의 변형에 의해서 웨이퍼(W)의 두께의 측정에 오차를 부여하는 경우도 없고, 따라서, 공기층(7)이 개재하는 경우에 의한 상기의 문제를 회피할 수 있다. 또한, 측정기(3)를 웨이퍼(3)에 접근시킴으로써 측정기(3)의 고 정밀도한 사용이 가능해진다. According to the third embodiment, since the
＜제4의 실시 형태＞≪ Fourth Embodiment >
도 4(a)는, 본 발명의 제4의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 개략 단면도이고, 도 4(b)는, 본 발명의 제4의 실시 형태에 따른 워크의 두께 측정 장치의 주요부를 나타내는 단면도이다. Fig. 4A is a schematic sectional view of a work thickness measuring apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and Fig. 4B is a sectional view of a work thickness measuring apparatus according to a fourth embodiment of the present invention And Fig.
제4의 실시 형태는, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)가, 지름 방향이 수평 방향(중력에 수직인 방향)이 되게끔 배치되도록, 웨이퍼(W)를 사이에 끼우고, 대향하도록 2개의 측정기(3)가 배치되어 있는 점에서, 제3의 실시 형태와 상이하다. In the fourth embodiment, as shown in Fig. 4 (a), the wafer W is sandwiched between the wafers W such that the diameters thereof are arranged in a horizontal direction (direction perpendicular to gravity) And is different from the third embodiment in that two
제4의 실시 형태에서도, 제3의 실시 형태와 동일한 작용 효과를 가져올 수 있다. The fourth embodiment can bring about the same operational effects as those of the third embodiment.
특히, 제4의 실시 형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 상면에 수막(11)을 보유지지하는 것이 용이하다. 또한, 웨이퍼(W)의 하면에도 높은 압력으로 물을 공급함으로써, 수막(11)을 보유지지할 수 있다. In particular, according to the fourth embodiment, it is easy to hold the
(워크의 두께 측정 방법) (Method for measuring the thickness of a workpiece)
본 발명의 일 실시 형태에 의한 워크의 두께 측정 방법은, 도 1 내지 도 4에 의해 설명한 바와 같이, 연마 후의 웨이퍼(W)의 적어도 일부를 순수 등의 액체에 침지하는 공정을 포함한다. 웨이퍼(W)를 액체에 침지하는 수법으로서는, 예를 들면 도 1, 도 2에 나타낸 바와 같이, 수조(2)를 이용하여 수조(2) 내에 웨이퍼(W)를 배치할 수도 있고, 또한, 도 3, 도 4에 나타낸 바와 같이, 액체 공급관(9)에 의해 예를 들면 수압을 강하게 하여, 웨이퍼(W)의 일부에 수막(11)이 형성되도록 해도 좋다. 또한, 다른 수법으로 할 수도 있다. The method for measuring the thickness of a work according to one embodiment of the present invention includes a step of immersing at least a part of the wafer W after polishing in a liquid such as pure water as described with reference to Figs. As a method of immersing the wafer W in the liquid, for example, as shown in Figs. 1 and 2, the wafer W may be arranged in the
그리고, 웨이퍼(W)의 적어도 일부가 액체에 침지된 상태로, 웨이퍼(W)를 사이에 끼우고 대향하여 배치되고, 웨이퍼(W)의 표면까지의 거리를 측정 가능한 2 개 이상의 측정기(3)에 의해, 웨이퍼(W)의 액체에 침지된 부분의 두께를 측정하는 공정을 포함한다. At least two
본 실시 형태의 워크의 두께 측정 방법에 의하면, 웨이퍼(W)가 젖은 상태로 당해 웨이퍼(W)의 두께를 측정할 수 있고, 웨이퍼(W)를 건조시키고 나서 웨이퍼(W)의 두께를 계측하는 경우와 비교해서, 연마의 배치(batch) 처리의 스루풋을 확보할 수 있다. 또한, 연마 전의 웨이퍼(W)의 두께와의 비교에 의해 연마의 가공여유분량의 변화를 파악하고, 그것을 연마 장치에 피드백하여 연마 레시피의 변경이나 연마 조건의 파라미터의 보정을 행함으로써, 연마 장치에 의한 연마량을 적절히 제어할 수 있다. 본 실시 형태의 방법에 의한 측정 결과를 이용함으로써, 연마 후의 웨이퍼(W)의 평탄도(특히 외주부의 평탄도)나 LPD의 밀도를 개선할 수 있다. 또한, 연마의 가공여유분량을 관리함으로써, 일회용의 연마 슬러리의 사용량을 적정화할 수 있어, 자재비를 저감 할 수도 있다. According to the work thickness measurement method of the present embodiment, the thickness of the wafer W can be measured while the wafer W is wet, and the thickness of the wafer W is measured after the wafer W is dried The throughput of the batch processing of the polishing can be secured. Further, the change in the machining allowance amount of polishing is grasped by comparison with the thickness of the wafer W before polishing, and it is fed back to the polishing apparatus to change the polishing recipe and correct the parameters of the polishing conditions, It is possible to appropriately control the amount of polishing by the polishing pad. By using the measurement results obtained by the method of the present embodiment, the flatness (particularly the flatness of the outer peripheral portion) of the wafer W after polishing and the density of the LPD can be improved. In addition, by managing the amount of machining allowance for polishing, the amount of disposable polishing slurry can be appropriately used, and the material cost can be reduced.
(워크의 연마 장치) (A polishing apparatus for a workpiece)
본 발명의 일 실시 형태에 의한 워크의 연마 장치는, 상술의 워크의 두께 측정 장치·측정 방법에 의해 측정된, 웨이퍼(W)의 두께의 정보를 수취하는 수신부(도시하지 않음)와, 수신부에 의해 수취된 웨이퍼(W)의 두께의 정보에 기초하여, 연마 레시피의 전환 또는 연마 조건의 파라미터의 보정을 행하는 연산부(도시하지 않음)를 구비한다. 구체적으로는, 연산부에 의해, 예를 들면 연마 시간등을 보정할 수 있다. 또한, 연마 장치는, 양면 연마 장치여도, 편면 연마 장치여도 좋다. A polishing apparatus for a workpiece according to an embodiment of the present invention includes a receiving section (not shown) for receiving information on the thickness of the wafer W, which is measured by the above-described workpiece thickness measuring apparatus and measuring method, (Not shown) for changing the polishing recipe or correcting the parameters of the polishing conditions on the basis of the information of the thickness of the wafer W received by the polishing apparatus. Specifically, the polishing section can correct the polishing time and the like, for example. The polishing apparatus may be a double-side polishing apparatus or a single-side polishing apparatus.
본 실시 형태에 의한 워크의 연마 장치에 의하면, 스루풋을 확보하면서, 또한, 연마량을 적절히 제어할 수 있다. 따라서, 연마 후의 워크의 평탄도(특히 외주부의 평탄도)를 향상시킬 수 있어, LPD등의 결함의 밀도도 저감 할 수 있다. According to the polishing apparatus for a work according to the present embodiment, it is possible to appropriately control the amount of polishing while securing the throughput. Therefore, the flatness (particularly the flatness of the outer peripheral portion) of the work after polishing can be improved, and the density of defects such as LPD can also be reduced.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은, 상기의 실시 형태에 하등 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 있어서 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은, 이 실시예에 하등 한정되는 것은 아니다. Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. In the following, embodiments of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these embodiments.
실시예Example
(실시예 1) (Example 1)
웨이퍼까지의 거리를 측정하는 2개의 상이한 타입의 측정기를 이용하여, 연마 후의 실리콘 웨이퍼의 두께를 측정하는 시험을 행했다. 연마는, 일반적인 편면 연마 장치를 이용했다. 이하의 표 1에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼는, 지름 300mm의 p－, p＋＋의 2 종류의 기판을 이용했다. 또한, 수중에서 웨이퍼의 표리면에서의 반사광의 간섭을 평가하는 타입의 측정기로서, 하마마츠 호트닉스사 제조; Optical MicroGauge를 이용하고(종래예 1), 본 발명에 이용할 수 있는, 수중에서 웨이퍼의 표면까지의 거리를 측정 가능한 측정기로서, 키엔스사 제조; SI－F10를 이용했다(발명예 1). 또한, 비교 대상으로 하여, 쿠로다사 제조; 나노 메트로를 이용하여, 건조 후에 웨이퍼의 두께를 측정했다(비교예). 발명예 1 및 비교예에 대해서는, 도 1에 나타내는 바와 같은, 2개의 측정기로 웨이퍼를 사이에 끼우는 타입의 장치를 이용하여 측정을 행했다. 한편으로, 종래예에 대해서는, 웨이퍼의 편측 측에만 측정기를 배치했다. A test was performed to measure the thickness of the silicon wafer after polishing by using two different types of measuring devices for measuring the distance to the wafer. The polishing was performed using a general one-side polishing apparatus. As shown in the following Table 1, two types of substrates of p - and p ++ having a diameter of 300 mm were used for the silicon wafer. Further, as a measuring device of the type that evaluates the interference of the reflected light on the front and back surfaces of the wafer in water, it is available from Hamamatsu Hontonics Co., As a measuring device capable of measuring the distance to the surface of the wafer in water, which can be used in the present invention, using Optical MicroGauge (Conventional Example 1), manufactured by Keyence Corporation; SI-F10 (Inventive Example 1). Further, as a comparative object, manufactured by Kuroda KK; The thickness of the wafer after drying was measured using a nanometer (Comparative Example). In Inventive Example 1 and Comparative Example, measurement was performed by using a device of the type sandwiching wafers with two measuring devices as shown in Fig. On the other hand, in the conventional example, the measuring instrument was disposed only on one side of the wafer.
이하, 표 1에 평가 결과를 나타낸다. The evaluation results are shown in Table 1 below.
표 1에 나타내는 바와 같이, p-기판의 두께는, 종래예 1 및 발명예 1 모두 정밀도 좋게 웨이퍼의 두께를 측정할 수 있었지만, p++기판의 두께는, 종래예 1에서는, 측정 자체를 할 수 없었던 한편, 발명예 1에서는, 정밀도 좋게 웨이퍼의 두께를 측정할 수 있었던 것을 알 수 있다. As shown in Table 1, the thickness of the p - substrate was able to measure the thickness of the wafer with high precision both in Conventional Example 1 and Example 1, but the thickness of the p ++ substrate was measured in Conventional Example 1 While in Inventive Example 1, it was found that the thickness of the wafer could be measured with high accuracy.
(실시예 2) (Example 2)
다음으로, 편면 연마 후의 웨이퍼의 두께를 측정하고, 그것을 편면 연마 장치에 피드백 하여 연마 시간을 보정했을 때의 SFQR(Site Front Least Square Range)을 측정하여, 편면 연마 전후의 SFQR의 차이(ΔSFQR)를 구했다. 여기에서는, 상기의 편면 연마 장치는, 측정된 웨이퍼의 두께의 정보를 수취하는 수신부와 수신한 웨이퍼의 두께의 정보에 기초하여, 연마 시간의 보정을 행하는 연산부를 구비하고, 그 외의 구성은, 일반적인 편면 연마 장치와 동일하다. 또한, 연마에 제공한 실리콘 웨이퍼는, 지름 300mm의 p-형의 실리콘 웨이퍼로 했다. 또한, SFQR이란, 설정된 사이트 내에서 데이터를 최소 이승법으로 산출한 사이트 내 평면을 기준 평면으로 하여, 이 평면으로부터의 ＋측(즉, 웨이퍼의 주 표면을 위로 향하게 수평으로 두었을 경우의 상측), －측(동일 하측)의 각각의 최대 변위량의 절대치의 합으로 나타낸 사이트마다 평가된 값이다. 실시예 2에 있어서는, 평탄도 측정기(KLA－Tencor사 제조; WaferSight)를 이용하여 26×8mm2의 사이트 사이즈 내를 측정했다. Next, the SFQR (Site Front Least Square Range) obtained by measuring the thickness of the wafer after the one side polishing and feeding back the wafer to the one side polishing apparatus to correct the polishing time is measured to calculate the difference (SFFR) I got it. Here, the above-described one-side polishing apparatus includes a calculating section for correcting the polishing time based on information of the thickness of the wafer received, and a receiving section for receiving information on the measured thickness of the wafer, This is the same as the single-side polishing apparatus. The silicon wafer provided for polishing was a p - type silicon wafer having a diameter of 300 mm. The SFQR is defined as a plane in the site calculated by the least squares method in the set site as a reference plane and the + side from the plane (i.e., the upper side when the main surface of the wafer is horizontally placed upward) , And - side (same lower side) of the maximum displacement amount. In Example 2, the measurement was made within a site size of 26 x 8 mm 2 using a flatness meter (manufactured by KLA-Tencor Co., Ltd., WaferSight).
여기에서, 연마 장치의 가동 상황에 의해서 연마 레이트에 변동이 있기 때문에, 일단 정지 후 재차 기동시와 연속 가동했을 때의 2개의 경우로 나누어 SFQR를 평가했다. 평가 결과를 이하의 표 2에 나타낸다. 표 2에 있어서, 발명예 2는, 상기의 피드백을 행한 경우이며, 종래예 2는, 상기의 피드백을 행하지 않았던 경우이다. 또한, 표 2에서 ΔSFQR의 부호가 정(正)인 경우는, 편면 연마 후에 SFQR가 악화되고 있는 것을 나타낸다. 또한, 편면 연마 후의 웨이퍼의 두께의 측정은, 발명예 1과 동일하게 행한 것이다. Here, since the polishing rate varies depending on the operating condition of the polishing apparatus, the SFQR was evaluated by dividing the polishing rate into two cases at the time of start and then at the time of starting again. The evaluation results are shown in Table 2 below. In Table 2, Inventive Example 2 is the case where the above feedback is performed, and Conventional Example 2 is the case where the above feedback is not performed. When the sign of? SFQR is positive in Table 2, SFQR deteriorates after one side polishing. The measurement of the thickness of the wafer after the one side polishing was performed in the same manner as in Inventive Example 1. [
표 2에 나타내는 바와 같이, 종래예 2에서는, 연마 시간을 일정하게 했기 때문에, 편면 연마 장치를 정지하고 재기동했을 경우에 ΔSFQR가 크고, 평탄도가 저하되고 있었다. 한편으로, 발명예 2에서는, 측정한 연마 후의 웨이퍼의 두께의 정보를 편면 연마 장치에 피드백하고, 연마 시간을 조정했기 때문에(520sec), 정지 후 재기동시에도 ΔSFQR가 작고, 평탄도의 저하가 억제된 것을 알 수 있다. As shown in Table 2, in Conventional Example 2, since the polishing time was made constant,? SFQR was large and the flatness was lowered when the single-side polishing apparatus was stopped and restarted. On the other hand, in Inventive Example 2, since information of the measured wafer thickness after polishing is fed back to the single-side polishing apparatus and the polishing time is adjusted (520 sec),? SFQR is also small at the time of stopping and restarting, .
(실시예 3) (Example 3)
다음으로, 편면 연마 후의 웨이퍼의 두께를 측정하고, 그것을 편면 연마 장치에 피드백하여 연마 시간을 보정했을 때의 LPD 밀도를 평가했다. LPD 밀도의 평가는, 파티클 카운터(KLA－Tencor사 SP2)를 이용했다. 여기에서는, 상기의 편면 연마 장치는, 측정된 웨이퍼의 두께의 정보를 수취하는 수신부와 수신한 웨이퍼의 두께의 정보에 기초하여, 연마 시간의 보정을 행하는 연산부를 구비하고, 그 외의 구성은, 일반적인 편면 연마 장치와 동일하다. 또한, 연마에 제공한 실리콘 웨이퍼는, 지름 300mm의 p-형의 실리콘 웨이퍼로 했다. 연마 장치의 가동 상황에 의해 연마 레이트에 변동이 있기 때문에, 일단 정지 후 재기동시와 연속 가동했을 때의 2개의 경우로 나누어 LPD 밀도를 평가했다. 평가 결과를 이하의 표 3에 나타낸다. 표 3에 있어서, 발명예 3은, 상기의 피드백을 행했을 경우이며, 종래예 3은, 상기의 피드백을 행하지 않았던 경우이다. 또한, 편면 연마 후의 웨이퍼의 두께 측정은, 발명예 1과 동일하게 행한 것이다. Next, the thickness of the wafer after the one side polishing was measured and fed back to the one side polishing apparatus to evaluate the LPD density when the polishing time was corrected. The LPD density was evaluated using a particle counter (KLA-Tencor SP2). Here, the above-described one-side polishing apparatus includes a calculating section for correcting the polishing time based on information of the thickness of the wafer received, and a receiving section for receiving information on the measured thickness of the wafer, This is the same as the single-side polishing apparatus. The silicon wafer provided for polishing was a p - type silicon wafer having a diameter of 300 mm. Since the polishing rate fluctuated depending on the operating conditions of the polishing apparatus, the LPD density was evaluated by dividing the polishing rate into two cases: once stopped and then restarted and continuously operated. The evaluation results are shown in Table 3 below. In Table 3, Inventive Example 3 is a case in which the above feedback is performed, and Conventional Example 3 is a case in which the above feedback is not performed. The thickness of the wafer after the one side polishing was measured in the same manner as in Inventive Example 1. [
표 3에 나타내는 바와 같이, 종래예 3에서는, 연마 시간을 일정하게 했기 때문에, 편면 연마 장치를 정지하고 재기동했을 경우에, LPD 밀도가 크고 결함이 많이 발생했지만, 발명예 3에서는, 측정한 연마 후의 웨이퍼의 두께의 정보를 편면 연마 장치에 피드백하여, 연마 시간을 조정했기 때문에(520sec), 정지 후 재기동시에도 LPD의 발생을 억제할 수 있었던 것을 알 수 있다. 또한, 연마의 가공여유분량을 관리함으로써, 일회용의 연마 슬러리의 사용량을 적정화할 수 있어, 자재비를 저감 할 수 있었다. As shown in Table 3, in Conventional Example 3, since the polishing time was made constant, when the single-side polishing apparatus was stopped and restarted, the density of LPD was large and defects were generated a lot. In Inventive Example 3, Since the wafer thickness information was fed back to the single-side polishing apparatus and the polishing time was adjusted (520 sec), it was found that the generation of LPD could be suppressed even after the stop and restart. Further, by controlling the amount of machining allowance for polishing, the amount of disposable polishing slurry can be appropriately used, and the material cost can be reduced.
(실시예 4) (Example 4)
다음으로, 수조의 재질이나 두께를 변경한 경우의 웨이퍼의 두께의 측정 오차 및 수조의 변형량을 모니터 하여 평가했다. 연마에 제공하는 실리콘 웨이퍼로서는, 지름 300mm의 p++형의 기판을 이용했다. 연마에는, 일반적인 편면 연마 장치를 이용했다. 여기에서, 측정 오차는, 키엔스사 제조 SI－F10을 도 1에 나타내는 장치에 이용하여 측정을 행했을 경우와, 쿠로다사 제조 나노 메트로를 이용하여, 건조 후에 웨이퍼의 두께를 측정했을 경우로, 10회의 측정을 행하여, 그 측정 결과의 차이의 최대치를 측정 오차로 했다. 또한, 수조의 변형량은, 키엔스 사 제조 SI－F10을 이용하여 측정 시간의 사이에 모니터 하여, 그 사이에서의 최대 변위를 수조의 변형량으로 했다. Next, the measurement error of the thickness of the wafer and the deformation amount of the water tank when the material and thickness of the water tank were changed were monitored and evaluated. As a silicon wafer to be provided for polishing, a p ++ type substrate having a diameter of 300 mm was used. For polishing, a general one-side polishing apparatus was used. Here, the measurement error was measured when the SI-F10 manufactured by Keyens Co., Ltd. was used for the apparatus shown in Fig. 1, and when the thickness of the wafer after drying was measured using Nanodrome manufactured by Kuroda Co., The meeting was measured, and the maximum value of the difference of the measurement results was regarded as a measurement error. Further, the amount of deformation of the water tank was monitored during the measurement time using SI-F10 manufactured by KEYENCE CORPORATION, and the maximum displacement therebetween was regarded as the deformation amount of the water tank.
이하의 표 4에 평가 결과를 나타낸다. 또한, 표 4에 있어서, 「측정의 오차」는, 아크릴 수지(두께 8mm)의 경우를 100으로 했을 때의 상대 지수로 나타내며, 수치가 작은 쪽이 「측정의 오차」가 작은 것을 나타낸다. 또한, 금속 보강은, 도 1에 나타내는 바와 같이, SUS제의 보강판을 수조에 부착함으로써 행한 것이며, 배수량 제어는, 배수량의 모니터링에 의해, 급수량 및 웨이퍼의 이동 속도를 조정함으로써 행한 것이다. The evaluation results are shown in Table 4 below. In Table 4, the "measurement error" is represented by the relative index when the case of the acrylic resin (
표 4에 나타내는 바와 같이, 석영을 이용했을 경우, 수조의 변형량을 큰폭으로 저감시켜, 이에 따라 측정의 오차를 큰폭으로 개선할 수 있었던 것을 알 수 있다. 또한, 수조의 두께를 두껍게 하는 만큼, 수조의 변형량이 작아져, 측정의 오차도 작아진 것을 알 수 있다. As shown in Table 4, when quartz was used, it was found that the amount of deformation of the water tank was greatly reduced, thereby greatly improving the measurement error. Further, it can be seen that as the thickness of the water tank is increased, the amount of deformation of the water tank is reduced, and the measurement error is also reduced.
또한, 금속 보강을 함으로써, 수조의 변형량이 더욱 작아져, 측정의 오차도 더욱 작아진 것을 알 수 있다. 또한, 물의 배수량을 제어함으로써, 수조의 변형량이 더 한층 작아져, 측정의 오차도 더 한층 작아진 것을 알 수 있다. It is also understood that, by metal reinforcement, the deformation amount of the water tank is further reduced, and the measurement error is further reduced. Further, it can be seen that the deformation amount of the water tank is further reduced by controlling the water drainage amount, and the measurement error is further reduced.
(실시예 5) (Example 5)
다음으로, 도 2에 나타내는 수조를 이용했을 경우의 웨이퍼 두께의 측정의 오차를, 도 1에 나타내는 수조(다만, 보강판을 갖지 않는다)를 이용했을 경우의 측정의 오차와의 대비로 평가했다. 평가 방법은, 실시예 4와 동일하다. 또한, 수조의 재질이나 두께는 동일로 했다. 또한, 표 5에 있어서, 「측정의 오차」는 도 1의 경우를 100으로 했을 경우의 상대값으로 나타내고 있고, 수치가 작은 쪽이, 오차가 작은 것을 의미한다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 배수량 제어를 행하지 않는 것으로 했다. Next, the measurement error of the wafer thickness when using the water tank shown in Fig. 2 was evaluated in comparison with the measurement error in the case of using the water tank (but without the reinforcing plate) shown in Fig. The evaluation method is the same as in the fourth embodiment. The material and thickness of the water tank were the same. In Table 5, the "measurement error" is represented by a relative value when the case of FIG. 1 is taken as 100, and a smaller value means that the error is small. In the present embodiment, it is assumed that the displacement amount control is not performed.
도 2에 나타내는 장치를 이용했을 경우, 수조가 극간을 갖고, 수조의 변형이 측정기에 간섭하지 않기 때문에, 표 5에 나타내는 바와 같이, 측정의 오차를 큰폭으로 저감 할 수 있었던 것을 알 수 있다. When the apparatus shown in Fig. 2 is used, it can be seen that the measurement error is largely reduced as shown in Table 5 because the water tank has a gap and the deformation of the water tank does not interfere with the measuring instrument.
(실시예 6) (Example 6)
다음으로, 도 3에 나타내는 장치를 이용했을 경우의, 웨이퍼 두께의 측정의 오차를 도 1에 나타내는 수조(다만, 보강판을 갖지 않는다)를 이용했을 경우의 측정의 오차와의 대비로 평가했다. 평가 방법은, 실시예 4, 5와 동일하다. 또한, 표 6에 있어서, 「측정의 오차」는 도 1의 경우를 100으로 했을 경우의 상대값으로 나타내고 있고, 수치가 작은 쪽이, 오차가 작은 것을 의미한다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 배수량 제어를 행하지 않는 것으로 했다. Next, the measurement error of the wafer thickness when using the apparatus shown in Fig. 3 was evaluated in comparison with the measurement error in the case of using the water tank (but without the reinforcing plate) shown in Fig. The evaluation method is the same as in Examples 4 and 5. In Table 6, " measurement error " is represented by a relative value when the case of Fig. 1 is taken as 100, and a smaller value means that the error is small. In the present embodiment, it is assumed that the displacement amount control is not performed.
표 6에 나타내는 바와 같이, 도 3에 나타내는 장치를 이용했을 경우, 측정의 오차를 발생하게 하는 원인이 되는 수조 자체를 이용하지 않기 때문에, 측정의 오차를 큰폭으로 저감 할 수 있었던 것을 알 수 있다. As shown in Table 6, when the apparatus shown in Fig. 3 is used, it is understood that the measurement error can be largely reduced because the water tank itself causing the measurement error is not used.
(실시예 7) (Example 7)
다음으로, 실시예 2와 동일하게, 편면 연마 후의 웨이퍼의 두께를 측정하여, 그것을 편면 연마 장치에 피드백하여 연마 시간을 보정했을 때의 SFQR(Site Front Least Square Range)를 측정하고, 편면 연마 전후의 SFQR의 차이(ΔSFQR)를 구했다. 시험은, 금속 보강 및 배수량 제어를 함께 행하지 않는 경우와, 금속 보강만 행하는 경우와, 금속 보강과 배수량 제어를 함께 행하는 경우의 3가지로 행했다. 또한, 편면 연마 후의 웨이퍼의 두께의 측정은, 발명예 1과 동일하게 행한 것이다. Next, in the same manner as in Example 2, the SFQR (Site Front Least Square Range) at the time of measuring the thickness of the wafer after the single side polishing and feeding back the wafer to the single side polishing apparatus to correct the polishing time was measured, The difference (SFFR) between SFQRs was obtained. The test was carried out in three ways: no metal reinforcement and discharge amount control were performed, only metal reinforcement, and metal reinforcement and discharge amount control. The measurement of the thickness of the wafer after the one side polishing was performed in the same manner as in Inventive Example 1. [
표 7에 있어서, 평가 결과는, ΔSFQR의 표준 편차의 상대값으로 나타내고 있고, 금속 보강 및 배수량 제어를 함께 행하지 않는 경우를 100으로 하고, 수치가 작을 수록 편차가 작고 양호하다. In Table 7, the evaluation result is represented by a relative value of the standard deviation of? SFQR, and the case where the metal reinforcement and the displacement amount control are not performed together is set to 100, and the smaller the value, the smaller the deviation is.
또한, 금속 보강 및 배수량 제어는, 실시예 4와 동일한 수법에 의해 행한 것이다. The metal reinforcement and the amount of displacement were controlled in the same manner as in Example 4. [
표 7에 나타내는 바와 같이, 금속 보강을 행함으로써, ΔSFQR의 표준 편차의 상대값을 더 한층 저감 할 수 있고, 금속 보강 및 배수량 제어를 행함으로써, ΔSFQR의 표준 편차의 상대값을 더욱 저감 할 수 있었던 것을 알 수 있다. As shown in Table 7, by performing the metal reinforcement, the relative value of the standard deviation of? SFQR can be further reduced, and by performing the metal reinforcement and the displacement control, it is possible to further reduce the relative value of the standard deviation of? SFQR .
1 워크의 두께 측정 장치
2 수조
3 측정기
4 지지 부재
5 물
6 캡
7 공기층
8 극간
9 액체 공급관
10 액체 도입관
11 수막
W 워크(웨이퍼)1 Work thickness measuring device
2 tank
3 measuring instrument
4 supporting member
5 water
6 caps
7 air layer
8 gaps
9 liquid supply pipe
10 liquid introduction pipe
11 meninges
W work (wafer)
Claims (17)
대향하여 배치되고, 상기 워크의 상기 액체에 침지된 부분의 표면까지의 거리를 측정 가능한 2개 이상의 측정기
를 구비하는 것을 특징으로 하는 워크의 두께 측정 장치.A liquid immersion machine for immersing at least a part of the work after polishing into a liquid,
And at least two measuring devices which are disposed opposite to each other and can measure the distance to the surface of the portion of the work immersed in the liquid,
And a measuring device for measuring the thickness of the workpiece.
상기 측정기를 고정하는 지지 부재를 추가로 구비하는 워크의 두께 측정 장치.The method according to claim 1,
And a support member for fixing the measuring device.
상기 측정기는, 선단에 캡을 구비하는 워크의 두께 측정 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the measuring device has a cap at a tip end thereof.
상기 액체 침지기는, 상기 워크를 내부에 수용 가능한 조(槽)인 워크의 두께 측정 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the liquid immersing device is a tank capable of accommodating the workpiece therein.
상기 조는, 석영 또는 판유리로 되어 있는 워크의 두께 측정 장치.5. The method of claim 4,
Wherein said group is made of quartz or plate glass.
상기 조 내에, 상기 측정기의 적어도 일부가 삽입되고,
상기 조와 상기 측정기의 사이에 극간을 갖는 워크의 두께 측정 장치.The method according to claim 4 or 5,
Wherein at least a part of the measuring instrument is inserted in the tank,
And a gap between the jaw and the measuring instrument.
상기 액체 침지기는, 상기 워크의 적어도 일부가 상기 액체에 항상 침지되도록 상기 액체를 공급 가능한 액체 공급관인 워크의 두께 측정 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the liquid immersing device is a liquid supply pipe capable of supplying the liquid so that at least a part of the work is always immersed in the liquid.
상기 액체 공급관은, 상기 액체를 공급하는 양을 조정 가능한 액체 공급량 조정부를 구비하는 워크의 두께 측정 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the liquid supply pipe has a liquid supply amount adjusting portion capable of adjusting an amount of supplying the liquid.
상기 워크의 두께의 측정 개소에 근접하여 상기 워크를 사이에 끼우고 대향하여 배치되는 액체 도입관을 추가로 구비하고,
상기 측정기의 적어도 선단은, 상기 액체 도입관 내에 삽입되는 워크의 두께 측정 장치.9. The method according to claim 7 or 8,
Further comprising a liquid introduction pipe arranged so as to be opposed to each other with the work being sandwiched close to a measurement point of the thickness of the work,
Wherein at least the tip of the measuring instrument is inserted into the liquid introduction pipe.
상기 액체는, 물인 워크의 두께 측정 장치.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the liquid is water.
상기 측정기는, 광학식의 분광 간섭형 측정기인 워크의 두께 측정 장치.11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the measuring device is an optical spectroscopic interference measuring device.
상기 워크의 두께의 측정시에, 상기 조의 변형량이 50nm 이하인 워크의 두께 측정 장치.The method according to claim 4 or 5,
Wherein the deformation amount of the bath is 50 nm or less at the time of measuring the thickness of the work.
상기 조에 보강판을 배치하여 이루어지는 워크의 두께 측정 장치.13. The method of claim 12,
And a reinforcing plate is disposed in the tank.
상기 조는, 액체배출부와, 상기 액체배출부로부터의 액체배출량을 측정하는 액체배출량 측정기와, 측정한 액체배출량에 기초하여 액체배출량을 조정하는 제어부를 갖는 워크의 두께 측정 장치.The method according to claim 12 or 13,
The tank includes a liquid discharge portion, a liquid discharge amount measuring device for measuring a discharge amount of liquid from the liquid discharge portion, and a control portion for adjusting the liquid discharge amount based on the measured liquid discharge amount.
상기 워크의 적어도 일부가 상기 액체에 침지된 상태로, 상기 워크를 사이에 끼우고 대향하여 배치되고, 상기 워크의 상기 액체에 침지된 부분의 표면까지의 거리를 측정 가능한 2개 이상의 측정기에 의해, 상기 워크의 두께를 측정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 워크의 두께 측정 방법.A step of immersing at least a part of the work after polishing in a liquid,
Wherein at least a part of the workpiece is immersed in the liquid so that the distance between the workpiece and the surface of the portion of the workpiece immersed in the liquid can be measured by two or more measuring devices, And a step of measuring a thickness of the workpiece.
상기 워크의 두께의 정보에 기초하여, 연마 레시피의 전환 또는 연마 조건의 파라미터의 보정을 행하는 연산부를 구비하는 것을 특징으로 하는 워크의 연마 장치.A receiving section for receiving information on the thickness of the workpiece measured by the workpiece thickness measuring apparatus according to any one of claims 1 to 14;
And an arithmetic section for performing the switching of the polishing recipe or the correction of the parameters of the polishing conditions based on the information of the thickness of the work.
상기 워크의 두께의 정보에 기초하여, 연마 레시피의 전환 또는 연마 조건의 파라미터의 보정을 행하는 연산부를 구비하는 것을 특징으로 하는 워크의 연마 장치.A receiver for receiving information on the thickness of the workpiece measured by the workpiece thickness measuring method according to claim 15;
And an arithmetic section for performing the switching of the polishing recipe or the correction of the parameters of the polishing conditions based on the information of the thickness of the work.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014003265 | 2014-01-10 | ||
| JPJP-P-2014-003265 | 2014-01-10 | ||
| PCT/JP2015/000080 WO2015105055A1 (en) | 2014-01-10 | 2015-01-09 | Workpiece thickness measurement device, measure method, and workpiece polishing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160095071A true KR20160095071A (en) | 2016-08-10 |
| KR101904062B1 KR101904062B1 (en) | 2018-10-04 |
Family
ID=53523884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167017957A KR101904062B1 (en) | 2014-01-10 | 2015-01-09 | Workpiece thickness measurement device, measure method, and workpiece polishing device |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6229737B2 (en) |
| KR (1) | KR101904062B1 (en) |
| TW (2) | TWI583495B (en) |
| WO (1) | WO2015105055A1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6602725B2 (en) * | 2016-05-24 | 2019-11-06 | スピードファム株式会社 | Window structure for workpiece thickness measurement |
| CN117140236B (en) * | 2023-10-25 | 2024-01-26 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | Wafer thickness online measurement device and method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068689A (en) | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Apparatus for feedback polishing and method for polishing |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03115911A (en) * | 1989-09-29 | 1991-05-16 | Anritsu Corp | Thickness measuring instrument for transparent body |
| JP2546753B2 (en) * | 1991-08-31 | 1996-10-23 | 信越半導体株式会社 | Method for manufacturing SOI substrate |
| JP4460659B2 (en) * | 1997-10-22 | 2010-05-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | Thin film thickness measuring method and apparatus, thin film device manufacturing method and apparatus using the same |
| US7101257B2 (en) * | 2003-05-21 | 2006-09-05 | Ebara Corporation | Substrate polishing apparatus |
| JP2007199013A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | Thickness measuring device and grinding attachment |
| JP2009050944A (en) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | Substrate thickness measuring method and substrate processing device |
| JP5066410B2 (en) * | 2007-08-31 | 2012-11-07 | Ｈｏｙａ株式会社 | Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk and manufacturing method of magnetic disk |
| JP5752961B2 (en) * | 2011-03-11 | 2015-07-22 | 株式会社ディスコ | Measuring device |
| TWM416070U (en) * | 2011-06-29 | 2011-11-11 | New Power Team Technology Inc | Substrate thickness measurement and detection device |
-
2015
- 2015-01-09 JP JP2015556788A patent/JP6229737B2/en active Active
- 2015-01-09 TW TW104100758A patent/TWI583495B/en active
- 2015-01-09 WO PCT/JP2015/000080 patent/WO2015105055A1/en active Application Filing
- 2015-01-09 TW TW106106177A patent/TWI597128B/en active
- 2015-01-09 KR KR1020167017957A patent/KR101904062B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068689A (en) | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Apparatus for feedback polishing and method for polishing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6229737B2 (en) | 2017-11-15 |
| WO2015105055A1 (en) | 2015-07-16 |
| JPWO2015105055A1 (en) | 2017-03-23 |
| KR101904062B1 (en) | 2018-10-04 |
| TW201527041A (en) | 2015-07-16 |
| TWI597128B (en) | 2017-09-01 |
| TW201716183A (en) | 2017-05-16 |
| TWI583495B (en) | 2017-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101981664B (en) | Methods for etching edge of silicon wafer | |
| KR101840285B1 (en) | Method for polishing semiconductor wafer | |
| KR20180084126A (en) | Method for polishing both surfaces of a wafer, method for manufacturing an epitaxial wafer using the same, and epitaxial wafer | |
| JP6215281B2 (en) | SUBSTRATE TRANSFER DEVICE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, AND SUBSTRATE TRANSFER METHOD | |
| KR20180067657A (en) | Wafer polishing method | |
| WO2014010166A1 (en) | Evaluation method and production method for semiconductor wafers | |
| JP5099111B2 (en) | Double-side polishing equipment | |
| KR101904062B1 (en) | Workpiece thickness measurement device, measure method, and workpiece polishing device | |
| US20120149177A1 (en) | Method of producing epitaxial silicon wafer | |
| KR102160516B1 (en) | Method for polishing plate-like body and device for polishing plate-like body | |
| US11389922B2 (en) | Polishing measurement device and abrasion time controlling method thereof, and polishing control system including same | |
| KR102264085B1 (en) | How to wrap semiconductor wafers | |
| KR20160134506A (en) | Method for producing substrates | |
| KR102657849B1 (en) | Method for manufacturing carrier, and method for polishing dual surfaces of wafer | |
| KR20160139619A (en) | Chemical mechanical polishing apparatus for substrate | |
| TWI740606B (en) | Double side polishing method for workpiece | |
| JP2011014800A (en) | Method for measuring film thickness of epitaxial layer, method for manufacturing epitaxial wafer, and method for controlling manufacturing process of epitaxial wafer | |
| KR20150053049A (en) | Double Side Polishing Method for Wafer | |
| KR20180092966A (en) | Polishing method | |
| Wei et al. | Experimental and numerical analysis of wafer-to-wafer uniformity in double-sided polishing | |
| JP5699783B2 (en) | Work polishing method and polishing apparatus | |
| US20230268186A1 (en) | Systems and methods for producing epitaxial wafers | |
| JP2011251907A (en) | Method and apparatus for processing surface | |
| JP4905263B2 (en) | Surface processing method and surface processing apparatus | |
| CN102765043B (en) | Grinding device for shallow trench isolation process and using method of grinding device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |