KR20160085317A - Radiographic device and radiographic system - Google Patents

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다쿠야 류
고스케 데루이
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Abstract

보다 양호한 화상 신호를 얻기 위한 장치 레이아웃에 의해 구성된 방사선 촬상 장치를 제공한다. 방사선에 따른 전기 신호를 출력하는 복수의 화소가 배열된 화소 어레이와, 판독 회로부와, 판독 회로부에의 방사선의 입사를 억제하기 위한 부재를 갖고, 판독 회로부에 의해 판독된 전기 신호에 기초하여 화상 신호가 생성되는 방사선 촬상 장치로서, 화소 어레이는, 화상 신호의 생성에 사용되는 일부의 화소가 복수 배열된 제1 영역과, 화상 신호의 생성에 사용되지 않는 다른 화소가 제1 영역의 주위 중의 적어도 일부의 영역에 복수 배열된 제2 영역을 포함하고, 화소 어레이의 외측으로부터 내측으로 향하여, 제2 영역에 배치된 판독 회로부의 내측의 단부와, 부재의 화소 어레이에의 정사영의 내측의 단부와, 제2 영역의 내측의 단부가 이 순서로 배치되어 있다.Provided is a radiation image pickup apparatus configured by a device layout for obtaining a better image signal. A readout circuit section, and a member for suppressing the incidence of radiation to the readout circuit section, wherein the readout circuit section includes: a pixel array in which a plurality of pixels for outputting an electric signal in accordance with radiation are arranged; Wherein the pixel array includes a first region in which a plurality of pixels used for generation of an image signal are arranged and a second region in which at least a part of the periphery of the first region An end of the inside of the readout circuit portion arranged in the second region, an end of the inside of the orthogonal projection to the pixel array of the member, and a second portion arranged in the region of the pixel array, And the inner ends of the two regions are arranged in this order.

Description

방사선 촬상 장치 및 방사선 촬상 시스템{RADIOGRAPHIC DEVICE AND RADIOGRAPHIC SYSTEM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a radiation imaging apparatus and a radiation imaging system,

본 발명은 방사선 촬상 장치 및 방사선 촬상 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a radiation imaging device and a radiation imaging system.

특허문헌 1에는, 방사선에 따른 전기 신호를 출력하는 복수의 화소가 배열된 화소 어레이와, 화소 어레이로부터 병렬로 출력된 전기 신호를 직렬의 전기 신호로 변환하여 판독하는 판독 회로부를 갖는 방사선 촬상 장치가 개시되어 있다. 특허문헌 1에는, 또한 판독 회로부에의 방사선의 입사를 억제하기 위한 부재를 갖는 방사선 촬상 장치가 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses a radiation image pickup apparatus having a pixel array in which a plurality of pixels for outputting electric signals according to radiation are arranged and a readout circuit portion for converting an electric signal outputted in parallel from the pixel array into a serial electric signal for reading out Lt; / RTI > Patent Document 1 also discloses a radiation image pickup apparatus having a member for suppressing the incidence of radiation to the readout circuit unit.

일본 특허 공개 제2001-042042호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-042042

그러나, 특허문헌 1에서는, 방사선의 입사를 억제하기 위한 부재와 화소 어레이의 배치 관계에 대한 검토가 불충분해서, 보다 양호한 화상 신호를 얻기 위한 장치 레이아웃에 검토의 여지가 있다.However, in Patent Document 1, there is insufficient examination of the arrangement relationship between the member for suppressing the incidence of radiation and the pixel array, and there is room for examination in the device layout for obtaining a better image signal.

따라서, 본원 발명은, 보다 양호한 화상 신호를 얻기 위한 장치 레이아웃에 의해 구성된 방사선 촬상 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본원 발명의 방사선 촬상 장치는, 방사선에 따른 전기 신호를 출력하는 복수의 화소가 배열된 화소 어레이와, 상기 화소 어레이로부터 출력된 전기 신호를 판독하는 판독 회로부와, 상기 판독 회로부에의 방사선의 입사를 억제하기 위한 부재를 갖고, 상기 판독 회로부에 의해 판독된 전기 신호에 기초하여 화상 신호가 생성되는 방사선 촬상 장치로서, 상기 화소 어레이는, 상기 복수의 화소 중 상기 화상 신호의 생성에 사용되는 일부의 화소가 복수 배열된 제1 영역과, 상기 복수의 화소 중 상기 화상 신호의 생성에 사용되지 않는 상기 일부의 화소와 상이한 다른 화소가 상기 제1 영역의 주위 중의 적어도 일부의 영역에 복수 배열된 제2 영역을 포함하고, 상기 판독 회로부는, 상기 제2 영역에 배치되어 있고, 상기 화소 어레이의 적어도 한 방향에 있어서, 상기 화소 어레이의 외측으로부터 내측으로 향하여, 상기 판독 회로부의 상기 내측의 단부와, 상기 부재의 상기 화소 어레이에의 정사영의 상기 내측의 단부와, 상기 제2 영역의 상기 내측의 단부가 이 순서로 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.Therefore, it is an object of the present invention to provide a radiation image pickup apparatus constituted by a device layout for obtaining a better image signal. A radiation image pickup apparatus of the present invention comprises a pixel array in which a plurality of pixels for outputting an electric signal according to radiation are arranged, a readout circuit section for reading an electric signal outputted from the pixel array, And the image signal is generated based on the electric signal read by the readout circuit unit, wherein the pixel array includes a plurality of pixels, each of the plurality of pixels being used for generating the image signal, And a second region in which a plurality of pixels different from the pixels of the plurality of pixels which are not used for generating the image signal are arranged in at least a part of the periphery of the first region, Wherein the readout circuit portion is arranged in the second region and is arranged in at least one direction of the pixel array , The inner end of the readout circuit portion, the inner end of the orthogonal projection to the pixel array of the member, and the inner end of the second region are arranged in this order from the outside to the inside of the pixel array And the like.

본원 발명에 의해, 보다 양호한 화상 신호를 얻기 위한 장치 레이아웃에 의해 구성된 방사선 촬상 장치를 제공하는 것이 가능해진다.According to the present invention, it becomes possible to provide a radiation image pickup apparatus constituted by an apparatus layout for obtaining a better image signal.

도 1은 제1 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 모식적인 구성을 도시하는 평면 모식도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 모식적인 등가 회로도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 화소 어레이의 모식적인 레이아웃을 도시하는 모식도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 모식적인 구성을 도시하는 단면 모식도이다.
도 5는 방사선 촬상 장치의 1화소의 예를 설명하는 1화소의 모식적인 등가 회로도이다.
도 6은 방사선 촬상 장치의 동작예를 설명하는 모식적인 타이밍 차트이다.
도 7은 제2 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 화소 어레이의 모식적인 레이아웃을 도시하는 모식도이다.
도 8은 제2 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 모식적인 구성을 도시하는 단면 모식도이다.
도 9는 방사선 촬상 장치를 사용한 방사선 촬상 시스템에의 응용예를 설명하기 위한 모식도이다.1 is a schematic plan view showing a schematic configuration of a radiation image pickup apparatus according to the first embodiment.
2 is a schematic equivalent circuit diagram of a radiation image pickup apparatus according to the first embodiment.
3 is a schematic diagram showing a schematic layout of the pixel array of the radiation imaging device according to the first embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a radiation image pickup device according to the first embodiment.
5 is a schematic equivalent circuit diagram of one pixel for explaining an example of one pixel of the radiation image pickup device.
6 is a schematic timing chart for explaining an operation example of the radiation image pickup apparatus.
7 is a schematic diagram showing a schematic layout of the pixel array of the radiation imaging device according to the second embodiment.
8 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of the radiation image pickup device according to the second embodiment.
9 is a schematic diagram for explaining an application example to a radiation imaging system using a radiation imaging apparatus.

이하에, 도면을 참조하여 실시 형태를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

(제1 실시 형태)(First Embodiment)

도 1 내지 도 3을 사용하여, 제1 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치를 설명한다. 도 1은, 제1 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 모식적인 구성을 도시하는 평면 모식도이다. 도 2는, 제1 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 모식적인 등가 회로도이다. 제1 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 화소 어레이의 모식적인 레이아웃을 도시하는 모식도이다.1 to 3, a radiation image pickup apparatus according to a first embodiment will be described. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic plan view showing a schematic configuration of a radiation image pickup apparatus according to a first embodiment. FIG. 2 is a schematic equivalent circuit diagram of a radiation image pickup apparatus according to the first embodiment. 1 is a schematic diagram showing a schematic layout of a pixel array of a radiation image pickup apparatus according to the first embodiment.

도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 방사선 촬상 장치(100)는 화소 어레이(2)와, 판독 회로부(23)와, 부재(4)를 포함한다. 또한, 방사선 촬상 장치(100)는 구동 회로부(21)와, 플렉시블 배선 기판(3)과, 신틸레이터(도시하지 않음)를 포함할 수 있다.1 to 3, the radiation image pickup apparatus 100 includes a pixel array 2, a readout circuit unit 23, and a member 4. [ The radiation imaging device 100 may include a driving circuit portion 21, a flexible wiring substrate 3, and a scintillator (not shown).

화소 어레이(2)는 방사선에 따른 전기 신호를 출력하는 복수의 화소(20)가 배열되어 있고, 바람직하게는 행렬형으로 복수의 화소(20)가 배열되어 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 화소(20)는 각각, 광전 변환 소자(201)와, 출력 회로부(202)를 포함할 수 있다. 광전 변환 소자(201)는 방사선을 광으로 변환하는 신틸레이터로 변환된 광을 전하로 변환하는 소자이며, 본 실시 형태에서는, 광전 변환 소자로서, 실리콘 기판 등의 반도체 기판에 설치된 포토 다이오드가 사용되고 있다. 단, 본 발명은 그에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 유리 기판 등의 절연 기판 상에 배치된 아몰퍼스 실리콘의 광전 변환 소자나, 신틸레이터를 사용하지 않고 방사선을 직접 전하로 변환하는 변환 소자를 사용해도 된다. 출력 회로부(202)는 광전 변환 소자(201)의 전하를 증폭한 전기 신호를 출력하는 회로부이며, 상세한 구성예는 후술한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 화소 어레이(2)는 베이스(1) 상에 배치된 복수의 반도체 기판에 걸쳐서 배치되어 있다.In the pixel array 2, a plurality of pixels 20 for outputting electric signals corresponding to radiation are arranged, and preferably, a plurality of pixels 20 are arranged in a matrix form. As shown in Fig. 3, the plurality of pixels 20 may include a photoelectric conversion element 201 and an output circuit portion 202, respectively. The photoelectric conversion element 201 is an element that converts light converted into a scintillator for converting radiation into light into electric charge. In the present embodiment, a photodiode provided on a semiconductor substrate such as a silicon substrate is used as the photoelectric conversion element . However, the present invention is not limited thereto. For example, a photoelectric conversion element of amorphous silicon disposed on an insulating substrate such as a glass substrate, or a conversion element for directly converting radiation into electric charge without using a scintillator may be used. The output circuit section 202 is a circuit section that outputs an electric signal obtained by amplifying the charge of the photoelectric conversion element 201. A detailed configuration example will be described later. In the present embodiment, the pixel array 2 is arranged over a plurality of semiconductor substrates arranged on the base 1.

도 1의 점선으로 나타내는 구동 회로부(21)는 구동 배선부(24)를 통하여 각 구동 신호를 공급함으로써, 화소 어레이(2)를 원하는 화소군 단위로 동작시키는 회로이며, 본 실시 형태에서는, 화소 어레이(2)의 복수의 화소(20)의 출력 회로부(20)를 행 단위로 동작시키는 회로이다. 구동 회로부(21)는 도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 단위 회로부(211)를 포함하고, 각 단위 회로부(211)가 각 행의 화소(20)의 동작을 제어한다. 구동 회로부(21)에는 시프트 레지스터가 적절하게 사용되고, 각 단위 회로부(211)는 시프트 레지스터의 단위 회로가 사용될 수 있다. 구동 배선부(24)는 각 구동 신호마다 개별로 준비된 복수의 구동 배선의 군이며, 본 실시 형태에서는, 화소 어레이(2)의 각 행마다 구동 배선부(21)가 구비되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 구동 회로부(21)는 베이스(1) 상에 배치된 복수의 반도체 기판에 걸쳐서 배치되어 있고, 복수의 반도체 기판마다 설치되어 있다.The driving circuit unit 21 shown by the dotted line in Fig. 1 is a circuit that operates the pixel array 2 in a desired pixel group unit by supplying each driving signal through the driving wiring unit 24. In this embodiment, (20) of the plurality of pixels (20) of the liquid crystal panel (2) on a row-by-row basis. As shown in Fig. 3, the driving circuit portion 21 includes a plurality of unit circuit portions 211, and each unit circuit portion 211 controls the operation of the pixels 20 in each row. A shift register is suitably used for the drive circuit unit 21, and each unit circuit unit 211 can be a unit circuit of a shift register. The driving wiring portion 24 is a group of a plurality of driving wirings individually prepared for each driving signal. In the present embodiment, the driving wiring portion 21 is provided for each row of the pixel array 2. In the present embodiment, the drive circuit portion 21 is disposed over a plurality of semiconductor substrates arranged on the base 1, and is provided for each of a plurality of semiconductor substrates.

판독 회로부(23)는 신호선(25S)나 신호선(25N)을 통하여 화소 어레이(2)로부터 병렬로 출력된 전기 신호를 직렬의 전기 신호로 변환하여 판독하는 회로부이다. 판독 회로부(23)는 선택 스위치(231S), 선택 스위치(231N), 선택 스위치(231'S), 선택 스위치(231'N), 주사 회로(22), 주사 회로(22'), 출력선(232S), 출력선(232N), 출력 버퍼(233S), 출력 버퍼(233N)를 포함한다. 또한, S는 방사선에 따라서 화소에서 발생한 전하에 기초하는 전기 신호에 대한 계통을 나타내는 것이며, N은 화소의 오프셋에 기초하는 전기 신호에 대한 계통을 나타내는 것이다. 선택 스위치(231S)나 선택 스위치(231N)는, 화소 어레이(2)의 열마다 설치되어 있고, 화소 어레이(2)의 원하는 화소열을 선택하는 소자이다. 또한, 본 실시 형태와 같이, 화소 어레이(2)를 복수의 블록으로 분할하고, 블록마다 블록을 선택하는 선택 스위치(231'S)나 선택 스위치(231'N)가 구비되어 있어도 된다. 도 1이 파선으로 나타내는 주사 회로(22)는 화소 어레이(2)로부터 병렬로 출력된 전기 신호를 직렬의 전기 신호로 변환하기 위해서, 각 선택 스위치(231S 및 231N)를 적절히 선택하는 회로이다. 주사 회로(22)는 도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 단위 회로부(221)를 포함하고, 각 단위 회로부(221)가 각 열의 화소(20)의 선택을 제어한다. 주사 회로부(22)에는 시프트 레지스터가 적절하게 사용되고, 각 단위 회로부(221)는 시프트 레지스터의 단위 회로가 사용될 수 있다. 또한, 본 실시 형태와 같이, 화소 어레이(2)를 복수의 블록으로 분할하고, 블록마다 블록을 선택하는 선택 스위치(231'S 및 231'N)를 적절히 선택하는 주사 회로(22')가 구비되어 있어도 된다. 출력선(232S) 및 출력 버퍼(233S)나 출력선(232N) 및 출력 버퍼(233N)는, 직렬의 전기 신호를 출력하는 출력부로서 기능한다. 출력선(232S 및 232N)은, 직렬의 전기 신호를 전송하고, 출력 버퍼(233S 및 233N)는, 전송된 직렬의 전기 신호를 버퍼 출력한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 판독 회로부(23)는 베이스(1) 상에 배치된 복수의 반도체 기판에 걸쳐서 배치되어 있고, 복수의 반도체 기판마다 설치되어 있다. 또한, 판독 회로부(23)는 신호선에 전기적으로 접속되는, 열 버퍼용 MOS(234S 및 234N)나, 전류원(235S 및 235N)을 더 갖고 있어도 된다.The reading circuit unit 23 is a circuit unit that converts electric signals output in parallel from the pixel array 2 through the signal line 25S and the signal line 25N into serial electric signals and reads them. The readout circuit unit 23 includes a selection switch 231S, a selection switch 231N, a selection switch 231'S, a selection switch 231'N, a scanning circuit 22, a scanning circuit 22 ', an output line 232S, An output line 232N, an output buffer 233S, and an output buffer 233N. Further, S represents a system for an electrical signal based on charges generated in a pixel according to radiation, and N represents a system for an electrical signal based on an offset of a pixel. The selection switch 231S and the selection switch 231N are provided for each column of the pixel array 2 and are elements for selecting a desired pixel column of the pixel array 2. [ Also, as in the present embodiment, the pixel array 2 may be divided into a plurality of blocks, and a selection switch 231'S and a selection switch 231'N for selecting blocks for each block may be provided. The scanning circuit 22 shown by the dashed line in Fig. 1 is a circuit for appropriately selecting each of the selection switches 231S and 231N in order to convert electric signals output in parallel from the pixel array 2 into serial electric signals. As shown in Fig. 3, the scanning circuit 22 includes a plurality of unit circuit portions 221, and each unit circuit portion 221 controls the selection of the pixels 20 in each column. A shift register is appropriately used for the scanning circuit section 22, and a unit circuit of a shift register can be used for each unit circuit section 221. Although the pixel array 2 is divided into a plurality of blocks and a scanning circuit 22 'for appropriately selecting the selection switches 231' S and 231'N for selecting the blocks for each block is provided as in the present embodiment do. The output line 232S and the output buffer 233S, the output line 232N, and the output buffer 233N function as an output section for outputting an electric signal in series. The output lines 232S and 232N transmit the electric signals in series, and the output buffers 233S and 233N buffer the transmitted electric signals in the series. In the present embodiment, the readout circuit section 23 is arranged over a plurality of semiconductor substrates arranged on the base 1, and is provided for each of a plurality of semiconductor substrates. The reading circuit section 23 may further include heat buffer MOSs 234S and 234N and current sources 235S and 235N which are electrically connected to the signal line.

플렉시블 배선 기판(3)은 출력부에 전기적으로 접속된 출력 단자(26S)나 출력 단자(27S)에 전기적으로 접속되고, 판독 회로부(23)로부터 출력된 전기 신호를 신호 처리부(도시하지 않음)에 전송하는 회로 기판이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 플렉시블 배선 기판(3)은 베이스(1) 상에 배치된 복수의 반도체 기판마다 설치되어 있다.The flexible wiring board 3 is electrically connected to the output terminal 26S and the output terminal 27S which are electrically connected to the output section and the electric signal outputted from the readout circuit section 23 is supplied to a signal processing section Lt; / RTI > Further, in the present embodiment, the flexible wiring board 3 is provided for each of a plurality of semiconductor substrates arranged on the base 1.

부재(4)는 판독 회로부(23)에의 방사선의 입사를 억제하기 위한 부재이다. 부재(4)에는, 방사선의 흡수 및 또는 차폐하는 특성이 높은, 납이나 텅스텐과 같은 중금속 재료가 적절하게 사용될 수 있다. 부재(4)의 두께는, 요구되는 방사선의 흡수 및 또는 차폐 정도에 따라서 적절하게 설정되고, 본 실시 형태에서는 두께 1 mm의 납판이 사용된다. 반도체 집적 회로인 판독 회로부(23)에 방사선이 입사되면, 입사된 방사선에 따른 전하에 의해 노이즈가 발생할 수 있다. 특히 반도체 기판에 판독 회로부(23)가 배치된 구성이면, 반도체 기판 중에서 발생한 전하에 의해 판독 회로부(23)에서 발생할 수 있는 노이즈의 문제가 보다 현저해진다. 그로 인해, 판독 회로부(23)에의 방사선의 입사를 억제하는 부재(4)를 사용하는 것이 바람직하다. 단, 화소 어레이(2)의 복수의 화소(20) 중 판독 회로부(23)의 근방에 배치되어 있는 화소(20)는 부재(4)가 배치됨으로써, 복수의 화소(20)의 중앙에 위치하는 화소(20)에 비하여, 입사되는 방사선이 저감될 우려가 있다. 그것에 의해 얻어지는 화상 신호에 상이가 발생하여, 화상 아티팩트의 원인이 되어, 얻어지는 화상의 화질이 저하될 우려가 있다. 또한, 부재(4)의 레이아웃에 관한 마진의 확보가 곤란한 경우가 있다.The member 4 is a member for suppressing the incidence of the radiation to the reading circuit portion 23. [ For the member 4, a heavy metal material such as lead or tungsten, which has high absorption and shielding properties of radiation, can be suitably used. The thickness of the member 4 is appropriately set in accordance with the required absorption or shielding of radiation, and in the present embodiment, a lead plate with a thickness of 1 mm is used. When radiation is incident on the readout circuit portion 23 which is a semiconductor integrated circuit, noise may be generated due to charges due to the incident radiation. In particular, if the readout circuit portion 23 is arranged on the semiconductor substrate, the problem of noise that can be generated in the readout circuit portion 23 due to the charge generated in the semiconductor substrate becomes more remarkable. Therefore, it is preferable to use the member 4 for suppressing the incidence of the radiation to the reading circuit portion 23. [ The pixel 20 disposed in the vicinity of the readout circuit 23 among the plurality of pixels 20 of the pixel array 2 is disposed at the center of the plurality of pixels 20 The incident radiation may be reduced as compared with the pixel 20. A difference occurs in the image signal obtained thereby, which may cause image artifacts, and the image quality of the obtained image may be deteriorated. Further, it may be difficult to secure a margin relating to the layout of the member 4.

따라서, 성의 검토의 결과, 본원 발명에서는 이하와 같은 레이아웃을 제공한다. 도 3 및 도 4를 사용하여 본원 발명의 부재(4)의 바람직한 위치 규정을 제공하는 레이아웃을 설명한다. 도 4는, 도 1의 A-A'선에 있어서의 방사선 촬상 장치(100)의 모식적인 구성을 도시하는 단면 모식도이다.Therefore, as a result of review of the property, the present invention provides the following layout. 3 and 4, a layout for providing a preferable position specification of the member 4 of the present invention will be described. 4 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of the radiation image pickup device 100 taken along the line A-A 'in Fig.

도 3에 도시한 바와 같이, 화소 어레이(2)는 제1 영역(2a)과 제2 영역(2b)을 포함한다. 제1 영역(2a)은 복수의 화소(20) 중 화상 신호의 생성에 사용되는 일부의 화소가 복수 배열된 영역이다. 제2 영역(2b)은 복수의 화소(20) 중 화상 신호의 생성에 사용되지 않는, 일부의 화소와 상이한 다른 화소(20)가 제1 영역(2a)의 주위 중의 적어도 일부의 영역에 복수 배열된 영역이다. 이하에서는, 일부의 화소를 유효 화소라 칭하고, 다른 화소를 더미 화소라 칭하고, 제1 영역(2a)을 유효 화소 영역이라 칭하고, 제2 영역(2b)을 더미 화소 영역이라 칭한다. 또한, 판독 회로부(23)는 더미 화소 영역(2b)에 배치되어 있다. 그리고, 화소 어레이(2) 중 적어도 한 방향에 있어서, 화소 어레이(2)의 외측으로부터 내측으로 향하여, 판독 회로부(22)의 내측의 단부 B와, 부재(4)의 화소 어레이(2)에의 정사영의 내측의 단부 C와, 더미 화소 영역(2b)의 내측의 단부 A가 이 순서대로 배치되어 있다. 여기서, 본 실시 형태에서는, 화소 어레이(2) 중 적어도 한 방향은 열 방향이다.As shown in Fig. 3, the pixel array 2 includes a first region 2a and a second region 2b. The first region 2a is a region in which a plurality of pixels used for generating an image signal among a plurality of pixels 20 are arranged. The second region 2b is formed by arranging a plurality of pixels 20 different from a part of pixels which are not used for generation of an image signal among the plurality of pixels 20 in a region of at least a part of the periphery of the first region 2a . Hereinafter, some pixels are referred to as effective pixels, and other pixels are referred to as dummy pixels. The first region 2a is referred to as an effective pixel region, and the second region 2b is referred to as a dummy pixel region. Further, the reading circuit portion 23 is arranged in the dummy pixel region 2b. The edge portion B of the inside of the readout circuit portion 22 and the edge portion B of the pixel array 2 of the member 4 are formed in at least one direction of the pixel array 2 from the outside to the inside of the pixel array 2, And the inner end A of the dummy pixel region 2b are arranged in this order. Here, in the present embodiment, at least one direction of the pixel array 2 is the column direction.

먼저, 더미 화소 영역(2b)의 내측의 단부 A보다도 외측으로 판독 회로부(23)의 내측의 단부 B가 위치함으로써, 판독 회로부(23)와 유효 화소 영역(2a)의 사이에는, 화상 신호의 생성에 사용되지 않는 전기 신호를 출력하는 더미 화소가 반드시 존재하게 된다. 그리고, 더미 화소 영역(2b)의 내측의 단부 A와 판독 회로부(23)의 내측의 단부 B 사이에, 부재(4)의 화소 어레이(2)에의 정사영의 내측의 단부 C가 위치한다. 이에 의해, 부재(4)에 의해 방사선의 입사가 저감될 우려가 있는 화소를 더미 화소로 하고, 화상 신호의 생성에 사용하지 않는다. 이에 의해, 아티팩트로 될 수 있는 전기 신호를 발생하는 화소로부터 출력되는 전기 신호를 화상 신호의 생성에 사용하지 않는 구성으로 되어, 화상 아티팩트의 발생이 억제된다. 또한, 부재(4)의 레이아웃 마진이, 더미 화소 영역(2b)의 내측의 단부 A와 판독 회로부(23)의 내측의 단부 B 사이에 존재하는 더미 화소의 크기분 확보할 수 있다. 더미 화소 영역(2b)의 내측의 단부 A와 판독 회로부(23)의 내측의 단부 B 사이에 복수의 더미 화소가 존재하면, 보다 마진을 확보할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 더미 화소 영역에는 화소 어레이(2)의 외측(도 3의 하방측)으로부터 내측으로 향해서 10화소분의 더미 화소가 배치되어 있고, 판독 회로부(23)는 화소 어레이(2)의 외측으로부터 7화소분의 영역 내에 배치되어 있다. 그로 인해, 더미 화소 영역(2b)의 내측의 단부 A와 판독 회로부(23)의 내측의 단부 B 사이에는 더미 화소가 3화소분 배치되어 있고, 부재(4)의 레이아웃 마진이 3화소분 확보될 수 있다. 본 실시 형태에서는, 부재(4)가 화소 어레이(2)의 외측으로부터 8화소분의 더미 화소 및 판독 회로부(23)를 덮도록, 화소 어레이(2)의 외측으로부터 8화소째의 더미 화소와 9화소째의 더미 화소의 사이에 부재(4)의 화소 어레이(2)에의 정사영의 내측의 단부 C가 위치한다. 또한, 상기 화소수는 일례이며, 본 발명은 그에 한정되는 것은 아니다.The end portion B of the inside of the readout circuit portion 23 is located outwardly of the inner end portion A of the dummy pixel region 2b so that the image signal is generated between the readout circuit portion 23 and the effective pixel region 2a There is always a dummy pixel for outputting an electric signal which is not used for the dummy pixel. The inner end C of the orthogonal projection to the pixel array 2 of the member 4 is positioned between the inner end A of the dummy pixel region 2b and the inner end B of the readout circuit portion 23. As a result, the pixels in which the incidence of radiation by the member 4 is likely to be reduced are used as dummy pixels and are not used for generating image signals. Thereby, the electric signal outputted from the pixel generating the electric signal which can be the artifact is not used for the generation of the image signal, and the occurrence of the image artifact is suppressed. It is also possible to secure the layout margin of the member 4 by the size of the dummy pixel existing between the inner end A of the dummy pixel region 2b and the inner end B of the readout circuit portion 23. If a plurality of dummy pixels are present between the inner end A of the dummy pixel region 2b and the inner end B of the readout circuit portion 23, more margin can be secured. In the present embodiment, dummy pixels for 10 pixels are arranged in the dummy pixel region from the outside (the lower side in Fig. 3) of the pixel array 2 toward the inside, And is arranged in an area for seven pixels from the outside. As a result, three dummy pixels are arranged between the inner end A of the dummy pixel region 2b and the inner end B of the readout circuit portion 23, and the layout margin of the member 4 is secured for three pixels . The dummy pixel of the 8th pixel from the outside of the pixel array 2 and the dummy pixel 9 of the 8th pixel from the outside of the pixel array 2 are arranged so as to cover the dummy pixel and the readout circuit portion 23 for 8 pixels from the outside of the pixel array 2 in this embodiment. The inside end C of the orthogonal projection to the pixel array 2 of the member 4 is located between the dummy pixels of the pixel. The number of pixels is an example, and the present invention is not limited thereto.

여기서, 도 3에 도시한 바와 같이, 주사 회로(22)의 단위 회로부(221)는 더미 화소 영역에서, 인접하는 2개의 화소(20)의 광전 변환 소자(201)의 사이에 배치된다. 그리고, 주사 회로(22)의 단위 회로부(221)는 인접하는 2개의 화소(20) 중 한쪽 화소(20)의 출력 회로부(202)와의 사이에서 한쪽 화소(20)의 광전 변환 소자(201)를 사이에 두도록 배치된다. 또한, 출력부를 구성하는 출력 버퍼(233S)나 출력 버퍼(233N)는, 더미 화소 영역에서, 인접하는 2개의 화소(20)의 광전 변환 소자(201)의 사이에 배치된다. 그리고, 출력 버퍼(233S)나 출력 버퍼(233N)는, 인접하는 2개의 화소(20) 중 한쪽 화소(20)의 출력 회로부(202)와의 사이에서 한쪽 화소(20)의 광전 변환 소자(201)를 사이에 두도록 배치된다. 이러한 배치에 의해, 광전 변환 소자(20)의 배열 피치를 유지하면서 더미 화소 영역 내에 판독 회로부(23)를 적절하게 배치할 수 있다. 또한, 구동 회로부(21)의 복수의 단위 회로부(211)는 유효 화소 영역(2a)과 더미 화소 영역(2b)에 걸쳐서 배열되어 있다. 또한, 단위 회로부(211)는 인접하는 2개의 화소(20)의 광전 변환 소자(201)의 사이에, 인접하는 2개의 화소(20) 중 한쪽 화소(20)의 출력 회로부(202)와의 사이에서 한쪽 화소(20)의 광전 변환 소자(201)를 사이에 두도록 배치된다.3, the unit circuit portion 221 of the scanning circuit 22 is arranged between the photoelectric conversion elements 201 of the adjacent two pixels 20 in the dummy pixel region. The unit circuit portion 221 of the scanning circuit 22 is connected to the output circuit portion 202 of the pixel 20 of one of the adjacent two pixels 20 by the photoelectric conversion element 201 of one pixel 20 Respectively. The output buffer 233S and the output buffer 233N constituting the output section are arranged between the photoelectric conversion elements 201 of two adjacent pixels 20 in the dummy pixel region. The output buffer 233S and the output buffer 233N are connected to the photoelectric conversion elements 201 of one pixel 20 with the output circuit portion 202 of one of the two adjacent pixels 20 As shown in FIG. With this arrangement, the readout circuit portion 23 can be appropriately arranged in the dummy pixel region while maintaining the arrangement pitch of the photoelectric conversion elements 20. [ The plurality of unit circuit portions 211 of the driving circuit portion 21 are arranged over the effective pixel region 2a and the dummy pixel region 2b. The unit circuit portion 211 is disposed between the photoelectric conversion elements 201 of the adjacent two pixels 20 and between the output circuit portion 202 of one of the two adjacent pixels 20 Are arranged so as to sandwich the photoelectric conversion elements (201) of one pixel (20).

또한, 본 실시 형태에서는, 플렉시블 배선 기판(3)에 전기적으로 접속된 프린트 회로 기판(8)에 설치된 신호 처리부(도시하지 않음)에 의해 화상 신호가 생성될 수 있다.In the present embodiment, an image signal can be generated by a signal processing unit (not shown) provided on the printed circuit board 8 electrically connected to the flexible wiring board 3. [

신틸레이터(5)는 방사선을 광전 변환 소자가 감지 가능한 광으로 변환하는 것이며, 신틸레이터층(5a)과 지지 부재(5b)를 포함한다. 신틸레이터층(5a)은 방사선을 광전 변환 소자가 감지 가능한 광으로 변환하는 층이며, 예를 들어 할로겐화알칼리의 신틸레이터에 의해 형성될 수 있다. 신틸레이터층(120)은 센서 패널(110)의 센서 보호층(113)에 CsI:Na 및 CsI:Tl 등의 할로겐화알칼리를 증착함으로써, 기둥형 결정의 집합체가 형성되어도 된다. 또한, 본 발명에 있어서의 방사선은, 예를 들어 X선, α선, β선 또는 γ선이며, 본 실시 형태에서는 X선이 사용되고 있다. 지지 부재(5b)는 신틸레이터층을 지지하는 부재이며, 부재(4)보다도 낮은 방사선 흡수 및 또는 차폐 특성을 갖는 재료에 의해 구성될 수 있다. 지지 부재(5b)에는, 경금속 재료의 알루미늄(Al)이나, 탄소 섬유 강화 플라스틱(CFRP) 등의 탄소 수지 기판이 적절하게 사용될 수 있다. 또한, 할로겐화알칼리의 신틸레이터층을 사용하고, 도전성의 재료를 지지 부재(5b)에 사용하는 경우에는, 신틸레이터층의 전기 화학적 부식을 억제하기 위해서, 지지 부재(5b)의 표면은 절연 가공된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 신틸레이터층(5a)의 화소(20)와 대향하는 표면의 화소 어레이(2)에의 정사영의 외측 단부 D보다도, 판독 회로부(22)의 내측의 단부 B가 외측에 위치하는 구성에 있어서는, 신틸레이터층(5a)에 의해 방사선을 충분히 흡수할 수 없다. 그로 인해, 이와 같은 구성에 있어서는 부재(4)에 의한 방사선의 입사를 억제하는 것에 의한 효과는 보다 현저해진다.The scintillator 5 converts the radiation into light detectable by the photoelectric conversion element and includes a scintillator layer 5a and a support member 5b. The scintillator layer 5a is a layer that converts radiation into light that can be detected by the photoelectric conversion element, and can be formed by, for example, a scintillator of an alkali halide. An aggregate of columnar crystals may be formed by depositing a halogenated alkali such as CsI: Na and CsI: Tl in the sensor protective layer 113 of the sensor panel 110. [ The radiation in the present invention is, for example, X-ray,? -Ray,? -Ray, or? -Ray, and X-rays are used in the present embodiment. The supporting member 5b is a member for supporting the scintillator layer and may be constituted by a material having lower radiation absorption and shielding characteristics than the member 4. [ As the support member 5b, a carbon resin substrate such as aluminum (Al) or carbon fiber reinforced plastic (CFRP) of a light metal material can be suitably used. Further, in the case where a scintillator layer of an alkali halide is used and a conductive material is used for the supporting member 5b, the surface of the supporting member 5b is insulated Is preferably used. In the configuration in which the inner end B of the readout circuit portion 22 is located outside the outer end D of the orthogonal projection to the pixel array 2 on the surface of the scintillator layer 5a facing the pixel 20, The radiation can not be sufficiently absorbed by the scintillator layer 5a. Therefore, in such a configuration, the effect of suppressing the incidence of the radiation by the member 4 becomes more remarkable.

도 4에 도시하는 본 실시 형태에 있어서, 방사선 촬상 장치(100)는 베이스(1), 복수의 반도체 기판, 및 부재(4)를 수용하는 하우징(6)을 포함한다. 본 실시 형태에서는, 하우징(6)은 상자 부재(6a)와 덮개 부재(6b)를 포함한다. 덮개 부재(6)는 부재(4)보다도 낮은 방사선 흡수 및 또는 차폐 특성을 갖는 재료에 의해 구성되고, CFRP가 적절하게 사용될 수 있다. 덮개 부재(6b)는 화소 어레이(2)에 대응하여 배치될 수 있다. 상자 부재(6a)는 덮개 부재(6b)를 기계적으로 지지한다. 하우징(6)에 의해, 하우징(6)의 외측으로부터의 외광의 화소 어레이(2)에의 침입을 억제한다. 본 실시 형태에서는, 방사선 촬상 장치(100)는 하우징(6)에 결합되어 부재(4)를 기계적으로 지지하는 지지 기구(7)를 더 포함한다. 지지 기구(7)는 나사(7b)와 너트(7c)에 의해 지지판(7a)이 하우징(6)에 결합되어 있고, 스페이서(7c)에 의해 부재(4)의 배치 위치를 규정하고 있다. 단, 본 발명의 지지 기구는 이 구성에 한정되는 것은 아니라, 하우징(6)에 결합되어서 부재(4)를 기계적으로 지지할 수 있는 기구라면 된다.In the present embodiment shown in Fig. 4, the radiation imaging device 100 includes a base 1, a plurality of semiconductor substrates, and a housing 6 for housing the members 4. In this embodiment, the housing 6 includes a box member 6a and a lid member 6b. The lid member 6 is constituted by a material having lower radiation absorption and / or shielding characteristics than the member 4, and CFRP can be suitably used. The lid member 6b may be arranged corresponding to the pixel array 2. [ The box member 6a mechanically supports the lid member 6b. The housing 6 suppresses the intrusion of external light from the outside of the housing 6 into the pixel array 2. In the present embodiment, the radiation image pickup apparatus 100 further includes a support mechanism 7 coupled to the housing 6 to mechanically support the member 4. The support mechanism 7 is coupled to the housing 6 by the screw 7b and the nut 7c and defines the position of the member 4 by the spacer 7c. However, the support mechanism of the present invention is not limited to this structure, but may be a mechanism that is coupled to the housing 6 to mechanically support the member 4. [

이어서, 도 5를 참조하면서 각 화소(20)의 구성예를 설명한다. 도 5는, 방사선 촬상 장치의 1화소의 예를 설명하는 1화소의 모식적인 등가 회로도이다. 전술한 바와 같이, 화소(20)는 광전 변환 소자(201)와, 출력 회로부(202)를 포함한다. 광전 변환 소자(202)는 전형적으로는 포토 다이오드일 수 있다. 출력 회로부(202)는 증폭 회로부(204), 클램프 회로부(206), 샘플 홀드 회로부(207), 선택 회로부(208)를 포함한다.Next, a configuration example of each pixel 20 will be described with reference to Fig. 5 is a schematic equivalent circuit diagram of one pixel for explaining an example of one pixel of the radiation image pickup device. As described above, the pixel 20 includes the photoelectric conversion element 201 and the output circuit portion 202. [ The photoelectric conversion element 202 may typically be a photodiode. The output circuit section 202 includes an amplification circuit section 204, a clamp circuit section 206, a sample hold circuit section 207 and a selection circuit section 208.

광전 변환 소자(202)는 전하 축적부를 포함하고, 그 전하 축적부는, 증폭 회로부(204)의 MOS 트랜지스터(204a)의 게이트에 접속되어 있다. MOS 트랜지스터(204a)의 소스는, MOS 트랜지스터(204b)를 통하여 전류원(204c)에 접속되어 있다. MOS 트랜지스터(204a)와 전류원(204c)에 의해 소스 폴로워 회로가 구성되어 있다. MOS 트랜지스터(20b)는 그 게이트에 공급되는 인에이블 신호 EN이 액티브 레벨로 되면 온되어 소스 폴로워 회로를 동작 상태로 하는 인에이블 스위치이다.The photoelectric conversion element 202 includes an electric charge accumulating portion and the electric charge accumulating portion is connected to the gate of the MOS transistor 204a of the amplifying circuit portion 204. [ The source of the MOS transistor 204a is connected to the current source 204c through the MOS transistor 204b. The source follower circuit is constituted by the MOS transistor 204a and the current source 204c. The MOS transistor 20b is an enable switch for turning on the source follower circuit when the enable signal EN supplied to the gate thereof becomes active level.

도 5에 도시하는 예에서는, 광전 변환 소자(201)의 전하 축적부 및 MOS 트랜지스터(204a)의 게이트가 공통의 노드를 구성하고 있고, 이 노드는, 그 전하 축적부에 축적된 전하를 전압으로 변환하는 전하 전압 변환부로서 기능한다. 즉, 전하 전압 변환부에는, 그 전하 축적부에 축적된 전하 Q와 전하 전압 변환부가 갖는 용량값 C에 의해 정해지는 전압 V(=Q/C)가 나타난다. 전하 전압 변환부는, 리셋 스위치(203)를 통하여 리셋 전위 Vres에 접속되어 있다. 리셋 신호 PRES가 액티브 레벨로 되면, 리셋 스위치(203)가 온되어, 전하 전압 변환부의 전위가 리셋 전위 Vres로 리셋된다.In the example shown in Fig. 5, the charge storage portion of the photoelectric conversion element 201 and the gate of the MOS transistor 204a constitute a common node, and the node charges the charge accumulated in the charge accumulation portion And functions as a charge-voltage converter for converting the voltage. That is, in the charge-voltage conversion unit, a voltage V (= Q / C) determined by the charge value Q accumulated in the charge storage unit and the capacitance value C of the charge-voltage conversion unit appears. The charge voltage converter is connected to the reset potential Vres via the reset switch 203. [ When the reset signal PRES becomes active level, the reset switch 203 is turned on, and the potential of the charge-voltage converter is reset to the reset potential Vres.

클램프 회로부(206)는 리셋한 전하 전압 변환부의 전위에 따라서 증폭 회로부(204)에 의해 출력되는 노이즈를 클램프 용량(206a)에 의해 클램프한다. 즉, 클램프 회로부(206)는 광전 변환 소자(201)에서 광전 변환에 의해 발생한 전하에 따라서 소스 폴로워 회로로부터 출력된 신호로부터, 이 노이즈를 캔슬하기 위한 회로이다. 이 노이즈는 리셋 시의 kTC 노이즈를 포함한다. 클램프는, 클램프 신호 PCL을 액티브 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(206b)를 온 상태로 한 후에, 클램프 신호 PCL을 비액티브 레벨로 하여 MOS 트랜지스터(206b)를 오프 상태로 함으로써 이루어진다. 클램프 용량(206a)의 출력측은, MOS 트랜지스터(206c)의 게이트에 접속되어 있다. MOS 트랜지스터(206c)의 소스는, MOS 트랜지스터(206d)를 통하여 전류원(206e)에 접속되어 있다. MOS 트랜지스터(206c)와 전류원(206e)에 의해 소스 폴로워 회로가 구성되어 있다. MOS 트랜지스터(206d)는 그 게이트에 공급되는 인에이블 신호 EN0이 액티브 레벨로 되면 온되어 소스 폴로워 회로를 동작 상태로 하는 인에이블 스위치이다.The clamp circuit unit 206 clamps the noise output by the amplification circuit unit 204 by the clamp capacitance 206a in accordance with the potential of the reset charge voltage conversion unit. That is, the clamp circuit unit 206 is a circuit for canceling the noise from the signal output from the source follower circuit in accordance with the charge generated by the photoelectric conversion in the photoelectric conversion element 201. This noise includes kTC noise at reset. The clamp is made by setting the clamp signal PCL to the active level, the MOS transistor 206b to the on state, the clamp signal PCL to the inactive level, and the MOS transistor 206b to the off state. The output side of the clamp capacitor 206a is connected to the gate of the MOS transistor 206c. The source of the MOS transistor 206c is connected to the current source 206e through the MOS transistor 206d. The source follower circuit is constituted by the MOS transistor 206c and the current source 206e. The MOS transistor 206d is an enable switch for turning on the source follower circuit when the enable signal EN0 supplied to the gate of the MOS transistor 206d becomes active level.

광전 변환 소자(201)에서 광전 변환에 의해 발생한 전하에 따라서 클램프 회로부(206)로부터 출력되는 신호는, 광신호로서, 광신호 샘플링 신호 TS가 액티브 레벨로 되는 것에 의해 스위치(207Sa)를 통하여 용량(207Sb)에 기입된다. 전하 전압 변환부의 전위를 리셋한 직후에 MOS 트랜지스터(206b)를 온 상태로 했을 때에 클램프 회로부(206)로부터 출력되는 신호는 노이즈이다. 이 노이즈는, 노이즈 샘플링 신호 TN이 액티브 레벨로 되는 것에 의해 스위치(207Na)를 통하여 용량(207Nb)에 기입된다. 이 노이즈에는, 클램프 회로부(206)의 오프셋 성분이 포함된다. 스위치(207Sa)와 용량(207Sb)에 의해 신호 샘플 홀드 회로(207S)가 구성되어, 스위치(207Na)와 용량(207Nb)에 의해 노이즈 샘플 홀드 회로(207N)가 구성된다. 샘플 홀드 회로부(207)는 신호 샘플 홀드 회로(207S)와 노이즈 샘플 홀드 회로(207N)를 포함한다.The signal output from the clamp circuit portion 206 in accordance with the charge generated by the photoelectric conversion in the photoelectric conversion element 201 is converted into the optical signal by the capacitance 207 through the switch 207Sa as the optical signal sampling signal TS becomes the active level, 207Sb. When the MOS transistor 206b is turned on immediately after the potential of the charge-voltage converter is reset, the signal output from the clamp circuit 206 is noise. This noise is written to the capacitance 207Nb via the switch 207Na when the noise sampling signal TN becomes the active level. This noise includes an offset component of the clamp circuit portion 206. [ The switch 207Sa and the capacitor 207Sb constitute a signal sample / hold circuit 207S and the switch 207Na and the capacitor 207Nb constitute a noise sample / hold circuit 207N. The sample hold circuit section 207 includes a signal sample / hold circuit 207S and a noise sample / hold circuit 207N.

구동 회로부(21)의 단위 회로부(211)가 행 선택 신호 VST를 액티브 레벨로 구동하면, 용량(207Sb)에 유지된 신호(광신호)가 MOS 트랜지스터(208Sa) 및 행 선택 스위치(208Sb)를 통하여 신호선(25S)에 출력된다. 또한, 동시에, 용량(207Nb)에 유지된 신호(노이즈)가 MOS 트랜지스터(208Na) 및 행 선택 스위치(208Nb)를 통하여 신호선(25N)에 출력된다. MOS 트랜지스터(208Sa)는, 신호선(25S)에 설치된 정전류원(235S)(도 2 기재)과 소스 폴로워 회로를 구성한다. 마찬가지로, MOS 트랜지스터(208Na)는, 신호선(25N)에 설치된 정전류원(235N)(도 2 기재)과 소스 폴로워 회로를 구성한다. MOS 트랜지스터(208Sa)와 행 선택 스위치(208Sb)에 의해 신호용 선택 회로부(208S)가 구성되고, MOS 트랜지스터(208Na)와 행 선택 스위치(208Nb)에 의해 노이즈용 선택 회로부(208N)가 구성된다. 선택 회로부(208)는 신호용 선택 회로부(208S)와 노이즈용 선택 회로부(208N)를 포함한다.When the unit circuit portion 211 of the driving circuit portion 21 drives the row selection signal VST to the active level, the signal (optical signal) held in the capacitance 207Sb is passed through the MOS transistor 208Sa and the row selection switch 208Sb And is output to the signal line 25S. At the same time, a signal (noise) held in the capacitor 207Nb is outputted to the signal line 25N through the MOS transistor 208Na and the row selection switch 208Nb. The MOS transistor 208Sa constitutes a source follower circuit and a constant current source 235S (shown in Fig. 2) provided in the signal line 25S. Likewise, the MOS transistor 208Na constitutes a source follower circuit with the constant current source 235N (shown in Fig. 2) provided in the signal line 25N. The MOS transistor 208Sa and the row selection switch 208Sb constitute a signal selection circuit section 208S and the MOS transistor 208Na and the row selection switch 208Nb constitute a noise selection circuit section 208N. The selection circuit section 208 includes a signal selection circuit section 208S and a noise selection circuit section 208N.

화소(20)는 인접하는 복수의 화소(20)의 광신호를 가산하는 가산 스위치(209S)를 가져도 된다. 가산 모드 시에는, 가산 모드 신호 ADD가 액티브 레벨로 되고, 가산 스위치(209S)가 온 상태로 된다. 이에 의해, 인접하는 화소(20)의 용량(207Sb)이 가산 스위치(209S)에 의해 서로 접속되어서, 광신호가 평균화된다. 마찬가지로, 화소(20)는 인접하는 복수의 화소(20)의 노이즈를 가산하는 가산 스위치(209N)를 가져도 된다. 가산 스위치(209N)가 온 상태로 되면, 인접하는 화소(20)의 용량(207Nb)이 가산 스위치(209N)에 의해 서로 접속되어서, 노이즈가 평균화된다. 가산부(209)는 가산 스위치(209S)와 가산 스위치(209N)를 포함한다.The pixel 20 may have an addition switch 209S for adding optical signals of a plurality of adjacent pixels 20. In the addition mode, the addition mode signal ADD is set to the active level, and the addition switch 209S is turned on. Thereby, the capacitors 207Sb of the adjacent pixels 20 are connected to each other by the addition switch 209S, and the optical signals are averaged. Similarly, the pixel 20 may have an addition switch 209N for adding noise of adjacent pixels 20. When the addition switch 209N is turned on, the capacitors 207Nb of the adjacent pixels 20 are connected to each other by the addition switch 209N, and the noise is averaged. The addition section 209 includes an addition switch 209S and an addition switch 209N.

화소(20)는 감도를 변경하기 위한 감도 변경부(205)를 가져도 된다. 화소(20)는 예를 들어, 제1 감도 변경 스위치(205a) 및 제2 감도 변경 스위치(205'a), 및 그들에 부수되는 회로 소자를 포함할 수 있다. 제1 변경 신호 WIDE가 액티브 레벨로 되면, 제1 감도 변경 스위치(205a)가 온되고, 전하 전압 변환부의 용량값에 제1 부가 용량(205b)의 용량값이 추가된다. 이에 의해 화소(20)의 감도가 저하된다. 제2 변경 신호 WIDE2가 액티브 레벨로 되면, 제2 감도 변경 스위치(205'a)가 온되고, 전하 전압 변환부의 용량값에 제2 부가 용량(205'b)의 용량값이 추가된다. 이에 의해 화소(201)의 감도가 더욱 저하한다. 이렇게 화소(20)의 감도를 저하시키는 기능을 추가함으로써, 보다 큰 광량을 수광하는 것이 가능해져서, 다이내믹 레인지를 확장할 수 있다. 제1 변경 신호 WIDE가 액티브 레벨로 되는 경우에는, 인에이블 신호 ENw를 액티브 레벨로 해서, MOS 트랜지스터(204a)에 추가로 MOS 트랜지스터(204'a)를 소스 폴로워 동작시켜도 된다.The pixel 20 may have a sensitivity changing section 205 for changing the sensitivity. The pixel 20 may include, for example, a first sensitivity change switch 205a and a second sensitivity change switch 205'a, and a circuit element attached to them. When the first change signal WIDE becomes the active level, the first sensitivity change switch 205a is turned on, and the capacitance value of the first additional capacitance 205b is added to the capacitance value of the charge voltage conversion portion. Whereby the sensitivity of the pixel 20 is lowered. When the second change signal WIDE2 becomes the active level, the second sensitivity change switch 205'a is turned on, and the capacitance value of the second additional capacitance 205'b is added to the capacitance value of the charge voltage conversion portion. As a result, the sensitivity of the pixel 201 further decreases. By adding the function of lowering the sensitivity of the pixel 20 in this way, a larger light amount can be received, and the dynamic range can be expanded. When the first change signal WIDE becomes the active level, the enable signal ENw may be set to the active level, and the MOS transistor 204'a may be further subjected to the source follower operation in addition to the MOS transistor 204a.

이어서, 도 6을 참조하면서 방사선 촬상 장치의 동작에 필요로 하는 주된 신호에 대하여 설명한다. 도 6은, 방사선 촬상 장치의 동작예를 설명하는 모식적인 타이밍 차트이다. 리셋 신호 PRES, 인에이블 신호 EN, 클램프 신호 PCL, 광신호 샘플링 신호 TS, 노이즈 샘플링 신호 TN은, 로우 액티브의 신호이다. 인에이블 신호 EN0은, 도 6에 도시되어 있지 않지만, 인에이블 신호 EN과 동일한 신호일 수 있다. 인에이블 신호 ENw는, 6에 도시되어 있지 않지만, 제1 변경 신호 WIDE가 액티브로 되는 경우에는, 인에이블 신호 EN과 마찬가지로 천이할 수 있다.Next, a main signal required for the operation of the radiation image pickup apparatus will be described with reference to Fig. 6 is a schematic timing chart for explaining an operation example of the radiation image pickup apparatus. The reset signal PRES, the enable signal EN, the clamp signal PCL, the optical signal sampling signal TS, and the noise sampling signal TN are low active signals. The enable signal EN0 is not shown in Fig. 6, but may be the same signal as the enable signal EN. Although the enable signal ENw is not shown in Fig. 6, when the first change signal WIDE becomes active, the enable signal ENw can be transited similarly to the enable signal EN.

먼저, 화소 어레이(2)의 모든 행에 대하여 인에이블 신호 EN이 액티브로 되고, 계속해서, 광신호 샘플링 신호 TS가 펄스형으로 액티브 레벨로 되어서, 광신호가 용량(207Sb)에 기입된다. 계속해서, 리셋 신호 PRES가 펄스형으로 액티브 레벨로 되어서, 전하 전압 변환부의 전위가 리셋된다. 계속해서, 클램프 신호 PCL이 펄스형으로 액티브 레벨로 된다. 클램프 신호 PCL이 액티브 레벨일 때에, 노이즈 샘플링 신호 TN이 펄스형으로 액티브 레벨로 되어서, 노이즈가 용량(207Nb)에 기입된다.First, the enable signal EN becomes active for all the rows of the pixel array 2, and subsequently, the optical signal sampling signal TS becomes pulse-like active level, and the optical signal is written into the capacitor 207Sb. Subsequently, the reset signal PRES is set to the active level in the pulse type, and the potential of the charge-voltage conversion portion is reset. Subsequently, the clamp signal PCL becomes a pulse-like active level. When the clamp signal PCL is at the active level, the noise sampling signal TN becomes pulse-like active level, and noise is written to the capacitor 207Nb.

그 후, 구동 회로부(21)의 제1행에 대응하는 단위 회로부(211)가 그 행 선택 신호 VST(VST0)를 액티브 레벨로 한다. 이것은, 구동 회로부(21)가 화소 어레이(2)의 제1행을 선택하는 것을 의미한다. 이 상태에서, 주사 회로(22)의 제1열부터 최종열에 대응하는 단위 회로부(221)가 열 선택 신호 HST(HST0 내지 HSTn)를 액티브 레벨로 한다. 이것은, 주사 회로(22)가 화소 어레이(2)의 제1열부터 최종열까지를 순서대로 선택하는 것을 의미한다. 이에 의해, 출력 버퍼(233S, 233N)로부터 화소 어레이(2)의 제1행에 있어서의 제1열부터 최종열까지의 화소의 광신호, 노이즈가 출력된다. 그 후, 구동 회로부(21)의 제2행에 대응하는 단위 회로부(211)가 그 행 선택 신호 VST(VST1)를 액티브 레벨로 한다. 이 상태에서, 주사 회로(22)의 제1열부터 최종열에 대응하는 단위 회로부(221)가 열 선택 신호 HST(HST0 내지 HSTn)를 액티브 레벨로 한다. 이러한 동작을 최하행까지 행함으로써 화소 어레이(2)로부터 병렬로 출력된 전기 신호가 직렬의 전기 신호로 변환되어서 판독 회로부(23)에 의해 판독된다.Thereafter, the unit circuit portion 211 corresponding to the first row of the driving circuit portion 21 sets the row selection signal VST (VST0) to the active level. This means that the driving circuit unit 21 selects the first row of the pixel array 2. [ In this state, the unit circuit portion 221 corresponding to the first column to the last column of the scanning circuit 22 sets the column selection signals HST (HST0 to HSTn) to the active level. This means that the scanning circuit 22 selects the first column to the last column of the pixel array 2 in order. Thereby, the optical signals and noise of the pixels from the first column to the last column in the first row of the pixel array 2 are output from the output buffers 233S and 233N. Thereafter, the unit circuit portion 211 corresponding to the second row of the driving circuit portion 21 sets the row selection signal VST (VST1) to the active level. In this state, the unit circuit portion 221 corresponding to the first column to the last column of the scanning circuit 22 sets the column selection signals HST (HST0 to HSTn) to the active level. By performing this operation to the lowest row, electric signals output in parallel from the pixel array 2 are converted into serial electric signals and read by the read circuit 23.

(제2 실시 형태)(Second Embodiment)

이어서, 도 7 및 도 8을 사용하여 제2 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 레이아웃을 설명한다. 도 7은, 제2 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 화소 어레이의 모식적인 레이아웃을 도시하는 모식도이다. 도 8은, 제2 실시 형태에 따른 방사선 촬상 장치의 모식적인 구성을 도시하는 단면 모식도이다. 또한, 도 3 및 도 4에 도시하는 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 기호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다.Next, the layout of the radiation image pickup device according to the second embodiment will be described with reference to Figs. 7 and 8. Fig. 7 is a schematic diagram showing a schematic layout of a pixel array of a radiation image pickup apparatus according to the second embodiment. 8 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a radiation image pickup apparatus according to the second embodiment. The same reference numerals are assigned to the same components as those of the first embodiment shown in Figs. 3 and 4, and a detailed description thereof will be omitted.

제2 실시 형태에 있어서의 화소 어레이(2)는 화상 신호의 보정에 사용되는 전기 신호를 출력하기 위하여 광전 변환 소자(201)가 차광된 화소(이하 차광 화소라 칭한다)가 복수 배열된 제3 영역(이하 차광 화소 영역이라 칭한다)(2c)을 더미 화소 영역(2b)에 더 포함한다. 또한, 화상 신호의 보정은, 플렉시블 배선 기판(3)에 전기적으로 접속된 프린트 회로 기판(8)에 설치된 신호 처리부(도시하지 않음)에 의해 행하여질 수 있다. 그리고, 차광 화소 영역(2c)의 내측의 단부 E는, 판독 회로부(23)의 내측의 단부 B보다도 외측에 위치하도록, 차광 화소 영역(2c)이 구비된다. 이러한 구성으로 함으로써, 차광 화소가 부재(4)에 의해 확실하게 방사선의 입사가 억제되어, 화상 신호에 대한 보정의 정밀도가 보다 향상될 수 있다.The pixel array 2 in the second embodiment includes a third region (hereinafter referred to as a second region) in which a plurality of pixels (hereinafter referred to as light shielding pixels) in which the photoelectric conversion elements 201 are shielded for outputting an electric signal used for correcting an image signal (Hereinafter referred to as a shading pixel region) 2c in the dummy pixel region 2b. The image signal can be corrected by a signal processing unit (not shown) provided on the printed circuit board 8 electrically connected to the flexible wiring board 3. [ The light shielding pixel region 2c is provided so that the inner end E of the light shielding pixel region 2c is located outside the inner end B of the inner side of the readout circuit portion 23. With such a configuration, the incidence of the radiation can be reliably suppressed by the light-shielding pixel 4 by the member 4, and the accuracy of correction for the image signal can be further improved.

또한, 제2 실시 형태에 있어서의 부재(4)는 신틸레이터층(5)을 끼워서 광전 변환 소자(201)에 대향하여 배치된 지지 부재(5b)에 고정되어 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 제1 실시 형태에 있어서의 지지 기구(7)를 생략하는 것이 가능해지고, 방사선 촬상 장치(100)의 두께를 제1 실시 형태보다도 얇게 하는 것이 가능해진다.The member 4 in the second embodiment is fixed to the support member 5b disposed opposite to the photoelectric conversion element 201 with the scintillator layer 5 sandwiched therebetween. With this configuration, it is possible to omit the support mechanism 7 in the first embodiment, and the thickness of the radiation imaging device 100 can be made thinner than in the first embodiment.

(응용예)(Application example)

이어서, 도 9를 참조하면서, 방사선 촬상 장치(100)의 방사선 촬상 시스템에의 응용예를 도시한 도면이다. X선 튜브(방사선원)(903)에서 발생한 X선(방사선)(902)은, 피험자 또는 환자(900)의 흉부(901)를 투과하여, 방사선 촬상 장치(100)에 입사된다. 이 입사된 X선에는 환자(900)의 체내부의 정보가 포함되어 있다. X선의 입사에 대응하여 신틸레이터층이 발광하고, 이것을 광전 변환하여 전기적 정보를 얻는다. 이 정보는, 디지털 신호로 변환되어, 이미지 프로세서(신호 처리 장치)(904)에 의해 화상 처리되어, 제어실의 디스플레이(표시 수단)(905)로 관찰할 수 있다. 또한, 방사선 촬상 시스템은, 방사선 촬상 장치(100)와, 방사선 촬상 장치(100)로부터의 전기 신호를 처리하는 신호 처리 장치(904)를 적어도 갖는다. 또한, 이러한 방사선 촬상 시스템에 있어서는, 도 4이나 도 8에서 사용된 프린트 회로 기판(8)의 신호 처리부(도시하지 않음) 대신에, 신호 처리 장치(904)에 있어서 화상 신호의 생성이나 화상 신호의 보정을 행해도 된다.Next, referring to Fig. 9, there is shown an application example of the radiation image pickup apparatus 100 to a radiation image pickup system. The X-ray (radiation) 902 generated in the X-ray tube (radiation source) 903 is transmitted through the chest 901 of the subject or the patient 900 and is incident on the radiation imaging apparatus 100. The incident X-ray contains information on the inside of the patient 900. The scintillator layer emits light corresponding to the incidence of X-rays, and photoelectric conversion is performed to obtain electrical information. This information is converted into a digital signal, subjected to image processing by an image processor (signal processing apparatus) 904, and can be observed with a display (display means) 905 of the control room. The radiation imaging system has at least a radiation imaging device 100 and a signal processing device 904 for processing electrical signals from the radiation imaging device 100. [ In this radiation imaging system, instead of the signal processing unit (not shown) of the printed circuit board 8 used in Figs. 4 and 8, the signal processing unit 904 may generate image signals, Correction may be performed.

또한, 이 정보는 전화 회선 등의 전송 처리 수단(906)에 의해 원격지에 전송할 수 있고, 별도의 장소의 닥터 룸 등의 디스플레이(표시 장치)(907)에 표시, 또는, 광 디스크 등의 기록 장치에 보존할 수 있어, 원격지의 의사가 진단하는 것도 가능하다. 또한 기록 장치로 되는 필름 프로세서(909)에 의해 기록 매체로 되는 필름(908)에 기록할 수도 있다.This information can be transferred to a remote site by a transfer processing means 906 such as a telephone line or displayed on a display (display device) 907 such as a doctor room or the like, And can be diagnosed by a doctor at a remote site. Or may be recorded on a film 908 as a recording medium by a film processor 909 as a recording apparatus.

본 발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 여러가지 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위를 밝히기 위하여 이하의 청구항을 첨부한다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the following claims are appended to disclose the scope of the invention.

본원은, 2013년 11월 20일 제출된 일본 특허 출원 제2013-240034를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 그 기재 내용의 전부를 여기에 원용한다.The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2013-240034 filed on November 20, 2013, the entire content of which is hereby incorporated by reference.

Claims (13)

방사선에 따른 전기 신호를 출력하는 복수의 화소가 배열된 화소 어레이와,
상기 화소 어레이로부터 출력된 전기 신호를 판독하는 판독 회로부와,
상기 판독 회로부에의 방사선의 입사를 억제하기 위한 부재
를 포함하고, 상기 판독 회로부에 의해 판독된 전기 신호에 기초하여 화상 신호가 생성되는 방사선 촬상 장치로서,
상기 화소 어레이는, 상기 복수의 화소 중 상기 화상 신호의 생성에 사용되는 일부의 화소가 복수 배열된 제1 영역과, 상기 복수의 화소 중 상기 화상 신호의 생성에 사용되지 않는 상기 일부의 화소와는 상이한 다른 화소가 상기 제1 영역의 주위 중의 적어도 일부의 영역에 복수 배열된 제2 영역을 포함하고,
상기 판독 회로부는 상기 제2 영역에 배치되어 있고,
상기 화소 어레이의 적어도 한 방향에 있어서, 상기 화소 어레이의 외측으로부터 내측으로 향하여, 상기 판독 회로부의 상기 내측의 단부와, 상기 부재의 상기 화소 어레이에의 정사영의 상기 내측의 단부와, 상기 제2 영역의 상기 내측의 단부가 이 순서로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.A pixel array in which a plurality of pixels for outputting electric signals according to radiation are arranged;
A readout circuit for reading an electric signal output from the pixel array,
A member for suppressing the incidence of the radiation to the reading circuit section
And an image signal is generated based on the electric signal read by the reading circuit unit,
Wherein the pixel array includes a first area in which a plurality of pixels used for generating the image signal among the plurality of pixels are arranged and a part of the plurality of pixels not used for generating the image signal A second region in which a plurality of different pixels are arranged in at least a part of the periphery of the first region,
The readout circuit portion is arranged in the second region,
And the second end portion of the image sensor in the pixel array and the second end portion of the image sensor in the pixel array in at least one direction of the pixel array from the outside to the inside of the pixel array, And the inner end of the radiation imaging device is arranged in this order. 제1항에 있어서, 상기 복수의 화소는 각각, 방사선을 광으로 변환하는 신틸레이터에 의해 변환된 광을 전하로 변환하는 광전 변환 소자와, 상기 전하를 증폭한 상기 전기 신호를 출력하는 출력 회로부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.The image display device according to claim 1, wherein each of the plurality of pixels includes: a photoelectric conversion element for converting light converted by the scintillator into radiation into light; and an output circuit for outputting the electric signal amplified by the charge Wherein the radiation image pickup device comprises: 제2항에 있어서, 상기 판독 회로부의 상기 내측의 단부는, 상기 신틸레이터의 상기 화소와 대향하는 표면의 상기 화소 어레이에의 정사영의 상기 외측의 단부보다도 상기 외측에 위치하는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.3. The image pickup apparatus according to claim 2, wherein the inner end of the readout circuit portion is located on the outer side of the outer end of the ortho-scan of the surface of the scintillator facing the pixel, Device. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 판독 회로부는, 상기 화소 어레이로부터 병렬로 출력된 전기 신호를 직렬의 전기 신호로 변환하기 위한 주사 회로와, 상기 직렬의 전기 신호를 출력하는 출력부를 포함하고,
상기 주사 회로는 복수의 단위 회로부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.4. The image pickup device according to claim 2 or 3, wherein the readout circuit unit includes a scanning circuit for converting an electric signal output in parallel from the pixel array into a serial electric signal, and an output unit for outputting the serial electric signal ,
Wherein the scanning circuit includes a plurality of unit circuit portions. 제4항에 있어서, 상기 복수의 단위 회로부 중 1개의 단위 회로부는, 인접하는 2개의 화소 광전 변환 소자의 사이에, 상기 인접하는 2개의 화소 중 한쪽 화소의 출력 회로부와의 사이에 상기 한쪽 화소의 광전 변환 소자를 두도록 배치되는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.5. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein one unit circuit portion of the plurality of unit circuit portions is provided between adjacent two pixel photoelectric conversion elements, between the adjacent two pixel photoelectric conversion elements with the output circuit portion of one of the two adjacent pixels, Wherein the photoelectric conversion element is arranged so as to have a photoelectric conversion element. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 출력부는, 인접하는 2개의 화소 광전 변환 소자의 사이에, 상기 인접하는 2개의 화소 중 한쪽 화소의 출력 회로부와의 사이에 상기 한쪽 화소의 광전 변환 소자를 두도록 배치되는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.6. The image display device according to claim 4 or 5, wherein the output section includes, between adjacent two pixel photoelectric conversion elements, a photoelectric conversion element of the one pixel between the adjacent two pixel photoelectric conversion elements and an output circuit part of one of the two adjacent pixels And the radiation image pickup device is disposed so as to face the radiation image pickup device. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 화소 및 상기 판독 회로부는, 베이스 상에 배치된 복수의 반도체 기판에 걸쳐 배치되어 있고,
상기 부재는, 상기 복수의 반도체 기판에 걸쳐서 배치된 상기 판독 회로부에의 방사선의 입사를 억제하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.7. The display device according to any one of claims 2 to 6, wherein the plurality of pixels and the readout circuit are arranged over a plurality of semiconductor substrates arranged on a base,
Wherein the member is arranged so as to suppress the incidence of radiation to the readout circuit portion arranged over the plurality of semiconductor substrates. 제7항에 있어서, 상기 베이스, 상기 복수의 반도체 기판, 및 상기 부재를 수용하는 하우징과,
상기 하우징에 결합되어 상기 부재를 기계적으로 지지하는 지지 기구
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.The semiconductor device according to claim 7, further comprising: a housing for housing said base, said plurality of semiconductor substrates,
A support mechanism coupled to the housing for mechanically supporting the member;
Further comprising: a light source for irradiating the radiation image. 제7항에 있어서, 상기 베이스, 상기 복수의 반도체 기판, 상기 신틸레이터, 및 상기 부재를 수용하는 하우징을 더 포함하고,
상기 부재는 상기 신틸레이터에 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.8. The semiconductor device according to claim 7, further comprising a housing for accommodating the base, the plurality of semiconductor substrates, the scintillator, and the member,
Wherein the member is fixed to the scintillator. 제9항에 있어서, 상기 신틸레이터는, 상기 방사선을 상기 광으로 변환하는 신틸레이터층과, 상기 신틸레이터층을 지지하는 지지 부재를 포함하고,
상기 지지 부재는, 상기 신틸레이터층을 사이에 두고 상기 광전 변환 소자에 대향하도록 배치되어 있고,
상기 부재는 상기 지지 부재에 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.10. The apparatus according to claim 9, wherein the scintillator comprises a scintillator layer for converting the radiation into the light, and a support member for supporting the scintillator layer,
The support member is disposed so as to face the photoelectric conversion element with the scintillator layer therebetween,
Wherein the member is fixed to the support member. 제2항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화소 어레이는, 상기 화상 신호의 보정에 사용되는 전기 신호를 출력하기 위하여 상기 광전 변환 소자가 차광된 화소가 복수 배열된 제3 영역을 상기 제2 영역에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.11. The image display device according to any one of claims 2 to 10, wherein the pixel array includes a third region in which a plurality of pixels, in which the photoelectric conversion elements are shielded, are arranged to output an electric signal used for correcting the image signal, And the second region further comprises a second region. 제11항에 있어서, 상기 제3 영역의 상기 내측의 단부는, 상기 판독 회로부의 상기 내측의 단부보다도 상기 외측에 위치하는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 장치.12. The radiation image pickup apparatus according to claim 11, wherein the inner end of the third region is located outside the inner end of the readout circuit portion. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 방사선 촬상 장치와,
상기 방사선 촬상 장치로부터의 전기 신호를 처리하는 신호 처리 장치
를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 촬상 시스템.13. A radiation image pickup apparatus, comprising: a radiation image pickup device according to any one of claims 1 to 12;
A signal processing device for processing an electric signal from the radiation image pickup device
Wherein the radiation imaging system comprises:
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