KR20160083291A - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

Substrate treating apparatus and substrate treating method Download PDF

Info

Publication number
KR20160083291A
KR20160083291A KR1020140193914A KR20140193914A KR20160083291A KR 20160083291 A KR20160083291 A KR 20160083291A KR 1020140193914 A KR1020140193914 A KR 1020140193914A KR 20140193914 A KR20140193914 A KR 20140193914A KR 20160083291 A KR20160083291 A KR 20160083291A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
nozzle
discharge portion
supporting
unit
Prior art date
Application number
KR1020140193914A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102288982B1 (en
Inventor
정영헌
이재명
강준기
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020140193914A priority Critical patent/KR102288982B1/en
Publication of KR20160083291A publication Critical patent/KR20160083291A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102288982B1 publication Critical patent/KR102288982B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Abstract

The present invention relates to a substrate treating apparatus which can effectively treat a substrate, and a substrate treating method. According to an embodiment of the present invention, the substrate treating apparatus comprises: a drum-shaped treating container with an opened upper part; a substrate support unit positioned inside the treating container, and supporting the substrate; and a nozzle unit for supplying etching solution and diluted solution to the substrate positioned in the substrate supporting unit at the same time through one process nozzle.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다.To fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. Among them, the etching process is a process for removing an unnecessary region from a thin film formed on a substrate, and a high selection ratio and a high etching rate are required for the thin film.

일반적으로 기판의 식각 공정으로는 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다.In general, the substrate processing step includes a chemical processing step, a rinsing step, and a drying step. In the chemical treatment step, a chemical for etching the thin film formed on the substrate is supplied to the substrate, and in the rinsing step, a rinsing liquid such as pure water is supplied onto the substrate.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판을 영역별로 선택적으로 식각 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of selectively etching a substrate on a region-by-region basis.

또한, 본 발명은 기판의 평단 정도를 개선할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the degree of flatness of a substrate.

본 발명의 일 측면에 따르면, 상부가 개방된 통 형상의 처리 용기; 상기 처리 용기의 내측에 위치되어, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 위치된 기판에 하나의 공정 노즐을 통해 식각액과 희석액을 동시에 공급할 수 있는 노즐 유닛을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a process container comprising: a tubular processing container having an open top; A substrate holding unit located inside the processing vessel and supporting the substrate; And a nozzle unit capable of simultaneously supplying the etching solution and the diluting solution to the substrate placed in the substrate supporting unit through one process nozzle.

또한, 상기 노즐 유닛은, 상기 공정 노즐을 지지하는 지지 아암; 상기 지지 아암을 지지하는 회전축; 및 상기 회전축에 연결되어 구동력을 제공하는 구동기를 더 포함할 수 있다.The nozzle unit may further include: a support arm for supporting the process nozzle; A rotating shaft for supporting the supporting arm; And a driver connected to the rotation shaft to provide a driving force.

또한, 상기 공정 노즐에는, 그 하부의 중앙에 형성되어 상기 식각액을 분사하는 제 1 토출부와 상기 제 2 토출부의 둘레에 링 형상으로 형성되어 상기 희석액을 분사하는 제 2 토출부가 형성될 수 있다.The process nozzle may include a first discharge portion formed at a center of a lower portion thereof for spraying the etchant and a second discharge portion formed in a ring shape around the second discharge portion to spray the diluted liquid.

또한, 상기 제 1 토출부와 상기 제 2 토출부는 높이가 상이한 면에 형성될 수 있다.In addition, the first discharge portion and the second discharge portion may be formed on different surfaces.

또한, 상기 제 2 토출부는 직경이 8mm 내지 12mm인 원형으로 형성될 수 있다.In addition, the second discharge portion may be formed in a circular shape having a diameter of 8 mm to 12 mm.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 공정 노즐을 기판에서 대상층의 두께가 주위보다 상대적으로 두껍게 형성된 목표 영역의 위쪽으로 이동 시키는 단계; 상기 공정 노즐에서 상기 기판으로 식각액을 공급하는 동시에 상기 식각액의 둘레에 링 형상으로 희석액을 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a process chamber, comprising: moving a process nozzle above a target area formed in the substrate such that the thickness of the target layer is relatively thicker than the periphery; And supplying the etching solution from the process nozzle to the substrate while supplying a dilution solution in a ring shape around the etching solution.

또한, 상기 희석액은 직경이 8mm 내지 12mm인 원형 링 형상으로 공급될 수 있다.Further, the diluent may be supplied in the form of a circular ring having a diameter of 8 mm to 12 mm.

또한, 상기 식각액은 상기 기판의 중심에서 반경 방향으로 138mm 내지 142mm 이격 된 지점에 공급될 수 있다.Further, the etchant may be supplied at a distance of 138 mm to 142 mm in the radial direction from the center of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently process a substrate can be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 영역별로 선택적으로 식각 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of selectively etching a substrate by region can be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 평단 정도를 개선할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there can be provided a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the degree of flatness of a substrate.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 공정 노즐의 단면도이다.
도 5는 도 3의 공정 노즐의 저면도이다.
도 6은 기판에서 대상층의 두께를 나타낸 도표이다.
도 7은 대상층의 두께가 보정되는 상태를 나타내는 도면이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
3 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2;
Figure 4 is a cross-sectional view of the process nozzle of Figure 3;
Figure 5 is a bottom view of the process nozzle of Figure 3;
6 is a chart showing the thickness of the target layer in the substrate.
7 is a view showing a state in which the thickness of the target layer is corrected.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20 and the like. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버들(260)이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버들(260)이 제공된다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided at one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암들(144c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암들(144c) 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 and another portion thereof is transferred from the carrier 130 to the processing module 20 via the substrate W ). ≪ / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치들(300)은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 is provided with a substrate processing apparatus 300 that performs a cleaning process on the substrate W. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. The process chambers 260 may be divided into a plurality of groups so that the substrate processing apparatuses 300 in the process chambers 260 belonging to the same group are identical to one another, The structures of the processing apparatus 300 may be provided differently from each other.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. FIG. 2 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 기판 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 그리고 노즐 유닛(380)을 포함한다. 2 and 3, the substrate processing apparatus 300 includes a processing container 320, a substrate supporting unit 340, a lift unit 360, and a nozzle unit 380. [

처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)는 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측 공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이 공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The processing vessel 320 has a cylindrical shape with an open top. The processing vessel 320 has an inner recovery cylinder 322 and an outer recovery cylinder 326. [ Each of the recovery cylinders 322 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery vessel 322 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 340 and the outer recovery vessel 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery vessel 326. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the inner recovery cylinder 322 function as a first inlet 322a through which the process liquid flows into the inner recovery cylinder 322. [ The space 326a between the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326 functions as a second inlet 326a through which the process liquid flows into the outer recovery cylinder 326. [ According to one example, each inlet 322a, 326a may be positioned at a different height from each other. Collection lines 322b and 326b are connected under the bottom of each of the collection bins 322 and 326. The treatment liquids flowing into the respective recovery cylinders 322 and 326 can be supplied to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 322b and 326b and can be reused.

기판 지지 유닛(340)은 처리 용기(320)의 내측에 위치되어, 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 기판 지지 유닛(340)은 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정 결합된다.The substrate support unit 340 may be located inside the processing vessel 320 to support the substrate W and rotate the substrate W during the process. The substrate support unit 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A supporting shaft 348 rotatable by a driving unit 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. [

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 기판 지지 유닛(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the sides of the substrate W such that the substrate W is not laterally displaced in place when the substrate support unit 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to allow linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. The chuck pin 346 is positioned in the standby position and the chuck pin 346 is positioned in the supporting position when the substrate W is being processed with respect to the substrate W. [ At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 놓이거나, 기판 지지 유닛(340)로부터 들어올려 질 때 기판 지지 유닛(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 기판 지지 유닛(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The elevating unit 360 moves the processing vessel 320 linearly in the vertical direction. The relative height of the processing vessel 320 to the substrate supporting unit 340 is changed as the processing vessel 320 is moved up and down. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the housing 320 and the bracket 362 is fixedly coupled to the moving shaft 364 which is moved up and down by the actuator 366. The housing 320 is lowered so that the substrate supporting unit 340 protrudes to the upper portion of the housing 320 when the substrate W is placed on the substrate supporting unit 340 or is lifted from the substrate supporting unit 340. When the process is performed, the height of the housing 320 is adjusted so that the treatment liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W. Alternatively, the elevating unit 360 can move the substrate supporting unit 340 in the vertical direction.

노즐 유닛(380)는 노즐 이동 부재(381) 및 공정 노즐(389)을 포함한다. 노즐 이동 부재(381)는 공정 노즐(389)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 공정 노즐(389)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 공정 노즐(389)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 노즐 이동 부재(381)는 회전축(386), 구동기(388), 그리고 지지 아암(382)을 포함한다. 회전축(386)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 회전축(386)은 그 길이방향이 제3방향(16)을 향하는 로드 형상을 가질 수 있다. 회전축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하다. 회전축(386)은 구동기(388)로부터 제공되는 구동력에 의해 그 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 아암(382)은 공정 노즐(389)과 회전축(386)을 연결한다. 회전축(386)이 회전됨에 따라 지지 아암(382) 및 공정 노즐(389)은 회전축(386)의 중심축을 중심으로 회전된다. The nozzle unit 380 includes a nozzle moving member 381 and a process nozzle 389. The nozzle moving member 381 moves the process nozzle 389 to the process position and the standby position. Where the process position is where the process nozzle 389 is opposite the substrate W supported on the substrate support unit 340 and the standby position is the position where the process nozzle 389 is out of the process position. The nozzle moving member 381 includes a rotary shaft 386, a driver 388, and a support arm 382. The rotary shaft 386 is positioned on one side of the processing vessel 320. The rotary shaft 386 may have a rod shape whose longitudinal direction faces the third direction 16. The rotary shaft 386 is rotatable by a driver 388. The rotary shaft 386 is rotatable about its central axis by a driving force provided from a driver 388. The support arm 382 connects the process nozzle 389 and the rotation axis 386. As the rotary shaft 386 rotates, the supporting arm 382 and the process nozzle 389 are rotated about the central axis of the rotary shaft 386.

지지 아암(382)은 그 길이방향이 제3방향(16)과 수직한 수평 방향을 향하는 로드 형상으로 제공된다. 지지 아암(382)의 일단은 회전축(386)의 상단에 고정 결합된다. 지지 아암(382)은 타단이 회전축(386)과 결합된 일단을 중심으로 회전 가능하다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 지지 아암(382)의 타단이 이동되는 경로는 기판(W)의 중앙 영역을 지나도록 제공될 수 있다. 지지 아암(382)의 타단에는 공정 노즐(389)이 결합된다. 따라서 공정 노즐(389)은 회전축(386) 및 지지 아암(382)이 회전됨에 따라 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다.The support arm 382 is provided in a rod shape whose longitudinal direction is directed to the horizontal direction perpendicular to the third direction 16. One end of the support arm 382 is fixedly coupled to the upper end of the rotation shaft 386. The support arm 382 is rotatable about one end coupled to the rotation shaft 386 at the other end. According to one example, the path through which the other end of the support arm 382 is moved, as viewed from the top, may be provided to pass through the central region of the substrate W. [ A process nozzle 389 is coupled to the other end of the support arm 382. Accordingly, the process nozzle 389 is movable to the process position and the standby position as the rotation shaft 386 and the support arm 382 are rotated.

도 4는 도 3의 공정 노즐의 단면도이고, 도 5는 도 3의 공정 노즐의 저면도이다.Fig. 4 is a cross-sectional view of the process nozzle of Fig. 3, and Fig. 5 is a bottom view of the process nozzle of Fig.

도 4 및 도 5를 참조하면, 공정 노즐(389)은 바디(3000)에 제 1 유로(3010) 및 제 2 유로(3020)가 형성된다.Referring to FIGS. 4 and 5, the process nozzle 389 is formed with a first flow path 3010 and a second flow path 3020 in the body 3000.

