KR20160083004A - Electronic component and production method therefor - Google Patents
Electronic component and production method therefor Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160083004A KR20160083004A KR1020167012114A KR20167012114A KR20160083004A KR 20160083004 A KR20160083004 A KR 20160083004A KR 1020167012114 A KR1020167012114 A KR 1020167012114A KR 20167012114 A KR20167012114 A KR 20167012114A KR 20160083004 A KR20160083004 A KR 20160083004A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- aluminum hydroxide
- silicone resin
- resin
- exterior material
- varistor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
- H01C1/034—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the housing or enclosure being formed as coating or mould without outer sheath
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/102—Varistor boundary, e.g. surface layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
- C08K2003/2217—Oxides; Hydroxides of metals of magnesium
- C08K2003/2224—Magnesium hydroxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
- C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/1006—Thick film varistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
실리콘 수지를 포함하는 외장재를 사용한 전자 부품의 제조 방법이며, 60〔중량%〕 이상 70〔중량%〕 미만의 범위로 첨가량을 제어한 수산화알루미늄 또는 수산화마그네슘, 및 무극성 용매가 첨가된 실리콘 수지를 포함하는 외장재에 소자를 딥하는 공정과, 소자의 표면에 형성된 외장재를 건조시켜 무극성 용매를 증발시키고, 또한 실리콘 수지 성분을 외장재의 표면에 표출시키는 공정과, 외장재를 경화시키는 경화 공정을 포함한다. 이것에 의하여, 외장재의 불연성 및 절연 내압을 유지하면서 실리콘 수지를 삭감할 수 있다.A process for producing an electronic component using a casing material containing a silicone resin, the process comprising the steps of: adding aluminum hydroxide or magnesium hydroxide controlled in an amount of 60 wt% or more to less than 70 wt%; and a silicone resin to which a non- A step of drying the exterior material formed on the surface of the element to evaporate the non-polar solvent and exposing the silicone resin component to the surface of the exterior material; and a curing step of curing the exterior material. This makes it possible to reduce the silicon resin while maintaining the flame retardancy and the withstand voltage of the casing.
Description
본 개시의 기술은 전압 비직선성 저항기 등의 전자 부품에 관한 것이며, 소자를 덮는 외장재의 난연화 내지 불연화 기술에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present disclosure relates to electronic parts such as voltage nonlinear resistors and the like, and relates to a technique of smoothing or non-smoothing a covering material covering the device.
전자 기기, 전기 기기 등의 각종 기기에서는, 경량화를 위하여 하우징 등에 플라스틱 등 가연 재료가 사용되며, 게다가 전자 부품은, 기기의 소형화 요청 등으로 인하여 실장의 고밀도화가 도모되어, 전자 부품의 소손(燒損, burnout)이 인접하는 전자 부품이나 기기 전체를 손상시키는 원인이 된다.In a variety of appliances such as electronic devices and electric appliances, a combustible material such as plastic is used for the housing in order to lighten the weight. In addition, in the electronic parts, due to the request for miniaturization of the device, the packing density is increased, , burnout) cause damage to the adjacent electronic parts or the entire device.
이러한 문제로부터 전자 부품이나 기기를 방호하는 전자 부품으로서, 배리스터(전압 비직선성 저항기, varistor)가 사용된다. 배리스터는, 인가 전압의 상승에 대응하여 급격히 저항을 감소시키는 전압 비직선 저항 특성을 가지므로, 서지(surge) 흡수 소자로서 사용되고 있다.A varistor (voltage nonlinear resistor, varistor) is used as an electronic component that protects electronic components and devices from such a problem. The varistor is used as a surge absorbing element since it has a voltage nonlinear resistance characteristic that abruptly decreases resistance in response to an increase in an applied voltage.
배리스터에서는, 일례로서, 산화아연의 분말에 미량의 산화비스무트 분말 등을 혼합하고, 금형을 사용하여 원판형으로 성형한 후, 1000〔℃〕 이상에서 소결하여 얻어진 소결체의 양면에, 소결체보다도 작은 직경의 원판형의 전극을 베이킹하고, 이 전극의 각각의 외면에 리드선을 땜납에 의하여 접속하여 소자가 형성되며, 이 소자를 에폭시 수지 등으로 피복하여 외장이 형성되어 있다. 이 외장은 배리스터의 기계적 강도나 내열성을 높이는 기능을 하고 있다.In the varistor, for example, a powder of zinc oxide is mixed with a trace amount of bismuth oxide powder, and the resultant is sintered at a temperature of 1000 [deg. C] or higher after molding into a disk using a metal mold, And electrodes are formed by connecting lead wires to the respective outer surfaces of the electrodes by soldering. The device is covered with an epoxy resin or the like to form a sheath. This enclosure functions to increase the mechanical strength and heat resistance of the varistor.
배리스터는 일반적으로 외래 또는 내래 서지로부터 전자 부품이나 기기를 보호하기 위하여 사용되지만, 배리스터가 흡수 에너지의 한계를 초과하는 서지를 흡수했을 경우에 파손되어 단락 상태가 되어, 그 외장재가 연소할 우려가 있다. 배리스터의 외장재는, 일반적으로는 무기 충전제 성분 및 에폭시 수지 성분에 의하여 형성되어 있으며, 외장재의 연소는 에폭시 수지 성분의 연소에 의한다.The varistor is generally used to protect electronic parts or devices from foreign or domestic surge, but when the varistor absorbs surges exceeding the absorption energy limit, it is damaged and short-circuited, and the exterior material may burn . The exterior material of the varistor is generally formed by an inorganic filler component and an epoxy resin component, and combustion of the exterior material is caused by combustion of the epoxy resin component.
이 때문에 외장재에는 난연성 재료가 사용된다. 이 난연성 재료에는, 예를 들어 난연화제인 브롬 또는 안티몬을 포함하는 에폭시 수지가 사용되고 있다. 그러나 에폭시 수지는 난연성이지만, 배리스터가 발열하고 그 발열이 계속되면 연소할 우려가 있다. 일단 연소하면, 외장재 중의 가연성 성분이 소실되기까지 그 연소가 계속될 우려가 있다.For this reason, a flame-retardant material is used for the exterior material. As this flame retardant material, for example, an epoxy resin containing bromine or antimony which is a flame retardant is used. However, the epoxy resin is flame retardant, but there is a risk of burning if the varistor is heated and continues to generate heat. Once combusted, there is a possibility that the combustion continues until the flammable component in the exterior material disappears.
이 외장재의 불연화에는 브롬, 안티몬의 난연화제를 첨가하는 것이 알려져 있다. 이 난연화제를 증가시키면, 수지 자체의 가열 흐름율(유동성)이 저하되어 외장 막의 형성이 곤란해진다. 분체 수지 도장에서는, 수지량이 30〔wt%〕 이하로 되면 외장 막의 형성이 곤란해진다. 외장재 중의 가연 성분을 연소 한계량 이하로 감소시키면, 외장재를 불연화할 수 있다.It is known to add a flame retardant of bromine or antimony to the flame-hardening of the casing. When the amount of the flame retardant is increased, the heating flow rate (fluidity) of the resin itself is lowered, making it difficult to form the exterior film. In the powder coating, when the amount of resin is 30 [wt%] or less, it becomes difficult to form an external coating. By reducing the combustible component of the exterior material to a combustion limit or less, the exterior material can be unfavorable.
