JP2010171487A - Imaging apparatus and portable radiographic image photographing apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imaging apparatus capable of achieving refresh free in writing image data in a DRAM. <P>SOLUTION: The imaging apparatus 1 includes a plurality of imaging elements 7 which are two-dimensionally arrayed; the DRAM 42 for storing image data of the imaging elements 7; and a memory controller 43 for controlling the writing/reading of image data in/from the DRAM 42. The memory controller 43 controls writing such that image data of each line Lx of scanning lines 5 are written over a plurality of rows of the DRAM 42 so that the number of data written in each row (rowz) becomes a part of a quotient obtained by equally dividing the number of columns per row and the image data of one scanning line 5 are not written in the same plurality of rows as the image data of another line Lx at least adjacent to the line Lx concerned, and controls the time interval ΔT of writing operation in respective rows (rowz) of the DRAM 42 within the data holding time of the DRAM. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、撮像装置および可搬型放射線画像撮影装置に関するものである。   The present invention relates to an imaging device and a portable radiographic imaging device.

病気診断等を目的として、X線画像に代表される放射線を用いて撮影された放射線画像が広く用いられている。こうした医療用の放射線画像は、従来からスクリーンフィルムを用いて撮影されていたが、放射線画像のデジタル化を図るため、最近では、照射された放射線を撮像素子で検出して、デジタル画像データとして取得する放射線画像撮影装置が開発されている。   For the purpose of disease diagnosis and the like, radiographic images taken using radiation typified by X-ray images are widely used. Conventionally, such medical radiographic images have been taken using a screen film, but recently, in order to digitize radiographic images, irradiated radiation is detected by an image sensor and acquired as digital image data. Radiographic imaging devices have been developed.

このようなタイプの放射線画像撮影装置は、FPD(Flat Panel Detector)として知られている。FPDでは、通常、複数の撮像素子を基板等の表面上に二次元状に配列して配置して検出部が形成されている。そして、照射された放射線を撮像素子である放射線検出素子で画像データに変換したり(いわゆる直接型)、照射された放射線を一旦シンチレータ等で可視光等の別の波長の光に変換し、変換されて照射された光を撮像素子である光電変換素子で画像データに変換する(いわゆる間接型)等して、被写体を介してFPDに照射された放射線をその線量に応じた画像データに変換して検出するようになっている(例えば特許文献1等参照)。   Such a type of radiographic imaging apparatus is known as an FPD (Flat Panel Detector). In the FPD, usually, a detection unit is formed by arranging a plurality of imaging elements in a two-dimensional array on the surface of a substrate or the like. Then, the irradiated radiation is converted into image data by a radiation detection element that is an imaging device (so-called direct type), or the irradiated radiation is once converted into light of another wavelength such as visible light by a scintillator or the like and converted The irradiated light is converted into image data by a photoelectric conversion element that is an image sensor (so-called indirect type), and the radiation irradiated to the FPD through the subject is converted into image data corresponding to the dose. (See, for example, Patent Document 1).

さらに、近年、複数の撮像素子が二次元状に配列された検出部等をハウジングに収納する等して可搬とされた可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている(例えば特許文献2等参照)。   Furthermore, in recent years, a portable radiographic imaging device that has been made portable by, for example, housing a detection unit in which a plurality of imaging elements are arranged in a two-dimensional manner in a housing has been developed and put into practical use (for example, (See Patent Document 2 etc.).

このように検出部に二次元状に配列された複数の検出素子で入射した光を画像データに変換するものとしては、FPDの他にも、デジタルカメラ等の撮像装置が知られている(例えば特許文献3参照)。例えば、デジタルカメラでは、撮像素子としてCCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の光学センサが二次元状に配列されて入射した可視光が画像データに変換される。   In addition to the FPD, an imaging device such as a digital camera is known as one that converts light incident on a plurality of detection elements arranged two-dimensionally into the detection unit into image data in this way (for example, (See Patent Document 3). For example, in a digital camera, an optical sensor such as a CCD (Charge Coupled Device) or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) is arranged in a two-dimensional manner as an image sensor, and incident visible light is converted into image data.

なお、放射線画像撮影装置やデジタルカメラ等のように、検出部に二次元状に配列された複数の撮像素子で入射した放射線や可視光をデジタルの画像データに変換して検出する装置を撮像装置という。さらに、以下、単に光という場合、可視光だけでなく放射線をも含む波長領域の光をいうものとする。   An imaging device such as a radiographic imaging device or a digital camera that converts radiation and visible light incident on a plurality of imaging elements arranged in a two-dimensional manner into a detection unit into digital image data and detects it. That's it. Further, hereinafter, the term “light” refers to light in a wavelength region including not only visible light but also radiation.

これらの撮像装置では、得られた画像データを装置内部に設けられた記憶手段に一旦保存しておき、撮影後、画像データを他の記憶媒体に記憶させたり、外部装置に取り出してそのモニタ画面上に表示したり、或いはフィルム等の画像記録媒体に記録して出力する等の処理が行われる。記憶手段としては、SRAM(Static Random Access Memory)に比べて回路構成が単純で、集積度を容易に上げることができる等の利点を有するDRAM(Dynamic Random Access Memory)が用いられることが多い。   In these imaging apparatuses, the obtained image data is temporarily stored in a storage means provided in the apparatus, and after shooting, the image data is stored in another storage medium, or taken out to an external apparatus and its monitor screen is displayed. Processing such as displaying above or recording and outputting on an image recording medium such as a film is performed. As a storage means, a DRAM (Dynamic Random Access Memory) having advantages such as a simple circuit configuration and an easy integration can be used as compared with an SRAM (Static Random Access Memory).

ここで、図12に示すように、検出部100上にx(ライン)×y(列)個の撮像素子101が二次元状に配列され、DRAMはz(ロウ(row)、行)×w(カラム(column)、列)のメモリ領域を有するものとする。   Here, as shown in FIG. 12, x (line) × y (column) imaging elements 101 are two-dimensionally arranged on the detection unit 100, and the DRAM is z (row, row) × w. It is assumed that a memory area of (column) is provided.

なお、実際の仕様では、撮像素子のライン番号、列番号やDRAMのロウアドレス、カラムアドレスは、通常、0から始まる番号で表わされるが、以下では、便宜上、ライン番号x、列番号y、ロウ番号z、カラム番号wはそれぞれ1、2、3、…のように1から始まる番号で表すものとする。また、各撮像素子を、ライン番号xと列番号yとを用いて撮像素子(x,y)と表す場合がある。   In actual specifications, the line number and column number of the image sensor, the row address and column address of the DRAM are usually represented by numbers starting from 0. However, in the following, for convenience, the line number x, the column number y, and the row address are represented. The number z and the column number w are represented by numbers starting from 1, such as 1, 2, 3,. Each image sensor may be represented as an image sensor (x, y) using a line number x and a column number y.

検出部100の撮像素子101からそれぞれ画像データを読み出す場合、通常、ライン1(すなわちx=1)の各撮像素子101の各画像データを撮像素子(1,1)から順に読み出し、ライン1の撮像素子(1,y)の全読み出しが終了すると、続いてライン2の撮像素子(2,1)から順に画像データの読み出しを行うようにして、ライン番号xを順次インクリメントしながら各撮像素子101から画像データを読み出す。また、逆に、最終ラインの各撮像素子101からの画像データの読み出しを開始し、順次ライン番号をデクリメントしながら画像データを読み出す場合もある。   When image data is read from the image sensor 101 of the detection unit 100, each image data of each image sensor 101 of the line 1 (that is, x = 1) is normally read sequentially from the image sensor (1, 1), and the image of the line 1 is imaged. When all the reading of the element (1, y) is completed, the image data is read sequentially from the imaging element (2, 1) of the line 2, and the line number x is sequentially incremented from each imaging element 101. Read image data. Conversely, image data may be read while sequentially starting to read out image data from each image sensor 101 of the last line and sequentially decrementing the line number.

そして、図12に示すように、例えば1024(ライン)×1024(列)の各撮像素子101から各画像データを読み出して、例えば2048(ロウ)×512(カラム)のDRAM102に保存する場合、通常、1ライン分の1024個の撮像素子101の画像データをDRAM102の2行(ロウ)分のメモリ領域(すなわち512×2)に書き込むようにして各画像データを書き込んでいく。   Then, as shown in FIG. 12, for example, when each image data is read out from each image sensor 101 of 1024 (line) × 1024 (column) and stored in the DRAM 102 of 2048 (row) × 512 (column), for example, Each image data is written in such a manner that the image data of 1024 image sensors 101 for one line is written in a memory area (that is, 512 × 2) for two rows (rows) of the DRAM 102.

特開平9−73144号公報JP-A-9-73144 特開平6−342099号公報JP-A-6-342099 特開2002−281430号公報JP 2002-281430 A

ところで、記憶手段としてDRAMを用いる場合、よく知られているように、データを保持するためのリフレッシュ動作が必要となる。また、DRAMに対して書き込み(write)や読み出し(read)を行う場合には、書き込み動作や読み出し動作により、対象となっているロウごとにデータが保持される。そのため、少なくともそのロウについては、リフレッシュ動作等が行われた後、データ保持時間内に書き込み動作や読み出し動作が行われれば、データ保持のために改めてリフレッシュ動作を行う必要はない。   By the way, when a DRAM is used as the storage means, as is well known, a refresh operation for holding data is required. When writing to or reading from the DRAM, data is held for each target row by a write operation or a read operation. Therefore, at least for the row, if a write operation or a read operation is performed within the data retention time after a refresh operation or the like is performed, it is not necessary to perform a refresh operation again for data retention.

すなわち、上記の図12の例ではDRAM102への各画像データの書き込みが行われる場合、検出部100の1ライン分の各撮像素子101の画像データが読み出されてDRAM102の2ロウ分に書き込まれるため、その2ロウ分についてはリフレッシュ動作を行わなくてもよい。なお、当該2ロウ分については、その後、少なくとも今回の検出部100の各撮像素子101からの画像データの読み出し期間中は書き込み動作が行われないため、データ保持時間以内に定期的なリフレッシュ動作を再開することが必要になる。   That is, in the example of FIG. 12 described above, when each image data is written to the DRAM 102, the image data of each image sensor 101 for one line of the detection unit 100 is read and written to two rows of the DRAM 102. Therefore, the refresh operation need not be performed for the two rows. For the two rows, since the writing operation is not performed at least during the reading period of the image data from each image sensor 101 of the detection unit 100 at this time, a periodic refresh operation is performed within the data holding time. It will be necessary to resume.

このように、記憶手段としてDRAMを用いた場合、上記のようなDRAMの特性により、撮像装置の検出部の各撮像素子からDRAMに画像データを書き込む際、或いはDRAMから画像データを読み出す際には、リフレッシュ動作が必要なくなるため、その分だけ消費される電力が低減される。   As described above, when a DRAM is used as the storage unit, due to the above-described characteristics of the DRAM, when image data is written to the DRAM from each imaging element of the detection unit of the imaging device, or when image data is read from the DRAM. Since the refresh operation is not necessary, the power consumed correspondingly is reduced.

撮像装置では、デジタルカメラの場合はもちろん、放射線画像撮影装置においては特に可搬型の放射線画像撮影装置においては、通常、バッテリが内蔵されており、バッテリの消耗を防止するために、できるだけ無駄な電力消費を避けるように構成されることが要請される。   In the imaging device, not only in the case of a digital camera but also in the radiographic imaging device, especially in the portable radiographic imaging device, a battery is usually built in, and as much power as possible is used to prevent the battery from being consumed. It is required to be configured to avoid consumption.

そのため、このような撮像装置においては、上記のDRAMの特性を利用して、少なくとも検出部からDRAMへの画像データの書き込みやDRAMから画像データの読み出しの際にはリフレッシュ動作を行わないこと(すなわち、いわゆるリフレッシュフリー)を実現できるように撮像装置を構成することが望まれる。   For this reason, in such an imaging apparatus, the refresh operation is not performed at least when writing image data from the detection unit to the DRAM or reading image data from the DRAM by utilizing the characteristics of the DRAM (that is, It is desirable to configure the imaging device so as to realize so-called refresh-free.

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、画像データのDRAMに対する書き込みや読み出しの際にリフレッシュフリーを実現可能な撮像装置および可搬型放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an imaging apparatus and a portable radiographic imaging apparatus capable of realizing refresh-free when image data is written to or read from a DRAM. To do.

前記の問題を解決するために、本発明の撮像装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域にそれぞれ設けられ、照射された光の光量に応じて電荷を発生させる複数の撮像素子が、二次元状に配列された検出部と、
信号読み出し用の電圧を印加する前記各走査線のラインを順次切り替える走査駆動回路と、
前記各走査線に接続され、前記信号読み出し用の電圧が印加されると前記撮像素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ素子と、
前記信号線を介して前記撮像素子から前記電荷を読み出して前記撮像素子ごとに画像データを順次出力する読み出し回路と、
前記撮像素子ごとの画像データが所定のメモリ領域に記憶されるDRAMと、
前記DRAMへの前記画像データの書き込みおよび前記DRAMからの前記画像データの読み出しを制御するメモリコントローラと、
を備え、
前記メモリコントローラは、前記走査線のラインごとの前記画像データを、前記DRAMの前記所定のメモリ領域の複数のロウに跨り、かつ、前記各ロウごとに書き込まれるデータ数が1ロウあたりのカラム数を等分したうちの一部分になるように書き込むとともに、前記走査線の1ライン分の前記画像データが、少なくとも前記検出部において当該ラインに隣接する他のラインの前記画像データと同じ前記複数のロウに書き込まないように制御し、前記DRAMの前記所定のメモリ領域の各ロウへの書き込み動作の時間間隔が、前記DRAMのデータ保持時間以内になるように制御することを特徴とする。
In order to solve the above-described problem, the imaging apparatus of the present invention
A plurality of image sensors that are provided in each region partitioned by a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to cross each other and generate electric charges according to the amount of irradiated light are two-dimensional Detectors arranged in a shape,
A scanning drive circuit for sequentially switching the lines of the scanning lines to which a signal readout voltage is applied;
A switching element connected to each of the scanning lines and for discharging the charge accumulated in the imaging element to the signal line when the voltage for signal readout is applied;
A readout circuit that reads out the electric charge from the imaging device via the signal line and sequentially outputs image data for each imaging device;
DRAM in which image data for each image sensor is stored in a predetermined memory area;
A memory controller for controlling writing of the image data to the DRAM and reading of the image data from the DRAM;
With
The memory controller spans the image data for each line of the scanning line across a plurality of rows in the predetermined memory area of the DRAM, and the number of data written for each row is the number of columns per row. The image data for one line of the scanning line is at least the same as the image data of the other lines adjacent to the line in the detection unit. And the time interval of the write operation to each row in the predetermined memory area of the DRAM is controlled to be within the data holding time of the DRAM.

また、本発明の可搬型放射線画像撮影装置は、上記の本発明の撮像装置の構成を有し、前記検出部の前記撮像素子は、照射された放射線を検出する放射線検出素子、または照射された放射線が他の波長に変換された光を検出する光電変換素子であることを特徴とする。   Moreover, the portable radiographic imaging device of this invention has the structure of the said imaging device of this invention, The said imaging device of the said detection part was the radiation detection element which detects the irradiated radiation, or irradiated It is a photoelectric conversion element that detects light in which radiation is converted to another wavelength.

本発明のような方式の撮像装置および可搬型放射線画像撮影装置によれば、DRAMの各ロウへの書き込み動作の時間間隔がDRAMのデータ保持時間以内になるように制御するため、検出部の各撮像素子からの画像データのDRAMへの書き込み期間中は、リフレッシュ動作を行う必要がなくなる。そのため、その分だけ消費される電力を低減することが可能となる。   According to the imaging apparatus and the portable radiographic imaging apparatus of the present invention, the control is performed so that the time interval of the write operation to each row of the DRAM is within the data holding time of the DRAM. During the period of writing image data from the image sensor to the DRAM, it is not necessary to perform a refresh operation. Therefore, it is possible to reduce the power consumed by that amount.

前述したように、撮像装置がデジタルカメラである場合はもちろん、特に可搬型の放射線画像撮影装置では、内蔵バッテリの消耗を防止するために、できるだけ無駄な電力消費を避けるように構成されることが要請されるが、本発明のような方式の可搬型放射線画像撮影装置によれば、上記のように少なくともDRAMへの画像データの書き込み動作においてリフレッシュフリーを実現することが可能となるため、その分だけ消費される電力を低減することが可能となり、内蔵バッテリの消耗を有効に防止することが可能となる。   As described above, in addition to the case where the imaging device is a digital camera, in particular, the portable radiographic imaging device may be configured to avoid as much useless power consumption as possible in order to prevent the built-in battery from being consumed. Although requested, according to the portable radiographic imaging apparatus of the system of the present invention, it is possible to realize refresh-free at least in the operation of writing image data to the DRAM as described above. As a result, it is possible to reduce the amount of power consumed, and to effectively prevent the internal battery from being consumed.

本実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the radiographic imaging apparatus which concerns on this embodiment. 図1におけるA−A線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 本実施形態に係る基板の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the board | substrate which concerns on this embodiment. 図3の基板上の小領域に形成された撮像素子と薄膜トランジスタ等の構成を示す拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view showing a configuration of an imaging element, a thin film transistor, and the like formed in a small region on the substrate of FIG. 3. 図4におけるX−X線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XX line in FIG. COFやPCB基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。It is a side view explaining the board | substrate with which COF, a PCB board | substrate, etc. were attached. 本実施形態に係る放射線画像撮影装置の等価回路図を表す図である。It is a figure showing the equivalent circuit schematic of the radiographic imaging apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態における走査線のラインL1の画像データのDRAMへの書き込みを説明する図である。It is a figure explaining writing to DRAM of image data of line L1 of a scanning line in this embodiment. 本実施形態における走査線のラインL2の画像データのDRAMへの書き込みを説明する図である。It is a figure explaining writing to DRAM of image data of line L2 of a scanning line in this embodiment. 本実施形態における走査線のラインL8の画像データのDRAMへの書き込みを説明する図である。It is a figure explaining writing to DRAM of image data of line L8 of a scanning line in this embodiment. 本実施形態における走査線のラインL9の画像データのDRAMへの書き込みを説明する図である。It is a figure explaining writing to DRAM of image data of line L9 of a scanning line in this embodiment. DRAMの構成および従来の走査線の各ラインの画像データのDRAMへの書き込みを説明する図である。It is a figure explaining the structure of DRAM and the writing of the image data of each line of the conventional scanning line to DRAM.

以下、本発明に係る撮像装置および可搬型放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の図示例のものに限定されるものではない。   Embodiments of an imaging apparatus and a portable radiographic imaging apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following illustrated examples.

なお、以下では、撮像装置が可搬型放射線画像撮影装置である場合について説明する。また、可搬型放射線画像撮影装置として、シンチレータ等を備え、放射された放射線をシンチレータで可視光等の他の波長の光に変換し、撮像素子であるフォトダイオード等の光電変換素子で電気信号を得るいわゆる間接型の可搬型放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレータ等を介さずに放射線を撮像素子である放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の可搬型放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。   Hereinafter, a case where the imaging device is a portable radiographic imaging device will be described. Also, as a portable radiographic image capturing device, a scintillator or the like is provided, and the emitted radiation is converted into light of other wavelengths such as visible light by the scintillator, and an electric signal is output by a photoelectric conversion element such as a photodiode as an imaging element. A so-called indirect portable radiographic image capturing apparatus will be described. The present invention relates to a so-called direct portable radiographic image capturing apparatus in which radiation is directly detected by a radiation detecting element that is an imaging element without using a scintillator or the like. It can also be applied to.

また、本発明は、撮像装置が可搬型放射線画像撮影装置である場合には限定されず、前述したように、撮像素子としてCCDやCMOS等の光学センサを備えるデジタルカメラ等の撮像装置である場合にも適用される。なお、以下、便宜上、可搬型放射線画像撮影装置を単に放射線画像撮影装置と表す。   The present invention is not limited to the case where the imaging device is a portable radiographic imaging device, and as described above, the imaging device such as a digital camera provided with an optical sensor such as a CCD or CMOS as an imaging device. Also applies. Hereinafter, for convenience, the portable radiographic imaging device is simply referred to as a radiographic imaging device.

図1は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図2は、図1のA−A線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置1は、図1や図2に示すように、筐体状のハウジング2内にシンチレータ3や基板4等が収納されたカセッテ型の可搬型放射線画像撮影装置として構成されている。   FIG. 1 is an external perspective view of the radiographic image capturing apparatus according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. The radiographic imaging apparatus 1 according to the present embodiment is a cassette-type portable radiographic imaging apparatus in which a scintillator 3, a substrate 4, and the like are housed in a housing 2 as shown in FIGS. 1 and 2. It is configured.

ハウジング2は、少なくとも放射線の照射を受ける側の面R(以下、放射線入射面Rという。)が放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図1や図2では、ハウジング2がフレーム板2Aとバック板2Bとで形成された、いわば弁当箱型である場合が示されているが、ハウジング2を一体的に形成する、いわばモノコック型とすることも可能である。   The housing 2 is formed of a material such as a carbon plate or plastic that transmits radiation at least on a surface R (hereinafter referred to as a radiation incident surface R) that receives radiation. 1 and 2 show a case where the housing 2 is a so-called lunch box type formed by the frame plate 2A and the back plate 2B. However, the housing 2 is integrally formed, so-called monocoque. It can also be a type.

ハウジング2の内部の基板4の下方側には、図2に示すように、基台31が配置されており、基台31には、電子部品32等が配設されたPCB基板33や緩衝部材34等が取り付けられている。また、本実施形態では、基板4やシンチレータ3の放射線入射面R側には、それらを保護するためのガラス基板35が配設されている。   As shown in FIG. 2, a base 31 is disposed on the lower side of the substrate 4 inside the housing 2, and the base 31 includes a PCB substrate 33 on which electronic components 32 and the like are disposed, and a buffer member. 34 etc. are attached. In the present embodiment, a glass substrate 35 for protecting the substrate 4 and the scintillator 3 on the radiation incident surface R side is disposed.

シンチレータ3は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると300〜800nmの波長の光、すなわち可視光線を中心とした光に変換して出力するものが用いられる。シンチレータ3は、基板4の後述する検出部Pに貼り合わされるようになっている。   The scintillator 3 is, for example, one that has a phosphor as a main component and converts the light into a light having a wavelength of 300 to 800 nm when receiving radiation, that is, a light centered on visible light and outputs the light. The scintillator 3 is attached to a detection unit P, which will be described later, of the substrate 4.

基板4は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図3に示すように、基板4のシンチレータ3に対向する側の面4a上には、複数の走査線5と複数の信号線6とが互いに交差するように配設されている。基板4の面4a上の複数の走査線5と複数の信号線6により区画された各小領域rには、それぞれフォトダイオード等からなる撮像素子7がそれぞれ設けられている。このように、撮像素子7は、基板4上に二次元状に配列されており、複数の撮像素子7が設けられた領域r全体、すなわち図3に一点鎖線で示される領域が検出部Pとされている。   In the present embodiment, the substrate 4 is formed of a glass substrate. As shown in FIG. 3, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of signal lines are provided on a surface 4 a of the substrate 4 facing the scintillator 3. 6 are arranged so as to cross each other. In each small region r defined by the plurality of scanning lines 5 and the plurality of signal lines 6 on the surface 4 a of the substrate 4, an image sensor 7 made of a photodiode or the like is provided. As described above, the image pickup devices 7 are two-dimensionally arranged on the substrate 4, and the entire region r in which the plurality of image pickup devices 7 are provided, that is, the region indicated by the alternate long and short dash line in FIG. Has been.

本実施形態では、撮像素子7として、放射線入射面Rから入射した放射線がシンチレータ3で変換されて出力される光の光量(シンチレータ3に入射した放射線の線量に応じて変動する。)に応じて電荷を発生させるフォトダイオードが用いられているが、この他にも、例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。また、各撮像素子7は、図3や図4の拡大図に示すように、スイッチ素子であるTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)8のソース電極8sに接続されている。また、TFT8のドレイン電極8dは信号線6に接続されている。   In the present embodiment, as the imaging device 7, the radiation incident from the radiation incident surface R is converted by the scintillator 3 and output according to the amount of light output (varies according to the radiation dose incident on the scintillator 3). Although a photodiode for generating electric charge is used, for example, a phototransistor or the like can also be used. Each imaging element 7 is connected to a source electrode 8s of a TFT (Thin Film Transistor) 8 as a switching element, as shown in the enlarged views of FIGS. The drain electrode 8 d of the TFT 8 is connected to the signal line 6.

そして、TFT8は、ゲート電極8gに信号読み出し用の電圧が印加されてオン状態とされることにより、撮像素子7内に蓄積された電荷を信号線6に放出させるようになっている。ここで、本実施形態における撮像素子7やTFT8の構造について、図5に示す断面図を用いて簡単に説明する。図5は、図4におけるX−X線に沿う断面図である。   The TFT 8 is configured to discharge the electric charge accumulated in the image pickup device 7 to the signal line 6 by applying a signal readout voltage to the gate electrode 8g and being turned on. Here, the structure of the image sensor 7 and the TFT 8 in this embodiment will be briefly described with reference to a cross-sectional view shown in FIG. FIG. 5 is a sectional view taken along line XX in FIG.

基板4の面4a上に、AlやCr等からなるTFT8のゲート電極8gが走査線5と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極8g上および面4a上に積層された窒化シリコン(SiN)等からなるゲート絶縁層81上のゲート電極8gの上方部分に、水素化アモルファスシリコン(a−Si)等からなる半導体層82を介して、撮像素子7の第1電極74と接続されたソース電極8sと、信号線6と一体的に形成されるドレイン電極8dとが積層されて形成されている。 A gate electrode 8g of a TFT 8 made of Al, Cr or the like is formed on the surface 4a of the substrate 4 so as to be integrally laminated with the scanning line 5, and silicon nitride (laminated on the gate electrode 8g and the surface 4a). An upper portion of the gate electrode 8g on the gate insulating layer 81 made of SiN x ) or the like is connected to the first electrode 74 of the image sensor 7 via a semiconductor layer 82 made of hydrogenated amorphous silicon (a-Si) or the like. The source electrode 8s and the drain electrode 8d formed integrally with the signal line 6 are laminated.

ソース電極8sとドレイン電極8dとは、窒化シリコン(SiN)等からなる第1パッシベーション層83によって分割されており、さらに第1パッシベーション層83は両電極8s、8dを上側から被覆している。また、半導体層82とソース電極8sやドレイン電極8dとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたオーミックコンタクト層84a、84bがそれぞれ積層されている。以上のようにしてTFT8が形成されている。 The source electrode 8s and the drain electrode 8d are divided by a first passivation layer 83 made of silicon nitride (SiN x ) or the like, and the first passivation layer 83 covers both the electrodes 8s and 8d from above. In addition, ohmic contact layers 84a and 84b formed in an n-type by doping hydrogenated amorphous silicon with a group VI element are stacked between the semiconductor layer 82 and the source electrode 8s and the drain electrode 8d, respectively. The TFT 8 is formed as described above.

また、撮像素子7の部分では、基板4の面4a上に前記ゲート絶縁層81と一体的に形成される絶縁層71の上にAlやCr等が積層されて補助電極72が形成されており、補助電極72上に前記第1パッシベーション層83と一体的に形成される絶縁層73を挟んでAlやCr、Mo等からなる第1電極74が積層されている。第1電極74は、第1パッシベーション層83に形成されたホールHを介してTFT8のソース電極8sに接続されている。   In the image pickup device 7, an auxiliary electrode 72 is formed by laminating Al, Cr, or the like on the insulating layer 71 formed integrally with the gate insulating layer 81 on the surface 4 a of the substrate 4. A first electrode 74 made of Al, Cr, Mo or the like is laminated on the auxiliary electrode 72 with an insulating layer 73 formed integrally with the first passivation layer 83 interposed therebetween. The first electrode 74 is connected to the source electrode 8 s of the TFT 8 through the hole H formed in the first passivation layer 83.

第1電極74の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたn層75、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるi層76、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてp型に形成されたp層77が下方から順に積層されて形成されている。なお、p層77、i層76、n層75の積層の順番は上下逆であってもよい。   On the first electrode 74, an n layer 75 formed in an n-type by doping a hydrogenated amorphous silicon with a group VI element, an i layer 76 which is a conversion layer formed of hydrogenated amorphous silicon, and a hydrogenated amorphous A p layer 77 formed by doping a group III element into silicon and forming a p-type layer is formed by laminating sequentially from below. The order of stacking the p layer 77, the i layer 76, and the n layer 75 may be reversed.

p層77の上には、ITO等の透明電極とされた第2電極78が積層されて形成されており、照射された光がi層76等に到達するように構成されている。以上のようにして撮像素子7が形成されている。なお、本実施形態では、上記のように、撮像素子7としてp層77、i層76、n層75が積層されて形成されたいわゆるpin型の撮像素子を用いる場合を説明したが、撮像素子7は、このようなpin型の撮像素子に限定されない。   On the p layer 77, a second electrode 78 made of a transparent electrode such as ITO is laminated and formed so that irradiated light reaches the i layer 76 and the like. The image sensor 7 is formed as described above. In the present embodiment, as described above, the case where a so-called pin-type image sensor formed by stacking the p layer 77, the i layer 76, and the n layer 75 is used as the image sensor 7 has been described. 7 is not limited to such a pin-type imaging device.

また、撮像素子7の第2電極78の上面には、第2電極78を介して撮像素子7に逆バイアス電圧を印加するバイアス線9が接続されている。なお、撮像素子7の第2電極78やバイアス線9、TFT8側に延出された第1電極74、TFT8の第1パッシベーション層83等、すなわち撮像素子7とTFT8の上面部分は、その上方側から窒化シリコン(SiN)等からなる第2パッシベーション層79で被覆されている。 A bias line 9 that applies a reverse bias voltage to the image sensor 7 is connected to the upper surface of the second electrode 78 of the image sensor 7 via the second electrode 78. Note that the second electrode 78 and the bias line 9 of the image sensor 7, the first electrode 74 extended to the TFT 8 side, the first passivation layer 83 of the TFT 8, that is, the upper surfaces of the image sensor 7 and the TFT 8 are on the upper side. Is covered with a second passivation layer 79 made of silicon nitride (SiN x ) or the like.

図3や図4に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の撮像素子7に1本のバイアス線9が接続されており、各バイアス線9はそれぞれ信号線6に平行に配設されている。また、各バイアス線9は、基板4の検出部Pの外側の位置で1本の結線10に結束されている。   As shown in FIG. 3 and FIG. 4, in this embodiment, one bias line 9 is connected to a plurality of imaging elements 7 arranged in a row, and each bias line 9 is connected to a signal line 6. They are arranged in parallel. In addition, each bias line 9 is bound to one connection 10 at a position outside the detection portion P of the substrate 4.

本実施形態では、各走査線5や各信号線6、バイアス線9の結線10は、それぞれ基板4の端縁部付近に設けられた入出力端子(パッドともいう)11に接続されている。各入出力端子11には、図6に示すように、IC12a等のチップが組み込まれたCOF(Chip On Film)12が異方性導電接着フィルム(Anisotropic Conductive Film)や異方性導電ペースト(Anisotropic Conductive Paste)等の異方性導電性接着材料13を介して接続されている。   In the present embodiment, the connection lines 10 of the scanning lines 5, the signal lines 6, and the bias lines 9 are respectively connected to input / output terminals (also referred to as pads) 11 provided near the edge of the substrate 4. As shown in FIG. 6, a COF (Chip On Film) 12 in which a chip such as an IC 12a is incorporated in each input / output terminal 11 is an anisotropic conductive adhesive film (Anisotropic Conductive Film) or anisotropic conductive paste (Anisotropic paste). It is connected via an anisotropic conductive adhesive material 13 such as Conductive Paste).

また、COF12は、基板4の裏面4b側に引き回され、裏面4b側で前述したPCB基板33に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置1の基板4部分が形成されている。   The COF 12 is routed to the back surface 4b side of the substrate 4 and connected to the PCB substrate 33 described above on the back surface 4b side. Thus, the board | substrate 4 part of the radiographic imaging apparatus 1 is formed.

一方、図1に示すように、ハウジング2の一方側の短辺側側面部には、放射線画像撮影装置1の電源スイッチ36や各種の操作状況等を表示するインジケータ37等が設けられている。また、この側面部には、図示しない内蔵バッテリの交換用の蓋部材38が設けられており、蓋部材38には、放射線画像撮影装置1が外部装置とデータや信号等の送受信を無線方式で行うためのアンテナ装置39が埋め込まれて設けられている。   On the other hand, as shown in FIG. 1, a power switch 36 of the radiographic image capturing apparatus 1, indicators 37 for displaying various operation statuses, and the like are provided on the side surface of the short side on one side of the housing 2. In addition, a cover member 38 for replacing an internal battery (not shown) is provided on the side surface portion, and the radiographic image capturing apparatus 1 transmits and receives data, signals, and the like with an external device in a wireless manner on the cover member 38. An antenna device 39 for performing is embedded and provided.

ここで、放射線画像撮影装置1の回路構成について説明する。図7は本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の等価回路図である。   Here, the circuit configuration of the radiation image capturing apparatus 1 will be described. FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the radiation image capturing apparatus 1 according to the present embodiment.

前述したように、基板4の検出部Pの各撮像素子7は、その第2電極78がそれぞれバイアス線9および結線10に接続されており、結線10は逆バイアス電源14に接続されている。逆バイアス電源14は、結線10および各バイアス線9を介して各撮像素子7に印加する逆バイアス電圧を供給するようになっている。また、逆バイアス電源14は制御手段22に接続されており、制御手段22は、逆バイアス電源14から各撮像素子7に印加する逆バイアス電圧を制御するようになっている。   As described above, each imaging element 7 of the detection unit P of the substrate 4 has the second electrode 78 connected to the bias line 9 and the connection 10, respectively, and the connection 10 is connected to the reverse bias power supply 14. The reverse bias power supply 14 supplies a reverse bias voltage to be applied to each image sensor 7 via the connection 10 and each bias line 9. The reverse bias power supply 14 is connected to the control means 22, and the control means 22 controls the reverse bias voltage applied to each image sensor 7 from the reverse bias power supply 14.

各撮像素子7の第1電極74は、TFT8のソース電極8s(図7中ではSと表記されている。)に接続されており、各TFT8のゲート電極8g(図7中ではGと表記されている。)は、走査駆動回路15から延びる走査線5の各ラインL1〜Lxにそれぞれ接続されている。また、各TFT8のドレイン電極8d(図7中ではDと表記されている。)は、各信号線6にそれぞれ接続されている。   The first electrode 74 of each imaging element 7 is connected to the source electrode 8s (denoted as S in FIG. 7) of the TFT 8, and the gate electrode 8g (denoted as G in FIG. 7) of each TFT 8. Are connected to the lines L1 to Lx of the scanning line 5 extending from the scanning drive circuit 15, respectively. Further, the drain electrode 8 d (denoted as D in FIG. 7) of each TFT 8 is connected to each signal line 6.

走査線5の各ラインL1〜Lxを介して走査駆動回路15からTFT8のゲート電極8gに信号読み出し用の電圧が印加されると、スイッチ素子であるTFT8がオン状態とされて、撮像素子7に蓄積された電荷がTFT8のソース電極8sを介してドレイン電極8dから信号線6に読み出されるようになっている。   When a signal reading voltage is applied from the scanning drive circuit 15 to the gate electrode 8g of the TFT 8 via the lines L1 to Lx of the scanning line 5, the TFT 8 serving as a switch element is turned on, and the imaging element 7 is turned on. The accumulated charges are read from the drain electrode 8d to the signal line 6 through the source electrode 8s of the TFT 8.

各信号線6は、読み出しIC16内に形成された各読み出し回路17にそれぞれ接続されている。なお、読み出しIC16には所定個数の読み出し回路17が設けられており、読み出しIC16が複数設けられることにより、信号線6の本数分の読み出し回路17が設けられるようになっている。   Each signal line 6 is connected to each readout circuit 17 formed in the readout IC 16. Note that a predetermined number of readout circuits 17 are provided in the readout IC 16, and by providing a plurality of readout ICs 16, readout circuits 17 corresponding to the number of signal lines 6 are provided.

なお、走査線5のラインLxを表す添字xは、図12で示した各撮像素子101のライン番号xに対応している。また、図7において各信号線6にTFT8を介して接続されている各撮像素子7が、図12における同じ列番号yの撮像素子7に対応している。   Note that the subscript x representing the line Lx of the scanning line 5 corresponds to the line number x of each image sensor 101 shown in FIG. Further, in FIG. 7, each image sensor 7 connected to each signal line 6 via the TFT 8 corresponds to the image sensor 7 of the same column number y in FIG.

読み出し回路17は、増幅回路18と、相関二重サンプリング(Correlated Double Sampling)回路19と、アナログマルチプレクサ21と、A/D変換器20とで構成されている。読み出し回路17では、撮像素子7から信号線6を通じて電荷が読み出され、撮像素子7ごとに電荷が電荷電圧変換されて増幅される等して電気信号に変換されるようになっている。   The readout circuit 17 includes an amplifier circuit 18, a correlated double sampling circuit 19, an analog multiplexer 21, and an A / D converter 20. In the readout circuit 17, charges are read from the image sensor 7 through the signal line 6, and the charges are converted into electric signals by charge-voltage conversion and amplification for each image sensor 7.

そして、電荷電圧変換されて出力された電気信号がアナログマルチプレクサ21に送信され、アナログマルチプレクサ21から順次A/D変換器20に送信され、A/D変換器20で順次デジタル値の画像データに変換されて後述するDRAM42に出力されるようになっている。なお、図7中では、相関二重サンプリング回路19はCDSと表記されている。   Then, the electrical signal that has been subjected to charge-voltage conversion and output is transmitted to the analog multiplexer 21, sequentially transmitted from the analog multiplexer 21 to the A / D converter 20, and sequentially converted into digital image data by the A / D converter 20. Then, it is output to the DRAM 42 described later. In FIG. 7, the correlated double sampling circuit 19 is denoted as CDS.

制御手段22は、CPU(Central Processing Unit)等を備えたマイクロコンピュータや専用の制御回路で構成されており、放射線画像撮影装置1の各部材の動作等を制御するようになっている。   The control means 22 is composed of a microcomputer equipped with a CPU (Central Processing Unit) or the like or a dedicated control circuit, and controls the operation of each member of the radiographic image capturing apparatus 1.

前述したように、制御手段22は、逆バイアス電源14を制御して各撮像素子7に印加する逆バイアス電圧を制御したり、信号読み出し用の電圧を印加する走査線5のラインLxを切り替える走査の開始を指示する信号を走査駆動回路15に送信したり、或いは、各読み出し回路17内の増幅回路18や相関二重サンプリング回路19等を制御して、各撮像素子7からの電気信号の読み出しを行うようになっている。   As described above, the control means 22 controls the reverse bias power supply 14 to control the reverse bias voltage applied to each image sensor 7 or scan the line Lx of the scanning line 5 to which the signal reading voltage is applied. A signal for instructing the start of the signal is transmitted to the scanning drive circuit 15 or the amplification circuit 18 and the correlated double sampling circuit 19 in each readout circuit 17 are controlled to read out the electrical signal from each image sensor 7. Is supposed to do.

また、制御手段22には、前述したアンテナ装置39が接続されており、さらに、検出部Pや走査駆動回路15、読み出し回路17、或いは後述するDRAM42やメモリコントローラ43等の各部材に電力を供給するためのバッテリ40が接続されている。このように、バッテリ40は、放射線画像撮影装置1のハウジング2内に内蔵されており、バッテリ40には、外部装置からバッテリ40に電力を供給してバッテリ40を充電する際の接続端子41が取り付けられている。   The control unit 22 is connected to the antenna device 39 described above, and further supplies power to each member such as the detection unit P, the scanning drive circuit 15, the readout circuit 17, or the DRAM 42 and the memory controller 43 described later. A battery 40 is connected. As described above, the battery 40 is built in the housing 2 of the radiographic image capturing apparatus 1, and the battery 40 has a connection terminal 41 when the battery 40 is charged by supplying power from the external device to the battery 40. It is attached.

また、制御手段22には、撮像素子7ごとの画像データが書き込まれるDRAM42と、前述したようにA/D変換器20から順次出力される各撮像素子7ごとの画像データのDRAM42への書き込みおよびDRAM42からの各画像データの読み出しを制御するメモリコントローラ43とが接続されている。   Further, in the control means 22, the DRAM 42 in which image data for each image sensor 7 is written, and the image data for each image sensor 7 sequentially output from the A / D converter 20 as described above are written into the DRAM 42. A memory controller 43 that controls reading of each image data from the DRAM 42 is connected.

DRAM42は、図12に示したように、z(ロウ)×w(カラム)のメモリ領域を有する公知のDRAMが用いられる。また、DRAM42の種類は特に限定されず、非同期のDRAMやSDRAM(Synchronous DRAM)、EDO DRAM(Extended Data Output DRAM)等のDRAMが適宜選択されて用いられる。   As the DRAM 42, as shown in FIG. 12, a known DRAM having a memory area of z (row) × w (column) is used. The type of the DRAM 42 is not particularly limited, and a DRAM such as an asynchronous DRAM, SDRAM (Synchronous DRAM), EDO DRAM (Extended Data Output DRAM) or the like is appropriately selected and used.

ここで、各撮像素子7の画像データのDRAM42への書き込み等について説明する前に、放射線の照射による撮像素子7内での電荷の発生や、撮像素子7からの画像データの読み出し処理について説明する。   Here, before describing the writing of image data of each image sensor 7 to the DRAM 42, etc., generation of charges in the image sensor 7 due to irradiation of radiation and reading processing of image data from the image sensor 7 will be described. .

走査駆動回路15からの全走査線5に対する信号読み出し用の電圧の印加を停止して各TFT8をオフ状態としてゲートを閉じた状態で、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されて放射線画像撮影が行われると、照射された放射線がシンチレータ3(図2参照)に入射し、シンチレータ3で放射線が別の波長の光に変換され、光がその下方の撮像素子7に入射する。   Radiation imaging is performed by irradiating the radiation imaging apparatus 1 with radiation in a state where the application of voltage for signal readout from the scanning drive circuit 15 to all the scanning lines 5 is stopped, each TFT 8 is turned off, and the gate is closed. When performed, the irradiated radiation enters the scintillator 3 (see FIG. 2), and the scintillator 3 converts the radiation into light of another wavelength, and the light enters the imaging element 7 below the radiation.

光が撮像素子7に入射して撮像素子7のi層76(図5参照)に到達すると、i層76内で電子正孔対が発生し、逆バイアス電圧の印加により撮像素子7内に形成された所定の電位勾配に従って、発生した電子と正孔のうちの一方の電荷(本実施形態では正孔)がバイアス線9に流出し、他方の電荷(本実施形態では電子)が撮像素子7内に蓄積される。   When light enters the image sensor 7 and reaches the i layer 76 (see FIG. 5) of the image sensor 7, an electron-hole pair is generated in the i layer 76 and formed in the image sensor 7 by applying a reverse bias voltage. According to the predetermined potential gradient, one of the generated electrons and holes (holes in this embodiment) flows out to the bias line 9, and the other charge (electrons in this embodiment) flows into the image sensor 7. Accumulated within.

そして、放射線画像撮影が終了して放射線の照射が停止されると、制御手段22から走査駆動回路15に、各撮像素子7からの画像データの読み出しを開始するための信号が送信される。走査駆動回路15は、信号を受信すると、まず、所定の走査線5のラインL1に信号読み出し用の電圧を印加する。信号読み出し用の電圧が印加された走査線5のラインL1に接続されているTFT8はオン状態とされ、TFT8を介して各撮像素子7に蓄積されている電荷が信号線6に放出される。   When radiation image capturing is completed and radiation irradiation is stopped, a signal for starting reading of image data from each image sensor 7 is transmitted from the control means 22 to the scanning drive circuit 15. When receiving the signal, the scanning drive circuit 15 first applies a signal readout voltage to the line L <b> 1 of the predetermined scanning line 5. The TFT 8 connected to the line L1 of the scanning line 5 to which the voltage for signal readout is applied is turned on, and the electric charge accumulated in each imaging element 7 is released to the signal line 6 through the TFT 8.

そして、撮像素子7から信号線6に放出された電荷は、読み出し回路17で電荷電圧変換されて増幅される等して電気信号に変換され、アナログマルチプレクサ21を介して順次A/D変換器20に送信されてデジタル値の画像データに変換されてDRAM42に出力される。   Then, the electric charge discharged from the image pickup device 7 to the signal line 6 is converted into an electric signal by being subjected to charge-voltage conversion and amplification in the readout circuit 17, and sequentially converted into an A / D converter 20 via the analog multiplexer 21. Are converted into digital image data and output to the DRAM 42.

そして、走査駆動回路15が、走査線5のラインL1への信号読み出し用の電圧の印加を停止して信号読み出し用の電圧を印加する走査線5を次のラインL2に切り替えると、走査線5のラインL2にTFT8を介して接続されている各撮像素子7から、上記と同様にして蓄積されている電荷が信号線6に放出され、電荷が読み出し回路17で電荷電圧変換されて増幅される等して画像データに変換され、各画像データがDRAM42に出力される。   Then, when the scanning drive circuit 15 stops the application of the signal reading voltage to the line L1 of the scanning line 5 and switches the scanning line 5 to which the signal reading voltage is applied to the next line L2, the scanning line 5 The charge accumulated in the same manner as described above is discharged from each image sensor 7 connected to the line L2 via the TFT 8 to the signal line 6, and the charge is converted into a charge voltage by the readout circuit 17 and amplified. The image data is converted to image data, and each image data is output to the DRAM 42.

このようにして、走査駆動回路15は、信号読み出し用の電圧を印加する走査線5のラインLxを順次切り替え(すなわち走査し)、各撮像素子7からそれぞれ画像データが読み出されてDRAM42に出力されて、全撮像素子7からの画像データの読み出し処理が行われるようになっている。   In this way, the scanning drive circuit 15 sequentially switches (that is, scans) the line Lx of the scanning line 5 to which the signal reading voltage is applied, and the image data is read from each image sensor 7 and output to the DRAM 42. Thus, a process for reading image data from all the image sensors 7 is performed.

メモリコントローラ43は、上記のように、走査線5のラインLxごとに各撮像素子7の画像データが順次DRAM42に出力されてくると、DRAM42に対してロウアドレスやカラムアドレスを指定する等して、それらの画像データを予め設定された手順でDRAM42に書き込むように制御するようになっている。   As described above, when the image data of each image sensor 7 is sequentially output to the DRAM 42 for each line Lx of the scanning line 5, the memory controller 43 designates a row address or a column address for the DRAM 42. The image data is controlled to be written in the DRAM 42 by a preset procedure.

なお、画像データは、DRAM42の所定のメモリ領域に書き込まれるようになっている。この所定のメモリ領域は、DRAM42のメモリ領域の全域に設定したり、或いはその一部に設定することが可能であり、予め適宜設定される。以下におけるDRAM42に書き込む等の記載は、このDRAM42に設定された所定のメモリ領域に書き込むこと等を意味する。   The image data is written in a predetermined memory area of the DRAM 42. The predetermined memory area can be set in the entire memory area of the DRAM 42 or a part thereof, and is set as appropriate in advance. The following description such as writing to the DRAM 42 means writing to a predetermined memory area set in the DRAM 42.

以下、メモリコントローラ43による画像データの書き込み制御等について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の作用について説明する。   Hereinafter, the image data writing control by the memory controller 43 will be described, and the operation of the radiation image capturing apparatus 1 according to the present embodiment will be described.

本発明では、走査線5のラインLxごとに出力される各撮像素子7の画像データは、DRAM42の所定の小領域に書き込まれ、しかも、走査線4のラインLxごとに、画像データを書き込む小領域がDRAM42のロウ方向の異なる位置になるようにロウアドレスを切り替えるようになっている。   In the present invention, the image data of each image sensor 7 output for each line Lx of the scanning line 5 is written in a predetermined small area of the DRAM 42, and the image data is written for each line Lx of the scanning line 4. The row address is switched so that the region is located at a different position in the row direction of the DRAM 42.

具体的には、メモリコントローラ43は、走査線5のラインL1の各撮像素子7の画像データがDRAM42に送信されてくると、図8に示すように、それらの画像データを、例えばDRAM42のロウrow1〜row256、カラムcolumn1〜column4の小領域に書き込む。   Specifically, when the image data of each imaging device 7 of the line L1 of the scanning line 5 is transmitted to the DRAM 42, the memory controller 43 converts the image data into, for example, the row of the DRAM 42 as shown in FIG. Write to the small areas of row1 to row256 and columns column1 to column4.

すなわち、走査線5のラインL1の各撮像素子7の画像データのうち、列番号yが1〜4の画像データをDRAM42のロウrow1のカラムcolumn1〜column4に書き込み、続いて、列番号yが5〜8の画像データをDRAM42のロウrow2のカラムcolumn1〜column4に書き込んでいくようにして、走査線5のラインL1の列番号yが1〜1024の各撮像素子7の画像データをDRAM42のロウrow1〜row256、カラムcolumn1〜column4の小領域に書き込む。   That is, among the image data of each imaging device 7 of the line L1 of the scanning line 5, the image data with column numbers y of 1 to 4 is written into the columns column1 to column4 of the row 1 of the DRAM 42, and then the column number y is 5 The image data of .about.8 are written in the columns column1 to column4 of the row 2 of the DRAM 42 so that the image data of the image pickup devices 7 whose column numbers y of the scanning lines 5 are 1 to 1024 are stored in the row 1 of the DRAM 42. Write to a small area of ~ row256 and columns column1 to column4.

また、メモリコントローラ43は、図9に示すように、走査線5のラインL2の各撮像素子7の画像データがDRAM42に送信されてくると、ラインL1の各画像データを書き込んだDRAM42のロウrow1〜256の小領域とは別の小領域である例えばロウrow257〜row512、カラムcolumn1〜column4の小領域に書き込む。   Further, as shown in FIG. 9, when the image data of each imaging device 7 of the line L2 of the scanning line 5 is transmitted to the DRAM 42, the memory controller 43 writes the row data 1 of the DRAM 42 in which the image data of the line L1 is written. For example, the data is written in the small regions of the row regions 257 to 512 and columns column 1 to column 4 which are different from the small regions of .about.256.

このように、メモリコントローラ43は、走査線5のラインLxごとの画像データを、DRAM42の複数のロウに跨り、かつ、各ロウrowzごとに書き込まれるデータ数が1ロウあたりのカラム数(図8や図9の場合は512column)をN等分(Nは2以上の自然数)した各部分(図8や図9の場合は128等分した4column分の各部分)のうちの一部分になるように書き込むようになっている。   As described above, the memory controller 43 extends the image data for each line Lx of the scanning line 5 across a plurality of rows of the DRAM 42 and the number of data written for each row rowz is the number of columns per row (FIG. 8). Or 512 columns in the case of FIG. 9) to be a part of each part (N is a natural number of 2 or more) divided into each part (each part of 4 columns divided into 128 parts in the case of FIG. 8 and FIG. 9). It comes to write.

しかも、メモリコントローラ43は、走査線5の1ライン(例えばラインL2)の画像データが、少なくとも、検出部Pにおいて当該ラインに隣接する他のライン(例えばラインL1)の画像データと同じ複数のロウ(例えばロウrow1〜row256)に書き込まないように制御するようになっている。   Moreover, the memory controller 43 has a plurality of rows in which the image data of one line (for example, the line L2) of the scanning line 5 is at least the same as the image data of other lines (for example, the line L1) adjacent to the line in the detection unit P. Control is performed so as not to write to (for example, row 1 to row 256).

このように制御すると、例えば走査線5のラインL1の各撮像素子7からの画像データの読み出しタイミングでは、ラインL1の各画像データがDRAM42に書き込まれる際にrow1〜row256のロウがアクセスされ、走査線5のラインL2の各撮像素子7からの画像データの読み出しタイミングでは、ラインL2の画像データがDRAM42に書き込まれる際にrow257〜row512のロウがアクセスされる。   When controlled in this way, for example, at the read timing of the image data from each image sensor 7 of the line L1 of the scan line 5, when each image data of the line L1 is written to the DRAM 42, the rows 1 to 256 are accessed and scanned. At the read timing of the image data from the image pickup devices 7 of the line L2 of the line 5, when the image data of the line L2 is written into the DRAM 42, the rows 257 to 512 are accessed.

このように、上記のような書き込み制御を行うことにより、走査線5の各ラインLxの各撮像素子7からの画像データの読み出しタイミングごとに、DRAM42の異なる複数のロウ(例えば256のロウ)がそれぞれアクセスされるように構成することができる。   As described above, by performing the write control as described above, a plurality of different rows (for example, 256 rows) of the DRAM 42 are generated at each read timing of the image data from each imaging device 7 of each line Lx of the scanning line 5. Each can be configured to be accessed.

本実施形態では、メモリコントローラ43は、上記のように、例えば走査線5のラインL1の画像データが書き込まれたDRAM42上の256(ロウ)×4(カラム)の小領域のロウ方向に隣接する256(ロウ)×4(カラム)の小領域に走査線5のラインL2の画像データを書き込み、さらに、走査線5のラインL3、L4、…の画像データをそのロウ方向に隣接する256(ロウ)×4(カラム)の小領域にそれぞれ書き込んでいくようになっている。   In the present embodiment, as described above, the memory controller 43 is adjacent in the row direction of a small area of 256 (row) × 4 (column) on the DRAM 42 in which, for example, the image data of the line L1 of the scanning line 5 is written. The image data of the line L2 of the scanning line 5 is written in a small area of 256 (row) × 4 (column), and the image data of the lines L3, L4,. ) × 4 (column) small areas.

そして、図10に示すように、走査線5のラインL8の画像データが読み出され、それらの画像データがDRAM42のロウrow1793〜row2048、カラムcolumn1〜column4の小領域に書き込まれて、DRAM42の(所定のメモリ領域の)全てのロウrow1〜row2048への1回目の書き込みが終了すると、本実施形態では、メモリコントローラ43は、この1回目の書き込み順序と同じ順序で、それらに隣接するカラムcolumn5〜column8に引き続きそれ以降の各ラインLxの画像データを書き込むようになっている。   Then, as shown in FIG. 10, the image data of the line L8 of the scanning line 5 is read out, and the image data is written in the small regions of the row row 1793 to row 2048 and the columns column 1 to column 4 of the DRAM 42. When the first writing to all the rows row1 to row 2048 (in a predetermined memory area) is completed, in the present embodiment, the memory controller 43 uses the column columns 5 to 5 adjacent thereto in the same order as the first writing order. Subsequent to column 8, image data of each subsequent line Lx is written.

具体的には、図11に示すように、メモリコントローラ43は、走査線5のラインL9の各撮像素子7の画像データがDRAM42に送信されてくると、それらの画像データをDRAM42のロウrow1〜row256、カラムcolumn5〜column8の小領域に書き込み、図示を省略するが、以後、送信されてきた走査線5のラインL10、L11、…の画像データをそのロウ方向に隣接する256(ロウ)×4(カラム)の小領域に順次書き込んでいく。   Specifically, as shown in FIG. 11, when the image data of each imaging device 7 of the line L9 of the scanning line 5 is transmitted to the DRAM 42, the memory controller 43 converts the image data to the row rows1 to 1 of the DRAM 42. Write to the small areas of row 256 and columns column 5 to column 8, and illustration is omitted, but thereafter, the transmitted image data of lines L 10, L 11,... of scanning line 5 is 256 (row) × 4 adjacent in the row direction. Write sequentially to small areas in (column).

そして、走査線5のラインL16の画像データが読み出され、それらの画像データがDRAM42のロウrow1793〜row2048、カラムcolumn5〜column8の小領域に書き込まれて、DRAM42の全てのロウrow1〜row2048への2回目の書き込みが終了すると、走査線5のラインL17以降の各ラインLxの各撮像素子7の画像データは1回目や2回目の書き込み順序と同じ順序で、カラムcolumn9〜column12、カラムcolumn13〜column16、…の各小領域に書き込んでいく。   Then, the image data of the line L16 of the scanning line 5 is read out, and the image data is written in the small regions of the rows row 1793 to row 2048 and the columns column 5 to column 8 of the DRAM 42, and all the rows row 1 to row 2048 of the DRAM 42 are read. When the second writing is completed, the image data of each image sensor 7 of each line Lx after the line L17 of the scanning line 5 is in the same order as the first or second writing order, and column columns 9 to 12 and columns column 13 to column 16 are used. Write to each small area.

このようにして、走査線5の各ラインLxの各撮像素子7からの画像データのDRAM42のロウrowzへの書き込み処理を繰り返し、走査線5の最終ラインであるラインL1024の各撮像素子からの画像データをDRAM42のロウrow1793〜row2048、カラムcolumn509〜column512の小領域に書き込むと、メモリコントローラ43は、放射線画像撮影装置1の検出部Pの走査線5の全ラインL1〜L1024に接続された全撮像素子7からの全画像データのDRAM42への書き込み処理を終了する。   In this manner, the process of writing the image data from each image sensor 7 of each line Lx of the scanning line 5 to the row rowz of the DRAM 42 is repeated, and the image from each image sensor of the line L1024 that is the last line of the scanning line 5 is obtained. When the data is written in the small areas of the rows row 1793 to row 2048 and columns column 509 to column 512 of the DRAM 42, the memory controller 43 performs all imaging connected to all the lines L1 to L1024 of the scanning line 5 of the detection unit P of the radiographic imaging apparatus 1. The process of writing all image data from the element 7 to the DRAM 42 is completed.

メモリコントローラ43により以上のような書き込み制御を行うと、DRAM42の個々のロウrowzについて見た場合、走査線5の各ラインからの読み出し処理における8ラインごとに、DRAM42の各ロウrowzに対する書き込みが行われるようになる。従って、走査線5の1ライン分の画像データ(上記の例では1024個のデータ)のDRAM42の複数のロウ(上記の例では256のロウ)へのデータ書き込み時間をTdとすると、DRAM42の個々のロウrowzについて見た場合には各ロウrowzに対して8×Tdの時間間隔ごとに書き込み動作が行われることになる。   When the memory controller 43 performs the write control as described above, when each row rowz of the DRAM 42 is viewed, writing to each rowrowz of the DRAM 42 is performed every 8 lines in the reading process from each line of the scanning line 5. Will come to be. Accordingly, assuming that Td is the data write time for a plurality of rows (256 rows in the above example) of the image data for one line of the scanning lines 5 (1024 data in the above example) in the DRAM 42, each DRAM 42 In the case of the row rowz, the write operation is performed for each rowx at intervals of 8 × Td.

すなわち、本実施形態では、上記のように、走査線5の各ラインLxごとの画像データのDRAM42の全てのロウrow1〜row2048への書き込み処理が繰り返されて、画像データのDRAM42への書き込みが行われるが、画像データのDRAM42の全てのロウrow1〜row2048への1回あたりの書き込み処理に要する時間が、上記のように8×Tdであるため、DRAM42の各ロウrowzに8×Tdの時間間隔ごとにアクセスが行われる。   That is, in the present embodiment, as described above, the writing process of the image data for each line Lx of the scanning line 5 to all the rows 1 to 2048 of the DRAM 42 is repeated, and the writing of the image data to the DRAM 42 is performed. However, since the time required to write image data to all the rows 1 to 2048 of the DRAM 42 at one time is 8 × Td as described above, a time interval of 8 × Td is set for each row rowz of the DRAM 42. Access is performed every time.

そこで、このDRAM42の各ロウrowzへの書き込み動作の時間間隔ΔT(すなわち上記の場合は8×Td)が、DRAM42における各ロウrowzのデータ保持時間以内になるように予め調整しておけば、メモリコントローラ43が上記のような書き込み制御を行うことで、少なくとも検出部Pの各撮像素子7からの画像データのDRAM42への書き込み期間中は、リフレッシュ動作を行う必要がなくなり、いわゆるリフレッシュフリーを実現することが可能となる。   Therefore, if the time interval ΔT (ie, 8 × Td in the above case) of the write operation to each row z of the DRAM 42 is adjusted in advance so as to be within the data holding time of each row z in the DRAM 42, the memory The controller 43 performs the write control as described above, so that it is not necessary to perform a refresh operation at least during the writing period of the image data from each image sensor 7 of the detection unit P to the DRAM 42, so-called refresh-free is realized. It becomes possible.

走査線5の1ライン分の画像データのDRAM42の例えば256等の複数のロウへのデータ書き込み時間Tdは、走査線5の1ライン分の画像データ数、すなわち走査線5の1ライン分として画像データが読み出される撮像素子7の数に応じて変動するが、それ以外の要素に応じても変動する。   The data writing time Td of the image data for one line of the scanning line 5 to the plurality of rows such as 256 in the DRAM 42 is the number of image data for one line of the scanning line 5, that is, the image as one line of the scanning line 5. Although it fluctuates according to the number of image sensors 7 from which data is read, it varies depending on other factors.

例えば、DRAM42の各ロウrowzに画像データを書き込む際、メモリコントローラ43は、例えばロウアドレスと画像データを書き込む最初のカラムアドレスとを指定して1ロウ分の画像データ(上記の例の場合は4個の画像データ)をバースト転送する場合がある。   For example, when writing image data to each row rowz of the DRAM 42, the memory controller 43 designates, for example, a row address and a first column address to which the image data is written, and image data for one row (4 in the above example). Image data) may be burst transferred.

その場合、1ロウ分の画像データの書き込み数すなわち1ロウに書き込む画像データの数を1個に設定する場合と、2個に設定する場合、4個、8個、…に設定する場合でそれぞれ1ロウに画像データを書き込む時間が変わり、走査線5の1ライン分の画像データ数(上記の例の場合は1024)が同じであっても、DRAM42の複数のロウへのデータ書き込み時間Td、すなわち、走査線5の1ライン分の最初の画像データのDRAM42のロウrowzへのデータ書き込みを開始してから走査線5の1ライン分の最後の画像データのDRAM42のロウrowz´へのデータ書き込みを終了するまでの時間Tdが変わる。なお、この場合、1ロウ分の画像データの書き込み数が変わると、走査線5の1ライン分の画像データが跨るように書き込まれるDRAM42の複数のロウの数も変わる。   In that case, the number of image data written for one row, that is, the number of image data written to one row is set to one, the number is set to two, the number is set to four, eight,. Even if the time for writing image data to one row changes and the number of image data for one line of the scanning line 5 (1024 in the above example) is the same, the data writing times Td, That is, data writing to the row rowz ′ of the DRAM 42 of the last image data for one line of the scanning line 5 is started after data writing of the first image data for the scanning line 5 to the row rowz of the DRAM 42 is started. The time Td until ending is changed. In this case, when the number of image data written for one row changes, the number of rows of the DRAM 42 written so that the image data for one line of the scanning line 5 extends also changes.

また、このようにDRAM42の1ロウに書き込む画像データの数を変えると、DRAM42の個々のロウrowzに対する書き込み動作の時間間隔ΔTも変わる。すなわち、上記の例のように、走査線5の1ライン分の画像データ数が1024で、DRAM42がロウrow1〜row2048で構成されている場合、1ロウ分の画像データの書き込み数が1個であれば、DRAM42の個々のロウrowzに対する書き込み動作の時間間隔ΔTは2×Tdとなり、2個であれば4×Td、4個であれば8×Td(すなわち上記の例の場合)、8個であれば16×Td、…となる。   Further, when the number of image data to be written in one row of the DRAM 42 is changed in this way, the time interval ΔT of the writing operation for each row z of the DRAM 42 also changes. That is, as in the above example, when the number of image data for one line of the scanning line 5 is 1024 and the DRAM 42 is composed of rows 1 to 2048, the number of image data written for one row is one. If there is, the time interval ΔT of the write operation for each row z of the DRAM 42 is 2 × Td, so that 2 × 4 × Td, 4 × 8 × Td (that is, in the above example), 8 × Then, 16 × Td,...

このように、走査線5の1ライン分の画像データのDRAM42の複数のロウへのデータ書き込み時間Tdは、放射線画像撮影装置1における検出部Pの構成やDRAM42の1ロウに書き込む画像データ数の設定の仕方等によって変動し、その結果として、DRAM42の個々のロウrowzへの書き込み動作の時間間隔ΔTが変動する。   As described above, the data writing time Td of the image data for one line of the scanning line 5 to the plurality of rows of the DRAM 42 is equal to the configuration of the detection unit P in the radiation imaging apparatus 1 and the number of image data to be written to one row of the DRAM 42. As a result, the time interval ΔT of the write operation to each row rowz of the DRAM 42 varies.

そのため、本実施形態では、走査線5の1ライン分の画像データが跨るように書き込まれるDRAM42の複数のロウの数や各ロウrowzごとに書き込まれる画像データの数、或いは放射線画像撮影装置1の構成等の各要素を適宜設定して、DRAM42の各ロウrowzへの書き込み動作の時間間隔ΔTがDRAM42における各ロウrowzのデータ保持時間以内になるように調整されるようになっている。   For this reason, in the present embodiment, the number of rows of the DRAM 42 written so that the image data for one line of the scanning line 5 straddles, the number of image data written for each row z, or the radiation image capturing apparatus 1 By appropriately setting each element such as the configuration, the time interval ΔT of the write operation to each row and rowz of the DRAM 42 is adjusted so as to be within the data holding time of each row and rowz in the DRAM 42.

そして、本実施形態では、上記のように、走査線5の各ラインL1〜Lxごとの画像データを、ラインL1の各画像データをDRAM42のrow1〜row256、カラムcolumn1〜column4の小領域に書き込み、ラインL2の各画像データをDRAM42のrow257〜row512、カラムcolumn1〜column4の小領域に書き込むようにして、ラインL8の各画像データをDRAM42のrow1793〜row2048、カラムcolumn1〜column4の小領域に書き込んで、DRAM42の全てのロウへの1回目の書き込みが終了すると、走査線5の残りのラインごとの画像データについても、1回目の書き込み順序と同じ順序で、すでに他のラインの画像データが書き込まれたDRAM42のカラムとは別のカラムに書き込むように制御して、走査線5の各ラインL1〜Lxごとの画像データのDRAM42の全てのロウへの書き込み処理を繰り返すようになっている。   In the present embodiment, as described above, the image data for each line L1 to Lx of the scanning line 5 is written in the small areas of the row 1 to row 256 and the columns column1 to column4 of the DRAM 42 as the image data of the line L1, Each image data of the line L2 is written to the row 257 to row 512 of the DRAM 42 and the small areas of the columns column 1 to column 4, and each image data of the line L8 is written to the row 1793 to row 2048 of the DRAM 42 and the small areas of the columns column 1 to column 4. When the first writing to all the rows of the DRAM 42 is completed, the image data of other lines has already been written in the same order as the first writing order for the remaining image data of the scanning lines 5. Control is performed so as to write to a column different from the column of the DRAM 42, and the lines L 1 to L 1 of the scanning line 5 are So that the repeated writing process to all of the row of the DRAM42 image data for each x.

このような場合には、走査線5の各ラインL1〜Lxごとの画像データのDRAM42の各ロウrowzへの書き込み処理が、それぞれDRAM42のデータ保持時間以内に繰り返されるように、前記走査線5の1ライン分の画像データが跨るように書き込まれる複数のロウの数や各ロウrowzごとに記憶されるデータ数が設定される。   In such a case, the writing process of the image data for each line L1 to Lx of the scanning line 5 to each row z of the DRAM 42 is repeated within the data holding time of the DRAM 42, respectively. The number of rows to be written and the number of data stored for each row rowz are set so that image data for one line is straddled.

なお、上記の例では、走査線5のラインL1から順にライン番号xをインクリメントしながら各ラインLxに接続された各撮像素子7からの画像データを読み出す場合について説明したが、走査線5の最終ライン(上記の例ではラインL1024)から順にライン番号をデクリメントしながら各ラインLxに接続された各撮像素子7からの画像データを読み出す場合もある。   In the above example, the case where the image data from each image sensor 7 connected to each line Lx is read while the line number x is incremented sequentially from the line L1 of the scanning line 5 has been described. In some cases, image data from each image sensor 7 connected to each line Lx is read while the line number is decremented in order from the line (line L1024 in the above example).

このような場合には、走査線5の最終ラインから順に送信されてくる画像データを、DRAM42のロウrow1〜row256、カラムcolumn1〜column4の小領域から順に書き込んでいくように構成することも可能であり、また、DRAM42のロウrow1793〜row2048、カラムcolumn509〜column512の小領域から順に上記の書き込み順とは逆の順番で書き込んでいくように構成することも可能である。   In such a case, it is possible to write the image data sequentially transmitted from the last line of the scanning line 5 in order from the small regions of the row 42 to row 256 and the columns column 1 to column 4 of the DRAM 42. In addition, it is also possible to configure so that writing is performed in the reverse order from the above-mentioned writing order in order from the small areas of the rows row 1793 to row 2048 and columns column 509 to column 512 of the DRAM 42.

また、上記の例では、走査線5のラインL1〜L8の各撮像素子7の画像データをDRAM42の全てのロウrow1〜row2048のカラムcolumn1〜column4の各小領域ごとに順次書き込み、ラインL9〜L16の画像データをDRAM42のカラムcolumn5〜column8の各小領域に順次書き込んでいくというように、走査線5の各ラインLxの画像データをDRAM42のロウ方向およびカラム方向に整然と順次書き込んでいく場合を示したが、必ずしもこのように整然と順次書き込んでいくように構成する必要はない。   Further, in the above example, the image data of the imaging elements 7 of the lines L1 to L8 of the scanning line 5 is sequentially written for each small region of the columns column1 to column4 of all the rows row1 to row2048 of the DRAM 42, and the lines L9 to L16 are written. In this example, the image data of each line Lx of the scanning line 5 is sequentially written in the row direction and the column direction of the DRAM 42 so that the image data is sequentially written in the small areas of the columns column 5 to column 8 of the DRAM 42. However, it is not always necessary to configure such that the data is sequentially and sequentially written.

しかし、このように整然と書き込むように書き込み制御することにより、制御プログラムの構築等が容易になるとともに、走査線5の1ライン分として画像データが読み出される撮像素子7の数(すなわちいわゆる画素数)等の上記の各要素が種々に異なる場合でも、制御プログラムの基本構成を変えずに、それらの各要素に対応する変数を変えるだけで同じ制御プログラムを用いて書き込み制御を行うことが可能となり、制御プログラムの共通化を図ることが可能となる。   However, by controlling writing so as to write in an orderly manner, it is easy to construct a control program and the like, and the number of image pickup elements 7 from which image data is read as one line of scanning lines 5 (ie, the so-called number of pixels). Even if each of the above-mentioned elements are variously different, it becomes possible to perform write control using the same control program only by changing the variable corresponding to each element without changing the basic configuration of the control program, The control program can be shared.

特に、撮像装置がデジタルカメラである場合には、画素数(ピクセル数)や装備されるDRAMのメモリ容量等は多岐にわたるため、制御プログラムの共通化のメリットは非常に大きいと言える。   In particular, when the image pickup apparatus is a digital camera, the number of pixels (number of pixels), the memory capacity of the installed DRAM, and the like are various, so it can be said that the merit of sharing the control program is very large.

また、上記のように画像データをDRAM42に整然と書き込むと、それらの画像データを読み出す際の読み出し制御の構築が非常に容易になるという利点もある。例えば、上記の実施形態のように画像データのDRAM42への書き込みを行った場合には、読み出しの際、画像データを書き込んだ際のDRAM42の各ロウrowzへの書き込み順序と同じ順序で、DRAM42のカラムcolumn1〜column4の各小領域ごとに走査線5のラインL1〜L8の各撮像素子7の画像データを順次読み出し、DRAM42のカラムcolumn5〜column8の各小領域ごとに走査線5のラインL9〜L16の各撮像素子7の画像データを順次読み出していくようにして読み出し制御を行う。   Further, when the image data is written in the DRAM 42 in an orderly manner as described above, there is an advantage that it is very easy to construct a read control when reading the image data. For example, when the image data is written to the DRAM 42 as in the above-described embodiment, the read order of the DRAM 42 is the same as the order of writing to the row rows of the DRAM 42 when the image data is written. The image data of each imaging device 7 of the lines L1 to L8 of the scanning line 5 is sequentially read for each small region of the columns column1 to column4, and the lines L9 to L16 of the scanning line 5 are read for each small region of the columns column5 to column8 of the DRAM 42. The readout control is performed so as to sequentially read out the image data of each of the imaging elements 7.

このように書き込み順序と同じ順序で読み出し動作を行えばよいため、各撮像素子7の画像データをDRAM42から容易に整然と読み出すことが可能となる。また、その際、画像データの読み出し制御の制御プログラムは、書き込み制御の制御プログラムの構成を有効に活用する等して容易に構築することが可能となる。   As described above, since the reading operation may be performed in the same order as the writing order, the image data of each imaging element 7 can be easily and orderly read from the DRAM 42. In this case, the control program for the image data read control can be easily constructed by effectively utilizing the configuration of the write control program.

なお、前述したように、走査線5の最終ライン(上記の例ではラインL1024)から順にライン番号をデクリメントしながら各ラインLxの各撮像素子7から読み出された画像データを、DRAM42のロウrow1〜row256、カラムcolumn1〜column4の小領域から順に書き込んだ場合には、DRAM42からの画像データの読み出しの際に、この書き込み順序とは逆の順序で読み出すように制御することが可能である。   As described above, the image data read from each image sensor 7 of each line Lx while decrementing the line number in order from the last line of the scanning line 5 (line L1024 in the above example) is used as the row row1 of the DRAM 42. When writing is performed in order from a small area of .about.row 256 and columns column 1 to column 4, it is possible to control to read out the image data from the DRAM 42 in the reverse order of the writing order.

すなわち、この場合、読み出し制御においては、まず、DRAM42のロウrow1793〜row2048、カラムcolumn509〜column512の小領域から走査線のラインL1の画像データを読み出し、続いて、DRAM42のロウrow1537〜row1792、カラムcolumn509〜column512の小領域から走査線のラインL2の画像データを読み出すようにして、最後にDRAM42のロウrow1〜row256、カラムcolumn1〜column4の小領域から走査線の最終ラインの画像データを読み出すように制御する。   That is, in this case, in the read control, first, the image data of the line L1 of the scanning line is read from the small areas of the rows row 1793 to row 2048 and the columns column 509 to column 512 of the DRAM 42. Control is performed so that the image data of the line L2 of the scanning line is read from the small area of the column 512, and the image data of the last line of the scanning line is finally read from the small areas of the rows row1 to row256 of the DRAM 42 and the columns column1 to column4. To do.

このように制御するように構成すれば、走査線のラインL1から順に各ラインLxごとの画像データがDRAM42から読み出されるため、放射線画像撮影装置1等の撮像装置で撮像し、撮像装置から読み出される画像の上下を反転する等の処理が不要となる。   If configured to control in this manner, the image data for each line Lx is read from the DRAM 42 in order from the line L1 of the scanning line, so that the image is picked up by the image pickup apparatus such as the radiation image pickup apparatus 1 and read out from the image pickup apparatus. Processing such as inverting the top and bottom of the image becomes unnecessary.

そのため、放射線画像撮影装置1で撮影された放射線画像を外部のコンピュータのモニタ画面上に表示したり、デジタルカメラで撮影した画像を背面の液晶ディスプレイに表示したり、或いは放射線画像撮影装置1で撮影された放射線画像やデジタルカメラで撮影した画像をフィルム等の画像記録媒体に記録する際などに、ユーザが画像の上下反転等を気にすることなく処理することが可能となる。   Therefore, the radiographic image taken by the radiographic imaging device 1 is displayed on the monitor screen of an external computer, the image taken by the digital camera is displayed on the liquid crystal display on the back, or the radiographic imaging device 1 takes a picture. When a radiographic image or an image taken by a digital camera is recorded on an image recording medium such as a film, the user can perform processing without worrying about upside down of the image.

また、上記のようにDRAM42への画像データの書き込み順序と同じ順序或いは逆の順序で整然と読み出すように制御することで、DRAM42の各ロウrowzからの画像データの読み出し動作の時間間隔が、DRAM42の各ロウrowzへの書き込み動作の時間間隔ΔTと同じ或いは同程度の時間間隔となる。そのため、DRAM42の各ロウrowzからの画像データの読み出し動作においても、DRAM42のデータ保持時間以内に各ロウrowzからの画像データの読み出しを繰り返すことが可能となり、リフレッシュ動作を行う必要がなくなり、いわゆるリフレッシュフリーを実現することが可能となる。   In addition, as described above, by controlling to read the image data in the same order as the order of writing the image data to the DRAM 42 or in the reverse order, the time interval of the reading operation of the image data from each row rowz of the DRAM 42 is changed. The time interval is equal to or similar to the time interval ΔT of the write operation to each rowz. Therefore, even in the operation of reading image data from each row rowz of the DRAM 42, it becomes possible to repeat the reading of image data from each row rowz within the data holding time of the DRAM 42, so there is no need to perform a refresh operation. It becomes possible to realize free.

以上のように、本実施形態に係る撮像装置によれば、走査線5の各ラインLxの各撮像素子7からの画像データをDRAM42に書き込む際、画像データがDRAM42の複数のロウに跨り、かつ、各ロウrowzごとに書き込まれるデータ数が1ロウあたりのカラム数を等分したうちの一部分になるように書き込む。また、それと同時に、走査線5の1ライン分の画像データが、少なくとも隣接する他のラインの画像データと同じ複数のロウに書き込まないように制御して、DRAM42の各ロウrowzへの書き込み動作の時間間隔ΔTがDRAM42のデータ保持時間以内になるように制御するように構成した。   As described above, according to the imaging apparatus according to the present embodiment, when image data from each imaging device 7 of each line Lx of the scanning line 5 is written to the DRAM 42, the image data straddles a plurality of rows of the DRAM 42, and The data is written so that the number of data written for each row is equal to a part of the number of columns per row. At the same time, control is performed so that the image data for one line of the scanning line 5 is not written into the same plurality of rows as the image data of at least other adjacent lines, and the write operation to each row rowz of the DRAM 42 is performed. The time interval ΔT is controlled to be within the data holding time of the DRAM 42.

そのため、検出部Pの各撮像素子7からの画像データのDRAM42への書き込み期間中は、リフレッシュ動作を行う必要がなくなるため、その分だけ消費される電力を低減することが可能となる。   For this reason, it is not necessary to perform the refresh operation during the writing period of the image data from each image sensor 7 of the detection unit P to the DRAM 42, so that it is possible to reduce the power consumed accordingly.

また、上記のようにDRAM42への画像データの書き込み順序と同じ順序或いは逆の順序で読み出しを行うように読み出し制御するように構成すれば、DRAM42の各ロウrowzからの画像データの読み出し動作においても、DRAM42のデータ保持時間以内に各ロウrowzからの画像データの読み出しを繰り返すことが可能となり、リフレッシュ動作を行う必要がなくなり、いわゆるリフレッシュフリーを実現することが可能となる。そのため、このように構成すれば、DRAM42からの画像データの読み出し期間中も、リフレッシュ動作を行う必要がなくなり、その分だけ消費される電力を低減することが可能となる。   Further, as described above, if the read control is performed so that the image data is read in the same order as or in the reverse order to the image data in the DRAM 42, the image data can be read from each row z in the DRAM 42. Thus, it becomes possible to repeat the reading of the image data from each row rowz within the data holding time of the DRAM 42, so that it is not necessary to perform a refresh operation, and so-called refresh-free can be realized. Therefore, with this configuration, it is not necessary to perform a refresh operation even during a period in which image data is read from the DRAM 42, and the power consumed correspondingly can be reduced.

前述したように、撮像装置がデジタルカメラである場合はもちろん、特に可搬型の放射線画像撮影装置では、内蔵バッテリの消耗を防止するために、できるだけ無駄な電力消費を避けるように構成されることが要請されるが、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1によれば、上記のようにDRAM42への画像データの書き込み動作やDRAM42からの画像データの読み出し動作においてリフレッシュフリーを実現することが可能となるため、その分だけ消費される電力を低減することが可能となり、内蔵バッテリの消耗を有効に防止することが可能となる。   As described above, in addition to the case where the imaging device is a digital camera, in particular, the portable radiographic imaging device may be configured to avoid as much useless power consumption as possible in order to prevent the built-in battery from being consumed. Although requested, according to the radiographic image capturing apparatus 1 according to the present embodiment, it is possible to realize refresh-free in the operation of writing image data into the DRAM 42 and the operation of reading out image data from the DRAM 42 as described above. Therefore, it is possible to reduce the amount of power consumed, and to effectively prevent the built-in battery from being consumed.

なお、本発明が上記の実施形態に限定されず、適宜変更可能であることはいうまでもない。   Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed as appropriate.

1 放射線画像撮影装置(可搬型放射線画像撮影装置、撮像装置)
5 走査線
6 信号線
7、(x,y) 撮像素子
8 TFT(スイッチ素子)
15 走査駆動回路
17 読み出し回路
40 バッテリ
42 DRAM
43 メモリコントローラ
columnw カラム
Lx 走査線のライン
P 検出部
r 領域
rowz ロウ
ΔT 書き込み動作の時間間隔(1回あたりの書き込み処理に要する時間)
1 Radiographic imaging device (portable radiographic imaging device, imaging device)
5 Scanning line 6 Signal line 7, (x, y) Image sensor 8 TFT (switch element)
15 Scanning drive circuit 17 Reading circuit 40 Battery 42 DRAM
43 Memory controller
columnw Column Lx Scan line line P Detection area r
rowz Row ΔT Write operation time interval (time required for one write process)

Claims (7)

互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域にそれぞれ設けられ、照射された光の光量に応じて電荷を発生させる複数の撮像素子が、二次元状に配列された検出部と、
信号読み出し用の電圧を印加する前記各走査線のラインを順次切り替える走査駆動回路と、
前記各走査線に接続され、前記信号読み出し用の電圧が印加されると前記撮像素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ素子と、
前記信号線を介して前記撮像素子から前記電荷を読み出して前記撮像素子ごとに画像データを順次出力する読み出し回路と、
前記撮像素子ごとの画像データが所定のメモリ領域に記憶されるDRAMと、
前記DRAMへの前記画像データの書き込みおよび前記DRAMからの前記画像データの読み出しを制御するメモリコントローラと、
を備え、
前記メモリコントローラは、前記走査線のラインごとの前記画像データを、前記DRAMの前記所定のメモリ領域の複数のロウに跨り、かつ、前記各ロウごとに書き込まれるデータ数が1ロウあたりのカラム数を等分したうちの一部分になるように書き込むとともに、前記走査線の1ライン分の前記画像データが、少なくとも前記検出部において当該ラインに隣接する他のラインの前記画像データと同じ前記複数のロウに書き込まないように制御し、前記DRAMの前記所定のメモリ領域の各ロウへの書き込み動作の時間間隔が、前記DRAMのデータ保持時間以内になるように制御することを特徴とする撮像装置。
A plurality of image sensors that are provided in each region partitioned by a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to cross each other and generate electric charges according to the amount of irradiated light are two-dimensional Detectors arranged in a shape,
A scanning drive circuit for sequentially switching the lines of the scanning lines to which a signal readout voltage is applied;
A switching element connected to each of the scanning lines and for discharging the charge accumulated in the imaging element to the signal line when the voltage for signal readout is applied;
A readout circuit that reads out the electric charge from the imaging device via the signal line and sequentially outputs image data for each imaging device;
DRAM in which image data for each image sensor is stored in a predetermined memory area;
A memory controller for controlling writing of the image data to the DRAM and reading of the image data from the DRAM;
With
The memory controller spans the image data for each line of the scanning line across a plurality of rows in the predetermined memory area of the DRAM, and the number of data written for each row is the number of columns per row. The image data for one line of the scanning line is at least the same as the image data of the other lines adjacent to the line in the detection unit. The imaging apparatus is controlled so as not to write data to the DRAM, and the time interval of the write operation to each row of the predetermined memory area of the DRAM is controlled to be within the data holding time of the DRAM.
前記メモリコントローラは、前記走査線のラインごとの前記画像データを、当該画像データが他のラインの前記画像データと同じ前記複数のロウに書き込まないようにして書き込んでいき、前記DRAMの前記所定のメモリ領域の全てのロウへの1回目の書き込みが終了すると、前記走査線の残りのラインごとの前記画像データについては、前記1回目の書き込み順序と同じ順序で、かつ、すでに他のラインの前記画像データが書き込まれた前記DRAMのカラムとは別のカラムに書き込むように制御して、前記走査線の各ラインごとの前記画像データの前記DRAMの全てのロウへの書き込み処理を繰り返すことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。   The memory controller writes the image data for each line of the scanning line so that the image data is not written to the plurality of rows that are the same as the image data of other lines, and the predetermined data of the DRAM is written. When the first writing to all the rows in the memory area is completed, the image data for each of the remaining lines of the scanning line is already in the same order as the first writing order, and already in the other lines. Control is performed to write to a column different from the column of the DRAM in which the image data is written, and the writing process of the image data for each line of the scanning line to all the rows of the DRAM is repeated. The imaging apparatus according to claim 1. 前記メモリコントローラには、前記走査線の各ラインごとの前記画像データの前記DRAMの全てのロウへの書き込み処理において、前記走査線の各ラインごとの前記画像データの前記DRAMの各ロウへの書き込み処理がそれぞれ前記DRAMのデータ保持時間以内に繰り返されるように、前記走査線の1ライン分の前記画像データが跨るように書き込まれる前記複数のロウの数および前記各ロウごとに記憶されるデータ数が設定されていることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。   In the memory controller, in the writing process of the image data for each line of the scanning line to all the rows of the DRAM, the image data for each line of the scanning line is written to each row of the DRAM. The number of rows written and the number of data stored for each row so that the image data for one line of the scanning line straddles so that the processing is repeated within the data holding time of the DRAM. The imaging apparatus according to claim 2, wherein is set. 前記メモリコントローラは、前記DRAMからの前記画像データの読み出しの際には、前記走査線の各ラインごとの前記画像データを、前記DRAMの各ロウへの書き込み順序と同じ順序で読み出すように制御することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の撮像装置。   When reading the image data from the DRAM, the memory controller controls the image data for each line of the scanning line to be read in the same order as the writing order to each row of the DRAM. The imaging apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the imaging apparatus is characterized in that 前記メモリコントローラは、前記DRAMからの前記画像データの読み出しの際には、前記走査線の各ラインごとの前記画像データを、前記DRAMの各ロウへの書き込み順序とは逆の順序で読み出すように制御することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の撮像装置。   When reading the image data from the DRAM, the memory controller reads the image data for each line of the scanning line in an order opposite to the order of writing to each row of the DRAM. The imaging apparatus according to claim 1, wherein the imaging apparatus is controlled. 少なくとも前記検出部、前記走査駆動回路、前記読み出し回路、前記DRAMおよび前記メモリコントローラに電力を供給するバッテリが内蔵されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の撮像装置。   6. The battery for supplying power to at least the detection unit, the scan driving circuit, the readout circuit, the DRAM, and the memory controller is built-in. 6. Imaging device. 請求項6に記載の撮像装置であって、
前記検出部の前記撮像素子は、照射された放射線を検出する放射線検出素子、または照射された放射線が他の波長に変換された光を検出する光電変換素子であることを特徴とする可搬型放射線画像撮影装置。
The imaging apparatus according to claim 6,
The imaging element of the detection unit is a radiation detection element that detects irradiated radiation, or a photoelectric conversion element that detects light in which the irradiated radiation is converted to another wavelength. Image shooting device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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