공정 노즐(389)은 기판(W)의 상면에 기판 처리를 위한 2가지 유체를 분사한다. 바디(3000)는 공정 노즐(389)의 골격을 제공한다. 바디(3000)는 하단의 횡단면 면적이 상단의 횡단면 면적보다 작게 제공될 수 있다.The process nozzle 389 ejects two fluids for substrate processing on the upper surface of the substrate W. [ The body 3000 provides the framework of the process nozzle 389. The body 3000 may be provided such that the cross-sectional area of the lower end is smaller than the cross-sectional area of the upper end.

제 1 유로(3010)는 바디(3000)의 중앙 영역에 제공된다. 제 1 유로(3010)의 하단은 바디(3000)의 하면에 형성된 제 1 토출부(3011)와 연결된다. 제 1 유로(3010)는 식각액을 공급한다. 제 2 토출부(3021)는 제 1 토출부(3011)의 둘레에 링 형상으로 형성된다. 예를 들어, 제 2 토출부(3021)는 제 1 토출부(3011)를 중심으로 한 원형으로 바디(3000)의 하면에 형성될 수 있다. 제 2 토출부(3021)는 바디(3000)의 내부에 형성된 제 2 유로(3020)와 연결된다. 제 2 유로(3020)는 희석액을 공급한다. 희석액은 순수(DIW : Delonized water) 일 수 있다. 제 2 유로(3020)는 제 2 토출부(3021)와 유사하게 링 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 제 2 유로(3020)는 선형으로 하나 이상 형성되고, 제 2 토출부(3021)와 연결될 수 도 있다.The first flow path 3010 is provided in a central region of the body 3000. The lower end of the first flow path 3010 is connected to the first discharge portion 3011 formed on the lower surface of the body 3000. The first flow path 3010 supplies the etching solution. The second discharge portion 3021 is formed in a ring shape around the first discharge portion 3011. For example, the second discharge portion 3021 may be formed on the lower surface of the body 3000 as a circle around the first discharge portion 3011. The second discharge portion 3021 is connected to the second flow path 3020 formed in the body 3000. The second flow path 3020 supplies a diluting liquid. The diluent may be pure water (DIW: Delonized water). The second flow path 3020 may be formed in a ring shape similar to the second discharge portion 3021. Also, at least one second flow path 3020 may be formed linearly and connected to the second discharge portion 3021.

제 1 토출부(3011)와 제 2 토출부(3021)는 그 높이가 상이하게 형성될 있다. 예를 들어, 바디(3000)의 하면 중앙부에는 아래쪽으로 돌출된 분사부(3100)가 형성될 수 있다. 그리고, 제 1 토출부(3011)는 분사부(3100)에 형성될 수 있다. 제 1 토출부(3011)와 제 2 토출부(3021)의 높이 차이에 의해, 유체 사이의 장력에 의해 식각액과 희석액이 공정 노즐(389)의 하면에서 섞이는 것이 방지 될 수 있다. 다른 실시 예로, 분사부(3100)는 제 1 토출부(3011) 둘레에 링 형상으로 제공될 수 있다. 그리고, 제 2 토출부(3021)는 링 형상의 분사부(3100)에 형성될 수 있다.The first discharge portion 3011 and the second discharge portion 3021 may have different heights. For example, an ejection portion 3100 protruding downward may be formed at the center of the lower surface of the body 3000. The first discharge portion 3011 may be formed in the jetting portion 3100. The difference in height between the first discharge portion 3011 and the second discharge portion 3021 can prevent the etching solution and the diluting solution from mixing at the lower surface of the process nozzle 389 due to the tension between the fluids. In another embodiment, the jetting section 3100 may be provided in the form of a ring around the first ejecting section 3011. The second discharging portion 3021 may be formed in the ring-shaped jetting portion 3100.

도 6은 기판에서 대상층의 두께를 나타낸 도표이다.6 is a chart showing the thickness of the target layer in the substrate.

도 6을 참조하면, 기판(W)의 상면에 형성된 대상층의 두께는 영역별로 상이할 수 있다. 이 때, 대상층은 산화막일 수 있다. 이와 같은 대상층의 두께 불균일은 이전에 수행된 공정 처리의 정도가 기판(W)의 영역별로 상이함에 기인한다. 대상층의 두께는 기판(W) 중심에서의 거리와 관련성을 가질 수 있다. 즉, 대상층은 기판의 중심에서 반경 반향으로 제 1 거리(R1) 이격된 지점과 제 2 거리(R2) 이격된 지점 사이에 분포되는 띠 모양의 목표 영역에서 다른 영역보다 두껍게 형성될 수 있다. 기판(W)의 직경이 300mm로 제공되는 경우, 기판(W)의 중심에서 목표 영역의 중심까지의 거리(R0)는 138mm 내지 142mm일 수 있다. 그리고, 대상 영역의 반경 방향 폭은 8mm 내지 12mm일 수 있다.Referring to FIG. 6, the thickness of a target layer formed on the upper surface of the substrate W may differ from region to region. At this time, the target layer may be an oxide film. The thickness unevenness of the target layer is caused by the fact that the degree of the process process performed before is different for each region of the substrate W. [ The thickness of the target layer may be related to the distance from the center of the substrate W. [ That is, the target layer may be formed thicker than the other region in a band-shaped target region distributed between a position spaced apart by a first distance R1 from a center of the substrate in a radial direction and a position spaced apart by a second distance R2. When the diameter of the substrate W is 300 mm, the distance R0 from the center of the substrate W to the center of the target area may be 138 mm to 142 mm. The radial width of the target area may be 8 mm to 12 mm.

도 7은 대상층의 두께가 보정되는 상태를 나타내는 도면이다.7 is a view showing a state in which the thickness of the target layer is corrected.

도 7을 참조하면, 노즐 유닛(380)은 기판(W)을 영역별로 선택적으로 식각하여, 대상층의 두께를 균일하게 할 수 있다. 노즐 유닛(380)은 공정 노즐(389)을 기판(W)에서 선택적으로 식각할 영역의 상부로 이동시킨 후, 기판(W)으로 식각액과 희석액을 함께 공급한다. 식각액과 희석액이 공급되는 동안 기판 지지 유닛(340)은 기판(W)을 회전 시킬 수 있다.Referring to FIG. 7, the nozzle unit 380 can selectively etch the substrate W by regions to make the thickness of the target layer uniform. The nozzle unit 380 moves the process nozzle 389 to the upper portion of the region to be selectively etched in the substrate W and then supplies the etchant and the diluent together with the substrate W. [ The substrate support unit 340 can rotate the substrate W while the etching liquid and the diluting liquid are supplied.

링 형상으로 공급된 희석액은 식각액을 둘러 싼다. 따라서, 희석액이 공급된 영역의 외측이 식각액에 의해 식각 되는 것이 최소화 될 수 있다.The diluted solution supplied in the form of a ring surrounds the etching solution. Thus, the outside of the region where the diluent is supplied can be minimally etched by the etching liquid.

또한, 식각액이 공급된 영역과 희석액이 공급된 영역 사이에는 식각액이 희석액과 혼합되어 희석된다. 이 때, 식각액의 농도는 식각액이 공급된 제 1 토출부(3011)의 아래쪽 영역에서 가장 높고, 희석액이 공급된 제 2 토출부(3021)의 아래쪽 영역으로 갈수록 낮아진다. 따라서, 식각액에 의한 대상층의 식각 정도는 제 1 토출부(3011)의 아래쪽 영역에서 제 2 토출부(3021)의 아래쪽 영역으로 갈수록 작아진다.Also, between the area where the etching solution is supplied and the area where the diluting solution is supplied, the etching solution is mixed with the diluting solution and diluted. At this time, the concentration of the etchant is highest in the region below the first discharge portion 3011 supplied with the etchant, and becomes lower toward the region below the second discharge portion 3021 supplied with the diluent. Therefore, the degree of etching of the target layer by the etchant decreases from the region below the first discharge portion 3011 to the region below the second discharge portion 3021.

공정 노즐(389)은 도 6과 같은 모양을 갖는 목표 영역을 선택적으로 식각 하는데 이용될 수 있다. 구체적으로, 공정 노즐(389)은 제 1 토출부(3011)가 목표 영역의 중심에 위치되도록 위치된 상태에서 식각액 및 희석액을 기판에 공급할 수 있다. 그리고, 제 2 토출부(3021)의 직경은 목표 영역의 두께에 대응되게, 제 1 거리(R1)와 제 2 거리(R2)의 차이 값이 되도록 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판의 직경이 300mm로 제공되는 경우, 제 2 토출부(3021)의 직경은 8mm 내지 12mm일 수 있다. 따라서, 공정 노즐(389)에서 공급된 식각액은 목표 영역을 선택적으로 식각 할 수 있다. 또한, 공급되는 식각액의 양 또는 희석액의 양을 조절하여, 목표 영역의 중심에서 목표 영역의 양측에 걸친 식각 정도를 조절할 수 있다.The process nozzle 389 can be used to selectively etch the target area having the shape as shown in FIG. Specifically, the process nozzle 389 can supply the etching solution and the diluting liquid to the substrate in a state in which the first discharging portion 3011 is located at the center of the target area. The diameter of the second discharge portion 3021 may be provided so as to be a difference between the first distance R1 and the second distance R2, corresponding to the thickness of the target area. For example, when the diameter of the substrate is 300 mm, the diameter of the second discharge portion 3021 may be 8 mm to 12 mm. Thus, the etchant supplied from the process nozzle 389 can selectively etch the target area. Further, by controlling the amount of the etchant supplied or the amount of the diluent, the degree of etching from both sides of the target region at the center of the target region can be controlled.

또한, 공정 노즐(389)은 제 1 토출부(3011)를 통해 기판에 식각액 만을 공급하여, 기판의 상면 전체 영역에 걸쳐 식각을 수행할 수 있다.In addition, the process nozzle 389 can perform etching over the entire upper surface region of the substrate by supplying only the etching liquid to the substrate through the first discharge portion 3011.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 인덱스 모듈 20: 공정 처리 모듈
120: 로드 포트 140: 이송 프레임
220: 버퍼 유닛 240: 이송 챔버
260: 공정 챔버 300: 기판 처리 장치
320: 처리 용기 340: 기판 지지 유닛
360: 승강 유닛 380: 노즐 유닛10: Index module 20: Process processing module
120: load port 140: transport frame
220: buffer unit 240: transfer chamber
260: process chamber 300: substrate processing apparatus
320: processing vessel 340: substrate supporting unit
360: lift unit 380: nozzle unit

Claims (8)

상부가 개방된 통 형상의 처리 용기;
상기 처리 용기의 내측에 위치되어, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및
상기 기판 지지 유닛에 위치된 기판에 하나의 공정 노즐을 통해 식각액과 희석액을 동시에 공급할 수 있는 노즐 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.A tubular processing container having an open top;
A substrate holding unit located inside the processing vessel and supporting the substrate; And
And a nozzle unit capable of simultaneously supplying the etching solution and the diluting solution to the substrate positioned in the substrate supporting unit through one process nozzle. 제 1 항에 있어서,
상기 노즐 유닛은,
상기 공정 노즐을 지지하는 지지 아암;
상기 지지 아암을 지지하는 회전축; 및
상기 회전축에 연결되어 구동력을 제공하는 구동기를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the nozzle unit comprises:
A support arm for supporting the process nozzle;
A rotating shaft for supporting the supporting arm; And
And a driver connected to the rotating shaft to provide a driving force. 제 1 항에 있어서,
상기 공정 노즐에는, 그 하부의 중앙에 형성되어 상기 식각액을 분사하는 제 1 토출부와 상기 제 2 토출부의 둘레에 링 형상으로 형성되어 상기 희석액을 분사하는 제 2 토출부가 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the process nozzle is formed with a first discharge portion formed at the center of a lower portion thereof for spraying the etchant and a second discharge portion formed in a ring shape around the second discharge portion to spray the diluted liquid. 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 토출부와 상기 제 2 토출부는 높이가 상이한 면에 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the first discharging portion and the second discharging portion are formed on the different heights. 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 토출부는 직경이 8mm 내지 12mm인 원형으로 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the second discharge portion is formed in a circular shape having a diameter of 8 mm to 12 mm. 공정 노즐을 기판에서 대상층의 두께가 주위보다 상대적으로 두껍게 형성된 목표 영역의 위쪽으로 이동 시키는 단계;
상기 공정 노즐에서 상기 기판으로 식각액을 공급하는 동시에 상기 식각액의 둘레에 링 형상으로 희석액을 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.Moving the process nozzle above a target area of the substrate where the thickness of the target layer is relatively thicker than the periphery;
Supplying an etching solution from the process nozzle to the substrate while supplying a dilution solution in a ring shape around the etching solution. 제 6 항에 있어서,
상기 희석액은 직경이 8mm 내지 12mm인 원형 링 형상으로 공급되는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein the diluent is supplied in a circular ring shape having a diameter of 8 mm to 12 mm. 제 6 항에 있어서,
상기 식각액은 상기 기판의 중심에서 반경 방향으로 138mm 내지 142mm이격 된 지점에 공급되는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein the etchant is supplied at a point spaced from the center of the substrate by 138 to 142 mm in the radial direction.
KR1020140193914A 2014-12-30 2014-12-30 Substrate treating apparatus and substrate treating method KR102288982B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140193914A KR102288982B1 (en) 2014-12-30 2014-12-30 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140193914A KR102288982B1 (en) 2014-12-30 2014-12-30 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160083291A true KR20160083291A (en) 2016-07-12
KR102288982B1 KR102288982B1 (en) 2021-08-13

Family

ID=56504857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140193914A KR102288982B1 (en) 2014-12-30 2014-12-30 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102288982B1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100041497A (en) * 2008-10-14 2010-04-22 세메스 주식회사 Apparatus of treating substrate and method of treating substrate using the same
KR20100046827A (en) * 2008-10-28 2010-05-07 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR20120015926A (en) * 2010-08-13 2012-02-22 세메스 주식회사 Nozzle and apparatus for treating a substrate with the nozzle
KR20130039890A (en) * 2011-10-13 2013-04-23 세메스 주식회사 Nozzle
KR20140003988A (en) * 2012-06-29 2014-01-10 세메스 주식회사 Method and apparatus for processing substrate
KR20140112299A (en) * 2013-03-13 2014-09-23 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100041497A (en) * 2008-10-14 2010-04-22 세메스 주식회사 Apparatus of treating substrate and method of treating substrate using the same
KR20100046827A (en) * 2008-10-28 2010-05-07 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR20120015926A (en) * 2010-08-13 2012-02-22 세메스 주식회사 Nozzle and apparatus for treating a substrate with the nozzle
KR20130039890A (en) * 2011-10-13 2013-04-23 세메스 주식회사 Nozzle
KR20140003988A (en) * 2012-06-29 2014-01-10 세메스 주식회사 Method and apparatus for processing substrate
KR20140112299A (en) * 2013-03-13 2014-09-23 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR102288982B1 (en) 2021-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101621482B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101885107B1 (en) Method and Apparatus for treating a substrate
KR101623412B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
US11456191B2 (en) Substrate treating apparatus and rotating assembly
KR20140112299A (en) Apparatus for treating substrate
KR102096945B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20160147163A (en) Apparatus for Processing Substrate and method for Cleaning
KR101870664B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101817211B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102096944B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101927919B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
CN107564837B (en) Apparatus and method for processing substrate
KR20180013327A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102441007B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20170024213A (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR20170046490A (en) Apparatus and method for treating Substrate
KR102288982B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20150068761A (en) Apparatus for treating substrate
KR102410311B1 (en) method and Apparatus for Processing Substrate
KR102193031B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102392488B1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR102180009B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102262112B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102008305B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102288983B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right