브롬계의 난연제는, 가스화에 의하여 수지 성분의 연소를 억제하는 기능을 갖는다. 가스화된 브롬 성분은 오존층의 파괴 등 환경에 대한 부하가 커, 그의 사용이 제한되는 경향이 있다.The brominated flame retardant has a function of suppressing combustion of the resin component by gasification. The gasified bromine component tends to have a limited load on the environment, such as destruction of the ozone layer, and its use is limited.
이러한 배리스터의 외장 불연화에 관하여, 브롬계의 난연제 대신, 보호 코트에, 난연성이 우수한 코팅 재료로서 실리콘 수지를 사용한 배리스터가 알려져 있다(예를 들어 특허문헌 1).With respect to external flame-hardening of such a varistor, a varistor using a silicone resin as a coating material excellent in flame retardancy is known as a protective coat instead of a brominated flame retardant (for example, Patent Document 1).
실리콘 수지의 연소 억제화에 관하여, 실리콘 수지 또는 실리콘 엘라스토머에, 난연화제로서 수산화알루미늄 또는 수산화마그네슘의 첨가에 의하여 외장재의 난연성을 높이고, 실리콘 수지 또는 실리콘 엘라스토머의 고무 탄성에 의하여 세라믹 내용물이나 외장재 자체의 비산을 억제한 배리스터가 알려져 있다(예를 들어 특허문헌 2).With respect to suppression of combustion of the silicone resin, the flame resistance of the exterior material is increased by adding aluminum hydroxide or magnesium hydroxide as a flame retardant to the silicone resin or the silicone elastomer, and the content of the ceramic itself or the exterior material itself A varistor suppressing scattering is known (for example, Patent Document 2).
또한 액상의 실리콘 주제에 경화제를 첨가하고, 이 2제에 대하여 수산화알루미늄을 첨가한 실리콘 고무를 외장재로서 사용하여 피복한 배리스터가 알려져 있다(예를 들어 특허문헌 3).Further, a varistor is known in which a curing agent is added to a liquid silicone base, and a silicone rubber containing aluminum hydroxide added to the base is coated as a sheath (see, for example, Patent Document 3).
그러나 배리스터를 포함하는 전자 부품에서는, 종전의 과전압 특성을 유지하면서 보다 높은 과전압이 요구되고 있다. 이러한 전자 부품에 있어서, 실리콘계 수지 재료는 불가결한 반면, 고가이다.However, in an electronic component including a varistor, a higher overvoltage is required while maintaining the conventional overvoltage characteristics. In such electronic parts, the silicon-based resin material is indispensable, but is expensive.
따라서 본 발명의 목적은, 불연성 및 절연 내압 특성을 유지하면서 실리콘 수지를 삭감하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to reduce silicon resin while maintaining the nonflammable and dielectric strength characteristics.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 개시의 기술의 일 측면에 따르면, 실리콘 수지를 포함하는 외장재를 사용한 전자 부품의 제조 방법이며, 60〔중량%〕 이상 70〔중량%〕 미만의 범위로 첨가량을 제어한 수산화알루미늄 또는 수산화마그네슘, 및 무극성 용매가 첨가된 실리콘 수지를 포함하는 외장재에 소자를 딥(dip)하는 공정과, 상기 소자의 표면에 형성된 상기 외장재를 건조시켜 상기 무극성 용매를 증발시키고, 또한 실리콘 수지 성분을 상기 외장재의 표면에 표출시키는 공정과, 상기 외장재를 경화시키는 경화 공정을 포함하고 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic component using a casing material comprising a silicone resin, the method comprising the steps of controlling an addition amount in a range of 60% by weight to less than 70% by weight Wherein the non-polar solvent is evaporated by drying the exterior material formed on the surface of the element, and the silicone resin And a curing step of curing the exterior material.
상기 전자 부품의 제조 방법에 있어서, 상기 수산화알루미늄 또는 상기 수산화마그네슘의 첨가량이 60〔중량%〕 이상 65〔중량%〕 이하의 범위일 수도 있다.In the above-described method of manufacturing an electronic component, the amount of the aluminum hydroxide or magnesium hydroxide added may be in the range of 60 wt% or more and 65 wt% or less.
상기 전자 부품의 제조 방법에 있어서, 상기 수산화알루미늄 또는 상기 수산화마그네슘의 평균 입경이 15〔㎛〕 이상 50〔㎛〕 미만의 범위일 수도 있다.In the above-described method for producing an electronic component, the average particle diameter of the aluminum hydroxide or the magnesium hydroxide may be in a range of 15 [mu m] to less than 50 [mu m].
상기 전자 부품의 제조 방법에 있어서, 상기 무극성 용매는, 증기압이 0.5 내지 10〔㎪〕일 수도 있다.In the above-described method for producing an electronic part, the non-polar solvent may have a vapor pressure of 0.5 to 10 [mu] m.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 개시의 기술의 일 측면에 따르면, 실리콘 수지를 포함하는 외장재를 사용한 전자 부품이며, 상기 실리콘 수지에, 무극성 용매와, 수산화알루미늄 또는 수산화마그네슘이 첨가되고, 해당 수산화알루미늄 또는 해당 수산화마그네슘의 첨가량이 60〔중량%〕 이상 70〔중량%〕 미만의 범위이며, 상기 무극성 용매가 건조에 의하여 상기 외장재의 표면에 표출되어 증발하고, 상기 실리콘 수지가 상기 외장재의 표면에 표출되어 경화되어 있다.In order to achieve the above object, according to one aspect of the present disclosure, there is provided an electronic component using a casing member comprising a silicone resin, wherein a nonpolar solvent, aluminum hydroxide or magnesium hydroxide is added to the silicone resin, The amount of the magnesium hydroxide to be added is in the range of 60 wt% or more and less than 70 wt%, and the nonpolar solvent is exposed on the surface of the exterior material by evaporation, and the silicone resin is exposed on the surface of the exterior material And is cured.
상기 전자 부품에 있어서, 상기 수산화알루미늄 또는 상기 수산화마그네슘의 평균 입경이 15〔㎛〕 이상 50〔㎛〕 미만의 범위일 수도 있다.In the electronic component, the average particle diameter of the aluminum hydroxide or the magnesium hydroxide may be in a range of 15 [mu m] or more and less than 50 [mu m].
상기 전자 부품에 있어서, 상기 외장재는, 해당 외장재 표면으로부터 깊이 방향의 30〔%〕 이내에서 84 내지 100〔%〕의 농도 구배를 갖는 수산화알루미늄 또는 수산화마그네슘을 포함할 수도 있다.In the electronic component, the casing may include aluminum hydroxide or magnesium hydroxide having a concentration gradient of 84 to 100 [%] within 30 [%] in the depth direction from the surface of the casing.
본 발명에 따르면, 다음 중 어느 한 효과가 얻어진다.According to the present invention, any of the following effects can be obtained.
(1) 외장재의 불연성 및 절연 내압 특성을 유지하면서 실리콘 수지를 삭감할 수 있다.(1) The silicone resin can be reduced while maintaining the nonflammability and dielectric strength characteristics of the casing.
(2) 정격 전압을 초과하는 과전압의 인가에 의하여 배리스터가 순식간에 파괴되는 경우에도 외장 수지의 비산을 억제할 수 있다.(2) Even when the varistor is instantly destroyed by application of the overvoltage exceeding the rated voltage, scattering of the external resin can be suppressed.
(3) 실리콘 수지의 사용량을 삭감할 수 있어 제조 비용을 저감시킬 수 있다.(3) The use amount of the silicone resin can be reduced, and the manufacturing cost can be reduced.
그리고 본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점은, 첨부 도면 및 각 실시 형태를 참조함으로써 한층 더 명확해질 것이다.And other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent by reference to the accompanying drawings and embodiments.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 배리스터를 도시하는 단면도이다.
도 2는 배리스터의 제조 방법의 처리 공정 및 외장 수지를 도시하는 도면이다.
도 3은 외장 수지층의 딥 처리를 도시하는 도면이다.
도 4는 외장 수지층 및 유리층의 상태를 도시하는 단면도이다.
도 5는 불연성의 실험 결과를 나타내는 도면이다.
도 6은 절연 내압의 실험 결과를 나타내는 도면이다.
도 7은 외장 수지층의 표면 상태의 평가 결과를 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a varistor according to the first embodiment.
Fig. 2 is a diagram showing the processing steps and the covering resin of the varistor manufacturing method.
3 is a view showing a dipping process of the external resin layer.
4 is a cross-sectional view showing the state of the exterior resin layer and the glass layer.
Fig. 5 is a view showing the result of an incombustible test.
6 is a diagram showing an experimental result of the withstand voltage.
7 is a view showing the evaluation result of the surface state of the external resin layer.
도 1은 배리스터의 단면을 도시하고 있다.Figure 1 shows a section of a varistor.
이 배리스터(2)는 전압 비직선성 저항기이며, 본 개시의 전자 부품의 일례이다.This
이 배리스터(2)에서는, 전압 비직선성 저항 소자(이하, 간단히 「소자」라 칭함)(4)의 표면이 외장재(6)로 덮여 있다. 소자(4)는 배리스터 소자의 일례이다.In this
소자(4)에는 세라믹 소체(8)가 사용되고 있다. 이 세라믹 소체(8)는, 예를 들어 산화아연을 주성분으로 하고, 산화마그네슘, 산화비스무트, 산화코발트 등을 첨가한 소결체이다. 이 소결체는, 예를 들어 직경 10〔㎜〕 정도의 기둥체(cylinder)이다.A
이 세라믹 소체(8)의 표면에는 전극(10-1, 10-2)이 설치되어 있다. 전극(10-1)에는 리드선(12-1)이 땜납에 의하여 접속되고, 전극(10-2)에는 리드선(12-2)이 땜납에 의하여 접속되어 있다.On the surface of the
외장재(6)에는, 일례로서 외장 수지층(6-1) 및 유리층(6-2)이 포함된다. 외장 수지층(6-1)은 제1 피복층, 유리층(6-2)은 제2 피복층의 일례이다.The
도 2의 A는, 배리스터(2)의 제조 방법을 공정 순으로 도시하고 있다.2 (A) shows the manufacturing method of the
이 배리스터(2)의 제조 방법에는, 소자의 형성 공정 S1, 딥 공정 S2, 건조 공정 S3, 경화 공정 S4 및 코팅 공정 S5가 포함된다.The production method of the
소자의 형성 공정 S1에서는 소자(4)가 형성된다. 소자(4)의 세라믹 소체(8)는 일례로서, 주성분인 산화아연에 산화마그네슘, 산화비스무트, 산화코발트 등을 첨가하고 이를 소결한다. 이 소결에 의하여 얻어지는 소결체는, 예를 들어 직경 10〔㎜〕 정도의 기둥체이다. 이 세라믹 소체(8)의 일면측에 전극(10-1), 그의 타면측에 전극(10-2)를 인쇄하고 소성한다.In the device forming step S1, the
상술한 리드선(12-1)을 납땜에 의하여 전극(10-1)에 접속하고, 리드선(12-2)을 납땜에 의하여 전극(10-2)에 접속한다.Described lead wire 12-1 is connected to the electrode 10-1 by soldering and the lead wire 12-2 is connected to the electrode 10-2 by soldering.
이 소자(4)의 형성 공정 S1 후, 딥 공정 S2로 이행한다. 이 딥 공정 S2에서는, 소자의 형성 공정 S1에서 얻어진 소자(4)에 외장재(6) 중, 외장 수지층(6-1)을 형성한다. 이 외장 수지층(6-1)에는, 일례로서 외장 수지(14)가 사용된다. 이 외장 수지(14)에는, 도 2의 B에 도시한 바와 같이, 실리콘 수지(16)에 수산화알루미늄(18) 및 용제(20)가 첨가되어 있다.After the step S1 of forming the
수산화알루미늄(18)은, 주제인 실리콘 수지(16)에 70〔중량%=wt%〕 미만의 범위에서 첨가한다. 이 첨가량의 범위는, 보다 바람직하게는 60〔중량%〕 이상 65〔중량%〕 이하이다.The
용제(20)에는, 실리콘 수지(16)와의 상성이 좋은, 예를 들어 무극성 용매의 용제 종류를 사용하면 된다. 실리콘 수지(16)와의 상성이 나쁜 경우에는 실리콘 수지(16)를 튕겨 내기 때문에, 건조 시에 핀 홀의 발생이나 외장 수지층(6-1) 내부에 기포가 잔류하므로, 실리콘 수지(16)와의 상성은 중요하다. 무극성 용매에는, 예를 들어 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 시클로헥산 등 어느 것을 사용할 수도 있다.As the solvent 20, for example, a solvent type of a non-polar solvent may be used which has good homogeneity with the
용제(20)를 첨가함으로써, 외장 수지(14)를 저점도화할 수 있고, 외장 수지(14)에 대한 수산화알루미늄(18)의 배합량을 많게 할 수 있어, 외장 수지(14)의 형성성을 높일 수 있다. 게다가 수산화알루미늄(18)의 균일 분산화가 가능해지므로, 외장 수지층(6-1)의 평면 방향에서의 수산화알루미늄(18)의 편재(偏在)에 의한 절연 내압의 저하를 방지할 수 있다.The addition of the solvent 20 makes it possible to lower the viscosity of the
이 배리스터(2)에서는, 외장 수지층(6-1)이 1층 구조이기 때문에, 2층 구조와 달리, 외장 수지층(6-1)에 핀 홀이 발생하더라도 2번째 층으로 덮을 수는 없다. 즉, 배리스터(2)의 외장 수지층(6-1)은, 난연성을 향상시키기 위하여 수산화알루미늄(18)의 배합비를 많게 하면서, 수산화알루미늄(18)의 편재와 핀 홀을 방지해야 한다. 그 때문에, 수산화알루미늄(18)과 상성이 좋은 무극성 용매의 용제(20)를 실리콘 수지(16)에 투입하고 있다. 이러한 구성에서는, 외장 수지(14)에 핀 홀을 발생시키지 않고, 저점도화하여 수산화알루미늄(18)의 편재를 방지하여, 절연 내압의 향상과 외표면의 형성성의 유지의 양쪽을 실현시킬 필요가 있다. 또한 무극성 용매는, 증기압(=휘발성)이 0.5 내지 10〔㎪〕 정도가 바람직하다. 증기압이 높은 경우에는, 핀 홀이 발생하여 외장 수지층(6-1)의 표면 상태가 바람직하지 않다. 한편, 증기압이 낮은 경우에는, 외장 수지층(6-1)의 표면 상태는 양호하지만 건조 공정에서의 용제(20)의 증발에 시간이 걸린다.In this
도 3은, 세라믹 소체(8)의 외장 수지(14)에의 딥 처리를 도시하고 있다.Fig. 3 shows the dipping treatment of the
딥 처리조(22)에는, 도 3의 A에 도시한 바와 같이, 저점도화된 외장 수지(14)가 충전되어 있다. 이 외장 수지(14) 중에 소자(4)를 침지시키고 끌어올리면, 도 3의 B에 도시한 바와 같이, 소자(4)의 표면이 외장 수지(14)로 덮여, 소자(4)의 표면에 상술한 외장 수지층(6-1)이 형성된다.As shown in Fig. 3 (A), the
이 딥 처리 후, 건조 공정 S3으로 이행한다. 이 건조 공정 S3에서는, 소자(4)의 외장 수지층(6-1)을 형성하고 있는 외장 수지(14)로부터 용제(20)의 대부분을 휘발시킨다. 이 공정에서는, 외장 수지(14)는 완전히 경화되지는 않는다.After the dipping process, the process proceeds to the drying process S3. In this drying step S3, most of the solvent 20 is volatilized from the
또한 이 건조 공정 S3은 상온(20 내지 30〔℃〕)에서 처리하는 것이 바람직하다.The drying step S3 is preferably carried out at room temperature (20 to 30 [deg.] C).
이 건조 공정 S3을 거쳐 경화 공정 S4로 이행한다. 이 경화 공정 S4에서는, 외장 수지층(6-1)을 열처리하여 경화시킨다. 이 경화에 의하여 외장 수지층(6-1)은 성형된다. 경화 공정 S4에 있어서, 건조 공정 S3 종료 후에 잔류하고 있던 용제(20)를 열처리에 의하여 증발시킴과 함께, 실리콘 수지 성분을 외장 수지층(6-1)의 표면에 표출시킨다. 즉, 열처리를 실시함으로써, 외장 수지(14) 중에 잔류하고 있던 용제(20)는, 외장 수지층(6-1)의 표면으로 이동하여 표면에 표출되어 증발한다. 이때, 외장 수지층(6-1)의 표면으로 이동하는 용제(20)와 함께 실리콘 수지 성분도 외장 수지층(6-1)의 표면에 표출된다. 그 후, 추가의 열처리에 의하여, 외장 수지층(6-1)의 표면에 표출된 실리콘 수지 성분이 경화되어 광택을 낸다. 또한 경화 공정의 조건은 적절히 설정하면 되고, 온도는, 예를 들어 150〔℃〕, 경화 시간은, 예를 들어 1시간으로 하면 된다.After the drying step S3, the process proceeds to the curing step S4. In this curing step S4, the exterior resin layer 6-1 is cured by heat treatment. The external resin layer 6-1 is formed by this curing. In the curing step S4, the solvent 20 remaining after the drying step S3 is evaporated by the heat treatment and the silicone resin component is exposed on the surface of the external resin layer 6-1. That is, by performing the heat treatment, the solvent 20 remaining in the
이러한 처리에는, 도 4의 A에 도시하는 제1 안과, 도 4의 B에 도시하는 제2 안이 포함된다. 제1 안에서는, 도 4의 A에 도시한 바와 같이, 소자(4)의 표면에 제1 영역(611), 제2 영역(612)이 형성된다. 영역(611)은 박피층이며, 수지 두께 전체에 대하여, 예를 들어 30〔%〕 정도의 두께이다. 이 영역(611)의 두께는 외장재(6)의 표면으로부터의 깊이의 일례이다. 영역(611)에서는, 박피층의 표면으로부터 깊이 방향 30〔%〕까지 수산화알루미늄(18)은, 예를 들어 수지 배합비의 약 84 내지 100〔%〕의 농도이다. 또한 영역(612)에서는, 박피층의 표면으로부터 깊이 방향 30〔%〕 이상에서 수산화알루미늄(18)은, 예를 들어 수지 배합비의 약 100 내지 109〔%〕의 농도이다.This processing includes the first image shown in Fig. 4A and the second image shown in Fig. 4B. In the first region, a
제2 안에서는, 제1 영역(621), 제2 영역(622), 제3 영역(623)이 형성된다. 영역(621)은 박피층이며, 이 박피층의 표면으로부터 깊이 방향 30〔%〕까지 수산화알루미늄(18)은, 예를 들어 수지 배합비의 약 84 내지 100〔%〕의 농도이다. 영역(622)은, 박피층 표면으로부터 깊이 방향 50〔%〕까지 수산화알루미늄(18)은 수지 배합비의 약 90 내지 100〔%〕의 농도이다. 또한 영역(623)은, 박피층의 표면으로부터 깊이 방향 50〔%〕 이상에서 수산화알루미늄(18)은, 예를 들어 수지 배합비 약 100 내지 119〔%〕의 농도이다. 이 농도는, 경화 시의 수지 성분의 이동에 의한 농도 구배를 나타내고 있으며, 이 값은 수지 배합 비율에 대한 최대의 추정값이다. 이 수산화알루미늄(18)은 상층으로부터 하층으로 공급되기 때문에, 하층으로 이동한 만큼을 뺀 상층의 농도가 농도 범위가 된다. 이 농도 범위는 그의 영역의 평균값이며, 국소적으로는 하한값을 하회하는 농도 부분이 존재한다고 생각된다. 따라서 이 처리에 있어서, 영역의 범위는, 영역(611, 621)의 평균의 최솟값에서 16〔%〕 감소, 영역(612, 622)은 평균의 최댓값의 9〔%〕 증가로 할 수도 있다.In the second region, a
또한 수산화알루미늄(18)의 농도는, 에너지 분산형 X선 분석(EDX: Energy Dispersive X-ray spectrometry)에 의하여 측정한 수치이다.The concentration of the
이 경화 공정 S4의 후, 코팅 공정 S5로 이행한다. 이 코팅 공정 S5에서는, 외장 수지층(6-1)의 표면에 유리 코팅을 행한다. 이 유리 코팅에서는, 외장 수지층(6-1)으로 덮인 소자(4)를, 일례로서 실리카 졸에 침지시켜 유리 코트를 행한다. 이 유리 코트에 열처리를 실시하여 경화시켜, 유리층(6-2)이 형성된다. 이것에 의하여, 도 1에 도시하는 배리스터(2)가 얻어진다.After the curing step S4, the coating step S5 is carried out. In this coating step S5, the surface of the external resin layer 6-1 is coated with glass. In this glass coating, the
<상기 실시 형태의 효과>≪ Effect of the embodiment &
(1) 실리콘 수지(16)를 주제로 하고, 수산화알루미늄(18)은 70〔중량%〕 미만을 첨가하고, 보다 바람직하게는 60 내지 65〔중량%〕를 첨가했으므로, 그만큼 실리콘 수지(16)를 삭감할 수 있다. 이것에 의하여 재료비 등의 비용을 저감시킬 수 있다.The amount of the
(2) 외장 수지(14)에 용제(20)를 첨가하여, 수산화알루미늄(18)에 의한 고점도화를 억제할 수 있다. 즉, 용제(20)의 첨가에 의한 외장 수지(14)의 저점도화에 의하여, 많은 수산화알루미늄(18)을 배합할 수 있어, 외장 수지(14)에 의한 외장 수지층(6-1)의 성형성을 높일 수 있다.(2) Addition of the solvent 20 to the
(3) 용제(20)의 첨가에 의한 외장 수지(14)의 저점도화에 의하여, 외장 수지(14)에 대한 수산화알루미늄(18)의 편재를 방지할 수 있다. 이것에 의하여, 외장 수지층(6-1) 내의 수산화알루미늄(18)의 편재에 의한 배리스터(2)의 절연 내압의 저하를 방지할 수 있다. 즉, 우수한 과전압 특성이 얻어진다.(3) By the lowering of the viscosity of the
(4) 경화 공정에서의 용제(20)의 증발에 수반하여 실리콘 수지(16)를 외장 수지층(6-1)의 표면에 표출시킬 수 있으므로, 배리스터(2)의 표면에 광택을 낼 수 있다.(4) Since the
(5) 실리콘 수지(16)는 유연성을 가지므로, 정격 전압을 초과하는 과전압의 인가에 의하여 배리스터가 순식간에 파괴되는 경우에도 외장 수지층(6-1)의 비산을 억제할 수 있다.(5) Since the
(6) 외장 수지층(6-1)의 표면이 광택을 띤 상태가 되어, 외장 수지층(6-1)의 표면에 배리스터의 정격(crating) 등을 레이저로 인자(印字, print)했을 경우의 시인성(視認性)이 향상된다.(6) When the surface of the external resin layer 6-1 is in a shiny state and the crating of the varistor is printed on the surface of the external resin layer 6-1 with a laser The visibility of the image is improved.
(7) 또한 외장 수지층(6-1)의 표면에 실리콘 수지(16)를 표출시킴으로써, 표면에의 흠집이 형성되는 것을 방지하여 내스크래치성이 향상된다.(7) Further, by exposing the surface of the external resin layer 6-1 with the
(8) 용제(20)에 무극성 용매를 사용하므로, 실리콘 수지(16)와의 상성이 좋아 외장 수지층(6-1)에 핀 홀이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해서도 배리스터(2)의 절연 내압의 저하를 방지할 수 있다.(8) Since the non-polar solvent is used for the solvent 20, pinholes can be prevented from being generated in the external resin layer 6-1 due to good homogeneity with the
(9) 외장 수지층(6-1)의 소자(4)에 가까울수록 수산화알루미늄(18)의 농도가 높으므로, 소자(4)의 연소를 억제하는 효과가 보다 향상된다.(9) The closer to the
<실험 결과><Experimental Results>
(1) 불연성의 평가(1) Evaluation of incombustibility
이 불연성의 평가는 배리스터(2)의 발염(發炎) 특성에 관한 것이다. 이 평가 실험에서는, 과전율(課電率) 85〔%〕(배리스터 전압 V1〔㎃〕×0.85)의 AC전압을 인가했을 경우, 외장재(6)의 외장 수지층(6-1)에 대하여, 수산화알루미늄(18)의 입경〔㎛〕을 파라미터로 하여 배합비〔wt%〕마다의 발염 시간을 측정하였다. 도 5의 A는 그 측정값, 도 5의 B는 그래프를 나타내고 있다. 도 5의 B에 있어서, a는 평균 입경=10〔㎛〕, b는 평균 입경=15〔㎛〕, c는 평균 입경=30〔㎛〕, d는 평균 입경=50〔㎛〕이다.This evaluation of the nonflammability relates to the flammability characteristic of the varistor (2). In this evaluation test, when an AC voltage of 85 [%] (varistor voltage V1 [mA] x 0.85) is applied, the external resin layer 6-1 of the
이 불연성의 평가에서는, 과전압 파괴에 의한 불연성의 판단 기준으로서, 발염 시간 1〔초〕 미만을 불연성의 효과 있음으로 하였다.In the evaluation of the incombustibility, as a criterion for judging the incombustibility due to the overvoltage breakage, the incombustibility was judged to be less than 1 [sec].
이 평가 실험에 따르면, 평균 입경을 30〔㎛〕 이상으로 하면, 배합비가 55〔wt%〕 이상이면 발염 시간 1〔초〕 미만이 되어 불연성이 인정된다.According to this evaluation test, if the average particle diameter is 30 [mu m] or more, the flame-out time is less than 1 [sec] if the compounding ratio is 55 [wt% or more,
평균 입경을 30〔㎛〕 미만으로 하더라도, 배합비가 60〔wt%〕 이상이면 발염 시간 1〔초〕 미만이 되어 불연성이 인정된다.Even if the average particle size is less than 30 [mu] m, if the compounding ratio is 60 (wt%) or more, the flame-out time is less than 1 second and the flame-retardancy is recognized.
평균 입경이 10〔㎛〕 내지 50〔㎛〕이더라도, 배합비가 65〔wt%〕 이상이면 발염 시간은 0.5〔초〕 이하가 되어 양호한 불연성이 인정된다.Even if the average particle diameter is from 10 [mu] m to 50 [mu m], if the blending ratio is 65 [wt%] or more, the flame-out time becomes 0.5 seconds or less and good nonflammability is recognized.
이와 같이, 주제인 실리콘 수지(16)에 70〔wt%〕 미만의 범위에서 수산화알루미늄(18)을 첨가하면, 발염 시간 1.0〔초〕 미만의 불연성이 인정되며, 수산화알루미늄(18)의 첨가량의 범위를 60〔wt%〕 이상 65〔wt%〕 이하로 하면, 보다 바람직하게 불연성이 얻어진다. 따라서 실리콘 수지(16)를 삭감하면서 배리스터(2)의 불연성을 높일 수 있다.When the
(2) 절연 내압의 평가(2) Evaluation of dielectric strength
이 절연 내압의 평가 실험에서는, 수산화알루미늄(18)의 입경〔㎛〕을 파라미터로 하여 배합비〔wt%〕의 절연 파괴를 측정하였다. 도 6의 A는 그 측정값, 도 6의 B는 그래프를 나타내고 있다. 도 6의 B에 있어서, b는 평균 입경=15〔㎛〕, c는 평균 입경=30〔㎛〕, d는 평균 입경=50〔㎛〕이다.In the evaluation test of the dielectric strength, dielectric breakdown of the blend ratio [wt%] was measured using the particle diameter [占 퐉] of the
이 절연 내압의 평가에서는, 내압〔㎸/㎜〕에 대하여, 10〔㎸/㎜〕 이상을 절연 내압 효과 있음으로 판정하고 있다.In the evaluation of the insulation withstand voltage, it is judged that an insulation withstand voltage effect is not less than 10 [kV / mm] with respect to the breakdown voltage [kV / mm].
이 평가 실험에 따르면, 평균 입경은 15〔㎛〕, 30〔㎛〕, 50〔㎛〕에 관계없이 배합비가 65〔wt%〕 이하이면, 10〔㎸/㎜〕 이상의 절연 내압 효과가 얻어지고 있다.According to this evaluation test, when the compounding ratio is 65 [wt%] or less irrespective of the average particle diameter of 15 [탆], 30 [탆] and 50 [탆], an insulation withstand voltage of 10 [kV / mm] .
따라서 주제인 실리콘 수지(16)에 70〔wt%〕 미만의 범위에서 수산화알루미늄(18)을 첨가했을 경우, 바람직하게는 60〔wt%〕 내지 65〔wt%〕로 하면, 10〔㎸/㎜〕 이상의 절연 내압 효과가 얻어져, 배리스터(2)의 과전압 특성을 유지할 수 있다. 또한 배합비가 60〔wt%〕 내지 65〔wt%〕에 대해서는, 평균 입경이 30〔㎛〕인 것이 가장 바람직하다.Therefore, when
(3) 표면 상태의 평가(3) Evaluation of surface condition
이 표면 상태의 평가 실험은, 소자(4)에 형성되어 있는 외장 수지층(6-1)의 표면 성상을 육안 관찰하고 있다. 도 7은 그 평가 결과를 나타내고 있다.In the evaluation test of the surface state, the surface property of the external resin layer 6-1 formed on the
이 평가에서는, 외장 수지층(6-1)의 표면의 광택으로 판단하여, 광택이 있는 경우를 ○, 광택이 후퇴하고 있는 경우를 △, 광택이 소실되었을 경우를 ×로 하였다.In this evaluation, when the gloss of the surface of the exterior resin layer 6-1 was judged to be glossy, the glossiness was evaluated as?, The glossiness was retreated as?, And the glossiness was lost as?.
이 광택의 평가에서는, 입경에 관계없이 수산화알루미늄(18)의 배합비를 70〔wt%〕로 하면, 표면의 광택이 소실되고 있다.In this gloss evaluation, when the compounding ratio of the
외장 수지층(6-1)의 표면의 광택은 배리스터(2)의 기능에 직접 영향을 미치는 것은 아니지만, 외관상의 미관을 손상시키기 때문에 외장 수지층(6-1)의 표면에는 광택이 있는 것이 바람직하다. 또한 외장 수지층(6-1)의 표면에 배리스터의 정격 등을 레이저 인자하는 경우가 있다. 이때, 광택을 가진 외장 수지층(6-1)의 표면에 레이저로 인자했을 경우, 표면 상태가 요철 상태에 비하여 시인성이 향상된다. 광택층의 형성은, 수산화알루미늄(18)의 고배합에 의한 표면 상태의 조도를 완화하여, 외관상의 미관 효과와 곤포 상태에서의 제품끼리의 마찰에 의한 흠집 방지에 효과가 있다.Although the gloss of the surface of the external resin layer 6-1 does not directly affect the function of the
〔다른 실시 형태〕[Other Embodiments]
(1) 상기 실시 형태에서는, 경화 공정 S4 후, 코팅 공정 S5를 실시하여 외장 수지층(6-1)의 표면에 유리 코팅을 행하여 유리층(6-2)을 형성했지만, 유리층(6-2)을 형성하지 않을 수도 있다.(1) In the above embodiment, the coating step S5 is performed after the curing step S4 to form the glass layer 6-2 by performing the glass coating on the surface of the external resin layer 6-1. However, the glass layer 6- 2) may not be formed.
(2) 상기 실시 형태에서는, 외장 수지층(6-1)을 형성하는 외장 수지(14)가, 실리콘 수지(16)에 수산화알루미늄(18) 및 용제(20)가 첨가되는 경우를 나타냈지만, 이에 한정되지 않는다. 실리콘 수지(16)에는, 예를 들어 용제(20)와 함께 난연화제로서 수산화마그네슘을 첨가할 수도 있다.(2) In the above embodiment, the case where the
수산화마그네슘은, 예를 들어 주제인 실리콘 수지(16)에 70〔중량%=wt%〕 미만의 범위에서 첨가된다. 이 첨가량의 범위는 보다 바람직하게는 60〔중량%〕 이상 65〔중량%〕 이하로 설정된다. 수산화마그네슘은 밀도가 2.36〔g/㎤〕이며, 수산화알루미늄의 밀도 2.42〔g/㎤〕와 대략 동등하다. 그 때문에, 수산화마그네슘의 첨가량은, 예를 들어 실리콘 수지(16)에 대한 중량 비율을 기준으로 하여, 상술한 수산화알루미늄(18)을 첨가하는 경우와 동등한 조건을 설정하면 된다.Magnesium hydroxide is added to the
또한 수산화마그네슘의 평균 입경은, 예를 들어 15〔㎛〕 이상 50〔㎛〕 미만의 범위로 설정하면 된다. 그 외에, 외장 수지(14)에 수산화마그네슘을 첨가하는 경우의 배리스터(2)의 외장 수지층(6-1)의 형성 처리에서는, 상기 실시 형태에 나타내는 수산화알루미늄(18)을 첨가하는 경우와 마찬가지의 첨가 조건 및 외장 수지층(6-1)의 형성 조건이 설정되면 되고, 또한 처리 수순도 마찬가지로 행하면 된다.The average particle diameter of magnesium hydroxide may be set in a range of, for example, 15 [mu m] or more and less than 50 [mu m]. In addition, in the process of forming the external resin layer 6-1 of the
(a) 이러한 구성에 따르면, 수산화마그네슘을 첨가한 외장 수지(14)는, 수산화알루미늄(18)을 첨가했을 경우에 비하여 탈수 개시 온도를 높게 설정할 수 있다. 즉 외장 수지(14)는, 수산화알루미늄을 첨가했을 경우의 탈수 개시 온도가 약 200〔℃〕이고, 수산화마그네슘을 첨가했을 경우의 탈수 개시 온도가 약 300〔℃〕이다. 배리스터(2)는, 서지 인가에 수반하여 국부 발열하면, 외장재(6)가 「탈수」 → 「기화」 → 「팽창」 → 「수지의 박리」 → 「스파크」 → 「고장 모드」가 된다. 배리스터(2)는, 외장 수지(14)의 탈수 개시 온도가 높아짐으로써, 높은 발열 온도 하가 되더라도 기능시킬 수 있어, 보다 큰 서지 전압이 인가될 가능성이 있는 전자 기기에의 이용이 가능해진다.(a) According to this constitution, the
(b) 실리콘 수지(16)를 주제로 하고, 수산화마그네슘을 70〔중량%〕 미만, 보다 바람직하게는 60 내지 65〔중량%〕로 첨가했으므로, 그만큼 실리콘 수지(16)를 삭감할 수 있다. 이것에 의하여 재료비 등의 비용을 저감시킬 수 있다.the
(c) 외장 수지(14)에 용제(20)를 첨가하여, 수산화마그네슘에 의한 고점도화를 억제할 수 있다. 즉, 용제(20)의 첨가에 의한 외장 수지(14)의 저점도화에 의하여, 많은 수산화마그네슘을 배합할 수 있어, 외장 수지(14)에 의한 외장 수지층(6-1)의 성형성을 높일 수 있다.(c) Addition of the solvent (20) to the external resin (14) makes it possible to suppress the increase in viscosity caused by the magnesium hydroxide. That is, by the lowering of the viscosity of the
(d) 용제(20)의 첨가에 의한 외장 수지(14)의 저점도화에 의하여, 외장 수지(14)에 대한 수산화마그네슘의 편재를 방지할 수 있다. 이것에 의하여, 외장 수지층(6-1) 내의 수산화마그네슘 편재에 의한 배리스터(2)의 절연 내압의 저하를 방지할 수 있다. 즉, 우수한 과전압 특성이 얻어진다.(d) By lowering the viscosity of the
(e) 경화 공정에서의 용제(20)의 증발에 수반하여 실리콘 수지(16)를 외장 수지층(6-1)의 표면에 표출시킬 수 있으므로, 배리스터(2)의 표면에 광택을 낼 수 있다.(e) Since the
(f) 실리콘 수지(16)는 유연성을 가지므로, 정격 전압을 초과하는 과전압의 인가에 의하여 배리스터가 순식간에 파괴되는 경우에도 외장 수지층(6-1)의 비산을 억제할 수 있다.(f) Since the
(g) 외장 수지층(6-1)의 표면이 광택을 띤 상태가 되어, 외장 수지층(6-1)의 표면에 배리스터의 정격 등을 레이저로 인자했을 경우의 시인성이 향상된다.(g) The surface of the external resin layer 6-1 is in a glossy state, and the visibility when the varistor rating or the like is printed on the surface of the external resin layer 6-1 with a laser is improved.
(h) 또한 외장 수지층(6-1)의 표면에 실리콘 수지(16)를 표출시킴으로써, 표면에의 흠집이 형성되는 것을 방지하여 내스크래치성이 향상된다.(h) Furthermore, by exposing the surface of the external resin layer 6-1 with the
(i) 용제(20)에 무극성 용매를 사용하므로, 실리콘 수지(16)와의 상성이 좋아 외장 수지층(6-1)에 핀 홀이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해서도 배리스터(2)의 절연 내압의 저하를 방지할 수 있다.(i) Since the non-polar solvent is used for the solvent 20, pinholes can be prevented from being generated in the external resin layer 6-1 due to good homogeneity with the
(j) 외장 수지층(6-1)의 소자(4)에 가까울수록 수산화마그네슘의 농도가 높으므로, 소자(4)의 연소를 억제하는 효과가 보다 향상된다.(j) Since the concentration of magnesium hydroxide is closer to the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 가장 바람직한 실시 형태 등에 대하여 설명하였다. 본 발명은 상기 기재에 한정되는 것은 아니며, 청구범위에 기재되거나 또는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 개시된 발명의 요지에 기초하여, 당업자에게 있어 다양한 변형이나 변경이 가능하다. 이러한 변형이나 변경이 본 발명의 범위에 포함되는 것은 물론이다.As described above, the most preferred embodiment of the present invention has been described. The present invention is not limited to the above description, and various modifications and changes may be made by those skilled in the art based on the gist of the invention disclosed in the specification or the detailed description for carrying out the invention. It goes without saying that such variations and modifications are included in the scope of the present invention.
본 개시의 기술은, 배리스터의 외장재에 포함되는 실리콘 수지에 수산화알루미늄 또는 수산화마그네슘을 첨가하고, 그의 첨가량에 따라 실리콘 수지가 구비하는 불연 특성을 유지하면서, 그의 사용량을 삭감하여 제조 비용을 저감시킬 수 있는 등 유용성이 높다.The technique of the present disclosure can reduce the use amount of aluminum hydroxide or magnesium hydroxide by adding aluminum hydroxide or magnesium hydroxide to the silicone resin contained in the outer cover material of the varistor while maintaining the fire retardancy possessed by the silicone resin, And so on.
2: 배리스터
4: 전압 비직선성 저항 소자
6: 외장재
6-1: 외장 수지층
6-2: 유리층
8: 세라믹 소체
10-1, 10-2: 전극
12-1, 12-2: 리드선
14: 외장 수지
16: 실리콘 수지
18: 수산화알루미늄
20: 용제
22: 딥 처리조
611, 621: 제1 영역
612, 622: 제2 영역
623: 제3 영역2: varistor
4: Voltage nonlinear resistance element
6: Outer material
6-1: External resin layer
6-2: Glass layer
8: Ceramic body
10-1, 10-2: electrode
12-1, 12-2: Lead wire
14: external resin
16: silicone resin
18: Aluminum hydroxide
20: Solvent
22: Dip treatment tank
611, 621: first region
612, 622:
623: third region
Claims (7)
60〔중량%〕 이상 70〔중량%〕 미만의 범위로 첨가량을 제어한 수산화알루미늄 또는 수산화마그네슘, 및 무극성 용매가 첨가된 실리콘 수지를 포함하는 외장재에 소자를 딥(dip)하는 공정과,
상기 소자의 표면에 형성된 상기 외장재를 건조시켜 상기 무극성 용매를 증발시키고, 또한 실리콘 수지 성분을 상기 외장재의 표면에 표출시키는 공정과,
상기 외장재를 경화시키는 경화 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.A method of manufacturing an electronic component using an exterior material comprising a silicone resin,
A step of dipping the element into a casing containing aluminum hydroxide or magnesium hydroxide controlled in an amount of not less than 60% by weight and less than 70% by weight, and a silicone resin to which a non-polar solvent is added;
Drying the exterior material formed on the surface of the device to evaporate the non-polar solvent and exposing a silicone resin component to the surface of the exterior material;
A curing process for curing the exterior material
Wherein the step of forming the electronic component comprises the steps of:
상기 실리콘 수지에, 무극성 용매와, 수산화알루미늄 또는 수산화마그네슘이 첨가되고, 해당 수산화알루미늄 또는 해당 수산화마그네슘의 첨가량이 60〔중량%〕 이상 70〔중량%〕 미만의 범위이며, 상기 무극성 용매가 건조에 의하여 상기 외장재의 표면에 표출되어 증발하고, 상기 실리콘 수지가 상기 외장재의 표면에 표출되어 경화되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 부품.An electronic component using an exterior material comprising a silicone resin,
Wherein a nonpolar solvent, aluminum hydroxide or magnesium hydroxide is added to the silicone resin, the amount of the aluminum hydroxide or magnesium hydroxide to be added is in the range of 60 wt% or more and less than 70 wt%, and the non- Wherein the silicone resin is exposed on the surface of the casing and evaporated, and the silicone resin is exposed and cured on the surface of the casing.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013235138 | 2013-11-13 | ||
JPJP-P-2013-235138 | 2013-11-13 | ||
PCT/JP2014/005679 WO2015072138A1 (en) | 2013-11-13 | 2014-11-12 | Electronic component and production method therefor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160083004A true KR20160083004A (en) | 2016-07-11 |
KR102181912B1 KR102181912B1 (en) | 2020-11-23 |
Family
ID=53057088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020167012114A KR102181912B1 (en) | 2013-11-13 | 2014-11-12 | Electronic component and production method therefor |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9892830B2 (en) |
EP (1) | EP3070720B1 (en) |
JP (1) | JP6561839B2 (en) |
KR (1) | KR102181912B1 (en) |
CN (1) | CN105706189B (en) |
TW (1) | TWI646560B (en) |
WO (1) | WO2015072138A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180049618A (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 주식회사 아모텍 | Method for manufacturing protection device for open mode |
KR20180049946A (en) * | 2016-11-04 | 2018-05-14 | 주식회사 아모텍 | Protection device for open mode and electric apparatus with the same |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6822766B2 (en) * | 2015-01-22 | 2021-01-27 | 旭化成株式会社 | Mold containing polyamide resin composition |
CN112614639B (en) * | 2020-12-01 | 2022-04-26 | 辰硕电子(九江)有限公司 | MOV chip is with having explosion-proof pressure release's big module MOV installation component |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06215910A (en) | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Tama Electric Co Ltd | Varistor with thermal fuse |
JP2005277100A (en) | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Nippon Chemicon Corp | Electronic component |
JP2006286986A (en) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Nippon Chemicon Corp | Electronic component and manufacturing method thereof |
KR101190900B1 (en) * | 2009-02-16 | 2012-10-12 | 닛뽄 케미콘 가부시끼가이샤 | Electronic component manufacturing method |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8806497D0 (en) * | 1988-03-18 | 1988-04-20 | Mortile Acoustic Ind Ltd | Non-toxic fire retardant thermoplastic material |
JP3305941B2 (en) * | 1996-01-22 | 2002-07-24 | 株式会社村田製作所 | Electronic components |
TW394961B (en) * | 1997-03-20 | 2000-06-21 | Ceratech Corp | Low capacitance chip varistor and fabrication method thereof |
TW464885B (en) * | 1999-10-04 | 2001-11-21 | Tdk Corp | Voltage nonlinear resistor and manufacturing method thereof |
JP2001291427A (en) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | Electrically insulating thin film forming resin composition and method of forming electrically insulating thin film |
JP2004247479A (en) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Nippon Chemicon Corp | Electronic component |
JP2004281934A (en) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Nippon Chemicon Corp | Electronic component and method for manufacturing the same |
JP2005243746A (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Nippon Chemicon Corp | Varistor |
JP2006002029A (en) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Fujikura Ltd | Polyolefin-based flame-retardant resin composition and heat-resistant, wear-resistant and flame-retardant insulation electric wire |
SE527949C2 (en) * | 2004-12-22 | 2006-07-18 | Abb Research Ltd | Method of producing a varistor |
JP4572275B2 (en) * | 2006-07-10 | 2010-11-04 | 福井県 | Flame retardant processing of organic polymer materials |
CN101302343A (en) * | 2008-07-10 | 2008-11-12 | 天津市凯华绝缘材料有限公司 | Flame-retardant organosilicon powder encapsulating material for electronic component |
DE102009023846B4 (en) * | 2009-02-03 | 2024-02-01 | Tdk Electronics Ag | Varistor ceramic, multilayer component comprising the varistor ceramic, manufacturing process for the varistor ceramic |
CN101630553B (en) * | 2009-07-17 | 2011-10-12 | 立昌先进科技股份有限公司 | Preparation method of zinc oxide varister |
TW201205606A (en) * | 2010-07-16 | 2012-02-01 | Yageo Corp | Manufacturing method of overvoltage protector |
CN101962519A (en) * | 2010-09-18 | 2011-02-02 | 海宁市科泰克金属表面技术有限公司 | Liquid insulating glue for cable joint |
GB201119826D0 (en) * | 2011-11-17 | 2011-12-28 | Dow Corning | Silicone resin |
JP2013145794A (en) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Canon Inc | Imprint device and imprint method, manufacturing method of article using the same |
JP5974574B2 (en) * | 2012-03-23 | 2016-08-23 | 富士ゼロックス株式会社 | Resin composition and resin molded body |
-
2014
- 2014-11-12 CN CN201480060992.5A patent/CN105706189B/en active Active
- 2014-11-12 KR KR1020167012114A patent/KR102181912B1/en active IP Right Grant
- 2014-11-12 EP EP14862954.6A patent/EP3070720B1/en active Active
- 2014-11-12 TW TW103139248A patent/TWI646560B/en active
- 2014-11-12 JP JP2015547640A patent/JP6561839B2/en active Active
- 2014-11-12 WO PCT/JP2014/005679 patent/WO2015072138A1/en active Application Filing
-
2016
- 2016-05-10 US US15/150,903 patent/US9892830B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06215910A (en) | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Tama Electric Co Ltd | Varistor with thermal fuse |
JP2005277100A (en) | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Nippon Chemicon Corp | Electronic component |
JP2006286986A (en) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Nippon Chemicon Corp | Electronic component and manufacturing method thereof |
KR101190900B1 (en) * | 2009-02-16 | 2012-10-12 | 닛뽄 케미콘 가부시끼가이샤 | Electronic component manufacturing method |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180049618A (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 주식회사 아모텍 | Method for manufacturing protection device for open mode |
KR20180049946A (en) * | 2016-11-04 | 2018-05-14 | 주식회사 아모텍 | Protection device for open mode and electric apparatus with the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3070720A1 (en) | 2016-09-21 |
JP6561839B2 (en) | 2019-08-21 |
TW201530572A (en) | 2015-08-01 |
CN105706189A (en) | 2016-06-22 |
JPWO2015072138A1 (en) | 2017-03-16 |
US9892830B2 (en) | 2018-02-13 |
EP3070720B1 (en) | 2019-06-12 |
TWI646560B (en) | 2019-01-01 |
WO2015072138A1 (en) | 2015-05-21 |
KR102181912B1 (en) | 2020-11-23 |
CN105706189B (en) | 2019-05-03 |
US20160254081A1 (en) | 2016-09-01 |
EP3070720A4 (en) | 2017-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101190900B1 (en) | Electronic component manufacturing method | |
KR20160083004A (en) | Electronic component and production method therefor | |
JP4650622B2 (en) | Voltage nonlinear resistor | |
JP2007019327A (en) | High heat-resistant film capacitor | |
JP5157349B2 (en) | Electronic components | |
US3720543A (en) | Coated porous ceramic article and method of making | |
JP2004095609A (en) | Packaged varistor | |
JP2004281934A (en) | Electronic component and method for manufacturing the same | |
JP2005243746A (en) | Varistor | |
JP5047454B2 (en) | Electronic components | |
TWI703186B (en) | Coating composition, coating and varistor containing the coating | |
JP2004247479A (en) | Electronic component | |
JP5364285B2 (en) | Electronic component and method for forming exterior film of electronic component | |
JP2004039999A (en) | Varistor and manufacturing method thereof | |
JP4513938B2 (en) | Electronic components | |
Li et al. | Characterization of water absorbed epoxy insulating coating material used in ZnO varistors by dielectric measurements | |
CN111205763B (en) | Coating composition, coating and piezoresistor containing coating | |
JP2010182996A (en) | Method of manufacturing electronic component | |
JP6311115B2 (en) | Circuit protection element and manufacturing method thereof | |
TWM573883U (en) | Varistor device | |
TW314667B (en) | Burst absorber with incombustibility and blastproof effect and manufacturing method thereof | |
KR101083266B1 (en) | Plane heater having antistatic layer | |
TWM572051U (en) | Electrode electronic component with flame retardant effect | |
CN201204746Y (en) | Moistureproof circuit board | |
KR200450758Y1 (en) | Anti-burst resistor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |